JP4467241B2 - 半導体ウエーハの製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンウエーハ等の半導体ウエーハ（以下単に「ウエーハ」ということもある。）の製造方法に関し、特に仕上げ研磨工程後、洗浄工程までの処理に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、メモリーデバイスなどに用いられる半導体基板材料としてシリコンウェーハが製造されている。シリコンウエーハの製造は、主に、チョクラルスキー（Czochralski；CZ）法や浮遊帯域溶融（Floating Zone；FZ）法等を使用して単結晶インゴットを製造する単結晶成長工程と、この単結晶インゴットをスライスし、少なくとも一主面を鏡面状に加工するウエーハ製造（加工）工程から構成されている。そして、鏡面状にされたウエーハは、デバイス製造工程において、主面にデバイスが形成されることになる。
【０００３】
ウエーハ製造（加工）工程についてさらに詳しく説明すると、単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウエーハを得るスライス工程と、スライス工程によって得られたウエーハの割れ、欠けを防止するためにその外周部を面取りする面取り工程と、ウエーハを平坦化するラッピング工程と、面取り及びラッピングされたウエーハに残留する加工歪みを除去するエッチング工程と、そのウエーハの表面を研磨して鏡面化する研磨（ポリッシング）工程と、研磨されたウエーハの表面に付着した研磨剤や異物を除去する洗浄工程等から構成される。なお、これらの工程は主な工程を示したもので、他に熱処理工程が加わったり、工程順を入れ換えたり、同じ工程を多段で行なう場合もある。例えば、研磨工程では、１次、２次、仕上げと３段程度の研磨が行われるのが通常であり、洗浄工程についても、１次洗浄、仕上げ洗浄など複数段行われている。
【０００４】
研磨工程では、研磨装置を用い、定盤に貼り付けた研磨布を回転させながら研磨布に研磨剤（研磨液）を供給するとともに、研磨布にエッチング済みのシリコンウエーハを適切な圧力で接触（摺接）させて研磨を行う。この際、研磨剤としては、コロイダルシリカを含有したアルカリ溶液が一般的に用いられている。このような研磨剤を研磨布とシリコンウエーハの接触面に供給することにより、研磨剤とシリコンウエーハがメカノケミカル作用を起こし研磨が進行する。
【０００５】
研磨装置には様々な形態のものが用いられており、例えば、１つの研磨ヘッド（研磨プレート）に複数枚のウエーハを保持した状態で研磨するバッチ式のもの、あるいは１つの研磨ヘッドに１枚のウエーハを保持して研磨する枚様式のものなどがある。また、ウエーハの保持方法も、真空吸着により保持するもの、ワックスにより貼り付けるもの、水の表面張力等を利用して貼り付けるものなど種々の形態がある。
【０００６】
現状では、主に図７に示すような形態の装置３１が使われている。この研磨装置３１では、複数のウエーハＷをワックスを用いて研磨プレート３３に貼り付け、定盤３０に貼り付けた研磨布３２を回転させるとともに研磨液供給ノズル３４から研磨布３２上に研磨剤３９を供給する。このようにしてウエーハＷを研磨布に摺接させることでウエーハの片面を鏡面状に仕上げることができる。
なお、上記のような研磨装置３１はウエーハを片面ずつ研磨する、いわゆる片面研磨装置であるが、上下の定盤を具備し、各定盤に貼り付けられた上下の研磨布でウエーハを挟んで両面を同時に研磨する両面研磨装置もある。
【０００７】
上記のように研磨された後のウエーハの表面は活性面（疎水性）となり、微粒子（パーティクル）が付着し易くなる。ウエーハの表面にパーティクルが付着すると、デバイス製造工程での歩留りが低下することから、ウエーハ表面へのパーティクルの付着を低減するとともに、付着したパーティクルを除去することが必要とされている。
また、仕上げ研磨直後のウエーハ研磨面（活性面）に付着している研磨剤等が乾燥し、凝固してしまうと、次の洗浄工程において表面の研磨剤や他の異物などが除去し難くなる。
【０００８】
そこで、従来では、研磨剤の乾燥等を防止するためウエーハ表面のウェット状態を保持することとし、研磨工程後、洗浄工程までの間でシャワーリングが行われている。図５は従来の研磨工程から洗浄工程にかけて行われる作業のフローを示したものである。例えば、ウエーハをワックスでプレートに貼り付けて研磨を行う場合、研磨終了後、プレートからウエーハを剥がし、一旦カセットに収納され、保管用水とよばれる水槽中（ストック槽）に保管される。その後、ウエーハは洗浄工程に搬送され、洗浄（１次洗浄）が行われる。そして、これらの収納、保管、搬送の各工程間で、ウエーハに対し、図６に示すようなシャワー本体１１から一定の水圧（例えば、ノズル径０．１〜２０ｍｍに対し、数ＭＰａ〜１０ＭＰａ程度）で純水１２を噴きつけてシャワーリングが行われる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上記のようにシャワーリングを行って、ウエーハの表面から研磨剤を部分的にあるいは全体的に除去し、その後、洗浄工程において洗浄を行ってもウエーハの表面に多数のパーティクルが残存したり、局所的なエッチング作用により表面粗さが悪化して、デバイス製造工程での歩留りが低下するという問題があった。
【００１０】
そこで本発明では、シリコンウエーハ等の半導体ウエーハの表面へのパーティクルの付着を低減するとともに、局所的なエッチングを防ぐことができるウエーハの製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明によれば、少なくとも、定盤に貼り付けた研磨布を回転させながら該研磨布に研磨剤を供給するとともに、前記研磨布に半導体ウエーハを摺接させることにより仕上げ研磨を行う仕上げ研磨工程と、前記仕上げ研磨された半導体ウエーハを洗浄槽に投入して洗浄を行う洗浄工程とを有する半導体ウエーハの製造方法において、前記半導体ウエーハを仕上げ研磨した後、４０秒以内に前記洗浄槽に投入することを特徴とする半導体ウエーハの製造方法が提供される。
【００１２】
このように、仕上げ研磨終了後、洗浄（１次洗浄）を開始するまでの時間を４０秒以内とすれば、その間、シャワー洗浄を行うか否かにかかわらずパーティクルはほとんど付着せず、その後の洗浄工程において表面から研磨剤等も除去される。これにより、研磨剤やパーティクルの付着（洗浄残り）が極めて少なく、局所的なエッチング作用による表面粗さを悪化させた部位のない清浄なウエーハを製造することができる。また、研磨から洗浄までの時間が短縮されるので、全体の製造時間も短くなり、生産性が向上するという利点もある。
【００１３】
なお、仕上げ研磨から洗浄までの時間は、その間の工程や、特に研磨工程の装置形態等により許容される時間が異なり、４０秒以上かかったとしてもパーティクルがそれほど増えない場合もある。しかし、例えば研磨装置自体に簡単な洗浄機構が存在するなどパーティクルが生じ易い場合には、特に時間的な管理が重要であり、仕上げ研磨終了後、又はカセット収納後から洗浄槽に投入するまでの時間をできるだけ短くする必要がある。そこで、特に仕上げ研磨終了後から洗浄槽に投入するまでの時間を４０秒以下とすれば、どのような工程や研磨装置を用いてもパーティクルの発生を効果的に抑えることができる。
【００１４】
また、本発明によれば、少なくとも、定盤に貼り付けた研磨布を回転させながら該研磨布に研磨剤を供給するとともに、前記研磨布に半導体ウエーハを摺接させることにより仕上げ研磨を行う仕上げ研磨工程と、前記仕上げ研磨された半導体ウエーハを洗浄槽に投入して洗浄を行う洗浄工程とを有する半導体ウエーハの製造方法において、前記仕上げ研磨された半導体ウエーハを、表面が研磨剤で覆われた状態で前記洗浄槽に投入することを特徴とする半導体ウエーハの製造方法が提供される。
【００１５】
このように、仕上げ研磨された半導体ウエーハを、表面が研磨剤で覆われた状態で洗浄槽に投入すれば、研磨後、洗浄槽に投入されるまでの間、研磨剤が保護膜のようにウエーハの全面を覆っているので、パーティクルがウエーハの表面に直接付着するのを防ぐことができるとともに、局所的なエッチング作用を防ぐことができる。そして、洗浄工程でウエーハ全体から研磨剤等を除去することで、パーティクル等の付着が極めて少ない清浄なウエーハを得ることができる。
なお、従来、研磨剤は、研磨後なるべく早く除去することが望まれていたが、仕上げ研磨後はウエーハ表面に研磨剤が付着している方がパーティクルの付着を防止できるため、本発明ではあえて研磨剤が付着した状態を洗浄工程まで維持することとした。
【００１６】
これらの場合、前記半導体ウエーハを仕上げ研磨した後、直接、前記洗浄槽に投入するようにしても良い。
すなわち、研磨後のウエーハに対し、従来のようなストック槽保管やシャワーリングを行わず、直接、洗浄槽に投入すれば、研磨工程後、洗浄工程までの間、研磨剤がウエーハの全面を確実に覆って保護膜のように機能し、パーティクルの付着を防止することができる。また、作業時間も短くなり、生産性を一層向上させることができる。
【００１７】
また、前記仕上げ研磨工程後、洗浄工程に入る前に、前記仕上げ研磨された半導体ウエーハに対し、水を霧状にしたシャワー及び水圧をノズル径０．１〜２０ｍｍに対して０．２５ＭＰａ以下とした低圧のシャワーのうち少なくとも１種類のシャワーを施しても良い。
【００１８】
このように、仕上げ研磨された半導体ウエーハに対し、研磨工程後、洗浄工程までの間に霧状シャワーあるいは低圧シャワーを施せば、ウエーハ表面を覆っている研磨剤は徐々には除去されるものの、部分的に完全に除去してしまうことはなく、また、研磨剤の乾燥を防ぐことができる。従って、研磨剤が保護膜のように長時間機能するため、パーティクルの付着が防止される。また、洗浄工程に入る段階で、研磨剤や研磨カスが乾燥することなく、かつ、ある程度除去されているので、洗浄によってウエーハ表面の研磨剤等を容易に除去することができ、一層効率的となる。
【００１９】
さらに、この場合、前記シャワーする水として、０．１μｍ以上の大きさを有するパーティクルを１００個／リットル以下で含む純水を用いることが好ましい。
このように微小なパーティクルを極めて少ない量で含む純水を用いて霧状シャワー、あるいは低圧シャワーを施すことで、ウエーハに付着するパーティクルの数を一層低減させることができ、洗浄後極めて清浄なウエーハを得ることができる。
【００２０】
以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
本発明者らは、シリコンウエーハを製造する際、仕上げ研磨したウエーハに対して十分洗浄を行っても、ウエーハの表面に多数のパーティクルが残留したり、不均一にエッチングされる原因について鋭意検討を行った。そして、精査を重ねたところ、研磨後、洗浄工程に入るまでの間に、ウエーハの表面を覆っていた研磨剤が部分的に除去されてしまうことが主な原因であることが分かった。
【００２１】
すなわち、研磨ウエーハの表面を覆う研磨剤は、パーティクルの付着を防止する保護膜のように作用しており、洗浄工程に入るまでに施されるシャワーの条件（水圧等）によりウエーハの表面を覆っている研磨剤の一部が完全に除去され、その結果、研磨剤が除去された部分、すなわち、保護膜が剥がされた部分への微少パーティクルの付着が多くなり、洗浄工程で除去しきれない、といった不具合が生じてしまうこととなる。
そこで、本発明者らは、ウエーハを仕上げ研磨した後、洗浄槽に投入するまでの間、パーティクルの付着を防ぐことによって極めて清浄なウエーハを製造することができることを知見し、諸条件を見出すことにより本発明を完成させた。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る半導体ウエーハの製造方法に関し、実施の形態について具体的に説明する。なお、好適な態様として、シリコンウエーハに対し、片面研磨装置を用いて仕上げ研磨（以下単に「研磨」という場合がある。）を行った後、洗浄を行うまでについて説明する。
【００２３】
図１は、本発明の第一の態様を示したものである。図１に示すように、ウエーハを研磨した後、洗浄するまでの間、従来行われていた保管水（ストック槽）へのストック等を省略し、仕上げ研磨したウエーハを、直接、洗浄槽に投入する。
このとき、使用する研磨剤にもよるが、本発明者らが精査したところ、ウエーハを研磨布から離脱させた後、洗浄槽に投入するまでに４０秒を過ぎると、表面に付着している研磨剤が乾燥したり、不均一なエッチングが生じてしまうおそれがあることが分かった。そこで、ウエーハを仕上げ研磨した後、すなわち、ウエーハを研磨布から離脱させた後、４０秒以内に洗浄槽に投入するようにする。
【００２４】
このようにウエーハを研磨した後、短時間で洗浄槽に投入するには、例えば、仕上げ研磨装置と洗浄装置（洗浄槽）を合体させるか、あるいは隣接させた研磨・洗浄システムを採用すれば良い。このようなシステムを用いてウエーハの仕上げ研磨を行い、研磨を終了したウエーハをプレートから剥がして、ストック槽中で保管することなく、そのまま洗浄槽に投入する形態とすれば良い。
【００２５】
この場合、仕上げ研磨後、４０秒以内に洗浄槽に投入するのであれば、仕上げ研磨したウエーハに対して、洗浄槽に投入する前に、シャワーを行っても良いし、省略しても良い。例えば、研磨装置と洗浄装置との間にシャワー装置を設け、従来と同様のシャワーを施した場合、ウエーハの表面を覆っている研磨剤が部分的に除去されることになるが、ストック槽への保管等は行われずに非常に短い時間で洗浄槽に投入されるため、パーティクルはほとんど付着することがない。
【００２６】
このような流れにより、ウエーハを研磨した後、４０秒以内に洗浄槽に投入することができ、その間、パーティクルはほとんど付着することはないし、表面の研磨剤が乾燥し、固化してしまうこともない。また、研磨後、短時間で洗浄槽に投入されるので、表面に残留している研磨剤により局所的にエッチングされることもない。次いで、洗浄工程で洗浄されたウエーハは、研磨剤や研磨カス等の異物が全体から除去され、極めて清浄なウエーハとすることができる。
また、この態様では、研磨から洗浄までの時間が極めて短くなるので、生産性を向上させることにもなる。
【００２７】
図２は、本発明の他の態様を示したものである。ここでは、仕上げ研磨された半導体ウエーハに対し、研磨後、従来と同様に、カセット収納、ストック槽保管、搬送、洗浄の各工程を通過させても良いが、仕上げ研磨された半導体ウエーハを、表面全体が研磨剤で覆われた状態で洗浄槽に投入するようにする。
【００２８】
例えば、各工程間で低い水圧でシャワーを施すことで、表面全体が研磨剤で覆われた状態を保つことができる。具体的には、ノズル径０．１〜２０ｍｍに対して０．２５ＭＰａ以下とすれば、ウエーハに対して低い圧力で水がかかることになる。このような低圧シャワーを施せば、ウエーハ表面を覆っている研磨剤は全体的にある程度除去されるものの、部分的に除去されるのを防ぐことができる。従って、この態様では、研磨工程後、ウエーハの表面が濡れた研磨剤で覆われた状態を維持したまま洗浄工程へと送られて洗浄槽に投入されることになり、この間、研磨剤が保護膜のように作用し、ウエーハの表面に直接パーティクルが付着するのを防止することができる。
【００２９】
なお、仕上げ研磨された半導体ウエーハに対し、低圧シャワーを省略するとなると、洗浄工程に入る前にウエーハ表面上の研磨剤が乾燥し、固化してしまうおそがある。そこで、低圧シャワーを省略する場合は、搬送速度を上げるほか、作業エリア内を加湿することによって研磨剤が乾燥するのを防ぐようにすれば良い。
【００３０】
図３は、さらに別の態様を示したものであり、カセット収納、ストック槽保管、搬送、洗浄の各工程間において純水を霧状にしたシャワーを施すものである。霧状シャワーは、図４に示すように、シャワー本体１のノズルから純水２を霧状に噴出させるようにすれば良い。例えば、霧状シャワーに使用するノズルの形状（噴射角）を１０〜１８０°とし、噴出口より出る水の粒径が、１μｍ〜５００μｍの範囲となるようにすれば良い。
【００３１】
このように霧状シャワーを施せば、研磨剤はウエーハの表面からある程度流されるが、局所的に除去されてしまうことはなく、ウエーハの表面全体が、ウェット状態が維持されたまま、かつ研磨剤で覆われた状態で洗浄工程に送ることができる。そのため、たとえ研磨終了後４０秒経過したとしても、パーティクルの付着を防止できるとともに、研磨剤が乾燥して固化してしまうことも防ぐことができ、また、局所的なエッチングを引き起こすこともない。そして、次の洗浄工程において、研磨剤、研磨カス等を除去することで、極めて清浄なウエーハとすることができる。
【００３２】
なお、本発明で研磨後のウエーハに対してシャワーを行う場合には、パーティクルを極力含まない純水を使用することが好ましい。例えば、フィルターなどを使用して純水中の微小パーティクルも除去し、シャワーする水として、０．１μｍ以上の大きさを有するパーティクルを１００個／リットル以下で含む純水（超純水）を用いて霧状シャワーを施すことが望ましい。上記のようなレベルの微小パーティクルは付着すると特に除去することが難しくなるが、このように、微小パーティクルの数が非常に少なくなるように管理された純水を用いて霧状シャワーを施すようにすれば、洗浄前のパーティクルの付着を一層抑制することができる。
なお、霧状シャワーに限らず、低圧シャワー、あるいは図１に示した、仕上げ研磨後、４０秒以内に洗浄槽に投入する間に通常のシャワーを行う場合でも、上記のような超純水を用いてシャワーを行うことが好ましい。
【００３３】
以上のような低圧シャワーや霧状シャワーは、研磨後、時間的短縮が難しい場合に特に有効である。すなわち、研磨後、従来と同様に、カセット収納、ストック槽保管、搬送を行う場合であっても、各工程間において、低圧シャワー及び霧状シャワーのうち少なくとも１種類のシャワーを施すことで、ウエーハの表面を覆う研磨剤を乾かすことなく、かつ、水圧等による研磨剤の除去が行われず、表面全体が研磨剤で覆われた状態を長時間保つことができる。そして、このようにして仕上げ研磨後のウエーハ表面を研磨剤で覆った状態で１次洗浄へ送ることで、パーティクルの付着を著しく低減させることができ、また、不均一なエッチングを防ぐことができる。
【００３４】
なお、低圧シャワーや霧状シャワーを長時間行った場合、その時間の長さによってはウエーハ表面の研磨剤が完全に除去されてしまう場合もある。このような場合は研磨剤が除去された後、速やかに（４０秒以内）洗浄槽に投入するようにすることでパーティクルの付着を低減することができる。
【００３５】
【実施例】
以下、本発明の実施例及び比較例について説明する。
（実施例１）
図７に示すような片面研磨装置を用い、直径２００ｍｍのシリコンウエーハの研磨（仕上げ研磨）を行った。この研磨工程では、研磨剤としてコロイダルシリカを含有したアルカリ溶液を使用した。
研磨後、プレートからウエーハを剥がし、シャワーを施すことなく、直接、洗浄槽にウエーハを投入した。研磨後、洗浄前のウエーハ表面を観察したところ、研磨剤が均一に付着しており、研磨後のウエーハの表面は研磨剤で覆われた状態で洗浄工程に送られて洗浄槽に投入されたことになる。なお、ウエーハを研磨布から離脱させてから洗浄槽に投入するまでの時間は約３５秒であった。
【００３６】
洗浄工程では、ＳＣ−１液（アンモニア、過酸化水素及び水の混合液）を用いて、２０分間洗浄を行った。洗浄後、ウエーハの表面上のパーティクルとして、サイズが０．０６５μｍ以上のパーティクル数をパーティクルカウンターで測定したところ、約２５個／ウエーハ（密集なし）であった。
【００３７】
（比較例１）
実施例１と同様に研磨されたウエーハを、図５に示す従来の方法で処理した。具体的には、研磨終了後、プレートからウエーハを剥がし、カセットにウエーハを収納後、保管用水（ストック槽）に３０分間保管し、その後搬送（約２分）されて洗浄工程へと送られた。なお、研磨、カセット収納、ストック槽保管、搬送、及び洗浄の各工程間でシャワーを施した。シャワーリングは、水圧をノズル径５ｍｍに対して５ＭＰａとし、各工程間で１分程度行った。ウエーハを研磨布から離脱させてから洗浄槽に投入するまでの時間は約４０分であった。なお、洗浄前にウエーハ表面を観察したところ、研磨剤が付着していない部分が見られた。
【００３８】
洗浄工程では、実施例１と同様に洗浄を行った。洗浄後、ウエーハの表面上のパーティクルとして、サイズが０．０６５μｍ以上のパーティクル数を測定したところ、約１０００個／ウエーハ（密集なし）であった。
【００３９】
（実施例２）
実施例１と同様に研磨されたウエーハを図３に示すような工程で処理した。
具体的には、研磨、カセット収納、ストック槽保管、搬送、及び洗浄の各工程は従来と同様に行ったが、各工程間では霧状のシャワーを施した。霧状のシャワーは図４に示すようなもので、霧状シャワーに使用するノズルの形状（噴射角）を約１５０°とし、噴出口より噴出される純水の粒径が１μｍ〜５００μｍの範囲となる霧状とした。
実施例１と同様に洗浄を行った後、ウエーハの表面上のパーティクルとして、サイズが０．０６５μｍ以上のパーティクル数を測定したところ、約３０個／ウエーハ（密集なし）であった。
【００４０】
（実施例３）
シャワーに使用する水として、超純水のようなグレードの高い水を使い、さらに、純水の経路に（ユースポイント近辺）微小パーティクルを除去できる濾過径のフィルターを設けた。これにより、０．１μｍ以上の大きさを有するパーティクル個数が１００個／リットル以下で含む純水となるようにした。
仕上げ研磨後の試料ウエーハに対し、上記条件で処理した純水を用いて実施例２と同様の霧状シャワーを施し、ウェット状態を維持したまま洗浄工程に投入して洗浄を行った。
【００４１】
実施例１と同様に洗浄を行った後、ウエーハの表面上のパーティクルとして、サイズが０．０６５μｍ以上のパーティクル数を測定したところ、約２５個／ウエーハ（密集なし）であった。すなわち、純水中の微小パーティクルを低減した霧状シャワーにより、ウエーハ表面上のパーティクルをさらに低減させることができることが分かった。
【００４２】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００４３】
例えば、仕上げ研磨後、ウエーハを洗浄槽に投入するまでの時間を４０秒以内とするとともに、その間、研磨後のウエーハに対して霧状のシャワーを施すこともできる。これにより、時間の短縮とパーティクルの低減を同時に達成することができ、極めて効率的である。
また、上記実施形態では、シリコンウエーハを片面研磨装置で研磨する場合について説明したが、シリコンウエーハに限らず、他の半導体ウエーハにも適用することができるし、また、両面研磨したウエーハについても適用することができることは言うまでもない。
【００４４】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、ウエーハの研磨後、洗浄を行うまでの間の各工程を省いて時間を極めて短縮することで洗浄後の微小パーティクルの付着を大幅に低減させることができるとともに、局所的なエッチング作用による表面粗さを悪化させた部位のない清浄なウエーハを製造することができる。また、ウエーハの研磨後、洗浄を行うまでの間の各工程を省かなくても、霧状シャワーもしくは低圧シャワーを施してウエーハの表面を覆う研磨剤の部分的な除去を防ぐようにすることで、上記と同様に清浄なウエーハを製造することができる。そして、このようにウエーハ表面のパーティクルの付着や局所的なエッチングが大幅に低減される結果、デバイスの歩留りを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体ウエーハの製造方法の一例を示す説明図である。
【図２】本発明に係る半導体ウエーハの製造方法の別の例を示す説明図である。
【図３】本発明に係る半導体ウエーハの製造方法のさらに別の例を示す説明図である。
【図４】本発明に係る霧状のシャワーの例を示す概略図である。
【図５】従来の半導体ウエーハの製造方法を示す説明図である。
【図６】従来のシャワーの例を示す概略図である。
【図７】片面研磨装置の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
１…シャワー本体、 ２…純水、 １１…シャワー本体、 １２…純水、
３０…定盤、 ３１…片面研磨装置、 ３２…研磨布、 ３３…研磨プレート、
３４…研磨液供給ノズル、 ３９…研磨剤。
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンウエーハ等の半導体ウエーハ（以下単に「ウエーハ」ということもある。）の製造方法に関し、特に仕上げ研磨工程後、洗浄工程までの処理に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、メモリーデバイスなどに用いられる半導体基板材料としてシリコンウェーハが製造されている。シリコンウエーハの製造は、主に、チョクラルスキー（Czochralski；CZ）法や浮遊帯域溶融（Floating Zone；FZ）法等を使用して単結晶インゴットを製造する単結晶成長工程と、この単結晶インゴットをスライスし、少なくとも一主面を鏡面状に加工するウエーハ製造（加工）工程から構成されている。そして、鏡面状にされたウエーハは、デバイス製造工程において、主面にデバイスが形成されることになる。
【０００３】
ウエーハ製造（加工）工程についてさらに詳しく説明すると、単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウエーハを得るスライス工程と、スライス工程によって得られたウエーハの割れ、欠けを防止するためにその外周部を面取りする面取り工程と、ウエーハを平坦化するラッピング工程と、面取り及びラッピングされたウエーハに残留する加工歪みを除去するエッチング工程と、そのウエーハの表面を研磨して鏡面化する研磨（ポリッシング）工程と、研磨されたウエーハの表面に付着した研磨剤や異物を除去する洗浄工程等から構成される。なお、これらの工程は主な工程を示したもので、他に熱処理工程が加わったり、工程順を入れ換えたり、同じ工程を多段で行なう場合もある。例えば、研磨工程では、１次、２次、仕上げと３段程度の研磨が行われるのが通常であり、洗浄工程についても、１次洗浄、仕上げ洗浄など複数段行われている。
【０００４】
研磨工程では、研磨装置を用い、定盤に貼り付けた研磨布を回転させながら研磨布に研磨剤（研磨液）を供給するとともに、研磨布にエッチング済みのシリコンウエーハを適切な圧力で接触（摺接）させて研磨を行う。この際、研磨剤としては、コロイダルシリカを含有したアルカリ溶液が一般的に用いられている。このような研磨剤を研磨布とシリコンウエーハの接触面に供給することにより、研磨剤とシリコンウエーハがメカノケミカル作用を起こし研磨が進行する。
【０００５】
研磨装置には様々な形態のものが用いられており、例えば、１つの研磨ヘッド（研磨プレート）に複数枚のウエーハを保持した状態で研磨するバッチ式のもの、あるいは１つの研磨ヘッドに１枚のウエーハを保持して研磨する枚様式のものなどがある。また、ウエーハの保持方法も、真空吸着により保持するもの、ワックスにより貼り付けるもの、水の表面張力等を利用して貼り付けるものなど種々の形態がある。
【０００６】
現状では、主に図７に示すような形態の装置３１が使われている。この研磨装置３１では、複数のウエーハＷをワックスを用いて研磨プレート３３に貼り付け、定盤３０に貼り付けた研磨布３２を回転させるとともに研磨液供給ノズル３４から研磨布３２上に研磨剤３９を供給する。このようにしてウエーハＷを研磨布に摺接させることでウエーハの片面を鏡面状に仕上げることができる。
なお、上記のような研磨装置３１はウエーハを片面ずつ研磨する、いわゆる片面研磨装置であるが、上下の定盤を具備し、各定盤に貼り付けられた上下の研磨布でウエーハを挟んで両面を同時に研磨する両面研磨装置もある。
【０００７】
上記のように研磨された後のウエーハの表面は活性面（疎水性）となり、微粒子（パーティクル）が付着し易くなる。ウエーハの表面にパーティクルが付着すると、デバイス製造工程での歩留りが低下することから、ウエーハ表面へのパーティクルの付着を低減するとともに、付着したパーティクルを除去することが必要とされている。
また、仕上げ研磨直後のウエーハ研磨面（活性面）に付着している研磨剤等が乾燥し、凝固してしまうと、次の洗浄工程において表面の研磨剤や他の異物などが除去し難くなる。
【０００８】
そこで、従来では、研磨剤の乾燥等を防止するためウエーハ表面のウェット状態を保持することとし、研磨工程後、洗浄工程までの間でシャワーリングが行われている。図５は従来の研磨工程から洗浄工程にかけて行われる作業のフローを示したものである。例えば、ウエーハをワックスでプレートに貼り付けて研磨を行う場合、研磨終了後、プレートからウエーハを剥がし、一旦カセットに収納され、保管用水とよばれる水槽中（ストック槽）に保管される。その後、ウエーハは洗浄工程に搬送され、洗浄（１次洗浄）が行われる。そして、これらの収納、保管、搬送の各工程間で、ウエーハに対し、図６に示すようなシャワー本体１１から一定の水圧（例えば、ノズル径０．１〜２０ｍｍに対し、数ＭＰａ〜１０ＭＰａ程度）で純水１２を噴きつけてシャワーリングが行われる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上記のようにシャワーリングを行って、ウエーハの表面から研磨剤を部分的にあるいは全体的に除去し、その後、洗浄工程において洗浄を行ってもウエーハの表面に多数のパーティクルが残存したり、局所的なエッチング作用により表面粗さが悪化して、デバイス製造工程での歩留りが低下するという問題があった。
【００１０】
そこで本発明では、シリコンウエーハ等の半導体ウエーハの表面へのパーティクルの付着を低減するとともに、局所的なエッチングを防ぐことができるウエーハの製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、本発明によれば、少なくとも、定盤に貼り付けた研磨布を回転させながら該研磨布に研磨剤を供給するとともに、前記研磨布に半導体ウエーハを摺接させることにより仕上げ研磨を行う仕上げ研磨工程と、前記仕上げ研磨された半導体ウエーハを洗浄槽に投入して洗浄を行う洗浄工程とを有する半導体ウエーハの製造方法において、前記半導体ウエーハを仕上げ研磨した後、４０秒以内に前記洗浄槽に投入することを特徴とする半導体ウエーハの製造方法が提供される。
【００１２】
このように、仕上げ研磨終了後、洗浄（１次洗浄）を開始するまでの時間を４０秒以内とすれば、その間、シャワー洗浄を行うか否かにかかわらずパーティクルはほとんど付着せず、その後の洗浄工程において表面から研磨剤等も除去される。これにより、研磨剤やパーティクルの付着（洗浄残り）が極めて少なく、局所的なエッチング作用による表面粗さを悪化させた部位のない清浄なウエーハを製造することができる。また、研磨から洗浄までの時間が短縮されるので、全体の製造時間も短くなり、生産性が向上するという利点もある。
【００１３】
なお、仕上げ研磨から洗浄までの時間は、その間の工程や、特に研磨工程の装置形態等により許容される時間が異なり、４０秒以上かかったとしてもパーティクルがそれほど増えない場合もある。しかし、例えば研磨装置自体に簡単な洗浄機構が存在するなどパーティクルが生じ易い場合には、特に時間的な管理が重要であり、仕上げ研磨終了後、又はカセット収納後から洗浄槽に投入するまでの時間をできるだけ短くする必要がある。そこで、特に仕上げ研磨終了後から洗浄槽に投入するまでの時間を４０秒以下とすれば、どのような工程や研磨装置を用いてもパーティクルの発生を効果的に抑えることができる。
【００１４】
また、本発明によれば、少なくとも、定盤に貼り付けた研磨布を回転させながら該研磨布に研磨剤を供給するとともに、前記研磨布に半導体ウエーハを摺接させることにより仕上げ研磨を行う仕上げ研磨工程と、前記仕上げ研磨された半導体ウエーハを洗浄槽に投入して洗浄を行う洗浄工程とを有する半導体ウエーハの製造方法において、前記仕上げ研磨された半導体ウエーハを、表面が研磨剤で覆われた状態で前記洗浄槽に投入することを特徴とする半導体ウエーハの製造方法が提供される。
【００１５】
このように、仕上げ研磨された半導体ウエーハを、表面が研磨剤で覆われた状態で洗浄槽に投入すれば、研磨後、洗浄槽に投入されるまでの間、研磨剤が保護膜のようにウエーハの全面を覆っているので、パーティクルがウエーハの表面に直接付着するのを防ぐことができるとともに、局所的なエッチング作用を防ぐことができる。そして、洗浄工程でウエーハ全体から研磨剤等を除去することで、パーティクル等の付着が極めて少ない清浄なウエーハを得ることができる。
なお、従来、研磨剤は、研磨後なるべく早く除去することが望まれていたが、仕上げ研磨後はウエーハ表面に研磨剤が付着している方がパーティクルの付着を防止できるため、本発明ではあえて研磨剤が付着した状態を洗浄工程まで維持することとした。
【００１６】
これらの場合、前記半導体ウエーハを仕上げ研磨した後、直接、前記洗浄槽に投入するようにしても良い。
すなわち、研磨後のウエーハに対し、従来のようなストック槽保管やシャワーリングを行わず、直接、洗浄槽に投入すれば、研磨工程後、洗浄工程までの間、研磨剤がウエーハの全面を確実に覆って保護膜のように機能し、パーティクルの付着を防止することができる。また、作業時間も短くなり、生産性を一層向上させることができる。
【００１７】
また、前記仕上げ研磨工程後、洗浄工程に入る前に、前記仕上げ研磨された半導体ウエーハに対し、水を霧状にしたシャワー及び水圧をノズル径０．１〜２０ｍｍに対して０．２５ＭＰａ以下とした低圧のシャワーのうち少なくとも１種類のシャワーを施しても良い。
【００１８】
このように、仕上げ研磨された半導体ウエーハに対し、研磨工程後、洗浄工程までの間に霧状シャワーあるいは低圧シャワーを施せば、ウエーハ表面を覆っている研磨剤は徐々には除去されるものの、部分的に完全に除去してしまうことはなく、また、研磨剤の乾燥を防ぐことができる。従って、研磨剤が保護膜のように長時間機能するため、パーティクルの付着が防止される。また、洗浄工程に入る段階で、研磨剤や研磨カスが乾燥することなく、かつ、ある程度除去されているので、洗浄によってウエーハ表面の研磨剤等を容易に除去することができ、一層効率的となる。
【００１９】
さらに、この場合、前記シャワーする水として、０．１μｍ以上の大きさを有するパーティクルを１００個／リットル以下で含む純水を用いることが好ましい。
このように微小なパーティクルを極めて少ない量で含む純水を用いて霧状シャワー、あるいは低圧シャワーを施すことで、ウエーハに付着するパーティクルの数を一層低減させることができ、洗浄後極めて清浄なウエーハを得ることができる。
【００２０】
以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
本発明者らは、シリコンウエーハを製造する際、仕上げ研磨したウエーハに対して十分洗浄を行っても、ウエーハの表面に多数のパーティクルが残留したり、不均一にエッチングされる原因について鋭意検討を行った。そして、精査を重ねたところ、研磨後、洗浄工程に入るまでの間に、ウエーハの表面を覆っていた研磨剤が部分的に除去されてしまうことが主な原因であることが分かった。
【００２１】
すなわち、研磨ウエーハの表面を覆う研磨剤は、パーティクルの付着を防止する保護膜のように作用しており、洗浄工程に入るまでに施されるシャワーの条件（水圧等）によりウエーハの表面を覆っている研磨剤の一部が完全に除去され、その結果、研磨剤が除去された部分、すなわち、保護膜が剥がされた部分への微少パーティクルの付着が多くなり、洗浄工程で除去しきれない、といった不具合が生じてしまうこととなる。
そこで、本発明者らは、ウエーハを仕上げ研磨した後、洗浄槽に投入するまでの間、パーティクルの付着を防ぐことによって極めて清浄なウエーハを製造することができることを知見し、諸条件を見出すことにより本発明を完成させた。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る半導体ウエーハの製造方法に関し、実施の形態について具体的に説明する。なお、好適な態様として、シリコンウエーハに対し、片面研磨装置を用いて仕上げ研磨（以下単に「研磨」という場合がある。）を行った後、洗浄を行うまでについて説明する。
【００２３】
図１は、本発明の第一の態様を示したものである。図１に示すように、ウエーハを研磨した後、洗浄するまでの間、従来行われていた保管水（ストック槽）へのストック等を省略し、仕上げ研磨したウエーハを、直接、洗浄槽に投入する。
このとき、使用する研磨剤にもよるが、本発明者らが精査したところ、ウエーハを研磨布から離脱させた後、洗浄槽に投入するまでに４０秒を過ぎると、表面に付着している研磨剤が乾燥したり、不均一なエッチングが生じてしまうおそれがあることが分かった。そこで、ウエーハを仕上げ研磨した後、すなわち、ウエーハを研磨布から離脱させた後、４０秒以内に洗浄槽に投入するようにする。
【００２４】
このようにウエーハを研磨した後、短時間で洗浄槽に投入するには、例えば、仕上げ研磨装置と洗浄装置（洗浄槽）を合体させるか、あるいは隣接させた研磨・洗浄システムを採用すれば良い。このようなシステムを用いてウエーハの仕上げ研磨を行い、研磨を終了したウエーハをプレートから剥がして、ストック槽中で保管することなく、そのまま洗浄槽に投入する形態とすれば良い。
【００２５】
この場合、仕上げ研磨後、４０秒以内に洗浄槽に投入するのであれば、仕上げ研磨したウエーハに対して、洗浄槽に投入する前に、シャワーを行っても良いし、省略しても良い。例えば、研磨装置と洗浄装置との間にシャワー装置を設け、従来と同様のシャワーを施した場合、ウエーハの表面を覆っている研磨剤が部分的に除去されることになるが、ストック槽への保管等は行われずに非常に短い時間で洗浄槽に投入されるため、パーティクルはほとんど付着することがない。
【００２６】
このような流れにより、ウエーハを研磨した後、４０秒以内に洗浄槽に投入することができ、その間、パーティクルはほとんど付着することはないし、表面の研磨剤が乾燥し、固化してしまうこともない。また、研磨後、短時間で洗浄槽に投入されるので、表面に残留している研磨剤により局所的にエッチングされることもない。次いで、洗浄工程で洗浄されたウエーハは、研磨剤や研磨カス等の異物が全体から除去され、極めて清浄なウエーハとすることができる。
また、この態様では、研磨から洗浄までの時間が極めて短くなるので、生産性を向上させることにもなる。
【００２７】
図２は、本発明の他の態様を示したものである。ここでは、仕上げ研磨された半導体ウエーハに対し、研磨後、従来と同様に、カセット収納、ストック槽保管、搬送、洗浄の各工程を通過させても良いが、仕上げ研磨された半導体ウエーハを、表面全体が研磨剤で覆われた状態で洗浄槽に投入するようにする。
【００２８】
例えば、各工程間で低い水圧でシャワーを施すことで、表面全体が研磨剤で覆われた状態を保つことができる。具体的には、ノズル径０．１〜２０ｍｍに対して０．２５ＭＰａ以下とすれば、ウエーハに対して低い圧力で水がかかることになる。このような低圧シャワーを施せば、ウエーハ表面を覆っている研磨剤は全体的にある程度除去されるものの、部分的に除去されるのを防ぐことができる。従って、この態様では、研磨工程後、ウエーハの表面が濡れた研磨剤で覆われた状態を維持したまま洗浄工程へと送られて洗浄槽に投入されることになり、この間、研磨剤が保護膜のように作用し、ウエーハの表面に直接パーティクルが付着するのを防止することができる。
【００２９】
なお、仕上げ研磨された半導体ウエーハに対し、低圧シャワーを省略するとなると、洗浄工程に入る前にウエーハ表面上の研磨剤が乾燥し、固化してしまうおそがある。そこで、低圧シャワーを省略する場合は、搬送速度を上げるほか、作業エリア内を加湿することによって研磨剤が乾燥するのを防ぐようにすれば良い。
【００３０】
図３は、さらに別の態様を示したものであり、カセット収納、ストック槽保管、搬送、洗浄の各工程間において純水を霧状にしたシャワーを施すものである。霧状シャワーは、図４に示すように、シャワー本体１のノズルから純水２を霧状に噴出させるようにすれば良い。例えば、霧状シャワーに使用するノズルの形状（噴射角）を１０〜１８０°とし、噴出口より出る水の粒径が、１μｍ〜５００μｍの範囲となるようにすれば良い。
【００３１】
このように霧状シャワーを施せば、研磨剤はウエーハの表面からある程度流されるが、局所的に除去されてしまうことはなく、ウエーハの表面全体が、ウェット状態が維持されたまま、かつ研磨剤で覆われた状態で洗浄工程に送ることができる。そのため、たとえ研磨終了後４０秒経過したとしても、パーティクルの付着を防止できるとともに、研磨剤が乾燥して固化してしまうことも防ぐことができ、また、局所的なエッチングを引き起こすこともない。そして、次の洗浄工程において、研磨剤、研磨カス等を除去することで、極めて清浄なウエーハとすることができる。
【００３２】
なお、本発明で研磨後のウエーハに対してシャワーを行う場合には、パーティクルを極力含まない純水を使用することが好ましい。例えば、フィルターなどを使用して純水中の微小パーティクルも除去し、シャワーする水として、０．１μｍ以上の大きさを有するパーティクルを１００個／リットル以下で含む純水（超純水）を用いて霧状シャワーを施すことが望ましい。上記のようなレベルの微小パーティクルは付着すると特に除去することが難しくなるが、このように、微小パーティクルの数が非常に少なくなるように管理された純水を用いて霧状シャワーを施すようにすれば、洗浄前のパーティクルの付着を一層抑制することができる。
なお、霧状シャワーに限らず、低圧シャワー、あるいは図１に示した、仕上げ研磨後、４０秒以内に洗浄槽に投入する間に通常のシャワーを行う場合でも、上記のような超純水を用いてシャワーを行うことが好ましい。
【００３３】
以上のような低圧シャワーや霧状シャワーは、研磨後、時間的短縮が難しい場合に特に有効である。すなわち、研磨後、従来と同様に、カセット収納、ストック槽保管、搬送を行う場合であっても、各工程間において、低圧シャワー及び霧状シャワーのうち少なくとも１種類のシャワーを施すことで、ウエーハの表面を覆う研磨剤を乾かすことなく、かつ、水圧等による研磨剤の除去が行われず、表面全体が研磨剤で覆われた状態を長時間保つことができる。そして、このようにして仕上げ研磨後のウエーハ表面を研磨剤で覆った状態で１次洗浄へ送ることで、パーティクルの付着を著しく低減させることができ、また、不均一なエッチングを防ぐことができる。
【００３４】
なお、低圧シャワーや霧状シャワーを長時間行った場合、その時間の長さによってはウエーハ表面の研磨剤が完全に除去されてしまう場合もある。このような場合は研磨剤が除去された後、速やかに（４０秒以内）洗浄槽に投入するようにすることでパーティクルの付着を低減することができる。
【００３５】
【実施例】
以下、本発明の実施例及び比較例について説明する。
（実施例１）
図７に示すような片面研磨装置を用い、直径２００ｍｍのシリコンウエーハの研磨（仕上げ研磨）を行った。この研磨工程では、研磨剤としてコロイダルシリカを含有したアルカリ溶液を使用した。
研磨後、プレートからウエーハを剥がし、シャワーを施すことなく、直接、洗浄槽にウエーハを投入した。研磨後、洗浄前のウエーハ表面を観察したところ、研磨剤が均一に付着しており、研磨後のウエーハの表面は研磨剤で覆われた状態で洗浄工程に送られて洗浄槽に投入されたことになる。なお、ウエーハを研磨布から離脱させてから洗浄槽に投入するまでの時間は約３５秒であった。
【００３６】
洗浄工程では、ＳＣ−１液（アンモニア、過酸化水素及び水の混合液）を用いて、２０分間洗浄を行った。洗浄後、ウエーハの表面上のパーティクルとして、サイズが０．０６５μｍ以上のパーティクル数をパーティクルカウンターで測定したところ、約２５個／ウエーハ（密集なし）であった。
【００３７】
（比較例１）
実施例１と同様に研磨されたウエーハを、図５に示す従来の方法で処理した。具体的には、研磨終了後、プレートからウエーハを剥がし、カセットにウエーハを収納後、保管用水（ストック槽）に３０分間保管し、その後搬送（約２分）されて洗浄工程へと送られた。なお、研磨、カセット収納、ストック槽保管、搬送、及び洗浄の各工程間でシャワーを施した。シャワーリングは、水圧をノズル径５ｍｍに対して５ＭＰａとし、各工程間で１分程度行った。ウエーハを研磨布から離脱させてから洗浄槽に投入するまでの時間は約４０分であった。なお、洗浄前にウエーハ表面を観察したところ、研磨剤が付着していない部分が見られた。
【００３８】
洗浄工程では、実施例１と同様に洗浄を行った。洗浄後、ウエーハの表面上のパーティクルとして、サイズが０．０６５μｍ以上のパーティクル数を測定したところ、約１０００個／ウエーハ（密集なし）であった。
【００３９】
（実施例２）
実施例１と同様に研磨されたウエーハを図３に示すような工程で処理した。
具体的には、研磨、カセット収納、ストック槽保管、搬送、及び洗浄の各工程は従来と同様に行ったが、各工程間では霧状のシャワーを施した。霧状のシャワーは図４に示すようなもので、霧状シャワーに使用するノズルの形状（噴射角）を約１５０°とし、噴出口より噴出される純水の粒径が１μｍ〜５００μｍの範囲となる霧状とした。
実施例１と同様に洗浄を行った後、ウエーハの表面上のパーティクルとして、サイズが０．０６５μｍ以上のパーティクル数を測定したところ、約３０個／ウエーハ（密集なし）であった。
【００４０】
（実施例３）
シャワーに使用する水として、超純水のようなグレードの高い水を使い、さらに、純水の経路に（ユースポイント近辺）微小パーティクルを除去できる濾過径のフィルターを設けた。これにより、０．１μｍ以上の大きさを有するパーティクル個数が１００個／リットル以下で含む純水となるようにした。
仕上げ研磨後の試料ウエーハに対し、上記条件で処理した純水を用いて実施例２と同様の霧状シャワーを施し、ウェット状態を維持したまま洗浄工程に投入して洗浄を行った。
【００４１】
実施例１と同様に洗浄を行った後、ウエーハの表面上のパーティクルとして、サイズが０．０６５μｍ以上のパーティクル数を測定したところ、約２５個／ウエーハ（密集なし）であった。すなわち、純水中の微小パーティクルを低減した霧状シャワーにより、ウエーハ表面上のパーティクルをさらに低減させることができることが分かった。
【００４２】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、単なる例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００４３】
例えば、仕上げ研磨後、ウエーハを洗浄槽に投入するまでの時間を４０秒以内とするとともに、その間、研磨後のウエーハに対して霧状のシャワーを施すこともできる。これにより、時間の短縮とパーティクルの低減を同時に達成することができ、極めて効率的である。
また、上記実施形態では、シリコンウエーハを片面研磨装置で研磨する場合について説明したが、シリコンウエーハに限らず、他の半導体ウエーハにも適用することができるし、また、両面研磨したウエーハについても適用することができることは言うまでもない。
【００４４】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、ウエーハの研磨後、洗浄を行うまでの間の各工程を省いて時間を極めて短縮することで洗浄後の微小パーティクルの付着を大幅に低減させることができるとともに、局所的なエッチング作用による表面粗さを悪化させた部位のない清浄なウエーハを製造することができる。また、ウエーハの研磨後、洗浄を行うまでの間の各工程を省かなくても、霧状シャワーもしくは低圧シャワーを施してウエーハの表面を覆う研磨剤の部分的な除去を防ぐようにすることで、上記と同様に清浄なウエーハを製造することができる。そして、このようにウエーハ表面のパーティクルの付着や局所的なエッチングが大幅に低減される結果、デバイスの歩留りを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体ウエーハの製造方法の一例を示す説明図である。
【図２】本発明に係る半導体ウエーハの製造方法の別の例を示す説明図である。
【図３】本発明に係る半導体ウエーハの製造方法のさらに別の例を示す説明図である。
【図４】本発明に係る霧状のシャワーの例を示す概略図である。
【図５】従来の半導体ウエーハの製造方法を示す説明図である。
【図６】従来のシャワーの例を示す概略図である。
【図７】片面研磨装置の一例を示す概略図である。
【符号の説明】
１…シャワー本体、 ２…純水、 １１…シャワー本体、 １２…純水、
３０…定盤、 ３１…片面研磨装置、 ３２…研磨布、 ３３…研磨プレート、
３４…研磨液供給ノズル、 ３９…研磨剤。
Claims (1)
- 少なくとも、定盤に貼り付けた研磨布を回転させながら該研磨布に研磨剤を供給するとともに、前記研磨布に半導体ウエーハを摺接させることにより仕上げ研磨としてメカノケミカル研磨を行う仕上げ研磨工程と、前記仕上げ研磨された半導体ウエーハを洗浄槽に投入して洗浄を行う洗浄工程とを有する半導体ウエーハの製造方法において、前記仕上げ研磨された半導体ウエーハの被研磨面に対して、０．１μｍ以上の大きさを有するパーティクルを１００個／リットル以下で含む純水を用いて、水圧をノズル径０．１〜２０ｍｍに対して０．２５ＭＰａ以下とした低圧のシャワーを施し、前記仕上げ研磨後４０秒以内に、前記半導体ウェーハの前記被研磨面全体が研磨剤で覆われた状態で前記洗浄槽に投入することを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003018159A JP4467241B2 (ja) | 2003-01-28 | 2003-01-28 | 半導体ウエーハの製造方法 |
| PCT/JP2004/000679 WO2004068569A1 (ja) | 2003-01-28 | 2004-01-27 | 半導体ウエーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003018159A JP4467241B2 (ja) | 2003-01-28 | 2003-01-28 | 半導体ウエーハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004265906A JP2004265906A (ja) | 2004-09-24 |
| JP4467241B2 true JP4467241B2 (ja) | 2010-05-26 |
Family
ID=32820576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003018159A Expired - Lifetime JP4467241B2 (ja) | 2003-01-28 | 2003-01-28 | 半導体ウエーハの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4467241B2 (ja) |
| WO (1) | WO2004068569A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008091698A (ja) * | 2006-10-03 | 2008-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP5023146B2 (ja) * | 2007-04-20 | 2012-09-12 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置及びそのプログラム |
| JP5533355B2 (ja) * | 2010-07-01 | 2014-06-25 | 旭硝子株式会社 | 磁気記録媒体用ガラス基板、両面研磨装置、ガラス基板の研磨方法及びガラス基板の製造方法 |
| JP6377656B2 (ja) * | 2016-02-29 | 2018-08-22 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコン基板の研磨方法および研磨用組成物セット |
| KR20200130545A (ko) * | 2019-05-08 | 2020-11-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법 |
| JP2024027312A (ja) | 2022-08-17 | 2024-03-01 | 株式会社荏原製作所 | 情報処理装置、機械学習装置、情報処理方法、及び、機械学習方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07201786A (ja) * | 1994-01-05 | 1995-08-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体基板の研磨方法と研磨装置 |
| JP3132284B2 (ja) * | 1994-03-22 | 2001-02-05 | 三菱マテリアル株式会社 | ウエハの製造装置 |
| JP3426866B2 (ja) * | 1996-08-30 | 2003-07-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造装置および製造方法 |
| JP3464353B2 (ja) * | 1996-09-19 | 2003-11-10 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 薄板材供給装置 |
-
2003
- 2003-01-28 JP JP2003018159A patent/JP4467241B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-01-27 WO PCT/JP2004/000679 patent/WO2004068569A1/ja active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2004068569A1 (ja) | 2004-08-12 |
| JP2004265906A (ja) | 2004-09-24 |
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| A621 | Written request for application examination |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Request for written amendment filed |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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| A02 | Decision of refusal |
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|
| A521 | Request for written amendment filed |
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|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100223 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4467241 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130305 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140305 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
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