JP2672325B2 - 薄膜ｅｌ素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子Info
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- JP2672325B2 JP2672325B2 JP63109898A JP10989888A JP2672325B2 JP 2672325 B2 JP2672325 B2 JP 2672325B2 JP 63109898 A JP63109898 A JP 63109898A JP 10989888 A JP10989888 A JP 10989888A JP 2672325 B2 JP2672325 B2 JP 2672325B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は正孔注入層および発光層を有するEL素子であ
って、低い印加電圧で、高輝度かつ高彩度な色彩の発光
を得られる薄膜EL（エレクトロルミネッセンス）素子に
関する。
って、低い印加電圧で、高輝度かつ高彩度な色彩の発光
を得られる薄膜EL（エレクトロルミネッセンス）素子に
関する。
［従来技術と解決すべき問題点］ EL素子は、自己発光のため視認性が高く、また完全固
体素子であるため耐衝撃性に優れるという特徴を有して
おり、現在、無機蛍光体であるZnS:Mnを用いたEL素子が
広く使用れている。しかしながら、このような無機EL素
子は、発光させるための印加電圧が200V近く必要なた
め、駆動方法が複雑である。
体素子であるため耐衝撃性に優れるという特徴を有して
おり、現在、無機蛍光体であるZnS:Mnを用いたEL素子が
広く使用れている。しかしながら、このような無機EL素
子は、発光させるための印加電圧が200V近く必要なた
め、駆動方法が複雑である。
一方、有機薄膜EL素子は、印加電圧を大幅に低下させ
ることができるため、各種材料を用いたものが開発され
つつある。既にヴィンセットらは、アントラセンを発光
体とし、膜厚を約0.6μｍとした蒸着膜を用いてEL素子
を作製し、印加電圧30Vにて青色の明所可視発光を得て
いる（Thin Solid Films,94（1982）17I）。しかし、こ
の素子は輝度が不十分であり、印加電圧も依然として高
くしなければならないという問題がある。
ることができるため、各種材料を用いたものが開発され
つつある。既にヴィンセットらは、アントラセンを発光
体とし、膜厚を約0.6μｍとした蒸着膜を用いてEL素子
を作製し、印加電圧30Vにて青色の明所可視発光を得て
いる（Thin Solid Films,94（1982）17I）。しかし、こ
の素子は輝度が不十分であり、印加電圧も依然として高
くしなければならないという問題がある。
また近年に至っては、10V程度の低電圧を印加するだ
けで５〜90cd/m2の輝度の発光を示す有機EL素子が、LB
法（ラングミュア・プロジェット法）を用いた薄膜にて
作製されている（例えば、特開昭61−43682号）。しか
しながら、この有機EL素子は、LB法による単分子膜の累
積によて電子受容性と電子供与性の発光性物質の積層膜
を作製するため、構成が複雑であるとともに、製造が煩
雑であり、実用性に欠けるという問題がある。
けで５〜90cd/m2の輝度の発光を示す有機EL素子が、LB
法（ラングミュア・プロジェット法）を用いた薄膜にて
作製されている（例えば、特開昭61−43682号）。しか
しながら、この有機EL素子は、LB法による単分子膜の累
積によて電子受容性と電子供与性の発光性物質の積層膜
を作製するため、構成が複雑であるとともに、製造が煩
雑であり、実用性に欠けるという問題がある。
そこで、これらの問題を解決すべく、構造が簡単で、
しかも25V以下の低電圧印加で高輝度を発現する電極／
正孔注入層／発光層／電極とした積層型のものが開発さ
れ、例えば、特開昭59−194393号、Appl.Phys.Lett.51
（12）,21Sep.1987において紹介されている。このう
ち、Appl.Phys.Lett.51（12）に記載の、８−ヒドロキ
シキノリンのアルミニウム錯体を発光材料とし、ジアミ
ン系化合物を正孔注入材料としたEL素子は、10V以下の
印加電圧で1000cd/m2の輝度を得られる優れたものであ
る。
しかも25V以下の低電圧印加で高輝度を発現する電極／
正孔注入層／発光層／電極とした積層型のものが開発さ
れ、例えば、特開昭59−194393号、Appl.Phys.Lett.51
（12）,21Sep.1987において紹介されている。このう
ち、Appl.Phys.Lett.51（12）に記載の、８−ヒドロキ
シキノリンのアルミニウム錯体を発光材料とし、ジアミ
ン系化合物を正孔注入材料としたEL素子は、10V以下の
印加電圧で1000cd/m2の輝度を得られる優れたものであ
る。
しかしながら、これら電極／正孔注入層／発光層／電
極とした積層型の薄膜EL素子は、発光スペクトルな幅が
広いため、色の鮮やかさ（彩度）に劣り、単一の青，
緑，赤といった三原色を忠実に表現しにくいという問題
があった。
極とした積層型の薄膜EL素子は、発光スペクトルな幅が
広いため、色の鮮やかさ（彩度）に劣り、単一の青，
緑，赤といった三原色を忠実に表現しにくいという問題
があった。
なお、発光層二層構造とし、その発光性有機化合物と
して希土類錯体等を用い、低電圧でも十分輝度の高い発
光を得られるEL素子も開発されている（例えば、特開昭
61−37887号）。しかし、この薄膜EL素子は、電極／正
孔注入層／発光層／電極を有する積層型のものではな
く、また、このような積層型EL素子に希土類錯体を発光
材料として用いた場合に、素子の発光する色の彩度に関
する改善についてはなんら開示がない。
して希土類錯体等を用い、低電圧でも十分輝度の高い発
光を得られるEL素子も開発されている（例えば、特開昭
61−37887号）。しかし、この薄膜EL素子は、電極／正
孔注入層／発光層／電極を有する積層型のものではな
く、また、このような積層型EL素子に希土類錯体を発光
材料として用いた場合に、素子の発光する色の彩度に関
する改善についてはなんら開示がない。
本発明は上記事情にかんがみてなされたもので、正孔
注入層と発光層を有する積層型のEL素子であって、低電
圧印加により、高輝度かつ鋭いスペクトルを示し鮮明な
色を発光する薄膜EL素子の提供を目的とする。
注入層と発光層を有する積層型のEL素子であって、低電
圧印加により、高輝度かつ鋭いスペクトルを示し鮮明な
色を発光する薄膜EL素子の提供を目的とする。
［問題点の解決手段］ 本発明者は、上記目的を達成するために、鋭意研究を
続けてきた結果、積層型のEL素子の正孔注入層に正孔伝
達化合物を用いるとともに、発光層の発光材料に蛍光性
の希土類錯体を用いると、素子の発光する色の彩度に大
きな影響を与えることを知見し、本発明を完成するに至
った。すなわち、本発明の薄膜EL素子は、二つの電極間
に、正孔注入層および発光層を積層して挟持したEL素子
において、前記正孔注入層が、104〜106ボルト/cmの電
場を与えた二つの電極間に配置された場合、少なくとも
10-6cm2/V−secの正孔移動係数を有する正孔伝達化合物
からなるとともに、前記発光層の発光材料が蛍光性の希
土類錯体からなり、かつ二つの電極間に電圧を印加した
時に発光層の発光材料だけが電気的に励起されることを
特徴とする。
続けてきた結果、積層型のEL素子の正孔注入層に正孔伝
達化合物を用いるとともに、発光層の発光材料に蛍光性
の希土類錯体を用いると、素子の発光する色の彩度に大
きな影響を与えることを知見し、本発明を完成するに至
った。すなわち、本発明の薄膜EL素子は、二つの電極間
に、正孔注入層および発光層を積層して挟持したEL素子
において、前記正孔注入層が、104〜106ボルト/cmの電
場を与えた二つの電極間に配置された場合、少なくとも
10-6cm2/V−secの正孔移動係数を有する正孔伝達化合物
からなるとともに、前記発光層の発光材料が蛍光性の希
土類錯体からなり、かつ二つの電極間に電圧を印加した
時に発光層の発光材料だけが電気的に励起されることを
特徴とする。
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の薄膜EL素子は、AC（交流）駆動型およびDC
（直流）駆動型のいずれにも用いることができるが、以
下の説明は第１図を参照しつつDC駆動型について行な
う。
（直流）駆動型のいずれにも用いることができるが、以
下の説明は第１図を参照しつつDC駆動型について行な
う。
第１図において、１は基板であり、ガラス，プラスチ
ックあるいは石英等によって形成してある。２および３
は正孔注入層４と発光層５を挟む電極であり、このう
ち、一方の電極２は、基板１上に形成され、ITO（イン
ジウムチンオキサイド）,SnO2（酸化第二錫）,ZnO（酸
化亜鉛）等により透明または半透明の電極としてある。
この電極２は、通常50mm〜１μｍの膜厚とし、透明性の
点からすると、50〜200nmとすることが好ましい。ま
た、他方の電極３は背面（対向）電極として機能してお
り、金，アルミニウム，マグネシウム，インジウム等の
金属を用いている。この背面電極３は、通常50〜200nm
の膜厚とする。
ックあるいは石英等によって形成してある。２および３
は正孔注入層４と発光層５を挟む電極であり、このう
ち、一方の電極２は、基板１上に形成され、ITO（イン
ジウムチンオキサイド）,SnO2（酸化第二錫）,ZnO（酸
化亜鉛）等により透明または半透明の電極としてある。
この電極２は、通常50mm〜１μｍの膜厚とし、透明性の
点からすると、50〜200nmとすることが好ましい。ま
た、他方の電極３は背面（対向）電極として機能してお
り、金，アルミニウム，マグネシウム，インジウム等の
金属を用いている。この背面電極３は、通常50〜200nm
の膜厚とする。
なお、薄膜EL素子のタイプによっては、基板１側の電
極２を金属の背面電極とし、他の電極３を透明または半
透明の電極とすることも可能である。
極２を金属の背面電極とし、他の電極３を透明または半
透明の電極とすることも可能である。
正孔注入層４は、正孔伝達化合物からなり、電極（陽
極）２より注入された正孔発光層に伝達する機能を有し
たものを用いる。この正孔伝達化合物としては、104〜1
06ボルト/cmの電場を与えた電極間に層が配置された場
合、少なくとも10-6cm2/V−secの正孔移動係数を有する
化合物を用いる。好ましいのは芳香族系アミン化合物で
ある。
極）２より注入された正孔発光層に伝達する機能を有し
たものを用いる。この正孔伝達化合物としては、104〜1
06ボルト/cmの電場を与えた電極間に層が配置された場
合、少なくとも10-6cm2/V−secの正孔移動係数を有する
化合物を用いる。好ましいのは芳香族系アミン化合物で
ある。
また、正孔伝達化合物の好ましい例には、室温で固体
であって、かつ少なくとも一個の窒素原子が置換基でト
リ置換されたアミン化合物を含む。この場合、トリ置換
されたもののうち、少なくとも一個はアリール基または
置換アリール基である。
であって、かつ少なくとも一個の窒素原子が置換基でト
リ置換されたアミン化合物を含む。この場合、トリ置換
されたもののうち、少なくとも一個はアリール基または
置換アリール基である。
アリール基上の有用な置換基の例には、１〜５個の炭
素原子をもつアルキル基、例えばメチル基，エチル基，
プロピル基，ブチル基およびアミル基；ハロゲン原子、
例えば塩素原子およびフッ素原子；ならびに１〜５個の
炭素原子を有するアルコキシ基、例えばメトキシ基，エ
トキシ基，プロポキシ基，ブチル基およびアミル基であ
る。
素原子をもつアルキル基、例えばメチル基，エチル基，
プロピル基，ブチル基およびアミル基；ハロゲン原子、
例えば塩素原子およびフッ素原子；ならびに１〜５個の
炭素原子を有するアルコキシ基、例えばメトキシ基，エ
トキシ基，プロポキシ基，ブチル基およびアミル基であ
る。
なお、本発明においては、正孔伝達化合物を薄膜状に
する必要があるが、薄膜化した正孔伝達化合物には、次
式に示す構造のものが含まれる。
する必要があるが、薄膜化した正孔伝達化合物には、次
式に示す構造のものが含まれる。
式 上記式中Q1およびQ2は、別個に窒素原子および少なく
とも３個の炭素環（それらのうち少なくとも１個は芳香
族のもの、例えばフェニル基である。）を含有する基で
ある。炭素環は飽和された環、例えばシクロヘキシル基
およびシクロヘプチル基であってもよい。
とも３個の炭素環（それらのうち少なくとも１個は芳香
族のもの、例えばフェニル基である。）を含有する基で
ある。炭素環は飽和された環、例えばシクロヘキシル基
およびシクロヘプチル基であってもよい。
また、Ｇは連結基、例えばシクロアルキレン基、例え
ばシクロヘキシレン基、アリーレン基、例えばフェニレ
ン基、アルキレン基、例えばプロピレン基；あるいはＣ
−Ｃ結合である。上記構造式の範囲内の個々の例には、
特に下記のものが含まれる。
ばシクロヘキシレン基、アリーレン基、例えばフェニレ
ン基、アルキレン基、例えばプロピレン基；あるいはＣ
−Ｃ結合である。上記構造式の範囲内の個々の例には、
特に下記のものが含まれる。
次式に示す構造を持つ1,1−ビス（４−ジ−ｐ−トリル
アミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサン； ｉ） 次式に示す構造をもつ1,1−ビス（４−ジ−ｐ−トリル
アミノフェニル）シクロヘキサン； ii） 1,1−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフエニル）シク
ロヘキサン；および次式に示す構造をもつ化合物 iii） （上記式中は、ｎは２〜４の整数である）。例えば4,4
−ビス（ジフェニルアミノ）クワドリフェニル。
アミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサン； ｉ） 次式に示す構造をもつ1,1−ビス（４−ジ−ｐ−トリル
アミノフェニル）シクロヘキサン； ii） 1,1−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフエニル）シク
ロヘキサン；および次式に示す構造をもつ化合物 iii） （上記式中は、ｎは２〜４の整数である）。例えば4,4
−ビス（ジフェニルアミノ）クワドリフェニル。
例えば、ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフエ
ニル）フェニルメタンおよびN,N,N−トリ（ｐ−トリ
ル）アミンが含まれている。
ニル）フェニルメタンおよびN,N,N−トリ（ｐ−トリ
ル）アミンが含まれている。
また、発光層５の発光材料には蛍光性の希土類錯体を
用いる。
用いる。
本発明においては、両電極間に電圧が印加された場合
に、この発光層の発光材料だけが電気的に励起する。こ
こで、電気的に励起するとは、両電極間に電圧が印加さ
れた場合、発光層で電子と正孔とが結合し、励起状態が
つくり出されることを意味する。また、発光層の発光材
料だけが電気的に励起されるとは、両電極間に電圧が印
加された場合に、発光層に含有される蛍光性の希土類錯
体だけが最終的に励起状態となることを意味する。従っ
て、両電極間に同時に挟持された前述の正孔移動係数を
有する化合物からなる正孔注入層は、電気的に励起され
ないので発光効率が向上する。
に、この発光層の発光材料だけが電気的に励起する。こ
こで、電気的に励起するとは、両電極間に電圧が印加さ
れた場合、発光層で電子と正孔とが結合し、励起状態が
つくり出されることを意味する。また、発光層の発光材
料だけが電気的に励起されるとは、両電極間に電圧が印
加された場合に、発光層に含有される蛍光性の希土類錯
体だけが最終的に励起状態となることを意味する。従っ
て、両電極間に同時に挟持された前述の正孔移動係数を
有する化合物からなる正孔注入層は、電気的に励起され
ないので発光効率が向上する。
このうち、R1およびR2は、それぞれ独立に、 炭素数１〜15のアルキル基、例えば、メチル基，エチ
ル基，プロピル基，ブチル基,i−プロピル基,t−ブチル
基,i−ブチル基,s−ブチル基，オクチル基あるいは，ノ
ニル基等である。
ル基，プロピル基，ブチル基,i−プロピル基,t−ブチル
基,i−ブチル基,s−ブチル基，オクチル基あるいは，ノ
ニル基等である。
ハロゲン化した炭素数１〜15のアルキル基（ここでハ
ロゲンとは、塩素，フッ素，臭素等である。）、例え
ば、トリフルオロメチル基、ペプタフルオロプロピル
基，トリクロロメチル基、トリブルモメチル基，ジクロ
ロメチル基，クロロメチル基，ジフルオロメチル基，フ
ルオロメチル基，ジブロモメチル基あるいは，ブロモメ
チル基等である。
ロゲンとは、塩素，フッ素，臭素等である。）、例え
ば、トリフルオロメチル基、ペプタフルオロプロピル
基，トリクロロメチル基、トリブルモメチル基，ジクロ
ロメチル基，クロロメチル基，ジフルオロメチル基，フ
ルオロメチル基，ジブロモメチル基あるいは，ブロモメ
チル基等である。
炭素原子６〜14個のアリール基、例えば、フェニル
基，ナフチル基，トリル基，キシリル基あるいは，アン
トリル基等である。
基，ナフチル基，トリル基，キシリル基あるいは，アン
トリル基等である。
ヘテロ原子、例えば窒素，酸素または硫黄１個を含む
５員もしくは６員の複素環式基、例えば、ピロリル基，
フリル基，チエニル基または，ピリジル基等であり、 R3は水素または基R1と同じ意味である。
５員もしくは６員の複素環式基、例えば、ピロリル基，
フリル基，チエニル基または，ピリジル基等であり、 R3は水素または基R1と同じ意味である。
さらにＭは、希土類元素であり、Ce（セリウム）,Tb
（テルビウム）,Sm（サマリウム）,Eu（ユウロピウ
ム）,Ho（ホロミウム）,Pr（プラセオジム）,Gd（ガド
リウム）,Er（エルビウム）,Tm（ツリウム）等がある。
（テルビウム）,Sm（サマリウム）,Eu（ユウロピウ
ム）,Ho（ホロミウム）,Pr（プラセオジム）,Gd（ガド
リウム）,Er（エルビウム）,Tm（ツリウム）等がある。
本例における希土類錯体としては、例えばEuとBFA
（ベンゾイルトリフルオロアセトン）からなる［Eu（BF
A）３］を挙げられる。これを構造式で示すと、 として表わされる。
（ベンゾイルトリフルオロアセトン）からなる［Eu（BF
A）３］を挙げられる。これを構造式で示すと、 として表わされる。
このうち、R1,R2,R3,Mは上記と同じ意味である。ま
た、TOPOはトリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシドであ
る。
た、TOPOはトリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシドであ
る。
本例における希土類錯体としては、例えば、TbとTTA
（テノイルリフルオロアセトン）とTOPO（トリ−ｎ−オ
クチルホスフィンオキシド）からなる［Tb（TTA）３（T
OPO）２］を挙げられる。
（テノイルリフルオロアセトン）とTOPO（トリ−ｎ−オ
クチルホスフィンオキシド）からなる［Tb（TTA）３（T
OPO）２］を挙げられる。
これを構造式で示すと、 として表わされる。
ここで、R1,R2,R3,Mは上記と同じ意味である。
本例における希土類錯体としては、EuとTTAとPhen
（フェナントロリン）からなる［Eu（TTA）３（Phe
n）］、SmとNTFA（２−ナフトイルトリフルオロアセト
ン）とPhenからなる［Sm（NTFA）３（Phen）］およびCe
とTTAとPhenからなる［Ce（TTA）３（Phen）］等が挙げ
られる。
（フェナントロリン）からなる［Eu（TTA）３（Phe
n）］、SmとNTFA（２−ナフトイルトリフルオロアセト
ン）とPhenからなる［Sm（NTFA）３（Phen）］およびCe
とTTAとPhenからなる［Ce（TTA）３（Phen）］等が挙げ
られる。
［Ce（TTA）３（Phen）］を構造式で示すと、 として表わされる。
上記〜における希土類を具体的に例示すれば、次
の（１−１）〜（６−６）で表わすことができる。
の（１−１）〜（６−６）で表わすことができる。
ここで、Ｍは希土類元素を表わし、上記（１−１）〜
（６−６）には、1,10−フェナントロリン，トリオクチ
ルホスフィンオキシドを付加することもできる。
（６−６）には、1,10−フェナントロリン，トリオクチ
ルホスフィンオキシドを付加することもできる。
さらに、希土類錯体の他の好ましい例として、次のも
のが挙げられる。
のが挙げられる。
の構造式で表わされるトリスビピリジン希土類錯塩。
このうち、Ｍは希土類の３価イオンである。Ａはアニ
オンで、例えば、過塩素酸イオン，六フッ化リンイオ
ン，フッ化ホウ酸イオン，ヨウ素イオン，臭素イオン，
塩素イオン，酢酸イオンである。
オンで、例えば、過塩素酸イオン，六フッ化リンイオ
ン，フッ化ホウ酸イオン，ヨウ素イオン，臭素イオン，
塩素イオン，酢酸イオンである。
このうち、Ｍは希土類の３価イオンで、例えばテルビ
ウムイオンである。Ａはアニオンで、を列挙したもの
と同様である。
ウムイオンである。Ａはアニオンで、を列挙したもの
と同様である。
の構造式で表されるビスピリジン希土類錯塩。
このうちＭは、希土類元素である。
の構造式で表されるビピリジン希土類錯塩。
このうちＭは、希土類元素である。
上記のような構成からなる薄膜EL素子は、次のような
手順で作成する。
手順で作成する。
まず、基板１上に透明電極２を蒸着法あるいはスパッ
タ法などで薄膜形成する。次いで、この透明電極２の上
面に正孔伝達化合物を薄膜化してなる正孔注入層４を形
成する。このときの薄膜化は、蒸着法により、次の条件
で行なう。
タ法などで薄膜形成する。次いで、この透明電極２の上
面に正孔伝達化合物を薄膜化してなる正孔注入層４を形
成する。このときの薄膜化は、蒸着法により、次の条件
で行なう。
（蒸着条件） ボート加熱条件:50〜400℃ 真空度 :10-5〜10-3Pa 蒸着速度:0.1〜50nm/sec 基板温度：−50〜200℃ 膜 厚 :100〜５μｍ 次に、正孔注入層４の上面の発光材料を薄膜化してな
る発光層５を形成する。このときの薄膜化は、スピンコ
ート法，キャスト法,LB法あるいは蒸着法などにより行
ない、膜の均一性およびピンホールの除去等の点からす
ると、蒸着法を用い製膜することが好ましい。
る発光層５を形成する。このときの薄膜化は、スピンコ
ート法，キャスト法,LB法あるいは蒸着法などにより行
ない、膜の均一性およびピンホールの除去等の点からす
ると、蒸着法を用い製膜することが好ましい。
正孔注入層４と発光層５の形成順序は、上記と逆に発
光層５を蒸着形成し、その後正孔注入層４を蒸着形成す
ることも可能である。このようにして形成した薄膜素子
EL素子は、電極2/発光層5/正孔注入層4/電極３の順で積
層した構造となる。
光層５を蒸着形成し、その後正孔注入層４を蒸着形成す
ることも可能である。このようにして形成した薄膜素子
EL素子は、電極2/発光層5/正孔注入層4/電極３の順で積
層した構造となる。
その後、発光層５または正孔注入層４の上面に、背面
電極３を蒸着法あるいはスパッタ法などで薄膜形成す
る。
電極３を蒸着法あるいはスパッタ法などで薄膜形成す
る。
（実施例１） 25mm×75mm×1.1mmのガラス基板上に、ITOを蒸着法に
て50nmの厚さで製膜したものを透明支持基板とし、この
透明支持基板装置（日本真空技術（株）製）の基板ホル
ダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートに［Eu（TT
A）３（Phen）］を200mg入れ、別のボートにN,N,N′,
N′−テトラフェニルー（1,1′−ビフェニル）４、４′
−ジアミン（TPD）を入れ、真空層を１×10-4Paまで減
圧した。
て50nmの厚さで製膜したものを透明支持基板とし、この
透明支持基板装置（日本真空技術（株）製）の基板ホル
ダーに固定しモリブデン製の抵抗加熱ボートに［Eu（TT
A）３（Phen）］を200mg入れ、別のボートにN,N,N′,
N′−テトラフェニルー（1,1′−ビフェニル）４、４′
−ジアミン（TPD）を入れ、真空層を１×10-4Paまで減
圧した。
ここで、［Eu（TTA）３（Phen）］は、塩化Euの水溶
液をPH5.5に調整し、これにTTAと、Phenをアセトンとベ
ンゼンの1:1混合溶液に溶かしたものを混合して抽出を
行なった。さらに、溶媒を減圧下除去し［Eu（TTA）３
（Phen）］を得、これを精製した。
液をPH5.5に調整し、これにTTAと、Phenをアセトンとベ
ンゼンの1:1混合溶液に溶かしたものを混合して抽出を
行なった。さらに、溶媒を減圧下除去し［Eu（TTA）３
（Phen）］を得、これを精製した。
また、前記抵抗加熱ボートを摂氏140度まで加熱し、
前記の錯体を蒸着速度1.0オングストローム/secで透明
支持基板上に蒸着し、膜厚1000オングストロームの発光
体薄膜を得た。このとき基板温度は室温であった。さら
に、別のボートを摂氏210度まで加熱しTPDを蒸着速度1.
0オングストローム/secで蒸着し、発光体薄膜上に膜厚5
00オングストロームを正孔注入層を形成した。このとき
の基板温度は室温であった。
前記の錯体を蒸着速度1.0オングストローム/secで透明
支持基板上に蒸着し、膜厚1000オングストロームの発光
体薄膜を得た。このとき基板温度は室温であった。さら
に、別のボートを摂氏210度まで加熱しTPDを蒸着速度1.
0オングストローム/secで蒸着し、発光体薄膜上に膜厚5
00オングストロームを正孔注入層を形成した。このとき
の基板温度は室温であった。
これを真空層より取り出し薄膜上にステンレススチー
ル製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定しモリ
ブデン製の抵抗加熱ボートに金2gを入れて、真空層２×
10-4Paまで減圧した。その後ボートを摂氏1400度まで加
熱し100nmの膜厚で金電極を発光体薄膜上に形成し、対
向電極とした。この素子に金電極を正極、ITO電極を負
極とし直流22Vを印加したところ電流が1.5mA流れ赤色の
発光を得た。
ル製のマスクを設置し、再び基板ホルダーに固定しモリ
ブデン製の抵抗加熱ボートに金2gを入れて、真空層２×
10-4Paまで減圧した。その後ボートを摂氏1400度まで加
熱し100nmの膜厚で金電極を発光体薄膜上に形成し、対
向電極とした。この素子に金電極を正極、ITO電極を負
極とし直流22Vを印加したところ電流が1.5mA流れ赤色の
発光を得た。
このときの発光極大波長は618nm、発光輝度は436cd/m
2であった。CIE色度座標はｘ＝0.65,y＝0.34であり鮮明
な赤色であった。
2であった。CIE色度座標はｘ＝0.65,y＝0.34であり鮮明
な赤色であった。
（実施例２） 実施例１と同様にEL素子を作製した。ただし、発光体
薄膜材料は、Sm［NFTA）３）（Phen）］を用いた、 ここで［Sm（NTFA）３）（Phen）］は、塩化Smの水溶
液をPH5.5に調整し、これにTFTAト、Phenをシクロヘキ
サン溶液に溶かしたものを混合して抽出を行なった。さ
らに、溶媒を減圧下除去し［Sm（NTFA）３（Phen）］を
得、これを精製した。
薄膜材料は、Sm［NFTA）３）（Phen）］を用いた、 ここで［Sm（NTFA）３）（Phen）］は、塩化Smの水溶
液をPH5.5に調整し、これにTFTAト、Phenをシクロヘキ
サン溶液に溶かしたものを混合して抽出を行なった。さ
らに、溶媒を減圧下除去し［Sm（NTFA）３（Phen）］を
得、これを精製した。
また、蒸着の際、ボートを摂氏160度まで加熱した。
この素子に直流電圧31Vを印加したところ電流が25mA流
れ赤色の発光を得た。
この素子に直流電圧31Vを印加したところ電流が25mA流
れ赤色の発光を得た。
このときの発光極大波長は654nm、発光輝度は200cd/m
2であった。CIE色度座標は、ｘ＝0.66,y＝0.323であり
鮮明な赤色であった。
2であった。CIE色度座標は、ｘ＝0.66,y＝0.323であり
鮮明な赤色であった。
（実施例３） 実施例１と同様にEL素子を作製した。
ただし、発光体薄膜材料は、［Tb（TTA）３（TOPO）
２］を用いた。
２］を用いた。
ここで［Tb（TTA）３（TOPO）２］は、塩化Tbの水溶
液をPH4.5に調整し、これに２×10-4mol/のTOPO,5×1
0-4mol/のTTAのヘキサン溶液を加えて混合し、その後
抽出を行なった。さらに、溶媒を減圧下除去し、［Tb
（TTA）３（TOPO）２］を得、これを精製した。
液をPH4.5に調整し、これに２×10-4mol/のTOPO,5×1
0-4mol/のTTAのヘキサン溶液を加えて混合し、その後
抽出を行なった。さらに、溶媒を減圧下除去し、［Tb
（TTA）３（TOPO）２］を得、これを精製した。
また、蒸着の際、ボートを摂氏140度まで加熱し、薄
膜700オングストロームの発光体薄膜を形成した。この
素子に直流電圧13Vを印加したところ電流が1.5mA流れ黄
緑色の発光を得た。このときの発光極大波長は545nm、
発光輝度は985cd/m2であった。CIE色度座標はｘ＝0.34,
y＝0.56であり鮮明な黄緑色であった。
膜700オングストロームの発光体薄膜を形成した。この
素子に直流電圧13Vを印加したところ電流が1.5mA流れ黄
緑色の発光を得た。このときの発光極大波長は545nm、
発光輝度は985cd/m2であった。CIE色度座標はｘ＝0.34,
y＝0.56であり鮮明な黄緑色であった。
（実施例４） 実施例１と同様にEL素子を作製した。ただし、発光体
薄膜材料は［Ce（TTA3）Phen］を用いた。
薄膜材料は［Ce（TTA3）Phen］を用いた。
ここで［Ce（TTA）３（Phen）］は、塩化Ceの水溶液
をPH4.5に調整し、これにTTAと、Phenとアセトンとベン
ゼンの1:1混合溶液に溶かしたものを混合して抽出を行
なった。さらに、溶媒を減圧下除去し［Ce（TTA）３（P
hen）］を得、これを精製した。
をPH4.5に調整し、これにTTAと、Phenとアセトンとベン
ゼンの1:1混合溶液に溶かしたものを混合して抽出を行
なった。さらに、溶媒を減圧下除去し［Ce（TTA）３（P
hen）］を得、これを精製した。
また、蒸着の際、ボートを摂氏145度まで加熱し、薄
膜600オングストロームの発光体薄膜を形成した。この
素子に直流電圧34Vを印加したところ電流が40mA流れ青
紫色の発光を得た。
膜600オングストロームの発光体薄膜を形成した。この
素子に直流電圧34Vを印加したところ電流が40mA流れ青
紫色の発光を得た。
このときの発光極大波長は400nm、発光輝度は180cd/m
2であった。CIE色度座標はｘ＝0.17,y＝0.02であり鮮明
な青紫色であった。
2であった。CIE色度座標はｘ＝0.17,y＝0.02であり鮮明
な青紫色であった。
［発明の効果］ 以上のように本発明の薄膜EL素子によれば、低電圧を
印加するだけで、高輝度かつ高彩度な色を発光するとが
できる。
印加するだけで、高輝度かつ高彩度な色を発光するとが
できる。
第１図は本発明薄膜EL素子のうち、DC駆動型の一実施例
を示す概略構成図である。 1:基板、2:透明電極 3:背面電極、4:正孔注入層、5:発光層
を示す概略構成図である。 1:基板、2:透明電極 3:背面電極、4:正孔注入層、5:発光層
Claims (1)
- 【請求項１】二つの電極間に、正孔注入層および発光層
を積層して挟持したEL素子において、前記正孔注入層
が、104〜106ボルト/cmの電場を与えた二つの電極間に
配置された場合、少なくとも10-6cm2/V−secの正孔移動
係数を有する正孔伝達化合物からなるとともに、前記発
光層の発光材料が蛍光性の希土類錯体からなり、かつ二
つの電極間に電圧を印加した時に発光層の発光材料だけ
が電気的に励起されることを特徴とする薄膜EL素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63109898A JP2672325B2 (ja) | 1988-05-07 | 1988-05-07 | 薄膜ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63109898A JP2672325B2 (ja) | 1988-05-07 | 1988-05-07 | 薄膜ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01282291A JPH01282291A (ja) | 1989-11-14 |
| JP2672325B2 true JP2672325B2 (ja) | 1997-11-05 |
Family
ID=14521958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63109898A Expired - Fee Related JP2672325B2 (ja) | 1988-05-07 | 1988-05-07 | 薄膜ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2672325B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9823761D0 (en) * | 1998-11-02 | 1998-12-23 | South Bank Univ Entpr Ltd | Novel electroluminescent materials |
| GB9826407D0 (en) | 1998-12-02 | 1999-01-27 | South Bank Univ Entpr Ltd | Novel electroluminescent materials |
| GB9826405D0 (en) | 1998-12-02 | 1999-01-27 | South Bank Univ Entpr Ltd | Method for forming films or layers |
| GB9901971D0 (en) | 1999-02-01 | 1999-03-17 | South Bank Univ Entpr Ltd | Electroluminescent material |
| US7001536B2 (en) | 1999-03-23 | 2006-02-21 | The Trustees Of Princeton University | Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs |
| GB0109755D0 (en) | 2001-04-20 | 2001-06-13 | Elam T Ltd | Devices incorporating mixed metal organic complexes |
| TWI303533B (en) | 2001-06-15 | 2008-11-21 | Oled T Ltd | Electroluminescent devices |
| GB0116644D0 (en) | 2001-07-09 | 2001-08-29 | Elam T Ltd | Electroluminescent materials and devices |
| CN1313565C (zh) * | 2004-07-23 | 2007-05-02 | 北京化工大学 | 稀土/高分子复合发光材料及其制备方法 |
| JP6485799B2 (ja) * | 2014-10-03 | 2019-03-20 | 国立大学法人山口大学 | 三光子励起により発光する発光性組成物 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4539507A (en) * | 1983-03-25 | 1985-09-03 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies |
| JPS6137887A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-22 | Canon Inc | Ｅｌ素子 |
-
1988
- 1988-05-07 JP JP63109898A patent/JP2672325B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01282291A (ja) | 1989-11-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |