WO2009150972A1 - 絶縁膜形成用インキ組成物、該インキ組成物から形成された絶縁膜 - Google Patents

絶縁膜形成用インキ組成物、該インキ組成物から形成された絶縁膜 Download PDF

Info

Publication number
WO2009150972A1
WO2009150972A1 PCT/JP2009/060129 JP2009060129W WO2009150972A1 WO 2009150972 A1 WO2009150972 A1 WO 2009150972A1 JP 2009060129 W JP2009060129 W JP 2009060129W WO 2009150972 A1 WO2009150972 A1 WO 2009150972A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
insulating film
ink composition
forming
ink
organic solvent
Prior art date
Application number
PCT/JP2009/060129
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
正義 高武
餌取　秀樹
海老根　俊裕
宏 五十住
正紀 笠井
Original Assignee
Dic株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dic株式会社 filed Critical Dic株式会社
Priority to CN200980121884.3A priority Critical patent/CN102057000B/zh
Priority to US12/737,145 priority patent/US8791173B2/en
Priority to JP2010501307A priority patent/JP4626837B2/ja
Priority to EP09762402.7A priority patent/EP2292707B1/en
Publication of WO2009150972A1 publication Critical patent/WO2009150972A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/02—Printing inks
    • C09D11/03—Printing inks characterised by features other than the chemical nature of the binder
    • C09D11/033—Printing inks characterised by features other than the chemical nature of the binder characterised by the solvent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D11/00—Inks
    • C09D11/02—Printing inks
    • C09D11/10—Printing inks based on artificial resins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H01L21/02288—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating printing, e.g. ink-jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
    • H10K10/471—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only organic materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40—Organic transistors
    • H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate

Definitions

  • the present invention relates to an ink composition for forming an insulating film that can be suitably used for manufacturing an electronic device, and an insulating film formed from the ink composition.
  • Transistors are widely used as important electronic elements (electronic parts) that make up televisions and computer equipment, and are currently manufactured using inorganic materials such as silicon as the main material.
  • an organic transistor (OFET) using an organic substance as a member of such a transistor has attracted attention (see Non-Patent Document 1).
  • OFET is soft and flexible, and has the advantage that raw materials can be produced at a low price when considered per unit area, and is an essential item in the ubiquitous era, that is, a component that is indispensable for realizing flexible and low-cost terminals. It is considered.
  • OFET is an electronic device having three electrodes, an insulating layer, and a semiconductor layer as essential members.
  • An example of the element structure is shown in FIG.
  • a wet process such as a printing method and a dry process such as vacuum deposition and sputtering.
  • Patent Document 2 the wet process usually needs to undergo an overheating (firing) process after film formation.
  • this overheating (firing) process is required to be performed at a lower temperature.
  • PEN polyethylene naphthalate
  • a baking temperature of 150 ° C. or less is required.
  • the insulating film forming ink may be required to have excellent printing characteristics that can cope with fine pattern formation.
  • various characteristics required for the GI itself include those related to the element manufacturing process and those related to the element electrical characteristics (FET characteristics).
  • the former has a characteristic that it does not dissolve in the solvent used in the organic semiconductor layer that is the upper layer of the GI, that is, solvent resistance.
  • solvent resistance In the latter, it is said that the higher the insulation in a thin film state (the smaller the leakage current) and the higher the smoothness of the surface, the better the device characteristics.
  • a polyvinylphenol material (I) using a polyimide material as a curing agent is known (see Non-Patent Document 3).
  • curing agent is known (refer nonpatent literature 4).
  • thermoplastic resins (II) represented by polymethyl methacrylate and polystyrene are also known (see Non-Patent Document 5).
  • the thermoplastic resin is inferior in solvent resistance, and it is difficult to laminate a conductive layer, a semiconductor layer, etc. on the upper layer by a printing method, and a dry process step requiring equipment such as vapor deposition is required. .
  • Patent Document 6 Solid or liquid bisphenol type general-purpose epoxy resin (III) is also known (see Non-Patent Document 6).
  • Patent Document 1 discloses an insulating material containing a silane coupling agent and an epoxy resin (see Patent Document 1).
  • Patent Document 2 discloses a method for manufacturing a circuit element by a letterpress reverse printing method, but there is no description regarding firing at a low temperature (see Patent Document 2). Therefore, in order to form an electronic device by providing an insulating film on a flexible substrate, there is no ink technology for forming an insulating film that has sufficient firing temperature, solvent resistance, and insulating properties. Furthermore, there is currently no ink technology for forming an insulating film that has sufficient precision pattern forming ability.
  • the first problem in the present invention is to provide an insulating ink composition for forming an insulating film having sufficient firing temperature, solvent resistance, and insulating properties.
  • a second problem is to provide an ink composition for forming an insulating film that can form a fine insulating film pattern required for forming a highly integrated organic transistor by a printing method.
  • a third problem is to provide the ink composition
  • An object of the present invention is to provide an insulating film formed from the composition.
  • the present invention firstly includes an organic solvent, a polyvinylphenol-based resin, an epoxy resin, and a crosslinking assistant as essential components, and an ink composition for forming an insulating film, characterized in that I will provide a.
  • the present invention secondly, a further insulating film forming ink composition that allows a fine insulating film patterns formed, the organic solvent described above is, vapor pressure at 20 ° C. is 11.3 ⁇ 10 2 Pa or more And an organic solvent having a boiling point of less than 115 ° C. under atmospheric pressure, and an organic solvent having a vapor pressure of less than 11.3 ⁇ 10 2 Pa at 20 ° C. and a boiling point of 115 ° C.
  • An insulating film forming ink composition is provided.
  • Third, an insulating film formed from the ink composition for forming an insulating film is provided.
  • the ink composition for forming an insulating film of the present invention By using the ink composition for forming an insulating film of the present invention, it is possible to obtain excellent characteristics as an insulating film at a baking temperature of 100 to 140 ° C., and an insulating film is formed on a flexible substrate such as PEN. It becomes possible. Furthermore, the formed insulating film has solvent resistance, and other layers such as a conductive layer and a semiconductor layer can be stacked thereon by a printing method. In addition, since the leakage current is small, the insulating film can be suitably used as a gate insulating film of an organic field effect transistor (OFET) or the like.
  • OFET organic field effect transistor
  • the ink composition for forming an insulating film of the present invention is an ink composition for forming an insulating film containing an organic solvent, a polyvinylphenol resin, an epoxy resin, and a crosslinking aid as essential components.
  • any solvent can be used as long as it dissolves the polyvinylphenol resin.
  • pentane, hexane, heptane, octane, decane can be used.
  • Dodecane isopentane, isohexane, isooctane, cyclohexane, methylcyclohexane, cyclopentane and other aliphatic hydrocarbon organic solvents, benzene, toluene, o-xylene, m-xylene, p-xylene, ethylbenzene, mesitylene, naphthalene, cyclohexylbenzene , Aromatic hydrocarbon solvents such as diethylbenzene, methyl formate, ethyl formate, propyl formate, methyl acetate, ethyl acetate, isopropyl acetate, n-propyl acetate, isobutyl acetate, n-butyl acetate, methyl propionate, ethyl propionate, etc.
  • Polyvinylphenol resins used in the ink composition for forming an insulating film of the present invention include p-vinylphenol homopolymer, p-vinylphenol and other vinyl monomers (for example, methyl methacrylate, 2-hydroxylethyl methacrylate, Copolymer with styrene, butyl acrylate, 2-hydroxylethyl acrylate, phenylmaleimide, maleic acid, fumaric acid), bromine substituted p-vinylphenol homopolymer obtained by bromine substitution of p-vinylphenol, bromine substituted p -Copolymers of vinylphenol and other vinyl resins, homopolymers of p-vinylphenol derivatives sulfonated, t-butylated, and aminated with p-vinylphenol, p-vinylphenol derivatives and other vinyl monomers There is a copolymer of There.
  • p-vinylphenol homopolymer for example, methyl me
  • the polyvinylphenol-based resin is preferably contained in an amount of 10% by mass or more in the total solid content excluding the extender pigment of the insulating film forming ink composition. More preferably, it is 25 mass% or more.
  • the epoxy resin used in the ink composition for forming an insulating film according to the present invention functions as a crosslinking agent for polyvinylphenol resin, and any known epoxy resin having a bifunctional or more reactive epoxy group can be used.
  • any known epoxy resin having a bifunctional or more reactive epoxy group can be used.
  • bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, polyfunctional epoxy resin, flexible epoxy resin, brominated epoxy resin, glycidyl ester type epoxy resin, polymer type epoxy resin, biphenyl type There are epoxy resins, but there is no particular limitation. These may be used alone or in combination of two or more.
  • a crosslinking aid is used.
  • the crosslinking aid any of amine compounds, polyamide resins, imidazoles, polymercaptans, boron trifluorides, dicyandiamides, organic acid hydrazides, triphenylphosphine, and other known and commonly used crosslinking aids may be used. These crosslinking aids may be used alone or in combination of two or more. From the viewpoint of room temperature stability and low temperature curing at 150 ° C. or lower, 2-ethyl-4-methylimidazole is preferred.
  • crosslinking aids are contained in an amount of 0.3 to 10.0% by mass, preferably 1.0 to 5.0% by mass in the total solid content. If this content is outside this range and the amount is too small, curing will be insufficient, and if it is too large, a strong polar crosslinking aid will remain in the resulting insulating resin film, resulting in problems that hinder insulation properties. .
  • constitutional component When an after-mentioned constitutional component is added, it is contained in an amount of 0.3 to 10.0% by mass, preferably 1.0 to 5.0% by mass in the total solid content excluding the constitutional component.
  • the ink composition for forming an insulating film of the present invention can be used by adding various surfactants and the like as needed mainly for release agent, constitutional component, ink surface tension adjustment and leveling improvement. .
  • the surfactant hydrocarbon, silicone, fluorine, and a mixture of two or more of these surfactants can be applied.
  • the fluorosurfactant has excellent ink surface tension adjustment and leveling improvement effect.
  • the insulating film formed from the ink added with the surfactant has a polythiophene-based crystalline organic semiconductor. It is the most suitable surfactant because it is excellent in compatibility and can be expected to improve not only ink characteristics but also transistor characteristics.
  • a preferred fluorosurfactant is a nonionic fluorosurfactant having a linear perfluoroalkyl group and having a chain length of C6 or more, more preferably C8 or more.
  • fuck F-482 Megafuck F-470 (R-08), Megafuck F-472SF, Megafuck R-30, Megafuck F-484, Megafuck F-486, Mega There is a fuck F-172D, a mega fuck F178RM (the trade name, manufactured by DIC), etc., but there is no particular limitation. These may be used alone or in combination of two or more.
  • These surfactants are contained in the total ink composition in an amount of 0.01 to 5.0% by mass, preferably 0.05 to 1.0% by mass of the active component.
  • substrates for forming electronic elements include glass woven epoxy laminates, glass nonwoven fabric epoxy laminates, paper epoxy laminates, paper phenol laminates, glass woven polyimide laminates, and the like, polyethylene naphthalate , Plastic films such as polyimide, polyethylene terephthalate, polycarbonate, etc., metal plates or foils such as copper, aluminum, stainless steel, iron coated with insulator, plate glass, alumina, zirconia, silica, etc.
  • a plastic material having flexibility such as naphthalate, polyethylene terephthalate, and polycarbonate, the low temperature curability that is a feature of the present invention can be utilized.
  • Various types of printing methods can be employed for forming the ink composition for forming an insulating film of the present invention into a film.
  • a well-known and usual printing system can be used, and it can be manufactured by adopting a single-layer or multi-layer coating material manufacturing system.
  • gravure method, offset method, letterpress method, screen method, reverse method, air doctor coater method, blade coater method, air knife coater method, squeeze coater method, impregnation coater method, transfer roll coater method, kiss coater method Examples thereof include a cast coater method, a spray coater method, a die method, a spin coater method, a bar coater method, a micro contact method, and a letterpress reverse printing method.
  • the ink composition of the present invention contains an additive suitable for the printing method according to each printing method, a solvent suitable for the printing method is selected, and is prepared at a resin component concentration suitable for the printing method.
  • the letterpress reverse printing method referred to here is an ink in which ink is applied to a smooth releasable surface made of polydimethylsiloxane (PDMS) and the like, and the letterpress serving as a release plate is pressed against the ink application surface, thereby contacting the letterpress.
  • PDMS polydimethylsiloxane
  • the ink applied to this printing method can uniformly wet the releasable surface, and the ink can be removed from the releasable surface neatly according to the relief pattern by pressing the relief, and the remaining ink pattern is released. It is required to transfer from the surface to the printing medium without remaining.
  • the ink composition for forming an insulating film of the present invention suitable for such a printing method preferably contains two or more quick-drying and slow-drying solvents, a constitutional component, a surface energy adjusting agent, and a release agent in addition to the essential components. . By adding these components, the ink printing characteristics can be improved, and the fine patterning properties necessary for constituting an electronic component such as an organic transistor can be realized.
  • any one or more of solvents having a vapor pressure of not less than 11.3 ⁇ 10 2 Pa (8.5 mmHg) at 20 ° C. and a boiling point of less than 115 ° C. under atmospheric pressure is used.
  • the dry organic solvent is contained in the total ink composition in an amount of 5.0 to 90.0% by mass, preferably 10.0 to 60.0% by mass, and more preferably 20.0 to 40.0% by mass.
  • fast-drying organic solvents are selected in consideration of the solubility of the resin and the affinity for the pigment dispersion system, and the following solvents are used as examples.
  • ester solvents ethyl acetate, normal propyl acetate, isopropyl acetate, alcohol solvents as methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, hydrocarbon solvents as pentane, hexane, cyclohexane, methylcyclohexane, toluene, xylene
  • ketone solvents include tetrahydrofuran and the like. These may also be a mixture of the respective systems and a plurality of systems. Of these, isopropyl acetate, ethanol and 2-propanol are preferable in view of their evaporation rate and surface tension.
  • any one or more of solvents having a vapor pressure of less than 11.3 ⁇ 10 2 Pa (8.5 mmHg) at 20 ° C. and a boiling point of 115 ° C. or more at atmospheric pressure is used.
  • the dry organic solvent is contained in the total ink composition in an amount of 5.0 to 90.0% by mass, preferably 30.0 to 70.0% by mass, and more preferably 40.0 to 60.0% by mass.
  • These solvents are selected in consideration of the solubility of the resin and the affinity for the pigment dispersion system. For example, the following solvents are used.
  • propylene glycol monomethyl ether acetate 3-methoxy-3-methyl-butyl acetate, ethoxyethyl propionate, and Diadol 135 are preferable in view of their evaporation rate and surface tension.
  • the mold release agent one or two or more known and commonly used silicone compounds are used. Specific examples include dimethyl silicone oil, dimethyl silicone rubber, silicone resin, organically modified silicone, methylphenyl silicone oil, long chain alkyl modified silicone oil, mixture of fluorine compound and silicone polymer, fluorine modified silicone, etc. There is no particular limitation. These may be used alone or in combination of two or more. Among these, KF-96L series (trade name, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) is preferable from the viewpoint of releasability and compatibility with PVP resin. These release agents are contained in the total ink composition in an amount of 0.0 to 5.0% by mass, preferably 0.0 to 1.0% by mass. If the content is outside this range, an excessive amount is not preferable because not only the printing characteristics are deteriorated, but also a problem of inhibiting the insulating film characteristics occurs.
  • a known and commonly used color pigment simple substance, fine particle powder simple substance, and a pigment dispersion in which these color pigment simple substance and fine particle powder alone are previously dispersed in a dispersant or an organic solvent are used.
  • EXCEDIC BLUE0565, EXCEDIC RED 0759, EXCEDIC YELLOW 0599, EXCEDIC GREEN0358, EXCEDIC YELLOW0648 (trade name made by DIC), Aerosil series (trade name made by Evonik Co., Ltd.), Silicia, Silo Pure, Thylosphere, Silo Mask, Silwell, Fuji Balloon (trade name, manufactured by Fuji Silysia), PMA-ST, IPA-ST (trade name: Nissan Chemical), NANOBIC 3600 series, NANOBIC 3800 series (trade name, manufactured by Big Chemie)
  • these may be used alone or in combination of two or more.
  • the average particle size of the constitutional component added to the ink is preferably 1 to 150 nm, and more preferably 5 to 50 nm.
  • the average particle diameter of the constitutional component can be easily measured by, for example, a dynamic light scattering method.
  • These constitutional components are contained in the total solid content of 20 to 90% by mass, preferably 40 to 70% by mass. If the content is outside this range and the amount is too large, the insulating film becomes brittle, which is not preferable. On the other hand, if the amount is too small, the fine patterning characteristics of the ink are insufficient, which is not preferable.
  • the ink suitable for the letterpress reverse printing method has the above-mentioned composition, but its physical properties are also an important factor.
  • the physical properties first, the ink viscosity at a temperature of 25 ° C. is in the range of 0.5 mPa ⁇ s to 30.0 mPa ⁇ s. Of these, 1.0 to 5.0 mPa ⁇ s is more preferable.
  • the surface energy of the ink composition is also an important factor.
  • the surface energy of the ink composition is preferably 17 mN / m to 30 mN / m, but the surface energy is preferably lower than 22 mN / m.
  • Example 1 As a polyvinylphenol resin, 2.3 g of Marcalinker M (manufactured by Maruzen Petroleum), 3.3 g of epoxy resin Epicron 850CPR (manufactured by DIC) as a crosslinking agent, and 2-ethyl-4-methylimidazole as a crosslinking aid
  • Example 1 ink was prepared by mixing 0.14 g and 22.0 g of isopropyl acetate (hereinafter referred to as IPAc) as a solvent.
  • IPAc isopropyl acetate
  • Example 2 As a polyvinylphenol resin, 2.3 g of poly (4-vinylphenol-co-methyl methacrylate) (manufactured by Aldrich), 3.3 g of epoxy resin Epicron 850CPR (manufactured by DIC) as a crosslinking agent, Ink of Example 2 was prepared by mixing 0.06 g of 2-ethyl-4-methylimidazole, 22.0 g of cyclohexanone as a solvent, and 0.5 g of F-482 as a fluorosurfactant.
  • Example 3 As a polyvinylphenol resin, 2.3 g of Marcalinker M (manufactured by Maruzen Petroleum), 3.3 g of epoxy resin Epicron 850CPR (manufactured by DIC) as a crosslinking agent, and 2-ethyl-4-methylimidazole as a crosslinking aid 0.15 g, 15 g of IPAc as solvent, 29 g of propylene glycol monomethyl ether, 6.0 g of propylene carbonate, 2.0 g of KF96L-1cs (manufactured by Shin-Etsu Chemical) as a release agent,
  • Example 3 ink was prepared by mixing 1.0 g of F-482 (manufactured by DIC) and 0.3 g of MCF-350SF (manufactured by DIC), 25 g of PMA-ST (manufactured by Nissan Chemical) as a constitutional component, and mixing the above. did.
  • Comparative Example 1 Comparative Example 1 in which 20.0 g of polymethyl methacrylate (PMMA) (manufactured by Aldrich: Mw 120,000) as an acrylic resin was mixed with 80.0 g of a solvent cyclohexanone instead of polyvinyl phenol resin and epoxy resin as a resin component. An ink was prepared.
  • PMMA polymethyl methacrylate
  • Mw 120,000 a solvent cyclohexanone
  • Comparative Example 2 ink was prepared by mixing 20.0 g of a polystyrene resin (manufactured by Aldrich: Mw 44,000) with 80.0 g of a solvent cyclohexanone instead of polyvinylphenol resin and epoxy resin as a resin component.
  • Comparative Example 4 1.9 g of phenol novolak resin (Phenolite TD-2090-60M: MEK solution with a solid content of 60%) and 2.0 g of epoxy resin Epicron 850CPR (manufactured by DIC), 2-ethyl-4-methylimidazole as a crosslinking aid Ink of Comparative Example 4 was prepared by mixing 4.0 g of isopropyl acetate (hereinafter referred to as IPAc) and 3.8 g of methyl ethyl ketone as a solvent.
  • IPAc isopropyl acetate
  • the ink of Comparative Example 3 was prepared from the above Example 1 ink on a glass plate having a thickness of 1.5 mm by a spin coater printing method so as to have a dry film thickness of 1 ⁇ m. Then, it baked for 30 minutes at 140 degreeC, and formed the solvent-resistant evaluation sample. The solvent resistance evaluation was performed by immersing the thin film produced as described above in butyl carbitol acetate for 20 hours together with the glass plate, and evaluating whether the thin film remained. The results are shown in Tables 1 and 2.
  • each ink composition is printed on a glass plate with ITO having a thickness of 1.5 mm and baked at 140 ° C. for 30 minutes to obtain an insulating film having a dry film thickness of about 1 ⁇ m.
  • a silver electrode was formed on the insulating film by a vacuum deposition method, and the current value when 150 V was applied to the insulating film was measured.
  • the unit is mAcm- 2 .
  • a transistor characteristic measuring element having a bottom gate bottom contact (BGBC) structure shown in FIG. 1 was prepared.
  • BGBC bottom gate bottom contact
  • a source / drain electrode pattern having a channel length of 50 ⁇ m and a channel width of 4 mm is formed on the previously formed gate insulating film by using a printing plate reverse printing using a conductive ink for reverse printing. The silver electrode was formed by baking for 40 minutes at 170 degreeC in oven.
  • a P3HT thin film was formed on the insulating film, source and drain electrodes by spin coating using a 0.5 wt% solution of organic semiconductor (P3HT) Poly (3-hexylthiophene) in xylene.
  • the prepared device was heat-treated in a glow box at 150 ° C. for about 5 minutes, and then the Id-Vg and Id-Vd characteristics were measured using a semiconductor parameter measuring apparatus (Keithley 4200).
  • the field effect mobility and ON / OFF were determined by known methods.
  • the unit of mobility is cm 2 / Vs.
  • the ink composition for forming an insulating film of the present invention can be fired at a low temperature, and can be suitably applied to the production of an electronic device using a flexible film as a substrate.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Inks, Pencil-Leads, Or Crayons (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

　低焼成温度、耐溶剤性、絶縁性を十分に兼ね備えた絶縁膜を形成するための絶縁性インキ組成物を提供することにある。又、高集積な有機トランジスタの形成に必要とされる微細な絶縁膜パターンを印刷法により形成できる絶縁膜形成用インキ組成物を提供する。有機溶剤、ポリビニルフェノール系樹脂、エポキシ樹脂、及び、架橋助剤を含有する絶縁膜形成用インキ組成物。特に、有機溶剤が、２０℃における蒸気圧が１１．３×１０２ Ｐａ以上かつ大気圧下における沸点が１１５℃未満の有機溶剤、及び、２０℃における蒸気圧が１１．３×１０２ Ｐａ未満かつ大気圧下における沸点が１１５℃以上の有機溶剤を含む溶剤であって、体積平均粒径が１～１５０ｎｍの体質成分およびシリコーン系離型剤成分を含有する絶縁膜形成用インキ組成物。

Description

絶縁膜形成用インキ組成物、該インキ組成物から形成された絶縁膜
　本発明は、電子素子の製造に相応しく使用できる絶縁膜形成用インキ組成物ならびに、該インキ組成物から形成される絶縁膜に関する。
　トランジスタはテレビやコンピューター機器を構成する重要な電子素子(電子部品)として広く活用されており、現在、シリコン等の無機物を主材料にして製造されている。近年、こうしたトランジスタの部材に有機物を使った有機トランジスタ（ＯＦＥＴ）が注目を集めている（非特許文献１参照）。ＯＦＥＴは、柔らかくフレキシブルである上、単位面積あたりで考えると原料が低価格で生産できるというメリットがあり、ユビキタス時代の必須アイテム、すなわち、フレキシブル＆低コスト端末の実現には欠かせない構成要素と考えられている。
　ＯＦＥＴは三つの電極、絶縁層および半導体層を必須部材とする電子素子である。素子構造の一例を図１に示す。図中番号３に該当するゲート絶縁層（ＧＩ）の形成法には、印刷法等のウェットプロセスと真空蒸着やスパッタリング等のドライプロセスがあるが、低価格化を考えるとウェットプロセスが好ましい（非特許文献２参照）。一方で、ウェットプロセスは通常、製膜後に過熱（焼成）過程を経る必要がある。耐熱温度の低いフレキシブル材料を基板に用いる場合には、この過熱（焼成）過程がより低温でなされることが求められる。例えば、ポリエチレンナフタレート（PEN）を基材に使用した場合には１５０℃以下の焼成温度が求められる。また、ウェットプロセスとして印刷法を適用する場合には、絶縁膜形成用インキには微細なパターン形成に対応可能な優れた印刷特性が要求される場合も有る。
　一方、ＧＩ自体に求められている諸特性には、素子製造プロセスに関係するものと素子電気特性（ＦＥＴ特性）に関係するものがある。前者には、ＧＩ上層にくる有機半導体層に使用される溶剤に溶解しない特性、すなわち、耐溶剤性がある。後者では、薄膜状態での絶縁性が高く（漏れ電流が小さい）、表面の平滑度が高いほど、素子特性が向上するとされている。絶縁膜形成用材料として、例えば、ポリイミド系材料を硬化剤としたポリビニルフェノール系材料（Ｉ）が知られている（非特許文献３参照）。又、メラミン系樹脂を硬化剤としたポリビニルフェノール系材料が知られている（非特許文献４参照）。
　しかしながら、こうした材料は、２００℃程度の高温焼成が必要であり、通常、ガラス素材を基板として使用する場合に相応しく用いられるが、柔軟性を特徴とし、耐熱温度の低いプラスチック基材への適用は困難である。高温焼成工程を省くために、ポリメチルメタクリレート系やポリスチレン系に代表される熱可塑性樹脂（ＩＩ）も知られている（非特許文献５参照）。しかしながら、熱可塑性樹脂は耐溶剤性に劣り、その上層に、導電性層、半導体層等を印刷法で積層することが困難であり、蒸着等の設備を要するドライプロセス工程が必要となってくる。又、固形又は液状のビスフェノール型汎用エポキシ樹脂（ＩＩＩ)も知られている（非特許文献６参照）。しかしながら、この材料により形成される絶縁膜は漏れ電流が大きいことが知られている。特許文献１には、シランカップリング剤とエポキシ樹脂を含有する絶縁材料が開示されている（特許文献１参照）。また、特許文献２には、凸版反転印刷法による回路素子の製造方法が開示されているが、低温での焼成に関する記載がない（特許文献２参照）。従って、柔軟性を有する基材上に絶縁膜を設けて電子素子を形成するために、焼成温度、耐溶剤性、絶縁性を十分に兼ね備えた絶縁膜形成用インキ技術がない。更に、精密パターン形成能を十分に兼ね備えた絶縁膜形成用インキ技術がないのが現状である。
特開２００７－３０５９５０号公報 特開２００７－２７３７１２号公報
アドバンスドマテリアルズ（Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）　２００２年、第１４号，　Ｐ．９９ ケミストリーオブマテリアルズ（Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　ｏｆ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）２００４年、第１６号、Ｐ．４５４３ アプライドフィジックスレターズ（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ）１９９８年、第７２号、Ｐ．２７１６ ジャーナルオブアプライドフィジックス（Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ）２００２年、第９２号、Ｐ．５２５９ サイエンス（Ｓｃｉｅｎｃｅ）２００７年、第３１８号、Ｐ．７６ ジャパニーズジャーナルオブアップライドフィジックス（Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ）２００３年、第４２号、Ｐ．Ｌ５２３
　本発明における第一の課題は、焼成温度、耐溶剤性、絶縁性を十分に兼ね備えた絶縁膜を形成するための絶縁性インキ組成物を提供することにある。第二の課題は高集積な有機トランジスタの形成に必要とされる微細な絶縁膜パターンを印刷法により形成できる絶縁膜形成用インキ組成物を提供することにあり、第三の課題は、該インキ組成物から形成される絶縁性膜を提供することにある。
　上記課題を解決するために、本発明は、第一に、有機溶剤、ポリビニルフェノール系樹脂、エポキシ樹脂、および、架橋助剤を必須成分として含有することを特徴とする絶縁膜形成用インキ組成物を提供する。本発明は、第二に、更に微細な絶縁膜パターン形成を可能とする絶縁膜形成用インキ組成物であって、前記した有機溶剤が、２０℃における蒸気圧が１１．３×１０２ Ｐａ以上かつ大気圧下における沸点が１１５℃未満の有機溶剤、及び、２０℃における蒸気圧が１１．３×１０２ Ｐａ未満かつ大気圧下における沸点が１１５℃以上の有機溶剤を含む溶剤であって、体積平均粒径が１～１５０ｎｍの体質成分およびシリコーン系離型性分を含有し、２５℃におけるインキの表面張力が１７～３０ｍＮ／ｍであり、インキの粘度が０．５～３０ｍＰａ・ｓである絶縁膜形成用インキ組成物を提供する。第三に前記絶縁膜形成用インキ組成物より形成される絶縁膜を提供する。
　本発明の絶縁膜形成用インキ組成物を用いることにより、焼成温度１００～１４０℃で絶縁膜として優れた特性を得ることが可能であり、ＰＥＮ等の柔軟性基材上に絶縁膜を形成することが可能となる。さらに、形成された絶縁膜は耐溶剤性があり、その上層に、導電層、半導体層等、他の層を印刷法により積層することが可能になる。又、漏れ電流も小さく、該絶縁膜を有機電界効果型トランジスタ（ＯＦＥＴ）等のゲート絶縁膜として好適に用いることができる。
本発明の絶縁膜を使用した電子素子の一例を模式的に示す概略構成図である。
　本発明の絶縁膜形成用インキ組成物は、有機溶剤、ポリビニルフェノール系樹脂、エポキシ樹脂および架橋助剤を必須成分として含有する絶縁膜形成用インキ組成物である。
　本発明の絶縁膜形成用インキ組成物に用いる有機溶剤としては、前記ポリビニルフェノール系樹脂を溶解するものであれば任意の溶剤を使用することができ、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、イソペンタン、イソヘキサン、イソオクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、シクロペンタン等の脂肪族炭化水素系有機溶剤、ベンゼン、トルエン、o-キシレン、m-キシレン、p-キシレン、エチルベンゼン、メシチレン、ナフタレン、シクロヘキシルベンゼン、ジエチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤、蟻酸メチル、蟻酸エチル、蟻酸プロピル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸n-プロピル、酢酸イソブチル、酢酸ｎ－ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル等のエステル系溶剤、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、sec-ブタノール、tert-ブタノール、シクロヘキサノール、α-テルピネオール等のアルコール系溶剤、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、2-ヘキサノン、2-ヘプタノン、2-オクタノン、テトラヒドロフラン等のケトン系溶剤、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル類、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールイソプロピルエーテルアセテート、ジエチレングリコールブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール-ｔ-ブチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールメチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールエチルエーテルアセテート、トリエチレングリコールプロピルエーテルアセテート、トリエチレングリコールイソプロピルエーテルアセテート、トリエチレングリコールブチルエーテルアセテート、トリエチレングリコール-ｔ-ブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル等のアルキレングリコール系溶剤、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジヘキシルエーテル、エチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、アニソール、ブチルフェニルエーテル、ペンチルフェニルエーテル、メトキシトルエン、ベンジルエチルエーテル、ジフェニルエーテル、ジベンジルエーテル、ジオキサン、フラン、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤、N、N-ジメチルホルムアミド、N、N-ジメチルアセタミド、N-メチルピロリドン等のアミド系溶媒等々があるが、特に限定されるものではない。また、これらは単独または二種類以上を併用してもよい。
　本発明の絶縁膜形成用インキ組成物に用いるポリビニルフェノール系樹脂には、ｐ－ビニルフェノールのホモポリマー、ｐ－ビニルフェノールと他のビニルモノマー（例えば、メタクリル酸メチル、メタクリル酸２－ヒドロキシルエチル、スチレン、アクリル酸ブチル、アクリル酸２－ヒドロキシルエチル、フェニルマレイイミド、マレイン酸、フマル酸）との共重合体、ｐ－ビニルフェノールを臭素置換した臭素置換ｐ－ビニルフェノールのホモポリマー、臭素置換ｐ－ビニルフェノールと他のビニル樹脂との共重合体、ｐ－ビニルフェノールをスルホン化、ｔ－ブチル化、アミノ化したｐ－ビニルフェノール誘導体のホモポリマー、ｐ－ビニルフェノール誘導体と他のビニルモノマーとの共重合体などがあるが、特に限定するものではない。また、これらは単独または二種類以上を併用してもよい。本発明に於いて、ポリビニルフェノール系樹脂は、絶縁膜形成用インキ組成物の体質顔料を除く全固形分中に１０質量％以上含有することが好ましい。より好ましくは２５質量％以上である。
　本発明の絶縁膜形成用インキ組成物に用いるエポキシ樹脂はポリビニルフェノール系樹脂の架橋剤の機能を奏するものであり、２官能以上の反応性のエポキシ基を有する公知慣用のエポキシ樹脂であればどのようなものでも良く、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、多官能エポキシ樹脂、可撓性エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、高分子型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂等があるが、特に限定するものではない。また、これらは単独または二種類以上を併用してもよい。
　本発明の絶縁膜形成用インキ組成物には、架橋助剤を用いる。架橋助剤としては、アミン系化合物、ポリアミド樹脂、イミダゾール類、ポリメルカプタン類、三フッ化ホウ素類、ジシアンジアミド類、有機酸ヒドラジド、トリフェニルホスフィン、その他、公知慣用の架橋助剤のいずれでもよい。これらの架橋助剤は単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。室温安定性と１５０℃以下での低温硬化の観点からは、２－エチル－４－メチルイミダゾールが好ましい。これら架橋助剤は、全固形分中に０．３～１０．０質量％、好ましくは１．０～５．０質量％含有される。この含有量がこの範囲外で量が少なすぎると硬化不足となり、多すぎると得られた絶縁樹脂膜内に極性の強い架橋助剤が残留するため、絶縁特性を阻害する不具合が生じて好ましくない。後述の体質成分を添加する場合は、体質成分を除く全固形分中に０．３～１０．０質量％、好ましくは１．０～５．０質量％含有される。
　本発明の絶縁膜形成用インキ組成物は、離型剤、体質成分およびインキ表面張力調整、レベリング性向上を主な目的として各種界面活性剤等を必要に応じて添加して使用することができる。
　界面活性剤としては、炭化水素系、シリコーン系、フッ素系およびこれら界面活性剤の２種類以上の混合系が適用可能である。特にフッ素系界面活性剤は、その優れたインキ表面張力調整、レベリング性向上効果に加えて、該界面活性剤添加したインキにより形成された絶縁膜は、ポリチオフェン系等の結晶性の有機半導体との相性に優れ、インキ特性のみならずトランジスタ特性の向上が期待できることから最も好適な界面活性剤である。なかでも好ましいフッ素系界面活性剤は、直鎖状のパーフルオロアルキル基を有し、鎖長がＣ６以上、さらに好ましくはＣ８以上のノニオン系のフッ素系界面活性剤である。具体的なものとしては例えば、メガファックＦ－４８２、メガファックＦ－４７０（Ｒ－０８）、メガファックＦ－４７２ＳＦ、メガファックＲ－３０、メガファックＦ－４８４、メガファックＦ－４８６、メガファックＦ－１７２Ｄ、メガファックＦ１７８ＲＭ（以上、商品名　ＤＩＣ製）等があるが、特に限定するものではない。また、これらは単独または二種以上を併用しても良い。これら界面活性剤は全インキ組成物中、有効成分で０．０１～５．０質量％、好ましくは有効成分で０．０５～１．０質量％含有される。
　電子素子を形成する基板としては、例えば、ガラス織布エポキシ積層板、ガラス不織布エポキシ積層板、紙エポキシ積層板、紙フェノール積層板、ガラス織布ポリイミド積層板等のガラス繊維強化プラスチック、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート等のプラスチックフィルム、絶縁体で被覆された銅、アルミニウム、ステンレス、鉄等の金属板または箔、板状のガラス、アルミナ、ジルコニア、シリカ等があるが、特に、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート等の柔軟性を有するプラスチック素材を用いることで、本発明の特徴である低温硬化性を活かすことができる。
　本発明の絶縁膜形成用インキ組成物の製膜化には、各種の印刷方式を採用することができる。公知慣用の印刷方式を使用でき、単層または複数層構成の塗布物製造方式を採用して製造することができる。具体的には、例えばグラビア法、オフセット法、凸版法、スクリーン法、リバース法、エアドクターコーター法、ブレードコーター法、エアナイフコーター法、スクイズコーター法、含浸コーター法、トランスファーロールコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレイコーター法、ダイ法、スピンコーター法、バーコーター法、マイクロコンタクト法、凸版反転印刷法等が挙げられる。本発明のインキ組成物は、各印刷方式に応じて、その印刷方式に適した添加剤を含有し、印刷方式に適した溶剤が選択され、印刷方式に適した樹脂成分濃度で調製される。
　印刷方式の中で、精密な回路を形成するためには、細線等を再現良くパターンできる凸版反転印刷方式がより好ましく用いられる。ここで言う凸版反転印刷法とはポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）等からなる平滑な離型性表面にインキを塗布し、このインキ塗布面に抜き版となる凸版を押圧し、該凸版に接触するインキ部分を該離型性表面から除去し、残存するパターンを被印刷体に反転転写する方法である。この印刷法に適用するインキには、離型性表面を均一に濡らすことができ、凸版の押圧に凸版のパターン通りにきれいに離型性表面よりインキが除去できること、さらに残ったインキパターンが離型性表面から被印刷体に残らず転写することが要求される。かかる印刷法に好適な本発明の絶縁膜形成用インキ組成物は、必須成分以外に、二種以上の速乾性および遅乾性溶剤、体質成分、表面エネルギー調整剤、離型剤を含むことが好ましい。これら成分の添加により、インク印刷特性を向上でき、有機トランジスタ等の電子部品を構成するために必要となる微細なパターンニング性を実現できる。
　速乾性有機溶剤としては、２０℃における蒸気圧が１１．３×１０２Ｐａ（８．５ｍｍＨｇ）以上かつ大気圧下における沸点が１１５℃未満の溶剤のいずれか１つ以上が用いられ、この速乾性有機溶剤は全インキ組成物中、５．０～９０．０質量％、好ましくは１０．０～６０．０質量％、さらに好ましくは２０．０～４０．０質量％含有されている。
　これら速乾性有機溶剤は、樹脂の溶解性、顔料分散系への親和性を考慮し、それぞれに応じた溶剤が選択されるが、例として次に挙げられるものが用いられる。エステル系溶剤として、酢酸エチル、酢酸ノルマルプロピル、酢酸イソプロピル、アルコール系溶剤として、メタノール、エタノール、１－プロパノール、２－プロパノール、炭化水素系溶剤として、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、トルエン、キシレン、ケトン系溶剤としてテトラヒドロフラン等が挙げられる。またこれらは、それぞれの系内および複数の系の混合物でもよい。なかでも、酢酸イソプロピルや、エタノールおよび２―プロパノールが、その蒸発速度や表面張力から見て好ましい。
　遅乾性有機溶剤としては、２０℃における蒸気圧が１１．３×１０２Ｐａ（８．５ｍｍＨｇ）未満かつ大気圧下における沸点が１１５℃以上の溶剤のいずれか１つ以上が用いられ、この遅乾性有機溶剤は全インキ組成物中５．０～９０．０質量％、好ましくは３０．０～７０．０質量％、さらに好ましくは４０．０～６０．０質量％含有されている。これら溶剤は、樹脂の溶解性、顔料分散系への親和性を考慮し、それぞれに応じた溶剤が選択されるが、例えば次に挙げられるものが用いられる。エステル系溶剤として、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＡｃ）、３メトキシ－３－メチルーブチルアセテート、エトキシエチルプロピオネート（ＥＥＰ）、アルコール系溶剤として、１－ブタノール、ダイヤドール１３５（商品名　三菱レーヨン製）、３メトキシ－３－メチル－１－ブタノール、１－ヘキサノール、１，３ブタンジオール、１－ペンタノール、２－メチル－１－ブタノール、４－メチル－２－ペンタノール、エーテル系溶剤として、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールターシャリーブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、炭酸エステル類としてエチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、炭化水素系溶剤として、ソルベッソ１００、ソルベッソ１５０（商品名　エクソン化学製）またこれらはそれぞれの系内および複数の系の混合物でもよい。なかでも、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、３－メトキシ－３メチル－ブチルアセテート、エトキシエチルプロピオネート、及び、ダイヤドール１３５が、その蒸発速度や表面張力から見て好ましい。
　離型剤には、公知慣用のシリコーン系化合物の一種または二種以上が用いられる。具体的なものとしては、ジメチルシリコーンオイル、ジメチルシリコーンゴム、シリコーンレジン、有機変性シリコーン、メチルフェニルシリコーンオイル、長鎖アルキル変性シリコーンオイル、フッ素化合物とシリコーンポリマーの混合物、フッ素変性シリコーン等があるが、特に限定するものではない。また、これらは単独または二種以上を併用しても良い。これらの中で、ＫＦ－９６Ｌシリーズ（商品名　信越化学製）が、離型性やＰＶＰ樹脂との相溶性の点から見て好ましい。これら離型剤は全インキ組成物中０．０～５．０質量％、好ましくは０．０～１．０質量％含有される。この含有量がこの範囲外で量が多すぎると、印刷特性を低下させるばかりでなく、絶縁膜特性を阻害する不具合が生じて好ましくない。
　体質成分としては、塗膜の絶縁性を保持できるものであれば公知慣用のカラー顔料単体、微粒子粉末単体、これらカラー顔料単体や微粒子粉末単体を予め分散剤、有機溶剤に分散させた顔料分散体の一種または二種以上が用いられる。具体的には、ＥＸＣＥＤＩＣ　ＢＬＵＥ０５６５、ＥＸＣＥＤＩＣ　ＲＥＤ　０７５９、ＥＸＣＥＤＩＣ　ＹＥＬＬＯＷ　０５９９、ＥＸＣＥＤＩＣ　ＧＲＥＥＮ０３５８、ＥＸＣＥＤＩＣ　ＹＥＬＬＯＷ０６４８（商品名　ＤＩＣ製）、アエロジルシリーズ（商品名　エボニック社製）、サイリシア、サイロホービック、サイロピュート、サイロページ、サイロピュア、サイロスフェア、サイロマスク、シルウェル、フジバルーン（商品名　富士シリシア社製）、ＰＭＡ－ＳＴ、ＩＰＡ－ＳＴ（商品名　日産化学）、ＮＡＮＯＢＩＣ３６００シリーズ、ＮＡＮＯＢＩＣ３８００シリーズ（商品名　ビックケミー社製）などがあるが、特に限定するものではない。また、これらは単独または二種以上を併用しても良い。絶縁膜の絶縁性を高めるためには、これら体質成分自体の電気絶縁性が高く且つこれらの体質成分が、均質かつ緻密に絶縁膜中に分散していることが好ましい。また、電子素子として例えば有機トランジスタのゲート絶縁膜に本発明の絶縁インキを適用する場合、膜の表面平滑性が求められる。このために、インキに添加する体質成分の平均粒径は１～１５０ｎｍであることが好ましく、５～５０ｎｍであるとさらに好ましい。微粒子シリカ分散やアルミナ分散体であるＰＭＡ－ＳＴ、ＩＰＡ－ＳＴ（商品名　日産化学）、ＮＡＮＯＢＩＣ３６００シリーズ商品名　ビックケミー社製）が好ましい。体質成分の平均粒径は例えば動的光散乱法により容易に測定できる。これら体質成分は全固形分中２０～９０質量％、好ましくは４０～７０質量％含有される。含有量がこの範囲外で量が多すぎると、絶縁膜が脆くなり好ましくない。一方少なすぎると、インキの微細なパターニング特性が不十分となり好ましくない。
　本発明のインキ組成物にあって、凸版反転印刷方式用に適するインキは、上述の組成を有するものであるが、その物性も重要な因子である。この物性としては、まず温度が２５℃におけるインキ粘度が、０．５ｍＰａ・ｓ～３０．０ｍＰａ・ｓの範囲内にある。なかでも、１．０～５．０ｍＰａ・ｓであることがより好ましい。次に、インキ組成物の表面エネルギーも重要な因子である。インキ組成物の表面エネルギーは、１７ｍＮ／ｍ～３０ｍＮ／ｍであることが好ましいが、概ね２２ｍＮ／ｍより低表面エネルギーである程好ましい。
　以下、実験例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実験例に限定されるものではない。
　（実施例１）
ポリビニルフェノール系樹脂として、マルカリンカーＭ（丸善石油製）を２．３ｇ、架橋剤として、エポキシ樹脂エピクロン８５０ＣＰＲ（ＤＩＣ製）を３．３ｇ、架橋助剤として、2－エチル－4－メチルイミダゾールを０．１４ｇに、溶剤として、イソプロピルアセテート（以下ＩＰＡｃ）を２２．０ｇ、混合して実施例１インキを調製した。
　（実施例２）
ポリビニルフェノール系樹脂として、ポリ（４－ビニルフェノール－ｃｏ－メチルメタアクリレート）（アルドリッチ製）を２．３ｇ、架橋剤として、エポキシ樹脂エピクロン８５０ＣＰＲ（ＤＩＣ製）を３．３ｇ、架橋助剤として、2－エチル－4－メチルイミダゾールを０．０６ｇに、溶剤として、シクロヘキサノンを２２．０ｇ、フッ素系界面活性剤としてＦ－４８２を０．５ｇ混合して実施例２インキを調製した。
　（実施例３）
ポリビニルフェノール系樹脂として、マルカリンカーＭ（丸善石油製）を２．３ｇ、架橋剤として、エポキシ樹脂エピクロン８５０ＣＰＲ（ＤＩＣ製）を３．３ｇ、架橋助剤として、2－エチル－4－メチルイミダゾールを０．１５ｇ、溶剤として、ＩＰＡｃを１５ｇ、プロピレングリコールモノメチルエーテルを２９ｇ、プロピレンカーボネートを６．０ｇ、離型剤として、ＫＦ９６Ｌ－１ｃｓ（信越化学製）を２．０ｇ、フッ素系界面活性剤として、Ｆ－４８２（ＤＩＣ製）を１．０ｇおよび、ＭＣＦ－３５０ＳＦ(ＤＩＣ製)０．３ｇ、体質成分として、ＰＭＡ－ＳＴ（日産化学製）を２５ｇ、以上を混合して実施例３インキを調製した。
　（比較例１）
樹脂成分としてポリビニルフェノール系樹脂、エポキシ樹脂の代わりに、アクリル樹脂であるポリメチルメタクリレート（PMMA）（アルドリッチ社製：Ｍｗ１２０，０００）２０．０ｇを、溶剤シクロヘキサノン８０．０ｇと混合して比較例１インキを調製した。
　（比較例２）
樹脂成分としてポリビニルフェノール系樹脂、エポキシ樹脂の代わりに、ポリスチレン樹脂（アルドリッチ社製：Ｍｗ４４，０００）２０．０ｇを、溶剤シクロヘキサノン８０．０ｇと混合して比較例２インキを調製した。
　（比較例３）
ポリビニルフェノール系樹脂であるマルカリンカーＭ（丸善石油化学社製）２０．０ｇ、架橋剤としてエポキシ樹脂に代えて、サイメル３０３（日本サイテック製）８．０ｇ、溶剤シクロヘキサノン１００．０ｇを混合して比較例３インキを調製した。
　（比較例４）
フェノールノボラック樹脂（フェノライトＴＤ－２０９０－６０Ｍ：固形分６０％ＭＥＫ溶液）１．９ｇ、とエポキシ樹脂エピクロン８５０ＣＰＲ（ＤＩＣ製）を２．０ｇ、架橋助剤として、2－エチル－4－メチルイミダゾールを０．１ｇに、溶剤として、イソプロピルアセテート（以下ＩＰＡｃ）を４．０ｇ、メチルエチルケトンを３．８ｇ混合して比較例４のインキを調製した。
　（耐溶剤性評価）
上記の実施例１インキから比較例３インキを、厚さ１．５ｍｍのガラス板上に、スピンコーター印刷方式で、乾燥膜厚１μｍの厚さに調製した。その後、１４０℃で３０分焼成し、耐溶剤性評価サンプルを形成した。耐溶剤性評価は、上記のようにして作製した薄膜をガラス板ごと酢酸ブチルカルビトールに２０時間浸漬し、薄膜が残留しているかどうかで評価した。結果を表１、２に示す。
　（漏れ電流評価）
前記の耐溶剤性評価サンプルと同様に、厚さ１．５ｍｍのＩＴＯ付きガラス板上に、前記各インキ組成物を印刷し、１４０℃で３０分焼成して、乾燥膜厚約１μｍの絶縁膜を得た。該絶縁膜上部に銀電極を真空蒸着法により形成し、絶縁膜に１５０Ｖ印加したときの電流値を測定した。単位はｍＡｃｍ－２である。
　（反転印刷物の画質）
　実施例３のインキを用いて、ブランケットのＰＤＭＳ表面に絶縁性インキ塗膜を形成し、この塗膜に抜き版となる凸版ガラス版を押圧、余分なインクを除去して線幅２０μｍの格子状のパターンをブランケット上に形成した後、これを被印刷基材であるガラス板に転写し画像を形成した。このガラス板上に形成された画像品質を光学顕微鏡で観察し、上記凸版のパターンが正確に再現されているかどうかを評価した。結果を表１に示す。
　（トランジスタ特性評価）
図１に示すボトムゲートボトムコンタクト（ＢＧＢＣ）構造を有するトランジスタ特性測定用素子を作成した。
（１）ゲート電極の形成：厚さ約１２５μｍのハードコード付ＰＥＮフィルムを所定の大きさにカットし、ナノ粒子銀を均一に分散させた導電インキをスピンコートによりフィルム上に均一に塗布し、クリーンオーブン中で１５０℃、４０分焼成した。
（２）絶縁膜の形成：前記導電インキにより形成したゲート電極上に、本発明の絶縁膜形成用インキを用いてスピンコートにより塗布し、クリーンオーブン中で１４０℃約１時間熱処理し膜厚約１μｍのゲート絶縁膜を形成した。
（３）ソース、ドレイン電極の形成：反転印刷用の導電インキを用い凸版反転印刷により、先に形成したゲート絶縁膜上にチャネル長５０μｍ、チャネル幅４ｍｍのソース、ドレイン電極パターンを形成し、クリーンオーブン中で、１７０℃で４０分焼成し、銀電極を形成した。
（４）有機半導体層の形成：有機半導体（Ｐ３ＨＴ）Ｐｏｌｙ（３－ｈｅｘｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）のキシレン０．５重量％溶液を用いスピンコート法により、絶縁膜、ソース、ドレイン電極上にＰ３ＨＴ薄膜を形成した。
（５）作成した素子はグローボックス中で１５０℃、約５分の熱処理を行った後にＩｄ－Ｖｇ、Ｉｄ－Ｖｄ特性を、半導体パラメター測定装置（ケースレー社４２００）を用いて測定した。電界効果移動度およびＯＮ／ＯＦＦは周知の方法より求めた。移動度の単位はｃｍ２／Ｖｓである。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　本発明の絶縁膜形成用インキ組成物は、低温での焼成を可能にしており、フレキシブルなフィルムを基板とした電子素子の製造に相応しく応用できる。
１．基板
２．ゲート電極
３．絶縁膜
４．有機半導体層
５．ソース、ドレイン電極

Claims (4)

  1. 有機溶剤、ポリビニルフェノール系樹脂、エポキシ樹脂、及び、架橋助剤を含有することを特徴とする絶縁膜形成用インキ組成物
  2. フッ素系界面活性剤を含有する請求項１に記載の絶縁膜形成用インキ組成物。
  3. 前記した有機溶剤が、２０℃における蒸気圧が１１．３×１０２Ｐａ以上かつ大気圧下における沸点が１１５℃未満の有機溶剤、及び、２０℃における蒸気圧が１１．３×１０２Ｐａ未満かつ大気圧下における沸点が１１５℃以上の有機溶剤を含む溶剤であって、体積平均粒径が１～１５０nmの体質成分およびシリコーン系離型性分を含有し、２５℃におけるインキの表面張力が１７～３０ｍＮ／ｍであり、インキの粘度が０．５～３０ｍＰａ・ｓである請求項１又は２に記載の絶縁膜形成用インキ組成物。
  4. 請求項１～３の何れかに記載の絶縁膜形成用インキ組成物より形成されることを特徴とする絶縁膜。
PCT/JP2009/060129 2008-06-13 2009-06-03 絶縁膜形成用インキ組成物、該インキ組成物から形成された絶縁膜 WO2009150972A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200980121884.3A CN102057000B (zh) 2008-06-13 2009-06-03 绝缘膜形成用油墨组合物、由该油墨组合物形成的绝缘膜
US12/737,145 US8791173B2 (en) 2008-06-13 2009-06-03 Ink composition for forming insulating film and insulating film formed from the ink composition
JP2010501307A JP4626837B2 (ja) 2008-06-13 2009-06-03 絶縁膜形成用インキ組成物、該インキ組成物から形成された絶縁膜
EP09762402.7A EP2292707B1 (en) 2008-06-13 2009-06-03 Ink composition for forming an insulating film and an insulating film formed from said ink composition

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008155238 2008-06-13
JP2008-155238 2008-06-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2009150972A1 true WO2009150972A1 (ja) 2009-12-17

Family

ID=41416681

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2009/060129 WO2009150972A1 (ja) 2008-06-13 2009-06-03 絶縁膜形成用インキ組成物、該インキ組成物から形成された絶縁膜

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8791173B2 (ja)
EP (1) EP2292707B1 (ja)
JP (1) JP4626837B2 (ja)
KR (1) KR101615398B1 (ja)
CN (1) CN102057000B (ja)
WO (1) WO2009150972A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010245379A (ja) * 2009-04-08 2010-10-28 Hitachi Chem Co Ltd 絶縁体インク、絶縁被覆層の作製方法及び半導体装置
JP2012060103A (ja) * 2010-09-13 2012-03-22 Korea Advanced Inst Of Science & Technol フレキシブル素子の製作方法
WO2015118246A1 (fr) 2014-02-04 2015-08-13 L'oreal Masque électrique comprenant au moins deux compartiments
WO2016016014A1 (en) 2014-07-29 2016-02-04 L'oreal Iontophoresis device with multi-electrode end piece
WO2017199902A1 (ja) * 2016-05-16 2017-11-23 Dic株式会社 活性エネルギー線硬化性反転オフセット印刷用インク

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6169510B2 (ja) * 2014-02-27 2017-07-26 株式会社日立産機システム インクジェットプリンタ用インク
WO2015163076A1 (ja) * 2014-04-25 2015-10-29 株式会社ダイセル 銀粒子塗料組成物
US10522771B2 (en) 2014-12-01 2019-12-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Composition, electronic device, and thin film transistor
KR102407114B1 (ko) * 2015-05-29 2022-06-08 삼성전자주식회사 절연액, 절연체, 박막 트랜지스터 및 전자 소자
KR102380151B1 (ko) 2015-08-31 2022-03-28 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터, 및 이를 포함하는 전자 장치
US9828520B2 (en) * 2016-04-15 2017-11-28 Xerox Corporation Interlayer composition and devices made therefrom
JP6653362B2 (ja) * 2018-08-08 2020-02-26 紀州技研工業株式会社 インクジェット用インク
JP7234668B2 (ja) * 2019-02-06 2023-03-08 コニカミノルタ株式会社 画像形成装置および画像形成方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0734022A (ja) * 1993-07-23 1995-02-03 Ajinomoto Co Inc 熱硬化性ソルダーレジスト用インキ組成物
JPH07207211A (ja) * 1994-01-17 1995-08-08 Nippon Kayaku Co Ltd フレキシブルプリント配線板用レジストインキ組成物及びその硬化物
JPH1046095A (ja) * 1996-08-07 1998-02-17 Sakata Corp 顔料分散物及びそれを用いた被覆剤組成物
JP2002040632A (ja) * 2000-07-21 2002-02-06 Showa Denko Kk レジストインキ組成物
JP2002040647A (ja) * 2000-07-31 2002-02-06 Taiyo Ink Mfg Ltd レジストインキ組成物
JP2007100038A (ja) * 2005-10-07 2007-04-19 Showa Denko Kk シリコーンパウダーを含む熱硬化性樹脂組成物
JP2007273712A (ja) 2006-03-31 2007-10-18 Dainippon Ink & Chem Inc 電子部品の製造方法
JP2007277540A (ja) * 2006-03-17 2007-10-25 Showa Denko Kk 樹脂組成物
JP2007305950A (ja) 2006-04-12 2007-11-22 Toppan Printing Co Ltd 絶縁塗料、これから形成された有機絶縁膜、その形成方法および有機トランジスタ
JP2008133426A (ja) * 2006-10-26 2008-06-12 Hitachi Chem Co Ltd インク、液晶表示装置用スペーサの形成方法及び液晶表示装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5827737A (ja) * 1981-08-12 1983-02-18 Mitsubishi Rayon Co Ltd 光学式情報記録体用メタクリル樹脂組成物
US4593069A (en) * 1984-06-23 1986-06-03 Shikoku Chemicals Corp. Epoxy resin composition
JP2992856B2 (ja) * 1992-07-06 1999-12-20 株式会社サクラクレパス 転写紙用印刷インキ組成物および転写紙
JP2001192539A (ja) * 2000-01-13 2001-07-17 Jsr Corp 熱硬化性樹脂組成物、その硬化物およびその硬化物を含む回路基板
TW594390B (en) * 2001-05-21 2004-06-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Negative photoresist compositions for the formation of thick films, photoresist films and methods of forming bumps using the same
JP4549651B2 (ja) * 2003-10-24 2010-09-22 光村印刷株式会社 カラーフィルター作製用インキ組成物
JP4828791B2 (ja) * 2003-10-24 2011-11-30 光村印刷株式会社 精密パターニング用インキ組成物
JP4662793B2 (ja) * 2005-03-01 2011-03-30 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． エポキシ含有物質を含むネガ型感光性樹脂組成物
US20090163615A1 (en) * 2005-08-31 2009-06-25 Izhar Halahmi Uv curable hybridcuring ink jet ink composition and solder mask using the same
US7571999B2 (en) * 2005-11-30 2009-08-11 Xerox Corporation Overcoat compositions, oil-based ink compositions, and processes for ink-jet recording using overcoat and oil-based ink compositions
JP2008077057A (ja) * 2006-08-21 2008-04-03 Jsr Corp 感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物並びにそれを備える電子部品

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0734022A (ja) * 1993-07-23 1995-02-03 Ajinomoto Co Inc 熱硬化性ソルダーレジスト用インキ組成物
JPH07207211A (ja) * 1994-01-17 1995-08-08 Nippon Kayaku Co Ltd フレキシブルプリント配線板用レジストインキ組成物及びその硬化物
JPH1046095A (ja) * 1996-08-07 1998-02-17 Sakata Corp 顔料分散物及びそれを用いた被覆剤組成物
JP2002040632A (ja) * 2000-07-21 2002-02-06 Showa Denko Kk レジストインキ組成物
JP2002040647A (ja) * 2000-07-31 2002-02-06 Taiyo Ink Mfg Ltd レジストインキ組成物
JP2007100038A (ja) * 2005-10-07 2007-04-19 Showa Denko Kk シリコーンパウダーを含む熱硬化性樹脂組成物
JP2007277540A (ja) * 2006-03-17 2007-10-25 Showa Denko Kk 樹脂組成物
JP2007273712A (ja) 2006-03-31 2007-10-18 Dainippon Ink & Chem Inc 電子部品の製造方法
JP2007305950A (ja) 2006-04-12 2007-11-22 Toppan Printing Co Ltd 絶縁塗料、これから形成された有機絶縁膜、その形成方法および有機トランジスタ
JP2008133426A (ja) * 2006-10-26 2008-06-12 Hitachi Chem Co Ltd インク、液晶表示装置用スペーサの形成方法及び液晶表示装置

Non-Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
ADVANCED MATERIALS, no. 14, 2002, pages 99
APPLIED PHYSICS LETTERS, no. 72, 1998, pages 2716
CHEMISTRY OF MATERIALS, no. 16, 2004, pages 4543
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, no. 42, 2003, pages 523
JOURNAL OF APPLIES PHYSICS, no. 92, 2002, pages 5259
SCIENCE, no. 318, 2007, pages 76
See also references of EP2292707A4

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010245379A (ja) * 2009-04-08 2010-10-28 Hitachi Chem Co Ltd 絶縁体インク、絶縁被覆層の作製方法及び半導体装置
JP2012060103A (ja) * 2010-09-13 2012-03-22 Korea Advanced Inst Of Science & Technol フレキシブル素子の製作方法
WO2015118246A1 (fr) 2014-02-04 2015-08-13 L'oreal Masque électrique comprenant au moins deux compartiments
WO2016016014A1 (en) 2014-07-29 2016-02-04 L'oreal Iontophoresis device with multi-electrode end piece
US10238866B2 (en) 2014-07-29 2019-03-26 L'oreal Iontophoresis device with multi-electrode end piece
WO2017199902A1 (ja) * 2016-05-16 2017-11-23 Dic株式会社 活性エネルギー線硬化性反転オフセット印刷用インク

Also Published As

Publication number Publication date
KR101615398B1 (ko) 2016-04-25
CN102057000B (zh) 2014-05-07
CN102057000A (zh) 2011-05-11
JP4626837B2 (ja) 2011-02-09
JPWO2009150972A1 (ja) 2011-11-17
EP2292707A4 (en) 2012-11-28
US20110086946A1 (en) 2011-04-14
US8791173B2 (en) 2014-07-29
EP2292707B1 (en) 2017-03-08
EP2292707A1 (en) 2011-03-09
KR20110019367A (ko) 2011-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4626837B2 (ja) 絶縁膜形成用インキ組成物、該インキ組成物から形成された絶縁膜
JP4375499B2 (ja) 凸版反転印刷用導電性インキ
JP4828988B2 (ja) 電子部品の製造方法
TW200817482A (en) Conductive polymer coating composition, method of preparing coating film using the conductive polymer coating composition, and coating film prepared using the method
US7985694B2 (en) Method for forming pattern, method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device
JP2009071281A (ja) フッ素重合体上の接着層
JP5617189B2 (ja) 絶縁膜形成用インキ組成物、該インキ組成物から形成された絶縁膜、該絶縁膜を有する電子素子
JP2016058443A (ja) 薄膜トランジスタ、トランジスタアレイ、薄膜トランジスタの製造方法及びトランジスタアレイの製造方法
WO2019008382A1 (en) FORMULATION AND LAYER
US20220123241A1 (en) Preparation and layer
JP4596294B1 (ja) 有機半導体素子遮光膜形成用インキ組成物、遮光膜形成方法及び遮光膜を有する有機トランジスタ素子
JP5403314B2 (ja) 絶縁膜形成用インキ組成物、該インキ組成物から形成された絶縁膜、該絶縁膜を有する電子素子
JP6233548B1 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
JP2018037486A (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
JP5195337B2 (ja) エッチングレジスト用インクおよびそれを用いたレジストパターンの形成方法
JP2015192064A (ja) 配線パターン形成方法、有機トランジスタの製造方法および有機トランジスタ
JP5636661B2 (ja) 黒色インキ組成物
JP2011057820A (ja) 微細パターン形成用インキ組成物

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200980121884.3

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2010501307

Country of ref document: JP

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09762402

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20107027559

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12737145

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2009762402

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2009762402

Country of ref document: EP