WO2005103831A1 - リソグラフィー用リンス液 - Google Patents

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WO2005103831A1
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lithography
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Jun Koshiyama
Kazumasa Wakiya
Fumitake Kaneko
Atsushi Miyamoto
Hidekazu Tajima
Yoshihiro Sawada
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Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.
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    • C11D2111/20—Industrial or commercial equipment, e.g. reactors, tubes or engines

Definitions

  • the present invention relates to a lithography rinsing liquid that is effective for preventing pattern collapse during formation of a fine pattern having a high aspect ratio.
  • pattern collapse is a phenomenon in which, when a large number of patterns are formed in parallel on a substrate, adjacent patterns come close to each other so as to lean against each other, and in some cases, the base force is broken or peeled off. If such a pattern collapse occurs, a desired product cannot be obtained, which causes a decrease in product yield and reliability.
  • a method of using a rinse solution whose surface tension is adjusted to 30 to 50 dyneZcm by adding alcohols, ketones or carboxylic acids (JP7-140674A), at least one of the developer solution and the rinse solution
  • Method of adding a fluorinated surfactant to the surface (CiP7-142349A), the water rinsing process and the specific gravity higher than water when the resist is immersed in water, and the surface tension is lower
  • a method comprising a step of drying after substitution with a water-miscible liquid such as perfluoroalkyl polyether (JP7-226358A), wherein an amino group, an imino group or an amo-dum group and a carbon number of 1 to
  • a rinsing agent composition (JP11-295902A) having 20 hydrocarbon groups and a nitrogen-containing compound having a molecular weight of 45 to 10,000, and a fluorinated carboxylic acid, a fluorinated sulfonic acid
  • PFOS perfluorooctanesulfonic acid
  • SNUR Important New Use Regulation
  • a fluorine-based surfactant containing an easy-to-handle fluorinated surfactant that is environmentally friendly and having the same effect as when perfluorooctanesulfonic acid is used is used. Surfactants are needed.
  • the present invention provides a high-quality product that has a contact angle of 40 degrees or less, easily wets the surface, and can effectively prevent pattern collapse by modifying the surface of the resist pattern to a contact angle of 70 degrees or more.
  • the purpose of the present invention is to provide a novel rinsing liquid capable of producing the same.
  • the present inventors have developed a rinsing liquid that can effectively prevent pattern collapse during the formation of a photoresist pattern by lithography technology and that does not impair the physical properties of the resist pattern after processing.
  • a solution containing a fluorine compound having a specific functional group before or after the rinsing treatment with water could result in contact with the resist pattern surface without deteriorating the physical properties of the resist itself.
  • the inventors have found that the contact angle with respect to the liquid can be increased to 70 degrees or more to prevent pattern collapse, and the present invention has been accomplished based on this finding.
  • the present invention provides a compound represented by the general formula
  • R 1 and R 2 are an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms or a substituted alkyl group in which part or all of the hydrogen atoms are substituted by fluorine atoms, and R 1 and R 2 are linked to each other To form a 5- or 6-membered ring with SO and N!
  • R is a carbon atom in which some or all of the hydrogen atoms have been replaced by fluorine atoms.
  • R is an at least partially fluorinated alkyl group having 8 to 20 carbon atoms
  • lithography rinse solution which has at least one solution selected from water or alcohol-based solvent-soluble fluorine compounds represented by the formula:
  • R 1 and R 2 represent an alkyl group or a substituted alkyl group in which all hydrogen atoms have been replaced by fluorine atoms, for example, a perfluoromethyl group, a perfluoroethyl group, Perfluoroalkyl groups such as fluoropropyl and perfluorobutyl are preferred. Particularly preferably, R 1 and R 2 are linked to form a 5- or 6-membered ring together with the SO group and the nitrogen atom to which they are bonded, and the hydrogen atom of R 1 and R 2 is
  • R in the general formula ( ⁇ ) is f at least partially fluorinated having 1 to 5 carbon atoms.
  • substituent of the substituted alkyl group include a hydroxyl group, an alkoxy group, a carboxyl group and an amino group. This R is especially f
  • the whole thing is fluorinated and the thing is preferred.
  • Examples of such a compound include perfluoro (3-morpholinopropionic acid), perfluoro (2-methyl-3-morpholinopropionic acid), and perfluoro (4-morpholinobutyric acid). Particularly preferred among these are the formulas
  • These fluorine compounds can be produced by fluorinating an unfluorinated compound as a raw material by a known method, for example, an electrolytic fluorination method. Further, a lithium salt in which R 1 and R 2 in the general formula (I) are a trifluoromethyl group or a pentafluoroethyl group is commercially available under the registered trademark “Florald”.
  • fluorine compound represented by the general formula ( ⁇ ) part or all of the hydrogen atoms of decane carboxylic acid, dodecane carboxylic acid, tetradecane carboxylic acid, and hexadecane carboxylic acid are substituted with fluorine atoms. Particularly preferred are those in which all of the hydrogen atoms are replaced by fluorine atoms, for example, perfluoro (decanecarbonic acid).
  • These fluorine compounds are usually used as a solution dissolved in water or an alcohol-based solvent such as methyl alcohol or a mixture of ethyl alcohol and water.
  • the fluorine compound of higher fatty acid does not dissolve in water, it is necessary to use, for example, a mixed solvent of water and an alcohol-based solvent such as methyl alcohol, isopropyl alcohol or trifluoroethanol.
  • a mixed solvent of water and an alcohol-based solvent such as methyl alcohol, isopropyl alcohol or trifluoroethanol.
  • the mixing ratio of water and the alcohol solvent is 60:40 by volume !, and is in the range of 99: 1.
  • the rinsing liquid of the present invention contains the fluorine compound of the general formulas (I) to ( ⁇ ) in an amount of 0.001 to 5.0% by mass, preferably 0.01 to 1% by weight of water or L at a concentration of 0% by mass. It is prepared by dissolving in a mixed solvent of water and an alcohol solvent.
  • the treatment of the resist pattern with the rinsing liquid is performed by applying a force of dipping the developed resist pattern into the rinsing liquid before drying, or applying or spraying the rinsing liquid on the surface of the resist pattern. Even if the contact angle of the resist pattern surface with the liquid is as small as 40 degrees or less by this treatment, it can be increased to 70 degrees or more, and in some cases, 90 degrees or more. By performing the drying process in, the pattern can be dried without falling down.
  • the processing can be performed by increasing the temperature of the rinsing liquid.
  • the surface tension of the water drops to 62.6 dyneZcm at 80 ° C, which is 72 dyneZcm at 24 ° C. Turn fall can be reduced.
  • An anti-reflective coating agent [Brewer's product name, "ARC29 A”] was applied on a silicon wafer, and heated at 215 ° C for 60 seconds to form an anti-reflective film with a thickness of 77 nm. .
  • this antireflection film as a resin component, the formula
  • the substrate on which the photoresist film was formed was exposed to light having a wavelength of 193 nm using an ArF excimer stepper (manufactured by Nikon Corporation, product name “NSR-S302A”). For 90 seconds.
  • the resist pattern obtained in the reference example was prepared by using perfluoro (2-methyl-3-morpholinopropionic acid) (manufactured by Gemcone earth, product name "PFM03"; hereinafter referred to as PFMO 3), bis (heptafluoropropylsulfol-) amine (manufactured by Gemcone earth).
  • PFMO 3 perfluoro (2-methyl-3-morpholinopropionic acid)
  • PFMO 3 bis (heptafluoropropylsulfol-) amine
  • PDC commercially available perfluoro (decanecarboxylic acid) having a 0.005% aqueous solution power
  • This rinsing treatment was performed by dropping the above rinsing liquid at 500 rotations for 3 seconds and then rinsing with pure water for 20 seconds.
  • the contact angle on the resist pattern surface before and after each rinsing treatment was measured using a contact angle meter (manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd., product name “CA-XI50”). Table 1 shows the results.
  • the rinsing solution of the present invention can be used to form a fine line of 30 to 100 nm and a resist pattern of an 'and' space, particularly a resist pattern having a high aspect ratio of 3 or more, which is very easy to collapse. Even if there is no pattern collapse, it is possible to form a pattern that does not impair the resist pattern characteristics. Therefore, the present invention is suitable for manufacturing semiconductor devices such as LSIs and ULSIs using a lithography method, particularly devices having a high aspect ratio.

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Abstract

　接触角が４０度以下という濡れやすいレジストパターンの表面を、接触角７０度以上に改質してパターン倒れを効果的に防止でき、高品質の製品を製造することができる新規なリンス液を提供する。該リンス液は、一般式（Ｉ） （Ｒ１及びＲ２は、それぞれ水素原子の一部又は全部がフッ素原子により置換された炭素数１～５のアルキル基若しくは置換アルキル基であり、Ｒ１とＲ２はたがいに連結して両者が結合しているＳＯ２及びＮとともに五員環又は六員環を形成していてもよい）、 一般式（ＩＩ） （Ｒｆは水素原子の一部又は全部がフッ素原子により置換された炭素数１～５のアルキル基若しくは置換アルキル基、ｍ及びｎは２又は３の整数） 又は一般式 　Ｒｆ´－ＣＯＯＨ （Ｒｆ´は炭素数８～２０の少なくとも部分的にフッ素化されたアルキル基） で表わされる水又はアルコール系溶剤可溶性フッ素化合物の中から選ばれた少なくとも１種を含有する溶液からなる。 【化１】 【化２】

Description

明 細 書
リソグラフィー用リンス液
技術分野
[0001] 本発明は、高アスペクト比の微細パターン形成時におけるパターン倒れを防止する のに有効なリソグラフィー用リンス液に関するものである。
背景技術
[0002] 近年、半導体デバイスの小型化、集積化とともに、この微細加工用光源として、 g線 、 i線のような紫外光、 KrF及び ArFのようなエキシマレーザー光などの使用及びそ れに適合したホトレジスト組成物、例えばィ匕学増幅型ホトレジスト組成物の開発が進 められ、この方面におけるリソグラフィー技術上の課題の多くはすでに解決されつつ ある。
[0003] ところで、リソグラフィー技術により微細なレジストパターン、特に高アスペクト比のパ ターンを形成させる場合に生じる問題の 1つにパターン倒れがある。このパターン倒 れは、基板上に多数のパターンを並列状に形成させる際、隣接するパターン同士が もたれ合うように近接し、時によってはパターンが基部力 折損したり、剥離するという 現象である。このようなパターン倒れが生じると、所望の製品が得られないので、製品 の歩留りや信頼性の低下を引き起こすことになる。
[0004] ところで、このパターン倒れの原因は既に究明され [「ジャパニーズ 'ジャーナル 'ォ ブ 'アプライド 'フィジックス (Jpn. Appl. Phys.；)」、第 32卷、 1993年、 p. 6059— 6 064]、レジストパターンを現像した後のリンス処理において、リンス液が乾燥する際、 そのリンス液の表面張力により発生することが分って 、る。
[0005] したがって、レジストパターンがリンス液に浸漬している間、すなわち現像後のリンス 処理では、パターンを倒す力は生じないが、乾燥過程でリンス液が除去される際に、 レジストパターン間にリンス液の表面張力に基づく応力が作用し、レジスト倒れを生じ ることになる。
[0006] このため、理論的には表面張力の小さい、すなわち接触角の大きいリンス液を用い れば、パターン倒れを防止することができるので、これまでリンス液に表面張力を低 下させる、あるいは接触角を増大させる化合物を添加し、パターン倒れを防止する試 みが多くなされている。
[0007] 例えば、イソプロピルアルコールを添カ卩したリンス液 (JP6— 163391A)、リンス液と してイソプロピルアルコールと水、又はイソプロピルアルコールとフッ素化工チレン化 合物のような混合物を用いて、現像後のレジスト表面とリンス液との接触角を 60〜 12 0度の範囲になるように調整する方法 (JP5— 299336A)、レジスト材料の母材として ノボラック榭脂又はヒドロキシポリスチレン榭脂を用いたレジストに対し、アルコール類 、ケトン類又はカルボン酸類の添カ卩により、表面張力が 30〜50dyneZcmの範囲に 調整されたリンス液を使用する方法 (JP7— 140674A)、現像液とリンス液の少なくと も一方にフッ素系界面活性剤を添加する方法 CiP7— 142349A)、水によるリンスェ 程とレジストが水中に浸漬した状態で水より比重が大きぐ表面張力が小さい非水混 和性液体例えばペルフルォロアルキルポリエーテルで置換した後、乾燥する工程を 含有する方法 (JP7— 226358A)、分子中にアミノ基、イミノ基又はアンモ-ゥム基と 炭素数 1〜20の炭化水素基を有し、分子量 45〜10000の窒素含有ィ匕合物を含有 したリンス剤組成物 (JP11— 295902A)、現像液としてフッ素化カルボン酸、フッ素 化スルホン酸或 、はそれらの塩を含む組成物を用いる方法 (JP2002— 323773A) 、現像された基板をリンス処理したのちヒドロフルォロエーテルを含む有機系処理液 で処理する方法 (JP2003— 178943A及び JP2003— 178944A)など力提案され ている。
[0008] しかしながら、これらのリンス液やリンス処理方法は、いずれも完全にパターン倒れ を防止することができない上、形成されるパターンの物性、特に精度がそこなわれる おそれがあるため、実用化するには必ずしも満足しうるものではない。
[0009] 他方、現在、フッ素系界面活性剤としてペルフルォロオクタンスルホン酸（PFOS) が用いられている。この物質は、日本国内では指定化学物質となっており、また、米 国の生態影響関連規則である重要新規利用規則 (SNUR)の対象ともなって 、るた め、取り扱いに大きな問題がある。具体的には、 SNUR規制に該当する物質は、健 康若しくは環境を損なう不当なリスクをもたらすおそれがあるため、作業場での保護 具の着用、有害性についての従業員への周知、教育、訓練等を行なうことが必要とさ れ、さらに廃棄処分についても規制がある。そこで、このペルフルォロオクタンスルホ ン酸に代わり、環境上問題がなぐ取り扱いやすいフッ素系界面活性剤を含有し、ぺ ルフルォロオクタンスルホン酸を用いたときと同等の効果を示すフッ素系界面活性剤 が求められている。
発明の開示
[0010] 本発明は、接触角が 40度以下と 、う濡れやす!/、レジストパターンの表面を、接触角 70度以上に改質してパターン倒れを効果的に防止でき、高品質の製品を製造する ことができる新規なリンス液を提供することを目的としてなされたものである。
[0011] 本発明者らは、リソグラフィー技術によりホトレジストパターンを形成させる際のバタ ーン倒れを効果的に防止でき、し力も処理後のレジストパターンの物性をそこなうこと のないリンス液を開発するために鋭意研究を重ねた結果、水によるリンス処理の前又 は後で特定の官能基をもつフッ素化合物を含む溶液により処理すれば、レジスト自 体の物性をそこなうことなくそのレジストパターン表面上の接触液に対する接触角を 7 0度以上に上昇させ、パターン倒れを防止し得ることを見出し、この知見に基づいて 本発明をなすに至った。
[0012] すなわち、本発明は、一般式
[化 1]
Figure imgf000005_0001
(式中の R1及び R2は、それぞれ水素原子の一部又は全部がフッ素原子により置換 された炭素数 1〜5のアルキル基若しくは置換アルキル基であり、 R1と R2はたがいに 連結して両者が結合して ヽる SO及び Nとともに五員環又は六員環を形成して!/ヽて
2
ちょい)、
一般式
[化 2]
Figure imgf000005_0002
(式中の Rは水素原子の一部又は全部がフッ素原子により置換された炭素数 1〜5 f
のアルキル基若しくは置換アルキル基、 m及び nは 2又は 3の整数である） 又は一般式
R ' -COOH (III)
f
(式中の R ま炭素数 8〜20の少なくとも部分的にフッ素化されたアルキル基である） f
で表わされる水又はアルコール系溶剤可溶性フッ素化合物の中から選ばれた少なく とも 1種を含有する溶液力もなるリソグラフィー用リンス液を提供するものである。
[0013] この一般式 (I)における R1及び R2としては、全部の水素原子がフッ素原子により置 換されたアルキル基又は置換アルキル基、例えばペルフルォロメチル基、ペルフル ォロェチル基、ペルフルォロプロピル基、ペルフルォロブチル基のようなペルフルォ 口アルキル基が好ましい。特に好ましいのは、 R1と R2が連結して、それらが結合して いる SO基及び窒素原子とともに五員環又は六員環を形成し、 R1と R2の水素原子の
2
全部がフッ素原子で置換されているもの、例えば
[化 3]
Figure imgf000006_0001
で表わされる化合物である。
[0014] また、一般式 (Π)における Rは、少なくとも部分的にフッ素化された炭素数 1〜5の f
アルキル基又は置換アルキル基である。この置換アルキル基の置換基として、水酸 基、アルコキシ基、カルボキシル基又はアミノ基が挙げられる。この Rとしては、特に f
全部がフッ素化されて 、るものが好まし 、。
[0015] このような化合物としては、例えばペルフルォロ（3-モルホリノプロピオン酸）、ペル フルォロ（2-メチル -3-モルホリノプロピオン酸）、ペルフルォロ（4-モルホリノ酪酸）な どを挙げることができるが、これらの中で特に好ましいのは、式
Figure imgf000006_0002
で表わされるペルフルォロ（2-メチル -3-モルホリノプロピオン酸）である。
[0016] これらのフッ素化合物は、原料のフッ素化されていない化合物を公知の方法、例え ば、電解フッ素化法によるフッ素化することにより製造することができる。また、一般式 (I)の中の R1及び R2がトリフルォロメチル基又はペンタフルォロェチル基のもののリ チウム塩は、登録商標名「フロラード」として市販されている。
[0017] また、一般式 (ΠΙ)で表されるフッ素化合物としては、デカンカルボン酸、ドデカン力 ルボン酸、テトラデカンカルボン酸、へキサデカンカルボン酸の水素原子の一部又は 全部がフッ素原子で置換されたものを挙げることができる力 特に好ましいのは、水 素原子の全部がフッ素原子で置換されたもの、例えば、ペルフルォロ（デカンカルボ ン酸)である。
[0018] これらのフッ素化合物は通常、水又はアルコール系溶剤、例えばメチルアルコール 若しくはエチルアルコールと水との混合物に溶解した溶液として用いられる。
[0019] なお、高級脂肪酸のフッ素化合物は、水に溶解しないため、例えば、水とメチルァ ルコール、イソプロピルアルコール又はトリフルォロエタノールのようなァルール系溶 剤との混合溶剤を用いる必要がある。この場合の水とアルコール系溶剤との混合割 合は体積比で 60： 40な!、し 99： 1の範囲である。
[0020] すなわち、本発明のリンス液は、一般式（I)ないし（ΠΙ)のフッ素化合物を 0. 001〜 5. 0質量％、好ましくは 0. 01〜： L 0質量％濃度で水又は水とアルコール系溶剤と の混合溶剤に溶解して調製される。
このリンス液によるレジストパターンの処理は、現像処理したレジストパターンを、ま だ乾燥しないうちに、リンス液中に浸漬する力、或いはリンス液をレジストパターン表 面に塗布又は吹き付けることによって行われる。この処理によって、液に対するレジス トパターン表面の接触角が 40度以下という小さい場合でも、 70度以上、場合によつ ては 90度以上に高めることができるので、この状態でスピンドライ等の手段で乾燥処 理を行うことにより、パターン倒れを伴うことなく乾燥させることができる。
[0021] このリンス液によるレジストパターンの処理の際、所望に応じ、リンス液の温度を高め て処理することもできる。水の表面張力は、 24°Cにおいて 72dyneZcmである力 8 0°Cにおいては 62. 6dyneZcmに低下するので、温度を高めることにより、さらにパ ターン倒れを減少させることができる。
発明を実施するための最良の形態
[0022] 次に、実施例により本発明を実施するための最良の形態を説明するが、本発明は これらの例によってなんら限定されるものではない。
[0023] 参考例
シリコンウェハー上に反射防止膜剤 [ブリューヮ（Brewer)社製、商品名「ARC29 A」]を塗布し、 215°Cにて 60秒間加熱処理して、膜厚 77nmの反射防止膜を形成し た。この反射防止膜上に、榭脂成分として、式
[化 5]
Figure imgf000008_0001
で表される榭脂成分及び該榭脂成分に対して、 3. 0質量％のトリフエニルスルホユウ ムパーフルォロブタンスルホネート及び 0. 35質量0 /0のトリエタノールアミンをプロピレ ングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエー テルの混合溶剤 (混合比 =6 :4)に溶解し、全体の固形分濃度を 11質量％としたィ匕 学増幅型ポジ型ホトレジストを塗布して、膜厚 460nmのホトレジスト膜を形成した。
[0024] このホトレジスト膜が形成された基板に対して、 ArFエキシマステッパー（ニコン社製 、製品名「NSR—S302A」）を用いて、波長 193nmの光で露光処理を行い、続いて 130°Cで 90秒加熱処理した。
その後、 2. 38%テトラメチルアンモ-ゥムヒドロキシド水溶液を用いて 23°Cで 60秒 の現像処理を行った。 [0025] 次いで、このようにして得たラインアンドスペース（110nmZl50nm)パターンを、 ビニルピロリドンとビニルイミダゾールの等量混合物を共重合させて得た水溶性榭脂 の 0. 1%水溶液で処理して、水との接触角が 25° の表面をもつレジストパターンを 形成させた。
[0026] 実施例 1〜3
参考例で得たレジストパターンを、ペルフルォロ（2-メチル -3-モルホリノプロピオン 酸）（ジェムコネ土製、製品名「PFM03」；以下 PFMO 3と示す）、ビス（ヘプタフルォロ プロピルスルホ -ル）ァミン（ジェムコネ土製、製品名「EF— N331J；以下 EF— N331と 示す)及び市販品として入手したペルフルォロ（デカンカルボン酸）（以下 PDCと示す )の 0. 005%水溶液力もなる 3種類のリンス液を用いて、リンス処理した。
なお、 PDCは水に不溶のため、溶媒として水とトリフルォロエタノールとの混合溶媒 (体積比 99 : 1)を用いた。
[0027] このリンス処理は、上記のリンス液を 500回転で 3秒間滴下したのち、純水により 20 秒間リンスすることによって行った。
各リンス処理前後のレジストパターン表面上の接触角を接触角計 (協和界面科学 社製、製品名「CA— XI 50」）を用いて測定した。この結果を表 1に示す。
[表 1]
Figure imgf000009_0001
[0028] また処理後のそれぞれの基板を SEM (走査型電子顕微鏡）にて観察したところ、基 板面内にパターン倒れ等は全く認められな力つた。
[0029] 比較例
リンス液として純水もしくはイソプロピルアルコールを用い、実施例 1と全く同様にし てリンス処理したところ、接触角の上昇は全く認められず 25° であった。また、処理 後の基板を SEM (走査型電子顕微鏡）にて観察したところ、レジストパターン倒れが かなりの頻度で発生していた。
産業上の利用可能性
本発明のリンス液を用いると、 30〜100nmという微細なライン.アンド'スペースのレ ジストパターン、特に 3以上という高アスペクト比をもつ非常にパターン倒れを起しや すいレジストパターンを形成する場合であっても、なんらパターン倒れなしに、し力も レジストパターン特性をなんらそこなうことなぐノターン形成させることができる。した がって、本発明は、リソグラフィ一法を用いた LSI、 ULSIなどの半導体デバイス、特 に高アスペクト比のデバイスの製造に好適である。

Claims

請求の範囲 [1] 一般式
[化 1]
Figure imgf000011_0001
(式中の R1及び R2は、それぞれ水素原子の一部又は全部がフッ素原子により置換 された炭素数 1〜5のアルキル基若しくは置換アルキル基であり、 R1と R2はたがいに 連結して両者が結合して ヽる SO及び Nとともに五員環又は六員環を形成して!/ヽて
2
ちょい)、
一般式
[化 2]
Figure imgf000011_0002
(式中の Rは水素原子の一部又は全部がフッ素原子により置換された炭素数 1〜5 f
のアルキル基若しくは置換アルキル基、 m及び nは 2又は 3の整数である） 又は一般式
R COOH
(式中の ま炭素数 8〜20の少なくとも部分的にフッ素化されたアルキル基である） f
で表わされる水又はアルコール系溶剤可溶性フッ素化合物の中から選ばれた少なく とも 1種を含有する溶液力 なるリソグラフィー用リンス液。
[2] 水又はアルコール系溶剤可溶性フッ素化合物力 式
[化 3]
Figure imgf000011_0003
で表わされる化合物である請求の範囲第 1項記載のリソグラフィー用リンス液。
[3] 水又はアルコール系溶剤可溶性フッ素化合物力 式
[化 4]
Figure imgf000012_0001
で表わされる化合物である請求の範囲第 1項記載のリソグラフィー用リンス液。
[4] アルコール系溶剤可溶性フッ素化合物が、式
C F COOH
10 21
で表わされる化合物である請求の範囲第 1項記載のリソグラフィー用リンス液。
[5] 溶媒として水を用いた溶液である請求の範囲第 1項記載のリソグラフィー用リンス液
[6]
[7]
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