WO2006093136A1 - 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2006093136A1
WO2006093136A1 PCT/JP2006/303731 JP2006303731W WO2006093136A1 WO 2006093136 A1 WO2006093136 A1 WO 2006093136A1 JP 2006303731 W JP2006303731 W JP 2006303731W WO 2006093136 A1 WO2006093136 A1 WO 2006093136A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
processing
substrate
gas
electrode
plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2006/303731
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Nobuo Ishimaru
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kokusai Denki Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority to US11/885,483 priority Critical patent/US8251012B2/en
Priority to JP2007505948A priority patent/JP4951501B2/ja
Priority to KR1020077019904A priority patent/KR100909750B1/ko
Publication of WO2006093136A1 publication Critical patent/WO2006093136A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23P—METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; COMBINED OPERATIONS; UNIVERSAL MACHINE TOOLS
    • B23P17/00—Metal-working operations, not covered by a single other subclass or another group in this subclass
    • B23P17/04—Metal-working operations, not covered by a single other subclass or another group in this subclass characterised by the nature of the material involved or the kind of product independently of its shape
    • B23P17/06—Making steel wool or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32541—Shape
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
    • B21F—WORKING OR PROCESSING OF METAL WIRE
    • B21F45/00—Wire-working in the manufacture of other particular articles
    • B21F45/006—Wire-working in the manufacture of other particular articles of concrete reinforcement fibres
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B14/00—Use of inorganic materials as fillers, e.g. pigments, for mortars, concrete or artificial stone; Treatment of inorganic materials specially adapted to enhance their filling properties in mortars, concrete or artificial stone
    • C04B14/38—Fibrous materials; Whiskers
    • C04B14/48—Metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • C23C16/509—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using internal electrodes
    • E—FIXED CONSTRUCTIONS
    • E04—BUILDING
    • E04C—STRUCTURAL ELEMENTS; BUILDING MATERIALS
    • E04C5/00—Reinforcing elements, e.g. for concrete; Auxiliary elements therefor
    • E04C5/01—Reinforcing elements of metal, e.g. with non-structural coatings
    • E04C5/012—Discrete reinforcing elements, e.g. fibres
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32559—Protection means, e.g. coatings
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12201—Width or thickness variation or marginal cuts repeating longitudinally
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12201—Width or thickness variation or marginal cuts repeating longitudinally
    • Y10T428/12208—Variation in both width and thickness

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus and a semiconductor device manufacturing method, and more particularly to a substrate processing apparatus and a semiconductor device that perform etching of a substrate surface such as a silicon wafer and thin film formation processing on the substrate surface using plasma. It relates to the manufacturing method.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining a vertical substrate processing furnace of a conventional substrate processing apparatus
  • FIG. 2 is a schematic vertical cross-sectional view taken along line AA in FIG. 1
  • FIG. Fig. 1 is a schematic longitudinal sectional view of line BB.
  • An elongated buffer chamber 237 is provided near the wall surface inside the reaction tube 203 in a vertical manner, and rod-shaped discharge electrodes 269, 270 covered with two electrode protection tubes 275, 276, respectively, which also have dielectric force inside.
  • a gas nozzle 233 for obtaining an even gas flow is installed in the buffer chamber 237.
  • the high frequency power generated by the oscillator of the high frequency power source 273 is applied to the end 277 of the discharge electrode 270 to the end 277 of the discharge electrode 269, and a plasma 224 is generated between the discharge electrodes 269 and 270 in the buffer chamber 237. Then, the reactive gas supplied from the gas nozzle 233 is excited by plasma, and the excited species force thus excited is supplied from the gas supply hole 248a opened in the side wall of the S buffer chamber 237. It has a structure to be supplied to.
  • this conventional discharge method is capacitively coupled plasma, and when the power of the oscillator is increased to increase the plasma density, the stray capacitance of the discharge electrodes 269 and 270 causes the plasma to move into the buffer chamber. Only by spreading outside 237, the increase in the amount of active species was unattainable.
  • a main object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a semiconductor device manufacturing method capable of increasing the amount of active species generated by plasma. Disclosure of the invention
  • a processing vessel A processing vessel;
  • a gas supply unit for supplying a desired processing gas into the processing container
  • a gas discharge unit for discharging excess processing gas from the processing container
  • a substrate mounting member that is mounted in a state where a plurality of substrates are stacked in the processing container; and an electrode that generates plasma for exciting the processing gas and to which high-frequency power is applied,
  • the electrode is a first electrode
  • a substrate processing apparatus is provided.
  • a gas supply unit for supplying a desired processing gas into the processing container
  • a gas discharge unit for discharging excess processing gas from the processing container
  • a substrate mounting member that is mounted in a state where a plurality of substrates are stacked in the processing container; and an electrode that generates plasma for exciting the processing gas and to which high-frequency power is applied,
  • the electrode is a first electrode
  • a plurality of the substrates are stacked on the substrate mounting member in the processing container.
  • a method of manufacturing a semiconductor device comprising: supplying the desired processing gas from the gas supply unit into the processing container, applying high-frequency power to the electrode to generate plasma, and processing the substrate. Is provided.
  • a method of manufacturing a semiconductor device which is a process executed by applying high-frequency power, is provided.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining a vertical substrate processing furnace of a conventional substrate processing apparatus.
  • FIG. 2 is a schematic longitudinal sectional view taken along line AA in FIG.
  • FIG. 3 is a schematic longitudinal sectional view taken along line BB in FIG. 1.
  • FIG. 4 is a schematic longitudinal sectional view for explaining a vertical substrate processing furnace of a substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a schematic cross-sectional view for explaining a vertical substrate processing furnace of a substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic longitudinal sectional view taken along line CC of FIG.
  • FIG. 7 is a schematic longitudinal sectional view taken along the line DD in FIG.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view for explaining the operation of the vertical substrate processing furnace of the substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a view taken along the line EE in FIG.
  • FIG. 10 is a schematic cross-sectional view for explaining the operation of a substrate processing furnace for comparison.
  • FIG. 11 is a view taken along line FF in FIG.
  • FIG. 12 is a schematic perspective view for explaining a substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a schematic longitudinal sectional view for explaining a substrate processing apparatus according to a preferred embodiment of the present invention.
  • a substrate processing apparatus preferably includes a vertical processing chamber for processing stacked substrates, a gas supply system for supplying processing gas to the substrate, and a gas supply system to the substrate.
  • a buffer chamber that temporarily stores the supplied gas and uniformly supplies the gas to the stacked substrates, generates plasma, generates electrically neutral active species, and processes multiple substrates collectively To do.
  • a U-shaped elongated conductive electrode as a plasma generation source is covered with a U-shaped dielectric tube and installed inside the buffer chamber, and the end of the U-shaped elongated conductive electrode High-frequency power is applied from the section to generate plasma in the space inside the u-shaped dielectric tube.
  • the tips of two parallel electrodes are connected to form a 1-turn U-shaped coil.
  • the plasma becomes inductively coupled plasma that is induced by the high-frequency current flowing in the discharge electrode, and the plasma generation part is limited to the magnetic field part by the high-frequency current.
  • the magnetic field due to the high-frequency current flowing in the opposite direction to two parallel discharge electrodes is localized around the electrodes, so that the plasma is also limited to the vicinity of the electrodes, so that the plasma density can be increased effectively.
  • the ALD method supplies two types (or more) of raw material gases used for film formation one by one alternately onto the substrate under certain film formation conditions (temperature, time, etc.). This is a technique in which film formation is performed by adsorbing in atomic layer units and utilizing surface reactions. That is, the chemical reaction used is, for example, in the case of forming a SiN (silicon nitride) film.
  • D CS SiH C1, dichlorosilane
  • NH ammonia
  • the gas supply alternately supplies multiple types of reactive gases one by one.
  • film thickness control is controlled by the cycle number of reactive gas supply.
  • FIG. 4 is a schematic configuration diagram for explaining a vertical substrate processing furnace according to the present embodiment, in which the processing furnace portion is shown in a longitudinal section
  • FIG. 5 is related to the present embodiment. It is a schematic block diagram for demonstrating a vertical type
  • a reaction tube 203 made of quartz is provided inside a heater 207 serving as a heating means as a reaction vessel for processing a wafer 200 serving as a substrate, and a lower end opening of the reaction tube 203 is a seal serving as a lid.
  • the cap 219 is airtightly closed through an O-ring 220 which is an airtight member.
  • a heat insulating member 208 is provided outside the reaction tube 203 and the heater 207.
  • the heat insulating member 208 is provided so as to cover the upper end of the heater 207.
  • the processing furnace 202 is formed by at least the heater 207, the heat insulating member 208, the reaction tube 203, and the seal cap 219. Further, the processing chamber 201 is formed by at least the reaction tube 203 and the seal cap 219.
  • a boat 217 as a substrate holding means is erected on the seal cap 219 via a quartz cap 218, and the quartz cap 218 is a holding body that holds the boat 217. Then, the boat 217 is inserted into the processing furnace 202. A plurality of wafers 200 to be batch-processed are loaded on the boat 217 in a horizontal posture in multiple stages in the tube axis direction.
  • the heater 207 heats the wafer 200 inserted into the processing furnace 202 to a predetermined temperature.
  • the processing furnace 202 is provided with two gas supply pipes 232a and 232b as supply pipes for supplying a plurality of types, here two types of gases.
  • the gas supply pipe 232a reacts with the processing chamber 201 via a mass flow controller 241a which is a flow rate control means and a valve 243a which is an on-off valve, and further through a buffer chamber 237 formed in a reaction tube 203 which will be described later.
  • Gas is supplied, and from the gas supply pipe 232b, a mass flow controller 241b that is a flow control means, a valve 243b that is an on-off valve, a gas reservoir 247, and a valve 24 that is an on-off valve
  • the reaction gas is supplied to the processing chamber 201 through 3c and further through a gas supply unit 249 described later.
  • the two gas supply pipes 232a and 232b are prevented from adhering NH C1 as a reaction by-product.
  • a piping heater (not shown) that can be heated to about 120 ° C is installed.
  • the processing chamber 201 is connected to a vacuum pump 246, which is an exhaust means, through a valve 243d by a gas exhaust pipe 231 which is an exhaust pipe for exhausting gas, and is evacuated.
  • the valve 243d is an open / close valve that can open and close the valve to stop evacuation / evacuation of the processing chamber 201, and further adjust the pressure by adjusting the valve opening.
  • a buffer room 237 which is a distributed space, is provided!
  • a gas supply hole 248a which is a supply hole for supplying a gas is provided in the vicinity of the end of the inner wall adjacent to the wafer 200 in the buffer chamber 237.
  • the gas supply hole 248a opens toward the center of the reaction tube 203.
  • the gas supply holes 248a have the same opening area over a predetermined length from the lower part to the upper part along the stacking direction of the wafers 200, and are further provided at the same opening pitch.
  • the nozzle 233 is also arranged along the stacking direction of the wafer 200 from the lower part to the upper part of the reaction tube 203. It is established.
  • the nozzle 233 is provided with a plurality of gas supply holes 248b that are gas supply holes.
  • the plurality of gas supply holes 248b are disposed along the stacking direction of the wafer 200 over the same predetermined length as in the case of the gas supply holes 248a.
  • a plurality of gas supply holes 248b and a plurality of gas supply holes 248a are arranged in a one-to-one correspondence.
  • the opening area of the gas supply holes 248b may be the same opening pitch from the upstream side to the downstream side with the same opening pitch when the differential pressure between the nother chamber 237 and the processing furnace 202 is small. However, if the differential pressure is large, the opening area should be increased from the upstream side to the downstream side, or the opening pitch should be reduced by / J.
  • the opening area and opening pitch of the gas supply holes 248b are adjusted from the upstream side to the downstream side.
  • a gas having a difference in gas flow velocity from each gas supply hole 248b is ejected.
  • the gas ejected from each gas supply hole 248b can be ejected into the buffer chamber 237 and introduced, and the difference in gas flow rate can be made uniform.
  • the gas ejected from each gas supply hole 248b is ejected from the gas supply hole 248a into the processing chamber 201 after the particle velocity of each gas is relaxed in the buffer chamber 237.
  • the gas ejected from each gas supply hole 248b can be a gas having a uniform flow rate and flow velocity when ejected from each gas supply hole 248a.
  • a U-shaped discharge electrode 301 is disposed in the buffer chamber 237 so as to be covered with a U-shaped electrode protection tube (electrode housing tube) 311 that protects the discharge electrode 301.
  • the electrode protection tube 311 also has a dielectric force.
  • the discharge electrode 301 includes two straight portions 302 and 303 arranged in parallel to each other, a short-circuit portion 304, and lead-out portions 305 and 306.
  • the straight portions 302 and 303 are arranged extending in the vertical direction.
  • a short circuit portion 304 is disposed by short-circuiting the upper ends of the straight portions 302 and 303.
  • Derived portions 307 and 308 are connected to the lower ends of the straight portions 302 and 303, respectively.
  • the straight portions 302 and 303 are arranged on the side of the wafer 200 so as to extend in a direction perpendicular to the main surface of the wafer 200.
  • the electrode protection tube 311 has a structure in which the discharge electrode 301 can be inserted into the buffer chamber 237 while being isolated from the atmosphere of the buffer chamber 237. If the inside of the electrode protection tube 311 has the same atmosphere as the outside air (atmosphere), the discharge electrode 301 inserted into the electrode protection tube 311 is oxidized by the heating of the heater 207. Therefore, the inside of the electrode protection tube 311 is filled or purged with an inert gas such as nitrogen, and an inert gas purge mechanism (not shown) for preventing the oxidation of the discharge electrode 301 by suppressing the oxygen concentration sufficiently low. Is provided. The electrode protection tube 311 is fixed to the reaction tube 203.
  • One end 307 of the discharge electrode 301 is connected to a high-frequency power source 273 via a matching unit 272, and the other end 308 is connected to ground as a reference potential.
  • the straight electrodes 302, 303 of the discharge electrode 301 are arranged in parallel with each other, and one end portions of the straight electrodes ⁇ 302, 303 are short-circuited.
  • High frequency currents flow through 303 in opposite directions.
  • the magnetic field due to the high-frequency current is rapidly attenuated as it moves away from the straight portions 302 and 303.
  • the generated magnetic field is localized inside the straight portions 302 and 303, and as a result, a high-density plasma localized inside the straight portions 302 and 303 is obtained.
  • the straight portions 302 and 303 are in a straight line shape and are arranged in parallel to each other, the plasma density in the extending direction of the straight portions 302 and 303 is constant, so that the straight portions 302 and 303 extend. With respect to the wafers 200 stacked in the direction, uniform processing can be performed between the wafers 200.
  • the plasma becomes inductively coupled plasma induced by the high-frequency current flowing in the 301 discharge electrode, and the plasma generation part is limited to the magnetic field part by the high-frequency current. Since the magnetic field due to the high-frequency current flowing in the opposite direction to the two parallel straight portions 302 and 303 is localized around the straight portions 302 and 303, the plasma is also limited to the vicinity of the straight portions 302 and 303, effectively increasing the plasma density. Can be raised.
  • the straight portions 302 and 303 are arranged along the direction perpendicular to the main surface of the wafer 200 when measuring the wafer 200.
  • a high-frequency current of 333 forces is applied to the straight rods 302 and 303, which are inductively coupled electrodes, and a magnetic field of 331 force is generated in a circular shape in the same manner as the straight rods 302 and 303.
  • the inductively coupled electrodes positioned on the upper portion of the wafer 200 are used.
  • a high-frequency current 333 flows through certain straight line portions 302 and 303, and a concentric magnetic field 331 is generated around the straight line portions 302 and 303. Since the straight portions 302 and 303 are arranged in parallel to the main surface of the wafer 200, the generated magnetic field 331 is generated so as to penetrate the wafer 200.
  • a magnetic field 331 penetrating the wafer 200 generates an eddy current 332 on the surface of the wafer 200.
  • High frequency eddy current 3 In particular, 32 concentrates on the conductor surface and is formed on the surface of the wafer 200! In addition, a pattern that normally constitutes a circuit is formed on the surface of the wafer 200, and high-frequency eddy currents 332 flow on the circuit pattern, resulting in destruction of active elements connected to the pattern. May also occur.
  • a gas supply unit 249 is provided on the inner wall of the reaction tube 203 rotated about 120 ° from the position of the gas supply hole 248a.
  • the gas supply unit 249 is a supply unit that shares the gas supply species with the notch chamber 237 when alternately supplying a plurality of types of gases one by one to the UENO 200 in film formation by the ALD method.
  • the gas supply unit 249 has gas supply holes 248c, which are supply holes for supplying gas at the same pitch, at a position adjacent to the wafer, and a gas supply pipe 232b is connected to the lower part. Yes.
  • the gas supply hole 248c may have the same opening area and the same opening pitch from the upstream side to the downstream side. If it is large, it is better to increase the opening area or reduce the opening pitch by directing the force from the upstream side to the downstream side.
  • a boat 217 for mounting a plurality of wafers 200 in the vertical direction at the same interval in multiple stages, and this boat 217 is a boat elevator mechanism not shown in the figure.
  • the reaction tube 203 can be entered and exited.
  • a boat rotation mechanism 267 that is a rotation means for rotating the boat 217 is provided. By rotating the boat rotation mechanism 267, the boat held by the quartz cap 218 is provided. 217 starts to rotate.
  • Controller 321 serving as a control means includes mass flow controllers 241a and 241b, valves 243a, 243b, 243c, and 243d, heater 207, vacuum pump 246, boat rotation mechanism 267, boat elevator 121, high-frequency power supply 273, and matching unit 272, mass flow controllers 241a, 241b flow rate adjustment, valve 243a, 243b, 243c open / close operation, valve 24 3d open / close and pressure adjustment operation, regulator 302 open / close and pressure adjustment operation, heater 2 07 Temperature control, vacuum pump 246 activation 'stop, boat rotation mechanism 267 rotation speed adjustment, boat elevator 121 lift control, high frequency electrode 273 power supply control, matching device Impedance control by 272 is performed.
  • a SiN film is formed using DCS and NH gas.
  • a wafer 200 to be deposited is loaded into a boat 217 and loaded into a processing furnace 202. After loading, perform the following three steps in sequence.
  • Step 1 NH gas that requires plasma excitation and DC that does not require plasma excitation
  • valve 243a provided in the gas supply pipe 232a and the valve 243d provided in the gas exhaust pipe 231 are both opened, and the NH gas whose flow rate is adjusted by the mass flow controller 243a is supplied from the gas supply pipe 232a to the gas supplied to the nozzle 233. Buff from hole 248b
  • Gas chamber 237, and high frequency power is applied to discharge electrode 301 from high frequency power supply 273 via matching unit 272 to excite NH plasma and supply gas to process chamber 201 as active species.
  • the pressure in the processing chamber 201 is set to 10 to 100 Pa by appropriately adjusting the valve 243d.
  • the NH supply flow rate controlled by the mass flow controller 241a is 1,000 to 10,000 sccm.
  • the time for exposing the wafer 200 to the active species obtained by plasma excitation of NH is 2 to 12
  • the temperature of the heater 207 is set so that the wafer becomes 500 to 600 ° C. Since NH has a high reaction temperature, it does not react at the above wafer temperature.
  • the wafer temperature can be kept at the set low temperature range.
  • step 2 the valve 243a of the gas supply pipe 232a is closed to stop the NH supply.
  • the apparatus is configured so that the conductance between the gas reservoir 247 and the processing chamber 201 is 1.5 ⁇ 10_3 m 3 Zs or more.
  • the volume ratio of 100 to 300 cc is preferable when the volume of the reaction tube 203 is 1001 (liters).
  • the gas reservoir 247 is preferably 1 Z1000 to 3Z1000 times the reaction chamber volume.
  • step 3 when the exhaust of the processing chamber 201 is finished, the valve 243c of the gas exhaust pipe 231 is closed to stop the exhaust. Open the valve 243c on the downstream side of the gas supply pipe 232b. As a result, the DCS stored in the gas reservoir 247 is supplied to the processing chamber 201 at once. At this time, since the valve 243d of the gas exhaust pipe 231 is closed, the pressure in the processing chamber 201 is rapidly increased to about 931 Pa (7 Torr). The time for supplying DCS was set to 2 to 4 seconds, and then the time for exposure to the increased pressure atmosphere was set to 2 to 4 seconds, for a total of 6 seconds. The wafer temperature at this time is 500 to 600 ° C, which is the same as when NH is supplied. DCS supply
  • the valve 243c is closed, the valve 243d is opened, and the processing chamber 201 is evacuated to remove the gas after contributing to the film formation of the remaining DCS.
  • an inert gas such as N
  • valve 243b is opened to start supplying DC S to gas reservoir 247.
  • Steps 1 to 3 are defined as one cycle, and this cycle is repeated a plurality of times to form a SiN film having a predetermined thickness on the wafer.
  • gas is adsorbed on the surface of the base film.
  • the amount of gas adsorption is proportional to the gas pressure and the gas exposure time. Therefore, in order to adsorb the desired amount of gas in a short time, it is necessary to increase the gas pressure in a short time.
  • the DCS stored in the gas reservoir 247 is instantaneously supplied after the valve 243d is closed, the pressure of the DCS in the processing chamber 201 can be rapidly increased. The desired amount of gas can be absorbed instantaneously.
  • a cassette stage 105 is provided as a holder transfer member for transferring the cassette 100 as a substrate storage container to and from an external transfer device (not shown).
  • a cassette elevator 115 as an elevating means is provided on the rear side of 105, and a cassette transfer machine 114 as a conveying means is attached to the cassette elevator 115.
  • a cassette shelf 109 as a means for placing the cassette 100 is provided on the rear side of the cassette elevator 115, and a spare cassette shelf 110 is also provided above the cassette stage 105.
  • a clean unit 118 is provided above the spare cassette shelf 110 and is configured to circulate clean air inside the housing 101.
  • a processing furnace 202 is provided above the rear portion of the casing 101, and a boat 217 serving as a substrate holding unit that holds the wafers 200 as substrates in multiple stages in a horizontal posture is processed below the processing furnace 202.
  • a boat elevator 121 is installed as an elevating means for raising and lowering the furnace 202, and a seal cap 219 as a lid is attached to the tip of an elevating member 122 attached to the boat elevator 121 to support the boat 217 vertically. .
  • a transfer elevator 113 as an elevating means is provided, and a wafer transfer machine 112 as a transfer means is attached to the transfer elevator 113.
  • a furnace opening shirt 116 as a closing means that has an opening / closing mechanism and hermetically closes the lower side of the processing furnace 202.
  • the cassette 100 loaded with the wafer 200 is rotated by 90 ° on the set stage 105 so that the wafer 200 is loaded into the cassette stage 105 in an upward posture and the wafer 200 is in a horizontal posture even with an external transfer device force (not shown). Be made. Further, the cassette 100 is transported from the cassette stage 105 to the cassette shelf 109 or the spare cassette shelf 110 by the cooperation of the raising / lowering operation of the cassette elevator 115, the transverse operation, the advance / retreat operation of the cassette transfer machine 114, and the rotation operation.
  • the cassette shelf 109 has a transfer shelf 123 in which the cassette 100 to be transferred by the wafer transfer device 112 is stored.
  • the cassette 100 to which the wafer 200 is transferred is a cassette elevator 115, a cassette transfer. It is transferred to the transfer shelf 123 by the mounting machine 114.
  • the boat 217 When a predetermined number of wafers 200 are transferred to the boat 217, the boat 217 is inserted into the processing furnace 202 by the boat elevator 121, and the processing furnace 202 is hermetically closed by the seal cap 219. The wafer 200 is heated in the hermetically closed processing furnace 202 and the processing gas is supplied into the processing furnace 202 to process the wafer 200.
  • the wafer 200 is transferred from the boat 217 to the cassette 100 of the transfer shelf 123 by the reverse procedure of the above-described operation, and the cassette 100 is transferred by the cassette transfer machine 1 14. It is transferred from the mounting shelf 123 to the cassette stage 105, and is carried out of the casing 101 by an external transfer device (not shown).
  • the furnace logo 116 hermetically closes the lower surface of the processing furnace 202 when the boat 217 is in a lowered state, thereby preventing outside air from being caught in the processing furnace 202.
  • the amount of active species generated by plasma can be increased.
  • the present invention can be particularly suitably used for a substrate processing apparatus for processing a semiconductor wafer and a method for manufacturing a semiconductor device.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Civil Engineering (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

　処理容器２０３と、処理容器２０３内へ所望の処理ガスを供給するガス供給部２３２ａ、２３２ｂと、処理容器２０３から余剰の処理ガスを排出するガス排出部２４６と、処理容器２０３内にて複数の基板２００を積層した状態で載置する基板載置部材２１７と、処理ガスを励起するためのプラズマを生成する、高周波電力が印加される電極３０１とを有し、電極３０１は、平行に配置された２本の細長い直線部３０２、３０３と、直線部３０２、３０３のそれぞれの一端を電気的に短絡させた短絡部３０４と、を備え、直線部３０２、３０３が基板２００の側方に、基板２００の主面に対し垂直な方向にわたって延在して配置される基板処理装置が開示されている。

Description

明 細 書
基板処理装置および半導体デバイスの製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、基板処理装置および半導体デバイスの製造方法に関し、特に、プラズ マを利用してシリコンウェハなどの基板表面のエッチングや基板表面への薄膜形成 処理を行う基板処理装置および半導体デバイスの製造方法に関する。
背景技術
[0002] プラズマを利用してシリコンウェハなどを処理する基板処理装置としては、図 1、 2に 示すようなものがある。図 1は、従来の基板処理装置の縦型の基板処理炉を説明す るための概略横断面図であり、図 2は、図 1の AA線概略縦断面図であり、図 3は、図 1の BB線概略縦断面図であ
[0003] 反応管 203内部の壁面近くには垂直方法に細長いバッファ室 237を設け、その内 部に誘電体力もなる 2本の電極保護管 275、 276でそれぞれ覆った棒状の放電電極 269、 270とバッファ室 237内に均等なガス流を得るためのガスノズル 233が設置さ れている。
[0004] 放電電極 269の端部 277に放電電極 270の端部 278に高周波電源 273の発振器 で発生する高周波電力を印加し、バッファ室 237内の放電電極 269、 270間にプラ ズマ 224を生成し、ガスノズル 233から供給された反応性ガスをプラズマで励起し、 励起された活性種力 Sバッファ室 237の側壁に開口したガス供給孔 248aより反応管 2 03内の被処理基板であるウェハ 200に供給される構造となっている。
[0005] し力しながら、この従来の放電方式は容量結合性プラズマであり、プラズマの密度 を上げるために発振器の電力を上げると、放電電極 269、 270の浮遊容量により、プ ラズマがバッファ室 237外に広がるだけで、活性種量の増大は得られな力つた。
[0006] 従って、本発明の主な目的は、プラズマによって生成される活性種量を増大するこ とができる基板処理装置および半導体デバイスの製造方法を提供することにある。 発明の開示
[0007] 本発明の一態様によれば、 処理容器と、
前記処理容器内へ所望の処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器から余剰の処理ガスを排出するガス排出部と、
前記処理容器内にて複数の基板を積層した状態で載置する基板載置部材と、 前記処理ガスを励起するためのプラズマを生成する、高周波電力が印加される電 極と、を有し、
前記電極は、
平行に配置された 2本の細長 、直線部と、
前記直線部のそれぞれの一端を電気的に短絡させた短絡部と、を備え、 前記直線部が前記基板の側方に、前記基板の主面に対し垂直な方向にわたって 延在して配置される基板処理装置が提供される。
[0008] 本発明の他の態様によれば、
処理容器と、
前記処理容器内へ所望の処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器から余剰の処理ガスを排出するガス排出部と、
前記処理容器内にて複数の基板を積層した状態で載置する基板載置部材と、 前記処理ガスを励起するためのプラズマを生成する、高周波電力が印加される電 極と、を有し、
前記電極は、
平行に配置された 2本の細長 、直線部と、
前記直線部のそれぞれの一端を電気的に短絡させた短絡部と、を備え、 前記直線部が前記基板の側方に、前記基板の主面に対し垂直な方向にわたって 延在して配置された基板処理装置を使用して、
前記処理容器内の前記基板載置部材に複数の前記基板を積層した状態で載置し
、前記ガス供給部より前記処理容器内へ前記所望の処理ガスを供給し、前記電極に 高周波電力を印カロしてプラズマを生成させて前記基板を処理する工程を備える半導 体デバイスの製造方法が提供される。
[0009] 本発明のさらに他の態様によれば、 処理容器内に、複数の基板を積層した状態で載置された基板載置部材を搬入す る工程と、
前記処理容器内へ所望の処理ガスを供給する工程と、
前記処理容器から余剰の処理ガスを排出する工程と、
前記処理ガスを励起するためのプラズマを生成する工程と、
前記プラズマにより励起された前記処理ガスを前記基板に供給する工程と、を備え 前記プラズマを生成する工程は、
平行に配置された 2本の細長 、直線部と、前記直線部のそれぞれの一端を電気的 に短絡させた短絡部とを備え、
前記直線部が前記基板の側方に、前記基板の主面に対し垂直な方向にわたって 延在して配置された電極に、
高周波電力を印加することで実行される工程である、半導体デバイスの製造方法 が提供される。
図面の簡単な説明
[図 1]従来の基板処理装置の縦型の基板処理炉を説明するための概略横断面図で ある。
[図 2]図 1の AA線概略縦断面図である。
[図 3]図 1の BB線概略縦断面図である。
[図 4]本発明の好ましい実施例に係る基板処理装置の縦型の基板処理炉を説明する ための概略縦断面図である。
[図 5]本発明の好ましい実施例に係る基板処理装置の縦型の基板処理炉を説明する ための概略横断面図である。
[図 6]図 5の CC線概略縦断面図である。
[図 7]図 5の DD線概略縦断面図である。
[図 8]本発明の好ましい実施例に係る基板処理装置の縦型の基板処理炉の作用を 説明するための概略横断面図である。
[図 9]図 8の EE線矢視図である。 [図 10]比較のための基板処理炉の作用を説明するための概略横断面図である。
[図 11]図 10の FF線矢視図である。
[図 12]本発明の好ましい実施例に係る基板処理装置を説明するための概略斜視図 である。
[図 13]本発明の好ましい実施例に係る基板処理装置を説明するための概略縦断面 図である。
発明を実施するための好ましい形態
[0011] 次に、本発明の好ましい実施例を説明する。
本発明の好ま 、実施例の基板処理装置は、積層された基板を処理する縦型の 処理室と、処理用のガスを基板に供給するためのガス供給系と、ガス供給系から基 板に供給されるガスを一旦蓄えて、積層された基板にガスを均一に供給するバッファ 室とを備え、プラズマを発生させ、電気的に中性な活性種を生成し、複数の基板を一 括処理する。
[0012] そして、プラズマ発生源として U字型の細長い導電性の電極を U字型の誘電体の 管で覆ってバッファ室の内部に設置し、 U字型の細長 、導電性の電極の端部から高 周波電力を印加して、 u字型の誘電体の管の内側の空間にプラズマを生成する。
[0013] 放電電極として、平行に設置した 2本の電極の先端を接続し、 1ターンの U字型の コイルを形成する。これにより、プラズマは放電電極に流れる高周波電流に誘導され る誘導結合性プラズマとなり、プラズマの生成部分は高周波電流による磁界部分に 限定される。この構造のように平行な 2本の放電電極に逆方向に流れる高周波電流 による磁界は電極周辺に局在するため、プラズマも電極近傍に制限され、効果的に プラズマ密度を上げることができるようになる。
[0014] 次に、本発明の好ましい実施例を図面を参照して、さらに詳細に説明する。
[0015] まず、本実施例において行った、 ALD (Atomic Layer Deposition)法を用い た成膜処理につ!、て簡単に説明する。
[0016] ALD法は、ある成膜条件 (温度、時間等)の下で、成膜に用いる 2種類 (またはそれ 以上)の原料となるガスを 1種類ずつ交互に基板上に供給し、 1原子層単位で吸着さ せ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。 [0017] 即ち、利用する化学反応は、例えば SiN (窒化珪素)膜形成の場合 ALD法では D CS (SiH C1、ジクロルシラン）と NH (アンモニア）を用いて 300〜600°Cの低温で
2 2 3
高品質の成膜が可能である。また、ガス供給は、複数種類の反応性ガスを 1種類ず つ交互に供給する。そして、膜厚制御は、反応性ガス供給のサイクル数で制御する。
(例えば、成膜速度が 1AZサイクルとすると、 20Aの膜を形成する場合、処理を 20 サイクル行う。 )
[0018] 図 4は、本実施例にカゝかる縦型の基板処理炉を説明するための概略構成図であり 、処理炉部分を縦断面で示し、図 5は本実施例にカゝかる縦型の基板処理炉を説明す るための概略構成図であり、処理炉部分を横断面で示す。図 6は、図 5の CC線概略 縦断面図であり、図 7は、図 5の DD線概略縦断面図である。
[0019] 加熱手段であるヒータ 207の内側に、基板であるウェハ 200を処理する反応容器と して石英製の反応管 203が設けられ、この反応管 203の下端開口は蓋体であるシー ルキャップ 219により気密部材である Oリング 220を介して気密に閉塞されて 、る。反 応管 203およびヒータ 207の外側には断熱部材 208が設けられている。断熱部材 20 8はヒータ 207の上方端を覆うように設けられている。少なくとも、ヒータ 207、断熱部 材 208、反応管 203、及びシールキャップ 219により処理炉 202を形成している。ま た、少なくとも、反応管 203およびシールキャップ 219により処理室 201を形成してい る。シールキャップ 219には石英キャップ 218を介して基板保持手段であるボート 21 7が立設され、石英キャップ 218はボート 217を保持する保持体となっている。そして 、ボート 217は処理炉 202に挿入される。ボート 217にはバッチ処理される複数のゥ ェハ 200が水平姿勢で管軸方向に多段に垂直方向に積載される。ヒータ 207は処 理炉 202に挿入されたウェハ 200を所定の温度に加熱する。
[0020] そして、処理炉 202へは複数種類、ここでは 2種類のガスを供給する供給管として の 2本のガス供給管 232a、 232b力設けられる。ここではガス供給管 232aからは流 量制御手段であるマスフローコントローラ 241a及び開閉弁であるバルブ 243aを介し 、更に後述する反応管 203内に形成されたバッファ室 237を介して処理室 201に反 応ガスが供給され、ガス供給管 232bからは流量制御手段であるマスフローコント口 ーラ 241b、開閉弁であるバルブ 243b、ガス溜め 247、及び開閉弁であるバルブ 24 3cを介し、更に後述するガス供給部 249を介して処理室 201に反応ガスが供給され る。
[0021] 2本のガス供給管 232a、 232bには、反応副生成物である NH C1の付着を防ぐた
4
めに、 120°C程度まで加熱できる配管ヒータ（図示せず。）を装着している。
[0022] 処理室 201は、ガスを排気する排気管であるガス排気管 231によりバルブ 243dを 介して排気手段である真空ポンプ 246に接続され、真空排気されるようになっている 。尚、このバルブ 243dは弁を開閉して処理室 201の真空排気 ·真空排気停止ができ 、更に弁開度を調節して圧力調整可能になっている開閉弁である。
[0023] 処理室 201を構成している反応管 203の内壁とウェハ 200との間における円弧状 の空間には、反応管 203の下部より上部の内壁にウェハ 200の積載方向に沿って、 ガス分散空間であるバッファ室 237が設けられて!/、る。バッファ室 237のウェハ 200と 隣接する内側の壁の端部近傍にはガスを供給する供給孔であるガス供給孔 248aが 設けられている。このガス供給孔 248aは反応管 203の中心へ向けて開口している。 このガス供給孔 248aは、ウェハ 200の積載方向に沿って下部から上部に所定の長 さにわたってそれぞれ同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている
[0024] そしてバッファ室 237のガス供給孔 248aが設けられた端部と反対側の端部近傍に は、ノズル 233が、やはり反応管 203の下部より上部にわたりウェハ 200の積載方向 に沿って配設されて 、る。そしてノズル 233にはガスを供給する供給孔であるガス供 給孔 248bが複数設けられている。複数のガス供給孔 248bは、ガス供給孔 248aの 場合と同じ所定の長さにわたってウェハ 200の積載方向に沿って配設されている。そ して、複数のガス供給孔 248bと複数のガス供給孔 248aとをそれぞれ 1対 1で対応さ せて配置している。
[0025] また、ガス供給孔 248bの開口面積は、ノ ッファ室 237と処理炉 202の差圧が小さ い場合には、上流側から下流側まで同一の開口面積で同一の開口ピッチとすると良 いが、差圧が大きい場合には上流側から下流側に向かって開口面積を大きくするか 、開口ピッチを/ J、さくすると良い。
[0026] ガス供給孔 248bの開口面積や開口ピッチを上流側から下流にかけて調節すること で、まず、各ガス供給孔 248bよりガスの流速の差はある力 流量はほぼ同量である ガスを噴出させる。そしてこの各ガス供給孔 248bから噴出するガスをバッファ室 237 に噴出させてー且導入し、ガスの流速差の均一化を行うことができる。
[0027] すなわち、バッファ室 237において、各ガス供給孔 248bより噴出したガスはバッフ ァ室 237で各ガスの粒子速度が緩和された後、ガス供給孔 248aより処理室 201に噴 出する。この間に、各ガス供給孔 248bより噴出したガスは、各ガス供給孔 248aより 噴出する際には、均一な流量と流速とを有するガスとすることができる。
[0028] バッファ室 237に、 U字型の放電電極 301が放電電極 301を保護する U字型の電 極保護管 (電極収容管） 311に覆われて配設されて ヽる。電極保護管 311は誘電体 力もなつている。放電電極 301は、互いに平行に配置された 2つの直線部 302、 303 と、短絡部 304と、導出部 305、 306とからなっている。直線部 302、 303は鉛直方向 に延在して配置されている。直線部 302、 303のそれぞれの上端を短絡して短絡部 304が配置されている。直線部 302、 303のそれぞれの下端には、導出部 307、 30 8がそれぞれ接続されている。直線部 302、 303は、ウェハ 200の側方に、ウェハ 20 0の主面に対し垂直な方向延在して配置されて 、る。
[0029] 電極保護管 311は、放電電極 301をバッファ室 237の雰囲気と隔離した状態でバ ッファ室 237に挿入できる構造となっている。電極保護管 311の内部は外気 (大気）と 同一雰囲気であると、電極保護管 311に挿入された放電電極 301はヒータ 207の加 熱で酸化されてしまう。そこで、電極保護管 311の内部は窒素などの不活性ガスを充 填あるいはパージし、酸素濃度を充分低く抑えて放電電極 301の酸化を防止するた めの不活性ガスパージ機構（図示せず)が設けられている。なお、電極保護管 311は 反応管 203に固着されている。
[0030] 放電電極 301の一方の端部 307は整合器 272を介して高周波電源 273に接続さ れ、他方の端部 308は基準電位であるアースに接続されて 、る。
高周波電源 273で発生する高周波電力を放電電極 301に印加すると、直線部 302、 303を覆う電極保護管 311間の空間のプラズマ生成領域 224にプラズマを生成し、 ノズル 233のガス供給孔 248bから供給されたガスをプラズマで励起し、励起種をバ ッファ室 237の側壁に設けられたガス供給孔 248aより反応管 203内のウェハ 200に 供給する。
[0031] 放電電極 301の直線咅 302、 303を互!ヽ【こ平行【こ酉己置し、直線咅 ^302、 303の一 端部同士を短絡した構造とすることにより、直線部 302、 303に高周波電流が互いに 逆方向に流れるようなる。その結果、 2本の直線部 302、 303の外部では高周波電流 による磁界は直線部 302、 303から離れると急激に減衰する。発生磁界は直線部 30 2、 303間の内側に局在し、その結果、直線部 302、 303間の内側に局在した高密 度プラズマが得られる。また、直線部 302、 303間は直線形状であり、互いに平行に 配置されているので、直線部 302、 303の延在方向のプラズマ密度は一定となるの で、直線部 302、 303の延在方向にそって積層したウェハ 200については、ウェハ 2 00間で均一な処理が施すことができる。
[0032] このように、プラズマは 301放電電極に流れる高周波電流に誘導される誘導結合性 プラズマとなり、プラズマの生成部分は高周波電流による磁界部分に限定される。平 行な 2本の直線部 302、 303に逆方向に流れる高周波電流による磁界は直線部 302 、 303周辺に局在するため、プラズマも直線部 302、 303近傍に制限され、効果的に プラズマ密度を上げることができるようになる。
[0033] また、本実施例では、直線部 302、 303は、ウェハ 200の測方に、ウエノヽ 200の主 面に対し垂直な方向に沿って配置されている。図 8、図 9を参照すれば、誘導結合型 電極である直線咅 302、 303に ίま高周波電流 333力 S流れ、直線咅 302、 303を中 、 に同 、円状に磁界 331力発生して!/ヽる。直線咅 302、 303ίま、ウエノヽ 200の主面に 対し垂直な方向に沿って配置されて!、るので、発生して!/、る磁界 331はウェハ 200 を貫くことなく、ウェハに悪影響を与えるような渦電流 332は発生せず、ウェハ 200に ダメージは与えない。
[0034] これに対して、直線部 302、 303を、ウェハ 200の主面に平行に配置した場合は、 図 10、図 11を参照すれば、ウェハ 200の上部に位置する誘導結合型電極である直 線部 302、 303には高周波電流 333が流れ、直線部 302、 303を中心に同心円状の 磁界 331が発生する。直線部 302、 303は、ウェハ 200の主面に平行に配置されて いるので、発生している磁界 331はウェハ 200を貫くように生成される。ウェハ 200を 貫通した磁界 331はウェハ 200表面に渦電流 332を発生させる。高周波の渦電流 3 32は殊に導体表面に集中し、ウェハ 200表面に形成されて!、る膜にダメージをあた える。さらに、ウェハ 200の表面には通常は回路を構成するパターンが形成されてお り、高周波の渦電流 332は回路パターン上を流れることとなり、その結果、パターンに 接続されて ヽる能動素子の破壊をひきおこす場合も生じる。
[0035] ガス供給孔 248aの位置より、反応管 203の内周を 120° 程度回った内壁に、ガス 供給部 249が設けられている。このガス供給部 249は、 ALD法による成膜において ウエノ、 200へ、複数種類のガスを 1種類ずつ交互に供給する際に、ノ ッファ室 237と ガス供給種を分担する供給部である。
[0036] このガス供給部 249もバッファ室 237と同様にウェハと隣接する位置に同一ピッチ でガスを供給する供給孔であるガス供給孔 248cを有し、下部ではガス供給管 232b が接続されている。
[0037] ガス供給孔 248cの開口面積はバッファ室 237と処理室 201の差圧が小さい場合 には、上流側から下流側まで同一の開口面積で同一の開口ピッチとすると良いが、 差圧が大きい場合には上流側から下流側に向力つて開口面積を大きくするか開口ピ ツチを小さくすると良い。
[0038] 反応管 203内の中央部には複数枚のウェハ 200を多段に同一間隔で鉛直方向に 載置するボート 217が設けられており、このボート 217は図中省略のボートエレべ一 タ機構により反応管 203に出入りできるようになつている。また処理の均一性を向上 するためにボート 217を回転するための回転手段であるボート回転機構 267が設け てあり、ボート回転機構 267を回転することにより、石英キャップ 218に保持されたボ ート 217を回転するようになって 、る。
[0039] 制御手段であるコントローラ 321は、マスフローコントローラ 241a、 241b,バルブ 2 43a、 243b, 243c, 243d,ヒータ 207、真空ポンプ 246、ボート回転機構 267、ボー トエレベータ 121、高周波電源 273、整合器 272に接続されており、マスフローコント ローラ 241a、 241bの流量調整、ノ レブ 243a、 243b, 243cの開閉動作、バルブ 24 3dの開閉及び圧力調整動作、レギユレータ 302の開閉及び圧力調整動作、ヒータ 2 07の温度調節、真空ポンプ 246の起動 '停止、ボート回転機構 267の回転速度調節 、ボートエレベータ 121の昇降動作制御、高周波電極 273の電力供給制御、整合器 272によるインピーダンス制御が行われる。
[0040] 次に ALD法による成膜例にっ 、て、 DCS及び NHガスを用いて SiN膜を成膜す
3
る例で説明する。
[0041] まず成膜しょうとするウェハ 200をボート 217に装填し、処理炉 202に搬入する。搬 入後、次の 3つのステップを順次実行する。
[0042] [ステップ 1]
ステップ 1では、プラズマ励起の必要な NHガスと、プラズマ励起の必要のない DC
3
Sガスとを併行して流す。まずガス供給管 232aに設けたバルブ 243a、及びガス排気 管 231に設けたバルブ 243dを共に開けて、ガス供給管 232aからマスフローコント口 ーラ 243aにより流量調整された NHガスをノズル 233のガス供給孔 248bからバッフ
3
ァ室 237へ噴出し、放電電極 301に高周波電源 273から整合器 272を介して高周波 電力を印加して NHをプラズマ励起し、活性種として処理室 201に供給しつつガス
3
排気管 231から排気する。 NHガスをプラズマ励起することにより活性種として流すと
3
きは、バルブ 243dを適正に調整して処理室 201内圧力を 10〜100Paとする。マス フローコントローラ 241aで制御する NHの供給流量は 1000〜10000sccmである。
3
NHをプラズマ励起することにより得られた活性種にウェハ 200を晒す時間は 2〜12
3
0秒間である。このときのヒータ 207の温度はウェハが 500〜600°Cになるよう設定し てある。 NHは反応温度が高いため、上記ウェハ温度では反応しないので、プラズ
3
マ励起することにより活性種として力 流すようにしており、このためウェハ温度は設 定した低 、温度範囲のままで行える。
[0043] この NHをプラズマ励起することにより活性種として供給しているとき、ガス供給管 2
3
32bの上流側のバルブ 243bを開け、下流側のバルブ 243cを閉めて、 DCSも流すよ うにする。これによりノ レブ 243b、 243c間に設けたガス溜め 247に DCSを溜める。 このとき、処理室 201内に流しているガスは NHをプラズマ励起することにより得られ
3
た活性種であり、 DCSは存在しない。したがって、 NHは気相反応を起こすことはな
3
ぐプラズマにより励起され活性種となった NHはウェハ 200上の下地膜と表面反応
3
する。
[0044] [ステップ 2] ステップ 2では、ガス供給管 232aのバルブ 243aを閉めて、 NHの供給を止めるが
3
、引続きガス溜め 247へ供給を継続する。ガス溜め 247に所定圧、所定量の DCSが 溜まったら上流側のバルブ 243bも閉めて、ガス溜め 247に DCSを閉じ込めておく。 また、ガス排気管 231のバルブ 243dは開いたままにし真空ポンプ 246により、処理 室 201を 20Pa以下に排気し、残留 NHを処理室 201から排除する。また、この時に
3
は N等の不活性ガスを処理室 201に供給すると、更に残留 NHを排除する効果が
2 3
高まる。ガス溜め 247内には、圧力が 20000Pa以上になるように DCSを溜める。また 、ガス溜め 247と処理室 201との間のコンダクタンスが 1. 5 X 10_3m3Zs以上になる ように装置を構成する。また、反応管 203の容積とこれに対する必要なガス溜め 247 の容積との比として考えると、反応管 203の容積 1001 (リットル)の場合においては、 100〜300ccであることが好ましぐ容積比としてはガス溜め 247は反応室容積の 1 Z1000〜3Z1000倍とすることが好ましい。
[0045] [ステップ 3]
ステップ 3では、処理室 201の排気が終わったらガス排気管 231のバルブ 243cを 閉じて排気を止める。ガス供給管 232bの下流側のバルブ 243cを開く。これによりガ ス溜め 247に溜められた DCSが処理室 201に一気に供給される。このときガス排気 管 231のバルブ 243dが閉じられて 、るので、処理室 201内の圧力は急激に上昇し て約 931Pa (7Torr)まで昇圧される。 DCSを供給するための時間は 2〜4秒設定し 、その後上昇した圧力雰囲気中に晒す時間を 2〜4秒に設定し、合計 6秒とした。こ のときのウェハ温度は NHの供給時と同じぐ 500〜600°Cである。 DCSの供給によ
3
り、下地膜上の NHと DCSとが表面反応して、ウェハ 200上に SiN膜が成膜される。
3
成膜後、バルブ 243cを閉じ、バルブ 243dを開けて処理室 201を真空排気し、残留 する DCSの成膜に寄与した後のガスを排除する。また、この時には N等の不活性ガ
2
スを処理室 201に供給すると、更に残留する DCSの成膜に寄与した後のガスを処理 室 201から排除する効果が高まる。またバルブ 243bを開いてガス溜め 247への DC Sの供給を開始する。
[0046] 上記ステップ 1〜3を 1サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返すことによりウェハ 上に所定膜厚の SiN膜を成膜する。 [0047] なお、 ALD装置では、ガスは下地膜表面に吸着する。このガスの吸着量は、ガスの 圧力、及びガスの暴露時間に比例する。よって、希望する一定量のガスを、短時間で 吸着させるためには、ガスの圧力を短時間で大きくする必要がある。この点で、本実 施例では、バルブ 243dを閉めたうえで、ガス溜め 247内に溜めた DCSを瞬間的に 供給しているので、処理室 201内の DCSの圧力を急激に上げることができ、希望す る一定量のガスを瞬間的に吸着させることができる。
[0048] また、本実施例では、ガス溜め 247に DCSを溜めている間に、 ALD法で必要なス テツプである NHガスをプラズマ励起することにより活性種として供給、及び処理室 2
3
01の排気をしているので、 DCSを溜めるための特別なステップを必要としない。また 、処理室 201内を排気して NHガスを除去している力も DCSを流すので、両者はゥ
3
ェハ 200に向力う途中で反応しない。供給された DCSは、ウェハ 200に吸着してい る NHとのみ有効に反応させることができる。
3
[0049] 次に、図 7、図 8を参照して本実施例の基板処理装置の概略を説明する。
[0050] 筐体 101内部の前面側には、図示しない外部搬送装置との間で基板収納容器とし てのカセット 100の授受を行う保持具授受部材としてのカセットステージ 105が設けら れ、カセットステージ 105の後側には昇降手段としてのカセットエレベータ 115が設け られ、カセットエレベータ 115には搬送手段としてのカセット移載機 114が取りつけら れている。又、カセットエレベータ 115の後側には、カセット 100の載置手段としての カセット棚 109が設けられると共にカセットステージ 105の上方にも予備カセット棚 11 0が設けられて 、る。予備カセット棚 110の上方にはクリーンユニット 118が設けられ クリーンエアを筐体 101の内部を流通させるように構成されて 、る。
[0051] 筐体 101の後部上方には、処理炉 202が設けられ、処理炉 202の下方には基板と してのウェハ 200を水平姿勢で多段に保持する基板保持手段としてのボート 217を 処理炉 202に昇降させる昇降手段としてのボートエレベータ 121が設けられ、ボート エレベータ 121に取りつけられた昇降部材 122の先端部には蓋体としてのシールキ ヤップ 219が取りつけられボート 217を垂直に支持している。ボートエレベータ 121と カセット棚 109との間には昇降手段としての移載エレベータ 113が設けられ、移載ェ レベータ 113には搬送手段としてのウェハ移載機 112が取りつけられている。又、ボ ートエレベータ 121の横には、開閉機構を持ち処理炉 202の下側を気密に閉塞する 閉塞手段としての炉口シャツタ 116が設けられて 、る。
[0052] ウェハ 200が装填されたカセット 100は、図示しない外部搬送装置力もカセットステ ージ 105にウェハ 200が上向き姿勢で搬入され、ウェハ 200が水平姿勢となるよう力 セットステージ 105で 90° 回転させられる。更に、カセット 100は、カセットエレベータ 115の昇降動作、横行動作及びカセット移載機 114の進退動作、回転動作の協働 によりカセットステージ 105からカセット棚 109又は予備カセット棚 110に搬送される。
[0053] カセット棚 109にはウェハ移載機 112の搬送対象となるカセット 100が収納される 移載棚 123があり、ウェハ 200が移載に供されるカセット 100はカセットエレベータ 11 5、カセット移載機 114により移載棚 123に移載される。
[0054] カセット 100が移載棚 123に移載されると、ウェハ移載機 112の進退動作、回転動 作及び移載エレベータ 113の昇降動作の協働により移載棚 123から降下状態のボ 一卜 217【こウエノヽ 200を移載する。
[0055] ボート 217に所定枚数のウェハ 200が移載されるとボートエレベータ 121によりボー ト 217が処理炉 202に挿入され、シールキャップ 219により処理炉 202が気密に閉塞 される。気密に閉塞された処理炉 202内ではウェハ 200が加熱されると共に処理ガ スが処理炉 202内に供給され、ウェハ 200に処理がなされる。
[0056] ウェハ 200への処理が完了すると、ウェハ 200は上記した作動の逆の手順により、 ボート 217から移載棚 123のカセット 100に移載され、カセット 100はカセット移載機 1 14により移載棚 123からカセットステージ 105に移載され、図示しない外部搬送装置 により筐体 101の外部に搬出される。炉ロシャツタ 116は、ボート 217が降下状態の 際に処理炉 202の下面を気密に閉塞し、外気が処理炉 202内に巻き込まれるのを 防止している。
[0057] なお、カセット移載機 114等の搬送動作は、搬送制御手段 124により制御される。
[0058] 明細書、特許請求の範囲、図面および要約書を含む 2005年 3月 1日提出の日本 国特許出願 2005— 056314号の開示内容全体は、本国際出願で指定した指定国 、又は選択した選択国の国内法令の許す限り、そのまま引用してここに組み込まれる [0059] 種々の典型的な実施の形態を示しかつ説明してきたが、本発明はそれらの実施の 形態に限定されない。従って、本発明の範囲は、次の請求の範囲によってのみ限定 されるちのである。
産業上の利用可能性
[0060] 以上説明したように、本発明の好ましい形態によれば、プラズマによって生成される 活性種量を増大することができる。
その結果、本発明は、半導体ウェハを処理する基板処理装置および半導体デバイ スの製造方法に特に好適に利用できる。

Claims

請求の範囲
[1] 処理容器と、
前記処理容器内へ所望の処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器から余剰の処理ガスを排出するガス排出部と、
前記処理容器内にて複数の基板を積層した状態で載置する基板載置部材と、 前記処理ガスを励起するためのプラズマを生成する、高周波電力が印加される電 極と、を有し、
前記電極は、
平行に配置された 2本の細長 、直線部と、
前記直線部のそれぞれの一端を電気的に短絡させた短絡部と、を備え、 前記直線部が前記基板の側方に、前記基板の主面に対し垂直な方向にわたって 延在して配置される基板処理装置。
[2] 前記電極の 2本の直線部の少なくとも一部と短絡部とが前記処理 内に配置さ れ、前記処理容器内に配置された前記電極を前記処理容器内に対し気密に収容す る収容管を更に有し、
前記収容管は、前記 2本の直線部に挟まれる空間の一部を前記処理查器内の雰 囲気と連通するように前記直線部を収容する請求項 1記載の基板処理装置。
[3] 前記直線部と短絡部とを含む電極が U字形状で構成され、前記収容管も U字形状 で構成される請求項 1記載の基板処理装置。
[4] 前記 2本の直線部に挟まれる空間の一部にプラズマが生成される請求項 1または 2 記載の基板処理装置。
[5] 前記電極の 2本の直線部の少なくとも一部が互いに平行に配置されている請求項 1 または 2記載の基板処理装置。
[6] 前記反応容器の内壁と前記基板の周縁部との間における空間に、前記反応容器 の内壁に基板の積載方向に沿って、前記処理ガスの分散空間であるノ ッファ室が設 けられ、
前記電極の 2本の直線部の少なくとも一部と短絡部とが前記バッファ室内に配置さ れ、 前記バッファ室内においてプラズマが生成される請求項 1または 2記載の基板処理 装置。
[7] 処理容器と、
前記処理容器内へ所望の処理ガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器から余剰の処理ガスを排出するガス排出部と、
前記処理容器内にて複数の基板を積層した状態で載置する基板載置部材と、 前記処理ガスを励起するためのプラズマを生成する、高周波電力が印加される電 極と、を有し、
前記電極は、
平行に配置された 2本の細長 、直線部と、
前記直線部のそれぞれの一端を電気的に短絡させた短絡部と、を備え、 前記直線部が前記基板の側方に、前記基板の主面に対し垂直な方向にわたって 延在して配置された基板処理装置を使用して、
前記処理容器内の前記基板載置部材に複数の前記基板を積層した状態で載置し
、前記ガス供給部より前記処理容器内へ前記所望の処理ガスを供給し、前記電極に 高周波電力を印カロしてプラズマを生成させて前記基板を処理する工程を備えること を特徴とする半導体デバイスの製造方法。
[8] 処理容器内に、複数の基板を積層した状態で載置された基板載置部材を搬入す る工程と、
前記処理容器内へ所望の処理ガスを供給する工程と、
前記処理容器から余剰の処理ガスを排出する工程と、
前記処理ガスを励起するためのプラズマを生成する工程と、
前記プラズマにより励起された前記処理ガスを前記基板に供給する工程と、を備え 前記プラズマを生成する工程は、
平行に配置された 2本の細長 、直線部と、前記直線部のそれぞれの一端を電気的 に短絡させた短絡部とを備え、
前記直線部が前記基板の側方に、前記基板の主面に対し垂直な方向にわたって 延在して配置された電極に、
高周波電力を印加することで実行される工程である、 半導体デバイスの製造方法。
PCT/JP2006/303731 2005-03-01 2006-02-28 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 Ceased WO2006093136A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/885,483 US8251012B2 (en) 2005-03-01 2006-02-28 Substrate processing apparatus and semiconductor device producing method
JP2007505948A JP4951501B2 (ja) 2005-03-01 2006-02-28 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法
KR1020077019904A KR100909750B1 (ko) 2005-03-01 2006-02-28 기판 처리 장치 및 반도체 디바이스의 제조 방법

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005056314 2005-03-01
JP2005-056314 2005-03-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2006093136A1 true WO2006093136A1 (ja) 2006-09-08

Family

ID=36941165

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2006/303731 Ceased WO2006093136A1 (ja) 2005-03-01 2006-02-28 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8251012B2 (ja)
JP (2) JP4951501B2 (ja)
KR (1) KR100909750B1 (ja)
WO (1) WO2006093136A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009076876A (ja) * 2007-08-31 2009-04-09 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2009130154A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置
CN101877304A (zh) * 2009-05-01 2010-11-03 东京毅力科创株式会社 等离子处理装置和等离子处理方法
US8336490B2 (en) 2007-08-31 2012-12-25 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US8608902B2 (en) 2009-01-23 2013-12-17 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US20150140839A1 (en) * 2009-05-29 2015-05-21 Hitachi Kokusai Electric, Inc. Substrate processing apparatus

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100829327B1 (ko) * 2002-04-05 2008-05-13 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반응 용기
US8251012B2 (en) * 2005-03-01 2012-08-28 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and semiconductor device producing method
JPWO2007111348A1 (ja) * 2006-03-28 2009-08-13 株式会社日立国際電気 基板処理装置
JP5568212B2 (ja) * 2007-09-19 2014-08-06 株式会社日立国際電気 基板処理装置、そのコーティング方法、基板処理方法及び半導体デバイスの製造方法
JP5423205B2 (ja) * 2008-08-29 2014-02-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5257328B2 (ja) * 2009-11-04 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP5553588B2 (ja) * 2009-12-10 2014-07-16 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5625624B2 (ja) 2010-08-27 2014-11-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
KR101427726B1 (ko) * 2011-12-27 2014-08-07 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101867364B1 (ko) * 2012-01-03 2018-06-15 삼성전자주식회사 배치 타입 반도체 장치
KR102124042B1 (ko) * 2013-02-18 2020-06-18 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치, 이를 이용한 증착 방법 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
TWI481737B (zh) * 2014-08-20 2015-04-21 Powerchip Technology Corp 承載治具
JP6379355B2 (ja) * 2015-04-02 2018-08-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理装置及び方法、電子デバイスの製造方法
KR102418947B1 (ko) * 2020-10-26 2022-07-11 주식회사 유진테크 배치식 기판처리장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000058995A2 (en) * 1999-03-26 2000-10-05 Tokyo Electron Limited Apparatus for improving plasma distribution and performance in an inductively coupled plasma
JP2002260899A (ja) * 2001-03-02 2002-09-13 Nihon Koshuha Co Ltd プラズマ処理装置用電源システム
JP2002280378A (ja) * 2001-01-11 2002-09-27 Hitachi Kokusai Electric Inc バッチ式リモートプラズマ処理装置

Family Cites Families (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1258301A (ja) * 1968-03-15 1971-12-30
JPS5242075A (en) * 1975-09-29 1977-04-01 Nippon Denso Co Ltd Device for controlling gas atmosphere in semiconductor producing equip ment
US4401689A (en) * 1980-01-31 1983-08-30 Rca Corporation Radiation heated reactor process for chemical vapor deposition on substrates
JPS59207620A (ja) * 1983-05-10 1984-11-24 Zenko Hirose アモルフアスシリコン成膜装置
US4499853A (en) * 1983-12-09 1985-02-19 Rca Corporation Distributor tube for CVD reactor
US4612207A (en) * 1985-01-14 1986-09-16 Xerox Corporation Apparatus and process for the fabrication of large area thin film multilayers
CA1251100A (en) * 1985-05-17 1989-03-14 Richard Cloutier Chemical vapor deposition
US4657616A (en) * 1985-05-17 1987-04-14 Benzing Technologies, Inc. In-situ CVD chamber cleaner
JP2594051B2 (ja) * 1987-02-02 1997-03-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
US4854266A (en) * 1987-11-02 1989-08-08 Btu Engineering Corporation Cross-flow diffusion furnace
US5279670A (en) * 1990-03-31 1994-01-18 Tokyo Electron Sagami Limited Vertical type diffusion apparatus
US5052339A (en) * 1990-10-16 1991-10-01 Air Products And Chemicals, Inc. Radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition process and reactor
JP3115015B2 (ja) * 1991-02-19 2000-12-04 東京エレクトロン株式会社 縦型バッチ処理装置
JPH05251391A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Tokyo Electron Tohoku Kk 半導体ウエハーのプラズマ処理装置
US5383984A (en) * 1992-06-17 1995-01-24 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus etching tunnel-type
US5770098A (en) * 1993-03-19 1998-06-23 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Etching process
JP3024449B2 (ja) * 1993-07-24 2000-03-21 ヤマハ株式会社 縦型熱処理炉及び熱処理方法
JPH07245195A (ja) 1994-03-07 1995-09-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理方法及び装置
JP3372647B2 (ja) * 1994-04-18 2003-02-04 キヤノン株式会社 プラズマ処理装置
US5665640A (en) * 1994-06-03 1997-09-09 Sony Corporation Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor
JP2956487B2 (ja) 1994-09-09 1999-10-04 住友金属工業株式会社 プラズマ生成装置
US5591268A (en) * 1994-10-14 1997-01-07 Fujitsu Limited Plasma process with radicals
US5811022A (en) * 1994-11-15 1998-09-22 Mattson Technology, Inc. Inductive plasma reactor
JP2748886B2 (ja) * 1995-03-31 1998-05-13 日本電気株式会社 プラズマ処理装置
JPH0955372A (ja) 1995-08-11 1997-02-25 Nippon Steel Corp プラズマ処理装置
JPH09106899A (ja) * 1995-10-11 1997-04-22 Anelva Corp プラズマｃｖｄ装置及び方法並びにドライエッチング装置及び方法
JP3373990B2 (ja) * 1995-10-30 2003-02-04 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及びその方法
JP3437376B2 (ja) * 1996-05-21 2003-08-18 キヤノン株式会社 プラズマ処理装置及び処理方法
US6140773A (en) * 1996-09-10 2000-10-31 The Regents Of The University Of California Automated control of linear constricted plasma source array
US6388381B2 (en) * 1996-09-10 2002-05-14 The Regents Of The University Of California Constricted glow discharge plasma source
KR100492258B1 (ko) * 1996-10-11 2005-09-02 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 반응가스분출헤드
JP2973971B2 (ja) * 1997-06-05 1999-11-08 日本電気株式会社 熱処理装置及び薄膜の形成方法
US6135053A (en) * 1997-07-16 2000-10-24 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for forming a deposited film by plasma chemical vapor deposition
US20030049372A1 (en) * 1997-08-11 2003-03-13 Cook Robert C. High rate deposition at low pressures in a small batch reactor
JPH11317299A (ja) * 1998-02-17 1999-11-16 Toshiba Corp 高周波放電方法及びその装置並びに高周波処理装置
TW455912B (en) * 1999-01-22 2001-09-21 Sony Corp Method and apparatus for film deposition
DE60045574D1 (de) * 1999-09-09 2011-03-10 Ihi Corp Plasmabehandlungsvorrichtung mit innenelktrode und plasmabehandlungsverfahren
KR100394571B1 (ko) * 1999-09-17 2003-08-14 삼성전자주식회사 화학기상증착용 튜브
KR100360401B1 (ko) * 2000-03-17 2002-11-13 삼성전자 주식회사 슬릿형 공정가스 인입부와 다공구조의 폐가스 배출부를포함하는 공정튜브 및 반도체 소자 제조장치
JP2001274107A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Nec Kyushu Ltd 拡散炉
US6446572B1 (en) * 2000-08-18 2002-09-10 Tokyo Electron Limited Embedded plasma source for plasma density improvement
US6887337B2 (en) * 2000-09-19 2005-05-03 Xactix, Inc. Apparatus for etching semiconductor samples and a source for providing a gas by sublimation thereto
JP4770029B2 (ja) 2001-01-22 2011-09-07 株式会社Ｉｈｉ プラズマｃｖｄ装置及び太陽電池の製造方法
US20020153103A1 (en) * 2001-04-20 2002-10-24 Applied Process Technologies, Inc. Plasma treatment apparatus
US20030164143A1 (en) * 2002-01-10 2003-09-04 Hitachi Kokusai Electric Inc. Batch-type remote plasma processing apparatus
KR100829327B1 (ko) * 2002-04-05 2008-05-13 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치 및 반응 용기
JP4120546B2 (ja) * 2002-10-04 2008-07-16 株式会社Ｉｈｉ 薄膜形成方法及び装置並びに太陽電池の製造方法及び装置並びに太陽電池
JP4020306B2 (ja) * 2002-10-07 2007-12-12 株式会社日立国際電気 基板処埋装置
TW200420201A (en) * 2002-12-16 2004-10-01 Japan Science & Tech Agency Plasma generation device, plasma control method and substrate manufacturing method
EP1588592B1 (en) * 2003-01-31 2009-12-09 Dow Corning Ireland Limited Plasma generating electrode assembly
KR100837474B1 (ko) * 2003-03-04 2008-06-12 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리장치 및 디바이스의 제조방법
US7958842B2 (en) * 2004-02-27 2011-06-14 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus
JP4396547B2 (ja) * 2004-06-28 2010-01-13 東京エレクトロン株式会社 成膜方法、成膜装置及び記憶媒体
KR100876050B1 (ko) * 2004-12-28 2008-12-26 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치
US8251012B2 (en) * 2005-03-01 2012-08-28 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and semiconductor device producing method
ATE543199T1 (de) * 2005-05-23 2012-02-15 New Power Plasma Co Ltd Plasmakammer mit entladung induzierender brücke
US7387968B2 (en) * 2005-11-08 2008-06-17 Tokyo Electron Limited Batch photoresist dry strip and ash system and process
JPWO2007111348A1 (ja) * 2006-03-28 2009-08-13 株式会社日立国際電気 基板処理装置
JP4929811B2 (ja) * 2006-04-05 2012-05-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR100961594B1 (ko) * 2006-05-01 2010-06-04 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치
JP5568212B2 (ja) * 2007-09-19 2014-08-06 株式会社日立国際電気 基板処理装置、そのコーティング方法、基板処理方法及び半導体デバイスの製造方法
JP2010129666A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000058995A2 (en) * 1999-03-26 2000-10-05 Tokyo Electron Limited Apparatus for improving plasma distribution and performance in an inductively coupled plasma
JP2002280378A (ja) * 2001-01-11 2002-09-27 Hitachi Kokusai Electric Inc バッチ式リモートプラズマ処理装置
JP2002260899A (ja) * 2001-03-02 2002-09-13 Nihon Koshuha Co Ltd プラズマ処理装置用電源システム

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI423328B (zh) * 2007-08-31 2014-01-11 東京威力科創股份有限公司 電漿處理裝置
CN104051213A (zh) * 2007-08-31 2014-09-17 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
CN102163530B (zh) * 2007-08-31 2014-06-04 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置
JP2011097096A (ja) * 2007-08-31 2011-05-12 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置及び酸化膜の形成方法
US8336490B2 (en) 2007-08-31 2012-12-25 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
JP2009076876A (ja) * 2007-08-31 2009-04-09 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2009130154A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Ulvac Japan Ltd 真空処理装置
US8608902B2 (en) 2009-01-23 2013-12-17 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US8683943B2 (en) 2009-05-01 2014-04-01 Tokyo Electron Limited Plasma process apparatus and plasma process method
KR20100119726A (ko) 2009-05-01 2010-11-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
CN101877304B (zh) * 2009-05-01 2014-06-25 东京毅力科创株式会社 等离子处理装置和等离子处理方法
CN101877304A (zh) * 2009-05-01 2010-11-03 东京毅力科创株式会社 等离子处理装置和等离子处理方法
US9447926B2 (en) 2009-05-01 2016-09-20 Tokyo Electron Limited Plasma process method
US20150140839A1 (en) * 2009-05-29 2015-05-21 Hitachi Kokusai Electric, Inc. Substrate processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
US8251012B2 (en) 2012-08-28
KR20070100828A (ko) 2007-10-11
JPWO2006093136A1 (ja) 2008-08-07
US20080286980A1 (en) 2008-11-20
JP4951501B2 (ja) 2012-06-13
KR100909750B1 (ko) 2009-07-29
JP2011018914A (ja) 2011-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011018914A (ja) 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法
JP5137903B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び電極
JP4828599B2 (ja) 基板処理装置
JP5138718B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5568212B2 (ja) 基板処理装置、そのコーティング方法、基板処理方法及び半導体デバイスの製造方法
JP2010027702A (ja) 基板処理装置及び薄膜生成方法
JP2012114200A (ja) 基板処理装置
JP4938805B2 (ja) 基板処理装置
JP4267434B2 (ja) 基板処理装置
JP2005243737A (ja) 基板処理装置
JP2005167027A (ja) 基板処理装置
JP4495573B2 (ja) 基板処理装置、及び基板処理方法
JP2005277264A (ja) 基板処理装置
JP4634155B2 (ja) 基板処理装置及び成膜方法
JP4936497B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2005251775A (ja) 基板処理装置
JP2006066555A (ja) 基板処理装置
JP2007042703A (ja) 基板処理装置
JP2005191169A (ja) 基板処理装置
JP2006261441A (ja) 基板処理装置
JP2006066593A (ja) 基板処理装置
JP2006190875A (ja) 基板処理装置
JP2006286765A (ja) 基板処理装置
JP2005056891A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007505948

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020077019904

Country of ref document: KR

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: RU

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 06714868

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 11885483

Country of ref document: US