WO2008133286A1 - 研磨装置及びそのプログラム - Google Patents

研磨装置及びそのプログラム Download PDF

Info

Publication number
WO2008133286A1
WO2008133286A1 PCT/JP2008/057881 JP2008057881W WO2008133286A1 WO 2008133286 A1 WO2008133286 A1 WO 2008133286A1 JP 2008057881 W JP2008057881 W JP 2008057881W WO 2008133286 A1 WO2008133286 A1 WO 2008133286A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
polishing
time
cleaning
line
predicted
Prior art date
Application number
PCT/JP2008/057881
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Hidetaka Nakao
Masafumi Inoue
Koichi Takeda
Original Assignee
Ebara Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corporation filed Critical Ebara Corporation
Priority to KR1020097023789A priority Critical patent/KR101430053B1/ko
Priority to JP2009511893A priority patent/JP5023146B2/ja
Priority to CN2008800128309A priority patent/CN101663739B/zh
Priority to EP08740808.4A priority patent/EP2141737B1/en
Priority to US12/596,333 priority patent/US8206197B2/en
Publication of WO2008133286A1 publication Critical patent/WO2008133286A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67219—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/34—Accessories
    • B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B19/00—Programme-control systems
    • G05B19/02—Programme-control systems electric
    • G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
    • G05B19/41865—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by job scheduling, process planning, material flow
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/32—Operator till task planning
    • G05B2219/32304—Minimize flow time, tact, shortest processing, machining time
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
    • G05B2219/00—Program-control systems
    • G05B2219/30—Nc systems
    • G05B2219/45—Nc applications
    • G05B2219/45232—CMP chemical mechanical polishing of wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
    • H01L21/02074—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a planarization of conductive layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
    • Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]

Definitions

  • the present invention relates to a polishing apparatus and a program thereof, and more particularly, to a polishing apparatus that polishes a polishing object such as a semiconductor wafer in a flat and mirror-like manner and a program stored in a control unit of the polishing apparatus.
  • a process in which metal (metal) is embedded in ⁇ fll Izumizo and via holes is being used. This is because, after embedding aluminum, a metal such as copper or silver, in a trench or via hole previously formed in the interlayer insulating film, the excess metal is removed by chemical polishing (CMP) and flattened. Process technology.
  • FIG. 1A to 1D show an example of forming copper foil in a semiconductor device in the order of steps.
  • an insulating film such as an oxide film made of Si 0 2 or a Low-K material film is formed on a conductive layer 1a on a semiconductor substrate 1 on which a semiconductor element is formed.
  • Interlayer insulating film 2) is deposited, and via hole 3 and wiring groove 4 are formed as fine recesses for wiring inside this insulating film 2 by, for example, lithography 'etching technology, and it is made of TaN, etc.
  • a barrier layer 5 and a seed layer 6 as a power supply layer for electrolysis are formed thereon by sputtering or the like.
  • FIG. 1B copper is filled into the surface of the wafer (object to be polished) W, so that copper is filled into the via holes 3 and the fiber grooves 4 of the wafer and the insulating film.
  • a copper film 7 is deposited on 2.
  • the seed layer 6 and the copper film 7 on the barrier layer 5 are removed by chemical mechanical polishing (CMP) to expose the surface of the barrier layer 5, and further, As shown in FIG. 1D, the barrier film 5 on the insulating film 2 and, if necessary, a part of the surface layer of the insulating film 2 are removed, and the seed layer 6 and the copper film 7 are formed inside the insulating film 2.
  • Wiring Copper iron 8 is formed.
  • polishing equipment with two polishing lines and one cleaning line has been developed.
  • polished wafers objects to be polished
  • one wafer enters the cleaning process
  • another wafer is processed until the cleaning process is completed.
  • Yeha can not enter the cleaning process.
  • the cleaning of the wafer that has been polished cannot be started immediately after polishing, and a situation occurs in which the cleaning machine waits until the cleaning machine becomes empty.
  • the metal film polishing process for example, in the copper film polishing process in the copper wiring forming process described above, if the polished wafer is left in a wet state after polishing, the copper wiring that forms the copper wiring on the wafer surface Corrosion proceeds. Since copper forms wiring in a semiconductor circuit, the corrosion leads to an increase in wiring resistance. For this reason, it is required to avoid copper corrosion as much as possible.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and a polishing apparatus capable of minimizing the time from the end of polishing to the start of cleaning of an object to be polished while maintaining high throughput as much as possible.
  • the purpose is to provide a program stored in the control unit.
  • the polishing apparatus of the present invention includes a mounting unit for mounting a cassette containing a plurality of polishing objects, a first polishing line and a second polishing line for polishing the polishing object, and a polishing object after polishing.
  • a cleaning line having a cleaning machine for cleaning and a transport line for transporting an object to be polished, and an object to be polished is transported between the mounting portion, the polishing line and the cleaning line.
  • a control unit that controls the polishing line, the cleaning line, and the transport mechanism.
  • the lift self control unit drives the predicted polishing time in the first and second polishing lines, the predicted transport time in the transport mechanism, the predicted cleaning time in the cleaning line, and the cleaning unit by driving the transport unit in the cleaning line.
  • the polishing start time of the first or second polishing line is determined based on the predicted cleaning start time.
  • polishing devices of this effort include a mounting unit for mounting a cassette containing a plurality of polishing objects, a plurality of polishing lines for polishing the polishing objects, and a cleaning for cleaning the polished objects after polishing.
  • a cleaning line having a machine and a transporting unit for transporting the object to be polished, a transfer mechanism for transporting the object to be polished between the mounting unit, the polishing line and the cleaning line, the polishing line, the cleaning line
  • a control unit for controlling the line and the transport mechanism; The control unit uses a time obtained by subtracting a predicted polishing end time when the waiting time is zero from the predicted cleaning start time of the cleaning line as a polishing waiting time, and when the polishing waiting time is positive, the plurality of polishing lines The polishing start time is delayed by the polishing waiting time.
  • Still another polishing apparatus includes a mounting portion for mounting a cassette storing a plurality of polishing objects, a polishing line having a plurality of polishing portions for polishing the polishing objects, and a polishing object after polishing
  • a cleaning line having a plurality of cleaning machines for cleaning an object and a transport unit for transporting an object to be polished, a transfer mechanism for transporting an object to be polished between the placement unit, the polishing line and the cleaning line;
  • a controller that controls the polishing line, the cleaning line, and the transport mechanism; The controller is configured to set a predicted polishing start time of the cleaning line and a predicted polishing end time when the waiting time is a round mouth as a polishing waiting time, and when the polishing waiting time is positive, The polishing start time of the polishing line is delayed by the polishing waiting time.
  • the program of the present invention cleans a polishing object after polishing, a mounting unit for mounting a cassette containing a plurality of polishing objects, a first polishing line and a second polishing line for polishing the polishing object, and A cleaning line having a cleaning machine and a transport unit for transporting the object to be polished, a placing unit, a transport mechanism for transporting the object to be polished between the polishing line and the cleaning line, the polishing line, It is stored in the control unit of a polishing apparatus having a control unit for controlling the cleaning line and the transport mechanism.
  • This program causes a computer to drive the predicted polishing time in the first and second polishing lines, the predicted transfer time in the transport mechanism, the predicted cleaning time in the cleaning line, and the transport unit in the cleaning line.
  • a procedure for determining a polishing start time of the first or second polishing line is executed based on a predicted cleaning start time for starting the cleaning.
  • Another program of the present invention places a cassette containing a plurality of objects to be polished.
  • a mounting section ; a plurality of polishing lines for polishing the object to be polished; a cleaning machine for cleaning the object to be polished after polishing; and a cleaning line having a transport nut for transporting the object to be polished; It is stored in the control unit of a polishing apparatus having a transfer mechanism for transferring a polishing object between the polishing line and the cleaning line, and a control unit for controlling the polishing line, the cleaning line, and the transfer mechanism.
  • a time obtained by subtracting the predicted polishing end time when the waiting time is zero from the predicted cleaning start time of the cleaning line is set as a polishing waiting time, and when the polishing waiting time is positive, the plurality of polishings are performed.
  • a procedure for delaying the line polishing start time by the polishing waiting time is executed.
  • Still another program includes: a mounting unit that mounts a cassette that stores a plurality of polishing objects; a polishing line that has a plurality of polishing units that polish the polishing object; and a polishing object after polishing.
  • the polishing apparatus includes a control unit that controls the line, the cleaning line, and the transport mechanism.
  • a time obtained by subtracting a predicted polishing end time when the waiting time is a waiting time from the predicted cleaning start time of the cleaning line is set as a polishing waiting time, and when the polishing waiting time is positive, the polishing is performed.
  • a procedure for delaying the polishing start time of the line by the polishing waiting time is executed.
  • the present invention while maintaining a high throughput as much as possible, that is, even if the throughput is sacrificed to some extent, the waiting time until the cleaning is started after the polishing is completed is eliminated, and the polishing object after the polishing is completed Can be cleaned immediately, for example, when used in the copper wiring formation process, copper corrosion can be more completely prevented.
  • FIG. 1A to 1D are diagrams showing an example of forming a copper spring in a semiconductor device in the order of steps.
  • FIG. 2 is a plan view showing an outline of the overall configuration of the polishing apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a configuration diagram showing an outline of the polishing apparatus shown in FIG.
  • Fig. 4 is a time chart when the controller shown in Fig. 2 is controlled by the control unit so that the throughput is maximized.
  • FIG. 5 is a time chart showing a first control example of the polishing apparatus shown in FIG.
  • FIG. 6 is a time chart showing a second control example of the polishing apparatus shown in FIG.
  • FIG. 7 is a time chart showing a third control example of the polishing apparatus shown in FIG.
  • FIG. 8 is a time chart showing a fourth control example of the polishing apparatus shown in FIG.
  • FIG. 9 is a flowchart showing the relationship between the polishing line, the transfer mechanism, and the transfer management software in which the transfer is controlled so that the wafer arrives at the second reversing machine without waiting time after the completion of the second polishing.
  • FIG. 10 is an image of the wafer map when the wafer being calculated is in the first cleaning machine and the second to fourth cleaning machines are in an empty state.
  • Fig. 1 1 A shows an example of the wafer map image of the previous wafer
  • Fig. 12 is a flowchart showing the relationship between the cleaning unit and the transfer management software.
  • a wafer W having a copper film 7 formed on the surface shown in FIG. 1B is prepared, and the copper film 7 and the seed layer 6 on the noria layer 5 are polished as shown in FIG. 1C.
  • Siliconed polishing An example in which two-stage polishing is performed is shown. Further, the process management of the polishing apparatus described below is performed in the control unit 70 shown in FIG. 2 in the polishing apparatus, and the process management system is stored in the control unit as a program.
  • FIG. 2 is a plan view showing an outline of the overall configuration of the polishing apparatus according to the embodiment of the present invention
  • FIG. 3 is a configuration diagram showing an outline of the polishing apparatus shown in FIG.
  • the polishing apparatus according to the present embodiment includes a substantially rectangular housing 10 and a plurality (three in this embodiment) of cassettes 1 containing a large number of semiconductor wafers (polishing objects).
  • a mounting part 14 for mounting 2 is provided.
  • the cassette 12 is accommodated in an airtight container composed of, for example, SMIF (Standard Manufacturuig Interface; Pod 7 FP (Front Opening Unined Pod) force.
  • SMIF Standard Manufacturuig Interface
  • Pod 7 FP Front Opening Unined Pod
  • a first polishing line 20 having a first polishing portion 2 2 and a second polishing portion 24 4, located on one side surface along the longitudinal direction, and a first polishing portion 3
  • a second polishing line 30 having 2 and a second polishing section 34 is accommodated.
  • the first polishing section 2 2 of the first polishing line 20 has a top ring 2 2 a that holds the wafer W detachably.
  • the second polishing section 2 4 includes a top ring 2 4 a that holds the wafer detachably and a polishing table 2 4 b that has a polishing surface on the surface 2 4 b. b.
  • the first polishing section 3 2 of the second polishing line 30 includes a top ring 3 2 a and a polishing table 3 2 b
  • the second polishing section 3 4 includes a top ring 3 4 a and a polishing table. It has 3 4 b.
  • a cleaning line 40 is housed inside the housing 10 on the other side surface along the longitudinal direction.
  • the washing line 40 is arranged in series with the first washing machine 4 2 a, the second washing machine 4 2 b, the third washing machine 4 2 c, and the fourth washing machine 4 2 d. It has four washing machines and a transport unit 4 4 (see Fig. 3) that has hands as many as these washing machines and repeats reciprocating motion.
  • the transfer unit 4 4 As a result, by the reciprocating motion of the transfer unit 4 4, the wafer is moved into the first cleaning machine 4 2 a ⁇ the second cleaning machine 4 2 b ⁇ the third cleaning machine 4 2 c ⁇ the fourth cleaning machine 4 2 d. Then, it is cleaned while being conveyed sequentially.
  • This washing tact (washing time) is set to the washing time in the washing machine with the longest washing time among the washing machines 4 2 a to 4 2 d, and the washing process in the washing machine with the longest washing time is After completion, the transfer unit 44 is driven and the wafer is transferred.
  • a transfer mechanism 50 for transferring the wafer is disposed between the mounting portion 14, the polishing lines 20 and 30, and the cleaning line 40.
  • This transport mechanism 50 has a first reversing machine 52a for reversing the wafer before polishing at 180 °, and a second reversing machine 52b for reversing the wafer after polishing at 180 °.
  • the second transfer robot 5 between the second reversing machine 5 2 b and the cleaning line 4 0 4 b are arranged respectively.
  • the first linear transporter 5 6a, the second linear transporter 5 6b, and the third linear transporter 5 6c are arranged in order from the mounting part 14 side.
  • a fourth linear transporter 56d The first reversing machine 52a is disposed above the first linear transporter 56a, and a lifter 58a that can be moved up and down is disposed below the first reversing machine 52a.
  • a pusher 60a that can be moved up and down is disposed below the second linear transporter 56b, and a pusher 60b that can be moved up and down is disposed below the third linear transporter 56c.
  • a lifter 5 8 b that can be moved up and down is arranged below the fourth rear air transporter 5 6 d.
  • the fifth linear transporter 5 6 e, the sixth linear transporter 5 6 f and the seventh rear air transporter 5 6 g are arranged in order from the mounting portion 14 side. Is arranged.
  • a lifter 58 c that can be moved up and down is disposed below the fifth rear air transporter 56 e, and a pusher 60 c that can be moved up and down is disposed below the sixth linear transporter 56 f. Yes.
  • a pusher 60 d that can be moved up and down is placed below the seventh linear transporter 56 g.
  • the first, third, etc. wafers taken out from one of the cassettes 1 2 placed on the placement part 14 by the first transfer robot 5 4 a are the first reversing machine 5 2 a ⁇ 1st linear transporter 5 6 a ⁇ Top ring 2 2 a (1st polishing part 2 1 of 1st polishing line 20) ⁇ 2nd linear transporter 5 6 b ⁇ Top ring 2 4 a ( 1st polishing line 20 2nd polishing part 2 4) ⁇ 3rd linear transporter 5 6 c ⁇ 2nd transfer port Pot 5 4 b ⁇ 2nd reversing machine 5 2 b ⁇ cleaning machine 4 2 a ⁇ cleaning machine 4 2 b ⁇ Washing machine 4 2 c ⁇ Washing machine 4 2 d ⁇ First transfer robot 5 4 A is transferred to the original cassette 1 2 by the route of 4 a.
  • the second, fourth, etc. wafers taken out from the same cassette 1 2 placed on the placement part 1 4 by the first transfer robot 5 4 a are the first reversing machine 5 2 a ⁇ 4th linear transporter 5 6 d ⁇ 2nd transfer robot 5 4 b ⁇ 5th linear transporter 5 6 e ⁇ Top ring 3 2 a (1st polishing part 3 2 of 2nd polishing line 30) ⁇ 6th Your transporter 5 6 f ⁇ Top ring 3 4 a (2nd polishing part 3 4 of 2nd polishing line 30) ⁇ 7th linear transporter 5 6 g ⁇ 2nd transfer robot 5 4 b ⁇ 2nd reversing machine 5 2 b ⁇ Washing machine 4 2 a ⁇ Washing machine 4 2 b ⁇ Washing machine 4 2 c ⁇ Washing machine 4 2 d ⁇ First transfer robot 5 4 a is transferred to the original cassette 1 2 .
  • the copper film 7 and the seed layer on the barrier layer 5 6 is removed by polishing (first polishing), and the second polishing part 24 of the first polishing line 20 and the second polishing part 34 of the second polishing line 30 are used to remove the barrier layer 5 on the insulating film 2 and If necessary, remove a part of the surface layer of the insulating film 2 by polishing (second polishing). Then, the wafers after the second polishing are sequentially cleaned by the cleaning machines 4 2 a to 4 2 d, dried, and then returned to the cassette 12.
  • the first wafer and the second polishing line 30 are cleaned.
  • the polished second wafer is simultaneously held by the transfer unit 44, and the first wafer is transferred to the second washer 4 2b, and the second wafer and the first washer 4 2a are transferred simultaneously. Wash two wafers at the same time.
  • the first and second wafers and the third wafer polished by the first polishing line 20 are simultaneously held by the transport unit 44, and the first wafer is held by the third cleaning machine 42.
  • the second wafer is simultaneously transferred to the second cleaning machine 4 2 b and the third wafer is simultaneously transferred to the first cleaning machine 4 2 a to simultaneously clean the three wafers.
  • the two polishing lines 20 and 30 can be dealt with by one cleaning line 40.
  • the polishing apparatus is controlled by the control unit so as to maximize the throughput, as shown in the time chart of FIG. 4, the second wafer after the polishing is cleaned by the first cleaning machine 4 2 a.
  • a cleaning waiting time S occurs in the meantime.
  • a cleaning waiting time S 2 is generated before the third wafer after polishing is cleaned by the first cleaning machine 4 2 a.
  • cleaning waiting times S 3 and S 4 occur before the cleaning by the first cleaning machine 4 2a.
  • the odd-numbered wafers taken out from the same cassette 12 are polished alternately by the first polishing line 20 and the even-numbered wafers taken out by the second polishing line 30 alternately.
  • the odd-numbered wafers taken out from the same cassette 12 are polished by the second polishing line 30 and the even-numbered wafers are alternately polished by the first polishing line 20.
  • wafers that are alternately taken out from different cassettes may be alternately polished by the first polishing line 20 and the second polishing line 30 to return the cleaned wafer to the original cassette.
  • the polishing apparatus in order to maintain the high throughput as much as possible, eliminate the waiting time for cleaning, and allow the wafer to be immediately cleaned in the shortest time after polishing, the polishing apparatus is controlled by the controller as follows. Control. In the following example, the odd-numbered wafers taken out from the same cassette 12 are polished alternately by the first polishing line 20 and the even-numbered wafers are polished alternately by the second polishing line 30. The case will be explained.
  • the difference between the predicted polishing end time and the predicted cleaning start time in the first polishing line 20 and the second polishing line 30 is calculated, and this difference is used as the polishing waiting time.
  • the polishing start time in the first polishing unit 2 2 of the 1 polishing line 20 and / or the first polishing unit 3 2 of the second polishing line 30 is delayed by the polishing waiting time. Specific examples are described below.
  • Predictive calculations are performed before starting the polishing process. Specifically, before starting the polishing process, specifically, when the transfer of the wafer from the first linear transporter 56 a to the first polishing unit 22 of the first polishing line 20 is started, or the transfer ends. After. When polishing is started from the second polishing line 30, when the transfer of the wafer from the fifth linear transporter 56 e force to the first polishing section 32 of the second polishing line 30 is started, Is after the conveyance is finished.
  • the predicted polishing time T in the first polishing section is estimated by predicting the polishing time in the first polishing section 22 of the first polishing line 20.
  • the predicted polishing time of the first polishing unit 32 in the second polishing line 30 is also Ti.
  • As the predicted polishing time T ⁇ for example, a past average time calculated from the recipe data or the same recipe is adopted. Polishing by the first polishing units 2 2 and 3 2 (first polishing) is generally performed while detecting the polishing end point. Thus, when polishing while detecting the end point, the polishing time varies between wafers. For this reason, it is preferable to adopt an average time.
  • the predicted polishing time at the second polishing section 24 of the first polishing line 20 is estimated, and the predicted polishing time at the second polishing section is set to 2 .
  • the predicted polishing time in the second polishing section 3 4 of the second polishing line 3 0 also becomes T 2.
  • T 2 for example, employing a past average time in calculation or the same recipe from the recipe data.
  • the line prediction transport time also T 3 of the second polishing line 3 0.
  • Estimated polishing time in the first polishing section ⁇ Total estimated polishing time in the second polishing section ⁇ 2 and predicted in-line transfer time ⁇ 3 ⁇ , + ⁇ . + ⁇ 3 in the first polishing line 20 This is the estimated polishing time.
  • the predicted polishing time in the second polishing line 30 is the same value as the predicted polishing time in the first polishing line 20.
  • the wafer after the polishing by the first transfer line 20 (the first polishing at the first polishing unit 22 and the second polishing at the second polishing unit 24) is washed through the second reversing machine 5 2 b. to predict the time for conveying the ⁇ line 4 0, the predicted transport time T 4 in the transport mechanism.
  • n-1 th wash the estimated starting time F of the wafer (n - a time obtained by adding the predicted cleaning time T 5 by the cleaning line 4 0 ", and when cleaning start prediction in n-th Weha time F n
  • n—the predicted cleaning start time F — for the first wafer is the predicted time at which the cleaning process for the previous wafer is started as viewed from the nth wafer to be calculated. This is the predicted time when the transfer unit 44 of the cleaning line 40 is driven and the wafer is taken into the first cleaning machine 4 2a of the cleaning line 40 in order to clean the wafer.
  • It predicted cleaning time T 5 is also referred to as a cleaning tact.
  • the cleaning tact is 5 .
  • This cleaning tact T 5 is calculated from, for example, recipe data, or the past average time in the same recipe is adopted.
  • the cleaning tact includes the time related to the cylinder operation in which the cleaning pen and brush move up and down, but since this operation can be changed by hardware such as the speed control function, Past average time can be adopted according to customer requirements.
  • Predicted cleaning start time F n and cleaning tact (predicted cleaning time) T 5 are the first polishing line Common to 20 and second polishing line 30.
  • each forecast time mentioned above is the first polishing line Common to 20 and second polishing line 30.
  • the polishing waiting time is A
  • the calculation shown in the following prediction formula is performed to obtain the polishing waiting time A.
  • the predicted polishing time T ⁇ in the first polishing part is 120
  • the predicted polishing time T 2 in the second polishing part is 90
  • the estimated in-line transfer time of the wafer ⁇ 3 is 30, and the expected transfer time in the transfer mechanism ⁇ 4 is 30 and cleaning tact 5 is 90.
  • the unit may be seconds, but it may be considered as the relative value of each process. It should be noted that when the first polishing line 20 and the second polishing line 30 polish wafers in different cassettes, the predicted polishing time may be different. In this case, the longer polishing time is used.
  • the control unit uses the first polishing unit 2 2 of the first polishing line 20 for the first wafer.
  • calculate the estimated cleaning start time to start cleaning the first wafer. Specifically, 100 (current time) +120 (T +90 ( ⁇ 2 ) +30 ( ⁇ 3 ) +30 ( ⁇ 4 ) 370.
  • the predicted cleaning start time for the first wafer (wafer ID: F1W01) is set in the blank state shown in Table 1 below. In this case, the first polishing waiting time is zero. (table 1)
  • the calculation unit starts the above-mentioned first wafer from the current time 130.
  • the calculation unit adds the cleaning tact 90 to 370, which is the predicted cleaning start time for the first wafer, and the transport unit 4 4 of the cleaning line 40 starts driving.
  • the difference 60 from 400 is derived, and as shown in Table 3, this is the first polishing wait time for the second wafer (wafer ID: F2W01).
  • the control unit controls the first polishing unit of the second polishing line 30 so that the second wafer after polishing is transferred to the cleaning line 40 immediately before the transfer unit 44 of the cleaning line 40 starts driving.
  • a command is sent to the 32 top rings 34a to wait for 60 hours before starting polishing (1st polishing).
  • the first wafer reaches the first re-air transporter 52a.
  • set the estimated cleaning start time for the first wafer and then set the 5th
  • the second wafer arriving at the second transporter 56 e calculates the polishing waiting time, and delays (waits) the start of polishing by the first polishing unit 32 by this polishing waiting time. It is possible to put the wafer in a dry state before starting the process.
  • the difference 30 between the predicted cleaning start time 550 and the predicted polishing end time 5 20 is derived, and as shown in Table 4, this is the first polishing wait time for the third wafer (wafer ID: F 1W02).
  • the control unit controls the first polishing unit 22 of the first polishing line 20 so that the third wafer after polishing is transferred to the cleaning line 40 immediately before the transfer unit 44 of the cleaning line 40 starts driving.
  • a command is sent to Top Ring 24 a to wait for 30 waits before starting polishing (1st polishing).
  • the calculation unit performs the same calculation as the first wafer from the current time 340.
  • the estimated polishing end time 610 is derived when the waiting time is the opening.
  • the calculation unit adds the cleaning tatting 90 to 550, which is the predicted cleaning start time F 3 for the third wafer, and the transport unit 44 of the cleaning line 40 starts driving.
  • the difference 30 between the predicted cleaning start time 640 and the predicted polishing end time 610 is derived, and as shown in Table 5, this is calculated for the fourth wafer (wafer ID: F 2W02). 2008/057881
  • the control unit controls the first polishing unit of the second polishing line 30 so that the polished fourth wafer is transferred to the cleaning line 40 immediately before the transfer unit 44 of the cleaning line 40 starts to drive.
  • a command is sent to the 32 top rings 34 a to wait for 30 waits before starting polishing (first polishing). Thereafter, the same calculation is performed for subsequent wafers.
  • Figure 5 shows the time chart at this time.
  • First polishing is started.
  • the waiting time for cleaning before the start of the polishing process after the completion of polishing is set to the waiting time for polishing before the start of the polishing process, thereby eliminating the waiting time for cleaning after polishing and before cleaning. Can do.
  • the polishing waiting time before polishing by the first polishing units 22 and 32 is calculated, and the polishing waiting time is not calculated before polishing by the second polishing units 24 and 34.
  • the polishing waiting time before polishing by the second polishing parts 24 and 34 is calculated, and polishing by the second polishing part (second polishing) It may be possible to delay the start of polishing only (second example).
  • a time chart in the second example is shown in FIG.
  • the concept of the prediction formula is the same as in the first example, but the second linear transporter 56b or the second polishing section 24 of the first transfer line 20 or the fifth linear transporter.
  • the cleaning waiting time that has conventionally occurred after polishing and before cleaning is defined as the polishing waiting time before the start of polishing by the second polishing units 2 4 and 3 4. This eliminates the waiting time for cleaning.
  • the polishing waiting time is calculated before polishing by the first polishing unit 2 2, 3 2 (first polishing), and again before the polishing by the second polishing unit 24, 3 4 (second polishing)
  • a third example in which the second polishing is also delayed by calculating is described.
  • the first polishing parts 2 2 and 3 2 polish the copper film 6 (first polishing) to expose the lower barrier layer 5. Thereafter, the barrier layer and, if necessary, the underlying insulating film 2 are polished (second polishing) by the second polishing portions 24 and 3 4.
  • the first polishing the thickness of the copper film to be polished is larger than in the second polishing, and the polishing operation of the first polishing is generally performed by detecting the end point using an eddy current sensor or an optical sensor. Has been terminated. In other words, since the polishing operation of the first polishing is not performed by time control, the polishing time varies greatly between wafers in the first polishing.
  • the actual polishing time (actual polishing time) in the first polishing section is the expected polishing time. If it is longer than 1 ⁇ (1 ⁇ >! ⁇ ), The operation of the second polishing and transfer mechanism will be accelerated accordingly (advanced). On the other hand, since the cleaning line is limited by the cleaning time that is being cleaned at that time, the wafer after the second polishing will eventually wait until the transfer unit of the cleaning line is driven for the amount of time ahead. Become. That is, copper corrosion progresses accordingly.
  • control unit 'performs an operation to compensate for an error between the estimated polishing time T in the first polishing and the actual polishing time t ⁇ , that is, a variation in the polishing time before the second polishing. .
  • Figure 7 shows the time chart of the third example.
  • washing the estimated starting time F 4 for the fourth wafer which is calculated in the second polishing ago, replaces the cleaning start prediction time time of the wafer.
  • the polishing delay is reflected in subsequent wafers. It is necessary to This is because the predicted cleaning start time F n for the subsequent n-th wafer has already been recursively derived when the first wafer is loaded, and the first polishing is predicted for this derivation. This is because the polishing time 1 ⁇ employs an average value. Therefore, in order to correct the predicted cleaning start time F n for the subsequent n-th wafer, the control unit performs a calculation process in which the delay of the first polishing is recursively reflected on the subsequent wafer. When the predicted cleaning end time of this wafer is later than the predicted cleaning start time of the next wafer, the wafer is skipped and the predicted cleaning start time is delayed for the next wafer.
  • the actual polishing time t is increased by 30 from the predicted polishing time T predicted by the first polishing unit 22.
  • Table 6 for the second wafer (F 2W 0 1) in the second polishing line 30, both polishing by the second polishing unit 3 4 and conveyance after polishing are performed as scheduled. This is the same as Table 3 above.
  • the predicted cleaning start time F 3 for the third wafer (F 1 W 0 2) is set to 5 50 as shown in Table 7.
  • the predicted cleaning start time F 4 for the fourth wafer (F 2W 0 2) is set to 6 40. This is the same as Table 5 above.
  • the transfer unit 44 of the cleaning line 40 waits until the wafer comes because the wafer does not come even when the predicted cleaning start time F 3 550 scheduled for the third wafer is reached. It will be.
  • This predicted cleaning start time 580 is shown in Table 7. It is later than the initial expected cleaning start time 550. Therefore, as shown in Table 8, the predicted cleaning start time F 3 for the third wafer is changed to 580. Thus, the cleaning for the third wafer is performed.
  • the cleaning line transport unit is driven at 580, resulting in 30 delays. Therefore, as shown in Table 9, the control unit reflects the 30 delays as the polishing waiting time before the second polishing for subsequent wafers.
  • the difference between the predicted cleaning start time 6 70 and the predicted polishing end time 6 40 is set as the second polishing waiting time.
  • the variation in the polishing time of the first polishing portion was compensated before the second polishing.
  • the variation in the polishing time of the second polishing cannot be compensated.
  • the polishing time may vary as in the first polishing. Therefore, in this fourth example, the fluctuation of the polishing time of the second polishing is compensated by reflecting the fluctuation of the polishing time of the second polishing on the predicted cleaning start time for the subsequent wafer.
  • Figure 8 shows the time chart of the fourth example.
  • the actual polishing time (actual polishing time) t 2 in the second polishing unit 24 is longer than the predicted polishing time T 2 in the second polishing unit. (T 2 > T 2 ).
  • the delay time in the first wafer that is, the actual polishing time and the estimated polishing time in the second polishing unit.
  • the difference (t 2 – T 2 ) is the cleaning waiting time for the second wafer.
  • the delay time of the first wafer is reflected recursively as the polishing wait time for the second polishing by the arithmetic processing of the control unit.
  • the actual polishing time t 2 in the second polishing section for the first wafer 15 slow and Natsuta than predicted polishing time T 2.
  • the transfer unit 44 in the cleaning line 40 has a cleaning waiting time because the wafer is not in the cleaning line 40 at the predicted cleaning start time.
  • the predicted cleaning start time F 3 for the third wafer is 5 6 5. Therefore, the difference 15 between the predicted cleaning start time 5 6 5 and the predicted polishing end time 5 5 0, as shown in Table 12, the second wafer (wafer ID: F 1 W 0 2) 2Second polishing waiting time at the polishing section.
  • the control unit can mark the wafer, transport it to an inline film thickness inspection apparatus provided in the vicinity of the wafer cassette after cleaning and drying, and observe the surface state of the wafer. .
  • in-line film thickness inspection equipment takes time because of its high inspection accuracy, and sampling inspection may be performed on arbitrary wafers.
  • the polishing process can be stabilized and the sampling conditions can be optimized.
  • the polishing apparatus having two polishing lines and one cleaning line has been described.
  • the present invention can be applied to other apparatus configurations.
  • the conveyance control according to the present invention is applied.
  • Which one is adopted is determined in consideration of the configuration of the equipment and the processing capacity of the control unit.
  • the present invention can be applied even when there is one polishing line and one cleaning line. That is, the present invention can be applied when the sum of the polishing time and the transport time is longer than the cleaning time, in other words, when the cleaning time is a rate-limiting condition.
  • an example of calculating the predicted polishing start time for the second and subsequent wafers from the start of polishing is given.
  • the time when the transport unit in the cleaning line is driven next is calculated and predicted from the cleaning time, and the waiting time is derived by subtracting the sum of the polishing time and the transport time from this cleaning time.
  • the cleaning time is representative of the cleaning time of the cleaning machine having the most time-consuming cleaning process among the cleaning lines.
  • the polishing time can be either fixed time or average time.
  • wafer map The wafer position data in the cleaning unit 40 at the time “(hereinafter referred to as wafer map) is calculated, and after the second polishing, the wafer is transferred to the second reversing machine 5 2 b without waiting after the second polishing.
  • the timing of the start of polishing may be controlled / controlled so as to arrive.
  • the cleaning process by the cleaning machines 4 2 a to 4 2 d is completed, the uncleaned wafer scheduled to arrive at the second reversing machine 5 2 b has actually arrived at the second reversing machine 5 2 b. If not, set Inter Lock to the operation of the transfer unit 4 4, stop the operation of the transfer unit 4 4, and continue until the wafer reaches the second reversing machine 5 2 b. The cleaning process may not be started.
  • Fig. 9 shows the polishing lines 20 and 30, the transport mechanism 50, and the transport management software, in which the transport is controlled so that the wafer arrives at the second reversing machine 5 2 b without waiting after the completion of the second polishing.
  • the transfer management software determines the presence or absence of a wafer in the second polishing parts 24 and 34 immediately after, and the wafer is If not, (1) Scheduled cleaning start time for each wafer, (2) Standby time on each air transporter (LTP) 56 a to 56 c, 56 e to 56 g, and (3) Wafer map calculation I do. These calculation methods differ depending on the presence or absence of wafers in the cleaning line 40. Each case will be described below.
  • the expected cleaning start time is the time obtained by adding “the transport time from the current position to the second reversing device 52 b” to the “current time”.
  • the standby time of each wafer on the linear transporter (LTP) 56 a to 56 c and 56 e to 56 g is “0,”. 2nd to 4th washing machines
  • FIG. Figure 10 shows that the wafer being calculated is the first cleaning machine.
  • the second to fourth cleaning machines 42 b to 42 d are located at 42 a, and show an image diagram of the wafer map when it becomes empty.
  • the predicted cleaning start time is the time when “predicted cleaning tact time” XN is added to “predicted cleaning start time of previous wafer” (“predicted cleaning start time of previous wafer” + “predicted cleaning tact time” XN).
  • the waiting time on each linear transporter (LTP) 56 a to 56 c, 56 e to 56 g is from “cleaning start expected time” to “current time” and “conveyance from current position to second reversing machine 52 b”
  • the value obtained by subtracting the value obtained by adding the “time” (“estimated cleaning start time” one (“current time” + “conveying time from the current position to the second reversing machine 52 b”)) is there.
  • the wafer map shifts the wafer map of the previous wafer by “N”, and the first washing machine 4 2 a has the wafer being calculated.
  • N 3rd cleaning machine 4 2c and 4th cleaning machine 4 2d
  • the expected cleaning start time since it is not affected by the previous wafer cleaning tact, the expected cleaning start time, waiting time on each linear transporter (LTP) 5 6 a to 5 6 c, 5 6 e to 5 6 g, And the wafer map of each wafer is calculated in the same way as when there is no wafer in the cleaning line.
  • LTP linear transporter
  • “predicted cleaning start time of the previous wafer” means an estimated cleaning start time of a wafer that is loaded into the first cleaning machine 42 a one ahead of the wafer whose predicted cleaning start time is being calculated. If there is no uncleaned wafer for which the expected cleaning start time is calculated in the polishing machine, the actual value of the final cleaning start time is used as the “previous-wafer expected cleaning start time”. That is, the cleaning start flag is turned on when the shutter of the cleaning unit 40 is opened, and the transfer management task stores the time at that time. At that time, the cleaning tact is calculated based on the weno and position information in the cleaning machine at that time.
  • “Cleaning tata” means the time obtained by adding the transport time by the transport unit 40 to the longest cleaning processing time in the cleaning machines 4 2 a to 4 2 d. Even in the same cleaning recipe, the value of the cleaning tact changes depending on the position of the wafer present in the cleaning machine, so in the above formula (1), strictly speaking, it is not simply “X N”. Therefore, the cleaning tact is actually calculated based on the wafer map of the previous wafer.
  • the wafer map will be “N” at that time. Create using. This parameter is intended to speed up throughput by placing the wafer in the cleaning line 40, for example About 5 seconds.
  • the estimated cleaning start time is calculated using “N” that satisfies the above equation (1).
  • the transport time from the current position to the second reversing machine 5 2 b is the total time shown below.
  • Processing time of the second reversing machine 52 b-Here, “Processing time of the first polishing part” and “Processing time of the second polishing part” for each unit of the job in the same cassette The average value of the same recipe in the past is used for the first wafer of the job. If the average value in the past is V, use the recipe setting time (total processing time for the polishing step). The same applies to the following.
  • the transfer time from the current position to the second reversing machine 5 2 b is the total time shown below.
  • the “conveying time from the current position to the second reversing machine 52 b” is the following total time.
  • the “conveying time from the current position to the second reversing machine 52 b” is the following total time.
  • the “conveying time from the current position to the second reversing machine 52 b” is the following total time.
  • the transport time from the current position to the second reversing machine 5 2 b is the total time shown below.
  • the transport management software counts the waiting time and then sends a transport permission signal to the transport mechanism. That is, as described above, the linear transporter is provided with a waiting time prior to the first polishing unit 22, 32 force and the transfer to the second polishing unit 24, 34. This waiting time is the error time of the previous step. Since the wafer located at the linear transporters 56 c and 56 g is then moved to the cleaning process, this processing is not performed on the wafer located at the rear air transporters 56 c and 56 g.
  • the transfer mechanism Upon receiving this transfer permission, the transfer mechanism delivers wafers from each pusher to each top ring, and moves the wafer information (wafer pap) to the polishing unit.
  • the transfer management software receives the wafer information movement signal from the polishing unit and resets the start permission.
  • the cleaning line 40 opens the shatter, drives the transfer unit 4 4, and drives the wafer located in the second reversing machine 5 2 b to the first cleaning machine 4 2 a and the first cleaning machine 4 2 a
  • the wafer located in the 2nd cleaning machine 4 2 the wafer located in the 2nd cleaning machine 4 2 b in the 3rd cleaning machine 4 2 c, and the wafer located in the 3rd cleaning machine 4 2 c in the 4th cleaning Transport to machine 4 2 d at the same time.
  • the cleaning process according to the cleaning recipe is started, and the cleaning process according to all the cleaning recipes of the first to fourth cleaning machines 4 2 a to 4 2 d is finished. Transport and cleaning process.
  • the transfer management software receives the cleaning opening 40 (cleaning operation start) signal, and handles the case where the second polishing time at the second polishing units 3 4 and 4 4 is different from the expected polishing time.
  • the error between the actual cleaning start time and the expected time is calculated and reflected in the expected time of the uncleaned wafer.
  • the estimated cleaning start time of the wafer located upstream from the Uet where the serious failure occurred is set to an invalid value (for example, 1) and is not referenced when calculating the expected cleaning start time of the subsequent wafer.
  • the transport management task is sent to scraping or re-polishing without allowing the wafer transfer operation from the linear transporter to the top ring for the ueno whose expected cleaning start time is invalid.
  • the weigher positioned in the first polishing section 22 and the linear transporter 5.6 a Set the expected cleaning start time of c to an invalid value.
  • the second polishing section 24 of the first polishing line 20 When a serious failure occurs in the second polishing section 24 of the first polishing line 20 at the lowered position of the pusher 60b, the second polishing section 24, the linear transporter 56b, the first polishing section 22 and Linear transporter 5 6 Sets the expected cleaning start time for the wafer located at a to an invalid value.
  • the linear transporter 5 6 g, the second polishing part 30 of the second polishing line 30, the linear transporter 5 6 f, the first polishing part 3 2 and linear transporter 5 6 Set the expected cleaning start time for the wafer located at e to an invalid value.
  • the second polishing part 3 4 of the second polishing line 30 When a serious failure occurs in the second polishing part 3 4 of the second polishing line 30 at the lowered position of the pusher 60 d, the second polishing part 3 4, the linear transporter 5 6 f, the first polishing part 3 2 and Linear transporter 5 6 Sets the expected cleaning start time for the wafer located at e to an invalid value.
  • the linear transporter 5 6 g, the second polishing part 3 4, the transporter 5 6 f The expected cleaning start time for the wafers located in the first polishing unit 3 2 and linear transporter 5 6 e is set to an invalid value.
  • all wafers located in the polisher are processed at the time of interlock without inserting a new wafer into the polisher.
  • the estimated cleaning start time of the wafer located upstream from the unit where the error occurred is set to an invalid value (for example, 1), and is not referenced when calculating the expected cleaning start time for subsequent wafers. If there is a wafer with an invalid cleaning start time on the linear transporter, the transfer management task does not allow the wafer transfer operation from the linear transporter to the top ring.
  • the estimated cleaning start time of the wafer located in the linear transporter 56 a is set to an invalid value.
  • the expected cleaning start time of the wafer located at the linear transporter 56 e is set to an invalid value.
  • the expected cleaning start time of the wafer located upstream of the unit where the wafer where the process is stopped is located. Is set to an invalid value (for example, 1) and is not referenced when calculating the expected cleaning start time for subsequent wafers. If there is a wafer with an invalid cleaning start time on the linear transporter, the transfer management task does not allow the wafer transfer operation from the linear spoke to the top ring.
  • the wafers located in the first polishing part 22 and the linear transporter 56 a Set the expected cleaning start time to an invalid value.
  • the second polishing section 24 of the first polishing line 20 When a wafer that has been temporarily stopped is positioned in the second polishing section 24 of the first polishing line 20, the second polishing section 24, the rear air transporter 5 6 b, and the first polishing section 2 2 and linear transporter 5 6 Set the expected cleaning start time for the wafer located at a to an invalid value.
  • the second polishing part 3 4 of the second polishing line 30 If the wafer that has been paused is positioned in the second polishing part 3 4 of the second polishing line 30, the second polishing part 3 4, the rear air transporter 5 6 f, and the first polishing part 3 2 and linear transporter 5 6 Sets the expected cleaning start time for the wafer located at e to an invalid value.
  • the expected time is recalculated only for wafers whose expected cleaning start time is invalid.
  • the recalculation is performed in order from the shortest time required for conveyance to the second reversing machine 5 2 b.
  • the conveyance time from each position to the second reversing machine 5 2 b is as follows.
  • the transfer time from the first polishing unit 22 of the first transfer line 20 to the second reversing machine 52 b is the following total time.
  • the processing time of the first processing unit 22 and the processing time of the second processing unit 24 of the first transport line 20 are not touched down (the top ring is not in contact with the polishing table, that is, polishing is not started).
  • the average value for each job unit is used as before, and the average value of the same recipe in the past is used for the first wafer of the job. If there is no past average, use the recipe setting time (total processing time of the polishing step). If the touchdown has been completed, set the processing time to "0". The same applies to the processing time of the first processing unit 32 and the second processing unit 34 of the second transport line 30 described below.
  • the transfer time from the second polishing unit 24 force of the first transfer line 20 to the second reversing machine 52 b is the following total time.
  • the transfer time from the first polishing section 32 of the second transfer line 30 to the second reversing machine 52 b is the following total time.
  • the transfer time from the second polishing section 3 4 force of the second transfer line 30 to the second reversing machine 5 2 b is the following total time.
  • the “cleaning start expected time” and “wafer position data in the cleaning unit 40 when the first cleaning machine 4 2 a arrives” (Hereinafter referred to as wafer map) is calculated, and based on these data, the polishing start timing is controlled so that the wafer arrives at the second reversing machine 5 2 b without waiting after the completion of the second polishing. As a result, the time from the end of polishing to the start of cleaning can be minimized.
  • the present invention can be applied to a polishing apparatus that polishes a polishing object such as a semiconductor wafer into a mirror surface having a flat force and a program stored in a control unit of the polishing apparatus.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)

Abstract

研磨装置は、複数の研磨対象物を収納したカセット（１２）を載置する載置部（１４）と、研磨対象物を研磨する第１研磨ライン（２０）及び第２研磨ライン（３０）と、研磨後の研磨対象物を洗浄する洗浄機（４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，４２ｄ）と研磨対象物を搬送する搬送ユニット（４４）を有する洗浄ライン（４０）と、載置部（１４）、研磨ライン（２０，３０）及び洗浄ライン（４０）間で研磨対象物を搬送する搬送機構（５０）と、研磨ライン（２０，３０）、洗浄ライン（４０）及び搬送機構（５０）を制御する制御部を有する。制御部は、第１及び第２研磨ライン（２０，３０）における予測研磨時間、搬送機構（５０）における予測搬送時間、洗浄ライン（４０）における予測洗浄時間、及び洗浄ライン（４０）の搬送ユニット（４４）を駆動させて洗浄を開始する洗浄開始予測時刻を基に、第１または第２研磨ライン（２０，３０）の研磨開始時刻を決定する。

Description

明細書 研磨装置及びそのプログラム 技術分野
本発明は、 研磨装置及びそのプログラムに関し、 特に半導体ウェハなどの研磨 対象物を平坦かつ鏡面状に研磨する研磨装置及び該研磨装置の制御部内に格納さ れているプログラムに関する。 背景技術
半導体装置の配線形成プロセスとして、 酉 fll泉溝及ぴビアホールに金属 （酉 材 料） を埋込むようにしたプロセス （いわゆる、 ダマシンプロセス） が使用されつ つある。 これは、 層間絶縁膜に予め形成した酉 s¾溝やビアホールに、 アルミユウ ム、 近年では銅や銀等の金属を埋込んだ後、 余分な金属を化学賺的研磨 (CM P ) によって除去し平坦化するプロセス技術である。
図 1 A〜図 1 Dは、 半導体装置における銅酉 形成例を工程順に示す。 先ず、 図 1 Aに示すように、半導体素子を形成した半導体基材 1上の導電層 1 aの上に、 例えば S i 0 2からなる酸化膜や L o w— K材膜等の絶縁膜 （層間絶縁膜） 2を 堆積し、 この絶縁膜 2の内部に、 例えばリソグラフィ 'エッチング技術により、 配線用の微細凹部としてのビアホール 3と配線溝 4を形成し、 その上に T a N等 からなるバリア層 5、 更にその上に電解めつきの給電層としてのシード層 6をス パッタリング等により形成する。
そして、 図 1 Bに示すように、 ウェハ （研磨対象物） Wの表面に銅めつきを施 すことで、 ウエノ、 Wのビアホール 3及び酉繊溝 4内に銅を充填させるとともに、 絶縁膜 2上に銅膜 7を堆積させる。 その後、 図 1 Cに示すように、 化学機械的研 磨 （CM P) などにより、 バリア層 5上のシード層 6及び銅膜 7を除去してバリ ァ層 5の表面を露出させ、更に、図 1 Dに示すように、絶縁膜 2上のバリア膜 5、 及び必要に応じて、 絶縁膜 2の表層の一部を除去して、 絶縁膜 2の内部にシード 層 6と銅膜 7からなる配線 （銅酉 8を形成する。
スループットを向上させるため、 2つの研磨ラインと 1つの洗浄ラインを備え た研磨装置が開発されている。このような研磨装置において、研磨後のウェハ（研 磨対象物） は、 2つの研磨ラインから 1つの洗浄ラインに順次供給される。 この 場合、 1枚のウェハが洗浄工程に入ると、 当該洗浄工程が終了するまで、 他のゥ ェハは洗浄工程に入ることができない。 このため、 研磨を終了したウェハに対す る洗浄を研磨直後に開始することができず、 洗浄機が空くまで待機する状況が発 生する。
ここで、 金属膜研磨プロセス、 例えば前述の銅配線形成プロセスにおける銅膜 研磨プロセスにおいて、 研磨後のウェハが研磨終了後にそのままウエットな状態 で放置されると、 ウェハ表面の銅配線を形成する銅の腐蝕が進行する。 銅は、 半 導体回路において配線を形成するため、 その腐蝕は配線抵抗の増大に繋り、 この ため、 銅の腐食を極力避けることが求められる。
従来、 研磨終了後、 洗浄を開始するまでの間における、 銅配線を構成する銅の 腐蝕の進行を遅くするため、 ウェハ表面に純水を供給して、 研磨後のウェハ表面 が直接大気に晒されないようにすることが一般に行われて 、る。 しかしながら、 この方法では、 銅の腐蝕を完全に防ぐことはできない。 銅の腐蝕をより完全に防 ぐためには、 研磨終了から洗浄開始までの時間自体を極力短くすることが求めら れる。
ここで、 例えばウェハ処理装置において、 ウェハの搬送、 処理及び洗浄の工程 を管理するスケジューラが提案されている （特表 2 0 0 4 - 5 2 6 2 6 3号公報、 特表 2 0 0 2 - 5 1 1 1 9 3号公報、及ぴ国際公開第 0 1 0 5 4 1 8 7号パンフ レツト参照)。 発明の開示
従来のウェハの搬送、 処理及び洗浄の工程を管理するスケジューラは、 一般に スノレープットを最大にすることを主目的にしている。 しかしながら、 スループッ トを最大にしょうとすると、 研磨終了から洗浄開始までの間に、 ウ ハの洗浄待 ち時間が発生することが有り、 例えば銅酉線形成プロセスにあっては、 銅の腐食 が進行し、 銅の腐蝕をより完全に防ぐという要請に応えられない。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、 高いスループットを極力維持した まま、 研磨対象物に対する研磨終了から洗浄開始までの時間を最短にすることが できるようにした研磨装置及び該研磨装置の制御部内に格納されるプログラムを 提供することを目的とする。
本発明の研磨装置は、 複数の研磨対象物を収納したカセ Vトを載置する载置部 と、 研磨対象物を研磨する第 1研磨ライン及び第 2研磨ラインと、 研磨後の研磨 対象物を洗浄する洗浄機と研磨対象物を搬送する搬送ュ-ットを有する洗浄ライ ンと、 前記載置部、 前記研磨ライン及び前記洗浄ライン間で研磨対象物を搬送す る搬送機構と、 前記研磨ライン、 前記洗浄ライン及び前記搬送機構を制御する制 御部を有する。 lift己制御部は、 前記第 1及ぴ第2研磨ラインにおける予測研磨時 間、前記搬送機構における予測搬送時間、前記洗浄ラインにおける予測洗浄時間、 及び前記洗浄ラインの前記搬送ュニットを駆動させて洗浄を開始する洗浄開始予 測時刻を基に、 前記第 1または第 2研磨ラインの研磨開始時刻を決定する。
本努明の他の研磨装置は、 複数の研磨対象物を収納したカセットを載置する載 置部と、 研磨対象物を研磨する複数の研磨ラインと、 研磨後の研磨対象物を洗浄 する洗浄機と研磨対象物を搬送する搬送ュ-ットを有する洗浄ラインと、 前記載 置部、前記研磨ライン及ぴ前記洗浄ライン間で研磨対象物を搬送する搬送機構と、 前記研磨ライン、 前記洗浄ライン及び前記搬送機構を制御する制御部を有する。 前記制御部は、 前記洗浄ラインの洗浄開始予測時刻から待ち時間がゼロの場合に おける研磨終了予測時刻を引いた時間を研磨待ち時間とし、 前記研磨待ち時間が 正の場合、前記複数の研磨ラィンの研磨開始時刻を前記研磨待ち時間分遅らせる。 本発明の更に他の研磨装置は、 複数の研磨対象物を収納したカセットを載置す る載置部と、 研磨対象物を研磨する複数の研磨部を有する研磨ラインと、 研磨後 の研磨対象物を洗浄する複数の洗浄機と研磨対象物を搬送する搬送ュニットを有 する洗浄ラインと、 前記載置部、 前記研磨ライン及び前記洗浄ライン間で研磨対 象物を搬送する搬送機構と、 前記研磨ライン、 前記洗浄ライン及び前記搬送機構 を制御する制御部を有する。 前記制御部は、 前記洗浄ラインの洗浄開始予測時刻 カゝら待ち時間がゼ口の場合における研磨終了予測時刻を弓 Iいた時間を研磨待ち時 間とし、 前記研磨待ち時間が正の場合、 前記研磨ラインの研磨開始時刻を前記研 磨待ち時間分遅らせる。
本発明のプログラムは、 複数の研磨対象物を収納したカセットを載置する載置 部と、 研磨対象物を研磨する第 1研磨ライン及び第 2研磨ラインと、 研磨後の研 磨対象物を洗浄する洗浄機と研磨対象物を搬送する搬送ュ-ットを有する洗浄ラ インと、 前記載置部、 前記研磨ライン及び前記洗浄ライン間で研磨対象物を搬送 する搬送機構と、 前記研磨ライン、 前記洗浄ライン及び前記搬送機構を制御する 制御部を有する研磨装置の該制御部内に格納されている。 このプログラムは、 コ ンピュータに、 前記第 1及び第 2研磨ラインにおける予測研磨時間、 前記搬送機 構における予測搬送時間、 前記洗浄ラインにおける予測洗浄時間、 及び前記洗浄 ラインの前記搬送ユエットを駆動させて洗浄を開始する洗浄開始予測時刻を基に、 前記第 1または第 2研磨ラインの研磨開始時刻を決定する手順を実行させる。 本発明の他のプログラムは、 複数の研磨対象物を収納したカセットを載置する 载置部と、 研磨対象物を研磨する複数の研磨ラインと、 研磨後の研磨対象物を洗 浄する洗浄機と研磨対象物を搬送する搬送ュュットを有する洗浄ラインと、 前記 載置部、 前記研磨ラィン及ぴ前記洗浄ラィン間で研磨対象物を搬送する搬送機構 と、 前記研磨ライン、 前記洗浄ライン及び前記搬送機構を制御する制御部を有す る研磨装置の該制御部内に格納されている。このプログラムは、コンピュータに、 前記洗浄ラインの洗浄開始予測時刻から待ち時間がゼロの場合における研磨終了 予測時刻を引いた時間を研磨待ち時間とし、 前記研磨待ち時間が正の場合、 前記 複数の研磨ラィンの研磨開始時刻を前記研磨待ち時間分遅らせる手順を実行させ る。
本発明の更に他のプログラムは、 複数の研磨対象物を収納したカセットを載置 する載置部と、 研磨対象物を研磨する複数の研磨部を有する研磨ラインと、 研磨 後の研磨対象物を洗浄する複数の洗浄機と研磨対象物を搬送する搬送ュ-ットを 有する洗浄ラインと、 前記載置部、 前記研磨ライン及び前記洗浄ライン間で研磨 対象物を搬送する搬送機構と、 前記研磨ライン、 前記洗浄ライン及び前記搬送機 構の を制御する制御部を有する研磨装置の該制御部内に格納されている。 こ のプログラムは、 コンピュータに、 前記洗浄ラインの洗浄開始予測時刻から待ち 時間がゼ口の場合における研磨終了予測時刻を引いた時間を研磨待ち時間とし、 前記研磨待ち時間が正の場合、 前記研磨ラインの研磨開始時刻を前記研磨待ち時 間分遅らせる手順を実行させる。
この発明によれば、 高いスループットを極力維持したまま、 つまりスループッ トの向上をある程度犠牲にしても、 研磨終了後に洗浄を開始するまでの間の洗浄 待ち時間をなくし、 研磨終了後の研磨対象物を直ちに洗浄できるようにして、 例 えば銅配線形成プロセスに使用した場合に、 銅の腐食をより完全に防止すること ができる。 図面の簡単な説明
図 1 A乃至 1 Dは、半導体装置における銅酉 泉形成例を工程順に示す図である。 図 2は、 本発明の実施形態に係る研磨装置の全体構成の概要を示す平面図であ る。
図 3は、 図 2に示す研磨装置の概要を示す構成図である。
図 4は、 スループットが最大となるように図 2に示す研磨装置を制御部で制御 した時のタイムチヤ一トである。
図 5は、 図 2に示す研磨装置の第 1の制御例を示すタイムチヤ一トである。 図 6は、 図 2に示す研磨装置の第 2の制御例を示すタィムチヤートである。 図 7は、 図 2に示す研磨装置の第 3の制御例を示すタイムチヤ一トである。 図 8は、 図 2に示す研磨装置の第 4の制御例を示すタイムチヤ一トである。 図 9は、 第 2研磨終了後、 ウェハが待ち時間なく第 2反転機に到着するよう搬 送をコントロールするようにした、 研磨ライン及び搬送機構と搬送管理ソフトの 関係を示すフロー図である。
図 1 0は、 算出中のウェハが第 1洗浄機にあり、 第 2〜第 4洗浄機は空きの状 態となる時のゥェハマップのィメージ図である。
図 1 1 Aは、 前ウェハにおけるウェハマップのイメージ図の一例を示し、 図 1 1 Bは、 図 1 1 Aに示す前ウェハのウェハマップを 2回 （N = 2 ) シフトした後 のウエノ、マップのィメージ図を示す。
図 1 2は、 洗浄ユニットと搬送管理ソフトとの関係を示すフロー図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。 以下の例では、 図 1 Bに示す、 表面に銅膜 7を成膜したウェハ Wを用意し、 図 1 Cに示すように、 ノ リア層 5の上の銅膜 7及びシード層 6を研磨除去 （第 1研磨） してバリア層 7 を露出させ、 しかる後、 図 1 Dに示すように、 絶緣膜 2上のバリア層 5及び必要 に応じて絶縁膜 2の表層の一部を研磨除去 （第 2研磨） する、 2段研磨を行うよ うにした例を示す。 また、 以下に説明する研磨装置の工程管理は、 研磨装置内の 図 2に示す制御部 7 0において行われ、 当該工程管理システムは、 プログラムと して制御部内に格納されている。
図 2は、 本発明の実施形態に係る研磨装置の全体構成の概要を示す平面図で、 図 3は、 図 2に示す研磨装置の概要を示す構成図である。 図 2に示すように、 本 実施形態における研磨装置は、 略矩形状のハウジング 1 0と、 多数の半導体ゥェ ノヽ （研磨対象物） を収納した複数 （本実施形態では 3つ） のカセット 1 2を載置 する載置部 1 4を備えている。 カセット 1 2は、 例えば S M I F (Standard Manufacturuig Interface;ポッド 7こ ίま F O U P (Front Opening Unined Pod) 力 らなる密閉容器内に収容される。
ハウジング 1 0の内部には、 その長手方向に沿った一側面に位置して、 第 1研 磨部 2 2と第 2研磨部 2 4を有する第 1研磨ライン 2 0と、 第 1研磨部 3 2と第 2研磨部 3 4を有する第 2研磨ライン 3 0が収容されている。 第 1研磨ライン 2 0の第 1研磨部 2 2は、 ウェハ Wを着脱自在に保持するトップリング 2 2 aと表 面に研磨面を有する研磨テーブル 2 2 bを備えており、 第 2研磨部 2 4は、 ゥェ ハを着脱自在に保持するトップリング 2 4 aと表面に研磨面を有する研磨テープ ル 2 4 bを備えている。 同様に、 第 2研磨ライン 3 0の第 1研磨部 3 2は、 トツ プリング 3 2 aと研磨テーブル 3 2 bを備えており、 第 2研磨部 3 4は、 トップ リング 3 4 aと研磨テーブル 3 4 bを備えている。
ハウジング 1 0の内部には、 その長手方向に沿った他側面に位置して、 洗浄ラ イン 4 0が収容されている。 この洗浄ライン 4 0は、 この例では、 第 1洗浄機 4 2 a、 第 2洗浄機 4 2 b、 第 3洗浄機 4 2 c、 及び第 4洗浄機 4 2 dの直列に配 置された 4つの洗浄機と、 この洗浄機の数だけハンドを有し、 往復運動を繰り返 し行う搬送ユニット 4 4 (図 3参照） とを有している。 これによつて、 この搬送 ユニット 4 4の繰り返し往復運動によって、 ウェハは、 第 1洗浄機 4 2 a→第 2 洗浄機 4 2 b→第 3洗浄機 4 2 c→第 4洗浄機 4 2 dと順次搬送されながら洗浄 される。 この洗浄タクト （洗浄時間） は、 洗浄機 4 2 a〜4 2 dのうちの最も洗 浄時間の長レヽ洗浄機における洗浄時間に設定され、 最も洗浄時間の長 ヽ洗浄機に おける洗浄工程が終了した後、 搬送ュニット 4 4が駆動されてウェハが搬送され る。
載置部 1 4、 研磨ライン 2 0， 3 0及び洗浄ライン 4 0に挟まれた位置に位置 して、 これらの間でウェハを搬送する搬送機構 5 0が配置されている。 この搬送 機構 5 0は、 研磨前のウェハを 1 8 0 ° 反転させる第 1反転機 5 2 a、 及び研磨 後のウェハを 1 8 0 ° 反転させる第 2反転機 5 2 bを有しており、 第 1反転機 5 2 aと載置部 1 4との間には第 1搬送ロボット 5 4 a力 第 2反転機 5 2 bと洗 浄ライン 4 0との間には第 2搬送ロボット 5 4 bがそれぞれ配置されている。 第 1研磨ライン 2 0と洗浄ライン 4 0との間には、 載置部 1 4側から順に第 1 リニアトランスポータ 5 6 a、 第 2リニアトランスポータ 5 6 b、 第 3リニアト ランスポータ 5 6 c及び第 4リニアトランスポータ 5 6 dが配置されている。 こ の第 1リニアトランスポータ 5 6 aの上方に前記第 1反転機 5 2 aが配置されて おり、 その下方に上下に昇降可能なリフタ 5 8 aが配置されている。 第 2リニア トランスポータ 5 6 bの下方に上下に昇降可能なプッシャ 6 0 aが配置され、 第 3リニアトランスポータ 5 6 cの下方に上下に昇降可能なプッシャ 6 0 bが配置 されている。 第 4リエアトランスポータ 5 6 dの下方に上下に昇降可能なリフタ 5 8 bが配置されている。
第 2研磨ライン 3 0側には、 載置部 1 4側から順に第 5リニアトランスポータ 5 6 e、 第 6リニアトランスポータ 5 6 f及び第 7リエアトランスポータ 5 6 g が配置されている。 この第 5リエアトランスポータ 5 6 eの下方に上下に昇降可 能なリフタ 5 8 cが配置され、 第 6リニアトランスポータ 5 6 f の下方に上下に 昇降可能なプッシャ 6 0 cが配置されている。 第 7リニアトランスポータ 5 6 g の下方に上下に昇降可能なプッシャ 6 0 dが酉己置されている。
次に、 このような構成の研磨装置を用いてウェハを研磨する処理について説明 する。
第 1搬送ロボット 5 4 aで載置部 1 4に载置されたカセット 1 2の一つから奇 数枚目に取り出された 1枚目， 3枚目…のウェハは、 第 1反転機 5 2 a→第 1リ ユアトランスポータ 5 6 a→トップリング 2 2 a (第 1研磨ライン 2 0の第 1研 磨部 2 2 ) →第 2リニアトランスポータ 5 6 b→トップリング 2 4 a (第 1研磨 ライン 2 0の第 2研磨部 2 4 ) →第 3リニアトランスポータ 5 6 c→第 2搬送口 ポット 5 4 b→第 2反転機 5 2 b→洗浄機 4 2 a→洗浄機 4 2 b→洗浄機 4 2 c →洗浄機 4 2 d→第 1搬送ロボット 5 4 aという経路で搬送されて、 元のカセッ ト 1 2に戻される。
第 1搬送ロボット 5 4 aで載置部 1 4に載置された同じカセット 1 2から偶数 枚目に取り出された 2枚目， 4枚目…のウェハは、 第 1反転機 5 2 a→第 4リニ アトランスポータ 5 6 d→第 2搬送ロボット 5 4 b→第 5リニアトランスポータ 5 6 e→トップリング 3 2 a (第 2研磨ライン 3 0の第 1研磨部 3 2 ) →第 6リ ユアトランスポータ 5 6 f→トップリング 3 4 a (第 2研磨ライン 3 0の第 2研 磨部 3 4 ) →第 7リニアトランスポータ 5 6 g→第 2搬送ロボット 5 4 b→第 2 反転機 5 2 b→洗浄機 4 2 a→洗浄機 4 2 b→洗浄機 4 2 c→洗浄機 4 2 d→第 1搬送ロボット 5 4 aという経路で搬送されて、 元のカセット 1 2に戻される。 ここで、 第 1研磨ライン 2 0の第 1研磨部 2 2及ぴ第 2研磨ライン 3 0の第 1 研磨部 3 2で、 前述のように、 バリア層 5の上の銅膜 7及びシード層 6を研磨除 去 （第 1研磨） し、 第 1研磨ライン 2 0の第 2研磨部 2 4及び第 2研磨ライン 3 0の第 2研磨部 3 4で、 絶縁膜 2上のバリア層 5及ぴ必要に応じて絶縁膜 2の表 層の一部を研磨除去 （第 2研磨） する。 そして、 第 2研磨後のウェハは、 洗浄機 4 2 a〜4 2 dで順次洗浄され、 乾燥された後にカセット 1 2に戻される。 洗净ライン 4 0にあっては、 第 1研磨ライン 2 0で研磨した 1枚目のウェハを 第 1洗浄機 4 2 aで洗浄した後、 1枚目のウェハと第 2研磨ライン 3 0で研磨し た 2枚目のウェハを搬送ュニット 4 4で同時に把持し、 1枚目のウェハを第 2洗 浄機 4 2 bに、 2枚目のウェハと第 1洗浄機 4 2 aに同時に搬送して、 2枚のゥ ェハを同時に洗浄する。そして、 1枚目及び 2枚目の 2枚のゥェハを洗浄した後、 1枚目及び 2枚目のウェハと第 1研磨ライン 2 0で研磨した 3枚目のウェハを搬 送ユニット 4 4で同時に把持し、 1枚目のウェハを第 3洗浄機 4 2。に、 2枚目 のウェハを第 2洗浄機 4 2 bに、 3枚目のウェハを第 1洗浄機 4 2 aに同時に搬 送して、 3枚のウェハを同時に洗浄する。 この操作を順次繰り返すことで、 2つ の研磨ライン 2 0 , 3 0に対して、 1つの洗浄ライン 4 0で対処することができ る。
この場合、 スループットが最大となるように研磨装置を制御部で制御すると、 図 4のタイムチャートで示すように、 研磨後の 2枚目のウェハを第 1洗浄機 4 2 aで洗浄するまでの間に洗浄待ち時間 S が生じる。 また、 研磨後の 3枚目のゥ ェハを第 1洗浄機 4 2 aで洗浄するまでの間に洗浄待ち時間 S 2が生じる。 更に、 研磨後の 4枚目のウェハにあっては、 第 1洗浄機 4 2 aで洗浄するまでの間に洗 浄待ち時間 S 3， S 4が生じる。 このように、 研磨終了後に洗浄を開始するまでの 間に洗浄待ち時間が生じると、 例えば銅酉 5；棣形成プロセスにあっては、 銅の腐食 が懸念される。
なお、 前記の例では、 同じカセット 1 2から奇数枚目に取り出されるウェハを 第 1研磨ライン 2 0で、 偶数枚目に取り出されるウェハを第 2研磨ライン 3 0で それぞれ交互に研磨するようにしているが、 同じカセット 1 2から奇数枚目に取 り出されるウェハを第 2研磨ライン 3 0で、 偶数枚目に取り出されるウェハを第 1研磨ライン 2 0でそれぞれ交互に研磨するようにしても、 異なるカセットから 交互に取り出されるウェハを第 1研磨ライン 2 0と第 2研磨ライン 3 0で交互に 研磨して、 洗浄後のウェハを元のカセットに戻すようにしてもよい。
この発明では、 高いスループットを可能な限り維持しつつ、 洗浄待ち時間をな くして、 研磨終了後、 ウェハを最短の時間で直ちに洗浄できるようにするため、 研磨装置を制御部で以下のように制御する。 以下の例では、 同じカセット 1 2か ら奇数枚目に取り出されるウェハを第 1研磨ライン 2 0で、 偶数枚目に取り出さ れるウェハを第 2研磨ライン 3 0でそれぞれ交互に研磨するようにした場合につ いて説明する。
先ず、図 4に示すタイムチヤ一トにおけるウェハの洗浄待ち時間 S 〜 S 4をな くし、 1枚目〜 4枚目の研磨終了後のウェハに対して、 研磨終了後に直ちに洗浄 工程に移ることができるようにした第 1の例を説明する。 この場合、 第 1研磨ラ イン 2 0の第 1研磨部 2 2 (または第 2研磨ライン 3 0の第 1研磨部 3 2 ) で研 磨を開始する前に、 （1 ) 第 1研磨部 2 2， 3 2での研磨時間、 （2 ) 第 2研摩部 2 4 , 3 4での研磨時間、 （3 )第 1研磨部 2 2または 3 2から第 2研磨部 2 4ま たは 3 4への搬送時間、及び（4 )洗浄開始時刻、をそれぞれ予測する。そして、 これらの予測値を基に、 第 1研磨ライン 2 0及び第 2研磨ライン 3 0における研 磨終了予測時刻と洗浄開始予測時刻との差分を計算し、 この差分を研磨待ち時間 として、 第 1研磨ライン 2 0の第 1研磨部 2 2及び/または第 2研磨ライン 3 0 の第 1研磨部 3 2での研磨開始時刻をその研磨待ち時間分遅らせる。 具体的な例 を以下に説明する。
( 1 ) 予測計算の実施タイミング
予測計算は、 研磨工程を開始する前に行う。 研磨工程を開始する前とは、 具体 的には、 第 1リニアトランスポータ 5 6 aから第 1研磨ライン 2 0の第 1研磨部 2 2へのウェハの搬送を開始した時、 または搬送を終了した後である。 なお、 第 2研磨ライン 3 0から研磨を開始する場合は、 第 5リニアトランスポータ 5 6 e 力 ら第 2研磨ライン 3 0の第 1研磨部 3 2へのウェハの搬送を開始した時、 また は搬送を終了した後である。
( 2 ) 予測式の項目
T ：第 1研磨部における予測研磨時間
第 1研磨ライン 2 0の第 1研磨部 2 2での研磨時間を予測して、 第 1研磨部に おける予測研磨時間 T とする。 この例では、 第 2研磨ライン 3 0の第 1研磨部 3 2の予測研磨時間も T iとなる。 予測研磨時間 T丄として、例えばレシピデータ より計算または同一レシピでの過去の平均時間を採用する。 第 1研磨部 2 2 , 3 2による研磨 （第 1研磨） は、 一般に研磨終点を検出しながら行われる。 このよ うに、 終点を検出しながら研磨する場合は、 ウェハ間で研磨時間がばらつく。 こ のため平均時間を採用することが好ましい。
T 2：第 2研磨部における予測研磨時間
第 1研磨ライン 2 0の第 2研磨部 2 4での研磨時間を予測して、 第 2研磨部で の予測研磨時間 Τ 2とする。 この例では、 第 2研磨ライン 3 0の第 2研磨部 3 4 の予測研磨時間も Τ 2となる。 この予測研磨時間 Τ 2として、 例えばレシピデータ より計算または同一レシピでの過去の平均時間を採用する。
τ 3：ウェハのライン内予測搬送時間
第 1研磨ライン 2 0において、 第 1研磨部 2 2から第 2研磨部 2 4へウェハを 搬送するのに要する時間を予測して、 ライン内予測搬送時間 Τ 3とする。 この例 では、 第 2研磨ライン 3 0のライン内予測搬送時間も Τ 3となる。
第 1研磨部における予測研磨時間 Τい第 2研磨部における予測研磨時間 Τ 2及 びライン内予測搬送時間 Τ 3の総和 Τ， + Τ。 + Τ 3が第 1研磨ライン 2 0におけ る予測研磨時間となる。 この例では、 第 2研磨ライン 3 0における予測研磨時間 は、 第 1研磨ライン 2 0における予測研磨時間と同じ値となる。
T 4：搬送機構における予測搬送時間
第 1搬送ライン 2 0で研磨 （第 1研磨部 2 2での第 1研磨及び第 2研磨部 2 4 での第 2研磨） を終了後のウェハを、 第 2反転機 5 2 bを経て洗净ライン 4 0に 搬送する時間を予測して、 搬送機構における予測搬送時間 T 4とする。
F n： n枚目のウェハにおける洗浄開始予測時刻
n— 1枚目のウェハについての洗浄開始予測時刻 F (n— "に洗浄ライン 4 0に よる予測洗浄時間 T 5を加えた時刻を、 n枚目のゥェハにおける洗浄開始予測時 刻 F nとする。 ここで、 n— 1枚目のウェハについての洗浄開始予想時刻 F — は、 演算の対象となる n枚目のウェハからみて直前のゥェハの洗浄工程が開始さ れる予測時刻である。 つまり、 ウェハを洗浄するため、 洗浄ライン 4 0の搬送ュ ニット 4 4を駆動させて当該ウェハを洗浄ライン 4 0の第 1洗浄機 4 2 aに取り 込む予測時刻である。
実際に研磨するウェハが 1枚目の時、 第 1研磨ライン 2 0における予測研磨時 間 1\ +丁2 +丁3、搬送機構 5 0における予測搬送時間 T 4、及び洗浄ライン 4 0 における予測洗浄時間 Τ 5が予め設定されていることから、 1枚目のウェハに対 する洗浄開始予測時刻 が予測値として演算可能である。 また、 以降の 2枚目 のウェハに対する洗浄開始予測時刻 F 2については、 研磨部での研磨工程に遅延 がないと仮定すれば、 1枚目のウェハに対する洗浄開始予測時刻 に予測洗浄 時間 T 5を加えれば算出可能である （F s ^ F + T s したがって、 演算処理と しては、 2枚目、 3枚目、 4枚目…と次々に漸化式のように洗浄工程を開始する 時間が予測値として算出されていく。つまり、実際に 2枚目、 3枚目 · · ·のウェハ は、 洗浄がまだ開始されていないことから、 「予測時刻」 として取り扱う。
予測洗浄時間 T 5は、 洗浄タクトとも言う。 この例の研磨装置においては、 搬 送ュニット 4 4が複数のウェハを一括搬送することから、 洗浄ライン 4 0の各洗 浄機 4 2 a〜4 2 dにおける最も時間のかかる工程における洗浄時間が洗浄タク ト丁5となる。 この洗浄タクト T 5は、 例えばレシピデータより計算するか、 また は同一レシピでの過去の平均時間を採用する。 ここで、 洗浄タクトには、 洗浄用 のペンやブラシなどが上下するシリンダ動作などに係る時間も含んでいるが、 当 該動作は、 スピードコント口ール機能などハード的に変更可能なため、 客先要求 等に応じて過去の平均時間を採用することができる。
洗浄開始予測時刻 F n及び洗浄タクト （予測洗浄時間） T 5は、 第 1研磨ライン 20と第 2研磨ライン 30に対して共通である。 なお、 上述の各予測時間
T4, Τ5及ぴ予測時刻 Fnの各項目の定義については、 以下の例に対しても同様 とする。
(3) 予測式
研磨待ち時間を Aとした時、 下記の予測式に示す演算を行って、 研磨待ち時間 Aを求める。
A=Fn - (ϊ|Β ¾+Τ1 + Τ2 + Τ3 + Τ4)
Fn=Fn_1 + T5
A>0、 つまり、 n枚目のウェハに対する洗浄開始予測時刻 Fn> (現時刻 + T^ + Ts + Ts + Tj の時、 この Aの値が研磨待ち時間となり、研磨開始時刻を 研磨待ち時間 Aに相当する分遅らせる。
A=0、 つまり、 n枚目のウェハに対する洗浄開始予測時刻 Fn= (現時刻 + T1 + T2 + T3 + T4) の時、 研磨待ち時間はなくなる。
Α<0、 つまり、 η枚目のウェハに対する洗浄開始予測時刻 Fn< (現時刻 + Τχ + Τ2 + Τ3 + Τ4) の時、洗浄待ち時間が生じて、洗浄工程を待たせることに なる。 この例では、 洗诤ライン 40の搬送ュニット 44がウェハを一括搬送する 機構を採っているため、 洗浄ライン 40の搬送ユニット 44を駆動させる時刻を 研磨待ち時間 Αの絶対値分遅らせる。
次に、 制御部での演算処理をより具体的に説明する。 先ず、 第 1研磨部での予 測研磨時間 T丄を 120、 第 2研磨部での予測研磨時間 T2を 90、 ウェハのライ ン内予測搬送時間 Τ3を 30、搬送機構における予測搬送時間 Τ4を 30、 洗浄タ クト丁5を 90とする。 単位は秒を採っても良いが、 各工程の相対値として考え てもよい。 なお、 第 1研磨ライン 20と第 2研磨ライン 30が異なるカセットの ウェハを研磨する場合、 予測研磨時間が異なることが考えられるが、 その場合、 長レ、方の予測研磨時間を採用する。
今、 時刻 100において、 1枚目のウェハ （ウェハ I D： F 1W01) が第 1 研磨ライン 20に到達した時に、 制御部は、 第 1研磨ライン 20の第 1研磨部 2 2で 1枚目のゥェハの研磨を開始する前に、 この 1枚目のゥェハの洗浄を開始す る洗浄開始予測時刻を演算する。 具体的には、 100 (現時刻） +120 (T +90 (Τ2) +30 (Τ3) +30 (Τ4) =370となる。
そこで、 下記の表 1に示す空白の状態に、 表 2に示すように、 1枚目のウェハ (ウェハ ID： F1W01) に対する洗浄開始予測時刻を設定する。 この場合、 第 1研磨待ち時間は 0となる。 (表 1)
Figure imgf000014_0001
(表 2)
Figure imgf000014_0002
次に、 2枚目のウェハ （ウェハ ID： F 2W01) 力 B寺刻 130において研 磨装置の第 2研磨ライン 30に到達した時、 演算部は、 現時刻 130から上記の 1枚目のウェハと同様の演算を行って、 待ち時間がない場合における研磨終了予 測時刻 400 (= 130+120 (T +90 (T2) + 30 (Τ3) + 30 (Τ 4)) を導出する。 一方で、 演算部は、 1枚目のウェハに対する洗浄開始予測時刻 である 370に洗浄タクト 90を加えた、 洗浄ライン 40の搬送ュ-ット 4 4が駆動を開始する、 2枚目のウェハに対する洗浄開始予測時刻 F2 = 460 (=
370 + 90) を導出する。 次に、 洗浄開始予測時刻 460と研磨終了予測時刻
400との差分 60を導出し、 表 3に示すように、 これを 2枚目のウェハ (ゥェ ハ ID： F2W01) に対する第 1研磨待ち時間とする。
(表 3)
Figure imgf000014_0003
制御部は、 洗浄ライン 40の搬送ュ-ット 44が駆動を開始する直前に研磨後 の 2枚目のウェハが洗浄ライン 40に搬送されるように、 第 2研磨ライン 30の 第 1研磨部 32のトップリング 34 aに対して、 60待機した後に研磨 （第 1研 磨） を開始するように指令を送る。 このように、 第 1研磨ライン 20側での研磨 がスタートした直後に、 第 2研磨ライン 30側での研磨がスタートした場合に、 1枚目のウェハが第 1リエアトランスポータ 52 aに到達した後、 1枚目のゥェ ハに対する洗浄開始予測時刻をセ Vトし、 その後、 第 2研磨ライン 30の第 5リ 二アトランスポータ 56 eに到着した 2枚目のウェハに対し、 研磨待ち時間の計 算を行い、この研磨待ち時間分、第 1研磨部 32による研磨の開始を遅らせる（待 たせる） ことで、 研磨工程開始前にドライの状態でウェハを待機させることがで さる。
3目のウェハ （ウエノヽ I D： F 1WO 2) 力 時刻 250において研磨装置の 第 1研磨ライン 20に到達した時、 演算部は、 現時刻 250から上記の 1枚目の ウェハと同様の演算を行って、 待ち時間がゼロの場合における研磨終了予測時刻
520 (=250+120 (Tx) +90 (Τ2) +30 (Τ3) +30 (Τ4)) を導出する。 一方で、 演算部は、 2枚目のウェハに対する洗浄開始予測時刻 F2 である 460に洗浄タクト 90を加えた、 洗浄ライン 40の搬送ユニット 44が 駆動を開始する、 3枚目のウェハに対する洗浄開始予測時刻 F3= 550 (=4
60 + 90) を導出する。 次に、 洗浄開始予測時刻 550と研磨終了予測時刻 5 20との差分 30を導出し、 表 4に示すように、 これを 3枚目のウェハ （ウェハ I D： F 1W02) に対する第 1研磨待ち時間とする。
(表 4)
Figure imgf000015_0001
制御部は、 洗浄ライン 40の搬送ュニット 44が,駆動を開始する直前に研磨後 の 3枚目のウェハが洗浄ライン 40に搬送されるように、 第 1研磨ライン 20の 第 1研磨部 22のトップリング 24 aに対して、 30待機した後に研磨 （第 1研 磨） を開始するように指令を送る。
4目のウェハ (ウェハ I D： F 2W02) 力 時刻 340において研磨装置の 第 2研磨ライン 30に到達した時、 演算部は、 現時刻 340から上記の 1枚目の ゥェハと同様の演算を行って、 待ち時間がゼ口の場合における研磨終了予測時刻 610を導出する。 一方で、 演算部は、 3枚目のウェハに対する洗浄開始予測時 刻 F 3である 550に洗浄タタト 90を加えた、 洗浄ライン 40の搬送ュ-ット 44が駆動を開始する、 4枚目のウェハに対する洗浄開始予測時刻 F4= 640 を導出する。 次に、 洗浄開始予測時刻 640と研磨終了予測時刻 610との差分 30を導出し、 表 5に示すように、 これを 4枚目 （ウェハ I D： F 2W02) の 2008/057881
14 ハに対する第 1研磨待ち時間とする。
(表 5)
Figure imgf000016_0001
制御部は、 洗浄ライン 40の搬送ュ-ット 44が駆動を開始する直前に研磨後 の 4枚目のウェハが洗浄ライン 40に搬送されるように、 第 2研磨ライン 30の 第 1研磨部 32のトップリング 34 aに対して、 30待機した後に研磨 （第 1研 磨） を開始するように指令を送る。 以降、 後続のウェハに対しても同様な演算を 行う。
この時のタイムチヤ一トを図 5に示す。 図 5のタイムチヤ一トで示すように、 2枚目のウェハ （ウェハ I D： F 2W01) に対して、 研磨待ち時間 (=6 0) 後に第 2研磨ライン 30の第 1研磨部 32による研磨 （第 1研磨） が開始さ れ、 3枚目のウェハ （ウエノ、 ID： F 1W02) に対して、研磨待ち時間 A2 (= 30) 後に第 1研磨ライン 20の第 1研磨部 22による研磨 （第 1研磨） が開始 される。 そして、 4枚目のウェハ （ウェハ I D： F 2W02) に対して、 研磨待 ち時間 A3 (=30) 後に第 2研磨ライン 30の第 1研磨部 32による研磨 （第 1研磨） が開始される。 このように、 従来、 研磨終了後、 洗浄が開始されるまで の洗浄待ち時間を、 研磨工程開始前の研磨待ち時間とすることで、 研磨後に洗浄 前に洗浄待ち時間が生じることを解消することができる。
上記の第 1の例では、 第 1研磨部 22， 32による研磨前の研磨待ち時間を計 算し、 第 2研磨部 24， 34による研磨前では研磨待ち時間を計算しないように しているが、 第 1研磨部 22， 32による研磨前の研磨待ち時間を計算すること なく、 第 2研磨部 24, 34による研磨前の研磨待ち時間を計算し、 第 2研磨部 による研磨 （第 2研磨） のみの研磨開始を遅らせる （第 2の例） ようにしてもよ い。 この第 2の例におけるタイムチャートを図 6に示す。 この第 2の例において も、 予測式の考え方は第 1の例と同様であるが、 第 2リニアトランスポータ 56 bまたは第 1搬送ライン 20の第 2研磨部 24、 または第 5リニアトランスポー タ 56 eまたは第 2搬送ライン 3◦の第 2研磨部 34で処理を開始する前に研磨 待ち時間の計算を行うので、 前述の予測式における T と T 3が不要となる。 この第 2の例の場合、 図 6のタイムチャートで示すように、 2枚目のウェハに 対して、 研磨待ち時間 A4 (= 6 0 ) 後に第 2研磨ライン 3 0の第 2研磨部 3 4 による研磨が開始され、 3枚目のウェハに対して、 研磨待ち時間 A 5 (= 3 0 ) 後に第 1研磨ライン 2 0の第 2研磨部 2 4による研磨 (第 2研磨)が開始される。 そして、 4枚目のウェハに対して、 研磨待ち時間 A6 (= 9 0 ) 後に第 2研磨ラ イン 3 0の第 2研磨部 3 4による研磨 （第 2研磨） が開始される。 このように、 従来、 研磨終了後、 洗浄前に生じていた洗浄待ち時間を、 第 2研磨部 2 4， 3 4 による研磨開始前の研磨待ち時間とすることで、 研磨終了後、 洗浄前に洗浄待ち 時間が生じることを解消することができる。
第 1研磨部 2 2 , 3 2による研磨（第 1研磨）前に研磨待ち時間の計算を行い、 さらに第 2研磨部 2 4， 3 4により研磨 （第 2研磨） 前でも、 再度研磨待ち時間 を計算して、 第 2研磨も遅らせるようにした第 3の例を説明する。
前述のように、 銅配線形成プロセスにあっては、 第 1研磨部 2 2， 3 2では銅 膜 6を研磨 （第 1研磨） して、 下層のバリア層 5を露出させる。 しかる後、 第 2 研磨部 2 4， 3 4で、 バリァ層、 更には必要に応じてその下層の絶縁膜 2を研磨 (第 2研磨） する。 この第 1研磨は、 第 2研磨に比べて研磨すべき銅膜の膜厚が 大きく、 また第 1研磨の研磨運転は、 一般に渦電流センサゃ光学式センサなどに よって終点検出を行って研磨運転を終了させている。 つまり、 第 1研磨の研磨運 転は、 時間制御で行っているわけではないため、 第 1研磨においては、 ウェハ間 で研磨時間のばらつきが大きい。
第 1研磨部における予測研磨時間 T として平均 ί直を採用した場合、 上述の第 1の例に示す制御を行うとすると、 第 1研磨部における実際の研磨時間 （実研磨 時間） が予想研磨時間 1\よりも長い （1^〉！^) 場合は、 第 2研磨及ぴ搬送 機構の動作開始がその分早くなる （前倒しになる）。他方で、洗浄ラインは、その 際に洗浄している洗浄時間の制約を受けるから、 結局第 2研磨後のウェハは、 当 該前倒し分の時間、 洗浄ラインの搬送ュニットが駆動するまで待つことになる。 すなわち、 銅の腐蝕がその分進行する。 このような課題を解決するため、 制御部 ' では、 第 1研磨における予測研磨時間 T ,と実研磨時間 t αとの誤差、すなわち研 磨時間のばらつきを第 2研磨前で補償する演算を行う。
図 7に第 3の例のタイムチャートを示す。 この例では、 第 2研磨前に演算され た第 4のウェハに対する洗浄開始予測時刻 F 4が、 当該ウェハの洗浄開始予測時 刻に置き換わる。 また、 当該研磨の遅れ分を、 後続のウェハについても反映させ る必要がある。 なぜなら、 1枚目のウェハ投入時に後続の n枚目のウェハについ ての洗浄開始予測時刻 F nが既に漸化式的に導出されており、 当該導出に当たつ ては、第 1研磨の予測研磨時間 1\は平均値を採用しているからである。そこで、 制御部は、 後続の n枚目のウェハについての洗浄開始予測時刻 F nを修正するた め、 第 1研磨の遅れ分を漸化式的に後続のウェハに反映させる演算処理を行う。 ここで、 このゥェハの洗浄終了予測時刻が次のウェハの洗浄開始予測時刻より遅 い場合は、 当該ウェハについてはスキップし、 その次のウェハについて、 洗浄開 始予測時刻を遅らせる。
以下、 より具体的に説明する。 図 7に示すように、 第 1研磨ライン 2 0におけ る 3枚目のウェハの研磨について、 第 1研磨部 2 2が予測していた予測研磨時間 T よりも実研磨時間 t が 3 0延びたと仮定する。 第 2研磨ライン 3 0における 2枚目のウェハ （F 2W 0 1 ) については、 表 6に示すように、 第 2研磨部 3 4 による研磨、 及 磨後の搬送ともに予定通り行われる。 これは、 前述の表 3と 同様である。
(表 6 )
Figure imgf000018_0001
また、 3枚目のウェハ （F 1 W 0 2 ) における洗浄開始予測時刻 F 3は、 表 7 に示すように、 5 5 0に設定されている。 4枚目のウェハ （F 2W 0 2 ) におけ る洗浄開始予測時刻 F 4は、 6 4 0に設定されている。 これは、 前述の表 5と同 様である。
7881
17
(表 7)
Figure imgf000019_0001
一方で、 洗浄ライン 40の搬送ユニット 44は、 3枚目のウェハに対して予定 されていた洗浄開始予測時刻 F 3の 550になってもウェハが来ないため、 ゥェ ハが来るまで待機することとなる。 つまり、 3枚目のウェハに対する洗浄開始予 測時刻 F3は、 F2+90 (T5) +30^ (t !-T =580となる。 この洗浄 開始予測時刻 580は、 表 7に示す、 当初の洗浄開始予測時刻 550より遅い。 このため、 表 8に示すように、 3枚目のウェハに対する洗浄開始予測時刻 F 3を 580に変更する。 このように、 3枚目のウェハに対する洗浄開始予測時刻 F3 を 580に変更すると、 4枚目のウェハに対する洗浄開始予測時刻 F 4は、 64 0では不可能となり、 670 (=580 + 90) に変更する。
(表 8)
Figure imgf000019_0002
そして、 実際に洗浄ラインの搬送ュ-ットが駆動するのは 580であり、 30 の遅れが生じる。そこで、制御部は、後続のウェハに対して、表 9に示すように、 当該 30の遅れを第 2研磨前の研磨待ち時間として反映させる。 つまり、 4枚目 のウェハ （F2W02) に対する、 待ち時間がゼロの場合における研磨終了予測 時刻は、 520 (現時刻） +90 (Tj) +30 (t j-Ti) =640となり、 4枚目のウェハに対する洗浄開始予測時刻 F4の 670より早く、 このため、 4 枚目のウェハ （ウェハ I D： F 2W02) に対する洗浄開始予測時間は、 670 のままとし、 洗浄開始予測時刻 6 7 0と研磨終了予測時刻 6 4 0の差の 3 0を第 2研磨待ち時間とする。
(表 9 )
Figure imgf000020_0001
以上により、 表 7にタイムチャートで示すように、 2枚目のウェハの洗浄を終 了した後、 3枚目のウェハの洗浄を開始する前に、洗浄待ち時間 S cを生じさせ、 更に、 4枚目のウェハ （ウエノ、 I D： F 2 W0 2 ) に対して、 第 2研磨待ち時間 A 7 (= 3 0 ) 後に第 2研磨ライン 3 0の第 2研磨部 3 4による研磨 （第 2研磨） が開始される。
洗浄開始予測時刻に対し、 誤差の累積を防ぐために洗浄ライン 4 0でのウェハ の搬送 （洗浄） が行われるたびに洗浄開始予測時刻を修正するようにした第 4の 例を説明する。
第 3の例では、 第 1研磨部の研磨時間の変動を第 2研磨前で補償していた。 し かし、 この例では、 第 2研磨の研磨時間の変動を補償することはできない。 第 2 研磨は、 時間制御と終点検知センサによる終点検知制御とがあるが、 後者にぉ ヽ ては、第 1研磨と同様に研磨時間に変動が生じうる。そこで、この第 4の例では、 当該第 2研磨の研磨時間の変動を、 後続のウェハに対する洗浄開始予測時刻に反 映させることにより、 第 2研磨の研磨時間の変動を捕償している。
図 8に第 4の例のタイムチャートを示す。 図 8に示すタイムチャートでは、 1 枚目のウェハについて、 第 2研磨部 2 4での実際の研磨時間 （実研磨時間） t 2 が第 2研磨部における予測研磨時間 T 2よりも延びている（t 2 > T 2)。このとき、 2枚目のウェハに対しては、 既に第 2研磨部による研磨が始まっているため、 1 枚目のウェハにおける遅延時間、 つまり第 2研磨部での実研磨時間と予測研磨時 間の差 （t 2— T 2) は、 2枚目のウェハについては洗浄待ち時間となる。 一方、 3枚目以降のウェハについては、 制御部の演算処理により、 1枚目のウェハにお ける遅延時間を第 2研磨の研磨待ち時間として漸化式的に反映させる。 これによ JP2008/057881
19 り、 第 2研磨部での予測研磨時間 T2として平均値を採用していても、 研磨後か ら洗浄開始までの洗浄待ち時間を極めて短時間に縮めることが可能となる。
具体的に説明すると、 図 8において、 1枚目のウェハが第 1研磨ライン 20の 第 2研磨部 24に入った時に、 第 2研磨ライン 30の第 1研磨部 32に 2枚目の ウェハ（ウェハ I D： F 1WO 2)力搬入される。 この時、表 10に示すように、 第 1研磨前に η枚目のウェハにおける洗浄開始予測時刻 F ηが演算されている。 この表 10は、 前述の表 5と同じである。
(表 10)
Figure imgf000021_0001
いま、 1枚目のウェハに対する第 2研磨部における実研磨時間 t 2が予測研磨 時間 T2よりも 15遅くなつたとする。 洗浄ライン 40の搬送ユエット 44は、 洗浄開始予測時刻にウェハが洗浄ライン 40にいないため、 洗浄待ち時間が発生 する.。 1枚目のウェハの洗浄開始予測時間 は、 370 + 15 = 385になる。 2枚目のウェハの洗浄開始予測時間 F2は、 385 +90 (洗浄時間） =
475 (>460) となる。 このようにして、 表 11に示すように、 n枚目のゥ ェハに対する浄開始予測時刻 F nを順次更新する。
(表 1 1)
Figure imgf000021_0002
更に、 制御部は、 第 2研磨部における研磨遅延時間 （t2— T2= l 5) を補償 するために、 以下の演算を行う。 すなわち、 3枚目以降のウェハについて、 1枚 2008/057881
20 目のウェハ処理に起因する第 2研磨部における遅延時間、 つまり第 2研磨部にお る実研磨時間 t 2と予測研磨時間 T 2との差 1 5 (= t 2 - T 2) を、第 2研磨部 での研磨待ち時間として漸化式的に追加する。 これにより、 後続のウェハについ ては洗浄待ち時間が生じないことになる。 つまり、 3枚目のウェハに対する第 2 研磨の開始時刻が 4 3 0の時、 ウェハの待ち時間がない場合における 3枚目のゥ ェハの研磨終了予測時刻は、 4 3 0 (現時刻） + 9 0 (予測研磨時間 T 2) + 3 0 (搬送機構における予測搬送時間 Τ 4) = 5 5 0となる。 ところが、 表 1 1に 示すように、 3枚目のウェハの洗浄開始予測時間 F 3は、 5 6 5である。そこで、 この洗浄開始予測時刻 5 6 5と研磨終了予測時刻 5 5 0の差 1 5を、 表 1 2に示 すように、 3枚目のウェハ （ウェハ I D： F 1 W 0 2 ) における第 2研磨部での 第 2研磨待ち時間とする。
(表 1 2 )
Figure imgf000022_0001
つまり、 図 8にタイムチャートで示すように、 1枚目のウェハに対して待ち時 間が生じないが、 2枚目のウェハに対して、 第 1研磨待ち時間 Α8と洗浄待ち時 間 S 5が生じ、 3枚目のウェハに対して、 第 1研磨待ち時間 A9と第 2研磨待ち時 間 A1 0が、 4枚目のウェハに対しても、第 1研磨待ち時間 A„と第 2研磨待ち時 間 A1 2が生じる。
なお、 第 2研磨部での研磨 （第 2研磨） で »磨時間と予測研磨時間との間に 遅延が生じた時に、 既に別の研磨ラインで第 2研磨が行われているウェハについ ては、 研磨待ち時間を設定することはできないので、 例えば図 8のタイムチヤ一 トで示す洗浄待ち時間 S 5が発生する。 この場合、 制御部は、 当該ウェハをマー キングして、 洗浄、 乾燥後にウェハカセットの近傍に設けられた、 例えばインラ イン膜厚検査装置に搬送して、 ウェハの表面状態を観察させることができる。 通 常、 インライン膜厚検査装置は、 その検査精度の高さから時間がかかり、 任意の ウェハについて抜き取り検査が行われる場合がある。制御部のマーキングにより、 881
21 精査を要するウェハを選別することによって、 研磨工程の安定化や抜き取り条件 の適正化が図られる。
上記説明は、 2つの研磨ラインと 1つの洗浄ラインを備えた研磨装置について 述べたが、 他の装置構成にも本発明は適用可能である。 一般に、 研磨ラインが m 個あり、 洗浄ラインが η個ある場合に、 m〉 11であれば本発明による搬送制御が 適用される。 この場合、 洗浄時間としては、 各洗浄ラインの内最も洗浄時間のか 力る洗浄機の時間を代表させる方法と、 各洗浄ライン中で最も洗浄時間のかかる 洗浄機を代表させる方法の 2種類の方法が考えられる。いずれかを採用するかは、 装置の構成や制御部の処理能力等を勘案して決定される。
また、 研磨ラインと洗浄ラインが共に 1つの場合でも、 本発明は適用可能であ る。 すなわち、 研磨時間と搬送時間の和が洗净時間よりも長い場合、 言い換えれ ば洗浄時間が律速条件となっている場合に、 本 明が適用可能である。
具体例として、 研磨開始から 2枚目以降のウェハに対する研磨開始予測時刻の 算出例を挙げる。 洗浄ラインにおける搬送ユニットが次回駆動する時刻を、 洗浄 時間から演算予測し、 この洗浄時間から、 研磨時間と搬送時間の和を引くと、 待 ち時間が導出される。 2枚目以降に研磨されるウェハについては、 この待ち時間 分、 第 1研磨または第 2研磨の開始を遅らせる。 ここで、 洗浄時間は、 洗浄ライ ンのうち最も時間の掛かる洗浄工程を有する洗浄機の洗浄時間を代表させている。 研磨時間は、 固定時間でも平均時間でもどちらでも適用可能である。
なお、 第 2研磨終了から洗浄開始までの時間を最短にするため、 研磨装置内に 投入された全ての未洗浄ウェハを対象に、 「洗浄開始予想時刻」 と 「第 1洗浄機 4 2 a到達時における洗浄ュニット 4 0内のウェハ位置データ」（以下、ウェハマツ プという） を算出し、 それらのデータを基に、 第 2研磨終了後、 ウェハが待ち時 間なく第 2反転機 5 2 bに到着するよう研磨開始のタイミングをコントロー/レし てもよい。
また、 洗浄機 4 2 a〜4 2 dによる洗浄処理が終了した時点で、 第 2反転機 5 2 bに到着する予定の未洗浄ウェハが実際には第 2反転機 5 2 bに到着していな い場合に、 搬送ュニット 4 4の動作にィンタ一口ック（Inter Lock)を設定し、 搬 送ュニット 4 4の動作を止めて、 ウェハが第 2反転機 5 2 bに到着するまで次の 洗浄処理を開始しないようにしてもよい。
図 9は、 第 2研磨終了後、 ゥヱハが待ち時間なく第 2反転機 5 2 bに到着する よう搬送をコントロールするようにした、 研磨ライン 2 0， 3 0及び搬送機構 5 0と搬送管理ソフトの関係を示す。 図 9に示すように、 ウェハが各リュアトラン スポータ （LTP) 56 a〜 56 c, 56 e〜 56 gに移動した時の信号を受け て、 搬送管理ソフトは、 直後の第 2研磨部 24， 34におけるウェハの有無を判 断し、 ウェハが無い場合に、 ウェハ毎の （1) 洗浄開始予定時刻、 (2) 各リエア トランスポータ （LTP) 56 a〜 56 c, 56 e〜 56 g上での待機時間、 及 ぴ （3) ウェハマップ算出を行う。 これらの算出方法は、 洗浄ライン 40内のゥ ェハの有無によって異なる。 以下、 それぞれの場合について説明する。
(a) 洗净ライン 40内にウェハが無い場合
この場合、洗浄開始予想時刻は、 「現在時刻」 に「現在位置から第 2反転機 52 bまでの搬送時間」 を加えた時刻である。 また、 各ウェハのリニアトランスポー タ （LTP) 56 a〜 56 c， 56 e〜56 g上での待機時間は " 0，' である。 ウェハマップは、 算出中のウェハが第 1洗浄機 42 aにあり、 第 2〜第 4洗浄機
42 b〜 42 dは空きの状態となる。
ウェハハマップは、 予定通りにプロセスが進んだと仮定した時に、 次の洗浄対 象ウェハが第 2反転器 52 bにくるはずの "n" 時間後に他のウェハはどの処理 が行われているかを表す予定図である。 図 10に、 算出中のウェハが第 1洗浄機
42 aにあり、 第 2〜第 4洗浄機 42 b~42 dは空きの状態となる時のウェハ マップのィメージ図を示す。
(b) 洗浄ライン 40内にウェハがある場合
この場合、 先ず下記の式 （1) を満たす最小の "N" (N=l, 2, ···) を求め る。
「現在時刻」 + 「現在位置から第 2反転機 52 bまでの搬送時間；]
≤ 「前ウェハ洗浄開始予想時刻」 + 「予想洗浄タクト」 XN … （1) そして、 この "N" の値に応じて、 洗浄開始予想時刻等を以下のように算出す る。 なお、 この例では、 4つの洗浄機 42 a〜42 dが備えられており、 このた め、 洗浄機の数より 1つ少ない 3を境に、 1≤N≤ 3の場合と の 2つの場 合に分けられる。
( i) の場合
この場合、洗浄開始予想時刻は、 「前ウェハの洗浄開始予想時刻」 に「予想洗浄 タクト」 XNを加えた時刻 （「前ウェハの洗浄開始予想時刻」 + 「予想洗浄タク ト」 XN) である。 各リニアトランスポータ （LTP) 56 a〜56 c， 56 e 〜56 g上での待機時間は、 「洗浄開始予想時刻」 から 「現在時刻」 に 「現在位置 から第 2反転機 52 bまでの搬送時間」を加えた値を引いた時刻（「洗浄開始予想 時刻」 一 （「現在時刻」 .+ 「現在位置から第 2反転機 52 bまでの搬送時間」） で ある。 ウェハマップは、 前ウェハのウェハマップを "N" だけシフトして、 第 1 洗净機 4 2 aに計算中のウェハがある状態となる。
ここに、 前ウェハのウェハマップを " 2 " だけシフトしたとき、 つまり N= 2 の時におけるウェハマップのイメージのシフト前後の状態を図 1 1 A及び 1 1 B に示す。 つまり、 前ウェハのウェハマップでは、 図 1 1 Aに示すように、 第 1洗 浄機 4 2 a及び第 2洗浄機 4 2 bにウェハ 1—6及び 1一 5があり、 第 4洗浄機 4 2 dにウェハ 1—4があったとすると、 N = 2場合、 ウェハ 1—6及びウェハ 1一 5を第 2洗浄機 4 2 b及び第 3洗浄機 4 2 cに、 ウェハ 1—4を第 4洗浄機 4 2 d外にそれぞれ搬送し（N= l )、更に、 ウェハ 1一 6及ぴウェハ 1一 5を第 3洗浄機 4 2 c及び第 4洗浄機 4 2 dに搬送する （N = 2 )。 これによつて、図 1 1 Bに示すように、 ウェハ 1 _ 6及び 1— 5が第 3洗浄機 4 2 c及び第 4洗浄機 4 2 dに位置する状態で、 第 1洗浄機 4 2 aに計算中のウェハがあるようする。
(ii) の場合
この場合、 前にあるウェハの洗浄タクトの影響を受けないため、 洗浄開始予想 時刻、 各リニアトランスポータ （L T P ) 5 6 a〜 5 6 c， 5 6 e〜 5 6 g上で の待機時間、 及び各ウェハのウェハマップは、 洗浄ライン内にウェハが無い場合 と同様に算出する。
上記において、 「前ウェハの洗浄開始予想時刻」 は、洗浄開始予想時刻計算中の ウェハより 1枚先に第 1洗浄機 4 2 aに搬入されるウェハの洗浄開始予想時刻を 意味する。 洗浄開始予想時刻が算出されている未洗浄ウェハが研磨装置内に無い 場合には、 「前-ウェハの洗浄開始予想時刻」 として最終洗浄開始時刻実績値を用い る。 つまり、 洗净ュニット 4 0のシャッタ開のタイミングで洗浄開始フラグをォ ンし、 搬送管理タスクはそのときの時刻を保存しておく。 その際、 その時点での 洗浄機内のウエノ、位置情報を基に洗浄タクトを算出する。
「洗浄タタト」 は、 洗浄機 4 2 a〜 4 2 d中の最長洗浄処理時間に搬送ュニッ ト 4 0による搬送時間を加えた時間を意味する。 同じ洗浄レシピでも洗浄機内に 存在するウェハの位置によって洗浄タクトの値が変わるため、 上記式 （1 ) にお いて、 厳密には単純に " X N" にはならない。 そのため、 実際には前ウェハのゥ ェハマップを基に洗浄タクトを算出する。
ウェハマップ作成時において、 上記式 （1 ) の左辺からマシン定数 「洗浄開始 時刻計算時パラメータ （s e c )」 をマイナスして式（1 ) が成立すれば、 ウェハ マップは、 そのときの "N" を使用して作成する。 このパラメータは、 洗浄ライ ン 4 0内にウェハを入れることで、 スループットを速めるためのもので、 例えば 5秒程度である。 洗浄開始予想時刻は、 上記式 (1) 式を満たす "N" を使用し て算出する。
次に、 リニアトランスポータ （LTP) 56 a〜 56 c， 56 e~56 g上に ウェハがある時の 「現在位置から第 2反転機 52 bまでの搬送時間」 について、 ウェハが各トランスポータに位置する場合に分けて説明する。
A. ウェハがリニアトランスポータ 56 aに位置する場合
この場合、 「現在位置から第 2反転機 5 2 bまでの搬送時間」は、下記の合計の 時間である。
1 ) リフタ 58 aの上位置から下位置への下降時間
2) リニアトランスポータ 56 a〜58 dのエクスチェンジ時間
3) プッシャ 60 aからトップリング 22 aへのウェハ受渡し時間
4 ) 第 1研磨ライン 20の第 1研磨部 22の処理時間
5) トツプリング 22 aからプッシャ 60 aへのゥェハリリース時間
6) リニアトランスポータ 56 a〜58 dのエクスチェンジ時間
7) プッシャ 60 bからトップリング 24 aへのウェハ受渡し時間
8 ) 第 1研磨ライン 20の第 2研磨部 24の処理時間
9) トップリング 24 aからプッシャ 60 bへのウェハリリース時間
10) リニアトランスポータ 56 a〜58 dのエクスチェンジ時間
1 1) 第 2搬送ロポット 54 bによるウェハのリフタ 58 b力、ら第 2反転機 5 2 bへの搬送時間
1 2) 第 2反転機 52 bの処理時間 - ここで、 「第 1研磨部の処理時間」及ぴ「第 2研磨部の処理時間」 として、 同じ カセット内のウェハに対するジョブ（Job)単位ごとの平均値を使用し、 ジョブの 最初のウェハに対して、 過去の同一レシピの平均値を用いる。 過去の平均値が無 V、場合はレシピ設定時間（研磨ステップの処理時間合計）を用いる。このことは、 以下同様である。
B. ウェハがリニアトランスポータ 56 bに位置する場合
この場合、 「現在位置から第 2反転機 5 2 bまでの搬送時間」 は、下記の合計の 時間である。
1 ) プッシャ 60 aの下降時間
2) リニアトランスポータ 56 a〜58 dのエクスチェンジ時間
3) プッシャ 60 bからトップリング 24 aへのウェハ受渡し時間
4) 第 1研磨ライン 20の第 2研磨部 24の処理時間 5) トップリング 24 aからプッシャ 60 bへのウェハリリース時間
6) リニアトランスポータ 56 a〜58 dのエクスチェンジ時間
7) 第 2搬送ロボット 54 bによるウェハのリフタ 58 bから第 2反転機 52 bへの搬送時間
8 ) 第 2反転機 52 bの処理時間
C. ウェハがリニアトランスポータ 56 cに位置する場合
この場合、 「現在位置から第 2反転機 52 bまでの搬送時間」は、下記の合計の 時間である。
1 ) プッシャ 60 bの下降時間
2) リニアトランスポータ 56 a〜58 dのエクスチェンジ時間
3) 第 2搬送口ポット 54 bによるウェハのリフタ 58 b力、ら第 2反転機 5 2 bへの搬送時間
4 ) 第 2反車云機 52 bの処理時間
D. ウェハがリニアトランスポータ 56 eに位置する場合
この場合、 「現在位置から第 2反転機 52 bまでの搬送時間」は、下記の合計の 時間である。
1 ) リフタ 58 cの上位置から下位置への下降時間
2) リニアトランスポータ 56 e~58 gのエクスチェンジ時間
3) プッシャ 60 cからトップリング 32 aへのウェハ受渡し時間
4) 第 2研磨ライン 30の第 1研磨部 32の処理時間
5) トップリング 32 aからプッシャ 60 cへのウェハリリース時間
6) リニアトランスポータ 56 e〜58 gのエクスチェンジ時間
7) プッシャ 60 dからトップリング 34 aへのウェハ受渡し時間
8) 第 2研磨ライン 30の第 2研磨部 34の処理時間
9) トップリング 34 aからプッシャ 60 dへのウェハリリース時間
1 0) リニアトランスポータ 56 e~58 gのエクスチェンジ時間
1 1) 第 2搬送口ポット 54 bによるウェハのリフタ 58 cから第 2反転機 5 2 bへの搬送時間
1 2 ) 第 2反転機 52 bの処理時間
E. ウェハがリニアトランスポータ 56 f に位置する場合
この場合、 「現在位置から第 2反転機 52 bまでの搬送時間」は、下記の合計の 時間である。
1 ) プッシャ 60 cの下降時間 2) リニアトランスポータ 56 e〜58 gのエクスチェンジ時間
3) プッシャ 60 cからトップリング 34 aへのウェハ受渡し時間
4) 第 2研磨ライン 30の第 2研磨部 34の処理時間
5) トップリング 34 aからプッシャ 60 dへのウェハリリース時間
6) リユアトランスポータ 56 e〜58 gのエクスチェンジ時間
7) 第 2搬送ロボット 54 bによるウェハのリフタ 58 cから第 2反聿云機 52 bへの搬送時間
8 ) 第 2反転機 52 bの処理時間
F. ウェハがリニアトランスポータ 56 gに位置する場合
この場合、 「現在位置から第 2反転機 5 2 bまでの搬送時間」は、下記の合計の 時間である。
1) プッシャ 60 dの下降時間
2) リニアトランスポータ 56 e〜58 gのエクスチェンジ時間
3) 第 2搬送ロボット 54 bによるウェハのリフタ 58 cから第 2反転機 52 への搬送時間
4 ) 第 2反転機 52 bの処理時間
図 9に戻って、 前述のようにして、 （ 1 ) 洗浄開始予想時刻、 (2) 各リニアト ランスポータ （LTP) 56 a〜 56 c， 56 e〜56 g上での待機時間、 及び (3) 各ウェハのウェハマップ算出を行った後、 算出前 (第 1研磨前）と算出後の 洗浄開始予想時刻の誤差を算出し、 この誤差を後続のウェハの予想時刻に反映さ せる。 これは、 .第- 1研磨部 22， 32での研磨時間が予測研磨時間と異なつた場 合の対処であり、 第 1研磨部 22， 32よりの上流側のリニアトランスポータ 5 6 a, 56 eに位置するウェハに対して、 この処理は行わない。
そして、 輸送管理ソフトは、 待機時間をカウントした後、 搬送機構に搬送許可 信号を送る。 つまり、 前述のように、 リニアトランスポータには、 第 1研磨部 2 2, 32力、ら第 2研磨部 24， 34への搬送に先立って、待機時間が設けてある。 この待機時間は、 前ステップの誤差時間である。 リニアトランスポータ 56 c, 56 gに位置するウェハは、 その後に洗浄工程に進むので、 リエアトランスポー タ 56 c , 56 gに位置するウェハに対して、 この処理は行わない。
この搬送許可を受けて、 搬送機構は、 各プッシャから各トップリングへのゥェ ハ渡しを行い、 研磨部にウェハ情報 （ウェハパップ） を移動する。 搬送管理ソフ トは、 研磨部からのウェハ情報移動信号を受けて、 起動許可をリセットする。 次に、 洗浄ュニット 40と搬送管理ソフトとの関係を図 1 2を参照して説明す る。
洗浄ライン 4 0は、 シャツタを開いた後、 搬送ユニット 4 4を,駆動して、 第 2 反転機 5 2 bに位置するウェハを第 1洗浄機 4 2 aに、 第 1洗浄機 4 2 aに位置 するウェハを第 2洗浄機 4 2 に、 第 2洗浄機 4 2 bに位置するウェハを第 3洗 浄機 4 2 cに、 第 3洗浄機 4 2 cに位置するウェハを第 4洗浄機 4 2 dに同時に 搬送する。 そして、 シャツタを閉じた後、 洗浄レシピに沿った洗浄処理を開始し て、 第 1〜第 4洗浄機 4 2 a〜4 2 dの全ての洗浄レシピに沿った洗浄処理を終 了させる一連の搬送 ·洗浄処理を行う。
搬送管理ソフトは、 洗浄ユエット 4 0のシャッター開 （洗浄動作開始） 信号を 受けて、 第 2研磨部 3 4 , 4 4での第 2研磨時間が予想研磨時間と異なつた場合 に対処するため、 実洗浄開始時刻と予想時刻との誤差を算出し、 未洗浄ウェハの 予想時刻に反映させる。
そして、 次の洗浄開始予想時刻まで第 2反転機 5 2 bに到着予定のウェハの有 無を判断し、 到着予定のウェハが有る場合に、 洗浄ライン 4 0の搬送を禁止する 搬送禁止フラグ （インターロック） をセットする。 そして、 第 2反転機 4 2 に ウェハが到達したことを検知した時に、 洗浄ライン 4 0に搬送を許可する搬送許 可 （禁止フラッグリセット） の信号を送る。 一方、 到着予定のウェハが無い場合 には、 洗浄ライン 4 0に搬送許可 （禁止フラッグリセット） の信号を送る。 洗浄ライン 4 0は、 搬送管理ソフトからの洗浄ライン 4 0の搬送許可信号を受 けて、 一連の搬送■洗浄処理を行う。
次に、 研磨装置の一部のユニットに、 全てのユエットをその場で停止させる重 故障 （異状搬送） が発生した場合の処置について説明する。 この場合、 重故障が 発生したユエットより上流に位置するゥェハの洗浄開始予想時刻を無効値 （例え ば一 1 ) にし、 後続ウェハの洗浄開始予想時刻計算時に参照しないようにする。 搬送管理タスクは、 洗浄開始予想時刻が無効値のゥエノ、に対して、 リニアトラン スポータからトツプリングへのウェハ受渡し動作を許可することなく、 スクラッ プか再研磨に回す。
例えば、 リニアトランスポータ 5 6 a〜 5 6 dに重故障が発生した場合、 リ； アトランスポータ 5 6 c、 第 1研磨ライン 2 0の第 2研磨部 2 4、 リニアトラン スポータ 5 6 b、 第 1研磨部 2 2及びトランスポータ 5 6 aに位置するウェハの 洗浄開始予想時刻を無効値にする。
プッシャ 6 0 aの下降位置で第 1研磨ライン 2 0の第 1研磨部 2 2に重故障が 発生した場合、 第 1研磨部 2 2及びリニアトランスポータ 5 .6 aに位置するゥェ ハの洗浄開始予想時刻を無効値にする。
プッシャ 6 0 aの上昇位置で第 1研磨ライン 2 0の第 1研磨部 2 2に重故障が ¾生した場合、 リニアトランスポータ 5 6 c、 第 2研磨部 2 4、 トランスポータ 5 6 b、 第 1研磨部 2 2及びリニアトランスポータ 5 6 aに位置するゥェハの洗 浄開始予想時刻を無効値にする。
プッシャ 6 0 bの下降位置で第 1研磨ライン 2 0の第 2研磨部 2 4に重故障が 発生した場合、 第 2研磨部 2 4、 リニアトランスポータ 5 6 b、 第 1研磨部 2 2 及びリニアトランスポータ 5 6 aに位置するウェハの洗浄開始予想時刻を無効値 にする。
プッシャ 6 0 bの上昇位置で第 1研磨ライン 2 0の第 2研磨部 2 4に重故障が 発生した場合、 リニアトランスポータ 5 6 c、 第 2研磨部 2 4、 トランスポータ 5 6 b , 第 1研磨部 2 2及ぴリニアトランスポータ 5 6 aに位置するウェハの洗 浄開始予想時刻を無効値にする。
リニアトランスポータ 5 6 e〜5 6 gに重故障が発生した場合、 リニアトラン スポータ 5 6 g、 第 2研磨ライン 3 0の第 2研磨部 3 4、 リニアトランスポータ 5 6 f、 第 1研磨部 3 2及ぴリニアトランスポータ 5 6 eに位置するウェハの洗 浄開始予想時刻を無効値にする。
プッシャ 6 0 cの下降位置で第 2研磨ライン 3 0の第 1研磨部 3 2に重故障が 発生した場合、 第 1研磨部 3 2及びリニアトランスポータ 5 6 eに位置するゥェ ハの洗浄開始予想時刻を無効値にする。
. プッシャ 6 0 cの上昇位置で第 2研磨ライン 3 0の第 1研磨部 3 2に重故障が 発生した場合、 リニアトランスポータ 5 6 g、 第 2研磨部 3 4、 トランスポータ 5 6 f、 第 1研磨部 3 2及びリニアトランスポータ 5 6 eに位置するウェハの洗 浄開始予想時刻を無効値にする。
プッシャ 6 0 dの下降位置で第 2研磨ライン 3 0の第 2研磨部 3 4に重故障が 発生した場合、 第 2研磨部 3 4、 リニアトランスポータ 5 6 f、 第 1研磨部 3 2 及びリニアトランスポータ 5 6 eに位置するウェハの洗浄開始予想時刻を無効値 にする。 - プッシャ 6 0 dの上昇位置で第 2研磨ライン 3 0の第 2研磨部 3 4に重故障が 発生した場合、 リニアトランスポータ 5 6 g、 第 2研磨部 3 4、 トランスポータ 5 6 f、 第 1研磨部 3 2及びリニアトランスポータ 5 6 eに位置するウェハの洗 浄開始予想時刻を無効値にする。
第 2搬送ロボット 5 4 bの下流側に重故障が発生した場合、 リニアトランスポ ータ 5 6 a〜 5 6 c， 5 6 e ~ 5 6 f、 第 1研磨部 2 2， 3 2及び第 2研磨部 2 4 , 3 4に位置するゥェハの洗浄開始予想時刻を無効値にする。
一部のユニットにプロセスインターロック （Process Inter Lock) が発生した 場合には、 新しいウェハを研磨装置内に投入することなく、 インターロック時に 研磨装置内に位置する全てのウェハ処理し、 プロセスインターロックが発生した ユニットより上流に位置するウェハの洗浄開始予想時刻を無効値 （例えば一1 ) にし、 後続ゥエ の洗浄開始予想時刻計算時に参照しないようにする。 リニアト ランスポータ上に洗浄開始予想時刻が無効値のウェハが有る場合、 搬送管理タス クは、 リニアトランスポータからトップリングへのウェハ受渡し動作を許可しな い。
例えば、 第 1研磨ライン 2 0の第 1研磨部 2 2にプロセスインターロックが発 生した場合、 リニアトランスポータ 5 6 aに位置するゥェハの洗浄開始予想時刻 を無効値にする。
第 1研磨ライン 2 0の第 2研磨部 2 4にプロセスインターロックが発生した場 合、 リニアトランスポータ 5 6 b、 第 1研磨部 2 2及びリニアトランスポータ 5 6 aに位置するウェハの洗浄開始予想時刻を無効値にする。
第 2研磨ライン 3 0の第 1研磨部 3 2にプロセスインターロックが発生した場 合、 リニアトランスポータ 5 6 eに位置するウェハの洗浄開始予想時刻を無効値 にする。
第 2研磨ライン 3 0の第 2研磨部 3 4にプロセスインターロックが発生した場 合、 リニアトランスポータ 5 6 ί、 第 1研磨部 3 2及びリニアトランスポータ 5 6 eに位置するウェハの洗浄開始予想時刻を無効値にする。
研磨装置の一部のュニットに位置するウェハに対する処理の一 B寺停止 (Paused) が発生した場合、 処理のー且停止が発生したウェハが位置するュニットの上流に 位置するウェハの洗浄開始予想時刻を無効値 （例えば一 1 ) にし、 後続ウェハの 洗浄開始予想時刻計算時に参照しないようにする。 リニアトランスポータ上に洗 浄開始予想時刻が無効値のウェハが有る場合、 搬送管理タスクは、 リニアトラン スポークからトツプリングへのウェハ受渡し動作を許可しない。
例えば、 処理の一時停止 (Paused) が発生したウェハが第 1研磨ライン 2 0の 第 1研磨部 2 2に位置する場合、 第 1研磨部 2 2及びリニアトランスポータ 5 6 aに位置するウェハの洗浄開始予想時刻を無効値にする。
処理の一時停止 (Paused) が発生したウェハがリニアトランスポータ 5 6 bに 位置する場合、 リニアトランスポータ 5 6 b、 第 1研磨部 2 2及びリニアトラン スポータ 5 6 aに位置するウェハの洗浄開始予想時刻を無効値にする。
処理の一時停止 (Paused) が発生したウェハが第 1研磨ライン 2 0の第 2研磨 部 2 4に位置する場合、 第 2研磨部 2 4、 リエアトランスポータ 5 6 b、 第 1研 磨部 2 2及びリニアトランスポータ 5 6 aに位置するウェハの洗浄開始予想時刻 を無効値にする。
処理の一時停止 (Paused) が発生したウェハがリニアトランスポータ 5 6 cに 位置する場合、 リニアトランスポータ 5 6 c、 第 2研磨部 2 4， リニアトランス ポータ 5 6 b、 第 1研磨部 2 2及びリニアトランスポータ 5 6 aに位置するゥェ ハの洗浄開始予想時刻を無効値にする。
処理の一時停止 (Paused) が発生したウェハが第 2研磨ライン 3 0の第 1研磨 部 3 2に位置する場合、 第 1研磨部 3 2及びリニアトランスポータ 5 6 eに位置 するゥェハの洗浄開始予想時刻を無効値にする。
処理の一時停止 (Paused) が発生したウェハがリ二アトランスポータ 5 6 f に 位置する場合、 リニアトランスポータ 5 6 f 、 第 1研磨部 3 2及びリニアトラン スポータ 5 6 eに位置するウェハの洗浄開始予想時刻を無効値にする。
処理の一時停止 (Paused) が発生したウェハが第 2研磨ライン 3 0の第 2研磨 部 3 4に位置する場合、 第 2研磨部 3 4、 リエアトランスポータ 5 6 f、 第 1研 磨部 3 2及びリニアトランスポータ 5 6 eに位置するウェハの洗浄開始予想時刻 を無効値にする。
処理の一時停止 (Paused) が発生したウェハがリニアトランスポータ 5 6 gに 位置する場合、 リニアトランスポータ 5 6 g、 第 2研磨部 3 .4、 リニアトランス - ポータ 5 6 f、 第 1研磨部 3 2及びリエアトランスポ一タ 5 6 eに位置するゥェ ハの洗浄開始予想時刻を無効値にする。
処理の一時停止 (Paused) が発生したウェハが第 2搬送ロボット 5 4 bの下流 に位置する場合、 リニアトランスポータ 5 6 a〜5 6 c， 5 6 6〜5 6 §、 第1 研磨部 2 2， 3 2及び第 2研磨部 2 4 , 3 4に位置するウェハの洗浄開始予想時 刻を無効値にする。
重故障後の再スタート、 プロセスインターロックまたは処理の一時停止後の再 開時に、 洗浄開始予想時刻が無効値のウェハに対してのみ、 予想時刻の再計算を 行う。 再計算は、 第 2反転機 5 2 bまでの搬送に要する時間の短いものから順に 行う。
ここで、 各位置から第 2反転機 5 2 bまでの搬送時間は下記の通りである。 A. 第 1搬送ライン 2 0の第 1研磨部 2 2 第 1搬送ライン 20の第 1研磨部 22から第 2反転機 52 bまでの搬送時間は、 下記の合計の時間である。
1 ) 第 1搬送ライン 20の第 1研磨部 22の処理時間
2) トップリング 22 aからプッシャ 60 aへのウェハリリース時間
3) リニアトランスポータ 56 a~56 dのエクスチェンジ時間
4) プッシャ 60 bからトップリング 24 aへのウェハ受渡し時間
5) 第 1搬送ライン 20の第 2研磨部 24の処理時間
6) トップリング 24 aからプッシャ 60 bへのウェハリリース時間
7) リユアトランスポータ 56 a〜56 dのエクスチェンジ時間
8) 第 2搬送口ポット 54 bによるウェハのリフタ 58 cから第 2反転機 5 2 bへの搬送時間
9 ) 第 2反転機 5 2 bの処理時間
ここで、 第 1搬送ライン 20の第 1処理部 22の処理時間及び第 2処理部 24 の処理時間は、未タツチダウン（トツプリングが研磨テーブルに接触していない、 つまり研磨を開始していない） 時は、前述と同様に、 ジョブ（Job) 単位ごとの平 均値を使用し、 ジョブの最初のウェハに対しては、 過去の同一レシピの平均値を 用いる。 過去の平均ィ直が無い場合は、 レシピ設定時間 （研磨ステップの処理時間 合計） を用いる。 タツチダウン済みの場合は、 処理時間 "0" とする。 このこと . は、 下記の第 2搬送ライン 30の第 1処理部 32及ぴ第 2処理部 34の処理時間 においても同様である。
- . B. 第 1搬送ライン 20の第 2研磨部 24
第 1搬送ライン 20の第 2研磨部 24力 ら第 2反転機 52 bまでの搬送時間は、 下記の合計の時間である。
1) 第 1搬送ライン 20の第 2研磨部 24の処理時間
2) トップリング 24 aからプッシャ 60 bへのウェハリリース時間
3) リニアトランスポータ 56 a〜56 dのエクスチェンジ時間
4) 第 2搬送ロポット 54 bによるウェハのリフタ 58 cから第 2反転機 5 2 bへの搬送時間
5 ) 第 2反転機 5 2 bの処理時間
C. 第 2搬送ライン 30の第 1研磨部 32
第 2搬送ライン 30の第 1研磨部 32から第 2反転機 52 bまでの搬送時間は、 下記の合計の時間である。
1 ) 第 2搬送ライン 30の第 1研磨部 32の処理時間 2 ) トップリング 3 2 aからプッシャ 6 0 cへのウェハリリース時間
3 ) リ アトランスポータ 5 6 e〜5 6 gのエクスチェンジ時間
4 ) プッシャ 6 0 dからトップリング 3 4 aへのウェハ受渡し時間
5 ) 第 2搬送ライン 3 0の第 2研磨部 3 4の処理時間
6 ) トップリング 3 4 aからプッシャ 6 0へのウェハリリース時間
7 ) リニアトランスポータ 5 6 e〜5 6 gのエクスチェンジ時間
8 ) 第 2搬送ロボット 5 4 bによるウェハのリフタ 5 8 cから第 2反転機 5 2 bへの搬送時間
9 ) 第 2反転機 5 2 bの処理時間
D . 第 2搬送ライン 3 0の第 2研磨部 3 4
第 2搬送ライン 3 0の第 2研磨部 3 4力 ら第 2反転機 5 2 bまでの搬送時間は、 下記の合計の時間である。
1 ) 第 2搬送ライン 3 0の第 2研磨部 3 4の処理時間
2 ) トップリング 3 4 aからプッシャへ 6 0 dへのウェハリリース時間
3 ) リニアトランスポータ 5 6 e〜5 6 gのエクスチェンジ時間
4 ) 第 2搬送ロボット 5 4 bによるウェハのリフタ 5 8 cから第 2反転機 5 2 bへの搬送時間
5 ) 第 2反転機 5 2 bの処理時間
前述のように、研磨装置内に投入された全ての未洗浄ウェハを対象に、「洗浄開 始予想時刻」 と 「第 1洗浄機 4 2 a到達時における洗浄ュニット 4 0内のウェハ 位置データ」 （以下ウェハマップ） を算出し、それらのデータを基に、第 2研磨終 了後、 ウェハが待ち時間なく第 2反転機 5 2 bに到着するよう研磨開始のタイミ ングをコント口ールすることで、 研磨終了から洗浄開始までの時間を最短にする ことができる。
本発明は上述の実施形態に限定されず、 その技術的思想の範囲内において種々 異なる形態にて実施されてよいものであることは言うまでもな 、。 産業上の利用可能性
本発明は、 半導体ウェハなどの研磨対象物を平坦力つ鏡面状に研磨する研磨装 置及び該研磨装置の制御部内に格納されているプログラムに適用可能である。

Claims

請求の範囲
1 . 複数の研磨対象物を収納したカセットを載置する載置部と、
研磨対象物を研磨する第 1研磨ライン及び第 2研磨ラインと、
研磨後の研磨対象物を洗浄する洗浄機と研磨対象物を搬送する搬送ュニットを 有する洗净ラインと、
前記載置部、 前記研磨ライン及び前記洗浄ライン間で研磨対象物を搬送する搬 送機構と、
前記研磨ラィン、 前記洗浄ラィン及び前記搬送機構を制御する制御部を有し、 前記制御部は、 前記第 1及び第 2研磨ラインにおける予測研磨時間、 前記搬送 機構における予測搬送時間、 前記洗浄ラインにおける予測洗浄時間、 及び前記洗 浄ラインの前記搬送ユニットを駆動させて洗浄を開始する洗浄開始予測時刻を基 に、 前記第 1または第 2研磨ラインの研磨開始時刻を決定することを特徴とする 研磨装置。
2 . 前記洗浄開始予測時刻は、 最初に研磨される被研磨物に対しては、 現時 刻に前記予測研磨時間及び前記予測搬送時間を加えた時刻から求められ、 最初に 研磨される被研磨物よりも後の被研磨物に対しては、 先の研磨対象物に対する洗 浄開始予測時刻に前記予測洗浄時間が加えられた時刻から求められることを特徴 とする請求項 1記載の研磨装置。
3 . 前記第 1及び第 2の研磨ラインは、 第 1研磨部と第 2研磨部をそれぞれ 有し、
前記各研磨ラインの予測研磨時間は、 前記第 1研磨部における予測研磨時間、 前記第 2研磨部における予測研磨時間、 及び前記第 1研磨部から前記第 2研磨部 へ研磨対象物を搬送するのに要するライン内予測搬送時間の総和であることを特 徴とする請求項 1記載の研磨装置。
4 . 前記制御部は、 前記洗浄開始予測時刻から待ち時間がゼロの場合におけ る研磨終了予測時刻を引いた時間を研磨待ち時間とすることを特徴とする請求項
1記載の研磨装置。
5 . 前記制御部は、 前記研磨待ち時間が正の場合、 前記第 1研磨部または第 2研磨部の研磨開始時刻を前記研磨待ち時間分遅らせることを特徴とする請求項 4記載の研磨装置。
6 . 前記制御部は、 前記研磨待ち時間がゼロの場合、 前記第 1研磨部の研磨 開始時刻を、 前記洗浄開始予測時刻から前記予測研磨時間及び前記予測搬送時間 の合計時間分遡った時刻とすることを特徴とする請求項 4記載の研磨装置。
7. 前記制御部は、前記研磨待ち時間が負の場合、前記洗浄開始予測時刻を、 前記研磨待ち時間の絶対値分遅らせることを特徴とする請求項 4記載の研磨装置。
8 . 前記洗浄ラィンは、 少なくとも 2つの洗浄機を備え、 前記洗浄機のうち 洗浄時間が長い洗浄機における洗浄時間を前記予測洗浄時間とすることを特徴と する請求項 1記載の研磨装置。
9 . 前記搬送ユエットは、 複数の研磨対象物を一括して搬送する機構を有す ることを特徴とする請求項 8記載の研磨装置。
1 0. 前記制御部は、 前記第 1研磨部での実研磨時間が前記第 1研磨部におけ る予測研磨時間よりも遅延した場合に、 この遅延時間分、 前記洗浄開始予測時刻 を遅らせることを特徴とする請求項 3記載の研磨装置。
1 1 . 前記制御部は、 後続の研磨対象物に対して、 前記遅延時間を前記第 2研 磨部の研磨待ち時間として反映させる演算処理を行うことを特徴とする請求項 1 0記載の研磨装置。
1 2 . 前記制御部は、 前記第 2研磨部の実研磨時間が前記第 2研磨部における 予測研磨時間よりも遅延した場合に、 この遅延時間分、 前記洗浄開始予測時刻を 遅らせることを特徴とする請求項 3記載の研磨装置。
1 3 . 前記制御部は、 後続の研磨対象物に対して、 前記遅延時間を前記第 2研 磨部の研磨待ち時間として反映させる演算処理を行うことを特徴とする請求項 1 2記載の研磨装置。 1 4 · 複数の研磨対象物を収納したカセットを载置する載置部と、
研磨対象物を研磨する複数の研磨ラインと、
研磨後の研磨対象物を洗浄する洗浄機と研磨対象物を搬送する搬送ュ-ットを 有する洗净ラインと、
前記載置部、 前記研磨ライン及び前記洗浄ライン間で研磨対象物を搬送する搬 送機構と、
前記研磨ラィン、 前記洗浄ラィン及び前記搬送機構を制御する制御部を有し、 前記制御部は、 前記洗浄ラィンの洗浄開始予測時刻から待ち時間がゼ口の場合 における研磨終了予測時刻を引いた時間を研磨待ち時間とし、 前記研磨待ち時間 が正の場合、 前記複数の研磨ラインの研磨開始時刻を前記研磨待ち時間分遅らせ ることを特徴とする研磨装置。
1 5 . 複数の研磨対象物を収納したカセットを載置する載置部と、
研磨対象物を研磨する複数の研磨部を有する研磨ラインと、
研磨後の研磨対象物を洗浄する複数の洗浄機と研磨対象物を搬送する搬送ユエ ットを有する洗净ラインと、
前記載置部、 前記研磨ライン及び前記洗浄ライン間で研磨対象物を搬送する搬 送機構と、
前記研磨ラィン、 前記洗浄ラィン及び前記搬送機構を制御する制御部を有し、 前記制御部は、 前記洗浄ラィンの洗浄開始予測時刻から待ち時間がゼ口の場合 における研磨終了予測時刻を引いた時間を研磨待ち時間とし、 前記研磨待ち時間 が正の場合、 前記研磨ラインの研磨開始時刻を前記研磨待ち時間分遅らせること を特徴とする研磨装置。 1 6 . 前記研磨対象物は、 上層に金属膜が形成されていることを特徴とする請 求項 1， 1 4または 1 5記載の研磨装置。
1 7. 前記金属膜は銅膜であることを特徴とする請求項 1 6に記載の研磨装置。
1 8 . 複数の研磨対象物を収納したカセットを載置する載置部と、
研磨対象物を研磨する第 1研磨ライン及び第 2研磨ラインと、
研磨後の研磨対象物を洗浄する洗浄機と研磨対象物を搬送する搬送ュニットを 有する洗净ラインと、
前記載置部、 前記研磨ライン及び前記洗浄ライン間で研磨対象物を搬送する搬 送機構と、
前記研磨ライン、 前記洗浄ライン及び前記搬送機構を制御する制御部を有する 研磨装置の該制御部内に格納されているプログラムであって、
コンピュータに、 前記第 1及び第 2研磨ラインにおける予測研磨時間、 前記搬 送機構における予測搬送時間、 前記洗浄ラインにおける予測洗浄時間、 及び前記 洗浄ラインの前記搬送ュニットを駆動させて洗浄を開始する洗浄開始予測時刻を 基に、 前記第 1または第 2研磨ラインの研磨開始時刻を決定する手順を実行させ るためのプログラム。 1 9 . コンピュータに、 前記洗浄開始予測時刻を、 最初に研磨される被研磨物 に対しては、現時刻に前記予測研磨時間及び前記予測搬送時間を加えた時刻から、 最初に研磨される被研磨物よりも後の被研磨物に対しては、 先の研磨対象物に対 する洗浄開始予測時刻に前記予測洗浄時間が加えられた時刻からそれぞれ求める 手段を実行させるための請求項 1 8記載のプログラム。
2 0 . 前記第 1及び第 2の研磨ラインは、 第 1研磨部と第 2研磨部をそれぞれ 有し、
コンピュータに、 前記第 1研磨部における予測研磨時間、 前記第 2研磨部にお ける予測研磨時間、 及び前記第 1研磨部から第2研磨部^ 1磨対象物を搬送する のに要するライン内予測搬送時間の総和から前記予測研磨時間を求める手順を実 行させるための請求項 1 8記載のプログラム。
2 1 . コンピュータに、 前記洗浄開始予測時刻から待ち時間がゼロの場合にお ける研磨終了予測時刻を引いた時間を研磨待ち時間とする手順を実行させるため の請求項 1 8記載のプログラム。
2 2 . コンピュータに、 前記研磨待ち時間が正の場合、 前記第 1研磨部または 第 2研磨部の研磨開始時刻を前記研磨待ち時間分遅らせ手順を実行させるための 請求項 2 1記載のプログラム。 2 3 . コンピュータに、 前記研磨待ち時間がゼロの場合、 前記第 1研磨部の研 磨開始時刻を、 前記洗浄開始予測時刻から前記予測研磨時間及び前記予測搬送時 間の合計時間分遡った時刻とする手順を実行させるための請求項 2 1記載のプロ グラム。 2 4 . コンピュータに、 前記研磨待ち時間力 S負の場合、 前記洗浄開始予測時刻 を、 前記研磨待ち時間の絶対値分遅らせる手順を実行させるための請求項 2 1記 載のプログラム。
2 5 . 前記洗浄ラィンは、 少なくとも 2つの洗浄機を備え、
コンピュータに、 前記洗浄機のうち洗浄時間が長レヽ洗浄機における洗浄時間を 前記予測洗浄時間とする手順を実行させるための請求項 1 8記載のプロダラム。
2 6 . コンピュータに、 前記第 1研磨部での実研磨時間が前記第 1研磨部にお ける予測研磨時間よりも遅延した場合、 この遅延時間分、 前記洗浄開始予測時刻 を遅らせる手順を実行させるための請求項 2 0記載のプログラム。
2 7 . コンピュータに、 後続の研磨対象物に対して、 前記遅延時間を前記第 2 研磨部の研磨待ち時間として反映させる演算処理を実行させるための請求項 2 6 記載のプログラム。
2 8 . コンピュータに、 前記第 2研磨部の実研磨時間が前記第 2研磨部におけ る研磨時間の平均値よりも遅延した場合、 この遅延時間分、 前記洗浄開始予測時 刻を遅らせる手順を実行させるための請求項 2 0記載のプログラム。 2 9 . コンピュータに、 後続の研磨対象物に対して、 前記遅延時間を前記第 2 研磨部の研磨待ち時間として反映させる演算処理を実行させるための請求項 2 8 記載のプログラム。
3 0 . 複数の研磨対象物を収納したカセットを載置する載置部と、
研磨対象物を研磨する複数の研磨ラインと、
研磨後の研磨対象物を洗浄する洗浄機と研磨対象物を搬送する搬送ュニットを 有する洗净ラインと、
前記載置部、 tff己研磨ライン及び前記洗浄ライン間で研磨対象物を搬送する搬 送機構と、
前記研磨ライン、 前記洗浄ライン及び前記搬送機構を制御する制御部を有する 研磨装置の該制御部内に格納されているプログラムであって、
コンピュータに、 前記洗浄ラインの洗浄開始予測時刻から待ち時間がゼロの場 合における研磨終了予測時刻を引いた時間を研磨待ち時間とし、 前記研磨待ち時 間が正の場合、 前記複数の研磨ラインの研磨開始時刻を前記研磨待ち時間分遅ら せる手順を実行させるためのプロダラム。
3 1 . 複数の研磨对象物を収納したカセットを載置する載置部と、
研磨対象物を研磨する複数の研磨部を有する研磨ラインと、
研磨後の研磨対象物を洗浄する複数の洗浄機と研磨対象物を搬送する搬送ュニ ットを有する洗净ラインと、
前記載置部、 前記研磨ライン及び前記洗浄ライン間で研磨対象物を搬送する搬 送機構と、 ，
前記研磨ライン、 前記洗浄ライン及び前記搬送機構の を制御する制御部を 有する研磨装置の該制御部内に格納されているプログラムであって、
コンピュータに、 前記洗浄ラインの洗浄開始予測時刻から待ち時間がゼロの場 合における研磨終了予測時刻を引いた時間を研磨待ち時間とし、 前記研磨待ち時 間が正の場合、 前記研磨ラインの研磨開始時刻を前記研磨待ち時間分遅らせる手 順を実行させるためのプログラム。
PCT/JP2008/057881 2007-04-20 2008-04-17 研磨装置及びそのプログラム WO2008133286A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020097023789A KR101430053B1 (ko) 2007-04-20 2008-04-17 연마장치 및 그 프로그램
JP2009511893A JP5023146B2 (ja) 2007-04-20 2008-04-17 研磨装置及びそのプログラム
CN2008800128309A CN101663739B (zh) 2007-04-20 2008-04-17 研磨装置
EP08740808.4A EP2141737B1 (en) 2007-04-20 2008-04-17 Polishing apparatus and program thereof
US12/596,333 US8206197B2 (en) 2007-04-20 2008-04-17 Polishing apparatus and program thereof

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007-111848 2007-04-20
JP2007111848 2007-04-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2008133286A1 true WO2008133286A1 (ja) 2008-11-06

Family

ID=39925734

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2008/057881 WO2008133286A1 (ja) 2007-04-20 2008-04-17 研磨装置及びそのプログラム

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8206197B2 (ja)
EP (1) EP2141737B1 (ja)
JP (1) JP5023146B2 (ja)
KR (1) KR101430053B1 (ja)
CN (1) CN101663739B (ja)
TW (1) TWI408741B (ja)
WO (1) WO2008133286A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150117602A (ko) * 2014-04-10 2015-10-20 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 처리 장치
WO2021054236A1 (ja) * 2019-09-18 2021-03-25 株式会社荏原製作所 機械学習装置、基板処理装置、学習済みモデル、機械学習方法、機械学習プログラム

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102485424B (zh) * 2010-12-03 2015-01-21 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 抛光装置及其异常处理方法
CN102623369A (zh) * 2012-03-31 2012-08-01 上海宏力半导体制造有限公司 一种晶圆检验方法
JP2014167996A (ja) * 2013-02-28 2014-09-11 Ebara Corp 研磨装置および研磨方法
JP2015090890A (ja) * 2013-11-05 2015-05-11 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP2022072570A (ja) * 2020-10-30 2022-05-17 株式会社荏原製作所 基板処理装置においてカセットからの基板の取り出しタイミングを決定する方法、装置、プログラム、および基板処理装置

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001054187A1 (fr) 2000-01-17 2001-07-26 Ebara Corporation Appareil de commande de transfert de tranches et procede de transfert de tranches
JP2002511193A (ja) 1997-06-09 2002-04-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド マルチチャンバ式半導体ウェーハ処理ツール内でのウェーハ処理用スケジュールを自動的に生成するための方法および装置
JP2004241457A (ja) * 2003-02-04 2004-08-26 Tsc:Kk 研磨洗浄複合装置
JP2004526263A (ja) 2001-04-26 2004-08-26 東京エレクトロン株式会社 ウェーハ処理ツール内のウェーハの移動をスケジューリングするシステムと方法
WO2006035337A1 (en) * 2004-09-27 2006-04-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Flexible rinsing step in a cmp process
JP2008091698A (ja) * 2006-10-03 2008-04-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07201786A (ja) * 1994-01-05 1995-08-04 Sumitomo Electric Ind Ltd 化合物半導体基板の研磨方法と研磨装置
US5738574A (en) * 1995-10-27 1998-04-14 Applied Materials, Inc. Continuous processing system for chemical mechanical polishing
US5885134A (en) * 1996-04-18 1999-03-23 Ebara Corporation Polishing apparatus
US6293845B1 (en) * 1999-09-04 2001-09-25 Mitsubishi Materials Corporation System and method for end-point detection in a multi-head CMP tool using real-time monitoring of motor current
JP2004022940A (ja) * 2002-06-19 2004-01-22 Tokyo Seimitsu Co Ltd 研磨装置、研磨方法、ウェーハ待避プログラム
US6916233B2 (en) * 2002-11-28 2005-07-12 Tsc Corporation Polishing and cleaning compound device
JP4467241B2 (ja) * 2003-01-28 2010-05-26 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002511193A (ja) 1997-06-09 2002-04-09 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド マルチチャンバ式半導体ウェーハ処理ツール内でのウェーハ処理用スケジュールを自動的に生成するための方法および装置
WO2001054187A1 (fr) 2000-01-17 2001-07-26 Ebara Corporation Appareil de commande de transfert de tranches et procede de transfert de tranches
JP2004526263A (ja) 2001-04-26 2004-08-26 東京エレクトロン株式会社 ウェーハ処理ツール内のウェーハの移動をスケジューリングするシステムと方法
JP2004241457A (ja) * 2003-02-04 2004-08-26 Tsc:Kk 研磨洗浄複合装置
WO2006035337A1 (en) * 2004-09-27 2006-04-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Flexible rinsing step in a cmp process
JP2008091698A (ja) * 2006-10-03 2008-04-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2141737A4 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20150117602A (ko) * 2014-04-10 2015-10-20 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 처리 장치
KR102168354B1 (ko) 2014-04-10 2020-10-22 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판 처리 장치
WO2021054236A1 (ja) * 2019-09-18 2021-03-25 株式会社荏原製作所 機械学習装置、基板処理装置、学習済みモデル、機械学習方法、機械学習プログラム
JP2021048213A (ja) * 2019-09-18 2021-03-25 株式会社荏原製作所 機械学習装置、基板処理装置、学習済みモデル、機械学習方法、機械学習プログラム
JP7224265B2 (ja) 2019-09-18 2023-02-17 株式会社荏原製作所 機械学習装置、基板処理装置、学習済みモデル、機械学習方法、機械学習プログラム

Also Published As

Publication number Publication date
EP2141737A1 (en) 2010-01-06
TW200903618A (en) 2009-01-16
CN101663739B (zh) 2011-10-26
US8206197B2 (en) 2012-06-26
TWI408741B (zh) 2013-09-11
US20100130103A1 (en) 2010-05-27
JP5023146B2 (ja) 2012-09-12
KR20100019445A (ko) 2010-02-18
KR101430053B1 (ko) 2014-08-13
EP2141737A4 (en) 2012-06-06
EP2141737B1 (en) 2013-07-03
CN101663739A (zh) 2010-03-03
JPWO2008133286A1 (ja) 2010-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2008133286A1 (ja) 研磨装置及びそのプログラム
JP4828503B2 (ja) 基板処理装置、基板搬送方法、コンピュータプログラムおよび記憶媒体
JP4353903B2 (ja) クラスタツールの処理システム
JP4716362B2 (ja) 基板処理システム及び基板処理方法
JP2001189363A (ja) 半導体装置製造設備およびその制御方法
JP3978393B2 (ja) 基板処理装置
KR20150117602A (ko) 기판 처리 장치
JP6723110B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5987796B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP4610317B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理装置の基板搬送方法
JP5075835B2 (ja) 半導体製造システム
JP2010251507A (ja) 半導体製造装置の制御システムおよび制御方法
JP7471173B2 (ja) スケジュール作成方法およびスケジュール作成装置
WO2021054236A1 (ja) 機械学習装置、基板処理装置、学習済みモデル、機械学習方法、機械学習プログラム
JP5348290B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP3960761B2 (ja) 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム
JP4657528B2 (ja) 処理システムおよび処理方法
JP6430889B2 (ja) 真空処理装置およびその運転方法
JP2008077496A (ja) 搬送制御装置、搬送制御方法、搬送制御プログラム、および搬送制御装置を備えた生産システム
JP2007242982A (ja) 半導体装置の製造方法、半導体製造装置および半導体製造システム
JP4587815B2 (ja) 基板処理システム、基板処理システムの制御方法、及び基板処理方法
JP2023098688A (ja) 物品搬送システム及び物品搬送システムの運営方法
JP2018093131A (ja) 搬送システム
JP2010003920A (ja) 基板処理装置
JP2003243274A (ja) 基板処理装置のスケジュール作成方法及びそのプログラム

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200880012830.9

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 08740808

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2009511893

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2008740808

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 12596333

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20097023789

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A