WO2007080734A1

WO2007080734A1 - 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置

Info

Publication number: WO2007080734A1
Application number: PCT/JP2006/324752
Authority: WO
Inventors: Michio Kadota; Tetsuya Kimura
Original assignee: Murata Manufacturing Co., Ltd.
Priority date: 2006-01-11
Filing date: 2006-12-12
Publication date: 2007-07-19
Also published as: EP1973228A1; CN101356727A; US7629866B2; CN101356727B; EP1973228A4; EP1973228B1; JPWO2007080734A1; US8261418B2; US20080258844A1; US20100043191A1; JP4697232B2

Abstract

　複雑な加工工程を必要とせず、かつ複雑な形状の蓋材などの部品を用意する必要がなく、安価であり、しかも小型化を進めることが可能な弾性表面波装置及びその製造方法を提供する。　圧電基板２の一方主面２ａに溝２ｂ，２ｃを形成し、溝２ｂに金属膜を埋め込みＩＤＴ電極を形成した後に、圧電基板２の一方主面２ａから圧電基板２の一部を除去するように加工を施し、それによってＩＤＴ電極が埋め込まれた底面を有する凹部２ｄを形成した後に、蓋部材１３を圧電基板２に接合する、各工程を備える、弾性表面波フィルタ装置１の製造方法。

Description

明細書

弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置

技術分野

[0001] 本発明は、レイリー波、ラブ波、リーキー波などの弾性表面波を利用した弾性表面波共振子や弾性表面波フィルタとして用いられる弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置に関し、より詳細には、弾性表面波が励振される部分に空隙を形成する工程が改良された弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置に関する。背景技術

[0002] 従来、携帯電話などの移動体通信機器では、小型化が強く求められている。そのため、この種の通信機器に用いられる帯域フィルタにお、ても小型化が求められて!/ヽる。

[0003] 小型の帯域フィルタとして、従来、弾性表面波を利用した弾性表面波フィルタが広く用いられている。下記の特許文献 1には、小型化を図り得る弾性表面波フィルタ装置が開示されている。

[0004] 図 7に示すように、特許文献 1に記載の弾性表面波装置 101の製造方法では、先ず圧電基板 102を用意する。圧電基板 102の上面には、 IDT電極 103などの電極が形成されて、弾性表面波フィルタが構成されている。 IDT電極 103が形成されている圧電基板部分は、使用に際して励振され、弾性表面波が伝搬する。従って、上記 I DT電極 103が臨む空隙 Aを形成しなければならない。そのため、図 7に示されているように、圧電基板 102の上面を覆い、かつ空隙 Aを残すようにして、蓋材 104が圧電基板 102に接合されている。

[0005] 特許文献 1に記載の製造方法では、上記蓋材 104の接合が、接着剤を用いな!/ヽ直接接合により行われている。直接接合とは、圧電基板 102と蓋材 104とを接触させた状態で、加熱し、両者の間に水素結合を形成して、直接接合する方法である。従つて、圧電基板 102及び蓋材 104の接合面に臨む部分の表面が親水基を有することが必要であり、該親水基が湿気等による水分子の水素結合を介して結合されることになる。 [0006] 直接接合により接合が果たされるので、接着剤を使用する必要がなぐ蓋材 104と圧電基板 102との接合部分のシール性を高めることができるとされている。

特許文献 1 :特開平 7— 115343号公報

発明の開示

[0007] 特許文献 1に記載のような弾性表面波フィルタ装置 101では、空隙 Aを形成する必要があるため、パッケージ全体が大型にならざるを得な力た。

[0008] また、蓋材 104に、空隙 Aを形成するための凹部を形成したり、凹部を有するキヤップ状の蓋材 104を用意しなければならな力つた。従って、コストが高くつくという問題 bあった。

[0009] 本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、複雑な加工工程を必要とせず、かつ複雑な形状の蓋材などの部品を用意する必要がなぐ安価であり、しかも小型化を進めることが可能な弾性表面波装置及びその製造方法を提供することにある

[0010] 本発明に係る弾性表面波装置の製造方法は、圧電基板と、蓋部材とを用意するェ程と、前記圧電基板の一方主面にお！ヽて IDT電極及び配線電極が設けられる部分に溝を形成する工程と、前記圧電基板の前記一方主面において、少なくとも前記溝内に金属膜を形成する工程と、前記溝内の金属膜及び該溝の周辺の圧電基板部分にお、て、前記圧電基板の主面側から圧電基板の一部を除去するようにして凹部を形成し、前記溝内に位置してヽる金属膜により前記 IDT電極及び前記配線電極を形成する工程と、前記圧電基板の前記一方主面に蓋部材を接合する工程とを備えることを特徴とする。

[0011] 本発明に係る弾性表面波装置の製造方法のある特定の局面では、前記凹部を形成する工程が、前記圧電基板の前記一方主面から CMP処理を施すことにより行われる。

[0012] 本発明に係る弾性表面波装置の製造方法の他の特定の局面では、前記凹部を形成する工程力前記圧電基板の前記一方主面にマスクを適用しつつドライエツチングを施すことにより行われる。

[0013] 本発明に係る弾性表面波装置の製造方法のさらに別の特定の局面では、前記圧電基板に前記蓋部材を接合する工程が直接接合により行われる。

[0014] 本発明に係る弾性表面波装置の製造方法のより限定的な局面では、前記圧電基板と、前記蓋部材とを直接接合するに際し、前記圧電基板の前記一方主面及び Zまたは前記蓋部材の前記圧電基板に接合される面に親水性絶縁薄膜が形成される。

[0015] 本発明に係る弾性表面波装置の製造方法のさらに他の特定の局面では、前記圧電基板に、前記配線電極に接続されるスルーホール電極を形成する工程がさらに備えられている。

[0016] 本発明に係る弾性表面波装置の製造方法のさらに別の特定の局面では、前記蓋部材に、前記配線電極に電気的に接続されるスルーホール電極を形成する工程がさらに備えられている。

[0017] 本発明に係る弾性表面波装置の製造方法のさらに他の特定の局面では、前記蓋部材として、前記圧電基板と同様にして IDT電極及び配線電極が一方主面に形成されて!ヽる圧電基板が用いられる。

[0018] 本発明に係る弾性表面波装置は、一方主面に凹部が形成されており、該凹部内にぉヽて IDT電極に応じた部分の平面形状を有する溝が形成されてヽる圧電基板と、前記溝内に埋め込まれた IDT電極と、前記圧電基板の前記一方主面に接合されている蓋部材と、前記圧電基板及び Zまたは蓋部材に設けられており、かつ前記 IDT 電極に電気的に接続されて！ヽるスルーホール電極と、前記圧電基板及び,または蓋部材に設けられており、前記スルーホール電極に電気的に接続されており、かつ外部と電気的に接続されるように配置されている端子電極とを備えることを特徴とする。

[0019] 本発明に係る弾性表面波装置のある特定の局面では、前記圧電基板の一方主面にお、て前記凹部とは異なる位置に、配線電極に対応した平面形状の溝が形成されており、該溝に配線電極が埋め込まれている。

(発明の効果）

[0020] 本発明に係る弾性表面波装置の製造方法では、圧電基板の一方主面において溝を形成した後に、少なくとも溝内に金属膜を形成し、さらに圧電基板の一方主面側から一部を除去するようにして凹部が形成される。そして、この凹部の形成により、溝内に位置してヽる金属膜により IDT電極及び配線電極が形成されることになる。この場合、溝の周りに金属膜が至っていたとしても、凹部の形成に際し、周りの金属膜部分は除去されるように凹部が形成される。従って、圧電基板の一方主面上において、該一方主面よりも低い位置に IDT電極が形成されることになる。よって、例えば平板状の蓋部材を用いたとしても、蓋部材を該一方主面に接合することにより、 IDT電極の臨む空隙を上記凹部により形成することができる。そのため、複雑な形状の蓋部材を必要としない。また、蓋部材に空隙を形成するための複雑な加工を施す必要もない。

[0021] 上記凹部の形成に際し空隙の大きさを高精度にかつ容易に調整することができるので、また上記凹部の形成により空隙を形成することができるので、小型化を図ることができる。よって、安価でありかつ小型の弾性表面波装置を提供することができる。

[0022] 凹部の形成力圧電基板の一方主面力 CMP処理により行われる場合には、圧電基板の変質を招くことなぐ凹部を高精度にかつ容易に形成することができる。

[0023] 凹部の形成力マスクを適用しつつドライエッチングを施することにより行われる場合には、凹部の平面形状に応じたマスクを用意しドライエッチングを施すだけで、凹部を容易に形成することができる。

[0024] 上記蓋部材を接合する工程が直接接合により行われる場合には、接着剤等の接合剤を必要としない。従って、コストを低減することができる。カロえて、直接接合により蓋部材が圧電基板に接合されるので、低背化を進めることができる。さらに、接合部分のばらつきが生じ難ぐ特性ばらつきの少ない、信頼性に優れた弾性表面波装置を提供することができる。

[0025] 圧電基板及び蓋部材の直接接合に際し、圧電基板の一方主面及び Zまたは蓋部材の圧電基板に接合される面に親水性絶縁薄膜を形成する場合には、圧電基板または蓋部材が親水性基を表面に有しな、場合であっても、上記親水性絶縁薄膜の形成により、圧電基板と蓋部材とを直接接合によって、確実に接合することができる。

[0026] 圧電基板に、配線電極に接続されるスルーホール電極を形成する工程をさらに備える場合には、上記配線電極と外部との接続などをスルーホール電極を用いて行うことができる。同様に、蓋部材に配線電極に電気的に接続されるスルーホール電極が形成される工程をさらに備える場合にも、配線電極を該スルーホール電極を利用して外部などと容易に電気的に接続することができる。

[0027] 蓋部材として、圧電基板と同様にして IDT電極及び配線電極が一方主面に形成されている構造を用いる場合には、本発明に従って、 2個の弾性表面波素子が積層された弾性表面波装置を提供することができる。従って、弾性表面波装置が実装される電子機器や回路の小型化及び高密度化を図ることができる。

[0028] 本発明の弾性表面波装置では、上記圧電基板の一方主面に凹部が形成されており、凹部内に IDT電極が形成される部分の平面形状を有する溝が形成されており、 I DT電極が該溝内に埋め込まれて形成されている。従って、上記圧電基板の一方主面に蓋部材が接合された構造において、凹部において IDT電極の振動を阻害しない空隙が形成されることになる。よって、弾性表面波装置の小型化を進めることができる。し力も、上記凹部により空隙が形成されるので、平板状の蓋部材を用いることができ、蓋部材のコストを低減することができる。

[0029] また、圧電基板及び Zまたは蓋部材に、スルーホール電極が形成されており、該スルーホール電極に電気的に接続されかつ外部と電気的に接続されるように配置される端子電極が設けられている場合には、スルーホール電極及び端子電極により、 ID

T電極を外部と容易に電気的に接続することが可能とされて!/、る。

[0030] 従って、小型かつ安価であり、かつプリント回路基板などに容易に実装することが可能な弾性表面波装置を得ることができる。

[0031] 圧電基板の一方主面に上記凹部とは異なる位置に、配線電極に応じた平面形状の溝が形成されており、該溝に配線電極が埋め込まれている場合には、配線電極もまた、 IDT電極と同一工程で形成することができ、弾性表面波装置の小型化及び低コストィ匕を図ることができる。

図面の簡単な説明

[0032] [図 1]図 1 (a)及び (b)は、本発明の一実施形態の弾性表面波フィルタ装置の正面断面図及びその要部を説明するための部分切欠拡大正面断面図である。

[図 2]図 2 (a)〜 (e)は、本発明の一実施形態の弾性表面波フィルタ装置の製造方法を説明するための各模式的正面断面図である。

[図 3]図 3 (a)〜 (d)は、本発明の一実施形態の弾性表面波フィルタ装置の製造方法を説明するための各模式的正面断面図である。

[図 4]図 4 (a)〜 (c)は、ドライエッチング法により凹部を形成する変形例を説明するための各模式的正面断面図である。

[図 5]図 5 (a)〜 (c)は、ドライエッチング法により凹部を形成する変形例を説明するための各模式的正面断面図である。

[図 6]図 6は、本発明の他の実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置の正面断面図である。

[図 7]図 7は、従来の弾性表面波装置の一例を説明するための正面断面図である。符号の説明

1…弾性表面波フィルタ装置

2…圧電基板

2a…上面（一方主面）

2b…溝

2c…溝

2d…凹部

2e…下面

2f, 2g…貫通孔

3…マスク

6 -IDT電極

5, 7· · ·配線電極

9, 10…スルーホール電極

11, 12· · ·端子電極

13· · ·蓋部材

21…圧電基板

21a…上面（一方主面）

21b…溝

21c…凹部

22· · ·マスク 23…金属膜

24· -IDT電極

25· ··マスク

31…弾性表面波フィルタ装置

32, 33· ··端子電極

34, 35· ··端子電極

A…間隙

発明を実施するための最良の形態

[0034] 以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。

[0035] 図 1 (a)及び (b)は、本発明の一実施形態に係る弾性表面波フィルタ装置の正面断面図及びその要部を拡大して示す部分切欠正面断面図である。本実施形態の弾性表面波フィルタ装置 1の製造方法を、図 2 (a)〜図 3 (d)を参照して説明する。

[0036] まず、図 2 (a)に示すように、圧電基板 2を用意する。圧電基板 2は、圧電単結晶または圧電セラミックスにより形成することができ、本実施形態では、水晶を用いて構成されている。圧電基板 2の一方主面としての上面 2a上に、フォトリソグラフィー技術によりマスク 3を形成する。レジストマスク 3は、 IDT電極及び配線電極が形成される部分が開口部とされている。なお、レジストマスク 3に代えて、 Niや Crなど力もなる金属マスクを用いてもよい。

[0037] 次に、図 2 (b)に示すように、エッチング法によりレジストマスク 3の開口部に臨んでいる圧電基板部分をエッチングし、溝 2b, 2c, 2cを形成する。溝 2bは、 IDT電極が形成される平面形状に相当する平面形状を有する。溝 2c, 2cは、後述する配線電極が形成される部分に設けられて、る。

[0038] エッチングに際しては、レジストマスク 3を溶かさない適宜のエツチャントを用いることができ、圧電基板 2が水晶からなる場合、エツチャントとして CFや SFなどのフッ素

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系ガスや、 BC1などの塩素系ガスを用いることができる。なお、圧電基板 2が、 LiTa

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Oや LiNbOの場合、上記フッ素系ガスや、 Arなどをエッチング用ガスとして用いる

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ことができる。 [0039] 次に、レジストマスク 3を、レジスト剥離液を用いて溶解させ、剥離する。このようにして、図 2 (c)に示すように、溝 2b, 2c, 2cが上面 2aに形成された圧電基板 2が用意される。

[0040] 次に、蒸着、スパッタリングまたはめつき等の適宜の薄膜形成方法により、図 2 (d) に示すように、圧電基板 2の上面 2aの全面に金属膜 Mを成膜する。この金属膜 Mは、電極構成材料であるため、適宜の金属材料により形成することができ、例えば Al、 Cu、 Au、 Ta、 Wまたはこれらの合金もしくはこれらの 2種以上の積層した積層金属膜により形成することができる。

[0041] し力る後、図 2 (e)に示すように、 CMP処理により、圧電基板 2の上面 2a側から、その一部を除去し、凹部 2dを形成する。凹部 2dは、前述した溝 2bが凹部 2d内に位置するように、すなわち IDT電極が形成される領域が凹部 2d内に位置するように形成される。 CMP処理を施した場合、凹部 2dが形成され、 IDT電極 6が形成されている部分の周囲の金属膜部分は除去される。また、凹部 2c, 2cに残存している金属膜により配線電極 5, 7が形成される。 CMP処理による圧電基板 2の上面 2aの一部を除去する加工は、 IDT電極 6及び配線電極 5, 7が設けられている部分を除いて金属膜が除去されるように行われる。従って、 IDT電極 6は溝 2bに埋め込まれている。同様に、配線電極 5, 7も、溝 2c, 2cに埋め込まれている。

[0042] CMP処理（Chemical Mechanical Polishing)は、半導体装置の層間絶縁膜の形成等に際して研磨方法として広く用いられている。 CMP処理は、研磨ヘッドにより研磨を行うにあたり、研磨液を供給し、研磨ヘッドによる機械的な研磨と、研磨液による化学的な研磨を併用する処理方法である。

[0043] 上記 CMP処理の条件については、使用する圧電基板 2及び形成する凹部 2dの深さ及び大きさ等により適宜形成すればよぐ特に限定されるものではないが、本実施形態では、例えば、ユッタハース製の IC1000からなる研磨パッドを数十〜数百 rpm の回転数で、 lOOgZcm²程度の研磨圧力を付カ卩しつつ、研磨液として、フジミインコーポレッド製のプレーナライト 7102を純水で 5倍希釈したものなどを供給することにより行うことができる。

[0044] 上記のような CMP処理を行うと、エロージョンという現象により凹部 2dが形成される力凹部 2dの内面は、凹部 2dの周縁付近において曲面状となる。また、溝 2cに充填されて、た金属膜表面も、デイツシングとヽぅ現象により図示のように湾曲することとなる。すなわち、周縁部に比べて中央部がより多く研磨されるように配線電極 5, 7の上面が湾曲することとなる。

[0045] 次に、図 3 (a)に示すように、圧電基板 2の下面 2eから上面 2a側の配線電極 5, 7に至るようにスルーホール電極を形成するための貫通孔 2f, 2gを形成する。貫通孔 2f , 2gの形成は、特に限定されるわけではないが、レーザーやサンドブラストを利用した適宜の加工方法により行うことができる。例えば、圧電基板 2の下面 2eにマスクを形成し、マスクの開口部を貫通孔 2f, 2gが設けられる部分としておき、サンドブラスト加工を行うことにより、貫通孔 2f, 2gを形成することができる。

[0046] 次に、図 3 (b)に示すように、貫通孔 2f, 2gに、めっき法などにより金属材料を充填することにより、スルーホール電極 9, 10を形成する。

[0047] しかる後、図 3 (c)に示すように、圧電基板 2の下面 2eにお!/、て、スルーホール電極 9, 10に電気的に接続されるように、端子電極 11, 12を形成する。端子電極 11, 12 の形成は、めっきや金属バンプの印刷等の適宜の方法により行、得る。

[0048] し力る後、図 3 (d)に示すように、平板状の蓋部材 13を圧電基板 2の上面に当接させる。この場合、蓋部材 13としては、水晶、ガラスまたは S係材料などの適宜の絶縁性材料を用いることができる。好ましくは、蓋部材 13は、表面に親水性基を有することが望ましい。

[0049] しカゝる後、直接接合により、蓋部材 13を圧電基板 2の上面 2aに接合する。この直接接合は、例えば 200〜400°Cの温度に加熱し、 1時間程度維持することにより行われ得る。直接接合とは、前述した特許文献 1にも記載されているように、接着剤等の接合剤を用いることなぐ水素結合を利用して蓋部材 13と圧電基板 2とを接合する方法である。

[0050] すなわち、圧電基板 2及び蓋部材 13の接合面に親水性基が存在する場合、加熱すると、空気中の湿気等から供給される水分子が結合し、水素結合により、両者が接合される。

[0051] なお、予め接合に先立ち、圧電基板 2の表面を、アンモニアと過酸ィ匕水素の混合液に浸漬し、それによつて、親水化処理を行ってもよい。

[0052] また、蓋部材 13及び圧電基板 2の表面が親水性基を有しな、場合には、好ましくは、親水性絶縁薄膜を、圧電基板 2及び Zまたは蓋部材 13の接合される面に形成しておいてもよい。

[0053] 直接接合法によれば、蓋部材と圧電基板 2とが接触して接合される部分の全領域において、蓋部材 13と圧電基板 2とが強固に接合される。従って、上記 IDT電極が形成されている部分が臨む凹部 2dを確実にかつ強固に気密封止することができ、弾性表面波装置の信頼性を高めることも可能となる。

[0054] なお、上記実施形態にお!、て、温度特性や周波数特性の調整のため、 IDT電極上に SiO、 SiNなどの誘電体膜を設ける際、圧電基板全面にわたって設けてもよい

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。この場合、誘電体膜に適宜親水化処理を行ってから直接接合すればよい。

[0055] このようにして、図 1 (a) , (b)に示す弾性表面波フィルタ装置 1が得られる。

[0056] 図 1 (a) , (b)から明らかなように、本実施形態では、 IDT電極 6が臨む空隙は、上記凹部 2dを CMP処理に際して形成することにより設けられている。従って、平板状の蓋部材 13、少なくとも下面が平坦面である蓋部材を用いることができ、複雑な形状の蓋部材を用意する必要がなぐまた蓋部材の煩雑な力卩ェも必要としない。よって、弾性表面波フィルタ装置 1のコストを低減することができる。

[0057] し力も、上記凹部 2dは、 CPM処理に際しての処理条件を調整することにより、高精度にかつ容易に形成することができるので、凹部 2dの深さも小さくすることができる。従って、弾性表面波フィルタ装置 1では、小型化、特に低背化を果たすことができる。

[0058] さらに、接合は直接接合により行われており、接着剤を用いていないため、接合部分のばらつきによる特性の劣化が生じ難く、かつ低背化も進め得る。

[0059] なお、本実施形態では、スルーホール電極により配線電極を端子電極と接合していたが、スルーホール電極を設けず、圧電基板の外表面に設けられた配線パターンにより配線電極と端子電極とを電気的に接続してもよい。

[0060] また、スルーホール電極は、圧電基板側に設けられず、蓋部材側に設けられてヽてもよい。

[0061] また、上記実施形態では、 CMP処理により、凹部 2dが形成され、それによつて IDT 電極が臨む空隙が形成されていた力本発明においては、 IDT電極を臨み、かつ I DT電極が臨む凹部を形成するに際し、ドライエッチング法を用いてもよい。図 4 (a) 〜図 5 (c)を参照して、ドライエッチング法を用いて凹部を形成する変形例の方法を説明する。

[0062] 本変形例では、図 4 (a)に略図的に示すように、圧電基板 21の上面 21a上に、マスク 22を形成する。マスク 22は、 IDT電極及び配線電極（図示せず）が形成される部分が開口部 22aとされている。

[0063] すなわち、ドライエッチング法により、図 4 (b)に示すように、圧電基板 21の一方主面としての上面 21aに、溝 21bを形成する。溝 21bは、 IDT電極の平面形状に応じた平面形状とされている。

[0064] し力る後、図 4 (c)に示すように、 IDT電極を形成するための金属膜 23を全面に付与する。これにより、溝 21b内に、金属膜が充填され、 IDT電極用金属膜 23が形成されること〖こなる。

[0065] し力る後、マスク 22を除去する溶剤を用いて、マスク 22及びマスク 22上に積層されている金属膜 23をリフトオフ法により除去する。このようにして、図 5 (a)に示すように、溝 21bに埋め込まれた IDT電極用金属膜 23を有する圧電基板 21が得られる。

[0066] 上記マスク 22については、前述した実施形態の場合のレジストマスク 3や金属膜 M と同様の材料で形成することができる。また、ドライエッチングにより溝 21bを形成する方法についても、圧電基板 21の材質に応じて、適宜のエツチャントを用いてドライエツチングを行うことにより果たされ得る。

[0067] 次に、図 5 (b)に示すように、圧電基板 21の上面 21aに、再度マスク 25を載置する。マスク 25は、 IDT電極用金属膜 23が形成されている部分を含む部分が開口部とされている。このマスク 25を載置した状態で、ドライエッチング法により、圧電基板 21の上面 21a側の一部と、 IDT電極用金属膜 23の上方部分を除去し、凹部 21cを形成する。し力る後、マスク 25を溶剤で除去する。このようにして、図 5 (c)に示すように、上面 21aに凹部 21cを有する圧電基板 21が得られる。この凹部 21c内において、 ID T電極 24が配置されて!、る。

[0068] なお、図 4及び図 5では、 IDT電極 24が形成される部分の製造方法のみを略図的に示したが、配線電極が形成される部分も同様にして同時に形成される。そして、図

5 (c)に示すように凹部 21cを形成した後に、前述した実施形態の場合と同様にして、スルーホール電極及び端子電極等を形成し、さらに蓋部材を接合することにより、弾性表面波フィルタ装置を得ることができる。

[0069] 図 6は、本発明の弾性表面波フィルタ装置のさらに他の実施形態を説明するための正面断面図である。図 1に示した弾性表面波フィルタ装置 1では、圧電基板 2の上面 2aに蓋部材 13が接合されていた力図 6に示す弾性表面波フィルタ装置 31では、圧電基板 2の上面にもう 1枚の圧電基板 2が上下逆転されて積層され、直接接合により接合されている。言い換えれば、第 1の実施形態の蓋部材 13に代えて、圧電基板 2と同様に構成された他の圧電基板 2が用いられている。そして、一対の圧電基板 2, 2の IDT電極 6が形成されている主面同士が重ね合わされて、直接接合により接合されている。

[0070] よって、本実施形態では、 2素子の弾性表面波フィルタ素子が積層された積層型の弾性表面波フィルタ装置 31が形成されて!ヽる。

[0071] なお、上方の圧電基板 2の上面には、スルーホール電極 9, 10に接続された端子電極 32, 33が形成されている。端子電極 32, 33は、圧電基板 2, 2を積層してなる積層体の側面を経て、下方の圧電基板 2の下面に至っている。下方の圧電基板 2の下面には、さらに、端子電極 32, 33に接続される端子電極 34, 35が形成されている。従って、端子電極 34, 35と端子電極 11, 12を利用して、回路基板などに容易に表面実装することができる。

[0072] 本実施形態から明らかなように、本発明においては、蓋部材は、常にケース材として機能を有するものでなぐ電子部品素子として機能するものであってもよい。

Claims

請求の範囲

[1] 圧電基板と、蓋部材とを用意する工程と、

前記圧電基板の一方主面において IDT電極及び配線電極が設けられる部分に溝を形成する工程と、

前記圧電基板の前記一方主面において、少なくとも前記溝内に金属膜を形成する工程と、

前記溝内の金属膜及び該溝の周辺の圧電基板部分にお!、て、前記圧電基板の主面側から圧電基板の一部を除去するようにして凹部を形成し、前記溝内に位置している金属膜により前記 IDT電極及び前記配線電極を形成する工程と、

前記圧電基板の前記一方主面に蓋部材を接合する工程とを備えることを特徴とする、弾性表面波装置の製造方法。

[2] 前記凹部を形成する工程が、前記圧電基板の前記一方主面から CMP処理を施すことにより行われる、請求項 1に記載の弾性表面波装置の製造方法。

[3] 前記凹部を形成する工程が、前記圧電基板の前記一方主面にマスクを適用しつつドライエッチングを施すことにより行われる、請求項 1に記載の弾性表面波装置の製造方法。

[4] 前記圧電基板に前記蓋部材を接合する工程が直接接合により行われる、請求項 1

〜3のいずれか 1項に記載の弾性表面波装置の製造方法。

[5] 前記圧電基板と、前記蓋部材とを直接接合するに際し、前記圧電基板の前記一方主面及び Zまたは前記蓋部材の前記圧電基板に接合される面に親水性絶縁薄膜を形成しておくことを特徴とする、請求項 4に記載の弾性表面波装置の製造方法。

[6] 前記圧電基板に、前記配線電極に接続されるスルーホール電極を形成する工程をさらに備える、請求項 1〜5のいずれか 1項に記載の弾性表面波装置の製造方法。

[7] 前記蓋部材に、前記配線電極に電気的に接続されるスルーホール電極を形成する工程をさらに備える、請求項 1〜6のいずれ力 1項に記載の弾性表面波装置の製造方法。

[8] 前記蓋部材として、前記圧電基板と同様にして IDT電極及び配線電極が一方主面に形成されている圧電基板を用いることを特徴とする、請求項 1〜 7のいずれか 1項に記載の弾性表面波装置の製造方法。

[9] 一方主面に凹部が形成されており、該凹部内において IDT電極に応じた平面形状を有する溝が形成されてヽる圧電基板と、

前記溝内に埋め込まれた IDT電極と、

前記圧電基板の前記一方主面に接合されている蓋部材と、

前記圧電基板及び Zまたは蓋部材に設けられており、かつ前記 IDT電極に電気的に接続されているスルーホール電極と、

前記圧電基板及び Zまたは蓋部材に設けられており、前記スルーホール電極に電気的に接続されており、かつ外部と電気的に接続されるように配置されて！ヽる端子電極とを備えることを特徴とする、弾性表面波装置。

[10] 前記圧電基板の一方主面において、前記凹部とは異なる位置に、配線電極に応じた平面形状の溝が形成されており、該溝に配線電極が埋め込まれている、請求項 9 に記載の弾性表面波装置。