JP2010205955A - 熱伝導性電子回路基板およびそれを用いた電子機器ならびにその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 アルミニウムなどの金属からなる導電性基板を用いて絶縁性と熱伝導性という相反する2つの要求を満たす、金属をベースとする電子回路基板を提供する。
【解決手段】 熱伝導性電子回路基板100は、電子回路を形成する基板となるとともに、電子回路素子において発生した熱を拡散させる熱伝導体となる導電性基板110と、導電性基板110の表面に絶縁・熱伝導性塗料を塗布・乾燥して形成した絶縁性と熱伝導性を備えた熱伝導性絶縁膜120と、前記熱伝導性絶縁膜120の表面に形成した電子回路パターン130および電子回路素子140を備える。熱伝導性絶縁膜120は優れた絶縁性と熱伝導性を備えており、薄い膜厚でも電子回路パターン130に対して十分に絶縁性を与えることができ、熱伝導性が良く膜厚が薄いため熱抵抗体とはならず、電子回路素子で発生した熱を効率的に電子回路パターン130から導電性基板110に伝導して系外に放熱する。
【選択図】 図1
Description
その解決策として、基板として軽量かつ熱伝導性の良いアルミニウム、銅或いは鉄等の金属を採用し、この金属の上に有機接着層やガラス層などの絶縁層を形成し、さらに、この絶縁層の上に金属メッキ層を形成した金属基板を用いた電子回路基板が開発されている。特に、金属基板としては、軽量でかつ熱伝導性が良く廉価で汎用性の高いアルミニウムが注目されている。例えばアルミニウム基板の表面に樹脂などの有機物、又はガラス等の無機物からなる電気絶縁層を公知の物理又は化学蒸着技術で付加し、その絶縁層上に回路を設けた熱伝導性電子回路基板の製造方法が知られている。
図11に示した金属基板を用いた電子回路基板1は、アルミニウムや銅の金属基板10の上に、エポキシ樹脂などの有機接着剤の絶縁層20を設け、その上に銅線の回路パターン30と電子回路素子40とを形成したものである。ここで、図11(a)に示した電子回路基板1では、十分な絶縁性を確保せしめるため、エポキシ樹脂などの有機接着剤の絶縁層20として例えば80〜120μm程度の厚さが必要とされる。つまり、図11(a)に示した金属基板を用いた電子回路基板1は、ベースとなる金属基板10自体は熱伝導性がきわめて大きいものの、電子回路パターンとの間の絶縁層20は、有機接着剤という熱抵抗の大きな素材を用い、さらにその厚みが80〜120μmと厚くする必要があった。
その上に銅線の回路パターン30と電子回路素子40とを形成したものである。
まず、上記の図11(a)に示した金属基板を用いた電子回路基板1では、絶縁性をしっかりと確保するため絶縁層として熱抵抗の極めて大きい有機絶縁層20を形成させたものである為、アルミニウム基板10の高い熱伝導特性が反映され難くなり、結局、十分な熱伝導特性を有する基板が得られないという問題があった。また、絶縁性を確保するため、例えば、絶縁層20を80〜120μm程度まで厚くせざるを得ず、アルミニウム基板10に熱が伝導しづらく、十分な熱伝導特性を有する基板が得られなかった。
なお、ここでは電子素子により発生した熱の除去として、熱伝導という現象面を中心に説明しているが、熱が熱源である電子素子から系外に移動するということであれば良いので、本発明では空気中に直接放出される放熱という現象面も含まれ得る。つまり、本発明の構成要素である熱伝導性絶縁膜は、放熱現象から見れば、放熱性絶縁膜とも言えるものである。
まず、前記熱伝導性絶縁膜は、アルコキシド化合物の加水分解反応とシラノール脱水縮合反応により生成されたSi−Oネットワークおよび残存するシラノール基の前記生成化合物を含有するバインダーと、第1の顔料と、ナノ粒子化合物である第2の顔料を備えたものであり、分散された前記第1の顔料の間隙を前記第2の顔料と前記バインダーで充填して密度を向上せしめたものである。
溶媒は特に限定されない。例えば、ダイアセトンアルコールなどでも良い。
上記構成により、形成された熱伝導性絶縁膜の熱伝導性と絶縁性を確保せしめることができる。その原理は以下のように説明できる。
なお、密度を上げるため、塗料に占める溶媒の量を少なくしておくことが好ましい。通常の塗料では溶媒が30〜40%以上は入っているが、例えば20%以下とする。分散を十分に行い、ナノ粒子化した顔料を入れることで溶媒量を少なくしても液状に塗料化することができる。
前記熱伝導性絶縁膜の形成工程が、前記導電性基板の表面に絶縁・熱伝導性塗料を塗布・乾燥することにより前記熱伝導性絶縁膜を形成する工程であり、前記電子回路パターンの形成工程が、前記電子回路パターンをフィルム体の表面にあらかじめ形成する電子回路転写フィルム形成工程と、前記電子回路転写フィルムから前記熱伝導性絶縁膜の表面に前記電子回路パターンを転写する転写工程を備えた工程により製造する方法である。
前記熱伝導性絶縁膜の形成工程が、前記導電性基板の表面に絶縁・熱伝導性塗料を塗布・乾燥することにより形成する工程であり、前記電子回路パターンの形成工程が、前記熱伝導性絶縁膜の表面に銅箔層を蒸着して形成する銅箔蒸着工程と、前記銅箔層の表面に前記電子回路パターンを作るマスキングを施す工程と、前記マスキングした前記銅箔層をエッチングすることにより前記熱伝導性絶縁膜の表面に前記電子回路パターンを形成する工程により製造する方法である。
前記熱伝導性絶縁膜の形成工程が、前記導電性基板の表面に絶縁・熱伝導性塗料を塗布・乾燥することにより形成する工程であり、前記電子回路パターンの形成工程が、前記熱伝導性絶縁膜の表面に銅箔層を蒸着して形成する銅箔蒸着工程と、前記熱伝導性絶縁膜の表面に無電解メッキ用の触媒を含有した感光性塗布液を塗布し、前記電子回路パターンに対応する触媒パターンを形成する触媒パターン形成工程と、前記触媒パターンが描かれた前記基板全体を無電解メッキ液に浸漬して無電解メッキし、前記熱伝導性絶縁膜の表面に電子回路パターンを形成する各工程により製造する方法である。
前記熱伝導性絶縁膜の形成工程が、前記導電性基板の表面に絶縁・熱伝導性塗料を塗布・乾燥することにより前記熱伝導性絶縁膜を形成する工程であり、前記接着層の形成工程が、前記熱伝導性絶縁膜の表面に接着剤を塗布・乾燥する工程であり、前記電子回路パターンの形成工程が、前記電子回路パターンをフィルム体の表面にあらかじめ形成する電子回路転写フィルム形成工程と、前記電子回路転写フィルムから前記熱伝導性絶縁膜の表面に前記電子回路パターンを転写する転写工程により製造する方法である。
前記熱伝導性絶縁膜の形成工程が、前記導電性基板の表面に絶縁・熱伝導性塗料を塗布・乾燥することにより前記熱伝導性絶縁膜を形成する工程であり、前記接着層の形成工程が、前記熱伝導性絶縁膜の表面に接着剤を塗布・乾燥する工程であり、前記電子回路パターンの形成工程が、前記接着層の表面に銅箔を貼り付ける工程と、前記銅箔層の表面に前記電子回路パターンを作るマスキングを施す工程と、前記マスキングした前記銅箔層をエッチングすることにより前記熱伝導性絶縁膜の表面に前記電子回路パターンを形成する工程により製造する方法である。
以下、実施例1は、本発明の第1の構成の熱伝導性電子回路基板100の構成例を示す。
実施例2は、本発明の第2の構成の熱伝導性電子回路基板100aの構成例を示す。
実施例3は、本発明の熱伝導性電子回路基板において用いる熱伝導性絶縁膜が、高い絶縁性と熱伝導性を備えている点と熱伝導性絶縁膜120を形成する絶縁・熱伝導性塗料の組成について示す。
図1(a)は、本発明の第1の構成の熱伝導性電子回路基板100の横断面図の構成を模式的に示す図である。一方、図1(b)は金属基板を用いた従来例の電子回路基板1の横断面図の構成を模式的に示す図である。
図1(a)に示すように、本発明の実施例1の構成例の熱伝導性電子回路基板100は、導電性基板110、熱伝導性絶縁膜層120、電子回路パターン130、電子回路素子140を備えている。
図2(a)は本発明の熱伝導性電子回路基板100における熱伝導について模式的に示した図である。図2(a)に示すように電子回路素子140が稼働することにより生じる熱は、電子回路140から直接、または、銅線である電子回路パターン130を介して熱伝導性絶縁膜120に熱伝導する。ここで、熱伝導性絶縁膜120は後述するように高い熱伝導性を持っており、さらに厚さが10μm程度と極めて薄いので、熱の伝導を阻害することなく、スムーズに電子回路パターン130の熱が熱伝導性絶縁膜120を介して導電性基板110に伝導する。導電性基板110はアルミニウムなどの熱伝導性の高い材質であるので熱が系外に拡散してゆく。このように本発明の熱伝導性電子回路基板100では図2(a)に示すようにスムーズに電子回路素子140で発生した熱が熱伝導により系外に拡散してゆく。
まず、本発明の熱伝導性電子回路基板100の第1の製造方法について述べる。
図3は、本発明の熱伝導性電子回路基板100の第1の製造方法を模式的に示す図である。
まず、熱伝導性絶縁膜の形成工程S10により、導電性基板110の表面に絶縁・熱伝導性塗料を塗布・乾燥して熱伝導性絶縁膜120を形成する。絶縁・熱伝導性塗料の組成については後述する。
導電性基板110とは別体のポリイミドフィルムなどのフィルム体210の表面に銅ペーストの印刷や銅箔のエッチングなどにより電子回路パターン130を形成し、電子回路転写フィルム200を形成しておく。
次に、電子回路素子搭載工程S30において、電子回路パターン130の上に電子回路素子140を搭載し、本発明の第1の熱伝導性電子回路基板100が完成する。
上記第1の製造工程により、本発明の第1の熱伝導性電子回路基板100を得ることができる。
図4は、本発明の熱伝導性電子回路基板100の第2の製造方法を模式的に示す図である。
まず、熱伝導性絶縁膜の形成工程S10により、導電性基板110の表面に絶縁・熱伝導性塗料を塗布・乾燥して熱伝導性絶縁膜120を形成する。絶縁・熱伝導性塗料の組成については後述する。
図4(b)から図4(c)に示すように、銅箔蒸着工程S221において、熱伝導性絶縁膜の表面に銅箔層131を蒸着して形成しておく。
上記第2の製造工程により、本発明の熱伝導性電子回路基板100を得ることができる。
図5は、本発明の熱伝導性電子回路基板100の第3の製造方法を模式的に示す図である。
まず、熱伝導性絶縁膜の形成工程S10により、導電性基板110の表面に絶縁・熱伝導性塗料を塗布・乾燥して熱伝導性絶縁膜120を形成する。絶縁・熱伝導性塗料の組成については後述する。
感光剤塗布工程S231において、熱伝導性絶縁膜120の表面に無電解メッキ用の触媒を含有した感光性塗布液を塗布する。
上記第3の製造工程により、本発明の熱伝導性電子回路基板100を得ることができる。
図6(a)は、本発明の第2の構成の熱伝導性電子回路基板100aの横断面図の構成を模式的に示す図である。
また、熱伝導性絶縁膜120は、ある程度租面化されており、接着剤が含浸しやすい。そのため、例えば、10μmから20μm程度でも十分、電子回路パターン130と熱伝導性絶縁膜120間の接着を行うことができる構造となっている。
まず、本発明の第2の熱伝導性電子回路基板100の第1の製造方法について述べる。
図8は本発明の第2の熱伝導性電子回路基板100aの第1の製造方法を模式的に示す図である。
次に、電子回路素子搭載工程S30において、電子回路パターン130の上に電子回路素子140を搭載し、本発明の第1の熱伝導性電子回路基板100が完成する。
上記第1の製造工程により、本発明の第2の熱伝導性電子回路基板100aを得ることができる。
図9は本発明の第2の熱伝導性電子回路基板100aの第2の製造方法を模式的に示す図である。
まず、熱伝導性絶縁膜の形成工程S10により、導電性基板110の表面に絶縁・熱伝導性塗料を塗布・乾燥して熱伝導性絶縁膜120を形成する。絶縁・熱伝導性塗料の組成については後述する。
銅箔貼付工程S251において、接着層150の表面に銅箔層131を貼り付けて形成する。
次に、電子回路素子搭載工程S30において、電子回路パターン130の上に電子回路素子140を搭載し、本発明の第1の熱伝導性電子回路基板100が完成する。
上記第2の製造工程により、本発明の第2の熱伝導性電子回路基板100aを得ることができる。
熱伝導性絶縁膜塗料は、アルコキシド化合物の加水分解反応とシラノール脱水縮合反応により生成されたSi−Oネットワークおよび残存するシラノール基の生成化合物を含有するバインダーと、ナノ粒子化合物である顔料と、溶媒を備えたものであり、分散されたSi−Oネットワークの間を顔料と溶媒で充填して密度を向上せしめたものとなっている。
バインダーの精製では、アルコキシド化合物の加水分解によりシラノール基が生成され、その後シラノール脱水縮合反応が進んでSi−Oネットワークが形成されて行く。シラノール脱水縮合の進展により形成されるSi−Oネットワークおよび残存するシラノール基により構成される被膜により熱伝導性と放熱性と絶縁性とが発揮される。
本実施例1の熱伝導性絶縁膜120の好適例は、アルコキシド化合物の加水分解後、シラノール脱水縮合の進展により形成されるSi−Oネットワークおよび残存するシラノール基により構成される第1の化合物と、ナノ粒子化されたコロイダル金属酸化物またはコロイダル金属窒化物群から選ばれた少なくとも1種以上の第2の化合物とを含み、第1の化合物と第2の化合物の重量比が、40〜100重量%:60〜0重量%であるバインダーと、顔料と、溶媒とを備えた塗料より形成された塗布被膜である。
熱伝導性絶縁膜塗料の第1の化合物の組成の他の例は、アルコキシド化合物として、テトラアルコキシシランとトリアルコキシシランとジアルコキシシランを所定割合で混合したものとなっている。その混合割合は、テトラアルコキシシラン:トリアルコキシシラン:ジアルコキシシランが4.5対4.5対1から7.2対1.8対1の割合が好ましい。
Si−OH官能基を3つ備えたトリアルコキシシランとしては、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、エチルトリプロポキシシランなどが挙げられる。
Si−OH官能基を2つ備えたジアルコキシシランとしては、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシランなどが挙げられる。
つまり、Si−OH官能基を2つ持つアルコキシド化合物、Si−OH官能基を3つ持つアルコキシド化合物、Si−OH官能基を4つ持つアルコキシド化合物を、所定割合で混ぜ合わせると、アルコキシド分子間でSi−OH官能基の数に不均衡があるため、反応する相手となるSi−OH官能基がなく、いわば浮いてしまうSi−OH官能基が多数出てくるので脱水縮合が一気には進まなくなる。
図10は、本発明の熱伝導性絶縁膜塗料および熱伝導性絶縁膜120の断面構造を模式的に拡大した図である。
図10(a)は熱伝導性絶縁膜塗料がまだ乾燥して熱伝導性絶縁膜120として形成される前の状態を示している。図10(b)は熱伝導性絶縁膜塗料が十分に乾燥して熱伝導性絶縁膜120として形成された後の状態を示している。
ナノ粒子化された第2の顔料2は、コロイダル金属酸化物からなる群から選ばれる少なくとも1種以上のナノ粒子化合物、例えば、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化カルシウムの化合物のいずれかまたはそれらの混合物とする。ナノ粒子化されているので第1の顔料121の間隙を十分に緻密に充填することができ、熱伝導性絶縁膜120の密度をさらに上げることができる。
なお、溶媒123をゆっくりと蒸発させて膜全体を収縮させてゆくため、揮発性の高くない溶媒の方がコントロールしやすく、また、塗料に占める溶媒量も少なくしておくことが好ましい。
なお、従来技術においては、絶縁性を高めた基板シートを得るためには、高温化で熱硬化性樹脂を処理してプレスによる焼結を行うものであり、塗料により絶縁層を設けるという考え方は取っていない。また、従来の塗料は、第1の顔料121のようなものと有機系のバインダーと多量の溶媒(例えば40%以上)が入っており、それが乾燥して得られる膜では同時には十分な熱伝導性と絶縁性を得られないものとなっていた。
以下、順に、熱伝導性絶縁膜120の付着性、熱伝導性、絶縁性、耐食性を検証した。
付着性実験に用いた実験に用いた熱伝導性絶縁膜用塗料のバインダー組成は、4官能基を備えたテトラアルコキシシランとしてモメンティブマテリアル社製のテトラメトキシシランを用いた。また、3官能基を備えたバインダーのトリアルコキシシランとしてモメンティブマテリアル社製のメチルトリメトキシシランを用いた。また、2官能基を備えたジアルコキシシランとしてモメンティブマテリアル社製のジメチルジメトキシシランを用いた。テトラメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシランの配合を変えてそれぞれ製作した。
サンプルのそれぞれに含まれるジメチルジメトキシシラン(2官能)、メチルトリメトキシシラン(3官能)、テトラメトキシシラン(4官能)の配合を[表1]に示す。
付着性実験の手法としては、JIS−K5600−5−6の手法により碁盤目テストを行った。実験は3回行った。付着実験の結果を[表2]に示す。
注2:反応はアルコキシド1モルに対して水2.5〜4.5モル、望ましくは3.3モル、酸の量を十分入れ、顔料比率70%とし、膜厚を25μm±3μmにして実施。
注3:分散溶媒はエタノール、イソプロピルアルコールを配合した物を使用した。
注4:焼成条件は180℃で20分。基板はアルコール脱脂のみのアルミ板を使用した。試験片は7.5mmw×15.0mml×1.0mmtを各3枚。(評価は全数クリアー)
注5:塗布方法はスプレーコート。
注6:膜厚は15μm〜20μm、測定方法はマイクロメーター。
熱伝導性絶縁膜120において、高い熱伝導率が得られていることを確認した。
熱伝導試験に用いた熱伝導性絶縁膜用の塗料のバインダー組成は、付着性実験に用いた塗料のバインダー組成と同じものとした。
熱伝導性絶縁膜120を形成する基板としては、脱脂処理を行ったアルミプレート(150mm×75mm×1.0mm)を用いた。
熱伝導性試験の手法としては、アルミプレートの半分に熱伝導性絶縁膜120を形成し、残り半分は熱伝導性絶縁膜120は形成せずアルミプレートが剥き出しのままとする。アルミプレートの裏面から加熱し、アルミプレートの表面の温度分布を測定した。
なお、顔料の粒度は、膜の平滑性や綴密性、強度を考慮して、顔料の粒度は溶媒分散後で平均粒度で110nm以下が望ましい。
顔料の割合は、アルコキシドに対して、40体積%以下が妥当である。
本発明の熱伝導性電子回路基板に用いる熱伝導性絶縁膜の絶縁性を調べるために熱伝導性絶縁膜を用いて絶縁性が確保されている試験を行った。
(表4)
本発明の熱伝導性電子回路基板に用いる熱伝導性絶縁膜の耐腐食性も調べるために熱伝導性絶縁膜を用いて塩水噴霧試験と水浸試験も行った。
塩水噴霧試験の方法は、JIS−K5600−7−1に準じた。
測定はステンレスプレートのものを用いた。
塩水噴霧の放置時間は500時間とした。
塩水噴霧試験の結果を[表5]に示す。
測定はアルミプレートのものを用いた。
水浸の放置時間は500時間とした。
水浸試験の結果を[表6]に示す。
本発明の技術的範囲を逸脱することなく種々の変更が可能であることは理解されるであろう。
110 金属基板
120 熱伝導性絶縁膜層
121 第1の顔料
122 第2の顔料
123 バインダー
124 溶媒
130 電子回路パターン
140 電子回路素子
150 接着層
160 マスク
170 触媒パターン
200 転写フィルム
Claims (12)
- 電子回路を形成する基板となるとともに、前記電子回路素子において発生した熱を拡散させる熱伝導体となる導電性基板と、
前記導電性基板の表面に形成した、絶縁性と熱伝導性を備えた熱伝導性絶縁膜と、
前記熱伝導性絶縁膜の表面に形成した電子回路パターンおよび電子回路素子とを備えた熱伝導性電子回路基板。 - 電子回路を形成する基板となるとともに、前記電子回路素子において発生した熱を拡散させる熱伝導体となる導電性基板と、
前記導電性基板の表面に形成した、絶縁性と熱伝導性を備えた熱伝導性絶縁膜と、
前記熱伝導性絶縁膜の表面に形成した接着層と、
前記接着層を介して前記熱伝導性絶縁膜の表面に形成した電子回路パターンおよび電子回路素子とを備えた熱伝導性電子回路基板。 - 前記熱伝導性絶縁膜が、アルコキシド化合物の加水分解反応とシラノール脱水縮合反応により生成されたSi−Oネットワークおよび残存するシラノール基の前記生成化合物を含有するバインダーと、第1の顔料と、ナノ粒子化合物である第2の顔料を備えたものであり、分散された前記第1の顔料の間隙を前記第2の顔料と前記バインダーで充填して密度を向上せしめたものであることを特徴とする請求項1または2に記載の熱伝導性電子回路基板。
- 前記第1の顔料および第2の顔料が、コロイダル金属酸化物からなる群から選ばれる少なくとも1種以上のナノ粒子化合物である請求項1から3のいずれか1項に記載の熱伝導性電子回路基板。
- 前記第1の顔料が、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化マグネシウム、窒化ケイ素、窒化チタン、窒化カルシウムの化合物のいずれかまたはそれらの混合物を含むものである請求項1から4のいずれか1項に記載の熱伝導性電子回路基板。
- 前記第2の顔料が、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化チタン、酸化カルシウムの化合物のいずれかまたはそれらの混合物を含むものである請求項1から5のいずれか1項に記載の熱伝導性電子回路基板。
- 請求項1から6のいずれか1項に記載の熱伝導性電子回路基板を組み込んだ電子機器。
- 電子回路を形成する基板となるとともに、前記電子回路素子において発生した熱を拡散させる熱伝導体となる導電性基板と、前記導電性基板の表面に形成した絶縁性と熱伝導性を備えた熱伝導性絶縁膜と、前記熱伝導性絶縁膜の表面に形成した電子回路パターンおよび電子回路素子とを備えた熱伝導性電子回路基板を製造する方法であって、
前記熱伝導性絶縁膜の形成工程が、前記導電性基板の表面に絶縁・熱伝導性塗料を塗布・乾燥することにより前記熱伝導性絶縁膜を形成する工程であり、
前記電子回路パターンの形成工程が、前記電子回路パターンをフィルム体の表面にあらかじめ形成する電子回路転写フィルム形成工程と、前記電子回路転写フィルムから前記熱伝導性絶縁膜の表面に前記電子回路パターンを転写する転写工程を備えた工程であることを特徴とする熱伝導性電子回路基板の製造方法。 - 電子回路を形成する基板となるとともに、前記電子回路素子において発生した熱を拡散させる熱伝導体となる導電性基板と、前記導電性基板の表面に形成した絶縁性と熱伝導性を備えた熱伝導性絶縁膜と、前記熱伝導性絶縁膜の表面に形成した電子回路パターンおよび電子回路素子とを備えた熱伝導性電子回路基板を製造する方法であって、
前記熱伝導性絶縁膜の形成工程が、前記導電性基板の表面に絶縁・熱伝導性塗料を塗布・乾燥することにより形成する工程であり、
前記電子回路パターンの形成工程が、前記熱伝導性絶縁膜の表面に銅箔層を蒸着して形成する銅箔蒸着工程と、前記銅箔層の表面に前記電子回路パターンを作るマスキングを施す工程と、前記マスキングした前記銅箔層をエッチングすることにより前記熱伝導性絶縁膜の表面に前記電子回路パターンを形成する工程を備えたものであることを特徴とする熱伝導性電子回路基板の製造方法。 - 電子回路を形成する基板となるとともに、前記電子回路素子において発生した熱を拡散させる熱伝導体となる導電性基板と、前記導電性基板の表面に形成した絶縁性と熱伝導性を備えた熱伝導性絶縁膜と、前記熱伝導性絶縁膜の表面に形成した電子回路パターンおよび電子回路素子とを備えた熱伝導性電子回路基板を製造する方法であって、
前記熱伝導性絶縁膜の形成工程が、前記導電性基板の表面に絶縁・熱伝導性塗料を塗布・乾燥することにより形成する工程であり、
前記電子回路パターンの形成工程が、前記熱伝導性絶縁膜の表面に銅箔層を蒸着して形成する銅箔蒸着工程と、前記熱伝導性絶縁膜の表面に無電解メッキ用の触媒を含有した感光性塗布液を塗布し、前記電子回路パターンに対応する触媒パターンを形成する触媒パターン形成工程と、前記触媒パターンが描かれた前記基板全体を無電解メッキ液に浸漬して無電解メッキし、前記熱伝導性絶縁膜の表面に電子回路パターンを形成する各工程を備えたことを特徴とする熱伝導性電子回路基板の製造方法。 - 電子回路を形成する基板となるとともに、前記電子回路素子において発生した熱を拡散させる熱伝導体となる導電性基板と、前記導電性基板の表面に形成した絶縁性と熱伝導性を備えた熱伝導性絶縁膜と、前記熱伝導性絶縁膜の表面に形成した接着層と、前記接着層の表面に形成した電子回路パターンおよび電子回路素子とを備えた熱伝導性電子回路基板を製造する方法であって、
前記熱伝導性絶縁膜の形成工程が、前記導電性基板の表面に絶縁・熱伝導性塗料を塗布・乾燥することにより前記熱伝導性絶縁膜を形成する工程であり、
前記接着層の形成工程が、前記熱伝導性絶縁膜の表面に接着剤を塗布・乾燥する工程であり、
前記電子回路パターンの形成工程が、前記電子回路パターンをフィルム体の表面にあらかじめ形成する電子回路転写フィルム形成工程と、前記電子回路転写フィルムから前記熱伝導性絶縁膜の表面に前記電子回路パターンを転写する転写工程を備えたものであることを特徴とする熱伝導性電子回路基板の製造方法。 - 電子回路を形成する基板となるとともに、前記電子回路素子において発生した熱を拡散させる熱伝導体となる導電性基板と、前記導電性基板の表面に形成した絶縁性と熱伝導性を備えた熱伝導性絶縁膜と、前記熱伝導性絶縁膜の表面に形成した接着層と、前記接着層の表面に形成した電子回路パターンおよび電子回路素子とを備えた熱伝導性電子回路基板を製造する方法であって、
前記熱伝導性絶縁膜の形成工程が、前記導電性基板の表面に絶縁・熱伝導性塗料を塗布・乾燥することにより前記熱伝導性絶縁膜を形成する工程であり、
前記接着層の形成工程が、前記熱伝導性絶縁膜の表面に接着剤を塗布・乾燥する工程であり、
前記電子回路パターンの形成工程が、前記接着層の表面に銅箔を貼り付ける工程と、前記銅箔層の表面に前記電子回路パターンを作るマスキングを施す工程と、前記マスキングした前記銅箔層をエッチングすることにより前記熱伝導性絶縁膜の表面に前記電子回路パターンを形成する工程を備えたものであることを特徴とする熱伝導性電子回路基板の製造方法。
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