KR20170123394A - 방열 특성이 향상된 코팅 조성물 및 이를 이용한 도막의 형성 방법 - Google Patents

방열 특성이 향상된 코팅 조성물 및 이를 이용한 도막의 형성 방법 Download PDF

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Abstract

방열 특성이 향상된 코팅 조성물 및 이를 이용한 도막의 형성 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 에폭시 수지 코팅 조성물은 10㎚ 이하의 두께를 가지는 질화 붕소(Boron Nitride)를 포함한다. 따라서, 도막의 부착성을 유지하면서, 열전도성을 대폭 향상시켜 도막의 방열 특성을 향상시킬 수 있다.

Description

방열 특성이 향상된 코팅 조성물 및 이를 이용한 도막의 형성 방법{COATING COMPOSITION WITH IMPROVED THERMAL CONDUCTIVITY AND METHOD OF FORMING COATING FILM}
본 발명은 코팅 조성물 및 이를 이용한 도막의 형성 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 방열 특성이 향상된 코팅 조성물 및 이를 이용한 도막의 형성 방법에 관한 것이다.
오늘날 코팅재는 건축 현장에서부터 전자 제품에 이르기까지 다양하게 이용되고 있다. 코팅재는 표면 필름 형성을 통하여 내부를 보호하는 것은 물론 다양한 기능성을 부여하기도 하여 물체 전부에 특성 부여가 곤란한 경우 유리하기 때문에 그 사용량이 증가하고 있다.
최근 전기, 전자 산업과 정보 통신 기술이 급속하게 발전함에 따라 전자 기기의 경박 단소화가 이루어지고 있고, 이에 의하여 이들에 장착되는 회로의 집적도가 증대되고 있다.
또한, 상기 집적 회로에 실장되는 전자 부품은 전기 에너지를 기반으로 작동하는데, 이러한 작동 과정에서 필연적으로 열에너지가 발생한다. 특히, CPU 등의 패키지가 고도로 집적화되면서 소비전력과 발열량이 상승하고, 또한 정밀화 될수록 작은 충격과 간섭에도 민감해지기 때문에, 전자 부품에서 발생하는 열을 제거하는 위한 방법이 요구되고 있다.
예컨대, 전자제품 제조시 반도체 칩을 봉지한 후 방열 성능이 우수한 코팅 수지를 적용하는 것이 검토될 수 있으며, 열전도성이 우수한 충전제를 포함한 복합재료들의 개발이 검토되고 있다.
이러한 열전도성이 요구되는 경우 양전자가 이동할 수 있는 계면 특성이 요구된다. 그러나 유기 고분자에 분산된 무기 또는 금속 미립자들의 충전제들은 일반적으로 전자와 양전자의 이동이 수월하지 못하고 계면 저항이 높은 것으로 인식되고 있다.
한국 등록특허문헌 제10-1446707호(2014.09.25)
(0001) Chunyi zhi, Yibin Xu, yoshio Bando, and Dmitri Golberg, ACS nano, 5, 8, 6571 (2011). (0002) J. Fu, L. Shi, D. Zhang, Q. Zhong, Y. Chen, Polymer Engineering and Science, 50 (9), 1809-1819 (2010)
본 발명은 방열 특성이 향상된 코팅 조성물을 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 방열 특성이 향상된 코팅 조성물을 이용한 도막의 형성 방법을 제공하고자 한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 방열 특성이 향상된 코팅 조성물은, 10㎚ 이하의 두께를 가지는 질화 붕소(Boron Nitride)를 포함한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 코팅 조성물 전체 부피에 대하여, 상기 질화 붕소는 0.01 내지 80부피%를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 코팅 조성물 전체 부피에 대하여, 상기 질화 붕소는 1.0 내지 70부피%를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 질화 붕소는 판상형 나노 플레이트(nano plate) 미립자일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 판상형 나노 플레이트 미립자는, 상기 질화 붕소를 디메틸 포름알데히드(DMF)에서 소니케이션을 통하여 박리하여 제조될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 바인더 및 경화제를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 바인더는 실리콘-에폭시-비닐 하이브리드 수지를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 실리콘-에폭시-비닐 하이브리드 수지는 하기 화학식 1로 표시되는 에폭시 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 실리콘 화합물 및 하기 화학식 3으로 표시되는 비닐 화합물을 반응시켜 합성될 수 있다.
Figure pat00001
[화학식 1]
Figure pat00002
[화학식 2]
Figure pat00003
[화학식 3]
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 에폭시 화합물, 상기 실리콘 화합물 및 상기 비닐 화합물은 몰비율로 1~2:1~2:1~2의 비율로 반응하여 상기 실리콘-에폭시 비닐 하이브리드 수지를 합성할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 경화제는 양이온 중합 개시제 및 자유 라디칼 개시제로 이루어진 그룹에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 방열 특성이 향상된 도막의 형성 방법은, 코팅 조성물을 피처리 제품에 도포하는 단계를 포함한다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 피처리 제품은 반도체 칩일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 방열 특성이 향상된 코팅 조성물 및 이를 이용한 도막의 형성 방법에 따르면, 바인더의 성분을 충분히 포함하여 도막의 부착성을 유지하면서, 질화 붕소를 포함하여 열전도성을 대폭 향상시켜 도막의 방열 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 판상형 질화 붕소 나노 플레이트 미립자의 투과 전자 현미경 사진이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 판상형 질화 붕소 나노 플레이트 미립자의 고배율 투과 전자 현미경 사진이다.
이하에서는 본 발명의 실시 예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 이하의 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 사상을 충분히 전달하기 위해 제시하는 것이다. 본 발명은 여기서 제시한 실시예만으로 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 코팅 조성물은, 10㎚ 이하의 두께를 가지는 질화 붕소(Boron Nitride)를 포함한다.
예를 들어, 상기 질화 붕소는 판상형 나노 플레이트(nano plate) 미립자일 수 있다. 예를 들어, 상기 판상형 나노 플레이트 미립자는, 상기 질화 붕소를 디메틸 포름알데히드(DMF)에서 소니케이션을 통하여 박리하여 제조될 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 질화 붕소 나노플레이트 미립자는 두께가 10㎚ 이하인 미립자를 사용하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 코팅 조성물의 열전도성을 향상시키기 위하여 전기절연성과 화학적 안정성을 장점으로 하는 상기 질화 붕소를 사용한다.
통상적으로 ㎛ 수준의 미립자를 사용할 수 있지만, 두께가 10㎚ 이하인 미세한 입자를 사용할수록, 동일한 질량의 물질에 대하여 더 많은 개수의 입자를 투입할 수 있으므로, ㎚ 수준의 미립자를 사용함으로써 퍼컬레이션(percolation)을 통하여 코팅재의 열전도성을 향상시킬 수 있게 된다. 상기 질화 붕소 나노플레이트 미립자는 더욱 미세한 입자를 투입하는 것이 바람직하다.
상기의 판상형 나노플레이트 미립자를 사용하는 이유는 ㎚ 수준의 미립자들이 ㎛ 크기의 미립자들에 비해 표면적이 증대하여 수지와의 열저항을 줄여주기 때문이다. 즉, 상기 질화 붕소 나노플레이트 미립자의 두께가 10㎚ 초과인 경우 원하는 수준의 열전도성을 확보하기 어렵다.
이러한 열전도성이 요구되는 경우 양전자가 이동할 수 있는 계면 특성이 요구된다. 그러나 유기 고분자에 분산된 무기 또는 금속 미립자들의 충전제들은 일반적으로 전자와 양전자의 이동이 수월하지 못하고 계면 저항이 높게 나타난다. 즉, 상기 질화 붕소의 크기가 미세할수록 동일한 투입량에 대한 입자의 표면적은 증대하게 되고, 이에 따라 도막의 계면저항이 증가하는 문제점이 발생한다.
따라서, 본 발명은 두께가 10㎚ 이하인 상기 질화 붕소 미립자들을 사용하되, 판상의 형상으로 전환시킨다.
예를 들어, 상기 판상형 질화 붕소 나노플레이트 미립자는 일반적인 질화 붕소를 디메틸 포름알데히드(DMF)에서 소니케이션을 통하여 박리하여 제조될 수 있다.
구체적으로, 질화 붕소를 용매에 분산시키고 디메틸 포름알데히드(DMF: dimethyl formamide)를 매질로 사용하여 초음파 공정으로 박리시킨다. 이와 같이, 질화 붕소 미립자를 판상의 형상으로 변환시킴으로써, 질화 붕소 입자를 사용하면서도 코팅 조성물과의 계면저항을 낮추어서 계면 접착이 우수한 특성을 부여할 수 있고, 또한 열저항을 낮추어 코팅 조성물에 열전도성을 향상시킬 수 있게 되는 것이다.
예를 들어, 판상형 미립자는 종횡비(aspect ratio)가 클수록 퍼컬레이션(percolation)에 유리하다. 이러한 질화 붕소 나노미립자는 종횡비가 큰 경우 ㎛ 수준의 질화 붕소 비하여 낮은 함량에서도 서로 연결된 형태의 분산인 퍼컬레이션(percolation)이 가능해지는 장점을 가지기 때문이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 판상형 질화 붕소 나노 플레이트 미립자의 투과 전자 현미경 사진이다. 도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에서 사용된 DMF 내에서 초음파로 박리하여 얻은 판상형 질화 붕소 나노플레이트 미립자의 투과 전자 현미경 사진을 나타내고 있다. 확대비율은 80,000 배이다.
따라서, 본 발명에 있어서, 상기 질화 붕소 나노플레이트 미립자는 두께가 10㎚ 이하인 ㎚ 수준의 판상형 미립자를 사용한다.
다만, 상기 질화 붕소 미립자의 과도한 투여는, 코팅 조성물의 바인더의 함량이 상대적으로 감소하게 되므로, 상기 질화 붕소 미립자의 분산이 균일하지 못하여 코팅 조성물 본연의 기능을 다할 수 없고, 도막의 부착 성능을 저하시키는 요인이 되고 있다.
예를 들어, 코팅 조성물 전체 부피에 대하여, 상기 질화 붕소는 0.01 내지 80부피%를 포함할 수 있다. 더욱 바람직하게는, 코팅 조성물 전체 부피에 대하여, 상기 질화 붕소는 1.0 내지 70부피%를 포함할 수 있다.
본 발명에 있어서, 상기 질화 붕소 보론드 나노플레이트 미립자는 코팅 조성물 전체 부피에 대하여, 0.01 내지 80부피%를 투입시키고 분산시키는 것이 바람직하다. 상기 질화 붕소 보론드 나노플레이트 미립자를 0.01부피% 보다 적게 투입할 경우, 첨가제의 투입량이 너무 적어서 퍼컬레이션에 의한 기능성 코팅 조성물로서의 열전도성을 발휘할 수 없는 반면에, 상기 질화 붕소 보론드 나노플레이트 미립자를 80부피% 보다 크게 투입할 경우 투입량에 비하여 열전도성을 향상시키는데 한계를 보여주기 때문에 바람직스럽지 못하다. 보다 바람직하기로는, 상기 질화 붕소 보론드 나노플레이트 미립자는 코팅 조성물 전체 부피에 대하여, 1.0 내지 70부피%를 투입시키고 분산시키는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 코팅 조성물은 바인더 및 경화제를 포함한다.
상기 바인더는 실리콘-에폭시-비닐 하이브리드 수지를 포함하며, 상기 실리콘-에폭시-비닐 하이브리드 수지는 하기 화학식 1로 표시되는 에폭시 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 실리콘 화합물 및 하기 화학식 3으로 표시되는 비닐 화합물을 반응시켜 합성될 수 있다.
Figure pat00004
[화학식 1]
Figure pat00005
[화학식 2]
Figure pat00006
[화학식 3]
예를 들어, 상기 에폭시 화합물, 상기 실리콘 화합물 및 상기 비닐 화합물은 몰비율로 1~2:1~2:1~2의 비율로 반응할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 바인더는 매트릭스(matrix) 수지로서 실리콘-에폭시-비닐 하이브리드 수지를 사용할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 에폭시 화합물, 상기 실리콘 화합물 및 상기 비닐 화합물을 반응시켜 합성한 복합재료 형태의 코팅 조성물의 매트릭스 수지로 사용함으로써, 복합재료에 첨가되는 충전제의 분산 및 결합을 위한 고가의 결합제를 이용한 표면 처리 또는 첨가 공정들을 생략할 수 있다.
상기 바인더는 에폭시 수지와 실리콘 아크릴레이트의 하이브리드 타입을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 상기 바인더는 상기 화학식 1로 표시되는 실리콘-에폭시-비닐 하이브리드 수지일 수 있다. 더욱 구체적으로는 epoxy acrylate bifunctional polysiloxanes/cycloaliphatic epoxy resin을 사용할 수 있다.
상기 경화제는 양이온 중합 개시제 및 자유 라디칼 개시제로 이루어진 그룹에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 양이온 중합 개시제는 알루미늄 아세틸아세토네이트(Aluminum Acetylacetonate)이고, 상기 자유 라디칼 개시제는 터셔리부틸퍼벤조에이트(tert-Butylperbenzoate)를 사용할 수 있다.
수지 경화를 위하여는 양이온 중합 개시제인 알루미늄 아세틸아세토네이트와 자유라디칼 개시제인 터셔리 부틸 퍼벤조에이트를 각각 상기 코팅 조성물 전체 중량% 기준으로, 0.05 내지 0.1% 및 0.2 내지 0.3 % 첨가하였다.
본 발명의 일 실시예에 따른 방열 특성이 향상된 도막의 형성 방법은 상기 코팅 조성물을 피처리 제품에 도포하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른, 기능성 코팅 조성물은 통상의 방법으로 피처리 전자 제품에 도포하거나 피복시켜서 통상의 방법으로 경화시킨다. 본 발명에 의한 기능성 코팅재의 도포 방식이나 피복 방법은 통상적인 방식으로 수행될 수 있고, 경화시키는 방법도 통상의 방식으로 수행될 수 있다.
예를 들어, 상기 도막은, 100 내지 150℃의 온도에서 2 내지 4시간 동안 도막을 1차 경화시키는 단계 및 130 내지 180℃의 온도에서 1 내지 3시간 동안 도막을 2차 경화시키는 단계를 거쳐 경화될 수 있다.
예를 들어, 상기 피처리 제품은 반도체 칩일 수 있다.
결과적으로, 본 발명의 기술사상은 코팅 조성물에 상기 종횡비가 큰 판상형 질화 붕소 나노플레이트 미립자를 첨가할 경우, 코팅 조성물의 열 전도성을 향상시킬 수 있는 것이다.
이하, 실시예들을 통하여 본 발명을 보다 상세하게 설명하도록 한다.
질화 붕소 나노플레이트 미립자의 제조
유기용매에 분산이 가능한 육각형의 질화 붕소(제품번호: 42543, Alfa asear사)를 디메틸 포름알데히드(DMF: dimethyl formamide)에 24시간 동안 소니케이션을 통하여 박리시켰다. DMF에 박리된 질화 붕소는 두께가 10 나노미터 이하인 나노플레이트 상태로 되었다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 판상형 질화 붕소 나노 플레이트 미립자의 고배율 투과 전자 현미경 사진이다. 도 2를 참조하면, 고배율 투과전자현미경(TEM: Transmisstion Electron Microscope, Jeol사 JEM-2010)으로 관찰한 질화 붕소 나노플레이트 사진을 나타내고 있다. 확대비율은 800,000 배이다. 상기 도 1 및 도 2를 참조하면, TEM 사진에서는 질화 붕소의 두께가 10㎚ 이하인 얇은 판상의 상태임을 알 수가 있다.
질화 붕소 나노플레이트 미립자를 포함하는 코팅 조성물의 제조
코팅 조성물의 바인더로서는 epoxy acrylate bifunctional polysiloxanes/cycloaliphatic epoxy resin을 사용하였고, 더욱 구체적으로는 상기 화학식 1로 표시되는 에폭시 화합물, 상기 화학식 2로 표시되는 실리콘 화합물 및 상기 화학식 3으로 표시되는 비닐 화합물을 몰비율로 1:1:1로 혼합하여 졸-겔 반응시켜 제조한 하기 화학식 4로 표시되는 실리콘-에폭시-비닐 하이브리드 수지를 사용하였다.
Figure pat00007
[화학식 4]
한편, 경화제는 양이온 경화제인 알루미늄 아세틸아세토네이트(Aluminum Acetylacetonate)와, 자유 라디칼 개시제인 터셔리부틸퍼벤조에이트(tert-Butylperbenzoate)를 사용하였다. 상기 바인더를 사용할 경우, 종래의 바인더에 비하여, 가교 밀도를 낮추고 질화 붕소 나노플레이트 미립자의 분산을 용이하게 해준다.
코팅 조성물을 이용한 도막의 형성
상기 코팅 조성물을 반도체 칩 상에 도포시키고, 오븐에 넣고, 130에서 3시간 동안 경화를 시켰다. 그 이후, 반도체 칩을 다시 오븐에 넣고, 150에서 2시간 동안 경화시켰다.
제조예
제조예 1
바인더로 사용하는 상기 화학식 4로 표시되는 실리콘-에폭시-비닐 하이브리드 수지 3.18g에 지환족 에폭시 수지인 일본 다이셀화학 제품인 Celloxide 2021P를 1.40g 첨가하고, Fluka사로부터 구입한 에폭시 실란화합물인 2-(3,4-Epoxycyclohexyl)ethyl- trimethoxysilane (ECTS)을 0.70g을 추가하였다.
10㎚ 두께의 판상형 질화 붕소 나노플레이트 미립자를 0.1g 첨가하여, 질화 붕소 나노플레이트 미립자 함량이 부피기준 1%인 것을 제조하였다. 상기 코팅 조성물 전체 중량% 기준으로, 경화제로 알미늄 아세틸아세토네이트를 0.05 중량%, 터셔리 부틸 퍼벤조에이트를 0.2 중량%를 첨가한 후, 120에서 3시간, 150에서 2시간을 경화시켜 시편을 제조하였다.
상기 제조예 1에 의한 방식으로 코팅 조성물을 제조하고, 이들 코팅 조성물을 경화시킨 후, 도막의 열전도도를 측정하였다. 열전도도의 측정은 Laser Flash 열전도도 측정기(LFA 457, Netzsch Inc. Ltd.)를 사용하였다. 상기 제조예 1에 의한 방식으로 제조된 도막의 열전도도는 0.76 W/mK 로 측정되었다.
제조예 2
상기 제조예 1에 있어서, 상기 질화 붕소 나노플레이트 미립자를 0.42g 첨가하여, 상기 질화 붕소 나노플레이트 미립자 함량이 부피 기준 4% 인 것으로 제조한 것을 제외하고는, 동일한 조건으로 수행하였다.
상기 제조예 2에 의한 방식으로 코팅 조성물을 제조하고, 이들 코팅 조성물을 경화시킨 후, 도막의 열전도도를 측정하였다. 제조예 2에 의한 방식으로 제조된 도막의 열전도도는 1.66 W/mK 로 측정되었다.
제조예 3
상기 제조예 1에 있어서, 상기 질화 붕소 나노플레이트 미립자를 0.84g 첨가하여, 상기 질화 붕소 나노플레이트 미립자 함량이 부피 기준 8% 인 것으로 제조한 것을 제외하고는, 동일한 조건으로 수행하였다.
상기 제조예 3에 의한 방식으로 코팅 조성물을 제조하고, 이들 코팅 조성물을 경화시킨 후, 도막의 열전도도를 측정하였다. 제조예 3에 의한 방식으로 제조된 도막의 열전도도는 2.89 W/mK 로 측정되었다.
제조예 4
상기 제조예 1에 있어서, 상기 질화 붕소 나노플레이트 미립자를 4.3g 첨가하여, 상기 질화 붕소 나노플레이트 미립자 함량이 부피기준 30%인 것으로 제조한 것, 그리고, 상기 코팅 조성물 전체 중량% 기준으로, 경화제로 알미늄 아세틸아세토네이트를 0.1 중량%, 터셔리 부틸 퍼벤조에이트를 0.3 중량%를 첨가한 후, 120에서 3시간, 150에서 2시간을 경화시켜 시편을 제조한 것을 제외하고는, 동일한 조건으로 수행하였다.
상기 제조예 4에 의한 방식으로 코팅 조성물을 제조하고, 이들 코팅 조성물을 경화시킨 후, 도막의 열전도도를 측정하였다. 제조예 4에 의한 방식으로 제조된 도막의 열전도도는 7.25 W/mK 로 측정되었다.
질화 붕소 함량(부피%) 열전도도(W/mK)
제조예 1 1 0.76
제조예 2 4 1.66
제조예 3 8 2.89
제조예 4 30 7.25
결과적으로, 표 1을 참조하면, 상기 제조예 1에 의한 도막의 열전도도는 0.76 W/mK 이었고, 상기 제조예 2에 의한 도막의 열전도도는 1.66 W/mK 이었으며, 상기 제조예 3에 의한 도막의 열전도도는 2.89 W/mK 이었고, 상기 제조예 4에 의한 도막의 열전도도는 7.25 W/mK 이었다.
종래의 질화 붕소 플레이트를 PDDA(polydiallyldimethylammonium chloride) 매트릭스에 분산시켜 질화 붕소 미립자 함량이 부피 기준으로 4 %인 경우, 그의 열전도도는 0.75 W/mK 이었고, 질화 붕소 미립자 함량이 부피 기준으로 6 %인 경우 그의 열전도도는 0.9 W/mK 이었다. (Chunyi zhi, Yibin Xu, yoshio Bando, and Dmitri Golberg, ACS nano, 5, 8, 6571 (2011).)
이와 달리, 종래의 ㎛ 수준의 두께 질화 붕소를 첨가하여 중량기준 40% 첨가한 조건에서, 그 코팅재의 열전도도는 0.44 W/mK 이었던 것으로 측정되었다. (J. Fu, L. Shi, D. Zhang, Q. Zhong, Y. Chen, Polymer Engineering and Science, 50 (9), 1809-1819 (2010))
결과적으로, 본 발명의 경우에는, 종래의 방식에 의한 도막에 비하여, 동일 조건인 부피기준 4%의 질화 붕소 첨가시 최소한 121% 내지 285 % 의 열전도도가 증가하는 효과를 가진다.
한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 도막은 반도체 칩과 유사한 조성으로 간주할 수 있는 유리판을 접합시킨 경우, 기재 유리에서 파괴가 일어나 부착력이 완벽함을 알 수 있었다.
상술한 바에 있어서, 본 발명의 예시적인 실시예들을 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 다음에 기재하는 특허청구범위의 개념과 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변경 및 변형이 가능함을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (12)

10㎚ 이하의 두께를 가지는 질화 붕소(Boron Nitride)를 포함하는 방열 특성이 향상된 코팅 조성물.
제1항에 있어서,
코팅 조성물 전체 부피에 대하여, 상기 질화 붕소는 0.01 내지 80부피%를 포함하는 방열 특성이 향상된 코팅 조성물.
제2항에 있어서,
코팅 조성물 전체 부피에 대하여, 상기 질화 붕소는 1.0 내지 70부피%를 포함하는 방열 특성이 향상된 코팅 조성물.
제1항에 있어서,
상기 질화 붕소는 판상형 나노 플레이트(nano plate) 미립자인 방열 특성이 향상된 코팅 조성물.
제4항에 있어서,
상기 판상형 나노 플레이트 미립자는,
상기 질화 붕소를 디메틸 포름알데히드(DMF)에서 소니케이션을 통하여 박리하여 제조된 방열 특성이 향상된 코팅 조성물.
제1항에 있어서,
바인더 및 경화제를 포함하는 방열 특성이 향상된 코팅 조성물.
제6항에 있어서,
상기 바인더는 실리콘-에폭시-비닐 하이브리드 수지를 포함하는 방열 특성이 향상된 코팅 조성물.
제7항에 있어서,
상기 실리콘-에폭시-비닐 하이브리드 수지는 하기 화학식 1로 표시되는 에폭시 화합물, 하기 화학식 2로 표시되는 실리콘 화합물 및 하기 화학식 3으로 표시되는 비닐 화합물을 반응시켜 합성되는 방열 특성이 향상된 코팅 조성물.
Figure pat00008
[화학식 1]
Figure pat00009
[화학식 2]
Figure pat00010
[화학식 3]
제8항에 있어서,
상기 에폭시 화합물, 상기 실리콘 화합물 및 상기 비닐 화합물은 몰비율로 1~2:1~2:1~2의 비율로 반응하여 상기 실리콘-에폭시 비닐 하이브리드 수지를 합성하는 방열 특성이 향상된 코팅 조성물.
제6항에 있어서,
상기 경화제는 양이온 중합 개시제 및 자유 라디칼 개시제로 이루어진 그룹에서 선택되는 어느 하나 이상을 포함하는 방열 특성이 향상된 코팅 조성물.
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 코팅 조성물을 피처리 제품에 도포하는 단계를 포함하는 방열 특성이 향상된 도막의 형성 방법.
제11항에 있어서,
상기 피처리 제품은 반도체 칩인 방열 특성이 향상된 도막의 형성 방법.

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