JPS6050991A - 電気絶縁基板 - Google Patents
電気絶縁基板Info
- Publication number
- JPS6050991A JPS6050991A JP15792883A JP15792883A JPS6050991A JP S6050991 A JPS6050991 A JP S6050991A JP 15792883 A JP15792883 A JP 15792883A JP 15792883 A JP15792883 A JP 15792883A JP S6050991 A JPS6050991 A JP S6050991A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- resin
- insulating layer
- conductor
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49109—Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body
Landscapes
- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は混成ＩＣ用等の電気絶縁基板に閏（）、さらに
訂しくは金属基材上に特定の樹脂層を単層或いは導１本
層を間に介して多層に説けた電気絶縁基板に関りる。
訂しくは金属基材上に特定の樹脂層を単層或いは導１本
層を間に介して多層に説けた電気絶縁基板に関りる。
従来、）１１成ＩＣ用基板としでは）フルミプ、酸化ヘ
リリ１°ノ八等からなるレラミック基板挟びガラスＲＨ
１ＩＩＩ−，１−ボギシに代表されるプリン１〜リーキ
ツ１〜ボー１〜が用いられで来たが、近年ｉＩシ成１ｃ
は軽Ｍ、高１９ｊ庶化が進み、そのために半導体、抵抗
、Ｎｌンデン４ノーなどの素子から発生りる熱をいかに
外部へ逃Ｊかが重要な問題となっている。
リリ１°ノ八等からなるレラミック基板挟びガラスＲＨ
１ＩＩＩ−，１−ボギシに代表されるプリン１〜リーキ
ツ１〜ボー１〜が用いられで来たが、近年ｉＩシ成１ｃ
は軽Ｍ、高１９ｊ庶化が進み、そのために半導体、抵抗
、Ｎｌンデン４ノーなどの素子から発生りる熱をいかに
外部へ逃Ｊかが重要な問題となっている。
放熱性のよい基板としく一△ｌ 、 Ｃ，ｕ 、 Ｆｅ
等の金属板に樹脂絶縁層を介しで銅箔を貼り合１！た金
属基板が考案され−（いる、、これを図示ですると第１
図に示づ、Ｊ：うなちのである。図に（１メいで、 ’
Ｉ ＋、Ｉ、金１ｉ１ｉｉ、２１Ｊ、 ４ｉｉ１１１ｉ
絶縁層、Ｊ３１ｔＪ ８１Ｊ ｎ１Ｉ（” ／ｌｖ
Ｚ＋ 、 ｒＱ縁層の樹脂どじではエポキシ樹脂、］］
ノール樹脂が通常使用される１、この絶縁層（ま樹脂単
独、ガラス４４１ Ｉｆに樹脂を含浸したもの、樹脂内
に△Ｑ２０３ 。
等の金属板に樹脂絶縁層を介しで銅箔を貼り合１！た金
属基板が考案され−（いる、、これを図示ですると第１
図に示づ、Ｊ：うなちのである。図に（１メいで、 ’
Ｉ ＋、Ｉ、金１ｉ１ｉｉ、２１Ｊ、 ４ｉｉ１１１ｉ
絶縁層、Ｊ３１ｔＪ ８１Ｊ ｎ１Ｉ（” ／ｌｖ
Ｚ＋ 、 ｒＱ縁層の樹脂どじではエポキシ樹脂、］］
ノール樹脂が通常使用される１、この絶縁層（ま樹脂単
独、ガラス４４１ Ｉｆに樹脂を含浸したもの、樹脂内
に△Ｑ２０３ 。
［３Ｎ 舌のノイラーを充填したしの、）０Ｉ脂層の中
に耐熱性の昌いボリイミトフｒル１１を介イ１さｌ！１
．、：ｂのｔｌとが知られている。これらは５’ｌ唱Ｗ
ｊｉ’ｉ Ｉご一トンブングを流しく回路を形成りる
ｂのであるが１．ＩＨ，ｔｌ） １１！！（製造１する
ことが不ｉｉ１能である。
に耐熱性の昌いボリイミトフｒル１１を介イ１さｌ！１
．、：ｂのｔｌとが知られている。これらは５’ｌ唱Ｗ
ｊｉ’ｉ Ｉご一トンブングを流しく回路を形成りる
ｂのであるが１．ＩＨ，ｔｌ） １１！！（製造１する
ことが不ｉｉ１能である。
本発明は基板の絶縁層としてラター型シリ］ンらのＣ噸
ｌりる、。
ｌりる、。
本発明ＩＪ焼成によっ゛Ｃ導体回路が形成（゛きるの−
（、多層基板の場合、各導体間を印刷、ｌｌ［ｊ込みに
Ｊ、っ−（３，９通さＵることが可能である。
（、多層基板の場合、各導体間を印刷、ｌｌ［ｊ込みに
Ｊ、っ−（３，９通さＵることが可能である。
以ト図面を参７７に本発明の詳細な説明づるが本発明に
お（］るララフ−シリニ１ン樹脂どは下記の４１４造弐
℃・示されるものが主要部分４イ１している。
お（］るララフ−シリニ１ン樹脂どは下記の４１４造弐
℃・示されるものが主要部分４イ１している。
常温でフレーク状固体で、比中約１．３、屈折率１．４
２・〜 １！ｉ６、通孔−１タノール、ノ′タノール、
１シレンなと（、二溶賄′して使用される。ブタノール
に４０％溶解しＩこものの粘１αは約１（）へ、３０Ｃ
ｐＳである。
２・〜 １！ｉ６、通孔−１タノール、ノ′タノール、
１シレンなと（、二溶賄′して使用される。ブタノール
に４０％溶解しＩこものの粘１αは約１（）へ、３０Ｃ
ｐＳである。
本発明のラダー型シリコン樹脂（３Ｌ特に耐熱性がに；
１く、５０（１”ｃｌｌｌ、Ｃ使用可能（゛ある。。
１く、５０（１”ｃｌｌｌ、Ｃ使用可能（゛ある。。
本発明の電気絶縁基板はラダー型シリコン樹脂を用いる
外（よ形状、構造等に（よ何ら制限は％ ＜、単層、多
層リベＣの°ｂのを含む１゜ 即ち、基材の材質としては△Ｑ、、 Ｃｕ 、 Ｆｅ
。
外（よ形状、構造等に（よ何ら制限は％ ＜、単層、多
層リベＣの°ｂのを含む１゜ 即ち、基材の材質としては△Ｑ、、 Ｃｕ 、 Ｆｅ
。
Ｎｉ等及びこれらの合金が適りるが、熱伝導性、軽量、
価格等ノ）目うへ愛が好ましい＜、ＪｉＬ材の形状は平
板に限ら４゛、＞、１形、円筒状等とのＪ、う４ｆらの
（も可能である。基材の表面は−でのよまでｂ可能であ
るが、絶縁層と２．を祠の接ｊ′３力を１２“ｊｌめろ
ｌ、こめ（Ｊ、プラスト、］ニッヂング等の方ン入によ
１）１表向を相化したもの、或い＋、ｔ ｌ舅極酸化’
ａｈｂ： シた１）のが好Ｊ、しい。
価格等ノ）目うへ愛が好ましい＜、ＪｉＬ材の形状は平
板に限ら４゛、＞、１形、円筒状等とのＪ、う４ｆらの
（も可能である。基材の表面は−でのよまでｂ可能であ
るが、絶縁層と２．を祠の接ｊ′３力を１２“ｊｌめろ
ｌ、こめ（Ｊ、プラスト、］ニッヂング等の方ン入によ
１）１表向を相化したもの、或い＋、ｔ ｌ舅極酸化’
ａｈｂ： シた１）のが好Ｊ、しい。
絶縁層の中には△（Ｕ２Ｏ５、Ｓｉ （’）２．（：８
０゜８ Ｎ ？７の良熱伝導性のフィラーを光１１ｙ４
Ｌ、、史に伝導１（［を向−１さぜることがでさるこ
と、；１．た絶縁層を形状保持等のためカラス繊維（３
二樹脂を含浸しＣ使用できことは従来と変りはない、。
０゜８ Ｎ ？７の良熱伝導性のフィラーを光１１ｙ４
Ｌ、、史に伝導１（［を向−１さぜることがでさるこ
と、；１．た絶縁層を形状保持等のためカラス繊維（３
二樹脂を含浸しＣ使用できことは従来と変りはない、。
金属箔はＧＯ，Ａす、Ｎｉ等及Ｏ・これらの合金、又は
２種以上の金属で描成（されたクラット９）が用いられ
る。
２種以上の金属で描成（されたクラット９）が用いられ
る。
にｔ７４に絶縁層をｔシりた基板の４ｒ、Ｈ造としでは
り祠の１１面、両ｉＴ＋ｉあるいは基材をコアにしてこ
れを包むＪ、うに全面に説（Ｊだ４Ｆ、 ５４どづるこ
とができる１゜基（Ａに本発明による樹脂を塗布り−る
にはフローコー１へ、浸潤法、印刷、スピナーが１１９
を用いることができる。回路を形成するｆｊ法は絶縁層
の十）こ印刷、蒸椙等の方法にＪ、るか、或いは絶縁層
の十に銅箔等を貼り、これに１ツチングを施り等による
。
り祠の１１面、両ｉＴ＋ｉあるいは基材をコアにしてこ
れを包むＪ、うに全面に説（Ｊだ４Ｆ、 ５４どづるこ
とができる１゜基（Ａに本発明による樹脂を塗布り−る
にはフローコー１へ、浸潤法、印刷、スピナーが１１９
を用いることができる。回路を形成するｆｊ法は絶縁層
の十）こ印刷、蒸椙等の方法にＪ、るか、或いは絶縁層
の十に銅箔等を貼り、これに１ツチングを施り等による
。
次に多層（Ｊ扱にＪ３ ＬＪる各導体間の導通について
説明りる１゜ 従来のガラス １ボー１−シ等のプリン１−リー１ツ１
−ボードの多層基板におりる３９体間の導通４Ｊ通：塁
第２図のようにし−Ｃ−行なわれる。例えば１３スアー
ジ状のＪ−ボＶシ樹脂プリントサーキッ１−ホードを小
ね、熱１１： Ｙ：ｊにＪ、り多層基板とし、各々体層
の導通は熱圧着後ドリルで穴を明り、メッニ１を施４゜
第２図ｒ４１〜４４がプリントサーヤツ１〜ボードＣ１
３が銅層、５かメツ１一層、いわゆるスルーホールメツ
４−とい４つれるものである１、ボート４２はエラ１ン
グに、」、〜）Ｃ銅箔を除いた部分にメッキ層が設りら
れ−Ｃおり、従っ（４２は導通され１１゛、Ｉｌｌ、
１１３．４４の各基板がスルーホールメッキ層Ｃ導通さ
れる。
説明りる１゜ 従来のガラス １ボー１−シ等のプリン１−リー１ツ１
−ボードの多層基板におりる３９体間の導通４Ｊ通：塁
第２図のようにし−Ｃ−行なわれる。例えば１３スアー
ジ状のＪ−ボＶシ樹脂プリントサーキッ１−ホードを小
ね、熱１１： Ｙ：ｊにＪ、り多層基板とし、各々体層
の導通は熱圧着後ドリルで穴を明り、メッニ１を施４゜
第２図ｒ４１〜４４がプリントサーヤツ１〜ボードＣ１
３が銅層、５かメツ１一層、いわゆるスルーホールメツ
４−とい４つれるものである１、ボート４２はエラ１ン
グに、」、〜）Ｃ銅箔を除いた部分にメッキ層が設りら
れ−Ｃおり、従っ（４２は導通され１１゛、Ｉｌｌ、
１１３．４４の各基板がスルーホールメッキ層Ｃ導通さ
れる。
しかし全屈Ｊ、４板の場合にこのよう’ｔＫＺＪ法を用
いると問題が生Ｊ゛る。金属基板（はドリル穴明りを金
属板の直上の絶縁層（第′１絶縁層）を１ｉ１１，７ゎ
ぬにう、かつ第１絶縁層の上の金属箔表面を露出Ｕねば
ならσ゛、穴明【ノ作業が非１＃Ｈ，に勤かしく実用的
でない。また土ボキシ樹脂のＩ３スト−−ジ状基（ｋに
あらかじめスルー小−ル穴を明（ｊ／、−後、武！＜ｒ
■Ｐ′？づる方法にＪ〕いＣｂ熱圧看助に一樹脂が？Ａ
ｅ ４’ｌい金属基板１の１４１泊を埋めてし、−Ｌ）
たり、穴の位置合【！が難しい欠点をイｊしている。
いると問題が生Ｊ゛る。金属基板（はドリル穴明りを金
属板の直上の絶縁層（第′１絶縁層）を１ｉ１１，７ゎ
ぬにう、かつ第１絶縁層の上の金属箔表面を露出Ｕねば
ならσ゛、穴明【ノ作業が非１＃Ｈ，に勤かしく実用的
でない。また土ボキシ樹脂のＩ３スト−−ジ状基（ｋに
あらかじめスルー小−ル穴を明（ｊ／、−後、武！＜ｒ
■Ｐ′？づる方法にＪ〕いＣｂ熱圧看助に一樹脂が？Ａ
ｅ ４’ｌい金属基板１の１４１泊を埋めてし、−Ｌ）
たり、穴の位置合【！が難しい欠点をイｊしている。
本発明にＪ、る多１ｆ’？基板の一例を第３図に承り。
適当な厚さの金ＦＩＡ板を望ましく ＩＪ １４’−１
１指を接着した側を相化し、での１に前記した一ツクー
！１リシリー」ン樹脂（例えばＡ−エンスイリノｒス礼
１１（’ｊ ７ンタ〜型シリコン樹脂、商品名ｒ Ｇ
１ａｓｓ ｌ＜ ｅｓｉｎ：； Ｇ Ｒ１５０，１）を
スクリーン印刷の工法を用いη必ｊＪ、；ｊ部分に塗布
、乾燥りる。この状態をｉ′１３図（ε１）に承り。こ
れを約２００℃ｃ２０分間焼成覆る３、イ１お、シダー
型シリコン樹脂の種ガ゛口Ｊより焼成温１（１は１００
へ ２５０℃の範囲で選ばれろ。
１指を接着した側を相化し、での１に前記した一ツクー
！１リシリー」ン樹脂（例えばＡ−エンスイリノｒス礼
１１（’ｊ ７ンタ〜型シリコン樹脂、商品名ｒ Ｇ
１ａｓｓ ｌ＜ ｅｓｉｎ：； Ｇ Ｒ１５０，１）を
スクリーン印刷の工法を用いη必ｊＪ、；ｊ部分に塗布
、乾燥りる。この状態をｉ′１３図（ε１）に承り。こ
れを約２００℃ｃ２０分間焼成覆る３、イ１お、シダー
型シリコン樹脂の種ガ゛口Ｊより焼成温１（１は１００
へ ２５０℃の範囲で選ばれろ。
次にｊ記（Ｉ−１脂層十に第３図（ｂ）のＪ、うに導電
性ベースト（例えはＲｅｍａｘ？Ｊ ’９４銅ベースｔ
−５８４３）をスクリーン印刷により所定パターンを印
刷し、ＧＯＯ’Ｃ３０分程１徒に焼成し、第１導体層と
づる１、同様に第２絶縁層、第２導体層を順次構成し７
、必要ならば任意の層に７１７Ｊ体等の印刷焼成を加え
、希望の多層印刷配線口￥８仮を得る１、この状態を第
３図（Ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（Ｎに示’Ｉ−ＩＩ ＞
、９ ’１４１間例え（Ｊ第１導体と第２導Ｉ４−導通
は（（」）図に示づように印１ｉ１ｉ１１ベース１への
埋込み６（・−よ−）で１１１にわ＼撚ノ 印刷にＪ、り形成される供抗（不等は一般にての焼成温
度が高い稈高品質のものが１！７られろが、通電のｉｔ
脂赫４ｋを用いた場合は耐熱１ｌＩＣ制限され、ＵいＵ
い１ｊ）０℃の焼成）都度のものしがｉＷられない。
性ベースト（例えはＲｅｍａｘ？Ｊ ’９４銅ベースｔ
−５８４３）をスクリーン印刷により所定パターンを印
刷し、ＧＯＯ’Ｃ３０分程１徒に焼成し、第１導体層と
づる１、同様に第２絶縁層、第２導体層を順次構成し７
、必要ならば任意の層に７１７Ｊ体等の印刷焼成を加え
、希望の多層印刷配線口￥８仮を得る１、この状態を第
３図（Ｃ）、（ｄ）、（ｅ）、（Ｎに示’Ｉ−ＩＩ ＞
、９ ’１４１間例え（Ｊ第１導体と第２導Ｉ４−導通
は（（」）図に示づように印１ｉ１ｉ１１ベース１への
埋込み６（・−よ−）で１１１にわ＼撚ノ 印刷にＪ、り形成される供抗（不等は一般にての焼成温
度が高い稈高品質のものが１！７られろが、通電のｉｔ
脂赫４ｋを用いた場合は耐熱１ｌＩＣ制限され、ＵいＵ
い１ｊ）０℃の焼成）都度のものしがｉＷられない。
ることがＣ゛きる。
１、記の説明では絶縁層、心体層各々印１ｉｉ＋１焼成
後次の層を形成しくいるが、乾燥の、７／１、又はブレ
キｔ ｊ７の状態で次の層を印刷し、Ｉｌｕ ’ｊ６ｊ
、 ｋ、全ｆ４Ｖ４焼成することもｌｉＩ能で゛ある。
後次の層を形成しくいるが、乾燥の、７／１、又はブレ
キｔ ｊ７の状態で次の層を印刷し、Ｉｌｕ ’ｊ６ｊ
、 ｋ、全ｆ４Ｖ４焼成することもｌｉＩ能で゛ある。
不発明では導体開開の導通はスルー小−ルに、にらず印
刷、叩込みの方法で行なうことが（′さ、ズルー小−ル
メツ：１に稈が宵Ｃ）、；１、た接ｉ’ｉカｂ 、Ｊい
３゜そして印刷におい−（は各絶縁ｂ’７１／） Ｐｆ
Ｉ ｉＷ ｌ、を薄い方がよいが、フター型シリー］ン
４６４１指は４（）・、、 ［１０（Ｋ＼／ｙ’ ｍ
ｍ ）の絶縁銅Ｊ］−が得られる為、５〜！ｉ０．ｃｚ
ｍ稈ＩＱ。
刷、叩込みの方法で行なうことが（′さ、ズルー小−ル
メツ：１に稈が宵Ｃ）、；１、た接ｉ’ｉカｂ 、Ｊい
３゜そして印刷におい−（は各絶縁ｂ’７１／） Ｐｆ
Ｉ ｉＷ ｌ、を薄い方がよいが、フター型シリー］ン
４６４１指は４（）・、、 ［１０（Ｋ＼／ｙ’ ｍ
ｍ ）の絶縁銅Ｊ］−が得られる為、５〜！ｉ０．ｃｚ
ｍ稈ＩＱ。
の１ｑさＣ光分である。、 １４１１１ｉの４荀におい
（はピンホールを防Ｊ１りる為重ね塗りをりることもよ
いし、５１．１−４＋；ｌ ＩＩ！を中（、−熱転ｉ、
ｒｉ ｆ！ｌのよい電−；Ｌ Ｎ（’＝縁・ｌ’ｌ ｒ
］）ノｃ−ノー４沢合してもよいことは前記（）た通【
ノ（ある・・４１３図（１’ ）に不発明（Ｊ、」、る
回ｈ’８ ｊ；ｔ４Ｉ）ＧＬ ５１ ｒｊ４’を１１′
／ｊう本子を固着しＩζ−例を小り１１図（８が゛１′
−脣１本等のｄ熱を伴４１う素子（甲に素子どい））（
よ）る。素子を固着づる部分は第３３図（ｅ ）のつぐ
承りよ）に最初から非印刷面を空ＩＪ ’（Ｊｊい、最
終の絶縁層を１１（１１，！り前に固着ｊＪる。
（はピンホールを防Ｊ１りる為重ね塗りをりることもよ
いし、５１．１−４＋；ｌ ＩＩ！を中（、−熱転ｉ、
ｒｉ ｆ！ｌのよい電−；Ｌ Ｎ（’＝縁・ｌ’ｌ ｒ
］）ノｃ−ノー４沢合してもよいことは前記（）た通【
ノ（ある・・４１３図（１’ ）に不発明（Ｊ、」、る
回ｈ’８ ｊ；ｔ４Ｉ）ＧＬ ５１ ｒｊ４’を１１′
／ｊう本子を固着しＩζ−例を小り１１図（８が゛１′
−脣１本等のｄ熱を伴４１う素子（甲に素子どい））（
よ）る。素子を固着づる部分は第３３図（ｅ ）のつぐ
承りよ）に最初から非印刷面を空ＩＪ ’（Ｊｊい、最
終の絶縁層を１１（１１，！り前に固着ｊＪる。
従来、素子を戟１！る部分を後から穴明（］づ−るのが
ｇ川かしい為、多層にした最１一部導体層のトに晃１”
ｌ、−１Ｖ＋！μＣいたので、金属板までの戸開があ
り、充分イ；、 ｂ’１．熱効宋が胃られなか−）たが
、不発明７Ｊ ｒＡによれ（、ｒ素子を白接金属板に固
７４でき、Ｊ（通電１）ｚを１４゛つ素子を必要個数並
べることがｉｉＪ能で（ｂす、／１９．熱１’ｌに１号
れている。また電位が導通でなくとも最大発熱バ（了を
金属板に、次１こ鋒熱ｍの人いい素子を第１導体病とい
うように任意の導体ＩＰ′７に塁了を固：ｉ″Ｉζ・さ
る刊点すある、。
ｇ川かしい為、多層にした最１一部導体層のトに晃１”
ｌ、−１Ｖ＋！μＣいたので、金属板までの戸開があ
り、充分イ；、 ｂ’１．熱効宋が胃られなか−）たが
、不発明７Ｊ ｒＡによれ（、ｒ素子を白接金属板に固
７４でき、Ｊ（通電１）ｚを１４゛つ素子を必要個数並
べることがｉｉＪ能で（ｂす、／１９．熱１’ｌに１号
れている。また電位が導通でなくとも最大発熱バ（了を
金属板に、次１こ鋒熱ｍの人いい素子を第１導体病とい
うように任意の導体ＩＰ′７に塁了を固：ｉ″Ｉζ・さ
る刊点すある、。
さらに絶縁層、導体層を順次固着づるに当り、索子を固
Ｐ１りる為の空所を第３図（ｅ）の５）のように１−の
層にいくに従って広くし、各層の’ｙ！、 ＬＬ ｊ９
９導の暢：部を階段状に露出さけ、（二の露出（〕／こ
導゛市層を索ｒどのホシアインクバッ１〜どしく用いる
。二とにＪ、す、枠；了からイ［カの導電層にボンデｒ
ングを行なうことが（きる。
Ｐ１りる為の空所を第３図（ｅ）の５）のように１−の
層にいくに従って広くし、各層の’ｙ！、 ＬＬ ｊ９
９導の暢：部を階段状に露出さけ、（二の露出（〕／こ
導゛市層を索ｒどのホシアインクバッ１〜どしく用いる
。二とにＪ、す、枠；了からイ［カの導電層にボンデｒ
ングを行なうことが（きる。
実施例１
゛ラダー型シリ丁１ン樹脂としく、米ＩＪ＋ ；４−
’Ｊンスイリノーｒス社製ｒ Ｇ １ｉｌｓｓＲ０３ｉ
ｌｌＳ Ｇ ｆ＜ −Ｇ！＋ＯＪにエタノール及びツタ
ノール１．ｉ己ｒ”：溶剤Ｔ’ Ｊｉ４脂詣１σ３０ｗ
ｔ％どし、表面を粗化した〕′ルミ仮（１，５ｍ＋ｎ庁
）にノ［）−口−１へし、単記１（１〜・６０ブ１乾；
ヅｉ、’、； ’ｌ ７５℃、２０分焼成した、１ 実施例？ Δ−−Ｆンスーｒリノイスネｌ Ｍ ｒ Ｇ １ａｓｓ
Ｒｅｓｉ＋＋ｓＧ Ｒ−６，５０Ｊをエタノール及び
ブ々ノール混合溶剤Ｃ樹脂ｉｆｆ ＩＩ ３０ｗｔ％ど
し、史にり１ンＭ ’ｓ： １ ｗ（９６加え、表面を
粗化したアルミＩＩゾに〕Ｉｌｌ −二’ｌ −１・（
・、ｌ：；“）品−Ｃ１０へ・に０分乾燥後 ＋ １０
−Ｃ１＋ｉｉブ７１：３２１次した１、実施例３ Ａ−土ンスイリノイス４１製’ｊ、 （、’、＋ ｌ
８ｓｓ ｔ＜ （！Ｓ ！ Ｉ）ＲＧＲ−１５０Ｊをエ
タノールで樹脂１門ｐＪ ３ （ｌ Ｗ １．’ ％と
じ、表面を粗化したアルミ板に−）ｌＪ −’ｌ−ｌ〜
し常温で１０−・６０分乾燥しＩＪｉ麦２００’Ｃ２０
分焼成した。１実施例４ 実施例３の溶液を粗化した）ｌルミ１景にノ■−−１−
１へし、１ｉ湿（約３０分乾燥しｌＪらのと、別に同様
にしくＣｕ泊（３５１１ｍ ｑ ）の１１面にノａ−１
−１−乾燥しｌＪｂのとを、絶縁層同志を合ＵＣプレス
機（・圧し１．：；１ま ２００℃、２０分焼成を行な
った。
’Ｊンスイリノーｒス社製ｒ Ｇ １ｉｌｓｓＲ０３ｉ
ｌｌＳ Ｇ ｆ＜ −Ｇ！＋ＯＪにエタノール及びツタ
ノール１．ｉ己ｒ”：溶剤Ｔ’ Ｊｉ４脂詣１σ３０ｗ
ｔ％どし、表面を粗化した〕′ルミ仮（１，５ｍ＋ｎ庁
）にノ［）−口−１へし、単記１（１〜・６０ブ１乾；
ヅｉ、’、； ’ｌ ７５℃、２０分焼成した、１ 実施例？ Δ−−Ｆンスーｒリノイスネｌ Ｍ ｒ Ｇ １ａｓｓ
Ｒｅｓｉ＋＋ｓＧ Ｒ−６，５０Ｊをエタノール及び
ブ々ノール混合溶剤Ｃ樹脂ｉｆｆ ＩＩ ３０ｗｔ％ど
し、史にり１ンＭ ’ｓ： １ ｗ（９６加え、表面を
粗化したアルミＩＩゾに〕Ｉｌｌ −二’ｌ −１・（
・、ｌ：；“）品−Ｃ１０へ・に０分乾燥後 ＋ １０
−Ｃ１＋ｉｉブ７１：３２１次した１、実施例３ Ａ−土ンスイリノイス４１製’ｊ、 （、’、＋ ｌ
８ｓｓ ｔ＜ （！Ｓ ！ Ｉ）ＲＧＲ−１５０Ｊをエ
タノールで樹脂１門ｐＪ ３ （ｌ Ｗ １．’ ％と
じ、表面を粗化したアルミ板に−）ｌＪ −’ｌ−ｌ〜
し常温で１０−・６０分乾燥しＩＪｉ麦２００’Ｃ２０
分焼成した。１実施例４ 実施例３の溶液を粗化した）ｌルミ１景にノ■−−１−
１へし、１ｉ湿（約３０分乾燥しｌＪらのと、別に同様
にしくＣｕ泊（３５１１ｍ ｑ ）の１１面にノａ−１
−１−乾燥しｌＪｂのとを、絶縁層同志を合ＵＣプレス
機（・圧し１．：；１ま ２００℃、２０分焼成を行な
った。
Ｌス」−の基板のＱ：ｒ １’Ｊ−を次の表に承り。
４；〉実施例において、塗ず１１・乾燥４１〜依回？−
Ｊなう事により、各々の厚さのものを作成した。
Ｊなう事により、各々の厚さのものを作成した。
実施例５
実施例３の基板を用い？：’ Ｒｅ＋ｕｅｘネ１製銅ベ
ースト！ｉ ８４３を用いＣ回路を印すリし、６００℃
、３０分にて焼成を＜−１なった。結果を次の表に示−
リ。
ースト！ｉ ８４３を用いＣ回路を印すリし、６００℃
、３０分にて焼成を＜−１なった。結果を次の表に示−
リ。
以上の例（゛は単層の基板を示したが、多層３；ｔ ｇ
ｉにおいても耐電■１−１耐熱性等は同様のりＪ東を承
りことは合うまでもなく、Ｐｌ、た導１木層間の導通ｂ
’（１Ｆ易にかつ良好１Ｊ行なうことがてきＩζ。
ｉにおいても耐電■１−１耐熱性等は同様のりＪ東を承
りことは合うまでもなく、Ｐｌ、た導１木層間の導通ｂ
’（１Ｆ易にかつ良好１Ｊ行なうことがてきＩζ。
第１図は一般の金属板を用いた電気絶縁基板の断面図、
第２図はプリンドリー−Ｆンドボードの多層基板のスル
ーホールメツ１部分を示Ｕ ＦＪｉ面図、第３図は本発
明の多層電気絶縁基板の１例を承・Ｊ…ｊ面図で＜ａ）
−・（「）は−での作製上（〒を承り断面図てル）る。 １・・・金属板 ２・・絶縁層 ３・・・金属ｆ！Ｊ’ｌ ５・・・スルー小−ルメ・ソ
ーＡ−Ｘさ２ （′）・・・ 導通 部 ７ ・・・市’Ｚ ＩＡ （
本８・・・崇ｒ 特 ｉ’ｌ’ｌ 出願人 昭和７１１°１）１、代会召
代理人 弁即ト 菊 １１：Ｊ ｔｉ’ｉ −免１図 范２図 児３図 （（Ｌ）（ｂ） 莞３図 （Ｃ） （ｄ） （ｅ）（ｆ）
第２図はプリンドリー−Ｆンドボードの多層基板のスル
ーホールメツ１部分を示Ｕ ＦＪｉ面図、第３図は本発
明の多層電気絶縁基板の１例を承・Ｊ…ｊ面図で＜ａ）
−・（「）は−での作製上（〒を承り断面図てル）る。 １・・・金属板 ２・・絶縁層 ３・・・金属ｆ！Ｊ’ｌ ５・・・スルー小−ルメ・ソ
ーＡ−Ｘさ２ （′）・・・ 導通 部 ７ ・・・市’Ｚ ＩＡ （
本８・・・崇ｒ 特 ｉ’ｌ’ｌ 出願人 昭和７１１°１）１、代会召
代理人 弁即ト 菊 １１：Ｊ ｔｉ’ｉ −免１図 范２図 児３図 （（Ｌ）（ｂ） 莞３図 （Ｃ） （ｄ） （ｅ）（ｆ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ０） 金属を基材とした電気絶縁仮において、基祠１に
電気絶縁材としてラダー型シリニ１ン樹脂層を設Ｅノた
ことを特徴どりる電気絶縁先１仮。 （２） ラダー型シリコン樹脂層中に良熱伝埒１１の無
機質フｆラーを含有しでなる特ｈ′Ｆ請求の範囲第１項
記載の電気絶縁基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15792883A JPS6050991A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 電気絶縁基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15792883A JPS6050991A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 電気絶縁基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050991A true JPS6050991A (ja) | 1985-03-22 |
Family
ID=15660530
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15792883A Pending JPS6050991A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 電気絶縁基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050991A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01312890A (ja) * | 1988-06-10 | 1989-12-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路の製造方法 |
| JPH0227786A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 低熱抵抗回路基板 |
| JP2005330505A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Toppan Printing Co Ltd | 金属エッチング製品およびその製造方法 |
| KR20180004753A (ko) * | 2015-05-07 | 2018-01-12 | 테크노프로브 에스.피.에이. | 특히 감소된 피치 적용을 위한, 수직형 프로브를 구비한 테스트 헤드 |
-
1983
- 1983-08-31 JP JP15792883A patent/JPS6050991A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01312890A (ja) * | 1988-06-10 | 1989-12-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 混成集積回路の製造方法 |
| JPH0227786A (ja) * | 1988-07-15 | 1990-01-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 低熱抵抗回路基板 |
| JP2005330505A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Toppan Printing Co Ltd | 金属エッチング製品およびその製造方法 |
| JP4590931B2 (ja) * | 2004-05-18 | 2010-12-01 | 凸版印刷株式会社 | 金属エッチング製品およびその製造方法 |
| KR20180004753A (ko) * | 2015-05-07 | 2018-01-12 | 테크노프로브 에스.피.에이. | 특히 감소된 피치 적용을 위한, 수직형 프로브를 구비한 테스트 헤드 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW398163B (en) | The plate for heat transfer substrate and manufacturing method thereof, the heat-transfer substrate using such plate and manufacturing method thereof | |
| TW511405B (en) | Device built-in module and manufacturing method thereof | |
| TW318997B (ja) | ||
| JP3765627B2 (ja) | 多層回路基板及びその製造方法 | |
| JP2016219478A (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
| KR100925189B1 (ko) | 방열 인쇄회로기판 및 그 제조방법 | |
| JPS6050991A (ja) | 電気絶縁基板 | |
| US10510649B1 (en) | Interconnect substrate | |
| TWI573502B (zh) | 基板結構及其製作方法 | |
| JPH0121638B2 (ja) | ||
| JPH07154068A (ja) | 接着シートとその製造法及びその接着シートを用いた金属ベース配線板用基板の製造法並びにその接着シートを用いた金属ベース配線板の製造法 | |
| JPS63182886A (ja) | プリント配線板およびその製法 | |
| US9986642B2 (en) | Method for manufacturing printed wiring board and printed wiring board | |
| CN101361414A (zh) | 多层印刷线路基板及其制造方法 | |
| TWI273872B (en) | PCB having via holes formed with electroplating activated via pad and method for manufacturing the same | |
| JPS63246897A (ja) | 金属ベ−ス２層配線板の製造法 | |
| JP2708821B2 (ja) | 電気用積層板 | |
| JPH01281796A (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
| JPH07297509A (ja) | 金属ベース基板、およびその製造方法 | |
| JPS6043891A (ja) | 高熱伝導性金属ペ−スプリント基板 | |
| TW451608B (en) | Manufacturing method of connected printed circuit board and its manufactured product | |
| JPS60101997A (ja) | 多層印刷配線板の製造方法 | |
| TWI246377B (en) | Multilayer circuit board with high heat dissipation and manufacture method thereof | |
| JPS59204296A (ja) | 印刷回路用基板 | |
| JPS5930557Y2 (ja) | スタック形多層印刷回路基板 |