WO2006112478A1

WO2006112478A1 - 金属ベース回路基板、ｌｅｄ、及びｌｅｄ光源ユニット

Info

Publication number: WO2006112478A1
Application number: PCT/JP2006/308221
Authority: WO
Inventors: Yoshihiko Okajima; Katsunori Yashima; Keiji Takano; Takuya Okada
Original assignee: Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha
Priority date: 2005-04-19
Filing date: 2006-04-19
Publication date: 2006-10-26
Also published as: HK1116981A1; CA2605209A1; KR20070122450A; TWI395538B; EP1874101A4; US8071882B2; US20090032295A1; CA2605209C; EP1874101A1; TW200742540A; KR101073423B1

Abstract

　平坦な部分への設置だけでなく筐体の側面や底面または段差や曲面などに密着させることができ、熱放散性、電気絶縁性、屈曲性に優れる薄型化された金属ベース回路基板、およびその製法ならびにそれを用いた混成集積回路、ＬＥＤモジュール、明るく超寿命のＬＥＤ光源ユニットを提供する。　絶縁層と導体回路又は金属箔とが交互に積層されている回路基板であって、導体回路又は金属箔の厚さが５μｍ以上４５０μｍ以下、絶縁層が無機フィラーと熱硬化性樹脂とを含有する樹脂組成物の硬化体からなり、前記絶縁層の厚さが９μｍ以上３００μｍ以下であることを特徴とする金属ベース回路基板およびそれを用いた混成集積回路。また、カバーレイ、磁性損失を有する層又は誘電損失を有する層を設けてなる金属ベース回路基板。さらに、前記導体回路上に１個以上の発光ダイオード（ＬＥＤ）を搭載してなる金属ベース回路基板。

Description

明細書

金属ベース回路基板、 LED,及び LED光源ユニット

技術分野

[0001] 本発明は、熱放散性と電気絶縁性を確保しつつ、かつ電磁波シールド性が良好で折り曲げることのできる金属ベース回路基板、それを用いた、発光ダイオード (LED: Light Emitting Diode)、及び LED光源ユニットに関するものである。特に、液晶表示装置のノックライトに好適な LED光源ュ-ットに関する。

背景技術

[0002] 近年、半導体搭載用の回路基板は、基板の小型化、高密度実装化および高性能化が要求され、更には、半導体素子等の小型化、ハイパワー化により、狭いスペースの中で、半導体素子等力も発生した熱を如何に放熱するかといったことが問題となつている。特に、電源分野や自動車電装分野を中心に、金属板上に絶縁層を介して金属箔を接合し回路形成した金属ベース回路基板が、放熱性が優れるという理由から使用されてきた。

[0003] し力し、金属ベース回路基板は、ベース基板の厚みが一般に 1. 0mm〜3. Omm であるため薄肉化が難しく設置箇所が限られていた。また、金属板上に薄い絶縁層を介した構造であるため、ノイズが発生しやすくモジュールの誤作動を起こしやすヽといった問題があった。

[0004] ノイズシールドと放熱性を高めるため、例えば金属ベース回路基板上の全面あるいは一部に回路を有する上層回路基板を、接着剤を介して、積層した金属ベース多層基板が公知となってヽる (特許文献 1参照)。

[0005] このような構成では、金属板と上層基板との間に熱伝導性の悪い接着剤層が存在するため、上層回路パターン上にハイパワー素子を搭載する場合には、放熱性が不十分であり、素子の温度が上昇し、ひいては誤動作してしまう問題があった。

[0006] 上記の放熱性の問題を解決するため、高熱伝導の絶縁層を有する金属ベース回路基板が公知となって、る (特許文献 2参照)。

[0007] しかし、金属板は厚いため、湾曲したケース等の筐体形状に沿って貼り付け設置することができないため絶縁層の放熱性を十分に活かすことができないうえ、折り曲げしての設置等ができないため設置には大きなスペースを必要となり、モジュールの小型化ができな、と、つた問題があった。

一方で、金属板上に無機フィラーを充填したエポキシ榭脂など力もなる絶縁層を設け、その上に回路パターンを形成した金属ベース回路基板は、熱放散性と電気絶縁性に優れることから高発熱性電子部品を実装する通信機及び自動車などの電子機器用回路基板として用いられてヽる (特許文献 3参照)。

[0008] 金属ベース回路基板を任意に折り曲げることができれば、平坦な部分への設置が一般的あった取り付け箇所の限定が緩和され、筐体の側面や底面または段差や曲面等に粘着、接着およびビス止めなどにより密着させることが可能となり、高発熱性電気部品を実装する電子機器の小型化ができる。また、金属ベース回路基板自体を薄くできれば、間隔の狭いスペースへ挿入または固定ができるため、高発熱性電気部品を実装する電子機器の薄型化ができる。

[0009] 金属ベース回路基板を 120°C以上の高温で加熱する方法、すなわち、絶縁層のガラス転移温度 (Tg)に対して 10°C以上高く金属ベース回路基板を加熱した状態で曲げ加工や絞り加工を行うことで、平坦でな!、部分を有する金属ベース回路基板を筐体や電子回路パッケージと兼用することが提案されている（特許文献 4参照)。

[0010] また、発光ダイオード (LED)を光源に使用した発光ダイオード (LED)光源ユニット力 Sいろいろな分野で用いられてきている力例えば、液晶表示装置のバックライトの光源においては CFL (冷陰極管）といわれる小型の蛍光管を使用されることが一般的であった。

[0011] 前記 CFL (冷陰極管）の光源は、放電管の中に Hg (水銀)を封入していて、放電により励起された水銀力放出される紫外線が CFL (冷陰極管）の管壁の蛍光体にあたり可視光に変換される構造が採用されている。このため、最近は環境面の配慮から、有害な水銀の使用してヽな、代替光源の使用が求められて、る。

[0012] 新たな光源として、発光ダイオード (以下、単に「LED」と記す。）を使用したものが提案されている力 LEDは光に指向性があり、特にフレキシブル基板等への面実装タイプでは一方向に光りが取り出されるため、従来の CFL (冷陰極管）を用いた構造とは異なり、光のロスも少ないことから面状光源方式のノックライト光源に使用されている。（特許文献 5参照)。

[0013] LEDを光源としたバックライトは、低価格化と発光効率向上および環境規制に伴い、液晶表示装置のバックライトとして普及し始めている。同時に液晶表示装置の高輝度化および表示領域の大型化に伴い、発光量を向上させるため LEDのフレキシブル基板等への搭載数増加と大出力化がますます進んでいる。

[0014] し力しながら、 LEDの光源は発光効率が低いため、 LEDが発光する際に入力電力の大半が熱として放出される。 LEDは電流を流すと熱を発生し、発生した熱によって高温となり、この程度が著しいと LEDが破壊されてしまう。 LEDを光源としたバックライトにおいても、この発生熱が LEDとそれを実装した基板とに蓄熱され、 LEDの温度上昇に伴い、 LED自身の発光効率の低下を招く。し力も、ノックライトを明るくするために、 LEDの実装数を増加させたり、入力電力を増加させると、その発熱量が増大することから、この熱を除去することが重要である。

[0015] LED実装基板の蓄熱を低減し、 LEDチップの温度上昇を小さくするために、 LED 実装基板の LEDチップ実装面に LEDチップが実装される実装金属膜と、 LEDチップに駆動電流を供給する金属駆動配線と、放熱を目的とした金属膜パターンが形成され、 LEDチップ実装面と対向する面に放熱様金属膜が形成され、 LEDチップ実装基板の厚み方向に、一方主面側の金属パターンと他方主面側の放熱用金属膜とを接続する金属スルーホールを形成して、 LEDからの発熱を金属スルーホールより裏面の金属膜に放熱することが提案されてヽる (特許文献 6参照)。

[0016] しかし、実装する LEDの形状が小さい場合には、実装金属膜の面積が限られてしまうこと、 LED直下に形成できる金属スルーホールの数の限られてしまうこと、実装基板上に金属膜パターンを基板面積の制約から形成できない場合には LEDで発生した熱を効率良く基板裏面に放熱すること、等ができな、と、う問題がある。

[0017] さらに、フレキシブル基板の代わりに厚さ 2mmの金属ベース板を用いた金属べ一ス回路基板を使用すると、金属スルーホール等を設けること無ぐ良好な放熱性が得られる力基板厚みが厚くなること、また、フレキシブル基板よりも電極及び配線バターン等力打ち抜き寸法を大きくする必要があり、基板面積が大きくなつてしまう問題力 Sある。更に、 LED搭載部分以外を任意に折り曲げることができない為、入力端子の形成位置など制約を受ける。

[0018] その上に、前記金属ベース回路基板の金属ベース厚みを薄くしてフレキシブル基板と同様に電極及び配線パターン等からの打ち抜き寸法を小さくした構造とすると、金属ベース回路基板が多少橈むだけでも絶縁層にクラックが入り使用できない。同様に LED搭載部分を任意に折り曲げることができない課題があった。

[0019] また、従来のポリイミド系絶縁層の代わりに、熱伝導性フイラ一を充填した室温での折り曲げ性が良好な放熱性を有する絶縁層を介して導体回路を設けてなる 9〜40 m程度の金属箔を使用した金属ベース回路基板が、室温で折り曲げて使用することができ、折り曲げ加工性できることから開発されてきた。

[0020] し力しながら、導体回路に 0. 5mm以下の非常に小さい曲率半径で 90° 以上折り曲げられると、折り曲げられた部分の絶縁層にクラックが入り使用できな、場合があつた。そこで、ポリイミドフィルムにエポキシ接着層が形成されたカバーレイで補強すると折り曲げ部分の絶縁層にクラックが発生することを防ぐことができるが、折り曲げ性が低下するために、 0. 5mm以下の非常に小さい曲率半径で 90° 以上折り曲げることが困難となる問題があった。

[0021] また、半導体搭載用の回路基板や小型精密モーターなどを搭載した場合には、ノィズが発生しやすくモジュールの誤操作を起こしやす、と、つた問題があった。特許文献 1：特開平 05— 037169号公報

特許文献 2：特開平 09— 139580号公報

特許文献 3：特開昭 62— 271442号公報

特許文献 4:特開 2001—160664号公報

特許文献 5：特開 2005 - 293925号公報

特許文献 6：特開 2005 - 283852号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0022] 本発明は、前記従来技術の有する問題を解決することを課題になされたもので、熱放散性が良好でかつ、良好な折り曲げ性を有し、電磁波シールド性と絶縁性にも優れた金属ベース回路基板とその製法、ならびにそれを用いた混成集積回路、カバーレイで補強した LEDモジュール、 LEDの損傷が妨げられて明る!/、長寿命の LED光源ユニットを提供するものである。

課題を解決するための手段

即ち、本発明の要旨は、以下の通りである。

(1)絶縁層と導体回路又は金属箔とが交互に積層されている回路基板であって、導体回路又は金属箔の厚さが 5 μ m以上 450 m以下、絶縁層が無機フィラーと熱硬化性榭脂とを含有する榭脂組成物の硬化体からなり、前記絶縁層の厚さが 9 μ m以上 300 μ m以下であることを特徴とする金属ベース回路基板。

(2)導体回路又は金属箔間を電気的に接続するために使用するスルーホールの少なくとも 1個力 0. 0078mm²以上である（1)に記載の金属ベース回路基板。

(3)絶縁層の熱伝導率が l〜4WZmKである（1)又は（2)に記載の金属ベース回路基板。

(4)絶縁層のガラス転移温度が 0〜40°Cである（1)乃至（3)の、ずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

(5)絶縁層が、熱硬化性榭脂を 25〜60体積％含有し、残部が最大粒子径 75 m 以下で平均粒子径 5〜40 mの球状粗粒子と平均粒子径 0. 3〜3. の球状微粒子とからなるナトリウムイオン濃度が 500ppm以下の無機フイラ一力もなる榭脂組成物の硬化体である（1)乃至 (4)の、ずれか一項に記載の金属ベース回路基板

(6)熱硬化性榭脂が、水素添加されたビスフエノール F型及び Z又は A型のエポキシ榭脂を含有する（1)乃至（5)の、ずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

(7)熱硬化性榭脂が、エポキシ当量 800以上 4000以下の直鎖状のエポキシ榭脂を含有する（6)に記載の金属ベース回路基板。

(8)熱硬化性榭脂が、硬化剤としてポリオキシアルキレンポリアミンを含有する（6)又は（7)に記載の金属ベース回路基板。

(9)熱硬化性榭脂中の塩ィ匕物イオン濃度が 500ppm以下である（6)乃至（8)の、ずれか一項に記載の金属ベース回路基板。 (10)当該回路基板を、任意の個所で曲率半径 l〜5mmで 90° 以上折り曲げたときに、導体回路又は金属箔の各々間の耐電圧が 1. OkV以上である（1)乃至（9)のいずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

(11)金属箔上に絶縁層を介して導体回路を設け、更に厚さが以上以下であるカバーレイを設けてなる金属ベース回路基板であって、カバーレイの少なくとも一部が除かれて形成されて、るスリットが前記導体回路の設けられて、な、部分に形成されてヽる（1)乃至（10)の、ずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

(12)前記スリットが、折り曲げる部分の長さに対して 50%以上 95%以下に加工されている（11)に記載の金属ベース回路基板。

(13)前記カバーレイの厚さが 5 μ m以上 25 μ mである（11)又は（12)に記載の金属ベース回路基板。

(14)前記スリット部で折り曲げられている（11)乃至（13)のいずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

(15)絶縁層表面が、曲率半径 0. 1〜0. 5mmで 90° 以上に折り曲げられている（1 1)乃至（14)の、ずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

(16)カバーレイの表面上に、磁性損失を有する層又は誘電損失を有する層が積層されている（11)乃至（15)のいずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

(17)磁性損失を有する層が、アスペクト比が 2以上である磁性材料と有機結合材とからなり、前記磁性材料の含有量が 30〜70vol%であり、さらに当該磁性損失を有する層の厚さが 3 μ m以上 50 μ m以下である（11)乃至（16)の!、ずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

(18)誘電損失を有する層が、比表面積が 20〜110m²/gのカーボン粉末と有機結合材とからなり、前記カーボン粉末の含有量が 5〜60vol%であり、当該磁性損失を有する層の厚さが 3 μ m以上 50 μ m以下である（11)乃至（16)の!、ずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

( 19) ( 1)乃至（ 10)の、ずれか一項に記載の金属ベース回路基板を使用したことを特徴とする混成集積回路。

(20) (11)乃至（18)のいずれか一項に記載の金属ベース回路基板の導体回路に、少なくとも 1個の LEDを電気的に接続してなることを特徴とする LED。

(21) (1)乃至（18)のいずれか一項に記載金属ベース回路基板を、粘着テープを介して、筐体表面に配置し、し力も前記金属ベース回路基板の導体回路上に 1個以上の発光ダイオード (LED)を搭載してなることを特徴とする LED光源ユニット。

(22)粘着テープの熱伝導率が l〜2WZmKで、厚さが 50 μ m以上 150 μ m以下である（21)に記載の LED光源ユニット。

(23)粘着テープが、アクリル酸及び Zまたはメタクリル酸を含む高分子を含有する（ 21)又は（22)に記載の LED光源ユニット。

(24)粘着テープが、熱伝導性電気絶縁剤を 40〜80体積％含有して、る (21)乃至 (23)の!、ずれか一項に記載の LED光源ユニット。

(25)熱伝導性電気絶縁剤の最大粒子径が 45 μ m以下で平均粒子径 0. 5〜30 μ mである（21)乃至（24)の!、ずれか一項に記載の LED光源ユニット。

発明の効果

[0024] 本発明の金属ベース回路基板は、電磁波シールド性、熱放散性、電気絶縁性を有し、しかも室温で折り曲げが可能であるため、平坦な部分への設置だけでなく筐体の側面や底面または段差や曲面などに密着させることが可能である。さらに、放熱が必要な半導体素子や抵抗チップなどの電気部品を実装した状態で、容易に室温で折り曲げることが可能となったので、従来は困難であった高発熱性電子部品を実装した電子機器の小型化または薄型化ができる。

さらに、 LED光源から発生する熱を、基板裏面側に放熱し、熱伝導性粘着テープを介して外部に放出することが可能なので、 LED実装基板の蓄熱を低減し、 LEDの温度上昇を小さくできる。よって、 LEDの発光効率低下を抑制し、 LEDの損傷を防ぎ、明るく長寿命の LED光源ユニットを提供できる。

図面の簡単な説明

[0025] [図 1-1]本発明の金属ベース回路基板を用いた混成集積回路の一例を示す図。

[図 2-1]本発明に係る金属ベース回路基板の一例を示す平面図。

[図 2-2]本発明に係る金属ベース回路基板（図 2-1の表面上にカバーレイを配置したもの）の一例を示す平面図。圆 2- 3]本発明に係る金属ベース回路基板（図 2- 2の表面上に磁性損失を有する層又は誘電損失を有する層を配置したもの）の一例を示す平面図。

圆 2- 4]本発明に係る金属ベース回路基板（図 2- 3の表面上に発熱部品を配置したもの）の一例を示す平面図。

圆 2- 5]本発明に係る他の金属ベース回路基板の断面図。

[図 2-6]本発明に係る他の金属ベース回路基板の平面図。

[図 2-7]本発明に係る他の金属ベース回路基板の平面図。

圆 3-1]本発明に係る LED光源ユニットの一例を示す断面図。

符号の説明

1 金属箔

2 絶縁層

3 導体回路

4 ヒートスプレッダ一

5 出力用半導体

6 制御用半導体

7 ボンディングワイヤー

8 チップ部品

9 半田接合部

10 熱伝導性接着剤

11 放熱性を有する筐体

21 金属箔

22 絶縁層

23 導体回路

24 電極

25 スリット部

26 カバーレイ

26a エポキシ接着層

27 部品搭載部 28 入力端子

29a 磁性損失を有する層

29b 誘電損失を有する層

210 発熱部品 (LED)

211 折り曲げ箇所

212 筐体

213 熱伝導性粘着テープ

31 金属箔

32 絶縁層

33 導体回路

34 入力回路（引き出し配線)

35 半田接合部

36 LED

37 熱伝導性の粘着テープ

38 筐体

発明を実施するための最良の形態

本発明の金属ベース回路基板、混成集積回路、 LEDモジュール、 LED光源ュ- ットにおける好ましい形態は以下のとおりである。

(1-1)金属箔上に絶縁層を介し導体回路を設けた金属ベース回路基板であって、前記金属箔の厚さが 5 μ m以上 300 μ m以下、無機フィラーと熱硬化性榭脂を含有する前記絶縁層の厚さが 80 μ m以上 200 μ m以下、前記導体回路の厚さが 9 μ m 以上 140 μ m以下である金属ベース回路基板。

(1-2)熱硬化性榭脂が水素添加されたビスフエノール F型および Zまたは A型のェポキシ榭脂を含有する（1-1)に記載の金属ベース回路基板。

(1-3)熱硬化性榭脂がエポキシ当量 800以上 4000以下の直鎖状の高分子量ェポキシ榭脂を含有する（1-2)に記載の金属ベース回路基板。

(1-4)熱硬化性榭脂中の塩ィ匕物イオン濃度が 500ppm以下である（1-1)〜（1-3) の！、ずれか一項に記載の金属ベース回路基板。 (1-5)絶縁層のガラス転移温度が 0〜40°Cである（1-1)〜（1-4)のいずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

(1-6)絶縁層が熱硬化性榭脂を 25〜50体積％含有し、残部が最大粒子径 75 μ m 以下で平均粒子径 10〜40 mの球状粗粒子と平均粒子径 0. 4〜1. の球状微粒子とからなるナトリウムイオン濃度が 500ppm以下の無機フィラーである（ト 1)〜 (1-5)のいずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

(1-7)導体回路側または導体回路側と反対側に折り曲げた（1-1)〜（1-6)の、ずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

(1-8)曲率半径 l〜5mmで 90° 以上導体回路側または導体回路側と反対側に折り曲げた（1-1)〜（1-6)のいずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

(1-9)絶縁層の熱伝導率が l〜4WZmKであり、曲率半径 l〜5mmで 90° 以上折り曲げた状態で導体回路と金属箔との間の耐電圧が 1. 5kV以上である（ 1-1)〜（ 1- 6)の、ずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

(1-10)室温で折り曲げることを特徴とする（1-7)〜（1-9)のいずれか一項に記載の金属ベース回路基板の製造方法。

(1-11) (1-1〜1-9)のいずれか一項に記載の金属ベース回路基板を使用した混成集積回路。

(2-1)絶縁層と導体回路又は金属箔とが交互に積層されている回路基板であって、導体回路又は金属箔の厚さが 5 μ m以上 450 μ m以下、絶縁層が無機フィラーと熱硬化性榭脂とを含有する榭脂組成物の硬化体からなり、前記絶縁層の厚さが 9 μ m 以上 300 μ m以下であることを特徴とする回路基板。

(2-2)導体回路又は金属箔間を電気的に接続するために使用するスルーホールの少なくとも 1個力 0. 0078mm²以上である（2-1)に記載の回路基板。

(2-3)絶縁層の熱伝導率が l〜4WZmKである（2-1)又は（2-2)に記載の回路基板。

(2-4)絶縁層のガラス転移温度が 0〜40°Cである（2-1)乃至（2-3)の、ずれか一項に記載の回路基板。

(2-5)絶縁層が、熱硬化性榭脂を 25〜60体積％含有し、残部が最大粒子径 75 m以下で平均粒子径 5〜40 mの球状粗粒子と平均粒子径 0. 3〜3. の球状微粒子とからなる無機フィラーとからなる榭脂組成物の硬化体である（2-1)乃至（2-

4)のいずれか一項に記載の回路基板。

(2-6)当該回路基板を、任意の個所で曲率半径 l〜5mmで 90° 以上折り曲げたときに、導体回路又は金属箔の各々間の耐電圧が 1. OkV以上である（2-1)乃至（2-

5)のいずれか一項に記載の回路基板。

(3-1)金属箔上に絶縁層を介して導体回路を設け、更にカバーレイを設けてなる金属ベース回路基板であって、少なくともカバーレイの一部が除かれて形成されているスリットが前記導体回路の設けられて、な、部分に形成されて、ることを特徴とする金属ベース回路基板。

(3-2)前記スリットが、折り曲げる部分の長さに対して 50%以上 95%以下が加工されてなる（3-1)に記載の金属ベース回路基板。

(3-3)絶縁層が無機フィラーを含有する熱硬化性榭脂からなり、当該絶縁層の厚み力 S30 μ m以上 80 μ m以下であり、金属箔の厚さが 5 μ m以上 40 μ m以下であり、し力も導体回路の厚さが 9 μ m以上 40 μ m以下である（3-1)又は（3-2)に記載の金属ベース回路基板。

(3-4)絶縁層が、最大粒子径が 30 μ m以下で、平均粒子径が 2〜15 mの球状粒子力もなり、ナトリウムイオン濃度が 500ppm以下の無機フィラー 50〜75体積％と残部熱硬化性榭脂とからなる（3-1)乃至（3-3)の、ずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

(3-5)熱硬化性榭脂が水素添加されたビスフエノール F型または A型のエポキシ榭脂を含有する（3-1)乃至（3-4)の、ずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

(3-6)熱硬化性榭脂がエポキシ当量 800以上 4000以下の直鎖状の高分子量ェポキシ榭脂を含有する（3-1)乃至（3-5)の、ずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

(3-7)熱硬化性榭脂中の塩ィ匕物イオン濃度が 500ppm以下である（3-1)乃至（3-6 )の、ずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

(3-8)絶縁層のガラス転移温度が 0〜40°Cである（3-1)乃至（3-7)の、ずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

(3-9)カバーレイの厚さが 5 μ m以上 25 μ m以下である（3-1)乃至（3-8)の!、ずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

(3-10)スリット部にて、折り曲げられている（3-1)乃至（3- 9)のいずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

(3-11)絶縁層表面力曲率半径 0. 1〜0. 5mmで 90° 以上に折り曲げられている (3-1)乃至（3-10)の、ずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

(3-12)カバーレイの表面上に、磁性損失を有する層又は誘電損失を有する層が積層されて、る (3-1)乃至（3-11)の、ずれか一項に記載の金属ベース回路基板。 (3-13)磁性損失を有する層が、アスペクト比が 2以上である磁性材料と有機結合材とからなり、前記磁性材料の含有量が 30〜70vol%であり、さらに当該磁性損失を有する層の厚さが 3 μ m以上 50 μ m以下である（3-12)に記載の金属ベース回路基板

(3- 14)誘電損失を有する層が、比表面積が 20〜110m²/gのカーボン粉末と有機結合材とからなり、前記カーボン粉末の含有量が 5〜60vol%であり、当該磁性損失を有する層の厚さが 3 μ m以上 50 μ m以下である（3-12)に記載の金属ベース回路基板。

(3-15)カーボン粉末力 JIS K 1469による体積抵抗率が 0. l Q cm以下であるホゥ素固溶のカーボンブラックである（3-14)に記載の金属ベース回路基板。

(3-16)絶縁層の熱伝導率が l〜4WZmKであり、導体回路と金属箔との間の耐電圧が 1. OkV以上である（3-1)乃至（3-15)の!、ずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

(3-17) (3-1)乃至（3-16)のいずれか一項に記載の金属ベース回路基板の導体回路に、少なくとも 1個の LEDを電気的に接続してなることを特徴とする LED。 (4-1)金属箔上に絶縁層を介して導体回路を設けてなる金属ベース回路基板を、粘着テープを介して、筐体表面に配置し、しかも前記金属ベース回路基板の前記導体回路上に 1個以上の発光ダイオード (LED)を搭載してなる LED光源ユニットであつて、前記金属箔の厚さが 18 m以上 300 m以下であり、前記絶縁層が無機フイラ一と熱硬化性榭脂とを含有し、厚さが 80 m以上 200 m以下であり、前記導体回路の厚さが 9 μ m以上 140 μ m以下であることを特徴とする LED光源ユニット。

(4-2)絶縁層の熱伝導率が l〜4WZmKである（4-1)に記載の LED光源ユニット。 (4-3)絶縁層が、熱硬化性榭脂を 25〜50体積％含有し、残部が最大粒子径 75 m以下で平均粒子径 10〜40 mの球状粗粒子と平均粒子径 0. 4〜1. の球状微粒子とからなる無機フィラーである（4-1)又は (4-2)に記載の LED光源ユニット

(4-4)絶縁層中の熱硬化性榭脂のガラス転移温度が 0〜40°Cである（4-1)乃至 (4- 3)の!、ずれか一項に記載の LED光源ユニット。

(4-5)熱硬化性榭脂が、水素添加されたビスフエノール F型及び Z又は A型のェポキシ榭脂を含有してなる (4-1)乃至 (4-4)の、ずれか一項に記載の LED光源ュ- ッ卜。

(4- 6)熱硬化性榭脂が、エポキシ当量 800以上 4000以下の直鎖状のエポキシ榭脂を含有してなる（4-1)乃至（4-5)の!、ずれか一項に記載の LED光源ユニット。

(4-7)熱硬化性榭脂が、ポリオキシアルキレンポリアミンを含有してなる (4-1)乃至（ 4-6)の!、ずれか一項に記載の LED光源ユニット。

(4-8)熱硬化性榭脂に含まれるエポキシ榭脂のエポキシ当量に対して、活性水素当量が 0. 8〜1倍となるようにポリオキシアルミレンポリアミンを含有してなる（4-1)乃至 (4-7)の!、ずれか一項に記載の LED光源ユニット。

(4- 9)金属ベース回路基板が、 LEDを実装した部分以外の部分の 1箇所以上の部分で、導体回路面または導体回路面と反対側に曲率半径 l〜5mmで 90° 以上折り曲げられ、し力も前記折り曲げた金属ベース回路基板の導体回路と金属箔との間の耐電圧が 1. 5kV以上である（4-1)乃至（4-8)の!、ずれか一項に記載の LED光源ユニット。

(4- 10)粘着テープの熱伝導率が l〜2WZmKで、厚さが 50 μ m以上 150 μ m以下である（4-1)乃至（4-9)の!、ずれか一項に記載の LED光源ユニット。

(4-11)粘着テープが、アクリル酸及び Zまたはメタクリル酸を含む高分子を含有する（4-1)乃至（4-10)の!、ずれか一項に記載の LED光源ユニット。 (4- 12)粘着テープが、熱伝導性電気絶縁剤を 40〜80体積％含有している（4-1) 乃至（4-11)の!、ずれか一項に記載の LED光源ユニット。

(4-13)熱伝導性電気絶縁剤がアクリルゴムである（4-1)乃至 (4-12)のヽずれか一項に記載の LED光源ユニット。

(4-14)前記高分子が (メタ）アクリル酸エステルモノマーを含むモノマーを重合してなるアクリル重合体である（4-1)乃至 (4-13)の、ずれか一項に記載の LED光源ュニット。

(4-15)前記（メタ）アクリル酸エステルモノマーが 2—ェチルへキシルアタリレートを含む（4-1)乃至（4-14)の!、ずれか一項に記載の LED光源ユニット。

(4-16)熱伝導性電気絶縁剤の最大粒子径が 45 μ m以下で平均粒子径 0. 5〜30

/z mである（4-1)乃至（4-15)のいずれか一項に記載の LED光源ユニット。

(4-17)熱伝導性電気絶縁剤がアルミナ、結晶性シリカ、及び水酸化アルミニウムからなる群力選ばれる 1種以上である（4-1)乃至 (4-16)のいずれか一項に記載の L

ED光源ユニット。

[0031] 以下に、本発明を実施するための好ましい態様について詳細に説明する。

下記された金属ベース回路基板の構成、および主要な構成材料である金属箔、無機フイラ一、熱硬化性榭脂、導体回路等は、混成集積回路、 LEDモジュール、 LED 光源ユニットへの適応が適宜可能である。

[0032] <金属ベース回路基板 >

本発明の基本となる金属ベース回路基板の構成、構成材料の特性等について記述する。

本発明の回路基板は、絶縁層と導体回路又は金属箔とが交互に積層されている金属ベース回路基板であり、導体回路又は金属箔の厚さが 5 m以上 450 m以下、絶縁層が無機フィラーと熱硬化性榭脂とを含有する榭脂組成物の硬化体からなり、前記絶縁層の厚さが 9 μ m以上 300 μ m以下である。

即ち、導体回路又は金属箔の厚さが 5 μ m以下では取扱等の問題から製造できず、 450 m以上では折り曲げ性が低下する上、回路基板全体が厚くなつてしまうからである。 [0033] 本発明において、金属ベース回路基板は、室温で折り曲げて使用することができる 1S さらに、繰り返し折り曲げても使用可能であるため加工性が高ぐ再利用などができる。

[0034] [金属箔]

金属箔の材質としては、アルミニウム又はアルミニウム合金、銅又は銅合金、鉄、ステンレスなどが用いられる。また、金属箔の材質によっては、接着性を向上させるため、金属箔の絶縁層側を電解処理、エッチング処理、プラズマ処理、プライマー処理又はカップリング処理等の表面処理を施すことが好ましい。

[0035] [絶縁層]

本発明では、絶縁層の熱伝導率が l〜4WZmKであるのが好ましぐ更に好ましいのは、 2〜3WZmKである。熱伝導率が lWZmK未満になると回路基板の熱抵抗が高くなり、目的とする放熱性が得られないことがある。また、 4WZmK以上の熱伝導率を得るためには、無機フィラーの量を多くする必要があるため、柔軟性がなくなり良好な屈曲性能が得られなくなることがある。

[0036] また、絶縁層のガラス転移温度は、 0〜40°Cであることが好ましぐ更に好ましいのは 10〜30°Cである。ガラス転移温度が 0°C未満であると剛性と電気絶縁性が低ぐ 4 0°Cを超えると屈曲性が低下する。ガラス転移温度が 0〜40°Cであると、従来の金属ベース基板で用いられて、る絶縁層のように室温で堅!、ものとは異なり、室温で曲げ加工あるいは絞り加工を実施しても金属箔との剥離や絶縁層クラックなどによる耐電圧の低下が起きにくい。

絶縁層の厚さは、 9 μ m以上 300 μ m以下が好ましい。

[0037] 本発明では、絶縁層が、熱硬化性榭脂を 25〜60体積％含有し、残部が最大粒子径 75 μ m以下で平均粒子径が 5〜40 μ mの球状粗粒子と平均粒子径が 0. 3〜3. 0 μ mの球状微粒子とからなる無機フィラーとからなる榭脂組成物の硬化体である。熱硬化性榭脂を上記体積％以上含有すると放熱性が低下し上記の熱伝導率が得られなくなってしまう。

[0038] 絶縁層を構成する熱硬化性榭脂としては、エポキシ当量が 800以上 4000以下の直鎖状の高分子エポキシ榭脂と水素添加されたビスフエノール F型および Zまたは A 型のエポキシ榭脂を主体とする樹脂に、さらに、フエノール榭脂、ポリイミド榭脂、フエノキシ榭脂、アクリルゴム、アクリロニトリル一ブタジエンゴムなどを配合してもよいが、室温での折り曲げ性、電気絶縁性、耐熱性などを考慮すると、それらの配合量はェポキシ榭脂との合計量に対して 30質量％以下であることが好ましい。

[0039] 絶縁層を構成する熱硬化性榭脂としては、エポキシ榭脂、フエノール榭脂、シリコーン榭脂、アクリル榭脂などが使用できる。中でも、無機フィラーを含みながらも、硬化状態において、金属箔 1と導体回路との接合力に優れ、かつ、室温にて屈曲性に優れたエポキシ榭脂と重付加型のエポキシ硬化剤を主成分としたものが好ましい。重付加型のエポキシ硬化剤としては、熱硬化後に熱硬化性榭脂の屈曲性を向上させる効果があるポリオキシアルキレンポリアミンが好ましぐ熱硬化性榭脂に含まれるエポキシ榭脂のエポキシ当量に対して活性水素当量が 0. 8〜1倍となるように添カロすることが絶縁層の剛性、曲げ加工性、絶縁性などを確保するために好ましい。

[0040] さらに、絶縁層を構成する熱硬化性榭脂として、水素添加されたビスフノール F型および Zまたは A型のエポキシ榭脂を用いることが好ましぐエポキシ当量が 180〜2 40であると室温で液状であり、熱硬化性榭脂中 60〜： LOO質量％の範囲で用いることができる。この水素添加されたビスフエノール F型および Zまたは A型のエポキシ榭脂は、汎用のビスフエノール F型や A型に比べ、剛直な構造ではないため硬化性榭脂組成物としたときに屈曲性が優れる。また、榭脂の粘度が低いため、エポキシ当量 800以上 4000以下の直鎖状の高分子量エポキシ榭脂を熱硬化性榭脂中 0〜40質量％と、絶縁層中に無機フィラー 50〜75体積％添加することが可能となる。

[0041] 水素添加されたビスフエノール F型および Zまたは A型のエポキシ榭脂のエポキシ当量が 180未満では、エポキシ榭脂の精製過程で残存したエポキシ基を有する低分子量の不純物が多くなり、接着強度や絶縁性が低下するため好ましくない。また、ェポキシ当量が 240を超えると榭脂粘度が高くなり、エポキシ当量 800以上 4000以下の直鎖状の高分子量エポキシ榭脂の添加により榭脂粘度がさらに上昇し、高分子量エポキシ榭脂を熱硬化性榭脂中 0〜40質量％と絶縁層中に無機フィラー 50〜75体積％添加することが難しくなる。

[0042] 絶縁層にエポキシ当量 800以上 4000以下の直鎖状の高分子量エポキシ榭脂を含有させると、熱硬化性榭脂にエポキシ当量が 800未満の直鎖状のエポキシ榭脂のみを用いた場合よりも接合性が向上する。さらに、エポキシ当量 800以上 4000以下の直鎖状の高分子量エポキシ榭脂を水素添加されたビスフエノール F型および Zまたは A型のエポキシ榭脂とすると、接合性に加え、室温での屈曲性が向上するのでより好ましい。

また、熱硬化性榭脂にエポキシ当量が 4000を超える直鎖状のエポキシ榭脂を含有させると、無機フィラーの充填が難しくなつたり、その他のエポキシ榭脂との相溶が難しくなり、エポキシ榭脂、エポキシ硬化剤、無機フィラーやその他の含有成分などが不均一な状態で絶縁層が形成されるために、熱放散性と電気絶縁性が低下する。エポキシ当量 800以上 4000以下の直鎖状のエポキシ榭脂は、硬化性榭脂中 40質量％以下添加することが好ましぐ 40質量％を超えるとエポキシ硬化剤の添加量が少なくなり、熱硬化性榭脂のガラス転移温度 (Tg)が上昇し、屈曲性が低下する場合がある。

[0043] 絶縁層を構成する熱硬化性榭脂中の塩化物イオン濃度は、 500ppm以下であること力子ましく、 250ppm以下であることがより好ましい。従来の金属ベース回路基板においては、構成する硬化性榭脂組成物中の塩ィ匕物イオン濃度は lOOOppm以下であれば、高温下、直流電圧下においても電気絶縁性は良好であった。しかしながら、本発明の金属ベース回路基板に用いる上記絶縁層を構成する硬化性榭脂組成物は室温でも折り曲げができるほど柔軟な構造であるため、硬化性榭脂組成物中の塩化物イオン濃度が 500ppmを超えると、高温下、直流電圧下においてイオン性不純物の移動が起こり、電気絶縁性が低下する傾向を示す場合がある。

[0044] 絶縁層中に含有される無機フイラ一としては、電気絶縁性で熱伝導性の良好なものが好ましぐ例えば、酸化ケィ素、酸ィ匕アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化硼素などが用いられる。無機フィラーの粒度は最大粒子径が 75 μ m以下で平均粒子径が 5〜40 mの球状粗粒子と平均粒子径が 0. 3〜3. 0 mの球状微粒子とを含有するものが好ましい。この範囲内で、平均粒子径が 10〜40 /ζ πιの球状粗粒子と平均粒子径が 0. 4〜1. 2 mの球状微粒子とを含有するものが更に好ましい。また、球状粗粒子と球状微粒子を混ぜ合わせると破砕粒子や球状粒子を単独で用いた場合よりも高充填が可能となり、室温における折り曲げ性が向上する。

[0045] 絶縁層の中の無機フィラーの含有量は、 50〜75体積％が好ましぐ更に好ましく 5 5〜65体積％である。

無機フイラ一中のナトリウムイオン濃度は、 500ppm以下であることが好ましぐ 100 ppm以下であることがより好ましい。無機フイラ一中のナトリウムイオン濃度が 500pp mを超えると、高温下、直流電圧下においてイオン性不純物の移動が起こり、電気絶縁性が低下する傾向を示す場合がある。

[0046] 本発明では、さらに、導体回路又は金属箔間を電気的に接続するために使用するスルーホールの少なくとも 1個力 0. 0078mm²以上であるのが好ましい。スルーホールは、導体回路又は金属箔および絶縁層を化学的、物理的或いは機械的に除去しスルーホール用の孔を形成させ、その空隙内部にメツキ、印刷法等により導電性物質等を充填または上層導体回路力ワイヤーボンディングを施すことにより電気的な接続することが可能となる。スルーホールは、形成されている場合もあるが、形成されてなくともよい。

[0047] [導体回路]

本発明では、当該回路基板を、任意の個所で曲率半径 l〜5mmで 90° 以上で折り曲げが可能であり、かつ導体回路又は金属箔の各々間の耐電圧が 1. OkV以上であるのが好ましい。曲率半径が lmm以下で 90° 以上折り曲げると、絶縁層クラック等により導体回路又は金属箔の各々間の耐電圧が 1. OkV以下になる場合がある。曲率半径を 5mm以上にしたり、 90° 以下の折り曲げでは、目的するモジュールの小型化が達成できなくなる場合がある。

[0048] 導体回路の厚みは、 9 μ m以上 140 μ m以下であることが好ましぐ 9 μ m未満では導体回路としての機能が十分ではなぐ 140 mを超えると屈曲性が低下するだけでなく厚みが増し小型化や薄型化が難しくなる。

<混成集積回路 >

以下に、本発明の金属ベース回路基板を用いた混成集積回路の好ましい態様について説明する。本発明の金属ベース回路基板を用いた混成集積回路は、上記の金属ベース回路基板における主要な構成材料である金属箔、無機フィラー、熱硬化性榭脂、導体回路等を適宜用いることが可能である。

図 1-1は、本発明の金属ベース回路基板とそれを用いた混成集積回路の一例である。

本発明の混成集積回路においては、金属箔 1と絶縁層 2と、導体回路 3とからなる金属ベース回路基板の導体回路 3上に、複数の半導体、すなわち、出力用半導体 5 と制御用半導体 6およびチップ部品 8が半田接合部 9などにより接合搭載され、熱伝導性接着剤 10を介して放熱性を有する筐体 11と密着されてヽる。出力用半導体 5 は、熱の放散を助長する目的で導体回路 3との接続にヒートスプレッダ一 4を介することが多いが、これを用いないこともある。

また、制御用半導体 6は、通常大きな発熱を伴わないことから導体回路 3にヒートスプレッダ一を介することなく接合される力ヒートスプレッダ一を介しても構わな、。

[0049] 上記熱伝導性接着剤としては、金、銀、ニッケル、窒化アルミニウム、アルミニウム、アルミナなどの高熱伝導性フィラーをエポキシ榭脂ゃウレタン榭脂、シリコーン榭脂などを充填した接着剤が用いられる。熱伝導性接着剤の代わりにあらかじめシート状の熱伝導性接着シートを使用することもできる。

また、シリコーングリースを用いた密着やビス止めによる固定など、金属ベース回路基板が放熱性を有する筐体 11と良好に密着した金属ベース回路基板と放熱性を有する筐体 11との熱伝達が良好である固定方法であればよい。また、熱伝導性接着剤は、出力用半導体 5の熱の放散を助長する目的と混成集積回路の保護、固定などを目的に用いるが、これを用いないこともある。

[0050] 制御用半導体 6からの信号は、導体回路 3およびボンディングワイヤー 7を通じて出力用半導体 5に電気的に接合されている。出力用半導体 5と制御用半導体 6およびチップ部品 8の実装されている部分以外の金属ベース回路基板を構成する金属箔 1 と絶縁層 2および導体回路 3は、放熱板または放熱性を有する筐体 11の形状に合わせて曲げ加工や絞り加工を室温で実施できる。し力も平坦な部分への設置だけでなく、放熱板または放熱性を有する筐体の形状に合わせて側面や底面または段差や曲面などに密着させることができる。そのため、従来の金属ベース回路基板およびフレキシブル配線板では適用できな力つた、高発熱性混成集積回路の小型化または薄型化が可能となるものである。

[0051] 本発明の金属ベース回路基板を用いた混成集積回路は、上記の構成からなり、しカゝも絶縁層の熱伝導率が l〜4WZmKで、導体回路と金属箔との間の耐電圧が 1. 5kV以上という、従来の平坦な金属板を有する金属ベース回路基板と同等の特性を保つ。その上、平坦な部分への設置だけでなく筐体の側面や底面または段差や曲面などに密着させることが可能である。さらに、放熱が必要な半導体素子や抵抗チップなどの電気部品を実装した状態でも容易に室温で折り曲げることができるため、金属ベース回路基板を平面部分に用いることしかできな力つたという従来の制限を解除できるものである。

[0052] 金属箔 1の厚みは、 5 μ m以上 450 μ m以下のものが使用できる力 35 μ m以上 7 0 m以下が金属ベース回路基板の剛性、曲げ加工性、絞り加工性などが確保できることからより好ましい。

[0053] 絶縁層 2の厚さは、 80 μ m以上 200 μ m以下が好ましぐ 80 μ m未満では絶縁性が低ぐ 200 mを超えると熱放散性が低下するだけでなく厚みが増し小型化や薄型化が難しくなる。

[0054] < LEDモジユーノレ >

次に金属ベース回路基板の表面にカバーアレイを有する LEDモジュール（以下、単に LEDアレイともいう。）の好ましい態様について説明する。本発明の金属ベース回路基板を用いた LEDアレイは、上記の金属ベース回路基板における主要な構成材料である金属箔、無機フィラー、熱硬化性榭脂、導体回路等を適宜用いることが可能である。

[0055] 図 2-1〜図 2-7は、本発明の金属ベース回路基板とそれを用いた LEDモジュールの一例について、その大略構造を示す平面図である。

本発明の金属ベース回路基板を用いた LEDモジュールにおいては、金属箔 21 と絶縁層 22と、導体回路 23および電極 24とからなる金属ベース回路基板で、導体回路 23および電極 24が形成されてヽな、箇所の一部金属箔 21と絶縁層 22を取り除き、スリット部 25を形成する。

[0056] 図 2-2は、図 2-1の金属ベース回路基板の導体回路 23および電極 24の形成面側に部品搭載部 24および入力端子 28以外にカバーレイ 26を貼り付けることにより、基板を補強している。ここで、導体回路 23および電極 24が形成されていない箇所の一部カバーレイ 26も金属箔 21と絶縁層 22と同様に取り除き、スリット部 25を形成する。前記カバーレイ 26のスリット部 25は折り曲げる部分の長さに対して 50%以上 95%以下カ卩ェされていることが好ましい。また、折り曲げる部分の長さに対して 50%以上であれば、曲率半径 0. 5mm以下で 90° 折り曲げることができるし、 95%以下加工してあれば折り曲げ箇所力カバーレイの補強効果がなく、折り曲げ箇所の導体回路が断線したり、絶縁層にクラックが入るなどの不良が発生することもない。上記力バーレィの厚さは、 5 μ m以上 25 μ m以下が好ましい。

[0057] 図 2-3は、図 2-2の金属ベース回路基板のカバーレイ 26を貼り付けた上部に磁性損失を有する層 29a又は誘電損失を有する層 29bを形成してヽる。

磁性損失を有する層 29aはアスペクト比が 2以上である磁性材料と有機結合材からなり、磁性材料の含有量が 30〜70vol%で層の厚みが 3 μ m以上 50 μ m以下の場合に優れた磁性損失特性を発揮する。

[0058] また、図 2-3の金属ベース回路基板に於いて、誘電損失を有する層 29bを形成した場合、誘電損失を有する層が、比表面積が 20〜110m²/gのカーボン粉末と有機結合材とからなり、前記カーボン粉末の含有量が 5〜60vol%で、厚みが 3 m以上 50 μ m以下であれば優れた誘電損失特性を発揮する。

[0059] 誘電損失を有する層のカーボン粉末は、 JIS K 1469による体積抵抗率が 0. 1 Ω cm以下であるホウ素固溶のカーボンブラックであると良好な誘電損失特性が発揮されるため好ましい。

[0060] 図 2-4では、本発明の金属ベース回路基板において、部品搭載部に発熱部品 21 0を搭載して、る。ここで図 2-4に示した点線は本発明の金属ベース回路基板の折り曲げ箇所 211を示すものである。

折り曲げ箇所 211にはスリット部 25が形成されているので、簡単に折り曲げられ、折り曲げても折り曲げ箇所の導体回路はカバーレイ 26により補強されている為、断線することもなく、絶縁層にもクラックが生じな、。

この様に本発明の金属ベース回路基板はカバーレイで基板を補強して折り曲げても導体回路の断線及び絶縁層のクラック等の不良を防ぎ、且つ、スリット加工により折り曲げ性を良好である大きなメリットを有している。更に、磁性損失を有する層又は誘電損失を有する層の形成で良好な電磁波吸収特性を有する金属ベース回路基板である。

[0061] 従来、基板厚みが 150 m程度の金属ベース回路基板は、曲率半径が 0. 5mm 以下で 90° 以上折り曲げると導体回路の断線及び絶縁層にクラックが発生するなど不良が発生してしまいカバーレイで補強することが必要であった。しかしながら、カバ一レイで補強すると金属ベース回路基板が剛直になり、所望の箇所で折り曲げることが困難となる。

本発明は折り曲げに対する基板の補強と折り曲げ性の両立、加えて電磁波吸収特性を兼ね備えた画期的な金属ベース回路基板である。

[0062] 図 2-5は、本発明の金属ベース回路基板とそれを用いた LEDモジュールの一例についてその大略構造を示す。図 2-4の金属ベース回路基板について、入力回路をスリット部で 180° 折り曲げた場合の断面図である。本発明の金属ベース回路基板においては、金属箔 21と絶縁層 22と導体回路 23と電極 24とからなる金属ベース回路基板にエポキシ接着層 25aを介してカバーレイ 26、更に磁性損失を有する層 29a又は誘電損失を有する層 29bが形成されている。

[0063] 図 2-5の金属ベース回路基板において、導体回路 23と電極 24は電気的に接続されており、電極 24上には半田等により発熱部品 210が電気的に接続され搭載されている。また、金属ベース回路基板の裏面は熱伝導性粘着テープ 213を介して放熱性を有する筐体 212と密着されている。導体回路 23と引き出し配線 (入力回路） 24は電気的に接合されていて、 LED等の発熱部品に外部より電源入力できる状態になつている。

尚、図 2-5においては、金属箔 21側に折り曲げている力本発明においては、磁性損失を有する層 29a又は誘電損失を有する層 29b側に折り曲げることも容易に可能である。折り曲げした、部分の少なくともカバーレイにっ、てスリット力卩ェを折り曲げる部分の長さに対して 50%以上 95%以下カ卩ェされていれば、放熱性を有する筐体 212の形状に合わせて、ろ、ろな形状で折り曲げることができる。 [0064] 上述したスリット加工が図 2-1〜図 2-4の金属ベース回路基板に示す長方形の加ェだけでなぐ図 2-6に示す角が鋭角状になった形状やくさび型、又は図 2-7に示す円形を多数施したものなどでもよい。むしろ、折り曲げ部分が決めやすぐ円形が好ましい。

[0065] 本発明の金属ベース回路基板を用いた LEDアレイは、上記のような構成を有しており、金属箔 21の厚さが 5 m以上 40 m以下であり、絶縁層 22が無機フィラーと熱硬化性榭脂とを含有し、厚さが 30 m以上 80 m以下であり、上記導体回路の厚さが 9 μ m以上 40 μ m以下であることが好ましい。これらの諸条件を満足するときに、本発明の目的をより確実に達成することができる。

[0066] 金属箔 21の厚みが 5 μ m以上であれば金属ベース回路基板の剛性が低下し、用途が制限されることもない。金属箔 21の厚み力 0 m以下であれば金属ベース回路基板の曲げ加工用金型又は絞り加工用金型、更にプレス機などの加工設備を必要としたり、金属ベース回路基板を筐体の曲面などに密着させることが難しくなるようなこともない。さらに、金属ベース回路基板に放熱が必要な半導体素子や抵抗チップなどの電気部品を実装した状態で、室温で折り曲げすることが難しくなることもない。金属ベース回路基板の剛性、曲げ加工性、絞り加工性など、特に曲率半径が 0. 1 〜0. 5mmで 90° 以上の折り曲げカ卩ェ性に富むことから、金属箔 21の厚みは、 12 μ m以上 35 μ m以下がより好ましい。

[0067] 本発明の金属ベース回路基板を用いた LEDアレイにおいては、絶縁層 22は、無機フイラ一と熱硬化性榭脂とを含有し、厚さが 30 m以上 80 m以下であることが好ましい。絶縁層 22の厚さについては、 30 m以上あれば絶縁性が確保できるし、 80 /z m以下であれば 0. 1〜0. 5mmで 90° 以上の折り曲げカ卩ェ性が低下することもなく好ましい。

[0068] 本発明の金属ベース回路基板を用いた LEDアレイにおいて、導体回路の厚みは、 9 μ m以上 40 μ m以下であることが好ましい。 9 μ m以上であれば導体回路としての機能が十分に確保できるし、 40 m以下で十分な屈曲性が確保でき、小型化や薄型化のために十分な厚さが確保される。

[0069] さらに、本発明に使用する熱伝導性の粘着テープ 213には、酸ィ匕アルミニウム、二酸化チタン等の金属酸化物、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化珪素等の窒化物、炭化珪素、水酸ィ匕アルミニウム等の無機物質やアクリルゴム等の有機物質力なる熱伝導性電気絶縁剤を高分子榭脂材料中に充填したものが使用できるが、シラン力ップリング剤等による表面処理をされたものなどを高分子榭脂材料中に充填した熱伝導性接着テープも使用できる。

[0070] 熱伝導性の粘着テープ 213は、発熱部品より発生する熱を、金属ベース回路基板を介して金属ベース基板の裏面より筐体へ効率よく放熱させる為、従来の粘着テープよりも熱伝導率を向上させたものが好ましい。

[0071] 熱伝導性の粘着テープ 213としては、下記のく LED光源ユニット〉で使用される素材、および特性を持つ粘着テープが適宜用いられる。

[0072] < LED光源ユニット >

本発明の金属ベース回路基板を用いた LED光源ユニットの好ま、態様にっ、て説明する。

本発明の金属ベース回路基板を用いた LED光源ユニットは、上記の金属ベース回路基板における主要な構成材料である金属箔、無機フィラー、熱硬化性榭脂、導体回路等を適宜用いることが可能である。

[0073] 図 3-1は、本発明の LED光源ユニットの一例について、その大略構造を示す断面図である。

本発明の LED光源ユニットにおいては、金属箔 31と絶縁層 32と、導体回路 33とからなる金属ベース回路基板の導体回路 33上に、 1個以上の LED36が半田接合部 3 5などにより接合、搭載され、熱伝導性粘着テープ 37を介して放熱性を有する筐体 3 8と密着されている。導体回路 33と引き出し配線 (入力回路） 34は電気的に接合されていて、 LEDに外部より電源入力できる状態になっている。

尚、図 3-1においては、全体的な形状は箱形を呈している力本発明に於いては、 LED36の実装されている部分以外の金属ベース回路基板を構成する金属箔 1と絶縁層 32および導体回路 33は、放熱性を有する筐体 38に密着していればよぐ放熱性を有する筐体 38の表面形状に合わせて、ろ、ろな形状をとることができる。

[0074] 本発明の LED光源ユニットは、上記のような構成を有しており、金属箔 31の厚さが 18 μ m以上 300 /z m以下であり、絶縁層 32が無機フィラーと熱硬化性榭脂とを含有し、厚さが 80 μ m以上 200 μ m以下であり、導体回路 33の厚さが 9 μ m以上 140 μ m以下であることが好ま U、。

[0075] 金属箔 31の厚みとしては、 18 m以上 300 m以下のものが好ましい。金属箔 31 の厚みが 18 μ m未満の場合には金属ベース回路基板の剛性が低下し用途が制限される。厚みが 300 mを超えると、金属ベース回路基板の曲げ加工用金型又は絞り加工用金型、更にプレス機などの加工設備が必要となるば力りでなぐ金属ベース回路基板を筐体の曲面などに密着させることが難しくなる。さらに、金属ベース回路基板に放熱が必要な半導体素子や抵抗チップなどの電気部品を実装した状態下で、室温で折り曲げすることが難しくなる。金属ベース回路基板の剛性、曲げ加工性、絞り加工性など、特に曲率半径が l〜5mmで 90° 以上の折り曲げカ卩ェ性に富むこと力ら、 35 μ m以上 70 μ m以下がより好ましヽ。

[0076] 絶縁層 32は、無機フィラーと熱硬化性榭脂とを含有し、厚さ力 0 m以上 200 m以下が好ましい。絶縁層 32の厚さについては、 80 m未満では絶縁性が低ぐ 20 0 mを超えると熱放散性が低下するだけでなぐ厚みが増し、小型化や薄型化が難しくなる。

[0077] 本発明の LED光源ユニットにおいて、導体回路の厚みは、 9 μ m以上 140 μ m以下が好ましい。 9 m未満では導体回路としての機能が十分ではなぐ 140 mを超えると屈曲性が低下するだけでなく厚みが増し小型化や薄型化が難しくなる。

[0078] 本発明の LED光源ユニットは、繰り返し折り曲げても使用可能であるため、加工性が高ぐ再利用などができる。また、金属ベース回路基板上に LEDを搭載後、平面部を有する筐体に接着し、その後、筐体と共に加工、変形することで、曲面を有する筐体を持つ LED光源ユニットを生産することが容易に実現できるので、安価に多量の LED光源ユニットが提供可能となる。

[0079] 本発明に使用する熱伝導性の粘着テープ 37には、後述するように、酸化アルミ- ゥム、二酸化チタン等の金属酸化物、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化珪素等の窒化物、炭化珪素、水酸化アルミニウム等の無機物質やアクリルゴム等の有機物質からなる熱伝導性電気絶縁剤を高分子榭脂材料中に充填したものが使用できる。さらに、シランカップリング剤等による表面処理をされたものなどを高分子榭脂材料中に充填した熱伝導性接着テープも使用できる。

熱伝導性を有しな粘着テープでは、 LEDの発光に伴う熱を筐体へ熱伝達することが不十分となり LEDの温度上昇を招き使用することができない。本発明者の検討結果によれば、熱伝導率が l 2WZmKで、厚さが 50 150 μ mの熱伝導性の粘着テープを用いることが好ま

[0080] 熱伝導性の粘着テープ 37は、 LEDを発光させた時に発生する熱を、金属ベース回路基板を介して金属ベース基板の裏面より筐体へ効率よく放熱させる為、従来の粘着テープよりも熱伝導率を向上させたことを特徴とするものである。

[0081] 熱伝導性の粘着テープ 37に使用される高分子材料は、特に制限されるものではないが、金属への密着性向上のために、アクリル酸及び Z又はメタクリル酸を含む高分子が好ましく選択される。すなわち、炭素数 2 12のアルキル基を有するアタリレートまたはメタタリレート、炭素数が 2 12のアクリル酸アルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステルが好まし！/、。

柔軟性と加工性の点からモノマーとしては、ェチルアタリレート、プロピルアタリレート、ブチルアタリレート、 2—ェチルへキシルアタリレート、ォクチルアタリレート、イソォクチルアタリレート、デシルアタリレート、デシル (メタ）タリレートまたはドデシル (メタ）クリレートより選ばれた 1種または 2種類以上を混合して使用するのが好ましい。このうちモノマーとしては、 2—ェチルへキシルアタリレートがより一層好ましい。

[0082] 熱伝導性の粘着テープ 37は熱伝導性電気絶縁剤を含有することが好ましい。熱伝導性電気絶縁剤としては、電気絶縁性と熱伝導性との面で良好な無機、有機物質であればどのようなものでも構わないが、有機物質としては天然ゴムや NBR EPDMなどのゴムが好ましぐ特に、アクリルゴムを含有することが好ましい。また、熱伝導性電気絶縁剤は、粘着テープ 7中に 40 80体積％含有することが、良好な放熱性が確保できることから、好ましい。 50 70体積％がより一層好ましい範囲である。

[0083] 前記アクリルゴム用のモノマーとしては、ェチルアタリレート、 n—プロピルアタリレート、 n—ブチルアタリレート、イソブチルアタリレート、 n—ペンチルアタリレート、イソアミルアタリレート、 n キシルアタリレート、 2—メチルペンチルアタリレート、 n—ォクチルアタリレート、 2—ェチルへキシルアタリレート、 n—デシルアタリレート、 n—ドデシルアタリレート、 n—ォクタデシルアタリレート、シァノメチルアタリレート、 1ーシァノエチルアタリレート、 2—シァノエチルアタリレート、 1 シァノプロピルアタリレート、 2—シァノプロピルアタリレートなどが挙げられる。これらの中力も選択した 1種類以上を組み合わせたものや、数⁰ /₀の架橋点モノマーが共重合されたアクリルゴムが好まし、。ゴム含有量としては熱伝導性粘着テープ 37中に 0. 1〜30質量部が好ましい。 0. 1 質量部未満であると高熱伝導性フィラーを高分子榭脂材料中に充填した際にフイラ一が沈降し、 30質量部を超えると粘度が上昇し加工時に問題が発生する。ゴム含有量 0. 1〜30質量部ならばフイラ一沈降を防ぎつつ、加工性が良好である。

[0084] 前記モノマーとしては、柔軟性と粘着性の観点力も炭素数 2〜 12のアルキル基を有するアタリレートまたはメタタリレート、炭素数が 2〜 12のアクリル酸アルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステルが好ましヽ。柔軟性と加工性の点から好ましヽモノマーとしては、ェチルアタリレート、プロピルアタリレート、ブチルアタリレート、 2- ェチルへキシルアタリレート、ォクチルアタリレート、イソォクチルアタリレート、デシルアタリレート、デシルメタタリレートおよびドデシルメタタリレートより選ばれた 1種または 2種類以上をブレンドしたものである。より好ましいモノマーは 2—ェチルへキシルァクリレートである。

[0085] 熱伝導性電気絶縁剤として使用される無機物質につ!ヽては、例えば、酸化アルミユウム、二酸化チタン等の金属酸化物、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化珪素等の窒化物、炭化珪素、水酸ィ匕アルミニウム等が挙げられる。なかでもアルミナ、結晶性シリカ、及び水酸ィ匕アルミニウム力なる群力選ばれる 1種以上であることが好ましい。また、シランカップリング剤等による表面処理をされたものを選択する事も可能である。

[0086] また、熱伝導性電気絶縁剤の大きさについては、最大粒子径が 45 μ m以下で平均粒子径 0. 5〜30 mであることが粘着テープの厚み、充填性の観点から好ましい

[0087] 熱伝導性の粘着テープ 37は、本発明の目的とする特性を損なわなヽ範囲で公知の重合ィ匕合物を含むことができる。又、熱伝導性の粘着テープ 37の硬化時に、影響がない範囲において、必要に応じて公知の添加剤を添加することができる。添加剤としては例えば粘度、粘性をコントロールするための各種添加剤、その他、改質剤、老化防止剤、熱安定剤、着色剤などが挙げられる。

[0088] 熱伝導性の粘着テープ 37は、一般的な方法によって硬化させることができる。例えば、熱重合開始剤による熱重合、光重合開始剤による光重合、熱重合開始剤と硬化促進剤を利用した重合等の方法で硬化させることができるが、生産性等の観点から光重合開始剤による光重合が好ましい。

実施例

[0089] 以下、実施例について説明する力本発明はこれらに限定されるものではない。

<金属ベース回路基板 >

「実施例 1-1」

表 1-1〖こ示すよう〖こ、 40 /z m厚のアルミニウム箔上〖こ、エポキシ当量が 187のビスフエノール A型エポキシ榭脂（大日本インキ化学工業社製: EPICLON830— S) 10 0質量部に対し、硬ィ匕剤としてポリオキシプロピレンジァミン (ノヽルツマン社製： D— 40 0と D— 2000の質量比が 6 :4) 63質量部を加え、平均粒子径 2. 2 mで最大粒子径が 20 μ mの破砕した酸ィ匕アルミニウム（昭和電工社製: AL— 173)が絶縁層中 50 体積％となるように配合し、硬化後の厚さが 100 mになるように絶縁層を形成した。つぎに、 35 m厚の電解銅箔を張り合わせ、加熱することにより絶縁層を熱硬化させ金属ベース基板を得た。さらに、得られた金属ベース基板について、所定の位置をエッチングレジストでマスクして銅箔をエッチングした後、エッチングレジストを除去して回路を形成し金属ベース回路基板とした。

得られた金属ベース回路基板について、以下に示す方法で、（1)室温での屈曲性、（2)絶縁層の熱伝導率、（3)導体回路と絶縁層の接着強度、（4)絶縁層のガラス転移温度、（5) 260°C、 10分間の加熱処理後の絶縁層破壊電圧、（6)室温下で 90° 折り曲げた状態での絶縁層耐電圧値、（7) 125°C、直流電圧 1000V (パターン側 + )をかけたときの絶縁層破壊時間、（8)室温下で 90° 折り曲げた状態での絶縁層クラック発生の有無を観察した。

それらの結果を表 1-2に示す。得られた金属ベース回路基板は、いずれの物性も良好であった。

[0090] (1)室温での屈曲性は、金属ベース回路基板を 10mm X 100mmに加工して 25士 1°Cの温度雰囲気下において、両手で導体回路形成面側および導体回路形成面と反対側に曲率半径 5mmで 90° 以上折り曲げることが可能であるものを良好とし、折り曲げを実施する際に、曲げ加工用の金型とプレス機などを用いる必要がある場合を不良とした。

[0091] (2)熱伝導率の測定は、金属ベース回路基板のベース材である金属箔と導体回路を除去し、絶縁層を φ 10mm X 100 m (—部 60 μ m)にカロ工して、レーザーフラッシュ法により求めた。

[0092] (3)導体回路と絶縁層の接着強度は、金属ベース回路基板の導体回路を 10mm 幅の帯状に加工し、 JIS C 6481に規定された方法により求めた。

[0093] (4)ガラス転移温度 (Tg)の測定は、金属ベース回路基板のベース材である金属箔と導体回路を除去し、絶縁層を 5mm X 50mm X 100 m (—部 60 μ m)に加工して、動的弾性測定法により求めた。

[0094] (5) 260°Cで 10分間加熱後の絶縁層耐電圧の測定は、導体回路を φ 20mmの円形パターンとした金属ベース回路基板を 260°Cに加熱した半田槽に入れ 10分間処理し、室温に冷却後に JIS C 2110に規定された段階昇圧法により、円形パターンとアルミニウム箔との間の耐電圧を測定した。

[0095] (6)室温下 90° 折り曲げた状態での絶縁層耐電圧の測定は、導体回路を φ 20m mの円形パターンを形成した金属ベース回路基板の φ 20mmの円形パターンが含まれるように曲率半径 lmmで 90° 折り曲げた状態で JIS C 2110に規定された段階昇圧法により、円形パターンとアルミニウム箔との間の耐電圧を測定した。

[0096] (7) 125°C、直流電圧 1000V (パターン側 + )をかけたときの絶縁層破壊時間の測定は、導体回路を φ 20mmの円形パターンを形成した金属ベース回路基板の円形パターン側を +、金属箔側を—として 125°C、直流電圧 1000Vをかけたときの絶縁層破壊時間を測定した。

[0097] (8)室温下で 90° 折り曲げた状態での絶縁層クラック発生の有無は、目視で観察した。 [0098] 「実施例 1-2」

表 1-1〖こ示すよう〖こ、 40 m厚のァノレミ-ゥム箔上〖こ、エポキシ当量が 201の水素添カ卩（表 1では水添と標記）されたビスフエノール A型エポキシ榭脂（ジャパンェポキシレジン社製: YX— 8000) 100質量部に対し、硬化剤としてポリオキシプロピレンジァミン（ハルツマン社製： D— 400と D— 2000の質量比が 6 :4) 63質量部をカ卩え、平均粒子径 2. 2 μ mで最大粒子径が 20 μ mの破砕した酸ィ匕アルミニウム（昭和電工社製: AL— 173)が絶縁層中 50体積％となるように配合し、硬化後の厚さが 100 mになるように絶縁層を形成した。つぎに、 35 m厚の電解銅箔を張り合わせ、加熱することにより絶縁層を熱硬化させ金属ベース基板を得たこと以外は実施例卜 1と同様の方法で金属ベース回路基板を作製し各種物性を測定した。

それらの結果を表 1-2に示す。絶縁層のガラス転移温度 (Tg)の低下により室温での屈曲'性が格段に向上した。その他の物'性についても良好であった。

[0099] 「実施例 1-3」

表 1-1〖こ示すよう〖こ、 40 m厚のァノレミ-ゥム箔上〖こ、エポキシ当量が 201の水素添カ卩されたビスフエノール A型エポキシ榭脂（ジャパンエポキシレジン社製： YX-80 00) 70質量％とエポキシ当量が 1900のビスフエノール A型エポキシ榭脂（東都化成社製: YD— 927H) 30質量％からなるエポキシ榭脂 100質量部に対し、硬化剤としてポリオキシプロピレンジァミン（ノヽルツマン社製： D - 400と D - 2000の質量比が 6 :4) 48質量部を加え、平均粒子径 2. 2 mで最大粒子径が 20 mの破砕した酸ィ匕アルミニウム（昭和電工社製: AL— 173)が絶縁層中 50体積⁰ /₀となるように配合し、硬化後の厚さが 100 mになるように絶縁層を形成した。つぎに、 35 m厚の電解銅箔を張り合わせ、加熱することにより絶縁層を熱硬化させ金属ベース基板を得たこと以外は実施例 1-1と同様の方法で金属ベース回路基板を作製し各種物性を測定した。

それらの結果を表卜 2に示す。得られた金属ベース回路基板は、導体回路と絶縁層の接着強度が格段に向上した。その他の物性についても良好であった。

[0100] 「実施例 1-4」

表 1-1〖こ示すよう〖こ、 40 m厚のァノレミ-ゥム箔上〖こ、エポキシ当量が 201の水素添カ卩されたビスフエノール A型エポキシ榭脂（ジャパンエポキシレジン社製： YX- 80 00) 70質量％とエポキシ当量が 1024の水素添カ卩されたビスフエノール A型エポキシ榭脂 (東都化成社製: ST—4100D) 30質量％からなるエポキシ榭脂 100質量部に対し、硬化剤としてポリオキシプロピレンジァミン（ノヽルツマン社製： D— 400と D— 20 00の質量比が 6 : 4) 50質量部を加え、平均粒子径 2. 2 mで最大粒子径が 20 m の破砕した酸ィ匕アルミニウム（昭和電工社製: AL— 173)が絶縁層中 50体積％となるように配合し、硬化後の厚さが 100 /z mになるように絶縁層を形成した。つぎに、 35 μ m厚の電解銅箔を張り合わせ、加熱することにより絶縁層を熱硬化させ金属べ一ス基板を得たこと以外は実施例 1-1と同様の方法で金属ベース回路基板を作製し各種物性を測定した。

それらの結果を表卜 2に示す。得られた金属ベース回路基板は、導体回路と絶縁層の接着強度に加え、ガラス転移温度 (Tg)の低下により室温での屈曲性が格段に向上した。その他の物'性についても良好であった。

「実施例 1-5」

表 1-1〖こ示すよう〖こ、 40 m厚のァノレミ-ゥム箔上〖こ、エポキシ当量が 181の水素添カ卩されたビスフエノール F型エポキシ榭脂（ジャパンエポキシレジン社製: YL— 67 53)をエポキシ榭脂全体で 70質量％とエポキシ当量が 1024の水素添加されたビスフエノール A型エポキシ榭脂 (東都化成社製: ST— 4100D) 30質量％とからなるェポキシ榭脂 100質量部に対し、硬ィ匕剤としてポリオキシプロピレンジァミン (ハルツマン社製： D—400と D— 2000の質量比が 6 : 4) 55質量部を加え、平均粒子径 2. 2 μ mで最大粒子径が 20 μ mの破砕した酸ィ匕アルミニウム（昭和電工社製: AL— 173) が絶縁層中 50体積％となるように配合し、硬化後の厚さが 100 mになるように絶縁層を形成した。つぎに、 35 m厚の電解銅箔を張り合わせ、加熱することにより絶縁層を熱硬化させ金属ベース基板を得たこと以外は実施例 1-1と同様の方法で金属べース回路基板を作製し各種物性を測定した。

それらの結果を表卜 2に示す。得られた金属ベース回路基板は、導体回路と絶縁層の接着強度に加え、ガラス転移温度 (Tg)が低下したことによる室温での屈曲性が格段に向上した。 [0102] 「実施例 1-6」

表 1-1〖こ示すよう〖こ、 40 m厚のァノレミ-ゥム箔上〖こ、エポキシ当量が 207の水素添加されたビスフエノール A型エポキシ榭脂（大日本インキ化学工業社製： EXA- 7 015)をエポキシ榭脂全体で 70質量％とエポキシ当量が 1200の水素添加されたビスフエノール A型エポキシ榭脂（ジャパンエポキシレジン社製: YL— 7170) 30質量 %からなるエポキシ榭脂 100質量部に対し、硬化剤としてポリオキシプロピレンジアミン（ハルツマン社製： D—400と D - 2000の質量比力： 4) 48質量部を加え、平均粒子径 2. 2 μ mで最大粒子径が 20 μ mの破砕した酸ィ匕アルミニウム（昭和電工社製： AL— 173)が絶縁層中 50体積％となるように配合し、熱硬化性榭脂全体で塩化物ィオン濃度が 250ppmで、硬化後の厚さが 100 mになるように絶縁層を形成した。つぎに、 35 m厚の電解銅箔を張り合わせ、加熱することにより絶縁層を熱硬化させ金属ベース基板を得たこと以外は実施例 1-1と同様の方法で金属ベース回路基板を作製し各種物性を測定した。

それらの結果を表卜 2に示す。得られた金属ベース回路基板は、導体回路と絶縁層の接着強度に加え、ガラス転移温度 (Tg)の低下により室温下の屈曲性が格段に向上した。さらに、 125°C、直流電圧 1000V (パターン側 + )をかけたときの絶縁層破壊時間が延びた。その他の物性につ、ても良好であった。

[0103] 「実施例 1-7」

表 1-1〖こ示すよう〖こ、 40 m厚のァノレミ-ゥム箔上〖こ、エポキシ当量が 207の水素添加されたビスフエノール A型エポキシ榭脂（大日本インキ化学工業社製： EXA- 7 015)をエポキシ榭脂全体で 70質量％とエポキシ当量が 1200の水素添加されたビスフエノール A型エポキシ榭脂（ジャパンエポキシレジン社製: YL— 7170) 30質量 %からなるエポキシ榭脂 100質量部に対し、硬化剤としてポリオキシプロピレンジアミン（ハルツマン社製： D—400と D - 2000の質量比力： 4) 48質量部を加え、最大粒子径が 75 μ m以下で平均粒子径が 21 μ mでありナトリウムイオン濃度が lOppmである球状粗粒子の酸ィ匕アルミニウム（昭和電工社製: CB—A20)と平均粒子径が 0. 7 μ mでナトリウムイオン濃度が 8ppmである球状微粒子の酸ィ匕アルミニウム (住友ィ匕学社製： AKP 15)を合わせて絶縁層中 50体積％ (球状粗粒子と球状微粒子は質量比が 7： 3)となるように配合し、硬化後の厚さが 100 mになるように絶縁層を形成した。つぎに、 35 m厚の電解銅箔を張り合わせ、加熱することにより絶縁層を熱硬化させ、絶縁層中の熱硬化性榭脂全体で塩ィ匕物イオン濃度が 300ppm以下で、絶縁層中の無機フィラー全体でナトリウムイオン濃度が 50ppm以下である金属ベース基板を得たこと以外は実施例 1-1と同様の方法で金属ベース回路基板を作製し各種物性を測定した。

それらの結果を表卜 2に示す。得られた金属ベース回路基板は、 125°C、直流 10 00V (パターン側 + )かけた時の絶縁層破壊時間が格段に延び、その他の物性についても良好であった。

「実施例 1-8」

表 1—1に示すように、 40 /z m厚のノレミニクム箱上に、エポキシ当量力 207の 170p pmである水素添加されたビスフエノール A型エポキシ榭脂（大日本インキ化学工業社製： EXA- 7015) 70質量％とエポキシ当量が 1200の水素添カ卩されたビスフエノール A型エポキシ榭脂（ジャパンエポキシレジン製: YL— 7170) 30質量％カもなるエポキシ榭脂 100質量部に対して、硬ィ匕剤としてポリオキシプロピレンジァミン (ハルツマン社製： D— 400と D - 2000の質量比力： 4) 48質量部を加え、最大粒子径が 75 μ m以下で平均粒子径が 21 μ mでありナトリウムイオン濃度が lOppmである球状粗粒子の酸ィ匕アルミニウム（昭和電工社製: CB— A20)と平均粒子径が 0. 7 μ mでナトリウムイオン濃度が 8ppmである球状微粒子の酸ィ匕アルミニウム (住友ィ匕学社製： AKP- 15)を合わせて絶縁層中 66体積％ (球状粗粒子と球状微粒子は質量比が 7 : 3)となるように配合し、硬化後の厚さが 100 mになるように絶縁層を形成した。つぎに、 35 m厚の電解銅箔を張り合わせ、加熱することにより絶縁層を熱硬化させ、絶縁層中の熱硬化性榭脂全体で塩ィ匕物イオン濃度が 300ppm以下で、絶縁層中の無機フィラー全体でナトリウムイオン濃度が 60ppm以下である金属ベース基板を得たこと以外は実施例 1-1と同様の方法で金属ベース回路基板を作製し各種物性を測定した。

それらの結果を表卜 2に示す。得られた金属ベース回路基板は、熱伝導率が更に向上し、その他の物性についても良好であった。 [0105] 「比較例 1-1」

表 1-1〖こ示すよう〖こ、 400 /z m厚のァノレミ-ゥム箔上〖こ、エポキシ当量が 187のビスフエノール A型エポキシ榭脂（大日本インキ化学工業社製: EPICLON850— S) 10 0質量部に対して、硬ィ匕剤としてポリオキシプロピレンジァミン (ノヽルツマン社製： D - 400と D— 2000の質量 it力 6 : 4) 63質量咅をカロえ、平均粒子径 2. で最大粒子径が 20 μ mの破砕した酸ィ匕アルミニウム（昭和電工社製: AL— 173)が絶縁層中 80体積％となるように配合し、硬化後の厚さが 100 mになるように絶縁層を形成した。つぎに、 210 m厚の銅箔を張り合わせ、加熱することにより絶縁層を熱硬化させ金属ベース基板を得たこと以外は実施例 1-1と同様に金属ベース回路基板を作製し各種物性を測定した。

それらの結果を表卜 2に示す。得られた金属ベース回路基板は、屈曲性がほとんど無ぐ室温下において手動では折り曲げることができず、折り曲げ用金型とプレス機を用いて 90° に折り曲げた。また、導体回路と絶縁層の接着強度が弱ぐ室温下 90° 折り曲げた状態での絶縁層耐電圧値が極端に低力つた。さらに、 125°C、直流電圧 1000V (パターン側 + )をかけたときの絶縁層破壊時間も極めて短力つた。また、熱伝導率が部分的に異なり、ばらつきが大き力つた。

[0106] 「比較例 1-2」

表 1〖こ示すよう〖こ、 40 /z m厚のァノレミ-ゥム箔上〖こ、エポキシ当量が 187のビスフエノール A型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製: EPICLON850— S) 100質量部に対して、硬ィ匕剤としてポリオキシプロピレンジァミン (ノヽルツマン社製： D— 400 と D— 2000の質量比が 6 :4) 63質量部を加え、平均粒子径 57 mで最大粒子径が 90 μ mの破砕した酸ィ匕アルミニウム（昭和電工社製: A— 13— L)が絶縁層中 50体積％となるように配合し、硬化後の厚さが 60 mとなるように絶縁層を形成した。つぎに、 35 m厚の電解銅箔を張り合わせ、加熱することにより絶縁層を熱硬化させ金属ベース基板を得たこと以外は実施例 1-1と同様の方法で金属ベース回路基板を作製し各種物性を測定した。

それらの結果を表卜 2に示す。得られた金属ベース回路基板は、導体回路面の絶縁層露出部分がアルミナフイラ一の突起と思われる凹凸が多く確認され、室温で折り曲げた時に絶縁層にクラックが発生した。また、導体回路と絶縁層の接着強度が弱く

、室温下 90° 折り曲げた状態での絶縁層耐電圧値が極端に低力つた。さらに、 125 。C、直流電圧 1000V (パターン側 + )をかけたときの絶縁層破壊時間も極めて短かつた o

[0107] 「比較例 1-3」

表 1-1〖こ示すよう〖こ、 400 /z m厚のァノレミ-ゥム箔上〖こ、エポキシ当量が 187のビスフエノール A型エポキシ榭脂（大日本インキ化学工業社製： EPICLON850 - S) 40 質量％とエポキシ当量力 000のビスフエノール A型エポキシ榭脂（ジャパンエポキシレジン社製:ェピコート 1010) 60質量％カもなるエポキシ榭脂 100質量部に対して、硬化剤としてポリオキシプロピレンジァミン（ノヽルツマン社製： D - 400と D - 2000の質量比が 6 :4) 51質量部をカ卩え、平均粒子径 2. 2 mで最大粒子径が 20 mの破砕した酸ィ匕アルミニウム（昭和電工社製: AL— 173)が絶縁層中 50体積％となるように配合し、硬化後の厚さが 100 /z mとなるように絶縁層を形成した。つぎに、 35 m 厚の電解銅箔を張り合わせ、加熱することにより絶縁層を熱硬化させ金属ベース基板を得たこと以外は実施例 1-1と同様の方法で金属ベース回路基板を作製し各種物性を測定した。

それらの結果を表卜 2に示す。得られた金属ベース回路基板は、屈曲性がほとんど無ぐ室温下において手動では折り曲げることができず、折り曲げ用金型とプレス機を用いて 90° に折り曲げたものの、ガラス転移温度 (Tg)が上昇し、室温における屈曲性が不十分であり、室温下 90° 折り曲げた状態での絶縁層耐電圧値が著しく低下した。

[0108] 「比較例 1-4」

表 1-1に示すように、 400 m厚のアルミニウム箔上〖こ、エポキシ当量が 238で榭脂中の塩化物イオン濃度が 1500ppmである水素添加されたビスフエノール A型ェポキシ榭脂（共栄社ィ匕学社製:エボライト 4000) 70質量％とエポキシ当量が 1200で榭脂中の塩化物イオン濃度が 920ppmであるビスフエノール F型エポキシ榭脂（ジャパンエポキシレジン社製：ェピコート 4004P) 30質量⁰ /₀力もなるエポキシ榭脂 100質量部に対して、硬ィ匕剤としてポリオキシプロピレンジァミン (ノヽルツマン社製: D— 400と D— 2000の質量比が 6 :4) 42質量部を加え、平均粒子径 2. で最大粒子径が 20 μ mの破砕した酸ィ匕アルミニウム（昭和電工社製： AL - 173)が絶縁層中 50体積 %となるように配合し、熱硬化性榭脂全体で塩ィ匕物イオン濃度を lOOOppmとし、硬化後の厚さが 100 mとなるように絶縁層を形成した。つぎに、 35 /z m厚の電解銅箔を張り合わせ、加熱することにより絶縁層を熱硬化させ金属ベース基板を得たこと以外は実施例ト 1と同様の方法で金属ベース回路基板を作製し各種物性を測定した。それらの結果を表卜 2に示す。得られた金属ベース回路基板は、 125°C、直流電圧 1000V (パターン側 + )をかけたときの絶縁層破壊時間が極めて短力つた。

[0109] 「比較例 1-5」

表 1-1に示すように、 400 m厚のアルミニウム箔上〖こ、エポキシ当量が 238で榭脂中の塩化物イオン濃度が 1500ppmである水素添加されたビスフエノール A型ェポキシ榭脂（共栄社ィ匕学社製:エボライト 4000) 70質量％とエポキシ当量が 1200で榭脂中の塩化物イオン濃度が 920ppmであるビスフエノール F型エポキシ榭脂（ジャパンエポキシレジン社製：ェピコート 4004P) 30質量⁰ /₀力もなるエポキシ榭脂 100質量部に対して、硬ィ匕剤としてポリオキシプロピレンジァミン (ノヽルツマン社製: D— 400と D— 2000の質量比が 6 :4) 63質量部を加え、最大粒子径が 75 μ m以下で平均粒径が 25 μ mでありナトリウムイオン濃度が 530ppmである球状粗粒子の酸ィ匕アルミ- ゥム（マイクロン社製: AX— 25)と平均粒子径が 1. 2 μ mでナトリウムイオン濃度が 3 96ppmである球状微粒子の酸化アルミニウム（マイクロン社製： AW15- 25)を合わせて絶縁層中 50体積％ (球状粗粒子と球状微粒子が質量比で 7： 3)となるように配合し、硬化後の厚さが 100 /z mとなるように絶縁層を形成した。つぎに、 35 /z m厚の電解銅箔を張り合わせ、加熱することにより絶縁層を熱硬化させ、絶縁層中の熱硬化性榭脂全体で塩ィ匕物イオン濃度が lOOOppmで、絶縁層中の無機フィラー全体でナトリウムイオン濃度が 500ppmである金属ベース基板を得たこと以外は実施例ト 1と同様の方法で金属ベース回路基板を作製し各種物性を測定した。

それらの結果を表卜 2に示す。得られた金属ベース回路基板は、 125°C、直流 10 00Vかけた時の絶縁層破壊時間が著しく短くなつた。

[0110] 金属ベース回路基板の各層の厚み、熱硬化性榭脂の種類と配合量、含有する塩化物イオン濃度、無機フィラーの種類と含有するナトリウムイオン濃度を表 1-1に示す [表 1-1]

表 1—1

展 ¾#¾回附ν < 表 1—2

^〔〕〔〕1201131 οτ ^^瓖一s¾回附12¾ 〔〕 πL0112λ-〜, [0114] (実施例 2-1)

35 μ m厚の銅箔上に、エポキシ当量が 201の水素添カ卩されたビスフエノール A型エポキシ榭脂（ジャパンエポキシレジン社製「YX— 8000」 )をエポキシ榭脂全体で 7 0質量％とエポキシ当量が 1200の水素添加されたビスフエノール Α型エポキシ榭脂（ジャパンエポキシレジン社製「YL— 7170」） 30質量⁰ /₀力もなるエポキシ榭脂 100質量部に対し、硬ィ匕剤としてポリオキシプロピレンジァミン (ノヽルツマン社製「D— 400」と「D— 2000」の質量比が 6： 4) 48質量部を加え、最大粒子径が 75 μ m以下で平均粒子径が 21 μ mである球状粗粒子の酸ィ匕アルミニウム（昭和電工社製「CB— Α20」 )と平均粒子径が 0. 6 μ mである球状微粒子の酸ィ匕アルミニウム (アドマテックス社製 ΓΑΟ— 802」）を合わせて絶縁層中 50体積％ (球状粗粒子と球状微粒子は質量比が 6 :4)となるように配合し、硬化後の厚さが 100 /z mになるように絶縁層を形成した。つぎに、 35 /z m厚の銅箔を張り合わせ、加熱することにより絶縁層を熱硬化させ、内層の箔張り基板を得た。

[0115] さらに、得られた基板について、所定の位置をドライフィルムでマスクして銅箔をェツチングした後、ドライフィルムを除去して回路を形成し内層回路基板とした。

得られた内層回路基板をベースとして上記絶縁層および 35 μ m厚の銅箔を張り合わせ、加熱硬化させ、多層基板を作製した。

[0116] 次に、外層回路の所定箇所にドリルにより直径 0. 5mmの穴を空け、内層回路および外層回路を貫通させて後、銅メツキを施しスルーホールを形成した。この表面にさらに上記方法で外層回路をエッチングし、多層回路基板を得た。

[0117] 多層回路基板について、以下に示す方法で、（1)絶縁層の熱伝導率（2)絶縁層のガラス転移点（3)折り曲げ時の耐電圧 (4)屈曲性 (5)パワー素子の動作安定性を測定'評価した。

[0118] (1)絶縁層の熱伝導率測定

回路基板の絶縁層を別途直径 10mm X厚さ 2mmの円盤状硬化体を作製し、レーザ一フラッシュ法により求めた。

[0119] (2)絶縁層のガラス転移点

多層化する前の一層の回路基板を使用し、ベース材である金属箔と導体回路をェツチング法により除去し、取り出した絶縁層を 5mm X 50mmにカ卩ェして、動的粘弹性測定法により求めた。

[0120] (3)折り曲げ時の耐電圧

外層回路を直径 20mmの円形パターンを形成した多層回路基板の直径 20mmの円形パターンが含まれるように曲率半径 lmmで 90° 折り曲げた状態で JIS C 211 0に規定された段階昇圧法により、内層回路とアルミニウム箔との間の耐電圧を測定した。

[0121] (4)室温での屈曲性

多層回路基板（内層、外層に回路パターンは形成せず全面導体箔の状態のものを使用）を 10mm X 100mmに加工して、 25 ± 1°Cの温度雰囲気下において、両手で導体回路形成面側および導体回路形成面と反対側に曲率半径 5mmで 90° 以上折り曲げることが可能であるものを良好とし、折り曲げを実施する際に、曲げ加工用の金型とプレス機などを用いる必要がある場合を不良とした。

[0122] (5)パワー素子の動作安定性

日立製作所社製 p— mos— FET(2SK2174S)を 2mm間隔で 3個組み込んだモジュールを作製し、 100°Cの環境下で素子 1個当たり 10Wの消費電力となるように 9 6時間連続運転し、誤作動の有無を評価した。誤作動が発生しない場合は、消費電力をさらに 10W加えて再度評価し誤作動の発生した時の消費電力量にてパワー素子の動作安定性を評価した。

[0123] これらの結果を表 2-1に示した。

[0124] [表 2-1]

表 2—1

[0125] (実施例 2-2)

絶縁層の組成を、エポキシ当量が 201の水素添加されたビスフエノール A型ェポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン社製「YX— 8000」 ) 70質量⁰ /₀とエポキシ当量が 12 00の水素添カ卩されたビスフエノール Α型エポキシ榭脂（ジャパンエポキシレジン製「Y L一 7170」） 30質量％からなるエポキシ榭脂 100質量部に対して、硬化剤としてポリォキシプロピレンジァミン（ノヽルツマン社製「D— 400」と「D— 2000」の質量比が 6 :4 )48質量部を加え、最大粒子径が 75 μ m以下で平均粒子径が 21 μ mである球状粗粒子の酸ィ匕アルミニウム（昭和電工社製「CB— A20J )と平均粒子径が 0. 6 μ mである球状微粒子の酸ィ匕アルミニウム (アドマテックス社製「AO - 802」 )を合わせて絶縁層中 65体積％ (球状粗粒子と球状微粒子は質量比が 6： 4)となるように配合した以外は、実施例 2-1と同様の方法で多層回路基板を作製し、実施例 2-1と同様の方法で評価した。それらの評価結果を表 2-1に示す。

[0126] (実施例 2-3)

エポキシ当量が 187のビスフエノール A型エポキシ榭脂（大曰本インキ化学工業社製「EPICLON850— S」） 100質量部に対し、硬化剤としてポリオキシプロピレンジァミン (ノヽルツマン社製「D— 400」と「D— 2000」の質量比が 6： 4) 63質量部をカロえ、最大粒子径が 75 IX m以下で平均粒子径が 21 IX mである球状粗粒子の酸ィ匕アルミユウム (昭和電工社製「CB—A20」 )と平均粒子径が 0. 6 μ mである球状微粒子の酸ィ匕アルミニウム (アドマテックス社製 ΓΑΟ - 802」 )を合わせて絶縁層中 50体積⁰ /₀ ( 球状粗粒子と球状微粒子は質量比が 6 :4)となるように配合した以外は、実施例 2-1 と同様の方法で多層回路基板を作製し、実施例 2-1と同様の方法で評価した。それらの評価結果を表 2-1に示す。

[0127] (実施例 2-4)

エポキシ当量が 201の水素添加されたビスフエノール A型エポキシ榭脂（ジャパンエポキシレジン社製「YX— 8000」） 100質量部に対し、硬ィ匕剤としてポリオキシプロピレンジァミン（ノヽルツマン社製「D— 400」と「D— 2000」の質量比が 6 :4) 60質量部を加え、最大粒子径が 75 μ m以下で平均粒子径が 21 μ mである球状粗粒子の酸化アルミニウム（昭和電工社製「CB— A20」）と平均粒子径が 0. 6 μ mである球状微粒子の酸ィ匕アルミニウム（アドマテックス社製 ΓΑΟ— 802」）を合わせて絶縁層中 50 体積％ (球状粗粒子と球状微粒子は質量比が 6： 4)となるように配合した以外は、実施例 2-1と同様の方法で多層回路基板を作製し、実施例 2-1と同様の方法で評価した。それらの評価結果を表 2-1に示す。

[0128] (比較例 2-1)

エポキシ当量が 187のビスフエノール A型エポキシ榭脂（大日本インキ化学工業社製「EPICLON850— S」） 100質量部に対し、硬化剤としてポリオキシプロピレンジァミン（ノヽルツマン社製「D— 400」と「D— 2000」の質量比が 6： 4) 63質量部を加え、最大粒子径が 75 μ m以下で平均粒子径が 21 μ mである球状粗粒子の酸化アルミ -ゥム（昭和電工社製「CB— A20」）と平均粒子径が 0. 6 μ mである球状微粒子の酸ィ匕アルミニウム (アドマテックス社製 ΓΑΟ - 802」 )を合わせて絶縁層中 80体積⁰ /₀ ( 球状粗粒子と球状微粒子は質量比が 6 :4)となるように配合した以外は、実施例 2-1 と同様の方法で多層回路基板を作製し、実施例 2-1と同様の方法で評価した。それらの評価結果を表 2-1に示す。得られた多層回路基板は、屈曲性がほとんど無ぐ室温下にお、て手動では折り曲げることができず、折り曲げ用金型とプレス機を用いて 90° に折り曲げた。また、耐電圧が低くなつた。

[0129] (比較例 2-2)

1500 111厚の八1板上に、絶縁層を形成した以外は、実施例 2-1と同様の方法で多層回路基板を作製し、実施例 2-1と同様の方法で評価した。それらの評価結果を表 2-1に示す。得られた多層回路基板は、屈曲性がほとんど無ぐ室温下において手動では折り曲げることができず、折り曲げ用金型とプレス機を用いて 90° に折り曲げた。多層回路基板の各種特性を表 2-1に示す。

< LEDモジユーノレ >

(実施例 3-1)

18 μ m厚の銅箔上に、エポキシ当量が 207の水素添カ卩されたビスフエノール A型エポキシ榭脂（大日本インキ化学工業社製 ΓΕΧΑ- 7015」）をエポキシ榭脂全体で 70質量％と、エポキシ当量が 1200の水素添カ卩されたビスフエノール A型エポキシ榭脂（ジャパンエポキシレジン社製「YL— 7170」） 30質量％と力もなるエポキシ榭脂 10 0質量部に対し、硬ィ匕剤としてポリオキシプロピレンジァミン (ノヽルツマン社製「D— 40 0」と「D— 2000」の質量比が 6： 4のもの） 48質量部を加え、最大粒子径を 30 μ m以下とした平均粒子径が 10 mで、ナトリウムイオン濃度が 90ppmである球状粗粒子の酸ィ匕アルミニウム（電気化学工業社製「DAW— 10」）と平均粒子径が 0. 7 mでナトリウムイオン濃度が 8ppmである球状微粒子の酸ィ匕アルミニウム (住友ィ匕学社製「 AKP- 15J )を合わせて、絶縁層中 50体積％ (球状粗粒子と球状微粒子は質量比が 7： 3)となるように配合し、硬化後の厚さが 50 mになるように絶縁層を形成した。つぎに、 18 /z m厚の銅箔を張り合わせ、加熱することにより絶縁層を熱硬化させ、絶縁層中の熱硬化性榭脂全体で塩ィ匕物イオン濃度が 300ppm以下で、絶縁層中の無機フィラー全体でナトリウムイオン濃度が 50ppm以下である金属ベース基板を得た。

[0130] 金属ベース基板について、所定の位置をエッチングレジストでマスクして銅箔をエツチングした後、エッチングレジストを除去して回路を形成し金属ベース回路基板とした。その後、金属ベース回路基板の部品搭載部分と入力端子部分以外を 12. 厚みのカバーレイ (二ツカン工業社製「二カフレックス CKSE」を貼り付けることにより、基板を補強した。

[0131] 次に、所望のスリット形状と同一形状のトムソン型を取り付けたプレス打ち抜き装置を用いて、導体回路および電極が形成されていない箇所の一部金属箔、絶縁層およびカバーレイを取り除き、折り曲げる部分の長さに対して 80%加工し、加工したスリツト部を含めて容易に折り曲げることができる金属ベース回路基板を得た。

[0132] さらに、金属ベース回路基板の部品搭載部分の電極にクリーム半田（千住金属社製「M705」）をスクリーン印刷にて塗布し、半田リフローにより LED (日亜ィ匕学社製「 NFSW036B」）を実装した。その後、金属ベース回路基板をスリット部が含まれる様に、幅力 S200mm、厚みが 0. 6mmで一辺を曲率半径 0. 3mmに加工したステンレス製の折り曲げ治具を用いて、金属ベース回路基板を曲率半径 0. 3mmで折り曲げて、厚さ lmmのアルミニウム製筐体に熱伝導性粘着テープを用いて固定し、 LEDモジユールを得た。

[0133] 次に示す方法で、（1)室温での引っ張り強さ、（2)室温での屈曲性、（3)導体回路の評価 (4)折り曲げ時の耐電圧、 (5)電磁波吸収特性につ!、て測定した。

[0134] (1)室温での引っ張り強さ

金属ベース回路基板を 10mm X 100mmに加工して、 25± 1°Cの温度雰囲気下において、テンシロン引っ張り強度試験機にて金属ベース回路基板が破断する時の強さを測定し、引っ張り強さとした。

[0135] (2)室温での屈曲性

金属ベース回路基板を 10mm X 100mmに加工して、 25± 1°Cの温度雰囲気下において、両手で導体回路形成面側および導体回路形成面と反対側に曲率半径 0 . 5mmで 90° 以上折り曲げることが可能であるものを良好とし、折り曲げを実施する際に、曲げ加工用の金型とプレス機などを用いる必要がある場合を不良とした。

[0136] (3)導体回路の評価

25 ± 1°Cの温度雰囲気下において得られた LEDモジュールに安定ィ匕電源を接続して電圧 10V、電流 150mA流して LEDを 1時間以上点灯させた。その時に LEDが 1時間以上点灯した場合を良好とし、 LEDが未点灯や 1時間以上点灯しな力つた場合を不良とした。

[0137] (4)折り曲げ時の耐電圧

金属ベース回路基板を曲率半径 0. 3mmで 90° 折り曲げた状態で JIS C 2110 に規定された段階昇圧法により導体回路とベース金属箔 (Cu箔)との間の耐電圧を測定した。 [0138] (5)電磁波吸収特性

得られた基板に対し、ネットワークアナライザ (8517D、アジレントテクノロジ一社製) を使用して、 300MHz,及び 1GHzの周波数に対し電磁波吸収特性を測定した。吸収特性は、マイクロストリップライン法を用いて、ライン上の電磁波の反射信号 S 11と伝送信号 S21の測定結果から、吸収割合 (PlossZPin)を算出した。

[0139] これらの結果を表 3-1に示した。

[表 3-1] 表 3— 1

[0140] (実施例 3- 2)

18 μ m厚の銅箔上に、エポキシ当量が 207の水素添カ卩されたビスフエノール A型エポキシ榭脂（大日本インキ化学工業社製 ΓΕΧΑ- 7015」）をエポキシ榭脂全体で 70質量％と、エポキシ当量が 1200の水素添カ卩されたビスフエノール A型エポキシ榭脂（ジャパンエポキシレジン社製「YL— 7170」） 30質量％と力もなるエポキシ榭脂 10 0質量部に対し、硬ィ匕剤としてポリオキシプロピレンジァミン (ノヽルツマン社製「D— 40 0」と「D— 2000」の質量比が 6： 4のもの） 48質量部を加え、最大粒子径を 30 μ m以下とした平均粒子径が 10 mで、ナトリウムイオン濃度が 90ppmである球状粗粒子の酸ィ匕アルミニウム（電気化学工業社製「DAW— 10」）と平均粒子径が 0. 7 mでナトリウムイオン濃度が 8ppmである球状微粒子の酸ィ匕アルミニウム (住友ィ匕学社製「 AKP- 15J )を合わせて、絶縁層中 50体積％ (球状粗粒子と球状微粒子は質量比が 7： 3)となるように配合し、硬化後の厚さが 50 mになるように絶縁層を形成した。つぎに、 18 /z m厚の銅箔を張り合わせ、加熱することにより絶縁層を熱硬化させ、絶縁層中の熱硬化性榭脂全体で塩ィ匕物イオン濃度が 300ppm以下で、絶縁層中の無機フイラ一全体でナトリウムイオン濃度が 50ppm以下である金属ベース基板を得た。

[0141] 金属ベース基板について、所定の位置をエッチングレジストでマスクして銅箔をエツチングした後、エッチングレジストを除去して回路を形成し金属ベース回路基板とした。その後、金属ベース回路基板の部品搭載部分と入力端子部分以外を 12. 厚みのカバーレイ (二ツカン工業社製「二カフレックス CKSE」）を貼り付けることにより、基板を補強した。

[0142] 次に磁性損失を有する層が、アスペクト比が 4である磁性材料と有機結合材とからなる、前記磁性材料の含有量が 50vol%である、厚さ 30 mの磁性損失を有する層をカバーレイの上面に形成した。

[0143] 次に、幅力 S200mm、厚みが 0. 6mmで一辺を曲率半径 0. 3mmに加工したステンレス製の折り曲げ治具を用いて、導体回路および電極が形成されてヽなヽ箇所の一部金属箔、絶縁層、カバーレイ及び磁性損失を有する層を取り除き、折り曲げる部分の長さに対して 80%加工し、加工したスリット部を含めて容易に折り曲げることができる金属ベース回路基板を得た。

[0144] 次に金属ベース回路基板の部品搭載部分の電極にクリーム半田（千住金属社製「 M705J )をスクリーン印刷にて塗布し、半田リフローにより LED (日亜ィ匕学社製「NF SW036B」）を実装した。その後、金属ベース回路基板をスリット部が含まれる様に金属ベース回路基板を曲率半径 0. 3mmで折り曲げて厚さ lmmのアルミニウム製筐体に熱伝導性粘着テープを用いて固定し、 LEDモジュールを得た。実施例 3-1と同様に評価した結果を表 3-1に示した。

[0145] (実施例 3-3)

18 μ m厚の銅箔上に、エポキシ当量が 207の水素添カ卩されたビスフエノール A型エポキシ榭脂（大日本インキ化学工業社製 ΓΕΧΑ- 7015」）をエポキシ榭脂全体で 70質量％と、エポキシ当量が 1200の水素添カ卩されたビスフエノール A型エポキシ榭脂（ジャパンエポキシレジン社製「YL— 7170」） 30質量％と力もなるエポキシ榭脂 10 0質量部に対し、硬ィ匕剤としてポリオキシプロピレンジァミン (ノヽルツマン社製「D— 40 0」と「D— 2000」の質量比が 6： 4のもの） 48質量部を加え、最大粒子径を 30 μ m以下とした平均粒子径が 10 mで、ナトリウムイオン濃度が 90ppmである球状粗粒子の酸ィ匕アルミニウム（電気化学工業社製「DAW— 10」）と平均粒子径が 0. 7 mでナトリウムイオン濃度が 8ppmである球状微粒子の酸ィ匕アルミニウム (住友ィ匕学社製「 AKP- 15J )を合わせて、絶縁層中 50体積％ (球状粗粒子と球状微粒子は質量比が 7： 3)となるように配合し、硬化後の厚さが 50 mになるように絶縁層を形成した。つぎに、 18 m厚の銅箔を張り合わせ、加熱することにより絶縁層を熱硬化させ、絶縁層中の熱硬化性榭脂全体で塩ィ匕物イオン濃度が 300ppm以下で、絶縁層中の無機フイラ一全体でナトリウムイオン濃度が 50ppm以下である金属ベース基板を得た。

[0146] 金属ベース基板について、所定の位置をエッチングレジストでマスクして銅箔をエツチングした後、エッチングレジストを除去して回路を形成し金属ベース回路基板とした。その後、金属ベース回路基板の部品搭載部分と入力端子部分以外を 12. 厚みのカバーレイ (二ツカン工業社製「二カフレックス CKSE」を貼り付けることにより、基板を補強した。

[0147] 次に比表面積が 100m²Zg、JIS K 1469による電気抵抗率が 0. l Q cm以下であるホウ素固溶のカーボンブラックであるカーボン粉末と有機結合材とからなる、前記カーボン粉末の含有量が 50vol%で厚さが 30 μ mの誘電損失を有する層をカバーレイの上面に形成した。

[0148] 次に、幅力 S200mm、厚みが 0. 6mmで一辺を曲率半径 0. 3mmに加工したステンレス製の折り曲げ治具を用いて、導体回路および電極が形成されてヽなヽ箇所の一部金属箔、絶縁層、カバーレイ及び誘電損失を有する層を取り除き、折り曲げる部分の長さに対して 80%加工し、加工したスリット部を含めて容易に折り曲げることができる金属ベース回路基板を得た。

[0149] 次に金属ベース回路基板の部品搭載部分の電極にクリーム半田（千住金属社製「 M705J )をスクリーン印刷にて塗布し、半田リフローにより LED (日亜ィ匕学社製「NF SW036B」）を実装した。その後、金属ベース回路基板をスリット部が含まれる様に金属ベース回路基板を曲率半径 0. 3mmで折り曲げて厚さ lmmのアルミニウム製筐体に熱伝導性粘着テープを用いて固定し、 LEDモジュールを得た。実施例 3-1と同様に評価した結果を表 3-1に示した。

[0150] (比較例 3-1)

カバーレイを貼り付けることによる基板を補強と折り曲げる部分のスリット加工を行わない以外は全て実施例 3-1と同様の処理を行い、金属ベース回路基板を得た。

[0151] 次に金属ベース回路基板の部品搭載部分の電極にクリーム半田（千住金属社製「 M705J )をスクリーン印刷にて塗布し、半田リフローにより LED (日亜ィ匕学社製「NF SW036B」）を実装した。その後、金属ベース回路基板を曲率半径 0. 3mmで折り曲げて厚さ lmmのアルミニウム製筐体に熱伝導性粘着テープを用いて固定し、 LED モジュールを得た。実施例 3-1と同様に評価した結果を表 3-1に示した。

[0152] (比較例 3-2)

折り曲げる部分のスリット力卩ェを行わない以外は全て実施例 3-1と同様の処理を行い、金属ベース回路基板を得た。

[0153] 次に金属ベース回路基板の部品搭載部分の電極にクリーム半田（千住金属社製「 M705J )をスクリーン印刷にて塗布し、半田リフローにより LED (日亜ィ匕学社製「NF SW036B」）を実装した。その後、金属ベース回路基板を曲率半径 0. 3mmで折り曲げて厚さ lmmのアルミニウム製筐体に熱伝導性粘着テープを用いて固定し、 LED モジュールを得た。実施例 3-1と同様に評価した結果を表 3-1に示した。

[0154] (比較例 3-3)

磁性損失を有する層が、アスペクト比が 1である磁性材料と有機結合材とからなる、厚さ 2 mの磁性損失層を前記磁性材料の含有量が 20vol%の磁性損失を有する層をカバーレイの上面に形成する以外は実施例 3-2と同様の処理を行い、金属べ一ス回路基板を得た。

[0155] 次に金属ベース回路基板の部品搭載部分の電極にクリーム半田（千住金属社製「 M705J )をスクリーン印刷にて塗布し、半田リフローにより LED (日亜ィ匕学社製「NF SW036B」）を実装した。その後、金属ベース回路基板をスリット部が含まれる様に金属ベース回路基板を曲率半径 0. 3mmで折り曲げて厚さ lmmのアルミニウム製筐体に熱伝導性粘着テープを用いて固定し、 LEDモジュールを得た。実施例 3-1と同様に評価した結果を表 3-1に示した。 [0156] (比較例 3-4)

比表面積が 10m²Zg、JIS

K 1469による体積抵抗率が 0. 2 Ω cmであるホウ素固溶のカーボンブラックであるカーボン粉末と有機結合材とからなる、前記カーボン粉末の含有量が 4vol%で厚さ ifi2 ix mの誘電損失を有する層をカバーレイの上面に形成した以外は実施例 3-3と同様の処理を行い、金属ベース回路基板を得た。

[0157] 次に金属ベース回路基板の部品搭載部分の電極にクリーム半田（千住金属社製「 M705J )をスクリーン印刷にて塗布し、半田リフローにより LED (日亜ィ匕学社製「NF SW036B」）を実装した。その後、金属ベース回路基板をスリット部が含まれる様に金属ベース回路基板を曲率半径 0. 3mmで折り曲げて厚さ lmmのアルミニウム製筐体に熱伝導性粘着テープを用いて固定し、 LEDモジュールを得た。実施例 3-1と同様に評価した結果を表 3-1に示した。

[0158] < LED光源ユニット >

(実施例 4-1)

35 μ m厚の銅箔上に、エポキシ当量が 207の水素添カ卩されたビスフエノール A型エポキシ榭脂（大日本インキ化学工業社製 ΓΕΧΑ- 7015」）をエポキシ榭脂全体で 70質量％と、エポキシ当量が 1200の水素添カ卩されたビスフエノール A型エポキシ榭脂（ジャパンエポキシレジン社製「YL— 7170」） 30質量％と力もなるエポキシ榭脂 10 0質量部に対し、硬ィ匕剤としてポリオキシプロピレンジァミン (ノヽルツマン社製「D— 40 0」と「D— 2000」の質量比が 6： 4のもの） 48質量部を加え、最大粒子径が 75 μ m以下で平均粒子径が 21 μ mであり、ナトリウムイオン濃度が lOppmである球状粗粒子の酸ィ匕アルミニウム（昭和電工社製「CB— A20」）と平均粒子径が 0. 7 μ mでナトリウムイオン濃度が 8ppmである球状微粒子の酸ィ匕アルミニウム (住友化学社製 ΓΑΚΡ - 15」 )を合わせて、絶縁層中 50体積％ (球状粗粒子と球状微粒子は質量比が 7： 3)となるように配合し、硬化後の厚さが 100 mになるように絶縁層を形成した。つぎに、 35 μ m厚の銅箔を張り合わせ、加熱することにより絶縁層を熱硬化させ、絶縁層中の熱硬化性榭脂全体で塩ィ匕物イオン濃度が 300ppm以下で、絶縁層中の無機フィラー全体でナトリウムイオン濃度が 50ppm以下である金属ベース基板を得た。 [0159] 金属ベース基板について、所定の位置をエッチングレジストでマスクして銅箔をエツチングした後、エッチングレジストを除去して回路を形成し金属ベース回路基板とした

[0160] 熱伝導性粘着テープはアクリルゴム 10質量％ (日本ゼオン社製「AR— 53L」 )が溶解された 2—ェチルへキシルアタリレート（東亞合成社製「2EHA」） 90質量⁰ /₀に、ァクリル酸 (東亜合成社製「AA」）10質量％を混合し、光重合開始剤 2, 2—ジメトキシ - 1, 2—ジフエ-ルェタン一 1—オン 0. 5質量⁰ /₀ (チノく'スペシャルティ'ケミカルズ社製）、トリエチレングリコールジメルカプタン 0. 2質量⁰ /₀ (丸善ケミカル社製）、 2—ブチルー 2—ェチルー 1, 3—プロパンジオールジアタリレート 0. 2質量⁰ /₀ (共栄社化学社製)をさらに添加し混合、榭脂組成物を得た。

[0161] 前記榭脂組成物に、酸ィ匕アルミニウム (電気化学工業製「DAW— 10」）を 300質量部充填し、混合、分散して熱伝導榭脂組成物を得た。

[0162] 熱伝導榭脂組成物を脱泡処理し、表面に離型処理を施した厚さ 75 μ mのポリエステルフィルム上に、厚さ 100 μ mとなるように塗工して、離型処理を表面に施したポリエステルフィルムを被せ、 365nmの紫外線を表裏から 3000mjZcm²照射して、熱伝導粘着テープを得た。

[0163] 金属ベース回路基板の導体回路の所定の位置にクリーム半田（千住金属社製製「 M705J )をスクリーン印刷にて塗布し、半田リフローにより LED (日亜ィ匕学社製「NF SW036AT」）を実装した。その後、金属ベース回路基板の LEDが実装されていない側を熱伝導率が lWZmKで、厚さ 100 μ mの熱伝導性粘着テープにて U字型の筐体に固定し、 LED光源ユニットを得た。

[0164] 温度 23°C、湿度 30%の環境下にて、得られた LED光源ユニットに安定ィ匕電源を接続して電流 450mA流して LED点灯させた。そのときの電圧は 11. 8Vであった。点灯させた LEDの温度を熱伝対により測定したところ、 LEDの温度は 45°Cであった

[0165] 次に示す方法で、（1)室温での屈曲性、（2)絶縁層の熱伝導率、（3)熱伝導粘着テープの熱伝導率、（4)室温下で U字型筐体へ固定した時の絶縁層クラック発生の有無、（5) LED点灯時の LED温度にっ、て測定した。 [0166] (1)室温での屈曲性

金属ベース回路基板を 10mm X 100mmに加工して、 25± 1°Cの温度雰囲気下において、両手で導体回路形成面側および導体回路形成面と反対側に曲率半径 5 mmで 90° 以上折り曲げることが可能であるものを良好とし、折り曲げを実施する際に、曲げ加工用の金型とプレス機などを用いる必要がある場合を不良とした。

[0167] (2)絶縁層の熱伝導率

金属ベース回路基板の金属箔と導体回路とを除去し、絶縁層を直径 10mm X厚さ 100 mにカロェして、レーザーフラッシュ法により求めた。

[0168] (3)熱伝導性粘着テープの熱伝導率

測定サンプルを、厚さ 10mmになるように積層して、 50mm X 120mmに加工して迅速熱伝導率計 (QTM— 500、京都電子工業社製）により求めた。

[0169] (4)絶縁層クラック発生の有無

室温下で 90° 折り曲げた状態での絶縁層クラック発生の有無を目視で観察した。

[0170] (5) LED点灯時の LED温度

LEDに 450mAの定格電流を印可して LEDを点灯させ、 15分後の LED半田接合部の温度を測定した。

[0171] [表 4-1]

字筐体定時型固した Uのへ

点灯時 L E D

発有プ絶層生伝導率縁クク粘着熱絶縁層熱伝導率ラののテののッー度温の L E D

無

() ()°/ (/)CWKWKmm

実施例14- 実施例24-

J)

施実例34- 疆 m m

施実例 44- 較例比 41- 較例比 42 -

(実施例 4- 2)

35 μ m厚の銅箔上に、エポキシ当量が 207の 170ppmである水素添カ卩されたビスフエノール A型エポキシ榭脂（大日本インキ化学工業社製 ΓΕΧΑ- 7015」） 70質量 %とエポキシ当量が 1200の水素添加されたビスフエノール A型エポキシ榭脂（ジャパンエポキシレジン製「YL— 7170」） 30質量％とからなるエポキシ榭脂 100質量部に対して、硬ィ匕剤としてポリオキシプロピレンジァミンルツマン社製「D— 400」と「 D— 2000」の質量比が 6 4) 48質量部を加え、最大粒子径が 75 μ m以下で平均粒子径が 21 a mでありナトリウムイオン濃度が lOppmである球状粗粒子の酸ィ匕アルミ -ゥム（昭和電工社製「CB— A20」）と平均粒子径が 0. 7 mでナトリウムイオン濃度力 ^ppmである球状微粒子の酸ィ匕アルミニウム (住友化学社製 ΓΑΚΡ—15」）を合わせて絶縁層中 66体積％ (球状粗粒子と球状微粒子は質量比が 7： 3)となるように配合し、硬化後の厚さが 100 mになるように絶縁層を形成した。つぎに、 35 m厚の銅箔を張り合わせ、加熱することにより絶縁層を熱硬化させ、絶縁層中の熱硬化性榭脂全体で塩ィ匕物イオン濃度が 300ppm以下で、絶縁層中の無機フィラー全体でナトリウムイオン濃度が 60ppm以下である金属ベース基板を得た。

[0173] 金属ベース基板について、片側の銅箔面に対して所定の位置をエッチングレジストでマスクして銅箔をエッチングした後、エッチングレジストを除去して回路を形成し金属ベース回路基板とした。

[0174] 金属ベース回路基板の導体回路の所定の位置にクリーム半田（千住金属社製「M 705」）をスクリーン印刷にて塗布し、半田リフローにより LED (日亜ィ匕学社製「NFS W036AT」）を実装した。その後、金属ベース回路基板の LEDが実装されていない側を実施例 1で得た熱伝導率が lWZmKで厚さ 100 μ mの熱伝導性粘着テープにて U字型の筐体に固定し、 LED光源ユニットを得た。

[0175] 温度 23°C、湿度 30%の環境下にて、 LED光源ユニットに安定ィ匕電源を接続して電流 450mA流して LEDを点灯させた。そのときの電圧は 11. 7Vであった。点灯させた LEDの温度を熱伝対により測定したところ、 LEDの温度は 43°Cであった。それらの結果を表 4- 1に示す。絶縁層の熱伝導率の向上により点灯させた LEDの温度が低下した。その他の物性についても良好であった。

[0176] (実施例 4-3)

35 μ m厚の銅箔上に、エポキシ当量が 207の水素添カ卩されたビスフエノール A型エポキシ榭脂（大日本インキ化学工業社製 ΓΕΧΑ- 7015」）をエポキシ榭脂全体で 70質量％とエポキシ当量が 1200の水素添カ卩されたビスフエノール A型エポキシ榭脂（ジャパンエポキシレジン社製「YL— 7170」） 30質量％と力もなるエポキシ榭脂 10 0質量部に対し、硬ィ匕剤としてポリオキシプロピレンジァミン (ノヽルツマン社製「D— 40 0」と「D— 2000」の質量比が 6： 4) 48質量部を加え、最大粒子径が 75 μ m以下で平均粒子径が 21 μ mでありナトリウムイオン濃度が lOppmである球状粗粒子の酸ィ匕ァルミ-ゥム（昭和電工社製「CB— A20」）と平均粒子径が 0. 7 μ mでナトリウムイオン濃度が 8ppmである球状微粒子の酸ィ匕アルミニウム (住友化学社製 ΓΑΚΡ— 15」）を合わせて絶縁層中 50体積％ (球状粗粒子と球状微粒子は質量比が 7： 3)となるように配合し、硬化後の厚さが 100 /z mになるように絶縁層を形成した。つぎに、 35 m 厚の銅箔を張り合わせ、加熱することにより絶縁層を熱硬化させ、絶縁層中の熱硬化性榭脂全体で塩ィ匕物イオン濃度が 300ppm以下で、絶縁層中の無機フィラー全体でナトリウムイオン濃度が 50ppm以下である金属ベース基板を得た。

[0177] 金属ベース基板について、所定の位置をエッチングレジストでマスクして銅箔をエツチングした後、エッチングレジストを除去して回路を形成し金属ベース回路基板とした

[0178] 金属ベース回路基板の導体回路の所定の位置にクリーム半田（千住金属社製「M 705」）をスクリーン印刷にて塗布し、半田リフローにより LED (日亜ィ匕学社製「NFS W036AT」）を実装した。その後、金属ベース回路基板の LEDが実装されていない側を、後述する、熱伝導率が 2WZmKで厚さ 100 mの熱伝導性粘着テープにて、 U字型の筐体に固定し、 LED光源ユニットを得た。

[0179] 熱伝導性粘着テープの榭脂組成物は、酸ィ匕アルミニウム (電気化学工業製「DAW —10」）を 400質量部充填したことを除いて、実施例 4-1で得た組成で、実施例 4-1 に示した手順によったものである。

[0180] 温度 23°C、湿度 30%の環境下にて、 LED光源ユニットに安定ィ匕電源を接続して電流 450mA流して LEDを点灯させた。そのときの電圧は 11. 7Vであった。点灯させた LEDの温度を熱伝対により測定したところ、 LEDの温度は 42°Cであった。

[0181] (実施例 4- 4)

35 μ m厚の銅箔上に、エポキシ当量が 207の 170ppmである水素添カ卩されたビスフエノール A型エポキシ榭脂（大日本インキ化学工業社製 ΓΕΧΑ- 7015」） 70質量 %とエポキシ当量が 1200の水素添加されたビスフエノール A型エポキシ榭脂（ジャノンエポキシレジン製「YL— 7170」 ) 30質量⁰ /₀力もなるエポキシ榭脂 100質量部に対して、硬化剤としてポリオキシプロピレンジァミン（ノヽルツマン社製「D— 400」と「D 2000」の質量比が 6： 4) 48質量部を加え、最大粒子径が 75 μ m以下で平均粒子径が 21 μ mでありナトリウムイオン濃度が lOppmである球状粗粒子の酸ィ匕アルミ-ゥム（昭和電工社製「CB— A20」）と平均粒子径が 0. 7 mでナトリウムイオン濃度が 8 ppmである球状微粒子の酸ィ匕アルミニウム (住友化学社製 ΓΑΚΡ—15」）を合わせて絶縁層中 66体積％ (球状粗粒子と球状微粒子は質量比が 7： 3)となるように配合し、硬化後の厚さが 100 mになるように絶縁層を形成した。つぎに、 35 m厚の銅箔を張り合わせ、加熱することにより絶縁層を熱硬化させ、絶縁層中の熱硬化性榭脂全体で塩ィ匕物イオン濃度が 300ppm以下で、絶縁層中の無機フィラー全体でナトリウムイオン濃度が 60ppm以下である金属ベース基板を得た。

[0182] 金属ベース基板について、片側の銅箔面に対して所定の位置をエッチングレジストでマスクして銅箔をエッチングした後、エッチングレジストを除去して回路を形成し金属ベース回路基板とした。

[0183] 金属ベース回路基板の導体回路の所定の位置にクリーム半田（千住金属社製「M 705」）をスクリーン印刷にて塗布し、半田リフローにより LED (日亜ィ匕学社製「NFS W036AT」）を実装した。その後、金属ベース回路基板の LEDが実装されていない側を、実施例 4-3で得た熱伝導率が 2WZmKで厚さ 100 mの熱伝導性粘着テープにて U字型の筐体に固定し、 LED光源ユニットを得た。

[0184] 温度 23°C、湿度 30%の環境下にて、 LED光源ユニットに安定ィ匕電源を接続して電流 450mA流して LEDを点灯させた。そのときの電圧は 11. 6Vであった。点灯させた LEDの温度を熱伝対により測定したところ、 LEDの温度は 38°Cであった。それらの結果を表 4- 1に示す。絶縁層の熱伝導率の向上により点灯させた LEDの温度が低下した。その他の物性についても良好であった。

[0185] (比較例 4-1)

35 μ m厚の銅箔に 50 μ m厚のポリイミドフィルム系絶縁層を介して、 35 μ m厚の銅箔が形成されてヽるポリイミド系フレキシブル基板 (松下電工社製「R— F775」 )にっ、て、片側の銅箔面に対して所定の位置をエッチングレジストでマスクして銅箔をエッチングした後、エッチングレジストを除去して回路を形成し金属ベース回路基板とした。

[0186] 金属ベース回路基板の導体回路の所定の位置にクリーム半田（千住金属社製「M 705」）をスクリーン印刷にて塗布し、半田リフローにより LED (日亜ィ匕学社製「NFS W036AT」）を実装した。その後、金属ベース回路基板の LEDが実装されていない側を 125 μ m厚の粘着テープ (住友 3Μ社製「F— 9469PC」）にて U字型の筐体に固定し、 LED光源ユニットを得た。

[0187] 温度 23°C、湿度 30%の環境下にて、 LED光源ユニットに安定ィ匕電源を接続して電流 450mA流して LEDを点灯させた。そのときの電圧は 12. 5Vであった。点灯させた LEDの温度を熱伝対により測定したところ、 LEDの温度は 65°Cであった。

[0188] (比較例 4-2)

35 μ m厚の銅箔上に、エポキシ当量が 207の水素添カ卩されたビスフエノール A型エポキシ榭脂（大日本インキ化学工業社製 ΓΕΧΑ- 7015」）をエポキシ榭脂全体で 70質量％とエポキシ当量が 1200の水素添カ卩されたビスフエノール A型エポキシ榭脂（ジャパンエポキシレジン社製「YL— 7170」） 30質量％カもなるエポキシ榭脂 100 質量部に対し、硬ィ匕剤としてポリオキシプロピレンジァミン (ノヽルツマン社製「D— 400 」と「D— 2000」の質量比が 6： 4) 48質量部を加え、最大粒子径が 75 μ m以下で平均粒子径が 21 μ mでありナトリウムイオン濃度が lOppmである球状粗粒子の酸ィ匕ァルミ-ゥム（昭和電工社製「CB— A20」）と平均粒子径が 0. 7 μ mでナトリウムイオン濃度が 8ppmである球状微粒子の酸ィ匕アルミニウム (住友化学社製 ΓΑΚΡ— 15」）を合わせて絶縁層中 50体積％ (球状粗粒子と球状微粒子は質量比が 7： 3)となるように配合し、硬化後の厚さが 100 /z mになるように絶縁層を形成した。つぎに、 35 m 厚の銅箔を張り合わせ、加熱することにより絶縁層を熱硬化させ、絶縁層中の熱硬化性榭脂全体で塩ィ匕物イオン濃度が 300ppm以下で、絶縁層中の無機フィラー全体でナトリウムイオン濃度が 50ppm以下である金属ベース基板を得た。

[0189] 金属ベース基板について、所定の位置をエッチングレジストでマスクして銅箔をエツチングした後、エッチングレジストを除去して回路を形成し金属ベース回路基板とした

[0190] 金属ベース回路基板の導体回路の所定の位置にクリーム半田（千住金属社製「M 705」）をスクリーン印刷にて塗布し、半田リフローにより LED (日亜ィ匕学社製「NFS W036AT」）を実装した。その後、金属ベース回路基板の LEDが実装されていない側を 125 μ m厚の粘着テープ (住友 3Μ社製「F— 9469PC」）にて U字型の筐体に固定し、 LED光源ユニットを得た。

[0191] 温度 23°C、湿度 30%の環境下にて、 LED光源ユニットに安定ィ匕電源を接続して電流 450mA流して LEDを点灯させた。そのときの電圧は 11. 2Vであった。点灯させた LEDの温度を熱伝対により測定したところ、 LEDの温度は 55°Cであった。産業上の利用可能性

[0192] 本発明の金属ベース回路基板は、熱放散性と電気絶縁性を有し、しカゝも放熱が必要な半導体素子や抵抗チップなどの電気部品を実装した状態でも容易に室温で折り曲げることができるので、従来は困難であった高発熱性電子部品を実装した電子機器の小型化または薄型化が可能となる。

すなわち、本発明の金属ベース回路基板は、複雑形状の筐体や放熱部材に接した混成集積回路や、カバーレイが貼り付けられ、所望の位置にスリット加工が施されてヽるので折り曲げ性が確保された、あるいは磁性損失を有する層又は誘電損失を有する層が形成された LEDモジュールや、 LED光源から発生する熱を効率よく基板裏面側に放熱して LEDの温度上昇を小さくし、 LEDの発光効率低下を抑制した明るく長寿命と、う特徴を有する LED光源ユニットへの応用など、 V、ろ、ろな用途分野に適用できる。

なお、 2005年 4月 19曰に出願された曰本特許出願 2005— 120891号、 2006年 1月 23日に出願された日本特許出願 2006— 013289号、 2006年 2月 7日に出願された曰本特許出願 2006— 030024号、および 2006年 3月 28曰〖こ出願された曰本特許出願 2006— 87688号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。

Claims

請求の範囲

[I] 絶縁層と導体回路又は金属箔とが交互に積層されている回路基板であって、導体回路又は金属箔の厚さが 5 μ m以上 450 m以下、絶縁層が無機フィラーと熱硬化性榭脂とを含有する榭脂組成物の硬化体からなり、前記絶縁層の厚さが 9 μ m以上 300 μ m以下であることを特徴とする金属ベース回路基板。

[2] 導体回路又は金属箔間を電気的に接続するために使用するスルーホールの少なくとも 1個力 0. 0078mm²以上である請求項 1に記載の金属ベース回路基板。

[3] 絶縁層の熱伝導率が l〜4WZmKである請求項 1又は 2に記載の金属ベース回路基板。

[4] 絶縁層のガラス転移温度が 0〜40°Cである請求項 1乃至 3の、ずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

[5] 絶縁層が、熱硬化性榭脂を 25〜60体積％含有し、残部が最大粒子径 75 μ m以下で平均粒子径 5〜40 mの球状粗粒子と平均粒子径 0. 3〜3. の球状微粒子とからなるナトリウムイオン濃度が 500ppm以下の無機フイラ一力もなる榭脂組成物の硬化体である請求項 1乃至 4のいずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

[6] 熱硬化性榭脂が、水素添加されたビスフエノール F型及び Z又は A型のエポキシ榭脂を含有する請求項 1乃至 5のいずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

[7] 熱硬化性榭脂が、エポキシ当量 800以上 4000以下の直鎖状のエポキシ榭脂を含有する請求項 6に記載の金属ベース回路基板。

[8] 熱硬化性榭脂が、硬化剤としてポリオキシアルキレンポリアミンを含有する請求項 6 又は 7に記載の金属ベース回路基板。

[9] 熱硬化性榭脂中の塩ィ匕物イオン濃度が 500ppm以下である請求項 6乃至 8のいずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

[10] 当該回路基板を、任意の個所で曲率半径 l〜5mmで 90° 以上折り曲げたときに、導体回路又は金属箔の各々間の耐電圧が 1. OkV以上である請求項 1乃至 9のいずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

[II] 金属箔上に絶縁層を介して導体回路を設け、更に厚さが 5 m以上 25 m以下であるカバーレイを設けてなる金属ベース回路基板であって、カバーレイの少なくとも一部が除かれて形成されて、るスリットが前記導体回路の設けられて、な、部分に形成されている請求項 1乃至 10のいずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

[12] 前記スリットが、折り曲げる部分の長さに対して 50%以上 95%以下にカ卩ェされている請求項 11に記載の金属ベース回路基板。

[13] 前記カバーレイの厚さが 5 m以上 25 mである請求項 11又は 12に記載の金属ベース回路基板。

[14] 前記スリット部で折り曲げられている請求項 11乃至 13のいずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

[15] 絶縁層表面が、曲率半径 0. 1〜0. 5mmで 90° 以上に折り曲げられている請求項 11乃至 14の、ずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

[16] カバーレイの表面上に、磁性損失を有する層又は誘電損失を有する層が積層されて、る請求項 11乃至 15の、ずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

[17] 磁性損失を有する層が、アスペクト比が 2以上である磁性材料と有機結合材とからなり、前記磁性材料の含有量が 30〜70vol%であり、さらに当該磁性損失を有する層の厚さが 3 μ m以上 50 μ m以下である請求項 11乃至 16のいずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

[18] 磁性損失を有する層が、比表面積が 20〜110m²Zgのカーボン粉末と有機結合材とからなり、前記カーボン粉末の含有量が 5〜60vol%であり、当該磁性損失を有する層の厚さが 3 μ m以上 50 μ m以下である請求項 11乃至 16のいずれか一項に記載の金属ベース回路基板。

[19] 請求項 1乃至 10のいずれか一項に記載の金属ベース回路基板を使用したことを特徴とする混成集積回路。

[20] 請求項 11乃至 18のいずれか一項に記載の金属ベース回路基板の導体回路に、少なくとも 1個の LEDを電気的に接続してなることを特徴とする LED。

[21] 請求項 1乃至 18のいずれか一項に記載金属ベース回路基板を、粘着テープを介して、筐体表面に配置し、し力も前記金属ベース回路基板の導体回路上に 1個以上の発光ダイオード (LED)を搭載してなることを特徴とする LED光源ユニット。

[22] 粘着テープの熱伝導率が l〜2WZmKで、厚さが 50 μ m以上 150 μ m以下である請求項 21に記載の LED光源ユニット。

[23] 粘着テープが、アクリル酸及び Zまたはメタクリル酸を含む高分子を含有する請求項 21又は 22に記載の LED光源ュ-ット。

[24] 粘着テープが、熱伝導性電気絶縁剤を 40〜80体積％含有している請求項 21乃至 23の!、ずれか一項に記載の LED光源ユニット。

[25] 熱伝導性電気絶縁剤の最大粒子径が 45 μ m以下で平均粒子径 0. 5〜30 μ mである請求項 21乃至 24のいずれか一項に記載の LED光源ユニット。