JP2012060103A - フレキシブル素子の製作方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フレキシブル素子の製作方法は、支持体1の一面または両面を、同一面上に互いに異なる表面処理領域2’、2’’を有するように表面処理する段階;前記表面処理された支持体1上にガラスフィラー強化プラスチック基板3を形成する段階;前記ガラスフィラー強化プラスチック基板3上に薄膜パターン4を形成する段階;及び、前記薄膜パターン4が形成されたガラスフィラー強化プラスチック基板3を支持体1から分離させる段階;を含む。このように、支持体1の表面処理を用いると、素子が溶媒及びレーザー使用などを含む追加工程の導入無しに製作されたガラスフィラー強化プラスチック基板3を支持体1から容易に分離することができる。
【選択図】図1
Description
ガラス基板を10×10cmの大きさに切断した後、酸素プラズマ処理をした。次に、ガラス基板の四つの辺の幅1cmの領域を除いた残りの中央領域には1H,1H,2H,2H-ヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシランを蒸着処理した。表面処理が完了したガラス基板上に厚さ50μmのE-glassガラス織物(glass-fabric、Nittobo社、Japan)を位置させ、メタクリル基及びフェニル基を有するシロキサン樹脂(MD或いはHMD Hybrimer、KAIST、Korea)を塗布して含浸させた。次に、圧力を加えながら窒素雰囲気下で365nm波長の紫外線に5分間露出させることによってガラス繊維強化プラスチック基板を支持体上に形成させた。表面処理されたガラス基板上に形成されたガラス繊維強化プラスチック基板上に原子層蒸着法(ALD;atomic layer deposition)及びRFスパッタリング法(RF-sputtering)により150℃で酸化物半導体薄膜トランジスター(oxide semiconductor thin film transistor)を製作した。製作が終了された後、別途の追加工程無しにガラス繊維強化プラスチック基板をガラス基板から分離した。
ガラス基板を10×10cmの大きさに切断した後、酸素プラズマ処理をした。次に、ガラス基板の四つの辺の幅1cmの領域を除いた残りの中央領域にはエポキシ基及びフェニル基を有するシロキサン樹脂(ED Hybrimer、KAIST、Korea)を薄膜コーティングして表面処理した。表面処理が完了したガラス基板上に厚さ25μmのE-glassガラス織物(glass fabric、Nittobo社、Japan)を2枚重ねて位置させ、メタクリル基及びフェニル基を有するシロキサン樹脂(MD或いはHMD Hybrimer、KAIST、Korea)を塗布して含浸させた。次に、圧力を加えながら365nm波長の紫外線に5分間露出させることによってガラス繊維強化プラスチック基板を支持体上に形成させた。表面処理されたガラス基板上に形成されたガラス繊維強化プラスチック基板上に原子層蒸着法(ALD;atomic layer deposition)及びRFスパッタリング法(RF-sputtering)により150℃で酸化物半導体薄膜トランジスター(oxide semiconductor thin film transistor)を製作した。製作が終了された後、別途の追加工程無しにガラス繊維強化プラスチック基板をガラス基板から分離した。
ガラス基板を10×10cmの大きさに切断した後、酸素プラズマ処理をした。次に、ガラス基板の四つの辺の幅1cmの領域にはポリドーパミン水溶液樹脂を薄膜コーティングして表面処理し、これを除いた残りの中央領域には1H,1H,2H,2H-ヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシランを蒸着処理した。表面処理が完了したガラス基板上に厚さ25μmのE-glassガラス織物(glass fabric、Nittobo社、Japan)を2枚重ねて位置させ、エポキシ基及びフェニル基を有するシロキサン樹脂(ED Hybrimer、KAIST、Korea)を塗布して含浸させた。次に、365nm波長の紫外線に5分間露出させることによってガラス繊維強化プラスチック基板を支持体上に形成させた。表面処理されたガラス基板上に形成されたガラス繊維強化プラスチック基板上に原子層蒸着法(ALD;atomic layer deposition)及びRFスパッタリング法(RF-sputtering)により150℃で酸化物半導体薄膜トランジスター(oxide semiconductor thin film transistor)を製作した。製作が終了された後、別途の追加工程無しにガラス繊維強化プラスチック基板をガラス基板から分離した。
ガラス基板を10×10cmの大きさに切断した後、酸素プラズマ処理をした。次に、ガラス基板の四つの辺の幅1cmの領域を除いた残りの中央領域にはエポキシ基及びフェニル基を有するシロキサン樹脂を薄膜コーティングして表面処理した。表面処理が完了したガラス基板上に厚さ25μmのE-glassガラス織物(glass fabric、Nittobo社、Japan)を2枚重ねて位置させ、メタクリル基及びフェニル基を有するシロキサン樹脂(MD或いはHMD Hybrimer、KAIST、Korea)を塗布して含浸させた。次に、365nm波長の紫外線に5分間露出させることによってガラス繊維強化プラスチック基板を支持体上に形成させた。表面処理されたガラス基板上に形成されたガラス繊維強化プラスチック基板上にphoto-CVD(photo-assisted chemical vapor deposition)法、及びRF-PECVD(rf-plasma enhanced chemical vapor deposition)法により250℃で非晶質シリコン薄膜太陽電池(a-Si thin film solar cell)を製作した。製作が終了された後、別途の追加工程無しにガラス繊維強化プラスチック基板をガラス基板から分離した。前記実施例1〜4のフレキシブル素子は、支持体上に形成されたガラス繊維強化プラスチック基板が容易に分離されることを確認することができた。
2、2’、2'' 表面処理された領域
3 ガラスフィラー強化プラスチック基板
4 薄膜パターン
Claims (10)
- 支持体の一面または両面を、同一面上に互いに異なる表面処理領域を有するように表面処理する段階;
前記表面処理された支持体上にガラスフィラー強化プラスチック基板を形成する段階;
前記ガラスフィラー強化プラスチック基板上に薄膜パターンを形成する段階;及び、
前記薄膜パターンが形成されたガラスフィラー強化プラスチック基板を支持体から分離させる段階;を含むフレキシブル素子(flexible device)の製作方法。 - 前記支持体がガラスを含む請求項1に記載のフレキシブル素子の製作方法。
- 前記互いに異なる表面処理領域は、プラズマ若しくはイオンビーム処理により形成される領域;または、有機シラン、有機シラザン若しくはシロキサン系列樹脂組成物の蒸着若しくは塗布により形成される領域;を含む請求項1に記載のフレキシブル素子の製作方法。
- 前記表面処理は、プラズマ若しくはイオンビーム処理による支持体の表面改質、または、有機シラン、有機シラザン若しくはシロキサン系列樹脂または有機樹脂の薄膜コーティングによる支持体の表面改質を含む請求項1に記載のフレキシブル素子の製作方法。
- 前記ガラスフィラー強化プラスチック基板は、架橋反応性基を有する透明シロキサン系列樹脂または有機樹脂にガラスフィラーが含浸または分散された透明複合体である請求項1に記載のフレキシブル素子の製作方法。
- 前記ガラスフィラーは、ガラスクロス(glass cloth)またはガラス織物(glass fabric)、ガラス不織布(nonwoven glass fabric)、ガラスメッシュ(mesh)、ガラスビーズ(glass beads)、ガラスパウダー(glass powder)、ガラスフレーク(glass flake)、チョップトガラス(chopped glass)、ミルドガラス(milled glass)、ヒュームドシリカゾル(fumed silica sol)、コロイド状シリカ(colloidal silica)及びこれらの混合物から選択されることを使用する請求項5に記載のフレキシブル素子の製作方法。
- 前記ガラスフィラー強化プラスチック基板を、架橋反応性シロキサン系列樹脂または架橋反応性有機樹脂をガラスフィラーに含浸させること、または、圧力を加えて表面を平坦化することによって形成する請求項5に記載のフレキシブル素子の製作方法。
- 前記ガラスフィラー強化プラスチック基板は、平坦化及び/またはガスの遮断のために硬質塗布膜が塗布されている請求項5に記載のフレキシブル素子の製作方法。
- 前記硬質塗布膜は、架橋性有機樹脂、無機ナノ粒子が分散された架橋性有機樹脂、無機膜、及びこれらの組み合わせのうち少なくとも一つ以上を含む請求項8に記載のフレキシブル素子の製作方法。
- 前記薄膜パターンは、薄膜トランジスター(thin film transistor)、液晶表示素子(liquid crystal display)、電気泳動表示素子(electrophoretic display)、有機発光ダイオード(organic light emitting diode)、プラズマ表示素子(plasma display)、タッチスクリーンパネル(touch screen panel)、太陽電池素子(solar cell)、微細光学素子(optical devices)を含む請求項1に記載のフレキシブル素子の製作方法。
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