JP2505244B2 - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JP2505244B2 JP2505244B2 JP63084000A JP8400088A JP2505244B2 JP 2505244 B2 JP2505244 B2 JP 2505244B2 JP 63084000 A JP63084000 A JP 63084000A JP 8400088 A JP8400088 A JP 8400088A JP 2505244 B2 JP2505244 B2 JP 2505244B2
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- thin film
- light emitting
- electrode
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、低い印加電圧で、高輝度かつ鮮やかな色彩
の発光を得られる薄膜EL（エレクトロルミネッセンス）
素子に関する。
の発光を得られる薄膜EL（エレクトロルミネッセンス）
素子に関する。
［従来技術と解決すべき問題点］ EL素子は、自己発光のため視認性が高く、また完全固
体素子であるため耐衝撃性に優れるという特徴を有して
おり、現在、無機蛍光体であるZnS：Mnを用いたEL素子
が広く使用されている。しかしながら、このような無機
EL素子は、発光させるための印加電圧が200V近く必要な
ため、駆動方法が複雑である。
体素子であるため耐衝撃性に優れるという特徴を有して
おり、現在、無機蛍光体であるZnS：Mnを用いたEL素子
が広く使用されている。しかしながら、このような無機
EL素子は、発光させるための印加電圧が200V近く必要な
ため、駆動方法が複雑である。
一方、有機薄膜EL素子は、印加電圧を大幅に低下させ
ることができるため、各種材料を用いたものが開発され
つつある。既にヴィンセットらは、アトラセンを発光体
とし、膜厚を約0.6μｍとした蒸着膜を用いてEL素子を
作製し、印加電圧30Vにて青色の明所可視発光を得てい
る（Thin Solid Films,94（1982）171）。しかし、この
素子は輝度が不十分であり、印加電圧も依然として高く
しなければならないという問題がある。
ることができるため、各種材料を用いたものが開発され
つつある。既にヴィンセットらは、アトラセンを発光体
とし、膜厚を約0.6μｍとした蒸着膜を用いてEL素子を
作製し、印加電圧30Vにて青色の明所可視発光を得てい
る（Thin Solid Films,94（1982）171）。しかし、この
素子は輝度が不十分であり、印加電圧も依然として高く
しなければならないという問題がある。
また近年に至っては、10V程度の低電圧を印加するだ
けで５〜90cd/m2の輝度の発光を示す有機EL素子が、LB
法（ラングミュア・プロジェット法）を用いた薄膜にて
作製されている（例えば、特開昭61-43682号）。しかし
ながら、この有機EL素子は、LB法による単分子膜の累積
によって電子受容性と電子供与性の発光性物質の積層膜
を作製するため、構成が複雑であるとともに、製造が煩
雑であり、実用性に欠けるという問題がある。
けで５〜90cd/m2の輝度の発光を示す有機EL素子が、LB
法（ラングミュア・プロジェット法）を用いた薄膜にて
作製されている（例えば、特開昭61-43682号）。しかし
ながら、この有機EL素子は、LB法による単分子膜の累積
によって電子受容性と電子供与性の発光性物質の積層膜
を作製するため、構成が複雑であるとともに、製造が煩
雑であり、実用性に欠けるという問題がある。
さらに、25V以下の低電圧印加で高輝度を発現する有
機EL素子も開発されている（例えば、特開昭59-194393
号）。このEL素子は、電極／正孔注入層／発光層／電極
とした積層型のものであるが、電極間の膜厚が１μｍ以
下であることが必要であり、そのためピンホールが生じ
やすく、生産性が低いという大きな問題がある。
機EL素子も開発されている（例えば、特開昭59-194393
号）。このEL素子は、電極／正孔注入層／発光層／電極
とした積層型のものであるが、電極間の膜厚が１μｍ以
下であることが必要であり、そのためピンホールが生じ
やすく、生産性が低いという大きな問題がある。
上述した従来の有機薄膜EL素子は、上記それぞれの問
題点のほかに、共通の問題点として彩度に劣るという問
題があった。すなわち、上述の有機薄膜EL素子は、発光
スペクトルの幅が広いため、色の鮮やかさに劣り、単一
の青，緑，赤といった色の三原色を表現しにくいという
問題点があった。
題点のほかに、共通の問題点として彩度に劣るという問
題があった。すなわち、上述の有機薄膜EL素子は、発光
スペクトルの幅が広いため、色の鮮やかさに劣り、単一
の青，緑，赤といった色の三原色を表現しにくいという
問題点があった。
なお、発光層を二重構造とし、その発光性有機化合物
として希土類錯体等を用い、低電圧でも十分輝度の高い
発光を得られる有機EL素子も開発されている（例えば、
特開昭61-37887号）。しかしながら、ここに示されてい
る希土類錯体はその一部であり、しかも、これら一部希
土類錯体を発光材料として用いたEL素子の発光する色の
彩度、すなわち、色の鮮やかさに関する改善については
なんら開示がない。
として希土類錯体等を用い、低電圧でも十分輝度の高い
発光を得られる有機EL素子も開発されている（例えば、
特開昭61-37887号）。しかしながら、ここに示されてい
る希土類錯体はその一部であり、しかも、これら一部希
土類錯体を発光材料として用いたEL素子の発光する色の
彩度、すなわち、色の鮮やかさに関する改善については
なんら開示がない。
本発明は上記事情にかんがみてなされたもので、低電
圧印加により、高輝度かつ鋭いスペクトルを示し鮮明な
色を発光する薄膜EL素子の提供を目的とする。
圧印加により、高輝度かつ鋭いスペクトルを示し鮮明な
色を発光する薄膜EL素子の提供を目的とする。
［問題点の解決手段］ 本発明者は、上記目的を達成するため、鋭意研究を続
けてきた結果、発光材料に、ある種希土類錯体を用いる
と、薄膜EL素子の発光する色の彩度に大きな影響を与え
ることを知見し本発明を完成するに至った。すなわち、
本発明の薄膜EL素子は、式 で表わされる希土類錯体を発光材料として用いた構成と
してある。
けてきた結果、発光材料に、ある種希土類錯体を用いる
と、薄膜EL素子の発光する色の彩度に大きな影響を与え
ることを知見し本発明を完成するに至った。すなわち、
本発明の薄膜EL素子は、式 で表わされる希土類錯体を発光材料として用いた構成と
してある。
なお、上記式中、 R1およびR2は、それぞれ独立に炭素数１〜15のアルキ
ル基，ハロゲン化した炭素数１〜15のアルキル基，炭素
原子６〜14個のアリール基，ヘテロ原子１個を含む５員
もしくは６員の複素環式基の意味である。
ル基，ハロゲン化した炭素数１〜15のアルキル基，炭素
原子６〜14個のアリール基，ヘテロ原子１個を含む５員
もしくは６員の複素環式基の意味である。
R3は、水素原子または基R1と同じ意味である。
Ｚは、Ｍ（ここでＭは、希土類元素の意味であ
る。） MA2（ここでＡは、ホスフィンオキシドであり、Ｍは
上記と同じ意味である。） MB（ここでＢは、フェナントロリンであり、Ｍは上記
と同じ意味である。） で表わされる部分である。
る。） MA2（ここでＡは、ホスフィンオキシドであり、Ｍは
上記と同じ意味である。） MB（ここでＢは、フェナントロリンであり、Ｍは上記
と同じ意味である。） で表わされる部分である。
なお、本発明の薄膜EL素子は、上記発光材料を二枚の
電極で挟み、そのうち一方の電極の外側に基板を設けた
構成とすることが好ましい。
電極で挟み、そのうち一方の電極の外側に基板を設けた
構成とすることが好ましい。
以下、本発明の解決手段を詳細に説明する。
本発明の薄膜EL素子は、AC（交流）駆動型およびDC
（直流）駆動型のいずれにも用いることができるが、以
下の説明は第１図を参照しつつDC駆動型について行な
う。
（直流）駆動型のいずれにも用いることができるが、以
下の説明は第１図を参照しつつDC駆動型について行な
う。
第１図において、１は基板であり、ガラス，プラスチ
ックあるいは石英等によって形成してある。２および３
は発光層４を挟む電極であり、このうち、一方の電極２
は基板１上に形成され、ITO（インジュウムチンオキサ
イド），SnO2（酸化第二錫），ZnO（酸化亜鉛）等によ
り透明もしくは半透明の電極としてある。この電極２
は、通常50nm〜１μｍの膜厚とし、透明性の点からする
と、50〜150nmとすることが好ましい。また、他方の電
極３は背面（対向）電極として機能しており、金，アル
ミニウム，マグネシウム，インジュウム等の金属を用い
ている。この背面電極３は、通常50〜200nmの膜厚とす
る。
ックあるいは石英等によって形成してある。２および３
は発光層４を挟む電極であり、このうち、一方の電極２
は基板１上に形成され、ITO（インジュウムチンオキサ
イド），SnO2（酸化第二錫），ZnO（酸化亜鉛）等によ
り透明もしくは半透明の電極としてある。この電極２
は、通常50nm〜１μｍの膜厚とし、透明性の点からする
と、50〜150nmとすることが好ましい。また、他方の電
極３は背面（対向）電極として機能しており、金，アル
ミニウム，マグネシウム，インジュウム等の金属を用い
ている。この背面電極３は、通常50〜200nmの膜厚とす
る。
なお、薄膜EL素子のタイプによっては、基板１側の電
極２を金属の背面電極とし、他の電極３を透明もしくは
半透明の電極とすることも可能である。
極２を金属の背面電極とし、他の電極３を透明もしくは
半透明の電極とすることも可能である。
発光層４は、ある種希土類錯体からなる発光材料によ
り、100nm〜５μｍの膜厚に形成している。
り、100nm〜５μｍの膜厚に形成している。
この発光材料の希土類錯体としては、 式 で表わされるものを用いる。
このうち、R1およびR2は、それぞれ独立に、 炭素数１〜15のアルキル基、例えば、メチル基，エチ
ル基，プロピル基，ブチル基,i−プロピル基,t−ブチル
基,i−ブチル基,s−ブチル基，オクチル基あるいは，ノ
ニル基等である。
ル基，プロピル基，ブチル基,i−プロピル基,t−ブチル
基,i−ブチル基,s−ブチル基，オクチル基あるいは，ノ
ニル基等である。
ハロゲン化した炭素数１〜15のアルキル基（ここでハ
ロゲンとは、塩素，フッ素，臭素等である。）、例え
ば、トリフルオロメチル基，ペプタフルオロプロピル
基，トリクロロメチル基，トリブルモメチル基、ジクロ
ロメチル基，クロロメチル基，ジフルオロメチル基，フ
ルオロメチル基，ジブロモメチル基あるいは，ブロモメ
チル基等である。
ロゲンとは、塩素，フッ素，臭素等である。）、例え
ば、トリフルオロメチル基，ペプタフルオロプロピル
基，トリクロロメチル基，トリブルモメチル基、ジクロ
ロメチル基，クロロメチル基，ジフルオロメチル基，フ
ルオロメチル基，ジブロモメチル基あるいは，ブロモメ
チル基等である。
炭素原子６〜14個のアリール基、例えば、フェニル
基，ナフチル基，トリル基，キシリル基あるいは，アン
トリル基等である。
基，ナフチル基，トリル基，キシリル基あるいは，アン
トリル基等である。
ヘテロ原子、例えば窒素，酸素もしくは硫黄１個を含
む５員もしくは６員の複素環式基、例えば、ピロリル
基，フリル基，チエニル基あるいは，ピリジル基等であ
り、 R3は水素または基R1と同じ意味である。
む５員もしくは６員の複素環式基、例えば、ピロリル
基，フリル基，チエニル基あるいは，ピリジル基等であ
り、 R3は水素または基R1と同じ意味である。
さらに、部分Ｚは、 第一に、Ｍとして表わされ、 ここでＭは、希土類元素であり、Ce（セリウム），Tb
（テルビウム），Sm（サマリウム），Eu（ユウロピウ
ム），Ho（ホルミウム），Pr（プラセオジム），Gd（ガ
ドリウム），Er（エルビウム），Tm（ツリウム）等があ
る。
（テルビウム），Sm（サマリウム），Eu（ユウロピウ
ム），Ho（ホルミウム），Pr（プラセオジム），Gd（ガ
ドリウム），Er（エルビウム），Tm（ツリウム）等があ
る。
本例における希土類錯体としては、例えば、EuとBFA
（ベンゾイルトリフルオロアセトン）からなる［Eu(BF
A)3］を挙げられる。
（ベンゾイルトリフルオロアセトン）からなる［Eu(BF
A)3］を挙げられる。
これを構造式で示すと、 として表わされる。
第二に、MA2で表わされ、 ここでＡはホスフィンオキシド、例えば、トリアルキ
ルホスフィンオキシドであり、そのアルキル部分には炭
素原子６〜12個を含むもの、例えば、ｎ−オクチル基
（炭素８個）を含むことができる。
ルホスフィンオキシドであり、そのアルキル部分には炭
素原子６〜12個を含むもの、例えば、ｎ−オクチル基
（炭素８個）を含むことができる。
Ｍは、上記Ｍと同じ意味である。
本例における希土類錯体としては、例えば、TbとTTA
（テノイルトリフルオロアセトン）とTOPO（トリ−ｎ−
オクチルホスフィンオキシド）からなる［Tb(TTA)3(TOP
O)2］を挙げられる。
（テノイルトリフルオロアセトン）とTOPO（トリ−ｎ−
オクチルホスフィンオキシド）からなる［Tb(TTA)3(TOP
O)2］を挙げられる。
これを構造式で示すと、 として表わされる。
第三に、MBとして表わされ、 ここでＢは、フェナントロリンであり、Ｍは上記Ｍと
同じ意味である。
同じ意味である。
本例における希土類錯体としては、EuとTTAとPhen
（フェナントロリン）からなる［Eu(TTA)3（Phen）］、
SmとNTFA（２−ナフトイルトリフルオロアセトン）とPh
enからなる［Sm(NTFA)3（Phen）］およびCeとTTAとPhen
からなる［Ce(TTA)3（Phen）］等を挙げられる。
（フェナントロリン）からなる［Eu(TTA)3（Phen）］、
SmとNTFA（２−ナフトイルトリフルオロアセトン）とPh
enからなる［Sm(NTFA)3（Phen）］およびCeとTTAとPhen
からなる［Ce(TTA)3（Phen）］等を挙げられる。
［Ce(TTA)3（Phen）］を構造式で示すと、 として表わされる。
上記希土類を具体的に例示すれば、次の（１−１）〜
（６−６）で表わすことができる。
（６−６）で表わすことができる。
ここで、Ｍは希土類元素を表わし、上記（１−１）〜
（６−６）には、1,10−フェナントロリン，トリオクチ
ルホスフィンオキシドを付加することもできる。
（６−６）には、1,10−フェナントロリン，トリオクチ
ルホスフィンオキシドを付加することもできる。
上記のような構成からなる薄膜EL素子は、次のような
手順で作成する。
手順で作成する。
まず、基板１上に透明電極２を蒸着法あるいはスパッ
タ法などで薄膜形成する。次いで、この透明電極２の上
面に発光材料を薄膜化してなる発光層４を形成する。こ
のときの薄膜化は、スピンコート法，キャスト法,LB法
あるいは蒸着法などにより行ない、膜の均一性およびピ
ンホールの除去等の点からすると、次の蒸着条件により
蒸着を行なうことが好ましい。
タ法などで薄膜形成する。次いで、この透明電極２の上
面に発光材料を薄膜化してなる発光層４を形成する。こ
のときの薄膜化は、スピンコート法，キャスト法,LB法
あるいは蒸着法などにより行ない、膜の均一性およびピ
ンホールの除去等の点からすると、次の蒸着条件により
蒸着を行なうことが好ましい。
（蒸着条件） ボート加熱条件:50〜300℃ 真空度 ：10-5〜10-3Pa 蒸着速度:0.1〜50nm/sec 基板温度：−50〜200℃ 膜 厚 :100nm〜５μｍ その後、発光層４の上面に、背面電極３を蒸着法ある
いはスパッタ法などで薄膜形成する。
いはスパッタ法などで薄膜形成する。
［実施例］ 実施例１ 25mm×75mm×1.1mmのガラス基板上にITOを蒸着法にて
50nmの厚さに製膜したものを透明支持基板とし、この支
持基板を真空蒸着装置（日本真空技術株式会社製）の基
板ホルダーに固定し、モリブデン製の抵抗加熱ボートに
［Eu(BFA)3］錯体を200mg入れ真空槽を１×10-4Paまで
減圧した。ここで、［Eu(BFA)3］は、PH4.5のEu硝酸塩
水溶液にBFAのシクロヘキサン溶液を加えることによっ
て合成する。［Eu(BFA)3］は、水溶液中よりシクロヘキ
サン溶液中に移行する性質を有するので、これにより抽
出することができる。抽出後、溶媒を減圧下除去し［Eu
(BFA)3］を得、これを精製した。
50nmの厚さに製膜したものを透明支持基板とし、この支
持基板を真空蒸着装置（日本真空技術株式会社製）の基
板ホルダーに固定し、モリブデン製の抵抗加熱ボートに
［Eu(BFA)3］錯体を200mg入れ真空槽を１×10-4Paまで
減圧した。ここで、［Eu(BFA)3］は、PH4.5のEu硝酸塩
水溶液にBFAのシクロヘキサン溶液を加えることによっ
て合成する。［Eu(BFA)3］は、水溶液中よりシクロヘキ
サン溶液中に移行する性質を有するので、これにより抽
出することができる。抽出後、溶媒を減圧下除去し［Eu
(BFA)3］を得、これを精製した。
また、前記ボートを110℃まで加熱し、蒸着速度1.0nm
/secで膜厚1.5μｍの発光体薄膜を得た。このときの基
板温度は、室温であった。
/secで膜厚1.5μｍの発光体薄膜を得た。このときの基
板温度は、室温であった。
次いで、これを真空層より取り出し、発光体薄膜上に
ステンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホル
ダーに固定し、モリブデン製の抵抗加熱ボートに金20mg
を入れて真空槽を１×10-4Paまで減圧した。その後、ボ
ートを1400℃まで加熱し、100nmの膜厚で金電極を薄膜
上に形成し対向電極とした。
ステンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホル
ダーに固定し、モリブデン製の抵抗加熱ボートに金20mg
を入れて真空槽を１×10-4Paまで減圧した。その後、ボ
ートを1400℃まで加熱し、100nmの膜厚で金電極を薄膜
上に形成し対向電極とした。
この素子に直流電圧30Vを、金電極を正極とし、ITO電
極を負極として印加したところ、電流が10mA流れ、赤色
発光を得た。このときの発光極大波長は618nm、発光輝
度は80cd/m2であった。CIE色度座標はｘ＝0.65,y＝0.34
であり、鮮明な赤色であった。
極を負極として印加したところ、電流が10mA流れ、赤色
発光を得た。このときの発光極大波長は618nm、発光輝
度は80cd/m2であった。CIE色度座標はｘ＝0.65,y＝0.34
であり、鮮明な赤色であった。
実施例２ 実施例１と同様の加熱ボートに、［Tb(TTA)3(TOP
O)2］錯体を200mg入れ真空槽を１×10-4Paまで減圧し
た。ここで、［Tb(TTA)3(TOPO)2］は、塩化Tbの水溶液
をPH4.5に調整し、これに２×10-4mol/lのTOPO,5×10-4
mol/lのTTAのヘキサン溶液を加えて混合し、その後抽出
を行なった。さらに、溶媒を減圧下除去し、［Tb(TTA)3
(TOPO)2］を得、これを精製した。
O)2］錯体を200mg入れ真空槽を１×10-4Paまで減圧し
た。ここで、［Tb(TTA)3(TOPO)2］は、塩化Tbの水溶液
をPH4.5に調整し、これに２×10-4mol/lのTOPO,5×10-4
mol/lのTTAのヘキサン溶液を加えて混合し、その後抽出
を行なった。さらに、溶媒を減圧下除去し、［Tb(TTA)3
(TOPO)2］を得、これを精製した。
また、前記ボートを140℃まで加熱し、蒸着速度1.0nm
/secで膜厚1.2μｍの発光体薄膜を得た。このときの基
板温度は、室温であった。次いで、実施例１と同様に金
対向電極を形成し素子とした。
/secで膜厚1.2μｍの発光体薄膜を得た。このときの基
板温度は、室温であった。次いで、実施例１と同様に金
対向電極を形成し素子とした。
この素子に直流電圧20Vを印加したところ、電流が1.5
mA流れ、黄緑色発光を得た。このときの発光極大波長は
545nm、発光輝度は760cd/m2であった。CIE色度座標はｘ
＝0.34,y＝0.56であり、鮮明な黄緑色であった。
mA流れ、黄緑色発光を得た。このときの発光極大波長は
545nm、発光輝度は760cd/m2であった。CIE色度座標はｘ
＝0.34,y＝0.56であり、鮮明な黄緑色であった。
実施例３ 実施例１と同様の加熱ボートに、［Eu(TTA)3（Phe
n）］錯体を200mg入れ真空槽を１×10-4Paまで減圧し
た。ここで［Eu(TTA)3（Phen）］は、塩化Euの水溶液を
PH5.5に調整し、これにPhenをアセトンとベンゼンの1:1
混合溶液に溶かしたものを混合して抽出を行なった。さ
らに、溶媒を減圧下除去し［Eu(TTA)3（Phen）］を得、
これを精製した。
n）］錯体を200mg入れ真空槽を１×10-4Paまで減圧し
た。ここで［Eu(TTA)3（Phen）］は、塩化Euの水溶液を
PH5.5に調整し、これにPhenをアセトンとベンゼンの1:1
混合溶液に溶かしたものを混合して抽出を行なった。さ
らに、溶媒を減圧下除去し［Eu(TTA)3（Phen）］を得、
これを精製した。
また、前記ボートを140℃まで加熱し、蒸着速度1.0nm
/secで［Eu(TTA)3（Phen）］錯体を透明支持基板上に蒸
着し膜厚約1.2μｍの発光体薄膜を得た。このときの基
板温度は、室温であった。次いで、実施例１と同様に金
対向電極を形成し素子とした。
/secで［Eu(TTA)3（Phen）］錯体を透明支持基板上に蒸
着し膜厚約1.2μｍの発光体薄膜を得た。このときの基
板温度は、室温であった。次いで、実施例１と同様に金
対向電極を形成し素子とした。
この素子に直流電圧30Vを印加したところ、電流が2.4
mA流れ、赤色発光を得た。このときの発光極大波長は61
8nm、発光輝度は280cd/m2であった。CIE色度座標はｘ＝
0.65,y＝0.34であり、鮮明な赤色であった。
mA流れ、赤色発光を得た。このときの発光極大波長は61
8nm、発光輝度は280cd/m2であった。CIE色度座標はｘ＝
0.65,y＝0.34であり、鮮明な赤色であった。
実施例４ 実施例１と同様の加熱ボートに、［Sm(NTFA)3（Phe
n）］錯体を200mg入れ真空槽を１×10-4Paまで減圧し
た。ここで［Sm(NTFA)3（Phen）］は、塩化Smの水溶液
をPH5.5に調整し、これにPhenシクロヘキサン溶液を混
合して抽出を行なった。さらに、溶媒を減圧下除去し
［Sm(NTFA)3（Phen）］を得、これを精製した。
n）］錯体を200mg入れ真空槽を１×10-4Paまで減圧し
た。ここで［Sm(NTFA)3（Phen）］は、塩化Smの水溶液
をPH5.5に調整し、これにPhenシクロヘキサン溶液を混
合して抽出を行なった。さらに、溶媒を減圧下除去し
［Sm(NTFA)3（Phen）］を得、これを精製した。
また、前記ボートを160℃まで加熱し、蒸着速度1.0nm
/secで膜厚1.1μｍの発光体薄膜を得た。このときの基
板温度は、室温であった。次いで、実施例１と同様に金
対向電極を形成し素子とした。
/secで膜厚1.1μｍの発光体薄膜を得た。このときの基
板温度は、室温であった。次いで、実施例１と同様に金
対向電極を形成し素子とした。
この素子に直流電圧40Vを印加したところ、電流が37m
A流れ、赤色発光を得た。このときの発光極大波長は654
nm、発光輝度は170cd/m2であった。この結果、CIE色度
座標はｘ＝0.66,y＝0.34であり、鮮明な赤色であった。
A流れ、赤色発光を得た。このときの発光極大波長は654
nm、発光輝度は170cd/m2であった。この結果、CIE色度
座標はｘ＝0.66,y＝0.34であり、鮮明な赤色であった。
実施例５ 実施例１と同様の加熱ボートに、［Ce(TTA)3（Phe
n）］錯体を200mg入れ真空槽を１×10-4Paまで減圧し
た。ここで［Ce(TTA)3（Phen）］は、塩化Ceの水溶液を
PH4.5に調整し、これにPhenをアセトンとベンゼンの1:1
混合溶液に溶かしたものを混合して抽出を行なった。さ
らに、溶媒を減圧下除去し［Ce(TTA)3（Phen）］を得、
これを精製した。
n）］錯体を200mg入れ真空槽を１×10-4Paまで減圧し
た。ここで［Ce(TTA)3（Phen）］は、塩化Ceの水溶液を
PH4.5に調整し、これにPhenをアセトンとベンゼンの1:1
混合溶液に溶かしたものを混合して抽出を行なった。さ
らに、溶媒を減圧下除去し［Ce(TTA)3（Phen）］を得、
これを精製した。
また、前記ボートを145℃まで加熱し、蒸着速度1.0nm
/secで膜厚1.3μｍの発光体薄膜を得た。このときの基
板温度は、室温であった。次いで、実施例１と同様に金
対向電極を形成し素子とした。
/secで膜厚1.3μｍの発光体薄膜を得た。このときの基
板温度は、室温であった。次いで、実施例１と同様に金
対向電極を形成し素子とした。
この素子に直流電圧50Vを印加したところ、電流が58m
A流れ、青紫色発光を得た。このときの発光極大波長は4
00nm、発光輝度は89cd/m2であった。CIE色度座標はｘ＝
0.17,y＝0.02であり、鮮明な青紫色であった。
A流れ、青紫色発光を得た。このときの発光極大波長は4
00nm、発光輝度は89cd/m2であった。CIE色度座標はｘ＝
0.17,y＝0.02であり、鮮明な青紫色であった。
上記の結果、本発明の薄膜EL素子によれば、低電圧を
印加するだけで赤，青，緑の三原色を、高輝度かつ鋭い
スペクトルで彩度よく発光することが判明した。これに
より各種の色を鮮明に表わす薄膜EL素子からなるカラー
ディスプレイ等を実現できることが可能になった。ま
た、薄膜EL素子の製造も容易であり、生産性の向上を図
れることも判明した。
印加するだけで赤，青，緑の三原色を、高輝度かつ鋭い
スペクトルで彩度よく発光することが判明した。これに
より各種の色を鮮明に表わす薄膜EL素子からなるカラー
ディスプレイ等を実現できることが可能になった。ま
た、薄膜EL素子の製造も容易であり、生産性の向上を図
れることも判明した。
［発明の効果］ 以上のように本発明の薄膜EL素子によれば、低電圧を
印加するだけで、高輝度で鮮明な色を発光できる効果を
有する。
印加するだけで、高輝度で鮮明な色を発光できる効果を
有する。
第１図は本発明薄膜EL素子のうち、DC駆動型の一実施例
を示す概略構成図である。 1:基板、2:透明電極 3:背面電極、4:発光層
を示す概略構成図である。 1:基板、2:透明電極 3:背面電極、4:発光層
Claims (2)
- 【請求項１】式 で表わされる希土類錯体を発光材料として用いたことを
特徴とする薄膜EL素子。 上記式中、 R1およびR2は、それぞれ独立に炭素数１〜15のアルキル
基，ハロゲン化した炭素数１〜15のアルキル基，炭素原
子６〜14個のアリール基，ヘテロ原子１個を含む５員も
しくは６員の複素環式基の意味である。 R3は、水素原子または基R1と同じ意味である。 Ｚは、Ｍ（ここでＭは、希土類元素の意味である。） MA2（ここでＡは、ホスフィンオキシドであり、Ｍは
上記と同じ意味である。） MB（ここでＢは、フェナントロリンであり、Ｍは上記
と同じ意味である。） で表わされる部分である。 - 【請求項２】発光材料を二枚の電極で挟み、そのうち一
方の電極の外側に基板を設けたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の薄膜EL素子。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63084000A JP2505244B2 (ja) | 1988-04-07 | 1988-04-07 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63084000A JP2505244B2 (ja) | 1988-04-07 | 1988-04-07 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01256584A JPH01256584A (ja) | 1989-10-13 |
| JP2505244B2 true JP2505244B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=13818262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63084000A Expired - Fee Related JP2505244B2 (ja) | 1988-04-07 | 1988-04-07 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2505244B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6875523B2 (en) | 2001-07-05 | 2005-04-05 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoactive lanthanide complexes with phosphine oxides, phosphine oxide-sulfides, pyridine N-oxides, and phosphine oxide-pyridine N-oxides, and devices made with such complexes |
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| GB9826405D0 (en) | 1998-12-02 | 1999-01-27 | South Bank Univ Entpr Ltd | Method for forming films or layers |
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| GB9901971D0 (en) | 1999-02-01 | 1999-03-17 | South Bank Univ Entpr Ltd | Electroluminescent material |
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| WO2005073340A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-08-11 | Battelle Memorial Institute | Organic materials with tunable electric and electroluminescent properties |
| WO2005105951A1 (en) * | 2004-05-04 | 2005-11-10 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Electroluminescent compounds containing exciton conducting compound |
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| CN106115502B (zh) * | 2016-06-24 | 2017-12-19 | 国家电网公司 | 断路器的专用吊装工具 |
-
1988
- 1988-04-07 JP JP63084000A patent/JP2505244B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6875523B2 (en) | 2001-07-05 | 2005-04-05 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoactive lanthanide complexes with phosphine oxides, phosphine oxide-sulfides, pyridine N-oxides, and phosphine oxide-pyridine N-oxides, and devices made with such complexes |
| US7063903B2 (en) | 2001-07-05 | 2006-06-20 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoactive lanthanide complexes with phosphine oxides, phosphine oxide-sulfides, pyridine N-oxides, and phosphine oxide-pyridine N-oxides, and devices made with such complexes |
| US7074505B2 (en) | 2001-07-05 | 2006-07-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoactive lanthanide complexes with phosphine oxides, phosphine oxide-sulfides, pyridine N-oxides, and phosphine oxide-pyridine N-oxides, and devices made with such complexes |
| US7074504B2 (en) | 2001-07-05 | 2006-07-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoactive lanthanide complexes with phosphine oxides, phosphine oxides-sulfides, pyridine N-oxides, and phosphine oxide-pyridine N-oxides, and devices made with such complexes |
| US7087323B2 (en) | 2001-07-05 | 2006-08-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoactive lanthanide complexes with phosphine oxides, phosphine oxide-sulfides, pyridine N-oxides, and phosphine oxide-pyridine N-oxides, and devices made with such complexes |
| US7090931B2 (en) | 2001-07-05 | 2006-08-15 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Photoactive lanthanide complexes with phosphine oxides, phosphine oxide-sulfides, pyridine N-oxides, and phosphine oxide-pyridine N-oxides, and devices made with such complexes |
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|---|---|
| JPH01256584A (ja) | 1989-10-13 |
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