WO2007004619A1 - 感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法、プリント配線板の製造方法及びプラズマディスプレイパネル用隔壁の製造方法。 - Google Patents

感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法、プリント配線板の製造方法及びプラズマディスプレイパネル用隔壁の製造方法。 Download PDF

Info

Publication number
WO2007004619A1
WO2007004619A1 PCT/JP2006/313245 JP2006313245W WO2007004619A1 WO 2007004619 A1 WO2007004619 A1 WO 2007004619A1 JP 2006313245 W JP2006313245 W JP 2006313245W WO 2007004619 A1 WO2007004619 A1 WO 2007004619A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
group
photosensitive layer
carbon atoms
resist pattern
photosensitive
Prior art date
Application number
PCT/JP2006/313245
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Masahiro Miyasaka
Takashi Kumaki
Original Assignee
Hitachi Chemical Company, Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to US11/994,990 priority Critical patent/US8105759B2/en
Application filed by Hitachi Chemical Company, Ltd. filed Critical Hitachi Chemical Company, Ltd.
Priority to CN2006800245159A priority patent/CN101218538B/zh
Priority to KR1020077030100A priority patent/KR100932580B1/ko
Priority to JP2007524058A priority patent/JP4605223B2/ja
Publication of WO2007004619A1 publication Critical patent/WO2007004619A1/ja

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/029—Inorganic compounds; Onium compounds; Organic compounds having hetero atoms other than oxygen, nitrogen or sulfur
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/031—Organic compounds not covered by group G03F7/029
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/36—Spacers, barriers, ribs, partitions or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
    • H01J9/241—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases the vessel being for a flat panel display
    • H01J9/242—Spacers between faceplate and backplate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/114—Initiator containing
    • Y10S430/12—Nitrogen compound containing
    • Y10S430/121—Nitrogen in heterocyclic ring
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/127—Spectral sensitizer containing

Definitions

  • Photosensitive resin composition photosensitive element using the same, resist pattern forming method, printed wiring board manufacturing method, and plasma display panel partition manufacturing method.
  • the present invention relates to a photosensitive resin composition, a photosensitive element using the same, a method for forming a resist pattern, a method for manufacturing a printed wiring board, and a method for manufacturing a partition for a plasma display panel.
  • a photosensitive resin composition As a resist material used for etching treatment, a photosensitive resin composition, or a photosensitive resin composition, which is laminated on a support and covered with a protective film, is used in the manufacturing technology of printed wiring boards. Photosensitive elements are widely used.
  • a photosensitive element is made to adhere to a photosensitive resin composition layer (hereinafter referred to as a photosensitive layer) on a circuit forming substrate such as a copper substrate.
  • Laminate laminate, etc.
  • irradiate actinic rays to photocure pattern exposure
  • the photocurable resin composition is photocured with
  • the resist pattern is formed by removing (developing).
  • a method is generally used in which a circuit forming substrate for forming a resist pattern is etched or plated to form a pattern, and then the photocured portion of the photosensitive resin composition is peeled off from the substrate. is there.
  • PDP plasma display panel
  • a color PDP having a fine and large number of display cells has received much attention.
  • a front glass substrate and a back glass substrate are arranged in parallel and facing each other, and a partition wall is provided between the two while maintaining a constant interval.
  • P The DP has a structure that discharges in a space surrounded by the front glass substrate, the rear glass substrate, and the barrier ribs. In such a space, an electrode for display, a dielectric layer, a phosphor and the like are attached. Then, the phosphor is caused to emit light by the ultraviolet rays generated by the sealed gas column by the discharge, and this light can be visually recognized by the observer.
  • the partition wall has a width of 20 to 80 / ⁇ ⁇ and a height of 60 to 200. It has the shape of / ⁇ ⁇ .
  • a sand blast method As a method for forming the partition walls, a sand blast method, a screen printing method, a photosensitive paste method, a photo embedding method, a mold transfer method and the like are mainly used. Recently, a new formation method using a wet etching process has been proposed.
  • the barrier ribs are manufactured, for example, a barrier rib material layer is formed on a back glass substrate on which electrodes are formed, and the photosensitive element of the photosensitive element is laminated on the barrier rib material layer so as to adhere to the barrier rib material layer. Then, the photosensitive resin composition is photocured (pattern exposure) by irradiating with actinic rays, and then the photosensitive resin composition is photocured and then removed. A resist pattern is formed by (development). Finally, a method is generally used in which the barrier rib material layer is etched using the resist pattern as a mask to form the barrier rib pattern, and then the resist pattern is peeled off.
  • a mercury lamp has been mainly used as a light source for pattern exposure of a photosensitive layer.
  • mercury lamp light contains ultraviolet rays that are harmful to the human body, and there was a problem with work safety.
  • an exposure method that uses a visible light laser as a light source. This method requires a resist sensitive to visible light, and this resist has to be handled in a dark room or under a red lamp.
  • actinic rays that have been cut by 99.5% using a filter with light having a wavelength of 365 nm or less among the light that can also emit light from a mercury lamp have been proposed.
  • a long-lived, high-power gallium nitride blue laser light source that oscillates light having a wavelength of 405 nm has been proposed.
  • DLP Digital Light Processing
  • This exposure method also uses water as a light source.
  • Silver light source power Of the emitted light light with a wavelength of 365 nm or less can use an active light source that is 99.5% cut using a filter or a blue laser light source.
  • Non-Patent Document 1 Electronics Packaging Technology June 2002 p. 74- 79
  • conventional photosensitive elements are designed to exhibit optimum photosensitive characteristics for all wavelengths of a mercury lamp light source centered on light having a wavelength of 365 nm. Therefore, when it is intended to perform pattern exposure using light having a peak in the wavelength range of 350 nm or more and less than 440 nm, the photosensitive element for light having a peak in the wavelength range of 350 nm or more and less than 440 nm is used.
  • the sensitivity is low. Therefore, when forming a resist pattern, sufficient resolution with a low throughput and a good resist shape could not be obtained.
  • the present invention provides a photosensitive resin composition capable of forming a resist pattern with light having a peak in a wavelength range of 350 nm or more and less than 440 nm with sufficient sensitivity and resolution, and uses the same. It is an object of the present invention to provide a photosensitive element, a resist pattern forming method, a printed wiring board manufacturing method, and a plasma display panel partition manufacturing method.
  • the present inventors have found that the above problems can be solved by a photosensitive resin composition containing a specific amount of a specific component, and have completed the present invention.
  • the photosensitive resin composition according to the present invention comprises (A) a binder polymer, (B) a photopolymerizable compound having a polymerizable ethylenically unsaturated bond, and (C) 2, 4, 5 —A photo-radical polymerization initiator containing a triarylimidazo monomer or a derivative thereof, and (D) a compound represented by the following general formula (1).
  • R 1 and R 2 are each independently an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 5 to 12 carbon atoms, a phenol group, a benzyl group, or 2 carbon atoms.
  • R 3 , R 4 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , and 1 () are each independently a hydrogen atom, carbon number
  • the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms may be substituted with a hydroxyl group that may have an oxygen atom between main chain carbon atoms.
  • the cycloalkyl group having 5 to 12 carbon atoms may be substituted with a hydroxyl group which may have an oxygen atom in the ring.
  • the phenol group in R 1 and R 2 includes an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyl group, a halogen atom, a cyan group, a carboxyl group, a phenol group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a phenoxy group.
  • a group, and an alkoxycarbo group having 2 to 6 carbon atoms may be substituted with one or more groups selected from the group consisting of Z and atoms.
  • the benzyl group includes an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyl group, a halogen atom, a cyano group, a carboxyl group, a phenol group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a phenoxy group, and 2 to 6 carbon atoms. It may be substituted with one or more groups selected from the group consisting of alkoxycarbo groups and Z or atoms.
  • the benzoyl group includes an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyl group, a halogen atom, a cyan group, a carboxyl group, a phenol group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a phenoxy group, and an alkoxy group having 2 to 6 carbon atoms.
  • Carbon group may be substituted with one or more groups selected from the group consisting of Z and atoms.
  • the photosensitive element of the present invention comprises a support and a photosensitive layer made of the photosensitive resin composition formed on the support.
  • a conventional photosensitive element has low sensitivity and resolution with respect to light having a peak in a wavelength range of 390 nm or more and less than 440 nm. This is the conventional photosensitive element
  • the optical density of the photosensitive element in the wavelength region is small, that is, the light in the wavelength region cannot be sufficiently absorbed, and it is difficult to initiate polymerization of the (B) photopolymerizable compound in the photosensitive element. Due mainly to.
  • One of the features of the photosensitive resin composition according to the present invention is that it contains (D) a specific amount of the compound represented by the general formula (1).
  • the photosensitive element according to the present invention is composed of a photosensitive layer containing a specific amount of the compound represented by (D) -general formula (1).
  • the compound (D) represented by the general formula (1) contained in the photosensitive element has a large light absorption property with respect to light having a wavelength of 390 nm or more and less than 440 nm. Therefore, when light having a peak in the wavelength range of 390 nm or more and less than 440 nm is used as exposure light, sufficient sensitivity, resolution, and good resist shape can be obtained.
  • the compound represented by (D) -general formula (1) contained in the photosensitive element has a large light absorption property even for light having a wavelength of 350 nm or more and less than 390 nm. Therefore, sufficient sensitivity, resolution, and good resist shape can be obtained even when light of all wavelengths of a mercury lamp light source centered on 365 nm wavelength light is used as exposure light.
  • R 1 and R 2 represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and R 3 to R 1G are Even a hydrogen atom! /.
  • the photosensitive resin composition is useful for forming a resist pattern by exposure to light having a peak in a wavelength range of 350 nm or more and less than 440 nm.
  • the resist pattern forming method of the present invention includes a photosensitive layer forming step of forming a photosensitive layer comprising a photosensitive resin composition on a substrate, and a predetermined portion of the photosensitive layer having a wavelength of 350 nm or more and less than 440 nm. And an exposure step of exposing to light having a peak within the range, and a development step of developing the exposed photosensitive layer to form a resist pattern.
  • the resist pattern forming method of the present invention includes a photosensitive layer forming step of laminating a photosensitive layer of a photosensitive element on a substrate, and a predetermined portion of the photosensitive layer has a peak within a wavelength range of 350 nm or more and less than 440 nm.
  • the method for producing a printed wiring board of the present invention comprises a photosensitive layer forming step of forming a photosensitive layer comprising a photosensitive resin composition on a substrate, and a predetermined portion of the photosensitive layer of 350 nm or more and less than 440 nm.
  • the printed wiring board manufacturing method of the present invention includes a photosensitive layer forming step of laminating a photosensitive layer of a photosensitive element on a substrate, and a predetermined portion of the photosensitive layer within a wavelength range of 350 nm or more and less than 440 nm.
  • the method for producing a partition for a plasma display panel of the present invention comprises a photosensitive layer forming step of forming a photosensitive layer comprising a photosensitive resin composition on a substrate, and a predetermined portion of the photosensitive layer having a wavelength of 350 nm or more and less than 440 nm.
  • the method for producing a partition for a plasma display panel of the present invention comprises a photosensitive layer forming step of laminating a photosensitive layer of a photosensitive element on a substrate, and a predetermined portion of the photosensitive layer within a wavelength range of 350 nm or more and less than 44 Onm.
  • a photosensitive resin composition capable of forming a resist pattern with light having a peak in a wavelength range of 350 nm or more and less than 440 nm with sufficient sensitivity and resolution, and A photosensitive element, a resist pattern forming method, a printed wiring board manufacturing method, and a plasma display panel partition manufacturing method using the same are provided.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a photosensitive element according to the present invention. Explanation of symbols
  • the photosensitive resin composition of the present invention comprises (A) a binder polymer (hereinafter referred to as “component (A)”) and (B) a photopolymerizable polymer having a polymerizable ethylenically unsaturated bond.
  • component (B) a binder polymer
  • component (C) a photo radical polymerization initiator
  • component (D) a compound represented by the above general formula (1)
  • the component (A) of the present invention is not particularly limited as long as it is a photocurable polymer together with a photopolymerizable compound described later.
  • the component (A) for example, an acrylic resin, a styrene resin, an epoxy resin, an amide resin, an amide epoxy resin containing (meth) acrylic acid and (meth) alkyl acrylate as structural units.
  • examples thereof include organic polymers such as fat, alkyd series, phenol series, etc.
  • the component (A) is preferably obtained by polymerizing a monomer (polymerizable monomer) having an ethylenically unsaturated double bond (such as radical polymerization). From the viewpoint of improving developability and peelability, an acrylic resin containing (meth) acrylic acid and (meth) alkyl acrylate as structural units is more preferable.
  • Examples of such a monomer having an ethylenically unsaturated double bond include styrene; butyltoluene, ⁇ -methylstyrene, ⁇ -methylstyrene, ⁇ -ethylstyrene, ⁇ -methoxystyrene, ⁇ —Polystyrene derivatives such as ethoxystyrene, ⁇ -chlorostyrene, ⁇ -bromostyrene; acrylamides such as diacetone acrylamide; acrylonitrile; esters of butyl alcohol such as beluo ⁇ -butyl ether; (meth) acrylic acid Alkyl ester, (meth) acrylic acid tetrahydrofurfuryl ester, (meth) acrylic acid dimethylaminoethyl ester, (meth) acrylic acid jetylaminoethyl ester, (meth) acrylic acid glycidyl ester,
  • (meth) acrylic acid means acrylic acid or methacrylic acid corresponding to it
  • (meth) acrylate refers to acrylate or metatarate corresponding to (meth) attaroyl.
  • the group means an taliloyl group or a corresponding methacryloyl group.
  • Examples of the above (meth) acrylic acid alkyl ester include compounds represented by the following general formula (2) and compounds in which an alkyl group of these compounds is substituted with a hydroxyl group, an epoxy group, a halogen atom, or the like. Etc.
  • R 11 represents a hydrogen atom or a methyl group
  • R 12 represents an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms.
  • examples of the alkyl group having 1 to 12 carbon atoms represented by R 12 in the general formula (2) include, for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, and a hexyl group. , Heptyl group, octyl group, nonyl group, decyl group, undecyl group, dodecyl group, and structural isomers thereof.
  • Examples of the compound represented by the general formula (2) include (meth) acrylic acid methyl ester, (meth) acrylic acid ethyl ester, (meth) acrylic acid propyl ester, (meth) acrylic acid butyl ester, and (meth) acrylic acid.
  • Examples include acid pentyl ester, (meth) acrylic acid hexyl ester, (meth) acrylic acid heptyl ester, (meth) acrylic acid octyl ester, and (meth) acrylic acid 2-ethylhexyl ester. These can be used alone or in combination of two or more.
  • the binder polymer as component (A) is preferably one or more of polymers having a carboxyl group.
  • a (A) binder polymer can be produced, for example, by radical polymerization of a polymerizable monomer having a carboxyl group and another polymerizable monomer.
  • the noder polymer as the component (A) is styrene or It is preferable to contain a styrene derivative as a polymerizable monomer.
  • the content of styrene or styrene derivative in the component (A) is preferably 3 to 30% by mass based on the total mass of the molecule. 4 to 28% by mass is more preferable and 5 to 27% by mass is particularly preferable. If the content is less than 3% by mass, the adhesion tends to be inferior. On the other hand, if it exceeds 30% by mass, the peel piece tends to be large and the peel time tends to be long.
  • the "styrene derivative" in the present invention is a styrene derivative in which a hydrogen atom in styrene is substituted with a substituent (such as an organic group of an alkyl group or a halogen atom)! Uh.
  • a substituent such as an organic group of an alkyl group or a halogen atom
  • the binder polymer as the component (A) is used alone or in combination of two or more.
  • the binder polymer used in combination of two or more types include, for example, two or more types of binder polymers having different copolymer component forces, two or more types of binder polymers having different weight average molecular weights, and two or more types of binder polymers having different degrees of dispersion. Examples include binder polymers.
  • a polymer having a multimode molecular weight distribution described in JP-A-11-327137 can also be used.
  • the weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn) of the binder polymer as component (A) can be measured by gel permeation chromatography (GPC) (using standard polystyrene). Conversion based on a calibration curve).
  • the Mw of the binder polymer is preferably a force S of 5000-300000, more preferably 20000-150000, and a force S of 25000-60000 is particularly preferred.
  • Mw is less than 5,000, the developer resistance tends to decrease. On the other hand, when it exceeds 300,000, the development time tends to be longer.
  • the binder polymer as the component (A) preferably has a dispersity (MwZMn) of 1.0 to 3.0, more preferably 1.0 to 2.0. If the degree of dispersion exceeds 3.0, the adhesion and resolution tend to decrease.
  • MwZMn dispersity
  • the content of the component (A) is preferably 30 to 70 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the components (A) and (B). It is more preferable. This content When the amount is less than 20 parts by mass, the photocured portion of the photosensitive layer tends to become brittle, and when used as a photosensitive element, the coating property tends to be inferior. On the other hand, when the content exceeds 80 parts by mass, the photosensitivity tends to be insufficient.
  • the photopolymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond polymerizable in the molecule as component (B) (hereinafter referred to as “photopolymerizable compound”) will be described.
  • the component (B) of the present invention is not particularly limited as long as it is a photopolymerizable compound having an ethylenically unsaturated bond polymerizable in the molecule, and examples thereof include the following photopolymerizable compounds. .
  • a photopolymerizable compound having one polymerizable ethylenically unsaturated bond in the molecule and two or more polymerizable compounds in the molecule is preferable to use in combination with a photopolymerizable compound having a styrene unsaturated bond.
  • the photopolymerizable compound as the component (ii) is a bisulfanol-based (meth) attareito toy compound or a urethane in the molecule from the viewpoint of resistance to adhesion and adhesion. It is preferable to contain a (meth) atareto toy compound having a bond as an essential component.
  • the bisphenol A-based (meth) atalytoi compound is a carbon-carbon unsaturated double bond derived from a (meth) attalyloyl group or a (meth) attaroyl group, and bisphenol.
  • Examples of the compound obtained by reacting the polyhydric alcohol with a, j8-unsaturated carboxylic acid include, for example, polyethylene glycol di (meth) acrylate having 2 to 14 ethylene groups and propylene.
  • EO represents ethylene oxide
  • PO represents propylene oxide
  • PO-modified compounds have a propylene oxide group block structure.
  • Examples of the bisphenol A-based (meth) attareito toy compound include 2, 2 bis (4
  • Examples of the above 2,2bis (4 ((meth) atalyloxypolyethoxy) phenol) propane include 2,2bis (4-(((meth) atalyoxydiethoxy) phenol) propane, 2, 2 Bis (4 — (((meth) Ataryloxytriethoxy) phenol) propane, 2, 2 Bis (4 — (((Meth) Atarioxyxyethoxy) phenol) propane, 2, 2 Bis (4— (((Meth) Athaloxypentaethoxy) phenol) propane, 2, 2 bis (4 — (((Meth) Atalyloxyhexaethoxy) phenol) propane, 2, 2 bis (4— ((Meth) acryloxy Heptaethoxy) phenol) propane, 2, 2 bis (4-((meth) ataryloxytataethoxy) phenol) propane, 2,2 bis (4 — ((meth) atalyloxynonethoxy) ) Propane, 2, 2 Bis (4 ((Meth) Atari mouth oxidizer force Et)
  • BPE-500 product name, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.
  • Bis (4- (methacryloxypentadecaethoxy) phenyl) propane is commercially available as BPE-1300 (product name, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.).
  • the number of ethylene oxide groups (EO groups) in one molecule of the above 2,2bis (4 ((meth) atalyloxypolyethoxy) phenol) propane is preferably 4-20, More preferably, it is 15. These may be used alone or in any combination of two or more.
  • Examples of the (meth) atalytoi compound having a urethane bond in the molecule include, for example, a (meth) acrylic monomer having an OH group at the ⁇ -position and a diisocyanate compound (isophorone disulfonate).
  • Examples of the EO-modified urethane di (meth) acrylate include UA-11 (manufactured by Shin-Nakamura Engineering Co., Ltd., product name). Examples of the EO, PO-modified urethane di (meth) acrylate include UA-13 (product name, manufactured by Shin-Nakamura Engineering Co., Ltd.). These may be used alone or in combination of two or more.
  • Examples of the norphenoxypolyethyleneoxy tartrate include, for example, norphenoxytetraethyleneoxytalylate, nourphenoxypentaethyleneoxytalylate, noulphenoxyhexaethyleneoxyloxy. Atalylate, Noyulphenoxyheptaethylene Nyleneoxytalylate, Noyulphenoxyoctaethyleneoxytalylate, Noyulfe Nonoxynonaethyleneoxytalarate, Noyulphenoxydecaethyleneoxytalate, Noyulphenoxy Nde force ethylene oxide tartrate. These may be used alone or in combination of two or more.
  • Examples of the phthalic acid compounds include g-chloro-b hydroxypropyl b '(meth) a Examples thereof include acryloyloxychetil o o phthalate, b hydroxyalkyl b '(meth) attaoxy oxyalkyl o phthalate, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the component (B) is preferably 30 to 70 parts by mass, preferably 20 to 80 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of the total amount of the components (A) and (B). It is more preferable.
  • the content is less than 20 parts by mass, the photosensitivity of the photosensitive resin composition tends to be insufficient.
  • this content exceeds 80 parts by mass, the photocured portion of the photosensitive layer tends to become brittle, and when used as a photosensitive element, the coating properties tend to be inferior.
  • the photopolymerization initiator as the component (C) will be described.
  • the photopolymerization initiator may be any compound that starts and Z or accelerates the photopolymerization of the above-mentioned photopolymerizable compound, and functions as a so-called sensitizer. May be.
  • Examples of the component (C) of the present invention include 4,4, -bis (jetylamine) benzophenone, benzophenone, 2-benzyl-1-dimethylamino-1- (4-morpholinophenol) butanone 1, 2 —Methyl-1 [4 (methylthio) phenol] 2 Morpholinopropanone 1
  • Aromatic ketone such as 1; Quinones such as alkyl anthraquinone; Benzoin compounds such as benzoin and alkylbenzoin; Benzoin ether such as benzoin alkyl ether Compound; Benzyl derivatives such as benzyl dimethyl ketal; 2— (o black mouth phenol) 4,5 diphenyl imidazolidone dimer, 2— (o black mouth phenyl) —4,5 di (methoxy phenol) ) Imidazole dimer, 2— (o Fluorophenol) —4,5 Diphenyl-Louimidazolunimer, 2 -——
  • the component (C) of the present invention includes a 2, 4, 5 triarylimidazole dimer or a derivative thereof.
  • These photopolymerization initiators (sensitizers) can be used alone or in combination of two or more. Used together.
  • a coumarin compound is used as the component (C) other than the 2,4,5-triarylimidazole dimer or its derivative to be combined with the component (D) described later. It is preferable.
  • the content of 2,4,5-triarylimidazole dimer and its derivative as component (C) is 0.1% relative to 100 parts by mass of the total amount of component (A) and component (B). It is more preferably 1 to 10 parts by mass, and even more preferably 0.5 to 6 parts by mass, even more preferably 1 to 4 parts by mass. If the content is less than 0.1 parts by mass, the adhesion and sensitivity tend to be insufficient, and if it exceeds 10 parts by mass, the curability of the resist bottom tends to be lowered.
  • R 1 and R 2 are each independently an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a cycloalkyl group having 5 to 12 carbon atoms, a phenol group, a benzyl group, or 2 carbon atoms.
  • R 3 to R 1G are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a halogen atom, a cyano group, a carboxyl group, a phenol group, an alkoxycarbo group having 2 to 6 carbon atoms or a benzoyl group.
  • the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms may be substituted with a hydroxyl group that may have an oxygen atom between main chain carbon atoms.
  • the cycloalkyl group having 5 to 12 carbon atoms may be substituted with a hydroxyl group which may have an oxygen atom in the ring.
  • the phenol group in R 1 and R 2 is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyl group, a halogen atom, a cyano group, a carboxyl group, a phenol group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, It may be substituted with one or more groups selected from the group consisting of a phenoxy group and an alkoxycarbo group having 2 to 6 carbon atoms, and Z or an atom.
  • the benzyl group is an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyl group, a nitrogen atom, a cyan group, a carboxyl group, a phenol group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a fluorine group. It may be substituted with one or more groups and / or atoms selected from the group consisting of an enoxy group and an alkoxycarbo group having 2 to 6 carbon atoms.
  • the benzoyl group includes an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a hydroxyl group, a halogen atom, a cyan group, a carboxyl group, a phenol group, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, a phenoxy group, and an alkoxy group having 2 to 6 carbon atoms.
  • Carbon substituents may be substituted with one or more groups selected from the group consisting of Z and atoms.
  • the photosensitive resin composition of the present invention is exposed to light having a peak in a wavelength range of 350 nm or more and less than 440 nm to form a resist pattern. Useful.
  • R 1 and R 2 in the component (D) include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, and a hexyl group.
  • Examples of the combination of R 1 and R 2 include a combination of ethyl groups, a combination of propyl groups, and a combination of butyl groups.
  • R 3 to R 1C for example, a hydrogen atom, a methyl group, Echiru group, propyl group, butyl group, a pentyl group, a hexyl group, propenyl - group, Buteyuru group, pent - group, Examples include a hexyl group, a heptul group, an ethoxycarbol group, a hydroxyethoxycarboro group, or a phenoxy group.
  • R 3 to R 1C are all combinations of hydrogen atoms; any one of them is a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a propenyl group, or a butenyl group.
  • a pentenyl group, a hexenyl group, a heptenyl group, an ethoxycarbonyl group, a hydroxyethoxycarbon group, or a phenoxy group, and all the others are hydrogen atoms; any two of them are a methyl group, ethyl Group, propyl group, butyl group, pentyl group, hexyl group, probe group, butur group, pentyl group, hexyl group, heptul group, ethoxycarbonyl group, hydroxyethoxycarboro group , Or a phenoxy group, or a combination of these, and all the others are hydrogen atoms.
  • Specific examples of the compound represented by the general formula (1) as the component (D) include 9, 10-dimethoxyanthracene, 9, 10-jetoxyanthracene, 9, 10-dibutoxyanthracene, and the like. Is mentioned.
  • the content of component (D) is from 0.01 to 0.1 parts per 100 parts by mass of the total amount of component (A) and component (B). It is preferably 10 parts by mass, more preferably 0.05 to 5 parts by mass, and particularly preferably 0.1 to 2 parts by mass. If the content is less than 0.01 parts by mass, good sensitivity and resolution tend not to be obtained, and if it exceeds 10 parts by mass, a good pattern shape tends not to be obtained.
  • the photosensitive resin composition of the present invention may contain components other than the components (A) to (D) described above, if necessary.
  • components include photopolymerizable compounds having at least one cation-polymerizable cyclic ether group (such as oxetane compounds) in the molecule, cationic polymerization initiators, dyes such as malachite green, tribromophenolsulfone, and leucocris.
  • Photo-coloring agents such as tar violet, thermal color-preventing agents, plasticizers such as p-toluenesulfonamide, pigments, fillers, antifoaming agents, flame retardants, stabilizers, adhesion-imparting agents, leveling agents, peeling accelerating Examples include accelerators, antioxidants, fragrances, imaging agents, thermal crosslinking agents and the like. These should just be added to such an extent that the achievement of the object of the present invention is not inhibited.
  • the amount of these components added can be about 0.01 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of components (A) and (B). These may be used alone or in combination of two or more.
  • the photosensitive resin composition of the present invention includes a solvent such as methanol, ethanol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl cetyl sorb, ethyl cetyl sorb, toluene, N, N-dimethylformamide, propylene glycol monomethyl ether, and the like.
  • a solvent such as methanol, ethanol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl cetyl sorb, ethyl cetyl sorb, toluene, N, N-dimethylformamide, propylene glycol monomethyl ether, and the like.
  • a solvent such as methanol, ethanol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl cetyl sorb, ethyl cetyl sorb, toluene, N, N-dimethylformamide, propylene glycol monomethyl ether, and the like.
  • it can be dissolved in these mixed solvents
  • the above coating solution may be used to form a photosensitive layer of a photosensitive element by applying and drying on a support film described later.
  • a metal plate for example, copper
  • an iron-based alloy such as a copper-based alloy, nickel, chromium, iron, and stainless steel, preferably copper, copper-based alloy, or iron-based alloy, dried, and then coated with a protective film. May be.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a preferred embodiment of the photosensitive element of the present invention.
  • a photosensitive element 1 shown in FIG. 1 includes a support film 10 and a photosensitive layer 14 formed on the support film 10 and having a photosensitive resin composition strength. There is a protective film ( Not shown. ) May be further provided.
  • the support film 10 for example, a polymer film having heat resistance and solvent resistance such as polyethylene terephthalate, polypropylene, polyethylene, and polyester can be used.
  • the thickness of the support film 10 is preferably 1 to: LOO / zm. If the thickness is less than 5 m, the support film 10 tends to be broken when the support film 10 is peeled off before development, and if it exceeds 25 m, the resolution tends to decrease.
  • One support film 10 may be laminated on both sides of the photosensitive layer 14 as one support for the photosensitive layer 14 and the other as a protective film for the photosensitive resin composition.
  • the protective film for example, a polymer film having heat resistance and solvent resistance, such as polyethylene terephthalate, polypropylene, polyethylene, and polyester can be used.
  • commercially available products include, for example, product names “Alphan MA-410” and “E-200C” manufactured by Oji Paper Co., Ltd., polypropylene films manufactured by Shin-Etsu Film Co., Ltd., and product names “PS-25” manufactured by Teijin Limited.
  • the power of polyethylene terephthalate film such as PS series is not limited to these.
  • the thickness of the protective film is 1 to: LOO / zm is preferably 5 to 50 / ⁇ ⁇ , more preferably 5 to 30 m. S Further preferred 15-30 Particularly preferred is ⁇ m.
  • the protective film preferably has a smaller adhesive strength between the light-sensitive layer 14 and the protective film than the adhesive strength between the photosensitive layer 14 and the support film 10, and is preferably a low fish film.
  • Fisheye is a material in which foreign materials, undissolved materials, degradation products of oxidation, etc. are taken into the film when the film is manufactured by melting, kneading, extruding, biaxial stretching, casting, etc. Is.
  • the photosensitive layer 14 is strong after dissolving the photosensitive resin composition of the present invention in a solvent as described above to obtain a solution (coating solution) having a solid content of about 30 to 60% by mass. It is preferably formed by applying a solution (coating solution) on the support film 10 and drying.
  • the coating can be performed by a known method using, for example, a roll coater, comma coater, gravure coater, air knife coater, die coater, bar coater or the like. Also, the above drying is 70-150 It can be performed at ° C for 5-30 minutes.
  • the amount of the remaining organic solvent in the photosensitive resin composition is preferably 2% by mass or less with respect to the total amount of the photosensitive resin composition, from the viewpoint of preventing diffusion of the organic solvent in the subsequent step. .
  • the thickness of the photosensitive layer 14 varies depending on the application.
  • the thickness after drying is preferably 1 to: LOO m, more preferably 1 to 50 / ⁇ ⁇ . If the thickness is less than 1 m, there is a tendency that it is difficult to apply industrially.
  • the photosensitive layer 14 has an absorbance of 0.
  • 1 to 3 is preferred 0.15 to 2 is more preferred 0.2 to 1.5 is particularly preferred.
  • the absorbance can be measured with a UV spectrometer, and examples of the UV spectrometer include a 228A type (product name, manufactured by Hitachi, Ltd.) W beam spectrophotometer.
  • the photosensitive element 1 may further include an intermediate layer such as a cushion layer, an adhesive layer, a light absorption layer, and a gas barrier layer. Further, the obtained photosensitive element 1 can be stored in a sheet form or wound around a core in a roll form. At this time, it is preferable that the support is wound up so as to be on the outermost side. It is preferable that a moisture-proof end face separator is installed on the end face of the roll-shaped photosensitive element 1 roll from the viewpoint of edge resistance, in which it is preferable to install an end face separator for protecting the end face. Further, as a packing method, it is preferable to wrap and package in a black sheet with low moisture permeability.
  • the core examples include plastics such as polyethylene resin, polypropylene resin, polystyrene resin, polyvinyl chloride resin, ABS resin (acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer), and the like. .
  • the first resist pattern forming method includes a photosensitive layer forming step of forming a photosensitive layer made of a photosensitive resin composition on a circuit forming substrate, and a predetermined portion of the photosensitive layer within a wavelength range of 350 nm to less than 440 nm. It comprises an exposure step of exposing to light having a peak and a development step of developing the exposed photosensitive layer to form a resist pattern.
  • the circuit forming substrate is a substrate having an insulating layer and a conductor layer formed on the insulating layer.
  • the photosensitive layer forming step when the photosensitive element 1 described above is used, the protective film is gradually peeled off from the photosensitive layer 14, and at the same time, the portion of the surface of the photosensitive layer 14 that is gradually exposed. Is brought into close contact with the surface of the circuit forming substrate on which the circuit is to be formed.
  • the resist pattern after removing the protective film, for example, while heating the photosensitive layer 14 to about 70 to 130 ° C., about 0.1 to 1 MPa (1 to: LOkgfZcm)
  • a method of laminating by pressure bonding at a pressure of about 2 ) is suitably employed, and a method of laminating under reduced pressure is also preferred from the viewpoint of improving adhesion and followability (lamination step).
  • Pre-heat treatment can also be performed.
  • an actinic ray is irradiated onto the image through a negative or positive mask pattern called an artwork (mask exposure method).
  • an artwork mask exposure method
  • the support film 10 present on the photosensitive layer 14 is transparent to actinic rays during the exposure step, it can be irradiated with actinic rays through the support film 10, and the support film 10 is light-shielding.
  • the photosensitive layer 14 can be irradiated with actinic rays after the support film 10 is removed.
  • a method of irradiating actinic rays in an image form by a direct drawing method such as a laser direct drawing exposure method or a DLP (Digital Light Processing) exposure method may be employed.
  • the light source of the actinic light a known light source, for example, a carbon arc lamp, a mercury vapor arc lamp, a high-pressure mercury lamp, a xenon lamp, an Ar ion laser, a semiconductor laser, or the like, effectively emits ultraviolet light or visible light. Things are used.
  • an actinic ray obtained by cutting 99.5% or more of light having a wavelength of 365 nm or less from a mercury lamp light source using a filter, or light having a wavelength of 405 nm from a semiconductor laser!
  • a filter for cutting light having a wavelength of 365 nm or less for example, a sharp cut filter SCF-100S-39L (manufactured by Sigma Koki Co., Ltd., product name) can be used.
  • the support is removed and then photocured by wet development or dry development.
  • the resist pattern can be formed by removing and developing.
  • an alkaline aqueous solution, an aqueous developer, an organic solvent, or the like that is safe and stable and has good operability corresponds to the type of the photosensitive resin composition. Used.
  • known methods such as spraying, rocking immersion, brushing, and scraping are appropriately employed.
  • Examples of the base of the alkaline aqueous solution include alkali metals such as lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide and the like, which are hydroxides of lithium, sodium, and potassium; alkali metals, ammonium, and the like.
  • Alkali carbonate or bicarbonate that is carbonate or bicarbonate of sodium; sodium phosphate that is alkali metal phosphate, potassium phosphate, etc .; sodium pyrophosphate and pyrophosphate that are alkali metal pyrophosphates
  • a safe and stable material with good operability such as potassium is used.
  • Examples of such an alkaline aqueous solution include a dilute solution of 0.1 to 5 mass% sodium carbonate, a dilute solution of 0.1 to 5 mass% potassium carbonate, and 0.1 to 5 mass% hydroxide.
  • a dilute solution of sodium, a dilute solution of 0.1 to 5% by weight sodium tetraborate is preferred, and the pH is preferably in the range of 9 to L1.
  • the temperature of the alkaline aqueous solution is adjusted in accordance with the developability of the light-sensitive layer 14.
  • a small amount of an organic solvent such as a surfactant or an antifoaming agent may be mixed in the alkaline aqueous solution in order to accelerate development.
  • aqueous developer one comprising water and an alkaline aqueous solution or one or more organic solvents is used.
  • the base of the alkaline aqueous solution include those other than those described above, for example, borax, sodium metasilicate, hydroxyammonium tetramethylammonium, ethanolamine, ethylenediamine, diethylenetriamine, 2-amino-1-hydroxy. Examples include methyl-1,3 propanediol, 1,3 diaminopropanol 2, and morpholine.
  • the pH of such an aqueous developer is preferably as low as possible within the range where development processing can be sufficiently performed, and is preferably between pH 8 and 12, more preferably between 9 and 10.
  • Examples of the organic solvent include acetone, ethyl acetate, alkoxyethanol having an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, ethyl alcohol, isopropyl alcohol, butyl alcoholate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether. Is used.
  • the concentration of such an organic solvent is usually preferably 2 to 90% by mass.
  • the temperature of such an organic solvent can be adjusted according to developability.
  • Such organic solvents can be used alone or in combination of two or more.
  • organic solvent-based developer examples include 1, 1, 1-trichloroethane, N-methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide, cyclohexanone, methyl isobutyl ketone, and ⁇ -butyrolatatone.
  • an organic solvent such as a surfactant or an antifoaming agent may be mixed in the alkaline aqueous solution in order to promote development. It is preferable to add water in the range of 1 to 20% by mass to prevent ignition of the above organic solvents!
  • development methods include dip method, battle method, spray method, high-pressure spray method, brushing, and slapping.
  • the high-pressure spray method is the most suitable for improving resolution.
  • the resist pattern may be further cured by heating at about 60 to 250 ° C. or exposure at about 0.2 to 10 mjZcm 2 as necessary.
  • a cupric chloride solution, a ferric chloride solution, an alkali etching solution, or the like can be used.
  • the second resist pattern is formed by using the first resist pattern except that a plasma display panel substrate provided with a partition wall material layer is used instead of the circuit forming substrate in the first resist pattern forming method. This is the same as the forming method.
  • Examples of the plasma display substrate include PD-200 (trade name, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.).
  • the partition wall material layer is formed by using, for example, RPW401 (trade name, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.).
  • the method for producing a wire plate has a photosensitive layer forming step of forming a photosensitive layer made of a photosensitive resin composition on a circuit forming substrate, and a predetermined portion of the photosensitive layer has a peak in a wavelength range of 350 nm to less than 440 nm.
  • the circuit forming substrate is a substrate provided with an insulating layer and a conductor layer formed on the insulating layer.
  • the resist pattern obtained by the first resist pattern forming method of the present invention is used as a mask to etch or adhere to the surface of the circuit forming substrate. Processing is performed.
  • a cupric chloride solution for example, a ferric chloride solution, an alkali etching solution, or a hydrogen peroxide etching solution can be used.
  • a salty ferric solution is preferable because of its good etch factor.
  • Examples of the above-mentioned plating treatment include, for example, copper plating treatment such as copper sulfate plating treatment and copper pyrophosphate plating treatment; solder plating treatment such as high-throw plating treatment; Well-known methods for performing nickel plating treatment such as (kel-nickel chloride) plating treatment and nickel sulfamate treatment; and gold plating treatment such as hard gold plating treatment and soft gold plating treatment can be suitably employed.
  • the resist pattern may be peeled and removed using a stronger alkaline aqueous solution than the alkaline aqueous solution used for development. Good.
  • a strong alkaline aqueous solution for example, a 1 to 10 mass% sodium hydroxide aqueous solution and a 1 to 10 mass% potassium hydroxide aqueous solution are used.
  • examples of a method for peeling and removing the resist pattern include an immersion method and a spray method, and the immersion method and the spray method may be used alone or in combination.
  • the method for producing a printed wiring board of the present invention is applicable not only to the production of a single-layer printed wiring board but also to the production of a multilayer printed wiring board, and has a small-diameter through-hole. It is also applicable to manufacturing such as.
  • a method for producing a partition for a display panel includes a photosensitive layer forming step for forming a photosensitive layer comprising a photosensitive resin composition on a partition wall material layer provided on a plasma display panel substrate, and a predetermined portion of the photosensitive layer.
  • a photosensitive layer forming step for forming a photosensitive layer comprising a photosensitive resin composition on a partition wall material layer provided on a plasma display panel substrate, and a predetermined portion of the photosensitive layer.
  • the substrate for the plasma display panel and the partition wall material layer are the same as those used in the second resist pattern forming method.
  • the partition material layer is etched using the resist pattern obtained by the second resist pattern forming method as a mask.
  • Examples of the method for etching the partition wall material layer include a sand blast method and a wet etching process method.
  • the partition wall material is etched by spraying cutting particles such as silica and alumina directly on the substrate.
  • the partition wall material is etched with an acid solution such as nitric acid.
  • Component (B) FA-321 M * 1 46 Coloring agent Leuco Crystal Violet 0.3 Dye Malachite Green 0.03
  • a solution of the obtained photosensitive resin composition of Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4 was used as a support and a 16 ⁇ m-thick polyethylene terephthalate film (product name “GS-16” manufactured by Teijin Limited).
  • the photosensitive element was obtained by uniformly coating on top and drying with a hot air convection dryer at 70 ° C and 100 ° C for 10 minutes.
  • the film thickness after drying of the photosensitive layer was 25 m.
  • the optical density (OD value) with respect to the exposure wavelength of the photosensitive layer was measured using a UV spectrophotometer (manufactured by Hitachi, Ltd., product name “U-3310 spectrophotometer”).
  • the measurement is based on the same type of polyethylene terephthalate film used as the support, and the UV absorption spectrum is obtained by continuous measurement with light of wavelength 550 to 300 nm in the absorbance mode. Among them, the absorbance value at 405 nm was defined as the OD value.
  • Table 3 shows the measurement results.
  • a photosensitive layer was laminated on a copper-clad laminate by the following method to obtain a laminate.
  • the copper surface of a copper clad laminate product name “MCL-E-67”, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.
  • a glass epoxy agent laminated with copper foil thickness 35 mm
  • # 600 A polishing machine manufactured by Sankei Co., Ltd.
  • the obtained copper-clad laminate was heated to 80 ° C, and the photosensitive layer was peeled off at 120 ° C under a pressure of 0.4 MPa while peeling off the protective film of the photosensitive element on the copper-clad laminate.
  • the laminate is cooled to 23 ° C., and on the surface of the polyethylene terephthalate film located on the outermost layer of the laminate, a concentration region of 0.00-2.00, a concentration step of 0.05, a tablet (Rectangle) size 20mm X 187mm, each step (Rectangle) size force S3mmX 12mm photo tool with 41 step tablet and line width Z space width 6Z6 ⁇ 35Z35 ( A phototool having a wiring pattern (unit: mm) was laminated in order. Furthermore, a sharp cut filter SCF-100S-39L (product name) manufactured by Sigma Koki Co., Ltd. that cuts 99.5% or more of light having a wavelength of 365 nm or less was disposed thereon.
  • SCF-100S-39L product name
  • a rib base material (RPW401, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) was applied on a plasma display panel substrate (PD200, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) to form a partition wall material layer.
  • the photosensitive layer of the obtained photosensitive element was laminated on the partition wall material layer of the PDP substrate provided with the partition wall material layer by the following method to obtain a laminate.
  • the above laminate was performed by heating the PDP substrate provided with the partition wall material layer to 80 ° C and peeling off the protective film of the photosensitive element at 120 ° C under a pressure of 0.4 MPa. .
  • Tables 3 and 4 show the measurement results of the photosensitivity and resolution tests as in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 4.
  • a photosensitive resin composition capable of performing resist pattern formation with light having a wavelength of 390 nm to 440 nm with sufficient sensitivity and resolution, and a photosensitive element and resist pattern using the same.
  • a forming method, a printed wiring board manufacturing method, and a plasma display panel partition manufacturing method are provided.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)

Abstract

　（Ａ）バインダーポリマーと、（Ｂ）重合可能なエチレン性不飽和結合を有する光重合性化合物と、（Ｃ）２，４，５－トリアリールイミダゾール二量体又はその誘導体を含む光ラジカル重合開始剤と、（Ｄ）下記一般式（１）で示される化合物と、を含有する感光性樹脂組成物。 【化１】 式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に炭素数１～２０のアルキル基等を表し、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ独立に水素原子等を示す。

Description

明 細 書
感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパタ ーンの形成方法、プリント配線板の製造方法及びプラズマディスプレイパネル用 隔壁の製造方法。
技術分野
[0001] この発明は、感光性榭脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパ ターンの形成方法、プリント配線板の製造方法及びプラズマディスプレイパネル用隔 壁の製造方法に関する。
背景技術
[0002] プリント配線板の製造技術にぉ 、て、エッチングゃメツキ処理に用いられるレジスト 材料として、感光性榭脂組成物や、これを支持体上に積層して保護フィルムで被覆 することにより得られる感光性エレメントが広く用いられて 、る。
[0003] プリント配線板を製造する際には、まず、感光性エレメントを銅基板等の回路形成 用基板上に感光性榭脂組成物力 なる層（以下、感光層という。 )が密着するように 積層 (ラミネート等)し、活性光線を照射して所定部分の感光性榭脂組成物を光硬化 (パターン露光)せしめ、次 、で感光性榭脂組成物の光硬化されて 、な 、部分を除 去 (現像)することによりレジストパターンを形成させる。最後に、レジストパターンを形 成する回路形成用基板にエッチング又はメツキ処理を施してパターンを形成した後、 感光性榭脂組成物の光硬化した部分を基板上から剥離除去する方法が一般的であ る。
[0004] 一方、フラットパネルディスプレイ（FPD)分野では、プラズマディスプレイパネル（P DP)力 液晶パネルに比べて高速の表示が可能であり、大型化が容易である。この ような利点を有することから、 PDPは OA機器や広報表示装置等に広く利用されてい る。最近では、高品位テレビジョン分野においても PDPの進展が期待されている。
[0005] このような用途拡大に伴って、微細で多数の表示セルを有するカラー PDPが非常 に注目されている。 PDPでは、前面ガラス基板と背面ガラス基板とが互いに平行にか つ対向して配設され、両者の間に隔壁が一定の間隔を保ちながら設けられている。 P DPは、それら前面ガラス基板、背面ガラス基板及び隔壁に囲まれた空間で放電する 構造になっている。このような空間には、表示のための電極、誘電体層及び蛍光体 等が付設されている。そして、放電によって封入ガスカゝら発生する紫外線によって蛍 光体が発光させられ、この光を観察者が視認できるようになつている。この際、放電の 広がりを一定領域に抑え、表示を規定のセル内で行うと共に均一な放電空間を確保 するために、隔壁は幅が 20〜80 /ζ πιであり、高さが 60〜200 /ζ πιの形状を有してい る。
[0006] 隔壁の形成方法としては、サンドブラスト法、スクリーン印刷法、感光性ペースト法、 フォト埋め込み法、型転写法等が主に用いられている。最近では、ウエットエッチング プロセスによる形成方法が新しく提案されている。
[0007] 隔壁を製造する際には、例えば、電極が形成されている背面ガラス基板上に隔壁 材層を形成し、その隔壁材層上に感光性エレメントの感光層を密着するように積層 ( ラミネート等)した後、活性光線を照射して所定部分の感光性榭脂組成物を光硬化（ パターン露光)せしめ、次 ヽで感光性榭脂組成物の光硬化されて ヽな ヽ部分を除去 (現像)することによりレジストパターンを形成させる。最後に、レジストパターンをマス クとして隔壁材層にエッチング処理を施して隔壁パターンを形成した後、上記レジス トパターンを剥離除去する方法が一般的である。
[0008] 従来、感光層をパターン露光するときの光源として主に水銀灯が用いられてきた。
しかしながら水銀灯の光には人体に有害な紫外線が含まれており、作業の安全性に 問題があった。光源として可視光レーザを用いる露光法もある力 この方法には可視 光に感度を有するレジストが必要とされ、このレジストは暗室又は赤色灯下で取り扱う 必要があった。
[0009] 上記の問題点を考慮して、水銀灯光源力も発せられる光のうち、波長が 365nm以 下の光をフィルタにより使用して 99. 5%カットした活性光線が提案されている。また 近年、波長が 405nmの光を発振する、長寿命で高出力な窒化ガリウム系青色レー ザ光源が提案されている。
[0010] 一方、新露光技術として近年 DLP (Digital Light Processing)という直接描画 法が提案されている (例えば、非特許文献 2を参照)。この露光法でも光源として、水 銀灯光源力 発せられる光のうち、波長 365nm以下の光はフィルタを使用して 99. 5%カットした活性光源や、青色レーザ光源を用いることができる。
[0011] 非特許文献 1 :エレクトロニクス実装技術 2002年 6月号 p. 74— 79
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0012] し力しながら、従来の感光性エレメントは、波長 365nmの光を中心とした水銀灯光 源の全波長に対して最適な感光特性を発揮するように設計されている。そのため、 3 50nm以上 440nm未満の波長範囲内にピークを有する光を用いてパターン露光を 行うことを意図した場合には、当該 350nm以上 440nm未満の波長範囲内にピーク を有する光に対する感光性エレメントの感度が低 、。そのためレジストパターン形成 の際、スループットが低ぐ十分な解像度、及び良好なレジスト形状を得ることができ なかった。
[0013] 本発明は、 350nm以上 440nm未満の波長範囲内にピークを有する光によるレジ ストパターンの形成を、十分な感度及び解像度で行うことが可能な感光性榭脂組成 物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法、プリント配 線板の製造方法及びプラズマディスプレイパネル用隔壁の製造方法を提供すること を課題とする。
課題を解決するための手段
[0014] 本発明者らは、特定成分を特定量含有する感光性榭脂組成物により、上記課題が 解決可能であることを見出し、本発明を完成させた。
[0015] 本発明に係る感光性榭脂組成物は、（A)バインダーポリマーと、（B)重合可能なェ チレン性不飽和結合を有する光重合性化合物と、 (C) 2, 4, 5—トリアリールイミダゾ 一ルニ量体又はその誘導体を含む光ラジカル重合開始剤と、（D)下記一般式（1)で 示される化合物とを含有して ヽる。
[化 1] / / R1
R3 〇 R7
R6 R10
〇、 2
R2
[0016] 式（1)中、 R1及び R2は、それぞれ独立に、炭素数 1〜20のアルキル基、炭素数 5 〜 12のシクロアルキル基、フエ-ル基、ベンジル基、炭素数 2〜 12のアルカノィル基 又はベンゾィル基を表す。 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 及ひ 1() (「 〜1^1()」と表す。 以下同様。 )は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数 1〜12のアルキル基、ハロゲン 原子、シァノ基、カルボキシル基、フエ-ル基、炭素数 2〜6のアルコキシカルボ-ル 基又はベンゾィル基を示す。上記炭素数 1〜20のアルキル基は、アルキル基の炭素 数が 2〜12の場合、主鎖炭素原子間に酸素原子を有してもよぐ水酸基で置換され てもよい。上記炭素数 5〜 12のシクロアルキル基は、環の中に酸素原子を有してもよ ぐ水酸基で置換されてもよい。上記 R1及び R2中の上記フエ-ル基は、炭素数 1〜6 のアルキル基、水酸基、ハロゲン原子、シァノ基、カルボキシル基、フエ-ル基、炭素 数 1〜6のアルコキシ基、フエノキシ基、及び炭素数 2〜6のアルコキシカルボ-ル基 カゝらなる群より選ばれる 1種以上の基及び Z又は原子で置換されて ヽてもよ ヽ。上記 ベンジル基は、炭素数 1〜6のアルキル基、水酸基、ハロゲン原子、シァノ基、カルボ キシル基、フエ-ル基、炭素数 1〜6のアルコキシ基、フエノキシ基、及び炭素数 2〜 6のアルコキシカルボ-ル基からなる群より選ばれる 1種以上の基及び Z又は原子で 置換されていてもよい。上記ベンゾィル基は、炭素数 1〜6のアルキル基、水酸基、 ハロゲン原子、シァノ基、カルボキシル基、フエ-ル基、炭素数 1〜6のアルコキシ基 、フエノキシ基、及び炭素数 2〜6のアルコキシカルボ-ル基力 なる群より選ばれる 1種以上の基及び Z又は原子で置換されて 、てもよ 、。
[0017] また、本発明の感光性エレメントは、支持体と、該支持体上に形成された上記感光 性榭脂組成物からなる感光層とを備えるものである。
[0018] 従来の感光性エレメントは、 390nm以上 440nm未満の波長範囲内にピークを有 する光に対して、低い感度及び解像度を有していた。これは、従来の感光性エレメン トが、上記波長領域に対する感光性エレメントの光学密度が小さい、すなわち上記波 長領域の光を十分に吸収できず、感光性エレメント中の（B)光重合性化合物の重合 開始が困難となることに主に起因する。本発明に係る感光性榭脂組成物は、（D)— 般式（1)で示される化合物を特定量含有して 、ることをその特徴の一つとして 、る。 また、本発明に係る感光性エレメントは、（D)—般式（1)で示される化合物を特定量 含有させた感光層を用いて構成される。感光性エレメントに含まれて 、る (D)一般式 (1)で表される化合物は、波長 390nm以上 440nm未満の光に対して大きな光吸収 特性を有している。そのため、露光光として 390nm以上 440nm未満の波長範囲内 にピークを有する光を用いた場合、十分な感度、解像度、及び良好なレジスト形状を 得ることができる。また、感光性エレメントに含まれている（D)—般式（1)で表される 化合物は、波長 350nm以上 390nm未満の光に対しても大きな光吸収特性を有して いる。そのため、露光光として波長 365nmの光を中心とした水銀灯光源の全波長の 光を用いた場合でも、十分な感度、解像度、及び良好なレジスト形状を得ることがで きる。
[0019] 上記感光性榭脂組成物の (D)—般式（1)で表される化合物は、 R1及び R2が炭素 数 1〜4のアルキル基を示し、 R3〜R1Gは水素原子であってもよ！/、。
[0020] また、上記感光性榭脂組成物は、 350nm以上 440nm未満の波長範囲内にピーク を有する光に露光してレジストパターンを形成するのに有用である。
[0021] 本発明のレジストパターンの形成方法は、基板上に感光性榭脂組成物カゝらなる感 光層を形成する感光層形成工程と、感光層の所定部分を 350nm以上 440nm未満 の波長範囲内にピークを有する光に露光する露光工程と、露光した感光層を現像し てレジストパターンを形成する現像工程とを備えて 、る。
[0022] また、本発明のレジストパターンの形成方法は、基板上に感光性エレメントの感光 層を積層する感光層形成工程と、感光層の所定部分を 350nm以上 440nm未満の 波長範囲内にピークを有する光に露光する露光工程と、露光した感光層を現像して レジストパターンを形成する現像工程とを備えて 、る。
[0023] 本発明のプリント配線板の製造方法は、基板上に感光性榭脂組成物カゝらなる感光 層を形成する感光層形成工程と、感光層の所定部分を 350nm以上 440nm未満の 波長範囲内にピークを有する光に露光する露光工程と、露光した上記感光層を現像 してレジストパターンを形成する現像工程と、レジストパターンに基づいて基板上に 導体パターンを形成する導体パターン形成工程とを備えている。
[0024] また、本発明のプリント配線板の製造方法は、基板上に感光性エレメントの感光層 を積層する感光層形成工程と、感光層の所定部分を 350nm以上 440nm未満の波 長範囲内にピークを有する光に露光する露光工程と、露光した上記感光層を現像し てレジストパターンを形成する現像工程と、レジストパターンに基づいて基板上に導 体パターンを形成する導体パターン形成工程とを備えている。
[0025] 本発明のプラズマディスプレイパネル用隔壁の製造方法は、基板上に感光性榭脂 組成物からなる感光層を形成する感光層形成工程と、感光層の所定部分を 350nm 以上 440nm未満の波長範囲内にピークを有する光に露光する露光工程と、露光し た感光層を現像してレジストパターンを形成する現像工程と、レジストパターンに基づ いて基板をエッチングすることにより隔壁パターンを形成する隔壁パターン形成工程 とを備えている。
[0026] 本発明のプラズマディスプレイパネル用隔壁の製造方法は、基板上に感光性エレ メントの感光層を積層する感光層形成工程と、感光層の所定部分を 350nm以上 44 Onm未満の波長範囲内にピークを有する光に露光する露光工程と、露光した感光 層を現像してレジストパターンを形成する現像工程と、レジストパターンに基づいて基 板をエッチングすることにより隔壁パターンを形成する隔壁パターン形成工程とを備 えている。
発明の効果
[0027] 本発明によれば、 350nm以上 440nm未満の波長範囲内にピークを有する光によ るレジストパターンの形成を、十分な感度及び解像度で行うことが可能な感光性榭脂 組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法、プリン ト配線板の製造方法及びプラズマディスプレイパネル用隔壁の製造方法が提供され る。
図面の簡単な説明
[0028] [図 1]本発明による感光性エレメントの一実施形態を示す模式断面図である。 符号の説明
[0029] 1 · · '感光性エレメント、 10· ··支持フィルム、 14· · '感光層。
発明を実施するための最良の形態
[0030] 以下、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。但し、本発明は以 下の実施形態に限定されるものではない。
[0031] 本発明の感光性榭脂組成物は、（A)バインダーポリマー（以下「(A)成分」という。 ) と、（B)重合可能なエチレン性不飽和結合を有する光重合性ィヒ合物（以下「 (B)成分 」という。）と、（C)光ラジカル重合開始剤 (以下「(C)成分」という。）と、（D)上記一般 式（1)で示される化合物（以下「(D)成分」という。）とを含有している。以下、（A)〜（ D)成分につき、詳細に説明する。
[0032] 本発明の (A)成分は、後述する光重合性化合物と共に光硬化可能な重合体であ ればよぐ特に制限されない。 （A)成分としては、例えば、（メタ)アクリル酸及び (メタ） アクリル酸アルキルを構成単位として含むアクリル系榭脂、スチレン系榭脂、エポキシ 系榭脂、アミド系榭脂、アミドエポキシ系榭脂、アルキド系榭脂、フエノール系榭脂等 の有機高分子を挙げられる。これらの中で (A)成分は、エチレン性不飽和二重結合 を有した単量体 (重合性単量体)を重合 (ラジカル重合等)して得られたものであるこ とが好ましぐ現像性及び剥離性を向上させる観点から、（メタ)アクリル酸及び (メタ） アクリル酸アルキルを構成単位として含むアクリル系榭脂がより好ましい。
[0033] このようなエチレン性不飽和二重結合を有した単量体としては、例えば、スチレン； ビュルトルエン、 α—メチルスチレン、 ρ—メチルスチレン、 ρ—ェチルスチレン、 ρ—メ トキシスチレン、 ρ—エトキシスチレン、 ρ—クロロスチレン、 ρ—ブロモスチレン等の重 合可能なスチレン誘導体；ジアセトンアクリルアミド等のアクリルアミド；アクリロニトリル ；ビ-ルー η—ブチルエーテル等のビュルアルコールのエステル類；（メタ）アクリル酸 アルキルエステル、 （メタ）アクリル酸テトラヒドロフルフリルエステル、 （メタ）アクリル酸 ジメチルアミノエチルエステル、 （メタ）アクリル酸ジェチルアミノエチルエステル、 （メタ )アクリル酸グリシジルエステル、 2, 2, 2—トリフルォロェチル (メタ）アタリレート、 2, 2 , 3, 3—テトラフルォロプロピル (メタ）アタリレート、 （メタ）アクリル酸、 α—ブロモ (メタ )アクリル酸、 α—クロル (メタ）アクリル酸、 j8—フリル (メタ）アクリル酸、 j8—スチリル（ メタ）アクリル酸等の（メタ）アクリル酸系単量体；マレイン酸、マレイン酸無水物、マレ イン酸モノメチル、マレイン酸モノエチル、マレイン酸モノイソプロピル等のマレイン酸 系単量体;フマル酸、ケィ皮酸、 a シァノケィ皮酸、ィタコン酸、クロトン酸、プロピ オール酸等が挙げられ、中でも（メタ）アクリル酸アルキルエステル、スチレン又はスチ レン誘導体が好ましい。
[0034] なお、本発明における (メタ)アクリル酸とはアクリル酸又はそれに対応するメタクリル 酸を意味し、（メタ)アタリレートとはアタリレート又はそれに対応するメタタリレートを意 味し、（メタ）アタリロイル基とはアタリロイル基又はそれに対応するメタクリロイル基を 意味する。
[0035] 上記 (メタ）アクリル酸アルキルエステルとしては、例えば、下記一般式（2)で示され る化合物及びこれらの化合物のアルキル基に水酸基、エポキシ基、ハロゲン原子等 が置換したィ匕合物等が挙げられる。
[0036] CH =C (R )— COOR12 (2)
2
式（2)中、 R11は水素原子又はメチル基を示し、 R12は炭素数 1〜12のアルキル基を 示す。
[0037] なお、上記一般式（2)中の R12で示される炭素数 1〜12のアルキル基としては、例 えば、メチル基、ェチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、へキシル基、ヘプ チル基、ォクチル基、ノニル基、デシル基、ゥンデシル基、ドデシル基及びこれらの構 造異性体等が挙げられる。上記一般式 (2)で示される化合物としては、例えば、（メタ )アクリル酸メチルエステル、（メタ）アクリル酸ェチルエステル、（メタ）アクリル酸プロピ ルエステル、（メタ）アクリル酸ブチルエステル、（メタ）アクリル酸ペンチルエステル、（ メタ）アクリル酸へキシルエステル、（メタ）アクリル酸へプチルエステル、（メタ）アクリル 酸ォクチルエステル、（メタ）アクリル酸 2—ェチルへキシルエステル等が挙げられる。 これらは単独で又は 2種以上を組み合わせて用いることができる。
[0038] 上記 (A)成分であるバインダーポリマーは、アルカリ現像性の見地から、カルボキシ ル基を有するポリマーの 1種又は 2種以上力 なることが好ましい。このような (A)バイ ンダーポリマーは、例えば、カルボキシル基を有する重合性単量体とその他の重合 性単量体をラジカル重合させることにより製造することができる。 [0039] 感光性榭脂組成物を構成材料とする感光層の回路形成用基板に対する密着性及 び剥離特性を共に良好にする観点から、上記 (A)成分であるノ インダーポリマーは、 スチレン又はスチレン誘導体を重合性単量体として含有して ヽることが好ま ヽ。
[0040] 上記スチレン又はスチレン誘導体を共重合成分として含有している場合、（A)成分 中のスチレン又はスチレン誘導体の含有量が分子全質量を基準として 3〜30質量％ であることが好ましぐ 4〜28質量％であることがより好ましぐ 5〜27質量％であるこ とが特に好ましい。この含有量が 3質量％未満では密着性が劣る傾向があり、他方、 30質量％を超えると剥離片が大きくなり剥離時間が長くなる傾向がある。
[0041] なお、本発明における、「スチレン誘導体」とは、スチレンにおける水素原子が置換 基 (アルキル基の有機基やハロゲン原子等)で置換されたものを！、う。
[0042] 上記 (A)成分であるバインダーポリマーは、単独で又は 2種類以上を組み合わせて 使用される。 2種類以上を組み合わせて使用する場合のバインダーポリマーとしては 、例えば、異なる共重合成分力 なる 2種類以上のバインダーポリマー、異なる重量 平均分子量の 2種類以上のバインダーポリマー、異なる分散度の 2種類以上のバイ ンダーポリマー等が挙げられる。また、特開平 11一 327137号公報記載のマルチモ ード分子量分布を有するポリマーを使用することもできる。
[0043] 上記 (A)成分であるバインダーポリマーの重量平均分子量 (Mw)及び数平均分子 量（Mn)は、ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフィー（GPC)により測定することができ る（標準ポリスチレンを用いた検量線による換算)。この測定法によれば、バインダー ポリマーの Mwは、 5000〜300000であること力 S好ましく、 20000〜 150000である ことがより好ましぐ 25000〜60000であること力 S特に好ましい。 Mwが 5000未満で は耐現像液性が低下する傾向があり、他方、 300000を超えると現像時間が長くなる 傾向がある。
[0044] 上記 (A)成分であるバインダーポリマーは、分散度（MwZMn)が 1. 0〜3. 0であ ることが好ましぐ 1. 0〜2. 0であることがより好ましい。分散度が 3. 0を超えると密着 性及び解像度が低下する傾向がある。
[0045] (A)成分の含有量は、（A)成分及び (B)成分の合計量 100質量部に対して、 20〜 80質量部であることが好ましぐ 30〜70質量部であることがより好ましい。この含有 量が 20質量部未満では、感光層の光硬化させた部分が脆くなる傾向があり、感光性 エレメントとして用いた場合に塗膜性に劣る傾向がある。また、含有量が 80質量部を 超えると、光感度が不十分となる傾向がある。
[0046] 次に、（B)成分である分子内に重合可能なエチレン性不飽和結合を有する光重合 性ィ匕合物（以下「光重合性ィ匕合物」という。）について説明する。本発明の（B)成分は 、分子内に重合可能なエチレン性不飽和結合を有する光重合可能な化合物であれ ばよぐ特に制限されないが、例えば以下の光重合性ィ匕合物が挙げられる。
[0047] すなわち、本発明の（B)成分としては、多価アルコールに α , β 不飽和カルボン 酸を反応させて得られる化合物；ビスフエノール Α系（メタ)アタリレートイ匕合物；グリシ ジル基含有化合物に α , β -不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物；分子 内にウレタン結合を有する (メタ）アタリレートイ匕合物等のウレタンモノマー；ノユルフェ ノキシポリエチレンォキシアタリレート；フタル酸系化合物；（メタ）アクリル酸アルキル エステル等が挙げられる。これらは単独で又は 2種類以上を組み合わせて使用され る。
[0048] また、本発明の効果をより確実に得る観点から、分子内に一つの重合可能なェチレ ン性不飽和結合を有する光重合性化合物と、分子内に二つ以上の重合可能なェチ レン性不飽和結合を有する光重合性化合物と、を組み合わせて用いることが好まし い。
[0049] なお、上記 (Β)成分である光重合性ィ匕合物は、耐メツキ性、密着性の観点から、ビ スフ ノール Α系（メタ)アタリレートイ匕合物又は分子内にウレタン結合を有する (メタ） アタリレートイ匕合物を必須成分として含有することが好ましい。
[0050] 本発明においてビスフエノール A系（メタ）アタリレートイ匕合物とは、（メタ）アタリロイ ル基又は (メタ)アタリロイル基に由来する炭素 炭素不飽和二重結合と、ビスフ ノ ール Aに由来する C H— C (CH ) — C H—基と、を有する化合物をいう。
6 4 3 2 6 4
[0051] 上記多価アルコールに a , j8—不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物と しては、例えば、エチレン基の数が 2〜14であるポリエチレングリコールジ (メタ）アタリ レート、プロピレン基の数が 2〜14であるポリプロピレングリコールジ（メタ）アタリレート 、エチレン基の数が 2〜14でありプロピレン基の数が 2〜14であるポリエチレン.ポリ プロピレングリコールジ (メタ）アタリレート、トリメチロールプロパンジ (メタ）アタリレート 、トリメチロールプロパントリ（メタ）アタリレート、 EO変性トリメチロールプロパントリ（メタ )アタリレート、 PO変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アタリレート、 EO, PO変性トリ メチロールプロパントリ（メタ）アタリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アタリレート、 テトラメチロールメタンテトラ (メタ）アタリレート、ジペンタエリスリトールペンタ (メタ）ァク リレート、ジペンタエリスリトールへキサ (メタ）アタリレート等が挙げられる。これらは単 独で、または 2種類以上を組み合わせて使用される。
[0052] ここで、 「EO」とはエチレンオキサイドを示し、 EO変性された化合物はエチレンォキ サイド基のブロック構造を有するものを示す。また、「PO」とはプロピレンオキサイドを 示し、 PO変性されたィ匕合物はプロピレンオキサイド基のブロック構造を有するものを 示す。
[0053] 上記ビスフエノール A系（メタ）アタリレートイ匕合物としては、例えば、 2, 2 ビス（4
( (メタ）アタリロキシポリエトキシ）フエ-ル）プロパン、 2, 2 ビス（4— ( (メタ）アタリ口 キシポリプロポキシ）フエ-ル）プロパン、 2, 2 ビス（4— ( (メタ）アタリ口キシポリブトキ シ）フエ-ル）プロパン、 2, 2 ビス（4 （（メタ）アタリロキシポリエトキシポリプロポキ シ）フエニル）プロパン等が挙げられる。上記 2, 2 ビス (4 （(メタ）アタリロキシポリ エトキシ）フエ-ル）プロパンとしては、例えば、 2, 2 ビス（4— ( (メタ）アタリ口キシジ エトキシ）フエ-ル）プロパン、 2, 2 ビス（4— ( (メタ）アタリロキシトリエトキシ）フエ- ル）プロパン、 2, 2 ビス（4— ( (メタ）アタリ口キシテトラエトキシ）フエ-ル）プロパン、 2, 2 ビス（4— ( (メタ）アタリロキシペンタエトキシ）フエ-ル）プロパン、 2, 2 ビス（4 —( (メタ）アタリロキシへキサエトキシ）フエ-ル）プロパン、 2, 2 ビス（4— ( (メタ）ァ クリロキシヘプタエトキシ）フエ-ル）プロパン、 2, 2 ビス（4— ( (メタ）アタリロキシオタ タエトキシ）フエ-ル）プロパン、 2, 2 ビス（4— ( (メタ）アタリロキシノナエトキシ）フエ -ル）プロパン、 2, 2 ビス（4 （（メタ）アタリ口キシデ力エトキシ）フエ-ル）プロパン 、 2, 2 ビス（4— ( (メタ）アタリ口キシゥンデカエトキシ）フエ-ル）プロパン、 2, 2 ビ ス（4 ( (メタ）アタリロキシドデカエトキシ）フエ-ル）プロパン、 2, 2 ビス（4— ( (メタ )アタリロキシトリデカエトキシ）フエ-ル）プロパン、 2, 2 ビス（4— ( (メタ）アタリロキシ テトラデカエトキシ）フエ-ル）プロパン、 2, 2 ビス（4— ( (メタ）アタリロキシペンタデ 力エトキシ）フエ-ル）プロパン、 2, 2 ビス（4— ( (メタ）アタリロキシへキサデカェトキ シ）フエ-ル）プロパン等が挙げられる。そのうち、 2, 2 ビス（4— (メタクリロキシペン タエトキシ)フ ニル)プロパンは、 BPE— 500 (新中村化学工業 (株)製、製品名）とし て商業的に入手可能であり、 2, 2 ビス (4—(メタクリロキシペンタデカエトキシ)フエ ニル)プロパンは、 BPE— 1300 (新中村ィ匕学工業 (株)製、製品名）として商業的に 入手可能である。
[0054] 上記 2, 2 ビス（4 （（メタ）アタリロキシポリエトキシ）フエ-ル）プロパンの 1分子内 のエチレンオキサイド基 (EO基）の数は 4〜20であることが好ましく、 8〜 15であるこ とがより好ましい。これらは単独で、または 2種類以上を任意に組み合わせて使用さ れる。
[0055] 上記分子内にウレタン結合を有する (メタ）アタリレートイ匕合物としては、例えば、 β 位に OH基を有する（メタ）アクリルモノマーとジイソシァネートイ匕合物（イソホロンジィ ソシァネート、 2, 6 トルエンジイソシァネート、 2, 4 トルエンジイソシァネート、 1, 6—へキサメチレンジイソシァネート等）との付加反応物、トリス（ (メタ)アタリロキシテト ラエチレングリコーノレイソシァネート）へキサメチレンイソシァヌレート、 EO変'性ウレタ ンジ (メタ）アタリレート、 EO, PO変性ウレタンジ (メタ）アタリレート等が挙げられる。
[0056] EO変性ウレタンジ (メタ)アタリレートとしては、たとえば、 UA— 11 (新中村ィ匕学ェ 業 (株)製、製品名）が挙げられる。また、 EO, PO変性ウレタンジ (メタ)アタリレートと しては、例えば、 UA— 13 (新中村ィ匕学工業 (株)製、製品名）が挙げられる。これら は単独又は 2種類以上を組み合わせて使用される。
[0057] 上記ノ-ルフエノキシポリエチレンォキシアタリレートとしては、例えば、ノ-ルフエノ キシテトラエチレンォキシアタリレート、ノユルフェノキシペンタエチレンォキシアタリレ ート、ノユルフェノキシへキサエチレンォキシアタリレート、ノユルフェノキシヘプタエチ レンォキシアタリレート、ノユルフェノキシォクタエチレンォキシアタリレート、ノユルフェ ノキシノナエチレンォキシアタリレート、ノユルフェノキシデカエチレンォキシアタリレー ト、ノユルフェノキシゥンデ力エチレンォキシアタリレートが挙げられる。これらは単独 又は 2種類以上を組み合わせて使用される。
[0058] 上記フタル酸系化合物としては、 g—クロロー b ヒドロキシプロピル b' （メタ）ァ クリロイルォキシェチルー o フタレート、 b ヒドロキシアルキル b' （メタ）アタリ口 ルォキシアルキル o フタレート等が挙げられる。これらは単独又は 2種類以上を 組み合わせて使用される。
[0059] (B)成分の含有量は、（A)成分及び (B)成分の合計量 100質量部に対して、 20〜 80質量部であることが好ましぐ 30〜70質量部であることがより好ましい。この含有 量が 20質量部未満では、感光性榭脂組成物の光感度が不十分となる傾向がある。 この含有量が 80質量部を超えると、感光層の光硬化させた部分が脆くなる傾向があ り、感光性エレメントとして用いた場合に塗膜性に劣る傾向がある。
[0060] 次に、（C)成分である光重合開始剤について説明する。なお、本発明において光 重合開始剤は、前述の光重合性ィヒ合物の光重合を開始及び Z又は加速せしめる化 合物であればよぐ V、わゆる増感剤として機能するものであってもよ 、。
[0061] 本発明の（C)成分としては、例えば、 4, 4，—ビス（ジェチルァミン）ベンゾフエノン、 ベンゾフエノン、 2—ベンジル一 2—ジメチルァミノ一 1— (4—モルホリノフエ-ル） ブタノン 1, 2—メチルー 1 [4 （メチルチオ）フエ-ル ] 2 モルフオリノープロ パノン一 1等の芳香族ケトン；アルキルアントラキノン等のキノン類；ベンゾイン、アルキ ルベンゾイン等のベンゾイン化合物；ベンゾインアルキルエーテル等のベンゾインェ 一テル化合物；ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体； 2—（o クロ口フエ -ル） 4, 5 ジフエ-ルイミダゾ一ルニ量体、 2— (o クロ口フエ-ル）— 4, 5 ジ（ メトキシフエ-ル）イミダゾールニ量体、 2— (o フルオロフェ-ル）—4, 5 ジフエ- ルイミダゾ一ルニ量体、 2— (o—メトキシフエ-ル）— 4, 5 ジフエ-ルイミダゾール 二量体、 2— (p—メトキシフエ-ル）— 4, 5 ジフエ-ルイミダゾ一ルニ量体等の 2, 4 , 5 トリアリールイミダゾールニ量体； 9 フエ-ルァクリジン、 1, 7 ビス（9, 9，—ァ クリジ -ル）ヘプタン等のアタリジン誘導体； N—フエ-ルグリシン、 N—フエ-ルグリシ ン誘導体； 7—ジェチルアミノー 4 メチルクマリン等のクマリン系化合物等が挙げら れる。上記 2, 4, 5 トリアリールイミダゾールニ量体の二つのァリール置換基は同一 で対称な化合物を与えてもよ!、し、相違して非対称な化合物を与えてもょ 、。
[0062] 本発明の（C)成分は 2, 4, 5 トリアリールイミダゾールニ量体又はその誘導体を 含むものである。これら光重合開始剤（増感剤）は、単独で又は 2種類以上を組み合 わせて使用される。更に、感度をより向上させる観点から、後述の（D)成分と組み合 わせる 2, 4, 5—トリアリールイミダゾールニ量体又はその誘導体以外の（C)成分とし て、クマリン系化合物を用いることが好ましい。
[0063] (C)成分である 2, 4, 5—トリアリールイミダゾールニ量体及びその誘導体の含有量 は、（A)成分及び (B)成分の合計量 100質量部に対して、 0. 1〜10質量部であるこ と力 子ましく、 0. 5〜6質量部であることがより好ましぐ 1〜4質量部であることが更に 好ましい。この含有量が 0. 1質量部未満では密着性及び感度が不十分となる傾向 があり、 10質量部を超えるとレジスト底部の硬化性が低下する傾向がある。
[0064] 次に、（D)成分である下記一般式（1)で示される化合物について説明する。
[化 2]
Figure imgf000016_0001
[0065] 式（1)中、 R1及び R2は、それぞれ独立に、炭素数 1〜20のアルキル基、炭素数 5 〜 12のシクロアルキル基、フエ-ル基、ベンジル基、炭素数 2〜 12のアルカノィル基 又はベンゾィル基を表す。 R3〜R1Gは、それぞれ独立に、水素原子、炭素数 1〜12 のアルキル基、ハロゲン原子、シァノ基、カルボキシル基、フエ-ル基、炭素数 2〜6 のアルコキシカルボ-ル基又はベンゾィル基を示す。上記炭素数 1〜20のアルキル 基は、アルキル基の炭素数が 2〜12の場合、主鎖炭素原子間に酸素原子を有して もよぐ水酸基で置換されてもよい。上記炭素数 5〜 12のシクロアルキル基は、環の 中に酸素原子を有してもよぐ水酸基で置換されてもよい。上記 R1及び R2中の上記 フエ-ル基は、炭素数 1〜6のアルキル基、水酸基、ハロゲン原子、シァノ基、カルボ キシル基、フエ-ル基、炭素数 1〜6のアルコキシ基、フエノキシ基、及び炭素数 2〜 6のアルコキシカルボ-ル基からなる群より選ばれる 1種以上の基及び Z又は原子で 置換されていてもよい。上記ベンジル基は、炭素数 1〜6のアルキル基、水酸基、ノヽ ロゲン原子、シァノ基、カルボキシル基、フエ-ル基、炭素数 1〜6のアルコキシ基、フ エノキシ基、及び炭素数 2〜6のアルコキシカルボ-ル基からなる群より選ばれる 1種 以上の基及び/又は原子で置換されていてもよい。上記ベンゾィル基は、炭素数 1 〜6のアルキル基、水酸基、ハロゲン原子、シァノ基、カルボキシル基、フエ-ル基、 炭素数 1〜6のアルコキシ基、フエノキシ基、及び炭素数 2〜6のアルコキシカルボ- ル基力 なる群より選ばれる 1種以上の基及び Z又は原子で置換されて 、てもよ 、。
[0066] 本発明の感光性榭脂組成物は、上記 (D)成分を含有することによって、 350nm以 上 440nm未満の波長範囲内にピークを有する光に露光してレジストパターンを形成 するのに有用である。
[0067] (D)成分における R1及び R2としては、例えば、メチル基、ェチル基、プロピル基、ブ チル基、ペンチル基、へキシル基等が挙げられる。 R1及び R2の組合せとしては、例 えば、ェチル基同士の組合せ、プロピル基同士の組合せ、ブチル基同士の組合せ が挙げられる。
[0068] R3〜R1C)としては、例えば、水素原子、メチル基、ェチル基、プロピル基、ブチル基 、ペンチル基、へキシル基、プロぺ-ル基、ブテュル基、ペンテ-ル基、へキセ-ル 基、ヘプテュル基、エトキシカルボ-ル基、ヒドロキシエトキシカルボ-ル基、又はフエ ノキシ基等が挙げられる。 R3〜R1C)の組合せとしては、それら全てが水素原子;それら のいずれ力 1つがメチル基、ェチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、へキシ ル基、プロぺニル基、ブテニル基、ペンテニル基、へキセニル基、ヘプテニル基、エト キシカルボ-ル基、ヒドロキシエトキシカルボ-ル基、又はフエノキシ基であって、それ 以外の全てが水素原子;それらのいずれか 2つ力メチル基、ェチル基、プロピル基、 ブチル基、ペンチル基、へキシル基、プロべ-ル基、ブテュル基、ペンテ-ル基、へ キセ-ル基、ヘプテュル基、エトキシカルボ-ル基、ヒドロキシエトキシカルボ-ル基 、又はフエノキシ基であり、或いはそれらの糸且合せであって、それ以外の全てが水素 原子、等の組み合わせが挙げられる。
[0069] (D)成分である上記一般式（1)で示される化合物としては、具体的には 9, 10—ジ メトキシアントラセン、 9, 10—ジェトキシアントラセン、 9, 10—ジブトキシアントラセン 等が挙げられる。
[0070] (D)成分の含有量は、（A)成分及び (B)成分の総量 100質量部に対して 0. 01〜 10質量部とすることが好ましぐ 0. 05〜5質量部とすることがより好ましぐ 0. 1〜2質 量部とすることが特に好ましい。この含有量が 0. 01質量部未満では、良好な感度や 解像度が得られない傾向があり、 10質量部を超えると、良好なパターン形状を得ら れない傾向がある。
[0071] 本発明の感光性榭脂組成物には、必要に応じて、前述の (A)〜（D)成分以外の 成分を含有してもよい。このような成分としては、分子内に少なくとも 1つのカチオン重 合可能な環状エーテル基を有する光重合性化合物 (ォキセタン化合物等)、カチォ ン重合開始剤、マラカイトグリーン等の染料、トリブロモフエ-ルスルホン、ロイコクリス タルバイオレット等の光発色剤、熱発色防止剤、 p—トルエンスルホンアミド等の可塑 剤、顔料、充填剤、消泡剤、難燃剤、安定剤、密着性付与剤、レべリング剤、剥離促 進剤、酸化防止剤、香料、イメージング剤、熱架橋剤などが挙げられる。これらは、本 発明の目的の達成を阻害しない程度に添加されていればよい。これらの成分の添加 量は (A)成分及び (B)成分の総量 100質量部に対して各々 0. 01〜20質量部程度 とすることができる。これらは、単独で又は 2種類以上を組み合わせて使用される。
[0072] また、本発明の感光性榭脂組成物は、メタノール、エタノール、アセトン、メチルェ チルケトン、メチルセ口ソルブ、ェチルセ口ソルブ、トルエン、 N, N—ジメチルホルム アミド、プロピレングリコールモノメチルエーテル等の溶剤又はこれらの混合溶剤に溶 解して固形分 30〜60質量％程度の溶液としてもょ 、。この溶液を感光性エレメント の感光層を形成するための塗布液として使用することができる。
[0073] また、上記の塗布液は、後述の支持フィルム上に塗布 ·乾燥させて感光性エレメント の感光層を形成させるために使用してもよいが、例えば、金属板の表面、例えば、銅 、銅系合金、ニッケル、クロム、鉄、ステンレス等の鉄系合金、好ましくは銅、銅系合金 、鉄系合金の表面上に、液状レジストとして塗布して乾燥後、保護フィルムを被覆し て用いてもよい。
[0074] 次に、本発明の感光性エレメントについて説明する。図 1は、本発明の感光性エレ メントの好適な一実施形態を示す模式断面図である。図 1に示した感光性エレメント 1 は、支持フィルム 10と、該支持フィルム 10上に形成された感光性榭脂組成物力ゝらな る感光層 14と、を備えるものであり、感光層 14上にはそれを被覆する保護フィルム（ 図示せず。）を更に備えてもよい。
[0075] 上記支持フィルム 10としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、 ポリエチレン、ポリエステル等の耐熱性及び耐溶剤性を有する重合体フィルムを用い ることができる。上記支持フィルム 10 (重合体フィルム）の厚みは、 1〜： LOO /z mとする ことが好ましい。この厚みが、 5 m未満では、現像前の支持フィルム 10剥離の際に 支持フィルム 10が破れやすくなる傾向があり、 25 mを超えると解像度が低下する 傾向がある。なお、支持フィルム 10は、一つを感光層 14の支持体として、他の一つ を感光性榭脂組成物の保護フィルムとして感光層 14の両面に積層して使用してもよ い。
[0076] 上記保護フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポ リエチレン、ポリエステル等の耐熱性及び耐溶剤性を有する重合体フィルムを用いる ことができる。市販のものとしては、例えば、王子製紙社製の製品名「アルファン MA —410」、「E— 200C」、信越フィルム社製等のポリプロピレンフィルム、帝人社製の 製品名「PS— 25」等の PSシリーズなどのポリエチレンテレフタレートフィルム等が挙 げられる力 これらに限られたものではない。上記保護フィルムの厚みは、 1〜： LOO /z mであることが好ましぐ 5〜50 /ζ πιであることがより好ましぐ 5〜30 mであること力 S 更に好ましぐ 15-30 μ mであることが特に好ましい。この厚みが 1 μ m未満では、ラ ミネートの際に保護フィルムが破れる傾向があり、 100 mを超えると廉価性に劣る傾 向がある。なお、保護フィルムは、感光層 14及び支持フィルム 10の接着力よりも、感 光層 14及び保護フィルムの接着力の方が小さいものが好ましぐまた、低フィッシュァ ィのフィルムが好ましい。フィッシュアイとは、材料を熱溶融し、混練、押し出し、 2軸 延伸、キャスティング法等によりフィルムを製造する際に、材料の異物、未溶解物、酸 化劣化物等がフィルム中に取り込まれたものである。
[0077] 上記感光層 14は、本発明の感光性榭脂組成物を先に述べたような溶剤に溶解し て固形分 30〜60質量％程度の溶液 (塗布液）とした後に、力かる溶液 (塗布液)を支 持フィルム 10上に塗布して乾燥することにより形成することが好ましい。上記塗布は、 例えば、ロールコータ、コンマコータ、グラビアコータ、エアーナイフコータ、ダイコータ 、バーコ一タ等を用いた公知の方法で行うことができる。また、上記乾燥は 70〜150 °C、 5〜30分間程度で行うことができる。感光性榭脂組成物中の残存有機溶剤量は 、後の工程での有機溶剤の拡散を防止する点から、感光性榭脂組成物の総量に対 して 2質量％以下とすることが好ましい。上記感光層 14の厚みは、用途により異なる 力 乾燥後の厚みで 1〜： LOO mであることが好ましぐ 1〜50 /ζ πιであることがより 好ましい。この厚みが 1 m未満では、工業的に塗工困難な傾向があり、 100 /z mを 超えると本発明の効果力 、さくなり、接着力、解像度が低下する傾向がある。
[0078] なお、上記感光層 14は、波長 365nm及び 405nmの紫外線に対する吸光度が 0.
1〜3であることが好ましぐ 0. 15〜2であることがより好ましぐ 0. 2〜1. 5であること が特に好ましい。この吸光度は、 0. 1未満では感度が劣る傾向があり、 3を超えると 密着性が劣る傾向がある。上記吸光度は、 UV分光計により測定することができ、上 記 UV分光計としては、 228A型（日立製作所製、製品名） Wビーム分光光度計等が 挙げられる。
[0079] 上記感光性エレメント 1は、更にクッション層、接着層、光吸収層、ガスバリア層等の 中間層等を有していてもよい。また、得られた感光性エレメント 1はシート状、又は卷 芯にロール状に巻き取って保管することができる。なお、この際支持体が最も外側に なるように巻き取られることが好ましい。上記ロール状の感光性エレメント 1ロールの端 面には、端面保護の見地力 端面セパレータを設置することが好ましぐ耐ェッジフユ 一ジョンの見地から防湿端面セパレータを設置することが好ましい。また、梱包方法と して、透湿性の小さいブラックシートに包んで包装することが好ましい。上記卷芯とし ては、例えば、ポリエチレン榭脂、ポリプロピレン榭脂、ポリスチレン榭脂、ポリ塩化ビ -ル榭脂、 ABS榭脂（アクリロニトリル—ブタジエン—スチレン共重合体)等のプラス チックなどが挙げられる。
[0080] 次に、本発明の感光性エレメント 1を用いたレジストパターンの形成方法について 説明する。第 1のレジストパターンの形成方法は、回路形成用基板上に感光性榭脂 組成物からなる感光層を形成する感光層形成工程と、感光層の所定部分を 350nm 以上 440nm未満の波長範囲内にピークを有する光に露光する露光工程と、露光し た感光層を現像してレジストパターンを形成する現像工程とを備えるものである。な お、回路形成用基板とは、絶縁層と絶縁層上に形成された導体層とを備えた基板を いう。
[0081] 上記感光層形成工程では、上述した感光性エレメント 1を用いた場合、保護フィル ムを感光層 14から徐々に剥離させ、これと同時に徐々に露出してくる感光層 14の面 の部分を、回路形成用基板の回路を形成すべき面に密着させる。上記レジストバタ ーンを形成する際には、保護フィルムを除去した後、例えば、感光層 14を 70〜130 °C程度に加熱しながら回路形成用基板に 0. l〜lMPa程度（1〜： LOkgfZcm2程度 )の圧力で圧着することにより積層する方法等が好適に採用され、密着性、追従性向 上の観点カゝら減圧下で積層する方法も好ましい (積層工程)。また、感光層 14を上記 のように 70〜 130°Cに加熱すれば、回路形成用基板を予熱処理することは必要で はないが、積層性を更に向上させるために、回路形成用基板の予熱処理を行うことも できる。
[0082] 次に、上記露光工程では、アートワークと呼ばれるネガ又はポジマスクパターンを 通して活性光線を画像上に照射させる（マスク露光法)。上記露光工程の際、感光層 14上に存在する支持フィルム 10が活性光線に対して透明である場合には、支持フィ ルム 10を通して活性光線を照射することができ、支持フィルム 10が遮光性である場 合には、支持フィルム 10を除去した後に感光層 14に活性光線を照射することができ る。また、レーザ直接描画露光法や DLP (Digital Light Processing)露光法など の直接描画法により、活性光線を画像状に照射する方法を採用してもよい。
[0083] 上記活性光線の光源としては、公知の光源、例えば、カーボンアーク灯、水銀蒸気 アーク灯、高圧水銀灯、キセノンランプ、 Arイオンレーザ、半導体レーザ等の紫外線 又は可視光等を有効に放射するものが用いられる。本発明においては、水銀灯光源 の波長 365nm以下の光を、フィルタを使用して 99. 5%以上カットした活性光線、或 いは半導体レーザの波長 405nmの光を用いることが望まし!/、。波長 365nm以下の 光をカットするフィルタとしては、例えば、シャープカットフィルタ SCF—100S— 39L ( シグマ光機社製、製品名）などを用いることができる。
[0084] 上記直接描画法で露光する場合、例えば、 日立ビアメカ-タス社製の DE— 1AH を用いることができる。この際、光源が 405nmの LD (レーザーダイオード）であるため 、シャープカットフィルタは用いなくても良い。また、直接露光させるため、フォトツー ルは用いなくてもよい。
[0085] 更に、上記現像工程では、感光層上に支持体が存在している場合にはその支持体 を除去した後、ウエット現像又はドライ現像で光硬化されて 、な 、部分 (未露光部）を 除去して現像することにより、レジストパターンを形成することができる。
[0086] 上記ウエット現像の場合、現像液としては、アルカリ性水溶液、水系現像液、有機 溶剤等の安全かつ安定であり操作性が良好なものが、感光性榭脂組成物の種類に 対応して用いられる。また、現像方法としては、スプレー、揺動浸漬、ブラッシング、ス クラッピング等の公知の方法が適宜採用される。
[0087] 上記アルカリ性水溶液の塩基としては、アルカリ金属、例えば、リチウム、ナトリウム 、カリウムの水酸ィ匕物である水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸ィ匕カリウム等;ァ ルカリ金属、アンモニゥム等の炭酸塩又は重炭酸塩である炭酸アルカリ又は重炭酸 アル力リ；アルカリ金属のリン酸塩であるリン酸ナトリゥム、リン酸カリウム等；アルカリ金 属のピロリン酸塩であるピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸カリウム等、安全かつ安定であ り、操作性が良好なものが用いられる。
[0088] また、このようなアルカリ性水溶液としては、例えば、 0. 1〜5質量％炭酸ナトリウム の希薄溶液、 0. 1〜5質量％炭酸カリウムの希薄溶液、 0. 1〜5質量％水酸化ナトリ ゥムの希薄溶液、 0. 1〜5質量％四ホウ酸ナトリウムの希薄溶液が好ましぐその pH は 9〜： L 1の範囲とすることが好ましい。また、このようなアルカリ性水溶液の温度は感 光層 14の現像性に合わせて調節される。更に、上記アルカリ性水溶液中には、現像 を促進させるために界面活性剤、消泡剤等の少量の有機溶剤を混入させてもょ ヽ。
[0089] 上記水系現像液としては、水及びアルカリ性水溶液若しくは一種以上の有機溶剤 とからなるものが用いられる。ここでアルカリ性水溶液の塩基としては、上述したもの 以外に、例えば、ホウ砂、メタケイ酸ナトリウム、水酸ィ匕テトラメチルアンモニゥム、エタ ノールァミン、エチレンジァミン、ジエチレントリァミン、 2—ァミノ一 2—ヒドロキシメチル - 1, 3 プロパンジオール、 1, 3 ジァミノプロパノール 2、モルホリンが挙げられ る。このような水系現像液の pHは、現像処理が充分にできる範囲でできるだけ小さく することが好ましぐ pH8〜12であることが好ましぐ pH9〜10であることがより好まし い。 [0090] 上記有機溶剤としては、例えば、アセトン、酢酸ェチル、炭素数 1〜4のアルコキシ 基をもつアルコキシエタノール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチル ァノレコーノレ、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエ チルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルが用いられる。このような有 機溶剤の濃度は、通常、 2〜90質量％であることが好ましい。また、このような有機溶 剤の温度は、現像性にあわせて調節することができる。このような有機溶剤は単独で 又は 2種類以上を組み合わせて用いることができる。単独で用いる有機溶剤系現像 液としては、例えば、 1, 1, 1—トリクロロェタン、 N—メチルピロリドン、 N, N—ジメチ ルホルムアミド、シクロへキサノン、メチルイソブチルケトン、 γ —ブチロラタトンが挙げ られる。更に、上記アルカリ性水溶液中には、現像を促進させるために界面活性剤、 消泡剤等の少量の有機溶剤を混入させてもよい。上記有機溶剤は、引火防止のた め 1〜20質量％の範囲で水を添加することが好まし!/、。
[0091] 本発明のレジストパターンの形成方法においては、必要に応じて、上述した 2種類 以上の現像方法を併用して用いてもよい。現像の方式には、ディップ方式、バトル方 式、スプレー方式、高圧スプレー方式、ブラッシング、スラッピング等があり、高圧スプ レー方式が解像度向上のためには最も適している。また、現像後の処理として、必要 に応じて 60〜250°C程度の加熱又は 0. 2〜10mjZcm2程度の露光を行うことによ り、レジストパターンを更に硬化させて用いてもよい。現像後に行われる金属面のエツ チングには、例えば、塩化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液、アルカリエッチング溶液等 を用いることができる。
[0092] 次に第 2のレジストパターンの形成方法について説明する。第 2のレジストパターン の形成方法は、上記第 1のレジストパターン形成方法における回路形成用基板に代 えて、隔壁材層が設けられたプラズマディスプレイパネル用基板を用いる以外は、第 1のレジストパターンの形成方法と同様である。
[0093] 上記プラズマディスプレイ用基板としては、例えば、 PD- 200 (旭硝子 (株)社製、 商品名）が挙げられる。また、上記隔壁材層は、例えば、 RPW401 (旭硝子 (株)社 製、商品名）等を用いて形成される。
[0094] 次に、本発明のプリント配線板の製造方法について説明する。本発明のプリント配 線板の製造方法は、回路形成用基板上に感光性榭脂組成物からなる感光層を形成 する感光層形成工程と、感光層の所定部分を 350nm以上 440nm未満の波長範囲 内にピークを有する光に露光する露光工程と、露光した感光層を現像してレジストパ ターンを形成する現像工程と、上記レジストパターンに基づいて回路形成用基板上 に導体パターンを形成する導体パターン形成工程とを備えることである。なお、回路 形成用基板とは、絶縁層と絶縁層上に形成された導体層とを備えた基板を ヽぅ。
[0095] すなわち、本発明のプリント配線板の製造方法においては、本発明の第 1のレジス トパターンの形成方法によって得られたレジストパターンをマスクとして、回路形成用 基板の表面にエッチング又はめつき処理が施される。
[0096] 上記回路形成用基板の表面に対してエッチング処理を施すためには、例えば、塩 化第二銅溶液、塩化第二鉄溶液、アルカリエッチング溶液、過酸化水素エッチング 液を用いることができ、それらの中でも、エッチファクタが良好であることから塩ィ匕第二 鉄溶液が好ましい。
[0097] また上記めつき処理としては、例えば、硫酸銅めつき処理、ピロリン酸銅めつき処理 等の銅めつき処理；ハイスローめつき処理等のはんだめつき処理；ワット浴 (硫酸-ッ ケル—塩化ニッケル）めっき処理、スルファミン酸ニッケル処理等のニッケルめっき処 理;ハード金メッキ処理、ソフト金メッキ処理等の金めつき処理を施す公知の方法が適 宜採用され得る。
[0098] 次 、で、本発明のプリント配線板の製造方法にお!、ては、例えば、現像に用いたァ ルカリ性水溶液より更に強アルカリ性の水溶液を用いてレジストパターンを剥離除去 してもよい。このような強アルカリ性の水溶液としては、例えば、 1〜10質量％水酸ィ匕 ナトリウム水溶液、 1〜10質量％水酸ィ匕カリウム水溶液が用いられる。また、上記レジ ストパターンを剥離除去する方式としては、例えば、浸漬方式、スプレー方式が挙げ られ、浸漬方式及びスプレー方式を単独で使用してもよいし、併用してもよい。
[0099] なお、上記本発明のプリント配線板の製造方法は、単層のプリント配線板の製造の みならず多層プリント配線板の製造にも適用可能であり、小径スルーホールを有する プリント配線板等の製造にも適用可能である。
[0100] 次に、プラズマディスプレイパネル用隔壁の製造方法につ!、て説明する。プラズマ ディスプレイパネル用隔壁の製造方法は、プラズマディスプレイパネル用基板上に設 けられた隔壁材層上に感光性榭脂組成物からなる感光層を形成する感光層形成ェ 程と、感光層の所定部分を 350nm以上 440nm未満の波長範囲内にピークを有す る光に露光する露光工程と、露光した感光層を現像してレジストパターンを形成する 現像工程と、上記レジストパターンに基づいてエッチングすることにより基板上に隔壁 ノ ターンを形成する隔壁パターン形成工程とを備える。
[0101] プラズマディスプレイパネル用基板及び隔壁材層は、上述の第 2のレジストパター ンの形成方法で使用されるものと同様のものが用いられる。
[0102] すなわち、プラズマディスプレイパネル用隔壁の製造方法においては、第 2のレジ ストパターンの形成方法によって得られたレジストパターンをマスクとして、隔壁材層 にエッチング処理が施される。
[0103] 隔壁材層をエッチングする方法としては、例えば、サンドブラスト法、ウエットエッチ ングプロセス法が挙げられる。サンドブラスト法の場合、例えば、シリカやアルミナ等 の切削粒子を直接基板に噴きつけることにより隔壁材がてエッチングされる。また、ゥ エツトエッチングプロセス法の場合、例えば、硝酸等の酸溶液により隔壁材がエツチン グされる。
[0104] 以上、本発明をその実施形態に基づいて詳細に説明した。しかし、本発明は上記 実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々 な変形が可能である。
実施例 1
[0105] 以下、実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明する。但し、本発明 はこれら実施例に限定されるものではない。
[0106] (実施例 1〜9及び比較例 1〜5)
(感光性榭脂組成物の調製）
先ず、表 1に示す諸成分を同表に示す量 (g)で混合し、溶液を得た。
[0107] [表 1] 配合量
原料
(g) メタクリル酸/メタクリル酸メチル /スチレン（25/50/25
(重量比）、重量平均分子量 30000)、メチルセ口ソルブ / 1 1 3
(A)成分
トルエン =3/2 (重量比）溶液、固形分酸価 1 63mgKOH (固形分 54)
/g
(B)成分 FA-321 M * 1 46 発色剤 ロイコクリスタルバイオレット 0. 3 染料 マラカイトグリーン 0. 03
アセトン 9
溶剤 トルエン 5
メタノーゾレ 5
*1：下記一般式（3)で示される EO変性ビスフエノール Aジメタクリレート（日立化成ェ 業社製、製品名「FA— 321M」）。下記一般式 (3)において、 m+n= 10 (平均値)で ある。
[化 3]
Figure imgf000026_0001
[0108] 次いで、得られた溶液に、表 2に示す (D)成分である DBAと (C)成分である C1とを 同表に示す量 (g)で溶解させて、感光性榭脂組成物の溶液を得た。
[0109] [表 2]
実施例
1 2 3 4 5 6 フ 8 9
(D)成分 DBA*2 (g) 1 0. 25 0. 5 0. 3 0. 5 0. フ 0. 6 0. 8 1
C1 * 3(g) 0 0. 9 0. 9 0. 7 0. 5 0. 3 0 0 0
(C)成分
HABI + 4(g) 3. 7 3. 7 3. 7 3. 7 3. 7 3. 7 3. 7 3. 7 3. 7
Figure imgf000027_0001
*2 : DBA〜9, 10 ジブトキシアントラセン（極大吸収波長え = 368nm、 388nm、 410nm)
*3： C 1 · · · 7 ジェチルァミノ 4 メチルクマリン
*4 :ΗΑΒ ··2, 2，一ビス（ο クロ口フエ-ル）一 4, 4，， 5, 5，一テトラフエ-ルビスィ ミダゾ一ノレ
*5 :1— 369· ··2 ベンジル 2 ジメチルァミノ 1— (4 モルフォリノフエ-ル） ブタノン
[0110] まず、実施例 1〜6及び比較例 1〜4について説明する。
(感光性エレメントの作製）
得られた実施例 1〜6及び比較例 1〜4の感光性榭脂組成物の溶液を、支持体で ある 16 μ m厚のポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人社製、製品名「GS— 16」） 上に均一に塗布し、 70°C及び 100°Cの熱風対流式乾燥機で 10分間乾燥することに より、感光性エレメントを得た。感光層の乾燥後の膜厚は 25 mであった。
[0111] <吸光度試験 >
感光層の露光波長に対する光学密度 (O. D.値)を、 UV分光光度計（日立製作 所 (株)製、製品名「U— 3310分光光度計」）を用いて測定した。測定は、支持体とし て用いたものと同じ種類のポリエチレンテレフタレートフィルムをリファレンスとして、吸 光度モードにより波長 550〜300nmの光で連続測定を行って UV吸収スペクトルを 得、その中で、 405nmにおける吸光度の値を O. D.値とした。その測定結果を表 3 に示す。
[0112] (レジストパターンの形成）
得られた感光性エレメントそれぞれにつ ヽて、以下の方法により銅張積層板に感光 層をラミネートし、積層体を得た。すなわち、銅箔 (厚み 35mm)を両面に積層したガ ラスエポキシ剤である銅張積層板（日立化成工業 (株)製、製品名「MCL—E— 67」） の銅表面を、 # 600相当のブラシを持つ研磨機 (三啓 (株)製)を用 ヽて研磨し水洗 後、空気流で乾燥した。そして、得られた銅張積層板を 80°Cに加温し、上記銅張積 層板に感光性エレメントの保護フィルムを剥がしながら、感光層を 120°Cで、 0. 4MP aの圧力下でラミネートすることにより、積層体を得た。
[0113] <光感度及び解像度試験 >
続いて、上記積層体を 23°Cになるまで冷却して、上記積層体の最外層に位置する ポリエチレンテレフタレートフィルムの表面に、濃度領域 0. 00-2. 00、濃度ステップ 0. 05、タブレット（矩形）の大きさが 20mm X 187mmで、各ステップ（矩形）の大きさ 力 S3mmX 12mmである 41段ステップタブレットを有するフォトツールと、解像度評価 用ネガとしてライン幅 Zスペース幅が 6Z6〜35Z35 (単位： mm)の配線パターンを 有するフォトツールと、を順に積層させた。更に、その上に波長 365nm以下の光を 9 9. 5%以上カットするシグマ光機社製シャープカットフィルタ SCF— 100S - 39L (製 品名）を配置した。
[0114] この状態で、 5kWショートアークランプを光源とする平衡光露光機 (オーク製作所 製、製品名「EXM— 1201」）を用いて、 41段ステップタブレットの現像後の残存ステ ップ段数が 17段となる露光量で露光を行い、この露光量を感度とした。なお、照度の 測定はシャープカットフィルタを透過した光にっ 、て、 405nm対応プローブを適用し た紫外線照度計 (ゥシォ電機社製、製品名「UIT— 150」、受光器「UVD— S405J ) を用いて行い、照度と露光時間との積を露光量とした。その結果を表 3に示す。
[0115] 次に、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離し、 30°Cで 1質量0 /0炭酸ナトリウム 水溶液を 24秒間スプレーし、未露光部分を除去した。解像度は、現像処理によって 未露光部分をきれいに除去することができ、なおかつラインが蛇形、欠けを生じること なく生成されたライン幅間のスペース幅の最も小さ 、値により評価した。感度及び解 像度の評価は数値が小さ 、ほど良好な値である。その結果を表 3に示す。
[0116] 現像後のレジスト形状は、日立走査型電子顕微鏡 S— 500 Aを用いて観察した。そ の結果を表 3に示す。
[0117] 次に、実施例 7〜9及び比較例 5について説明する。
(感光性エレメントの作製）
得られた実施例 7〜9及び比較例 5の感光性榭脂組成物の溶液を、支持体である 1
6 /z m厚のポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人社製、製品名「GS— 16」）上に 均一に塗布し、 70°C及び 100°Cの熱風対流式乾燥機で 10分間乾燥することにより、 感光性エレメントを得た。感光層の乾燥後の膜厚は 38 μ mであった。
[0118] <吸光度試験 >
実施例 1〜6及び比較例 1〜4と同様に吸光度試験を行った。その測定結果を表 4 に示す。
[0119] (レジストパターンの形成）
まず、プラズマディスプレイパネル用基板 (PD200、旭硝子 (株)社製)上にリブべ 一スト材 (RPW401、旭硝子 (株)社製)を塗布することにより隔壁材層を形成した。 次に得られた感光性エレメントの感光層を以下の方法により隔壁材層が設けられた P DP用基板の隔壁材層上にラミネートし、積層体を得た。上記ラミネートは隔壁材層が 設けられた PDP用基板を 80°Cに加温し、感光性エレメントの保護フィルムを剥がしな がら、感光層を 120°Cで、 0. 4MPaの圧力下で行った。
[0120] <光感度及び解像度試験 >
実施例 1〜6及び比較例 1〜4と同様に光感度及び解像度試験を行った、その測定 結果を表 3及び表 4に示す。
[0121] [表 3] 実施例
1 2 3 4 5 6
DBA(g) 1 0. 25 0. 5 0. 3 0. 5 0. 7
C1 (g) 0 0. 9 0. 9 0. 7 0. 5 0. 3
HABI(g) 3. 7 3. 7 3. 7 3. 7 3. 7 3. 7 吸光度（405nm) 0. 55 0. 7 0. 84 0. 57 0. 58 0. 56 感度（mJん m2) 80 73 69 55 60 56 解像度（ m) 16 14 16 16 14 14 レジスト形状 矩形 矩形 矩形 矩形 矩形 矩形 比較例
1 2 3 4
DBA(g) 0 0 0 1
C1 (g) 0 0. 9 0 0
HABI(g) 3. 7 3. 7 3. 7 0
I-369(g) 0 0 0 8. 0
EAB*6 0 0 0. 5 0
吸光度（405nm) 0. 06 0. 59 0. 49 0. 93
感度（mJ/cm2) 656 117 148 242
解像度（jUm) 18 16 18 25
レジスト形状 矩形 矩形 矩形 矩形
*6:EAB〜4, 4，一ビス（ジェチルァミノ）ベンゾフエノン
[表 4]
Figure imgf000030_0001
産業上の利用可能性 本発明によれば、波長が 390nmから 440nmの光によるレジストパターンの形成を 、十分な感度及び解像度で行うことが可能な感光性榭脂組成物、並びにこれを用い た感光性エレメント、レジストパターンの形成方法、プリント配線板の製造方法及びプ ラズマディスプレイパネル用隔壁の製造方法が提供される。

Claims

請求の範囲 (A)バインダーポリマーと、 (B)重合可能なエチレン性不飽和結合を有する光重合 性化合物と、 (C) 2, 4, 5—トリアリールイミダゾールニ量体又はその誘導体を含む光 ラジカル重合開始剤と、（D)下記一般式（1)で表される化合物と、を含有する感光性 榭脂組成物。 [化 1]
[式（1)中、 R1及び R2は、それぞれ独立に、炭素数 1〜20のアルキル基、炭素数 5〜 12のシクロアルキル基、フエ-ル基、ベンジル基、炭素数 2〜 12のアルカノィル基又 はベンゾィル基を表す。 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9及び R10は、それぞれ独立に、 水素原子、炭素数 1〜12のアルキル基、ハロゲン原子、シァノ基、カルボキシル基、 フエ-ル基、炭素数 2〜6のアルコキシカルボ-ル基又はベンゾィル基を示す。前記 炭素数 1〜20のアルキル基は、アルキル基の炭素数が 2〜 12の場合、主鎖炭素原 子間に酸素原子を有してもよぐ水酸基で置換されてもよい。前記炭素数 5〜12のシ クロアルキル基は、環の中に酸素原子を有してもよぐ水酸基で置換されてもよい。前 記 R1及び R2中の前記フエ-ル基は、炭素数 1〜6のアルキル基、水酸基、ハロゲン 原子、シァノ基、カルボキシル基、フエ-ル基、炭素数 1〜6のアルコキシ基、フエノキ シ基、及び炭素数 2〜6のアルコキシカルボ-ル基力 なる群より選ばれる 1種以上 の基及び Z又は原子で置換されていてもよい。前記ベンジル基は、炭素数 1〜6の アルキル基、水酸基、ハロゲン原子、シァノ基、カルボキシル基、フエニル基、炭素数 1〜6のアルコキシ基、フエノキシ基、及び炭素数 2〜6のアルコキシカルボ-ル基か らなる群より選ばれる 1種以上の基及び Z又は原子で置換されていてもよい。前記べ ンゾィル基は、炭素数 1〜6のアルキル基、水酸基、ハロゲン原子、シァノ基、カルボ キシル基、フエ-ル基、炭素数 1〜6のアルコキシ基、フエノキシ基、及び炭素数 2〜
6のアルコキシカルボ-ル基からなる群より選ばれる 1種以上の基及び Z又は原子で 置換されていてもよい。]
[2] 前記 R1及び R2は炭素数 1〜4のアルキル基を示し、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9及 び R1C>は水素原子である、請求項 1記載の感光性榭脂組成物。
[3] 350nm以上 440nm未満の波長範囲内にピークを有する光に露光してレジストパ ターンを形成するために用いられる、請求項 1に記載の感光性榭脂組成物。
[4] 支持フィルムと、該支持フィルム上に形成された請求項 1又は 2に記載の感光性榭 脂組成物からなる感光層と、を備えることを特徴とする感光性エレメント。
[5] 基板上に請求項 1又は 2に記載の感光性榭脂組成物からなる感光層を形成する感 光層形成工程と、
前記感光層の所定部分を 350nm以上 440nm未満の波長範囲内にピークを有す る光に露光する露光工程と、
露光した前記感光層を現像してレジストパターンを形成する現像工程と、 を備えるレジストパターンの形成方法。
[6] 基板上に請求項 4に記載の感光性エレメントの感光層を積層する感光層形成工程 と、
前記感光層の所定部分を 350nm以上 440nm未満の波長範囲内にピークを有す る光に露光する露光工程と、
露光した前記感光層を現像してレジストパターンを形成する現像工程と、 を備えるレジストパターンの形成方法。
[7] 基板上に請求項 1又は 2に記載の感光性榭脂組成物からなる感光層を形成する感 光層形成工程と、
前記感光層の所定部分を 350nm以上 440nm未満の波長範囲内にピークを有す る光に露光する露光工程と、
露光した前記感光層を現像してレジストパターンを形成する現像工程と、 前記レジストパターンに基づいて前記基板上に導体パターンを形成する導体バタ ーン形成工程と、 を備えるプリント配線板の製造方法。
[8] 基板上に請求項 4に記載の感光性エレメントの感光層を積層する感光層形成工程 と、
前記感光層の所定部分を 350nm以上 440nm未満の波長範囲内にピークを有す る光に露光する露光工程と、
露光した前記感光層を現像してレジストパターンを形成する現像工程と、 前記レジストパターンに基づいて前記基板上に導体パターンを形成する導体バタ ーン形成工程と、
を備えるプリント配線板の製造方法。
[9] 基板上に請求項 1又は 2に記載の感光性榭脂組成物からなる感光層を形成する感 光層形成工程と、
前記感光層の所定部分を 350nm以上 440nm未満の波長範囲内にピークを有す る光に露光する露光工程と、
露光した前記感光層を現像してレジストパターンを形成する現像工程と、 前記レジストパターンに基づいて前記基板をエッチングすることにより隔壁パターン を形成する隔壁パターン形成工程と、
を備えるプラズマディスプレイパネル用隔壁の製造方法。
[10] 基板上に請求項 4に記載の感光性エレメントの感光層を積層する感光層形成工程 と、
前記感光層の所定部分を 350nm以上 440nm未満の波長範囲内にピークを有す る光に露光する露光工程と、
露光した前記感光層を現像してレジストパターンを形成する現像工程と、 前記レジストパターンに基づいて前記基板をエッチングすることにより隔壁パターン を形成する隔壁パターン形成工程と、
を備えるプラズマディスプレイパネル用隔壁の製造方法。
PCT/JP2006/313245 2005-07-05 2006-07-03 感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法、プリント配線板の製造方法及びプラズマディスプレイパネル用隔壁の製造方法。 WO2007004619A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/994,990 US8105759B2 (en) 2005-07-05 2006-01-03 Photosensitive resin composition, and, photosensitive element, method for forming resist pattern, method for manufacturing printed wiring board and method for manufacturing partition wall for plasma display panel using the composition
CN2006800245159A CN101218538B (zh) 2005-07-05 2006-07-03 感光性树脂组合物和使用其的感光性部件，抗蚀剂图案的形成方法，印刷配线板的制造方法和等离子显示面板用间隔壁的制造方法
KR1020077030100A KR100932580B1 (ko) 2005-07-05 2006-07-03 감광성 수지 조성물, 및 이것을 이용한 감광성 엘리먼트,레지스트 패턴의 형성방법, 프린트 배선판의 제조방법 및플라즈마 디스플레이 패널용 격벽의 제조방법
JP2007524058A JP4605223B2 (ja) 2005-07-05 2006-07-03 感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法、プリント配線板の製造方法及びプラズマディスプレイパネル用隔壁の製造方法。

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005196596 2005-07-05
JP2005-196596 2005-07-05

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007004619A1 true WO2007004619A1 (ja) 2007-01-11

Family

ID=37604480

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2006/313245 WO2007004619A1 (ja) 2005-07-05 2006-07-03 感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法、プリント配線板の製造方法及びプラズマディスプレイパネル用隔壁の製造方法。

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8105759B2 (ja)
JP (1) JP4605223B2 (ja)
KR (1) KR100932580B1 (ja)
CN (1) CN101218538B (ja)
TW (1) TWI396049B (ja)
WO (1) WO2007004619A1 (ja)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007126066A1 (ja) * 2006-04-28 2007-11-08 Kawasaki Kasei Chemicals Ltd. 光重合開始剤及び光硬化性組成物
JP2009139932A (ja) * 2007-11-16 2009-06-25 Sumitomo Chemical Co Ltd 重合性樹脂組成物、塗膜、パターンおよび表示装置
JP5098643B2 (ja) * 2005-08-30 2012-12-12 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物およびメッキ造形物の製造方法
CN103091985A (zh) * 2011-10-31 2013-05-08 日立化成工业株式会社 感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀图案的形成方法及印刷配线板的制造方法
WO2017177797A1 (zh) * 2016-04-15 2017-10-19 常州强力先端电子材料有限公司 一种新型阳离子光固化体系及其组合物的应用
WO2017177796A1 (zh) * 2016-04-15 2017-10-19 常州强力先端电子材料有限公司 一种新型自由基光固化体系及其组合物的应用
JP2018527418A (ja) * 2015-06-24 2018-09-20 常州強力電子新材料股▲分▼有限公司ＣＨＡＮＧＺＨＯＵ ＴＲＯＮＬＹ ＮＥＷ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． Ｕｖ−ｌｅｄ光硬化用の増感剤及びその製造方法ならびに使用
KR20190104639A (ko) 2017-03-01 2019-09-10 아사히 가세이 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물
KR20210113404A (ko) 2020-02-18 2021-09-15 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 배선 기판의 제조 방법, 및, 감광성 엘리먼트 롤
KR20210114479A (ko) 2020-02-18 2021-09-23 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 및 배선 기판의 제조 방법
KR20220157947A (ko) 2020-03-24 2022-11-29 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 및 배선 기판의 제조 방법
KR20230161863A (ko) 2021-03-24 2023-11-28 가부시끼가이샤 레조낙 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 및, 적층체의 제조 방법

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130298398A1 (en) * 2010-11-17 2013-11-14 Masahiro Miyasaka Photosensitive resin composition, photosensitive element, method for forming resist pattern, and method for manufacturing printed wiring board
US9301406B2 (en) * 2011-10-27 2016-03-29 Nitto Denko Corporation Wired circuit board
CN111279804B (zh) * 2017-12-20 2023-10-24 住友电气工业株式会社 制造印刷电路板和层压结构的方法
WO2019215848A1 (ja) * 2018-05-09 2019-11-14 日立化成株式会社 感光性エレメント、バリア層形成用樹脂組成物、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
WO2020121384A1 (ja) 2018-12-10 2020-06-18 川崎化成工業株式会社 耐マイグレーション性を有する光重合増感剤

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04195043A (ja) * 1990-11-28 1992-07-15 Hitachi Chem Co Ltd 感光性組成物及びこれを用いたソルダレジストの形成された印刷配線板の製造法
JPH11199681A (ja) * 1997-11-14 1999-07-27 Asahi Denka Kogyo Kk 光重合性組成物および硬化塗膜形成方法
JP2000344704A (ja) * 1999-01-29 2000-12-12 Nippon Kayaku Co Ltd 新規なアントラセン化合物、これを含有する樹脂組成物、９，１０−ジエーテル化アントラセン誘導体の製造方法
JP2002365815A (ja) * 2001-06-05 2002-12-18 Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The パターン形成方法
JP2003257310A (ja) * 2002-03-01 2003-09-12 Micro Gijutsu Kenkyusho:Kk プラズマディスプレイパネル用背面基板の製造方法及びその方法で製造される背面基板の障壁構造
JP2005107191A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Mitsubishi Chemicals Corp 青紫色レーザー感光性画像形成材料、青紫色レーザー感光性画像形成材及び画像形成方法
JP2005128508A (ja) * 2003-10-02 2005-05-19 Mitsubishi Chemicals Corp ネガ型青紫色レーザー感光性組成物、並びにそれを用いた画像形成材料、画像形成材、及び画像形成方法
JP2005321587A (ja) * 2004-05-10 2005-11-17 Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The 感光性樹脂組成物及びそれを用いたフォトレジストフィルム、レジストパターン形成方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3549369A (en) * 1967-07-07 1970-12-22 Konishiroku Photo Ind Antistatic acylhydrazinium salt
US3697280A (en) * 1969-05-22 1972-10-10 Du Pont Hexaarylbiimidazole-selected aromatic hydrocarbon compositions
US5736296A (en) * 1994-04-25 1998-04-07 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition comprising a mixture of two polyhydroxystyrenes having different acid cleavable groups and an acid generating compound
US5994002A (en) * 1996-09-06 1999-11-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Photo mask and pattern forming method
US6180319B1 (en) * 1998-03-11 2001-01-30 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for the continuous liquid processing of photosensitive compositions having reduced levels of residues
US5922509A (en) 1998-03-18 1999-07-13 Morton International, Inc. Photoimageable compositions having improved stripping properties in aqueous alkaline solutions
WO2000063953A1 (fr) * 1999-04-16 2000-10-26 Tokyo Electron Limited Procede de production d'un dispositif a semi-conducteur et sa ligne de production
TWI255393B (en) * 2000-03-21 2006-05-21 Hitachi Chemical Co Ltd Photosensitive resin composition, photosensitive element using the same, process for producing resist pattern and process for producing printed wiring board
WO2001074918A1 (fr) * 2000-03-30 2001-10-11 Mitsubishi Chemical Corporation Composition photodurcissable, objet durci et leur procede de production
JP2003344704A (ja) * 2002-05-22 2003-12-03 Yonezawa Densen Kk 光コネクタおよび光コネクタの組立方法
DK1574493T3 (da) * 2002-12-19 2013-07-01 Kawasaki Kasei Chemicals Fremgangsmåde til fremstilling af anthracendiether
EP1462486A3 (en) * 2003-03-27 2005-01-05 Toda Kogyo Corporation Transparent coloring composition and color filter
JP2004348114A (ja) * 2003-04-28 2004-12-09 Hitachi Chem Co Ltd 感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
KR100791165B1 (ko) * 2003-11-19 2008-01-03 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 레지스트 패턴의형성방법 및 프린트 배선판의 제조방법
CA2561767A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-20 Sun Chemical Corporation Method of manufacturing low-odor packaging materials
JP4411226B2 (ja) * 2005-02-22 2010-02-10 富士フイルム株式会社 感光性平版印刷版
JP4586919B2 (ja) * 2006-04-18 2010-11-24 日立化成工業株式会社 感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
JP4786499B2 (ja) * 2006-10-26 2011-10-05 東京エレクトロン株式会社 熱処理板の温度設定方法、プログラム、プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体及び熱処理板の温度設定装置
JP4796476B2 (ja) * 2006-11-07 2011-10-19 東京エレクトロン株式会社 熱処理板の温度設定方法、プログラム、プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体及び熱処理板の温度設定装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04195043A (ja) * 1990-11-28 1992-07-15 Hitachi Chem Co Ltd 感光性組成物及びこれを用いたソルダレジストの形成された印刷配線板の製造法
JPH11199681A (ja) * 1997-11-14 1999-07-27 Asahi Denka Kogyo Kk 光重合性組成物および硬化塗膜形成方法
JP2000344704A (ja) * 1999-01-29 2000-12-12 Nippon Kayaku Co Ltd 新規なアントラセン化合物、これを含有する樹脂組成物、９，１０−ジエーテル化アントラセン誘導体の製造方法
JP2002365815A (ja) * 2001-06-05 2002-12-18 Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The パターン形成方法
JP2003257310A (ja) * 2002-03-01 2003-09-12 Micro Gijutsu Kenkyusho:Kk プラズマディスプレイパネル用背面基板の製造方法及びその方法で製造される背面基板の障壁構造
JP2005107191A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Mitsubishi Chemicals Corp 青紫色レーザー感光性画像形成材料、青紫色レーザー感光性画像形成材及び画像形成方法
JP2005128508A (ja) * 2003-10-02 2005-05-19 Mitsubishi Chemicals Corp ネガ型青紫色レーザー感光性組成物、並びにそれを用いた画像形成材料、画像形成材、及び画像形成方法
JP2005321587A (ja) * 2004-05-10 2005-11-17 Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The 感光性樹脂組成物及びそれを用いたフォトレジストフィルム、レジストパターン形成方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5098643B2 (ja) * 2005-08-30 2012-12-12 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性樹脂組成物およびメッキ造形物の製造方法
WO2007126066A1 (ja) * 2006-04-28 2007-11-08 Kawasaki Kasei Chemicals Ltd. 光重合開始剤及び光硬化性組成物
JP2009139932A (ja) * 2007-11-16 2009-06-25 Sumitomo Chemical Co Ltd 重合性樹脂組成物、塗膜、パターンおよび表示装置
CN101434682B (zh) * 2007-11-16 2014-04-09 住友化学株式会社 聚合性树脂组合物
KR101529728B1 (ko) * 2007-11-16 2015-06-17 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 중합성 수지 조성물
CN103091985A (zh) * 2011-10-31 2013-05-08 日立化成工业株式会社 感光性树脂组合物、感光性元件、抗蚀图案的形成方法及印刷配线板的制造方法
JP2018527418A (ja) * 2015-06-24 2018-09-20 常州強力電子新材料股▲分▼有限公司ＣＨＡＮＧＺＨＯＵ ＴＲＯＮＬＹ ＮＥＷ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． Ｕｖ−ｌｅｄ光硬化用の増感剤及びその製造方法ならびに使用
WO2017177796A1 (zh) * 2016-04-15 2017-10-19 常州强力先端电子材料有限公司 一种新型自由基光固化体系及其组合物的应用
WO2017177797A1 (zh) * 2016-04-15 2017-10-19 常州强力先端电子材料有限公司 一种新型阳离子光固化体系及其组合物的应用
KR20190104639A (ko) 2017-03-01 2019-09-10 아사히 가세이 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물
KR20220078729A (ko) 2017-03-01 2022-06-10 아사히 가세이 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물
KR20210113404A (ko) 2020-02-18 2021-09-15 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 배선 기판의 제조 방법, 및, 감광성 엘리먼트 롤
KR20210114479A (ko) 2020-02-18 2021-09-23 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 및 배선 기판의 제조 방법
KR20230070074A (ko) 2020-02-18 2023-05-19 가부시끼가이샤 레조낙 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 배선 기판의 제조 방법, 및, 감광성 엘리먼트 롤
KR20220157947A (ko) 2020-03-24 2022-11-29 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 및 배선 기판의 제조 방법
KR20230161863A (ko) 2021-03-24 2023-11-28 가부시끼가이샤 레조낙 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 및, 적층체의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP4605223B2 (ja) 2011-01-05
TW200712772A (en) 2007-04-01
TWI396049B (zh) 2013-05-11
JPWO2007004619A1 (ja) 2009-01-29
CN101218538B (zh) 2011-02-02
KR100932580B1 (ko) 2009-12-17
KR20080014071A (ko) 2008-02-13
US20090202944A1 (en) 2009-08-13
CN101218538A (zh) 2008-07-09
US8105759B2 (en) 2012-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2007004619A1 (ja) 感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法、プリント配線板の製造方法及びプラズマディスプレイパネル用隔壁の製造方法。
US9989854B2 (en) Photosensitive resin composition for projection exposure, photosensitive element, method for forming resist pattern, process for producing printed wiring board and process for producing lead frame
JP4586919B2 (ja) 感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
JP5223956B2 (ja) 感光性樹脂組成物、レジストパターンの形成方法、プリント配線板の製造方法及びプラズマディスプレイパネル用基板の製造方法
JP5327310B2 (ja) 感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
TWI430029B (zh) A photosensitive resin composition, a photosensitive member, a method for forming a photoresist pattern, and a method for manufacturing a printed circuit board
JP5494645B2 (ja) 感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
JP4752656B2 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、これらを用いたレジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
KR101885928B1 (ko) 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 레지스트 패턴의 제조방법, 리드 프레임의 제조방법, 프린트 배선판의 제조방법 및 프린트 배선판
JP5136423B2 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
WO2009154194A1 (ja) 感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造法
JP2009003000A (ja) 感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法、プリント配線板の製造方法及び光硬化物の除去方法
JP4640177B2 (ja) 感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
JP5046019B2 (ja) 感光性樹脂組成物、並びにこれを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
JP4924230B2 (ja) 感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
WO2007034610A1 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの形成方法、プリント配線板の製造方法、及び、プラズマディスプレイの隔壁形成方法
TW202323309A (zh) 感光性樹脂組成物、感光性元件及積層體之製造方法
JP2004326084A (ja) 感光性エレメント、これを用いたレジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
JP2009020496A (ja) 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
WO2021192058A1 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、及び配線基板の製造方法
WO2016043162A1 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターン付き基板の製造方法及びプリント配線板の製造方法
JP2010085605A (ja) 感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
JP2010060891A (ja) 感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
JP2013122488A (ja) 感光性樹脂組成物、これを用いた感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法
JP2011018069A (ja) 感光性エレメント、これを用いたレジストパターンの形成方法及びプリント配線板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200680024515.9

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007524058

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020077030100

Country of ref document: KR

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 06780749

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11994990

Country of ref document: US