JP2002305376A - プリント配線基板の製造方法、プリント配線基板、及び、半導体装置 - Google Patents

プリント配線基板の製造方法、プリント配線基板、及び、半導体装置

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    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 製造工程を複雑化することなく層間接続の信
頼性や機械的強度が高いプリント配線基板の製造方法、
プリント配線基板、及び、半導体装置を提供する。 【解決手段】 エポキシなどの未硬化の絶縁材料基板３
に、導電性ペーストを略円錐型に成型した導体バンプ
２，２，…を配設した導体層を押圧して前記プリプレグ
に前記導体バンプ２，２，…を貫通させ、これにより絶
縁材料基板３の厚さ方向での電気的導通を形成する配線
板製造方法に関し、前記導体バンプ２，２，…を貫通さ
せた樹脂付銅箔４の樹脂を完全に硬化した後にパターニ
ングし、貫通した導体バンプ２，２，…先端側の絶縁材
料基板３表面全体に接着剤１７を塗布して基板ユニット
１８を作製し、多層基板全層分のパターニング済みの基
板ユニット１８を一回の積層プレスで一体加工すること
により多層基板を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板に係り、
更に詳細には、高密度実装に対応したファインパターン
対応型の多層プリント配線基板やＭＣＭ−Ｌ(マルチチ
ップモジュール)パッケージ用多層配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より多層板を製造する方法のひとつ
として、両面に配線パターンを備えた絶縁材料基板の厚
さ方向に円錐状の層間接続部材を貫通させて前記配線パ
ターンの層間接続を形成する「貫通法」と呼ばれる方法
が知られている。この貫通法では、金属薄板などの導体
板上に金属微粒子などの導電性材料を樹脂中に分散させ
た導電ペーストを略円錐型に成型して導体バンプ群を形
成し、この導体バンプ群の先端側にプリプレグ、即ちガ
ラス繊維シートなどの補強材にエポキシ樹脂などのマト
リックス材を含浸させたシート状の絶縁材料基板を重
ね、この導体板とプリプレグを押圧して前記プリプレグ
に前記導体バンプを貫通させ、これにより絶縁材料基板
の厚さ方向での電気的導通を形成する方法である。図１
２は貫通法で製造されるプリント配線基板の製造過程を
模式的に示した垂直断面図である。この貫通法では図１
２（ａ）に示すように、銅箔１上に導電ペーストで導体
バンプ２を形成し、次に図１２（ｂ）のようにプリプレ
グ３を重ね、加圧することでその厚さ方向に導体バンプ
２を貫通させ、図１２（ｃ）のような樹脂付銅箔４を作
成し、その上にもうひとつの銅箔１−２を重ねて、加熱
下に加圧して両面銅張板５−２を作成し（図１２
（ｅ））、回路形成を行って上記貫通法による両面基板
６−２を作成する。図１２（ｃ）の樹脂付銅箔４と同様
にして作られた銅箔４−１および４−２を前記両面基板
６に重ね積層配置したものが図１３（ａ）である。これ
を加熱下に加圧する積層プレスを行なうと図１３（ｂ）
のような４層基板７−２が形成できる。同様にして、図
１４（ａ）に示すように樹脂付銅箔４（４−３、４−
４）を重ね加熱下に加圧する積層プレスを行うと図１４
（ｂ）のような貫通法による６層基板８が形成できる。
この多層基板８はめっきを必要としないため表面の銅層
は薄い状態で仕上げることができるため、微細なパター
ンの形成が可能となる。また、ビア９がランダムに配置
できるため内層の配線密度を高くすることができ基板面
積の小型化も達成できるという利点がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この貫通法に
よる基板の製造方法では、積層段数が多くなるにつれて
積層プレスの回数が増えるため、内側に位置する材料に
熱履歴が過度に作用し、特に絶縁材料基板にマイクロク
ラックが生じたり、積層界面に剥離が発生し、ひいては
絶縁特性の劣化やパターン銅のマイグレーションを惹起
するという品質上の問題がある。また、積層プレスの回
数が多いと工数が増加して製造コストを上昇させるとい
うコスト上の問題や、さらに積層プレスごとに各層間の
位置ずれを制御しなければならず歩留も悪いという製造
工程上の問題がある。
【０００４】上記問題に対し、積層プレスの回数を１回
に削減する方法が提案されている。図１５、１６、１７
を用いてその方法を説明する。まず、図１５（ａ）〜
（ｃ）のようにして絶縁材料基板付きの銅箔４を作成す
る。ここまでは図１２（ａ）〜（ｃ）と同じであり、こ
の時点では上記絶縁材料基板は硬化していない。導体バ
ンプの先端が平らな状態の絶縁材料基板付きの銅箔４を
レジストフィルム１１でラミネートすると図１５（ｄ）
の状態になる。これを選択的に露光と現像とをおこない
（図示省略）、銅箔のエッチングを行うと図１５（ｅ）
のようなパターンが形成された樹脂付銅箔１２が形成で
きる。図１６に示したように多層基板の構成要素である
パターンが形成された樹脂付銅箔１２−１、１２−２、
１２−３、１２−４、１２−５および銅箔１−３を積層
配置し、樹脂の硬化温度で加熱下に加圧して積層プレス
を行うとプリプレグ中の樹脂が硬化して図１７のような
断面形状の（貫通法による）積層プレスが１回の６層基
板１３が得られ、基板のＴｇも約２００℃となり、材料
本来の特性を備えた多層板が得られる。
【０００５】しかし、回路形成後レジストフィルム１１
を剥離して作られる樹脂付銅箔１２は剥離時で使用する
アルカリなどの溶剤により反応前の接着剤が腐食され、
硬化後十分な反応が起こらず、樹脂の接着強度が劣化す
るという問題がある。特に携帯電話などのモバイル製品
用の基板では落下試験があり、この樹脂の接着強度が重
要となるが、上記レジストフィルムによるラッピング式
の１回プレス方法では、各層の絶縁材料同士が密着する
ための接着剤が腐食するという問題がある。本発明は上
記従来の問題を解決するためになされた発明である。即
ち本発明は、製造工程を複雑化することなく層間接続の
信頼性や機械的強度が高いプリント配線基板の製造方
法、プリント配線基板、及び、半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のプリント配線基
板の製造方法は、導体板上に複数の略円錐型の導体バン
プを形成する工程と、前記導体バンプ上に未硬化の絶縁
材料基板をセットする工程と、前記絶縁材料基板が硬化
しない温度で加熱しながら前記導体板および絶縁材料基
板を緩衝材を介して加圧して前記導体バンプを前記絶縁
材料基板に貫通させる工程と、前記導体バンプおよび絶
縁材料基板を硬化させる工程と、前記導体板をパターニ
ングして所定の配線パターンを備えた単層配線板を形成
する工程と、前記単層板の絶縁材料基板面又は配線パタ
ーン面に接着剤を塗布して基板ユニットを形成する工程
と、複数の基板ユニットを積層して多層板前駆体を形成
する工程と、前記多層板前駆体を加熱下に加圧して前記
導体バンプと前記配線パターンとを接続すると共に前記
接着剤層を硬化させる工程とを具備する。
【０００７】本発明の他のプリント配線基板の製造方法
は、第１の導体板上に複数の略円錐型の導体バンプを形
成する工程と、前記導体バンプ上に未硬化の絶縁材料基
板をセットする工程と、前記絶縁材料基板が硬化しない
温度で加熱しながら前記第１の導体板および絶縁材料基
板を緩衝材を介して加圧して前記導体バンプを前記絶縁
材料基板に貫通させる工程と、前記導体バンプが貫通し
た前記絶縁性基板上に第２の導体板と第２の緩衝材を積
層して加熱下に加圧して前記導体バンプおよび絶縁材料
基板を硬化させる工程と、前記導体板をパターニングし
て所定の配線パターンを備えた単層配線板を形成する工
程と、前記第２の導体板をエッチングにより除去する工
程と、前記単層板の絶縁材料基板面又は配線パターン面
に接着剤を塗布して基板ユニットを形成する工程と、複
数の基板ユニットを積層して多層板前駆体を形成する工
程と、前記多層板前駆体を加熱下に加圧して前記導体バ
ンプと前記配線パターンとを接続すると共に前記接着剤
層を硬化させる工程とを具備する。
【０００８】上記プリント配線基板の製造方法におい
て、前記導体バンプを前記絶縁材料基板に貫通させる工
程として、前記導体バンプの先端を平面化させ、その上
面径が平均で底面径の５０％以上になるように変形させ
る工程を挙げることができる。上記プリント配線基板の
製造方法において、前記導体バンプを前記絶縁材料基板
に貫通させる工程として、前記導体バンプの上面が絶縁
材料基板面から５〜２０μｍ突き出た構造になるように
変形させる工程を挙げることができる。
【０００９】本発明の更に他のプリント配線基板の製造
方法は、導体板上に複数の略円錐型の導体バンプを形成
する工程と、前記導体バンプ上に未硬化の絶縁材料基板
をセットする工程と、前記絶縁材料基板が硬化しない温
度で加熱しながら前記導体板および絶縁材料基板を緩衝
材を介して加圧して前記導体バンプを前記絶縁材料基板
に貫通させる工程と、前記導体バンプおよび絶縁材料基
板を硬化させる工程と、前記導体板をパターニングして
所定の配線パターンを備えた単層配線板を形成する工程
と、前記単層板の絶縁材料基板面又は配線パターン面に
接着剤を塗布して基板ユニットを形成する工程と、硬化
した絶縁材料基板の第１の面と第２の面にそれぞれ配線
パターンを備え、前記第１の面と第２の面に形成された
配線パターンどうしを電気的に接続する電層間接続部材
を内蔵するコア材を形成する工程と、前記基板ユニット
を少なくとも１枚ずつ前記コア材の両面に積層配置して
多層配線基板前駆体を形成する工程と、前記多層配線基
板前駆体を加熱下に加圧して各配線パターンどうしを層
間接続すると同時に前記接着剤層を硬化させる工程とを
具備する。
【００１０】上記プリント配線基板の製造方法におい
て、前記コア材を形成する工程として、第１の導体板の
上に略円錐型の導体バンプを形成する工程と、前記導体
バンプの先端側に未硬化の絶縁材料基板を配設する工程
と、前記第１の導体板と前記絶縁材料基板とを加圧して
前記導体バンプを前記絶縁材料基板に貫通させる工程
と、前記導体バンプの先端が貫通した前記絶縁材料基板
表面に第２の導体板をセットする工程と、前記第１の導
体板と前記第２の導体板とを加熱下に加圧して前記絶縁
材料基板を硬化させる工程と、前記第１の導体板及び前
記第２の導体板にパターン形成する工程と、を具備する
工程を挙げることができる。
【００１１】上記プリント配線基板の製造方法におい
て、前記コア材として、銅めっきスルーホール基板を挙
げることができる。
【００１２】上記プリント配線基板の製造方法におい
て、前記基板ユニットを形成する工程として、前記導体
バンプ先端を突き当てる相手側の配線パターン上に前記
接着剤を塗布する工程を挙げることができる。
【００１３】上記プリント配線基板の製造方法におい
て、前記接着剤として、前記絶縁材料基板の補強材に含
浸させたレジンと同一のレジン、又は前記レジンの粘度
を低下させたものを挙げることができる。
【００１４】本発明のプリント配線基板は、複数の絶縁
層と、前記絶縁層と絶縁層との間に配設された層間配線
層と、最外部の絶縁層の表面に配設された複数の表面配
線層と、前記絶縁層内に配設され、前記絶縁層を介して
対向する前記層間配線層を接続する層間接続部材と、前
記最外部の絶縁層内に配設され、前記表面配線層に先端
側が当接する導体バンプ群とを具備する。
【００１５】上記プリント配線基板において、前記絶縁
層は、樹脂内部を補強材シートで補強した補強材層と、
補強材を含まない接着剤を硬化させた接着剤層との積層
物であってもよい。
【００１６】本発明の半導体装置は、複数の絶縁層と、
前記絶縁層と絶縁層との間に配設された層間配線層と、
最外部の絶縁層の表面に配設された複数の表面配線層
と、前記絶縁層内に配設され、前記絶縁層を介して対向
する前記層間配線層を接続する層間接続部材と、前記最
外部の絶縁層内に配設され、前記表面配線層に先端側が
当接する導体バンプ群と、前記表面配線層に実装された
半導体素子とを具備する。
【００１７】本発明のプリント配線の製造方法では、単
層配線板ごとに絶縁材料基板と導体バンプを完全に硬化
してから接着剤層を介してコア材の上に積層して多層板
前駆体を形成し、多層板前駆体全体として一括して加熱
と加圧とにより接着剤層を硬化させるので、６層基板を
製造する場合、積層プレスの回数が従来方法での３回か
ら２回に減少する。これにより、全層の絶縁材料基板の
プレスによる熱履歴が減る。また、接着材を単層配線板
に塗布するため各絶縁材料基板どうしの密着力が向上
し、ハンダリフロー時に受ける温度負荷に対してボイド
や膨れが生じにくくなるため、内層材料間での剥離や金
属のマイグレーションが起きにくくなる。また、積層プ
レス時の熱収縮率の違いから生じる位置ズレが減少す
る。更に６層基板の場合に積層プレス回数が２／３回に
減少することにより大幅なコストダウンが図られる。こ
の方法をさらに積層段数の多い高多層基板に適用すると
従来の多層板より信頼性が向上し、付加価値が増大す
る。
【００１８】前記導体バンプを前記絶縁材料基板に貫通
させる工程が、前記導体バンプの先端を平面化させ、そ
の上面径が平均で底面径の５０％以上になるように変形
させる工程である場合、導体バンプ先端を平坦にするこ
とにより当接させる配線パターンとの接触面積が増大し
て接触面での抵抗値が低下する。また、導体バンプ先端
を平らにすることにより、積層プレス時の圧力が小さく
ても導体バンプを十分圧縮できるようになり、基板ユニ
ットを多段に重ねて一度に積層プレスすることが可能に
なる。
【００１９】前記導体バンプを前記絶縁材料基板に貫通
させる工程が、前記導体バンプの上面が絶縁材料基板面
から５〜２０μｍ突き出た構造になるように変形させる
工程である場合、導体バンプの上面が絶縁材料基板から
５〜２０μｍ突き出させることにより、積層プレス時に
導体バンプが接着材層を貫通しやすくなり当接させる配
線パターンとの接触面積が増大して接続抵抗が低下し、
確実な層間接続が形成される。
【００２０】前記基板ユニットを少なくとも１枚ずつ前
記コア材の両面に積層配置して多層配線基板前駆体を形
成し、この前記多層配線基板前駆体を加熱下に加圧して
各配線パターンどうしを層間接続すると同時に前記接着
剤層を硬化させる場合には、コア材に導体バンプを突き
当てる方式であるため導体バンプの略円錐形状がコア基
板（コア材）を中心に上下に対称な構造となり、積層プ
レス時の熱負荷などに対して信頼性が向上する。
【００２１】多層板のコア材として貫通法により製造し
たコア材を使用し、このコア材に対して基板ユニットを
積層して多層配線基板前駆体を形成し、この多層配線基
板前駆体を加熱下に加圧して接着剤層を硬化してプリン
ト配線基板を製造する場合、貫通法によるコア材は単層
配線基板と同様に板厚が約０．１ｍｍ程度と薄いため、
多層板全体の板厚を小さく仕上げることが可能であり、
現在の市場の要求並びに将来の高集積化の要求に対応で
きる。
【００２２】前記コア材として銅めっきによるスルーホ
ール基板をコア材として使用する場合、コア材が銅めっ
きによるスルーホール基板であるため、この部分が４層
板であれば、基板ユニット１セット突き当てることで６
層基板がつくれ、作り方に自由度ができる。また、スル
ーホール基板では板厚の大きなコア材を作れるため多層
板全体の板厚を大きくすることができる。
【００２３】前記接着剤として、前記絶縁材料基板の補
強材に含浸させたレジンと同一のレジン、又は前記レジ
ンの粘度を低下させたものを用いる場合には、接着剤と
プリプレグとの馴染みが良いので、一体化しやすく、積
層プレスにより各層の絶縁材料基板を一体化させた後
に、それらが異種材料の接合面から腐食劣化し剥離する
ことを防止することができる。
【００２４】本発明のプリント配線基板では、多層板の
最外部の絶縁層の厚さ方向に配設され、この最外部の絶
縁層の表面に配設された表面配線層と、この最外部の絶
縁層の内側に配設された配線層とを層間接続する導体バ
ンプが、前記表面配線層に先端側を当接する向きに配設
されているので、表面配線層の配線パターン幅を小さく
とることができる。そのため、多層板表面の配線パター
ンを微細パターン化することができ、集積度を向上させ
ることができる。またこのような微細パターンを形成し
た多層板の表面配線層に半導体素子などを実装すること
により、微細な配線パターンを備えた半導体装置を得る
ことができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）本発明の第１
の実施の形態に係るプリント配線基板の製造方法を図１
〜４を用いて説明する。図１は本実施形態に係るプリン
ト配線基板の製造方法のフローチャートであり、図２〜
図４は本実施形態に係るプリント配線基板の製造過程を
模式的に示した垂直断面図である。本実施の形態に係る
プリント配線基板を製造するには、まず、図２（ａ）の
ように例えば厚さ１８μｍの銅箔１上に例えば銀ペース
トを印刷して、例えば直径０．２ｍｍの略円錐型の導体
バンプ群２，２，…を形成する（ステップ１）。次に、
図２（ｂ）のように絶縁材料基板プリプレグ３としてガ
ラスクロスにエポキシ樹脂を含浸したＢＴレジン材（三
菱ガス化学製，型名：ＧＨＰＬ８３０，厚さ０．０６ｍ
ｍ）を使用し、銅箔１の導体バンプ２，２，…が形成さ
れた側にこの絶縁材料基板プリプレグ３を所定位置に重
ねてセットし（ステップ２）、これらを弾性材（図示省
略）を介して１１５〜１３５℃で加熱下に加圧し（ステ
ップ３）、導体バンプ２，２，…を絶縁材料基板プリプ
レグ３の厚さ方向に貫通させて樹脂付銅箔４を形成す
る。（ここまでは図１２（ａ）〜図１２（ｃ）および図
１５（ａ）〜図１５（ｃ）と同じ作業である。）この
時、樹脂付銅箔４を加圧して、図２（ｃ）のように略円
錐形の導体バンプ２，２，…の先端を平坦な形状にす
る。この時点では上記絶縁材料プリプレグ３は未硬化の
いわゆるＢステージの状態である。
【００２６】次に図２（ｄ）のように、導体バンプ先端
が平坦化された樹脂板付銅箔４の導体バンプ側に厚さ
０．１ｍｍの有機系材料から成る緩衝材１４を重ね（ス
テップ４）約１９０℃で２時間加熱下に加圧を行うと
（ステップ５）、図２（ｅ）のように緩衝材が１４−２
のように導体バンプ２，２，…によって加圧変形して一
体化する。この時点の絶縁材料基板３及び導体バンプ
２，２，…は完全に硬化した状態になる。これを選択的
に露光と現像とを行ない（図示省略）、銅箔１をエッチ
ングしてパターニングを行うと（ステップ６）、図２
（ｆ）に示した状態のものが得られる。次いで厚さ０．
１ｍｍの有機系材料から成る緩衝材１４−２を剥離する
と（ステップ７）、図２（ｇ）のような配線パターンが
形成された単層配線板１６が形成される。
【００２７】次に液状のエポキシ系接着剤１７例えばビ
スマレイドトリアジンレジンを前記配線パターンが形成
された単層配線基板１６の導体バンプ２，２，…突出側
の絶縁材料基板表面全体に塗布し（ステップ８）、基板
ユニット１８を形成する。
【００２８】次に、基板ユニット１８を複数個と厚さ１
８μｍの銅箔１−４と各基板ユニット１８−１、１８−
２、１８−３、１８−４、１８−５を図３のように積層
配置し（ステップ９）、１９０℃で２時間加熱下に加圧
する積層プレスを行うと（ステップ１０）、塗布した接
着剤が硬化して各基板ユニット１８−１、１８−２、１
８−３、１８−４、１８−５を接合し、導体バンプ２，
２，…は接着剤中を貫通して銅箔１−４に接続した図４
のような各層間が導体バンプ２，２，…で電気的に接続
した貫通法による積層プレス回数が２回の６層のプリン
ト配線基板１９が得られる。
【００２９】塗布した液状の接着剤が硬化することによ
り多層基板内部の絶縁材料基板間どうしの密着力が従来
技術の１回プレス方法より改善された。また、高温高湿
で電圧を印可する試験の耐マイグレーション性も向上し
た。この方法では、多層基板の層数にかかわらず、積層
回数がトータルで２回なので積層段数が多くなる次世代
のプリント配線基板製造方法として非常に有効である。
【００３０】（第２の実施形態）本発明の第２の実施形
態に係るプリント配線基板の製造方法について図２、図
４、図５及び図６を用いて説明する。図５は本実施形態
に係るプリント配線基板の製造方法のフローを示したフ
ローチャートである。本実施形態に係るプリント配線基
板を製造するには、まず、上記第１の実施の形態と同様
に、図２（ａ）、図２（ｂ）を経由して図２（ｃ）のよ
うな導体バンプの先端が平坦な樹脂付銅箔４を形成する
（ステップ１〜３）。この時点では上記絶縁材料は硬化
していないＢステージの状態である。次に、樹脂付銅箔
４の導体バンプ突出側に図５（ａ）のように厚さ９μｍ
の銅箔２０とその上に緩衝材として厚さ０．５ｍｍのク
ラフト紙（図示省略）を重ねる（ステップ４）。次いで
この状態で約１９０℃で２時間加熱下に加圧を行うと
（ステップ５）、図５（ｂ）のように銅箔が２０−２の
ように導体バンプ２によって加圧変形する。このとき絶
縁材料基板と導体バンプ２，２，…は完全に硬化した状
態になる。これを選択的に露光と現像とをおこない（図
示省略）、銅箔のエッチングを行ってパターニングする
ことによって（ステップ６）、図２（ｇ）のような配線
パターンが形成された単層配線基板１６が形成される。
【００３１】以下、第１の実施の形態と同様にして緩衝
材１４−２を剥離し（ステップ７）、液状接着剤を塗布
し（ステップ８）、各基板ユニットを積層配置し（ステ
ップ９）、積層プレスを行うと（ステップ１０）、図４
のような各層間が導体バンプ２，２，…で電気的に接続
された貫通法による積層プレス回数が２回の６層のプリ
ント配線基板１９が得られる。
【００３２】（第３の実施形態）本発明の第３の実施形
態に係るプリント配線基板の製造方法を図１２、図２、
図４、図７、図８を用いて説明する。図７は本実施形態
に係るプリント配線基板の製造方法のフローを示すフロ
ーチャートである。本実施形態に係るプリント配線基板
を製造するには、まず図１２（ａ）に示すように厚さ１
８μｍの銅箔１上に導電ペーストを印刷して直径０．２
ｍｍの略円錐型の導体バンプ２，２，…を形成し（ステ
ップ１）、次に図１２（ｂ）のように例えばガラスクロ
スにエポキシ樹脂を含浸したＢＴレジン材からなる絶縁
材料基板（プリプレグ）３を重ね、加圧することでその
厚さ方向に導体バンプ２，２，…を貫通させ図１２
（ｃ）のような樹脂付銅箔４を作成し（ステップ３）、
この樹脂付銅箔４の上に図１２（ｄ）のようにもうひと
つの厚さ１８μｍの銅箔１−２を重ねて（ステップ
４）、１９０℃で２時間加熱下に加圧する積層プレスを
行い（ステップ５）、図１２（ｅ）のような両面銅張板
５−２を作製し、その後パターニング（ステップ６）を
行うことにより、図１２（ｆ）に示したような貫通法に
よる両面基板６−２を作製する。
【００３３】次に前記貫通法による両面基板６−２をコ
ア材とし、さらに第１の実施形態で図２のようにして作
製した基板ユニット１８を図８（ａ）の１８−６、１８
−７、１８−８、１８−９のように積層配置し（ステッ
プ７）、１９０℃で２時間加熱下に加圧する積層プレス
を行うと（ステップ８）、塗布した接着剤が硬化して各
層の絶縁材料基板を接合し、導体バンプ２，２，…は接
着剤中を貫通して図８（ｂ）に示すような各層間が導体
バンプ２，２，…で電気的に接続された貫通法による６
層のプリント配線基板２１が得られる。この基板では、
図４に示した第１の実施の形態の６層基板１９と比較し
て、配設される導体バンプ２，２，…の形状がコア材６
−２を中心として上下対称となる構造をしているため、
積層プレス時の熱負荷に対して強い非常に安定した構造
を備えている。
【００３４】（第４の実施形態）本発明の第４の実施の
形態を図２、図８、図９を用いて説明する。図９のよう
にコア材として貫通法による両面基板６−２を使用し、
その表面に液状のエポキシ系接着剤１７を塗布し、さら
にその外側に図２のようにして作製した配線パターンが
形成された単層配線基板１６を図９の１６−１，１６−
２，１６−３，１６−４のように積層配置し、予め１６
−２と１６−３の銅箔上に液状のエポキシ系接着剤１７
（ＢＴレジン）を塗布しておく方法によっても図８
（ｂ）で示されるような各層間が導体バンプ２，２，…
で電気的に接続した貫通法による６層のプリント配線基
板２１を得ることができる。
【００３５】（第５の実施形態）本発明の第５の実施形
態に係るプリント配線基板の製造方法を図１０を用いて
説明する。本実施形態では、上記第３の実施の形態で両
面基板６の製造に使用した、貫通法によるコア材の代わ
りに、図１０（ａ）に示すような通常の銅めっきスルー
ホール法によるコア材２２を使用し、第１の実施の形態
で作成した基板ユニット１８を外側に突き当てることに
より、図１０（ｂ）に示したような多層プリント配線基
板２３を形成する。この場合、コア材２２に厚さが大き
い基板を選択すると仕上がる多層プリント配線基板２３
の厚さを大きくとれ、基板の厚さを自由に制御できると
いう特有の効果が得られる。
【００３６】（第６の実施形態）本実施形態では、上記
第１の実施形態で製造した６層のプリント配線基板１９
を用いて半導体装置３０を形成した。図１１は本実施形
態に係る半導体装置３０の垂直断面図である。本実施形
態に係る半導体装置３０では、まず上記第１の実施形態
で製造した６層のプリント配線基板１９を用意し、この
プリント配線基板１９の両面の銅箔を例えばそれぞれエ
ッチング処理して配線パターン１ａ，１ｆを形成する。
このとき、プリント配線基板１９の方向は最も外側の導
体バンプ２−１が先端側を上側に向け、断面が正台形に
なるようにする。一方、反対側の外側の導体バンプ２−
５も先端側を上側に向け、断面が正台形になるようにす
る。
【００３７】即ち、配線パターン１ａはプリント配線基
板１９の最上部に形成され、導体バンプ２−１の先端側
と電気的に接続されている。一方、配線パターン１ｆは
最下部に形成され、導体バンプ２−５の底面側と電気的
に接続されている。配線パターン１ａ上には異方性導電
樹脂２５と金ボールバンプ２７とが配設され、更にその
上に半導体素子としてベアチップ型ＩＣチップ２４が配
設されている。このＩＣチップ２４のＩＣ電極２８は金
ボールバンプ２７を介して配線パターン１ａと電気的に
接続されている。ここで、配線パターン１ａは導体バン
プ２−１の先端側と接続されるので配線パターン１ａの
各ライン幅を小さくすることができる。例えばこの半導
体装置３０では幅約０．３ｍｍのライン幅で配線パター
ン１ａが形成されている。このように本実施形態では、
実装面直下の導体バンプ２−１が実装面側に先端を向け
る方向に配設されているので、配線パターン１ａの最小
ライン幅を小さくすることができ、実装面での配線パタ
ーンの集積度を高密度化することができる。
【００３８】一方、配線パターン１ｆはライン幅約０．
４ｍｍで形成されている。この配線パターン１ｆは導体
バンプ２−５の底面側と電気的に接続されており、配線
パターン１ｆと導体バンプ２−５との接触面積は大き
く、かつ、確実に接続されている。そのため、図１４
（ｂ）のようにハンダボール２６を配線パターン１ｆ上
に配設する場合、熱的衝撃に対する耐性の高い配線パタ
ーン１ｆと導体バンプ２−５の底面側とがハンダボール
２６に近接しているので、この半導体装置３０をマザー
ボード（図示省略）上に実装する場合でも配線パターン
１ｆと導体バンプ２−５との間の剥離が起きにくく、信
頼性の高い半導体装置を得ることができるという特有の
効果が得られる。
【００３９】
【発明の効果】本発明のプリント配線の製造方法では、
単層配線板ごとに絶縁材料基板と導体バンプを完全に硬
化してから接着剤層を介してコア材の上に積層して多層
板前駆体を形成し、多層板前駆体全体として一括して加
熱と加圧とにより接着剤層を硬化させるので、６層基板
を製造する場合、積層プレスの回数が従来方法での３回
から２回に減少する。これにより、全層の絶縁材料基板
のプレスによる熱履歴が減る。また、接着材を単層配線
板に塗布するため各絶縁材料基板どうしの密着力が向上
し、ハンダリフロー時に受ける温度負荷に対してボイド
や膨れが生じにくくなるため、内層材料間での剥離や金
属のマイグレーションが起きにくくなる。また、積層プ
レス時の熱収縮率の違いから生じる位置ズレが減少す
る。更に６層基板の場合に積層プレス回数が２／３回に
減少することにより大幅なコストダウンが図られる。こ
の方法をさらに積層段数の多い高多層基板に適用すると
従来の多層板より信頼性が向上し、付加価値が増大す
る。
【００４０】前記導体バンプを前記絶縁材料基板に貫通
させる工程が、前記導体バンプの先端を平面化させ、そ
の上面径が平均で底面径の５０％以上になるように変形
させる工程である場合、導体バンプ先端を平坦にするこ
とにより当接させる配線パターンとの接触面積が増大し
て接触面での抵抗値が低下する。また、導体バンプ先端
を平らにすることにより、積層プレス時の圧力が小さく
ても導体バンプを十分圧縮できるようになり、基板ユニ
ットを多段に重ねて一度に積層プレスすることが可能に
なる。
【００４１】前記導体バンプを前記絶縁材料基板に貫通
させる工程が、前記導体バンプの上面が絶縁材料基板面
から５〜２０μｍ突き出た構造になるように変形させる
工程である場合、導体バンプの上面が絶縁材料基板から
５〜２０μｍ突き出させることにより、積層プレス時に
導体バンプが接着材層を貫通しやすくなり当接させる配
線パターンとの接触面積が増大して接続抵抗が低下し、
確実な層間接続が形成される。
【００４２】前記基板ユニットを少なくとも１枚ずつ前
記コア材の両面に積層配置して多層配線基板前駆体を形
成し、この前記多層配線基板前駆体を加熱下に加圧して
各配線パターンどうしを層間接続すると同時に前記接着
剤層を硬化させる場合には、コア材に導体バンプを突き
当てる方式であるため導体バンプの略円錐形状がコア基
板（コア材）を中心に上下に対称な構造となり、積層プ
レス時の熱負荷などに対して信頼性が向上する。
【００４３】多層板のコア材として貫通法により製造し
たコア材を使用し、このコア材に対して基板ユニットを
積層して多層配線基板前駆体を形成し、この多層配線基
板前駆体を加熱下に加圧して接着剤層を硬化してプリン
ト配線基板を製造する場合、貫通法によるコア材は単層
配線基板と同様に板厚が約０．１ｍｍ程度と薄いため、
多層板全体の板厚を小さく仕上げることが可能であり、
現在の市場の要求並びに将来の高集積化の要求に対応で
きる。
【００４４】前記コア材として銅めっきによるスルーホ
ール基板をコア材として使用する場合、コア材が銅めっ
きによるスルーホール基板であるため、この部分が４層
板であれば、基板ユニット１セット突き当てることで６
層基板がつくれ、作り方に自由度ができる。また、スル
ーホール基板では板厚の大きなコア材を作れるため多層
板全体の板厚を大きくすることができる。
【００４５】前記接着剤として、前記絶縁材料基板の補
強材に含浸させたレジンと同一のレジン、又は前記レジ
ンの粘度を低下させたものを用いる場合には、接着剤と
プリプレグとの馴染みが良いので、一体化しやすく、積
層プレスにより各層の絶縁材料基板を一体化させた後
に、それらが異種材料の接合面から腐食劣化し剥離する
ことを防止することができる。
【００４６】本発明のプリント配線基板では、多層板の
最外部の絶縁層の厚さ方向に配設され、この最外部の絶
縁層の表面に配設された表面配線層と、この最外部の絶
縁層の内側に配設された配線層とを層間接続する導体バ
ンプが、前記表面配線層に先端側を当接する向きに配設
されているので、表面配線層の配線パターン幅を小さく
とることができる。そのため、多層板表面の配線パター
ンを微細パターン化することができ、集積度を向上させ
ることができる。またこのような微細パターンを形成し
た多層板の表面配線層に半導体素子などを実装すること
により、微細な配線パターンを備えた半導体装置を得る
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態に係るプリント配線基板の製
造方法のフローチャートである。
【図２】第１の実施形態に係るプリント配線基板の製造
途中の垂直断面図であり、液状のエポキシ接着剤（ＢＴ
レジン）を塗布した基板ユニットの作製までの工程を示
した図である。
【図３】第１の実施の形態に係るプリント配線基板の製
造途中の垂直断面図であり、基板ユニットを積層配置し
た状態を示した図である。
【図４】第１の実施の形態に係るプリント配線基板の製
造途中の垂直断面図であり、貫通法による積層プレスを
２回行なって形成した６層基板の断面を示した図であ
る。
【図５】第２の実施の形態に係るプリント配線基板の製
造方法のフローチャートである。
【図６】第２の実施の形態に係るプリント配線基板の製
造途中の垂直断面図であり、導体板と緩衝材を使用した
基板ユニットの作製方法を示した垂直断面図である。
【図７】第３の実施の形態に係るプリント配線基板の製
造方法のフローチャートである。
【図８】第３の実施の形態に係るプリント配線基板の製
造途中の垂直断面図であり、貫通法による両面基板をコ
ア材にして基板ユニットを積層配置した状態（ａ）とた
貫通法による積層プレスを２回行なって形成した６層基
板の垂直断面図（ｂ）である。
【図９】第４の実施の形態に係るプリント配線基板の製
造途中の垂直断面図であり、導体バンプ突き当て相手側
に接着剤を塗布し、積層配置した垂直断面図である。
【図１０】第５の実施の形態に係るプリント配線基板の
製造途中の垂直断面図であり、コア材にスルーホール基
板を使用した多層基板の製造工程を示した垂直断面図で
ある。
【図１１】第６の実施の形態に係る半導体装置の垂直断
面図である。
【図１２】従来の貫通法による両面基板作製までの工程
を示す垂直断面図である。
【図１３】従来の貫通法による４層基板作製までの工程
を示す垂直断面図である。
【図１４】従来の貫通法による６層基板作製までの工程
を示す垂直断面図である。
【図１５】従来の貫通法の改良例を示す垂直断面図であ
る。
【図１６】従来の貫通法の改良例を示す垂直断面図であ
り、パターンが形成された絶縁材料基板付き銅箔の積層
配置の状態を示したものである。
【図１７】従来の貫通法の改良例を示す図であり、貫通
法による積層プレスを１回行なって形成した６層基板の
垂直断面図である。
【符号の説明】
１〜１−４…銅箔、２…導体バンプ、３…絶縁材料基
板、４〜４−４…樹脂付銅箔、５−２…両面銅張板、６
−２…（貫通法による）両面基板、７−２…（貫通法に
よる）４層基板、８…（貫通法による）６層基板、９…
ビア、１１…レジストフィルム、１２〜１２−５…絶縁
材料基板付き銅箔、１３…６層基板、１４…緩衝材、１
４−２…変形した緩衝材、１６〜１６−４…単層配線
板、１７…液状エポキシ接着剤（ＢＴレジン）、１８〜
１８−９…基板ユニット、１９…６層基板、２０…銅
箔、２０−２…変形した銅箔、２１…６層基板、２２…
コア基板（コア材）、２３…多層プリント配線基板。
【手続補正書】
【提出日】平成１４年７月４日（２００２．７．４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 プリント配線基板の製造方法、プリン
ト配線基板、及び、半導体装置
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板に係り、
更に詳細には、高密度実装に対応したファインパターン
対応型の多層プリント配線基板やＭＣＭ−Ｌ(マルチチ
ップモジュール)パッケージ用多層配線基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より多層板を製造する方法のひとつ
として、両面に配線パターンを備えた絶縁材料基板の厚
さ方向に円錐状の層間接続部材を貫通させて前記配線パ
ターンの層間接続を形成する「貫通法」と呼ばれる方法
が知られている。この貫通法では、金属薄板などの導体
板上に金属微粒子などの導電性材料を樹脂中に分散させ
た導電ペーストを略円錐型に成型して導体バンプ群を形
成し、この導体バンプ群の先端側にプリプレグ、即ちガ
ラス繊維シートなどの補強材にエポキシ樹脂などのマト
リックス材を含浸させたシート状の絶縁材料基板を重
ね、この導体板とプリプレグを押圧して前記プリプレグ
に前記導体バンプを貫通させ、これにより絶縁材料基板
の厚さ方向での電気的導通を形成する方法である。図１
２は貫通法で製造されるプリント配線基板の製造過程を
模式的に示した断面図である。この貫通法では、図１２
（ａ）に示すように、銅箔１上に導電ペーストで導体バ
ンプ２を形成し、次に図１２（ｂ）のようにプリプレグ
３を重ね、加圧することでその厚さ方向に導体バンプ２
を貫通させ、図１２（ｃ）のような樹脂付銅箔４を作成
し、その上にもうひとつの銅箔１０２を重ねて、加熱下
に加圧して両面銅張板５０２を作成し（図１２
（ｅ））、回路形成を行って上記貫通法による両面基板
６０２を作成する。図１２（ｃ）の樹脂付銅箔４と同様
にして作られた銅箔４０１および４０２を前記両面基板
６０２に重ね積層配置したものが図１３（ａ）である。
これを加熱下に加圧する積層プレスを行なうと図１３
（ｂ）のような４層基板７０２が形成できる。同様にし
て、図１４（ａ）に示すように樹脂付銅箔４（４０３、
４０４）を重ね加熱下に加圧する積層プレスを行うと図
１４（ｂ）のような貫通法による６層基板８が形成でき
る。この多層基板８はめっきを必要としないため表面の
銅層は薄い状態で仕上げることができるため、微細なパ
ターンの形成が可能となる。また、ビア９がランダムに
配置できるため内層の配線密度を高くすることができ基
板面積の小型化も達成できるという利点がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この貫通法に
よる基板の製造方法では、積層段数が多くなるにつれて
積層プレスの回数が増えるため、内側に位置する材料に
熱履歴が過度に作用し、特に絶縁材料基板にマイクロク
ラックが生じたり、積層界面に剥離が発生し、ひいては
絶縁特性の劣化やパターン銅のマイグレーションを惹起
するという品質上の問題がある。また、積層プレスの回
数が多いと工数が増加して製造コストを上昇させるとい
うコスト上の問題や、さらに積層プレスごとに各層間の
位置ずれを制御しなければならず歩留も悪いという製造
工程上の問題がある。
【０００４】上記問題に対し、積層プレスの回数を１回
に削減する方法が提案されている。図１５、１６、１７
を用いてその方法を説明する。まず、図１５（ａ）〜
（ｃ）のようにして絶縁材料基板付銅箔４を作成する。
ここまでは図１２（ａ）〜（ｃ）と同じであり、この時
点では上記絶縁材料基板は硬化していない。導体バンプ
の先端が平らな状態の絶縁材料基板付銅箔４をレジスト
フィルム１１でラミネートすると図１５（ｄ）の状態に
なる。これを選択的に露光と現像とをおこない（図示省
略）、銅箔のエッチングを行うと図１５（ｅ）のような
パターン１ａが形成された樹脂付銅箔１２が形成でき
る。図１６に示したように多層基板の構成要素であるパ
ターンが形成された樹脂付銅箔１２０１、１２０２、１
２０３、１２０４、１２０５および銅箔１０３を積層配
置し、樹脂の硬化温度で加熱下に加圧して積層プレスを
行うとプリプレグ中の樹脂が硬化して図１７のような断
面形状の（貫通法による）積層プレスが１回の６層基板
１３が得られ、基板のＴｇも約２００℃となり、材料本
来の特性を備えた多層板が得られる。
【０００５】しかし、回路形成後レジストフィルム１１
を剥離して作られる樹脂付銅箔１２は剥離時で使用する
アルカリなどの溶剤により反応前の接着剤が腐食され、
硬化後十分な反応が起こらず、樹脂の接着強度が劣化す
るという問題がある。特に携帯電話などのモバイル製品
用の基板では落下試験があり、この樹脂の接着強度が重
要となるが、上記レジストフィルムによるラッピング式
の１回プレス方法では、各層の絶縁材料同士が密着する
ための接着剤が腐食するという問題がある。本発明は上
記従来の問題を解決するためになされた発明である。即
ち本発明は、製造工程を複雑化することなく層間接続の
信頼性や機械的強度が高いプリント配線基板の製造方
法、プリント配線基板、及び、半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のプリント配線基
板の製造方法は、導体板上に複数の略円錐型の導体バン
プを形成する工程と、前記導体バンプ上に未硬化の絶縁
材料基板をセットする工程と、前記絶縁材料基板が硬化
しない温度で加熱しながら前記導体板および絶縁材料基
板を緩衝材を介して加圧して前記導体バンプを前記絶縁
材料基板に貫通させる工程と、前記導体バンプおよび絶
縁材料基板を硬化させる工程と、前記導体板をパターニ
ングして所定の配線パターンを備えた単層配線板を形成
する工程と、前記単層板の絶縁材料基板面又は配線パタ
ーン面に接着剤を塗布して基板ユニットを形成する工程
と、複数の基板ユニットを積層して多層板前駆体を形成
する工程と、前記多層板前駆体を加熱下に加圧して前記
導体バンプと前記配線パターンとを接続すると共に前記
接着剤層を硬化させる工程とを具備する。
【０００７】本発明の他のプリント配線基板の製造方法
は、第１の導体板上に複数の略円錐型の導体バンプを形
成する工程と、前記導体バンプ上に未硬化の絶縁材料基
板をセットする工程と、前記絶縁材料基板が硬化しない
温度で加熱しながら前記第１の導体板および絶縁材料基
板を緩衝材を介して加圧して前記導体バンプを前記絶縁
材料基板に貫通させる工程と、前記導体バンプが貫通し
た前記絶縁性基板上に第２の導体板と第２の緩衝材を積
層して加熱下に加圧して前記導体バンプおよび絶縁材料
基板を硬化させる工程と、前記導体板をパターニングし
て所定の配線パターンを備えた単層配線板を形成する工
程と、前記第２の導体板をエッチングにより除去する工
程と、前記単層板の絶縁材料基板面又は配線パターン面
に接着剤を塗布して基板ユニットを形成する工程と、複
数の基板ユニットを積層して多層板前駆体を形成する工
程と、前記多層板前駆体を加熱下に加圧して前記導体バ
ンプと前記配線パターンとを接続すると共に前記接着剤
層を硬化させる工程とを具備する。
【０００８】上記プリント配線基板の製造方法におい
て、前記導体バンプを前記絶縁材料基板に貫通させる工
程として、前記導体バンプの先端を平面化させ、その上
面径が平均で底面径の５０％以上になるように変形させ
る工程を挙げることができる。上記プリント配線基板の
製造方法において、前記導体バンプを前記絶縁材料基板
に貫通させる工程として、前記導体バンプの上面が絶縁
材料基板面から５〜２０μｍ突き出た構造になるように
変形させる工程を挙げることができる。
【０００９】本発明の更に他のプリント配線基板の製造
方法は、導体板上に複数の略円錐型の導体バンプを形成
する工程と、前記導体バンプ上に未硬化の絶縁材料基板
をセットする工程と、前記絶縁材料基板が硬化しない温
度で加熱しながら前記導体板および絶縁材料基板を緩衝
材を介して加圧して前記導体バンプを前記絶縁材料基板
に貫通させる工程と、前記導体バンプおよび絶縁材料基
板を硬化させる工程と、前記導体板をパターニングして
所定の配線パターンを備えた単層配線板を形成する工程
と、前記単層板の絶縁材料基板面又は配線パターン面に
接着剤を塗布して基板ユニットを形成する工程と、硬化
した絶縁材料基板の第１の面と第２の面にそれぞれ配線
パターンを備え、前記第１の面と第２の面に形成された
配線パターンどうしを電気的に接続する電層間接続部材
を内蔵するコア材を形成する工程と、前記基板ユニット
を少なくとも１枚ずつ前記コア材の両面に積層配置して
多層配線基板前駆体を形成する工程と、前記多層配線基
板前駆体を加熱下に加圧して各配線パターンどうしを層
間接続すると同時に前記接着剤層を硬化させる工程とを
具備する。
【００１０】上記プリント配線基板の製造方法におい
て、前記コア材を形成する工程として、第１の導体板の
上に略円錐型の導体バンプを形成する工程と、前記導体
バンプの先端側に未硬化の絶縁材料基板を配設する工程
と、前記第１の導体板と前記絶縁材料基板とを加圧して
前記導体バンプを前記絶縁材料基板に貫通させる工程
と、前記導体バンプの先端が貫通した前記絶縁材料基板
表面に第２の導体板をセットする工程と、前記第１の導
体板と前記第２の導体板とを加熱下に加圧して前記絶縁
材料基板を硬化させる工程と、前記第１の導体板及び前
記第２の導体板にパターン形成する工程と、を具備する
工程を挙げることができる。
【００１１】上記プリント配線基板の製造方法におい
て、前記コア材として、銅めっきスルーホール基板を挙
げることができる。
【００１２】上記プリント配線基板の製造方法におい
て、前記基板ユニットを形成する工程として、前記導体
バンプ先端を突き当てる相手側の配線パターン上に前記
接着剤を塗布する工程を挙げることができる。
【００１３】上記プリント配線基板の製造方法におい
て、前記接着剤として、前記絶縁材料基板の補強材に含
浸させたレジンと同一のレジン、又は前記レジンの粘度
を低下させたものを挙げることができる。
【００１４】本発明のプリント配線基板は、複数の絶縁
層と、前記絶縁層と絶縁層との間に配設された層間配線
層と、最外部の絶縁層の表面に配設された複数の表面配
線層と、前記絶縁層内に配設され、前記絶縁層を介して
対向する前記層間配線層を接続する層間接続部材と、前
記最外部の絶縁層内に配設され、前記表面配線層に先端
側が当接する導体バンプ群とを具備する。
【００１５】上記プリント配線基板において、前記絶縁
層は、樹脂内部を補強材シートで補強した補強材層と、
補強材を含まない接着剤を硬化させた接着剤層との積層
物であってもよい。
【００１６】本発明の半導体装置は、複数の絶縁層と、
前記絶縁層と絶縁層との間に配設された層間配線層と、
最外部の絶縁層の表面に配設された複数の表面配線層
と、前記絶縁層内に配設され、前記絶縁層を介して対向
する前記層間配線層を接続する層間接続部材と、前記最
外部の絶縁層内に配設され、前記表面配線層に先端側が
当接する導体バンプ群と、前記表面配線層に実装された
半導体素子とを具備する。
【００１７】本発明のプリント配線の製造方法では、単
層配線板ごとに絶縁材料基板と導体バンプを完全に硬化
してから接着剤層を介してコア材の上に積層して多層板
前駆体を形成し、多層板前駆体全体として一括して加熱
と加圧とにより接着剤層を硬化させるので、６層基板を
製造する場合、積層プレスの回数が従来方法での３回か
ら２回に減少する。これにより、全層の絶縁材料基板の
プレスによる熱履歴が減る。また、接着材を単層配線板
に塗布するため各絶縁材料基板どうしの密着力が向上
し、ハンダリフロー時に受ける温度負荷に対してボイド
や膨れが生じにくくなるため、内層材料間での剥離や金
属のマイグレーションが起きにくくなる。また、積層プ
レス時の熱収縮率の違いから生じる位置ズレが減少す
る。更に６層基板の場合に積層プレス回数が２／３回に
減少することにより大幅なコストダウンが図られる。こ
の方法をさらに積層段数の多い高多層基板に適用すると
従来の多層板より信頼性が向上し、付加価値が増大す
る。
【００１８】前記導体バンプを前記絶縁材料基板に貫通
させる工程が、前記導体バンプの先端を平面化させ、そ
の上面径が平均で底面径の５０％以上になるように変形
させる工程である場合、導体バンプ先端を平坦にするこ
とにより当接させる配線パターンとの接触面積が増大し
て接触面での抵抗値が低下する。また、導体バンプ先端
を平らにすることにより、積層プレス時の圧力が小さく
ても導体バンプを十分圧縮できるようになり、基板ユニ
ットを多段に重ねて一度に積層プレスすることが可能に
なる。
【００１９】前記導体バンプを前記絶縁材料基板に貫通
させる工程が、前記導体バンプの上面が絶縁材料基板面
から５〜２０μｍ突き出た構造になるように変形させる
工程である場合、導体バンプの上面が絶縁材料基板から
５〜２０μｍ突き出させることにより、積層プレス時に
導体バンプが接着材層を貫通しやすくなり当接させる配
線パターンとの接触面積が増大して接続抵抗が低下し、
確実な層間接続が形成される。
【００２０】前記基板ユニットを少なくとも１枚ずつ前
記コア材の両面に積層配置して多層配線基板前駆体を形
成し、この前記多層配線基板前駆体を加熱下に加圧して
各配線パターンどうしを層間接続すると同時に前記接着
剤層を硬化させる場合には、コア材に導体バンプを突き
当てる方式であるため導体バンプの略円錐形状がコア基
板（コア材）を中心に上下に対称な構造となり、積層プ
レス時の熱負荷などに対して信頼性が向上する。
【００２１】多層板のコア材として貫通法により製造し
たコア材を使用し、このコア材に対して基板ユニットを
積層して多層配線基板前駆体を形成し、この多層配線基
板前駆体を加熱下に加圧して接着剤層を硬化してプリン
ト配線基板を製造する場合、貫通法によるコア材は単層
配線基板と同様に板厚が約０．１ｍｍ程度と薄いため、
多層板全体の板厚を小さく仕上げることが可能であり、
現在の市場の要求並びに将来の高集積化の要求に対応で
きる。
【００２２】前記コア材として銅めっきによるスルーホ
ール基板をコア材として使用する場合、コア材が銅めっ
きによるスルーホール基板であるため、この部分が４層
板であれば、基板ユニット１セット突き当てることで６
層基板がつくれ、作り方に自由度ができる。また、スル
ーホール基板では板厚の大きなコア材を作れるため多層
板全体の板厚を大きくすることができる。
【００２３】前記接着剤として、前記絶縁材料基板の補
強材に含浸させたレジンと同一のレジン、又は前記レジ
ンの粘度を低下させたものを用いる場合には、接着剤と
プリプレグとの馴染みが良いので、一体化しやすく、積
層プレスにより各層の絶縁材料基板を一体化させた後
に、それらが異種材料の接合面から腐食劣化し剥離する
ことを防止することができる。
【００２４】本発明のプリント配線基板では、多層板の
最外部の絶縁層の厚さ方向に配設され、この最外部の絶
縁層の表面に配設された表面配線層と、この最外部の絶
縁層の内側に配設された配線層とを層間接続する導体バ
ンプが、前記表面配線層に先端側を当接する向きに配設
されているので、表面配線層の配線パターン幅を小さく
とることができる。そのため、多層板表面の配線パター
ンを微細パターン化することができ、集積度を向上させ
ることができる。またこのような微細パターンを形成し
た多層板の表面配線層に半導体素子などを実装すること
により、微細な配線パターンを備えた半導体装置を得る
ことができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）本発明の第１
の実施の形態に係るプリント配線基板の製造方法を図１
〜４を用いて説明する。図１は本実施形態に係るプリン
ト配線基板の製造方法のフローチャートであり、図２〜
図４は本実施形態に係るプリント配線基板の製造過程を
模式的に示した断面図である。本実施の形態に係るプリ
ント配線基板を製造するには、まず、図２（ａ）のよう
に例えば厚さ１８μｍの銅箔１上に例えば銀ペーストを
印刷して、例えば直径０．２ｍｍの略円錐型の導体バン
プ２，２，…を形成する（ステップ１）。次に、図２
（ｂ）のように絶縁材料基板プリプレグ３としてガラス
クロスにエポキシ樹脂を含浸したＢＴレジン材（三菱ガ
ス化学製，型名：ＧＨＰＬ８３０，厚さ０．０６ｍｍ）
を使用し、銅箔１の導体バンプ２，２，…が形成された
側にこの絶縁材料基板プリプレグ３を所定位置に重ねて
セットし（ステップ２）、これらを弾性材（図示省略）
を介して１１５〜１３５℃で加熱下に加圧し（ステップ
３）、導体バンプ２，２，…を絶縁材料基板プリプレグ
３の厚さ方向に貫通させて樹脂付銅箔４を形成する。
（ここまでは図１２（ａ）〜図１２（ｃ）および図１５
（ａ）〜図１５（ｃ）と同じ作業である。）この時、樹
脂付銅箔４を加圧して、図２（ｃ）のように略円錐形の
導体バンプ２，２，…の先端を平坦な形状にする。この
時点では上記絶縁材料プリプレグ３は未硬化のいわゆる
Ｂステージの状態である。
【００２６】次に図２（ｄ）のように、導体バンプ先端
が平坦化された樹脂付銅箔４の導体バンプ側に厚さ０．
１ｍｍの有機系材料から成る緩衝材１４を重ね（ステッ
プ４）約１９０℃で２時間加熱下に加圧を行うと（ステ
ップ５）、図２（ｅ）に示すように緩衝材１４０２は導
体バンプ２，２，…によって加圧変形して一体化する。
この時点の絶縁材料基板プリプレグ３及び導体バンプ
２，２，…は完全に硬化した状態になる。これを選択的
に露光と現像とを行ない（図示省略）、銅箔１をエッチ
ングしてパターニングを行うと（ステップ６）、図２
（ｆ）に示した状態のものが得られる。次いで厚さ０．
１ｍｍの有機系材料から成る緩衝材１４０２を剥離する
と（ステップ７）、図２（ｇ）のような配線パターンが
形成された単層配線板１６が形成される。
【００２７】次に液状のエポキシ系接着剤１７例えばビ
スマレイドトリアジンレジンを前記配線パターンが形成
された単層配線基板１６の導体バンプ２，２，…突出側
の絶縁材料基板表面全体に塗布し（ステップ８）、基板
ユニット１８を形成する。
【００２８】次に、基板ユニット１８と同様の基板ユニ
ット１８０１〜１８０５を複数個と厚さ１８μｍの銅箔
１０４と各基板ユニット１８０１、１８０２、１８０
３、１８０４、１８０５を図３のように積層配置し（ス
テップ９）、１９０℃で２時間加熱下に加圧する積層プ
レスを行うと（ステップ１０）、塗布した接着剤が硬化
して各基板ユニット１８０１、１８０２、１８０３、１
８０４、１８０５を接合し、導体バンプ２，２，…は接
着剤中を貫通して銅箔１０４に接続した図４のような各
層間が導体バンプ２，２，…で電気的に接続した貫通法
による積層プレス回数が２回の６層のプリント配線基板
１９が得られる。
【００２９】塗布した液状の接着剤が硬化することによ
り多層基板内部の絶縁材料基板間どうしの密着力が従来
技術の１回プレス方法より改善された。また、高温高湿
で電圧を印可する試験の耐マイグレーション性も向上し
た。この方法では、多層基板の層数にかかわらず、積層
回数がトータルで２回なので積層段数が多くなる次世代
のプリント配線基板製造方法として非常に有効である。
【００３０】（第２の実施形態）本発明の第２の実施形
態に係るプリント配線基板の製造方法について図２、図
４、図５及び図６を用いて説明する。図５は本実施形態
に係るプリント配線基板の製造方法のフローを示したフ
ローチャートである。本実施形態に係るプリント配線基
板を製造するには、まず、上記第１の実施の形態と同様
に、図２（ａ）、図２（ｂ）を経由して図２（ｃ）のよ
うな導体バンプの先端が平坦な樹脂付銅箔４を形成する
（ステップ１〜３）。この時点では上記絶縁材料は硬化
していないＢステージの状態である。次に、樹脂付銅箔
４の導体バンプ突出側に図６（ａ）のように厚さ９μｍ
の銅箔２０とその上に緩衝材として厚さ０．５ｍｍのク
ラフト紙（図示省略）を重ねる（ステップ４）。次いで
この状態で約１９０℃で２時間加熱下に加圧を行うと
（ステップ５）、図６（ｂ）のように銅箔が２００２の
ように導体バンプ２によって加圧変形する。このとき絶
縁材料基板と導体バンプ２，２，…は完全に硬化した状
態になる。これを選択的に露光と現像とをおこない（図
示省略）、銅箔のエッチングを行ってパターニングする
ことによって（ステップ６）、図２（ｇ）のような配線
パターンが形成された単層配線基板１６が形成される。
【００３１】以下、第１の実施の形態と同様にして緩衝
材１４０２を剥離し（ステップ７）、液状接着剤を塗布
し（ステップ８）、各基板ユニットを積層配置し（ステ
ップ９）、積層プレスを行うと（ステップ１０）、図４
のような各層間が導体バンプ２，２，…で電気的に接続
された貫通法による積層プレス回数が２回の６層のプリ
ント配線基板１９が得られる。
【００３２】（第３の実施形態）本発明の第３の実施形
態に係るプリント配線基板の製造方法を図１２、図２、
図４、図７、図８を用いて説明する。図７は本実施形態
に係るプリント配線基板の製造方法のフローを示すフロ
ーチャートである。本実施形態に係るプリント配線基板
を製造するには、まず図１２（ａ）に示すように厚さ１
８μｍの銅箔１上に導電ペーストを印刷して直径０．２
ｍｍの略円錐型の導体バンプ２，２，…を形成し（ステ
ップ１ａ）、次に図１２（ｂ）のように例えばガラスク
ロスにエポキシ樹脂を含浸したＢＴレジン材からなる絶
縁材料基板プリプレグ３を重ね、加圧することでその厚
さ方向に導体バンプ２，２，…を貫通させ図１２（ｃ）
のような樹脂付銅箔４を作成し（ステップ３ａ）、この
樹脂付銅箔４の上に図１２（ｄ）のようにもうひとつの
厚さ１８μｍの銅箔１０２を重ねて（ステップ４ａ）、
１９０℃で２時間加熱下に加圧する積層プレスを行い
（ステップ５ａ）、図１２（ｅ）のような両面銅張板５
０２を作製し、その後パターニング（ステップ６ａ）を
行うことにより、図１２（ｆ）に示したような貫通法に
よる両面基板６０２を作製する。
【００３３】次に前記貫通法による両面基板６０２をコ
ア材とし、さらに第１の実施形態で図２のようにして作
製した基板ユニット１８を図８（ａ）の１８０６、１８
０７、１８０８、１８０９のように積層配置し（ステッ
プ７ａ）、１９０℃で２時間加熱下に加圧する積層プレ
スを行うと（ステップ８ａ）、塗布した接着剤が硬化し
て各層の絶縁材料基板を接合し、導体バンプ２，２，…
は接着剤中を貫通して、８（ｂ）に示すような、各層間
が導体バンプ２，２，…で電気的に接続された貫通法に
よる６層のプリント配線基板２１が得られる。この基板
では、図４に示した第１の実施の形態の６層基板１９と
比較して、配設される導体バンプ２，２，…の形状がコ
ア材６０２を中心として上下対称となる構造をしている
ため、積層プレス時の熱負荷に対して強い非常に安定し
た構造を備えている。
【００３４】（第４の実施形態）本発明の第４の実施の
形態を図２、図８、図９を用いて説明する。図９のよう
にコア材として貫通法による両面基板６０２を使用し、
その表面に液状のエポキシ系接着剤１７を塗布し、さら
にその外側に図２のようにして作製した配線パターンが
形成された単層配線基板１６を図９の１６０１，１６０
２，１６０３，１６０４のように積層配置し、予め１６
０２と１６０３の銅箔上に液状のエポキシ系接着剤１７
（ＢＴレジン）を塗布しておく方法によっても図８
（ｂ）で示されるような各層間が導体バンプ２，２，…
で電気的に接続した貫通法による６層のプリント配線基
板２１を得ることができる。
【００３５】（第５の実施形態）本発明の第５の実施形
態に係るプリント配線基板の製造方法を図１０を用いて
説明する。本実施形態では、上記第３の実施の形態で両
面基板６の製造に使用した、貫通法によるコア材の代わ
りに、図１０（ａ）に示すような通常の銅めっきスルー
ホール法によるコア材２２を使用し、第１の実施の形態
で作成した基板ユニット１８を外側に突き当てることに
より、図１０（ｂ）に示したような多層プリント配線基
板２３を形成する。この場合、コア材２２に厚さが大き
い基板を選択すると仕上がる多層プリント配線基板２３
の厚さを大きくとれ、基板の厚さを自由に制御できると
いう特有の効果が得られる。
【００３６】（第６の実施形態）本実施形態では、上記
第１の実施形態で製造した６層のプリント配線基板１９
を用いて半導体装置３０を形成した。図１１は本実施形
態に係る半導体装置３０の断面図である。本実施形態に
係る半導体装置３０では、まず上記第１の実施形態で製
造した６層のプリント配線基板１９を用意し、このプリ
ント配線基板１９の両面の銅箔を例えばそれぞれエッチ
ング処理して配線パターン１ａ，１ｆを形成する。この
とき、プリント配線基板１９の方向は最も外側の導体バ
ンプ２０１が先端側を上側に向け、断面が正台形になる
ようにする。一方、反対側の外側の導体バンプ２０５も
先端側を上側に向け、断面が正台形になるようにする。
【００３７】即ち、配線パターン１ａはプリント配線基
板１９の最上部に形成され、導体バンプ２０１の先端側
と電気的に接続されている。一方、配線パターン１ｆは
最下部に形成され、導体バンプ２０５の底面側と電気的
に接続されている。配線パターン１ａ上には異方性導電
樹脂２５と金ボールバンプ２７とが配設され、更にその
上に半導体素子としてベアチップ型ＩＣチップ２４が配
設されている。このＩＣチップ２４のＩＣ電極２８は金
ボールバンプ２７を介して配線パターン１ａと電気的に
接続されている。ここで、配線パターン１ａは導体バン
プ２０１の先端側と接続されるので配線パターン１ａの
各ライン幅を小さくすることができる。例えばこの半導
体装置３０では幅約０．３ｍｍのライン幅で配線パター
ン１ａが形成されている。このように本実施形態では、
実装面直下の導体バンプ２０１が実装面側に先端を向け
る方向に配設されているので、配線パターン１ａの最小
ライン幅を小さくすることができ、実装面での配線パタ
ーンの集積度を高密度化することができる。
【００３８】一方、配線パターン１ｆはライン幅約０．
４ｍｍで形成されている。この配線パターン１ｆは導体
バンプ２０５の底面側と電気的に接続されており、配線
パターン１ｆと導体バンプ２０５との接触面積は大き
く、かつ、確実に接続されている。そのため、図１１
（ｂ）のようにハンダボール２６を配線パターン１ｆ上
に配設する場合、熱的衝撃に対する耐性の高い配線パタ
ーン１ｆと導体バンプ２０５の底面側とがハンダボール
２６に近接しているので、この半導体装置３０をマザー
ボード（図示省略）上に実装する場合でも配線パターン
１ｆと導体バンプ２０５との間の剥離が起きにくく、信
頼性の高い半導体装置を得ることができるという特有の
効果が得られる。
【００３９】
【発明の効果】本発明のプリント配線の製造方法では、
単層配線板ごとに絶縁材料基板と導体バンプを完全に硬
化してから接着剤層を介してコア材の上に積層して多層
板前駆体を形成し、多層板前駆体全体として一括して加
熱と加圧とにより接着剤層を硬化させるので、６層基板
を製造する場合、積層プレスの回数が従来方法での３回
から２回に減少する。これにより、全層の絶縁材料基板
のプレスによる熱履歴が減る。また、接着材を単層配線
板に塗布するため各絶縁材料基板どうしの密着力が向上
し、ハンダリフロー時に受ける温度負荷に対してボイド
や膨れが生じにくくなるため、内層材料間での剥離や金
属のマイグレーションが起きにくくなる。また、積層プ
レス時の熱収縮率の違いから生じる位置ズレが減少す
る。更に６層基板の場合に積層プレス回数が２／３回に
減少することにより大幅なコストダウンが図られる。こ
の方法をさらに積層段数の多い高多層基板に適用すると
従来の多層板より信頼性が向上し、付加価値が増大す
る。
【００４０】前記導体バンプを前記絶縁材料基板に貫通
させる工程が、前記導体バンプの先端を平面化させ、そ
の上面径が平均で底面径の５０％以上になるように変形
させる工程である場合、導体バンプ先端を平坦にするこ
とにより当接させる配線パターンとの接触面積が増大し
て接触面での抵抗値が低下する。また、導体バンプ先端
を平らにすることにより、積層プレス時の圧力が小さく
ても導体バンプを十分圧縮できるようになり、基板ユニ
ットを多段に重ねて一度に積層プレスすることが可能に
なる。
【００４１】前記導体バンプを前記絶縁材料基板に貫通
させる工程が、前記導体バンプの上面が絶縁材料基板面
から５〜２０μｍ突き出た構造になるように変形させる
工程である場合、導体バンプの上面が絶縁材料基板から
５〜２０μｍ突き出させることにより、積層プレス時に
導体バンプが接着材層を貫通しやすくなり当接させる配
線パターンとの接触面積が増大して接続抵抗が低下し、
確実な層間接続が形成される。
【００４２】前記基板ユニットを少なくとも１枚ずつ前
記コア材の両面に積層配置して多層配線基板前駆体を形
成し、この前記多層配線基板前駆体を加熱下に加圧して
各配線パターンどうしを層間接続すると同時に前記接着
剤層を硬化させる場合には、コア材に導体バンプを突き
当てる方式であるため導体バンプの略円錐形状がコア基
板（コア材）を中心に上下に対称な構造となり、積層プ
レス時の熱負荷などに対して信頼性が向上する。
【００４３】多層板のコア材として貫通法により製造し
たコア材を使用し、このコア材に対して基板ユニットを
積層して多層配線基板前駆体を形成し、この多層配線基
板前駆体を加熱下に加圧して接着剤層を硬化してプリン
ト配線基板を製造する場合、貫通法によるコア材は単層
配線基板と同様に板厚が約０．１ｍｍ程度と薄いため、
多層板全体の板厚を小さく仕上げることが可能であり、
現在の市場の要求並びに将来の高集積化の要求に対応で
きる。
【００４４】前記コア材として銅めっきによるスルーホ
ール基板をコア材として使用する場合、コア材が銅めっ
きによるスルーホール基板であるため、この部分が４層
板であれば、基板ユニット１セット突き当てることで６
層基板がつくれ、作り方に自由度ができる。また、スル
ーホール基板では板厚の大きなコア材を作れるため多層
板全体の板厚を大きくすることができる。
【００４５】前記接着剤として、前記絶縁材料基板の補
強材に含浸させたレジンと同一のレジン、又は前記レジ
ンの粘度を低下させたものを用いる場合には、接着剤と
プリプレグとの馴染みが良いので、一体化しやすく、積
層プレスにより各層の絶縁材料基板を一体化させた後
に、それらが異種材料の接合面から腐食劣化し剥離する
ことを防止することができる。
【００４６】本発明のプリント配線基板では、多層板の
最外部の絶縁層の厚さ方向に配設され、この最外部の絶
縁層の表面に配設された表面配線層と、この最外部の絶
縁層の内側に配設された配線層とを層間接続する導体バ
ンプが、前記表面配線層に先端側を当接する向きに配設
されているので、表面配線層の配線パターン幅を小さく
とることができる。そのため、多層板表面の配線パター
ンを微細パターン化することができ、集積度を向上させ
ることができる。またこのような微細パターンを形成し
た多層板の表面配線層に半導体素子などを実装すること
により、微細な配線パターンを備えた半導体装置を得る
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第１の実施の形態に係るプリント配線基板の製
造方法のフローチャートである。
【図２】第１の実施形態に係るプリント配線基板の製造
途中の断面図であり、液状のエポキシ接着剤（ＢＴレジ
ン）を塗布した基板ユニットの作製までの工程を示した
図である。
【図３】第１の実施の形態に係るプリント配線基板の製
造途中の断面図であり、基板ユニットを積層配置した状
態を示した図である。
【図４】第１の実施の形態に係るプリント配線基板の製
造途中の断面図であり、貫通法による積層プレスを２回
行なって形成した６層基板の断面を示した図である。
【図５】第２の実施の形態に係るプリント配線基板の製
造方法のフローチャートである。
【図６】第２の実施の形態に係るプリント配線基板の製
造途中の断面図であり、導体板と緩衝材を使用した基板
ユニットの作製方法を示した断面図である。
【図７】第３の実施の形態に係るプリント配線基板の製
造方法のフローチャートである。
【図８】第３の実施の形態に係るプリント配線基板の製
造途中の断面図であり、貫通法による両面基板をコア材
にして基板ユニットを積層配置した状態（ａ）とた貫通
法による積層プレスを２回行なって形成した６層基板の
断面図（ｂ）である。
【図９】第４の実施の形態に係るプリント配線基板の製
造途中の断面図であり、導体バンプ突き当て相手側に接
着剤を塗布し、積層配置した断面図である。
【図１０】第５の実施の形態に係るプリント配線基板の
製造途中の断面図であり、コア材にスルーホール基板を
使用した多層基板の製造工程を示した断面図である。
【図１１】第６の実施の形態に係る半導体装置の断面図
である。
【図１２】従来の貫通法による両面基板作製までの工程
を示す断面図である。
【図１３】従来の貫通法による４層基板作製までの工程
を示す断面図である。
【図１４】従来の貫通法による６層基板作製までの工程
を示す断面図である。
【図１５】従来の貫通法の改良例を示す断面図である。
【図１６】従来の貫通法の改良例を示す断面図であり、
パターンが形成された絶縁材料基板付き銅箔の積層配置
の状態を示したものである。
【図１７】従来の貫通法の改良例を示す図であり、貫通
法による積層プレスを１回行なって形成した６層基板の
断面図である。
【符号の説明】 １…銅箔、２…導体バンプ、３…絶縁材料基板、４…樹
脂付銅箔、５０２…両面銅張板、６０２…（貫通法によ
る）両面基板、７０２…（貫通法による）４層基板、８
…（貫通法による）６層基板、９…ビア、１１…レジス
トフィルム、１２…絶縁材料基板付き銅箔、１３…６層
基板、１４…緩衝材、１４０２…変形した緩衝材、１６
…単層配線板、１７…液状エポキシ接着剤（ＢＴレジ
ン）、１８…基板ユニット、１９…６層基板、２０…銅
箔、２００２…変形した銅箔、２１…６層基板、２２…
コア基板（コア材）、２３…多層プリント配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図４】
【図３】
【図５】
【図６】
【図８】
【図１６】
【図１７】
【図７】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１３】
【図１２】
【図１４】
【図１５】
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 23/12 ５０１ Ｈ０５Ｋ 1/11 Ｎ Ｈ０５Ｋ 1/11 3/40 Ｋ 3/40 Ｈ０１Ｌ 23/12 Ｎ Ｆターム(参考） 5E317 AA24 AA30 BB02 BB12 BB14 CC31 CC51 CD21 GG14 GG17 5E346 AA06 CC09 CC32 DD02 DD12 DD32 EE02 EE06 EE07 EE09 EE13 FF04 FF35 FF45 GG22 GG28 HH07 HH24 HH26 HH32

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 導体板上に複数の略円錐型の導体バンプ
    を形成する工程と、 前記導体バンプ上に未硬化の絶縁材料基板をセットする
    工程と、 前記絶縁材料基板が硬化しない温度で加熱しながら前記
    導体板および絶縁材料基板を緩衝材を介して加圧して前
    記導体バンプを前記絶縁材料基板に貫通させる工程と、 前記導体バンプおよび絶縁材料基板を硬化させる工程
    と、 前記導体板をパターニングして所定の配線パターンを備
    えた単層配線板を形成する工程と、 前記単層板の絶縁材料基板面又は配線パターン面に接着
    剤を塗布して基板ユニットを形成する工程と、 複数の基板ユニットを積層して多層板前駆体を形成する
    工程と、 前記多層板前駆体を加熱下に加圧して前記導体バンプと
    前記配線パターンとを接続すると共に前記接着剤層を硬
    化させる工程とを具備するプリント配線基板の製造方
    法。
  2. 【請求項２】 第１の導体板上に複数の略円錐型の導体
    バンプを形成する工程と、 前記導体バンプ上に未硬化の絶縁材料基板をセットする
    工程と、 前記絶縁材料基板が硬化しない温度で加熱しながら前記
    第１の導体板および絶縁材料基板を緩衝材を介して加圧
    して前記導体バンプを前記絶縁材料基板に貫通させる工
    程と、 前記導体バンプが貫通した前記絶縁性基板上に第２の導
    体板と第２の緩衝材を積層して加熱下に加圧して前記導
    体バンプおよび絶縁材料基板を硬化させる工程と、 前記導体板をパターニングして所定の配線パターンを備
    えた単層配線板を形成する工程と、 前記第２の導体板をエッチングにより除去する工程と、 前記単層板の絶縁材料基板面又は配線パターン面に接着
    剤を塗布して基板ユニットを形成する工程と、 複数の基板ユニットを積層して多層板前駆体を形成する
    工程と、 前記多層板前駆体を加熱下に加圧して前記導体バンプと
    前記配線パターンとを接続すると共に前記接着剤層を硬
    化させる工程とを具備するプリント配線基板の製造方
    法。
  3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載のプリント配線基
    板の製造方法であって、前記導体バンプを前記絶縁材料
    基板に貫通させる工程が、前記導体バンプの先端を平面
    化させ、その上面径が平均で底面径の５０％以上になる
    ように変形させる工程であることを特徴とするプリント
    配線基板の製造方法。
  4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項に記載のプ
    リント配線基板の製造方法であって、前記導体バンプを
    前記絶縁材料基板に貫通させる工程が、前記導体バンプ
    の上面が絶縁材料基板面から５〜２０μｍ突き出た構造
    になるように変形させる工程であることを特徴とするプ
    リント配線基板の製造方法。
  5. 【請求項５】 導体板上に複数の略円錐型の導体バンプ
    を形成する工程と、 前記導体バンプ上に未硬化の絶縁材料基板をセットする
    工程と、 前記絶縁材料基板が硬化しない温度で加熱しながら前記
    導体板および絶縁材料基板を緩衝材を介して加圧して前
    記導体バンプを前記絶縁材料基板に貫通させる工程と、 前記導体バンプおよび絶縁材料基板を硬化させる工程
    と、 前記導体板をパターニングして所定の配線パターンを備
    えた単層配線板を形成する工程と、 前記単層板の絶縁材料基板面又は配線パターン面に接着
    剤を塗布して基板ユニットを形成する工程と、 硬化した絶縁材料基板の第１の面と第２の面にそれぞれ
    配線パターンを備え、前記第１の面と第２の面に形成さ
    れた配線パターンどうしを電気的に接続する電層間接続
    部材を内蔵するコア材を形成する工程と、 前記基板ユニットを少なくとも１枚ずつ前記コア材の両
    面に積層配置して多層配線基板前駆体を形成する工程
    と、 前記多層配線基板前駆体を加熱下に加圧して各配線パタ
    ーンどうしを層間接続すると同時に前記接着剤層を硬化
    させる工程とを具備するプリント配線基板の製造方法。
  6. 【請求項６】 請求項５に記載のプリント配線基板の製
    造方法であって、前記コア材を形成する工程が、 第１の導体板の上に略円錐型の導体バンプを形成する工
    程と、 前記導体バンプの先端側に未硬化の絶縁材料基板を配設
    する工程と、 前記第１の導体板と前記絶縁材料基板とを加圧して前記
    導体バンプを前記絶縁材料基板に貫通させる工程と、 前記導体バンプの先端が貫通した前記絶縁材料基板表面
    に第２の導体板をセットする工程と、 前記第１の導体板と前記第２の導体板とを加熱下に加圧
    して前記絶縁材料基板を硬化させる工程と 前記第１の導体板及び前記第２の導体板にパターン形成
    する工程と、 を具備する工程であることを特徴とするプリント配線基
    板の製造方法。
  7. 【請求項７】 請求項５に記載のプリント配線基板の製
    造方法であって、前記コア材が銅めっきスルーホール基
    板であることを特徴とするプリント配線基板の製造方
    法。
  8. 【請求項８】 請求項１〜７のいずれか１項に記載のプ
    リント配線基板の製造方法であって、前記基板ユニット
    を形成する工程が、前記導体バンプ先端を突き当てる相
    手側の配線パターン上に前記接着剤を塗布する工程であ
    ることを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
  9. 【請求項９】 請求項１〜８のいずれか１項に記載のプ
    リント配線基板の製造方法であって、前記接着剤が、前
    記絶縁材料基板の補強材に含浸させたレジンと同一のレ
    ジン、又は前記レジンの粘度を低下させたものであるこ
    とを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
  10. 【請求項１０】 複数の絶縁層と、 前記絶縁層と絶縁層との間に配設された層間配線層と、 最外部の絶縁層の表面に配設された複数の表面配線層
    と、 前記絶縁層内に配設され、前記絶縁層を介して対向する
    前記層間配線層を接続する層間接続部材と、 前記最外部の絶縁層内に配設され、前記表面配線層に先
    端側が当接する導体バンプ群とを具備するプリント配線
    基板。
  11. 【請求項１１】 請求項１０に記載のプリント配線基板
    であって、前記絶縁層が、樹脂内部を補強材シートで補
    強した補強材層と、補強材を含まない接着剤を硬化させ
    た接着剤層との積層物であることを特徴とするプリント
    配線基板。
  12. 【請求項１２】 複数の絶縁層と、 前記絶縁層と絶縁層との間に配設された層間配線層と、 最外部の絶縁層の表面に配設された複数の表面配線層
    と、 前記絶縁層内に配設され、前記絶縁層を介して対向する
    前記層間配線層を接続する層間接続部材と、 前記最外部の絶縁層内に配設され、前記表面配線層に先
    端側が当接する導体バンプ群と、 前記表面配線層に実装された半導体素子とを具備する半
    導体装置。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100722604B1 (ko) 2005-09-02 2007-05-28 삼성전기주식회사 인쇄회로기판의 제조방법
JP2008182071A (ja) * 2007-01-25 2008-08-07 Toppan Printing Co Ltd 電子部品内蔵配線板及びその製造方法、並びに電子機器
JP2010092937A (ja) * 2008-10-03 2010-04-22 Dainippon Printing Co Ltd 導電性バンプ付き基板シート製造方法および多層プリント配線板製造方法
JP2010238756A (ja) * 2009-03-30 2010-10-21 Dainippon Printing Co Ltd 導電性バンプ付基板シートの製造方法および多層プリント配線板の製造方法
JP2011035372A (ja) * 2009-07-08 2011-02-17 Dainippon Printing Co Ltd 導電性バンプ付基板シートの製造方法および多層プリント配線板の製造方法
JP2014120755A (ja) * 2012-12-13 2014-06-30 Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrate Solutions Technologies Co Ltd 単層コアレス基板

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1093242A (ja) * 1996-09-18 1998-04-10 Toshiba Corp 印刷配線基板
JP2001015922A (ja) * 1999-06-30 2001-01-19 Toshiba Corp プリント配線基板の製造方法
JP2001015920A (ja) * 1999-06-30 2001-01-19 Toshiba Corp 多層プリント配線板及びその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1093242A (ja) * 1996-09-18 1998-04-10 Toshiba Corp 印刷配線基板
JP2001015922A (ja) * 1999-06-30 2001-01-19 Toshiba Corp プリント配線基板の製造方法
JP2001015920A (ja) * 1999-06-30 2001-01-19 Toshiba Corp 多層プリント配線板及びその製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100722604B1 (ko) 2005-09-02 2007-05-28 삼성전기주식회사 인쇄회로기판의 제조방법
JP2008182071A (ja) * 2007-01-25 2008-08-07 Toppan Printing Co Ltd 電子部品内蔵配線板及びその製造方法、並びに電子機器
JP2010092937A (ja) * 2008-10-03 2010-04-22 Dainippon Printing Co Ltd 導電性バンプ付き基板シート製造方法および多層プリント配線板製造方法
JP2010238756A (ja) * 2009-03-30 2010-10-21 Dainippon Printing Co Ltd 導電性バンプ付基板シートの製造方法および多層プリント配線板の製造方法
JP2011035372A (ja) * 2009-07-08 2011-02-17 Dainippon Printing Co Ltd 導電性バンプ付基板シートの製造方法および多層プリント配線板の製造方法
JP2014120755A (ja) * 2012-12-13 2014-06-30 Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrate Solutions Technologies Co Ltd 単層コアレス基板

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