WO2007020979A1 - ハードマスクの除去用組成物及び除去方法 - Google Patents

ハードマスクの除去用組成物及び除去方法 Download PDF

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WO2007020979A1
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hard mask
mass
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organic
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Inventor
Kazuhiro Aoba
Satoshi Takei
Keisuke Hashimoto
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Nissan Chemical Industries, Ltd.
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/02—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an alkali metal hydroxide

Definitions

  • the present invention relates to a solution composition for removing a hard mask used in a semiconductor substrate processing step in the production of a semiconductor element, and a method for removing a node mask using the same.
  • an underlayer film made of an organic material such as an antireflection film or a flat film, that is, an organic underlayer film may be formed between the semiconductor substrate and the photoresist. is there.
  • the photoresist pattern as a protective film
  • a portion of the organic underlayer film not protected by the photoresist is first removed by etching, and then the semiconductor substrate is processed.
  • the etching of the organic underlayer film is generally performed by dry etching. At this time, not only the organic underlayer film but also the photoresist is etched, and there is a problem that the film thickness is reduced. Therefore, organic underlayers tend to be used with a higher removal rate by dry etching than photoresist.
  • an underlayer film between a semiconductor substrate and a photoresist a film made of an inorganic substance known as a hard mask is used.
  • the photoresist (organic material) and the hard mask (underlayer film: inorganic material) have a large difference in their constituent components, so the speed removed by dry etching is used for dry etching. It depends greatly on the gas type. By appropriately selecting the gas type, it is possible to remove the lower layer film by dry etching without causing a large decrease in the film thickness of the photoresist.
  • a lower layer film as a hard mask has been formed by a vapor deposition method using a CVD apparatus, a vacuum vapor deposition apparatus, a sputtering apparatus, or the like.
  • the photoresist and the organic underlayer film are formed by application onto a semiconductor substrate by a spin coater and subsequent baking (hereinafter referred to as spin coat method).
  • the spin coating method is simpler than the vapor deposition method. Therefore, it is required to form a lower layer film that can be used as a hard mask more suitable for fine processing by spin coating.
  • a hard mask composed of an organic polymer and a two-layer hard mask composed of this and an inorganic material have been proposed and studied in the latest field (see, for example, Patent Document 1).
  • a spin coat type hard mask material that has been prepared and is low in cost compared with a type using a conventional gas material has been developed (for example, see Non-Patent Document 1).
  • an organic / inorganic substance-containing hard mask material that is, a hard mask material in which an organic substance and an inorganic substance are contained in the same material has been studied (for example, see Patent Documents 2, 3, and 4).
  • the same applicant as the present application has applied for an underlayer film forming composition for lithography for forming an underlayer film that can be used as a hard mask (see, for example, Patent Documents 7 and 8).
  • organic substances constituting the organic / inorganic substance-containing node mask material are mainly organic high components. It is necessary to have a component that does not dissolve in a photoresist or the like that is applied and formed on the upper layer, which is preferably a part that is cross-linked by a cross-linking agent or has a thermosetting part.
  • the inorganic substance may be a metal (for example, titanium, aluminum, tungsten), silicon, or the like bonded to the polymer portion, or a substance containing these oxides.
  • these spin-coated hard masks have a role as sacrificial films, they must be removed in the same manner as the resist after forming predetermined fine irregularities.
  • a removal method there is a method using a reactive gas, but such a node mask containing an inorganic substance is applied to a coating material (SiO coating, Si N coating substrate, low dielectric material (Low-k material) used for the substrate. )
  • dimethyl sulfoxide, alcoholamine, water, and, if necessary, a quaternary ammonium hydroxide solution for removing the resist side wall protective volume film (see, for example, Patent Document 5), containing silicon
  • a stripping solution containing at least one selected from water-soluble amines and quaternary ammonium hydroxides and a non-amine water-soluble organic solvent (see, for example, Patent Document 6) Etc. exist. However, these are for removing the resist in the photolithography field, and there is no description about the removal of the spin coat type organic hard mask or the organic 'inorganic substance-containing node mask'. I don't have any suggestions.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-186610
  • Patent Document 2 Japanese Patent Laid-Open No. 2001-53068
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 2001-272786
  • Patent Document 4 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-100699
  • Patent Document 5 JP-A-7-28254
  • Patent Document 6 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-177669
  • Patent Document 7 International Publication No. 2005Z064403 Pamphlet
  • Patent Document 8 International Publication No. 2006Z040956 Pamphlet
  • Non-Patent Document 1 Semiconductor International Japan 2005. 4 pages 26-31 Disclosure of Invention
  • the present invention provides a silicon nitride film (SiN film) coated on a substrate when removing a spin coat type organic hard mask used in a semiconductor substrate processing step in the manufacture of a semiconductor element, For silicon oxynitride film (SiON film), silicon oxide film (SiO film), etc.
  • the present invention provides a hard mask removal composition and removal method suitable for removing an organic / inorganic matter-containing hard mask.
  • the present invention relates to the invention described below.
  • Hard mask containing 5 to 60% by mass of component (A), 6 to 25% by mass of component (B), 20 to 89% by mass of component (C), and 0 to 60% by mass of component (D)
  • the total amount of the component (A), the component (B), the component (C), and the component (D) is 100% by mass, and the component (A) is an alkanolamine.
  • the component (B) includes tetramethyl ammonium hydroxide, tetraethyl ammonium hydroxide, tetrapropyl ammonium hydroxide, tetraptyl ammonium hydroxide, and , At least one quaternary ammonium hydroxide selected from the trimethyl (2-hydroxyethyl) ammonium hydroxide,
  • the component (C) is water
  • the component (D) includes dimethylacetamide, sulfolane, propylene glycol monomethyl ethereol, diethyleneglycolenomonomethinoatenore, diethyleneglycolenomonotinoleatenore, diethyleneglycolenomonomonopropinoreethenole, diethyleneglycolenore. It is at least one water-soluble organic solvent selected from monobutyl ether, benzyl diglycol, benzyl glycol and phenyl alcohol
  • composition for removing a hard mask as described in 1 above which is at least one selected from the strengths of monoethanolamine and propanolamine of the component (A).
  • composition for removing a hard mask according to the above 1 or 2 which is a quaternary ammonium hydroxide property of the component (B).
  • the water-soluble organic solvent power of the component (D) The composition for removing a hard mask according to any one of the above 1 to 3, which is at least one selected from diethylene glycol monobutyl ether and benzyl diglycol medium power .
  • a composition for removing a hard mask wherein the total amount of the component (A), the component (B), the component (C), and the component (D) is 100% by mass.
  • a method for removing a hard mask wherein the organic hard mask is removed using the composition for removing a hard mask according to any one of 1 to 5 above in a semiconductor substrate processing step.
  • the hard mask described in any one of 1 to 5 above In the semiconductor substrate processing step, the hard mask described in any one of 1 to 5 above.
  • the organic substance has a portion crosslinked with an organic polymer by a crosslinking agent.
  • a hard mask removing method for removing an organic matter-containing node mask in which an inorganic substance is an inorganic oxide is used.
  • the removal composition of the present invention is a solution composition, and does not damage the substrate when removing the hard mask used in the processing step of the semiconductor substrate in the production of a semiconductor element. That is, Si N film, SiON film, SiO film used as coating material for substrates
  • the removal composition of the present invention can efficiently remove the hard mask.
  • the hard mask removal method using the removal composition of the present invention simplifies the conventional dry etching, ashing, and further, the steps of cleaning and removing the ashing residue.
  • dry etching and ashing residues such as resist and antireflection film can be washed at the same time.
  • the composition of the present invention is water-soluble, it can be rinsed with pure water immediately after removal.
  • V does not use an etching method containing a halogen gas such as a fluorine-based gas, it is an environmentally friendly and removal composition used in a wet method.
  • the present invention is an organic solution in a solution containing a specific alkanolamine, a quaternary ammonium hydroxide, water, and optionally a water-soluble organic solvent, which can be used in a hard mask removing step.
  • a composition for removing hard masks, especially containing organic and inorganic substances A composition for removing a hard mask, which is a removal method.
  • alkanolamine used as the component (A) in the present invention examples include monoethanolamine, propanolamine, diethanolamine, triethanolamine, butanolamine, pentanolamine and the like. At least one of these amines can be used, and two or more of them may be used in combination. Of these, monoethanolamine and propanolamine are preferred.
  • the quaternary ammonium hydroxide used as the component (B) includes tetramethyl ammonium hydroxide, tetraethyl ammonium hydroxide, tetrapropyl ammonium.
  • -Um hydroxide, tetraptyl ammonium hydroxide and trimethyl (2-hydroxyethyl) ammonium hydroxide are chosen to be the quaternary ammonia
  • At least one hydroxide can be used. Of course, you may use 2 or more types in combination.
  • tetramethyl ammonium hydroxides is preferred!
  • the water-soluble organic solvent of component (D) used as necessary includes dimethylacetamide, snorephoran, propyleneglycolenomonomethinoreether, diethyleneglycolenomonoethylenotenole, diethyleneglycolenoremonoethino.
  • At least one selected from the group consisting of reetenole, diethylene glycol monopropyl pill ether, diethylene glycol monobutyl ether (butyl carbitol), benzyl diglycol, benzyl glycol and phenol glycol can be used. Of course, you may use it in combination of 2 or more types.
  • diethylene glycol monobutyl ether and benzyl diglycol are preferred.
  • composition for removing a hard mask of the present invention comprises (A) component of 5 to 60% by mass, (B) component of 6 to 25% by mass, (C) component of 20 to 89% by mass, and (D) component. 0 to 60% by mass. However, the total amount of component (A), component (B), component (C) and component (D) is 100% by mass.
  • the hard mask removability is poor, and if it exceeds 60% by mass, the hard mask removability is poor.
  • it is 7.5-50 mass%, More preferably, it is 10-40 mass%.
  • the component (B) is less than 6% by mass, the hard mask is not easily removed. If it exceeds 25% by mass, Since the concentration of quaternary ammonia hydroxide is high, it is preferable because of its high price. Preferably, it is 7.5-22. 5% by mass, more preferably 7.5-20% by mass.
  • component (C) is less than 20% by mass, the amount of inexpensive water is reduced and the price is high, which is not preferable. If it exceeds 89 mass%, the removability is poor. Preferably 25 to 85 wt%, more preferably from 30 to 82.5 mass 0/0.
  • the hard mask removability is poor.
  • it is 0-50 mass%, More preferably, it is 0-40 mass%.
  • a surfactant, an acid, a base, etc. may be added to the hard mask removing composition of the present invention to such an extent that the effects of the present invention are not lost.
  • Surfactants include (1) anionic surfactants (for example: higher fatty acid alkali salts), (
  • Cationic surfactants e.g. higher amine halogenates, quaternary ammonium salts
  • Amphoteric surfactant eg: long chain amino acid, sulfobetaine
  • Nonionic surfactant eg, long chain fatty acid monoglyceride, polyoxyethylene-added alkylphenol ether
  • acid sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, hydrofluoric acid and the like can be added.
  • base ammonia or the like can be added.
  • an inorganic hard mask is formed by etching with a gas such as a fluorine-based gas, and after forming a desired pattern on the substrate, an unnecessary resist or anti-reflection film on the upper layer of the hard mask is formed with a normal oxygen gas or the like.
  • a gas such as a fluorine-based gas
  • an unnecessary resist or anti-reflection film on the upper layer of the hard mask is formed with a normal oxygen gas or the like.
  • the present invention is applied to a case where a spin coat organic hard coat material is used, while the remaining force on the substrate is removed. After ashing with gas, the organic hard coat is removed by using the hard mask removing yarn and composition of the present invention.
  • a removal composition in a conventional immersion cleaning method V or spray batch type cleaning machine, which is conventionally used for cleaning a semiconductor substrate.
  • the mask can be removed. Furthermore, at a temperature of 50 ° C, remove within a few minutes. Since it can be removed, it can also be used for single wafer cleaning machines.
  • the use temperature of the composition for removal is not limited as long as the temperature is within a range where the hard mask can be removed. For example, a sufficient effect can be obtained even at a room temperature of about 20 ° C to a relatively high temperature of 80 ° C.
  • the usage time of the removal composition for immersion, washing, etc. is not limited as long as the hard mask provided on the base plate can be removed.
  • the removal effect can be obtained at a temperature of 23 ° C to 50 ° C by about 30 minutes to 60 minutes.
  • the removal effect can be obtained in about 5 minutes at a temperature of 40 ° C to 80 ° C.
  • the removal composition of the present invention is applied to the removal of a spin coat organic hard mask.
  • Examples of the organic hard mask include hard masks mainly composed of organic polymers, and preferably include organic and inorganic-containing node masks.
  • Organic / inorganic-containing node masks are mainly composed of organic polymers, which are cross-linked by cross-linking agents, or those that have thermosetting sites, which are preferably applied to the upper layer. It is mentioned that it is a component which does not melt
  • the inorganic substance include silicon, silicon oxide, and metal oxide, and preferably polysiloxane or polysilane.
  • organic 'inorganic-containing hard masks cross-linked with a cross-linking agent with an organic polymer examples include organic compounds such as novolac or hydroxystyrene-based resin and thermal crosslinker powder (tetramethoxyglycol lauryl), Examples of inorganic substances include siloxane polymers that are hydrolysates of alkoxysilanes.
  • the hard mask material solution was applied to a silicon wafer-substrate at 1500 rpm, and baked at a temperature of 205 ° C. for 60 seconds to produce a hard mask with a film thickness of lOOnm.
  • a composition comprising a combination of propanolamine, monoethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, water, carbitol (diethylene glycol monobutyl ether), benzyldiglycol, and dimethylsulfoxide.
  • a hard mask removal test was conducted by immersing in this composition at a temperature of 40 ° C. for 5 minutes.
  • Table 1 shows the results of the removal of the composition of each component and the hard mask as Examples 1 to 6, and Table 2 shows the results of the removal of the composition of each component and the hard mask as Examples 7 to 9.
  • Table 3 shows the results of the composition and hard mask removal status of each component as Comparative Examples 1 to 6 in Table 3.
  • Table 4 shows the results of the composition and hard mask removal status of each component as Comparative Examples 7 to 10. Show the result.
  • TMAH Tetramethylammonium hydroxide
  • BC Butyl carbitol (diethylene glycol monobutyl ether)
  • BzDG Benzinoresiglycanol
  • the etching amount for the plate was measured.
  • the substrate coated with each of the above films was immersed at a temperature of 40 ° C. for 10 minutes, and the difference in film thickness before and after immersion was measured.
  • the results are shown in Tables 5 and 6.
  • the film thicknesses decreased by less than 0. Inm, and it was found that the compositions did not damage these films.
  • the film thickness difference was measured with a nanometrics M5100 film thickness measuring instrument.
  • the removal composition of the present invention can be used in a step of removing a hard mask. That is, the alkanolamine of the present invention, quaternary ammonium hydroxide, water and necessary Accordingly, a hard disk removal composition containing a water-soluble organic solvent is useful for a hard mask removal process using an organic hard mask material by spin coating, in particular, a hard mask material containing an organic substance or an inorganic substance. Can be used.

Abstract

【課題】　半導体素子の製造における半導体基板の加工工程で用いられるスピンコート型の有機系ハードマスクを除去する際に、基板に対してダメージを与えないウエット除去方法及びそれに用いる溶液の除去用組成物を提供しようとするものである。特に有機物・無機物含有ハードマスクを除去するのに好適なハードマスクの除去用組成物及び除去方法を提供するものである。 【解決手段】　特定のアルカノールアミン５～６０質量％、第４級アンモニウム水酸化物６～２５質量％、水２０～８９質量％及び、水溶性有機溶媒０～６０質量％を含有する溶液組成物を用いることによって、課題が達成できる。

Description

明 細 書
ハードマスクの除去用組成物及び除去方法
技術分野
[0001] 本発明は、半導体素子の製造における半導体基板の加工工程で用いられるハー ドマスクを除去する溶液組成物及びそれを用いたノ、ードマスクの除去方法に関する
背景技術
[0002] 従来から半導体素子の製造において、フォトレジストを用いたリソグラフィ一による加 ェが行われている。この加工はシリコンウェハー基板等の半導体基板上にフォトレジ スト膜を形成し、その上に半導体デバイスのパターンが描かれたマスクパターンを介 して紫外線等の活性光線を照射し、現像し、得られたフォトレジストパターンを保護膜 として基板をエッチング処理することにより、基板表面に、前記パターンに対応する凹 凸を形成する加工法である。
[0003] 近年、微細ィ匕カ卩ェの進展に伴い、薄膜のフォトレジストの使用が検討されるようにな つてきている。これは、膜厚を変えることなくフォトレジストパターンの寸法を小さくした 場合、フォトレジストパターンのアスペクト比（高さ Z幅）が大きくなり、フォトレジストパ ターンの倒壊等の発生が考えられるからである。また、フォトレジストはその膜厚が薄 いほど解像性が向上する。このようなことから、フォトレジストを薄膜で使用することが 望まれている。
[0004] そして、このようなカ卩工法において、半導体基板とフォトレジストとの間に、反射防止 膜や平坦ィ匕膜等の有機物質よりなる下層膜、即ち有機下層膜が形成されることがあ る。この場合、フォトレジストパターンを保護膜として、まず、フォトレジストで保護され ていない部分の有機下層膜をエッチングにより除去し、その後、半導体基板の加工 が行なわれる。有機下層膜のエッチングは一般にドライエッチングにより行なわれる 力 この際、有機下層膜だけでなくフォトレジストもエッチングされ、その膜厚が減少 するという問題がある。そのため、有機下層膜としてはフォトレジストと比較し、ドライエ ツチングによる除去の速度の大きなものが用いられる傾向にある。しかし、フォトレジス トも有機下層膜と同様に有機物質で構成されているため、フォトレジストの膜厚の減 少を抑えることは困難である。そのため、フォトレジストを薄膜にした場合、フォトレジ ストと有機下層膜よりなる、半導体基板加工のための保護膜として十分な膜厚を確保 できなくなると 、う問題が生じる。
[0005] 一方、半導体基板とフォトレジストとの間の下層膜として、ハードマスクとして知られ る無機物質カゝらなる膜を使用することが行なわれている。この場合、フォトレジスト (有 機物質)とハードマスク（下層膜:無機物質)では、その構成成分に大きな違 、が有る ため、それらのドライエッチングによって除去される速度は、ドライエッチングに使用さ れるガス種に大きく依存する。そして、ガス種を適切に選択することにより、フォトレジ ストの膜厚の大きな減少を伴うことなぐ下層膜をドライエッチングによって除去するこ とが可能となる。そのため、フォトレジストとこの下層膜とを使用した場合は、フォトレジ ストが薄膜であっても、フォトレジストと下層膜よりなる、半導体基板加工のための保 護膜の十分な膜厚を確保できると考えられて 、る。
[0006] し力しながら、従来、ハードマスクとしての下層膜は CVD装置、真空蒸着装置、及 びスパッタリング装置等を使用して、蒸着法によって形成されていた。これに対し、フ オトレジストや有機下層膜は半導体基板上へのスピンコート装置等による塗布及びそ れに続く焼成（以下、スピンコート法、という）によって形成されている。スピンコート法 は蒸着法に比べ装置等が簡便である。そのため、より微細加工に適したハードマスク として使用できる下層膜をスピンコート法によって形成することが求められている。
[0007] 例えば、有機ポリマーで構成されるハードマスクや、これと無機系材料との 2層ハー ドマスクが提案され、最新分野で検討されている（例えば、特許文献 1参照)。さらに 最近は、従来のガス原料を用いたタイプと比較して、形成が用意で低コストであるス ピンコート型のハードマスク材も開発されている（例えば、非特許文献 1参照)。さらに は、有機物 ·無機物含有ハードマスク材、すなわち有機物と無機物を同材中に含有 しているタイプのハードマスク材も検討されている（例えば、特許文献 2、 3、 4参照)。 また、本願と同一の出願人は、ハードマスクとして使用できる下層膜を形成するため のリソグラフィー用下層膜形成組成物を出願している（例えば、特許文献 7、 8参照)。
[0008] 特に、有機物 ·無機物含有ノヽードマスク材を構成する有機物の主体は、有機高分 子で、架橋剤により架橋される部位、あいは熱硬化性の部位を持っているものが好ま しぐ上層に塗布、形成されるフォトレジスト等に溶解しない成分を持つことが必要とさ れる。
また、無機物は、高分子部位に金属（例えば、チタン、アルミニウム、タングステン） 、珪素等が結合していてもよいし、あるいはこれらの酸ィ匕物等を含有した物であって ちょい。
[0009] これらのスピンコート型のハードマスクは、犠牲膜としての役割があるため、所定の 微細凹凸を形成後、レジストと同様に除去されなければならない。除去方法としては 、反応性ガスによる方法も存在するが、このような、無機物を含有したノヽードマスクは 基板に用いている被覆材 (SiO被覆、 Si N被覆基板、低誘電材料 (Low— k材料）
2 3 4
被覆材等）との関係でアツシングガスの選択比が非常に狭められる、あるいは基板に ダメージ等を与える恐れが存在する。そこでこのような問題を解決するためのハード マスクを除去する方法が要求されて 、る。
[0010] 更に、ドライエッチングでは、地球温暖化ガスであるフロン系ガス等を必要としてい るので環境に優しい脱フロンの半導体プロセスの実現が期待され、ハードマスクにも フロン系ガス等によるエッチングを使用することなく除去できることが期待されている。
[0011] 一方、無機物を含有するハードマスクをウエット除去する文献は見あたらな 、が、後 記する本発明の構成を成す化合物を一部選択しているレジスト等の剥離液は開示さ れている。
例えば、レジストの側壁保護体積膜の除去としてジメチルスルホキシド、アルコール ァミン、水、必要に応じて 4級アンモ-ゥム水酸ィ匕物力もなる除去用液 (例えば、特許 文献 5参照）、シリコン含有 2層レジストの除去として、水溶性ァミン及び 4級アンモ- ゥム水酸ィ匕物カゝら選ばれる少なくとも 1種と非ァミン系水溶性有機溶剤を含む剥離液 (例えば、特許文献 6参照)等が存在する。しかし、これらはフォトリソグラフィー分野の レジストを除去するためのものであり、スピンコート型の有機ハードマスクあるいは有 機物'無機物含有ノヽードマスクの除去についての記載もなぐ基板へのダメージ等の 有無につ 、ての示唆もな 、。
[0012] 特許文献 1 :特開 2004— 186610号公報 特許文献 2：特開 2001— 53068号公報
特許文献 3：特開 2001— 272786号公報
特許文献 4:特開 2000— 100699号公報
特許文献 5：特開平 7— 28254号公報
特許文献 6：特開 2004— 177669号公報
特許文献 7：国際公開第 2005Z064403号パンフレット
特許文献 8：国際公開第 2006Z040956号パンフレット
非特許文献 1： Semiconductor International 日本版 2005. 4 26〜31頁 発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0013] 本発明は、半導体素子の製造における半導体基板の加工工程で使用されるスピン コート型の有機系ハードマスクを除去する際に、基板に被覆されているシリコン窒化 膜 (Si N膜)、シリコン酸窒化膜 (SiON膜)、シリコン酸ィ匕膜 (SiO膜)等に対してダ
3 4 2
メージを与えない除去方法及びそれに用いる溶液の除去用組成物を提供しようとす るものである。特に有機物 ·無機物含有ハードマスクを除去するのに好適なハードマ スクの除去用組成物及び除去方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
[0014] 本発明者らは鋭意研究した結果、特定のアルカノールァミン、第 4級アンモニゥム 水酸化物、水及び、必要に応じて水溶性有機溶媒を含有する溶液の組成物を用い ることによって上記の課題が達成できることを見いだし、本発明を成したものである。
[0015] すなわち本発明は、以下に記載の発明に関する。
1. (A)成分を 5〜60質量％、（B)成分を 6〜25質量％、（C)成分を 20〜89質量％ 及び、（D)成分を 0〜60質量％含有するハードマスクの除去用組成物であって、 前記 (A)成分、（B)成分、（C)成分及び、（D)成分の合計量は 100質量％であり、 前記 (A)成分は、アルカノールァミン力 選ばれる少なくとも 1種以上のアミンィ匕合物 であり、
前記（B)成分は、テトラメチルアンモ-ゥム水酸ィ匕物、テトラエチルアンモ-ゥム水酸 化物、テトラプロピルアンモニゥム水酸化物、テトラプチルアンモニゥム水酸化物及び 、トリメチル (2—ヒドロキシェチル)アンモニゥム水酸化物の中力 選ばれる少なくとも 1 種以上の第 4級アンモ-ゥム水酸ィヒ物であり、
前記 (C)成分は、水であり、
前記（D)成分は、ジメチルァセトアミド、スルホラン、プロピレングリコールモノメチルェ ーテノレ、ジエチレングリコーノレモノメチノレエーテノレ、ジエチレングリコーノレモノェチノレ エーテノレ、ジエチレングリコーノレモノプロピノレエーテノレ、ジエチレングリコーノレモノブ チルエーテル、ベンジルジグリコール、ベンジルグリコール及び、フエニルダリコール の中から選ばれる少なくとも 1種以上の水溶性有機溶媒である
ハードマスクの除去用組成物。
2.前記（A)成分のアルカノールァミン力 モノエタノールァミン及びプロパノールアミ ンの中力 選ばれる少なくとも 1種である前記 1に記載のハードマスクの除去用組成 物。
3.前記 (B)成分の第 4級アンモ-ゥム水酸ィ匕物力 テトラメチルアンモ-ゥム水酸ィ匕 物である前記 1又は 2に記載のハードマスクの除去用組成物。
4.前記 (D)成分の水溶性有機溶媒力 ジエチレングリコールモノブチルエーテル及 びべンジルジグリコール中力 選ばれる少なくとも 1種である前記 1乃至 3のいずれか 1つに記載のハードマスクの除去用組成物。
5.前記 (A)成分としてモノエタノールァミン及びプロパノールァミンの中力 選ばれ る少なくとも 1種を 10〜40質量％、前記 (B)成分としてテトラメチルアンモ-ゥム水酸 化物 7. 5〜20質量％、前記 (C)成分として水を 30〜82. 5質量％及び、前記 (D) 成分としてジエチレングリコールモノブチルエーテル及びベンジルグリコールの中力 ら選ばれる少なくとも 1種を 0〜40質量％含有し、
前記 (A)成分、（B)成分、（C)成分及び、（D)成分の合計量が 100質量％である ハードマスクの除去用組成物。
6.半導体基板の加工工程において、前記 1乃至 5のいずれか 1つに記載のハードマ スクの除去用組成物を使用して、有機ハードマスクを除去するハードマスクの除去方 法。
7.半導体基板の加工工程において、前記 1乃至 5のいずれか 1つに記載のハードマ スクの除去用組成物を使用して、有機物'無機物含有ノヽードマスクを除去するハード マスクの除去方法。
8.半導体基板の加工工程において、前記 1乃至 5のいずれか 1つに記載のハードマ スクの除去用組成物を使用して、有機物が有機高分子で架橋剤により架橋された部 位を有し、かつ無機物が無機酸ィ匕物である有機物'無機物含有ノヽードマスクを除去 するハードマスクの除去方法。
9.半導体基板の加工工程において、フォトレジストパターン作成後の保護膜を除去 後に、浸漬式の洗浄方法、スプレーバッチ式の洗浄機及び、枚葉式洗浄機の中から 選ばれる少なくとも一方式を用いて行う前記 6乃至 8のいずれ力 1つに記載のハード マスクの除去方法。
発明の効果
[0017] 本発明の除去用組成物は溶液組成物であり、半導体素子の製造における半導体 基板の加工工程で使用されるハードマスクを除去する際に、基板にダメージを与えな いことである。すなわち、基板の被覆材として用いられる Si N膜、 SiON膜、 SiO膜
3 4 2 等に対してダメージを与えな 、ものである。
[0018] また、本発明の除去用組成物は、ハードマスクを効率よく除去することができる。す なわち、本発明の除去用組成物を用いたハードマスクの除去方法は、従来の様なド ライエッチング、アツシング、更にはエッチング、アツシング残渣を洗浄除去する工程 が簡略化され、ハードマスクを除去する際に、レジスト、反射防止膜等のドライエッチ ング、アツシング残渣を同時に洗浄することもできる。更に本発明の組成物は、水溶 性であるため、除去後ただちに純水で洗浄リンスが可能である。
[0019] 更には、フッ素系ガス等のハロゲンガスを含有したエッチング方法を使用していな V、ので、環境にやさ 、ウエット方法で用いられる除去用組成物でもある。
発明を実施するための最良の形態
[0020] 以下、本発明を詳細に説明する。
本発明は、ハードマスクの除去工程において用いることのできる、特定のアルカノー ルァミン、第 4級アンモ-ゥム水酸ィ匕物、水及び、必要に応じて水溶性有機溶媒を含 有する溶液の有機系ハードマスクの除去用組成物であり、特に有機物 ·無機物含有 ハードマスクの除去用組成物であり、除去方法である。
[0021] まず、本発明の構成成分について詳述する。本発明で (A)成分として用いられるァ ルカノールァミンには、モノエタノールァミン、プロパノールァミン、ジエタノールァミン 、トリエタノールァミン、ブタノールァミン、ペンタノールアミン等がある。これらのァミン は少なくとも 1種を用いることができ、 2種以上組み合わせて用いてもよい。これらのな かでモノエタノールァミン及び、プロパノールァミンが好まし 、。
[0022] 次に (B)成分として用いられる第 4級アンモ-ゥム水酸ィ匕物には、テトラメチルアン モ-ゥム水酸化物、テトラエチルアンモ -ゥム水酸化物、テトラプロピルアンモ-ゥム 水酸化物、テトラプチルアンモ-ゥム水酸ィ匕物及び、トリメチル (2—ヒドロキシェチル） アンモ-ゥム水酸化物の中力 選ばれ、これらの第 4級アンモ-ゥム水酸化物の少な くとも 1種を用いることができる。むろん 2種以上組み合わせて用いてもよい。これら第 4級アンモニゥム水酸化物の中でも、テトラメチルアンモニゥム水酸化物が好まし!/、。
[0023] また、必要に応じて用いる（D)成分の水溶性有機溶媒には、ジメチルァセトアミド、 スノレホラン、プロピレングリコーノレモノメチノレエーテル、ジエチレングリコーノレモノメチ ノレエーテノレ、ジエチレングリコーノレモノェチノレエーテノレ、ジエチレングリコーノレモノプ 口ピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルカルビトール）、 ベンジルジグリコール、ベンジルグリコール及び、フエ-ルグリコールの中から選ばれ 、少なくとも 1種を用いることができる。むろん 2種以上組み合わせと用いてもよい。こ れら水溶性有機溶媒のなかでジエチレングリコールモノブチルエーテル及びべンジ ルジグリコールが好まし 、。
[0024] 次に本発明の組成物を構成する各成分の割合について述べる。
本発明のハードマスクの除去用組成物は、（A)成分を 5〜60質量％、（B)成分を 6 〜25質量％、（C)成分を 20〜89質量％及び、（D)成分を 0〜60質量％を含有する 。但し (A)成分、（B)成分、（C)成分及び、（D)成分の合計量を 100質量％とする。
(A)成分が 5質量％未満だと、ハードマスクの除去性が劣り、また 60質量％を越えて も、ハードマスクの除去性が劣る。好ましくは 7. 5〜50質量％、更に好ましくは 10〜 40質量％である。
(B)成分が 6質量％未満だと、ハードマスクの除去性が劣り、 25質量％を越えると、 第 4級アンモ-ゥム水酸ィ匕物の濃度が高くなるので高価格となり好ましくな 、。好まし くは 7. 5-22. 5質量％、更に好ましくは 7. 5〜20質量％である。
(C)成分が 20質量％未満だと、安価な水の量が少なくなり高価格となるので、好まし くない。 89質量％を越えると除去性が劣る。好ましくは 25〜85質量％、更に好ましく は 30〜82. 5質量0 /0である。
(D)成分が 60質量％を越えると、ハードマスクの除去性が劣る。好ましくは 0〜50質 量％、更に好ましくは 0〜40質量％である。
[0025] 更に、本発明のハードマスクの除去用組成物には、界面活性剤、酸、塩基等を本 発明の効果を失しない程度に添加しても良い。
[0026] 界面活性剤としては、（1)陰イオン界面活性剤 (例えば:高級脂肪酸アルカリ塩)、 (
2)陽イオン界面活性剤 (例えば:高級アミンハロゲン酸塩、第 4級アンモ-ゥム塩)、 (
3)両性界面活性剤 (例えば:長鎖アミノ酸、スルホベタイン)、（4)非イオン性界面活 性剤（例えば、長鎖脂肪酸モノグリセリド、ポリオキシエチレン付加アルキルフエ-ル エーテル)等を添加することができる。
[0027] 酸としては、硫酸、硝酸、塩酸、燐酸、フッ酸等を添加することができる。塩基として は、アンモニア等を添加することができる。
[0028] 次に本発明のハードマスクの除去用組成物の使用方法について述べる。
一般に無機物のハードマスクは、フッ素系ガス等のガスによるエッチングで、基板に 目的とするパターンを形成後、ハードマスクの上層の不要なレジストあるいは反射防 止膜等の保護膜を、通常酸素ガス等によるガスでアツシング除去するが、基板に残る し力しながら、本発明は、スピンコートの有機系ハードコート材を用いた場合に適用 するものであって、レジストあるいは反射防止膜等の保護膜をガスでアツシング後に、 本発明のハードマスクの除去用糸且成物の使用することによって、有機系ハードコート を除去するものである。
[0029] すなわち、レジスト等の保護膜を除去後に、半導体基板の洗浄に従来使用されて V、る浸漬式の洗浄方法、またスプレーバッチ式の洗浄機に除去用組成物を使用する ことによってハードマスクを除去することができる。更に、温度 50°Cで、数分以内に除 去できることから、枚葉式洗浄機にも対応できる。
[0030] 上記のハードマスクを除去する方法における、当該除去用組成物の使用温度は、 ハードマスクが除去できる範囲の温度であれば限定されない。例えば、 20°C前後の 常温から 80°Cの比較的高温でも十分な効果が得られる。
[0031] 当該除去用組成物の浸漬、洗浄等の使用時間は、基版上に設けられたハードマス クを除去できる時間であれば限定されない。例えば、浸漬式、スプレーバッチ式を採 用した場合には、温度 23°C〜50°Cで 30分〜 60分程度までに除去効果が得られる 。枚葉式を使用した場合には温度 40°C〜80°Cで 5分くらいまでに除去効果が得られ る。
[0032] 本発明の除去用組成物は、スピンコート型の有機系ハードマスクの除去に適用され る。
有機系ハードマスクとしては、有機高分子主体のハードマスクが挙げられ、好ましく は、有機物'無機物含有ノヽードマスクが挙げられる。
有機'無機含有ノヽードマスクとしては、構成する有機物の主体は有機高分子で、架 橋剤により架橋される部位、あいは熱硬化性の部位を持っているものが好ましぐ上 層に塗布、形成されるフォトレジスト等に溶解しない成分であることが挙げられる。ま た、無機物は、シリコン、シリコン酸ィ匕物、または金属酸ィ匕物が挙げられ、好ましくは、 ポリシロキサン、またはポリシランが挙げられる。
有機高分子で架橋剤により架橋された有機'無機含有ハードマスクとしては、有機 物としては、ノボラック榭脂またはヒドロキシスチレン系榭脂および熱架橋材パウダ一 リンク (テトラメトキシグリコールラウリル）が挙げられ、無機物としては、アルコキシシラ ンの加水分解物であるシロキサンポリマーが挙げられる。
実施例
[0033] 以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれらの例に限定されるも のではない。
[0034] <ハードマスク材の準備 >
ハードマスク材として、ヒドロキシスチレンポリマー（分子量 Mw: 10000)を 70質量
%、熱架橋材パウダーリンク (テトラメトキシグリコールラウリル）を 20質量0 /0、ゾルゲル で作製したシロキサンポリマーを 10質量％の割合 (合計量 100質量％)で、それぞれ EL (ェチルラクテート）に溶解させ、所定のハードマスク材溶液を得た。
[0035] <ハードマスクの剥離試験 >
上記ハードマスク材溶液をシリコンウェハ—基板に 1500rpmで塗布し、温度 205 °Cにて 60秒間加熱焼成し、膜厚 lOOnmのハードマスクを作製した。実施例、比較例 に示すように、プロパノールァミン、モノエタノールァミン、テトラメチルアンモ-ゥム水 酸化物、水、カルビトール（ジエチレングリコールモノブチルエーテル）、ベンジルジグ リコール及び、ジメチルスルホキシドを組み合わせた組成物を用い、この組成物中で 温度 40°Cにて 5分間浸漬処理し、ハードマスクの除去試験を行った。
[0036] <ハードマスクの除去状況評価 >
上記浸漬試験後のハードマスクの状況につ!、て、走査電子顕微鏡 (SEM)でハー ドマスクの除去状況を観察した。
[0037] 表 1に実施例 1〜6として各成分の組成物とハードマスクの除去の状況の結果を示す 表 2に実施例 7〜9として各成分の組成物とハードマスクの除去の状況の結果を示す 表 3に比較例 1〜6として各成分の組成物とハードマスクの除去の状況の結果を示す 表 4に比較例 7〜10として各成分の組成物とハードマスクの除去の状況の結果を示 す。
なお、表 1〜4のハードマスクの除去の状況は、株式会社日立製作所製の S-4800 走査電子顕微鏡 (SEM)を用いた観察で以下のように評価した。
〇：完全に剥離除去されて!、る。
X：完全には除去されていない。
[0038] [表 1] 実 ir £例 1 2 3 4 5 6 成分 PA 10 20 10 10 ― 40
MEA ― ― ― ― 10 ―
TMAH 10 10 7.5 10 10 10 水 40 30 42.5 40 40 30
BC 40 40 40 ― 40 20
BzDG ― ― 40 ― ― 結朱 〇 〇 〇 〇 〇 o
(数値は、組成物全体に対する質量％)
[0039] [表 2]
Figure imgf000012_0001
[0040] [表 3]
Figure imgf000012_0002
(数値は、組成物全 に対する質量％)
[0041] [表 4]
Figure imgf000012_0003
[0042] なお、各表中の各略称及び各記号は以下のとおりの意味を有する,
PA:プロパノールァミン
MEA：モノエタノーノレアミン
TMAH：テトラメチルアンモニゥム水酸化物 BC：ブチルカルビトール（ジエチレングリコールモノブチルエーテル） BzDG：ベンジノレジグリコーノレ
DMSO：ジメチルスルフォキシド
[0043] <基板に対するダメージの評価 >
また、シリコンウェハに Si N、 SiON、 SiOの各種膜を 500nm厚みで被覆した基
3 4 2
板に対してのエッチング量を測定した。実施例 1〜9に示す組成物を用い、各上記膜 を被覆した基板を温度 40°Cで 10分間浸潰させ、浸漬前後の膜厚差を測定した。そ の結果を表 5、 6に示す。結果は膜厚がそれぞれ 0. Inm未満の減少となり、これらの 膜にダメージを与えない組成物であることが分かった。なお、膜厚差はナノメトリタス 社製 M5100膜厚測定器けノスペック)で厚みを測定した。
[0044] [表 5]
[0045] [
Figure imgf000013_0001
[0046] 表 1〜4に示すとおり、本発明のアルカノールァミン、第 4級アンモ-ゥム水酸ィ匕物、 水及び、必要に応じて水溶性有機溶媒とを含有するハードデスクの除去用組成物は 、ハードマスクを除去する。また、表 5、 6に示すとおりシリコンウェハ基板の被覆材に 対してもダメージを与えな!/、。
産業上の利用可能性
[0047] 本発明の除去組成物は、ハードマスクの除去工程において用いることができる。す なわち、本発明のアルカノールァミン、第 4級アンモニゥム水酸化物、水及び、必要 に応じて水溶性有機溶媒を含有するハードデスクの除去用組成物は、スピンコート 法による有機系ハードマスク材、特に有機物'無機物含有ハードマスク材を用いたハ ードマスク除去工程にぉ 、て有用に用いることができる。

Claims

請求の範囲
[1] (A)成分を 5〜60質量％、（B)成分を 6〜25質量％、（C)成分を 20〜89質量％ 及び、（D)成分を 0〜60質量％含有するハードマスクの除去用組成物であって、 前記 (A)成分、（B)成分、（C)成分及び、（D)成分の合計量は 100質量％であり、 前記 (A)成分は、アルカノールァミン力 選ばれる少なくとも 1種以上のアミンィ匕合物 であり、
前記（B)成分は、テトラメチルアンモ-ゥム水酸ィ匕物、テトラエチルアンモ-ゥム水酸 化物、テトラプロピルアンモニゥム水酸化物、テトラプチルアンモニゥム水酸化物及び 、トリメチル (2—ヒドロキシェチル)アンモニゥム水酸化物の中力 選ばれる少なくとも 1 種以上の第 4級アンモ-ゥム水酸ィヒ物であり、
前記 (C)成分は、水であり、
前記（D)成分は、ジメチルァセトアミド、スルホラン、プロピレングリコールモノメチルェ ーテノレ、ジエチレングリコーノレモノメチノレエーテノレ、ジエチレングリコーノレモノェチノレ エーテノレ、ジエチレングリコーノレモノプロピノレエーテノレ、ジエチレングリコーノレモノブ チルエーテル、ベンジルジグリコール、ベンジルグリコール及び、フエニルダリコール の中から選ばれる少なくとも 1種以上の水溶性有機溶媒である
ハードマスクの除去用組成物。
[2] 前記（A)成分のアルカノールァミン力 モノエタノールァミン及びプロパノールアミ ンの中力 選ばれる少なくとも 1種である請求項 1に記載のハードマスクの除去用組 成物。
[3] 前記 (Β)成分の第 4級アンモ-ゥム水酸ィ匕物力 テトラメチルアンモ-ゥム水酸ィ匕 物である請求項 1又は請求項 2に記載のハードマスクの除去用組成物。
[4] 前記 (D)成分の水溶性有機溶媒が、ジエチレングリコールモノブチルエーテル及 びべンジルジグリコール中力 選ばれる少なくとも 1種である請求項 1乃至請求項 3の いずれか 1項に記載のハードマスクの除去用組成物。
[5] 前記 (Α)成分としてモノエタノールァミン及びプロパノールァミンの中力も選ばれる 少なくとも 1種を 10〜40質量％、前記 (Β)成分としてテトラメチルアンモ-ゥム水酸ィ匕 物 7. 5〜20質量％、前記（C)成分として水を 30〜82. 5質量％及び、前記（D)成 分としてジエチレングリコールモノブチルエーテル及びベンジルグリコールの中から 選ばれる少なくとも 1種を 0〜40質量％含有し、
前記 (A)成分、（B)成分、（C)成分及び、（D)成分の合計量が 100質量％である ハードマスクの除去用組成物。
[6] 半導体基板の加工工程において、請求項 1乃至請求項 5のいずれか 1項に記載の ハードマスクの除去用組成物を使用して、有機ハードマスクを除去するハードマスク の除去方法。
[7] 半導体基板の加工工程において、請求項 1乃至請求項 5のいずれか 1項に記載の ハードマスクの除去用組成物を使用して、有機物'無機物含有ノヽードマスクを除去す るハードマスクの除去方法。
[8] 半導体基板の加工工程において、請求項 1乃至請求項 5のいずれか 1項に記載の ハードマスクの除去用組成物を使用して、有機物が有機高分子で架橋剤により架橋 された部位を有し、かつ無機物が無機酸ィ匕物である有機物'無機物含有ノヽードマス クを除去するハードマスクの除去方法。
[9] 半導体基板の加工工程にお!、て、フォトレジストパターン作成後の保護膜を除去後 に、浸漬式の洗浄方法、スプレーバッチ式の洗浄機及び、枚葉式洗浄機の中から選 ばれる少なくとも一方式を用いて行う請求項 6乃至請求項 8のいずれ力 1項に記載の ハードマスクの除去方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140018129A (ko) 2012-08-02 2014-02-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포 처리 방법 및 도포 처리 장치
JP2017108122A (ja) * 2015-11-25 2017-06-15 エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ エッチング組成物及びその使用方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102396007B1 (ko) * 2012-07-19 2022-05-10 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 반도체용 세정액 및 이것을 이용한 세정방법
US9425053B2 (en) 2014-06-27 2016-08-23 International Business Machines Corporation Block mask litho on high aspect ratio topography with minimal semiconductor material damage
US10934485B2 (en) 2017-08-25 2021-03-02 Versum Materials Us, Llc Etching solution for selectively removing silicon over silicon-germanium alloy from a silicon-germanium/ silicon stack during manufacture of a semiconductor device
US10761423B2 (en) 2017-08-30 2020-09-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Chemical composition for tri-layer removal

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0728254A (ja) * 1993-07-08 1995-01-31 Kanto Chem Co Inc レジスト用剥離液
JP2000100699A (ja) * 1998-09-22 2000-04-07 Toshiba Corp パターン形成方法
JP2001242642A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法
JP2001272786A (ja) * 2000-03-24 2001-10-05 Toshiba Corp パターン形成方法
JP2004177669A (ja) * 2002-11-27 2004-06-24 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd シリコン含有２層レジストの剥離除去方法及びこれに用いる洗浄液

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101158298B1 (ko) * 2003-12-26 2012-06-26 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 하드 마스크용 도포형 질화막 형성 조성물

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0728254A (ja) * 1993-07-08 1995-01-31 Kanto Chem Co Inc レジスト用剥離液
JP2000100699A (ja) * 1998-09-22 2000-04-07 Toshiba Corp パターン形成方法
JP2001242642A (ja) * 2000-02-29 2001-09-07 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法
JP2001272786A (ja) * 2000-03-24 2001-10-05 Toshiba Corp パターン形成方法
JP2004177669A (ja) * 2002-11-27 2004-06-24 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd シリコン含有２層レジストの剥離除去方法及びこれに用いる洗浄液

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140018129A (ko) 2012-08-02 2014-02-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 도포 처리 방법 및 도포 처리 장치
US8791030B2 (en) 2012-08-02 2014-07-29 Tokyo Electron Limited Coating treatment method and coating treatment apparatus
JP2017108122A (ja) * 2015-11-25 2017-06-15 エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドＡｉｒ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ Ａｎｄ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ エッチング組成物及びその使用方法

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