WO2007123032A1 - 縦型基板搬送装置および成膜装置 - Google Patents

縦型基板搬送装置および成膜装置 Download PDF

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carrier
substrate
film forming
chamber
posture
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PCT/JP2007/057968
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Hajime Nakamura
Mayako Taniguchi
Koji Ishino
Takaaki Shindou
Junichirou Tsutsui
Yukio Kikuchi
Kazuya Saitou
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Ulvac, Inc.
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Definitions

  • the present invention relates to a vertical substrate transfer apparatus and a film forming apparatus capable of performing transfer and film formation in a posture in which the substrate is substantially upright.
  • the substrate placed horizontally is subjected to stagnation and warpage due to its own weight, and it becomes difficult to perform accurate film formation immediately in terms of film thickness and flatness.
  • the size of the film forming apparatus becomes larger corresponding to the substrate area, and it becomes necessary to secure a considerable occupied space.
  • Patent Document 1 Patent No. 2948842
  • Patent Document 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-83997
  • the substantially upright posture of the substrate is maintained by supporting one side of the substrate by the carrier. It needs to be installed in the carrier.
  • the film formation surface is limited. Therefore, the film formation surface of the substrate is determined by the transport attitude of the substrate, and there is a problem that the film formation surface can not be changed while being transported.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and it is possible to form a film on any surface regardless of the transport posture of the substrate, and to support and transport the substrate without interfering with the non-film formation surface. It is an object of the present invention to provide a vertical substrate transfer apparatus and a film forming apparatus capable of
  • the vertical substrate transfer apparatus of the present invention is a vertical substrate transfer apparatus for transferring a substrate to a processing chamber in a substantially upright posture, and the surface of the substrate is shifted. And a posture conversion mechanism for converting the transport posture of the carrier, and a transfer chamber for storing the carrier whose posture has been converted and for transporting the carrier to the processing chamber.
  • the film formation surface can be changed while the substrate is being transported. Furthermore, it becomes possible to support the substrate without interfering the carrier on the non-film formation surface of the substrate. Therefore, even if the non-film formation surface has already been subjected to any treatment, the substrate can be properly supported regardless of the region where the treatment is applied, and the carrier can be adjusted according to the type of substrate. It is possible to prevent the increase in the device cost by eliminating the need to change the configuration of the device.
  • the structure of the carrier is not particularly limited, but preferably, it has a frame shape surrounding the periphery of the substrate, and a clamp mechanism for holding the edge of the substrate is provided on the inner peripheral side. This allows the substrate to be processably supported on either side of the substrate. Further, as the attitude change, it is possible to have a configuration having a rotation mechanism that rotates the carrier around the vertical axis.
  • the transfer chamber is preferably a load lock chamber for introducing a substrate into the processing chamber.
  • the processing chamber can be formed of various processing chambers such as a deposition chamber, an etching chamber, and a heat treatment chamber.
  • the film forming process is, for example, sputtering process or C VD processing etc. correspond.
  • the processing chamber can be configured of a film forming chamber provided with a sputtering cathode.
  • a film forming chamber provided with a sputtering cathode.
  • snow cathodes so as to face each other across the substrate
  • simultaneous film formation on both sides of the substrate can be performed.
  • two substrates can be formed simultaneously by forming the transfer chamber so that two substrates can be accommodated so that the respective film formation surfaces face each other.
  • FIG. 1 is a schematic configuration view of a film forming apparatus provided with a vertical substrate transfer mechanism according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a view for explaining a process of transferring a substrate to a carrier held in a loading unit in the film forming apparatus of FIG. 1;
  • FIG. 3 A side view of the carrier shown in FIG.
  • FIG. 4 is an enlarged view of an essential part for explaining one operation of the clamp mechanism of the carrier.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of an essential part showing an example of the configuration of a clamp mechanism.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the main parts showing another example of the configuration of the clamp mechanism.
  • FIG. 7 is a side view of an essential part of a carrier provided with the clamp mechanism of FIG.
  • FIG. 8 A sectional view of an essential part showing still another example of the configuration of a clamp mechanism.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the main parts showing still another example of the configuration of the clamp mechanism.
  • FIG. 10 is a side view of the main part of a carrier provided with the clamp mechanism of FIGS. 8 and 9;
  • FIG. 11 A process diagram for explaining one action of the film forming apparatus of FIG.
  • FIG. 12 is a side view showing a configuration example of a substrate.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a film forming apparatus 1 provided with a vertical substrate transfer mechanism according to an embodiment of the present invention. First, the configuration of the film forming apparatus 1 will be described.
  • the film forming apparatus 1 of the present embodiment is a large-area thin substrate (hereinafter simply referred to as “substrate”) such as a glass substrate for a liquid crystal display device or a large-sized maza-glass having a size capable of forming a plurality of the glass substrates. ) W is subjected to a predetermined film forming process.
  • the film forming apparatus 1 includes a loading unit 2, a first posture conversion unit 3, a film formation unit 4, a second posture conversion unit 5 and a removal unit 6, and transports the substrate W in a posture in which the substrate W is substantially upright in this order. Conveying line is configured.
  • the feeding unit 2 is installed in the atmosphere and horizontally mounted by a transfer mechanism (not shown).
  • the substrate W is placed upright and supplied to the transfer line.
  • a carrier 15 supporting the substrate W in a substantially upright posture stands by.
  • a sensor 16 for detecting the front and back of the substrate transferred to the carrier 15 is installed in the loading unit 2.
  • the carrier 15 transports the substrate W in the order of the first posture conversion unit 3, the film forming unit 4, the second posture conversion unit 5 and the extraction unit 6 while holding the substrate W in the upright posture, as described later. Do.
  • the first posture conversion unit 3 is installed in the atmosphere, and includes a first rotation mechanism 7 and a second rotation mechanism 8.
  • the first posture conversion unit 3 corresponds to the “posture conversion mechanism” of the present invention.
  • the first rotation mechanism 7 converts the traveling direction of the carrier 15 by 90 degrees and transports the carrier 15 to the second rotation mechanism 8.
  • the first rotation mechanism 7 converts the transport posture of the substrate W by rotating the carrier 15 around the vertical direction.
  • the first rotation mechanism 7 is configured to be rotatable in at least one of a rotation direction indicated by an arrow R1 in FIG. 1 and a rotation direction opposite to R1.
  • the carrier 15 transported to the first rotation mechanism 7 is configured to be stopped at the position of the rotation center C1 of the first rotation mechanism 7! .
  • the second rotation mechanism 8 further rotates the carrier 15 in the traveling direction by 90 degrees by rotating in the rotation direction indicated by the arrow R 2 around the vertical direction passing through the center C 2 and transports it to the film forming unit 4. .
  • the second rotation mechanism 8 is configured to be able to mount the carrier 15 whose attitude has been converted by the first rotation mechanism 7 in a two-row parallel state.
  • the center C2 of the second rotation mechanism 8 and the center C1 of the first rotation mechanism 7 are offset with respect to the carrier loading direction to the second rotation mechanism 8. Therefore, by rotating the second rotation mechanism 8 by 180 degrees, the loading positions of the two carriers can be individually adjusted to the extension of the unloading position of the first rotation mechanism 7.
  • Carriers 15, 15 whose postures have been converted such that the film formation surfaces of the substrate W face outward by the first rotation mechanism 7 are transported to the second rotation mechanism 8 as described later.
  • the second rotation mechanism 8 simultaneously transports the carriers 15 and 15 placed in two rows to the film forming unit 4.
  • the film forming unit 4 includes a first load lock chamber 9, a film forming chamber 10, and a second load lock chamber 11.
  • the first load lock chamber 9 is provided with gate valves (not shown) before and after the first load lock chamber 9 and is configured so that the inside can be depressurized to a predetermined degree of vacuum.
  • the first load lock chamber 9 is configured as the “transfer chamber” of the present invention, and the second rotation mechanism 8 to the carriers 15, 15 are arranged in parallel. After loading in the state, the gate valve on the inlet side is closed and the inside is depressurized to a predetermined degree of vacuum. After that, the gate valve on the outlet side is opened, and carriers 15, 15 are simultaneously transported to the film forming chamber 10 in two rows.
  • the film forming chamber 10 corresponds to the “processing chamber” of the present invention, and performs a film forming process on a predetermined surface of the substrate W supported by the carriers 15 and 15.
  • the film forming chamber 10 is formed of a sputtering chamber, and the inside is depressurized to a predetermined degree of vacuum.
  • a pair of sputter cathodes 10A and 10B are disposed as film forming sources on both sides in the direction of movement of the carriers 15 and 15.
  • the second load lock chamber 11 is provided with gate valves (not shown) before and after the second load lock chamber 11, and the inside of the second load lock chamber 11 is configured to be depressurizable to a predetermined degree of vacuum.
  • the inside is depressurized to a predetermined degree of vacuum, and after loading the carriers 15, 15 from the film forming chamber 10, the gate valve on the inlet side is closed and the inside is closed. Open to the atmosphere. Then, the gate valve on the outlet side is opened, and the carriers 15 and 15 supporting the film-formed substrate W are transported to the second posture conversion unit 5.
  • the second posture conversion unit 5 is installed in the atmosphere, and includes a third rotation mechanism 12 and a fourth rotation mechanism 13.
  • the third rotation mechanism 12 rotates the carrier 15, 15 in the traveling direction by 90 degrees by rotating in the rotation direction indicated by the arrow R3 around the vertical direction passing through the center C3 to the fourth rotation mechanism 13.
  • the third rotation mechanism 12 transports the carriers 15, 15 whose attitude has been changed with respect to the fourth rotation mechanism 13 one by one.
  • the center C3 of the third rotation mechanism 12 and the center C4 of the fourth rotation mechanism 13 are offset with respect to the carrier unloading direction from the third rotation mechanism 12. Therefore, by rotating the third rotation mechanism 12 by 180 degrees, it is possible to individually adjust the two carried-out carriers to the extension of the loading position of the fourth rotation mechanism 13.
  • the fourth rotation mechanism 13 converts the traveling direction of the carrier 15 by 90 degrees, and transports the carrier 15 toward the extraction unit 6.
  • the fourth rotation mechanism 13 converts the transport posture of the carrier 15 by rotating around the vertical direction passing through the center C4.
  • the carrier 15 conveyed to the fourth rotation mechanism 13 is configured to be stopped at the position of the rotation center C4 of the fourth rotation mechanism 13.
  • the fourth rotation mechanism 13 has a small rotational direction indicated by arrow R4 in FIG. 1 and a rotational direction opposite to R4. At least one of the two carriers 15 and 15 transported from the third rotation mechanism 12 is placed on the force transfer line at the take-out portion 6 by being configured to be rotatable at least on one side.
  • the take-out portion 6 is for taking out from the carrier 15 the film-formed substrate W which is installed in the atmosphere and supported in a substantially upright posture.
  • a transfer mechanism (not shown) for taking out the substrate W from the carrier 15 and letting it lie horizontally is installed in the takeout portion 6. This transfer mechanism has the same configuration as the transfer mechanism installed in the charging unit 2
  • FIG. 2 shows a schematic configuration of the transfer mechanism.
  • the transfer mechanism 17 has a grid shape, and a plurality of in-plane grid points are provided with suction nozzles 18 capable of vacuum suction on one main surface of the substrate W (FIG. 2A).
  • the transfer mechanism 17 is configured to be rotatable about a predetermined one side, and makes the substrate W supported by suction horizontally stand upright or converts the upright attitude into a laid attitude as well. ( Figure 2B, C).
  • One transfer mechanism 17 having such a configuration is installed in each of the loading section 2 and the unloading section 6.
  • the carrier 15 that transfers the substrate W with the transfer mechanism 17 supports any surface of the substrate W so as to be processable (film formation in the present embodiment).
  • the carrier 15 has a frame shape surrounding the periphery of the substrate W, and is provided with a clamp mechanism 20 for clamping the edge of the substrate W on the inner peripheral side (FIG. 2C).
  • the clamp mechanism 20 may clamp four sides of the substrate W, as shown in FIG. 3, which is configured to be able to clamp the upper and lower edges of the rectangular substrate W.
  • the clamp mechanism 20 may be configured to continuously clamp along the edge of the substrate W, or may be configured to clamp one edge of the substrate W at a plurality of places.
  • FIG. 4 shows one configuration example of the clamp mechanism 20.
  • the clamp mechanism 20 has a pair of clamp claws 20a and 20b on the inner peripheral side of the carrier 15.
  • the clamp mechanism 20 is operated by pressing the operation parts 21a and 21b provided corresponding to the clamp claws 20a and 20b.
  • the claws 20a, 20b are configured to be openable and closable.
  • the clamp claws 20a and 20b to be opened and closed can be arbitrarily determined by the selection operation of the operation parts 21a and 21b, and the substrate W can be delivered even from the direction of displacement.
  • FIG. 5A and 5B are cross-sectional views of an essential part showing an example of a specific configuration of the clamp mechanism 20.
  • FIG. 1 In the illustrated clamp mechanism 20-1, it is assumed that the opening and closing state of one clamp 20a is shown.
  • the other clamp mechanism 20b is also opened and closed by the same mechanism.
  • first shaft portions 31a, 31b for rotatably supporting the clamp claws 20a, 20b are provided.
  • the clamp claws 20a and 20b are substantially triangular in cross section, and the first shaft portions 31a and 31b respectively support the apexes outside the clamp claws 20a and 20b.
  • Longitudinal holes 33a, 33b are respectively formed at the inner top portions of the clamp claws 20a, 2Ob, and one end of each of the shaft-like operating members 21a, 21b is formed through the second shaft portions 32a, 32b in these long holes. Is connected.
  • the operation members 21a and 21b pass through the carrier base 15B across the inner and outer peripheral edge portions, and pressing the operation members 21a and 21b in the axial direction moves the clamp claws 20a and 20b to the first shaft portion 31a. , 31b (Fig. 5B).
  • panel members 34a, 34b are accommodated which bias the operation members 21a, 21b toward the outer peripheral edge 15B2 of the carrier base 15B.
  • the panel members 34a, 34b bias the clamp claws 20a, 20b to the clamp position shown in FIG. 5A when the pressing operation on the operation members 21a, 21b is released.
  • FIGS. 5A and 5B are cross-sectional views of the main parts showing another specific example of the configuration of the clamp mechanism 20.
  • an opening / closing mechanism of one of the pair of clamp claws 20a and 20b is shown.
  • the clamp claw 20b is pivotally supported by one end of the operation member 21b, and is turned to the open position shown in FIG. 6B against the biasing force of the panel member 34b by pressing operation of the operation member 21b in the axial direction. Be done.
  • the input operation of the pressing force on the operation member 21b is also performed via the operation window 35b on the upper surface side of the carrier base 15B in the drawing.
  • the input direction of the pressing force is not limited to the axial direction of the operation member 21b as shown in FIG. 6B, and for example, a mechanism shown in FIG. 6C may be adopted.
  • a guide block 36 having a triangular cross section is attached to the input side end of the operating member 21b, and the operating force input in the direction perpendicular to the axial direction of the operating member 21b is converted in the axial direction of the operating member 21b.
  • a plurality of clamp mechanisms 20-2 having the above-described configuration are incorporated in the carrier base 15B.
  • the clamp claws 20a and 20b are opened and closed by the plurality of clamp mechanisms 20-2.
  • the force on the clamp claw side of the one side can also be attached and detached.
  • FIG. 7 by alternately arranging a clamp mechanism for rotating one clamp claw and a clamp mechanism for rotating the other clamp claw, both clamp claws 20a and 20b can be rotated together. Therefore, the substrate can be attached and removed on either side of these clamp claws.
  • the clamp mechanism 20-2 having the operation member 21a shows a clamp mechanism for rotating the clamp claw 20a
  • the clamp mechanism 20-2 having the operation member 21b shows a clamp mechanism for rotating the clamp claw 20b.
  • the operation window 35 is formed so as to penetrate the carrier base 15B so that the operation members 21a and 21b can also operate the both side force of the carrier base 15B.
  • clamp bodies 37a and 37b for supporting the clamp claws 20a and 20b are configured to be rotatable around pivots 39a and 39b, and among the clamp bodies 37a and 37b, By turning any force by the operating member 40, the clamp claws 20a and 20b are operated to open and close.
  • FIGS. 8A and 8B show the configuration of a clamp mechanism 20-3 for opening and closing operation of the clamp claw 20b, and the pivot shaft 39b is integrally coupled with the clamp body 37b.
  • FIGS. 9A and 9B show the configuration of a clamp mechanism 20-3 for opening and closing the clamp claw 20a, and the pivot shaft 39a is integrally coupled to the clamp body 37a.
  • the torsion panels 41a and 41b are respectively attached to the pivoting shafts 39a and 39b, and the clamp bodies 37a and 37b are attached in the direction opposite to the direction in which the clamp bodies 37a and 37b rotate. I'm upset.
  • the clamp claws 20a and 20b return to the original closed position by the biasing force of the totion panels 39a and 39b.
  • the clamp claws are moved to the side where they move.
  • the board can be removed and attached.
  • the substrate W is transferred onto the carrier 15.
  • FIGS. 2A to 2C show a process of transferring the substrate W to the carrier 15.
  • the substrate W is placed on the transfer mechanism 17 in a posture lying horizontally in the horizontal direction (FIG. 2A). At this time, the deposition surface of the substrate W is directed to the upper surface side.
  • the transfer mechanism 17 sucks the lower surface side of the substrate W by the suction nozzle 18, and then turns it 90 degrees to make the substrate W stand upright (FIG. 2B).
  • Carrier 15 stands by at the feeding section 2.
  • the transfer mechanism 17 transfers the substrate W on the carrier 15 standing by at the loading unit 2 in a substantially upright posture.
  • the clamp mechanism 20 of the carrier 15 opens only the clamp claw 20 a on the side to which the substrate W is transferred, as shown in FIG. 3A. Introduce the substrate W into the inside. After the substrate W is disposed inside the carrier 15, the clamp claws 20a are closed to clamp the edge of the substrate W. Thereafter, the suction operation by the suction nozzle 18 is released, and the transfer mechanism 17 rotates to the original position (FIG. 2C).
  • the substrate W transferred to the carrier 15 in the loading unit 2 is subjected to posture conversion via the first posture conversion unit 3 and conveyed to the film forming unit 4.
  • 11A to 11C show an example of the attitude conversion process of the substrate W (carrier 15) in the first attitude conversion unit 3.
  • the first posture conversion unit 3 transports the carrier 15 supplied to the transport line in a single row from the loading unit 2 to the film forming unit 4 in two rows in parallel, and is supported by the carriers 15 and 15 arranged in parallel.
  • the film formation surface Wa of the substrate W is disposed to face the sputtering cathodes 10A and 10B of the film formation chamber 10, respectively.
  • the substrate W transferred to the carrier 15 in the loading section 2 has its film formation surface directed downward in the drawing.
  • the first rotation mechanism 7 rotates 90 degrees in the R1 direction.
  • the substrate W rotates with the carrier 15, and posture conversion is performed so that the film formation surface Wa is positioned on the left side in the drawing.
  • the carrier 15 whose attitude has been converted is conveyed to the second rotation mechanism 8.
  • the second rotation mechanism 8 rotates 180 degrees in the R2 direction.
  • the next carrier 15 to which the substrate W has been transferred in the loading unit 2 is transported to the first rotation mechanism 7.
  • the first rotation mechanism 7 rotates the substrate W together with the carrier 15 by rotating 90 degrees in the R1 direction so that the film forming surface Wa is positioned on the left side in the drawing. Convert.
  • the carrier 15 whose attitude has been changed is conveyed to the second rotation mechanism 8.
  • a carrier 15 supporting the substrate W whose film forming surface Wa is located on the left side in the drawing and a substrate W whose film forming surface Wa is located on the right side in the drawing are supported.
  • Carriers 15 are mounted in parallel in two rows. In this state, the second rotation mechanism 8 rotates in the R 2 direction to simultaneously rotate these carriers 15 and 15 by 90 degrees as shown in FIG.
  • the pair of carriers 15, 15 transported to the film forming unit 4 are transported to the film forming chamber 10 with the film forming surfaces of the substrate W facing the sputtering cathodes 10A and 10B, respectively, and are simultaneously formed into a film. After the film formation, the carriers 15 and 15 are transported to the second posture conversion unit 5.
  • the second posture conversion unit 5 converts the postures of the carriers 15 and 15 stored at the same time in two rows, and transports the single rows to the extraction unit 6.
  • the third rotation mechanism 12 rotates in the R3 direction to simultaneously rotate the pair of carriers 15 and 15 by 90 degrees, and then toward the fourth rotation mechanism 13 as the carrier.
  • Transport 15 single rows at a time.
  • the fourth rotation mechanism 13 first mounts the carrier 15 positioned on the right side on the third rotation mechanism 12 in FIG. 1, and then rotates in the R4 direction to turn the film forming surface Wa of the substrate W downward in the figure. Transport it toward the unloader 6.
  • the carrier 15 is directed to the fourth rotation mechanism 13 and the carrier 15 is transported.
  • the fourth rotation mechanism 13 receives the carrier 15, the fourth rotation mechanism 13 rotates in the R4 direction and conveys the film-forming surface Wa of the substrate W toward the lower side in the drawing toward the extraction unit 6.
  • the take-out unit 6 receives the film-formed substrate W from the carrier 15, and transports it to the next process in a posture lying horizontally.
  • the removal of the substrate W is performed using the above-described transfer mechanism 17, and the substrate W is received from the carrier 15 in an operation reverse to the operation shown in FIG.
  • the empty carrier 15 is transported to the loading unit 2 and the substrate W is transferred at the loading unit 2. Thereafter, the same operation as described above is repeated.
  • the substrate supplied in the loading section 2 is In the first posture conversion unit 3 which is not related to the posture of W, any one surface can be transported to the film forming chamber 10 as a film formation surface.
  • the processing surface of the substrate W can be arbitrarily changed during transport, the substrate W is transported in parallel with the film forming chamber 10 so that the processing surfaces face each other. It is possible.
  • productivity can be improved.
  • the carrier 15 capable of double-sided film formation and the rotational direction of the first rotation mechanism 7 regardless of whether the film formation surface of the substrate W conveyed to the loading unit 2 is the upper or lower side.
  • the film formation surface can be made to face the film formation source.
  • the carrier 15 includes the clamp mechanism 20 that clamps the edge of the substrate W, interference due to the contact between the non-film-forming surface of the substrate W and the carrier 15 can be avoided. Therefore, even if the non-film-forming surface of the substrate W has already been subjected to some processing, the non-film-forming surface is not damaged by the contact with the carrier.
  • FIG. 12 shows a configuration example of a substrate W to which a film forming process is performed using the film forming apparatus 1.
  • the substrate W shown is a color filter substrate for a liquid crystal display panel in which the color filter layer CF is formed on one side.
  • FIG. 12A shows an example in which an ITO (Indium Tin Oxide) layer 22 is formed as a transparent electrode layer on the color filter layer CF.
  • FIG. 12B shows an example in which an ITO layer 22 is formed on the color filter layer CF and on the back surface of the substrate W.
  • the substrate W is transferred onto the carrier 15 by the transfer mechanism 17 shown in FIG. 2 with the color filter layer CF at the top, the color filter layer CF and the transfer mechanism 17 Contact can be avoided, and after carrier transfer, it is possible to form a film on any of the color filter side and the back side of the substrate.
  • the sputtering chamber was described as the film forming chamber 10 by way of example.
  • the film forming method is not limited to the sputtering method, and other film forming methods such as the CVD method and the evaporation method. May.
  • a gas head for supplying a reaction gas, an evaporation source or the like corresponds.
  • the film formation chamber 10 may be configured by another processing chamber such as an etching chamber or a heat treatment chamber.
  • two substrates are transported to the film forming chamber 10 and film formation is performed on one side of each, but one substrate is transported to the film forming chamber 10, Both sides simultaneously Let me have a film.
  • the rotation direction of the substrate W by the first rotation mechanism 7 of the first posture conversion unit 3 may be determined based on the output of the sensor 16 that detects the front and back of the substrate W. As a result, regardless of the orientation of the film forming surface Wa of the substrate W, the transfer of the substrate W onto the carrier 15 becomes possible in the loading section 2.

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Abstract

　基板の搬送姿勢に関係なくいずれの面にも成膜が可能であり、非成膜面と干渉せずに基板を支持して搬送することが可能な縦型基板搬送装置および成膜装置を提供する。 本発明に係る成膜装置（１）は、基板（Ｗ）のいずれの面をも処理可能に支持するキャリア（１５）と、キャリア（１５）の搬送姿勢を変換する第１姿勢変換部（３）と、姿勢変換したキャリアを収容するとともに当該キャリアを成膜室（１０）へ搬送する搬送室（９）とを備えている。上記構成により、基板（Ｗ）の搬送姿勢に関係なく何れの面に成膜処理を施すことが可能となる。また、基板（Ｗ）の搬送途上で成膜面（Ｗａ）の変更が可能となる。更に、基板（Ｗ）の非成膜面にキャリア（１５）を干渉させることなく基板（Ｗ）を支持することが可能となる。

Description

縦型基板搬送装置および成膜装置
技術分野
[0001] 本発明は、基板を略直立させた姿勢で搬送および成膜を行うことが可能な縦型基 板搬送装置および成膜装置に関する。
背景技術
[0002] 近年、ディスプレイの大画面化に伴って、ディスプレイ用の基板の大型化が進めら れている。このような大型基板の搬送を従来の水平方式により取り扱うと種々の問題 に直面することになる。
[0003] 例えば、基板の大型化や薄型化により、水平載置された基板はその自重で橈みや 反りが生じやすぐ膜厚や平坦性において精密な成膜を行うことが困難となる。また、 基板面積に対応して成膜装置構造が大型化し、相当の占有スペースを確保する必 要性が生じる。
[0004] 一方、基板の片側をキャリアで支持し、基板を略直立させた状態で搬送する縦型搬 送方式も提案されている（例えば下記特許文献 1, 2参照)。この縦型搬送方式により 、基板の橈みや反りを抑えられるので、基板の大型化に対応できる。また、基板搬送 装置の占有スペースを低減できるという利点がある。
[0005] 特許文献 1：特許第 2948842号公報
特許文献 2：特開 2004— 83997号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0006] し力しながら、従来の縦型基板搬送装置においては、基板の片側をキャリアで支持 することで基板の略直立姿勢を保持する構成であるため、成膜面を揃えて基板をキ ャリアに設置する必要がある。また、キャリアに基板が支持された後は、成膜面が限ら れてしまう。従って、基板の成膜面が基板の搬送姿勢によって決定され、成膜面を搬 送途上で変更できな 、と 、う問題がある。
[0007] また、基板の両面に成膜を行うような場合、先に成膜が行われた基板の一方の面 力 他方の面の成膜時にキャリアで支持されることになるため、キャリアには上記一方 の面の成膜領域に接触しないような構成が必要となる。しかし、基板の種類によって 成膜領域は異なるため、これらの基板の種類に合わせてキャリアの構成を異ならせる ことは装置コストの上昇を招く。
[0008] 本発明は上述の問題に鑑みてなされ、基板の搬送姿勢に関係なく何れの面にも成 膜が可能であり、非成膜面と干渉せずに基板を支持して搬送することが可能な縦型 基板搬送装置および成膜装置を提供することを課題とする。
課題を解決するための手段
[0009] 以上の課題を解決するに当たり、本発明の縦型基板搬送装置は、基板を略直立さ せた姿勢で処理室へ搬送する縦型基板搬送装置であって、基板の 、ずれの面をも 処理可能に支持するキャリアと、キャリアの搬送姿勢を変換する姿勢変換機構と、姿 勢変換したキャリアを収容するとともに当該キャリアを処理室へ搬送する搬送室とを 備えている。
[0010] 上記構成により、基板の搬送姿勢に関係なく何れの面に成膜等の処理を施すこと が可能となる。また、基板の搬送途上で成膜面の変更が可能となる。更に、基板の非 成膜面にキャリアを干渉させることなく基板を支持することが可能となる。従って、非 成膜面に既に何らかの処理が施されているような場合であっても、当該処理が施され た領域に左右されることなく基板を適正に支持でき、基板の種類に合わせてキャリア の構成を変更する必要をなくして装置コストの上昇を防ぐことができる。
[0011] キャリアの構成は特に限定されないが、好適には、基板の周囲を囲む枠状を有する ととも〖こ、内周側に基板の縁部を挟持するクランプ機構を備える構成とされる。これに より、基板のいずれの面をも処理可能に基板を支持することができる。また、姿勢変 構としては、キャリアを鉛直軸のまわりに回転させる回転機構を有する構成とす ることがでさる。
[0012] 搬送室は、処理室へ基板を導入するためのロードロック室とするのが好ましい。これ により、処理室が真空雰囲気である場合、大気中で姿勢変換した基板を処理室へ効 率よく搬送することができる。この場合、処理室は、成膜室やエッチング室、熱処理室 などの各種処理室で構成することができる。成膜処理は、例えば、スパッタ処理や C VD処理などが該当する。
[0013] 処理室は、スパッタカソードを備えた成膜室で構成することができる。この場合、ス ノ ッタカソードは、基板を挟んで対向するように一対設けることで、基板両面の同時 成膜が可能となる。あるいは、基板を 2枚、各々の成膜面が互いに外向きとなるように 収容可能に搬送室を構成することで、 2枚の基板を同時成膜することができる。 発明の効果
[0014] 以上述べたように、本発明によれば、基板の搬送姿勢に関係なく何れの面にも成膜 が可能となる。また、非成膜面と干渉せずに基板を支持して搬送することが可能とな る。
図面の簡単な説明
[0015] [図 1]本発明の実施形態による縦型基板搬送機構を備えた成膜装置の概略構成図 である。
[図 2]図 1の成膜装置において仕込部に待機されたキャリアに対して基板を移載する 工程を説明する図である。
[図 3]図 2に示したキャリアの側面図である。
[図 4]キャリアのクランプ機構の一作用を説明する要部拡大図である。
[図 5]クランプ機構の構成の一例を示す要部の断面図である。
[図 6]クランプ機構の構成の他の例を示す要部の断面図である。
[図 7]図 6のクランプ機構を備えたキャリアの要部の側面図である。
[図 8]クランプ機構の構成の更に他の例を示す要部の断面図である。
[図 9]クランプ機構の構成の更に他の例を示す要部の断面図である。
[図 10]図 8及び図 9のクランプ機構を備えたキャリアの要部の側面図である。
[図 11]図 1の成膜装置の一作用を説明する工程図である。
[図 12]基板の一構成例を示す側面図である。
符号の説明
[0016] 1 成膜装置
2 仕込部
3 第 1姿勢変換部 4 成膜部
5 第 2姿勢変換部
6 取出部
7 第 1回転機構
8 第 2回転機構
9 第 1ロード、ロック室
10 成膜室
10A, 10B スパッタカソード
11 第 2ロード、ロック室
12 第 3回転機構
13 第 4回転機構
15 キャリア
17 移載機構
20, 20- 1, 20- 2, 20- 3 クランプ機構
22 透明電極層
W 基板
Wa 成膜面 発明を実施するための最良の形態
[0017] 以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
[0018] 図 1は本発明の実施の形態による縦型基板搬送機構を備えた成膜装置 1の概略構 成を示す平面図である。まず、成膜装置 1の構成について説明する。
[0019] 本実施形態の成膜装置 1は、液晶表示装置用のガラス基板あるいは当該ガラス基 板が複数枚とれる大きさのマザ一ガラス等の大面積の薄型基板 (以下単に「基板」と いう。）Wに対して、所定の成膜処理を施すためのものである。成膜装置 1は、仕込部 2、第 1姿勢変換部 3、成膜部 4、第 2姿勢変換部 5および取出部 6を備えるとともに、 これらの順に基板 Wを略直立させた姿勢で搬送する搬送ラインを構成している。
[0020] 仕込部 2は、大気中に設置され、図示しない移載機構によって水平方向に載置さ れた基板 Wを直立させて搬送ラインに供給するためのものである。仕込部 2には、基 板 Wを略直立させた姿勢で支持するキャリア 15が待機している。また、仕込部 2には 、キャリア 15に移載された基板の表裏を検出するセンサ 16が設置されている。キヤリ ァ 15は、後述するように、基板 Wの直立姿勢を保持した状態で第 1姿勢変換部 3、成 膜部 4、第 2姿勢変換部 5および取出部 6の順で、基板 Wを搬送する。
[0021] 第 1姿勢変換部 3は、大気中に設置され、第 1回転機構 7および第 2回転機構 8を 備えている。この第 1姿勢変換部 3は、本発明の「姿勢変換機構」に対応する。
[0022] 第 1回転機構 7は、キャリア 15の進行方向を 90度変換した後、第 2回転機構 8へ搬 送する。第 1回転機構 7は、キャリア 15を鉛直方向のまわりに回転させることで基板 W の搬送姿勢を変換する。そして、第 1回転機構 7は、図 1において矢印 R1で示す回 転方向と、 R1とは逆の回転方向のうち、少なくとも一方に回転可能に構成されている 。第 1回転機構 7へ搬送されたキャリア 15は、第 1回転機構 7の回転中心 C1の位置 で停止されるように構成されて！、る。
[0023] 第 2回転機構 8は、中心 C2を通る鉛直方向のまわりに矢印 R2で示す回転方向に 回転することで、当該キャリア 15の進行方向を更に 90度変換し成膜部 4へ搬送する 。第 2回転機構 8は、第 1回転機構 7によって姿勢変換されたキャリア 15を 2列並列状 態で収載可能に構成されている。第 2回転機構 8の中心 C2と、第 1回転機構 7の中 心 C1は、第 2回転機構 8へのキャリア搬入方向に対して、ずれている。この為第 2回 転機構 8を 180度回転させることにより 2箇所のキャリアの収載位置を個別に第 1回転 機構 7の搬出位置の延長に合わせることができる。第 2回転機構 8には、後述するよう に、第 1回転機構 7によって基板 Wの成膜面がそれぞれ外向きとなるように姿勢変換 されたキャリア 15, 15が搬送される。第 2回転機構 8は 2列に収載されたキャリア 15, 15を同時に成膜部 4へ搬送する。
[0024] 成膜部 4は、第 1ロードロック室 9と、成膜室 10と、第 2ロードロック室 11とで構成され ている。
[0025] 第 1ロードロック室 9は、その前後に図示しないゲートバルブがそれぞれ設置されて いるとともに、内部が所定の真空度に減圧可能に構成されている。第 1ロードロック室 9は本発明の「搬送室」として構成され、第 2回転機構 8からキャリア 15, 15を並列状 態で収載した後、入口側のゲートバルブを閉じて内部を所定の真空度に減圧する。 その後、出口側のゲートバルブを開けて成膜室 10へキャリア 15, 15を 2列同時に搬 送する。
[0026] 成膜室 10は、本発明の「処理室」に対応し、キャリア 15, 15に支持されている基板 Wの所定の面に対して成膜処理を行う。本実施形態では、成膜室 10はスパッタ室で 構成されており、内部が所定の真空度に減圧されている。成膜室 10には、キャリア 1 5, 15の進行方向の両側方に、成膜源として一対のスパッタカソード 10A, 10Bが配 置されている。
[0027] 第 2ロードロック室 11は、その前後に図示しないゲートバルブがそれぞれ設置され ているとともに、内部が所定の真空度に減圧可能に構成されている。第 2ロードロック 室 11は、内部が所定の真空度に減圧されて!、る状態にぉ 、て成膜室 10からキヤリ ァ 15, 15を収載した後、入口側のゲートバルブを閉じて内部を大気に開放する。そ して、出口側のゲートバルブを開放して、成膜処理した基板 Wを支持するキャリア 15 , 15を第 2姿勢変換部 5へ搬送する。
[0028] 第 2姿勢変換部 5は、大気中に設置され、第 3回転機構 12および第 4回転機構 13 を備えている。
[0029] 第 3回転機構 12は、中心 C3を通る鉛直方向のまわりに矢印 R3で示す回転方向に 回転することで、当該キャリア 15, 15の進行方向を 90度変換し第 4回転機構 13へ搬 送する。第 3回転機構 12は、第 4回転機構 13に対し、姿勢変換したキャリア 15, 15 をひとつずつ搬送する。第 3回転機構 12の中心 C3と、第 4回転機構 13の中心 C4は 、第 3回転機構 12からのキャリア搬出方向に対してずれている。この為第 3回転機構 12を 180度回転させることにより、 2つの搬出するキャリアを個別に第 4回転機構 13 の搬入位置の延長に合わせることができる。
[0030] 第 4回転機構 13は、キャリア 15の進行方向を 90度変換した後、取出部 6へ向けて 搬送する。第 4回転機構 13は、中心 C4を通る鉛直方向のまわりに回転させることで キャリア 15の搬送姿勢を変換する。第 4回転機構 13へ搬送されたキャリア 15は、第 4 回転機構 13の回転中心 C4の位置で停止されるように構成されている。第 4回転機 構 13は、図 1において矢印 R4で示す回転方向と、 R4とは逆の回転方向のうち、少な くとも一方に回転可能に構成されることで、第 3回転機構 12から搬送される 2つのキヤ リア 15, 15を取出部 6に向力 搬送ライン上に載せる。
[0031] 取出部 6は、大気中に設置され、略直立した姿勢で支持されている成膜処理済の 基板 Wをキャリア 15から取り出すためのものである。取出部 6には、キャリア 15から基 板 Wを取り出して水平方向に横臥させるための図示しな 、移載機構が設置されて 、 る。この移載機構は、仕込部 2に設置されている移載機構と同様の構成を備えている
[0032] 図 2は、上記移載機構の概略構成を示している。図 2において、移載機構 17は格 子形状を有し、その面内格子点の複数箇所には、基板 Wの一主面を真空吸着可能 な吸着ノズル 18が設けられている（図 2A)。移載機構 17は、所定の一辺側を軸にし て回動自在に構成されており、吸着支持した基板 Wを水平方向に横臥した姿勢から 直立させ、あるいは直立した姿勢力も横臥した姿勢に変換する（図 2B, C)。このよう な構成の移載機構 17は、仕込部 2と取出部 6にそれぞれ一台ずつ設置されている。
[0033] 移載機構 17との間で基板 Wの受け渡しを行うキャリア 15は、基板 Wのいずれの面 をも処理 (本実施形態では成膜)可能に支持する。特に本実施形態では、キャリア 15 は、基板 Wの周囲を囲む枠状を有するとともに、内周側に基板 Wの縁部を挟持する クランプ機構 20を備えている（図 2C)。クランプ機構 20は、矩形状の基板 Wの上縁 および下縁を挟持できるように構成されている力 図 3に示すように、基板 Wの 4辺す ベてを挟持するようにしてもよい。また、クランプ機構 20は、基板 Wの縁部に沿って連 続的に挟持する構成としてもよいし、基板 Wの一縁部を複数箇所で挟持する構成と してちよい。
[0034] 図 4はクランプ機構 20の一構成例を示している。クランプ機構 20は、キャリア 15の 内周側に一対のクランプ爪 20a, 20bを有しており、これらのクランプ爪 20a, 20bに 対応して設けられた操作部 21a, 21bの押圧操作によって、クランプ爪 20a, 20bが 開閉可能に構成されている。開閉させるクランプ爪 20a, 20bは、操作部 21a, 21bの 選択動作で任意に決定でき、基板 Wを 、ずれの方向からも受け渡しできるようになつ ている。
[0035] 図 5A, Bは、クランプ機構 20の具体的な構成の一例を示す要部の断面図である。 図示するクランプ機構 20 - 1にお 、ては、一方のクランプ 20aの開閉状態が示され ている力 他方のクランプ機構 20bにおいても同様な機構で開閉されるものとする。
[0036] キャリア 15の枠部を構成するキャリアベース 15Bの内周縁部 15B1には、クランプ 爪 20a, 20bを回動自在に支持する第 1軸部 31a, 31bが設けられている。図の例に おいてクランプ爪 20a, 20bは断面が略三角形状であり、第 1軸部 31a, 31bは当該 クランプ爪 20a, 20bの外側の頂点部分をそれぞれ支持している。クランプ爪 20a, 2 Obの内側の頂点部分は長孔 33a, 33bがそれぞれ形成されており、これらの長孔に 、軸状の操作部材 21a, 21bの一端が第 2軸部 32a, 32bを介して接続されている。
[0037] 操作部材 21a, 21bはキャリアベース 15Bをその内外周縁部にわたって貫通してお り、これら操作部材 21a, 21bの軸方向への押圧操作によって、クランプ爪 20a, 20b を第 1軸部 31a, 31bのまわりに回動させる（図 5B)。キャリアベース 15Bの内部には 、操作部材 21a, 21bをキャリアベース 15Bの外周縁部 15B2側へ付勢するパネ部材 34a, 34bが収容されている。パネ部材 34a, 34bは、操作部材 21a, 21bに対する 押圧操作が解除されているとき、クランプ爪 20a, 20bを図 5Aに示すクランプ位置に 付勢する。
[0038] 図 6A, Bは、クランプ機構 20の構成の他の具体例を示す要部の断面図である。な お、図において図 5A, Bと対応する部分については同一の符号を付し、その詳細な 説明は省略するものとする。
[0039] 図示するクランプ機構 20— 2においては、一対のクランプ爪 20a, 20bのうち一方 のクランプ爪 20bの開閉機構を示している。クランプ爪 20bは、操作部材 21bの一端 に軸支されており、当該操作部材 21bの軸方向への押圧操作によって、パネ部材 34 bの付勢力に抗して図 6Bに示す開放位置へ回動される。操作部材 21bに対する押 圧力の入力操作は、キャリアベース 15Bの図中上面側力も操作窓 35bを介して行わ れる。押圧力の入力方向は、図 6Bに示すように操作部材 21bの軸方向とする例に限 られず、例えば図 6Cに示す機構を採用してもよい。すなわち、操作部材 21bの入力 側端部に断面三角形状のガイドブロック 36を取り付け、操作部材 21bの軸方向と直 交する方向に入力された操作力を当該操作部材 21bの軸方向へ変換する。
[0040] 上述した構成のクランプ機構 20— 2は、キャリアベース 15Bに複数組み込まれ、こ れら複数のクランプ機構 20— 2によってクランプ爪 20a, 20bを開閉する。例えば、一 対のクランプ爪 20a, 20bのうち、一方のクランプ爪のみを回動させるクランプ機構だ け用いれば、当該一方側のクランプ爪側力も基板の着脱が行える構成となる。また、 図 7に示すように一方のクランプ爪を回動させるクランプ機構と他方のクランプ爪を回 動させるクランプ機構を交互に配置することで、両方のクランプ爪 20a, 20bがともに 回動可能となるので、これらクランプ爪のいずれの側においても基板の着脱が可能と なる。図 7において、操作部材 21aを有するクランプ機構 20— 2はクランプ爪 20aを 回動させるクランプ機構を示し、操作部材 21bを有するクランプ機構 20— 2はクラン プ爪 20bを回動させるクランプ機構を示している。また図 7の例では、これら操作部材 21a, 21bをキャリアベース 15Bの両側力も操作できるように、操作窓 35は、キャリア ベース 15Bを貫通するように形成されて!、る。
[0041] クランプ機構の構成の更に他の具体例を図 8〜図 10に示す。図示するクランプ機 構 20— 3は、クランプ爪 20a, 20bを支持するクランプ本体 37a, 37bが回動軸 39a, 39bの周りに回動自在に構成されており、これらクランプ本体 37a, 37bのうち何れ力 を操作部材 40によって回動操作することで、クランプ爪 20a, 20bを開閉操作するよ うに構成されている。
[0042] 図 8A, Bはクランプ爪 20bの開閉操作用のクランプ機構 20— 3の構成を示しており 、回動軸 39bはクランプ本体 37bと一体結合されている。図 9A、 Bはクランプ爪 20a の開閉操作用のクランプ機構 20— 3の構成を示しており、回動軸 39aはクランプ本体 37aに一体結合されている。図 10に示すように、回動軸 39a, 39bにはそれぞれトー シヨンパネ 41a, 41bがそれぞれ装着されており、クランプ本体 37a, 37bの回動操作 方向とは逆方向にクランプ本体 37a, 37bを付勢している。したがって、操作部材 40 によるクランプ本体 37a, 37bの操作力が解除されると、トーシヨンパネ 39a, 39bの付 勢力によってクランプ爪 20a, 20bが元の閉塞位置へ復帰する。なお、図 10の例で は、一方のクランプ爪を回動させるクランプ機構と他方のクランプ爪を回動させるクラ ンプ機構を交互に配置することで、これらクランプ爪の ヽずれの側にぉ ヽても基板の 着脱を可能としている。
[0043] 次に、以上のように構成される成膜装置 1の動作例について説明する。 [0044] まず、仕込部 2において基板 Wがキャリア 15に移載される。
[0045] 図 2A〜Cは、キャリア 15に対する基板 Wの移載工程を示している。基板 Wは、水 平方向に横臥した姿勢で移載機構 17上に設置される（図 2A)。このとき、基板 Wの 成膜面は上面側に向けられる。移載機構 17は、吸着ノズル 18で基板 Wの下面側を 吸着した後、 90度回動して基板 Wを直立させる（図 2B)。キャリア 15は、仕込部 2で 待機している。移載機構 17は、仕込部 2で待機しているキャリア 15に対して、基板 W を略直立させた姿勢で移載する。
[0046] キャリア 15に対して基板 Wを移載する際、キャリア 15のクランプ機構 20は、図 3Aに 示すように、基板 Wが移載される側のクランプ爪 20aのみを開放させてキャリア 15内 へ基板 Wを誘導する。基板 Wがキャリア 15の内部に配置された後、クランプ爪 20aが 閉じて基板 Wの縁部を挟持する。その後、吸着ノズル 18による吸着動作が解除され て移載機構 17が元の位置に回動動作する（図 2C)。
[0047] 仕込部 2においてキャリア 15に移載された基板 Wは、第 1姿勢変換部 3を介して姿 勢変換されて成膜部 4へ搬送される。図 11A〜Cは、第 1姿勢変換部 3における基板 W (キャリア 15)の姿勢変換工程の一例を示している。
[0048] 第 1姿勢変換部 3は、仕込部 2から単列で搬送ラインに供給されたキャリア 15を成 膜部 4へ 2列並列で搬送するとともに、並列配置されたキャリア 15, 15に支持される 基板 Wの成膜面 Waを成膜室 10のスパッタカソード 10A, 10Bにそれぞれ対向配置 させる。
[0049] 図 11Aに示すように、仕込部 2においてキャリア 15に移載された基板 Wは、その成 膜面が図中下方側に向けられている。この状態で、キャリア 15が第 1姿勢変換部 3の 第 1回転機構 7へ搬送された後、第 1回転機構 7が R1方向へ 90度回転動作する。こ れにより、基板 Wはキャリア 15とともに回転し、成膜面 Waが図中左方側に位置するよ うに姿勢変換される。その後、姿勢変換されたキャリア 15は第 2回転機構 8へ搬送さ れる。この後、第 2回転機構 8は R2方向へ 180度回転動作する。
[0050] 続いて、図 11Bに示すように、仕込部 2において基板 Wが移載された次のキャリア 1 5が第 1回転機構 7へ搬送される。第 1回転機構 7は、 R1方向に 90度回転することで 、基板 Wをキャリア 15とともに回転させ、成膜面 Waを図中左方側に位置するように姿 勢変換する。そして、この姿勢変換したキャリア 15を第 2回転機構 8へ搬送する。
[0051] 第 2回転機構 8には、成膜面 Waが図中左方側に位置する基板 Wを支持するキヤリ ァ 15と、成膜面 Waが図中右側に位置する基板 Wを支持するキャリア 15を 2列並列 状態で収載している。この状態で、第 2回転機構 8は R2方向に回転することで図 11 Cに示すようにこれらのキャリア 15, 15を同時に 90度回転させて成膜部 4へ搬送する
[0052] 成膜部 4に搬送された一対のキャリア 15, 15は、基板 Wの成膜面をそれぞれスパッ タカソード 10A, 10Bに対向させて成膜室 10に搬送され、同時に成膜される。成膜 後、キャリア 15, 15は、第 2姿勢変換部 5へ搬送される。第 2姿勢変換部 5は、 2列同 時に収載したキャリア 15, 15の姿勢を変換するとともに、単列ずつ取出部 6へ向けて 搬送する。
[0053] すなわち、図 1に示したように、第 3回転機構 12は R3方向に回転して一対のキヤリ ァ 15, 15を同時に 90度回転させた後、第 4回転機構 13へ向けてキャリア 15を単列 ずつ搬送する。第 4回転機構 13は、まず、図 1において第 3回転機構 12上の右側に 位置するキャリア 15を収載した後、 R4方向に回転して基板 Wの成膜面 Waを図中下 方側に向け、取出部 6へ向けて搬送する。次に、図 1において第 3回転機構 12を R3 方向に 180度回転させた後、キャリア 15を第 4回転機構 13へ向けてキャリア 15を搬 送する。第 4回転機構 13は、キャリア 15を収載した後、 R4方向に回転して基板 Wの 成膜面 Waを図中下方側に向け、取出部 6へ向けて搬送する。
[0054] 取出部 6では、成膜された基板 Wをキャリア 15から受け取り、水平方向に横臥した 姿勢で次工程へ搬送する。基板 Wの取り出しは、上述した移載機構 17を用いて行わ れ、図 2に示した動作と逆の動作で基板 Wをキャリア 15から受け取る。空になったキ ャリア 15は、仕込部 2へ搬送されて、仕込部 2において基板 Wが移載される。以降、 上述と同様な動作が繰り返される。
[0055] 以上のように、本実施形態によれば、キャリア 15に支持されている基板 Wに対して 、そのいずれの面をも処理可能とされているので、仕込部 2において供給された基板 Wの姿勢に関係なぐ第 1姿勢変換部 3において、任意の一方の面を成膜面として成 膜室 10へ搬送することができる。 [0056] また、搬送途上において、基板 Wの処理面を任意に変更することができるので、成 膜室 10に対して、処理面が互いに外向きとなるように基板 Wを並列状態で搬送する ことが可能である。また、 2列並列状態で一対の基板 Wを同時に成膜するので、生産 '性の向上を図ることができる。
[0057] また、本実施形態によれば、仕込部 2に搬送される基板 Wの成膜面が上下どちらで あっても、両面成膜可能なキャリア 15と、第 1回転機構 7の回転方向により成膜面を 成膜源に対向させることができる。
[0058] 更に、キャリア 15は、基板 Wの縁部を挟持するクランプ機構 20を備えているので、 基板 Wの非成膜面とキャリア 15との接触による干渉を回避できる。従って、基板 Wの 非成膜面に既に何らかの処理が施されているような場合であっても、当該非成膜面 がキャリアとの接触によってダメージを受けることもない。
[0059] 図 12は、当該成膜装置 1を用いて成膜処理が施される基板 Wの一構成例を示して いる。図示する基板 Wは、一方の面にカラーフィルタ層 CFが形成された液晶表示パ ネル用のカラーフィルタ基板である。図 12Aは、カラーフィルタ層 CFの上に、透明電 極層として、 ITO (Indium Tin Oxide)層 22が形成された例を示している。図 12Bは、 カラーフィルタ層 CFの上と基板 Wの裏面とに、 ITO層 22が形成された例を示してい る。本実施形態によれば、カラーフィルタ層 CFを上面にして、図 2に示した移載機構 17によって基板 Wをキャリア 15に移載することで、カラーフィルタ層 CFと移載機構 1 7との接触を回避できるとともに、キャリア移載後において、カラーフィルタ側および基 板裏面側のいずれの面をも成膜処理することが可能である。
[0060] 以上、本発明の実施形態について説明したが、勿論、本発明はこれに限定される ことなぐ本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
[0061] 例えば以上の実施の形態では、成膜室 10としてスパッタ室を例に挙げて説明した 力 成膜法はスパッタ法に限らず、 CVD法や蒸着法等の他の成膜法であってもよい 。この場合、成膜源としては、反応ガスを供給するガスヘッドや蒸発源等が該当する 。また、成膜室 10は、エッチング室や熱処理室等の他の処理室で構成されてもよい。
[0062] また、以上の実施の形態では、 2枚の基板を成膜室 10に搬送し、それぞれの片面 を成膜するようにしたが、成膜室 10に基板を 1枚ずつ搬送し、その両面を同時に成 膜するようにしてちょい。
更に、第 1姿勢変換部 3の第 1回転機構 7による基板 Wの回転方向を、基板 Wの表 裏を検出するセンサ 16の出力に基づいて決定するようにしてもよい。これにより、基 板 Wの成膜面 Waの向きに関係なく仕込部 2にお 、てキャリア 15への基板 Wの移載 が可能となる。

Claims

請求の範囲
[1] 基板を略直立させた姿勢で処理室へ搬送する縦型基板搬送装置であって、
前記基板のいずれの面をも処理可能に支持するキャリアと、
前記キャリアの搬送姿勢を変換する姿勢変換機構と、
前記姿勢変換したキャリアを収容するとともに当該キャリアを前記処理室へ搬送す る搬送室とを備えたことを特徴とする縦型基板搬送装置。
[2] 前記キャリアは、前記基板の周囲を囲む枠状を有するとともに、内周側に前記基板 の縁部を挟持するクランプ機構を備えていることを特徴とする請求の範囲第 1項に記 載の縦型基板搬送装置。
[3] 前記姿勢変 構は、前記キャリアを鉛直軸のまわりに回転させる回転機構を有 することを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の縦型基板搬送装置。
[4] 前記搬送室は、前記キャリアを 2列で前記処理室へ搬送することを特徴とする請求 の範囲第 1項に記載の縦型基板搬送装置。
[5] 前記搬送室は、ロードロック室であることを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の縦 型基板搬送装置。
[6] 前記処理室は、前記キャリアの進行方向の両側方に配置された一対のスパッタカソ ードを備えた成膜室であることを特徴とする請求の範囲第 1項に記載の縦型基板搬 送装置。
[7] 基板を略直立させた姿勢で成膜室へ搬送する縦型基板搬送機構を備えた成膜装 置であって、
前記縦型基板搬送機構は、
前記基板のいずれの面をも成膜可能に支持するキャリアと、
前記キャリアの搬送姿勢を変換する姿勢変換機構と、
前記姿勢変換したキャリアを収容するとともに当該キャリアを前記成膜室へ搬送す る搬送室とを備えるとともに、
前記成膜室は、前記キャリアの進行方向の両側方に配置された一対の成膜源を備 えた
たことを特徴とする成膜装置。 前記搬送室は、成膜側が外向きとなるように前記キャリアを 2列で前記処理室へ搬 送するすることを特徴とする請求の範囲第 7項に記載の成膜装置。
前記成膜源は、スパッタカソードであることを特徴とする請求の範囲第 7項に記載の 成膜装置。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009072426A1 (ja) * 2007-12-06 2009-06-11 Ulvac, Inc. 真空処理装置及び基板処理方法
JP2010168653A (ja) * 2008-12-26 2010-08-05 Ulvac Japan Ltd 基板反転装置、真空成膜装置及び基板反転方法
JP2010232633A (ja) * 2009-03-02 2010-10-14 Canon Anelva Corp 基板支持装置、基板処理装置、基板支持方法、基板支持装置の制御プログラム及び記録媒体
JP2011187938A (ja) * 2010-02-10 2011-09-22 Canon Anelva Corp トレイ式基板搬送システム、成膜方法及び電子装置の製造方法
JP2012054279A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 固定機構、ワークの固定方法、およびワークの固定解除方法
JP2012051040A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 姿勢変更ユニット
JP6279176B1 (ja) * 2016-08-25 2018-02-14 株式会社アルバック 成膜装置及び成膜方法並びに太陽電池の製造方法
WO2018084214A1 (ja) * 2016-11-02 2018-05-11 株式会社アルバック 真空処理装置
JP6379318B1 (ja) * 2017-06-14 2018-08-22 株式会社アルバック 成膜装置及び成膜方法並びに太陽電池の製造方法
TWI648866B (zh) * 2016-08-25 2019-01-21 日商愛發科股份有限公司 成膜裝置及成膜方法以及太陽電池之製造方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8432603B2 (en) 2009-03-31 2013-04-30 View, Inc. Electrochromic devices
US9207528B2 (en) * 2010-06-04 2015-12-08 Apple Inc. Thin sheet glass processing
KR101318172B1 (ko) * 2011-06-08 2013-10-16 주식회사 에스에프에이 기판 이송용 트레이
WO2013050805A1 (de) * 2011-10-06 2013-04-11 Roth & Rau Ag Substratwendeeinrichtung
JP5840095B2 (ja) * 2011-10-31 2016-01-06 三菱電機株式会社 太陽電池の製造装置、及び太陽電池の製造方法
KR102095605B1 (ko) 2011-12-12 2020-04-16 뷰, 인크. 박막 디바이스 및 제조
SG11201406893XA (en) * 2012-04-26 2014-11-27 Intevac Inc System architecture for vacuum processing
KR101698536B1 (ko) * 2012-11-07 2017-01-20 주성엔지니어링(주) 기판 트레이 및 이를 포함하는 기판처리장치
CN105378142B (zh) * 2013-06-10 2019-04-19 唯景公司 用于溅射系统的玻璃托盘
US11688589B2 (en) 2013-06-10 2023-06-27 View, Inc. Carrier with vertical grid for supporting substrates in coater
KR102219198B1 (ko) * 2013-08-02 2021-02-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 기판들을 위한 유지 배열, 및 이를 사용하는 장치 및 방법
WO2015014410A1 (en) * 2013-08-02 2015-02-05 Applied Materials, Inc. Holding arrangement for substrates
FR3049941B1 (fr) * 2016-04-06 2018-04-13 Saint- Gobain Glass France Dispositif de convoyage et de maintien pour feuille de verre notamment dans une installation de lavage
DE102018110392A1 (de) * 2018-04-30 2019-10-31 Meyer Burger (Germany) Gmbh Vakuumdurchlaufanlage mit hohem Durchsatz
CN209382625U (zh) * 2018-09-30 2019-09-13 重庆惠科金渝光电科技有限公司 一种缓冲衬垫和缓冲装置
TWI733140B (zh) * 2019-07-12 2021-07-11 萬潤科技股份有限公司 薄片物件搬送裝置及設備

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11238785A (ja) * 1998-02-19 1999-08-31 Sharp Corp 基板処理装置及び基板処理方法
JP2948842B2 (ja) 1989-11-24 1999-09-13 日本真空技術株式会社 インライン型ｃｖｄ装置
JP2002176090A (ja) * 2000-12-07 2002-06-21 Anelva Corp インライン式基板処理装置
JP2003258058A (ja) * 2002-02-27 2003-09-12 Anelva Corp 基板処理装置の運転方法
JP2004083997A (ja) 2002-08-27 2004-03-18 Ulvac Japan Ltd 縦型化学気相成長装置及び該装置を用いた成膜方法
JP2005258058A (ja) * 2004-03-11 2005-09-22 Toyo Commun Equip Co Ltd ３波長合成デバイスとこれを用いた投写型投影装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3629371B2 (ja) * 1998-10-29 2005-03-16 シャープ株式会社 成膜装置および成膜方法
JP2002309372A (ja) * 2001-04-13 2002-10-23 Canon Inc インライン式成膜装置、成膜方法及び液晶素子
JP4023543B2 (ja) 2003-05-29 2007-12-19 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置および基板搬送方法ならびに真空処理装置
JP4417734B2 (ja) * 2004-01-20 2010-02-17 株式会社アルバック インライン式真空処理装置
WO2006054663A1 (ja) * 2004-11-22 2006-05-26 Sharp Kabushiki Kaisha 基板保持装置および基板処理装置ならびに液晶表示装置
JP5046882B2 (ja) * 2007-11-21 2012-10-10 三菱重工業株式会社 インライン式成膜装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2948842B2 (ja) 1989-11-24 1999-09-13 日本真空技術株式会社 インライン型ｃｖｄ装置
JPH11238785A (ja) * 1998-02-19 1999-08-31 Sharp Corp 基板処理装置及び基板処理方法
JP2002176090A (ja) * 2000-12-07 2002-06-21 Anelva Corp インライン式基板処理装置
JP2003258058A (ja) * 2002-02-27 2003-09-12 Anelva Corp 基板処理装置の運転方法
JP2004083997A (ja) 2002-08-27 2004-03-18 Ulvac Japan Ltd 縦型化学気相成長装置及び該装置を用いた成膜方法
JP2005258058A (ja) * 2004-03-11 2005-09-22 Toyo Commun Equip Co Ltd ３波長合成デバイスとこれを用いた投写型投影装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2009685A4

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009072426A1 (ja) * 2007-12-06 2009-06-11 Ulvac, Inc. 真空処理装置及び基板処理方法
JP2010168653A (ja) * 2008-12-26 2010-08-05 Ulvac Japan Ltd 基板反転装置、真空成膜装置及び基板反転方法
JP2010232633A (ja) * 2009-03-02 2010-10-14 Canon Anelva Corp 基板支持装置、基板処理装置、基板支持方法、基板支持装置の制御プログラム及び記録媒体
JP2011187938A (ja) * 2010-02-10 2011-09-22 Canon Anelva Corp トレイ式基板搬送システム、成膜方法及び電子装置の製造方法
TWI465407B (zh) * 2010-08-31 2014-12-21 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd 固定機構、工件之固定方法及工件之解除固定方法
JP2012051040A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 姿勢変更ユニット
JP2012054279A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 固定機構、ワークの固定方法、およびワークの固定解除方法
JP6279176B1 (ja) * 2016-08-25 2018-02-14 株式会社アルバック 成膜装置及び成膜方法並びに太陽電池の製造方法
TWI648866B (zh) * 2016-08-25 2019-01-21 日商愛發科股份有限公司 成膜裝置及成膜方法以及太陽電池之製造方法
WO2018084214A1 (ja) * 2016-11-02 2018-05-11 株式会社アルバック 真空処理装置
JP6336231B1 (ja) * 2016-11-02 2018-06-06 株式会社アルバック 真空処理装置
US10612130B2 (en) 2016-11-02 2020-04-07 Ulvac, Inc. Vacuum processing apparatus
JP6379318B1 (ja) * 2017-06-14 2018-08-22 株式会社アルバック 成膜装置及び成膜方法並びに太陽電池の製造方法

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