JPH07249868A - 多層基板の製造方法 - Google Patents
多層基板の製造方法Info
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- JPH07249868A JPH07249868A JP3823594A JP3823594A JPH07249868A JP H07249868 A JPH07249868 A JP H07249868A JP 3823594 A JP3823594 A JP 3823594A JP 3823594 A JP3823594 A JP 3823594A JP H07249868 A JPH07249868 A JP H07249868A
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- prepreg sheet
- metal foil
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 積層精度の高い、生産性に優れた多層基板の
製造方法を提供する。 【構成】 プリプレグシート１ａ、１ｂや両面回路基板
１０の外形寸法より小さい位置決めプレート７に設けた
位置決めピン６にプリプレグシート１ｂ、両面回路基板
１０、プリプレグシート１ａの順で位置決め孔３を通し
て重ね、両面回路基板１０を挟持したプリプレグシート
１ａ、１ｂの接着部位を部分的に上下に設けたヒーター
チップ６でプリプレグシート１ａ、１ｂの樹脂成分を硬
化させて両面回路基板１０と接着し、両面に金属箔を重
ねた後、全面を熱プレスで加熱加圧する。
製造方法を提供する。 【構成】 プリプレグシート１ａ、１ｂや両面回路基板
１０の外形寸法より小さい位置決めプレート７に設けた
位置決めピン６にプリプレグシート１ｂ、両面回路基板
１０、プリプレグシート１ａの順で位置決め孔３を通し
て重ね、両面回路基板１０を挟持したプリプレグシート
１ａ、１ｂの接着部位を部分的に上下に設けたヒーター
チップ６でプリプレグシート１ａ、１ｂの樹脂成分を硬
化させて両面回路基板１０と接着し、両面に金属箔を重
ねた後、全面を熱プレスで加熱加圧する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数層の回路パターン
を接続してなる多層基板の製造方法に関するものであ
る。
を接続してなる多層基板の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化、高密度化に伴
い、産業用にとどまらず民生用の分野においても多層基
板が強く要望されるようになってきた。
い、産業用にとどまらず民生用の分野においても多層基
板が強く要望されるようになってきた。
【０００３】特に多層基板の高密度化は回路パターンの
微細化が進み、より複数層の回路パターンの間の積層精
度がその性能を左右するため、積層精度と同時に生産性
の高い積層方法が望まれている。
微細化が進み、より複数層の回路パターンの間の積層精
度がその性能を左右するため、積層精度と同時に生産性
の高い積層方法が望まれている。
【０００４】以下従来の多層基板、ここでは４層基板の
製造方法について説明する。まず、多層基板のベースと
なる両面回路基板の製造方法を説明する。図８（ａ）〜
（ｆ）は従来の両面回路基板の製造方法の工程断面図で
ある。
製造方法について説明する。まず、多層基板のベースと
なる両面回路基板の製造方法を説明する。図８（ａ）〜
（ｆ）は従来の両面回路基板の製造方法の工程断面図で
ある。
【０００５】１は２５０ｍｍ角、厚さ約１５０μｍのプ
リプレグシートであり、例えば不織布の芳香族ポリアミ
ド繊維に熱硬化性エポキシ樹脂を含浸させた複合材から
なる基材（以下アラミド−エポキシシートと称する）が
用いられる。
リプレグシートであり、例えば不織布の芳香族ポリアミ
ド繊維に熱硬化性エポキシ樹脂を含浸させた複合材から
なる基材（以下アラミド−エポキシシートと称する）が
用いられる。
【０００６】３２は、片面にＳｉ系の離型剤を塗布した
厚さ約１０μｍのプラスチックシートであり、例えばポ
リエチレンテレフタレート（以下ＰＥＴシートと称す
る）が用いられる。３３は貫通孔であり、アラミド−エ
ポキシシート１の両面に貼りり付ける厚さ３５μｍのＣ
ｕなどの金属箔４と電気的に接続する導電ペースト２が
充填されている。
厚さ約１０μｍのプラスチックシートであり、例えばポ
リエチレンテレフタレート（以下ＰＥＴシートと称す
る）が用いられる。３３は貫通孔であり、アラミド−エ
ポキシシート１の両面に貼りり付ける厚さ３５μｍのＣ
ｕなどの金属箔４と電気的に接続する導電ペースト２が
充填されている。
【０００７】まず、両面にＰＥＴシート３２が接着され
たアラミド−エポキシシート１（図８（ａ））の所定の
箇所に、図８（ｂ）に示すようにレーザ加工法などを利
用して貫通孔３３が形成される。
たアラミド−エポキシシート１（図８（ａ））の所定の
箇所に、図８（ｂ）に示すようにレーザ加工法などを利
用して貫通孔３３が形成される。
【０００８】次に図８（ｃ）に示すように、貫通孔３３
に導電性ペースト２が充填される。導電性ペースト２を
充填する方法としては、貫通孔３３を有するアラミド−
エポキシシート１を印刷機（図示せず）のテーブル上に
設置し、直接導電性ペースト２がＰＥＴシート３２の上
から印刷される。
に導電性ペースト２が充填される。導電性ペースト２を
充填する方法としては、貫通孔３３を有するアラミド−
エポキシシート１を印刷機（図示せず）のテーブル上に
設置し、直接導電性ペースト２がＰＥＴシート３２の上
から印刷される。
【０００９】このとき、上面のＰＥＴシート３２は印刷
マスクの役割と、アラミド−エポキシシート１の表面の
汚染防止の役割を果たしている。
マスクの役割と、アラミド−エポキシシート１の表面の
汚染防止の役割を果たしている。
【００１０】次に図８（ｄ）に示すように、アラミド−
エポキシシート１の両面からＰＥＴシート３２を剥離す
る。
エポキシシート１の両面からＰＥＴシート３２を剥離す
る。
【００１１】そして、図８（ｅ）に示すように、アラミ
ド−エポキシシート１の両面にＣｕなどの金属箔４を重
ねる。この状態で熱プレスで加熱加圧することにより、
図８（ｆ）に示すように、アラミド−エポキシシート１
の厚みが圧縮される（ｔ２＝約１００μｍ）とともにア
ラミド−エポキシシート１と金属箔４とが接着され、両
面の金属箔４は所定位置に設けた貫通孔３３に充填され
た導電ペースト２により電気的に接続されている。
ド−エポキシシート１の両面にＣｕなどの金属箔４を重
ねる。この状態で熱プレスで加熱加圧することにより、
図８（ｆ）に示すように、アラミド−エポキシシート１
の厚みが圧縮される（ｔ２＝約１００μｍ）とともにア
ラミド−エポキシシート１と金属箔４とが接着され、両
面の金属箔４は所定位置に設けた貫通孔３３に充填され
た導電ペースト２により電気的に接続されている。
【００１２】そして、両面の金属箔４を選択的にエッチ
ングして回路パターンが形成され（図示せず）て両面回
路基板が得られる。
ングして回路パターンが形成され（図示せず）て両面回
路基板が得られる。
【００１３】図９（ａ）〜（ｄ）は、従来の多層基板の
製造方法を示す工程断面図あり、４層基板を例として示
している。
製造方法を示す工程断面図あり、４層基板を例として示
している。
【００１４】まず図９（ａ）に示すように、図８（ａ）
〜（ｆ）によって製造された回路パターン１１ａ、１２
ｂを有する両面回路基板１０と、貫通孔に導電ペースト
２を充填したアラミド−エポキシシート１ａ、１ｂ（こ
のシート１ａ、１ｂは、図８の（ａ）〜（ｄ）の工程に
より製造される）が準備される。
〜（ｆ）によって製造された回路パターン１１ａ、１２
ｂを有する両面回路基板１０と、貫通孔に導電ペースト
２を充填したアラミド−エポキシシート１ａ、１ｂ（こ
のシート１ａ、１ｂは、図８の（ａ）〜（ｄ）の工程に
より製造される）が準備される。
【００１５】そして、積層金型４７に設けた位置決めピ
ン４６に金属箔４、アラミド−エポキシシート１ｂ、両
面回路基板１０、プリプレグシート１ａ、金属箔４の順
で位置決め孔３を通して重ねる。
ン４６に金属箔４、アラミド−エポキシシート１ｂ、両
面回路基板１０、プリプレグシート１ａ、金属箔４の順
で位置決め孔３を通して重ねる。
【００１６】次に、図９（ｂ）に示すように、上金型４
８を載せた状態で熱プレスで加熱加圧することにより、
図９（ｃ）に示すように、アラミド−エポキシシート１
ａ、１ｂの厚みが圧縮（ｔ２＝約１００μｍ）され、両
面回路基板１０と金属箔４とが接着されるともに、回路
パターン１１ａ、１１ｂは導電性ペースト２により金属
箔４とインナビアホール接続される。
８を載せた状態で熱プレスで加熱加圧することにより、
図９（ｃ）に示すように、アラミド−エポキシシート１
ａ、１ｂの厚みが圧縮（ｔ２＝約１００μｍ）され、両
面回路基板１０と金属箔４とが接着されるともに、回路
パターン１１ａ、１１ｂは導電性ペースト２により金属
箔４とインナビアホール接続される。
【００１７】そして図９（ｄ）に示すように、両面の金
属箔４を選択的にエチングして回路パターン１２ａ、１
２ｂを形成することで４層基板が得られる。
属箔４を選択的にエチングして回路パターン１２ａ、１
２ｂを形成することで４層基板が得られる。
【００１８】一般的に熱プレスによる加熱加圧の工程は
バッチ式であり、回路基板に用いられるプリプレグシー
トの硬化時間は１〜３Ｈｒと長時間となる。したがっ
て、生産性を高めるためには、１回のプレスでの回路基
板の処理数を多くするとともにプレス前後の作業性の効
率化を図ることが重要となる。
バッチ式であり、回路基板に用いられるプリプレグシー
トの硬化時間は１〜３Ｈｒと長時間となる。したがっ
て、生産性を高めるためには、１回のプレスでの回路基
板の処理数を多くするとともにプレス前後の作業性の効
率化を図ることが重要となる。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の多層基板の製造方法においては、位置決めピンを設
けた金型を必要とするため、第１に、金型の位置決めピ
ンにクリアランスの小さい回路基板やプリプレグシート
の位置決め孔を通過させて位置決めし積層するため、加
熱加圧時に溶けたプリプレグシートの樹脂成分が位置決
めピンと接着して回路基板の取り外しが困難となり作業
効率が低下することや、取り外し時に位置決めピンを変
形させ積層精度を低下させるという問題があった。
来の多層基板の製造方法においては、位置決めピンを設
けた金型を必要とするため、第１に、金型の位置決めピ
ンにクリアランスの小さい回路基板やプリプレグシート
の位置決め孔を通過させて位置決めし積層するため、加
熱加圧時に溶けたプリプレグシートの樹脂成分が位置決
めピンと接着して回路基板の取り外しが困難となり作業
効率が低下することや、取り外し時に位置決めピンを変
形させ積層精度を低下させるという問題があった。
【００２０】第２に、金型は位置決めピンの精度確保の
ため、例えば３００ｍｍ角の金型で板厚１０ｍｍ程度の
ものが使用されているが、上下の金型の厚み分の回路基
板の処理数が減ることや、金型の重量も１５Ｋｇ程度と
なり、作業性が低下するとともに基板サイズの大型化が
難しいという問題があった。
ため、例えば３００ｍｍ角の金型で板厚１０ｍｍ程度の
ものが使用されているが、上下の金型の厚み分の回路基
板の処理数が減ることや、金型の重量も１５Ｋｇ程度と
なり、作業性が低下するとともに基板サイズの大型化が
難しいという問題があった。
【００２１】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、積層精度が高く、生産性に優れた多層基板を実現す
るための多層基板の製造方法を提供することを目的とす
るものである。
で、積層精度が高く、生産性に優れた多層基板を実現す
るための多層基板の製造方法を提供することを目的とす
るものである。
【００２２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の多層基板の製造方法は、回路基板とプリプ
レグシートを位置決めして重ね合わせ、プリプレグシー
トの任意の部位を部分的に加熱硬化させて回路基板と接
着固定した後、前記回路基板の両面に金属箔を貼り合わ
せ、熱プレスで加熱加圧して多層基板を得ようとするも
のである。
に、本発明の多層基板の製造方法は、回路基板とプリプ
レグシートを位置決めして重ね合わせ、プリプレグシー
トの任意の部位を部分的に加熱硬化させて回路基板と接
着固定した後、前記回路基板の両面に金属箔を貼り合わ
せ、熱プレスで加熱加圧して多層基板を得ようとするも
のである。
【００２３】また同様に回路基板とプリプレグシートを
位置決めして重ね合わせ、さらに金属箔で挟持しプリプ
レグシートの任意の部位を部分的に加熱硬化させて回路
基板と金属箔を同時に接着固定した後、熱プレスで加熱
加圧して多層基板を得ようとするものである。
位置決めして重ね合わせ、さらに金属箔で挟持しプリプ
レグシートの任意の部位を部分的に加熱硬化させて回路
基板と金属箔を同時に接着固定した後、熱プレスで加熱
加圧して多層基板を得ようとするものである。
【００２４】さらに複数の回路基板およびプリプレグシ
ートを用い同様に位置決めして重ね合わせ、プリプレグ
シートの任意の部位を部分的に加熱硬化させて回路基板
と接着固定した後、前記回路基板の両面に金属箔を貼り
合わせ、熱プレスで加熱加圧し一括して多層基板を得よ
うとするものである。
ートを用い同様に位置決めして重ね合わせ、プリプレグ
シートの任意の部位を部分的に加熱硬化させて回路基板
と接着固定した後、前記回路基板の両面に金属箔を貼り
合わせ、熱プレスで加熱加圧し一括して多層基板を得よ
うとするものである。
【００２５】
【作用】上記のように構成された本発明によれば、位置
決めしたプリプレグシートの任意の部位を加熱加圧して
回路基板に接着して固定するため、プレス時に金型が不
要となり、金型使用特有の回路基板の取り外し性の悪さ
や位置決めピンの変形などの問題がなくなる。また、金
型の厚みに相当する回路基板の処理数が増え生産性が向
上するとともに、軽量化が図れるため基板サイズの大型
化への対応も容易となる。またプリプレグシートの部分
的な硬化により熱プレス時の金属箔、回路基板、プリプ
レグシートのずれが防止でき、高精度な多層基板が実現
できる。
決めしたプリプレグシートの任意の部位を加熱加圧して
回路基板に接着して固定するため、プレス時に金型が不
要となり、金型使用特有の回路基板の取り外し性の悪さ
や位置決めピンの変形などの問題がなくなる。また、金
型の厚みに相当する回路基板の処理数が増え生産性が向
上するとともに、軽量化が図れるため基板サイズの大型
化への対応も容易となる。またプリプレグシートの部分
的な硬化により熱プレス時の金属箔、回路基板、プリプ
レグシートのずれが防止でき、高精度な多層基板が実現
できる。
【００２６】
【実施例】以下本発明の一実施例における多層基板の製
造方法について説明する。
造方法について説明する。
【００２７】（実施例１）多層基板のベースとなる両面
回路基板の製造方法については従来例と同一であり、こ
こでは説明を省略する。
回路基板の製造方法については従来例と同一であり、こ
こでは説明を省略する。
【００２８】図１（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第１の実
施例の多層基板の製造方法を示す工程断面図あり、４層
基板を例として示している。
施例の多層基板の製造方法を示す工程断面図あり、４層
基板を例として示している。
【００２９】図１において１ａ、１ｂは２５０ｍｍ角、
厚さ約１５０μｍの不織布の芳香族ポリアミド繊維に熱
硬化性エポキシ樹脂を含浸させた複合材からなるアラミ
ド−エポキシシート（プリプレグシート）であり、レー
ザーなどによって加工した貫通孔に導電ペースト２を充
填している。
厚さ約１５０μｍの不織布の芳香族ポリアミド繊維に熱
硬化性エポキシ樹脂を含浸させた複合材からなるアラミ
ド−エポキシシート（プリプレグシート）であり、レー
ザーなどによって加工した貫通孔に導電ペースト２を充
填している。
【００３０】１０は２５０ｍｍ角、厚さ約１７０μｍの
両面回路基板であり、両面に形成した回路パターン１１
ａ、１１ｂは所定位置に設けた貫通孔に充填された導電
ペースト２よって電気的に接続している。また、両面回
路基板１０の回路パターン１１ａ、１１ｂは、アラミド
−エポキシシート１ａ、１ｂとの接着部位４０を図２
（ａ）、（ｂ）に示すように金属箔４が除去されてい
る。
両面回路基板であり、両面に形成した回路パターン１１
ａ、１１ｂは所定位置に設けた貫通孔に充填された導電
ペースト２よって電気的に接続している。また、両面回
路基板１０の回路パターン１１ａ、１１ｂは、アラミド
−エポキシシート１ａ、１ｂとの接着部位４０を図２
（ａ）、（ｂ）に示すように金属箔４が除去されてい
る。
【００３１】このとき使用した導電性ペーストは、導電
性のフィラーとして平均粒径２ミクロンのＡｇ粉末を用
い、樹脂としては熱硬化型エポキシ樹脂（無溶剤型）、
硬化剤として酸無水物系の硬化剤をそれぞれ８５重量
％、１２．５重量％、２．５重量％となるように３本ロ
ールにて十分に混練したものである。
性のフィラーとして平均粒径２ミクロンのＡｇ粉末を用
い、樹脂としては熱硬化型エポキシ樹脂（無溶剤型）、
硬化剤として酸無水物系の硬化剤をそれぞれ８５重量
％、１２．５重量％、２．５重量％となるように３本ロ
ールにて十分に混練したものである。
【００３２】アラミド−エポキシシート１ａ、１ｂと両
面回路基板１０には、所定の位置にφ３ｍｍの位置決め
孔３が１８０ｍｍピッチで２個設けている。
面回路基板１０には、所定の位置にφ３ｍｍの位置決め
孔３が１８０ｍｍピッチで２個設けている。
【００３３】５は先端がφ５ｍｍのヒーターチップであ
り、７はφ２．９７ｍｍの位置決めピン６を１８０ｍｍ
ピッチで配置した２００ｍｍ角の位置決めプレートであ
る。
り、７はφ２．９７ｍｍの位置決めピン６を１８０ｍｍ
ピッチで配置した２００ｍｍ角の位置決めプレートであ
る。
【００３４】また、位置決めプレート７には、アラミド
−エポキシシート１ａ、１ｂの貫通孔に充填された導電
ペースト２が付着しないように凹みを設けている。８は
アラミド−エポキシシート１ａ、１ｂを両面回路基板１
０に加熱硬化して接着した時の接着部位の凹みである。
−エポキシシート１ａ、１ｂの貫通孔に充填された導電
ペースト２が付着しないように凹みを設けている。８は
アラミド−エポキシシート１ａ、１ｂを両面回路基板１
０に加熱硬化して接着した時の接着部位の凹みである。
【００３５】まず図１（ａ）に示すように、図９（ａ）
〜（ｆ）によって製造した回路パターン１１ａ、１１ｂ
を有する両面回路基板１０と図５（ａ）〜（ｄ）で製造
したアラミド−エポキシシート１ａ、１ｂを準備する。
〜（ｆ）によって製造した回路パターン１１ａ、１１ｂ
を有する両面回路基板１０と図５（ａ）〜（ｄ）で製造
したアラミド−エポキシシート１ａ、１ｂを準備する。
【００３６】そして、位置決めプレート７に設けた位置
決めピン６に、アラミド−エポキシシート１ｂ、両面回
路基板１０、アラミド−エポキシシート１ａの順で位置
決め孔３を通して重ねる。この時、アラミド−エポキシ
シート１ａ、１ｂと両面回路基板１０の四辺は位置決め
プレート７から２５ｍｍづつはみ出した状態となってい
る。
決めピン６に、アラミド−エポキシシート１ｂ、両面回
路基板１０、アラミド−エポキシシート１ａの順で位置
決め孔３を通して重ねる。この時、アラミド−エポキシ
シート１ａ、１ｂと両面回路基板１０の四辺は位置決め
プレート７から２５ｍｍづつはみ出した状態となってい
る。
【００３７】次に、図１（ｂ）に示すように、位置決め
プレート７からはみ出した両面回路基板１０を挟持した
アラミド−エポキシシート１ａ、１ｂの所定の位置にお
いて、上下に設けた先端がφ５ｍｍの３００〜３５０℃
に加熱したヒーターチップ６で約５００ｇの圧力を１０
秒間加えて、アラミド−エポキシシート１ａ、１ｂの樹
脂成分を硬化させて両面回路基板１０と接着する。
プレート７からはみ出した両面回路基板１０を挟持した
アラミド−エポキシシート１ａ、１ｂの所定の位置にお
いて、上下に設けた先端がφ５ｍｍの３００〜３５０℃
に加熱したヒーターチップ６で約５００ｇの圧力を１０
秒間加えて、アラミド−エポキシシート１ａ、１ｂの樹
脂成分を硬化させて両面回路基板１０と接着する。
【００３８】この接着における接着箇所は、積層時の位
置決め精度を保持するため最低２箇所必要であるが、実
施例では４角とそれぞれの中間点４箇所、計８箇所とし
た。
置決め精度を保持するため最低２箇所必要であるが、実
施例では４角とそれぞれの中間点４箇所、計８箇所とし
た。
【００３９】ヒーターチップ６をアラミド−エポキシシ
ート１ａ、１ｂから離した状態において、接着部位には
約５０μｍの凹み８が形成される。
ート１ａ、１ｂから離した状態において、接着部位には
約５０μｍの凹み８が形成される。
【００４０】ヒーターチップ５の先端形状はここでは円
形状のものを用いたが、長方形や、楕円などであっても
よく、特に限定するものではない。
形状のものを用いたが、長方形や、楕円などであっても
よく、特に限定するものではない。
【００４１】ここでは、両面回路基板１０の接着部位の
金属箔４を除去した回路パターン１１ａ、１１ｂとして
いるが、両面回路基板１０の接着部位に金属箔４が残っ
ている場合は、残存量によって熱容量が変わるため加熱
条件が変動する。
金属箔４を除去した回路パターン１１ａ、１１ｂとして
いるが、両面回路基板１０の接着部位に金属箔４が残っ
ている場合は、残存量によって熱容量が変わるため加熱
条件が変動する。
【００４２】例えば全面に残っている場合は上記加熱条
件でも２０秒以上の時間が必要となる。つまり、接着部
位の金属箔４の残存量によって加熱条件を設定すること
になるが、接着部位の金属箔４を全て除去しておくこと
によって一定の接着条件で安定して接着ができる。
件でも２０秒以上の時間が必要となる。つまり、接着部
位の金属箔４の残存量によって加熱条件を設定すること
になるが、接着部位の金属箔４を全て除去しておくこと
によって一定の接着条件で安定して接着ができる。
【００４３】また、このときヒータチップに加える圧力
と接着力との関係を調べると、４ｇ／ｃｍ2以下の圧力
では固定後搬送時に剥がれてしまい製造上問題であっ
た。５ｇ／ｃｍ2以上の圧力であれば問題なく搬送で
き、１０ｇ／ｃｍ2以上あればさらに望ましい。
と接着力との関係を調べると、４ｇ／ｃｍ2以下の圧力
では固定後搬送時に剥がれてしまい製造上問題であっ
た。５ｇ／ｃｍ2以上の圧力であれば問題なく搬送で
き、１０ｇ／ｃｍ2以上あればさらに望ましい。
【００４４】また温度は使用するプリプレグシートの樹
脂成分によって異なるが、一般に回路基板に使用される
樹脂（エポキシ樹脂）はその溶融温度が１００℃前後で
あり、本願発明の主旨から、硬化が進む温度である１５
０℃以上であれば問題ないことが判っている。しかし望
ましくはその処理時間の観点から２５０℃から３５０℃
の範囲が最適である。
脂成分によって異なるが、一般に回路基板に使用される
樹脂（エポキシ樹脂）はその溶融温度が１００℃前後で
あり、本願発明の主旨から、硬化が進む温度である１５
０℃以上であれば問題ないことが判っている。しかし望
ましくはその処理時間の観点から２５０℃から３５０℃
の範囲が最適である。
【００４５】次に、図１（ｃ）に示すように、両面にア
ラミド−エポキシシート１ａ、１ｂを接着して固定した
両面回路基板１０を、位置決めプレート７の位置決めピ
ン６から抜き取り、両面に金属箔４を重ねた後、全面を
熱プレスにて圧力が５０Ｋｇ／ｃｍ2、温度が２００℃
で１時間を加熱加圧することにより、図１（ｅ）に示す
ように、アラミド−エポキシシート１ａ、１ｂの厚みが
圧縮（ｔ２＝約１００μｍ）するとともにアラミド−エ
ポキシシート１ａ、１ｂで両面回路基板１０と金属箔４
とを接着し、回路パターン１１ａ、１１ｂは導電性ペー
スト３４により金属箔４とインナビアホール接続する。
ラミド−エポキシシート１ａ、１ｂを接着して固定した
両面回路基板１０を、位置決めプレート７の位置決めピ
ン６から抜き取り、両面に金属箔４を重ねた後、全面を
熱プレスにて圧力が５０Ｋｇ／ｃｍ2、温度が２００℃
で１時間を加熱加圧することにより、図１（ｅ）に示す
ように、アラミド−エポキシシート１ａ、１ｂの厚みが
圧縮（ｔ２＝約１００μｍ）するとともにアラミド−エ
ポキシシート１ａ、１ｂで両面回路基板１０と金属箔４
とを接着し、回路パターン１１ａ、１１ｂは導電性ペー
スト３４により金属箔４とインナビアホール接続する。
【００４６】そして図１（ｆ）に示すように、両面の金
属箔４を選択的にエッチングして回路パターンを形成し
て４層基板が得られる。
属箔４を選択的にエッチングして回路パターンを形成し
て４層基板が得られる。
【００４７】４層以上の多層基板を得ようとすれば、上
記製造法で製造した多層基板を両面回路基板の代わりに
用い同じ工程を繰り返せばよい。
記製造法で製造した多層基板を両面回路基板の代わりに
用い同じ工程を繰り返せばよい。
【００４８】つまり、図１（ａ）に示すように多層基板
の両面にアラミド−エポキシシートを位置決めして重
ね、図１（ｂ）に示すようにアラミド−エポキシシート
の所定の位置を部分的に加熱硬化して接着した後、前記
アラミド−エポキシシートを任意の位置で部分的に接着
した多層基板を図１（ｃ）のように位置決めプレートの
位置決めピンから抜き取り、図１（ｄ）のように金属箔
を最外面に貼り合わせて、図１（ｅ）に示すように熱プ
レスで加熱加圧してアラミド−エポキシシートで金属箔
と多層基板を接着するとともに多層基板の回路パターン
と金属箔を導電性ペーストにてインナービアホール接続
した後、図１（ｆ）に示すように金属箔を加工して回路
パターンを形成する工程を繰り返すことで多層基板が得
られる。
の両面にアラミド−エポキシシートを位置決めして重
ね、図１（ｂ）に示すようにアラミド−エポキシシート
の所定の位置を部分的に加熱硬化して接着した後、前記
アラミド−エポキシシートを任意の位置で部分的に接着
した多層基板を図１（ｃ）のように位置決めプレートの
位置決めピンから抜き取り、図１（ｄ）のように金属箔
を最外面に貼り合わせて、図１（ｅ）に示すように熱プ
レスで加熱加圧してアラミド−エポキシシートで金属箔
と多層基板を接着するとともに多層基板の回路パターン
と金属箔を導電性ペーストにてインナービアホール接続
した後、図１（ｆ）に示すように金属箔を加工して回路
パターンを形成する工程を繰り返すことで多層基板が得
られる。
【００４９】製造過程において金型が不要となったこと
で、金型使用時の特有の問題である溶融した接着剤位置
決め孔への流れ込みによる位置決めピンとの接着固定が
なくなり、何の支障もなく取り出し作業ができるように
なった。
で、金型使用時の特有の問題である溶融した接着剤位置
決め孔への流れ込みによる位置決めピンとの接着固定が
なくなり、何の支障もなく取り出し作業ができるように
なった。
【００５０】そして、本実施例での位置決めピンは位置
決めのみを目的としたものであり、室温で位置決めピン
への抜き差しを行うため、プリプレグシートの接着剤成
分の溶融固着が原因となる取り外しによる変形がなくな
り、安定した積層精度を保つことができた。
決めのみを目的としたものであり、室温で位置決めピン
への抜き差しを行うため、プリプレグシートの接着剤成
分の溶融固着が原因となる取り外しによる変形がなくな
り、安定した積層精度を保つことができた。
【００５１】また、金型厚相当の基板数を増やして（４
層基板で約４枚）プレスすることができたとともに、軽
量化が図れ、基板サイズの大型化にも容易に対応するこ
とが可能となった。完成した実施例１の４層基板の積層
精度は両面回路基板とプリプレグシートの位置決めに位
置決めピンを用いたことで、従来例の金型を用いた場合
と同等の積層精度（１００μｍ以下）が得られた。
層基板で約４枚）プレスすることができたとともに、軽
量化が図れ、基板サイズの大型化にも容易に対応するこ
とが可能となった。完成した実施例１の４層基板の積層
精度は両面回路基板とプリプレグシートの位置決めに位
置決めピンを用いたことで、従来例の金型を用いた場合
と同等の積層精度（１００μｍ以下）が得られた。
【００５２】（実施例２）図３（ａ）〜（ｆ）は、本発
明の第２の実施例の多層基板の製造方法を示す工程断面
図あり、４層基板を例として示している。
明の第２の実施例の多層基板の製造方法を示す工程断面
図あり、４層基板を例として示している。
【００５３】図３において１ａ、１ｂは２５０ｍｍ角、
厚さ約１５０μｍのガラスクロスに熱硬化性エポキシ樹
脂を含浸させた複合材からなるガラス−エポキシシート
（プリプレグシート）である。ここでは未加工のガラス
−エポキシシートを用いたが、レーザーなどによって加
工した貫通孔に導電ペーストを充填したガラス−エポキ
シシート１ａ、１ｂを用いてもよい。
厚さ約１５０μｍのガラスクロスに熱硬化性エポキシ樹
脂を含浸させた複合材からなるガラス−エポキシシート
（プリプレグシート）である。ここでは未加工のガラス
−エポキシシートを用いたが、レーザーなどによって加
工した貫通孔に導電ペーストを充填したガラス−エポキ
シシート１ａ、１ｂを用いてもよい。
【００５４】１０は２５０ｍｍ角、厚さ約１７０μｍの
両面回路基板であり、両面に形成した回路パターン１１
ａ、１１ｂは所定位置に設けた貫通孔に充填された導電
ペースト２よって電気的に接続している。
両面回路基板であり、両面に形成した回路パターン１１
ａ、１１ｂは所定位置に設けた貫通孔に充填された導電
ペースト２よって電気的に接続している。
【００５５】ここでは層間を導体ペースト２で接続した
両面回路基板１０を用いたが、層間にドリルで孔加工を
して電気メッキにて析出した金属で接続した（図示せ
ず）両面回路基板１０を用いてもよい。
両面回路基板１０を用いたが、層間にドリルで孔加工を
して電気メッキにて析出した金属で接続した（図示せ
ず）両面回路基板１０を用いてもよい。
【００５６】このとき使用した導電性ペースト２は、導
電性のフィラーとして平均粒径２ミクロンのＣｕ粉末を
用い、樹脂としては熱硬化型エポキシ樹脂（無溶剤
型）、硬化剤として酸無水物系の硬化剤をそれぞれ８５
重量％、１２．５重量％、２．５重量％となるように３
本ロールにて十分に混練したものである。
電性のフィラーとして平均粒径２ミクロンのＣｕ粉末を
用い、樹脂としては熱硬化型エポキシ樹脂（無溶剤
型）、硬化剤として酸無水物系の硬化剤をそれぞれ８５
重量％、１２．５重量％、２．５重量％となるように３
本ロールにて十分に混練したものである。
【００５７】４は３００ｍｍ角、厚さ３５μｍのＣｕな
どの金属箔であり、５は先端がφ５ｍｍのヒーターチッ
プである。
どの金属箔であり、５は先端がφ５ｍｍのヒーターチッ
プである。
【００５８】まず図３（ａ）に示すように、作業ステー
ジ５１上に金属箔４、ガラス−エポキシシート１ｂ、両
面回路基板１０、ガラス−エポキシシート１ａ、金属箔
４の順で外形で位置決めして重ねる。この時、ガラス−
エポキシシート１ａ、１ｂと両面回路基板１０の四辺は
作業ステージ５１から２５ｍｍづつはみ出した状態とな
っている。
ジ５１上に金属箔４、ガラス−エポキシシート１ｂ、両
面回路基板１０、ガラス−エポキシシート１ａ、金属箔
４の順で外形で位置決めして重ねる。この時、ガラス−
エポキシシート１ａ、１ｂと両面回路基板１０の四辺は
作業ステージ５１から２５ｍｍづつはみ出した状態とな
っている。
【００５９】次に、図３（ｂ）に示すように、作業ステ
ージ５１からはみ出した両面回路基板１０を挟持したガ
ラス−エポキシシート１ａ、１ｂの所定の位置を、最外
面に配置した金属箔４を介して、上下に設けた先端がφ
５ｍｍの３００〜３５０℃に加熱したヒーターチップ６
で約５００ｇの圧力を２０秒間加えてガラス−エポキシ
シート１ａ、１ｂの樹脂成分を硬化させて両面回路基板
１０と接着する。
ージ５１からはみ出した両面回路基板１０を挟持したガ
ラス−エポキシシート１ａ、１ｂの所定の位置を、最外
面に配置した金属箔４を介して、上下に設けた先端がφ
５ｍｍの３００〜３５０℃に加熱したヒーターチップ６
で約５００ｇの圧力を２０秒間加えてガラス−エポキシ
シート１ａ、１ｂの樹脂成分を硬化させて両面回路基板
１０と接着する。
【００６０】この場合、接着箇所は積層時の位置決め精
度を保持するため最低２箇所必要であるが、実施例では
４角とそれぞれの中間点４箇所、計８箇所とした。
度を保持するため最低２箇所必要であるが、実施例では
４角とそれぞれの中間点４箇所、計８箇所とした。
【００６１】ヒーターチップ６をガラス−エポキシシー
ト１ａ、１ｂから離した状態において、接着部位の金属
箔４に若干の変形（図示せず）が生じた。金属箔４を同
時に接着することで、プレス時のセッティング時間の短
縮や、ガラス−エポキシシート１ａ、１ｂへのゴミ付着
を防止できる。
ト１ａ、１ｂから離した状態において、接着部位の金属
箔４に若干の変形（図示せず）が生じた。金属箔４を同
時に接着することで、プレス時のセッティング時間の短
縮や、ガラス−エポキシシート１ａ、１ｂへのゴミ付着
を防止できる。
【００６２】特に、ガラス−エポキシシート１ａ、１ｂ
は静電気が帯電しておりゴミが付着しやすく除去しにく
い。金属箔４を接着することでガラス−エポキシシート
１ａ、１ｂ内部へのゴミの侵入を防ぐとともに仮に金属
箔４にゴミが付着しても除去しやすい。
は静電気が帯電しておりゴミが付着しやすく除去しにく
い。金属箔４を接着することでガラス−エポキシシート
１ａ、１ｂ内部へのゴミの侵入を防ぐとともに仮に金属
箔４にゴミが付着しても除去しやすい。
【００６３】次に、両面にガラス−エポキシシート１
ａ、１ｂを接着して固定した両面回路基板１０を作業ス
テージ５１から取り出し、熱プレスにて圧力が５０Ｋｇ
／ｃｍ 2、温度が２００℃で１時間全面加熱加圧するこ
とにより、図３（ｃ）に示すように、ガラス−エポキシ
シート１ａ、１ｂの厚みが圧縮（ｔ２＝約１４０μｍ）
するとともにガラス−エポキシシート１ａ、１ｂで両面
回路基板１０と金属箔４とを接着する。
ａ、１ｂを接着して固定した両面回路基板１０を作業ス
テージ５１から取り出し、熱プレスにて圧力が５０Ｋｇ
／ｃｍ 2、温度が２００℃で１時間全面加熱加圧するこ
とにより、図３（ｃ）に示すように、ガラス−エポキシ
シート１ａ、１ｂの厚みが圧縮（ｔ２＝約１４０μｍ）
するとともにガラス−エポキシシート１ａ、１ｂで両面
回路基板１０と金属箔４とを接着する。
【００６４】次いで図３（ｄ）に示すように、両面回路
基板１０の指定位置に、約φ０．４ｍｍのドリルを用い
てスルホール６０の孔加工をした後、図３（ｅ）に示す
ように、基板表面の活性化処理を行ない、電気メッキに
て例えばＣｕ等の金属を基板全面に析出６４させる。
基板１０の指定位置に、約φ０．４ｍｍのドリルを用い
てスルホール６０の孔加工をした後、図３（ｅ）に示す
ように、基板表面の活性化処理を行ない、電気メッキに
て例えばＣｕ等の金属を基板全面に析出６４させる。
【００６５】この時、前記析出金属６４の厚みは２０μ
ｍ以上であれば、スルホール接続の信頼性が得られる。
ｍ以上であれば、スルホール接続の信頼性が得られる。
【００６６】次いで図３（ｆ）に示すように、多層化し
た基板の最外面にある析出金属と金属箔４を同時に選択
的にエッチングして回路パターン１２ａ、１２ｂの形成
と多層化した基板の最外層間、最外層と内層間などを電
気的に接続するメッキスルホール６１を形成して、４層
基板が得られる。
た基板の最外面にある析出金属と金属箔４を同時に選択
的にエッチングして回路パターン１２ａ、１２ｂの形成
と多層化した基板の最外層間、最外層と内層間などを電
気的に接続するメッキスルホール６１を形成して、４層
基板が得られる。
【００６７】４層以上の多層基板を得ようとすれば上記
製造法で製造した多層基板を両面回路基板の代わりに用
い同じ工程を繰り返せばよい。
製造法で製造した多層基板を両面回路基板の代わりに用
い同じ工程を繰り返せばよい。
【００６８】つまり、図３（ａ）に示すように作業ステ
ージ上で多層基板の両面にガラス−エポキシシートと金
属箔を位置決めして重ね、図３（ｂ）に示すようにガラ
ス−エポキシシートの所定の位置を部分的に加熱硬化し
て接着した後、図３（ｃ）に示すように熱プレスで基板
全面を加熱加圧してガラス−エポキシシートで金属箔と
多層基板を接着し、図３（ｄ）に示すように多層基板の
指定位置にドリルでスルホール孔加工を行い、図３
（ｅ）に示すように多層基板全面にＣｕなどの金属を析
出させた後、図３（ｆ）に示すように最外面の析出金属
と金属箔を同時に加工して回路パターンとメッキスルホ
ールとを形成する工程を繰り返すことで多層基板が得ら
れる。実施例２でも実施例１と同様の効果が得られてい
る。
ージ上で多層基板の両面にガラス−エポキシシートと金
属箔を位置決めして重ね、図３（ｂ）に示すようにガラ
ス−エポキシシートの所定の位置を部分的に加熱硬化し
て接着した後、図３（ｃ）に示すように熱プレスで基板
全面を加熱加圧してガラス−エポキシシートで金属箔と
多層基板を接着し、図３（ｄ）に示すように多層基板の
指定位置にドリルでスルホール孔加工を行い、図３
（ｅ）に示すように多層基板全面にＣｕなどの金属を析
出させた後、図３（ｆ）に示すように最外面の析出金属
と金属箔を同時に加工して回路パターンとメッキスルホ
ールとを形成する工程を繰り返すことで多層基板が得ら
れる。実施例２でも実施例１と同様の効果が得られてい
る。
【００６９】（実施例３）図４（ａ）〜（ｃ）は、本発
明の第３の実施例の多層基板の製造方法を示す工程断面
図あり、４層基板を例として示している。
明の第３の実施例の多層基板の製造方法を示す工程断面
図あり、４層基板を例として示している。
【００７０】図４において１ａ、１ｂは２５０ｍｍ角、
厚さ約１５０μｍの不織布の芳香族ポリアミド繊維に熱
硬化性エポキシ樹脂を含浸させた複合材からなるアラミ
ド−エポキシシート（プリプレグシート）であり、レー
ザーなどによって加工された貫通孔に導電ペースト２を
充填している。
厚さ約１５０μｍの不織布の芳香族ポリアミド繊維に熱
硬化性エポキシ樹脂を含浸させた複合材からなるアラミ
ド−エポキシシート（プリプレグシート）であり、レー
ザーなどによって加工された貫通孔に導電ペースト２を
充填している。
【００７１】このとき使用した導電性ペーストは、導電
性のフィラーとして平均粒径２ミクロンのＣｕ粉末を用
い、樹脂としては熱硬化型エポキシ樹脂（無溶剤型）、
硬化剤として酸無水物系の硬化剤をそれぞれ８７．５重
量％、１０重量％、２．５重量％となるように３本ロー
ルにて十分に混練したものである。
性のフィラーとして平均粒径２ミクロンのＣｕ粉末を用
い、樹脂としては熱硬化型エポキシ樹脂（無溶剤型）、
硬化剤として酸無水物系の硬化剤をそれぞれ８７．５重
量％、１０重量％、２．５重量％となるように３本ロー
ルにて十分に混練したものである。
【００７２】２０ａ、２０ｂ、２０ｃは、２５０ｍｍ
角、厚さ約１７０μｍの両面回路基板であり、両面に形
成した回路パターン２１ａと２１ｂ、２２ａと２２ｂ、
２３ａと２３ｂは所定位置に設けた貫通孔に充填された
導電ペースト２よって電気的に接続している。
角、厚さ約１７０μｍの両面回路基板であり、両面に形
成した回路パターン２１ａと２１ｂ、２２ａと２２ｂ、
２３ａと２３ｂは所定位置に設けた貫通孔に充填された
導電ペースト２よって電気的に接続している。
【００７３】アラミド−エポキシシート１ａ、１ｂと両
面回路基板２０ａ、２０ｂ、２０ｃには、φ３ｍｍの位
置決め孔３が１８０μｍピッチで２個設けている。５は
先端がφ５ｍｍのヒーターチップである。
面回路基板２０ａ、２０ｂ、２０ｃには、φ３ｍｍの位
置決め孔３が１８０μｍピッチで２個設けている。５は
先端がφ５ｍｍのヒーターチップである。
【００７４】まず図４（ａ）に示すように、作業ステー
ジ５１に両面回路基板２０ｃ、アラミド−エポキシシー
ト１ｂ、両面回路基板２０ｂ、アラミド−エポキシシー
ト１ａ、両面回路基板２０ａの順で吸着加圧プレート７
０で吸着して回路パターン２１ａと２１ｂ、２２ａと２
２ｂ、２３ａと２３ｂを用いて画像認識などによって位
置決めして重ねる。
ジ５１に両面回路基板２０ｃ、アラミド−エポキシシー
ト１ｂ、両面回路基板２０ｂ、アラミド−エポキシシー
ト１ａ、両面回路基板２０ａの順で吸着加圧プレート７
０で吸着して回路パターン２１ａと２１ｂ、２２ａと２
２ｂ、２３ａと２３ｂを用いて画像認識などによって位
置決めして重ねる。
【００７５】この時、アラミド−エポキシシート１ａ、
１ｂと両面回路基板２０ａ、２０ｂ、２０ｃ四辺４は作
業ステージ５１から２５ｍｍづつはみ出した状態となっ
ている。
１ｂと両面回路基板２０ａ、２０ｂ、２０ｃ四辺４は作
業ステージ５１から２５ｍｍづつはみ出した状態となっ
ている。
【００７６】次に、図４（ｂ）に示すように、両面回路
基板２０ａの上から吸着加圧プレート７０で両面回路基
板２０ａ、２０ｂ、２０ｃやアラミド−エポキシシート
１ａ、１ｂを約２０ｇ／ｃｍ2で加圧した状態で、作業
ステージ５１からはみ出しアラミド−エポキシシート１
を挟持した両面回路基板２０ａ、２０ｃの接着部位を、
３００〜３５０℃に加熱したヒーターチップ６で約５０
０ｇの圧力を２０秒間加えてアラミド−エポキシシート
１ａ、１ｂの樹脂成分を硬化させて両面回路基板２０
ａ、２０ｂ、２０ｃと接着する。接着箇所は実施例１と
同様４角とそれぞれの中間点４箇所、計８箇所でおこな
った。
基板２０ａの上から吸着加圧プレート７０で両面回路基
板２０ａ、２０ｂ、２０ｃやアラミド−エポキシシート
１ａ、１ｂを約２０ｇ／ｃｍ2で加圧した状態で、作業
ステージ５１からはみ出しアラミド−エポキシシート１
を挟持した両面回路基板２０ａ、２０ｃの接着部位を、
３００〜３５０℃に加熱したヒーターチップ６で約５０
０ｇの圧力を２０秒間加えてアラミド−エポキシシート
１ａ、１ｂの樹脂成分を硬化させて両面回路基板２０
ａ、２０ｂ、２０ｃと接着する。接着箇所は実施例１と
同様４角とそれぞれの中間点４箇所、計８箇所でおこな
った。
【００７７】吸着加圧プレート７０で加圧することで、
アラミド−エポキシシート１ａ、１ｂと両面回路基板２
０ａ、２０ｂ、２０ｃとの密着をよくし位置決めを安定
させるとともに接着時エポキシ樹脂の溶融によって発生
する位置ズレを防止することができる。
アラミド−エポキシシート１ａ、１ｂと両面回路基板２
０ａ、２０ｂ、２０ｃとの密着をよくし位置決めを安定
させるとともに接着時エポキシ樹脂の溶融によって発生
する位置ズレを防止することができる。
【００７８】ヒーターチップ５を両面回路基板２０ａ、
２０ｃから離すと両面回路基板２０ａ、２０ｃの接着部
位はわずかに変形が見られる。
２０ｃから離すと両面回路基板２０ａ、２０ｃの接着部
位はわずかに変形が見られる。
【００７９】次に、アラミド−エポキシシー１ａ、１ｂ
で接着して固定した両面回路基板２０ａ、２０ｂ、２０
ｃを作業ステージ５１から取り出し全面を熱プレスにて
圧力が５０Ｋｇ／ｃｍ2、温度が２００℃で１時間加熱
加圧することにより、図４（ｃ）に示すように、アラミ
ド−エポキシシート１ａ、１ｂの厚みが圧縮する（ｔ２
＝約１００μｍ）とともにアラミド−エポキシシート１
ａ、１ｂが両面回路基板２０ａ、、２０ｂ、２０ｃと金
属箔４を接着し、両面回路基板２０ａの回路パターン２
１ｂと両面回路基板２０ｂの回路パターン２２ａ、両面
回路基板２０ｂの回路パターン２２ｂと両面回路基板２
０ｃの回路パターン２３ａは導電性ペースト２によりイ
ンナビアホール接続した６層基板が得られる。
で接着して固定した両面回路基板２０ａ、２０ｂ、２０
ｃを作業ステージ５１から取り出し全面を熱プレスにて
圧力が５０Ｋｇ／ｃｍ2、温度が２００℃で１時間加熱
加圧することにより、図４（ｃ）に示すように、アラミ
ド−エポキシシート１ａ、１ｂの厚みが圧縮する（ｔ２
＝約１００μｍ）とともにアラミド−エポキシシート１
ａ、１ｂが両面回路基板２０ａ、、２０ｂ、２０ｃと金
属箔４を接着し、両面回路基板２０ａの回路パターン２
１ｂと両面回路基板２０ｂの回路パターン２２ａ、両面
回路基板２０ｂの回路パターン２２ｂと両面回路基板２
０ｃの回路パターン２３ａは導電性ペースト２によりイ
ンナビアホール接続した６層基板が得られる。
【００８０】ここでは６層基板を例に説明したが、６層
以上の基板の場合は層数に応じた両面回路基板とプリプ
レグシートを用意し、回路基板が最外層になるようにプ
リプレグシートとを位置決めして重ね（図４（ａ））、
回路基板とプリプレグシートを任意の部位で部分的に接
着（図４（ｂ））した後、全面を熱プレスで加熱加圧し
てプリプレグシートで金属箔と両面回路基板を接着する
とともに多層基板の回路パターンと金属箔を導電性ペー
ストにてインナービアホール接続し、図４（ｄ）に示す
ように金属箔を加工して回路パターンを形成することで
一括して多層基板が得られる。実施例３でも実施例１と
同様の効果が得られている。
以上の基板の場合は層数に応じた両面回路基板とプリプ
レグシートを用意し、回路基板が最外層になるようにプ
リプレグシートとを位置決めして重ね（図４（ａ））、
回路基板とプリプレグシートを任意の部位で部分的に接
着（図４（ｂ））した後、全面を熱プレスで加熱加圧し
てプリプレグシートで金属箔と両面回路基板を接着する
とともに多層基板の回路パターンと金属箔を導電性ペー
ストにてインナービアホール接続し、図４（ｄ）に示す
ように金属箔を加工して回路パターンを形成することで
一括して多層基板が得られる。実施例３でも実施例１と
同様の効果が得られている。
【００８１】（実施例４）図５（ａ）〜（ｆ）は、本発
明の第４の実施例の多層基板の製造方法を示す工程断面
図あり、６層基板を例として示している。
明の第４の実施例の多層基板の製造方法を示す工程断面
図あり、６層基板を例として示している。
【００８２】図５において１ａ、１ｂ、１ｃは２５０ｍ
ｍ角、厚さ約１５０μｍの不織布の芳香族ポリアミド繊
維に熱硬化性エポキシ樹脂を含浸させた複合材からなる
アラミド−エポキシシート（プリプレグシート）であ
り、レーザーなどによって加工された貫通孔にＣｕ粉末
と熱硬化型エポキシ樹脂からなる導電ペースト２を充填
している。
ｍ角、厚さ約１５０μｍの不織布の芳香族ポリアミド繊
維に熱硬化性エポキシ樹脂を含浸させた複合材からなる
アラミド−エポキシシート（プリプレグシート）であ
り、レーザーなどによって加工された貫通孔にＣｕ粉末
と熱硬化型エポキシ樹脂からなる導電ペースト２を充填
している。
【００８３】２０ａ、２０ｂは２５０ｍｍ角、厚さ約１
７０μｍの第１、第２の両面回路基板であり、両面に形
成した回路パターン２１ａと２１ｂ、２２ａと２２ｂは
所定位置に設けた貫通孔に充填された導電ペースト２よ
って電気的に接続している。
７０μｍの第１、第２の両面回路基板であり、両面に形
成した回路パターン２１ａと２１ｂ、２２ａと２２ｂは
所定位置に設けた貫通孔に充填された導電ペースト２よ
って電気的に接続している。
【００８４】さらに、アラミド−エポキシシート１ａ、
１ｂ、１ｃと両面回路基板２０ａ、２０ｂにはφ３ｍｍ
の位置決め孔３が１８０μｍピッチで２個と、両面回路
基板２０ａ、２０ｂにプリプレグシート１ａ、１ｂ、１
ｃの指定した層の接着部位に先端が５φｍｍのヒーター
チップ５が通過できる開口部６５ａ、６５ｂをレーザー
やドリル、パンチなどを利用して設けている。
１ｂ、１ｃと両面回路基板２０ａ、２０ｂにはφ３ｍｍ
の位置決め孔３が１８０μｍピッチで２個と、両面回路
基板２０ａ、２０ｂにプリプレグシート１ａ、１ｂ、１
ｃの指定した層の接着部位に先端が５φｍｍのヒーター
チップ５が通過できる開口部６５ａ、６５ｂをレーザー
やドリル、パンチなどを利用して設けている。
【００８５】開口部６５ａ、６５ｂはプリプレグシート
１ａ、１ｂ、１ｃと両面回路基板２０ａ、２０ｂとを一
定の加熱条件で接着できる層数毎に順次接着するための
ものであり、開口部６５ａ、６５ｂは図６に示すように
切り欠いて設けてもよい。
１ａ、１ｂ、１ｃと両面回路基板２０ａ、２０ｂとを一
定の加熱条件で接着できる層数毎に順次接着するための
ものであり、開口部６５ａ、６５ｂは図６に示すように
切り欠いて設けてもよい。
【００８６】５７はφ２．９７ｍｍの位置決めピン６を
１８０ｍｍピッチで配置した２００ｍｍ角の位置決めプ
レートである。
１８０ｍｍピッチで配置した２００ｍｍ角の位置決めプ
レートである。
【００８７】まず図５（ａ）に示すように、位置決めプ
レート７に設けた位置決めピン６にアラミド−エポキシ
シート１ｃ、両面回路基板２０ｂ、アラミド−エポキシ
シート１ｂ、両面回路基板２０ａ、アラミド−エポキシ
シート１ａの順で位置決め孔３を通して重ねる。この
時、アラミド−エポキシシート１ａ、１ｂ、１ｃと両面
回路基板２０ａ、２０ｂの四辺４は位置決めプレート７
から２５ｍｍづつはみ出した状態となっている。
レート７に設けた位置決めピン６にアラミド−エポキシ
シート１ｃ、両面回路基板２０ｂ、アラミド−エポキシ
シート１ｂ、両面回路基板２０ａ、アラミド−エポキシ
シート１ａの順で位置決め孔３を通して重ねる。この
時、アラミド−エポキシシート１ａ、１ｂ、１ｃと両面
回路基板２０ａ、２０ｂの四辺４は位置決めプレート７
から２５ｍｍづつはみ出した状態となっている。
【００８８】次に、図５（ｂ）に示すように、位置決め
プレート７からはみ出したアラミド−エポキシシート１
ｃと両面回路基板２０ｂに設けた開口部６５ｂに、３０
０〜３５０℃に加熱したヒーターチップ６を通過させ
て、両面回路基板２０ａを挟持するアラミド−エポキシ
シート１ａ、１ｂを約５００ｇの圧力を１０秒間加えて
アラミド−エポキシシート１ａ、１ｂの樹脂成分を硬化
させて、両面回路基板２０ａと接着する。
プレート７からはみ出したアラミド−エポキシシート１
ｃと両面回路基板２０ｂに設けた開口部６５ｂに、３０
０〜３５０℃に加熱したヒーターチップ６を通過させ
て、両面回路基板２０ａを挟持するアラミド−エポキシ
シート１ａ、１ｂを約５００ｇの圧力を１０秒間加えて
アラミド−エポキシシート１ａ、１ｂの樹脂成分を硬化
させて、両面回路基板２０ａと接着する。
【００８９】次に、図５（ｃ）に示すように、位置決め
プレート７からはみ出したアラミド−エポキシシート１
ａと両面回路基板２０ａに設けた開口部６５ａに、３０
０〜３５０℃に加熱したヒーターチップ６を通過させ
て、両面回路基板２０ｂを挟持するアラミド−エポキシ
シート１ｂ、１ｃを約５００ｇの圧力を１０秒間加えて
アラミド−エポキシシート１ｂ、１ｃの樹脂成分を硬化
させて両面回路基板２０ｂと接着する。
プレート７からはみ出したアラミド−エポキシシート１
ａと両面回路基板２０ａに設けた開口部６５ａに、３０
０〜３５０℃に加熱したヒーターチップ６を通過させ
て、両面回路基板２０ｂを挟持するアラミド−エポキシ
シート１ｂ、１ｃを約５００ｇの圧力を１０秒間加えて
アラミド−エポキシシート１ｂ、１ｃの樹脂成分を硬化
させて両面回路基板２０ｂと接着する。
【００９０】ここでは、アラミド−エポキシシート１
ａ、１ｂ、１ｃと両面回路基板２０ａ、２０ｂを層毎に
順次接着を行ったが、実施例１、２、３に示すように一
括接着を行ってもよい。
ａ、１ｂ、１ｃと両面回路基板２０ａ、２０ｂを層毎に
順次接着を行ったが、実施例１、２、３に示すように一
括接着を行ってもよい。
【００９１】図５（ｂ）、（ｃ）での接着箇所は実施例
１と同様４角とそれぞれの中間点４箇所、計８箇所でお
こなった。
１と同様４角とそれぞれの中間点４箇所、計８箇所でお
こなった。
【００９２】次に、中間のアラミド−エポキシシート１
ａ、１ｂ、１ｃで接着して固定した両面回路基板２０
ａ、２０ｂを、位置決めプレート７の位置決めピン６か
ら抜き取った後、図５（ｄ）に示すように、最外面に金
属箔４を貼り合わせて基板全面を熱プレスにて圧力が５
０Ｋｇ／ｃｍ2、温度が２００℃で１時間加熱加圧する
ことにより、図５（ｅ）に示すように、アラミド−エポ
キシシート１ａ、１ｂ、１ｃの厚みが圧縮する（ｔ２＝
約１００μｍ）とともに、アラミド−エポキシシート１
ａ、１ｂ、１ｃが両面回路基板２０ａ、２０ｂと金属箔
４を接着するとともに両面回路基板２０ｂの回路パター
ン２１ｂと両面回路基板２０ｂの回路パターン２２ａ間
および回路基板２０ａの回路パターン２１ａと回路基板
２０ｂの回路パターン２２ｂと金属箔４間は導電性ペー
スト２によりインナビアホール接続する。
ａ、１ｂ、１ｃで接着して固定した両面回路基板２０
ａ、２０ｂを、位置決めプレート７の位置決めピン６か
ら抜き取った後、図５（ｄ）に示すように、最外面に金
属箔４を貼り合わせて基板全面を熱プレスにて圧力が５
０Ｋｇ／ｃｍ2、温度が２００℃で１時間加熱加圧する
ことにより、図５（ｅ）に示すように、アラミド−エポ
キシシート１ａ、１ｂ、１ｃの厚みが圧縮する（ｔ２＝
約１００μｍ）とともに、アラミド−エポキシシート１
ａ、１ｂ、１ｃが両面回路基板２０ａ、２０ｂと金属箔
４を接着するとともに両面回路基板２０ｂの回路パター
ン２１ｂと両面回路基板２０ｂの回路パターン２２ａ間
および回路基板２０ａの回路パターン２１ａと回路基板
２０ｂの回路パターン２２ｂと金属箔４間は導電性ペー
スト２によりインナビアホール接続する。
【００９３】次に、図５（ｆ）に示すように、両面の金
属箔４を選択的にエッチングして回路パターン２３ａ、
２３ｂを形成することで一括して６層基板が得られる。
属箔４を選択的にエッチングして回路パターン２３ａ、
２３ｂを形成することで一括して６層基板が得られる。
【００９４】ここでは６層基板を例に説明したが、６層
以上の基板の場合は層数に応じた両面回路基板とプリプ
レグシートを用意し、プリプレグシートが最外層となる
ように位置決めして重ね（図５（ａ））、一定の加熱条
件で接着できる層数毎に両面回路基板とプリプレグシー
トを順次接着し（図５（ｂ）、（ｃ））、最外面に金属
箔を貼り合わせ（図５（ｄ））せた後、図５（ｅ）に示
すように基板全面を熱プレスで加熱加圧してアラミド−
エポキシシートで金属箔と多層基板を接着するとともに
多層基板の回路パターンと金属箔を導電性ペーストにて
インナービアホール接続し、図５（ｆ）に示すように金
属箔を加工して回路パターンを形成することで一括して
多層基板が得られる。
以上の基板の場合は層数に応じた両面回路基板とプリプ
レグシートを用意し、プリプレグシートが最外層となる
ように位置決めして重ね（図５（ａ））、一定の加熱条
件で接着できる層数毎に両面回路基板とプリプレグシー
トを順次接着し（図５（ｂ）、（ｃ））、最外面に金属
箔を貼り合わせ（図５（ｄ））せた後、図５（ｅ）に示
すように基板全面を熱プレスで加熱加圧してアラミド−
エポキシシートで金属箔と多層基板を接着するとともに
多層基板の回路パターンと金属箔を導電性ペーストにて
インナービアホール接続し、図５（ｆ）に示すように金
属箔を加工して回路パターンを形成することで一括して
多層基板が得られる。
【００９５】本実施例でも実施例１と同様の効果が得ら
れている。 （実施例５）図７（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第５の実
施例の多層基板の製造方法を示す工程断面図あり、６層
基板を例として示している。
れている。 （実施例５）図７（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第５の実
施例の多層基板の製造方法を示す工程断面図あり、６層
基板を例として示している。
【００９６】図７において１ａ、１ｂ、１ｃは２５０ｍ
ｍ角、厚さ約１５０μｍのガラス織布に熱硬化性エポキ
シ樹脂を含浸させた複合材からなるアラミド−エポキシ
シート（プリプレグシート）であり、レーザーなどによ
って加工された貫通孔にＣｕ粉末と熱硬化型エポキシ樹
脂からなる導電ペースト２を充填している。
ｍ角、厚さ約１５０μｍのガラス織布に熱硬化性エポキ
シ樹脂を含浸させた複合材からなるアラミド−エポキシ
シート（プリプレグシート）であり、レーザーなどによ
って加工された貫通孔にＣｕ粉末と熱硬化型エポキシ樹
脂からなる導電ペースト２を充填している。
【００９７】２０ａ、２０ｂは、２５０ｍｍ角、厚さ約
１７０μｍの両面回路基板であり、両面に形成した回路
パターン２１ａと２１ｂ、２２ａと２２ｂとは所定位置
に設けた貫通孔に充填された導電ペースト２よって電気
的に接続している。
１７０μｍの両面回路基板であり、両面に形成した回路
パターン２１ａと２１ｂ、２２ａと２２ｂとは所定位置
に設けた貫通孔に充填された導電ペースト２よって電気
的に接続している。
【００９８】４は３００ｍｍ角、厚さ３５μｍのＣｕな
どの金属箔であり、５は先端がφ５ｍｍのヒーターチッ
プである。
どの金属箔であり、５は先端がφ５ｍｍのヒーターチッ
プである。
【００９９】まず図７（ａ）に示すように、作業ステー
ジ５１に金属箔４、アラミド−エポキシシート１ｃ、両
面回路基板２０ｂ、アラミド−エポキシシート１ｂ、両
面回路基板２０ｂ、アラミド−エポキシシート１ａ、金
属箔４の順で吸着加圧プレート７０で吸着して金属箔４
は外形で、アラミド−エポキシシート１ａ、１ｂ、１ｃ
と両面回路基板２０ａ、２０ｂは回路基板２０ａ、２０
ｂに設けた位置決めパターン６６を用いて画像認識など
によって位置決めして重ねる。
ジ５１に金属箔４、アラミド−エポキシシート１ｃ、両
面回路基板２０ｂ、アラミド−エポキシシート１ｂ、両
面回路基板２０ｂ、アラミド−エポキシシート１ａ、金
属箔４の順で吸着加圧プレート７０で吸着して金属箔４
は外形で、アラミド−エポキシシート１ａ、１ｂ、１ｃ
と両面回路基板２０ａ、２０ｂは回路基板２０ａ、２０
ｂに設けた位置決めパターン６６を用いて画像認識など
によって位置決めして重ねる。
【０１００】この時、アラミド−エポキシシート１ａ、
１ｂ、１ｃと両面回路基板２０ａ、２０ｂの四辺４は位
置決めプレート７から２５ｍｍづつはみ出した状態とな
っている。
１ｂ、１ｃと両面回路基板２０ａ、２０ｂの四辺４は位
置決めプレート７から２５ｍｍづつはみ出した状態とな
っている。
【０１０１】次に、図７（ｂ）に示すように、金属箔４
の上から吸着加圧プレート７０で両面回路基板２０ａ、
２０ｂやアラミド−エポキシシート１ａ、１ｂ、１ｃが
約２０ｇ／ｃｍ2で加圧した状態で作業ステージ５１か
らはみ出したアラミド−エポキシシート１ａ、１ｂ、１
ｃと両面回路基板２０ａ、２０ｂの接着部位を最外面の
金属箔４の上から、３００〜３５０℃に加熱したヒータ
ーチップ６で約５００ｇの圧力を２０秒間加えてアラミ
ド−エポキシシート１ａ、１ｂ、１ｃの樹脂成分を硬化
させて両面回路基板２０ａ、２０ｂ、金属箔４と接着す
る。
の上から吸着加圧プレート７０で両面回路基板２０ａ、
２０ｂやアラミド−エポキシシート１ａ、１ｂ、１ｃが
約２０ｇ／ｃｍ2で加圧した状態で作業ステージ５１か
らはみ出したアラミド−エポキシシート１ａ、１ｂ、１
ｃと両面回路基板２０ａ、２０ｂの接着部位を最外面の
金属箔４の上から、３００〜３５０℃に加熱したヒータ
ーチップ６で約５００ｇの圧力を２０秒間加えてアラミ
ド−エポキシシート１ａ、１ｂ、１ｃの樹脂成分を硬化
させて両面回路基板２０ａ、２０ｂ、金属箔４と接着す
る。
【０１０２】接着箇所は実施例１と同様４角とそれぞれ
の中間点４箇所、計８箇所でおこなった。
の中間点４箇所、計８箇所でおこなった。
【０１０３】吸着加圧プレート７０で加圧することで、
アラミド−エポキシシート１ａ、１ｂ、１ｃと両面回路
基板２０ａ、２０ｂとの密着をよくし位置決めを安定さ
せるとともに接着時エポキシ樹脂の溶融によって発生す
る位置ズレを防止することができる。
アラミド−エポキシシート１ａ、１ｂ、１ｃと両面回路
基板２０ａ、２０ｂとの密着をよくし位置決めを安定さ
せるとともに接着時エポキシ樹脂の溶融によって発生す
る位置ズレを防止することができる。
【０１０４】このとき、加圧する吸着加圧プレート７０
や作業ステージ５１は、最外層のアラミド−エポキシシ
ート１ａ、１ｃに貫通口に導電ペースト２が充填されて
いる場合は、吸着加圧プレート７０や作業ステージ５１
に導電ペースト２が付着して抜ける場合があるので、導
電ペースト２充填部位を避ける構造、例えば導電ペース
ト２充填部位の一定範囲のプレート面に凹み設ければよ
い。
や作業ステージ５１は、最外層のアラミド−エポキシシ
ート１ａ、１ｃに貫通口に導電ペースト２が充填されて
いる場合は、吸着加圧プレート７０や作業ステージ５１
に導電ペースト２が付着して抜ける場合があるので、導
電ペースト２充填部位を避ける構造、例えば導電ペース
ト２充填部位の一定範囲のプレート面に凹み設ければよ
い。
【０１０５】導電ペースト２が充填されていない場合や
導電ペースト２が充填されいても最外面に金属箔４があ
る場合は、平坦なプレートを用いてもよい。
導電ペースト２が充填されいても最外面に金属箔４があ
る場合は、平坦なプレートを用いてもよい。
【０１０６】また、両面回路基板２０ａ、２０ｂが最外
面となる場合は回路パターン２１ａ、２１ｂ、２２ａ、
２２ｂに傷などが付かないように弾性体などの保護材を
付加すればよい。ここでは金属箔４が最外面となってい
るため吸着加圧プレート７０と作業ステージ５１は平坦
なものを用いた。
面となる場合は回路パターン２１ａ、２１ｂ、２２ａ、
２２ｂに傷などが付かないように弾性体などの保護材を
付加すればよい。ここでは金属箔４が最外面となってい
るため吸着加圧プレート７０と作業ステージ５１は平坦
なものを用いた。
【０１０７】次に、熱プレスにて圧力が５０Ｋｇ／ｃｍ
2、温度が２００℃で１時間加熱加圧することにより、
図７（ｃ）に示すように、アラミド−エポキシシート１
ａ、１ｂ、１ｃの厚みが圧縮する（ｔ２＝約１００μ
ｍ）とともにアラミド−エポキシシート１ａ、１ｂ、１
ｃが両面回路基板２０ａ、２０ｂと金属箔４を接着する
とともに、両面回路基板２０ｂの回路パターン２１ｂと
両面回路基板２０ｂの回路パターン２２ａ間、回路基板
２０ａの回路パターン２１ａと金属箔４間、回路基板２
０ｂの回路パターン２２ｂと金属箔４間は導電性ペース
ト２によりインナビアホール接続する。
2、温度が２００℃で１時間加熱加圧することにより、
図７（ｃ）に示すように、アラミド−エポキシシート１
ａ、１ｂ、１ｃの厚みが圧縮する（ｔ２＝約１００μ
ｍ）とともにアラミド−エポキシシート１ａ、１ｂ、１
ｃが両面回路基板２０ａ、２０ｂと金属箔４を接着する
とともに、両面回路基板２０ｂの回路パターン２１ｂと
両面回路基板２０ｂの回路パターン２２ａ間、回路基板
２０ａの回路パターン２１ａと金属箔４間、回路基板２
０ｂの回路パターン２２ｂと金属箔４間は導電性ペース
ト２によりインナビアホール接続する。
【０１０８】次に、図７（ｄ）に示すように、両面の金
属箔４を選択的にエッチングして回路パターン２３ａ、
２３ｂを形成することで一括して６層基板が得られる。
属箔４を選択的にエッチングして回路パターン２３ａ、
２３ｂを形成することで一括して６層基板が得られる。
【０１０９】ここでは６層基板を例に説明したが、６層
以上の基板の場合は層数に応じた両面回路基板とプリプ
レグシートを用意し、プリプレグシートが最外面の金属
箔と接するように位置決めして重ね、（図７（ａ））、
両面の金属箔の上から両面回路基板とプリプレグシート
とを接着し（図７（ｂ））、図７（ｃ）に示すように基
板全面を熱プレスで加熱加圧してプリプレグシートで金
属箔と両面回路基板群と接着するとともに、両面回路基
板の回路パターン間および両面回路基板と金属箔を導電
性ペーストにてインナービアホール接続した後、図７
（ｄ）に示すように金属箔を加工して回路パターンを形
成することで一括して多層基板が得られる。実施例５で
も実施例１と同様の効果が得られている。
以上の基板の場合は層数に応じた両面回路基板とプリプ
レグシートを用意し、プリプレグシートが最外面の金属
箔と接するように位置決めして重ね、（図７（ａ））、
両面の金属箔の上から両面回路基板とプリプレグシート
とを接着し（図７（ｂ））、図７（ｃ）に示すように基
板全面を熱プレスで加熱加圧してプリプレグシートで金
属箔と両面回路基板群と接着するとともに、両面回路基
板の回路パターン間および両面回路基板と金属箔を導電
性ペーストにてインナービアホール接続した後、図７
（ｄ）に示すように金属箔を加工して回路パターンを形
成することで一括して多層基板が得られる。実施例５で
も実施例１と同様の効果が得られている。
【０１１０】以上述べたように、本発明は熱プレス前に
プリプレグシートを加熱硬化して両面回路基板と接着す
るものであり、金型が不要となるため、金型使用時の特
有の問題である取り外し性の悪さや位置決めピンの変形
などをなくすことができる。また、金型厚み相当の基板
数を増やしてプレスすることができるとともに、重量の
軽量化が図れ、基板サイズの大型化にも容易に対応でき
るものである。
プリプレグシートを加熱硬化して両面回路基板と接着す
るものであり、金型が不要となるため、金型使用時の特
有の問題である取り外し性の悪さや位置決めピンの変形
などをなくすことができる。また、金型厚み相当の基板
数を増やしてプレスすることができるとともに、重量の
軽量化が図れ、基板サイズの大型化にも容易に対応でき
るものである。
【０１１１】さらに、プリプレグシートの部分的な硬化
により熱プレス時の金属箔、回路基板、プリプレグシー
トのずれが防止でき、高精度な多層基板が実現できる。
により熱プレス時の金属箔、回路基板、プリプレグシー
トのずれが防止でき、高精度な多層基板が実現できる。
【０１１２】なお、実施例では有機材料を主材とした不
織布に熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグシート（ア
ラミド−エポキシシート）と無機材料を主材とした織布
に熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグシート（ガラス
エポキシシート）を用いたが、有機材料を主材とした布
に熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグシートや無機材
料を主材とした不織布に熱硬化性樹脂を含浸させたプリ
プレグシートを用いてもまた、実施例では加熱手段に常
時加熱ヒーターを用いたが、パルスヒーターや超音波、
レーザーを用いても同様の効果が得られる。
織布に熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグシート（ア
ラミド−エポキシシート）と無機材料を主材とした織布
に熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグシート（ガラス
エポキシシート）を用いたが、有機材料を主材とした布
に熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグシートや無機材
料を主材とした不織布に熱硬化性樹脂を含浸させたプリ
プレグシートを用いてもまた、実施例では加熱手段に常
時加熱ヒーターを用いたが、パルスヒーターや超音波、
レーザーを用いても同様の効果が得られる。
【０１１３】
【発明の効果】以上述べたように、熱プレス前にプリプ
レグシートを加熱硬化して両面回路基板と接着すること
で、金型が不要となり、金型使用時の特有の問題である
取り外し性の悪さや位置決めピンの変形などがなくな
り、金型厚み相当の基板数をアップすることができると
ともに軽量化が図れ、基板サイズの大型化にも容易に対
応できる積層精度の高い生産性に優れた多層基板の製造
方法を提供できる。
レグシートを加熱硬化して両面回路基板と接着すること
で、金型が不要となり、金型使用時の特有の問題である
取り外し性の悪さや位置決めピンの変形などがなくな
り、金型厚み相当の基板数をアップすることができると
ともに軽量化が図れ、基板サイズの大型化にも容易に対
応できる積層精度の高い生産性に優れた多層基板の製造
方法を提供できる。
【図１】本発明の第１の実施例における多層基板の製造
方法を示す工程断面図
方法を示す工程断面図
【図２】同実施例におけるプリプレグシート接着部位の
両面回路基板の回路パターンの説明図
両面回路基板の回路パターンの説明図
【図３】本発明の第２の実施例における多層基板の製造
方法を示す工程断面図
方法を示す工程断面図
【図４】本発明の第３の実施例における多層基板の製造
方法を示す工程断面図
方法を示す工程断面図
【図５】本発明の第４の実施例における多層基板の製造
方法を示す工程断面図
方法を示す工程断面図
【図６】同実施例におけるプリプレグシートと両面回路
基板の接着部位の開口部形状を示す平面図
基板の接着部位の開口部形状を示す平面図
【図７】本発明の第５の実施例における多層基板の製造
方法を示す工程断面図
方法を示す工程断面図
【図８】従来の両面回路基板の製造方法の工程断面図
【図９】多層基板の製造方法を示す工程断面図
１ａ、１ｂ アラミド−エポキシシート（プリプレグシ
ート） ２ 導電ペースト ３ 位置決め孔 ４ 金属箔 ５ ヒーターチップ ６ 位置決めピン ７ 位置決めプレート ８ 接着部位の凹み １０ 両面回路基板 １１ａ、１１ｂ、１２ａ、１２ｂ 回路パターン
ート） ２ 導電ペースト ３ 位置決め孔 ４ 金属箔 ５ ヒーターチップ ６ 位置決めピン ７ 位置決めプレート ８ 接着部位の凹み １０ 両面回路基板 １１ａ、１１ｂ、１２ａ、１２ｂ 回路パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 眞治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 西井 利浩 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 岩城 隆彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 石丸 秀行 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 中谷 誠一 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (17)
- 【請求項１】少なくとも２層以上の回路パターンを有す
る回路基板の両面に被圧縮性を有するプリプレグシート
を位置決めして挟持する工程と、前記両面に挟持したプ
リプレグシートの任意の部位を部分的に加熱加圧して硬
化させて前記回路基板に接着固定する工程と、さらに前
記部分的に接着固定した両面のプリプレグシートの最外
面に金属箔を配し全面を加熱加圧してプリプレグシート
の硬化により金属箔の接着と回路基板の接着を行う工程
と、前記金属箔を加工して両面に回路パターンを形成す
る工程からなることを特徴とする多層基板の製造方法。 - 【請求項２】少なくとも２層以上の回路パターンを有す
る回路基板の両面に被圧縮性を有するプリプレグシート
を位置決めして挟持する工程と、さらにその最外層両面
に金属箔を挟持する工程と、前記金属箔の任意の部位を
部分的に加熱加圧して前記プリプレグシートを部分的に
硬化させて前記回路基板および金属箔を接着固定する工
程と、さらに全面を加熱加圧してプリプレグシートの硬
化により金属箔の接着と回路基板の接着を行う工程と、
前記金属箔を加工して両面に回路パターンを形成する工
程からなることを特徴とする多層基板の製造方法。 - 【請求項３】少なくとも２層以上の回路パターンを有す
る複数の回路基板と被圧縮性を有する複数のプリプレグ
シートとを前記回路基板が最外層に配置されるように交
互に位置決めして重ねる工程と、前記位置決めされた回
路基板群とプリプレグシート群の任意の部位を部分的に
加熱加圧してプリプレグシートを硬化させて前記回路基
板群とプリプレグシート群を接着固定する工程と、さら
に全面を加熱加圧することで前記プリプレグシートを硬
化させ前記回路基板群とを接着させる工程とからなるこ
とを特徴とする多層基板の製造方法。 - 【請求項４】少なくとも２層以上の回路パターンを有す
る複数の回路基板と被圧縮性を有する複数のプリプレグ
シートとを前記プリプレグシートが最外層に配置される
ように交互に位置決めして重ねる工程と、前記位置決め
された回路基板群とプリプレグシート群の任意の部位を
部分的に加熱加圧してプリプレグシートを硬化させて前
記回路基板群とプリプレグシート群を接着固定する工程
と、さらに全面を加熱加圧することで前記プリプレグシ
ートを硬化させ前記回路基板群とを接着させる工程とか
らなることを特徴とする多層基板の製造方法。 - 【請求項５】少なくとも２層以上の回路パターンを有す
る複数の回路基板と被圧縮性を有する複数のプリプレグ
シートとを前記プリプレグシートが最外層に配置される
ように交互に位置決めして重ねる工程と、さらにその最
外層両面に金属箔を挟持する工程と、前記金属箔の任意
の部位を部分的に加熱加圧して前記位置決めされた回路
基板群とプリプレグシート群および金属箔をプリプレグ
シートの硬化により接着固定する工程と、さらに全面を
加熱加圧してプリプレグシート群の硬化により金属箔の
接着と回路基板群の接着を行う工程と、前記金属箔を加
工して両面に回路パターンを形成する工程からなること
を特徴とする多層基板の製造方法。 - 【請求項６】被圧縮性を有するプリプレグシートおよ
び、もしくは少なくとも２層以上の回路パターンを有す
る回路基板が有機材料を主材料とする織布あるいは不織
布と熱硬化性樹脂との複合材であることを特徴とする請
求項１〜５の何れかに記載の多層基板の製造方法。 - 【請求項７】被圧縮性を有するプリプレグシートおよ
び、もしくは少なくとも２層以上の回路パターンを有す
る回路基板が芳香族ポリアミドを主材料とする織布ある
いは不織布と熱硬化型エポキシ樹脂との複合材であるこ
とを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の多層基板
の製造方法。 - 【請求項８】被圧縮性を有するプリプレグシートおよ
び、もしくは少なくとも２層以上の回路パターンを有す
る回路基板が無機材料を主材料とする織布あるいは不織
布と熱硬化性樹脂との複合材であることを特徴とする請
求項１〜５の何れかに記載の多層基板の製造方法。 - 【請求項９】被圧縮性を有するプリプレグシートおよ
び、もしくは少なくとも２層以上の回路パターンを有す
る回路基板がガラス材料からなる織布あるいは不織布と
熱硬化型エポキシ樹脂との複合材であることを特徴とす
る請求項１〜５の何れかに記載の多層基板の製造方法。 - 【請求項１０】被圧縮性を有するプリプレグシートに回
路基板の回路パターンと接続する指定部位に貫通孔を設
け導電ペーストが充填してなることを特徴とする請求項
１〜５の何れかに記載の多層基板の製造方法。 - 【請求項１１】導電性ペーストの導電物質がＣｕ、Ａｇ
およびこれらの合金の粉末からなることを特徴とする請
求項１０に記載の多層基板の製造方法。 - 【請求項１２】少なくとも２層以上の回路パターンを有
する回路基板があらかじめ層間接続がなされた回路基板
であることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の
多層基板の製造方法。 - 【請求項１３】任意の部位を部分的に加熱加圧する加熱
手段に常時加熱ヒーターあるいはパルスヒーターあるい
は超音波あるいはレーザーを用いることを特徴とする請
求項１〜５の何れかに記載の多層基板の製造方法。 - 【請求項１４】任意の部位を部分的に加熱加圧するとき
回路基板群とプリプレグシート群を複数枚重ねた後、接
着する層以外の回路基板とプリプレグシートに加熱手段
が通過可能な開口部を設け、順次接着層を移動して接着
することを特徴とする請求項３〜５の何れかに記載の多
層基板の製造方法。 - 【請求項１５】任意の部位を部分的に加熱加圧するとき
回路基板群とプリプレグシート群を複数枚重ねた後ある
いは回路基板群とプリプレグシート群を複数枚重ね最外
面に金属箔を重ねた後、全面あるいは指定部位を除いた
面を加圧しながら接着することを特徴とする請求項１〜
５の何れかに記載の多層基板の製造方法。 - 【請求項１６】回路基板の接着部位の金属箔を除去した
ことを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の多層基
板の製造方法。 - 【請求項１７】任意の部位を部分的に加熱加圧し接着固
定する工程において、加熱温度が１５０℃以上、圧力が
５ｇ／ｃｍ2以上であることを特徴とする請求項１〜５
の何れかに記載の多層基板の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP3823594A JP3231537B2 (ja) | 1994-03-09 | 1994-03-09 | 多層基板の製造方法 |
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-
1994
- 1994-03-09 JP JP3823594A patent/JP3231537B2/ja not_active Expired - Lifetime
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