KR101615398B1 - 절연막 형성용 잉크 조성물, 상기 잉크 조성물로 형성된 절연막 - Google Patents

절연막 형성용 잉크 조성물, 상기 잉크 조성물로 형성된 절연막 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 저소성 온도, 내용제성, 절연성을 충분히 겸비한 절연막을 형성하기 위한 절연성 잉크 조성물을 제공하는 것에 있다. 또한, 고집적 유기 트랜지스터의 형성에 필요한 미세한 절연막 패턴을 인쇄법에 의해 형성할 수 있는 절연막 형성용 잉크 조성물을 제공한다. 본 발명의 절연막 형성용 잉크 조성물은, 유기 용제, 폴리비닐페놀계 수지, 에폭시 수지 및 가교 보조제를 함유한다. 특히, 유기 용제는 20 ℃에서의 증기압이 11.3×102 Pa 이상, 대기하에서의 비점이 115 ℃ 미만인 유기 용제, 및 20 ℃에서의 증기압이 11.3×102 Pa 미만, 대기압하에서의 비점이 115 ℃ 이상인 유기 용제를 포함하는 용제이며, 부피 평균 입경이 1 내지 150 nm인 체질 성분 및 실리콘계 이형제 성분을 함유하는 절연막 형성용 잉크 조성물이다.

Description

절연막 형성용 잉크 조성물, 상기 잉크 조성물로 형성된 절연막{INK COMPOSITION FOR FORMING AN INSULATING FILM AND AN INSULATING FILM FORMED FROM SAID INK COMPOSITION}
본 발명은, 전자 소자의 제조에 상응하게 사용할 수 있는 절연막 형성용 잉크 조성물 및, 상기 잉크 조성물로 형성되는 절연막에 관한 것이다.
트랜지스터는 텔레비전이나 컴퓨터 기기를 구성하는 중요한 전자 소자(전자 부품)로서 폭넓게 활용되고 있으며, 현재 규소 등의 무기물을 주재료로 하여 제조되고 있다. 최근, 이러한 트랜지스터의 부재에 유기물을 사용한 유기 트랜지스터(OFET)가 주목을 받고 있다(비특허문헌 1 참조). OFET는 부드럽고 연성이 있을 뿐만 아니라, 단위 면적당으로 생각하면 원료를 낮은 가격으로 생산할 수 있다는 이점이 있으며, 유비쿼터스 시대의 필수 아이템, 즉 연성 & 저비용 단말의 실현에는 빠뜨릴 수 없는 구성 요소로 생각되고 있다.
OFET는 3개의 전극, 절연층 및 반도체층을 필수 부재로 하는 전자 소자이다. 소자 구조의 일례를 도 1에 나타낸다. 도면 중 번호 3에 해당하는 게이트 절연층(GI)의 형성법에는, 인쇄법 등의 습식 프로세스와 진공 증착이나 스퍼터링 등의 건식 프로세스가 있지만, 저가격화를 생각하면 습식 프로세스가 바람직하다(비특허문헌 2 참조). 한편, 습식 프로세스는 통상적으로 제막 후에 과열(소성) 과정을 거칠 필요가 있다. 내열 온도가 낮은 연성 재료를 기판에 사용하는 경우에는, 이 과열(소성) 과정이 보다 저온에서 이루어지는 것이 요구된다. 예를 들면, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN)를 기재에 사용한 경우에는 150 ℃ 이하의 소성 온도가 요구된다. 또한, 습식 프로세스로서 인쇄법을 적용하는 경우, 절연막 형성용 잉크에는 미세한 패턴 형성에 대응 가능한 우수한 인쇄 특성이 요구되는 경우도 있다.
한편, GI 자체에 요구되고 있는 다양한 특성에는, 소자 제조 공정에 관계된 것과 소자 전기 특성(FET 특성)에 관계된 것이 있다. 전자에는, GI 상층에 오는 유기 반도체층에 사용되는 용제에 용해되지 않는다는 특성, 즉 내용제성이 있다. 후자에는, 박막 상태에서의 절연성이 높고(누설 전류가 작음), 표면의 평활도가 높을수록 소자 특성이 향상된다는 점이 있다. 절연막 형성용 재료로서, 예를 들면 폴리이미드계 재료를 경화제로 한 폴리비닐페놀계 재료 (I)이 알려져 있다(비특허문헌 3 참조). 또한, 멜라민계 수지를 경화제로 한 폴리비닐페놀계 재료가 알려져 있다(비특허문헌 4 참조).
그러나, 이러한 재료는 200 ℃ 정도의 고온 소성이 필요하고, 통상적으로 유리 소재를 기판으로서 사용하는 경우 상응하게 사용되지만, 유연성을 특징으로 하고, 내열 온도가 낮은 플라스틱 기재로의 적용은 곤란하다. 고온 소성 공정을 생략하기 위해, 폴리메틸메타크릴레이트계나 폴리스티렌계로 대표되는 열가소성 수지 (II)도 알려져 있다(비특허문헌 5 참조). 그러나, 열가소성 수지는 내용제성이 열악하고, 그 상층에 도전성층, 반도체층 등을 인쇄법으로 적층하는 것이 곤란하고, 증착 등의 설비를 요하는 건식 프로세스 공정이 필요해진다. 또한, 고형 또는 액상의 비스페놀형 범용 에폭시 수지 (III)도 알려져 있다(비특허문헌 6 참조). 그러나, 이 재료에 의해 형성되는 절연막은 누설 전류가 크다는 것이 알려져 있다. 특허문헌 1에는, 실란 커플링제와 에폭시 수지를 함유하는 절연 재료가 개시되어 있다(특허문헌 1 참조). 또한, 특허문헌 2에는 철판 반전 인쇄법에 의한 회로 소자의 제조 방법이 개시되어 있지만, 저온에서의 소성에 대한 기재가 없다(특허문헌 2 참조). 따라서, 유연성을 갖는 기재 위에 절연막을 설치하여 전자 소자를 형성하기 위해 소성 온도, 내용제성, 절연성을 충분히 겸비한 절연막 형성용 잉크 기술이 없다. 또한, 정밀 패턴 형성능을 충분히 겸비한 절연막 형성용 잉크 기술이 없는 것이 현실이다.
일본 특허 공개 제2007-305950호 공보 일본 특허 공개 제2007-273712호 공보
Advanced Materials, 2002년, 제14호, P.99 Chemistry of Materials, 2004년, 제16호, P.4543 Applied Physics Letters, 1998년, 제72호, P.2716 Journal of Applied Physics, 2002년, 제92호, P.5259 Science, 2007년, 제318호, P.76 Japanese Journal of Applied Physics, 2003년, 제42호, P.L523
본 발명에서의 제1 과제는, 소성 온도, 내용제성, 절연성을 충분히 겸비한 절연막을 형성하기 위한 절연성 잉크 조성물을 제공하는 것에 있다. 제2 과제는 고집적 유기 트랜지스터의 형성에 필요로 되는 미세한 절연막 패턴을 인쇄법에 의해 형성할 수 있는 절연막 형성용 잉크 조성물을 제공하는 것에 있으며, 제3 과제는 상기 잉크 조성물로 형성되는 절연성막을 제공하는 것에 있다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 첫째로 유기 용제, 폴리비닐페놀계 수지, 에폭시 수지 및 가교 보조제를 필수 성분으로서 함유하는 것을 특징으로 하는 절연막 형성용 잉크 조성물을 제공한다. 본 발명은, 둘째로 더욱 미세한 절연막 패턴 형성을 가능하게 하는 절연막 형성용 잉크 조성물이며, 상기한 유기 용제가 20 ℃에서의 증기압이 11.3×102 Pa 이상, 대기압하에서의 비점이 115 ℃ 미만인 유기 용제, 및 20 ℃에서의 증기압이 11.3×102 Pa 미만, 대기압하에서의 비점이 115 ℃ 이상인 유기 용제를 포함하는 용제이며, 부피 평균 입경이 1 내지 150 nm인 체질 성분 및 실리콘계 이형 성분을 함유하고, 25 ℃에서의 잉크의 표면 장력이 17 내지 30 mN/m이고, 잉크의 점도가 0.5 내지 30 mPaㆍs인 절연막 형성용 잉크 조성물을 제공한다. 셋째로 상기 절연막 형성용 잉크 조성물로 형성되는 절연막을 제공한다.
본 발명의 절연막 형성용 잉크 조성물을 사용함으로써, 소성 온도 100 내지 140 ℃에서 절연막으로서 우수한 특성을 얻는 것이 가능하고, PEN 등의 유연성 기재 위에 절연막을 형성하는 것이 가능해진다. 또한, 형성된 절연막은 내용제성이 있으며, 그 상층에 도전층, 반도체층 등 다른 층을 인쇄법에 의해 적층하는 것이 가능해진다. 또한, 누설 전류도 작고, 상기 절연막을 유기 전계 효과형 트랜지스터(OFET) 등의 게이트 절연막으로서 바람직하게 사용할 수 있다.
[도 1] 본 발명의 절연막을 사용한 전자 소자의 일례를 모식적으로 나타내는 개략 구성도이다.
본 발명의 절연막 형성용 잉크 조성물은, 유기 용제, 폴리비닐페놀계 수지, 에폭시 수지 및 가교 보조제를 필수 성분으로서 함유하는 절연막 형성용 잉크 조성물이다.
본 발명의 절연막 형성용 잉크 조성물에 사용하는 유기 용제로서는, 상기 폴리비닐페놀계 수지를 용해하는 것이면 임의의 용제를 사용할 수 있으며, 예를 들면 펜탄, 헥산, 헵탄, 옥탄, 데칸, 도데칸, 이소펜탄, 이소헥산, 이소옥탄, 시클로헥산, 메틸시클로헥산, 시클로펜탄 등의 지방족 탄화수소계 유기 용제, 벤젠, 톨루엔, o-크실렌, m-크실렌, p-크실렌, 에틸벤젠, 메시틸렌, 나프탈렌, 시클로헥실벤젠, 디에틸벤젠 등의 방향족 탄화수소계 용제, 포름산메틸, 포름산에틸, 포름산프로필, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산이소프로필, 아세트산 n-프로필, 아세트산이소부틸, 아세트산 n-부틸, 프로피온산메틸, 프로피온산에틸 등의 에스테르계 용제, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, sec-부탄올, tert-부탄올, 시클로헥산올, α-테르피네올 등의 알코올계 용제, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 2-헥사논, 2-헵타논, 2-옥타논, 테트라히드로푸란 등의 케톤계 용제, 에틸렌카르보네이트, 프로필렌카르보네이트 등의 탄산에스테르류, 디에틸렌글리콜에틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜모노프로필에테르, 프로필렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜프로필에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜이소프로필에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜부틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜-t-부틸에테르아세테이트, 트리에틸렌글리콜메틸에테르아세테이트, 트리에틸렌글리콜에틸에테르아세테이트, 트리에틸렌글리콜프로필에테르아세테이트, 트리에틸렌글리콜이소프로필에테르아세테이트, 트리에틸렌글리콜부틸에테르아세테이트, 트리에틸렌글리콜-t-부틸에테르아세테이트, 디프로필렌글리콜디메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노부틸에테르 등의 알킬렌글리콜계 용제, 디에틸에테르, 디프로필에테르, 디이소프로필에테르, 디부틸에테르, 디헥실에테르, 에틸비닐에테르, 부틸비닐에테르, 아니솔, 부틸페닐에테르, 펜틸페닐에테르, 메톡시톨루엔, 벤질에틸에테르, 디페닐에테르, 디벤질에테르, 디옥산, 푸란, 테트라히드로푸란 등의 에테르계 용제, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드계 용매 등이 있지만, 특별히 한정되는 것은 아니다. 또한, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용할 수도 있다.
본 발명의 절연막 형성용 잉크 조성물에 사용하는 폴리비닐페놀계 수지에는, p-비닐페놀의 단독 중합체, p-비닐페놀과 다른 비닐 단량체(예를 들면, 메타크릴산메틸, 메타크릴산 2-히드록실에틸, 스티렌, 아크릴산부틸, 아크릴산 2-히드록실에틸, 페닐말레이미드, 말레산, 푸마르산)의 공중합체, p-비닐페놀을 브롬 치환한 브롬 치환 p-비닐페놀의 단독 중합체, 브롬 치환 p-비닐페놀과 다른 비닐 수지의 공중합체, p-비닐페놀을 술폰화, t-부틸화, 아미노화한 p-비닐페놀 유도체의 단독 중합체, p-비닐페놀 유도체와 다른 비닐 단량체의 공중합체 등이 있지만, 특별히 한정되지 않는다. 또한, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용할 수도 있다. 본 발명에서, 폴리비닐페놀계 수지는 절연막 형성용 잉크 조성물의 체질 안료를 제외한 전체 고형분 중에 10 질량％ 이상 함유하는 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 25 질량％ 이상이다.
본 발명의 절연막 형성용 잉크 조성물에 사용하는 에폭시 수지는 폴리비닐페놀계 수지의 가교제의 기능을 발휘하는 것이며, 2관능 이상의 반응성의 에폭시기를 갖는 공지 관용의 에폭시 수지이면 어떠한 것도 상관없고, 예를 들면 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 다관능 에폭시 수지, 가요성 에폭시 수지, 브롬화 에폭시 수지, 글리시딜에스테르형 에폭시 수지, 고분자형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지 등이 있지만, 특별히 한정되지 않는다. 또한, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용할 수도 있다.
본 발명의 절연막 형성용 잉크 조성물에는 가교 보조제를 사용한다. 가교 보조제로서는 아민계 화합물, 폴리아미드 수지, 이미다졸류, 폴리머캅탄류, 삼불화 붕소류, 디시안디아미드류, 유기산 히드라지드, 트리페닐포스핀, 그 이외에 공지 관용의 가교 보조제 중 어느 하나일 수도 있다. 이들 가교 보조제는 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다. 실온 안정성과 150 ℃ 이하에서의 저온 경화의 관점에서는, 2-에틸-4-메틸이미다졸이 바람직하다. 이들 가교 보조제는 전체 고형분 중에 0.3 내지 10.0 질량％, 바람직하게는 1.0 내지 5.0 질량％ 함유된다. 이 함유량이 이 범위 외이며 양이 지나치게 적으면, 경화 부족이 되고, 지나치게 많으면 얻어진 절연 수지막 내에 극성이 강한 가교 보조제가 잔류하기 때문에, 절연 특성이 저해된다는 문제점이 발생하여 바람직하지 않다. 후술하는 체질 성분을 첨가하는 경우에는, 체질 성분을 제외한 전체 고형분 중에 0.3 내지 10.0 질량％, 바람직하게는 1.0 내지 5.0 질량％ 함유된다.
본 발명의 절연막 형성용 잉크 조성물은, 이형제, 체질 성분 및 잉크 표면 장력 조정, 레벨링성 향상을 주된 목적으로서 각종 계면활성제 등을 필요에 따라 첨가하여 사용할 수 있다.
계면활성제로서는 탄화수소계, 실리콘계, 불소계 및 이들 계면활성제 중 2종 이상의 혼합계를 적용할 수 있다. 특히 불소계 계면활성제는 그 우수한 잉크 표면 장력 조정, 레벨링성 향상 효과뿐만 아니라, 상기 계면활성제를 첨가한 잉크에 의해 형성된 절연막은 폴리티오펜계 등의 결정성의 유기 반도체와의 상성이 우수하고, 잉크 특성뿐만 아니라 트랜지스터 특성의 향상을 기대할 수 있기 때문에 가장 바람직한 계면활성제이다. 그 중에서도 바람직한 불소계 계면활성제는 직쇄상의 퍼플루오로알킬기를 갖고, 쇄길이가 C6 이상, 더욱 바람직하게는 C8 이상인 비이온계의 불소계 계면활성제이다. 구체적인 것으로서는, 예를 들면 메가팩 F-482, 메가팩 F-470(R-08), 메가팩 F-472SF, 메가팩 R-30, 메가팩 F-484, 메가팩 F-486, 메가팩 F-172D, 메가팩 F178RM(이상, 상품명, DIC 제조) 등이 있지만, 특별히 한정되지 않는다. 또한, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용할 수도 있다. 이들 계면활성제는 전체 잉크 조성물 중 유효 성분으로 0.01 내지 5.0 질량％, 바람직하게는 유효 성분으로 0.05 내지 1.0 질량％ 함유된다.
전자 소자를 형성하는 기판으로서는, 예를 들면 유리 직포 에폭시 적층판, 유리 부직포 에폭시 적층판, 종이 에폭시 적층판, 종이 페놀 적층판, 유리 직포 폴리이미드 적층판 등의 유리 섬유 강화 플라스틱, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카르보네이트 등의 플라스틱 필름, 절연체로 피복된 구리, 알루미늄, 스테인리스, 철 등의 금속판 또는 박, 판상의 유리, 알루미나, 지르코니아, 실리카 등이 있지만, 특히 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카르보네이트 등의 유연성을 갖는 플라스틱 소재를 사용함으로써, 본 발명의 특징인 저온 경화성을 발현할 수 있다.
본 발명의 절연막 형성용 잉크 조성물의 제막화에는 각종 인쇄 방식을 사용할 수 있다. 공지 관용의 인쇄 방식을 사용할 수 있으며, 단층 또는 복수층 구성의 도포물 제조 방식을 사용하여 제조할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면 그라비아법, 오프셋법, 철판법, 스크린법, 리버스법, 에어 닥터 코터법, 블레이드 코터법, 에어 나이프 코터법, 스퀴즈 코터법, 함침 코터법, 트랜스퍼롤 코터법, 키스 코터법, 캐스트 코터법, 스프레이 코터법, 다이법, 스핀 코터법, 바 코터법, 마이크로 컨택트법, 철판 반전 인쇄법 등을 들 수 있다. 본 발명의 잉크 조성물은, 각 인쇄 방식에 따라 그 인쇄 방식에 적합한 첨가제를 함유하고, 인쇄 방식에 적합한 용제가 선택되어 인쇄 방식에 적합한 수지 성분 농도로 제조된다.
인쇄 방식 중에서, 정밀한 회로를 형성하기 위해서는 세선 등을 재현 양호하게 패턴할 수 있는 철판 반전 인쇄 방식이 보다 바람직하게 이용된다. 여기서 말하는 철판 반전 인쇄법이란, 폴리디메틸실록산(PDMS) 등을 포함하는 평활한 이형성 표면에 잉크를 도포하고, 이 잉크 도포면에 취출판이 되는 철판을 가압하고, 상기 철판에 접촉하는 잉크 부분을 상기 이형성 표면으로부터 제거하고, 잔존하는 패턴을 피인쇄체에 반전 전사하는 방법이다. 이 인쇄법에 적용하는 잉크에는 이형성 표면을 균일하게 적실 수 있으며, 철판의 가압에 의해 철판의 패턴 그대로 깨끗하게 이형성 표면으로부터 잉크를 제거할 수 있고, 남은 잉크 패턴을 이형성 표면으로부터 피인쇄체에 남김없이 전사하는 것이 요구된다. 이러한 인쇄법에 바람직한 본 발명의 절연막 형성용 잉크 조성물은, 필수 성분 이외에 2종 이상의 속건성 및 지건성 용제, 체질 성분, 표면 에너지 조정제, 이형제를 포함하는 것이 바람직하다. 이들 성분의 첨가에 의해 잉크 인쇄 특성을 향상시킬 수 있으며, 유기 트랜지스터 등의 전자 부품을 구성하기 위해 필요한 미세한 패터닝성을 실현할 수 있다.
속건성 유기 용제로서는 20 ℃에서의 증기압이 11.3×102 Pa(8.5 mmHg) 이상, 대기압하에서의 비점이 115 ℃ 미만인 용제 중 어느 1개 이상이 사용되며, 이 속건성 유기 용제는 전체 잉크 조성물 중 5.0 내지 90.0 질량％, 바람직하게는 10.0내지 60.0 질량％, 더욱 바람직하게는 20.0 내지 40.0 질량％ 함유된다.
이들 속건성 유기 용제는 수지의 용해성, 안료 분산계로의 친화성을 고려하여 각각에 따른 용제가 선택되지만, 다음에 예시한 것이 사용된다. 에스테르계 용제로서는 아세트산에틸, 아세트산노르말프로필, 아세트산이소프로필, 알코올계 용제로서는 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 탄화수소계 용제로서는 펜탄, 헥산, 시클로헥산, 메틸시클로헥산, 톨루엔, 크실렌, 케톤계 용제로서는 테트라히드로푸란 등을 들 수 있다. 또한, 이들은 각각의 계 내 및 복수의 계의 혼합물일 수도 있다. 그 중에서도 아세트산이소프로필이나 에탄올 및 2-프로판올이 그 증발 속도나 표면 장력의 면에서 바람직하다.
지건성 유기 용제로서는 20 ℃에서의 증기압이 11.3×102 Pa(8.5 mmHg) 미만, 대기압하에서의 비점이 115 ℃ 이상인 용제 중 어느 1개 이상이 사용되며, 이 지건성 유기 용제는 전체 잉크 조성물 중 5.0 내지 90.0 질량％, 바람직하게는 30.0 내지 70.0 질량％, 더욱 바람직하게는 40.0 내지 60.0 질량％ 함유된다. 이들 용제는 수지의 용해성, 안료 분산계로의 친화성을 고려하여 각각에 따른 용제가 선택되지만, 예를 들면 다음에 예시한 것이 사용된다. 에스테르계 용제로서는 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMAc), 3 메톡시-3-메틸-부틸아세테이트, 에톡시에틸프로피오네이트(EEP), 알코올계 용제로서는 1-부탄올, 다이아돌 135(상품명 미츠비시 레이온 제조), 3 메톡시-3-메틸-1-부탄올, 1-헥산올, 1,3 부탄디올, 1-펜탄올, 2-메틸-1-부탄올, 4-메틸-2-펜탄올, 에테르계 용제로서는 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜-tert-부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜부틸에테르, 에틸렌글리콜에틸에테르, 에틸렌글리콜메틸에테르, 디에틸렌글리콜부틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸에테르, 탄산에스테르류로서는 에틸렌카르보네이트, 프로필렌카르보네이트, 탄화수소계 용제로서는 솔베소 100, 솔베소 150(상품명, 엑손 가가꾸 제조)일 수 있고, 또한, 이들은 각각의 계 내 및 복수의 계의 혼합물일 수도 있다. 그 중에서도 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 3-메톡시-3-메틸-부틸아세테이트, 에톡시에틸프로피오네이트 및 다이아돌 135가 그 증발 속도나 표면 장력의 면에서 바람직하다.
이형제에는, 공지 관용의 실리콘계 화합물 중 1종 또는 2종 이상이 사용된다. 구체적인 것으로서는 디메틸실리콘 오일, 디메틸실리콘 고무, 실리콘 레진, 유기 변성 실리콘, 메틸페닐실리콘 오일, 장쇄 알킬 변성 실리콘 오일, 불소 화합물과 실리콘 중합체의 혼합물, 불소 변성 실리콘 등이 있지만, 특별히 한정되지 않는다. 또한, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용할 수도 있다. 이들 중에서, KF-96L 시리즈(상품명, 신에쯔 가가꾸 제조)가 이형성이나 PVP 수지와의 상용성의 면에서 바람직하다. 이들 이형제는 전체 잉크 조성물 중 0.0 내지 5.0 질량％, 바람직하게는 0.0 내지 1.0 질량％ 함유된다. 이 함유량이 이 범위 외이며 양이 지나치게 많으면, 인쇄 특성을 저하시킬 뿐만 아니라, 절연막 특성을 저해한다는 문제점이 발생하기 때문에 바람직하지 않다.
체질 성분으로서는, 도막의 절연성을 유지할 수 있는 것이면 공지 관용의 컬러 안료 단체, 미립자 분말 단체, 이들 컬러 안료 단체나 미립자 분말 단체를 미리 분산제, 유기 용제에 분산시킨 안료 분산체 중 1종 또는 2종 이상이 사용된다. 구체적으로는 EXCEDIC BLUE0565, EXCEDIC RED0759, EXCEDIC YELLOW0599, EXCEDIC GREEN0358, EXCEDIC YELLOW0648(상품명, DIC 제조), 아에로질 시리즈(상품명, 에보닉사 제조), 사일리시아, 사일로포빅, 사일로퓨트, 사일로페이지, 사일로퓨어, 사일로스페어, 사일로마스크, 실웰, 후지 벌룬(상품명, 후지 실리시아사 제조), PMA-ST, IPA-ST(상품명 닛산 가가꾸), NANOBIC3600 시리즈, NANOBIC3800 시리즈(상품명, 빅케미사 제조) 등이 있지만, 특별히 한정되지 않는다. 또한, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용할 수도 있다. 절연막의 절연성을 높이기 위해서는, 이들 체질 성분 자체의 전기 절연성이 높으면서도, 이들 체질 성분이 균질하고 치밀하게 절연막 중에 분산되는 것이 바람직하다. 또한, 전자 소자로서는, 예를 들면 유기 트랜지스터의 게이트 절연막에 본 발명의 절연 잉크를 적용하는 경우, 막의 표면 평활성이 요구된다. 그 때문에, 잉크에 첨가하는 체질 성분의 평균 입경은 1 내지 150 nm인 것이 바람직하고, 5 내지 50 nm인 것이 더욱 바람직하다. 미립자 실리카 분산이나 알루미나 분산체인 PMA-ST, IPA-ST(상품명, 닛산 가가꾸), NANOBIC3600 시리즈(상품명, 빅케미사 제조)가 바람직하다. 체질 성분의 평균 입경은, 예를 들면 동적 광산란법에 의해 용이하게 측정할 수 있다. 이들 체질 성분은 전체 고형분 중 20 내지 90 질량％, 바람직하게는 40 내지 70 질량％ 함유된다. 함유량이 이 범위 외이며 양이 지나치게 많으면, 절연막이 취약해지기 때문에 바람직하지 않다. 한편 지나치게 적으면, 잉크의 미세한 패터닝 특성이 불충분해지기 때문에 바람직하지 않다.
본 발명의 잉크 조성물에서, 철판 반전 인쇄 방식용에 적합한 잉크는 상술한 조성을 갖는 것이지만, 그의 물성도 중요한 인자이다. 이 물성으로서는, 우선 온도 25 ℃에서의 잉크 점도가 0.5 mPaㆍs 내지 30.0 mPaㆍs의 범위 내에 있다. 그 중에서도 1.0 내지 5.0 mPaㆍs인 것이 보다 바람직하다. 이어서, 잉크 조성물의 표면 에너지도 중요한 인자이다. 잉크 조성물의 표면 에너지는 17 mN/m 내지 30 mN/m인 것이 바람직하지만, 대략 22 mN/m보다 저표면 에너지일수록 바람직하다.
[실시예]
이하, 실험예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이하의 실험예로 한정되지 않는다.
(실시예 1)
폴리비닐페놀계 수지로서 마루카 린커 M(마루젠 세키유 제조) 2.3 g, 가교제로서 에폭시 수지 에피클론 850CPR(DIC 제조) 3.3 g, 가교 보조제로서 2-에틸-4-메틸이미다졸 0.14 g에, 용제로서 이소프로필아세테이트(이하, IPAc) 22.0 g을 혼합하여 실시예 1 잉크를 제조하였다.
(실시예 2)
폴리비닐페놀계 수지로서 폴리(4-비닐페놀-co-메틸메타아크릴레이트)(알드리치 제조) 2.3 g, 가교제로서 에폭시 수지 에피클론 850CPR(DIC 제조) 3.3 g, 가교 보조제로서 2-에틸-4-메틸이미다졸 0.06 g에, 용제로서 시클로헥사논 22.0 g, 불소계 계면활성제로서 F-482 0.5 g을 혼합하여 실시예 2 잉크를 제조하였다.
(실시예 3)
폴리비닐페놀계 수지로서 마루카 린커 M(마루젠 세키유 제조) 2.3 g, 가교제로서 에폭시 수지 에피클론 850CPR(DIC 제조) 3.3 g, 가교 보조제로서 2-에틸-4-메틸이미다졸 0.15 g, 용제로서 IPAc 15 g, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 29 g, 프로필렌카르보네이트 6.0 g, 이형제로서 KF96L-1cs(신에쯔 가가꾸 제조) 2.0 g, 불소계 계면활성제로서 F-482(DIC 제조) 1.0 g 및 MCF-350SF(DIC 제조) 0.3 g, 체질 성분으로서 PMA-ST(닛산 가가꾸 제조) 25 g 이상을 혼합하여 실시예 3 잉크를 제조하였다.
(비교예 1)
수지 성분으로서 폴리비닐페놀계 수지, 에폭시 수지 대신에 아크릴 수지인 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)(알드리치사 제조: Mw 120,000) 20.0 g을 용제 시클로헥사논 80.0 g과 혼합하여 비교예 1 잉크를 제조하였다.
(비교예 2)
수지 성분으로서 폴리비닐페놀계 수지, 에폭시 수지 대신에 폴리스티렌 수지(알드리치사 제조: Mw 44,000) 20.0 g을 용제 시클로헥사논 80.0 g과 혼합하여 비교예 2 잉크를 제조하였다.
(비교예 3)
폴리비닐페놀계 수지인 마루카 린커 M(마루젠 세키유 가가꾸사 제조) 20.0 g, 가교제로서 에폭시 수지 대신에 사이멜 303(닛본 사이텍 제조) 8.0 g, 용제 시클로헥사논 100.0 g을 혼합하여 비교예 3 잉크를 제조하였다.
(비교예 4)
페놀노볼락 수지(페놀라이트 TD-2090-60M: 고형분 60 ％ MEK 용액) 1.9 g과 에폭시 수지 에피클론 850CPR(DIC 제조) 2.0 g, 가교 보조제로서 2-에틸-4-메틸이미다졸 0.1 g에, 용제로서 이소프로필아세테이트(이하, IPAc) 4.0 g, 메틸에틸케톤 3.8 g을 혼합하여 비교예 4의 잉크를 제조하였다.
(내용제성 평가)
상기한 실시예 1 잉크 내지 비교예 3 잉크를 두께 1.5 mm의 유리판 위에 스핀 코터 인쇄 방식으로 건조 막 두께 1 ㎛의 두께로 제조하였다. 그 후, 140 ℃에서 30분간 소성하여 내용제성 평가 샘플을 형성하였다. 내용제성 평가는, 상기한 바와 같이 하여 제조한 박막을 유리판마다 아세트산부틸카르비톨에 20 시간 동안 침지하고, 박막이 잔류하는지의 여부로 평가하였다. 결과를 표 1, 2에 나타낸다.
(누설 전류 평가)
상기 내용제성 평가 샘플과 마찬가지로 두께 1.5 mm의 ITO 부착 유리판 위에 상기 각 잉크 조성물을 인쇄하고, 140 ℃에서 30분간 소성하여 건조 막 두께 약 1 ㎛의 절연막을 얻었다. 상기 절연막 상부에 은 전극을 진공 증착법에 의해 형성하고, 절연막에 150 V 인가했을 때의 전류값을 측정하였다. 단위는 mAcm-2이다.
(반전 인쇄물의 화질)
실시예 3의 잉크를 사용하여, 블랭킷의 PDMS 표면에 절연성 잉크 도막을 형성하고, 이 도막에 취출판이 되는 철판 유리판을 가압하고, 여분의 잉크를 제거하여 선폭 20 ㎛의 격자상의 패턴을 블랭킷 위에 형성한 후, 이것을 피인쇄 기재인 유리판에 전사하여 화상을 형성하였다. 이 유리판 위에 형성된 화상 품질을 광학 현미경으로 관찰하여, 상기 철판의 패턴이 정확하게 재현되는지의 여부를 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.
(트랜지스터 특성 평가)
도 1에 나타낸 바텀 게이트 바텀 컨택트(BGBC) 구조를 갖는 트랜지스터 특성측정용 소자를 제조하였다.
(1) 게이트 전극의 형성: 두께 약 125 ㎛의 하드 코드 부착 PEN 필름을 소정의 크기로 절단하고, 나노 입자 은을 균일하게 분산시킨 도전 잉크를 스핀 코팅에 의해 필름 위에 균일하게 도포하고, 클린 오븐 중에서 150 ℃에서 40분간 소성하였다.
(2) 절연막의 형성: 상기 도전 잉크에 의해 형성한 게이트 전극 위에 본 발명의 절연막 형성용 잉크를 사용하여 스핀 코팅에 의해 도포하고, 클린 오븐 중에서 140 ℃에서 약 1 시간 동안 열 처리하여 막 두께 약 1 ㎛의 게이트 절연막을 형성하였다.
(3) 소스, 드레인 전극의 형성: 반전 인쇄용의 도전 잉크를 사용하여 철판 반전 인쇄에 의해 앞서 형성한 게이트 절연막 위에 채널 길이 50 ㎛, 채널 폭 4 mm의 소스, 드레인 전극 패턴을 형성하고, 클린 오븐 중에서 170 ℃에서 40분간 소성하여 은 전극을 형성하였다.
(4) 유기 반도체층의 형성: 유기 반도체(P3HT) 폴리(3-헥실티오펜)의 크실렌 0.5 중량％ 용액을 사용하여 스핀 코팅법에 의해 절연막, 소스, 드레인 전극 위에 P3HT 박막을 형성하였다.
(5) 제조한 소자는 글로 박스 중에서 150 ℃에서 약 5분의 열 처리를 행한 후, Id-Vg, Id-Vd 특성을 반도체 파라미터 측정 장치(키슬리사 4200)를 사용하여 측정하였다. 전계 효과 이동도 및 ON/OFF는 주지된 방법으로부터 구하였다. 이동도의 단위는 cm2/Vs이다.
Figure 112010080717615-pct00001
Figure 112010080717615-pct00002
본 발명의 절연막 형성용 잉크 조성물은 저온에서의 소성을 가능하게 하고 있으며, 연성 필름을 기판으로 한 전자 소자의 제조에 상응하게 응용할 수 있다.
1: 기판
2: 게이트 전극
3: 절연막
4: 유기 반도체층
5: 소스, 드레인 전극

Claims (4)

  1. 유기 용제, 폴리비닐페놀계 수지, 에폭시 수지, 가교 보조제로서 아민계 화합물, 폴리아미드 수지, 이미다졸류, 폴리머캅탄류, 삼불화 붕소류, 디시안디아미드류, 유기산 히드라지드, 트리페닐포스핀으로 이루어지는 군에서 선택되는 하나 이상, 및 직쇄상의 퍼플루오로알킬기를 갖고 그의 쇄길이가 C6 이상인 불소계 계면활성제를 함유하는 것을 특징으로 하는 유기 트랜지스터의 절연막 형성용 잉크 조성물.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기한 유기 용제가 20 ℃에서의 증기압이 11.3×102 Pa 이상, 대기압하에서의 비점이 115 ℃ 미만인 유기 용제, 및 20 ℃에서의 증기압이 11.3×102 Pa 미만, 대기압하에서의 비점이 115 ℃ 이상인 유기 용제를 포함하는 용제이며, 부피 평균 입경이 1 내지 150 nm인 체질 성분 및 실리콘계 이형성분을 함유하고, 25 ℃에서의 잉크의 표면 장력이 17 내지 30 mN/m이고, 잉크의 점도가 0.5 내지 30 mPaㆍs인 절연막 형성용 잉크 조성물.
  4. 제1항에 기재된 절연막 형성용 잉크 조성물로 형성되는 것을 특징으로 하는 절연막.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010245379A (ja) * 2009-04-08 2010-10-28 Hitachi Chem Co Ltd 絶縁体インク、絶縁被覆層の作製方法及び半導体装置
KR101164945B1 (ko) * 2010-09-13 2012-07-12 한국과학기술원 플렉시블 소자의 제작 방법
CN106456964A (zh) 2014-02-04 2017-02-22 莱雅公司 包括至少两个隔室的电面膜
JP6169510B2 (ja) * 2014-02-27 2017-07-26 株式会社日立産機システム インクジェットプリンタ用インク
EP3135405B1 (en) * 2014-04-25 2022-07-20 Daicel Corporation Silver particle coating composition
FR3024368A1 (fr) 2014-07-29 2016-02-05 Oreal Dispositif d'iontophorese a embout multi-electrodes
US10522771B2 (en) 2014-12-01 2019-12-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Composition, electronic device, and thin film transistor
KR102407114B1 (ko) * 2015-05-29 2022-06-08 삼성전자주식회사 절연액, 절연체, 박막 트랜지스터 및 전자 소자
KR102380151B1 (ko) 2015-08-31 2022-03-28 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터, 및 이를 포함하는 전자 장치
US9828520B2 (en) * 2016-04-15 2017-11-28 Xerox Corporation Interlayer composition and devices made therefrom
WO2017199902A1 (ja) * 2016-05-16 2017-11-23 Dic株式会社 活性エネルギー線硬化性反転オフセット印刷用インク
JP6653362B2 (ja) * 2018-08-08 2020-02-26 紀州技研工業株式会社 インクジェット用インク
JP7234668B2 (ja) * 2019-02-06 2023-03-08 コニカミノルタ株式会社 画像形成装置および画像形成方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007026366A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-08 Printar Ltd. Uv curable hybridcuring ink jet ink composition and solder mask using the same

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5827737A (ja) * 1981-08-12 1983-02-18 Mitsubishi Rayon Co Ltd 光学式情報記録体用メタクリル樹脂組成物
CA1235545A (en) * 1984-06-23 1988-04-19 Shunichi Kawata Epoxy resin composition
JP2992856B2 (ja) * 1992-07-06 1999-12-20 株式会社サクラクレパス 転写紙用印刷インキ組成物および転写紙
JPH0734022A (ja) 1993-07-23 1995-02-03 Ajinomoto Co Inc 熱硬化性ソルダーレジスト用インキ組成物
JP3281473B2 (ja) * 1994-01-17 2002-05-13 日本化薬株式会社 フレキシブルプリント配線板用レジストインキ組成物及びその硬化物
JP3590481B2 (ja) * 1996-08-07 2004-11-17 サカタインクス株式会社 顔料分散物及びそれを用いた被覆剤組成物
JP2001192539A (ja) * 2000-01-13 2001-07-17 Jsr Corp 熱硬化性樹脂組成物、その硬化物およびその硬化物を含む回路基板
JP2002040632A (ja) 2000-07-21 2002-02-06 Showa Denko Kk レジストインキ組成物
JP2002040647A (ja) * 2000-07-31 2002-02-06 Taiyo Ink Mfg Ltd レジストインキ組成物
TW594390B (en) * 2001-05-21 2004-06-21 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Negative photoresist compositions for the formation of thick films, photoresist films and methods of forming bumps using the same
JP4549651B2 (ja) * 2003-10-24 2010-09-22 光村印刷株式会社 カラーフィルター作製用インキ組成物
JP4828791B2 (ja) 2003-10-24 2011-11-30 光村印刷株式会社 精密パターニング用インキ組成物
JP4662793B2 (ja) 2005-03-01 2011-03-30 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． エポキシ含有物質を含むネガ型感光性樹脂組成物
JP5399603B2 (ja) * 2005-10-07 2014-01-29 昭和電工株式会社 シリコーンパウダーを含む熱硬化性樹脂組成物
US7571999B2 (en) * 2005-11-30 2009-08-11 Xerox Corporation Overcoat compositions, oil-based ink compositions, and processes for ink-jet recording using overcoat and oil-based ink compositions
JP5506010B2 (ja) * 2006-03-17 2014-05-28 昭和電工株式会社 樹脂組成物
JP4828988B2 (ja) 2006-03-31 2011-11-30 Ｄｉｃ株式会社 電子部品の製造方法
JP4807159B2 (ja) 2006-04-12 2011-11-02 凸版印刷株式会社 絶縁塗料、これから形成された有機絶縁膜、その形成方法および有機トランジスタ
JP2008077057A (ja) * 2006-08-21 2008-04-03 Jsr Corp 感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物並びにそれを備える電子部品
JP5326236B2 (ja) * 2006-10-26 2013-10-30 日立化成株式会社 インク、液晶表示装置用スペーサの形成方法及び液晶表示装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007026366A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-08 Printar Ltd. Uv curable hybridcuring ink jet ink composition and solder mask using the same

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