JP2002322372A - 樹脂組成物およびそれを用いた金属ベース回路基板 - Google Patents

樹脂組成物およびそれを用いた金属ベース回路基板

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Katsunori Yashima
克憲 八島
Kazuo Kato
和男 加藤
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Denka Co Ltd
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Denki Kagaku Kogyo KK
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Abstract

(57)【要約】 【課題】窒化アルミニウムを含有する高熱伝導率の絶縁
接着剤組成物とそれを用いた熱放散性に優れる金属ベー
ス回路基板を提供する。 【解決手段】熱硬化性樹脂に粒子径が10〜45μmの
窒化アルミニウム粉と最大粒子径が3μm以下の球状の
酸化アルミニウム粉とを含有させたことを特徴とする樹
脂組成物と、それを用いた金属ベース回路基板で、好ま
しくは、回路表面と金属板裏面との間の熱抵抗より算出
した熱伝導率が5.0W/mK以上であることを特徴と
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、熱伝導率が高く、
金属基板と絶縁層との接着性に優れた絶縁接着剤組成物
とそれを用いた金属ベース回路基板に関する。
【0002】
【従来の技術】従来からアルミニウム、鉄、銅などの金
属板上に無機フィラーを充填したエポキシ樹脂系の接着
剤を塗布し、その上に金属箔を接着した金属ベース回路
基板は知られていた。
【0003】しかし、これらの金属ベース回路基板で
は、絶縁層として使用されている接着剤の熱伝導率が低
いため、熱伝導率の良い金属基板本来の特性を十分に活
かすことができていなかった。そこで、金属ベース回路
基板の特性改善において、絶縁接着剤組成物の特性改善
が産業上の極めて重要な検討項目となっている。
【0004】例えば、自動車等に用いられている半導体
搭載用回路基板は、近年、半導体部品や電気部品、更に
回路部分についても高密度化、高実装化の要求が益々高
まっている。そして、これらの回路基板上にダイオー
ド、トランジスターおよびICなどの部品を実装したモ
ジュールでは、前記部品並びに回路自身から発生した熱
を放散するために、より一層放熱特性に優れる、高い電
気的信頼性を有する回路基板が要請されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来、金属ベース回路
基板の絶縁剤には無機フィラーを含有する樹脂が用いら
れるが、前記無機フィラーとして主に酸化アルミニウム
粉が用いられていた。酸化アルミニウム粉は、熱伝導率
が低いため、必ずしも満足できる程に高い熱伝導率を有
する絶縁接着剤組成物を得ることができず、金属ベース
回路基板が広汎な用途に展開されるための妨げとなって
いる。
【0006】一方、窒化アルミニウムは、高い熱伝導率
を有して、前記無機フィラーとして有望視される材料で
はあるが、樹脂にフィラーを高充填することができない
ため、高熱伝導率の絶縁接着剤組成物を得ることができ
ず、実用に供し得るような熱放散性に優れる金属ベース
回路基板が得られていない。
【0007】本発明者は、上記の事情に鑑みて、いろい
ろ検討した結果、特定の窒化アルミニウムの粉末と特定
の酸化アルミニウム粉末とを組み合わせて用いること
で、樹脂に高充填でき、熱伝導率が高い樹脂組成物が得
られ、これを用いて高熱伝導率の金属ベース回路基板が
容易に得ることができるという知見を得て、本発明に至
ったものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、熱硬化
性樹脂に粒子径が10〜45μmの窒化アルミニウム粉
と最大粒子径が3μm以下の球状の酸化アルミニウム粉
とを含有させたことを特徴とする樹脂組成物であり、好
ましくは、粒子径が10〜32μmの窒化アルミニウム
粉が、該粉と前記最大粒子径が3μm以下の球状の酸化
アルミニウム粉との全量に対して、50.0〜80.0
質量%含有した前記の絶縁接着剤組成物であり、更に好
ましくは、エポキシ樹脂に、粒子径が10〜45μmの
窒化アルミニウム粉が42.5〜76.0質量%、最大
粒子径が3μm以下の球状の酸化アルミニウム粉が1
7.0〜47.5質量%含有されていることを特徴とす
る樹脂組成物である。また、本発明は、前記の樹脂組成
物を用いて作製した金属ベース回路基板であり、好まし
くは、回路表面と金属板裏面との間の熱抵抗から算出さ
れる熱伝導率が5.0W/mK以上であることを特徴と
している。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明は、樹脂組成物中の無機フ
ィラーとして、特定の窒化アルミニウムと特定の酸化ア
ルミニウム粉を用いていることを特徴としている。即
ち、粒子径10〜45μmの窒化アルミニウム粉と最大
粒子径が3μm以下の球状の酸化アルミニウム粉との両
者を混合し、しかも前記粒子径10〜45μmの窒化ア
ルミニウム粉を両者の合計量に対して50.0〜80.
0質量%とすることで、従来公知の金属ベース回路基板
と同等以上で実用的なレベルにまでに高い熱放散性を有
する金属ベース回路基板を供給できるという効果が得ら
れる。
【0010】本発明に用いる窒化アルミニウム粉は、そ
の構成粒子の大きさが10〜45μmの範囲である。1
0μm未満の窒化アルミニウム粒子が存在しても充填性
が向上せず、また、得られる樹脂組成物の硬化体の耐湿
性が不良となることがある。また、45μmより大きな
粒子が存在すると、樹脂に充填する際の無機粉末の充填
度が悪くなる。窒化アルミニウム粉の平均粒子径につい
ては、全粒子が前記範囲内にあることから当然に10〜
45μmであるが、この範囲の内で10〜32μmであ
ることが本発明の目的を一層達成しやすいことから好ま
しい。また、窒化アルミニウム焼結体を粉砕して得られ
る窒化アルミニウム粉末が好ましい。
【0011】本発明では、前記特定の窒化アルミニウム
粉に、最大粒子径が3μm以下の球状の酸化アルミニウ
ム粉を組み合わせて用いることを特徴としている。本発
明においては、高熱伝導率を有する窒化アルミニウム粒
子の間隙を充填し、樹脂への充填量を向上して、窒化ア
ルミニウム粒子の高熱伝導率を活かすと同時に、樹脂が
硬化する前の流動性を確保するために、或いは硬化後の
耐湿性を高めるために、球状の微細な粒子から構成され
る球状酸化アルミニウム粉が実験的に選択されたもので
ある。球状の程度については、本発明者の検討に拠れ
ば、アスペクト比が1.2以下であれば良い。また、最
大粒子径が3μmを超える粒子が含まれる場合には、樹
脂に充填する際の充填度が低下することがある。尚、得
られる樹脂組成物の硬化前の粘度を低くするためには、
球状酸化アルミニウム粉の粒度分布がシャープなほど良
い。
【0012】また、本発明においては、前記窒化アルミ
ニウム粉の割合は、該粉と最大粒子径が3μm以下の球
状の酸化アルミニウム粉との全量に対して、50.0〜
80.0質量%である。50.0質量%以下では窒化ア
ルミニウム粉の量が少ないため得られる樹脂組成物の硬
化体の熱伝導率が低下してしまい高熱伝導性の金属ベー
ス回路基板が得られないし、80.0質量%以上では樹
脂に充填する際の充填度が悪くなり、電気信頼性に乏し
い金属ベース回路基板しか得られなくなってしまうから
である。
【0013】本発明において、樹脂として、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられる。特
に、金属板や金属箔と接着力が強く、窒化アルミニウム
とも親和性の高いエポキシ樹脂が好ましく用いられる。
また、前記樹脂には、前記窒化アルミニウム粉と前記酸
化アルミニウム粉と、必要に応じて、シラン系カップリ
ング剤、チタネート系カップリング剤、アルミネート系
カップリング剤等の表面改質剤、更に必要に応じて、レ
ベリング剤、消泡剤、湿潤分散剤、安定剤および硬化促
進剤等を添加されて用いられる。
【0014】本発明において、樹脂組成物中における、
前記窒化アルミニウム粉と前記酸化アルミニウム粉との
配合割合については、熱硬化性樹脂に、窒化アルミニウ
ム粉が42.5〜76.0質量%、酸化アルミニウム粉
が17.0〜47.5質量%含有するようにするとき、
従来公知の金属ベース回路基板よりも高い熱放散性を有
する金属ベース回路基板が得られることから、好まし
い。
【0015】また、本発明は、金属板上に絶縁層を介し
て回路を設けてなる金属ベース回路基板であって、前記
絶縁層が前記樹脂組成物からなることを特徴としてい
る。絶縁層が、前述の如くに、特定の窒化アルミニウム
粉と特定の酸化アルミニウム粉とを含有した熱硬化性樹
脂から構成されているので、高熱伝導率であり、しかも
金属板と回路との密着性に優れ、耐湿性に優れる特徴を
有している。
【0016】本発明になる金属ベース回路基板は、回路
表面と金属板裏面との熱抵抗より算出した熱伝導率が
5.0W/mK以上の熱伝導率を有するので、更に、本
発明の好ましい実施態様においては、前記熱伝導率が
6.0W/mK以上もの高値に達するので、例えば自動
車搭載用の回路基板を初め、いろいろな大電流用途の回
路基板として好ましく用いられる。
【0017】本発明に用いられる金属板としては、アル
ミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、鉄およびス
テンレス等が使用可能であるが、このうち比較的安価で
しかも軽量で作業性や移動性機器用に好適であるという
理由から、アルミニウム及びアルミニウム合金が好まし
い。また、金属板の厚みとしては、特に制限はないが
0.5〜3.0mmが一般に用いられる。
【0018】本発明における回路の材質は、導電性のも
のであれば良く、通常、銅、アルミニウム、ニッケル、
或いはこれらの複合層からなるもの等が用いられる。
【0019】本発明の金属ベース回路基板を作製する方
法に関しては、金属板上に前記樹脂を、塗布し、硬化或
いは半硬化させて絶縁剤層とする。このとき、絶縁剤層
は単一層もしくは複数層にする。その後、銅、アルミニ
ウムあるいは銅−アルミニウム複合箔等の回路となる金
属箔をロールラミネート法もしくは積層プレス法を用い
て接合する方法、或いは、予め回路形成された金属箔に
前記樹脂組成物を塗布、硬化或いは半硬化し、金属板上
に貼り付ける方法等が挙げられるが、耐電圧を始めとす
る金属ベース回路基板の電気的特性を高める上で、前者
の方法が好ましく採用される。尚、本方法において、金
属箔のエッチングに関しては従来公知の方法を適用すれ
ば良い。
【0020】
【実施例】〔実施例1〕市販の45μm以下の粒度の窒
化アルミニウム粉より分級して、大きさが10〜45μ
mの粒子からなる窒化アルミニウム粉70質量%と、最
大粒子径が3μm、平均粒径0.8μmの球状の酸化ア
ルミニウム粉30質量%とを混合して、無機フィラーを
作製した。次に前記無機フィラーとビスフェノールF型
エポキシ樹脂とをフィラー充填率が90.0質量%とな
るように配合し、シラン系カップリング剤を1質量部
(前記無機フィラーとエポキシ樹脂の混合物100質量
部に対して)、更にアミン系硬化剤、湿潤分散剤(ビッ
クケミー・ジャパン株式会社「Dis−111」)をそ
れぞれ3.3質量部、0.3質量部を添加し、攪拌、混
合することで、樹脂組成物を作製した。
【0021】厚み1.5mmのアルミニウム板上に、前
記樹脂組成物を硬化後の絶縁層の厚さが100μmとな
るように塗布し、乾燥してBステージ状態とし、その後
厚さ35μmの銅箔を、絶縁層上に置きプレス法にて積
層し、樹脂組成物を硬化させて金属ベース基板を得た。
【0022】前記の金属ベース基板について、所望の位
置をエッチングレジストでマスクして硫酸−過酸化水素
混合溶液をエッチング液として銅をエッチングした後、
エッチングレジストを除去し洗浄乾燥することで、回路
を形成し、金属ベース回路基板とした。
【0023】前記操作で得られた金属ベース回路基板に
ついて、熱抵抗、耐電圧およびピール強度を測定した。
耐電圧の測定は、JIS C2110に基づき(菊水電
子工業(株)製「TOS−8700形」)測定した。ピ
ール強度の測定は、JISC−6481に基づき、テン
シロン(東洋ボールドウィン(株)「U−1160」)
を用いて測定した。また、熱抵抗の測定は、金属ベース
基板を3.0×3.0cmの大きさに切断し、エッチン
グにより1.0×1.5mmの銅パターンを形成した。
この銅箔上にTO−220型トランジスターを半田付け
し、水冷した放熱フィン上に放熱グリースを介して固定
した。トランジスターに通電し、トランジスターを発熱
させ、トランジスター表面と金属板裏面の温度差を測定
し、熱抵抗を算出した。放熱グリースの熱抵抗値を補正
した後、この補正した熱抵抗値から熱伝導率を計算し
た。
【0024】〔実施例2〕実施例1における無機フィラ
ーを10〜45μm窒化アルミニウム粉末60質量%、
最大粒径が3μmの球状の酸化アルミニウム粉末40質
量%の割合に変更した以外は、実施例1と同じ操作で金
属ベース基板、金属ベース回路基板を作製し、実施例1
と同じ評価を行った。
【0025】〔実施例3〕実施例1における無機フィラ
ーの充填率85質量%に変更した以外は、実施例1と同
じ操作で金属ベース基板、金属ベース回路基板を作製
し、実施例1と同じ評価を行った。金属ベース基板或い
は金属ベース回路基板の主要な作製条件と測定結果を表
1に示す。
【0026】
【表1】
【0027】〔比較例〕実施例1における窒化アルミニ
ウム粉末を酸化アルミニウム粉末に変更したこと以外
は、実施例と同じ操作で金属ベース基板、金属ベース回
路基板を作製し、実施例1と同じ評価を行った。この結
果を表1に併せて示した。
【0028】
【発明の効果】本発明の樹脂組成物は、特定粒子径の窒
化アルミニウム粉末と特定の酸化アルミニウム粉を用い
ることで、樹脂に高充填でき、高熱伝導率を有する樹脂
組成物硬化体が容易に得られる特徴がある。また、本発
明の金属ベース回路基板は、前記樹脂組成物を用いてい
るので、従来公知の金属ベース回路基板と同等以上の耐
電圧特性を有しながら、5.0W/mK以上もの高熱伝
導率を有していて放熱性に優れ、更に耐湿性にも優れる
という特徴があり、例えば自動車搭載用の回路基板に適
用できる等、産業上極めて有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) C09J 201/00 C09J 201/00 H05K 1/05 H05K 1/05 A Fターム(参考) 4J002 AA021 CD001 CM041 DE147 DF016 FA086 FA087 FD016 FD017 GQ01 4J040 EC001 EH031 HA136 HA206 HD30 KA03 KA16 KA42 LA06 LA08 LA09 MA02 NA20 5E315 AA01 BB01 BB03 BB10 BB11 BB15 BB18 CC01 DD13 GG01

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】熱硬化性樹脂に粒子径が10〜45μmの
    窒化アルミニウム粉と最大粒子径が3μm以下の球状の
    酸化アルミニウム粉とを含有させたことを特徴とする樹
    脂組成物。
  2. 【請求項2】粒子径10〜45μmの窒化アルミニウム
    粉が、該粉と前記最大粒子径が3μm以下の球状の酸化
    アルミニウム粉との全量に対して、50.0〜80.0
    質量%含有されていることを特徴とする請求項1記載の
    樹脂組成物。
  3. 【請求項3】エポキシ樹脂に、粒子径が10〜45μm
    の窒化アルミニウム粉が42.5〜76.0質量%、最
    大粒子径が3μm以下の球状の酸化アルミニウム粉が1
    7.0〜47.5質量%含有されていることを特徴とす
    る請求項1又は請求項2記載の樹脂組成物。
  4. 【請求項4】金属板上に絶縁層を介して回路を設けてな
    る金属ベース回路基板であって、前記絶縁層が請求項
    1、請求項2又は請求項3記載の樹脂組成物からなるこ
    とを特徴とする金属ベース回路基板。
  5. 【請求項5】回路表面と金属板裏面との間の熱抵抗より
    算出した熱伝導率が5.0W/mK以上であることを特
    徴とする請求項4記載の金属ベース回路基板。
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Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005320479A (ja) * 2004-05-11 2005-11-17 Kyocera Chemical Corp 液状エポキシ樹脂組成物
WO2007029657A1 (ja) * 2005-09-05 2007-03-15 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha 樹脂組成物、それを用いた混成集積用回路基板
JP2007180105A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Sanyo Electric Co Ltd 回路基板、回路基板を用いた回路装置、及び回路基板の製造方法
JP2008218579A (ja) * 2007-03-01 2008-09-18 Denki Kagaku Kogyo Kk 金属ベース回路基板
JP2008280436A (ja) * 2007-05-10 2008-11-20 Denki Kagaku Kogyo Kk 電気部品用固定用接着シート、電気部品の固定方法
JP2009049062A (ja) * 2007-08-14 2009-03-05 Denki Kagaku Kogyo Kk 金属ベース回路用基板の製造方法及び金属ベース回路用基板
JP2009129801A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Denki Kagaku Kogyo Kk 金属ベース回路基板
JP2010205955A (ja) * 2009-03-04 2010-09-16 Micro Coatec Kk 熱伝導性電子回路基板およびそれを用いた電子機器ならびにその製造方法
JP2011225856A (ja) * 2010-03-31 2011-11-10 Toray Ind Inc 電子機器用接着剤組成物およびそれを用いた電子機器用接着剤シート
WO2011142198A1 (ja) * 2010-05-10 2011-11-17 電気化学工業株式会社 金属ベース基板の製造方法及び回路基板の製造方法
JP2011256295A (ja) * 2010-06-10 2011-12-22 Shin Kobe Electric Mach Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物並びにプリプレグ及び積層板
JP2012099697A (ja) * 2010-11-04 2012-05-24 Denki Kagaku Kogyo Kk 回路基板、電子機器
WO2013147086A1 (ja) * 2012-03-30 2013-10-03 株式会社トクヤマ 硬化性樹脂組成物及びその製造方法、高熱伝導性樹脂組成物及び高熱伝導性積層基板
JP2013225697A (ja) * 2013-07-12 2013-10-31 Micro Coatec Kk 熱伝導性電子回路基板およびそれを用いた電子機器ならびにその製造方法
JP2016104862A (ja) * 2015-12-04 2016-06-09 日立化成株式会社 樹脂組成物、樹脂シート、金属箔付き樹脂シート、樹脂硬化物シート、構造体、および動力用又は光源用半導体デバイス
JPWO2014021427A1 (ja) * 2012-08-02 2016-07-21 学校法人早稲田大学 金属ベースプリント配線板
JP2016155953A (ja) * 2015-02-25 2016-09-01 デンカ株式会社 エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂シート及びそれを用いた金属ベース回路基板
JP6692512B1 (ja) * 2018-12-25 2020-05-13 富士高分子工業株式会社 熱伝導組成物及びこれを用いた熱伝導性シート
WO2020137086A1 (ja) * 2018-12-25 2020-07-02 富士高分子工業株式会社 熱伝導組成物及びこれを用いた熱伝導性シート

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0461194A (ja) * 1990-06-22 1992-02-27 Murata Mfg Co Ltd 金属ベース配線基板の製造方法
JPH09100394A (ja) * 1995-08-01 1997-04-15 Toshiba Corp エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置
JPH10204300A (ja) * 1997-01-24 1998-08-04 Mitsui Chem Inc 高熱伝導性樹脂組成物
JPH1192624A (ja) * 1997-09-18 1999-04-06 Toshiba Corp エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置
JP2001002830A (ja) * 1999-06-21 2001-01-09 Fujitsu Ltd 高熱伝導性組成物

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0461194A (ja) * 1990-06-22 1992-02-27 Murata Mfg Co Ltd 金属ベース配線基板の製造方法
JPH09100394A (ja) * 1995-08-01 1997-04-15 Toshiba Corp エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置
JPH10204300A (ja) * 1997-01-24 1998-08-04 Mitsui Chem Inc 高熱伝導性樹脂組成物
JPH1192624A (ja) * 1997-09-18 1999-04-06 Toshiba Corp エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置
JP2001002830A (ja) * 1999-06-21 2001-01-09 Fujitsu Ltd 高熱伝導性組成物

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005320479A (ja) * 2004-05-11 2005-11-17 Kyocera Chemical Corp 液状エポキシ樹脂組成物
KR101239010B1 (ko) * 2005-09-05 2013-03-04 덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤 수지 조성물, 그것을 이용한 혼성 집적용 회로 기판
WO2007029657A1 (ja) * 2005-09-05 2007-03-15 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha 樹脂組成物、それを用いた混成集積用回路基板
JP5192812B2 (ja) * 2005-09-05 2013-05-08 電気化学工業株式会社 樹脂組成物、それを用いた混成集積用回路基板
JP2007180105A (ja) * 2005-12-27 2007-07-12 Sanyo Electric Co Ltd 回路基板、回路基板を用いた回路装置、及び回路基板の製造方法
JP2008218579A (ja) * 2007-03-01 2008-09-18 Denki Kagaku Kogyo Kk 金属ベース回路基板
JP2008280436A (ja) * 2007-05-10 2008-11-20 Denki Kagaku Kogyo Kk 電気部品用固定用接着シート、電気部品の固定方法
JP2009049062A (ja) * 2007-08-14 2009-03-05 Denki Kagaku Kogyo Kk 金属ベース回路用基板の製造方法及び金属ベース回路用基板
JP2009129801A (ja) * 2007-11-27 2009-06-11 Denki Kagaku Kogyo Kk 金属ベース回路基板
JP2010205955A (ja) * 2009-03-04 2010-09-16 Micro Coatec Kk 熱伝導性電子回路基板およびそれを用いた電子機器ならびにその製造方法
JP2011225856A (ja) * 2010-03-31 2011-11-10 Toray Ind Inc 電子機器用接着剤組成物およびそれを用いた電子機器用接着剤シート
US8796145B2 (en) 2010-05-10 2014-08-05 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Method of manufacturing metal-base substrate and method of manufacturing circuit board
CN102907186A (zh) * 2010-05-10 2013-01-30 电气化学工业株式会社 金属基底基板的制造方法及电路基板的制造方法
KR101829195B1 (ko) * 2010-05-10 2018-02-14 덴카 주식회사 금속 베이스 기판의 제조방법 및 회로기판의 제조방법
WO2011142198A1 (ja) * 2010-05-10 2011-11-17 電気化学工業株式会社 金属ベース基板の製造方法及び回路基板の製造方法
JP2011238729A (ja) * 2010-05-10 2011-11-24 Denki Kagaku Kogyo Kk 基板の製造方法及び回路基板の製造方法
JP2011256295A (ja) * 2010-06-10 2011-12-22 Shin Kobe Electric Mach Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物並びにプリプレグ及び積層板
JP2012099697A (ja) * 2010-11-04 2012-05-24 Denki Kagaku Kogyo Kk 回路基板、電子機器
WO2013147086A1 (ja) * 2012-03-30 2013-10-03 株式会社トクヤマ 硬化性樹脂組成物及びその製造方法、高熱伝導性樹脂組成物及び高熱伝導性積層基板
JPWO2013147086A1 (ja) * 2012-03-30 2015-12-14 株式会社トクヤマ 硬化性樹脂組成物及びその製造方法、高熱伝導性樹脂組成物及び高熱伝導性積層基板
JPWO2014021427A1 (ja) * 2012-08-02 2016-07-21 学校法人早稲田大学 金属ベースプリント配線板
JP2013225697A (ja) * 2013-07-12 2013-10-31 Micro Coatec Kk 熱伝導性電子回路基板およびそれを用いた電子機器ならびにその製造方法
JP2016155953A (ja) * 2015-02-25 2016-09-01 デンカ株式会社 エポキシ樹脂組成物、エポキシ樹脂シート及びそれを用いた金属ベース回路基板
JP2016104862A (ja) * 2015-12-04 2016-06-09 日立化成株式会社 樹脂組成物、樹脂シート、金属箔付き樹脂シート、樹脂硬化物シート、構造体、および動力用又は光源用半導体デバイス
JP6692512B1 (ja) * 2018-12-25 2020-05-13 富士高分子工業株式会社 熱伝導組成物及びこれを用いた熱伝導性シート
WO2020137086A1 (ja) * 2018-12-25 2020-07-02 富士高分子工業株式会社 熱伝導組成物及びこれを用いた熱伝導性シート
CN112041411A (zh) * 2018-12-25 2020-12-04 富士高分子工业株式会社 导热性组合物及使用了其的导热性片材
US11781053B2 (en) 2018-12-25 2023-10-10 Fuji Polymer Industries Co., Ltd. Thermally conductive composition and thermally conductive sheet using the same

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