JP4370455B2

JP4370455B2 - 希土類三元錯体

Info

Publication number: JP4370455B2
Application number: JP2002526819A
Authority: JP
Inventors: 祥三柳田; 健作曽我部; 靖哉長谷川
Original assignee: 祥三柳田
Priority date: 2000-09-13
Filing date: 2001-09-13
Publication date: 2009-11-25
Anticipated expiration: 2021-09-13
Also published as: WO2002022566A1; AU2001286212A1; JPWO2002022566A1; US20050261264A1; EP1318143A4; EP1318143A1

Description

技術分野
本発明は、希土類三元錯体、希土類二元錯体を含む組成物及び光機能材料に関する。
本発明の希土類三元錯体は、発光材料、メカノルミネッセンス材料などの光機能材料として、例えば、光ファイバー、レンズなどとして好適である。
ここで、希土類三元錯体とは、希土類金属に２成分の有機化合物分子が配位することにより形成された希土類錯体であり、希土類金属と２成分の有機化合物との３成分からなる希土類錯体のことである。
背景技術
従来から、光機能材料として、各種希土類錯体が開発されている。例えば、米国特許第４０３７１７２号には、光変換材料として、β−ジケトン型の希土類錯体が開示されている。上記文献には、ユーロピウムにヘキサフルオロアセチルアセトン（以下、「ＨＦＡ」という。）が配位した希土類錯体が、開示されている。この錯体は、発光強度が弱いので、十分な発光強度を得るためには、多量の錯体が必要である。
また、希土類錯体に各種光増感剤を配位させることにより、希土類錯体の光機能特性を向上させる試みがなされている。例えば、特開平１−２５６５８４号公報には、配位子としてβ−ジケトン及びホスフィンオキシドを有する希土類三元錯体が開示されている。上記文献には、例えば、Ｔｂにテノイルトリフルオロアセトン及びトリオクチルホスフィンオキシドを配位させた三元錯体が記載されている。
しかしながら、配位子としてホスフィンオキシド等の光増感剤を有する希土類錯体でさえ、発光特性が満足できるレベルに達していない。また、ポリマーマトリクス中への分散性が、満足できるレベルにない。
発明の開示
本発明は、優れた発光特性を示す希土類三元錯体を提供することを目的とする。
本発明者は、鋭意検討を重ね、特定の有機ヘテロ化合物と特定の中性配位子とを配位させた希土類錯体三元錯体が、公知の希土類錯体に比して、予想を超えて著しく大きな発光強度を示すことを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、以下の希土類三元錯体、組成物及び光機能材料に係る。
１．以下の一般式（１）で表される希土類三元錯体。

〔式中、Ｍは希土類原子を示し、ｎ１は２又は３を示す。ｎ２は２、３又は４を示す。Ｒｆ^１及びＲｆ^２は、同一又は異なって、水素原子を含まない炭素数１〜２２の脂肪族基、水素原子を含まない芳香族基又は水素原子を含まない芳香族ヘテロ環基を示す。Ｚは、以下の（Ａ）〜（Ｄ）からなる群から選択される少なくとも１種の配位子を示す。ｍ２は、Ｚが以下の（Ａ）〜（Ｃ）からなる群から選択される少なくとも１種の配位子である場合には、１〜１０のいずれかの整数を示し、Ｚが（Ｄ）から選択される少なくとも１種の配位子である場合には、１〜５のいずれかの整数を示す。〕
（Ａ）以下の一般式（Ａ）で示される配位子

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、同一又は異なって、水素原子、重水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルキルオキシ基、芳香族基又はアリールオキシ基を示し、これらの基は重水素置換されていてもよい。但し、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３の少なくとも１つが、芳香族基又はアリールオキシ基である。Ｘは、Ｐ又はＳを示す。ｍ１は、０又は１を示す。ＸがＰのとき、ｍ３は１であり、ＸがＳのとき、ｍ３は０である。］
（Ｂ）以下の一般式（Ｂ）で示される配位子

［式中、Ｒ^１’、Ｒ^２’及びＲ^３’は、同一又は異なって、水素原子、重水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルキルオキシ基又は芳香族基を示し、これらの基は重水素置換されていてもよい。但し、Ｒ^１’、Ｒ^２’及びＲ^３’の少なくとも１つが、芳香族基である。ｍ１’は、０又は１を示し、ｍ３’は１を示す。］、
（Ｃ）Ｍに対して単座配位する含窒素芳香族化合物である配位子、及び
（Ｄ）Ｍに対して２座配位する含窒素芳香族化合物である配位子
２．Ｚが、一般式（Ａ）で示される配位子である上記１に記載の希土類三元錯体。
３．一般式（Ａ）が、以下の式で示される上記２に記載の希土類三元錯体。

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３が、同一又は異なって、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルキルオキシ基、芳香族基又はアリールオキシ基を示し、これらの基は重水素置換されていてもよい。但し、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３の少なくとも１つが、芳香族基又はアリールオキシ基である。Ｘは、Ｐ又はＳを示す。ｍ１は、０又は１を示す。ＸがＰのとき、ｍ３は１であり、ＸがＳのとき、ｍ３は０である。］
４．一般式（２）

［式中、Ｍ、ｎ１、ｎ２、Ｒｆ^１及びＲｆ^２は、上記１において定義されたとおりである。］で示される希土類錯体と、
以下の（Ａ）〜（Ｄ）からなる群から選択される少なくとも一種の化合物とを混合する工程を含む製造方法により得ることができる上記１に記載の希土類三元錯体。
（Ａ）以下の一般式（３）で示される化合物

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、同一又は異なって、水素原子、重水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルキルオキシ基、芳香族基又はアリールオキシ基を示し、これらの基は重水素置換されていてもよい。但し、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３の少なくとも１つが、芳香族基又はアリールオキシ基である。Ｘは、Ｐ又はＳを示す。ｍ１は、０又は１を表す。ＸがＰであるとき、ｍ３は１であり、ＸがＳのとき、ｍ３は０である。］
（Ｂ）以下の一般式（Ｂ’）で示される化合物

［式中、Ｒ^１’、Ｒ^２’及びＲ^３’は、同一又は異なって、水素原子、重水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルキルオキシ基又は芳香族基を示し、これらの基は重水素置換されていてもよい。但し、Ｒ^１’、Ｒ^２’及びＲ^３’の少なくとも１つが、芳香族基である。ｍ１’は、０又は１を示し、ｍ３’は、１を示す。］、
（Ｃ）Ｍに対して単座配位する含窒素芳香族化合物、及び
（Ｄ）Ｍに対して２座配位する含窒素芳香族化合物
５．一般式（Ａ）において、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３の少なくとも１つが、芳香族基である上記２に記載の希土類三元錯体。
６．一般式（Ａ）において、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３が、フェニル基である上記２に記載の希土類三元錯体。
７．希土類三元錯体が、一般式（４）

［式中、Ｍ、ｎ１及びｎ２は、上記１において定義されたとおりである。Ｒｆ^３及びＲｆ^４は、同一又は異なって、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基を表す。Ｐｈは、フェニル基を表す。］で表される錯体である上記１に記載の希土類三元錯体。
８．希土類三元錯体が、一般式（５）

〔式中、Ｍ、ｎ１及びｎ２は、上記１において定義されたとおりである。Ｒｆ^３及びＲｆ^４は、同一又は異なって、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基を表す。Ｐｈは、フェニル基を表す。〕で表される錯体である上記１に記載の希土類三元錯体。
９．Ｍが、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｔｂ及びＹｂからなる群から選択される希土類原子である上記１、７または８に記載の希土類三元錯体。
１０．一般式（２）

［式中、Ｍ、ｎ１、ｎ２、Ｒｆ^１及びＲｆ^２は、上記１において定義されたとおりである。］で示される希土類二元錯体と、
以下の（Ａ）〜（Ｄ）からなる群から選択される少なくとも１種の化合物とを含む組成物。
（Ａ）以下の一般式（３）で示される化合物

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、同一又は異なって、水素原子、重水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルキルオキシ基、芳香族基又はアリールオキシ基を示し、これらの基は重水素置換されていてもよい。但し、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３の少なくとも１つが、芳香族基又はアリールオキシ基である。Ｘは、Ｐ又はＳを示す。ｍ１は、０又は１を表す。ＸがＰのとき、ｍ３は１であり、ＸがＳのとき、ｍ３は０である。〕
（Ｂ）以下の一般式（Ｂ’）で示される化合物

［式中、Ｒ^１’、Ｒ^２’及びＲ^３’は、同一又は異なって、水素原子、重水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルキルオキシ基又は芳香族基を示し、これらの基は重水素置換されていてもよい。但し、Ｒ^１’、Ｒ^２’及びＲ^３’の少なくとも１つが、芳香族基である。ｍ１’は、０又は１を示し、ｍ３’は１を示す。］、
（Ｃ）Ｍに対して単座配位する含窒素芳香族化合物、及び
（Ｄ）Ｍに対して２座配位する含窒素芳香族化合物
１１．更に溶媒を含む上記１０に記載の組成物。
１２．更にポリマーマトリクスまたはポリマーマトリクスの原料となるモノマーを含む上記１０に記載の組成物。
１３．上記１に記載の希土類三元錯体を含む光機能材料。
１４．上記１０に記載の組成物を含む光機能材料。
本発明において、Ｒｆ^１及びＲｆ^２は、同一又は異なって、水素原子を含まない炭素数１〜２２の脂肪族基、水素原子を含まない芳香族基又は水素原子を含まない芳香族ヘテロ環基を示す。Ｒｆ^３及びＲｆ^４は、同一又は異なって、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基を示す。
水素原子を含まない炭素数１〜２２の脂肪族基として、以下の基を例示することができる。
＊パーフルオロアルキル基（Ｃ_ｎＦ_２ｎ＋１；ｎ＝１〜２２）、パークロロアルキル基（Ｃ_ｎＣｌ_２ｎ＋１；ｎ＝１〜２２）などの直鎖又は分枝状のパーハロゲン化アルキル基
直鎖又は分枝状のパーハロゲン化アルキル基として、トリクロロメチル、トリフルオロメチル、ペンタクロロエチル、ペンタフルオロエチル、ヘプタクロロプロピル、ヘプタフルオロプロピル、ヘプタクロロイソプロピル、ヘプタフルオロイソプロピル、ノナクロロブチル、ノナフルオロブチル、ノナクロロイソブチル、ノナフルオロイソブチル、ウンデカクロロペンチル、ウンデカフルオロペンチル、ウンデカクロロイソペンチル、ウンデカフルオロイソペンチル、トリデカクロロヘキシル、トリデカフルオロヘキシル、トリデカクロロイソヘキシル、トリデカフルオロイソヘキシル、ペンタデカクロロヘプチル、ペンタデカフルオロヘプチル、ペンタデカクロロイソヘプチル、ペンタデカフルオロイソヘプチル、ヘプタデカクロロオクチル、ヘプタデカフルオロオクチル、ヘプタデカクロロイソオクチル、ヘプタデカフルオロイソオクチル、ノナデカクロロノニル、ノナデカフルオロノニル、ノナデカクロロイソノニル、ノナデカフルオロイソノニル、ヘンイコサクロロデシル、ヘンイコサフルオロデシル、ヘンイコサクロロイソデシル、ヘンイコサフルオロイソデシル、トリコサクロロウンデシル、トリコサフルオロウンデシル、トリコサクロロイソウンデシル、トリコサフルオロイソウンデシル、ペンタコサクロロドデシル、ペンタコサフルオロドデシル、ペンタコサクロロイソドデシル、ペンタコサフルオロイソドデシル、ヘプタコサクロロトリデシル、ヘプタコサフルオロトリデシル、ヘプタコサクロロイソトリデシル、ヘプタコサフルオロイソトリデシルなどを例示することができる。ノナフルオロターシャリーブチル、ノナクロロターシャリーブチルなども例示できる。
直鎖又は分枝状のパーハロゲン化アルキル基としては、パークロロアルキル基及びパークロロフルオロアルキル基が好ましく、パーフルオロアルキル基がより好ましい。
パーハロゲン化アルキル基の炭素数は、通常１〜２２であり、１〜１３が好ましく、１〜１０がより好ましく、１〜６が特に好ましく、１〜４が最も好ましい。
＊パーフルオロアルケニル基（Ｃ_ｎＦ_２ｎ−１；ｎ＝１〜２２）、パークロロアルケニル基（Ｃ_ｎＣｌ_２ｎ−１；ｎ＝１〜２２）などの直鎖又は分枝状のパーハロゲン化アルケニル基；
パーハロゲン化アルケニル基として、トリフルオロビニル、トリクロロビニル、ペンタフルオロアリル、ペンタクロロアリル、ペンタフルオロプロペニル、ペンタクロロプロペニル、ヘプタフルオロブテニル、ヘプタクロロブテニルなどを例示できる。パーハロゲン化アルケニル基として、ペンタフルオロアリル、ペンタクロロアリルなどが好ましい。
パーハロゲン化アルケニル基の炭素数は、通常２〜２２、好ましくは２〜８、より好ましくは２〜４である。
＊パーフルオロアルキニル基、パークロロアルキニル基などの直鎖又は分枝状の炭素数２〜２２のパーハロゲン化アルキニル基；
パーハロゲン化アルキニル基として、フルオロエチニル、クロロエチニル、１−トリフルオロプロピニル、１−トリクロロプロピニル、２−トリフルオロプロピニル、２−トリクロロプロピニル等を例示できる。
パーハロゲン化アルキニル基の炭素数は、通常２〜２２、好ましくは２〜８、より好ましくは２〜４である。
＊パーフルオロシクロアルキル基（Ｃ_ｎＦ_２ｎ−１；ｎ＝３〜２２）、パークロロシクロアルキル基（Ｃ_ｎＣｌ_２ｎ−１；ｎ＝３〜２２）などの炭素数３〜２２のパーハロゲン化シクロアルキル基；
パーハロゲン化シクロアルキル基としては、ペンタクロロシクロプロピル、ペンタフルオロシクロプロピル、ヘプタクロロシクロブチル、ヘプタフルオロシクロブチル、ノナクロロシクロペンチル、ノナフルオロシクロペンチル、ウンデカクロロシクロヘキシル、ウンデカフルオロシクロヘキシル、トリデカクロロシクロヘプチル、トリデカフルオロシクロヘプチル、ペンタデカクロロシクロオクチル、ペンタデカフルオロシクロオクチルなどを例示できる。
パーハロゲン化シクロアルキル基の炭素数は、通常３〜２２、好ましくは３〜８、より好ましくは３〜６である。
＊パーフルオロシクロアルケニル基（パーフルオロシクロペンテニル基、パーフルオロシクロヘキセニル基など）、パークロロシクロアルケニル基などの炭素数３〜２２のパーハロゲン化シクロアルケニル基
パーハロゲン化シクロアルキル基の炭素数は、通常３〜２２、好ましくは３〜８、より好ましくは３〜６である。
＊パーフルオロベンジル基、パークロロベンジル基、パーフルオロフェネチル基、パークロロフェネチル基などのパーハロゲン化アラルキル基；
パーハロゲン化アラルキル基としては、パーフルオロベンジル基、パーフルオロフェネチル基などのパーフルオロアラルキル基が好ましい。
「水素原子を含まない芳香族基」の芳香族基としては、フェニル、ナフチル、アントラニル、フェナントリル、ピレニル等が例示できる。
「水素原子を含まない芳香族ヘテロ環基」の芳香族ヘテロ環基としてはピリジル、チエニル、ピロリル、ピリミジニル、キノリル、イソキノリル、ベンズイミダゾリル、ベンゾピラニル、インドリル、ベンゾフラニル、イミダゾリル、ピラゾリル、ビフェニル等が例示できる。
これら芳香族基及び芳香族ヘテロ環基の全ての水素原子は、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、ニトロ基、炭素数１〜４のパーハロゲン化アルキル基（トリフルオロメチル等）、炭素数１〜４のパーハロゲン化アルコキシ基（トリフルオロメトキシ等）、炭素数２〜５のパーハロゲン化アルキルカルボニル基（トリフルオロアセチル等）、炭素数１〜４のパーハロゲン化アルキレンジオキシ基（ジフルオロメチレンジオキシ等）、炭素数２〜５のパーハロゲン化アルケニル基（パーハロゲン化ビニル等）、パーハロゲン化フェノキシ基、炭素数２〜２２のパーハロゲン化アルキルカルボニルオキシなどの水素原子を含まない置換基で置換されている。同様に、水素原子を含まない芳香族基および芳香族ヘテロ環基の置換基として、シアノ、ニトロソ、炭素数２〜５のパーハロゲン化アルコキシカルボニルを例示することができる。これらの置換基は、全て同一でもよく、２種以上が含まれていてもよい。上記置換基としては、ハロゲン原子、パーハロゲン化アルキル基、シアノ基、ニトロソ基が好ましく、ハロゲン原子、パーハロゲン化アルキル基が特に好ましい。
水素原子を含まない芳香族基の具体例として、パーフルオロフェニル基、パークロロフェニル基、パーフルオロナフチル基、パークロロナフチル基、パーフルオロアントラニル基、パークロロアントラニル基、パーフルオロフェナントリル基、パークロロフェナントリル基、パークロロピレニル基、パーフルオロピレニル基、パーブロモピレニル基などのパーハロゲン化芳香族基が挙げられる。パーフルオロフェニル基、パークロロフェニル基、パーフルオロナフチル基、パークロロナフチル基、パーフルオロアントラニル基、パークロロアントラニル基、パーフルオロフェナントリル基、パークロロフェナントリル基などが好ましい。
水素原子を含まない芳香族ヘテロ環基としては、パーハロゲン化２−ピリジル基などのパーハロゲン化芳香族ヘテロ環基が挙げられる。
前記パーハロゲン化芳香族基の芳香環又はパーハロゲン化芳香族ヘテロ環基の芳香族ヘテロ環に結合したハロゲン原子の１又は２以上は、シアノ、ニトロ、ニトロソ、炭素数１〜４のパーハロゲン化アルコキシ、炭素数２〜５のパーハロゲン化アルコキシカルボニル、炭素数２〜２２のパーハロゲン化アルキルカルボニルオキシ等の水素原子を含まない置換基で置換されていてもよい。
パーハロゲン化アラルキル基の芳香環又は芳香族ヘテロ環に結合したハロゲン原子の１又は２以上は、シアノ、ニトロ、ニトロソ、炭素数１〜４のパーハロゲン化アルコキシ、炭素数２〜５のパーハロゲン化アルコキシカルボニル、炭素数２〜２２のパーハロゲン化アルキルカルボニルオキシ等の水素原子を含まない置換基で置換されていてもよい。
Ｃ_１〜Ｃ_２２パーハロゲン化アルキル基、Ｃ_２〜Ｃ_２２パーハロゲン化アルケニル基、Ｃ_２〜Ｃ_２２パーハロゲン化アルキニル基においては、任意の位置のＣ−Ｃ単結合の間に−Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＣＯ−基を１個又は複数個介在させて、エーテル、エステル又はケトン構造としてもよい。
Ｒｆ^１及びＲｆ^２として、パーハロゲン化アルキル基、パーハロゲン化芳香族基が好ましく、パーフルオロアルキル基、パーフルオロ芳香族基がより好ましい。希土類三元錯体の化学的安定性を考慮すると、Ｒｆ^１及びＲｆ^２としては、炭素数１〜４のパーハロゲン化アルキル基が特に好ましく、なかでも炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基が最も好ましい。発光強度の点からは、Ｒｆ^１及びＲｆ^２として、炭素数１〜４のパーハロゲン化アルキル基及びパーハロゲン化芳香族基が好ましく、パーフルオロ置換芳香族基（例えばパーフルオロフェニル基）が特に好ましい。
Ｍで表される希土類原子としては、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕなどのランタノイドが挙げられる。Ｍとしては、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｔｂ及びＹｂが好ましく、Ｎｄ及びＥｕがより好ましく、Ｅｕが特に好ましい。
ｎ１は、２又は３を表す。ｎ２は２、３又は４を表す。
本発明の希土類三元錯体が、陰イオンとなる場合には、対イオンとなる陽イオンは特に制限されない。陽イオンとして、例えば、テトラブチルアンモニウムイオン、ベンジルトリメチルアンモニウムイオン等の４級アンモニウムイオン；テトラブチルホスホニウムイオン等のホスホニウムイオン等を例示できる。
本発明の希土類三元錯体は、一般式（１）においてＺで示される配位子を有する。配位子Ｚは、以下の（Ａ）〜（Ｄ）からなる群から選択される少なくとも１種の配位予である。
（Ａ）以下の一般式（Ａ）で示される配位子

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、同一又は異なって、水素原子、重水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルキルオキシ基、芳香族基又はアリールオキシ基を示し、これらの基は重水素置換されていてもよい。但し、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３の少なくとも１つが、芳香族基又はアリールオキシ基である。Ｘは、Ｐ又はＳを示す。ｍ１は、０又は１を表す。ＸがＰであるとき、ｍ３は１であり、ＸがＳのとき、ｍ３は０である。〕
（Ｂ）以下の一般式（Ｂ）で示される配位子

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、同一又は異なって、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルキルオキシ基又は芳香族基を示し、これらの基は重水素置換されていてもよい。但し、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３の少なくとも１つが、芳香族基である。］、
（Ｃ）Ｍに対して単座配位する含窒素芳香族化合物である配位子、及び
（Ｄ）Ｍに対して２座配位する含窒素芳香族化合物である配位子
一般式（Ａ）において、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、同一又は異なって、水素原子、重水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルキルオキシ基、芳香族基又はアリールオキシ基を示し、これらの基は重水素置換されていてもよい。但し、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３の少なくとも１つは、芳香族基又はアリールオキシ基である。Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３としては、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルキルオキシ基、芳香族基、アリールオキシ基又はこれらの基の重水素置換基が好ましく、炭素数１〜２０のアルキル基、芳香族基などが特に好ましい。
一般式（Ａ）において、Ｘは、Ｐ又はＳを示す。
一般式（Ａ）において、ｍ１は、０又は１を示す。
一般式（Ａ）において、ＸがＰのとき、ｍ３は、１であり、ＸがＳのとき、ｍ３は０である。
一般式（Ａ）で表される配位子として、以下の配位子を例示できる。ＸがＰの場合には、トリフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィンオキシド、トリフェニルホスファイト等が例示できる。ＸがＳの場合には、ジフェニルスルフィド、ジフェニルスルホキシド等が例示できる。
一般式（Ｂ）において、Ｒ^１’、Ｒ^２’及びＲ^３’は、同一又は異なって、水素原子、重水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルキルオキシ基又は芳香族基を示し、これらの基は重水素置換されていてもよい。但し、Ｒ^１’、Ｒ^２’及びＲ^３’の少なくとも１つが、芳香族基である。Ｒ^１’、Ｒ^２’及びＲ^３’としては、水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルキルオキシ基、芳香族基又はこれらの基の重水素置換基が好ましく、炭素数１〜２０のアルキル基、芳香族基などが特に好ましい。
一般式（Ｂ）において、ｍ１’は、０又は１を示し、０が好ましい。
一般式（Ｂ）において、ｍ３’は１を示す。
一般式（Ｂ）で示される配位子として、トリフェニルアミン、ジフェニルアミン、アニリン等が例示できる。一般式（Ｂ）で示される配位子としては、トリフェニルアミン、ジフェニルアミンなどが特に好ましい。
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^１’、Ｒ^２’及びＲ^３’として示される炭素数１〜２０のアルキル基として、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基等が例示できる。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^１’、Ｒ^２’及びＲ^３’として示されるアルキル基の炭素数は、通常１〜２０であり、１〜８が好ましく、１〜４が特に好ましい。
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^１’、Ｒ^２’及びＲ^３’として示される炭素数１〜２０のアルキル基は、直鎖状であっても、分枝状であってもよい。
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^１’、Ｒ^２’及びＲ^３’で示される炭素数１〜２０のアルキルオキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基等が例示できる。アルキルオキシ基の炭素数は、通常１〜２０であり、１〜８が好ましく、１〜４が特に好ましい。
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^１’、Ｒ^２’及びＲ^３’で示される芳香族基としては、フェニル基；トリル基等の炭素数１〜３のアルキル置換基を有するフェニル基；クロロフェニル基等のハロゲン置換基（例えばＣｌ、Ｆ、Ｂｒなど）を有するフェニル基；ナフチル基等が例示できる。
Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３で示されるアリールオキシ基としては、フェノキシ基；メチルフェノキシ基等の炭素数１〜３のアルキル置換基を有するフェノキシ基、クロロフェノキシ基等のハロゲン置換基（例えばＣｌ、Ｆ、Ｂｒなど）を有するフェノキシ基、ナフチルオキシ基等が例示される。
Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^１’、Ｒ^２’及びＲ^３’の各基は、重水素置換された基であってもよい。
発光強度の点からは、式（Ａ）で示される配位子としては、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３の少なくとも１つが、芳香族基であることが好ましく、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３のいずれもが、芳香族基であることがより好ましく、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３のいずれもが、フェニル基であることが特に好ましい。
発光強度の点からは、式（Ｂ）で示される配位子としては、Ｒ^１’、Ｒ^２’及びＲ^３’の少なくとも１つが、芳香族基であることが好ましく、Ｒ^１’、Ｒ^２’及びＲ^３’のいずれもが、芳香族基であることがより好ましく、Ｒ^１’、Ｒ^２’及びＲ^３’のいずれもが、フェニル基であることが特に好ましい。
Ｍに対して単座配位する含窒素芳香族化合物である配位子としては、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン等を例示することができる。Ｍに対して単座配位する含窒素芳香族化合物としては、ピリジンが好ましい。
Ｍに対して２座配位する含窒素芳香族化合物である配位子としては、ビピリジン（例えば、２，２’−ビピリジン）、フェナントロリン（例えば、１，１０−フェナントロリン）等を例示できる。Ｍに対して２座配位する含窒素芳香族化合物としては、２，２’−ビピリジン、１，１０−フェナントロリンが好ましい。
一般式（１）で表される希土類三元錯体の化学的安定性、発光強度の点からは、Ｚが一般式（Ａ）で示される配位子である錯体が好ましく、一般式（Ａ）においてＸがＰである錯体がより好ましい。
Ｚで表される配位子として、トリフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィンオキシド、ジフェニルスルフィド、ジフェニルスルホキシド、ピリジン、ビピリジン、フェナントロリン等が好ましい。
ｍ２は、一般式（１）で表される錯体において、Ｚで表される配位子の配位数である。ｍ２は、Ｚが、（Ａ）〜（Ｃ）からなる群から選択される少なくとも１種の配位子である場合には、１〜１０のいずれかの整数を示し、Ｚが（Ｄ）からなる群から選択される少なくとも１種の配位子である場合には、１〜５のいずれかの整数を示す。
Ｚが、（Ａ）〜（Ｃ）からなる群から選択される少なくとも１種の配位子である場合、ｍ２としては、２、６または８が好ましく、８が特に好ましい。
Ｚが、（Ｄ）からなる群から選択される少なくとも１種の配位子である場合、ｍ２としては、１、３または４が好ましく、４が特に好ましい。
一般式（１）で表される希土類三元錯体の具体例として、以下の錯体を例示することができる。以下、式中のｘは、１〜２２である。
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとトリフェニルホスフィンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとトリフェニルホスフィンオキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとジフェニルスルフィドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとジフェニルスルホキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとジフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとトリフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとアニリンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとビピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとフェナントロリンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとトリフェニルホスフィンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとトリフェニルホスフィンオキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとジフェニルスルフィドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとジフェニルスルホキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとジフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとトリフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとアニリンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとビピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとフェナントロリンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとトリフェニルホスフィンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとトリフェニルホスフィンオキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとジフェニルスルフィドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとジフェニルスルホキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとジフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとトリフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとアニリンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとビピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとフェナントロリンとの希土類三元錯体、
更に、以下の錯体を例示することができる。
＊［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ［式中、Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１は、パーフルオロアルケニル基を示し、ｘは２〜２２のいずれかの整数である］部位を有し、以下に示す錯体。
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝２〜２２）とトリフェニルホスフィンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝２〜２２）とトリフェニルホスフィンオキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝２〜２２）とジフェニルスルフィドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝２〜２２）とジフェニルスルホキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝２〜２２）とジフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝２〜２２）とトリフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝２〜２２）とアニリンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝２〜２２）とピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝２〜２２）とビピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝２〜２２）とフェナントロリンとの希土類三元錯体、
＊［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ［式中、Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１は、パークロロアルケニル基を示し、ｘは２〜２２の何れかの整数を示す］部位を有し、以下に示す錯体。
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝２〜２２）とトリフェニルホスフィンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝２〜２２）とトリフェニルホスフィンオキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝２〜２２）とジフェニルスルフィドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝２〜２２）とジフェニルスルホキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝２〜２２）とジフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝２〜２２）とトリフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝２〜２２）とアニリンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝２〜２２）とピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝２〜２２）とビピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝２〜２２）とフェナントロリンとの希土類三元錯体、
＊［（ＣＦ_３−Ｃ_６Ｆ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ部位を有し、以下に示す錯体
・［（ＣＦ_３−Ｃ_６Ｆ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとトリフェニルホスフィンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＦ_３−Ｃ_６Ｆ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとトリフェニルホスフィンオキシドとの希土類三元錯体、
・［（ＣＦ_３−Ｃ_６Ｆ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとジフェニルスルフィドとの希土類三元錯体、
・［（ＣＦ_３−Ｃ_６Ｆ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとジフェニルスルホキシドとの希土類三元錯体、
・［（ＣＦ_３−Ｃ_６Ｆ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとジフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＦ_３−Ｃ_６Ｆ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとトリフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＦ_３−Ｃ_６Ｆ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとアニリンとの希土類三元錯体、・［（ＣＦ_３−Ｃ_６Ｆ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとピリジンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＦ_３−Ｃ_６Ｆ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとビピリジンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＦ_３−Ｃ_６Ｆ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとフェナントロリンとの希土類三元錯体、
＊［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ部位を有し、以下に示す錯体・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとトリフェニルホスフィンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとトリフェニルホスフィンオキシドとの希土類三元錯体、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとジフェニルスルフィドとの希土類三元錯体、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとジフェニルスルホキシドとの希土類三元錯体、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとジフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとトリフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとアニリンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとピリジンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとビピリジンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとフェナントロリンとの希土類三元錯体、
＊［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ［式中、ｘとｙは相異なり、ｘ及びｙは１〜２２の何れかの整数を示す］部位を有し、以下に示す錯体
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とトリフェニルホスフィンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とトリフェニルホスフィンオキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とジフェニルスルフィドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とジフェニルスルホキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とジフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とトリフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とアニリンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とビピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とフェナントロリンとの希土類三元錯体、
＊［（Ｃ_ｘＣｌ_２＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ［式中、ｘとｙは相異なり、ｘ及びｙは１〜２２のいずれかの整数を示す］部位を有し、以下に示す錯体
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とトリフェニルホスフィンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とトリフェニルホスフィンオキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とジフェニルスルフィドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とジフェニルスルホキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とジフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とトリフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とアニリンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とビピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とフェナントロリンとの希土類三元錯体、
＊［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ［式中、ｘ及びｙは、同一又は相異なって１〜２２の何れかの整数を示す］部位を有し、以下に示す錯体
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とトリフェニルホスフィンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とトリフェニルホスフィンオキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とジフェニルスルフィドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とジフェニルスルホキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とジフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とトリフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とアニリンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とビピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）とフェナントロリンとの希土類三元錯体、
＊［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ［式中、Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１及びＣ_ｙＦ_２ｙ−１は、パーフルオロアルケニル基を示し、ｘとｙは相異なって、ｘ、ｙ＝２〜２２の何れかの整数を示す］部位を有し、以下に示す錯体
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とトリフェニルホスフィンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とトリフェニルホスフィンオキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とジフェニルスルフィドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とジフェニルスルホキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とジフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とトリフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とアニリンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とビピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とフェナントロリンとの希土類三元錯体、
＊［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ［式中、Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１及びＣ_ｙＣｌ_２ｙ−１は、パークロロアルケニル基を示し、ｘとｙは相異なって、２〜２２の何れかの整数を示す］部位を有し、以下に示す錯体
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とトリフェニルホスフィンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とトリフェニルホスフィンオキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とジフェニルスルフィドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とジフェニルスルホキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とジフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とトリフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とアニリンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とビピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とフェナントロリンとの希土類三元錯体、
＊［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ［式中、Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１は、パーフルオロアルケニル基を示し、Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１は、パークロロアルケニル基を示し、ｘ及びｙは、同一又は相異なって２〜２２の何れかの整数を示す］部位を有し、以下に示す錯体。
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とトリフェニルホスフィンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とトリフェニルホスフィンオキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とジフェニルスルフィドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とジフェニルスルホキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とジフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とトリフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とアニリンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とビピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）とフェナントロリンとの希土類三元錯体、
＊［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ［式中、ｘは１〜２２の何れかの整数を示す］部位を有し、以下に示す錯体
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とトリフェニルホスフィンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とトリフェニルホスフィンオキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とジフェニルスルフィドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とジフェニルスルホキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とジフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とトリフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とアニリンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とビピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とフェナントロリンとの希土類三元錯体、
＊［（ＣＦ_３−Ｃ_６Ｆ_４ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ［式中、ｘは、１〜２２の何れかの整数を示す］部位を有し、以下に示す錯体。
・［（ＣＦ_３−Ｃ_６Ｆ_４ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とトリフェニルホスフィンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＦ_３−Ｃ_６Ｆ_４ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とトリフェニルホスフィンオキシドとの希土類三元錯体、
・［（ＣＦ_３−Ｃ_６Ｆ_４ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とジフェニルスルフィドとの希土類三元錯体、
・［（ＣＦ_３−Ｃ_６Ｆ_４ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とジフェニルスルホキシドとの希土類三元錯体、
・［（ＣＦ_３−Ｃ_６Ｆ_４ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とジフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＦ_３−Ｃ_６Ｆ_４ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とトリフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＦ_３−Ｃ_６Ｆ_４ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とアニリンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＦ_３−Ｃ_６Ｆ_４ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とピリジンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＦ_３−Ｃ_６Ｆ_４ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とビピリジンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＦ_３−Ｃ_６Ｆ_４ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とフェナントロリンとの希土類三元錯体、
＊［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ［式中、ｘは、１〜２２の何れかの整数を示す］部位を有し、以下に示す錯体
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とトリフェニルホスフィンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とトリフェニルホスフィンオキシドとの希土類三元錯体、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とジフェニルスルフィドとの希土類三元錯体、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とジフェニルスルホキシドとの希土類三元錯体、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とジフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とトリフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とアニリンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とピリジンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とビピリジンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とフェナントロリンとの希土類三元錯体、
＊［（Ｃ_６Ｃｌ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ［式中、ｘは１〜２２の何れかの整数を示す］部位を有し、以下に示す錯体
・［（Ｃ_６Ｃｌ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とトリフェニルホスフィンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｃｌ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とトリフェニルホスフィンオキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｃｌ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とジフェニルスルフィドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｃｌ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とジフェニルスルホキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｃｌ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とジフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｃｌ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とトリフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｃｌ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とアニリンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｃｌ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｃｌ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とビピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｃｌ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とフェナントロリンとの希土類三元錯体、
＊［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ［式中、ｘは１〜２２の何れかの整数を示す］部位を有し、以下に示す錯体。
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とトリフェニルホスフィンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とトリフェニルホスフィンオキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とジフェニルスルフィドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とジフェニルスルホキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とジフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とトリフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とアニリンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とビピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とフェナントロリンとの希土類三元錯体、
＊［（Ｃ_６Ｃｌ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ［式中、ｘは１〜２２の何れかの整数を示す］部位を有し、以下に示す錯体
・［（Ｃ_６Ｃｌ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とトリフェニルホスフィンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｃｌ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とトリフェニルホスフィンオキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｃｌ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とジフェニルスルフィドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｃｌ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とジフェニルスルホキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｃｌ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とジフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｃｌ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とトリフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｃｌ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とアニリンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｃｌ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｃｌ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とビピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｃｌ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）とフェナントロリンとの希土類三元錯体、
より好ましい錯体として、下記式中のｘが１〜１０の整数である錯体を例示できる。
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとトリフェニルホスフィンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとトリフェニルホスフィンオキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとジフェニルスルフィドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとジフェニルスルホキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとジフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとトリフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとアニリンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとビピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとフェナントロリンとの希土類三元錯体、
より好ましい錯体として、更に、下記の錯体を例示することができる。
＊［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ部位を有し、以下に示す錯体。
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとトリフェニルホスフィンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとトリフェニルホスフィンオキシドとの希土類三元錯体、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとジフェニルスルフィドとの希土類三元錯体、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとジフェニルスルホキシドとの希土類三元錯体、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとジフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとトリフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとアニリンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとピリジンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとビピリジンとの希土類三元錯体、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとフェナントロリンとの希土類三元錯体、
＊［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ［式中、ｘ及びｙは、相異なり、１〜１０の何れかの整数を示す］部位を有し、以下に示す錯体
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜１０）とトリフェニルホスフィンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜１０）とトリフェニルホスフィンオキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜１０）とジフェニルスルフィドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜１０）とジフェニルスルホキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜１０）とジフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜１０）とトリフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜１０）とアニリンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜１０）とピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜１０）とビピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜１０）とフェナントロリンとの希土類三元錯体、
＊［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ［式中、ｘは１〜１０の何れかの整数を示す］部位を有し、以下に示す錯体
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜１０）とトリフェニルホスフィンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜１０）とトリフェニルホスフィンオキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜１０）とジフェニルスルフィドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜１０）とジフェニルスルホキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜１０）とジフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜１０）とトリフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜１０）とアニリンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜１０）とピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜１０）とビピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜１０）とフェナントロリンとの希土類三元錯体、
特に好ましい錯体として、下記式中のｘが１〜４の整数である錯体を例示できる。
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとトリフェニルホスフィンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとトリフェニルホスフィンオキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとジフェニルスルホキシドとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとジフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとトリフェニルアミンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとビピリジンとの希土類三元錯体、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍとフェナントロリンとの希土類三元錯体、
一般式（１）で表される希土類三元錯体としては、後述する一般式（４）または（５）で示される錯体が特に好ましい。
一般式（４）

［式中、Ｍ、ｎ１、ｎ２は前記に同じである。Ｒｆ^３、Ｒｆ^４は同一又は異なって、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基を示す。Ｐｈはフェニル基を表す。］
一般式（４）で示される錯体は、配位子Ｚが、一般式（Ａ）で示され、一般式（Ａ）の式中、ＸがＰであり、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３がフェニル基である希土類三元錯体である。
一般式（５）

［式中、Ｍ、ｎ１及びｎ２は、前記に同じである。Ｒｆ^３及びＲｆ^４は、同一又は異なって、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基を示す。Ｐｈは、フェニル基を表す。］
一般式（５）で表される希土類三元錯体は、配位子Ｚが、一般式（Ａ）で示され、一般式（Ａ）の式中、ＸがＳであり、Ｒ^１、Ｒ^２がフェニル基であり、ｍ３が０である希土類三元錯体である。
一般式（４）及び（５）で示される錯体は、従来のβジケトン型の希土類錯体にトリフェニルホスフィンを配位させた希土類三元錯体と比べても、予想をはるかに超える強い相対発光強度を示すとともに、各種媒体に対して相溶性が大幅に改善される。
希土類三元錯体の製造方法
本発明の希土類三元錯体は、例えば、以下の２通りの方法などにより製造することができる。
１）以下の一般式（２）で表される希土類二元錯体と化合物Ｚ’とを反応させて三元錯体を製造する方法

２）下記の３成分を反応させて三元錯体を製造する方法
ａ）一般式（６）

［式中、Ｒｆ^１及びＲｆ^２は、一般式（１）において、定義されたとおりである。］で表される化合物、
ｂ）化合物Ｚ’及び
ｃ）希土類金属化合物。
１）一般式（２）で表される希土類錯体と化合物Ｚ’とを溶媒中で反応させ三元錯体を製造する方法
この方法は、一般式（２）で表される化合物と化合物Ｚ’とを混合することにより希土類三元錯体を製造する方法である。
一般式（２）で表される化合物は、従来公知の方法により得ることができる。例えば、希土類金属化合物と一般式（６）で表される化合物とを反応させる方法などを例示できる。希土類金属化合物として、後述の「３成分を反応させて三元錯体を製造する方法」において用いることのできる希土類金属化合物を例示することができる。
一般式（２）で表される希土類錯体の具体例として、以下の錯体を例示することができる。
１）Ｎ−対称型錯体（窒素原子に同一の置換基が２つ結合した配位子を有する希土類錯体）［以下の式中、Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１は、パーフルオロアルケニル基を示し、Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１は、パークロロアルケニル基を示す。］
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝２〜２２）、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝２〜２２）、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ、
・［（ＣＦ_３−Ｃ_６Ｆ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ、
２）Ｎ−非対称型錯体（窒素原子に異なる置換基が２つ結合した配位子を有する希土類錯体）［以下の式中、Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１及びＣ_ｙＦ_２ｙ−１は、パーフルオロアルケニル基を示し、Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１及びＣ_ｙＣｌ_２ｙ−１は、パークロロアルケニル基を示す。］
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘとｙは相異なり、ｘ、ｙ＝１〜２２）、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘとｙは相異なり、ｘ、ｙ＝１〜２２）、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝１〜２２）、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙー１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘとｙは相異なり、ｘ、ｙ＝２〜２２）、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘとｙは相異なり、ｘ、ｙ＝２〜２２）、
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ−１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＣｌ_２ｙ−１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙ＝２〜２２）、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）、
・［（ＣＦ_３−Ｃ_６Ｆ_４ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）、
・［（Ｃ_６Ｃｌ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）、
・［（Ｃ_６Ｃｌ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜２２）、
一般式（２）で表される希土類錯体としては、以下の錯体が好ましい。
Ｎ−対称型錯体：
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜１０）、
・［（Ｃ_ｘＣｌ_２ｘ＋１ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜１０）、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ、
・［（ＣＣｌ_３−Ｃ_６Ｃｌ_４ＳＯ_２）_２Ｎ］_ｎ２Ｍ
Ｎ−非対称型錯体：
・［（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）（Ｃ_ｙＦ_２ｙ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ、ｙは相異なり、ｘ、ｙ＝１〜１０）、
・［（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２）（Ｃ_ｘＦ_２ｘ＋１ＳＯ_２）Ｎ］_ｎ２Ｍ（ｘ＝１〜１０）
錯体の製造において用いる化合物Ｚ’は、以下の（Ａ）〜（Ｄ）からなる群から選択される少なくとも一種の化合物である。
（Ａ）以下の一般式（３）で示される化合物

［式中、Ｒ^１’、Ｒ^２’及びＲ^３’は、同一又は異なって、水素原子、重水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルキルオキシ基又は芳香族基を示し、これらの基は重水素置換されていてもよい。但し、Ｒ^１’、Ｒ^２’及びＲ^３’の少なくとも１つが、芳香族基である。ｍ１’は、０又は１を示し、ｍ３’は、１を示す。］、
（Ｃ）Ｍに対して単座配位する含窒素芳香族化合物、及び
（Ｄ）Ｍに対して２座配位する含窒素芳香族化合物
一般式（３）及び（Ｂ’）において、Ｘ、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^１’、Ｒ^２’、Ｒ^３’、ｍ１、ｍ３、ｍ１’及びｍ３’の定義は、一般式（Ａ）及び一般式（Ｂ）における定義と同一である。
Ｍに対して単座配位する含窒素芳香族化合物としては、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン等を例示することができ、ピリジンが好ましい。
Ｍに対して２座配位する含窒素芳香族化合物としては、ビピリジン（例えば、２，２’−ビピリジン）、フェナントロリン（例えば、１，１０−フェナントロリン）等を例示でき、２，２’−ビピリジン、１，１０−フェナントロリンが好ましい。
一般式（２）で表される希土類錯体と化合物Ｚ’との混合比は、特に限定されないが、一般式（２）で表される化合物１モルに対する化合物Ｚ’の量は、通常１〜３０モル程度であり、２〜１０モル程度が好ましい。
この方法では、必要に応じて、溶媒を添加してもよい。即ち、溶媒中において、一般式（２）で表される化合物と化合物Ｚ’とを反応させてもよい。
溶媒は、特に制限されず、いずれの溶媒も用いることが可能である。例えば、プロトン性溶媒、非プロトン性溶媒などが挙げられる。プロトン性溶媒としては、水、低級アルコール（メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、イソブタノール、ｔ−ブタノール等）等が挙げられる。非プロトン性溶媒としては、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン等）、エーテル類（ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等）、炭化水素系溶媒（ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン等）、塩素系溶媒（クロロホルム、塩化メチレン等）、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）などが例示され、低級アルコール、ケトン類、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等が好ましい。
溶媒の使用量は、特に限定されないが、一般式（２）で表される希土類二元錯体と化合物Ｚ’との総量とを１重量部とすると、１〜１００重量部程度、好ましくは１〜２０重量部程度である。
反応時には、必要に応じて撹拌してもよい。反応温度は、通常室温〜１５０℃程度、好ましくは３０℃〜１００℃程度である。反応時間は、通常０．１〜３０時間程度、好ましくは０．１〜６時間程度である。
反応後、必要に応じて、溶液を濃縮し、得られた残渣を液−液抽出、晶析等の公知の方法に従って処理することにより、希土類三元錯体を得ることができる。得られた希土類三元錯体は、必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー、昇華等の公知の精製法方によって、更に精製してもよい。
２）３成分を反応させて三元錯体を製造する方法
この方法は、一般式（６）で表される化合物、化合物Ｚ’及び希土類金属化合物を混合することにより希土類三元錯体を製造する方法である。
一般式（６）で表される化合物は、一般式（２）で表される希土類錯体の前駆体であり、一般式（２）で表される希土類錯体の希土類原子を水素原子で置き換えた化合物である。一般式（６）で表される化合物は、市販品を購入できるほか、例えば、ＷＯ９８／４０３８８号に記載の方法などの公知の方法により調製できる。
製造に用いる希土類金属化合物としては、希土類金属酸化物、希土類金属水酸化物、希土類金属アルコキシド、希土類金属アミド、希土類金属塩などを例示することができる。希土類金属化合物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
希土類金属酸化物としては、３価の希土類金属を含むＭ_２Ｏ_３（Ｍは、希土類原子を示す。以下、同様。）が挙げられるが、ＭＯ、Ｍ_４Ｏ_７等の他の組成の酸化物も使用できる。
希土類金属水酸化物としては、Ｍ（ＯＨ）ｎ_ａ［式中、ｎａは、２〜４の何れかの整数を示す］が例示できる。
希土類金属アルコキシドとしては、Ｍ（ＯＲ^１）ｎ_ｂ［式中、Ｒ^１は、炭素数１〜８のアルキル基、ｎ_ｂは、２〜４のいずれかの整数を示す］が例示できる。
希土類金属アミドとしては、Ｍ（ＮＲ^ａＲ^ｂ）_３［式中、Ｒ^ａ及びＲ^ｂは、同一又は異なって水素、炭素数１〜１０のアルキル基又はフェニル基を示す］が例示できる。
希土類金属塩としてはＭ^Ｌ＋（Ｚａ）ｎ_ｃ［式中、Ｚａは、塩素イオン、臭素イオン、ヨウ素イオン、フッ素イオン、１／２硫酸イオン、硝酸イオン、モノカルボン酸イオン（酢酸イオン等）、１／２ジカルボン酸イオン（１／２シュウ酸イオン、１／２コハク酸イオン、１／２マロン酸イオン等）、１／３トリカルボン酸イオン（１／３クエン酸イオン等）、１／３リン酸イオン等の陰イオン）、ｎ_ｃは、２〜４の何れかの整数を示し、Ｌは２〜４の何れかの整数を示す］が例示できる。希土類金属塩において、Ｌは通常２〜４の何れかの整数であり、３が好ましい。
希土類金属化合物の使用量は、一般式（６）で表される化合物１モルに対し、通常１〜１０モル程度、好ましくは１．０５〜３モル程度である。
化合物Ｚ’の使用量は、一般式（６）で表される化合物１モルに対し、通常１〜３０モル程度、好ましくは２〜１０モル程度である。
この方法では、必要に応じて、溶媒を添加してもよい。即ち、溶媒中において、一般式（６）で示される化合物、化合物Ｚ’及び希土類金属化合物を反応させてもよい。
希土類三元錯体を製造するのに際し用いる溶媒は、特に限定されず、いずれの溶媒も用いることが可能である。例えば、プロトン性溶媒、非プロトン性溶媒などが挙げられる。プロトン性溶媒としては、水；メタノール、エタノール等のアルコール性溶媒が挙げられ、非プロトン性溶媒としてはアセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒；クロロホルム、塩化メチレン等のハロゲン系溶媒；ＤＭＳＯ、ＤＭＦ等が挙げられる。中でも一般式（６）で表される化合物、希土類金属化合物及び化合物Ｚ’の３成分を同時に溶解可能な溶媒が好ましく、このような溶媒として、水と低級アルコール、水とアセトン、水とＤＭＦ、水とＤＭＳＯ等の混合溶媒を例示できる。
溶媒の使用量は、一般式（６）で表される化合物、希土類金属化合物及び化合物Ｚ’の総量を１重量部とすると、通常１〜１００重量部程度、好ましくは１〜２０重量部程度である。
反応時には、必要に応じて撹拌してもよい。反応温度は、通常室温〜１５０℃程度、好ましくは３０℃〜１００℃程度である。反応時間は、通常０．１〜１００時間程度、好ましくは０．１〜２０時間程度である。
撹拌後、必要に応じて、溶液を濃縮し、得られた残渣を液−液抽出、晶析等の公知の方法により処理することにより希土類三元錯体が得られる。得られた希土類三元錯体は、必要に応じて、再結晶、カラムクロマト、昇華等の公知の精製法方により、更に精製してもよい。
一般式（１）で表される希土類三元錯体は、例えば、上記の２通りの方法などにより調製できる。
光機能材料
本発明の希土類錯体は、光機能材料として用いることができる。
本発明の希土類錯体を発光させる方法として、例えば、本発明の希土類三元錯体を媒体（各種溶媒、ポリマーマトリクスなど）中に、溶解、分散又は懸濁させ、特定波長の光を照射することにより発光させる方法などを例示できる。
媒体としては、水素原子を含まない媒体が好ましい。
媒体として使用する溶媒として、例えばアセトン、メチルエチルケトン等のケトン類；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、イソプロピルエーテル、ジオキサン等のエーテル類；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素；塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素；アセトアミド、ホルムアミド、ＤＭＦ、ジエチルホルムアミド等のアミド；ＤＭＳＯ；酸エチル、酢酸メチル等のエステル類；エチレングリコール、プロピレングリコール等のグリコール類；などが例示できる。媒体として使用する溶媒として、重メタノール、重アセトン、重テトラヒドロフラン、ＤＭＦ−ｄ_６等の重水素置換された有機溶媒が、より好ましい。
本発明の希土類三元錯体を溶媒に溶解させる濃度は、通常０．０００１〜１モル／Ｌ程度であり、０．０５〜０．５モル／Ｌ程度が好ましく、０．０１〜０．３モル／Ｌ程度がより好ましい。
媒体として使用するポリマーマトリクスとしては、希土類三元錯体をブレンドしたときに半透明ないし透明な組成物となるものが好ましい。例えばポリメタクリレート（ＰＭＡ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）；ポリ（ヘキサフルオロイソプロピルメタクリレート）（Ｐ−ｉＦＰＭＡ）、ポリ（ヘキサフルオロ−ｎ−プロピルメタクリレート）（Ｐ−ｎＦＰＭＡ）等の含フッ素ポリメタクリレート；ポリアクリレート；ポリフルオロイソプロピルアクリレートを代表とする含フッ素ポリアクリレート；ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン等のポリオレフィン；含フッ素ポリオレフィン；ポリビニルアルコール；ポリビニルエーテル；ポリ（ペルフルオロプロポキシ）ビニルエーテルを代表とする含フッ素ポリビニルエーテル；ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル；上記ポリマーを構成するモノマーの２種以上からなる共重合体；セルロース；ポリアセタール；ポリエステル；ポリカーボネート；エポキシ樹脂；ポリアミド樹脂；ポリイミド樹脂；ポリウレタン；パーハロゲン化イオン交換樹脂（パーフルオロ化イオン交換樹脂（ナフィオンなど）など）；石油樹脂；ロジン；ケイ素樹脂等が例示される。好ましいポリマーマトリクスとして、ポリメチルメタクリレート；含フッ素ポリメタクリレート；ポリアクリレート；含フッ素ポリアクリレート；ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテンなどのポリオレフィン；ポリビニルエーテル；含フッ素ポリビニルエーテル；上記ポリマーを構成するモノマーの２種以上からなる共重合体；エポキシ樹脂；パーハロゲン化イオン交換樹脂（パーフルオロ化イオン交換樹脂（ナフィオンなど）など）を例示できる。
ポリマーマトリクスには、その機能を損なわない限り、ポリマーマトリクスの特性を改善する目的で添加剤を添加しても差し支えない。具体的な添加剤としては、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート等のフタル酸ジエステル、アジピン酸ジオクチル等の二塩基酸ジエステル、ペンタエリスリトールテトラベンゾエート等のポリオールエステル、ロジン酸石鹸、ステアリン酸石鹸、オレイン酸石鹸、ラウリル硫酸ナトリウム、ナトリウムジエチルヘキシルスルフォサクシネート、ナトリウムジオクチルスルフォサクシネート等の界面活性剤を成分とする分散剤或いはアルキルスルフォネート、アルキルエーテルカルボン酸等のアニオン性帯電防止剤、ポリエチレングリコール誘導体、ソルビタン誘導体等のノニオン性帯電防止剤、四級アンモニウム塩、アルキルピリジウム等のカチオン性帯電防止剤、タルク、脂肪酸金属塩、ソルビトール系の結晶化核剤、ブチルヒドロキシフェノール等のフェノール系酸化防止剤、チオエーテル系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、顔料、光安定剤、架橋剤、架橋促進剤、難燃剤、加工助剤等が挙げられる。添加剤の添加量は、添加剤の種類に応じて適宜設定することができるが、ポリマーマトリクス１００重量部に対して、通常０．０１重量部〜１０重量部程度である。
本発明の希土類三元錯体をポリマーマトリクスへ分散ないし懸濁させる方法は、特に限定されない。例えば、▲１▼溶融させたポリマーマトリクス中に希土類錯体を混合する方法、▲２▼ポリマー微粉末に希土類錯体を分散させた後、溶融させる方法、▲３▼ポリマーマトリクスの原料となるモノマーと三元錯体とアゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、過酸化ラウロイル等の重合開始剤との混合物を反応させる方法、▲４▼高分子膜作成に有用な高分子溶液に希土類錯体を混合した後、溶媒を除去することによるキャスト法、▲５▼スピンコート法、▲６▼共蒸着法等を例示できる。
本発明の希土類三元錯体をポリマーマトリクスに分散ないし懸濁させる場合、その使用量としては、ポリマーマトリクス１００重量部に対し、希土類三元錯体を通常０．００１〜２０重量部程度、好ましくは０．１〜１０重量部程度である。
本発明の希土類三元錯体を発光させる場合の励起光の波長は、錯体に含まれる希土類金属：Ｍの種類などに応じて適宜設定することができる。例えば、希土類原子としてＮｄを用いた場合には、波長が約５８５ｎｍの光を励起光として照射することにより、波長約１０６０ｎｍに発光がみられる。同様に、希土類原子としてＥｕ、Ｔｂを用いた場合は、各々波長が約３９４ｎｍ、約３２５ｎｍである光を励起光として照射することにより、波長約６１８ｎｍ、約５４５ｎｍに発光がみられる。
または、媒体中における三元錯体の吸収極大波長を測定することによって、励起波長を設定してもよい。吸収極大波長は、紫外・可視光領域にある吸収極大波長が好ましく、１８０〜５００ｎｍ程度が特に好ましい。例えば、吸収極大波長を中心として、通常±５０ｎｍ程度、好ましくは±２０ｎｍ程度の波長を励起波長として設定することができる。
本発明の希土類三元錯体の効果をまとめると以下のとおりである。
１）三元錯体とすることにより、錯体１モル当たりの結合水のモル数を小さくすることができる。
従来のスルホンイミド系の希土類錯体は、潮解性を有し、発光材料として用いる場合、水分の除去を注意深く行っていた。しかしながら、本発明の希土類三元錯体は、結合水（ｂｏｕｎｄｗａｔｅｒ）がつきにくいので取り扱いが容易である。
２）各種媒体への相溶性が、向上する。
希土類三元錯体とすることで、極性の低い媒体への相溶性が改善され、発光材料として用いる際の適用範囲を大幅に拡大できる。
３）相対的発光強度が、大幅に増加する。
本発明の錯体は、非常に大きな発光強度を示す。従来公知のβジケトン型錯体に配位子Ｚを導入した場合の発光強度の増加率に比して、一般式（２）で示される錯体に配位子Ｚを導入した場合の発光強度の増加率は、非常に大きい。
４）ポリマーマトリクス中においては、相対発光強度が、更に大幅に増大する。
上記３）の効果は、ポリマーマトリクス中において発光させた場合に、特に顕著である。例えば、配位子Ｚとして、トリフェニルホスフィンオキシド（ＴＰＰＯ）を有するＥｕ三元錯体は、配位子としてＴＰＰＯを有しない錯体に比して最大１００００倍以上発光強度が増大する。よって、発光材料などの光機能材料として使用する場合、希土類三元錯体の使用量を大幅に低減することができる。
本発明に係る希土類三元錯体の相対的発光強度が、著しく増大する理由は、よくわかっていないが、希土類二元錯体における２つのＳ原子が関与していると推察される。
Ｓ原子を有さない従来型の二元錯体に、配位子Ｚを導入した錯体、例えば、Ｅｕ（ＨＦＡ）_３にトリフェニルホスフィンオキシドを導入した錯体は、トリフェニルホスフィンオキシド導入前に比して数倍程度しか発光強度が増加しない。
本発明に係る希土類三元錯体は、三元錯体に加えて配位子Ｚを更に併用することが可能である。配位子Ｚが、一般式（１）で表される本発明の三元錯体と相互作用を生じるので、発光強度がより増大する。配位子Ｚの使用量は、一般式（１）で表される錯体１モルに対し、通常０．０１〜１００モル程度、好ましくは０．１〜１０モル程度である。
メカノルミネッセンス
本発明の希土類三元錯体は、メカノルミネッセンス材料として使用することができる。ここで、メカノルミネッセンスとは、希土類三元錯体に物理的力（例えば、圧力、振動エネルギーなど）を与えた場合に、与えられた力が、光エネルギーに変換され錯体が発光する現象である。
メカノルミネッセンスを生じさせる方法として、例えば、希土類三元錯体を粉末状または薄膜化した状態、高分子の薄膜フィルム中に錯体を分散または懸濁させた状態などにおいて、金属錯体に物理的圧力を加える方法を例示できる。
希土類三元錯体を薄膜化する方法、即ち、希土類三元錯体からなる薄膜を得る方法として、例えば、希土類三元錯体をアセトン等の有機溶媒に溶解させて溶液とし、これを製膜し、乾燥する方法などを例示することができる。このフィルムの厚さは、特に制限されないが、通常１〜２０μｍ程度であり、好ましくは１〜１０μｍ程度である。上記希土類三元錯体からなる薄膜の製造方法は、特に制限されず、例えば、キャスト法、スピンコート法、ローラー転写法等が挙げられる。
高分子中に三元錯体を分散または懸濁させたフィルムを得るには、例えば、以下の方法を例示できる。溶媒と高分子の混合物に希土類三元錯体を添加し、必要に応じて撹拌する方法などにより、希土類三元錯体が均一に分散した高分子溶液を調製する。次に、この高分子溶液を製膜し、乾燥させる方法によって、希土類三元錯体が均一に分散または懸濁した高分子フィルムを製造する方法を例示できる。
高分子は、特に制限されず、各種のものが使用可能である。高分子として、例えば、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリメチルペンテン、ポリメチルメタクリレート、ポリオレフィン（ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン等）、液晶ポリマー等が挙げられる。
更に、以下の高分子を例示することができる。例えば、ポリメタクリレート（ＰＭＡ）；ポリ（ヘキサフルオロイソプロピルメタクリレート）（Ｐ−ｉＦＰＭＡ）、ポリ（ヘキサフルオロ−ｎ−プロピルメタクリレート）（Ｐ−ｎＦＰＭＡ）等の含フッ素ポリメタクリレート；ポリアクリレート；ポリフルオロイソプロピルアクリレートを代表とする含フッ素ポリアクリレート；含フッ素ポリオレフィン；ポリビニルアルコール；ポリビニルエーテル；ポリ（ペルフルオロプロポキシ）ビニルエーテルを代表とする含フッ素ポリビニルエーテル；ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル；上記ポリマーを構成するモノマーの２種以上からなる共重合体；セルロース；ポリアセタール；ポリエステル；エポキシ樹脂；ポリアミド樹脂；ポリイミド樹脂；ポリウレタン；パーハロゲン化イオン交換樹脂（パーフルオロ化イオン交換樹脂（ナフィオンなど）など）；石油樹脂；ロジン；ケイ素樹脂等を例示できる。
高分子中に分散または懸濁させる希土類三元錯体の量は、高分子１００重量部（または高分子１００重量部に相当するモノマー１００重量部）に対して、５〜２０重量部程度、好ましくは１０〜２０重量部程度である。高分子フィルムの厚さは、特に制限されないが、通常１〜２０μｍ程度、好ましくは１〜１０μｍ程度である。高分子フィルムを製造する場合に用いる高分子溶液中の高分子濃度は、５〜３０重量％程度、好ましくは１０〜１５重量％程度である。
溶媒として、例えば、酢酸ブチル、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、トルエン、アセトニトリル、メチルエチルケトン、キシレンなどを例示することができる。
希土類三元錯体を含む高分子溶液の製膜法として、例えば、キャスト法、スピンコート法、ローラー転写法等が挙げられる。
メカノルミネッセンスは、物理的力（振動、衝撃等）を光情報に直接変換する現象であるので、本発明の錯体は、圧力／光変換素子や、圧力センサー等として利用することができる。
組成物
本発明の組成物は、一般式（２）で示される希土類二元錯体と化合物Ｚ’とを含む。化合物Ｚ’は、上述した（Ａ）〜（Ｄ）からなる群から選択される少なくとも１種の化合物である。組成物中において、一般式（２）で示される希土類二元錯体と化合物Ｚ’とが、一般式（１）で示される希土類三元錯体を形成していてもよい。
本発明の組成物は、光機能材料として用いることができる。
組成物における一般式（２）で示される希土類二元錯体と化合物Ｚ’との比は、特に制限されない。化合物Ｚ’の含有量は、希土類二元錯体を１００重量部とすると、通常１０〜５０００重量部程度、好ましくは１００〜３０００重量部程度である。
組成物には、溶媒が含まれていてもよい。溶媒の含有量は、特に制限されない。溶媒の含有量は、一般式（２）で示される希土類二元錯体を１００重量部とすると、通常１００〜１００００重量部程度、好ましくは３００〜３０００重量部程度である。
組成物に含まれる溶媒として、例えばアセトン、メチルエチルケトン等のケトン類；ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、イソプロピルエーテル、ジオキサン等のエーテル類；ベンゼン、トルエン等の芳香族炭化水素；塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素；アセトアミド、ホルムアミド、ＤＭＦ、ジエチルホルムアミド等のアミド；ＤＭＳＯ；酸エチル、酢酸メチル等のエステル類；エチレングリコール、プロピレングリコール等のグリコール類；などが例示できる。溶媒として、重メタノール、重アセトン、重テトラヒドロフラン、ＤＭＦ−ｄ_６等の重水素置換された有機溶媒も例示できる。
組成物には、ポリマーマトリクスまたはポリマーマトリクスの原料となるモノマーが含まれていてもよい。ポリマーマトリクスまたはモノマーの含有量は、特に制限されない。ポリマーマトリクスまたはモノマーの含有量は、一般式（２）で示される希土類二元錯体を１００重量部とすると、通常１０〜１００００重量部程度、好ましくは１００〜３０００重量部程度である。
組成物に含まれるポリマーマトリクスとして、例えば、ポリメタクリレート（ＰＭＡ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）；ポリ（ヘキサフルオロイソプロピルメタクリレート）（Ｐ−ｉＦＰＭＡ）、ポリ（ヘキサフルオロ−ｎ−プロピルメタクリレート）（Ｐ−ｎＦＰＭＡ）等の含フッ素ポリメタクリレート；ポリアクリレート；ポリフルオロイソプロピルアクリレートを代表とする含フッ素ポリアクリレート；ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン等のポリオレフィン；含フッ素ポリオレフィン；ポリビニルアルコール；ポリビニルエーテル；ポリ（ペルフルオロプロポキシ）ビニルエーテルを代表とする含フッ素ポリビニルエーテル；ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニル；上記ポリマーを構成するモノマーの２種以上からなる共重合体；セルロース；ポリアセタール；ポリエステル；ポリカーボネート；エポキシ樹脂；ポリアミド樹脂；ポリイミド樹脂；ポリウレタン；パーハロゲン化イオン交換樹脂（パーフルオロ化イオン交換樹脂（ナフィオンなど）など）；石油樹脂；ロジン；ケイ素樹脂等が例示される。好ましいポリマーマトリクスとして、ポリメチルメタクリレート；含フッ素ポリメタクリレート；ポリアクリレート；含フッ素ポリアクリレート；ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテンなどのポリオレフィン；ポリビニルエーテル；含フッ素ポリビニルエーテル；上記ポリマーを構成するモノマーの２種以上からなる共重合体；エポキシ樹脂；パーハロゲン化イオン交換樹脂（パーフルオロ化イオン交換樹脂（ナフィオンなど）など）を例示できる。
本発明の組成物には、ポリマーマトリクスの特性を改善する目的で、上述したような添加剤を添加してもよい。添加剤の添加量は、添加剤の種類に応じて適宜設定することができるが、ポリマーマトリクス１００重量部に対して、通常０．０１重量部〜１０重量部程度である。
本発明の組成物は、成形体としてもよい。成形方法は、公知の方法を用いることができる。例えば、希土類錯体含有樹脂組成物を調製する時点で同時に成形する方法、一旦調製した希土類錯体含有樹脂組成物を再度溶融させて成形する方法等がある。また、成形手段としては、射出成形、押出成形、ブロー成形、圧空成形、回転成形、フィルム成形等の従来公知の成形方法のいずれをも採用可能である。
また、希土類錯体をポリマーマトリクス中に高濃度に配合して、押出成形などの成形によりマスターバッチとすることができる。
成形体の形状は、特に限定されず、ロッド状、フィルム状、板状、円筒状、円形、楕円形等を例示できる。あるいは、玩具、装飾品等特殊な形状のもの、例えば星形、多角形形状が例示できる。
本発明によると、一般式（２）で示されるスルホンイミド系の希土類錯体を三元錯体とすることにより、著しく強い発光強度を有する錯体が得られた。本発明の希土類三元錯体は、光の発光強度及び変換効率が高く、発光材料、メカノルミネッセンス材料などの光機能材料として、好適に用いることができる。本発明の希土類三元錯体は、例えば、光ファイバー、レンズ、圧力センサー、レーザーなどの用途に有用である。
特に、ポリマーマトリクス中に錯体を分散させた場合、配位子Ｚの導入前に比して発光強度が大幅に増大した。また、三元錯体とすることにより、ポリマーマトリクスなどの各種媒体への相溶性が増大するので、光機能材料としての用途が拡大される。
発明を実施するための最良の形態
以下に、本願発明を実施例及び比較例を挙げて説明する。本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。尚、各種物性は、以下の装置を用いて測定した。
^１９Ｆ−ＮＭＲ（溶媒ＣＤ_３ＯＤ、標準試薬ヘキサフルオロベンゼン）、^１Ｈ−ＮＭＲ（溶媒ＣＤＣｌ_３、標準試薬テトラメチルシラン）は、日本電子ＮＭＲＥＸ−２７０を用いて測定した
ＩＲは、Ｐｅｒｋｉｎ−Ｅｌｍｅｒ１７２０−Ｘを用いてＫＢｒ法により測定した。
錯体から結合水である水分子が解離する温度は、島津ＤＳＣ−５０を用いて測定した。
錯体１モル当たりの結合水のモル数は、マック・サイエンスＴＧ−ＤＴＡ２０００を用いて測定した。
元素分析は、Ｐｅｒｋｉｎ−Ｅｌｍｅｒ２４０Ｃを用いて測定した。
ＵＶ吸収特性は、島津ＵＶ−２１００を用いて測定した。
発光強度及び発光量子収率（試料が放射した光子数を試料が吸収した光子数で割った値）は、日本分光ＳＳ−２５を用いて測定した。
また、希土類錯体の各種媒体との相溶性は、以下のように評価した。
１）溶媒との相溶性
各種媒体に対し５重量％濃度となるように、試料となる希土類錯体を加え、以下に示す評価基準に従って、目視により相溶性を評価した。
評価基準；
◎：室温で溶解する。
○：４０℃で５分間加熱することにより溶解する。
△：加熱時溶解するが冷却により結晶が析出する。
×：溶解しない。
２）ポリマーマトリクスとの相溶性
各種媒体に対し、下記の評価基準に示す濃度になるように、試料となる希土類錯体を加え、以下に示す評価基準に従って、目視により相溶性を評価した。
評価基準；
◎：３０重量％まで溶解する。
○：５重量％まで溶解する。
△：５重量％まで分散するが濁り有り。
×：ポリマー表面にはじかれる。
なお、ＰＭＳは、［ＣＦ_３ＳＯ_２ＮＳＯ_２ＣＦ_３］⁻を、ＰＥＳは［Ｃ_２Ｆ_５ＳＯ_２ＮＳＯ_２Ｃ_２Ｆ_５］⁻を、ＰＢＳは［Ｃ_４Ｆ_９ＳＯ_２ＮＳＯ_２Ｃ_４Ｆ_９］⁻をそれぞれ意味する。
製造例１
Ｅｕ（ＰＭＳ）_３の合成
市販のＣＦ_３ＳＯ_２ＮＨＳＯ_２ＣＦ_３（Ｆｌｕｋａ社製）８５．５ｇを３０ｍｌの蒸留水に溶かし、Ｅｕ_２Ｏ_３１８．７ｇを加え、室温で３日間撹拌した。水を留去した後、沈澱した固体を塩化メチレンで洗浄し、得られた固体を更にメタノールに溶解、濾過を行って未反応のＥｕ_２Ｏ_３を除去した。濾液からメタノールを留去して目的とする白色固体Ｅｕ（ＰＭＳ）_３（１００ｇ、収率９９％）を得た。得られたＥｕ（ＰＭＳ）_３について、^１９Ｆ−ＮＭＲ、^１Ｈ−ＮＭＲ、ＵＶ吸収特性及びＩＲの測定結果を以下に示す。
^１９Ｆ−ＮＭＲ：−７７．５１ｐｐｍ。
^１Ｈ−ＮＭＲ：ｎｏｎｅ（結合水として２．０６ｐｐｍ）。
ＵＶ吸収特性：３９４ｎｍ（^７Ｆ_０→^５Ｌ_６）、４６５ｎｍ（^７Ｆ_０→^５Ｄ_２）。
ＩＲ：１３３２（Ｓ＝Ｏ），１２０５，１１４２（Ｃ＝Ｆ），１０５６（Ｓ＝Ｏ）ｃｍ^−１。
また、Ｅｕ_２Ｏ_３の代わりに、Ｎｄ_２Ｏ_３、Ｙｂ_２Ｏ_３及びＴｂ_４Ｏ_７をそれぞれ用いる以外は、製造例１と同様にして、Ｎｄ（ＰＭＳ）_３、Ｙｂ（ＰＭＳ）_３及びＴｂ（ＰＭＳ）_３を合成した。
製造例２
Ｃ_４Ｆ_９ＳＯ_２ＮＨＳＯ_２Ｃ_４Ｆ_９の合成
冷却管付きの１００ｍｌ三口フラスコ中に、ＴＨＦ３０ｍｌ、ＣＦ_３ＣＯＮＨ_２（３．３ｇ、２８ｍｍｏｌ）（和光純薬社製）及び炭酸カリウム（１０．０ｇ、７２ｍｍｏｌ）（関東化学社製）を加え、窒素雰囲気下室温で１時間攪拌した。引き続き、Ｃ_４Ｆ_９ＳＯ_２Ｆ（８．５ｇ、２８ｍｍｏｌモル）（東京化成社製）を加え、３時間還流を行った。この時点で、反応液を分析したところＣ_４Ｆ_９ＳＯ_２ＮＨ_２生成していていることを確認した。次いで反応液中にＣ_４Ｆ_９ＳＯ_２Ｆ（８．５ｇ、２８ｍｍｏｌ）を加え、更に３時間還流を行った。
続いて、減圧下でＴＨＦを留去した後、残査をアセトンに溶解し、Ｋ_２ＣＯ_３、ＫＦ等の不溶塩類を濾過により除去した。引き続きアセトンを留去して得られた固形物を、エーテルで洗浄し、更にエタノール中で再結晶して、無色針状結晶Ｃ_４Ｆ_９ＳＯ_２ＮＫＳＯ_２Ｃ_４Ｆ_９（１３．４ｇ、収率７７％）を得た。更に、この塩を２５％Ｈ_２ＳＯ_４水溶液中で１時間攪拌した後、反応液をエーテル抽出し、更にエーテル層を留去した後、残査を１．３２ＭＰａ、１００℃にて昇華することにより標記化合物を得た。得られた化合物の^１９Ｆ−ＮＭＲ及びＩＲの測定結果を以下に示す。
^１９Ｆ−ＮＭＲ：−７９．３７（ｔ，６Ｆ，ＣＦ_３）、−１１１．５７（ｔ，４Ｆ，ＣＦ_２）、−１１９．２９（ｂｒ，４Ｆ，ＣＦ_２）、−１２４．３５（ｂｒ，４Ｆ，ＣＦ_２）ｐｐｍ。
ＩＲ：１３４７（Ｓ＝Ｏ）、１２３５（Ｃ−Ｆ）、１２０１（Ｃ−Ｆ）、１１２６（Ｓ−Ｏ）ｃｍ^−１。
ＣＦ_３ＳＯ_２ＮＨＳＯ_２ＣＦ_３の代わりに、上記方法で得られたＣ_４Ｆ_９ＳＯ_２ＮＨＳＯ_２Ｃ_４Ｆ_９を用いる以外は、製造例１と同様の方法によりＥｕ（ＰＢＳ）_３を調製することができた。
実施例１
Ｅｕ（ＰＭＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８の合成
イソプロパノール１００ｍｌにＥｕ（ＰＭＳ）_３２０ｇを添加し、更にトリフェニルホスフィンオキシド（以下、「ＴＰＰＯ」という）４３ｇ（Ｅｕ（ＰＭＳ）_３に対して１６倍モル量）を加え３時間還流した。引き続き徐冷することにより得られた白色粉体を濾取した。得られた白色粉末を熱したｎ−ヘキサンで洗浄後、水−メタノールで再結晶することにより白色針状結晶Ｅｕ（ＰＭＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８を得た（４４ｇ、収率８５％）。得られた結晶について、ＴＧ−ＤＴＡ測定を行い、１００℃における重量減少から、錯体１モル当たりの結合水のモル数が、２．９３であることが判った。得られたＥｕ（ＰＭＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８（Ｈ_２Ｏ）_２．９３のＩＲ、ＮＭＲ、ＵＶ吸収特性及び元素分析の結果を以下に示す。
ＩＲ：３０６１（Ｃ−Ｈｓｔ．），１４３９（Ｃ_６Ｈ_５ｓｔ．），１３５５（Ｓ＝Ｏｓｔ．，Ｐ＝Ｏｓｔ．），１１９３（Ｃ−Ｆｓｔ．），１１２２（Ｃ−Ｆｓｔ．），１０６０（Ｓ−Ｏｓｔ．）ｃｍ^−１
^１Ｈ−ＮＭＲ：７．２６（ｂｒ，２４Ｃ_６Ｈ_５）ｐｐｍ。
ＵＶ吸収特性：２３２ｎｍ（Ｋ吸収帯）、２６６ｎｍ（Ｂ吸収帯）、３９４ｎｍ（^７Ｆ_０→^５Ｌ_６）、４６５ｎｍ（^７Ｆ_０→^５Ｄ_２）。
元素分析：Ｃ１５０Ｈ１２４Ｎ３Ｏ２２Ｆ１８Ｐ８Ｓ６ＥｕＭ．Ｗ．３２５４理論値Ｃ：５５．３１Ｈ：３．８１Ｎ：１．２９％、実測値Ｃ：５５．９７Ｈ：４．０６Ｎ：１．１６％。
上記の合成法で得られたＥｕ（ＰＭＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８（Ｈ_２Ｏ）_２．９３を更に０．６６ＭＰａの減圧下、１４０℃で３時間真空乾燥した。得られた白色粉末についてＴＧ−ＤＴＡ測定を行うことにより、１００℃における重量減少を求めた。得られた値から、錯体１モル当たりの結合水のモル数が０．１８であることが判った。Ｅｕ（ＰＭＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８（Ｈ_２Ｏ）_０．１８の元素分析の結果を以下に示す。
元素分析：Ｃ１５０Ｈ１２０Ｎ３Ｏ２０Ｆ１８Ｐ８Ｓ６ＥｕＭ．Ｗ．３２１８理論値Ｃ：５５．９３Ｈ：３．７２Ｎ：１．３１％、実測値Ｃ：５７．３５Ｈ：３．８８Ｎ：１．１９％。
また、Ｅｕ（ＰＭＳ）_３の代わりにＥｕ（ＰＢＳ）_３を使用する以外は実施例１と同様の方法により、Ｅｕ（ＰＢＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８も調製できた。
実施例２
Ｎｄ（ＰＭＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８の合成
Ｅｕ（ＰＭＳ）_３の代わりにＮｄ（ＰＭＳ）_３２０ｇを用いた他は実施例１に記載の方法と同様の方法により、Ｎｄ（ＰＭＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８を製造した（乾燥後の収量：４３ｇ（８３％））。
得られたＮｄ（ＰＭＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８のＩＲ測定結果及び錯体１モル当たりの結合水のモル数を以下に示す。錯体１モル当たりの結合水のモル数は、実施例１と同様の方法により乾燥を行ったサンプルと乾燥前のサンプルについての値を表す。
ＩＲ：３０６０（Ｃ−Ｈｓｔ．），１４３９（Ｃ６Ｈ５ｓｔ．），１３５４（Ｓ＝Ｏｓｔ，，Ｐ＝Ｏｓｔ．），１１９７（Ｃ−Ｆｓｔ．），１１４３（Ｃ−Ｆｓｔ．），１０６１（Ｓ−Ｏｓｔ．）ｃｍ^−１。
錯体１モル当たりの結合水のモル数：乾燥前３．４１、乾燥後０．２４．
実施例３
Ｙｂ（ＰＭＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８の合成
Ｅｕ（ＰＭＳ）_３の代わりにＹｂ（ＰＭＳ）_３２０ｇを用いた他は、実施例１に記載の方法と同様の方法により、Ｙｂ（ＰＭＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８を製造した（乾燥後の収量：４２ｇ（８１％））。
得られたＹｂ（ＰＭＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８のＩＲ測定結果及び錯体１モル当たりの結合水のモル数を以下に示す。錯体１モル当たりの結合水のモル数は、実施例１に記載の方法と同様の方法により乾燥を行ったサンプルと乾燥前のサンプルについての値を表す。
ＩＲ：３０６３（Ｃ−Ｈｓｔ．），１４４０（Ｃ_６Ｈ_５ｓｔ．），１３５４（Ｓ＝Ｏｓｔ．，Ｐ＝Ｏｓｔ．），１２０１（Ｃ−Ｆｓｔ．），１１４３（Ｃ−Ｆｓｔ．），１０６０（Ｓ−Ｏｓｔ．）ｃｍ^−１。
錯体１モル当たりの結合水のモル数：乾燥前１．５２、乾燥後０．２７。
実施例４
Ｔｂ（ＰＭＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８の合成
Ｅｕ（ＰＭＳ）_３の代わりにＴｂ（ＰＭＳ）_３２０ｇを用いた他は実施例１に記載の方法と同様の方法により、Ｔｂ（ＰＭＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８を製造した（乾燥後の収量：４０ｇ（７７％））。
得られたＴｂ（ＰＭＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８のＩＲ測定結果及び錯体１モル当たりの結合水のモル数を以下に示す。錯体１モル当たりの結合水のモル数は、実施例１と同様の方法により乾燥を行ったサンプルと乾燥前のサンプルに関する値を表す。
ＩＲ：３０５７（Ｃ−Ｈｓｔ．），１４３９（Ｃ_６Ｈ_５ｓｔ．），１３５４（Ｓ＝Ｏｓｔ．，Ｐ＝Ｏｓｔ．），１１８６（Ｃ−Ｆｓｔ．），１１４２（Ｃ−Ｆｓｔ．），１０６０（Ｓ−Ｏｓｔ．）ｃｍ^−１
錯体１モル当たりの結合水のモル数：乾燥前１．２７、乾燥後０．０８。
実施例５
Ｅｕ（ＰＭＳ）_３（ＤＰＳＯ）_８の合成
エタノール１００ｍｌにＥｕ（ＰＭＳ）_３（１０ｇ）を添加し、更にジフェニルスルホキシド（以下、「ＤＰＳＯ」と略す）３１．４ｇ（Ｅｕ（ＰＭＳ）_３に対して１６倍モル量）を加え３時間還流した。引き続き徐冷することにより得られた白色粉体を濾取した。得られた白色粉末をエタノール中で再結晶することにより白色結晶Ｅｕ（ＰＭＳ）_３（ＤＰＳＯ）_８を得た（１８ｇ、収率８３％）。
得られた白色結晶のＤＳＣ、ＴＧ−ＤＴＡ測定を行い、水が配位していないことを確認した。得られたＥｕ（ＰＭＳ）_３（ＤＰＳＯ）_８のＩＲ、ＮＭＲ、ＵＶ吸収特性及び元素分析の結果を以下に示す。
ＩＲ：３０６１（Ｃ−Ｈｓｔ．），１４３９（Ｃ_６Ｈ_５ｓｔ．），１３５５（Ｓ＝Ｏｓｔ．），１１９３（Ｃ−Ｆｓｔ．），１１２２（Ｃ−Ｆｓｔ．），１０６０（Ｓ−Ｏｓｔ．）ｃｍ^−１。
^１Ｈ−ＮＭＲ：７．２５，７．１４（ｂｒ，１６Ｃ_６Ｈ_５）ｐｐｍ。
ＵＶ吸収特性：２３１ｎｍ（Ｋ吸収帯）、２６６ｎｍ（Ｂ吸収帯）、３９４ｎｍ（^７Ｆ_０→^５Ｌ_６）、４６５ｎｍ（^７Ｆ_０→^５Ｄ_２）。
元素分析：Ｃ１０２Ｈ８０Ｏ２０Ｎ３Ｓ１４Ｆ１８ＥｕＭ．Ｗ．２６１０理論値Ｃ：４６．９０Ｈ：３．０６Ｎ：１．６１％、実測値Ｃ：４７．０８Ｈ：３．１２Ｎ：１．６７％。
実施例６
Ｔｂ（ＰＭＳ）_３（ＤＰＳＯ）_８の合成
Ｅｕ（ＰＭＳ）_３の代わりにＴｂ（ＰＭＳ）_３１０ｇを用いた他は、実施例５と同様の方法により、Ｔｂ（ＰＭＳ）_３（ＤＰＳＯ）_８を得た（１６ｇ、収率７４％）。得られたＴｂ（ＰＭＳ）_３（ＤＰＳＯ）_８のＩＲの測定結果を以下に示す。
ＩＲ：３０６４（Ｃ−Ｈｓｔ．），１４４７（Ｃ_６Ｈ_５ｓｔ．），１３５３（Ｓ＝Ｏｓｔ，），１２０１（Ｃ−Ｆｓｔ．），１１４０（Ｃ−Ｆｓｔ．），１０５６（Ｓ−Ｏｓｔ．）ｃｍ^−１。
実施例７
Ｎｄ（ＰＭＳ）_３（ＤＰＳＯ）_８の合成
Ｅｕ（ＰＭＳ）_３の代わりにＮｄ（ＰＭＳ）_３１０ｇを用いた他は、実施例５と同様の方法により、Ｎｄ（ＰＭＳ）_３（ＤＰＳＯ）_８を得た（１８ｇ、収率８３％）。得られたＮｄ（ＰＭＳ）_３（ＤＰＳＯ）_８のＩＲの測定結果を以下に示す。
ＩＲ：３０６５（Ｃ−Ｈｓｔ．），１４４８（Ｃ_６Ｈ_５ｓｔ．），１３５１（Ｓ＝Ｏｓｔ．），１２０１（Ｃ−Ｆｓｔ．），１１４０（Ｃ−Ｆｓｔ．），１０５４（Ｓ−Ｏｓｔ．）ｃｍ^−１。
Ｅｕ（ＰＭＳ）_３（Ｐｈｅｎ）_ｍの合成
イソプロパノール１００ｍｌにＥｕ（ＰＭＳ）_３１９ｇを添加し、更に１，１０−フェナントロリン（以下、「Ｐｈｅｎ」と略す）１６ｇを加えて３時間還流した。引き続き徐冷することにより得られた白色粉体を濾取した。得られた白色粉末をｎ−ヘキサン、熱したトルエンで洗浄後、イソプロパノール中で再結晶することのより白色結晶Ｅｕ（ＰＭＳ）_３（Ｐｈｅｎ）_ｍ（Ｈ_２Ｏ）_ｎを得た（乾燥後の収量１０ｇ（４２％））得られた白色結晶について、ＴＧ−ＤＴＡ測定を行い、錯体１モル当たりの結合水のモル数が３．０６であることを確認した。
上記白色結晶を０．６６ＭＰａの減圧下、１４０℃で３時間真空乾燥することにより、白色粉末を得た。得られた白色粉末について、ＤＳＣ及びＴＧ−ＤＴＡ測定を行い、水が完全に除去されていることを確認した。得られたＥｕ（ＰＭＳ）_３（Ｐｈｅｎ）_ｍのＩＲ、ＮＭＲ及びＵＶ吸収特性の測定結果を以下に示す。
ＩＲ：３０５６（Ｃ−Ｈｓｔ．），１５１２，１４２３（Ｃ＝Ｃｓｔ．），１３５３（Ｓ＝Ｏｓｔ．），１１９５，１１４１（Ｃ−Ｆｓｔ．），１０５５（Ｓ−Ｏｓｔ．）ｃｍ^−１。
^１Ｈ−ＮＭＲ：８．３４，７．７５（ｂｒ，８Ｈ）。
ＵＶ吸収特性：２００〜４００ｎｍ（Ｐｈｅｎ）、３９４ｎｍ（^７Ｆ_０→^５Ｌ_６）、４６５ｎｍ（^７Ｆ_０→^５Ｄ_２）。
なお、Ｐｈｅｎが２座配位子であること、^１Ｈ−ＮＭＲにおいて、Ｐｈｅｎの水素原子に対応するシグナルの面積などを考慮して、Ｐｈｅｎの配位数：ｍを４と仮定した。収率および後述する発光特性の測定において用いた溶液の濃度などは、ｍを４と仮定して求めた。
実施例９
Ｎｄ（ＰＭＳ）_３（Ｐｈｅｎ）_ｍの合成
Ｅｕ（ＰＭＳ）_３の代わりにＮｄ（ＰＭＳ）_３（１９ｇ）を用いた他は、実施例８と同様の方法により、Ｎｄ（ＰＭＳ）_３（Ｐｈｅｎ）_ｍ（乾燥後の収量：１２ｇ（５０％））を得た。得られたＮｄ（ＰＭＳ）_３（Ｐｈｅｎ）_ｍのＩＲの測定結果を以下に示す。
ＩＲ：３０５４（Ｃ−Ｈｓｔ．），１５１１，１４２３（Ｃ＝Ｃｓｔ．），１３５１（Ｓ＝Ｏｓｔ．），１１９３，１１４０（Ｃ−Ｆｓｔ．），１０５４（Ｓ−Ｏｓｔ．）ｃｍ^−１。
なお、Ｐｈｅｎが２座配位子であること、^１Ｈ−ＮＭＲにおいて、Ｐｈｅｎの水素原子に対応するシグナルの面積などを考慮して、Ｐｈｅｎの配位数：ｍを４と仮定した。収率および後述する発光特性の測定において用いた溶液の濃度などは、ｍを４と仮定して求めた。
実施例１０
Ｅｕ（ＰＥＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８の合成
水１０ｍｌにＣ_２Ｆ_５ＳＯ_２ＮＨＳＯ_２Ｃ_２Ｆ_５（１０ｇ）を溶解させた後、Ｅｕ_２Ｏ_３（２．２ｇ）を加え、３０分間還流を行った。更に、ＴＰＰＯ２８ｇを溶解させたイソプロパノール溶液１００ｍｌを滴下し、更に、３時間還流を行った。その後、反応液を室温まで冷却して、得られた白色沈殿物を濾過により採取した。得られた白色沈殿物を０．６６ＭＰａの圧力で、１４０℃、１時間乾燥することにより、白色粉末状のＥｕ（ＰＥＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８を得た（３３．９ｇ、収率８１％）。得られた結晶についてＴＧ−ＴＤＡ測定することにより１００℃での重量減少率を求めた。結果、錯体１モル当たりの結合水のモル数が０．１９であることが判った。Ｅｕ（ＰＥＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８のＩＲ測定結果を以下に示す。
ＩＲ：３０６０（Ｃ−Ｈｓｔ．），１４３８（Ｃ＝Ｃｓｔ．），１３５６（Ｓ＝Ｏｓｔ，），１１９２，１１２２（Ｃ−Ｆｓｔ．），１０５９（Ｓ−Ｏｓｔ．）ｃｍ^−１。
実施例１１
Ｅｕ（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２ＮＳＯ_２Ｃ_６Ｆ_５）_３（ＴＰＰＯ）_８の合成
Ｃ_４Ｆ_９ＳＯ_２Ｆの代わりにＣ_６Ｆ_５ＳＯ_２Ｃｌを用いた他は、製造例２と同様の方法によりＣ_６Ｆ_５ＳＯ_２ＮＨＳＯ_２Ｃ_６Ｆ_５を得た（白色固体、収率２４％）。得られたＣ_６Ｆ_５ＳＯ_２ＮＨＳＯ_２Ｃ_５Ｆ_５の^１９Ｆ−ＮＭＲ、ＩＲ、ＵＶ吸収特性の測定結果を以下に示す。
^１９Ｆ−ＮＭＲ：−１３７．０７、−１５２．９３，−１６１．７４ｐｐｍ。
ＩＲ：１４７９（Ｃ_６Ｆ_５）、１３０６（Ｓ＝Ｏ）、１２４７（Ｃ−Ｆ）、１２２７（Ｃ−Ｆ）、１１１５（Ｓ−Ｏ）ｃｍ^−１。
ＵＶ吸収特性：２３３，２６６ｎｍ。
ＣＦ_３ＳＯ_２ＮＨＳＯ_２ＣＦ_３の代わりに、上記方法で得られたＣ_６Ｆ_５ＳＯ_２ＮＨＳＯ_２Ｃ_６Ｆ_５を用いた以外は、製造例１と同様の操作を行うことにより、Ｅｕ（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２ＮＳＯ_２Ｃ_６Ｆ_５）_３を得た。得られたＥｕ（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２ＮＳＯ_２Ｃ_６Ｆ_５）_３の^１９Ｆ−ＮＭＲ、ＩＲ、ＵＶ吸収特性の測定結果を以下に示す。
^１９Ｆ−ＮＭＲ：−１３６．００、−１５１．９０，−１６１．２３ｐｐｍ。
ＩＲ：１４８９（Ｃ_６Ｆ_５）、１３０６（Ｓ＝Ｏ）、１２４８（Ｃ−Ｆ）、１２２８（Ｃ−Ｆ）、１１１６（Ｓ−Ｏ）ｃｍ^−１。
ＵＶ吸収特性：２３３，２６６，３９４，４６５ｎｍ。
更に、Ｅｕ（ＰＭＳ）_３の代わりにＥｕ（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２ＮＳＯ_２Ｃ_６Ｆ_５）_３を用いた以外は、実施例１と同様の操作を行うことによって、Ｅｕ（Ｃ_６Ｆ_５ＳＯ_２ＮＳＯ_２Ｃ_６Ｆ_５）_３（ＴＰＰＯ）_８を調製できた。
比較例Ａ
Ｅｕ（ＰＭＳ）_３（ＤＭＳＯ−ｄ_６）_８の合成
ＤＭＳＯ−ｄ_６（７．７ｇ）中にＥｕ（ＰＭＳ）_３６．２ｇを溶解させ、０．６６ＭＰａの減圧下、１４０℃でＤＭＳＯ−ｄ_６を留去することにより充分濃縮した後、冷却時に得られる結晶を濾過し、更に真空乾燥して白色結晶Ｅｕ（ＰＭＳ）_３（ＤＭＳＯ−ｄ_６）_８（１０ｇ、収率９９％）を得た。得られたＥｕ（ＰＭＳ）_３（ＤＭＳＯ−ｄ_６）_８のＩＲ、ＵＶ吸収特性及び元素分析の結果を以下に示す。
ＩＲ：２２６６，２１３５（Ｃ−Ｄｓｔ．），１３５３（Ｓ＝Ｏｓｔ．），１２１２，１１４５（Ｃ−Ｆｓｔ．），１０５９（Ｓ−Ｏｓｔ．）ｃｍ^−１。
ＵＶ吸収特性：３９４ｎｍ（^７Ｆ_０→^５Ｌ_６）、４６５ｎｍ（^７Ｆ_０→^５Ｄ_２）。
元素分析：Ｃ２２Ｄ４８Ｏ２０Ｎ３Ｓ１４Ｆ１８ＥｕＭ．Ｗ．１６６５理論値Ｃ：１５．８６Ｄ：５．７７Ｎ：２．５２％、実測値Ｃ：１５．７８Ｄ：２．９１Ｎ：２．４６％。
Ｅｕ（ＰＭＳ）_３の代わりにＮｄ（ＰＭＳ）_３を用いる以外は、上記と同様の方法により、Ｎｄ（ＰＭＳ）_３（ＤＭＳＯ−ｄ_６）_８を調製できた。
ＩＲ：２２６４，２１３５（Ｃ−Ｄｓｔ．），１３５４（Ｓ＝Ｏｓｔ．），１２１１，１１４６（Ｃ−Ｆｓｔ．），１０５９（Ｓ−Ｏｓｔ．）ｃｍ^−１。
製造比較例１
Ｅｕ（ＨＦＡ）_３（ＴＰＰＯ）_２
Ｅｕ（ＰＭＳ）_３の代わりに公知化合物であるβジケトン型の希土類錯体：Ｅｕ（ＨＦＡ）_３を用いた以外は、実施例１と同様の方法によりβジケトン型の希土類三元錯体であるＥｕ（ＨＦＡ）_３（ＴＰＰＯ）_２を調製した。
製造比較例２
Ｎｄ（ＨＦＡ）_３（ＴＰＰＯ）_２
Ｅｕ（ＰＭＳ）_３の代わりに公知化合物であるβジケトン型の希土類錯体：Ｎｄ（ＨＦＡ）_３を用いて、実施例１と同様の方法によりβジケトン型の希土類三元錯体であるＮｄ（ＨＦＡ）_３（ＴＰＰＯ）_２を調製した。
実施例１〜１０において得た希土類三元錯体について、各種媒体（水、アセトン、クロロホルム、トルエン、エポキシ樹脂、ナフィオン（商標名、Ｄｕｐｏｎｔ社製）、ポリメチルメタクリレート（以下「ＰＭＭＡ」という。））への相溶性の評価を行った。各希土類三元錯体の錯体１モル当たりの結合水のモル数及び相溶性の評価結果を表１に示す。なお、表１中の「結合水」とは、錯体１モル当たりの結合水のモル数を示す。

比較例１
製造例１で得られたＥｕ（ＰＭＳ）_３の各種媒体への相溶性を評価した。Ｅｕ（ＰＭＳ）_３の錯体１モル当たりの結合水のモル数と相溶性の評価結果を表１に示す。
比較例２
製造例１で得られたＮｄ（ＰＭＳ）_３の各種媒体への相溶性を評価した。Ｎｄ（ＰＭＳ）_３の錯体１モル当たりの結合水のモル数と相溶性の評価結果を表１に示す。
比較例３
製造比較例１で用いたＥｕ（ＨＦＡ）_３の各種媒体への相溶性を評価した。Ｅｕ（ＨＦＡ）_３の錯体１モル当たりの結合水のモル数と相溶性の評価結果を表１に示す。
比較例４
製造比較例１で得られたＥｕ（ＨＦＡ）_３（ＴＰＰＯ）_２の各種媒体への相溶性を評価した。Ｅｕ（ＨＦＡ）_３（ＴＰＰＯ）_２の錯体１モル当たりの結合水のモル数と相溶性の評価結果を表１に示す。
比較例５
製造比較例２で用いたＮｄ（ＨＦＡ）_３の各種媒体への相溶性を評価した。Ｎｄ（ＨＦＡ）_３の錯体１モル当たりの結合水のモル数と相溶性の評価結果を表１に示す。
比較例６
製造比較例２で得られたＮｄ（ＨＦＡ）_３（ＴＰＰＯ）_２の各種媒体への相溶性を評価した。Ｎｄ（ＨＦＡ）_３（ＴＰＰＯ）_２の錯体１モル当たりの結合水のモル数と相溶性の評価結果を表１に示す。
実施例１２
実施例１で得られたＥｕ（ＰＭＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８のアセトニトリル溶液（Ｅｕイオン濃度：０．０５モル／Ｌ）の発光量子収率を測定した（励起波長：４６５ｎｍ、極大発光波長：６１２ｎｍ、測定に用いた発光波長：６１２ｎｍ）。測定結果を表２に示す。

実施例１３
実施例５で得られたＥｕ（ＰＭＳ）_３（ＤＰＳＯ）_８のアセトニトリル溶液（Ｅｕイオン濃度：０．０５モル／Ｌ）の発光量子収率を測定した（励起波長：４６５ｎｍ、極大発光波長：６１２ｎｍ、測定に用いた発光波長：６１２ｎｍ）。測定結果を表２に示す。
実施例１４
実施例８で得られたＥｕ（ＰＭＳ）_３（Ｐｈｅｎ）_ｍのアセトニトリル溶液（ｍ＝４と仮定して求めたＥｕイオン濃度：０．０５モル／Ｌ）の発光量子収率を測定した（励起波長：４６５ｎｍ、極大発光波長：６１２ｎｍ、測定に用いた発光波長：６１２ｎｍ）。測定結果を表２に示す。
比較例７
製造例１で得られたＥｕ（ＰＭＳ）_３のアセトニトリル溶液（Ｅｕイオン濃度：０．０５モル／Ｌ）の発光量子収率を測定した（励起波長：４６５ｎｍ、極大発光波長：６１２ｎｍ、測定に用いた発光波長：６１２ｎｍ）。測定結果を表２に示す。
比較例８
製造比較例１で用いたＥｕ（ＨＦＡ）_３のアセトニトリル溶液（Ｅｕイオン濃度：０．０５モル／Ｌ）の発光量子収率を測定した（励起波長：４６５ｎｍ、極大発光波長：６１２ｎｍ、測定に用いた発光波長：６１２ｎｍ）。測定結果を表２に示す。
比較例９
製造比較例１で得られたＥｕ（ＨＦＡ）_３（ＴＰＰＯ）_２のアセトニトリル溶液（Ｅｕイオン濃度：０．０５モル／Ｌ）の発光量子収率を測定した（励起波長：４６５ｎｍ、極大発光波長：６１２ｎｍ、測定に用いた発光波長：６１２ｎｍ）。測定結果を表２に示す。
比較例Ｂ
比較例Ａで得られたＥｕ（ＰＭＳ）_３（ＤＭＳＯ−ｄ_６）_８のアセトニトリル溶液（Ｅｕイオン濃度：０．０５モル／Ｌ）の発光量子収率を測定した（励起波長：４６５ｎｍ、極大発光波長：６１２ｎｍ、測定に用いた発光波長：６１２ｎｍ）。発光量子収率は、４４．０％であった。
実施例１２〜１４、比較例７〜９及び比較例Ｂにおいて調製した溶液について、それぞれの極大発光波長における発光強度を測定した。
比較例７［配位子Ｚを配位していない希土類錯体の溶液］の発光強度を１として、実施例１２〜１４及び比較例Ｂにおいて用いた溶液の相対発光強度（実施例１２〜１４の各発光強度／比較例７の発光強度）を算出した。
同様に、比較例８［従来公知のβジケトン型の希土類錯体であって、配位子Ｚを配位していない錯体の溶液］の発光強度を１として、比較例９の相対発光強度（比較例９の発光強度／比較例８の発光強度）を算出した。これらの結果を表２に示す。比較例Ｂにおいて用いた溶液の相対発光強度は、１．６倍であった。
実施例１５
実施例２で得られたＮｄ（ＰＭＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８のアセトン−ｄ_６溶液（Ｎｄイオン濃度：０．０５モル／Ｌ）の発光量子収率を測定した（励起波長：５８５ｎｍ、極大発光波長：１０６４ｎｍ、測定に用いた発光波長：１０６４ｎｍ）。その結果を表３に示す。

実施例１６
実施例７で得られたＮｄ（ＰＭＳ）_３（ＤＰＳＯ）_８のアセトン−ｄ_６溶液（Ｎｄイオン濃度：０．０５モル／Ｌ）の発光量子収率を測定した（励起波長：５８５ｎｍ、極大発光波長：１０６４ｎｍ、測定に用いた発光波長：１０６４ｎｍ）。結果を表３に示す。
比較例１０
製造例１で得られたＮｄ（ＰＭＳ）_３のアセトン−ｄ_６溶液（Ｎｄイオン濃度：０．０５モル／Ｌ）の発光量子収率を測定した（励起波長：５８５ｎｍ、極大発光波長：１０６４ｎｍ、測定に用いた発光波長：１０６４ｎｍ）。結果を表３に示す。
実施例１５〜１６及び比較例１０において調製した溶液について、それぞれの極大発光波長における発光強度を測定した。比較例１０［配位子Ｚを配位していない希土類錯体］の発光強度を１として、実施例１５及び１６の相対発光強度（実施例１５〜１６の各発光強度／比較例１０の発光強度）を算出した。これらの結果を表３に示す。
実施例１７
精製した無水メチルメタクリレート（ＭＭＡ）１ｍｌ、ＡＩＢＮ０．５ｍｇ及び実施例１で得られたＥｕ（ＰＭＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８１４８ｍｇ（希土類イオン濃度で０．７重量％）を混合し、混合物をＰｙｒｅｘチューブに移し、チューブ内部を脱気後。該Ｐｙｒｅｘチューブを密閉した。６０℃で５時間反応させてＭＭＡの重合を行った。得られたＥｕ（ＰＭＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８を含むＰＭＭＡをＰｙｒｅｘチューブから取り出し、ロッド状のポリマーマトリクス組成物を得た。このポリマーマトリクス組成物の発光量子収率を表４に示す（励起波長：４６５ｎｍ、極大発光波長：６１２ｎｍ、測定に用いた発光波長：６１２ｎｍ）。

実施例１８
Ｅｕ（ＰＭＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８の代わりに実施例５で得られたＥｕ（ＰＭＳ）_３（ＤＰＳＯ）_８７４ｍｇ（希土類イオン濃度：０．７重量％）を用いた以外は、実施例１７と同様にしてＥｕ（ＰＭＳ）_３（ＤＰＳＯ）_８を含むロッド状のポリマーマトリクス組成物を得た。得られたポリマー組成物の発光量子収率を表４に示す（励起波長：４６５ｎｍ、極大発光波長：６１２ｎｍ、測定に用いた発光波長：６１２ｎｍ）。
実施例１９
Ｅｕ（ＰＭＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８の代わりに実施例８で得られたＥｕ（ＰＭＳ）_３（Ｐｈｅｎ）_ｍ７０ｍｇ（ｍ＝４と仮定して求めた希土類イオン濃度：０．７重量％）を用いた以外は、実施例１７と同様にしてＥｕ（ＰＭＳ）_３（Ｐｈｅｎ）_ｍを含むロッド状のポリマーマトリクス組成物を得た。得られたポリマーマトリクス組成物の発光量子収率を表４に示す（励起波長：４６５ｎｍ、極大発光波長：６１２ｎｍ、測定に用いた発光波長：６１２ｎｍ）。
比較例１１
Ｅｕ（ＰＭＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８の代わりに製造例１で得られたＥｕ（ＰＭＳ）_３４７ｍｇ（希土類イオン濃度：０．７重量％）を用いた以外は、実施例１７と同様にしてＥｕ（ＰＭＳ）_３を含むロッド状のポリマーマトリクス組成物を得た。得られたポリマーマトリクス組成物の発光量子収率を表４に示す（励起波長：４６５ｎｍ、極大発光波長：６１２ｎｍ、測定に用いた発光波長：６１２ｎｍ）。
実施例１７〜１９及び比較例１１において得られたポリマーマトリクス組成物について、それぞれの極大発光波長において発光強度を測定した。比較例１１［配位子Ｚが配位していない希土類錯体］の発光強度を１として、実施例１７〜１９の相対発光強度（実施例１７〜１９の各発光強度／比較例１１の発光強度）を算出した。結果を表４に示す。
実施例２０
Ｅｕ（ＰＭＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８の代わりに実施例２で得られたＮｄ（ＰＭＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８１４８ｍｇ（希土類イオン濃度：０．７重量％）を用いた以外は、実施例１７と同様にしてＮｄ（ＰＭＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８を含むロッド状のポリマーマトリクス組成物を得た。得られたポリマーマトリクス組成物の発光量子収率を表５に示す（励起波長：５８５ｎｍ、極大発光波長：１０６４ｎｍ、測定に用いた発光波長：１０６４ｎｍ）。

実施例２１
Ｅｕ（ＰＭＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８の代わりに実施例７で得られたＮｄ（ＰＭＳ）_３（ＤＰＳＯ）_８７４ｍｇ（希土類イオン濃度：０．７重量％）を用いた以外は、実施例１７と同様にしてＮｄ（ＰＭＳ）_３（ＤＰＳＯ）_８を含むロッド状のポリマーマトリクス組成物を得た。得られたポリマーマトリクス組成物の発光量子収率を表５に示す（励起波長：５８５ｎｍ、極大発光波長：１０６４ｎｍ、測定に用いた発光波長：１０６４ｎｍ）。
比較例１２
Ｅｕ（ＰＭＳ）_３（ＴＰＰＯ）_８の代わりに製造例１で得られたＮｄ（ＰＭＳ）_３４７ｍｇ（希土類イオン濃度：０．７重量％）を用いた以外は、実施例１７と同様にしてＮｄ（ＰＭＳ）_３を含むロッド状のポリマーマトリクス組成物を得た。得られたポリマーマトリクス組成物の発光量子収率を表５に示す（励起波長：５８５ｎｍ、極大発光波長：１０６４ｎｍ、測定に用いた発光波長：１０６４ｎｍ）。
実施例２０〜２１及び比較例１２において調製したポリマーマトリクス組成物について、それぞれの極大発光波長における発光強度を測定した。比較例１２［配位子Ｚを配位していない希土類錯体］の発光強度を１として、実施例２０及び２１の相対発光強度（実施例２０〜２１の各発光強度／比較例１２の発光強度）を算出した。結果を表５に示す。
本発明の希土類三元錯体は、配位子Ｚを導入する前の錯体に比して、発光強度が著しく増大した。例えば、本発明のＥｕ系三元錯体は、溶液中において、相対発光強度が最大約５０倍増大している。このことは、表２において、実施例１２〜１４と比較例７とを比較することにより、明らかである。
これに対して、従来公知のβジケトン型の希土類二元錯体は、ＴＰＰＯを導入した三元錯体とした場合でも、導入前に比して４．６倍程度しか発光強度は増大しなかった（比較例８及び９）。
本発明によると、非常に効果的に相対発光強度を増大させることができた。
一方、表４には、ポリマーマトリクス組成物中での相対発光強度を評価した。本発明の錯体は、配位子Ｚを有さない錯体に比して、発光強度が１００００倍以上増大しており、三元錯体とすることによる効果が著しいことが判る。
更に、表１から、本発明の希土類三元錯体は、多種の媒体に対して優れた相溶性を示していることが明らかである。このように、三元錯体とすることにより、幅広い媒体に対する相溶性を付与することができた。本発明によると、各種ポリマーを含む幅広い種類の媒体中に、光機能材料として有用な希土類錯体を分散させることができる。
実施例２２
実施例８で得られたＥｕ（ＰＭＳ）_３（Ｐｈｅｎ）_ｍ５０ｍｇ、ポリカーボネート４５０ｍｇを塩化メチレン３ｍｌに溶解し、均一に撹拌して高分子溶液を得た。次に、この高分子溶液をガラス板上に流延した後、一昼夜真空乾燥して溶媒を除去し、ガラス板上にＥｕ（ＰＭＳ）_３（Ｐｈｅｎ）_ｍを含む膜厚約６μｍのポリカーボネート膜を形成した。このポリカーボネート膜をガラス板から剥離した後、その薄膜に金属棒を衝突させたところ、薄いながら赤色の発光を目視にて確認できた。
比較例１３
Ｅｕ（ＰＭＳ）_３（Ｐｈｅｎ）_ｍに代えて、製造例１において製造したＥｕ（ＰＭＳ）_３４２ｍｇを用いた以外は、実施例２２と同様の方法によりガラス板上にＥｕ（ＰＭＳ）_３を含む膜厚約６μｍのポリカーボネート膜を形成した。
ポリカーボネート膜をガラス板から剥離した後、その薄膜に金属棒を衝突させたところ、発光は確認できなかった。
産業上の利用可能性
本発明の希土類三元錯体は、光の発光強度及び変換効率が高い。本発明の希土類三元錯体は、発光材料、レーザー材料等の光機能材料として、例えば、レンズ、圧力センサーなどの用途に有用であり、ＣＤプレーヤー、光ディスク、ファクシミリ、リモコン、コピー機器、レーザープリンター、大型ディスプレイ、医療用レーザー、レーザー加工計測、印刷関連などの光機器に使用できる。本発明の希土類三元錯体は、より具体的には、レーザー素子、発光ダイオード、液晶、光ファイバー、光検知器、太陽電池などへの応用が可能である。
本発明の三元錯体は、各種プラスチック製品に分散又は懸濁することにより、内容物または内容構造が透視可能であって、発光性を有する形成材料として用いることが可能である。または、信号機、自動車のライト反射板などの各種交通標識の素材、発光性の装飾品用素材等としても有用である。

Claims

以下の一般式（１）で表される希土類三元錯体。

〔式中、Ｍは希土類原子を示し、n1は２又は３を示す。n2は２、３又は４を示す。Ｒf^１及びＲf^２は、同一又は異なって、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基又はパーフルオロフェニル基を示す。Ｚは、以下の(Ａ)〜(Ｄ)からなる群から選択される少なくとも１種の配位子を示す。ｍ2は、Ｚが以下の(Ａ)〜(Ｃ)からなる群から選択される少なくとも１種の配位子である場合には、１〜１０のいずれかの整数を示し、Ｚが(Ｄ)から選択される少なくとも１種の配位子である場合には、１〜５のいずれかの整数を示す。〕
(Ａ) 以下の一般式（Ａ）で示される配位子

[式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、同一又は異なって、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルキルオキシ基、フェニル基、炭素数１〜３のアルキル置換基を有するフェニル基、ハロゲン置換基を有するフェニル基、ナフチル基、フェノキシ基、炭素数１〜３のアルキル置換基を有するフェノキシ基、ハロゲン置換基を有するフェノキシ基又はナフチルオキシ基を示し、これらの基は重水素置換されていてもよい。但し、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３の少なくとも１つが、フェニル基、炭素数１〜３のアルキル置換基を有するフェニル基、ハロゲン置換基を有するフェニル基、ナフチル基、フェノキシ基、炭素数１〜３のアルキル置換基を有するフェノキシ基、ハロゲン置換基を有するフェノキシ基又はナフチルオキシ基である。Ｘは、Ｐ又はＳを示す。ｍ1は、０又は１を示す。ＸがＰのとき、ｍ3は１であり、ＸがＳのとき、ｍ3は０である。]
(Ｃ)ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン又はトリアジン、並びに
(Ｄ)ビピリジン又はフェナントロリン
Ｒ ^１、Ｒ ^２及びＲ ^３が、同一又は異なって、炭素数１〜２０のアルキル基、フェニル基、炭素数１〜３のアルキル置換基を有するフェニル基、ハロゲン置換基を有するフェニル基又はナフチル基を示す、請求項１に記載の希土類三元錯体。
Ｚが、一般式（Ａ）で示される配位子である請求項１又は２に記載の希土類三元錯体。
一般式（２）

[式中、Ｍ、n1、n2、Ｒf^１及びＲf^２は、請求項１において定義されたとおりである。］で示される希土類錯体と、
以下の(Ａ)〜(Ｄ)からなる群から選択される少なくとも一種の化合物とを混合する工程を含む製造方法により得ることができる請求項１又は２に記載の希土類三元錯体。

(Ａ) 以下の一般式（３）で示される化合物
[式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、同一又は異なって、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルキルオキシ基、フェニル基、炭素数１〜３のアルキル置換基を有するフェニル基、ハロゲン置換基を有するフェニル基、ナフチル基、フェノキシ基、炭素数１〜３のアルキル置換基を有するフェノキシ基、ハロゲン置換基を有するフェノキシ基又はナフチルオキシ基を示し、これらの基は重水素置換されていてもよい。但し、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３の少なくとも１つが、フェニル基、炭素数１〜３のアルキル置換基を有するフェニル基、ハロゲン置換基を有するフェニル基、ナフチル基、フェノキシ基、炭素数１〜３のアルキル置換基を有するフェノキシ基、ハロゲン置換基を有するフェノキシ基又はナフチルオキシ基である。Ｘは、Ｐ又はＳを示す。ｍ1は、０又は１を表す。ＸがＰであるとき、ｍ3は１であり、ＸがＳのとき、ｍ3は０である。]
(Ｃ) ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン又はトリアジン、並びに
(Ｄ) ビピリジン又はフェナントロリン
一般式(Ａ)において、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３の少なくとも１つが、フェニル基、炭素数１〜３のアルキル置換基を有するフェニル基、ハロゲン置換基を有するフェニル基又はナフチル基である請求項３に記載の希土類三元錯体。
一般式(Ａ)において、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３が、フェニル基である請求項３に記載の希土類三元錯体。
希土類三元錯体が、一般式（４）

[式中、Ｍ、n1及びn2は、請求項１において定義されたとおりである。Ｒf^３及びＲf^４は、同一又は異なって、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基を表す。Ｐｈは、フェニル基を表す。]で表される錯体である請求項１又は２に記載の希土類三元錯体。
希土類三元錯体が、一般式（５）

〔式中、Ｍ、n1及びn2は、請求項１において定義されたとおりである。Ｒf^３及びＲf^４は、同一又は異なって、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基を表す。Ｐｈは、フェニル基を表す。〕で表される錯体である請求項１又は２に記載の希土類三元錯体。
Ｍが、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｔｂ及びＹｂからなる群から選択される希土類原子である請求項１、２、７または８に記載の希土類三元錯体。
一般式（２）

[式中、Ｍ、n1、n2、Ｒf^１及びＲf^２は、請求項１において定義されたとおりである。］で示される希土類二元錯体と、
以下の(Ａ)〜(Ｄ)からなる群から選択される少なくとも１種の化合物とを含む、請求項１に記載の希土類三元錯体を製造するための組成物。
(Ａ) 以下の一般式（３）で示される化合物

[式中、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３は、同一又は異なって、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルキルオキシ基、フェニル基、炭素数１〜３のアルキル置換基を有するフェニル基、ハロゲン置換基を有するフェニル基、ナフチル基、フェノキシ基、炭素数１〜３のアルキル置換基を有するフェノキシ基、ハロゲン置換基を有するフェノキシ基又はナフチルオキシ基を示し、これらの基は重水素置換されていてもよい。但し、Ｒ^１、Ｒ^２及びＲ^３の少なくとも１つが、フェニル基、炭素数１〜３のアルキル置換基を有するフェニル基、ハロゲン置換基を有するフェニル基、ナフチル基、フェノキシ基、炭素数１〜３のアルキル置換基を有するフェノキシ基、ハロゲン置換基を有するフェノキシ基又はナフチルオキシ基である。Ｘは、Ｐ又はＳを示す。ｍ1は、０又は１を表す。ＸがＰのとき、ｍ3は１であり、ＸがＳのとき、ｍ3は０である。〕
(Ｃ) ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン又はトリアジン、並びに
(Ｄ) ビピリジン又はフェナントロリン
更に溶媒を含む請求項１０に記載の組成物。
更にポリマーマトリクスまたはポリマーマトリクスの原料となるモノマーを含む請求項１０に記載の組成物。
請求項１に記載の希土類三元錯体を含む発光材料。
請求項１０に記載の組成物を含む発光材料。