TWI423328B - 電漿處理裝置 - Google Patents

電漿處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI423328B
TWI423328B TW097132568A TW97132568A TWI423328B TW I423328 B TWI423328 B TW I423328B TW 097132568 A TW097132568 A TW 097132568A TW 97132568 A TW97132568 A TW 97132568A TW I423328 B TWI423328 B TW I423328B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
plasma
gas
plasma generating
side wall
Prior art date
Application number
TW097132568A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200931519A (en
Inventor
Hiroyuki Matsuura
Toshiki Takahashi
Kohei Fukushima
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW200931519A publication Critical patent/TW200931519A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI423328B publication Critical patent/TWI423328B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

電漿處理裝置
本發明係關於一種藉由在諸如半導體晶圓之目標物件上使用電漿來實行製程(例如膜形成製程或蝕刻製程)之電漿處理裝置，且特定言之係關於一種在半導體製程場中利用的技術。本文中所用的術語"半導體製程"包括各種製程，其經實行用以在諸如半導體晶圓或用於FPD(平面板顯示器)(例如LCD(液晶顯示器))之玻璃基板的一目標物體上製造一半導體器件或具有連接至一半導體器件之線路層、電極及類似物的一結構，該製造藉由在該目標物體上以預定圖案形成半導體層、絕緣層及導電層。
在製造半導體器件以構造半導體積體電路時，一目標物件(例如一半導體晶圓)經歷各種製程，例如膜形成、蝕刻、氧化、擴散、再形成、退火及自然氧化物膜移除。US 2006/0286817 A1揭示在(所謂分批類型之)一垂直熱處理裝置中實行的此種之半導體處理方法。依據此方法，半導體晶圓係首先從一晶圓盒傳輸至一垂直晶圓舟上並以垂直方向的間隔支撐於其上。該晶圓盒能儲存(例如)25個晶圓，而該晶圓舟能支撐30至150個晶圓。接著，從下面將該晶圓舟載入至一製程容器中，而且氣密地封閉該製程容器。接著，實行預定熱製程，同時控制製程條件，例如製程氣體流量、製程壓力以及製程溫度。
為了改良半導體積體電路之特徵，重要的係改良用於半導體器件的絕緣膜之特性。傳統上，SiO2 膜係主要用作半導體器件之絕緣膜。然而，近年來，需要半導體積體電路以進一步滿足改良整合及最小化位準。在該等情形下，氮化矽膜(Si3 N4 膜)係用作抗氧化膜、雜質擴散預防膜及/或閘極器件之側壁膜的絕緣膜。氮化矽膜的雜質擴散係數為較低而且氧化阻障特性為較高，並因此係極適合於以上說明之應用中所用的絕緣膜。
此外，近年來，需要半導體積體電路具有較高運轉速度。由於此需求，存在一建議，其中形成採用一雜質(例如硼B)摻雜的一氮化矽膜以提供具有在較大程度上減少寄生電容的極小介電常數之一絕緣膜(日本特開平6-275608號)。
除以上說明的需求以外，還有必要降低製程溫度。由於此需求，已建議一電漿處理裝置，其藉由使用電漿而實行一製程以即使在較低晶圓溫度下仍促進反應(日本特開2006-270016號及2007-42823號)。
圖25係示意性地顯示一垂直電漿處理裝置之圖式，該裝置為以上說明的傳統裝置之一。圖26係顯示圖25中所示之裝置中使用的一電漿箱之部分的截面圖。如圖25中所示，由石英製造並經組態用以真空排放內部大氣的圓筒形製程容器經配置用以容納以垂直方向上的間隔排列之半導體晶圓(未顯示)。具有矩形截面之一電漿產生箱4係沿垂直方向附於製程容器2之側壁。箱4內配置有一氣體噴嘴5，用以供應欲藉電漿活化之氣體。亦如圖26中所示，二個不同電漿電極6經配置用以在垂直方向上在界定電漿產生箱4之壁外面的相對側上延伸。從一RF(射頻)電源供應器8橫跨二個電漿電極6應用用於電漿產生的具有(例如)13.56MHz之RF功率。
採用以上說明的配置，二個電漿電極6呈現平行板類型之電極對，因此當橫跨電漿電極6應用RF功率時藉由電容耦合來產生電漿。如此產生的電漿將供應至電漿箱4中的氣體活化，從而產生活性物質或促進反應的游離基等。此類之電漿處理裝置係一般稱為CCP(電容耦合電漿)類型之電漿處理裝置。
依據CCP類型之電漿處理裝置，藉由電漿的輔助來促進(例如)膜形成之反應，並因此即使在相對較低晶圓溫度下仍能實行預定電漿製程。然而，本發明頃發現此類型之電漿處理裝置承受關於粒子產生及電子密度的問題。
本發明之一目的係提供一種能預防粒子產生並能增加電子密度的電漿處理裝置。
依據本發明之一態樣，提供一垂直電漿處理裝置以每次對複數個目標物體一起實行電漿製程，該裝置包含：一垂直細長製程容器，其具有經組態以容納該等目標物件並被設定在氣密狀態中的一製程場；一固持器，其經組態以在該製程容器內部以垂直方向上的間隔支撐該等目標物體；一氣體供應系統，其經組態以供應製程氣體至該製程容器中；一排氣系統，其經組態以自該製程容器內部排出氣體；以及一活化機構，其組態以將製程氣體變成電漿，其中該活化機構包含在對應於該製程場的一位置處附於該製程容器以形成與該製程場氣密地連通之一電漿產生區域的一垂直細長電漿產生箱、提供給該電漿產生箱的一ICP(電感耦合電漿)電極、以及連接至該電極的一RF(射頻)電源供應器。
本發明之額外目的及優點將在以下說明中提出，而且部分地將從該說明清楚，或可藉由本發明之實務而習得。可藉由此後特定指出的儀器及組合來實現並獲得本發明之目的及優點。
在開發本發明的製程中，發明者研究關於電容耦合電漿類型之電漿處理裝置的傳統技術之問題。因此，發明者已達到以下提供的發現。
明確而言，若為圖25及26中所示的電容耦合電漿類型之電漿處理裝置，則由電漿中藉由應用於離子套層(ion sheath)之電位差異所加速的離子之噴濺來蝕刻電漿產生箱4之石英內壁。因此，包含石英材料之Si及O成分的物質係沉積在電漿產生箱4之內表面以及該表面周圍的部分上而且可產生粒子。
此外，在應用較大功率以增加電子密度並因此改良處理效率的情況下，由於較大功率而突然增加以上說明的粒子產生。因此，難以增加電子密度。
在此情況下，應用的RF功率能設定為具有較高頻率以減小電子溫度並因此抑制蝕刻，同時增加游離基密度以促進反應。然而，隨著頻率的增加，RF電源供應器需要為較大並因此極大地增加裝置成本。根據此點，如國際公告案第WO 2006/093136號中所揭示，已建議一電漿處理裝置，其具備由轉一個彎的一U形線圈形成的放電電極。然而，此公告案中揭示的裝置承受實務應用上的難度。
現在參考附圖說明根據以上提供的發現而達到的本發明之具體實施例。在下列說明中，藉由相同參考數字表示具有實質相同功能及配置的構成元件，而且僅在必要時才進行重複說明。
<第一具體實施例>
圖1係顯示依據本發明之第一具體實施例之一垂直電漿處理裝置的截面圖。圖2係顯示圖1中所示的裝置之部分(不包括加熱器)的截面圖。圖3係主要顯示圖1中所示之裝置中使用的一ICP電極之示意透視圖。圖4係顯示包括該ICP電極的一電路之方塊圖。膜形成裝置12具有一製程場，其經組態用以選擇性地供應有包含二氯矽烷(DCS)氣體作為矽烷族氣體的第一製程氣體，以及包含氨(NH3 )氣體作為氮化氣體的第二製程氣體。膜形成裝置12經組態用以在製程場中於目標物體上形成氮化矽膜；同時藉由使用電漿來活化NH3 氣體。
裝置12包括成形為具有頂部及開放底部之圓柱的製程容器14，其中一製程場15經界定用以容納並處理以垂直方向上的間隔堆疊之複數個半導體晶圓(目標物體)。整個製程容器14係由(例如)石英製造。製程容器14之頂部具備一石英頂部板16以氣密地密封該頂部。製程容器14之底部係透過密封部件20(例如O形環)連接至圓筒形歧管18。該製程容器可完全由圓筒形石英柱形成而無需分離地形成歧管18。
歧管18係由(例如)不銹鋼製造，而且支撐製程容器14之底部。由石英製造的晶圓舟22係透過歧管18之底部埠上下移動，因此晶圓舟22係載入至製程容器14中/從該製程容器卸載。以垂直方向上的間隔將若干物體或半導體晶圓W堆疊在晶圓舟22上。例如，在此具體實施例中，晶圓舟22具有支柱22A，其能支撐(例如)具有300mm的直徑以垂直方向上的本質上規則間隔之約50至100個晶圓。
晶圓舟22係透過由石英製造的隔熱圓柱體24而放置在台26上。台26係由一旋轉軸30支撐，該軸穿透由(例如)不銹鋼製造並用於開啟/關閉歧管18之底部埠的蓋子28。其中旋轉軸30所穿透的蓋子28之部分具備(例如)一磁性流體密封件32，因此旋轉軸30係旋轉地支撐在氣密密封狀態中。一密封部件34(例如O形環)係插入在蓋子28之周邊與歧管18之底部之間，因此製程容器14之內部能保持密封。
旋轉軸30係附著在由提升機構35(例如晶舟提升機)支撐的一臂36之遠端處。提升機構35整體地上下移動晶圓舟22及蓋子28。台26可固定至蓋子28，因此在無需旋轉晶圓舟22的情況下處理該等晶圓W。
一氣體供應區段係連接至歧管18之側以供應預定製程氣體至製程容器14內的製程場15。明確而言，該氣體供應區段包括一第二製程氣體供應電路38、一第一製程氣體供應電路40以及一沖洗氣體供應電路42。第一製程氣體供應電路40經配置用以供應包含矽烷族氣體(例如DCS(二氯矽烷)氣體)之第一製程氣體。第二製程氣體供應電路38經配置用以供應包含氮化氣體(例如氨(NH3 )氣體)之第二製程氣體。沖洗氣體供應電路42經配置用以供應惰性氣體(例如N2 氣體)作為沖洗氣體。該等第一及第二製程氣體之每一者係按需要與適當數量的載體氣體混合。然而，基於解釋之簡單的目的，此後不提及此載體氣體。
更明確而言，該等第二及第一製程氣體供應電路38及40分別包括氣體分配噴嘴44及46，該等噴嘴之每一者係由一石英管形成，該石英管從外面穿透歧管18之側壁並接著向上延伸(參見圖1)。氣體分配噴嘴44及46分別具有複數個氣體噴射孔44A及46A，該等孔之每一集係在晶圓舟22上的所有晶圓W之上以縱向方向(垂直方向)上的預定間隔形成。氣體噴射孔44A及46A之每一者在水平方向上幾乎均勻地遞送對應製程氣體，以便形成與晶圓舟22上的晶圓W平行之氣體流。沖洗氣體供應電路42包括一短氣體噴嘴48，其從外面穿透歧管18之側壁。
噴嘴44、46及48係分別透過氣體供應線(氣體通道)52、54及56分別連接至NH3 氣體、DCS氣體及N2 氣體之氣體來源38S、40S及42S。氣體供應線52、54及56分別具備切換閘52A、54A及56A以及流量控制器52B、54B及56B，例如質量流量控制器。採用此配置，能以受控流量供應NH3 氣體DCS氣體及N2 氣體。
一氣體活化機構60係在垂直方向上附於製程容器14之側壁。活化機構60包括在製程容器14之縱向方向上延伸的一電漿產生箱64。一ICP電極66係沿電漿產生箱64配置並且係連接至RF(射頻)電源供應器68。在與電漿產生箱64相對的製程容器14之側上，藉由(例如)在垂直方向上切割製程容器14之側壁來形成真空排放內部大氣的長窄排氣埠62。
明確而言，電漿產生箱64具有藉由在垂直方向上切割製程容器14之側壁的預定寬度所形成的垂直長窄開口70。開口70係採用石英蓋72所覆蓋，該石英蓋係藉由焊接而氣密地連接至製程容器14之外表面。蓋72具有帶有凹入截面或U形截面的垂直長及薄形狀，因此從製程容器14向外凸出。因此，蓋72包含一對側壁72A及72B，其在徑向方向上從製程容器14延伸並彼此面對，以及一後側壁，其將側壁72A及72B之外端彼此連接。亦藉由密封壁而封閉側壁72A及72B之上端入下端。
採用此配置，形成電漿產生箱64，因此其從製程容器14之側壁向外凸出並且係在另一側上向製程容器14之內部開放。換言之，電漿產生箱64之內空間與製程容器14內的製程場15連通。開口70在垂直方向上具有足以覆蓋晶圓舟22上的所有晶圓W之一垂直長度。
一長窄帶狀電極66係配置在蓋72之相對側壁的外表面上，因此其在縱向方向(垂直方向)上近似轉一個彎。亦如圖3中所示，此ICP電極66係在蓋72之頂部處往回彎曲，因此其用和近似轉一個彎的一線圈。亦如圖4中所示，ICP電極66之近端側係透過用於阻抗匹配的匹配電路74並進一步透過電饋送線76連接至一RF電源供應器68。在匹配電路74與RF電源供應器68之間發射調整信號78(參見圖4)以自動地調整阻抗。
在圖4中，將一同軸電纜用作電饋送線76。ICP電極66之一端加以接地，而在從匹配電路74延伸之遠端側上的電極66之部分用作有效電極。RF電源供應器68係設定為具有13.56MHz的頻率，但是其可設定為具有在從4MHz至27.12MHz之範圍內的另一頻率。
當將RF功率應用於ICP電極66時，能藉由在電漿產生箱64內形成的電感耦合類型之電磁場來產生電漿。電漿產生箱64係設定為具有約1m的長度、約20至100mm(例如約55mm)的寬度H1(參見圖2)以及約25至50mm(例如約35mm)的厚度H2。ICP電極66係由(例如)鎳合金製造，而且係設定為具有約3至5mm的厚度、約2至10mm的寬度以及約4至5.5m的總長度。
第二製程氣體之氣體分配噴嘴44係在低於晶圓舟22上的最低晶圓W之位置處在製程容器14之徑向方向上向外彎曲。接著，氣體分配噴嘴44在電容產生箱64中的最深位置(自製程容器14之中心的最遠位置)處垂直地延伸。亦如圖2中所示，氣體分配噴嘴44係從夾在電極66之相對部分之間的一區域(其中電感磁場為最強烈的位置)(即，其中實際上產生主要電漿的電漿產生區域)向外分離。包含NH3 氣體的該第二製程氣體係從氣體分配噴嘴44之氣體噴射孔44A朝該電漿產生區域噴射。接著，該第二製程氣體係在該電漿產生區域選擇性地激發(分解或活化)，並且係在此狀態中供應至晶圓舟22上的晶圓W。
由(例如)石英製造的一絕緣凸出蓋(未顯示)得以附著並覆蓋該蓋72之外表面。一冷卻機構(未顯示)係配置在該絕緣凸出蓋(未顯示)內並包含分別面對電極66的冷卻劑通道。冷卻劑通道係供應有一冷卻劑(例如冷卻氮氣體)以冷卻電極66。
在活化機構60之開口70附近及外面的一位置處，配置該第一製程氣體之氣體分配噴嘴46。明確而言，氣體分配噴嘴46在(製程容器14中的)開口70之外面的一側上向上延伸。包含DCS氣體的該第一製程氣體係從氣體分配噴嘴46之氣體噴射孔46A朝製程容器14之中心噴射。
另一方面，採用排氣埠覆蓋部件80覆蓋形成為與氣體活化機構60相對的排氣埠62。排氣埠覆蓋部件80係由具有U形截面之石英製造並且係藉由焊接來附著。排氣埠覆蓋部件80沿製程容器14之側壁向上延伸並在製程容器14之頂部上具有一氣體出口82。氣體出口82係連接至包括一真空幫浦等的真空排氣系統GE。
製程容器14係由用於加熱製程容器14內的大氣及晶圓W之加熱器84所包圍。一熱耦器(未顯示)係配置在製程容器14中的排氣埠62附近以控制加熱器84。
膜形成裝置12進一步包括由(例如)一電腦形成的主要控制區段86以控制整個裝置。主要控制區段86能參考膜厚度及待形成的膜之組合物，依據預先儲存在其儲存區段88中的製程製法來控制膜形成製程。在儲存區段88中，亦預先儲存製程氣體流量與該膜之厚度及組合物之間的關係作為控制資料。因此，主要控制區段86能根據儲存的處理方法及控制資料來控制提升機構35、氣體供應電路38、40及42、排氣系統GE、氣體活化機構60、加熱器84等。基於此目的的儲存媒體之範例為磁碟(撓性碟、硬碟(其一代表係儲存區段88中包括的一硬碟)等)、光碟(CD、DVD等)、磁光碟(MO等)以及半導體記憶體。
接著解釋圖1中所示之裝置中實行的膜形成方法(所謂的ALD或MLD膜形成)。在此膜形成方法中，藉由ALD或MLD在半導體晶圓上形成氮化矽膜。為了達到此點，選擇性地供應包含二氯矽矽烷(DCS)作為矽烷族氣體的一第一製程氣體及包含氨(NH3)氣體作為氮化氣體的一第二製程氣體至容納晶圓W的製程場15。明確而言，連同下列操作來實行膜形成製程。
首先，將室溫下支撐具有300mm的直徑之若干(例如50至100)個晶圓的晶圓舟22載入在預定溫度下加熱的製程容器14中，並且氣密地封閉製程容器14。接著，製程容器14之內部係真空排放並保持在預定製程壓力，而且晶圓溫度係增加至用於膜形成的製程溫度。此時，該裝置係在等待狀態中，直至該溫度變為穩定。接著，在旋轉晶圓舟22的同時，以受控流量從個別氣體分配噴嘴46及44間歇地供應該等第一及第二製程氣體。若干次地重複交替地供應該等第一及第二製程氣體之週期，其中二者之間插入一間隙週期(吹掃週期)，而且層壓藉由個別週期所形成的氮化矽之薄膜，從而達到具有一目標厚度的氮化矽膜。
明確而言，從氣體分配噴嘴46之氣體噴射孔46A供應包含DCS氣體的該第一製程氣體以形成與晶圓舟22上的晶圓W平行的氣體流。在加以供應時，DCS氣體係藉由加熱溫度活化至製程場15，而且DCS氣體之分子以及藉由其分解產生的分解產物之分子及原子係吸附在晶圓W上。
另一方面，從氣體分配噴嘴44之氣體噴射孔44A供應包含NH3氣體的該第二製程氣體以形成與晶圓舟22上的晶圓W平行的氣體流。當供應該第二製程氣體時，在供應之全部或部分的週期內將氣體活化機構60之RF電源供應器68設定在開啟狀態。此時，將RF電源68之輸出設定為在(例如)50W至3kW之範圍內。
當將氣體活化機構60設定在開啟狀態中時，該第二製程氣體在其穿過電極66之相對部分之間的電漿產生區域時得到激發並部分地變成電漿。此時，例如產生游離基(活化物質)，例如N*、NH*、NH2 *及NH3 *(符號"*"表示其為一游離基)。該等游離基從氣體活化機構60之開口70朝製程容器14之中心流出，並且係在層流狀態中供應至晶圓W之間的間隙中。
該等游離基與得自DCS氣體的分子等反應並吸附在晶圓W之表面上，因此在晶圓W上形成氮化矽之薄膜。或者，當DCS氣體流動至得自NH3 氣體並吸附在晶圓W之表面上的游離基上時，引起相同的反應，因此在晶圓W上形成氮化矽膜。
電漿產生箱64具備ICP電極66，取代傳統裝置中使用的平行板類型之CCP電極，以在電漿產生區域中產生電漿。在此情況下，由藉由電極66所形成的磁場來產生電漿，雖然離子套層具有較小的電位差異。因此，較少地加速電漿中的離子，而且預防蓋72之內表面藉由離子之噴濺而蝕刻。此舉可明顯地減少可能會使半導體器件之產量惡化的粒子產生。
另外，因為使用ICP電極66，所以能增加游離基密度而不提高RF功率及/或頻率，而且因此能有效率地實行電漿處理。換言之，能應用較大功率，同時抑制粒子產生並增加電子密度，從而使電漿處理更有效率。
接著，將提供藉由電漿產生箱64內的ICP電極66所形成的電流分配狀態之解釋。圖5A及5B係分別顯示電漿產生箱中的電流分配狀態之視圖。圖5A顯示在ICP電極66係線性地延伸為直線的情況下形成的電流狀態。圖5B顯示在ICP電極66係在電漿產生箱64之一端(上端)處往回彎曲的情況下形成的電流狀態。在圖5A及5B中，"BTM"表示對應於晶圓舟22之底部的一部分，而且"TOP"表示對應於晶圓舟22之頂部的一部分。
在此範例中，RF功率具有13.56MHz的頻率(波長=約22m)，ICP電極66具有4m的長度，以及電漿產生箱64具有1m的長度。ICP電極66係在一端接地，在該端處反射電流。在圖5A中，中心處的粗體線代表ICP電極66，而且其右側為接地側。藉由下列公式表達採用實線所指示的電流之行進波"i"。
i=I0 sin(ωt-kx)
在此公式中，"I0 "係幅度，"ω"係角速度，"t"係時間，"k"係正數，以及"x"係圖5A中的水平方向上的一位置。
藉收下列公式表達電流之反射波"i"。
i'=I0 sin(ωt+kx)
此時，藉由下列公式表達採用虛線所指示的電流之駐波"I"。
I=2I0 sinωt．coskx
另一方面，如在此具體實施例中一樣，在ICP電極66係在電漿產生箱64之一端處往回彎曲的情況下，電流的駐波呈現如圖5B中所示的狀態。在圖5B中，忽視電漿產生箱64之厚度。在此情況下，沿電漿產生箱64的中心軸90之電場具有TOP與BTM之間約±2至3%的極小不均衡。
此係由於下列原因所致。明確而言，ICP電極66係在電漿產生箱64之一端(TOP側)處往加彎曲，因此該電極之相對部分係對稱地出現在箱64之相對側上。在此情況下，沿箱64之中心軸90形成的電場為藉由電極66之相對部分分別形成的電場之一重疊。
如以上說明，在ICP電極66係往回彎曲以用作實質上轉一個彎的一線圈情況下，因此形成的電場係彼此重疊。在此情況下，電場之強度從電饋送側降落至接地側，而且因此電漿產生箱64內的電場會變均勻。
在以上說明的具體實施例中，RF功率係設定為具有13.56MHz的頻率，但是其可設定為具有在從4MHz至27.12MHz之範圍內的另一頻率，如以上說明。在該頻率低於4MHz的情況下，電漿密度變為太低並因此使產量惡化，而電子溫度變為太高而無法達到對電漿損壞的抑制，其為此機構之一主要目的。另一方面，在該頻率係高於27.12MHz的情況下，駐波之不良效應由於較短RF波長而變為顯著，而且難以在電漿產生箱64內在垂直方向上產生均勻電漿。
在此具體實施例中，ICP電極66經配置用以在電漿產生箱64周圍近似轉一個彎，但是電極66可經配置用以轉複數個彎。或者，如圖6之示意圖中所示，電極66可經配置用以沿電漿產生箱64之僅一側轉半個彎。
在此具體實施例中，電漿產生箱64係配置在製程容器14外面而且係在垂直方向上拉長。或者，在足夠大的空間係出現在製程容器14內的情況下，一電漿產生箱64可配置在該製程容器內。
圖7係顯示具備一製程容器內的一電漿產生箱之該製程容器的截面平面圖。圖8係顯示用於圖7中所示的電漿產生箱之一ICP電極的透視圖。
如圖7中所示，一製程容器14具備由石英製造並藉由內表面上的焊接而附著的電漿產生箱94。箱94係在垂直方向拉長並在前側上具有一縫92。該第二製程氣體之氣體分配噴嘴44係配置在電漿產生箱94內。如圖8中所示，一ICP電極66係包絡在一石英凸出管96中，並且係配置在電漿產生箱94內以在垂直方向上轉一個圈(一個彎)。此結構亦能展現與以上說明的具體實施例相同之效應。
為了減少電容耦合，一靜電屏蔽可配置在對應於ICP電極66之一位置處。此靜電屏蔽亦係稱為法拉第(Faraday)屏蔽。圖9A至9C係分別顯示具備一靜電屏蔽的一電漿產生箱之部分的放大視圖。圖9A顯示該靜電屏蔽之一第一範例，而且圖9B係圖9A中所示的該靜電屏蔽之一平面圖。圖9C顯示該靜電屏蔽之一第二範例。
如圖9A中所示，一靜電屏蔽100係配置在電漿產生箱64或蓋72之每一側表面上而且加以接地。靜電屏蔽100係採用一絕緣板102覆蓋，在該絕緣板上ICP電極66經配置用以與靜電屏蔽100電絕緣。
靜電屏蔽100係插入在電漿產生箱64(蓋72之每一側表面)與ICP電極66之間，而且在垂直方向上延伸。靜電屏蔽100係由導電材料(例如與ICP電極66相同的材料)製造。更明確而言，靜電屏蔽100具有帶(例如)約10至30mm之寬度的長窄矩形形狀。靜電屏蔽100具有在垂直方向上排列的若干開口縫104而且每一開口縫具有一水平細長矩形形狀。開口縫104之每一者具有約5至30mm的垂直長度以及約30至45mm的水平長度，而其節距係約7至35mm。
分別配置在電漿產生箱64之右及左側上的二個靜電屏蔽100可在頂部彼此連接或者可彼此分離。在任何情況下，靜電屏蔽100均加以接地。絕緣板102係由(例如)石英或氧化鋁製造，而且具有約2至5mm的厚度。
如以上說明所配置的靜電屏蔽100允許藉由ICP電極66所形成的電感耦合類型之磁場與電漿耦合，而由於電場所致的電容耦合進一步得以減少。因此，預防電漿產生箱64之內壁遭受由於電漿中產生的離子所致的蝕刻損壞。
代替由具有開口縫104之平面板形成的靜電屏蔽100，可使用包括複數個桿狀電極106的靜電屏蔽100，如圖9C中所示。圖9中所示的靜電屏蔽100包括在垂直方向上延伸而且並列排列的三個桿狀電極106A、106B及106C。中央桿狀電極106B係設定為與ICP電極66之位置對準，而且其他桿狀電極106A及106C係在兩側上從其分離某一距離。此結構亦能展現與圖9A中所示的結構相同之效應。桿狀電極106之數目並不限於一特定數目。
在以上說明的具體實施例中，本發明係應用於在電漿處理裝置中形成氮化矽膜的情況，但是此並非限制的。本發明可應用於形成薄膜的任何電漿處理裝置。例如，以上說明的電漿處理裝置可經修改用以形成二氧化矽膜。作為此類修改之一範例，在藉由AID(原子層沉積)方法在具有300nm之直徑的50至150個晶圓上形成二氧化矽的情況下，具有單價至三價氨基之任一者的有機Si來源可用作矽來源。
例如，單價來源係藉由二異丙基氨基矽烷[SiH3 (N(i-C3 H7 )2 )2 ]例證，二價來源係藉由雙二乙基氨基矽烷[SiH2 (N(C2 H5 )2 )2 ]例證，以及三價來源係藉由三二甲基氨基矽烷3DMAS(SiH(N(CH3 )2 )3 )例證。氧氣可用作氧化劑，因此藉由依據本發明之電感耦合電漿活化氧氣以產生氧氣活性物質(氧游離基)。
例如，作為用於此目的之一特定裝置，圖1中所示的電漿處理裝置可進行修改，因此第二製程氣體供應電路38經組態用以供應O2 氣體代替NH3 氣體，而且藉由電感耦合電漿產生氧氣活性物質。此外，第一製程氣體供應電路40經組態用以供應Si有機來源氣體代替如以上說明的DCS氣體。
重複交替且間歇地供應由電漿活化的Si有機來源氣體及氧氣體至晶圓W上(從一個有機來源供應至下一個有機來源供應)之一週期若干次，而且層壓由個別週期形成的原子層，從而達到具有一目標厚度的二氧化矽膜。
例如，在重複該週期150至1200次的情況下，二氧化矽膜係形成為具有30至250nm的膜厚度。在此情況下，膜形成溫度係設定為在從室溫(約27℃)至約300℃的範圍內。特定言之，在使用為單價的二異丙基氨基矽烷情況下，能在室溫下實行膜形成。因此，在此情況下，不像以上說明的形成氮化矽膜的情況一樣，能從電漿處理裝置12排除加熱器84。
在實驗中，藉由使用單價二異丙基氨基矽烷作為Si有機來源，在具備傳統CCP電極之電漿處理裝置與在具備依據此具體實施例之ICP類型電極之電漿處理裝置中實行的膜形成製程之間進行比較。因此，傳統裝置呈現每晶圓100的平均粒子增加，而該具體實施例裝置呈現每晶圓10的平均粒子增加(0.08μm或更大之粒子的總數)。因此，頃發現本發明在抑制粒子產生之效應方面係尤其有利。在用於比較的此實驗中，用於產生氧氣電漿的RF功率係設定在250瓦特。
[修改具體實施例]
接著，在將解釋集中在ICP電極66上的同時，提供依據本發明之修改具體實施例之電漿處理裝置的解釋。在此等修改具體實施例中，僅顯示連接至電極66的RF電源供應器68之端子側而且未顯示RF電源供應器68之接地端子側。在其中沿電漿產生箱64之相對側分別配置具有類似圖案的電極部分之修改具體實施例中，該等圖案實質上形成相對於中間部分的對稱形狀。
<第一修改具體實施例>
圖10A及10B係顯示依據本發明之一第一修改具體實施例的一裝置之一主要部分的示意圖，該裝置包括一曲折電極。圖10A係電漿產生箱64之一透視圖，圖10B係顯示在相對於用作中心的背側而展開相對側壁的狀態中電漿產生箱64之部分的放大展開圖。
電漿產生箱64具備在複數個位置處彎曲的一電極66以形成一曲折形狀。明確而言，電極66在其隨交替面對相對側之圓弧曲折時在其縱向方向上沿相對側壁72A及72B延伸以形成一曲折形狀。採用此配置，增加沿電漿產生箱64設定的電極66的長度。
該等圓弧具有(例如)約5至50mm的半徑R以及n/2至3n/2的角度θ，例如半圓角，即在此範例中θ=n。電極66具有約2至10mm的寬度W，如在第一具體實施例中一樣。沿相對側壁72A及72B的曲折電極66之相對部分的彎曲方向係設定為彼此相反。因此，在圖10B之展開圖中，彎曲方向右對相同方向。
當RF電流流經電極66時，電極66之圓弧內的圓形區域110(其係顯示在圖10B中)帶來高密度電漿區域，因為藉由RF形成的電場最終在區域110中具有較高密度而且局部地增加電漿密度。因為區域110係以預定間隔分配在電漿產生箱64內，所以較大電漿產生區域係總體上獲得，而且電漿密度會變得更均勻。此修改具體實施例亦能展現與以上說明的第一具體實施例相同之效應。
在此修改具體實施例中，沿相對側壁72A及72B的曲折電極66之相對部分的彎曲方向可設定為彼此相同。在圖10A中，RF電源供應器68(一匹配電路(未顯示)係就配置在其下游)與接地部分112之間的整條線代表電極66。此匹配者對下列文明的所有修改具體實施例係共同的。一箭頭114指示氣體流動方向，即朝該等晶圓之中心的方向。
電極66與晶圓W的最近部分之間的距離L1係設定為40mm或更大。此係設想為預防在電漿產生箱64內產生的電漿最終與晶圓W接觸，以便不藉由電漿壞晶圓W。此距離L1對以上說明的第一具體實施例以及以下說明的修改具體實施例係共同的。
<第二至第四修改具體實施例>
接著，提供第二至第四修改具體實施例之解釋。圖11A至11D係顯示依據第二至第四修改具體實施例之裝置的主要部分之示意圖，該裝置亦包括一曲折電極。圖11A顯示第二修改具體實施例，圖11B顯示第三修改具體實施例(圖11C係其展開圖)，以及圖11D顯示第四修改具體實施例。
在圖11A中所示的第二修改具體實施例中，電漿產生箱64具備在複數個位置處彎曲的一電極66以形成一曲折形狀。電極66藉由重複下列外形而形成曲折形狀。明確而言，電極66透過背側壁73從相對側壁72A及72B之一(例如側壁72A)延伸至另一側壁(例如側壁72B)。接著，電極66係沿此後者側壁72B彎曲而且係透過背側壁73從此側壁72B向前者側壁72A往回彎曲。接著，電極66係沿前者側壁72A彎曲而且係從此側壁72A再次往回彎曲。
在此修改具體實施例中，圖10A顯示曲折電極66為以直角往回彎曲。或者，曲折電極66可隨(例如)圓弧往回彎曲。
此修改具體實施例亦能展現與以上說明的第一具體實施例相同之效應。此外，因為增加沿電漿產生箱64設定的電極66之長度，所以可以增加電漿密度，以擴大電漿產生區域，並使電漿密度更均勻。
在圖11B及11C中所示的第三修改具體實施例中，電漿產生箱64亦具備在複數個位置處彎曲的一電極66以形成一曲折形狀。電極66藉由重複下列外形而形成曲折形狀。明確而言，電極66透過背側壁73從相對側壁72A及72B之一(例如側壁72A)延伸至另一側壁(例如側壁72B)。接著，電極66係沿此後者側壁72B隨較小折疊寬度彎曲而且係透過背側壁73從此側壁72B向前者側壁72A往回彎曲。接著，電極66係沿前者側壁72A隨較大折疊寬度彎曲而且係從此側壁72A再次往回彎曲。從相對側壁72A及72B之每一者向另一者實行此外形。換言之，電極66係交替地隨較小折疊寬度及較大折疊寬度重複地往回彎曲。
在此修改具體實施例中，圖10B及10C顯示曲折電極66為以直角往回彎曲。或者，曲折電極66可隨(例如)圓弧往回彎曲。
此修改具體實施例亦能展現與以上說明的第一具體實施例相同之效應。此外，因為增加沿電漿產生箱64設定的電極66之長度，所以可以增加電漿密度，以擴大電漿產生區域，並使電漿密度更均勻。
在圖11D中所示的第四修改具體實施例中，電漿產生箱64亦具備在複數個位置處彎曲的一電極66以形成一曲折形狀。電極66藉由重複下列外形而形成曲折形狀。明確而言，電極66從背側壁73之一端至相對側壁72A及72B之一(例如側壁72A)延伸，而且係沿此前者側壁72A彎曲並且係往回彎曲至背側壁73。接著，電極66係沿背側壁73彎曲而且係再次往回彎曲至前者側壁72A。此外形係向上重複至背側壁73之另一端。接著，電極66從背側壁73之另一端延伸至另一側壁72B，而且係沿此後者側壁72B彎曲並且係往回彎曲至背側壁73。接著，電極66係沿背側壁73彎曲而且係再次往回彎曲至後者側壁72B。此外形係向下重複至背側壁73之第一端。換言之，電極66首先沿相對側壁72A及72B(部分地包括該背側壁)之一形成一曲折形狀，並接著沿另一側壁形成一曲折形狀。
在此修改具體實施例中，圖10D顯示曲折電極66為以直角往回彎曲。或者，曲折電極66可隨(例如)圓弧往回彎曲。
此修改具體實施例亦能展現與以上說明的第一具體實施例相同之效應。此外，因為增加沿電漿產生箱64設定的電極66之長度，所以可以增加電漿密度，以擴大電漿產生區域，並使電漿密度更均勻。
<第五至第七修改具體實施例>
接著，提供第五至第七修改具體實施例之解釋。此等修改具體實施例包括所謂的蜈蚣電極。圖12A至12C係顯示依據第五至第七修改具體實施例之裝置的主要部分之示意圖。圖12A顯示第五修改具體實施例，圖12B顯示第六修改具體實施例，以及圖12C顯示第七修改具體實施例。
在圖12A所示的第五修改具體實施例中，電極66包括在其縱向方向上在側壁72A及72B周圍轉一個彎的一主要電極120以及沿相對側壁72A及72B從主要電極120分支並朝背側壁73延伸的複數個分支電極122。明確而言，沿相對側壁72A及72B的分支電極122透過相對側壁72A及72B彼此面對並且延伸至其遠端處的背側壁73。能藉由適當地選擇分支電極122之節距P1來控制電漿密度分配。
此修改具體實施例亦能展現與以上說明的第一具體實施例相同之效應。此外，因為增加沿電漿產生箱64設定的電極66之長度，所以可以增加電漿密度，以擴大電漿產生區域，並使電漿密度更均勻。
在圖12B所示的第六修改具體實施例中，電極66亦包括在其縱向方向上在側壁72A及72B周圍轉一個彎的一主要電極120以及沿相對側壁72A及72B從主要電極120分支並朝背側壁73延伸的複數個分支電極122。明確而言，交替地排列自該等側壁之一的分支電極122以及自該等側壁之另一者的分支電極122。分支電極122透過背側壁73從該等側壁之每一者延伸至其遠端處的該等側壁之另一者。能藉由適當地選擇分支電極122之節距P1來控制電漿密度分配。
此修改具體實施例亦能展現與以上說明的第一具體實施例相同之效應。此外，因為增加沿電漿產生箱64設定的電極66之長度，所以可以增加電漿密度，以擴大電漿產生區域，並使電漿密度更均勻。
在圖12C所示的第七修改具體實施例中，電極66包括在其縱向方向上沿側壁72A及72B轉一個彎的一主要電極120以及沿背側壁73從主要電極120分支並延伸至相對側壁72A及72B的複數個分支電極122。能藉由適當地選擇分支電極122之節距P1來控制電漿密度分配。
此修改具體實施例亦能展現與以上說明的第一具體實施例相同之效應。此外，因為增加沿電漿產生箱64設定的電極66之長度，所以可以增加電漿密度，以擴大電漿產生區域，並使電漿密度更均勻。
<第八及第九修改具體實施例>
接著，提供第八及第九修改具體實施例之解釋。圖13A至13B係顯示依據第八及第九修改具體實施例之裝置的主要部分之示意圖，該裝置包括一鏈狀電極。圖13A顯示第八修改具體實施例，而且圖13B顯示第九修改具體實施例。
在圖13A中所示的第八修改具體實施例中，電極66包括串聯連接的複數個部分開放環電極124。明確而言，電極66包括複數個環電極124以及將環電極124彼此連接的連接器電極126。分別具有部分開放環形狀的電極124係在其縱向方向上在一直線上沿相對側壁72A及72B排列。連接器電極126係從該等側壁分離地配置而且連接在陣列方向上彼此鄰近的環電極124之端，因此環電極124係總體上串聯連接。
更明確而言，環電極124之每一者係由一圓形環(其一部分已切除)形成，而且係配置於側壁72A或72B。環電極124之每一者的相對端從側壁72A或72B向外延伸。例如，該等端之一係藉由連接器電極126之一連接至配置在其下的環電極124之一鄰近者的一端，而且另一端係藉由連接器電極126之另一者連接至配置在其上的環電極124之一鄰近者的一端。因此，其係彼此連接以總體上形成一鏈狀形狀。環電極124之直徑並不限於一特定直徑，而可以為(例如)約10至65mm。
此修改具體實施例亦能展現與以上說明的第一具體實施例相同之效應。此外，因為增加沿電漿產生箱64設定的電極66之長度，所以可以增加電漿密度，以擴大電漿產生區域，並使電漿密度更均勻。
在圖13B中所示的第九修改具體實施例中，電極66亦包括串聯連接的複數個部分開放環電極124。明確而言，電極66包括複數個環電極124以及將環電極124彼此連接的連接器電極126。分別具有部分開放環形狀的電極124係在其縱向方向上沿背側壁73排列。連接器電極126係從背側壁73分離地配置而且連接在陣列方向上彼此鄰近的環電極124之端，因此環電極124係總體上串聯連接。
在此修改具體實施例中，沿背側壁73代替相對側壁72A及72B來配置鏈狀電極66。在此情況下，電極66包括一電極部分，其從電漿產生箱64之上端向下延伸至接地部分。此電極部分可與相對側壁72A及72B分離或沿該等側壁之一配置。
此修改具體實施例亦能展現與以上說明的第一具體實施例相同之效應。此外，因為增加沿電漿產生箱64設定的電極66之長度，所以可以增加電漿密度，以擴大電漿產生區域，並使電漿密度更均勻。
<第十及第十一修改具體實施例>
接著，提供第十及第十一修改具體實施例之解釋。圖14A及14B係顯示依據第十及第十一修改具體實施例之裝置的主要部分之示意圖，該裝置包括雙圈類型之電極。圖14A顯示第十修改具體實施例，而且圖14B顯示第十一修改具體實施例。
在圖14A中所示的第十修改具體實施例中，電極66在相對側壁72A及72B之縱向方向上轉二個圈。在此情況下，電極66係繞兩次以在其縱向方向上在相對側壁72A及72B周圍轉二個圈(二個彎)。
明確而言，電極66係在其縱向方向上從一側壁72A繞至另一側壁72B二次。第一個彎之電極部分與第二個彎之電極部分並非彼此重疊，但是係彼此分離(例如)約10至40mm的預定距離L2。
此修改具體實施例亦能展現與以上說明的第一具體實施例相同之效應。此外，因為增加沿電漿產生箱64設定的電極66之長度，所以可以增加電漿密度，以擴大電漿產生區域，並使電漿密度更均勻。
在圖14B中所示的第十一修改具體實施例中，電極66亦在相對側壁72A及72B之縱向方向上轉二個圈。在此情況下，電極66在其縱向方向上沿相對側壁72A及72B之一(例如72A)轉一圈，而電極部分係彼此分離。接著，電極66在其縱向方向上沿另一側壁(例如72B)轉一圈，而電極部分係彼此分離。
如以上說明，電極66首先沿一側壁72A轉一圈，並接著沿另一側壁72B轉一圈。一圈之電極部分係分離(例如)約10至40mm之距離L3，如圖14A中所示的距離L2一樣。
此修改具體實施例亦能展現與以上說明的第一具體實施例相同之效應。此外，因為增加沿電漿產生箱64設定的電極66之長度，所以可以增加電漿密度，以擴大電漿產生區域，並使電漿密度更均勻。
<第十二至第十四修改具體實施例>
接著，提供第十二至第十四修改具體實施例之解釋。圖15A至15C係顯示依據第十二至第十四修改具體實施例之裝置的主要部分之示意圖，該等裝置包括沿該等側壁之僅一個配置的一電極。圖15A顯示第十二修改具體實施例，圖15B顯示第十三修改具體實施例，以及圖15C顯示第十四修改具體實施例。
在圖15A中所示的第十二修改具體實施例中，沿相對側壁72A及72B之僅一個配置電極66。明確而言，電極66在其縱向方向上沿相對側壁72A及72B之一(例如側壁72A)轉半個彎。電極66係在下端連接至RF電源供應器68並在上端接地。
在此情況下，電極66轉半個彎代替一個彎，與一個彎電極比較，此電極66係稍不太有效。然而，此修改具體實施例亦能展現與圖3中所示的第一具體實施例相同之種類的效應。
此外，接地部分112係定位在電極66之上端以縮短電極66的整個長度。在此情況下，沿電極66之縱向方向形成的電場分配變得均勻而且因此改良電漿密度。電極66可在上端連接至RF電源供應器68並在下端接地。
在圖15B中所示的第十三修改具體實施例中，亦沿相對側壁72A及72B之僅一個配置電極66。明確而言，電極66在其縱向方向上沿相對側壁72A及72B之一(例如側壁72B)轉一個圈。在此情況下，一個圈電極66之部分係分離(例如)約10至40mm的距離L4。
此修改具體實施例亦能展現與以上說明的第一具體實施例相同之種類的效應。此外，因為增加沿電漿產生箱64設定的電極66之長度，所以可以增加電漿密度，以擴大電漿產生區域，並使電漿密度更均勻。
此外，因為電漿產生箱64之側壁72A及72B之材料(即石英)並非出現在一個圈電極66之部分之間，所以減弱電容耦合並增強電感耦合。
在圖15C中所示的第十四修改具體實施例中，亦沿相對側壁72A及72B之僅一個配置電極66。明確而言，電極66在其縱向方向上沿相對側壁72A及72B之一(例如側壁72A)轉半個彎。電極66係在下端連接至一RF電源供應器68，而且係在另一端向下往回彎曲以與側壁72A分離並加以接地。此修改具體實施例係與圖15A中所示的第十二修改具體實施例相同，接地部分112係出現在下側上除外，並因此展現與第十二修改具體實施例相同的效應。
<第十五至第十七修改具體實施例>
接著，提供第十五至第十七修改具體實施例之解釋。圖16A至16C係顯示依據第十五至第十七修改具體實施例之裝置的主要部分之示意圖，該等裝置包括寬板狀電極(帶狀電極)。圖16A顯示第十五修改具體實施例，圖16B顯示第十六修改具體實施例，以及圖16C顯示第十七修改具體實施例。
在圖16A中所示的第十五修改具體實施例中，電極66包含具有預定寬度L5的寬電極128。明確而言，寬電極128經配置用以在其縱向方向上在相對側壁72A及72B周圍轉一個彎。
此寬電極128具有遠大於圖3中所示的第一修改具體實施例之電極66的寬度。例如，此寬度L5係設定為5至40mm。寬電極128之寬度L5係較佳設定為電漿產生箱64之寬度的20%或更大，因此電漿產生區域變為盡可能較大。明確而言，寬電極128係由金屬板、金屬穿孔板或金屬網形成。
此修改具體實施例亦能展現與以上說明的第一具體實施例相同之效應。此外，因為增加沿電漿產生箱64設定的電極66之長度，所以可以增加電漿密度，以擴大電漿產生區域，並使電漿密度更均勻。
在圖16B中所示的第十六修改具體實施例中，電極66亦包含具有預定寬度L5的寬電極128。明確而言，電極66包括在其縱向方向上沿相對側壁72A及72B之一(例如側壁72A)延伸的一主要電極120，以及在其縱向方向上沿另一側壁72B延伸的寬電極128。主要電極120及寬電極128係在頂部彼此連接。寬電極128係在下端接地。
寬電極128之材料及寬度係與圖16A中所示的材料及寬度相同。在此修改具體實施例中，因為沿側壁72A的電極之寬度係小於圖16A中所示的寬度，所以電漿產生區域變為較小。然而，此修改具體實施例亦能展現與圖16A中所示的修改具體實施例相同之種類的效應。
在圖16C中所示的第十七修改具體實施例中，電極66亦包含具有預定寬度L5的寬電極128。明確而言，電極66包括在其縱向方向上沿相對側壁72A及72B之一(例如側壁72A)延伸的一主要電極120，以及在其縱向方向上沿另一側壁72B延伸的用於接地之寬電極128。主要電極120及用於接地之寬電極128係彼此電分離。
主要電極120係在上端接地，如圖15A中所示。用於接地之寬電極128之材料及寬度係與圖16B中所示的材料及寬度相同。
在此情況下，因為電極120及用於接地之寬電極128係彼此電分離，所以減弱電感耦合。然而，此修改具體實施例亦能展現與圖16B中所示的修改具體實施例相同之種類的效應。
<第十八至第二十四修改具體實施例>
接著，提供第十八至第二十四修改具體實施例之解釋。圖17A至17D係顯示依據第十八至第二十四修改具體實施例之裝置的主要部分之示意圖。圖18A至18C係顯示依據第二十二至第二十四修改具體實施例之裝置的主要部分之示意圖。此等修改具體實施例包括具有沿該路徑分支的分支電極之一電極。圖17A顯示第十八修改具體實施例，圖17B顯示第十九修改具體實施例，圖17C顯示第二十修改具體實施例，以及圖17D顯示第二十一修改具體實施例。圖18A顯示第二十二修改具體實施例，圖18B顯示第二十三修改具體實施例，以及圖18C顯示第二十四修改具體實施例。
在圖17A中所示的第十八修改具體實施例中，電極66包括沿該路徑的分叉節點130，二個主要分支電極從該節點分叉。明確而言，電極66係在相對側壁72A及72B之一(例如側壁72A)的縱向方向上在中心處連接至RF電源供應器68。電極66包括此中心處的分叉節點130，從該分叉節點該電極係劃分成向上延伸的主要分支電極134A及向下延伸的主要分支電極134B。主要分支電極134A及134B係朝另一側壁72B往回彎曲並且係在側壁72B之縱向方向上在該中心處彼此連接。
更明確而言，一個主要電極134A係在電漿產生箱64之頂部上朝另一側壁72B往回彎曲。另一主要電極134B係在電漿產生箱64之底部上朝另一側壁72B往回彎曲。接著，主要分支電極134A及134B在其縱向方向上沿側壁72B延伸，而且在垂直方向上彼此連接於電漿產生箱64之中心處並且接地。
此修改具體實施例亦能展現與圖2及3中所示的第一具體實施例相同之效應。此外，特定言之，因為RF電源供應器68與接地部分122之間的長度係極短，所以主要分支電極134A及134B在縱向方向上的電壓變化係極小。因此，電漿產生箱64內的電漿密度在垂直(縱向)方向上變為更均勻。
在圖17B中所示的第十九修改具體實施例中，電極66亦包括沿該路徑的分叉節點130，二個主要分支電極從該節點分叉。明確而言，電極66係連接至電漿產生箱64之底部上的RF電源供應器68，而且從底部上的分叉節點130劃分成二個主要分支電極134A及134B。主要分支電極134A及134B在其縱向方向上沿該等側壁之一(例如側壁72A)延伸，而且在電漿產生箱64之頂部上往回彎曲。接著，該等主要電極在其縱向方向上沿另一側壁72B延伸，而且在下端加以接地。換言之，二個主要電極134A及134B分別轉一個彎，同時共同使用RF電源供應器68。
此修改具體實施例亦能展現與以上說明的第一具體實施例相同之效應。此外，因為增加沿電漿產生箱64設定的電極66之長度，所以可以增加電漿密度，以擴大電漿產生區域，並使電漿密度更均勻。
在圖17C中所示的第二十修改具體實施例中，電極66亦包括沿該路徑的分叉節點130，二個主要分支電極從該節點分叉。明確而言，電極66係連接至電漿產生箱64之底部上的RF電源供應器68，而且從底部上的分叉節點130劃分成二個主要分支電極134A及134B。主要分支電極134A及134B在其縱向方向上沿該等側壁之一(例如側壁72A)延伸，而且在電漿產生箱64之頂部上往回彎曲。接著，該等主要分支電極係連接至頂部上的一個電極，其在其縱向方向上沿另一側壁72B延伸，而且係在下端接地。
換言之，此修改具體實施例係從圖17B中所示的修改具體實施例更改，因此主要分支電極134A及134B係連接至電漿產生箱64之頂部上的一個電極。然而，此修改具體實施例亦能展現與圖17B中所示的修改具體實施例相同之種類的效應。
在圖17D中所示的第二十一修改具體實施例中，電極66亦包括沿該路徑的分叉節點130，二個主要分支電極從該節點分叉。明確而言，電極66係連接至電漿產生箱64之底部上的RF電源供應器68，而且從底部上的分叉節點130劃分成二個主要分支電極134A及134B。主要分支電極134A及134B在其縱向方向上沿個別側壁72A及72B分別延伸，而且係朝電漿產生箱64之頂部上的相對側分別往回彎曲。接著，二個主要電極134A及134B在其縱向方向上沿個別側壁72A及72B分別延伸，而且在下端加以接地。
換言之，一個主要分支電極134A沿一個側壁72A延伸，在頂部上轉回至相對側，並且沿另一側壁72B延伸以形成一個彎電極。另一主要分支電極134B沿另一側壁72B延伸，在頂部轉回至相對側，並且沿側壁72A延伸以形成一個彎電極。主要分支電極134A及134B係連接並在下端接地。
因此，該電極總體上轉二個彎。此修改具體實施例亦能展現與以上說明的第一具體實施例相同之效應。此外，因為增加沿電漿產生箱64設定的電極66之長度，所以可以增加電漿密度，以擴大電漿產生區域，並使電漿密度更均勻。
在圖18A中所示的第二十二修改具體實施例中，電極66亦包括沿該路徑的分叉節點130，二個主要分支電極從該節點分叉。明確而言，電極66係連接至電漿產生箱64之底部上的RF電源供應器68，而且從底部上的分叉節點130劃分成二個主要分支電極134A及134B。二個主要分支電極134A及134B在其縱向方向上沿個別側壁72A及72B分別延伸，而且係在電漿產生箱64之頂部上往回彎曲。接著，該等主要分支電極係連接至頂部上的一個電極，其在其縱向方向上沿背側壁73延伸，而且在下端加以接地。
換言之，電極66在側壁72A及72B周圍轉一個彎，而且測背側壁73轉半個彎。此修改具體實施例亦能展現與以上說明的第一具體實施例相同之效應。此外，因為增加沿電漿產生箱64設定的電極66之長度，所以可以增加電漿密度，以擴大電漿產生區域，並使電漿密度更均勻。
在圖18B中所示的第二十三修改具體實施例中，電極66亦包括沿該路徑的分叉節點130，二個主要分支電極從該節點分叉。明確而言，電極66係連接至電漿產生箱64之底部上的RF電源供應器68，而且從底部上的分叉節點130劃分成二個主要分支電極134A及134B。二個主要分支電極134A及134B在其縱向方向上沿個別側壁72A及72B分別延伸，而且係在電漿產生箱64之頂部上分別接地，同時其係與側壁72A及72B分離。
如以上說明，二個主要分支電極134A及134B在其縱向方向上沿個別側壁72A及72B分別延伸。此修改具體實施例亦能展現與圖2中所示的第一具體實施例相同之效應。此外，因為RF電流在相同方向上流經二個主要分支電極134A及134B，所以減弱二個主要分支電極134A與134B之間的電容耦合。
在圖18C中所示的第二十四修改具體實施例中，電極66亦包括沿該路徑的分叉節點130，二個主要分支電極從該節點分叉。明確而言，電極66係連接至電漿產生箱64之底部上的RF電源供應器68，而且從底部上的分叉節點130劃分成二個主要分支電極134A及134B。主要分支電極134A及134B在其縱向方向上沿該等側壁之一(例如側壁72B)延伸，而其係彼此分離一預定距離L6。主要分支電極134A及134B係在側壁72A之頂部上往回彎曲以與側壁72A分離，而且向下延伸至接地部分。
如以上說明，二個主要分支電極134A及134B在其縱向方向上沿該等側壁之一(例如側壁72A)彼此平行地延伸，其中兩者之間具有距離L6。在此情況下，距離L6係設定為(例如)約10至40mm。
此修改具體實施例亦能展現與以上說明的第一具體實施例相同之種類的效應。此外，因為增加沿電漿產生箱64設定的電極66之長度，所以可以增加電漿密度，以擴大電漿產生區域，並使電漿密度更均勻。此外，如在圖18B中所示的修改具體實施例中一樣，二個主要分支電極134A與134B之間的電容耦合會減弱。
<第二十五修改具體實施例>
接著，提供第二十五修改具體實施例之解釋。圖19係顯示依據第二十五修改具體實施例的一裝置之主要部分的示意圖。在第二十五修改具體實施例中，電極66在相對側壁72A及72B周圍轉一個彎，而且具有一彎曲形狀。電極部分經彎曲用以朝製程容器14之中心(參見圖2)在垂直方向上在對應於電漿產生箱64之中心的部分X1處凸出最多。
換言之，此一個彎電極66係隨(例如)圓弧彎曲，因此縱向方向上的電極66之中心部分X1係最接近於晶圓W而且電極66之上及下側係離晶圓W最遠。
此修改具體實施例亦能展現與圖2及3中所示的第一具體實施例相同之效應。當在電漿產生箱64內產生電漿時，電漿密度趨向於在箱64內的頂部及底部附近為較高，從該頂部及底部電漿可達到晶圓並引起電漿損壞。在將電極66之上及下側設定為離晶圓W更遠時，預防產生的電漿達到該等晶圓，因此晶圓遭受電漿損壞之可能性能為較低。此外，因此能在電漿產生箱64內在垂直方向上均勻地產生電漿。
<第二十六修改具體實施例>
接著，提供第二十六修改具體實施例之解釋。圖20係顯示依據第二十六修改具體實施例的一裝置之主要部分的示意圖。在第二十六修改具體實施例中，電極66包括在其縱向方向上在相對側壁72A及72B周圍轉一個彎的一主要電極120。複數個旁通電極136透過背側壁73在相對側壁72A及72B之寬度方向上從主要電極120延伸，以便將沿相對側壁72A及72B的主要電極66之部分彼此連接。
此修改具體實施例係類似於圖12A或12B中所示的修改具體實施例。能藉由適當地選擇旁通電極136之節距P2來控制電漿產生箱64內的電漿密度。
此修改具體實施例亦能展現與以上說明的第一具體實施例相同之效應。此外，因為增加沿電漿產生箱64設定的電極66之長度，所以可以增加電漿密度，以擴大電漿產生區域，並使電漿密度更均勻。
<第二十七修改具體實施例>
接著，提供第二十七修改具體實施例之解釋。圖21係顯示依據第二十七修改具體實施例的一裝置之主要部分的示意圖。在第二十七修改具體實施例中，電極66包括一主要電極120，其係連接至電漿產生箱64之底部上的一RF電源供應器68而且在其縱向方向上沿背側壁73延伸。主要電極120係連接至延伸至相對側壁72A及72B以形成迴路的複數個迴路電極138。電極66進一步包括主要分支電極134A及134B，其在電漿產生箱64之頂部上分叉而且在其縱向方向上沿個別側壁72A及72B分別延伸至接地部分。此修改具體實施例能展現與包括圖20中所示的複數個旁通電極136之第二十六修改具體實施例相同之種類的效應。
<第二十八修改具體實施例>
接著，提供第二十八修改具體實施例之解釋。圖22係顯示依據第二十八修改具體實施例的一裝置之主要部分的示意圖。在第二十八修改具體實施例中，使用二個RF電源供應器68(68A及68B)以及二個電極66(66A及66B)。二個電極66A及66B之一電極66A在其縱向方向上沿相對側壁72A及72B之一(例如側壁72A)延伸。電極66A之下端係連接至二個RF電源供應器68A及68B(例如RF電源供應器68A)，而且其上端加以接地。另一電極66B在其縱向方向上沿另一側壁72B延伸。電極66B之上端係連接至另一RF電源供應器68B而且其下端加以接地。換言之，電極66A及66B沿相對側壁72A及72B分別轉半個彎，而且係在垂直方向上的相對側(即，下及上側)上分別連接至RF電源供應器68A及68B。此修改具體實施例亦能展現與以上說明的第一具體實施例相同之種類的效應。此外，因為使用二個RF電源供應器68A及68B，所以能應用具有較高功率位準的RF功率。
<第二十九修改具體實施例>
接著，提供第二十九修改具體實施例之解釋。圖23係顯示依據第二十九修改具體實施例的一裝置之主要部分的示意圖。在第二十九修改具體實施例中，電極66具備沿縱向方向上的路徑之一電容器140。明確而言，如圖2及3中所示之電極66中一樣，轉一個彎的電極66在電極66之往回彎曲位置處(即電極66在縱向方向上的中點處)具備電容器140。
此修改具體實施例亦能展現與圖2及3中所示的第一具體實施例相同之種類的效應。因此，因為電極66具備沿該路徑的電容器140，所以能調整RF電壓與電流之間的相位差異以在兩者之間形成90度的相位差異。採用此電路配置，電容耦合會減弱。
使一電極具備沿該路徑的一電容器140可應用於上說明的第一具體實施例及第一至二十八修改具體實施例中的主要電極120、寬電極128及主要分支電極134A及134B之每一者，因此該電極在該電極於縱向方向上的中點附近具備一電容器140。
<第三十至第三十二修改具體實施例>
接著，提供第三十至第三十二修改具體實施例之解釋。圖24A至24C係顯示依據第三十至第三十二修改具體實施例之裝置的主要部分之示意圖，該等裝置包括在一平面上形成一螺旋圖案的螺旋型電極。圖24A顯示第三十修改具體實施例，圖24B顯示第三十一修改具體實施例，以及圖24C顯示第三十二修改具體實施例。
在圖24A中所示的第三十修改具體實施例中，電極66包含形成一螺旋圖案的螺旋電極142。明確而言，沿相對側壁72A及72B之一(例如72A)配置螺旋電極142。
螺旋電極142在側壁72A之中心處開始並且逐漸向外繞以形成一螺旋圖案。在此情況下，該螺旋圖案並非圓的而為依據側壁72A之矩形形狀的矩形。該螺旋圖案的中心係連接至RF電源供應器68而且該螺旋圖案之外端加以接地。螺旋電極142係本質上出現在整個側壁72A之上。
此修改具體實施例亦能展現與以上說明的第一具體實施例相同之種類的效應。此外，因為增加沿電漿產生箱64設定的電極66之長度，所以可以增加電漿密度，以擴大電漿產生區域，並使電漿密度更均勻。
在圖24B中所示的第三十一修改具體實施例中，電極66亦包含形成一螺旋圖案的螺旋電極142。明確而言，電漿產生箱64具有在一截面中如此成形的一彎曲表面，而且沿該彎曲表面配置螺旋電極142。電漿產生箱64已加以製備成具有一外表面作為彎曲表面144，其截面係彎曲的(例如)以在一截面中形成一圓弧，如在此具體實施例中一樣。沿彎曲表面144配置的螺旋電極142係類型於圖24A中所示的電極。此修改具體實施例亦能展現與圖24A中所示的修改具體實施例相同之效應。
在圖24C中所示的第三十二修改具體實施例中，電極66亦包含形成一螺旋圖案的螺旋電極142。明確而言，電漿產生箱64具有在截面中如此成形的彎曲表面。電極66係在彎曲表面之中心處連接至一RF電源供應器68並且係在此中心處劃分成二個螺旋電極142，其在相同方向上繞以形成螺旋圖案。
如在圖24B中所示的修改具體實施例中一樣，電漿產生箱64已加以製備成具有一外表面作為彎曲表面144，其截面係彎曲的(例如)以在一截面中形成圓弧，如在此具體實施例中一樣。二個螺旋電極142形成沿彎曲表面144的矩形螺旋圖案。二個螺旋電極142之外端分別加以接地。
此修改具體實施例亦能展現與以上說明的第一具體實施例相同之種類的效應。此外，因為增加沿電漿產生箱64設定的電極66之長度，所以可以增加電漿密度，以擴大電漿產生區域，並使電漿密度更均勻。
在以上說明的具體實施例中，電漿處理係藉由電漿ALD類型之膜形成製程例證。或者，本發明可應用於使用電漿的製程之任一者，例如電漿CVD製程、電漿再形成製程、電漿氧化/擴散製程、電漿噴濺製程或電漿氮化製程。
在以上說明的具體實施例中，目標物體係由半導體晶圓例證。或者，本發明可應用於另一目標物體，例如玻璃基板、LCD基板或陶瓷基板。
依據以上說明的具體實施例，提供如下加以配置的一裝置。
[1]一種對複數個目標物體實行電漿處理的電漿處理裝置，該裝置包含：一圓筒形製程容器，其經組態用以進行真空排氣；一固持器，其經組態用以支撐該等目標物體並載入至該製程容器而且從其卸載；一氣體供應系統，其經組態用以供應一氣體至該製程容器；以及一活化機構，其經組態用以藉由電漿活化該氣體，其中該活化機構包括沿其縱向方向配置在該製程容器上的一電漿產生箱、提供給該電漿產生箱的一ICP電極、以及連接至該ICP電極的一RF電源供應器。
[2]根據[1]之裝置，其中該氣體供應系統包含經組態用以供應該氣體並配置在該電漿產生箱內的一氣體噴嘴。
[3]根據[1]及[2]中任一項之裝置，其中該電漿產生箱係配置在製程容器外並且沿該製程容器之一側壁。
[4]根據[1]及[2]中任一項之裝置，其中該電漿產生箱係配置在製程容器內並且沿該製程容器之一側壁。
[5]根據[1]至[4]中任一項之裝置，其中該RF電源供應器係設定為具有在4MHz至27.12MHz之範圍內的一RF電源供應器。
[6]根據[1]至[5]中任一項之裝置，其中一靜電屏蔽係插入在該電漿產生箱與該電極之間。
[7]根據[1]至[6]中任一項之裝置，其中該電極沿該電漿產生箱之一側表面延伸。
[8]根據[1]至[6]中任一項之裝置，其中該電極沿該電漿產生箱之相對側表面延伸，同時在該電漿產生箱之一端處往回彎曲。
[9]根據[1]至[6]中任一項之裝置，其中該電極在該電漿產生箱之一或多個側壁周圍轉半個彎、一個彎或複數個彎。
[10]根據[1]至[6]中任一項之裝置，其中該電漿產生箱係藉由具有一U形截面的一蓋形成，該電漿產生箱包括一對側壁以及連接該等側壁之端的一背側壁。
[11]根據[10]之裝置，其中該電極具有在複數個位置處彎曲的一曲折形狀。
[12]根據[11]之裝置，其中該電極在其隨交替地面對相對側之圓弧曲折的同時在其縱向方向上沿該等側壁延伸以形成曲折形狀。
[13]根據[11]之裝置，其中該電極藉由重複此外形而形成該曲折形狀，因此該電極透過該背側壁從該等相對側壁之一延伸至另一側壁，接著，該電極係沿此後者側壁彎曲而且透過該背側壁從此側壁往回彎曲至前者側壁，而且再接著該電極係沿此前者側壁彎曲並且係從此側壁再次往回彎曲。
[14]根據[11]之裝置，其中該電極藉由重複此外形而形成該曲折形狀，因此該電極透過該背側壁從該等相對側壁之一延伸至另一側壁，接著，該電極係沿此後者側壁隨較小折疊寬度彎曲而且透過該背側壁從此側壁往回彎曲至前者側壁，而且再接著，該電極係沿此前者側壁隨較大折疊寬度彎曲並且係從此側壁再次往回彎曲，同時從該等相對側壁之每一者至另一者實行此外形。
[15]根據[11]之裝置，其中該電極形成該曲折形狀，因此該電極從該等背側壁之一端延伸至該等相對側壁之一，而且係沿此前者側壁彎曲並且係往回彎曲至該背側壁，而且接著，該電極係沿該背側壁彎曲並再次往回彎曲至前者側壁，而此外形係向上重複至該背側壁之另一端；而且再接著，該電極從該背側壁之另一端延伸至另一側壁，並且係沿此後側壁彎曲而且係再次往回彎曲至後者側壁，同時此外形係向下重複至該背側壁之第一端。
[16]根據[10]之裝置，其中該電極包含在其縱向方向上在該等側壁周圍轉一個彎的一主要電極以及沿該等相對側壁從該主要電極分支並朝該背側壁延伸的複數個分支電極。
[17]根據[16]之裝置，其中沿該等相對側壁的該等分支電極透過該等相對側壁彼此面對並延伸至遠端處的該背側壁。
[18]根據[17]之裝置，其中交替地排列自一側壁的分支電極以及自另一側壁的分支電極，而且該等分支電極透過該背側壁從該等側壁之每一者延伸至遠端處的該等側壁之另一者。
[19]根據[16]之裝置，其中該電極包含在其縱向方向上沿該背側壁轉一個彎的一主要電極以及從該主要電極分支並朝該等相對側壁延伸的複數個分支電極。
[20]根據[10]之裝置，其中該電極包含串聯連接的複數個部分開放環電極。
[21]根據[20]之裝置，其中該電極包含在其縱向方向上在一直線上沿該等相對側壁排列的複數個部分開放環電極，以及從該等側壁分離地配置並連接在一陣列方向上彼此鄰近的該等環電極之端的連接器電極，因此該等環電極係總體上串聯連接。
[22]根據[20]之裝置，其中該電極包含在其縱向方向上沿該背側壁排列的複數個部分開放環電極，以及從該背側壁分離地配置並連接在一陣列方向上彼此鄰近的該等環電極之端的連接器電極，因此該等環電極係總體上串聯連接。
[23]根據[10]之裝置，其中該電極在該等相對側壁之縱向方向上轉二個圈。
[24]根據[23]之裝置，其中該電極係在其縱向方向上在該等相對側壁周圍繞以轉二個圈。
[25]根據[23]之裝置，其中該電極在其縱向方向上沿相對側壁之一轉一個圈，而電極部分係彼此分離，並接著，該電極在其縱方向上沿其他側壁轉一個圈，而電極部分係彼此分離，以便總體上轉二個圈。
[26]根據[10]之裝置，其中該電極在該等相對側壁周圍轉一個彎，而且電極部分係彎曲以朝該製程容器之中心在垂直方向上在對應於該電漿產生箱之中心的一部分處凸出最多。
[27]根據[10]之裝置，其中沿該等側壁之僅一個配置該電極。
[28]根據[27]之裝置，其中該電極在其縱向方向上沿該等相對側之一轉半一個彎，而該電極係在下端處連接至該RF電源供應器並在上端處接地。
[29]根據[27]之裝置，其中該電極在其縱向方向上沿該等相對側壁之一轉一個圈。
[30]根據[27]之裝置，其中該電極在其縱向方向上沿該等相對側之一轉半一個彎，而該電極係在下端處連接至該RF電源供應器，並且係在另一端向下往回彎曲以與該側壁分離而且加以接地。
[31]根據[10]之裝置，其中該電極包含具有一預定寬度之一寬電極。
[32]根據[31]之裝置，其中寬電極在其縱向方向上在該等相對側壁周圍轉一個彎。
[33]根據[31]之裝置，其中該電極包含沿該等相對側壁之一延伸的一主要電極以及在其縱向方向上沿另一側壁延伸的一寬電極，而該主要電極及該寬電極係在一上端處彼此連接。
[34]根據[33]之裝置，其中該寬電極係在一下端接地。
[35]根據[31]之裝置，其中該電極包含在其縱向方向上沿該等相對側壁之一延伸的一主要電極以及在其縱向方向上沿另一側壁延伸的用於接地之一寬電極，而該主要電極以及用於接地之該寬電極係彼此電分離。
[36]根據[32]至[35]中任一項之裝置，其中該寬電極包含一金屬板、金屬穿孔板或金屬網。
[37]根據[10]之裝置，其中該電極包含一分叉節點，二個主要分支電極從該分叉節點分叉。
[38]根據[37]之裝置，其中該電極係在該等相對側壁之一之縱向方向上連接至一中心處的該RF電源供應器，而且包括此中心處的分叉節點，該電極係從該分叉節點劃分成向上延伸的一主要分支電極以及向下延伸的一主要分支電極，其係朝另一側壁往回彎曲而且係在另一側壁之縱向方向上在一中心處彼此連接。
[39]根據[37]之裝置，其中該電極係連接至該電漿產生箱之一底部上的該RF電源供應器，而且係從該底部上的分叉節點處劃分成二個主要分支電極，因此該等主要分支電極在其縱向方向上沿該等側壁之一延伸，而且係在該電漿產生箱之頂部上往回彎曲，並且接著，該等主要分支電極在其縱向方向上沿另一側壁延伸而且在一下端加以接地。
[40]根據[37]之裝置，其中該電極係連接至該電漿產生箱之一底部上的該RF電源供應器，而且係從該底部上的分叉節點處劃分成二個主要分支電極，因此該等主要分支電極在其縱向方向上沿該等側壁之一延伸，而且係在該電漿產生箱之頂部上往回彎曲，並且接著，該等主要分支電極係連接至頂部上的一個電極，其在其縱向方向上沿另一側壁延伸而且在一下端加以接地。
[41]根據[37]之裝置，其中該電極係連接至該電漿產生箱之一底部上的該RF電源供應器，而且係從該底部上的分叉節點處劃分成二個主要分支電極，因此二個主要分支電極在其縱向方向上分別沿個別側壁分別延伸，而且係在該電漿產生箱之頂部上朝該等相對側分別往回彎曲，並且接著，二個主要分支電極在其縱向方向上沿個別側壁分別延伸，而且在一下端加以接地。
[42]根據[37]之裝置，其中該電極係連接至該電漿產生箱之一底部上的該RF電源供應器，而且係從該底部上的分叉節點處劃分成二個主要分支電極，因此二個主要分支電極在其縱向方向上沿個別側壁分別延伸，而且係在該電漿產生箱之頂部上往回彎曲，並且接著，該等主要分支電極係連接至頂部上的一個電極，其在其縱向方向上沿該背側壁延伸而且在一下端加以接地。
[43]根據[37]之裝置，其中該電極係連接至該電漿產生箱之一底部上的該RF電源供應器，而且係從該底部上的分叉節點劃分成二個主要分支電極，因此二個主要分支電極在其縱向方向上沿個別側壁分別延伸，而且係在與該等側壁分離的同時在該電漿產生箱之頂部上分別接地。
[44]根據[37]之裝置，其中該電極係連接至該電漿產生箱之一底部上的該RF電源供應器，而且係從該底部上的分叉節點處劃分成二個主要分支電極，因此該等主要分支電極在其縱向方向上沿該等側壁之一延伸，同時係彼此分離一預定距離，並且接著，該等主要分支電極係在該等側壁之一頂部上向外往回彎曲以與該等側壁分離，而且向下延伸至一接地部分。
[45]根據[10]之裝置，其中該電極包含在其縱向方向上在該等相對側壁周圍轉一個彎的一主要電極以及透過該背側壁在該等相對側壁之一寬度方向上從該主要電極延伸的複數個旁通電極，以便將沿該等相對側壁的該主要電極之部分彼此連接。
[46]根據[10]之裝置，其中該電極包括一主要電極，其係連接至該電漿產生箱之一底部上的該RF電源供應器，在其縱向方向上沿該背側壁延伸，並且連接至延伸至該等相對側壁以形成迴路的複數個迴路電極；以及主要分支電極，其在該電漿產生箱之一頂部上分支而且在其縱向方向上沿個別側壁分別延伸至一接地部分。
[47]根據[10]之裝置，其中該電極包含形成一螺旋圖案的一螺旋電極。
[48]根據[47]之裝置，其中沿該等側壁之僅一個配置該螺旋電極。
[49]根據[47]之裝置，其中該電漿產生箱具有在一截面上如此成形的一彎曲表面，而且沿該彎曲表面配置該螺旋電極。
[50]根據[47]之裝置，其中該電漿產生箱具有在一截面上如此成形的一彎曲表面，而且該電極係連接至該彎曲表面之一中心處的該RF電源供應器，並且係在該中心處劃分成二個螺旋電極，其在相同方向上繞以形成螺旋圖案。
[51]根據[10]之裝置，其中配置二個RF電源供應器以及二個電極，因此該二個電極之一在其縱向方向上沿該等相對側壁之一延伸，而其一下端係連接至該二個RF電源供應器之一並且其一上端加以接地；而且另一電極在其縱向方向上沿另一側壁延伸，而其一上端係連接至另一RF電源供應器並且其一下端加以接地。
[52]根據[10]至[51]中任一項之裝置，其中該電極具備其縱向方向上沿其路徑的一電容器。
[53]根據[10]至[51]中任一項之裝置，其中離該等目標物體最近的該電極之一部分係遠離該目標物體40mm或更大之一距離。
[54]根據[1]至[53]中任一項之裝置，其中將一加熱器配置在該製程容器周圍以加熱該等目標物體。
熟習技術人士將輕易地瞭解額外優點及修改。因此，本發明在其較廣態樣在並不限於本文中所示及說明的特定詳細及代表性具體實施例。因此，可進行各種修改而不脫離如藉由隨附申請專利範圍及其等效物所定義的一般發明概念之精神或範疇。
2．．．製程容器
4．．．電漿產生箱
5．．．氣體噴嘴
6．．．電漿電極
8．．．RF電源供應器
12．．．裝置
14．．．製程容器
15．．．製程場
16．．．頂部板
18．．．圓筒歧管
20．．．密封部件
22．．．晶圓舟
22A．．．支柱
24．．．圓柱體
26．．．台
28．．．蓋子
30．．．旋轉軸
32．．．密封件
34．．．密封部件
35．．．提升機構
36．．．臂
38．．．第二製程氣體供應電路
38S．．．氣體來源
40．．．第一製程氣體供應電路
40S．．．氣體來源
42．．．沖洗氣體供應電路
42S．．．氣體來源
44．．．噴嘴
44A．．．氣體噴射孔
46．．．噴嘴
46A．．．氣體噴射孔
48．．．噴嘴
52．．．氣體供應線
52A．．．切換閘
52B．．．流量控制器
54．．．氣體供應線
54A．．．切換閘
54B．．．流量控制器
56．．．氣體供應線
56A．．．切換閘
56B．．．流量控制器
60．．．活化機構
62．．．排氣埠
64．．．電漿產生箱
66．．．ICP電極
66A．．．電極
66B．．．電極
68．．．電源供應器
68A．．．電源供應器
68B．．．電源供應器
70．．．開口
72．．．蓋
72A．．．側壁
72B．．．側壁
73．．．背側壁
74．．．匹配電路
76．．．電饋送線
78．．．調整信號
80．．．排氣埠覆蓋部件
82．．．氣體出口
84．．．加熱器
86．．．控制區段
88．．．儲存區段
90．．．中心軸
92．．．縫
94．．．電漿產生箱
96．．．石英凸出管
100．．．靜電屏蔽
102．．．絕緣板
104．．．開口縫
106．．．桿狀電極
106A．．．桿狀電極
106B．．．桿狀電極
106C．．．桿狀電極
110．．．區域
112．．．接地部分
114．．．箭頭
120．．．主要電極
122．．．分支電極
124．．．環電極
126．．．連接器電極
128．．．寬電極
130．．．分叉節點
134A．．．主要分支電極
134B．．．主要分支電極
136．．．旁通電極
138．．．迴路電極
140．．．電容器
142．．．螺旋電極
144．．．彎曲表面
GE．．．真空排氣系統
W．．．晶圓
X1．．．部分
併入該說明書中並構成其一部分的附圖解說本發明之具體實施例，而且與以上提供的一般說明以及以上提供的具體實施例之詳細說明一起用以解釋本發明之原理。
圖1係依據本發明之第一具體實施例的垂直電漿處理裝置之截面正視圖；
圖2係顯示圖1中所示的裝置之部分(不包括加熱器)的截面圖；
圖3係主要顯示圖1中所示之裝置中使用的一ICP電極(其在上文意指形成用於產生電感耦合電漿的電感磁場之一電極)之示意透視圖；
圖4係顯示包括該ICP電極的一電路之方塊圖；
圖5A及5B係分別顯示電漿產生箱中的電流分配狀態之視圖；
圖6係顯示沿電漿產生箱之僅一側轉半個彎的一電極之示意圖；
圖7係顯示具備一製程容器內的一電漿產生箱之該製程容器的截面平面圖；
圖8係顯示用於圖7中所示的電漿產生箱之一ICP電極的透視圖；
圖9A至9C係分別顯示具備一靜電屏蔽的一電漿產生箱之部分的放大視圖；
圖10A及10B係顯示依據本發明之一第一修改具體實施例的一裝置之一主要部分的示意圖；
圖11A至11D係顯示依據本發明之一第二至第四修改具體實施例的裝置之主要部分的示意圖；
圖12A至12C係顯示依據本發明之一第五至第七修改具體實施例的裝置之主要部分的示意圖；
圖13A及13B係顯示依據本發明之一第八節及第九修改具體實施例的裝置之主要部分的示意圖；
圖14A及14B係顯示依據本發明之一第十節及第十一修改具體實施例的裝置之主要部分的示意圖；
圖15A至15C係顯示依據本發明之一第十二至第十四修改具體實施例的裝置之主要部分的示意圖；
圖16A至16C係顯示依據本發明之一第十五至第十七修改具體實施例的裝置之主要部分的示意圖；
圖17A至17D係顯示依據本發明之第十八至第二十一修改具體實施例的裝置之主要部分的示意圖；
圖18A至18C係顯示依據本發明之第二十二至第二十四修改具體實施例的裝置之主要部分的示意圖；
圖19係顯示依據本發明之第二十五修改具體實施例的一裝置之一主要部分的示意圖；
圖20係顯示依據本發明之第二十六修改具體實施例的一裝置之一主要部分的示意圖；
圖21係顯示依據本發明之第二十七修改具體實施例的一裝置之一主要部分的示意圖；
圖22係顯示依據本發明之第二十八修改具體實施例的一裝置之一主要部分的示意圖；
圖23係顯示依據本發明之第二十九修改具體實施例的一裝置之一主要部分的示意圖；
圖24A至24C係顯示依據本發明之第三十至第三十二修改具體實施例的裝置之主要部分的示意圖；
圖25係示意性地顯示傳統上使用的一垂直電漿處理裝置的視圖；以及
圖26係顯示圖25中所示之裝置中使用的一電漿箱之部分的截面圖。
12．．．裝置
14．．．製程容器
15．．．製程場
16．．．頂部板
18．．．圓筒歧管
20．．．密封部件
22．．．晶圓舟
22A．．．支柱
24．．．圓柱體
26．．．台
28．．．蓋子
30．．．旋轉軸
32．．．密封件
34．．．密封部件
35．．．提升機構
36．．．臂
38．．．第二製程氣體供應電路
38S．．．氣體來源
40．．．第一製程氣體供應電路
40S．．．氣體來源
42．．．沖洗氣體供應電路
42S．．．氣體來源
44．．．噴嘴
44A．．．氣體噴射孔
46．．．噴嘴
46A．．．氣體噴射孔
48．．．噴嘴
52．．．氣體供應線
52A．．．切換閘
52B．．．流量控制器
54．．．氣體供應線
54A．．．切換閘
54B．．．流量控制器
56．．．氣體供應線
56A．．．切換閘
56B．．．流量控制器
60．．．活化機構
64．．．電漿產生箱
66．．．ICP電極
68．．．電源供應器
70．．．開口
72．．．蓋
82．．．氣體出口
84．．．加熱器
86．．．控制區段
88．．．儲存區段

Claims (17)

  1. 一種垂直電漿處理裝置，其係每次對複數個目標物體一起實行電漿處理者且包含：一垂直細長製程容器，其具有經組態以容納該等目標物體並被設定在氣密狀態中的一製程場；一固持器，其經組態以在該製程場內部於一垂直方向上以具有一預定垂直長度之固持跨距的間隔來堆疊支撐該等目標物體；一氣體供應系統，其經組態以供應一製程氣體至該製程容器中；一排氣系統，其經組態以從該製程容器內部排放氣體；以及一活化機構，其經組態用以將該製程氣體變成電漿；其中該活化機構包含一垂直細長電漿產生箱，其在一截面上具有一矩形形狀，該電漿產生箱附接於該製程容器外部、完全在該製程場上方垂直地延伸，且界定與該製程場氣密地連通之一電漿產生區域，使得該電漿產生箱包括：一開口，其具有完全在該固持跨距上方之一垂直長度且將該電漿產生區域連接至該製程場；第一側壁及第二側壁，其在一徑向方向上從該製程容器向外延伸並且在該開口之一側一個地彼此面對；及一背側壁，其將該第一側壁及該第二側壁之外端彼此連接，一ICP(電感耦合電漿)電極，其係提供給該電漿產生箱，以在該電漿產生區域中產生該製程氣體之電感耦合電 漿，該ICP電極為在一垂直方向上延伸且在複數個位置處彎曲以分別沿著該第一側壁及該第二側壁外部完全在該固持跨距上方垂直地形成第一曲折部分及第二曲折部分的一電極帶，且該電極帶包括在該電漿產生箱之一垂直末端處將該第一曲折部分及該第二曲折部分彼此連接的一往回彎曲部分且進一步包括在該電漿產生箱之另一垂直末端處分別連接至該第一曲折部分及該第二曲折部分之第一端子末端及第二端子末端以及一RF(射頻)電源供應器，其經由一電饋送電路連接至該ICP電極且經組態以在該第一端子末端及該第二端子末端上施加一RF電力，且其中該氣體供應系統經組態以直接在該電漿產生箱內部最深位置遞送該製程氣體，以便經由該電漿產生箱內部之對應於該ICP電極的一位置將該製程氣體供應至該製程場。
  2. 如請求項1之裝置，其中該ICP電極配置成在一最近位置處遠離該固持器上之該等目標物體達40mm以上之一長度。
  3. 如請求項1之裝置，其中該第一曲折部分及該第二曲折部分係由在一垂直方向上彼此連接且面向交替面對相對側之圓弧所形成。
  4. 如請求項3之裝置，其中該等圓弧實質上具有一恆定的半徑。
  5. 如請求項4之裝置，其中該等圓弧中之每一者係由自具有該半徑之一圓以π/2至3π/2之一角度切出的一圓弧所形 成。
  6. 如請求項4之裝置，其中該ICP電極之該電極帶具有2mm至10mm之一寬度及用以形成該等圓弧之曲折部。
  7. 如請求項4之裝置，其中該半徑為5mm至50mm。
  8. 如請求項3之裝置，其中該第一曲折部分及該第二曲折部分使該電極帶之彎曲方向在對應高度處彼此相反。
  9. 如請求項1之裝置，其中該第一曲折部分及該第二曲折部分係由在一垂直方向上彼此連接且交替面對相對側之圓弧所形成，且該第一曲折部分及該第二曲折部分形成相對於其間之一中間部分實質上對稱的一形狀。
  10. 如請求項9之裝置，其中該第一曲折部分及該第二曲折部分使該電極帶之彎曲方向在對應高度處彼此相反，使得定位於相同高度處之該第一曲折部分及該第二曲折部分的每一對反向圓弧界定一圓形區域以提供一高密度電漿區域。
  11. 如請求項1之裝置，其中該電饋送電路包括配置於該ICP電極與該RF電源供應器之間且經組態以執行阻抗匹配的一匹配電路部分。
  12. 如請求項1之裝置，其中一靜電屏蔽係挿入於該電漿產生箱與該ICP電極之間，且包括與該ICP電極絕緣並接地之一導電體。
  13. 如請求項12之裝置，其中該靜電屏蔽包括在插入於該電漿產生箱與該ICP電極之間的該靜電屏蔽之一部分中形成的複數個縫。
  14. 如請求項12之裝置，其中該靜電屏蔽件包括介入於該電漿產生箱與該ICP電極之間的複數個桿狀電極。
  15. 如請求項1之裝置，其中該氣體供應系統包括一氣體分配噴嘴，其配置於該電漿產生箱內部比對應於該ICP電極之一位置更遠離該開口的一位置處，且該氣體分配噴嘴包括形成於其上以朝向該製程場橫向地噴出該製程氣體之複數個噴射孔。
  16. 如請求項1之裝置，其中該RF電源具有在4MHz至27.12MHz之一範圍內的一頻率。
  17. 如請求項1之裝置，其中該裝置經組態以執行一膜形成製程，且該氣體供應系統經組態以將一含矽氣體及一反應性氣體供應至該製程場中，以將該含矽氣體不經由該電漿產生區域供應至該製程場中且將該反應性氣體經由該電漿產生區域供應至該製程場中，該反應性氣體為該製程氣體且由一氮化氣體或一氧化氣體組成。
TW097132568A 2007-08-31 2008-08-26 電漿處理裝置 TWI423328B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007227005 2007-08-31
JP2008203574A JP5098882B2 (ja) 2007-08-31 2008-08-06 プラズマ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200931519A TW200931519A (en) 2009-07-16
TWI423328B true TWI423328B (zh) 2014-01-11

Family

ID=40421482

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097132568A TWI423328B (zh) 2007-08-31 2008-08-26 電漿處理裝置

Country Status (4)

Country Link
JP (2) JP5098882B2 (zh)
KR (1) KR101161911B1 (zh)
CN (3) CN102163530B (zh)
TW (1) TWI423328B (zh)

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010212321A (ja) * 2009-03-09 2010-09-24 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
WO2011108219A1 (ja) * 2010-03-03 2011-09-09 三井造船株式会社 薄膜形成装置
US9257274B2 (en) 2010-04-15 2016-02-09 Lam Research Corporation Gapfill of variable aspect ratio features with a composite PEALD and PECVD method
US9892917B2 (en) 2010-04-15 2018-02-13 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition of multi-layer films for patterning applications
US9373500B2 (en) 2014-02-21 2016-06-21 Lam Research Corporation Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications
US9287113B2 (en) 2012-11-08 2016-03-15 Novellus Systems, Inc. Methods for depositing films on sensitive substrates
US8637411B2 (en) 2010-04-15 2014-01-28 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
US9997357B2 (en) 2010-04-15 2018-06-12 Lam Research Corporation Capped ALD films for doping fin-shaped channel regions of 3-D IC transistors
US9611544B2 (en) 2010-04-15 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Plasma activated conformal dielectric film deposition
CN102345111B (zh) * 2010-07-29 2015-03-04 东京毅力科创株式会社 成膜方法和成膜装置
US9685320B2 (en) 2010-09-23 2017-06-20 Lam Research Corporation Methods for depositing silicon oxide
KR101492175B1 (ko) * 2011-05-03 2015-02-10 주식회사 엘지화학 양극 활물질 입자의 표면 처리 방법 및 이로부터 형성된 양극 활물질 입자
JP5870568B2 (ja) 2011-05-12 2016-03-01 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、プラズマ処理装置、成膜方法及び記憶媒体
KR101371435B1 (ko) * 2012-01-04 2014-03-12 주식회사 유진테크 처리유닛을 포함하는 기판 처리 장치
US8592328B2 (en) * 2012-01-20 2013-11-26 Novellus Systems, Inc. Method for depositing a chlorine-free conformal sin film
US8728955B2 (en) * 2012-02-14 2014-05-20 Novellus Systems, Inc. Method of plasma activated deposition of a conformal film on a substrate surface
CN103243310B (zh) * 2012-02-14 2017-04-12 诺发系统公司 在衬底表面上的等离子体激活的保形膜沉积的方法
JP6051788B2 (ja) * 2012-11-05 2016-12-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ発生装置
JP5939147B2 (ja) 2012-12-14 2016-06-22 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置及び成膜方法
JP6011420B2 (ja) 2013-03-29 2016-10-19 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置の運転方法、縦型熱処理装置及び記憶媒体
JP6126475B2 (ja) * 2013-07-02 2017-05-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6113626B2 (ja) 2013-10-21 2017-04-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN103607836A (zh) * 2013-11-27 2014-02-26 苏州市奥普斯等离子体科技有限公司 一种新型等离子体处理装置
CN103594317A (zh) * 2013-11-27 2014-02-19 苏州市奥普斯等离子体科技有限公司 一种改进型粉体材料表面等离子体处理装置
US9583337B2 (en) * 2014-03-26 2017-02-28 Ultratech, Inc. Oxygen radical enhanced atomic-layer deposition using ozone plasma
KR101588609B1 (ko) * 2014-06-16 2016-01-27 주식회사 윈텔 플라즈마 발생 장치
US9589790B2 (en) 2014-11-24 2017-03-07 Lam Research Corporation Method of depositing ammonia free and chlorine free conformal silicon nitride film
US9564312B2 (en) 2014-11-24 2017-02-07 Lam Research Corporation Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films
US10566187B2 (en) 2015-03-20 2020-02-18 Lam Research Corporation Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control
JP5977853B1 (ja) * 2015-03-20 2016-08-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体
US9502238B2 (en) 2015-04-03 2016-11-22 Lam Research Corporation Deposition of conformal films by atomic layer deposition and atomic layer etch
JP6515665B2 (ja) * 2015-05-07 2019-05-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US9601693B1 (en) 2015-09-24 2017-03-21 Lam Research Corporation Method for encapsulating a chalcogenide material
US10121655B2 (en) * 2015-11-20 2018-11-06 Applied Materials, Inc. Lateral plasma/radical source
US20170241019A1 (en) * 2016-02-22 2017-08-24 Ultratech, Inc. Pe-ald methods with reduced quartz-based contamination
US10328441B2 (en) * 2016-04-29 2019-06-25 Semes Co., Ltd. Nozzle unit and coating apparatus including the same
CN109479369B (zh) 2016-06-24 2021-01-15 Emd株式会社 等离子源以及等离子处理装置
US9773643B1 (en) 2016-06-30 2017-09-26 Lam Research Corporation Apparatus and method for deposition and etch in gap fill
US10062563B2 (en) 2016-07-01 2018-08-28 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition with post-dose treatment
US10629435B2 (en) 2016-07-29 2020-04-21 Lam Research Corporation Doped ALD films for semiconductor patterning applications
US10037884B2 (en) 2016-08-31 2018-07-31 Lam Research Corporation Selective atomic layer deposition for gapfill using sacrificial underlayer
US10074543B2 (en) 2016-08-31 2018-09-11 Lam Research Corporation High dry etch rate materials for semiconductor patterning applications
US9865455B1 (en) 2016-09-07 2018-01-09 Lam Research Corporation Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process
US10832908B2 (en) 2016-11-11 2020-11-10 Lam Research Corporation Self-aligned multi-patterning process flow with ALD gapfill spacer mask
US10454029B2 (en) 2016-11-11 2019-10-22 Lam Research Corporation Method for reducing the wet etch rate of a sin film without damaging the underlying substrate
US10134579B2 (en) 2016-11-14 2018-11-20 Lam Research Corporation Method for high modulus ALD SiO2 spacer
JP7071381B2 (ja) 2017-02-05 2022-05-18 レキスポルト アーゲー ポールハンドル
CN107527840B (zh) * 2017-08-18 2020-06-02 大连佳峰自动化股份有限公司 扇出型封装固化、钝化组合装置
US10269559B2 (en) 2017-09-13 2019-04-23 Lam Research Corporation Dielectric gapfill of high aspect ratio features utilizing a sacrificial etch cap layer
KR20200118504A (ko) 2018-03-02 2020-10-15 램 리써치 코포레이션 가수분해를 사용한 선택적인 증착
JP6552780B1 (ja) * 2018-03-22 2019-07-31 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び静電シールド
JP7140610B2 (ja) * 2018-09-06 2022-09-21 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置
JP6966402B2 (ja) * 2018-09-11 2021-11-17 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法および基板処理装置の電極
CN109640504B (zh) * 2018-12-14 2023-09-05 四川大学 一种多孔射流种植体活化亲水装置
JP6999596B2 (ja) * 2019-03-25 2022-01-18 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP6709478B1 (ja) * 2019-04-24 2020-06-17 株式会社プラズマイオンアシスト 誘導結合型アンテナユニット及びプラズマ処理装置
JP2023003828A (ja) * 2021-06-24 2023-01-17 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6087778A (en) * 1996-06-28 2000-07-11 Lam Research Corporation Scalable helicon wave plasma processing device with a non-cylindrical source chamber having a serpentine antenna
WO2006093136A1 (ja) * 2005-03-01 2006-09-08 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0660408B2 (ja) * 1988-12-16 1994-08-10 日電アネルバ株式会社 薄膜作製方法および装置
KR920014373A (ko) * 1990-12-03 1992-07-30 제임스 조렙 드롱 Vhf/uhf 공진 안테나 공급원을 사용하는 플라즈마 반응기 및 플라즈마를 발생시키는 방법
JPH06132276A (ja) * 1992-10-22 1994-05-13 Kawasaki Steel Corp 半導体膜形成方法
US5883016A (en) * 1994-06-08 1999-03-16 Northeastern University Apparatus and method for hydrogenating polysilicon thin film transistors by plasma immersion ion implantation
AU6405496A (en) * 1995-06-29 1997-01-30 Lam Research Corporation A scalable helicon wave plasma processing device with a non-cylindrical source chamber
JPH11317299A (ja) * 1998-02-17 1999-11-16 Toshiba Corp 高周波放電方法及びその装置並びに高周波処理装置
US6474258B2 (en) * 1999-03-26 2002-11-05 Tokyo Electron Limited Apparatus and method for improving plasma distribution and performance in an inductively coupled plasma
US6744213B2 (en) * 1999-11-15 2004-06-01 Lam Research Corporation Antenna for producing uniform process rates
JP3979849B2 (ja) * 2001-01-11 2007-09-19 株式会社日立国際電気 プラズマ処理装置および半導体装置の製造方法
KR100486724B1 (ko) * 2002-10-15 2005-05-03 삼성전자주식회사 사행 코일 안테나를 구비한 유도결합 플라즈마 발생장치
KR100817644B1 (ko) * 2004-02-27 2008-03-27 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 기판 처리 장치
JP4344886B2 (ja) * 2004-09-06 2009-10-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4456533B2 (ja) * 2005-06-14 2010-04-28 東京エレクトロン株式会社 シリコン酸化膜の形成方法、シリコン酸化膜の形成装置及びプログラム
US20070065578A1 (en) * 2005-09-21 2007-03-22 Applied Materials, Inc. Treatment processes for a batch ALD reactor
JP4948088B2 (ja) * 2006-08-25 2012-06-06 株式会社日立国際電気 半導体製造装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6087778A (en) * 1996-06-28 2000-07-11 Lam Research Corporation Scalable helicon wave plasma processing device with a non-cylindrical source chamber having a serpentine antenna
WO2006093136A1 (ja) * 2005-03-01 2006-09-08 Hitachi Kokusai Electric Inc. 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102163530B (zh) 2014-06-04
CN101378007B (zh) 2013-03-27
JP2009076876A (ja) 2009-04-09
JP5353905B2 (ja) 2013-11-27
JP2011097096A (ja) 2011-05-12
JP5098882B2 (ja) 2012-12-12
CN102163530A (zh) 2011-08-24
CN101378007A (zh) 2009-03-04
CN104051213B (zh) 2016-08-03
KR20090023251A (ko) 2009-03-04
CN104051213A (zh) 2014-09-17
TW200931519A (en) 2009-07-16
KR101161911B1 (ko) 2012-07-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI423328B (zh) 電漿處理裝置
US8336490B2 (en) Plasma processing apparatus
US8608902B2 (en) Plasma processing apparatus
KR101563773B1 (ko) 성막 장치, 성막 방법 및 기억 매체
JP5971144B2 (ja) 基板処理装置及び成膜方法
TWI452609B (zh) 用於半導體製程之垂直電漿處理裝置及用於半導體製程之垂直電漿膜形成裝置
KR102198727B1 (ko) 보호막 형성 방법
KR101802559B1 (ko) 기판 처리 장치
JP6515665B2 (ja) 基板処理装置
TWI407509B (zh) 垂直電漿加工裝置及使用其之方法
JP6552780B1 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法、及び静電シールド
TW201621081A (zh) 電漿處理裝置及電漿處理方法
CN102776491B (zh) 成膜装置和成膜方法
JP2006073913A (ja) プラズマ処理装置
KR101802022B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
KR20200035140A (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체
US20230253191A1 (en) Batch type substrate processing apparatus