WO2006111247A1 - Einrichtung und verfahren zum aufbringen einer gleichmässigen, dünnen flüssigkeitsschicht auf substrate - Google Patents

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Christian Buchner
Johann Brunner
Helmut Kalmbach
Josef Gentischer
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Definitions

  • the present invention relates to a device for applying a uniform, thin liquid, in particular phosphoric acid layer on substrates, in particular silicon cells for photovoltaic according to the preamble of claim 1 and the claim 14 and a method for applying a uniform, thin liquid in particular Phosphoric acid layer on substrates, in particular silicon cells, for the photovoltaic according to the preamble of claim 18.
  • a phosphorus doping of the crude cells is first required.
  • the cell is wetted in the first step with phosphoric acid and the wetted cells are then placed in a high-temperature oven at about 800 to 900 ° C, where diffused from the dried acid, the phosphorus in the silicon substrate.
  • the coating should on the one hand be very uniform in order to achieve an even distribution in the diffusion, and on the other hand be very economical, since the excess of phosphoric acid melts on the cell as a "phosphor glass" and can be removed only with difficulty with the help of hydrofluoric acid again or must.
  • Object of the present invention is therefore to provide a device for applying a uniform, thin liquid, in particular phosphoric acid layer on substrates, in particular silicon cells, for the photovoltaic of the type mentioned, which is a much more homogeneous in terms of both the area and the amount of application of liquid, in particular phosphoric acid on the respective substrates, in particular silicon cells permits.
  • the features specified in claim 1 are provided in a device for applying a uniform, thin liquid-specific phosphoric acid layer on substrates, in particular silicon cells for photovoltaics of the type mentioned.
  • the inventive measures within a substantially closed circuit both a homogeneous mist formation and a homogeneous guidance of the liquid mist from the production site (process chamber) to the place of application and during the application to the substrates, in particular silicon cells achieved.
  • These Homogeneity concerns both the planar deposition and the quantitative deposition on the silicon substrates.
  • the arranged above the continuous silicon substrates cover the flow passage assembly is kept at temperature, so that a condensation of the liquid mist and thus droplet formation is not possible, which additionally promotes the homogeneity of the liquid mist and its application.
  • a controllable and homogeneous active passage of the liquid mist is achieved from the point of origin to the application and during the application phase. It is useful when using the exhaust duct to provide the features of claim 6, so as not to affect the homogeneity of the liquid mist at the passage end of the shaft assembly and to give the liquid mist a defined flow rate.
  • a baffle element is provided in the area of the generation of liquid mist, which has the advantage that the plastic fabric absorbs the liquid without any spatter and can be trickled back into the liquid sump.
  • an embodiment of the ceiling of the process chamber according to the features of claim 10 provides the advantage that the inclined arrangement allows the condensate collecting therefrom to be conducted back into the liquid tank.
  • a further preferred structural embodiment results from the features of claim 13, with the advantage that such a device in width can receive almost any extension.
  • a high-frequency sound device is used, the high-frequency sound generator, or generator is not resistant to phosphoric acid. It is therefore necessary to use an intermediate container which is filled with water free of air and connected to a temperature control circuit. At the bottom of the intermediate container of the high frequency sound generator is attached, and at the top of the intermediate container, a membrane, wherein the water and the membrane as a sound transmitter from the high frequency sounder serve to the overlying phosphoric acid tank or tub.
  • the disadvantage here is the complex expensive technology, frequent fatigue fractures of the membrane and the resulting laborious time-consuming replacement of the membrane, as well as the damping properties of such a sound transmitter.
  • the measures according to the invention ensure that both the phosphoric acid and the sound are focused in the quartz glass nozzle. It is expedient to provide the features of claim 15, so that the displaced in the quartz glass liquid can flow over the feeds.
  • the high-frequency sound generator can be brought into substantially directly with the phosphoric acid, without causing disadvantages in terms of the intensity of high-frequency sound production.
  • the present invention relates to a method for applying a uniform, thin liquid-specific phosphoric acid layer to substrates, in particular silicon cells for photovoltaics, according to the preamble of claim 18.
  • the liquid mist can be actively and homogeneously guided from the generation of liquid mist to the application or deposition of the liquid mist layer onto the substrates.
  • Figure 1 is a schematic partially longitudinal sectional side view of a device for applying a uniform, thin phosphoric acid layer on silicon substrates for photovoltaic and
  • FIG. 2 shows a high frequency sounding device used in the device according to FIG. 1 when installed and in cross section.
  • the device 10 shown in Figure 1 is used for applying a uniform, thin phosphoric acid layer on silicon substrates or cells 12 for the photovoltaic.
  • the silicon substrates 12 are fed to a transport device 13 in the direction of arrow A and led away and homogeneous during the transport movement with a phosphoric acid layer characterized in that the silicon substrates 12 by a phosphoric acid mist 15, the by means of a high-frequency sound device 11 is generated within a process chamber 14, are guided.
  • a tray 16 containing phosphoric acid is arranged on the bottom side.
  • the phosphoric acid tank 16 is connected to a phosphoric acid tank 19 via a pipe 18. From this tank 19, the pan 16 phosphoric acid is preferably tempered according to demand.
  • the bottom 21 of the liquid tank 16 is the
  • High frequency sound device 11 attached, which will be described below with reference to FIG 2 in more detail.
  • the process chamber 14 is bounded by a right according to Figure 1 side wall 22, an opposite left side wall 23, a ceiling 24 and lying parallel to the plane of the drawing end walls and not shown.
  • the process chamber 14, which lies above the liquid tank 19, is provided at its side facing the left side wall 23 with a chute 25 directed towards the transport device 13.
  • the ceiling 24 of the process chamber 14 is arranged starting from the right side wall 23 rising obliquely and tightly connected to the left side wall 23, which forms the side wall of the chute 25 in its directed to the transport device 13 extension 23 '.
  • This side wall 23, 23 ' is obliquely inclined towards the transport device 13 in the direction of the right side wall 22, so that there is a wedge-shaped transport device 13 or tapering shaft 25, whose opposite side wall 26 is vertical and therefore parallel to the upper one right side wall 22 of the process chamber 14 extends.
  • This side wall 26 of the chute 25 limits the liquid tank 16 and is extended beyond the liquid level 20 of the liquid tank 16 to form a weir 27.
  • a baffle member 27 is fixed, which projects obliquely downward, ie inclined to the liquid tank 16 in the process chamber 14 and ends at a distance in front of the weir 27 to form a passage 29.
  • the baffle element 28 has a frame covered with plastic fabric 30, wherein the plastic fabric 30 absorbs the phosphoric acid droplets thrown out by means of the high-frequency sound device 11 in the phosphoric acid mist 15 without any spatter and allows the droplets to trickle back into the liquid sump 16.
  • the plastic fabric 30 of the impact element 28 also allows the collecting on the ceiling 24 of the process chamber 14 and the right side wall 22nd flowing back condensate through and into the liquid tank 16.
  • a supply air connection 31 is provided, the supply line is provided with a control device 32. This is driven via the controllable supply air 31, 32 of the resulting phosphorous mist on the weir 27 to the entrance of the chute 25 or actively moved.
  • Both the merging parts of the left side wall 23, 23 'and the side wall 26 of the chute 25 are provided with a fabric tension 34 in order to cause the condensate of the Phosphorklaebels 15, which is reflected on the walls of the chute 25, of This fabric tension 34 can be derived drip-free down.
  • the lower edges of the side walls 23, 23 'and 26 end above Troughs 36 and 37, which derive the condensate in a manner not shown in detail to the side, ie in a direction perpendicular to the plane of the drawing.
  • a pass-through shaft arrangement 40 is provided which projects an inlet region 41 in front of the chute 25 and an exit region 42 the chute 25 has. Between the inlet region 41 and the outlet region 42, the shaft arrangement 40 is open at the top, into which opening region the chute 25 opens. At the rear in the direction A rear end of the outlet region 42 of the shaft assembly 40 is provided with a suction box 43, in the opening thereof, the run 39 of the transport device
  • a roof-shaped plastic fabric 45 to form a laminarizer.
  • a suction line 46 is fixed, in which a control device 47 are arranged with a suction fan 48 for active movement or flow of the Phosphorsaoebel 15. Behind the suction fan 48, a condensate return 49 is provided, which opens into the phosphoric acid tank 19.
  • a homogeneous and uniform (local and temporal) exposure of the Phosphor Acid-based Phosphorticaebels on the silicon substrates 12 is also achieved by the transport speed of the transport device 13 for the silicon substrates 12 adapted to the speed of movement of the Phosphor Acid-bels 15 through the largely closed circuit of the process chamber 14 via the chute 25 and the shaft assembly 40 to the suction box 43 and preferably synchronized with it, ie, equated.
  • a condensation of Phosphorklad (10) on the ceiling 51st To avoid the shaft assembly 40, a return shaft 52 is provided above the outlet region 42, the bottom of which is formed by the ceiling 51.
  • the return shaft 52 is connected via a line 53 to a filling tube 54 of the phosphoric acid tank 16 in a region of the access end of the outlet region 42 of the shaft arrangement 40, so that tempered and overflowing from the tub 16 phosphoric acid can flow over the shaft assembly 40 in the direction of transport A direction.
  • a pipe 57 At the end of the return shaft 52, a pipe 57 is connected behind a weir-like element 56, which returns the excess phosphoric acid in the phosphoric acid tank 19.
  • FIG. 2 shows, in a detail of FIG. 1, the high-frequency sounding device 11 used in the device 10 in a schematic longitudinal section.
  • the high-frequency sound device 11 has a plastic housing 61, which penetrates a bore 62 in the bottom 21 of the phosphoric acid tank and is fastened with a flange 63 on the underside of the trough bottom 21.
  • a flange 63 surrounded by the lower hollow housing part 64 is in the region of the tub bottom 21 as
  • a piezoelectric element 65 is arranged, the underside of which is provided in a manner not shown with connecting lines and the top is covered with a quartz glass plate 66 preferably glued.
  • the quartz glass pane 66 is tuned in its thickness to the high frequency sound frequency of the piezoelectric element 65, so that the sound can be passed through virtually lossless.
  • This unit of piezoelectric element 65 and quartz glass pane 66 is fitted with the latter in advance in the hollow housing part 64 hermetically sealed to the underside of the side facing the phosphoric acid in the trough 16.
  • upper hollow housing part 67 is a quartz glass nozzle 68 with its lower diameter larger Screwed in end.
  • a plurality of circumferentially arranged radial bore 69 are introduced, via which the phosphoric acid contained in the tub 16 can flow into the space of the quartz glass nozzle 68 and also comes into contact with the quartz glass plate 66.
  • the quartz glass nozzle 68 tapers toward its mouth 71 projecting into the process chamber 14. In this way, the tip of the quartz glass nozzle 68 provided with the mouth 71 projects beyond the liquid level 20 of the phosphoric acid in the trough 16 for a distance.
  • both the phosphoric acid and the sound are focused when the phosphoric acid contained in the nozzle 68 is thrown up above the liquid level 20 of the phosphoric acid in the tub 16 by high-frequency sound energy of the piezoelectric element 65 via the disk 66.
  • the phosphoric acid droplets which separate from the phosphoric acid mist on the baffle, are collected by the tub 16 again.
  • the phosphoric acid displaced in the quartz glass nozzle 68 to form the phosphoric acid mist 15 can flow back out of the trough 16 via the radial bores 69.
  • the device 10 shown in FIG. 1 can also be provided with a high-frequency sounding device formed in a different manner instead of the high-frequency sound device 11 according to FIG.

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Abstract

Eine Einrichtung (10) zum Aufbringen einer gleichmäßigen dünnen Flüssigkeits-, nämlich Phosphorsäureschicht auf Siliziumzellen (12) für die Fotovoltaik ist mit einer Prozesskammer (14), die mit einer Flüssigkeitswanne (16) und einer die Flüssigkeit in Flüssigkeitsnebel (15) umwandelnde Hochfrequenzschallvorrichtung (11) versehen ist, und mit einer unterhalb eines Flüssigkeitsnebel-Fallschachtes (25) der Prozesskammer (14) angeordneten Transportvorrichtung (13) für die Siliziumzellen (12) versehen. Um eine derartige Einrichtung (10) zu schaffen, die eine sowohl hinsichtlich der Fläche als auch der Menge wesentlich homogenere Aufbringung von Flüssigkeit auf die betreffenden Siliziumzellen lässt, ist vorgesehen, dass der Flüssigkeitsnebel-Fallschacht (25) der Prozesskammer (14) zur Transportvorrichtung (13) hin eine Verjüngung seines lichten Querschnitts erfährt und in eine die Transportvorrichtung (13) überdeckende Durchlauf-Schachtanordnung (40) für die Substrate (12) mündet, und dass die lichten Querschnitte des Mündungsendes des Flüssigkeitsnebel-Fallschachtes (25) und der Durchlauf-Schachtanordnung (40) aufeinander abgestimmt, vorzugsweise im Wesentlichen gleich sind.

Description

Titel : Einrichtung und Verfahren zum Aufbringen einer gleichmäßigen, dünnen Flüsεigkeitsschicht auf Substrate
Beschreibung
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Einrichtung zum Aufbringen einer gleichmäßigen, dünnen Flüssigkeits-, insbesondere Phosphorsäureschicht auf Substrate, insbesondere Siliziumzellen für die Fotovoltaik nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 bzw. dem des Anspruchs 14 sowie auf ein Verfahren zum Aufbringen einer gleichmäßigen, dünnen Flüssigkeitsinsbesondere Phosphorsäureschicht auf Substrate, insbesondere Siliziumzellen, für die Fotovoltaik nach dem Oberbegriff des Anspruchs 18.
Um fotovoltaische Zellen aus Silizium herstellen zu können, ist zunächst eine Phosphor-Dotierung der rohen Zellen erforderlich. Dazu wird die Zelle im ersten Schritt mit Phosphorsäure benetzt und die benetzten Zellen werden dann in einen Hochtemperaturofen bei ca. 800 bis 900 C° gebracht, wo aus der getrockneten Säure das Phosphor in das Siliziumsubstrat diffundiert. Dabei soll die Beschichtung zum einen sehr gleichmäßig erfolgen, um eine Gleichverteilung bei der Diffusion zu erreichen, und zum anderen sehr sparsam sein, da der Überschuss an Phosphorsäure auf die Zelle als "Phosphorglas" aufschmilzt und nur mühsam mit Hilfe von Flusssäure wieder abgetragen werden kann bzw. muss.
In bekannter Weise erfolgt das Aufbringen von Phosphorsäure auf die Siliziumsubsträte derart, dass mittels einer Hochfrequenzschallvorrichtung die Phosphorsäure vernebelt und der Phosphorsäurenebel auf die Siliziumsubstrate abgelegt wird. Der Phosphorsäurnebel wird dabei aus der Prozesskammer in einen Fallschacht geführt, der relativ breit ist und in relativ großem Abstand oberhalb der vorbeigeführten Siliziumsubstrate bzw. -zellen angeordnet ist. Nachteilig hieran ist, dass diese bekannte Einrichtung keine Gewähr für eine Homogenisierung des Nebels bietet, da schon leichte Luftbewegungen genügen, um den Nebel zu "Verblasen" . Außerdem führt die Ausgestaltung der Prozesskammer dazu, dass schädliche Kondensattropfen auf die Siliziumzellen fallen, was einer homogenen Benetzung bzw. Beschichtung entgegenläuft. Man hat versucht, derartige Kondensattropfen durch eine Tropfwanne unterhalb des Fallschachtes aufzufangen, was jedoch eine gleichmäßige Nebelausbreitung in noch größerem Maße behindert .
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es deshalb, eine Einrichtung zum Aufbringen einer gleichmäßigen, dünnen Flüssigkeits-, insbesondere Phosphorsäureschicht auf Substrate, insbesondere Siliziumzellen, für die Photovoltaik der eingangs genannten Art zu schaffen, die eine sowohl hinsichtlich der Fläche als auch der Menge wesentlich homogenere Aufbringung von Flüssigkeit, insbesondere Phosphorsäure auf die betreffenden Substrate, insbesondere Siliziumzellen zulässt.
Zur Lösung dieser Aufgabe sind bei einer Einrichtung zum Aufbringen einer gleichmäßigen, dünnen Flüssigkeitsinsbesondere Phosphorsäureschicht auf Substrate, insbesondere Siliziumzellen für die Fotovoltaik der genannten Art die im Anspruch 1 angegebenen Merkmale vorgesehen.
Durch die erfindungsgemäßen Maßnahmen ist innerhalb eines im wesentlichen geschlossenen Kreislaufes sowohl eine homogene Nebelbildung als auch eine homogene Führung des Flüssigkeitsnebels vom Erzeugungsort (Prozesskammer) bis zum Ort der Aufbringung und während der Aufbringung auf die Substrate, insbesondere Siliziumzellen erreicht. Diese Homogenität betrifft sowohl die flächige Ablagerung als auch die mengenmäßige Ablagerung auf den Siliziumsubstraten. Außerdem lässt sich durch die Verjüngung des Flüssigkeitsnebel-Fallschachtes und dem sich ergebenden Rückstau eine Verdichtung und weitere Homogenisierung des Flüssigkeitsnebels erreichen.
Mit den Merkmalen nach Anspruch 2 ist eine herstellungstechnisch einfache Ausführung des Fallschachtes erreicht.
Mit den Merkmalen nach Anspruch 3 ist erreicht, dass die oberhalb der durchlaufenden Siliziumsubstrate angeordnete Decke der DurchlaufSchachtanordnung auf Temperatur gehalten wird, so dass eine Kondensierung des Flüssigkeitsnebels und damit Tröpfchenbildung nicht möglich ist, was zusätzlich die Homogenität des Flüssigkeitsnebels und dessen Aufbringung fördert .
Mit den Merkmalen nach Anspruch 4 und/oder 5 ist eine regelbare und homogene aktive Durchleitung der Flüssigkeitsnebels vom Entstehungsort bis zur Aufbringung und während der Aufbringungsphase erreicht. Dabei ist es bei Einsatz des Abluftkanals zweckmäßig, die Merkmale nach Anspruch 6 vorzusehen, um die Homogenität des Flüssigkeitsnebels am Durchlaufende der Schachtanordnung nicht zu beeinträchtigen und dem Flüssigkeitsnebel eine definierte Strömungsgeschwindigkeit zu verleihen.
Mit den Merkmalen nach Anspruch 7 ist in bevorzugter und vorteilhafter Weise erreicht, dass sich durch die auf den Flüssigkeitsnebel wirkende Schwerkraft und Einwirkdauer über die Transportzeit hinweg der Flüssigkeitsnebel gleichmäßig und in ausreichender Menge auf den Siliziumsubstraten niederschlagen kann. Nach den Merkmalen des Anspruchs 8 ist im Bereich der Flüssigkeitsnebelerzeugung ein Prallelement vorgesehen, das den Vorteil hat, dass dessen Kunststoffgewebe die Flüssigkeit spritzfrei auffängt und in die Flüssigkeitswanne zurückrieseln lässt. Eine vorteilhafte Ausgestaltung hierzu ergibt sich durch die Merkmale nach Anspruch 9.
Eine Ausgestaltung der Decke der Prozesskairmer nach den Merkmalen des Anspruchs 10 ergibt im Hinblick auf die Homogenität des Flüssigkeitsnebels den Vorteil, dass sich durch die geneigte Anordnung das daran sammelnde Kondensat zurück in die Flüssigkeitswanne leiten lässt.
In entsprechender Weise werden gemäß Anspruch 11 Maßnahmen im Flüssigkeitsnebel Fallschacht vorgesehen, die in der Lage sind, Kondensat, das sich an den Wänden des Fallschachtes niederschlägt, tropffrei nach unten abzuleiten. Hierbei ist es zweckmäßig, die Merkmale nach Anspruch 12 vorzusehen, so dass das Kondensat über die Rinnen zur Seite abgeleitet werden kann.
Eine weitere bevorzugte konstruktive Ausgestaltung ergibt sich nach den Merkmalen des Anspruchs 13, mit dem Vorteil, dass eine derartige Einrichtung in der Breite eine nahezu beliebige Ausdehnung erhalten kann.
Bei der eingangs genannten bekannten Einrichtung wird eine Hochfrequenzschallvorrichtung eingesetzt, deren Hochfrequenzschallgeber, bzw. -erzeuger gegen Phosphorsäure nicht resistent ist. Deshalb ist es notwendig, ein Zwischenbehältnis einzusetzen, das luftfrei mit Wasser gefüllt und mit einem Temperierkreislauf verbunden ist. An der Unterseite des Zwischenbehältnisses ist der Hochfrequenzschallerzeuger befestigt, und an der Oberseite des Zwischenbehältnisses eine Membran, wobei das Wasser und die Membran als Schalltransmitter vom Hochfrequenzschallgeber zum darüber liegenden Phosphorsäurebecken bzw. -wanne dienen. Nachteilig hierbei ist die aufwendige teure Technik, häufige Ermüdungsbrüche der Membran und der daraus resultierende mühselige zeitaufwendige Austausch der Membran, als auch die Dämpfungseigenschaften eines solchen Schalltransmitters .
Um diese Nachteile zu vermeiden, sind bei einer Einrichtung der eingangs genannten Art die im Anspruch 14 angegebenen Merkmale vorgesehen.
Durch die erfindungsgemäßen Maßnahmen ist erreicht, dass in der Quarzglasdüse sowohl die Phosphorsäure als auch der Schall fokussiert werden. Dabei ist es zweckmäßig, die Merkmale nach Anspruch 15 vorzusehen, so dass die in der Quarzglasdüse verdrängte Flüssigkeit über die Zuführungen nachfließen kann.
Eine bevorzugte konstruktive Ausgestaltung hierzu ergibt sich aus den Merkmalen nach Anspruch 16.
Mit den Merkmalen nach Anspruch 17 ist erreicht, dass der Hochfrequenzschallerzeuger im wesentlichen unmittelbar mit der Phosphorsäure in Verbindung gebracht werden kann, ohne dass sich Nachteile hinsichtlich in der Intensität der Hochfrequenzschallerzeugung ergeben.
Des Weiteren betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Aufbringen einer gleichmäßigen, dünnen Flüssigkeitsinsbesondere Phosphorsäureschicht auf Substrate, insbesondere Siliziumzellen für die Fotovoltaik, nach dem Oberbegriff des Anspruchs 18.
Wie erwähnt, mangelt es bei den bisherigen vergleichbaren Verfahren an der Homogenität der Flüssigkeitsnebelführung und damit der Phosphorsäureablagerung. Um dies zu verbessern, sind bei einem Verfahren genannten Art die im Anspruch 18 angegebenen Merkmale vorgesehen.
Mit den erfindungsgemäßen Maßnahmen ist erreicht, dass der Flüssigkeitsnebel sich aktiv und in homogener Weise von der Flüssigkeitsnebelerzeugung aus bis hin zum Aufbringen bzw. Niederschlagen der Flüssigkeitsnebelschicht auf die Substrate führen lässt.
Vorteilhafte Ausgestaltungen hierzu ergeben sich aus den Merkmalen des Anspruchs 19 und/oder 20.
Weitere Einzelheiten der Erfindung sind der folgenden Beschreibung zu entnehmen, in der die Erfindung anhand des in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispieles näher beschrieben und erläutert ist.
Es zeigen:
Figur 1 in schematischer teilweise längsgeschnittener Seitenansicht eine Einrichtung zum Aufbringen einer gleichmäßigen, dünnen Phosphorsäureschicht auf Siliziumsubstrate für die Fotovoltaik und
Figur 2 eine bei der Einrichtung nach Figur 1 verwendete Hochfrequenzschallvorrichtung im eingebauten Zustand und im Querschnitt.
Die in Figur 1 dargestellte Einrichtung 10 dient zum Aufbringen einer gleichmäßigen, dünnen Phosphorsäureschicht auf Siliziumsubstrate bzw. -zellen 12 für die Fotovoltaik. Dabei werden die Siliziumsubstrate 12 auf einer Transportvorrichtung 13 in Richtung des Pfeiles A zugeführt und weggeführt und während der Transportbewegung mit einer Phosphorsäureschicht dadurch homogen, dass die Siliziumsubstrate 12 durch einen Phosphorsäurenebel 15, der mittels einer Hochfrequenzschallvorrichtung 11 innerhalb einer Prozesskammer 14 erzeugt wird, geführt werden.
Gemäß Figur 1 ist in der sich in Richtung senkrecht zur Zeichnungsebene über eine gewählte Länge erstreckenden Prozesskammer 14 bodenseitig eine Wanne 16 angeordnet, die Phosphorsäure enthält. Die Phosphorsäurewanne 16 ist über eine Rohrleitung 18 mit einem Phosphorsäuretank 19 verbunden. Von diesem Tank 19 wird der Wanne 16 Phosphorsäure entsprechend dem Bedarf vorzugsweise temperiert. Im Boden 21 der Flüssigkeitswanne 16 ist die
Hochfrequenzschallvorrichtung 11 befestigt, die weiter unten anhand der Figur 2 näher beschrieben wird.
Die Prozesskammer 14 ist von einer gemäß Figur 1 rechten Seitenwand 22, einer gegenüberliegenden linken Seitenwand 23, eine Decke 24 und parallel zur Zeichnungsebene liegenden und nicht dargestellten Endwänden begrenzt. Die Prozesskammer 14, die über dem Flüssigkeitstank 19 liegt, ist an ihrem der linken Seitenwand 23 zugewandten Bereich mit einem zur Transportvorrichtung 13 gerichteten Fallschacht 25 versehen. Die Decke 24 der Prozesskammer 14 ist von der rechten Seitenwand 23 ausgehend schräg ansteigend angeordnet und mit der linken Seitenwand 23 dicht verbunden, die in ihrer zur Transportvorrichtung 13 gerichteten Verlängerung 23 ' die Seitenwand des Fallschachtes 25 bildet. Diese Seitenwand 23, 23 ' ist zur Transportvorrichtung 13 hin schräg in Richtung zur rechten Seitenwand 22 geneigt, so dass sich ein etwa keilförmig zur Transportvorrichtung 13 hin gestalteter bzw. verjüngender FaIIschacht 25 ergibt, dessen gegenüberliegende Seitenwand 26 sich vertikal und damit parallel zur höher liegenden rechten Seitenwand 22 der Prozesskammer 14 erstreckt. Diese Seitenwand 26 des Fallschachtes 25 begrenzt die Flüssigkeitswanne 16 und ist über den Flüssigkeitsspiegel 20 der Flüssigkeitswanne 16 hinaus unter Bildung eines Wehres 27 verlängert. Im oberen Bereich der rechten Seitenwand 22 der Prozesskammer 14 ist ein Prallelement 27 befestigt, das schräg nach unten, d.h. zur Flüssigkeitswanne 16 hin geneigt in die Prozesskammer 14 ragt und in einem Abstand vor dem Wehr 27 unter Bildung eines Durchganges 29 endet.
Das Prallelement 28 besitzt einen mit Kunststoffgewebe 30 bespannten Rahmen, wobei das Kunststoffgewebe 30 die mittels der Hochfrequenzschallvorrichtung 11 herausgeschleuderte Phosphorsäuretröpfchen im Phosphorsäurenebel 15 spritzfrei auffängt und die Tröpfchen in die Flüssigkeitswanne 16 zurückrieseln lässt. Es tritt somit lediglich der, Phosphorsäurenebel durch den Durchgang 29 und das Kunststoffgewebe 30 des Prallelements 28 hindurch den dahinter liegenden Raum der Prozesskammer 14. Das Kunststoffgewebe 30 des Prallelements 28 lässt außerdem das sich an der Decke 24 der Prozesskammer 14 sammelnde und zur rechten Seitenwand 22 zurückfließende Kondensat durch und in die Flüssigkeitswanne 16 abfließen.
In einem Bereich zwischen dem Flüssigkeitsspiegel 20 der Wanne 16 und dem Prallelement 28 ist ein Zuluftanschluss 31 vorgesehen, dessen Zuführleitung mit einer Regeleinrichtung 32 versehen ist. Damit wird über die regelbare Zuluft 31, 32 der entstandene Phosphornebel über das Wehr 27 zum Eingang des Fallschachtes 25 getrieben bzw. aktiv bewegt.
Sowohl die ineinander übergehenden Teile der linken Seitenwand 23, 23' als auch die Seitenwand 26 des Fallschachtes 25 sind mit einer Gewebebespannung 34 versehen, um zu erreichen, dass sich das Kondensat des Phosphorsäurenebels 15, das sich an den Wänden des Fallschachtes 25 niederschlägt, von dieser Gewebebespannung 34 tropffrei nach unten abgeleitet werden kann. Hierzu enden die Unterkanten der Seitenwände 23, 23' und 26 oberhalb von Rinnen 36 bzw. 37, die das Kondensat in nicht im einzelnen dargestellter Weise zur Seite, d.h. in einer Richtung senkrecht zur Zeichnungsebene ableiten.
Über der Transportvorrichtung 13 bzw. dem oberen Trumm 39 der Transportvorrichtung 13, auf dem die Siliziumsubstrate 12 aufliegen und in Richtung des Pfeiles A bewegt werden, ist eine Durchlauf-Schachtanordnung 40 vorgesehen, die einen Einlaufbereich 41 vor dem Fallschacht 25 und einen Aus1aufbereich 42 nach dem Fallschacht 25 besitzt. Zwischen dem Einlaufbereich 41 und dem Auslaufbereich 42 ist die Schachtanordnung 40 nach oben offen, in welchen Öffnungsbereich der Fallschacht 25 mündet. Am in Durchlaufrichtung A hinteren Ende ist der Auslaufbereich 42 der Schachtanordnung 40 mit einem Absaugkasten 43 versehen, in dessen Öffnung, die dem Trumm 39 der Transportvorrichtung
13 zugewandt ist, ein dachförmig angeordnetes Kunststoffgewebe 45 zur Bildung eines Laminarisators angeordnet. Am diesem Kunststoffgewebe 45 abgewandten Ende des Absaugkastens 43 ist eine Absaugleitung 46 befestigt, in der eine Regelvorrichtung 47 mit einem Sauggebläse 48 zur aktiven Bewegung bzw. Strömung des Phosphorsäurenebels 15 angeordnet sind. Hinter dem Sauggebläse 48 ist eine Kondensatrückführung 49 vorgesehen, die in den Phosphorsäuretank 19 mündet.
Aufgrund der beiden Regeleinrichtungen 32 und 47 für die Zuluft und Abluft kann der entstandene Phosphorsäurenebel 15 in regelbarer Weise von dem Ort der Entstehung, nämlich der Prozesskammer 14, über den nach unterhalb der Prozesskammer
14 und der Flüssigkeitswanne 16 ragenden Fallschacht 25 in die Schachtanordnung 40 zu dem Ort bewegt werden, an dem die Siliziumsubstrate 12 beschichtet werden. Aufgrund der keilförmigen Ausgestaltung des Fallschachtes 25 wird durch den Rückstau der Phosphorsäurenebel verdichtet und homogenisiert. Durch den unmittelbaren Übergang vom Fallschacht 25 in die relativ niedrige Schachtanordnung 40 bleibt der Phosphornebel 15 homogen und verdichtet und füllt somit den Auslaufbereich 42 der Schachtanordnung 40 komplett bzw. vollständig aus. Da mit Hilfe des Absaugkastens 43 der nicht abgelagerte Teil des Phosphorsäurenebels 15 aus dem Auslaufbereich 42 der Schachtanordnung 40 über dessen gesamte Breite gleichmäßig abgesaugt wird, bleibt die Homogenität des Phosphorsäurenebels im Auslaufbereich 42 erhalten. Damit kann sich aufgrund der auf den Phosphorsäurenebel wirkenden Schwerkraft und der Einwirkdauer über die Transportzeit hinweg Phosphorsäure gleichmäßig und in ausreichender Menge auf die Substrate 12 niederschlagen. Die Dosierung des Phosphorsäurenebels erfolgt feinfühlig über die Zu- und Abluftregelung sowie über die Leistungsregelung der Hochfrequenzschallvorrichtung 11. Ein homogenes und gleichmäßiges (örtliches und zeitliches) Einwirken des Phosphorsäurenebels auf die Siliziumsubstrate 12 wird außerdem dadurch erreicht, dass die Transportgeschwindigkeit der Transportvorrichtung 13 für die Siliziumsubstrate 12 an die Geschwindigkeit der Bewegung des Phosphorsäurenebels 15 durch den weitgehend geschlossenen Kreislauf von der Prozesskammer 14 über den Fallschacht 25 und die Schachtanordnung 40 bis zum Absaugkasten 43 angepasst und vorzugsweise mit ihr synchronisiert, d.h. , gleichgesetzt wird.
Für eine gleichmäßig homogene Führung des Phosphorsäurenebels 15 über die gesamte Strecke ist es von Bedeutung, dass die Dimensionierung bzw. das Mündungsende des vertikalen Flüssigkeitsnebel-FallSchachtes 25 und der den Ablagerungsraum abgrenzenden Durchlauf-Schachtanordnung 40 für die Substrate 12 aufeinander abgestimmt, vorzugsweise identisch sind.
Um innerhalb des Auslaufbereichs 42 der Schachtanordnung 40 ein Kondensieren des Phosphorsäurenebels (15) an der Decke 51 der Schachtanordnung 40 zu vermeiden, ist über dem Auslaufbereich 42 ein RücklaufSchacht 52 vorgesehen, dessen Boden durch die Decke 51 gebildet ist. Der RücklaufSchacht 52 ist über eine Leitung 53 mit einem Füllstandsrohr 54 der Phosphorsäurewanne 16 in einem Bereich des Zugangsendes des Auslaufbereichs 42 der Schachtanordnung 40 verbunden, so dass temperierte und aus der Wanne 16 überlaufende Phosphorsäure über der Schachtanordnung 40 in Richtung der Transportrichtung A strömen kann. Am Ende des RücklaufSchachtes 52 ist hinter einem wehrähnlichen Element 56 eine Rohrleitung 57 angeschlossen, die die überschüssige Phosphorsäure in den Phosporsäuretank 19 zurückführt.
Figur 2 zeigt in einem Ausschnitt der Figur 1 die bei der Einrichtung 10 verwendete Hochfrequenzschallvorrichtung 11 in schematischer längsgeschnittener Darstellung. Die Hochfrequenzschallvorrichtung 11 besitzt ein Kunststoffgehäuse 61, das eine Bohrung 62 im Boden 21 der Phosphorsäurewanne durchdringt und mit einem Flansch 63 an der Unterseite des Wannenbodens 21 befestigt ist. Innerhalb eines vom Flansch 63 umgebenen unteren hohlen Gehäuseteils 64 ist im Bereich des Wannenbodens 21 als
Hochfrequenzschallerzeuger ein Piezoelement 65 angeordnet, dessen Unterseite in nicht dargestellter Weise mit Verbindungsleitungen versehen ist und dessen Oberseite mit einer Quarzglasscheibe 66 belegt vorzugsweise verklebt ist. Die Quarzglasscheibe 66 ist in ihrer Dicke auf die Hochfrequenzschallfrequenz des Piezoelementes 65 abgestimmt, so dass der Schall nahezu verlustfrei durchgeleitet werden kann. Diese Einheit aus Piezoelement 65 und Quarzglasscheibe 66 ist mit der letzteren voraus an der der Phosphorsäure in der Wanne 16 zugewandten Seite hermetisch dicht zur Unterseite hin in dem hohlen Gehäuseteil 64 eingebaut. In das in die Phosphorsäurewanne 16 ragende und mit dem hohlen Gehäuseteil 64 einstückige obere hohle Gehäuseteil 67 ist eine Quarzglasdüse 68 mit ihrem unteren durchmessergrößeren Ende eingeschraubt. In das obere hohle Gehäuseteil 67 sind eine Vielzahl von über dem Umfang angeordnete radiale Bohrung 69 eingebracht, über die die in der Wanne 16 enthaltene Phosphorsäure in den Raum der Quarzglasdüse 68 zufließen kann und auch mit der Quarzglasscheibe 66 in Berührung kommt. Die Quarzglasdüse 68 verjüngt sich zu ihrer in die Prozesskammer 14 ragenden Mündung 71 hin. Damit ragt die mit der Mündung 71 versehene Spitze der Quarzglasdüse 68 über den Flüssigkeitsspiegel 20 der Phosphorsäure in der Wanne 16 ein stückweit hinaus. In der Quarzglasdüse 68 werden sowohl die Phosphorsäure als auch der Schall fokussiert, wenn durch Hochfrequenzschallenergie des Piezoelementes 65 über die Scheibe 66 die in der Düse 68 enthaltene Phosphorsäure über den Flüssigkeitsspiegel 20 der Phosphorsäure in der Wanne 16 hinaus hochgeschleudert wird. Um die herausgeschleuderte Phosphorsäure herum ergibt sich eine heftige Bildung von Phosphorsäurenebel 15. Wie erwähnt, werden die Phosphorsäuretröpfchen, die sich vom Phosphorsäurenebel am Prallelement separieren, von der Wanne 16 wieder aufgefangen.
Die in der Quarzglasdüse 68 verdrängte Phosphorsäure zur Bildung des Phosphorsäurenebels 15 kann über die radialen Bohrungen 69 aus der Wanne 16 wieder nachfließen.
Es sei angemerkt, dass die in Figur 1 dargestellte Einrichtung 10 statt mit der Hochfrequenzschallvorrichtung 11 nach Figur 2 auch mit einer in anderer Weise ausgebildeten Hochfrequenzschallvorrichtung versehen sein kann.

Claims

Patentansprüche
1. Einrichtung (10) zum Aufbringen einer gleichmäßigen dünnen Flüssigkeits- , insbesondere Phosphorsäureschicht auf Substrate (12), insbesondere Siliziumzellen für die Fotovoltaik, mit einer Prozesskammer (14) , die mit einer Flüssigkeitswanne (16) und einer die Flüssigkeit in Flüssigkeitsnebel (15) umwandelnde
Hochfrequenzschallvorrichtung (11) versehen ist, und mit einer unterhalb eines Flüssigkeitsnebel-Fallschachtes (25) der Prozesskammer (14) angeordneten Transportvorrichtung (13) für die Substrate (12), dadurch gekennzeichnet, dass der Flüssigkeitsnebel- Fallschacht (25) der Prozesskammer (14) zur Transportvorrichtung (13) hin eine Verjüngung seines lichten Querschnitts erfährt und in eine die Transportvorrichtung (13) überdeckende Durchlauf- Schachtanordnung (40) für die Substrate (12) mündet, und dass die lichten Querschnitte des Mündungsendes des Flüssigkeitsnebel-Fallschachtes (25) und der Durchlauf- Schachtanordnung (40) aufeinander abgestimmt, vorzugsweise im Wesentlichen gleich sind.
2. -Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Flüssigkeitsnebel-Fallschacht (25) zum Durchlauf-Schachtanordnung (40) hin keilförmig ausgebildet ist.
3. Einrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass auf der Durchlauf-Schachtanordnung (40) in Durchlaufrichtung (A) nach der Mündung des Fallschachtes (25) ein mit der Flüssigkeitswanne (16) verbundener Rücklaufschacht (52) angeordnet ist, dessen der Mündung abgewandtes hinteres Ende mit einem Flüssigkeitstank (19) verbunden ist.
4. Einrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass in einem Bereich oberhalb der Hochfrequenzschallvorrichtung (11) ein mit einer ersten Regelvorrichtung (32) verbundenes Zuluftrohr (31) mündet .
5. Einrichtung nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass am Ende der Durchlaufschacht-Anordndung (40) ein mit einer zweiten Regelvorrichtung (47) versehener Abluftkanal (46) vorgesehen ist.
6. Einrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Durchlauf-Schachtanordnung (40) und dem Abluftkanal (46) ein mit einem Laminarisator (45) versehener Absaugkasten (43) angeordnet ist, der mit einem Sauglüfter (48) verbunden ist.
7. Einrichtung nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste und die zweite Regelvorrichtung (32, 47) für die Geschwindigkeit des Nebeltransports von der Prozesskammer (14) durch die DurchlaufSchachtanordnung (40) und die Geschwindigkeit der Transportvorrichtung (13) für die Substrate (12) aufeinander abstimmbar, vorzugsweise synchronisierbar sind.
8. Einrichtung nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in der Prozesskammer (14) oberhalb der Hochfrequenzschallvorrichtung (11) bzw. der Flüssigkeitswanne (16) eine ein Gewebe (30), vorzugsweise Kunststoffgewebe, aufweisendes Prallelement
(28) vorgesehen ist.
9. Einrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem freien Ende des von einer dem Fallschacht (25) abgewandten Prozesskammerwand (22) ausgehenden geneigten Prallelementes (28) und einem an dem dieser Prozesskammerwand (22) abgewandten Ende der Flüssigkeitswanne (16) angeordneten Wehr (27) ein Durchgang (29) für den Flüssigkeitsnebel vorgesehen ist.
10. Einrichtung nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Decke (24) der Prozesskammer (14) von der einen dem Fallschacht (25) abgewandten Prozesskammerwand (22) ausgehend ansteigend geneigt ist.
11. Einrichtung nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, das der keilförmige Flüssigkeitsnebel-Fallschacht (25) an seinen Begrenzungswänden (23, 26) mit einer Gewebebespannung (34) versehen ist.
12. Einrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Begrenzungswände (23, 26) des Fallschachtes (25) im Mündungsbereich der Durchlauf-Schachtanordnung (40) über Ablaufrinnen (36, 37) enden.
13. Einrichtung nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass entsprechend einer quer zur Durchlaufrichtung (A) vorgesehenen Breite der Transportvorrichtung (13) und damit der Prozesskammer (14) eine Mehrzahl von in diese Richtung in vorgegebenem Abstand angeordnete Hochfrequenzschallvorrichtungen (11) vorgesehen ist.
14. Einrichtung (10) zum Aufbringen einer gleichmäßigen dünnen Flüssigkeits-, insbesondere Phosphorsäureschicht auf Substrate (12) , insbesondere Siliziumzellen für die Fotovoltaik, mit einer Prozesskammer (14), die mit einer Flüssigkeitswanne (16) und einer die Flüssigkeit in Flüssigkeitsnebel (15) umwandelnde Hochfrequenzschallvorrichtung (11) versehen ist, insbesondere nach Anspruch 1 und ggf. einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, dass die Hochfrequenzschallvorrichtung (11) zum Vernebeln der Flüssigkeit mit einer Düse (68) , vorzugsweise aus Quarzglas, versehen ist, unterhalb der ein Hochfrequenzschallerzeuger (65) angeordnet ist.
15. Einrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der aus dem Flüssigkeitsspiegel (20) in der Flüssigkeitswanne (16) ragenden Düse (68) und dem Hochfrequenzschallerzeuger (65) Zuführungen (69) für die Flüssigkeit aus der Wanne (16) in die Düse (68) vorgesehen sind.
16. Einrichtung nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Düse (68) in einem Gehäuse (61) vorzugsweise aus Kunststoff gehalten ist, das im Boden
(21) der Flüssigkeitswanne (16) befestigt ist und diesen flüssigkeitsdicht durchdringt, dass im Bereich des Wannenbodens (21) der Hochfrequenzschallerzeuger (65) im Gehäuse (61) befestigt ist und dass in dem innerhalb der Flüssigkeitswanne (16) befindlichen Teil (67) des Gehäuses (61) eine Vielzahl radialer Zuführbohrungen (69) vorgesehen ist.
17. Einrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 14 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass der
Hochfrequenzschallerzeuger ein Piezoelement (65) ist, auf dem der Düse (68) zugewandt ein auf die Schallfrequenz abgestimmtes Quarzglasplättchen (66) befestigt, vorzugsweise geklebt ist.
18. Verfahren zum Aufbringen einer gleichmäßigen, dünnen Flüssigkeits-, insbesondere Phosphorsäureschicht auf Substrate, insbesondere Siliziumzellen für die Fotovoltaik, bei dem innerhalb einer Prozesskammer mittels einer Hochfrequenzschallvorrichtung ein Flüssigkeitsnebel erzeugt wird, der auf die vorzugsweise mittels einer Transportvorrichtung bewegte Substrate fällt bzw. abgelagert wird, dadurch gekennzeichnet, dass der Flüssigkeitsnebel aus der Prozesskammer auf seinem Weg zu den Substraten aktiv bewegt wird und dass der Flüssigkeitsnebel in einem an die Prozesskammer anschließenden Fallschacht verdichtet und homogenisiert wird und von dort in eine über den bewegten Substraten angeordnete Durchlauf-Schachtanordnung geführt und auf den Substraten abgelagert, wobei die aktive Bewegung des Flüssigkeitsnebels mit der Geschwindigkeit der Substrate abgestimmt, vorzugsweise synchronisiert wird.
19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass unmittelbar auf der den abzulagernden Flüssigkeitsnebel führenden Durchlauf-Schachtanordnung erwärmte Flüssigkeit rückgeführt wird.
20. Verfahren nach Anspruch 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, dass der Flüssigkeitsnebel am Ende der Durchlauf-Schachtanordnung als Rest gleichmäßig abgesaugt wird.
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