JP2001223450A - 金属ベース回路基板 - Google Patents
金属ベース回路基板Info
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- JP2001223450A JP2001223450A JP2000034001A JP2000034001A JP2001223450A JP 2001223450 A JP2001223450 A JP 2001223450A JP 2000034001 A JP2000034001 A JP 2000034001A JP 2000034001 A JP2000034001 A JP 2000034001A JP 2001223450 A JP2001223450 A JP 2001223450A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】放熱性に優れる金属ベース回路基板を生産性良
く提供すること。 【解決手段】金属板上に絶縁層を介して金属箔をロール
法で積層してなる積層物の前記金属箔をエッチングして
回路を形成してなる金属ベース回路基板であって、前記
絶縁層が球状アルミナ粉を充填した樹脂からなり、しか
も前記球状アルミナ粉の粒度分布が、平均粒径１０μｍ
以上のものが６０質量％以上であり、平均粒径１０μｍ
未満のものが４０質量％以下である金属ベース回路基板
であり、好ましくは、絶縁層中の球状アルミナ粉の充填
量が７５〜９５質量％である前記の金属ベース回路基
板。
く提供すること。 【解決手段】金属板上に絶縁層を介して金属箔をロール
法で積層してなる積層物の前記金属箔をエッチングして
回路を形成してなる金属ベース回路基板であって、前記
絶縁層が球状アルミナ粉を充填した樹脂からなり、しか
も前記球状アルミナ粉の粒度分布が、平均粒径１０μｍ
以上のものが６０質量％以上であり、平均粒径１０μｍ
未満のものが４０質量％以下である金属ベース回路基板
であり、好ましくは、絶縁層中の球状アルミナ粉の充填
量が７５〜９５質量％である前記の金属ベース回路基
板。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、通信機器をはじめ
とする各種の電気機器、特に自動車や移動通信等の移動
機器に用いられる半導体搭載用の金属ベース回路基板に
関する。
とする各種の電気機器、特に自動車や移動通信等の移動
機器に用いられる半導体搭載用の金属ベース回路基板に
関する。
【０００２】
【従来の技術】いろいろな電気機器用途で、半導体素子
等の電子部品を搭載した回路基板が用いられており、安
価で熱放散性に優れていることから、金属板上に、無機
物を含有した樹脂からなる絶縁層を介して、金属箔から
形成された回路を積層した金属ベース回路基板が用いら
れている。
等の電子部品を搭載した回路基板が用いられており、安
価で熱放散性に優れていることから、金属板上に、無機
物を含有した樹脂からなる絶縁層を介して、金属箔から
形成された回路を積層した金属ベース回路基板が用いら
れている。
【０００３】金属ベース回路基板は、前記構造を有する
がゆえに、熱伝導特性、耐電圧特性といった絶縁層の特
性が金属ベース回路基板の特性を制約している。そこ
で、金属ベース回路基板の特性改善において、絶縁層の
特性改善が極めて重要な検討項目となっている。
がゆえに、熱伝導特性、耐電圧特性といった絶縁層の特
性が金属ベース回路基板の特性を制約している。そこ
で、金属ベース回路基板の特性改善において、絶縁層の
特性改善が極めて重要な検討項目となっている。
【０００４】例えば、特開平６−４４８２４号公報に
は、高純度ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いること
により、高熱伝導性、高ガラス転移点を有し、放熱性に
優れ、かつ高温下での電気的信頼性の高い回路基板用絶
縁接着組成物が開示されている。
は、高純度ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いること
により、高熱伝導性、高ガラス転移点を有し、放熱性に
優れ、かつ高温下での電気的信頼性の高い回路基板用絶
縁接着組成物が開示されている。
【０００５】また、特開平５−１６７２１２号公報に
は、絶縁接着剤に平均粒径の異なる球状無機充填材を数
種混合して無機充填材の粒度分布を調整することによっ
て、無機充填材の高充填化を図った金属ベース回路基板
が報告されている。
は、絶縁接着剤に平均粒径の異なる球状無機充填材を数
種混合して無機充填材の粒度分布を調整することによっ
て、無機充填材の高充填化を図った金属ベース回路基板
が報告されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】一方、自動車等に用い
られている半導体搭載用回路基板は、近年、半導体部品
や電気部品、更に回路部分についても高密度化、高実装
化の要求が益々高まっている。そして、これらの回路基
板上にダイオード、トランジスターおよびＩＣなどの部
品を実装したモジュールでは、前記部品並びに回路自身
から発生した熱を放散するために、より一層放熱特性に
優れる、高い電気的信頼性を有する回路基板が要請され
ている。
られている半導体搭載用回路基板は、近年、半導体部品
や電気部品、更に回路部分についても高密度化、高実装
化の要求が益々高まっている。そして、これらの回路基
板上にダイオード、トランジスターおよびＩＣなどの部
品を実装したモジュールでは、前記部品並びに回路自身
から発生した熱を放散するために、より一層放熱特性に
優れる、高い電気的信頼性を有する回路基板が要請され
ている。
【０００７】金属ベース回路基板に従来使用されていた
絶縁接着剤は、無機質の充填材料を多量に充填できなか
ったため、高い熱伝導率を有する絶縁層を形成すること
ができず、充分に高い熱伝導率を有する金属ベース回路
基板を得ることができない、或いはその用途を制限され
るという問題がある。
絶縁接着剤は、無機質の充填材料を多量に充填できなか
ったため、高い熱伝導率を有する絶縁層を形成すること
ができず、充分に高い熱伝導率を有する金属ベース回路
基板を得ることができない、或いはその用途を制限され
るという問題がある。
【０００８】金属ベース回路基板の製造方法としては、
無機質の充填材料を含有する樹脂から成る絶縁接着剤を
金属板上に塗布し、前記絶縁接着剤がＢステージ状態下
で金属箔を積層して接合した後、前記絶縁接着剤を硬化
させて絶縁層と成し、その後、前記金属箔からエッチン
グ等を施して回路形成する方法、或いは、予め回路を形
成した金属箔を絶縁接着剤層を介して金属板上に貼付
し、その後絶縁接着剤を硬化する方法等が知られてい
る。しかし、前記のいずれの方法であっても、金属箔を
金属板に絶縁接着剤層を介して接合する工程があり、そ
の接合方法としてはプレス法とロール法が知られてい
る。
無機質の充填材料を含有する樹脂から成る絶縁接着剤を
金属板上に塗布し、前記絶縁接着剤がＢステージ状態下
で金属箔を積層して接合した後、前記絶縁接着剤を硬化
させて絶縁層と成し、その後、前記金属箔からエッチン
グ等を施して回路形成する方法、或いは、予め回路を形
成した金属箔を絶縁接着剤層を介して金属板上に貼付
し、その後絶縁接着剤を硬化する方法等が知られてい
る。しかし、前記のいずれの方法であっても、金属箔を
金属板に絶縁接着剤層を介して接合する工程があり、そ
の接合方法としてはプレス法とロール法が知られてい
る。
【０００９】プレス法においては、金属箔と絶縁接着剤
層とのプレス接着する際、絶縁層を硬化させるために加
熱および加圧するが、ことに熱抵抗低減のために絶縁層
を薄くしようとする場合、金属板端面から絶縁接着剤の
流出が生じ、得られる金属ベース回路基板の絶縁特性が
不良となる等の問題があり、厚さが１００μｍ以下の薄
い絶縁層を有する金属ベース回路基板を得ることが難し
いという生産技術上の問題がある。
層とのプレス接着する際、絶縁層を硬化させるために加
熱および加圧するが、ことに熱抵抗低減のために絶縁層
を薄くしようとする場合、金属板端面から絶縁接着剤の
流出が生じ、得られる金属ベース回路基板の絶縁特性が
不良となる等の問題があり、厚さが１００μｍ以下の薄
い絶縁層を有する金属ベース回路基板を得ることが難し
いという生産技術上の問題がある。
【００１０】一方、ロール法は生産性に優れるが、従来
の高熱伝導の絶縁接着剤組成物を使用すると、流動性が
不足するために、絶縁層の薄い金属ベース回路基板を得
ようとすると、樹脂中の無機充填材の含有量を低下させ
ねばならず、絶縁層の熱伝導率が低下してしまい、高熱
伝導率で厚さが１００μｍ以下の絶縁層を形成できず、
結果的に高熱伝導性の金属ベース回路基板を得ることが
難しいという問題がある。
の高熱伝導の絶縁接着剤組成物を使用すると、流動性が
不足するために、絶縁層の薄い金属ベース回路基板を得
ようとすると、樹脂中の無機充填材の含有量を低下させ
ねばならず、絶縁層の熱伝導率が低下してしまい、高熱
伝導率で厚さが１００μｍ以下の絶縁層を形成できず、
結果的に高熱伝導性の金属ベース回路基板を得ることが
難しいという問題がある。
【００１１】本発明者は、金属箔を金属板上に絶縁層を
介してロール法で積層して得られる積層物の前記金属箔
にエッチング等を施して回路形成してなる金属ベース回
路基板について改良を進め、絶縁層厚さが１００μｍ以
下で、配線回路のハイパワー化および高密度化に対して
充分な放熱性のある金属ベース回路基板を生産性良く提
供することを目的として、いろいろ実験的検討を重ね、
本発明に至ったものである。
介してロール法で積層して得られる積層物の前記金属箔
にエッチング等を施して回路形成してなる金属ベース回
路基板について改良を進め、絶縁層厚さが１００μｍ以
下で、配線回路のハイパワー化および高密度化に対して
充分な放熱性のある金属ベース回路基板を生産性良く提
供することを目的として、いろいろ実験的検討を重ね、
本発明に至ったものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、金属板
上に絶縁層を介して金属箔をロール法で積層してなる積
層物の前記金属箔をエッチングして回路を形成してなる
金属ベース回路基板であって、前記絶縁層が球状アルミ
ナ粉を充填した樹脂からなり、しかも前記球状アルミナ
粉の粒度分布が、平均粒径１０μｍ以上のものが６０質
量％以上であり、平均粒径１０μｍ未満のものが４０質
量％以下であることを特徴とする金属ベース回路基板で
あり、好ましくは、絶縁層中の球状アルミナ粉の充填量
が７５〜９５質量％であることを特徴とする前記の金属
ベース回路基板である。
上に絶縁層を介して金属箔をロール法で積層してなる積
層物の前記金属箔をエッチングして回路を形成してなる
金属ベース回路基板であって、前記絶縁層が球状アルミ
ナ粉を充填した樹脂からなり、しかも前記球状アルミナ
粉の粒度分布が、平均粒径１０μｍ以上のものが６０質
量％以上であり、平均粒径１０μｍ未満のものが４０質
量％以下であることを特徴とする金属ベース回路基板で
あり、好ましくは、絶縁層中の球状アルミナ粉の充填量
が７５〜９５質量％であることを特徴とする前記の金属
ベース回路基板である。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明者は、いろいろ検討した結
果、特定の粒度分布を有する球状アルミナ粉を特定割合
で混合して樹脂に充填することで、ロール法に十分な流
動性を有し、しかも１００μｍ以下の厚さの絶縁層を有
し、熱放散性、電気絶縁性等の諸特性が優れる金属ベー
ス回路基板を得ることができるという知見を実験的に得
て、本発明に至ったものである。
果、特定の粒度分布を有する球状アルミナ粉を特定割合
で混合して樹脂に充填することで、ロール法に十分な流
動性を有し、しかも１００μｍ以下の厚さの絶縁層を有
し、熱放散性、電気絶縁性等の諸特性が優れる金属ベー
ス回路基板を得ることができるという知見を実験的に得
て、本発明に至ったものである。
【００１４】本発明に於いて、前記球状アルミナ粉が、
特定の粒度分布を有することを特徴としている。即ち、
球状アルミナ粉が、平均粒径１０μｍ以上のものが６０
質量％以上であり、平均粒径１０μｍ未満のものが４０
質量％以下であるという粒度分布を有する。そして、前
記粒度分布を有することで、充填率高く球状アルミナ粉
を樹脂に充填できるし、金属板上に絶縁接着剤層を介し
て金属箔を積層する際にロール法であっても充分に流動
性を確保することができ、結果として球状アルミナ粉が
高充填されて高熱伝導性で、しかも厚みが１００μｍ以
下の薄い絶縁層が達成され、熱放散性に優れる金属ベー
ス回路基板を得ることができる。
特定の粒度分布を有することを特徴としている。即ち、
球状アルミナ粉が、平均粒径１０μｍ以上のものが６０
質量％以上であり、平均粒径１０μｍ未満のものが４０
質量％以下であるという粒度分布を有する。そして、前
記粒度分布を有することで、充填率高く球状アルミナ粉
を樹脂に充填できるし、金属板上に絶縁接着剤層を介し
て金属箔を積層する際にロール法であっても充分に流動
性を確保することができ、結果として球状アルミナ粉が
高充填されて高熱伝導性で、しかも厚みが１００μｍ以
下の薄い絶縁層が達成され、熱放散性に優れる金属ベー
ス回路基板を得ることができる。
【００１５】本発明に用いる球状アルミナ粉は、当該粉
を構成する個々の粉末粒子の多数が球状を呈していれば
良いが、具体的には、粒子全体の９０個数％以上の粒子
が球状であることが好ましく、更に９５個数％以上の粒
子が球状であることが一層好ましい。尚、前記個数割合
の測定は、粉末よりランダムにサンプルを抜き取り、該
サンプルについて電子顕微鏡観察（１０００〜５０００
倍の倍率）下で２００個以上の粒子について、球状のも
のと球状でないものとの個数を調べ、両者の個数割合を
算出すれば良い。また、本発明でいう球状の粒子とは、
一つの粒子における直径比（最大直径／最小直径）が
１．２以下の粒子を示す。
を構成する個々の粉末粒子の多数が球状を呈していれば
良いが、具体的には、粒子全体の９０個数％以上の粒子
が球状であることが好ましく、更に９５個数％以上の粒
子が球状であることが一層好ましい。尚、前記個数割合
の測定は、粉末よりランダムにサンプルを抜き取り、該
サンプルについて電子顕微鏡観察（１０００〜５０００
倍の倍率）下で２００個以上の粒子について、球状のも
のと球状でないものとの個数を調べ、両者の個数割合を
算出すれば良い。また、本発明でいう球状の粒子とは、
一つの粒子における直径比（最大直径／最小直径）が
１．２以下の粒子を示す。
【００１６】前記球状アルミナ粉の樹脂への充填割合に
ついては、本発明者の実験的検討結果に基づけば、球状
アルミナ粉と樹脂との合計量全体に対して球状アルミナ
粉が７５〜９５質量％であることが好ましい。前記充填
割合が９５質量％を超える場合には、樹脂との混合が容
易でなく、得られる絶縁層中に空隙等の欠陥が入ること
がある。また、充填割合が７５質量％未満では、絶縁層
の熱放散性を高くすることができず、１００μｍ以下の
薄い絶縁層を得ることができても、絶縁層自体の熱伝導
率が低下し、結果的に発明の目的を達成することができ
ないことがある。
ついては、本発明者の実験的検討結果に基づけば、球状
アルミナ粉と樹脂との合計量全体に対して球状アルミナ
粉が７５〜９５質量％であることが好ましい。前記充填
割合が９５質量％を超える場合には、樹脂との混合が容
易でなく、得られる絶縁層中に空隙等の欠陥が入ること
がある。また、充填割合が７５質量％未満では、絶縁層
の熱放散性を高くすることができず、１００μｍ以下の
薄い絶縁層を得ることができても、絶縁層自体の熱伝導
率が低下し、結果的に発明の目的を達成することができ
ないことがある。
【００１７】絶縁層を構成する樹脂としては、エポキシ
樹脂、ポリイミド樹脂等およびこれらの混合物等が挙げ
られる。このうち、金属板や金属箔と接着力が強く、球
状アルミナとも親和性の高いエポキシ樹脂が好ましく用
いられる。また、前記絶縁層には、必要に応じて、シラ
ン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤等の
表面改質剤、更に安定剤および硬化促進剤等を用いるこ
とができる。
樹脂、ポリイミド樹脂等およびこれらの混合物等が挙げ
られる。このうち、金属板や金属箔と接着力が強く、球
状アルミナとも親和性の高いエポキシ樹脂が好ましく用
いられる。また、前記絶縁層には、必要に応じて、シラ
ン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤等の
表面改質剤、更に安定剤および硬化促進剤等を用いるこ
とができる。
【００１８】本発明に用いられる金属板としては、アル
ミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、鉄およびス
テンレス等が使用可能であるが、このうち比較的安価で
しかも軽量で作業性や移動性機器用に好適であるという
理由から、アルミニウム並びにアルミニウム合金が好ま
しい。また、金属板の厚みとしては、特に制限はないが
０．５〜３．０ｍｍが一般に用いられる。
ミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、鉄およびス
テンレス等が使用可能であるが、このうち比較的安価で
しかも軽量で作業性や移動性機器用に好適であるという
理由から、アルミニウム並びにアルミニウム合金が好ま
しい。また、金属板の厚みとしては、特に制限はないが
０．５〜３．０ｍｍが一般に用いられる。
【００１９】本発明の金属ベース回路基板を作製する方
法については、上述した従来公知のロール法によれば良
い。このとき、金属板上に絶縁接着剤層を硬化後の絶縁
層の厚さが１００μｍ以下となるように多数回に分け
て、塗布・硬化を繰り返し、銅、アルミニウムあるいは
銅-アルミニウム複合箔等の金属箔をラミネートして接
合することが、耐電圧を始めとする金属ベース基板の電
気的特性を高める上で、好ましい。また、金属箔のエッ
チングに関しては従来公知の方法を適用すれば良い。
法については、上述した従来公知のロール法によれば良
い。このとき、金属板上に絶縁接着剤層を硬化後の絶縁
層の厚さが１００μｍ以下となるように多数回に分け
て、塗布・硬化を繰り返し、銅、アルミニウムあるいは
銅-アルミニウム複合箔等の金属箔をラミネートして接
合することが、耐電圧を始めとする金属ベース基板の電
気的特性を高める上で、好ましい。また、金属箔のエッ
チングに関しては従来公知の方法を適用すれば良い。
【００２０】
【実施例】〔実施例１〜４〕（株）龍森製Ａ０−５０９
（平均粒径１２μｍ）の球状アルミナ粉と（株）龍森製
Ａ０−５０２（平均粒径０．８μｍ)のアルミナ粉を、
様々な混合比で混合して、表１に示す通りに、いろいろ
なフィラー粉末を作製した。次に、前記フィラー粉末と
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とを加熱しながら、混
練して、絶縁接着剤を作製した。
（平均粒径１２μｍ）の球状アルミナ粉と（株）龍森製
Ａ０−５０２（平均粒径０．８μｍ)のアルミナ粉を、
様々な混合比で混合して、表１に示す通りに、いろいろ
なフィラー粉末を作製した。次に、前記フィラー粉末と
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とを加熱しながら、混
練して、絶縁接着剤を作製した。
【００２１】厚み２．０ｍｍのアルミニウム板上に、前
記絶縁接着剤を硬化後の厚さが８５μｍとなるように塗
布し、乾燥してＢステージ状態とし、その後厚さ８５μ
ｍの銅箔と厚さ４０μｍのアルミニウム箔からなる銅−
アルミニウム複合箔を、銅が絶縁接着剤層に接するよう
に、ロールラミネート法にて積層し、絶縁接着剤を加
熱、硬化させて絶縁層とし、金属ベース基板を得た。
記絶縁接着剤を硬化後の厚さが８５μｍとなるように塗
布し、乾燥してＢステージ状態とし、その後厚さ８５μ
ｍの銅箔と厚さ４０μｍのアルミニウム箔からなる銅−
アルミニウム複合箔を、銅が絶縁接着剤層に接するよう
に、ロールラミネート法にて積層し、絶縁接着剤を加
熱、硬化させて絶縁層とし、金属ベース基板を得た。
【００２２】前記の金属ベース基板について、所望の位
置にエッチングレジストを印刷し、まず水酸化ナトリウ
ム水溶液をエッチング液として、金属箔の所望部分のア
ルミニウムをエッチングした後、前記エッチングレジス
トを除去し、次に所望の位置をエッチングレジストでマ
スクして硫酸−過酸化水素混合溶液をエッチング液とし
て銅をエッチングした後、エッチングレジストを除去し
洗浄乾燥することで、回路を形成し、金属ベース回路基
板とした。
置にエッチングレジストを印刷し、まず水酸化ナトリウ
ム水溶液をエッチング液として、金属箔の所望部分のア
ルミニウムをエッチングした後、前記エッチングレジス
トを除去し、次に所望の位置をエッチングレジストでマ
スクして硫酸−過酸化水素混合溶液をエッチング液とし
て銅をエッチングした後、エッチングレジストを除去し
洗浄乾燥することで、回路を形成し、金属ベース回路基
板とした。
【００２３】前記操作で得られた金属ベース基板或いは
金属ベース回路基板について、耐電圧と熱抵抗を測定し
た。耐電圧の測定は、ＪＩＳ Ｃ２１１０に基づき（菊
水電子工業（株）製「ＴＯＳ−８７００形」を用いた）
測定した。ピール強度の測定は、ＪＩＳ Ｃ−６４８１
に基づき、テンシロン（東洋ボールドウィン（株）「Ｕ
−１１６０」）を用いて測定した。また、熱抵抗の測定
は、金属ベース基板を３.０×４.０ｃｍの大きさに切断
し、エッチングにより１.０×１.０ｍｍの銅パターンを
形成した。この銅箔上にＴＯ−２２０型トランジスター
を半田付けし、水冷した放熱フィン上に放熱グリースを
介して固定した。トランジスターに通電し、トランジス
ターを発熱させ、トランジスター表面と金属板裏面の温
度差を測定し、熱抵抗を算出した。金属ベース基板或い
は金属ベース回路基板の主要な作製条件と測定結果を表
１に示す。
金属ベース回路基板について、耐電圧と熱抵抗を測定し
た。耐電圧の測定は、ＪＩＳ Ｃ２１１０に基づき（菊
水電子工業（株）製「ＴＯＳ−８７００形」を用いた）
測定した。ピール強度の測定は、ＪＩＳ Ｃ−６４８１
に基づき、テンシロン（東洋ボールドウィン（株）「Ｕ
−１１６０」）を用いて測定した。また、熱抵抗の測定
は、金属ベース基板を３.０×４.０ｃｍの大きさに切断
し、エッチングにより１.０×１.０ｍｍの銅パターンを
形成した。この銅箔上にＴＯ−２２０型トランジスター
を半田付けし、水冷した放熱フィン上に放熱グリースを
介して固定した。トランジスターに通電し、トランジス
ターを発熱させ、トランジスター表面と金属板裏面の温
度差を測定し、熱抵抗を算出した。金属ベース基板或い
は金属ベース回路基板の主要な作製条件と測定結果を表
１に示す。
【００２４】
【表１】
【００２５】〔比較例〕実施例における金属箔と絶縁層
との接着操作を、積層プレス法に変更したこと以外は、
実施例と同じ操作で金属ベース基板、金属ベース回路基
板を作製し、実施例と同じ評価を行った。この結果を表
１に併せて示した。
との接着操作を、積層プレス法に変更したこと以外は、
実施例と同じ操作で金属ベース基板、金属ベース回路基
板を作製し、実施例と同じ評価を行った。この結果を表
１に併せて示した。
【００２６】
【発明の効果】本発明の金属ベース回路基板は、特定な
粒度分布の球状アルミナ粉が高充填された絶縁層を有し
ていて、しかも絶縁層の厚さが１００μｍ以下なので、
極めて熱放散性に優れているという特徴があり、従来受
けていた用途制限から解放され、産業上極めて有用であ
る。
粒度分布の球状アルミナ粉が高充填された絶縁層を有し
ていて、しかも絶縁層の厚さが１００μｍ以下なので、
極めて熱放散性に優れているという特徴があり、従来受
けていた用途制限から解放され、産業上極めて有用であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4E351 AA14 DD04 DD10 DD19 DD21 DD31 DD52 DD54 GG04 4F100 AA19B AB01A AB01C AB10 AB17 AB33C AK01B AK53 AR00B BA03 BA07 BA10A BA10C DE04B EJ19 EK06 GB43 JA05 JG04B JJ01 JJ10 YY00B 5E315 BB11 CC01 GG01
Claims (2)
- 【請求項１】金属板上に絶縁層を介して金属箔をロール
法で積層してなる積層物の前記金属箔をエッチングして
回路を形成してなる金属ベース回路基板であって、前記
絶縁層が球状アルミナ粉を充填した樹脂からなり、しか
も前記球状アルミナ粉の粒度分布が、平均粒径１０μｍ
以上のものが６０質量％以上であり、平均粒径１０μｍ
未満のものが４０質量％以下であることを特徴とする金
属ベース回路基板。 - 【請求項２】絶縁層中の球状アルミナ粉の充填量が７５
〜９５質量％であることを特徴とする請求項１記載の金
属ベース回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000034001A JP2001223450A (ja) | 2000-02-10 | 2000-02-10 | 金属ベース回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000034001A JP2001223450A (ja) | 2000-02-10 | 2000-02-10 | 金属ベース回路基板 |
Publications (1)
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006112478A1 (ja) * | 2005-04-19 | 2006-10-26 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | 金属ベース回路基板、ｌｅｄ、及びｌｅｄ光源ユニット |
| JP2006303082A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 金属ベース回路基板およびその製法ならびにそれを用いた混成集積回路 |
| JP2007096185A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路基板 |
| JP2007214202A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 回路基板 |
| KR100919975B1 (ko) | 2009-04-14 | 2009-10-05 | 주식회사 엘아이테크 | 방열성이 우수한 인쇄회로기판 및 인쇄회로기판을 이용한 발광모듈 |
| JP2010000774A (ja) * | 2008-05-19 | 2010-01-07 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 積層板、プリプレグ、金属箔張積層板、回路基板及びｌｅｄ搭載用回路基板 |
| JP2010254807A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物、プリプレグ、コンポジット積層板、金属箔張積層板、回路基板及びｌｅｄ搭載用回路基板 |
| WO2011061894A1 (ja) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | パナソニック電工株式会社 | プリプレグ、積層板、金属箔張積層板、回路基板及びｌｅｄ搭載用回路基板 |
| JP2012076421A (ja) * | 2010-10-05 | 2012-04-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 接着体 |
| JP2013069911A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
| JPWO2014021427A1 (ja) * | 2012-08-02 | 2016-07-21 | 学校法人早稲田大学 | 金属ベースプリント配線板 |
-
2000
- 2000-02-10 JP JP2000034001A patent/JP2001223450A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4672425B2 (ja) * | 2005-04-19 | 2011-04-20 | 電気化学工業株式会社 | 金属ベース回路基板およびその製法ならびにそれを用いた混成集積回路 |
| JP2006303082A (ja) * | 2005-04-19 | 2006-11-02 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 金属ベース回路基板およびその製法ならびにそれを用いた混成集積回路 |
| WO2006112478A1 (ja) * | 2005-04-19 | 2006-10-26 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | 金属ベース回路基板、ｌｅｄ、及びｌｅｄ光源ユニット |
| KR101073423B1 (ko) * | 2005-04-19 | 2011-10-17 | 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 | 금속 베이스 회로 기판, ｌｅｄ, 및 ｌｅｄ 광원 유닛 |
| JP2007096185A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 回路基板 |
| US7759583B2 (en) | 2005-09-30 | 2010-07-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Circuit board |
| JP2007214202A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 回路基板 |
| JP4484830B2 (ja) * | 2006-02-07 | 2010-06-16 | 電気化学工業株式会社 | 回路基板 |
| JP2010000774A (ja) * | 2008-05-19 | 2010-01-07 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 積層板、プリプレグ、金属箔張積層板、回路基板及びｌｅｄ搭載用回路基板 |
| JP4645726B2 (ja) * | 2008-05-19 | 2011-03-09 | パナソニック電工株式会社 | 積層板、プリプレグ、金属箔張積層板、回路基板及びｌｅｄ搭載用回路基板 |
| KR100919975B1 (ko) | 2009-04-14 | 2009-10-05 | 주식회사 엘아이테크 | 방열성이 우수한 인쇄회로기판 및 인쇄회로기판을 이용한 발광모듈 |
| JP2010254807A (ja) * | 2009-04-24 | 2010-11-11 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 熱硬化性樹脂組成物、プリプレグ、コンポジット積層板、金属箔張積層板、回路基板及びｌｅｄ搭載用回路基板 |
| WO2011061894A1 (ja) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | パナソニック電工株式会社 | プリプレグ、積層板、金属箔張積層板、回路基板及びｌｅｄ搭載用回路基板 |
| US8603624B2 (en) | 2009-11-20 | 2013-12-10 | Panasonic Corporation | Prepreg, laminate, metal clad laminate, circuit board, and circuit board for LED mounting |
| JP2012076421A (ja) * | 2010-10-05 | 2012-04-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 接着体 |
| JP2013069911A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
| JPWO2014021427A1 (ja) * | 2012-08-02 | 2016-07-21 | 学校法人早稲田大学 | 金属ベースプリント配線板 |
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