WO2006080073A1

WO2006080073A1 - 多層回路基板の製造方法、多層回路基板

Info

Publication number: WO2006080073A1
Application number: PCT/JP2005/001136
Authority: WO
Inventors: Yoji Ueda; Susumu Matsuoka; Rikiya Okimoto; Shozo Ochi; Satoru Tomekawa
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Priority date: 2005-01-27
Filing date: 2005-01-27
Publication date: 2006-08-03
Also published as: US20090032285A1; CN101120623A; CN101120623B; JP4819033B2; JPWO2006080073A1

Abstract

　従来の多層回路基板の製造方法では、特性インピーダンスのミスマッチングが生じる。　両面に接地配線Ｇ１，信号配線Ｓ１がパターニングされた両面回路基板の少なくとも一方に、所定厚みのプリプレグ１３２を積層して積層体を作成する工程と、積層体を加熱加圧して、両面回路基板とプリプレグ１３２との境界において信号配線Ｓ１がプリプレグ１３２内へ埋設されている層構造を完成する工程とを備え、完成された層構造において、両面回路基板のプリプレグ１３１の厚みｔ１が、プリプレグ１３２の両面回路基板に対向しない側の面とプリプレグ１３２内に埋設された信号配線Ｓ１との距離ｔ２より小さくなるような、所定厚みｔ２′のプリプレグシートを用いる、多層回路基板の製造方法。

Description

明細書

多層回路基板の製造方法、多層回路基板

技術分野

[0001] 本発明は、多層回路基板の製造方法、多層回路基板に関するものである。

背景技術

[0002] 近年、電子機器の小型、軽量化および高機能化に伴い、多層回路基板に対して、小型、軽量化および高速信号処理化、さらには高密度実装への対応が要求されている。このような要求に対して、回路基板技術は、高多層化、ビアホールの小径化および狭ピッチ化、回路パターンのファインィ匕技術等を急速に進展させる必要性がある。しかし、従来のスルーホール構造によって絶縁層内の電気接続がなされる多層回路基板では、もはやこれらの要求を満足させることは極めて困難である。

[0003] そのために新しい構造を備えた多層回路基板やその製造方法が開発された。その代表例の一つに、従来多層回路基板の絶縁層内接続の主流となっていたスルーホール構造に変わって、導電性ペーストにより絶縁層内の電気接続を確保した完全 IV H (Inner Via Hole :インナービアホール)構造を有する回路形成用基板が開発された（例えば、特許第 2601128号公報参照）。詳細は省略する。

[0004] さらに、高生産性を実現する多層回路基板の製造方法が開発された (例えば、特許第 3231537号公報 (例えば、請求項 2、第 7図）参照）。図 8 (a) （c)は、 6層回路基板を例とした従来の多層回路基板の作製手順を示している。

[0005] 図 8 (a)は、 6層回路基板の積層断面図を示す。図 8 (a)において、 la、 lb、 lcは、ァラミド不織布に熱硬化性エポキシ樹脂を含浸させた複合材からなるァラミドーェポキシシート（以降プリプレダと呼ぶ）であり、レーザなどによって加工された貫通孔に Cu 粉末と熱硬化型エポキシ樹脂からなる導電ペースト 2を充填している。

[0006] 5a、 5bは、両面回路基板であり、これらの両面に形成された回路パターン 3は、所定位置に設けられた貫通孔に充填された導電ペースト 2によって電気的に接続されている。また、 4a、 4bは Cuなどの金属箔である。

[0007] まず、図 8 (a)に示すように、作業ステージ（図示せず）に、金属箔 4b、プリプレダ lc 、両面回路基板 5b、プリプレダ lb、両面回路基板 5a、プリプレダ la、金属箔 4aの順に積層する。それぞれの位置決めには、位置決めパターン（図示せず）を用いて画像認識などによって位置決めして重ねる。

[0008] 次に、最上面の金属箔 4aの上から、加熱したヒータチップなど（図示せず）で加熱加圧し、プリプレダ la、 lb、 lcの樹脂成分を溶融させ、その後の樹脂成分の硬化により、両面回路基板 5a、 5b、金属箔 4a、 4bと接着させる。

[0009] 次に、熱プレスにて上下両面を加熱加圧することにより、プリプレダ la、 lb、 lcが、両面回路基板 5a、 5bと金属箔 4a、 4bの全面を接着させる。それとともに、両面回路基板 5aの回路パターン 3と両面回路基板 5bの回路パターン 3間、両面回路基板 5a の回路パターン 3と金属箔 4a間、両面回路基板 5bの回路パターン 3と金属箔 4b間は、それぞれ導電性ペースト 2によりインナービアホール接続される。図 8 (b)に熱プレス後の 6層基板の断面図を示す。

[0010] その後、最外層の金属箔 4aおよび 4bを選択的にエッチングして回路パターン 3を形成させることで、一括して 6層回路基板が得られる。図 8 (c)は、エッチング後の 6層回路基板の断面図を示している。

[0011] しかしながら、上記の従来の製造方法で作製された多層回路基板は次のような課題を有していた。

[0012] 昨今、多層回路基板に搭載される半導体素子などの電子部品の高周波化に伴い

、 EMI (電磁的干渉）ノイズが問題とされるようになってレ、る。

[0013] この EMIノイズの対策の 1つとして、半導体素子などの電子部品を搭載もしくは収容する多層回路基板やパッケージ等のパッケージ用基板では、内部の配線層をベタパターンといわれる広面積の接地導体層で覆って EMIノイズをシールドするといつた対策がある。

[0014] また、 EMIノイズの対策として配線群の上下に広面積の接地導体を配置した場合には、インピーダンスマッチング (例えば 50 Ω )を考慮して基板の設計および製作をする必要がある。

[0015] インピーダンスマッチングを取る場合は、導体幅、導体厚み、導体層間厚み、導体層間に用いる絶縁材料の誘電率を考慮して多層回路基板の設計および製作をする必要がある。

[0016] 図 9 (a)—（c)は、従来の製造方法で作製された多層回路基板の内層部分の、任意の導体層 3層分の断面図を示している。図に示すように、 90は、図 8 (a)での積層時に、両面回路基板（図 8 (a)の 5a、 5bに相当）を形成する絶縁層を示し、 91は、プリプレダ（図 8 (&)の1&、 lb、 lcにそれぞれ相当）の部分を示している。 S1 S3は、信号配線であって、図 8 (a) 8 (c)に示す両面回路基板の配線パターンに相当する

[0017] 図 9 (a)の S1は、例えば 100 μ m以下の比較的細い線幅の信号線を示し、図 9 (b) の S2は、例えば 5mmと言った比較的太い線幅の信号線を示し、図 9 (c)の S3は広範囲のベタ層の部分の断面を示している。

[0018] T1は、積層時に用いた両面回路基板の絶縁層 90の厚さであり、熱プレス後もこの厚さは変わらない。は、積層時に用いたプリプレダ 90の熱プレス後の厚さである。また T2— T4は、信号配線 S1— S3の、設置配線 G2と対抗する面と、プリプレダの、絶縁層であるプリプレダ 90に接しない側の面と間の距離として示される距離である。すなわち、 T2— T4は、それぞれ、両面回路基板の接合によりプリプレグ側にめり込んだ信号配線 S 1の厚みによる、プリプレダ 90の凹み分を差し弓 [レヽた厚みを示す。

[0019] なお、熱プレス前においては、 Tl、 Τ2— Τ4は同じ厚さである。

[0020] 図 9 (a)、 (b)に示すように、信号線の設計線幅の違いにより、信号配線 Sl、 S2のプリプレダ側へのめり込みの程度に違いがあるため、熱プレス後の各プリプレダ 90およびプリプレダ 91の厚さは、 T1 >T3 >T2と言うようにばらつきが生じる。そして、図 9 (c)は信号配線 S3として面積の大きいベタ層が入っており、プリプレダ 91側へかかる圧力はいつそう小さぐ凹みも生じにくいため、 T1 T4となる。

[0021] 多層回路基板においては、図 8 (a) 8 (c)に示すように、両面回路基板 5a、 5bの両主面上に配置される回路パターン 3は配線幅、さらには密度がそれぞれ異なっており、この異なりにより、両面回路基板 5a、 5bに積層される絶縁層としてのプリプレダ la lcには、それぞれにおいて、個々に大きな厚みのばらつきを有する。同様に、配線に用いられる銅箔の厚さによってもプリプレダ la lcにおいては、それぞれ厚さのばらつきが生じ、そのため特性インピーダンスのミスマッチングが生じる。特性インピーダンスのミスマッチングが生じると、ノイズや高周波信号の伝送損失などが発生し、搭載される半導体素子などの電子部品の動作が不安定になる恐れがあった。

[0022] そこで本発明は、上記従来の問題点を考慮し、インピーダンスのミスマッチングが生じず、安定して高周波を駆動できる高性能な多層回路基板の製造方法および多層回路基板を提供することを目的とする。

発明の開示

[0023] 上記の目的を達成するために、第 1の本発明は、両面に電極線がパターユングされた両面回路基板の少なくとも一方に、所定厚みのプリプレダシートを積層して積層体を作成する工程と、

前記積層体を加熱加圧して、前記両面回路基板と前記プリプレダシートとの境界において前記電極線が前記プリプレダシート内へ坦設されている層構造を完成するェ程とを備え、前記層構造を少なくとも一つ内層として含む多層回路基板を製造する多層回路基板の製造方法であって、

前記積層体を作成する前記工程において、

完成された前記層構造において、前記両面回路基板の基板本体の厚みが、前記プリプレダシートの前記両面回路基板に対向しなレ、側の面と前記プリプレダシート内に埋設された前記電極線との距離以下になるような、前記所定厚みの前記プリプレグシートを用いる、多層回路基板の製造方法である。

[0024] また、第 2の本発明は、前記プリプレダシートの前記所定厚みを t2' 、前記両面回路基板の前記基板本体の厚みを tl，前記電極線の厚みを t0、とすると、

(数 1)

t2^r = a (ひは 1≤ひを満たす所定値） ' tl + k (kは 0 < k≤lを満たす所定値） ' tO の関係がある、第 1の本発明の多層回路基板の製造方法である。

[0025] また、第 3の本発明は、前記所定値 αは、前記電極線の厚み tOに対応した値である、第 2の本発明の多層回路基板の製造方法である。

[0026] また、第 4の本発明は、前記所定値 αは、実質上 1. 05である、第 3の本発明の多層回路基板の製造方法である。 [0027] また、第 5の本発明は、前記積層体は、

前記複数の両面回路基板と、他の複数のプリプレダシートを交互に位置決めして重ねる工程により作成し、

前記層構造は、前記積層体の上下の両面を加熱加圧して、前記他の複数のプリプレグシートを硬化させる工程により作成する、第 1の本発明の多層回路基板の製造方法である。

[0028] また、第 6の本発明は、前記積層体は、

前記層構造は、前記積層体の任意の部位を部分的に加熱加圧して、前記他の複数のプリプレダシートが含有している樹脂を溶融させ、その後硬化させて前記回路基板群を接着する工程により作成する、第 1の本発明の多層回路基板の製造方法である。

[0029] また、第 7の本発明は、前記積層体は、

前記複数の両面回路基板と前記他の複数のプリプレダシートのいずれかを 1枚ずつ重ねることにより複数個作成し、

前記層構造は、前記複数個の積層体を重ね合わせ、それらの任意の部位を部分的に加熱加圧して、前記他の複数のプリプレダシートが含有している樹脂を溶融させ、その後硬化させて相互に接着することにより作成する、第 1の本発明の多層回路基板の製造方法である。

[0030] また、第 8の本発明は、前記積層体を作成するための、前記複数の両面回路基板と、他の複数のプリプレダシートを交互に位置決めして重ねる工程は、

最初と最後に銅箔を配置し、前記他の複数のプリプレダシートが前記銅箔に隣接するように配置する行程を有する、第 5または第 6の本発明の多層回路基板の製造方法である。

[0031] また、第 9の本発明は、前記複数の両面回路基板に代えて、複数の 2層以上の回路パターンを有する回路基板を用いる、第 5から第 7のいずれかの本発明の多層回路基板の製造方法である。 [0032] また、第 10の本発明は、前記積層体を作成するための工程を、前記複数の両面回路基板と、他の複数のプリプレダシートを交互に位置決めして重ねる工程に換えて、

2層以上の回路パターンを有する 2枚の回路基板の間に、 1枚のプリプレダシートを挟んで重ね合わせる工程に置換した、第 5から第 7のいずれかの本発明の多層回路基板の製造方法である。

[0033] また、第 11の本発明は、両面に電極線がパターニングされた両面回路基板と、前記両面回路基板の少なくとも一方に積層されたプリプレダシートとから構成された層構造を少なくとも一つ内層として含む多層回路基板であって、

前記両面回路基板と前記プリプレダシートとの境界にぉレ、て、前記電極線は前記プリプレダシート内へ坦設されており、

前記両面回路基板の基板本体厚みは、

前記プリプレダシートの前記両面回路基板に対向しなレ、側の面と前記プリプレダシート内に坦設された前記電極線との距離以下である、多層回路基板である。

[0034] また、第 12の本発明は、前記プリプレダシートの前記所定厚みを t2' 、前記両面回路基板の前記基板本体の厚みを tl ,前記電極線の厚みを t0、とすると、

(数 1)

t2' = α ( αは 1≤ αを満たす所定値） 'tl +k (kは 0 < k≤ 1を満たす所定値） 'tO の関係がある、第 11の本発明の多層回路基板である。

[0035] また、第 13の本発明は、前記所定値 αは、前記電極線の厚みに対応した値である

、第 12の本発明の多層回路基板である。

[0036] また、第 14の本発明は、前記所定値 αは、実質上 1. 05である、第 13の本発明の多層回路基板である。

[0037] また、第 15の本発明は、前記両面回路基板の電極線の一方は信号線であり、もう一方は前記接地配線である、第 1 1の本発明の多層回路基板である。

[0038] また、第 16の本発明は、前記プリプレダシートの厚さは、前記複数の両面回路基板を形成する前記プリプレダシートの厚さに前記両面回路基板の前記電極線の厚さを加えた厚さよりも厚い、第 11の本発明の多層回路基板である。

[0039] また、第 17の本発明は、前記プリプレダシートの樹脂含浸量は、前記複数の両面回路基板を形成するプリプレダシートの樹脂含浸量よりも多い、第 11の本発明の多層回路基板である。

[0040] また、第 18の本発明は、前記両面回路基板を形成する前記プリプレダシートの榭脂含浸量は、 45 70wt%である、第 17の本発明の多層回路基板である。

[0041] また、第 19の本発明は、前記プリプレダシートの樹脂含浸量は、 55— 80wt%である、第 18の本発明の多層回路基板である。

[0042] また、第 20の本発明は、前記プリプレダシートの誘電率は、前記両面回路基板を形成するプリプレダシートの誘電率よりも高レ、、第 11の本発明の多層回路基板である。

[0043] また、第 21の本発明は、前記プリプレダシートの誘電率は、前記両面回路基板を形成するプリプレダシートの誘電率よりも低レ、、第 11の本発明の多層回路基板である。

[0044] また、第 22の本発明は、前記プリプレダシートおよび前記両面回路基板を形成するプリプレダシートは、耐熱性有機繊維または無機繊維の少なくとも一方を主成分とする織布あるいは不織布に熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化状態にした複合材である、第 11の本発明の多層回路基板である。

[0045] また、第 23の本発明は、前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、フエノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂、シァネートエステル樹脂、ポリフエ二レンエーテル樹脂、ポリフエ二レンオキサイド樹脂、フッ素系樹脂およびメラミン樹脂のうちの 1種類以上を含む、第 22の本発明の多層回路基板である。

[0046] 本発明により、インピーダンスのミスマッチングが生じず、安定して高周波を駆動できる高性能な多層回路基板の製造方法および多層回路基板を提供することができる図面の簡単な説明

[0047] [図 1] (a)本発明の実施の形態 1における両面回路基板の製造方法を示す図（b)本発明の実施の形態 1における両面回路基板の製造方法を示す図

[図 2] (a)本発明の実施の形態 1における多層回路基板の製造工程を示す断面図（b )本発明の実施の形態 1における多層回路基板の製造工程を示す断面図（c)本発明の実施の形態 1における多層回路基板の完成状態を示す断面図

園 3]本発明の実施の形態 1における多層回路基板の内層部分の高周波特性評価用部分 (ストリップライン構造)を模式的に示す断面図

園 4] (a)本発明の実施の形態 1における多層回路基板の内層部分の高周波特性評価用部分 (ストリップライン構造)を模式的に示す断面図 (b)本発明の実施の形態 1における多層回路基板の内層部分の高周波特性評価用部分 (ストリップライン構造)を模式的に示す断面図（c)本発明の実施の形態 1における多層回路基板の内層部分の高周波特性評価用部分 (ストリップライン構造)を模式的に示す断面図

[図 5]本発明の実施の形態 1における多層基板の、 2つの信号配線が接地配線に挟まれた部分の断面図

園 6]本発明の実施の形態 1における、複数の層構造を用いた多層回路基板の製造時の断面図

園 7]本発明の実施の形態 1における、 2つの多層回路基板で挟み込む場合の多層回路基板の製造時の断面図

園 8] (a)従来の技術による多層回路基板の製造工程を示す断面図（b)従来の技術による多層回路基板の製造工程を示す断面図（c)従来の技術による多層回路基板の完成状態を示す断面図

園 9] (a)従来の技術による多層回路基板の内層部分の構成を模式的に示す断面図 (b)従来の技術による多層回路基板の内層部分の構成を模式的に示す断面図（c) 従来の技術による多層回路基板の内層部分の構成を模式的に示す断面図

符号の説明

la、 lb、 lc ァラミド—エポキシシート（プリプレダ）

2 導電ペースト

3 回路パターン

4a, 4b 金属箔 (銅箔）

5a、 5b 両面回路基板

10、 10a、 10b、 10c、 10d、 lOe プリプレダ

20 導電ペースト 30 回路パターン

40a, 40b 金属箔

50、 50a、 50b、 50c、 60a, 60b 両面回路基板

61 4層回路基板

62 8層回路基板

70a、 70b 多層回路基板

G1、 G2 接地配線

51、 S2、 S3 信号酉己線

発明を実施するための最良の形態

[0049] 以下、本発明の実施の形態について、図を用いて説明する。

[0050] (実施の形態 1)

図 1、図 2を用いて本発明の実施の形態 1の多層回路基板の作製手順について説明する。

[0051] まず、図 1を用いて、 8層回路基板作製時に使用する両面回路基板の製造方法を説明する。

[0052] 図 1 (a)は両面回路基板の積層断面図であり、図 1 (a)において 10は、厚さ 80 z m のガラスクロスに、フィラーを添加したエポキシ樹脂を含浸させた複合材からなるガラス—エポキシシート（以降プリプレダと呼ぶ）である。プリプレダ 10の樹脂量は 54wt% の物を使用した。プリプレダ 10は、レーザなどによって加工されて形成された貫通孔に、 Cu粉末と熱硬化型エポキシ樹脂からなる導電ペースト 20が充填されてレ、る。

[0053] そして、プリプレダ 10の両面に、厚さ 12 z mの銅箔 40をそれぞれ配置し、熱プレスで両面力、ら加熱加圧（200°C、 50kgZcm²)する。熱プレス後に、エッチングにて両面の銅箔 40から回路パターン 30を形成させ、両面回路基板 50を完成させる。

[0054] 図 1 (b)は、作製された両面回路基板 50の断面図である。

[0055] 両面回路基板 50の両面に形成された回路パターン 30は、プリプレダ 10の所定位置に設けられた貫通孔に充填された導電ペースト 2によって電気的に接続されている。

[0056] 次に、図 2を用いて、本実施の形態 1の 8層基板の多層化工程について説明する。 [0057] 図 2 (a)は、 8層基板の積層断面図である。図 1 (a)において、 10a、 10b、 10c、 10d は、いずれも、 100 μ ΐηのガラスクロスに、フィラーを添加したエポキシ樹脂を含浸させた複合材カなるプリプレダである。プリプレダ 10a、 10b、 10c、 10dの樹脂量は 6 Owt%の物を使用した。プリプレダ 10a、 10b、 10c、 10dは、レーザなどによって加工されて形成された貫通孔を有し、この貫通穴には Cu粉末と熱硬化型エポキシ樹脂からなる導電ペースト 20が充填されてレ、る。

[0058] 両面回路基板 50a、 50b、 50cの回路パターン 30は、熱プレス時にプリプレダ 10a 、 10b、 10c、 10dの両主面または一方の主面に食い込む。熱プレス後のプリプレダ 1 0a、 10b、 10c、 10dの厚さは、熱プレス前に比べてそれぞれ薄くなる力この回路パターン 30が食い込む影響を受けて、さらに薄くなる。また、プリプレダ 10a、 10b、 10c 、 10dと対向する両面回路基板 50a、 50b, 50cの回路パターン 30は、それぞれ配線幅が異なるため、回路パターン 30の食い込みの影響は、プリプレダ 10a、 10b、 10 c、 10d毎にそれぞれ異なり、厚みの変化もそれぞれ異なる。

[0059] なお、熱プレス後におけるプリプレダ 10a、 10b、 10c、 10dの厚さ力両面回路基板 50a、 50b、 50cを形成するプリプレダよりも厚くなるようにするために、積層用プリプレダ 10a、 10b、 10c、 10dの樹脂量の割合を、両面回路基板 50a、 50b、 50cのプリプレダより多くした。

[0060] まず、図 2 (a)に示すように、作業ステージ（図示せず）に、厚さ 12 /i mの金属箔 40 b、プリプレダ 10d、両面回路基板 50c、プリプレダ 10c、両面回路基板 50b、プリプレグ 10b、両面回路基板 50a、プリプレダ 10a、金属箔 40aの順に積層する。それぞれの位置決めには、位置決めパターン（図示せず）を用いて画像認識などによって位置決めして重ねる。

[0061] 次に、最上面の金属箔 40aの上から、加熱したヒータチップなど（図示せず）で加熱加圧し、プリプレダ 10a、 10b、 10c, 10dの樹脂成分を溶融させ、その後の樹脂成分の硬ィ匕により、両面回路基板 50a、 50b、 50c、金属倍 40a、 40bとを接着させる。

[0062] なお、上述した多層化積層の手順は次の方法でもよい。

[0063] まず、図 2 (a)に示すように、作業ステージ（図示せず）に、金属箔 40bを固定し、プリプレダ 10dを位置決めして載せる。そして、ヒータチップなど（図示せず）で外周部を加熱加圧してプリプレダ lOdの樹脂成分を溶融させ、その後硬化させて金属箔 40b に固定させる。次に、両面回路基板 50cを位置決めして載せ、ヒータチップなど（図示せず）で外周部を加熱加圧してプリプレダ 10dの樹脂成分を溶融させ、その後硬化させてプリプレダ 10dと固定させる。同様にこの手順を所望の回数繰り返し、最後に金属箔 40aを載せ、ヒータチップなど（図示せず）で外周部を加熱加圧してプリプレグ 10aの樹脂成分を溶融させ、その後硬化させて金属箔 40aとプリプレダ 10aを固定させる。

[0064] 次に、熱プレスにて、多層化積層した回路基板群の上下両面から加熱加圧（200 。C、 50kg/cm²)する。これにより、プリプレダ 10a、 10b、 10c、 10d力両面回路基板 50a、 50b, 50cと金属箔 40a、 40bを接着させる。それとともに、両面回路基板 50 a、 50b, 50cのそれぞれの回路パターン 30と金属箔 40a、 40b間は、それぞれの間に挟まれたプリプレダ 10a、 10b、 10c、 10dの貫通孔に充填されている導電性ぺースト 2によってインナービア接続される。

[0065] 図 2 (b)に、熱プレス工程後の回路基板群の断面図を示す。

[0066] 図 2 (b)に示す回路基板群の最外層の金属箔 40a、 40bを選択的にエッチングして回路パターン 30を形成させることで、一括して 8層回路基板が得られる。

[0067] 図 2 (c)は、エッチング後の、作製された 8層回路基板の断面図を示している。

[0068] 図 2 (c)の作製された 8層回路基板の断面を観察すると、多層化積層時にコアとして用いた両面回路基板 50a、 50b、 50cの絶縁層の厚さ tlは、いずれも等しい厚さとなっている。これは、図 1で説明したように、プリプレダ 10の両面を銅箔 40で挟み込み、その上下両面から加熱加圧して、コアとして用いた両面回路基板 50a、 50b、 50 cを作製したためである。

[0069] 一方、プリプレダ 10bと 10cは、その両主面に、コアとして用いた両面回路基板 50a 、 50b、 50cに形成されている回路パターン 30が食い込み、プリプレダ 10bおよび 10 c内にそれぞれ埋設されているため、これらの厚さ t2は、熱プレス後に薄く仕上がる。

[0070] また、プリプレダ 10a、 10dは、片側に金属箔 40a、 40b、もう一方に両面回路基板 50a、 50cが配置されているため、片側のみ回路パターン 30が食い込み、プリプレダ 10a、 10d内に坦設されている。従って、熱プレス後のプリプレダ 10a、 10dの厚さを t 3とすると、各絶縁層の厚さの関係は、 tl < t2く t3となる。

[0071] ここで、 tlが一番薄いのは、両面回路基板 50a、 50b、 50c作製時に用いたプリプレグ 10のガラスクロスの厚さ力 \多層化積層時に用いたプリプレダ 10a、 10b、 10c、 10dのガラスクロスの厚さよりも薄いからである。

[0072] 次に、上記の tlと t2の厚さの関係について、実際に基板を作製して確認した。

[0073] 図 3は、以上説明してきた多層回路基板の内層部分の一部を模式的に示す部分断面図である。この構成は、例えば図 2 (c)に示す両面回路基板 50aとプリプレダ 10 aの積層状態の一部を取り出して模式的に図示したものである。

[0074] 図 3において、両面回路基板はプリプレダ 131の両主面に接地配線 G1および信号配線 S1を有してなるものであり、プリプレダ 132は一方の主面に接地配線 G2を有し、両面回路基板と接合する側には、信号配線 S1が食い込んでおり、信号配線 S1がプリプレダ 132内に坦設された構成を有している。信号配線 (ストリップライン) S 1は、そのインピーダンスが 50 Ωとなるように、対向する接地配線 G1と接地配線 G2の間に形成される。なお、信号配線 S1の長さは 30mmとした。

[0075] また、図 3において、 tlはコアとして用いた両面回路基板のプリプレダ 131の厚さ、 t 2' は多層化積層後のプリプレダ 132の厚みである。また、 t2は、多層化積層後のプリプレダ 132の厚み t2' 力ら、プリプレダ 132内に坦設されている信号配線 S 1の電極線の厚み tOを差し引いたものであり、信号配線 S 1の線幅、すなわちプリプレダ 13 2への食い込みの程度によって変化する量である。なお、両面回路基板の作製時に用いるプリプレダのガラスクロスの厚さは、多層化積層時に用いるプリプレダのガラスクロスの厚さよりも薄レ、ものとした。

[0076] なお、上記の構成において、両面回路基板 50a、 50b、 50cは、本発明の両面回路基板に相当する。また、プリプレダ 10a、 10b、 10c、 10dおよび 132は、本発明のプリプレダシートに相当する。また、プリプレダ 131は本発明の基板本体に相当する。また、回路パターン 30、接地配線 Gl , G2および信号配線 S 1は、本発明の電極線に相当する。

[0077] また、熱プレス前の状態で重ね合わせた、両面回路基板 50a、 50b、 50cと、プリプレグ 10a、 10b、 10c, 10dとを多層化積層した回路基板群は、本発明の積層体に相当する。また、図 2 (c)に示す、完成後の多層回路基板の両面回路基板 50a、 50b、 50cと、プリプレダ 10a、 10b、 10c、 10dとの積層構造、または図 3に示す両面回路基板とプリプレダとの積層構造は、本発明の層構造に相当する。なお、本実施の形態において、両面回路基板は、電極線として、接地配線 G1と信号配線 S1とをそれぞれ主面に設けた構成としているが、本発明の両面回路基板は、電極線により形成された配線パターンの用途によって限定されなレ、。すなわち、両面とも信号配線、または接地配線であってもよレ、。

[0078] 図 3に示した内層部分を含む、同じ仕様の多層回路基板を 30枚作製し、それぞれの基板について、特性インピーダンスと上記の厚み tl、 t2を測定した。

[0079] 作製した各基板に関する厚み tl、 t2を測定した結果、 tlのばらつきが最大 5 μ m だったのに対し、 t2のばらつきは最大 20 z mであった。すなわち両面回路基板に用いたプリプレダ 131の厚さのばらつきは、多層化積層時に用いるプリプレダ 132の厚さのばらつきよりも小さい。これは、両面回路基板は多層回路基板全体を作成する前に完成しているので、プリプレダ 131は多層回路基板の作成時に信号配線 S1の食い込みの影響を受けないためと考えられる。また、 tlのばらつきの最大 5 /i mという値は非常に小さぐ信号配線 S1と接地配線 G1の距離を一定にできたと言える。

[0080] 次に、これらの各基板の特性インピーダンスを測定してみると、 50— 52 Ωの範囲であり、ばらつきが小さく非常に良好であった。

[0081] 従来例で説明したように、絶縁層であるプリプレダ間の厚さ、正確には、両面回路基板の配線と、その直下の層のプリプレダとの間の距離にばらつきが生じると特性ィンピーダンス値が大きく変わり、これ力 Sミスマッチとなって現れ、搭載される半導体素子などの電子部品の動作に影響を与えていた。

[0082] 本実施の形態の多層回路基板において特性インピーダンスのばらつきを小さい範囲に収めることができたのは、以下の理由である。

[0083] 多層回路基板の内層部分の特性インピーダンスは回路パターン 30間の距離に依存し、特に図 3に示す構成においては、両面回路基板のプリプレダ 131厚み tlと、信号配線 S1を介したプリプレダ 132 (の一部の）厚み t2の間には、図 2 (c)の場合と同様、 tl < t2の関係が保たれている。これは特性インピーダンスには、厚みのより小さい両面回路基板側の厚みの寄与が大きいことを意味する。これが特性インピーダンスのばらつきを抑えている。

[0084] 以下、さらに説明する。従来例においては、図 9 (a)—図 9 (c)に示すように、両面回路基板と接合する側のプリプレダ 91側の厚みは、両面回路基板のプリプレダ 90の厚みよりも常に小さくなつている。これはすなわち、従来例の特性インピーダンスにおいては、厚みのより小さいプリプレダ 90側の厚みの寄与が大きいことを意味する。

[0085] そして、このプリプレダ 90は、多層回路基板全体の製造時に、線幅がまちまちな複数の配線パターンが食い込む影響を受けるため、その厚み t2に大きなばらつきが生じている。このばらつき力特性インピーダンスのミスマッチを生じさせる原因となっていた。

[0086] 本発明はこの点に着目して、上述のように、両面回路基板のプリプレダ 131厚み tl のほうが、信号配線 SIを介したプリプレダ 132 (の一部の）厚み t2よりも小さくなるようにしている。この場合、特性インピーダンスにおいて、厚みのより小さい両面回路基板側の厚みの寄与が大きくなり、かつ、両面回路基板のプリプレダ 131は、多層回路基板全体の製造前に硬化しているので、信号配線 S1が自らに食い込むことはないため、上記の厚み tlにばらつきが生じなレ、。したがって、安定した厚みを有する両面回路基板の影響によって、特性インピーダンスのばらつきを抑えることを可能としている。

[0087] 次に、上記の実測による結果をさらに検証するため、上述の厚み t2の条件を変化させたモデルを考え、回路シミュレータ ADS (アジレントテクノロジ一社）でシミュレーシヨンを行った。このシミュレーションにおいては、特性インピーダンスの基準値を 50 Ω および 75 Ωの 2種類、またプリプレダの誘電率 εを 4. 6， 3. 7の 2つの場合にとり、両者にぉレ、て厚み t2を変化させた場合の計算値 Ζ ( Ω )を得ることにより、ばらつきの程度を求めた。プリプレダ 131の厚み tlは 100 μ m—定に固定している。

[0088] なお、両面回路基板側の厚み tlは 100 x m—定に固定し、内部配線 S1の厚み tO も 12 μ πι， 18 z m, 35 z mの 3通りとした。

[0089] これらの条件により、図 4 (a)、（b)、 (c)にそれぞれ模式的に示すモデルのように、 t l >t2、 tl =t2、 tl <t2となる条件下で、ばらつきの程度が求められることになる。結果を (表 1) (表 2)に示す。

[表 1]

上記表 1は、プリプレダの誘電率 _ε =4. 6の場合で、内部配線 S1の厚み tO毎に tl >t2、 tl =t2、 tl <t2の各条件下での特性インピーダンス Zの基準値からのばらつきを示したものである。（表 1)に示すように、例えば内部配線 S1の厚み tOが 18 z m で特性インピーダンスが 75 Ωの場合、 tlと t2の差が絶対値で 20 μ mと共通であっても、 tl >t2のとき（ずれ量—2. 44%)と tl <t2のとき（ずれ量 1. 65%)とばらつきの程度は異なり、 tl <t2の場合の方が特性インピーダンスのばらつきが低く抑えられている。差が 20 /i m以下の変化においても、 tlく t2の場合の方が特性インピーダンスのばらつきは低く抑えられており、この傾向は、内部配線 S1の厚み t0が 12 μ ΐηで特性インピーダンスが 50 Ωの、線幅 Wがより大きくなつた場合でも同様である。つまり内部配線 S1の線幅には依存していなレ、。また、内部配線 t0の 3通りの厚みにおいてもこの傾向は維持されている。したがって、内部配線の形状には依存せず、特性インピ一ダンスのばらつきを抑える効果が得られている。

[0092] このように、厚みの差が同一でも tl < t2の場合の方力基準値からのずれは小さく、特性インピーダンスのばらつきは抑えられていることがわかる。

[0093] [表 2]

[0094] 上記表 2は、プリプレダの誘電率 _ε = 3. 7の場合で、内部配線 S1の厚み tOを表 1 と同一条件として、プリプレダの厚み tl， t2を表 1の場合と同一割合で変化させた場合における、特性インピーダンス Zの基準値からのばらつきを示すものである。

[0095] 基本的には (表 1)と同様の傾向を示し、 tl <t2の場合の方が特性インピーダンスのばらつきが抑えられていることがわかる。

[0096] このように、ばらつきが小さく均一化されている両面回路基板のプリプレダ 131の厚み tlを基準として tl < t2の関係を成立させた層構造を用いることにより、特性インピ一ダンスのばらつきを抑えて、安定して高周波を駆動する多層回路基板の提供ができる。

[0097] 次に、再度図 3を参照して、特性インピーダンスのばらつきを抑えるための、より好適な条件を考える。

[0098] 本来、多層回路基板を安定動作させる最適な条件は、多層回路基板作成後の両面回路基板のプリプレダ 131の厚み tlと、プリプレダ 132の、信号配線 S1直下部分の厚み t2とを一致させ、特性インピーダンスのずれ量を 0とすることである。

[0099] し力、しながら、製造時に誤差が生じて、厚み tlと t2とが一致することはまれであり、完成した多層回路基板内において、プリプレダの厚みが tl < t2、または tl >t2の関係となることは避けられない。

[0100] そこで、製造時の誤差が、極力上記 tl < t2の範囲内に収まるように、あらかじめ、両面回路基板のプリプレダの厚みを理想値より小さくなるような条件を設定する。すなわち、完成した多層回路基板内におけるプリプレダの厚みの関係を tl≤t2となるようにすれば、製造時に厚みの狂いが生じても、特性インピーダンスのばらつきを抑える効果が得られることになる。

[0101] 誤差がない場合の、多層回路基板の内層部分の理想的な条件は、両面回路基板の信号配線 S1の厚みを t0、プリプレダ 132の厚みを t2' としたとき、

(数 2)

X2 = t2' -tO = tl

となることである。誤差を考慮した条件は t2≥tlであるから、（数 2)をこれに代入して、

(数 3)

t2 ≥tl +tO

となる。両面回路基板の基板本体となるプリプレダ 131 ,信号配線 S1の厚みは、多層回路基板の製造時の変化を受けることは少ないため、この条件を満たすように、プリプレダ 132の厚み t2' を定めればよい。

[0102] 一方、図 2 (c)に示したように、回路パターン 30は様々な線幅、面積を有するため、その厚みは tOに一意に定まらない。例えば、より線幅が大きい場合は、プリプレダへの食い込みは少なくなるため、理論的には、厚みは必ず tO以下になる。そこで tOには、線幅、面積等を考慮した係数 k (0 < k≤l )を乗ずる。ただし、実質的には係数 k は 1と近似してもよい。

[0103] また、プリプレダ 132の厚み t2' は、必ず両面回路基板の基板本体となるプリプレグ 1の厚み tl以上の厚みを確保させることが望ましいから、 tlには、これを考慮した係数ひ（1≤ひ）を乗じる。

[0104] 結局、プリプレダ 132^ の厚み t2' を、結局、

(数 1)

t2^r = a - tl + k - tO

で定義すれば、上記 (数 3)の条件を満たす、特性インピーダンスのばらつきを抑える多層回路基板の製造条件が得られることになる。

[0105] また、係数ひは実質的に 1より大きくとり、予測範囲に入る誤差程度、具体的には 1 . 05程度を上限することが望ましい。表 1，表 2に示す例のように、 tl = 100 z mとすると、例えば表 1の t0 = 18 μ ΐηの場合、 t2' = 1. 05 Χ 100 ( μ ΐη)

23となり、 t2 = 105 m)が得られる。製造誤差により t2がこの値より小さくなつても、それは基準値により接近することを意味し、特性インピーダンスのばらつきは、より小さく抑えられることになる。また、 t2がこの値より大きくなつても、それはずれ量がより小さい、 tl < t2の範囲内での変動であるから、特性インピーダンスのばらつきは、従来例より小さく抑えられることになる。

[0106] なお、上記の構成にぉレ、ては、両面回路基板の精度が保証されてレ、る必要がある。そこで、プリプレダ 131の厚み tlを均一化させる場合は、シート状の材料 (例えばポリイミドフィルム）の上下に接着剤を塗布した材料で、図 2に示す両面回路基板 50a、 50b、 50cを作製するとよレヽ。

[0107] また、目的によって、図 2 (a)—（c)に示す両面回路基板 50a、 50b、 50cの誘電率を変えることで、さらに高性能な基板を提供できる。図 1に示すプリプレダ 10に含浸させる熱硬化性樹脂材料の種類により、両面回路基板 50a、 50b, 50cの誘電率を変えること力できる。例えば、プリプレダ 10に含浸させる熱硬化性樹脂として、エポキシ樹脂、フエノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂、シァネートエステル樹脂、ポリフエ二レンエーテル樹脂、ポリフエ二レンオキサイド樹脂、フッ素系樹脂およびメラミン樹脂のうちの少なくとも 1種類以上の組み合わせを用いることにより、所望の誘電率を有する両面回路基板 50a、 50b、 50cを作製することができる。

[0108] 特にインピーダンスマッチングを重視する多層回路基板においては、両面回路基板 50a、 50b, 50cの誘電率を、プリプレダ 10a、 10b、 10c、 10dよりも大きくするとよレ、。

[0109] また、信号の伝送速度を重視する多層回路基板には、両面回路基板 50a、 50b, 5 Ocの誘電率を、プリプレダ 10a、 10b、 10c、 10dよりも小さくするよレヽ。

[0110] また、コアとして用いた両面回路基板 50a、 50b, 50cの作製時に用いたプリプレダ 10は、樹脂の含浸量が 54wt%の物を使用した力これ以外の樹脂の含浸量の物を用いてもよレ、。両面回路基板 50a、 50b, 50cの作製時に用いるプリプレダとして、樹脂の含浸量が、 45— 70wt%の物を用いるのが好ましい。

[0111] コアとして用いる両面回路基板 50a、 50b, 50cに用いたプリプレダの樹脂の含浸量が 45wt%を下回ると、樹脂が少なすぎて回路埋め込み性が悪化し、白化（基板内部に巣ができる現象）が発生する。白化部があると、部品実装時のリフロー工程で基板がふくれて破壊する恐れがある。また、樹脂の含浸量が 70wt%を上回ると、加熱加圧時に樹脂流れが発生し、接続用の導電ペーストが流れ、接続が不安定になってしまう。

[0112] また、積層多層化時に用いたプリプレダ 10a、 10b、 10c、 10dは、樹脂の含浸量が 60wt%の物を使用したが、これ以外の樹脂の含浸量の物を用いてもよい。積層多層化時に用いるプリプレダとして、樹脂の含浸量が、 55— 80wt%の物を用いるのが好ましい。

[0113] 積層多層化時に用いるプリプレダの樹脂の含浸量が 55wt%を下回ると、樹脂が少なすぎて回路坦め込み性が悪化し、白化（基板内部に巣ができる現象）が発生してしまう。また、樹脂の含浸量が 80wt%を上回ると、加熱加圧時に樹脂流れが発生してしまう。

[0114] また、本実施の形態 1においては、プリプレダとして、ガラスクロスにフィラーを添カロしたエポキシ樹脂を含浸させた複合材を用いたが、耐熱性有機繊維あるいは無機繊維の少なくとも一方を主成分とする織布あるいは不織布に熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化状態にした複合材を用いてもよい。また、プリプレダは多孔質であることが望ましい。

[0115] また、高周波回路の駆動用多層回路基板の内層に用いる銅箔、つまり図 1に示す両面回路基板 50の作製時に用レ、る銅箔 40の表面粗さは小さい方がよぐその厚さは薄い方がよい。

[0116] また、図 5は、 2つの両面回路基板がその間にプリプレダを挟みこみ、接地配線と接地配線の間に挟まれた 2つの信号配線が存在する多層回路基板の内層部分の断面図を示している。このように、接地配線 Gl、 G2間に 2つの信号配線 Sl、 S2が有る場合にも、 tl <t2の関係となるよう多層回路基板を製作することで、安定して高周波を駆動する多層回路基板を提供できる。このとき、信号配線 S1と信号配線 S2とは、内層部分の主面内で平行であっても直交していても良い。

[0117] また、本実施の形態 1の多層回路基板の作製では、コアとして、一枚の両面回路基板を使用したが、その他の複数層数の基板をコアとして用いても良い。図 6は、両面回路基板 60a、 60b、 4層回路基板 61、 8層回路基板 62を用いた場合の多層回路基板の積層断面図を示している。この場合に用いる多層回路基板は、本発明の多層回路基板における層構造、すなわち両面回路基板とプリプレダとを、図 3や図 5に示すように積層してなる構成を使用するのがよい。また、各多層回路基板に用いる材料の誘電率を変えることで、さらに高性能で多機能な回路基板を提供できる。

[0118] また、多層回路基板を 2枚用いてさらに多層化しても良い。図 7は、完成された 2枚の多層回路基板 70a、 70bを、プリプレダ 10でさらに多層化する場合の積層断面図を示している。このときの多層回路基板は、本発明の構造の多層回路基板を使用するのがよレ、。また、図 7では、多層回路基板 70a、 70bの片面のみに回路パターン 30 を形成させているが、両面に回路パターンを形成させた多層回路基板を用いても良レ、。

[0119] また、本実施の形態 1で用いた回路基板はペースト接続の回路基板であるが、スル一ホール構造、ビルドアップ構造などの多層回路基板でもよレ、。

[0120] 以上説明したところから明らかなように、高速高周波の信号を駆動する多層回路基板では、接地配線と信号線間の絶縁層の厚さを均一にする事で高性能な多層回路基板を提供できる。特に接地配線と接地配線にはさまれた信号配線では、基板内において接地配線と信号配線の絶縁層の薄い側の厚さを一定にすることで容易に高性能な基板の提供ができる。すなわち、接地配線と信号配線間の絶縁層の厚さが厚い側のコントロールは考えなくても良ぐ基板の設計、製作が容易となり、高速高周波駆動用の多層基板が安定して提供できる。

産業上の利用可能性

本発明にかかる多層回路基板の製造方法および多層回路基板は、特性インピーダンスのミスマッチングが生じず、安定して高周波を駆動できる高性能な多層回路基板およびその製造方法を提供することができ、多層回路基板の製造方法および多層回路基板として有用である。

Claims

請求の範囲

[1] 両面に電極線がパターニングされた両面回路基板の少なくとも一方に、所定厚みのプリプレダシートを積層して積層体を作成する工程と、

前記積層体を作成する前記工程において、

完成された前記層構造において、前記両面回路基板の基板本体の厚みが、前記プリプレダシートの前記両面回路基板に対向しなレ、側の面と前記プリプレダシート内に埋設された前記電極線との距離以下になるような、前記所定厚みの前記プリプレグシートを用いる、多層回路基板の製造方法。

[2] 前記プリプレダシートの前記所定厚みを t2' 、前記両面回路基板の前記基板本体の厚みを tl ,前記電極線の厚みを t0、とすると、

(数 1)

t2^r = a (ひは 1≤ひを満たす所定値） 'tl +k (kは 0< k≤lを満たす所定値） 'tO の関係がある、請求の範囲第 1項に記載の多層回路基板の製造方法。

[3] 前記所定値ひは、前記電極線の厚み tOに対応した値である、請求の範囲第 2項に記載の多層回路基板の製造方法。

[4] 前記所定値ひは、実質上 1. 05である、請求の範囲第 3項に記載の多層回路基板の製造方法。

[5] 前記積層体は、

前記層構造は、前記積層体の上下の両面を加熱加圧して、前記他の複数のプリプレグシートを硬化させる工程により作成する、請求の範囲第 1項に記載の多層回路基板の製造方法。

[6] 前記積層体は、前記複数の両面回路基板と、他の複数のプリプレダシートを交互に位置決めして重ねる工程により作成し、

前記層構造は、前記積層体の任意の部位を部分的に加熱加圧して、前記他の複数のプリプレダシートが含有している樹脂を溶融させ、その後硬化させて前記回路基板群を接着する工程により作成する、請求の範囲第 1項に記載の多層回路基板の製造方法。

[7] 前記積層体は、

前記複数の両面回路基板と前記他の複数のプリプレダシートのいずれかを夂ずつ重ねることにより複数個作成し、

前記層構造は、前記複数個の積層体を重ね合わせ、それらの任意の部位を部分的に加熱加圧して、前記他の複数のプリプレダシートが含有している樹脂を溶融させ、その後硬化させて相互に接着することにより作成する、請求の範囲第 1項に記載の多層回路基板の製造方法。

[8] 前記積層体を作成するための、前記複数の両面回路基板と、他の複数のプリプレグシートを交互に位置決めして重ねる工程は、

最初と最後に銅箔を配置し、前記他の複数のプリプレダシートが前記銅箔に隣接するように配置する行程を有する、請求の範囲第 5項または第 6項に記載の多層回路基板の製造方法。

[9] 前記複数の両面回路基板に代えて、複数の 2層以上の回路パターンを有する回路基板を用いる、請求の範囲第 5項から第 7項のいずれかに記載の多層回路基板の製造方法。

[10] 前記積層体を作成するための工程を、前記複数の両面回路基板と、他の複数のプリプレダシートを交互に位置決めして重ねる工程に換えて、

2層以上の回路パターンを有する 2枚の回路基板の間に、：!枚のプリプレダシートを挟んで重ね合わせる工程に置換した、請求の範囲第 5項から第 7項のレ、ずれかに記載の多層回路基板の製造方法。

[11] 両面に電極線がパターニングされた両面回路基板と、前記両面回路基板の少なくとも一方に積層されたプリプレダシートとから構成された層構造を少なくとも一つ内層として含む多層回路基板であって、

前記両面回路基板の基板本体厚みは、

前記プリプレダシートの前記両面回路基板に対向しなレ、側の面と前記プリプレダシート内に坦設された前記電極線との距離以下である、多層回路基板。

[12] 前記プリプレダシートの前記所定厚みを t2' 、前記両面回路基板の前記基板本体の厚みを tl ,前記電極線の厚みを t0、とすると、

(数 1)

t2^r = a (ひは 1≤ひを満たす所定値） ' tl + k (kは 0 < k≤lを満たす所定値） ' tO の関係がある、請求の範囲第 1 1項に記載の多層回路基板。

[13] 前記所定値ひは、前記電極線の厚みに対応した値である、請求の範囲第 12項に記載の多層回路基板。

[14] 前記所定値 αは、実質上 1. 05である、請求の範囲第 13項に記載の多層回路基板。

[15] 前記両面回路基板の電極線の一方は信号線であり、もう一方は前記接地配線である、請求の範囲第 1 1項に記載の多層回路基板。

[16] 前記プリプレダシートの厚さは、前記複数の両面回路基板を形成する前記プリプレグシートの厚さに前記両面回路基板の前記電極線の厚さを加えた厚さよりも厚い、請求の範囲第 1 1項に記載の多層回路基板。

[17] 前記プリプレダシートの樹脂含浸量は、前記複数の両面回路基板を形成するプリプレダシートの樹脂含浸量よりも多レ、、請求の範囲第 1 1項に記載の多層回路基板。

[18] 前記両面回路基板を形成する前記プリプレダシートの樹脂含浸量は、 45 70wt

%である、請求の範囲第 17項に記載の多層回路基板。

[19] 前記プリプレダシートの樹脂含浸量は、 55 80wt%である、請求の範囲第 18項に記載の多層回路基板。

[20] 前記プリプレダシートの誘電率は、前記両面回路基板を形成するプリプレダシートの誘電率よりも高い、請求の範囲第 1 1項に記載の多層回路基板。

[21] 前記プリプレダシートの誘電率は、前記両面回路基板を形成するプリプレダシートの誘電率よりも低い、請求の範囲第 11項に記載の多層回路基板。

[22] 前記プリプレダシートおよび前記両面回路基板を形成するプリプレダシートは、耐熱性有機繊維または無機繊維の少なくとも一方を主成分とする織布あるいは不織布に熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化状態にした複合材である、請求の範囲第 11項に記載の多層回路基板。

[23] 前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、フエノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、シリコーン樹脂、シァネートエステル樹脂、ポリフエ二レンエーテル樹脂、ポリフエ二レンオキサイド樹脂、フッ素系樹脂およびメラミン樹脂のうちの 1種類以上を含む、請求の範囲第 22項に記載の多層回路基板。