JPH0227786A - 低熱抵抗回路基板 - Google Patents
低熱抵抗回路基板Info
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- JPH0227786A JPH0227786A JP17760988A JP17760988A JPH0227786A JP H0227786 A JPH0227786 A JP H0227786A JP 17760988 A JP17760988 A JP 17760988A JP 17760988 A JP17760988 A JP 17760988A JP H0227786 A JPH0227786 A JP H0227786A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は低熱抵抗回路基板、特に厚膜混成集積回路に用
いられる低熱抵抗回路基板に関する。
いられる低熱抵抗回路基板に関する。
く口）従来の技術
本願出願人はすでに特公昭４６−１３２３４号公報に厚
膜混成集積回路の組み込みに適した金属基板を用いた低
熱抵抗回路基板を開発した。斯る基板はアルミニウム板
の表面を陽極酸化として酸化アルミニウム被膜で被覆し
たものであり、その表面に約３０μの厚さのエポキシ樹
脂で銅箔を接着している構造なので熱抵抗は１ｃｍ”の
面積あたり１．３℃／Ｗ程度であった。
膜混成集積回路の組み込みに適した金属基板を用いた低
熱抵抗回路基板を開発した。斯る基板はアルミニウム板
の表面を陽極酸化として酸化アルミニウム被膜で被覆し
たものであり、その表面に約３０μの厚さのエポキシ樹
脂で銅箔を接着している構造なので熱抵抗は１ｃｍ”の
面積あたり１．３℃／Ｗ程度であった。
最近集積化の要請より、更に大出力回路をも組み込みで
きる低熱抵抗基板が提案された。この基板は、アルミニ
ウム等の良熱伝導性金属基板の−主面に多量のアルミナ
（Ａ１．Ｏ，）を含有したエポキシ樹脂層を薄く付着し
た構造を有し、樹脂層の厚さが６０μと２倍になったに
もかかわらず、熱抵抗は０．８°Ｃ／Ｗと改善されてい
る。
きる低熱抵抗基板が提案された。この基板は、アルミニ
ウム等の良熱伝導性金属基板の−主面に多量のアルミナ
（Ａ１．Ｏ，）を含有したエポキシ樹脂層を薄く付着し
た構造を有し、樹脂層の厚さが６０μと２倍になったに
もかかわらず、熱抵抗は０．８°Ｃ／Ｗと改善されてい
る。
（ハ）発明が解決しようとする課題
しかしながら斯上の基板を用いて混成集積回路を生産す
ると大きな問題が生じた。これは−枚の基板に多数個の
混成集積回路を形成した後にプレスで各混成集積回路に
打抜く工程で、プレス金型の寿命が従来の基板が１００
万シヨツトであるのに対しこの基板では５ｏｏｏシヨツ
トで摩耗してしまうのである。この原因はアルミナにあ
る。即ちアルミナのモース硬度は９であり、プレス金型
を形成する焼入れ鋼のモース硬度は約６．５でありプレ
ス金型の側面を削る。即ち、プレス金型の寿命を著しく
下げさせる大きな問題点があった。
ると大きな問題が生じた。これは−枚の基板に多数個の
混成集積回路を形成した後にプレスで各混成集積回路に
打抜く工程で、プレス金型の寿命が従来の基板が１００
万シヨツトであるのに対しこの基板では５ｏｏｏシヨツ
トで摩耗してしまうのである。この原因はアルミナにあ
る。即ちアルミナのモース硬度は９であり、プレス金型
を形成する焼入れ鋼のモース硬度は約６．５でありプレ
ス金型の側面を削る。即ち、プレス金型の寿命を著しく
下げさせる大きな問題点があった。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明は上述した課題に鑑みて為されたものであり、良
熱伝導性金属基板の一主面に絶縁樹脂薄層を介して所望
形状の複数の導体パターンが形成され前記基板の所定領
域をプレス金型でプレス打抜きによって形成された回路
基板において、前記絶縁樹脂薄層中に前記プレス金型の
モース硬度よりも小きいモース硬度の高熱伝導性フィラ
ーを混入して解決する。
熱伝導性金属基板の一主面に絶縁樹脂薄層を介して所望
形状の複数の導体パターンが形成され前記基板の所定領
域をプレス金型でプレス打抜きによって形成された回路
基板において、前記絶縁樹脂薄層中に前記プレス金型の
モース硬度よりも小きいモース硬度の高熱伝導性フィラ
ーを混入して解決する。
（本）作用
この様に本発明に依れば、絶Ｒ１ｆ４脂薄層中にプレス
金型のモース硬度よりも小さいモース硬度の高熱伝導性
フィラーのＢＮを混入することにより、基板の熱伝導性
を著しく向上させると共にプレス時におけるプレス金型
の摩耗を著しく防止することができる。
金型のモース硬度よりも小さいモース硬度の高熱伝導性
フィラーのＢＮを混入することにより、基板の熱伝導性
を著しく向上させると共にプレス時におけるプレス金型
の摩耗を著しく防止することができる。
（へ）実施例
以下に第１図に示した実施例に基づいて本発明をバ゛「
細に説明する。
細に説明する。
第１図は本発明の低熱抵抗回路基板（１）を示す断面図
であり、良熱伝導性金属基板（２）と、その−主面に設
けられた高熱伝導性フィラー（３）が含有された絶縁樹
脂薄層（４）と、絶縁樹脂薄Ｍ（４）上に貼着された他
の絶縁樹脂薄層（５）より成る。
であり、良熱伝導性金属基板（２）と、その−主面に設
けられた高熱伝導性フィラー（３）が含有された絶縁樹
脂薄層（４）と、絶縁樹脂薄Ｍ（４）上に貼着された他
の絶縁樹脂薄層（５）より成る。
金属基板（２）としてはプレス等の加工が容易な良熱伝
導性のアルミニウム基板が用いられる。
導性のアルミニウム基板が用いられる。
絶縁樹脂薄層（４）としては、例えばフェノール樹脂、
エポキシ樹脂、フェノール・ブチラル樹脂、ニトリルゴ
ム、キシレン樹脂、ポリイミド樹脂及び上記樹脂の混合
物を用いることができ、本実施例ではエポキシ樹脂が用
いられるものとする。
エポキシ樹脂、フェノール・ブチラル樹脂、ニトリルゴ
ム、キシレン樹脂、ポリイミド樹脂及び上記樹脂の混合
物を用いることができ、本実施例ではエポキシ樹脂が用
いられるものとする。
絶縁樹脂薄層（４）中にはプレス金型のモース硬度６よ
りも小さいモース硬度の高熱伝導性フィラー（３）が混
入されている。ここでは高熱伝導性で且つモース硬度２
のＢＮ（窒化ホウソ）が３０〜８０重量％で含有されて
いる。この重量比は熱伝導率と基板（２）との接着力か
ら考慮されたものである。
りも小さいモース硬度の高熱伝導性フィラー（３）が混
入されている。ここでは高熱伝導性で且つモース硬度２
のＢＮ（窒化ホウソ）が３０〜８０重量％で含有されて
いる。この重量比は熱伝導率と基板（２）との接着力か
ら考慮されたものである。
基板（２）上にＢＮフィラー（３）が混入された絶縁樹
脂薄層（３）を貼着し、その上面に銅箔を貼着し所定の
導体パターン（６）を形成すれば確かに熱伝導率につい
ては向上する。しかしながら、ＢＮフィラー（３）は剥
離力に対して臂開する性質を持っているため、そのビー
ル強度は著しく低いため使用することが略不可能であっ
た。
脂薄層（３）を貼着し、その上面に銅箔を貼着し所定の
導体パターン（６）を形成すれば確かに熱伝導率につい
ては向上する。しかしながら、ＢＮフィラー（３）は剥
離力に対して臂開する性質を持っているため、そのビー
ル強度は著しく低いため使用することが略不可能であっ
た。
なぜなら、銅箔より形成された導体パターン（６）とＢ
Ｎフィラー（３）が混、入された絶縁樹脂薄層（４）と
の界面では剥れないが、樹脂薄層（４）中の団フィラー
（３）の臂開現象によって樹脂薄層（４）が二分して剥
れるからである。
Ｎフィラー（３）が混、入された絶縁樹脂薄層（４）と
の界面では剥れないが、樹脂薄層（４）中の団フィラー
（３）の臂開現象によって樹脂薄層（４）が二分して剥
れるからである。
そこで本願発明者はＢＮフィラー（３）が混入された絶
縁樹脂薄層（４）上に絶縁樹脂薄層（４）と同一材料か
ら成る他の絶縁樹脂薄層（５）を積層した。
縁樹脂薄層（４）上に絶縁樹脂薄層（４）と同一材料か
ら成る他の絶縁樹脂薄層（５）を積層した。
この構造に依ればＢＮフィラー（３）が混入された絶縁
樹脂薄層（４）とその上に積層された他の絶縁樹脂薄層
（５）とが基板（２）上の全域で接着されるので絶縁樹
脂薄層（４）中のＢＮフィラー（３）は臂開することが
ない。一方、導体パターン（６）は他の絶縁樹脂薄層（
５）上に形成されるので許容ビール強度は従来と同様に
十分に得られるものである。
樹脂薄層（４）とその上に積層された他の絶縁樹脂薄層
（５）とが基板（２）上の全域で接着されるので絶縁樹
脂薄層（４）中のＢＮフィラー（３）は臂開することが
ない。一方、導体パターン（６）は他の絶縁樹脂薄層（
５）上に形成されるので許容ビール強度は従来と同様に
十分に得られるものである。
斯る本発明に依れば、絶縁樹脂薄層（４）中にプレス金
型のモース硬度よりも小さいモース硬度のＢＮフィラー
（３）を混入し、その上面に他の絶縁樹詣薄層（５）を
積層固着することにより、プレス金型の摩耗を防止する
と共に従来と同様に熱伝導性の優れた低熱抵抗回路基板
を提供することができる。
型のモース硬度よりも小さいモース硬度のＢＮフィラー
（３）を混入し、その上面に他の絶縁樹詣薄層（５）を
積層固着することにより、プレス金型の摩耗を防止する
と共に従来と同様に熱伝導性の優れた低熱抵抗回路基板
を提供することができる。
第２図は他の実施例を示す断面図であり、金属基板（２
）の−主面にＢＮ（窒化ホウソ）と５ｉＯｔ （シノ力
）との二種類の熱伝導性フィラー（３）（３’）が含有
された絶縁樹脂薄層（４〉が付着されている。
）の−主面にＢＮ（窒化ホウソ）と５ｉＯｔ （シノ力
）との二種類の熱伝導性フィラー（３）（３’）が含有
された絶縁樹脂薄層（４〉が付着されている。
上述した如く、ＢＮフィラー（３）のみでは襞間によっ
てビール強度が得られないので、襞間が生じないＳｉｎ
、フィラー（３′）とＢＮフィラー（３〉とを樹脂薄層
（４）中に混入させたものである。
てビール強度が得られないので、襞間が生じないＳｉｎ
、フィラー（３′）とＢＮフィラー（３〉とを樹脂薄層
（４）中に混入させたものである。
第３図はＢＮフィラー（３）、Ｓｉｎ、フィラー（３°
）混合によるビール強度の実験データである。通常ビー
ル強度の許容範囲は１ 、４ ｋｇ／ｃｍ以上とされて
おり、その値をベースにすると、ＢＮフィラー（３）の
割合は２０％〜８０％内であれば十分なビール強度が得
られることになる。
）混合によるビール強度の実験データである。通常ビー
ル強度の許容範囲は１ 、４ ｋｇ／ｃｍ以上とされて
おり、その値をベースにすると、ＢＮフィラー（３）の
割合は２０％〜８０％内であれば十分なビール強度が得
られることになる。
上述した他の実施例においてもプレス金型の摩耗は著し
く防止することができるものである。
く防止することができるものである。
（ト）発明の効果
以上に詳述した如く、本発明に依れば、プレス金型のモ
ース硬度よりも小さいモース硬度で且つ熱伝導性が優れ
たフィラーが樹脂薄層中に混入されているため、プレス
金型の摩耗が無くなりプレス金型の寿命を著しく延すこ
とができると共に従来と同様に高い熱伝導率を有する低
熱抵抗回路基板を提供することができる。
ース硬度よりも小さいモース硬度で且つ熱伝導性が優れ
たフィラーが樹脂薄層中に混入されているため、プレス
金型の摩耗が無くなりプレス金型の寿命を著しく延すこ
とができると共に従来と同様に高い熱伝導率を有する低
熱抵抗回路基板を提供することができる。
第１図は本発明の低熱抵抗回路基板を示す断面図、第２
図は他の実施例を示す断面図、第３図はＢＮとＳｉかの
特性図である。 （１）・・・低熱抵抗回路基板、 （２）・・・金属基
板、（３）（３’）・・・フィラー （４）（５）・
・・絶縁樹脂薄層、（６〉・・・導体パターン。
図は他の実施例を示す断面図、第３図はＢＮとＳｉかの
特性図である。 （１）・・・低熱抵抗回路基板、 （２）・・・金属基
板、（３）（３’）・・・フィラー （４）（５）・
・・絶縁樹脂薄層、（６〉・・・導体パターン。
Claims (5)
- （１）良熱伝導性金属基板の一主面に絶縁樹脂薄層を介
して所望形状の複数の導体パターンが形成され前記基板
の所定領域をプレス金型でプレス打抜きによって形成さ
れた回路基板において、前記絶縁樹脂薄層中に前記プレ
ス金型のモース硬度よりも小さいモース硬度の高熱伝導
性フィラーが混入されたことを特徴とする低熱抵抗回路
基板。 - （２）前記高熱伝導性フィラーはＢＮ（窒化ホウソ）で
あることを特徴とする請求項１記載の低熱抵抗回路基板
。 - （３）前記フィラーが混入された前記絶縁樹脂薄層上に
他の絶縁樹脂薄層を積層したことを特徴とする請求項１
記載の低熱抵抗回路基板。 - （４）良熱伝導性金属基板の一主面に少なくとも二種類
以上の熱伝導性フィラーが含有された絶縁樹脂薄層が付
着されたことを特徴とする低熱抵抗回路基板。 - （５）前記フィラーはＢＮ（窒化ホウソ）とＳＩＯ＿２
（シリカ）であることを特徴とする請求項４記載の低熱
抵抗回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17760988A JPH0227786A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 低熱抵抗回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17760988A JPH0227786A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 低熱抵抗回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0227786A true JPH0227786A (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=16033998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17760988A Pending JPH0227786A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | 低熱抵抗回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0227786A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5527604A (en) * | 1993-08-06 | 1996-06-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Metal base board and electronic equipment using the same |
| JP2010205955A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Micro Coatec Kk | 熱伝導性電子回路基板およびそれを用いた電子機器ならびにその製造方法 |
| JP2013225697A (ja) * | 2013-07-12 | 2013-10-31 | Micro Coatec Kk | 熱伝導性電子回路基板およびそれを用いた電子機器ならびにその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5715496A (en) * | 1980-07-02 | 1982-01-26 | Sumitomo Bakelite Co | Method of producing heat dissipating insulating board |
| JPS5910080A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-19 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | テレビ音声多重放送受信装置 |
| JPS605589A (ja) * | 1983-06-23 | 1985-01-12 | 松下電器産業株式会社 | 高熱伝導性金属ベ−スプリント基板 |
| JPS6050991A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | 昭和電工株式会社 | 電気絶縁基板 |
-
1988
- 1988-07-15 JP JP17760988A patent/JPH0227786A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5715496A (en) * | 1980-07-02 | 1982-01-26 | Sumitomo Bakelite Co | Method of producing heat dissipating insulating board |
| JPS5910080A (ja) * | 1982-07-07 | 1984-01-19 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | テレビ音声多重放送受信装置 |
| JPS605589A (ja) * | 1983-06-23 | 1985-01-12 | 松下電器産業株式会社 | 高熱伝導性金属ベ−スプリント基板 |
| JPS6050991A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | 昭和電工株式会社 | 電気絶縁基板 |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5527604A (en) * | 1993-08-06 | 1996-06-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Metal base board and electronic equipment using the same |
| US5578367A (en) * | 1993-08-06 | 1996-11-26 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Metal base board and electronic equipment using the same |
| US5670241A (en) * | 1993-08-06 | 1997-09-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Metal base board and electronic equipment using the same |
| US5820972A (en) * | 1993-08-06 | 1998-10-13 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Metal base board and electronic equipment using the same |
| US5834101A (en) * | 1993-08-06 | 1998-11-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Metal base board and electronic equipment using the same |
| DE4427994C2 (de) * | 1993-08-06 | 2000-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | Metallkernsubstrat, insbesondere zur Verwendung für elektronische Schaltungen |
| JP2010205955A (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-16 | Micro Coatec Kk | 熱伝導性電子回路基板およびそれを用いた電子機器ならびにその製造方法 |
| JP2013225697A (ja) * | 2013-07-12 | 2013-10-31 | Micro Coatec Kk | 熱伝導性電子回路基板およびそれを用いた電子機器ならびにその製造方法 |
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