WO2005103180A1

WO2005103180A1 - 接着シート、半導体装置、及び半導体装置の製造方法

Info

Publication number: WO2005103180A1
Application number: PCT/JP2005/007529
Authority: WO
Inventors: Teiichi Inada; Michio Mashino; Michio Uruno; Tetsuro Iwakura
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd
Current assignee: Resonac Corp
Priority date: 2004-04-20
Filing date: 2005-04-20
Publication date: 2005-11-03
Anticipated expiration: 2006-10-20
Also published as: TWI360153B; CN101714513B; TW200539291A; KR101165131B1; KR20090090404A; CN101714513A; US8017444B2; KR20070004100A; US20070241434A1; US20110287250A1

Abstract

　本発明は、基板の配線や、半導体チップに付設されたワイヤ等の凹凸を充てんでき、ダイシング時に樹脂ばりを生じない、耐熱性や耐湿性を満足する接着シートを提供することを目的とする。本発明の接着シートは、架橋性官能基を含む重量平均分子量が１０万以上かつＴｇが－５０～５０°Cである高分子量成分１５～４０重量％及びエポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性成分６０～８５重量％を含む樹脂１００重量部と、フィラー４０～１８０重量部とを含有し、厚さが１０～２５０μｍであることを特徴とする。

Description

明細書

接着シート、半導体装置、及び半導体装置の製造方法

技術分野

[0001] 本発明は、接着シート、半導体装置、及び半導体装置の製造方法に関する。

背景技術

[0002] 近年、半導体パッケージの小型化に伴、、半導体チップと同等サイズである CSP ( Chip Size Package)、さらに、半導体チップを多段に積層したスタックド CSPが普及している（例えば、特開 2001— 279197号公報、特開 2002— 222913号公報、特開 2002— 359346号公報、特開 2001— 308262号公報、特開 2004— 72009 号公報参照)。これらの例として、図 1に示す配線 4などに起因する凹凸を有する基板 3上に半導体チップ A1を積層したパッケージ、又は、図 2に示す同サイズの半導体チップ A1を 2つ以上使用するパッケージであって、ワイヤ 2などに起因する凹凸を有する半導体チップ上にさらに別の半導体チップを積層するパッケージなどがある。このようなパッケージには、凹凸を埋込み、かつ上部の半導体チップとの絶縁性を確保することが可能な接着シートが求められている。図 1及び図 2中、 blは接着剤である。

[0003] 配線、ワイヤ等の凹凸の充てんには、通常、凹凸の高さより接着シート厚さを厚くすること、接着シートの溶融粘度を低減し、充てん性を改善することが求められる。しかしながら、一方で、厚さが厚ぐ溶融粘度が低い接着シートは、ウェハ及び接着シートのダイシングによって、得られる半導体チップ端部の破損が大きくなる、糸状のくず（榭脂ばり）が大きくなるという問題があった。

[0004] すなわち、通常、ダイシング工程は、ウェハ、接着シート、及びダイシングテープを 0 °C〜80°Cで貼り合わせた後、これらを回転刃で同時に切断し、洗浄後、接着剤付き半導体チップを得る工程が取られて、る。この切断後にできたダイシングテープの溝に、接着シートやウェハの切断くずが付着し、それが切断後の洗浄時や半導体チップピックアップ時にダイシングテープ力も剥離し、糸状のくず (榭脂ばり）が生じ、半導体チップに付着し、電極などを汚染することがあった。 [0005] 以上の点から、ダイシング性が優れ、かつ配線やワイヤ等に起因する凹凸の充てん性が優れ、さらには耐熱性や耐湿性を満足する接着シートを得ることが望まれてヽる

発明の開示

[0006] 本発明の目的は、基板の配線や、半導体チップに付設されたワイヤ等の凹凸を充てんでき、ダイシング時に樹脂ばりを生じない、耐熱性や耐湿性を満足する接着シートを提供することである。

[0007] 本発明の発明者は、特定の榭脂組成を有する接着シートを使用することにより、ダイシング時に樹脂ばりの発生を防ぐことができ、かつ、基板の配線や、半導体チップのワイヤ等の凹凸を充てん (接着シート中に凸部を埋め込む、又は接着シートで凹部を充填する）できることを見出し、本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明は、架橋性官能基を含む重量平均分子量が 10万以上かつ Tgが 50〜50°Cである高分子量成分 15〜40重量％及びエポキシ榭脂を主成分とする熱硬化性成分 60〜85重量％を含む榭脂 100重量部と、フィラー 40〜180重量部とを含有し、厚さが 10〜250 mであることを特徴とする接着シートに関する。

また、本発明は、硬化前の 25°Cでの動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が 200〜3 OOOMPaであり、 80°Cでの動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が 0. 1〜： LOMPaである上記接着シートに関する。

また、本発明は、硬化後の 170°Cでの動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が 20〜6 OOMPaである上記接着シートに関する。

また、本発明は、硬化前の 100°Cでの溶融粘度が 1000〜7500Pa' sである上記接着シートに関する。

また、本発明は、榭脂 100重量部とフィラー 60〜120重量部とを含有する上記接着シートに関する。

また、本発明は、フィラーのモース硬度が 3〜8である上記接着シートに関する。また、本発明は、フィラーの平均粒径が 0. 05〜5 μ mであり、比表面積が 2〜200 m²Zgである上記接着シートに関する。

また、本発明は、ウェハ、接着シート及びダイシングテープを 0°C〜80°Cで貼り合わせ、回転刃でウェハ、接着シート及びダンシングテープを同時に切断し、接着剤付き半導体チップを得た後、当該接着剤付き半導体チップを凹凸を有する基板又は半導体チップに荷重 0. 001〜： LMPaで接着し、接着剤で凹凸を充てんする工程に使用する上記接着シートに関する。

また、本発明は、第 1の接着剤層及び第 2の接着剤層が直接的に又は間接的に積層された構造を有してなる多層接着シートであって、少なくとも第 2の接着剤層が上記接着シートからなり、かつ、第 1の接着剤層のフロー量 A m、厚さ a /z m、第 2の接着剤層のフロー量 B μ m、厚さ b μ mとが、 AX 3< Bかつ a X 2<bの関係を有する多層接着シートに関する。

また、本発明は、第 1の接着剤層及び第 2の接着剤層が直接的に又は間接的に積層された構造を有してなる多層接着シートであって、少なくとも第 2の接着剤層が上記接着シートからなり、かつ、第 1の接着剤層の溶融粘度 a Pa' s、厚さ _& /ζ πι、第 2の接着剤層の溶融粘度 jS Pa' s、厚さ b /z mとが、 _α > |8 X 3かつ a X 2<bの関係を有する多層接着シートに関する。

また、本発明は、ウェハ、接着シート及びダイシングテープを貼り合せた際に、ゥェハに接する側が第 1の接着剤層であり、ダイシングテープに接する側が第 2の接着剤層である上記多層接着シートに関する。

また、本発明は、ウェハ、上記接着シート及びダイシングテープを 0°C〜80°Cで貼り合わせ、回転刃でウェハ、接着シート及びダンシングテープを同時に切断し、接着剤付き半導体チップを得た後、当該接着剤付き半導体チップを凹凸を有する基板又は半導体チップに荷重 0. 001〜： LMPaで接着し、接着剤で凹凸を充てんする工程を含む半導体装置の製造方法に関する。

また、本発明は、接着剤付き半導体チップを凹凸を有する基板又は半導体チップに接着する際に、凹凸を加熱する上記半導体装置の製造方法に関する。

また、本発明は、上記接着シートを用いて半導体チップと基板、又は半導体チップと半導体チップとを接着してなる半導体装置に関する。

本願の開示は、 2004年 4月 20日に出願された特願 2004— 124118号、及び 200 4年 12月 3日に出願された特願 2004— 351605号に記載の主題と関連しており、それらの開示内容は引用によりここに援用される。

図面の簡単な説明

[0008] [図 1]図 1は、 CSPの一実施態様を示す断面図である。

[図 2]図 2は、スタックド CSPの一実施態様を示す断面図である。

[図 3]図 3は、本発明の接着シート、半導体ウェハ、及びダンシングテープの一実施態様を示す断面図である。

[図 4]図 4は、本発明の多層接着シート、半導体ウェハ、及びダイシングテープの一実施態様を示す断面図である。

[図 5]図 5は、本発明の接着シートを用いた接着剤付き半導体チップを、ワイヤボンデイングされたチップに接着する際の工程の一実施態様を示す概略図である。

[図 6]図 6は、本発明の基材フィルム付き接着シートの一実施態様を示す断面図である。

[図 7]図 7は、本発明の基材フィルム付き多層接着シートの一実施態様を示す断面図である。

[図 8]図 8は、本発明の接着剤付き半導体チップの一実施態様を示す断面図である。発明を実施するための最良の形態

[0009] 本発明の接着シートは、架橋性官能基を含む重量平均分子量が 10万以上かつ T gが— 50〜50°Cである高分子量成分 15〜40重量％及びエポキシ榭脂を主成分とする熱硬化性成分 60〜85重量％を含む榭脂 100重量部と、フィラー 40〜180重量部とを含み、厚さが 10〜250 mであることを特徴とする。

[0010] 本発明の接着シートは、架橋性官能基を含む重量平均分子量が 10万以上で Tgが — 50〜50°Cである高分子量成分 15〜40重量％、エポキシ榭脂を主成分とする熱硬化性成分 60〜85重量％を含む榭脂 100重量部とフィラー 40〜180重量部とを含む接着シートであれば、その構成成分に特に制限はないが、適当なタック強度を有しシート状での取扱い性が良好であることから、高分子量成分、熱硬化性成分、及びフィラーの他に、硬化促進剤、触媒、添加剤、カップリング剤等を含んでも良い。

[0011] 高分子量成分としてはエポキシ基、アルコール性またはフエノール性水酸基、カルボキシル基などの架橋性官能基を有するポリイミド榭脂、（メタ)アクリル榭脂、ウレタン榭脂、ポリフエ-レンエーテル榭脂、ポリエーテルイミド榭脂、フエノキシ榭脂、変性ポリフエ-レンエーテル榭脂等が挙げられる力これらに限定されるものではない。

[0012] 上記の接着シートは、高分子量成分が榭脂の 15〜40重量％含まれる場合に充てん性が良好となり、高分子量成分の含有量は、さらに好ましくは 20〜37重量％であり、より好ましくは 25〜35重量％である。

[0013] 本発明における高分子量成分は、 Tg (ガラス転移温度）が― 50°C〜50°Cで架橋性官能基を有する重量平均分子量が 10万以上である高分子量成分である。

[0014] 高分子量成分として、例えば、グリシジルアタリレートまたはグリシジルメタタリレートなどの官能性モノマを含有するモノマを重合して得た、重量平均分子量が 10万以上であるエポキシ基含有 (メタ)アクリル共重合体などが好ま、。エポキシ基含有 (メタ )アクリル共重合体としては、たとえば、（メタ)アクリル酸エステル共重合体、アクリルゴムなどを使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。

[0015] アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアタリレートとァクリロ-トリルなどの共重合体や、ェチルアタリレートとアクリロニトリルなどの共重合体など力なるゴムである。

[0016] 高分子量成分の Tgが 50°Cを超えると、シートの柔軟性が低くなる場合があり、 Tg がー 50°C未満であると、シートの柔軟性が高すぎるため、ウェハダイシング時にシートが切断し難ぐばりが発生しやすくなる場合がある。

[0017] また、高分子量成分の重量平均分子量は、好ましくは 10万以上 100万以下であり

、分子量が 10万未満であるとシートの耐熱性が低下する場合があり、分子量が 100 万を超えるとシートのフローが低下する場合がある。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフィー法 (GPC)で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。

[0018] ウェハダイシング時に接着シートが切断しやすく榭脂くずが発生し難い点、また耐熱性が高!、点で、 Tgが 20°C〜40°Cで重量平均分子量が 10万〜 90万の高分子量成分が好ましぐ Tgがー 10°C〜40°Cで分子量が 20万〜 85万の高分子量成分が好ましい。

[0019] 本発明におヽて用いられる熱硬化性成分としては、半導体チップを実装する場合に要求される耐熱性および耐湿性を有するエポキシ榭脂が好ましい。なお、本発明において、「エポキシ榭脂を主成分とする熱硬化性成分」には、エポキシ榭脂硬化剤も含まれるものとする。エポキシ榭脂は、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されない。ビスフエノール A型エポキシ榭脂、ビスフエノール F型エポキシ榭脂、ビスフエノール S型エポキシ榭脂などの二官能エポキシ榭脂、フエノールノボラック型エポキシ榭脂ゃクレゾ一ルノボラック型エポキシ榭脂などのノボラック型エポキシ榭脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ榭脂、グリシジルァミン型ェポキシ榭脂、複素環含有エポキシ榭脂または脂環式エポキシ榭脂など、一般に知られて、るものを適用することができる。

[0020] 特に Bステージ状態でのフィルムの可撓性が高、点でエポキシ榭脂の分子量が 10 00以下であることが好ましぐさらに好ましくは 500以下である。また、可撓性に優れる分子量 500以下のビスフエノール A型又はビスフエノール F型エポキシ榭脂 50〜9 0重量部と、硬化物の耐熱性に優れる分子量が 800〜3000の多官能エポキシ榭脂 10〜50重量％とを併用することが好ましい。

[0021] エポキシ榭脂硬化剤としては、通常用いられている公知の硬化剤を使用することができ、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフイド、三フッ化ホウ素、ビスフエノール八、ビスフエノール F、ビスフエノール Sのようなフエノール性水酸基を 1分子中に 2個以上有するビスフエノール類、フエノールノボラック榭脂、ビスフエノール Aノポラック榭脂又はクレゾ一ルノボラック榭脂等のフエノール榭脂などが挙げられる。

[0022] さらに、本発明の接着シートには、 Bステージ状態における接着シートのダイシング性の向上、接着シートの取扱い性の向上、熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、チタソトロピック性の付与などを目的としてフィラー、好ましくは無機フィラーを配合する。

[0023] 無機フィラーとしては、水酸ィ匕アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケィ酸カルシウム、ケィ酸マグネシウム、酸ィ匕カルシウム、酸ィ匕マグネシゥム、アルミナ、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、アンチモン酸ィ匕物などが挙げられる。熱伝導性向上のためには、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与の目的には、水酸ィ匕アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケィ酸カルシウム、ケィ酸マグネシゥム、酸ィ匕カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリ力等が好ましい。また、ダイシング性を向上させるためにはアルミナ、シリカが好ましい

[0024] 本発明において、上記フィラーを榭脂 100重量部に対して、 40〜180重量部含むことが、ダイシング性が向上する点、接着シート硬化後の貯蔵弾性率が 170°Cで 50 〜600MPaになり、ワイヤボンディング性が良好となる点で好ましい。フィラー量は榭脂 100重量部に対して、 60〜160重量部であることがより好ましぐ 60〜120重量部であることがさらに好ましい。

[0025] フィラーの配合量が多くなると、接着シートの貯蔵弾性率の過剰な上昇、接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題が起きやすくなるので 180重量部以下とするのが好ましい。フィラーの配合量が少ないと、ダイシング時の樹脂ばりが発生し易くなる傾向がある。

[0026] 本発明の発明者はフイラ一添カ卩により、下記のダイシング工程における榭脂ばりを大幅に低減できることを見出した。すなわち、ダイシングには、通常、回転刃でウェハ、接着シート、ダイシングテープを同時に切断し、洗浄後、接着剤付き半導体チップを得る工程が取られている。この切断後にできたダイシングテープの溝に、接着シートゃウェハの切断くずが付着し、それが切断時や切断後などの洗浄時やチップピックアップ時にダイシングテープ力糸状に剥離し、榭脂ばりを発生することがある。

[0027] 本発明の接着シートを使用した場合、特にシリカ、アルミナフイラ一等を榭脂 100重量部に対して、 40〜180重量部含むため、ダイシング時に発生する榭脂ゃシリコンの切断くずがフィラーを中心にした細かい粉体状になり、洗浄水と共に除去されやすい。したがって、本発明の接着シートを使用すると、ダイシングテープ上に溜まる切断くずの量が少ない。また、この少ない切断くずがダイシングテープ上に密着しているため、ダイシングテープ力糸状に剥離し難い。

[0028] これに対し、フィラーを含有しない場合には、切断くずが粘土状であり、洗浄水と共に除去されないため、ダイシングテープ上に多量の切断くずが付着する。これらの切断くずは、洗浄時や、半導体チップをピックアップする時にダイシングテープ力剥離しやすいため、榭脂ばりが多く発生する。

[0029] さらに、本発明においては、接着シートがフィラーを含有することにより、シート切断時に回転刃に榭脂を残すことなぐ回転刃を研磨しながら、短時間で接着シートを良好に切削できる。したがって、回転刃の研磨効果及び接着シート切断性の点から、接着シートは硬いフィラーを含有することが好ましぐモース硬度（10段階） 3〜8の範囲の硬さのフィラーを含有することがより好ましぐモース硬度 6〜7のフイラ一を含有することがさらに好ましい。このときフイラ一のモース硬度（10段階）が 3未満では回転刃の研磨効果が少なぐモース硬度が 8を超えるとダイシング用の回転刃の寿命が短くなる傾向がある。なお、モース硬度 3〜8のフイラ一としては、方解石、大理石、金（18 K)、鉄など (モース硬度 3)、蛍石、パールなど (モース硬度 4)、燐灰石、ガラスなど（モース硬度 5)、正長石、オパールなど（モース硬度 6)、シリカ、水晶、トルマリンなど（モース硬度 7)があるが、中でも安価であり入手が容易でありこと力モース硬度 7のシリカが好ましい。

[0030] フィラーの平均粒径は、 0. 05 μ m未満であるとフィラーに回転刃の研磨効果を持たせつつ、接着シートに流動性を持たせることが困難となる傾向があり、また平均粒径が 5 μ mを超えると接着シートの薄膜ィ匕が困難となり、接着シート表面の平滑性を保つことが難しくなる傾向がある。したがって、接着シートの流動性と表面平滑性の点から、フィラーの平均粒径は、 0. 05〜5 m力好ましい。さらに、流動性が優れる点で平均粒径の下限としては、 0. 1 mがより好ましぐ 0. 3 mが特に好ましい。また平滑性の点で、平均粒径の上限としては 3 μ mがより好ましぐ 1 μ mが特に好ましい

[0031] なお、本発明においては、レーザー回折式粒度分布測定装置（日機装製マイクロトラック）を用いてフィラーの平均粒径を測定した。具体的には、フィラー 0. 1〜1. Og を秤取り、超音波により分散した後、粒度分布を測定し、その分布での累積重量が 5 0%となる粒子径を平均粒径とした。

[0032] フィラーの比表面積に関しても、フィラーの平均粒径と同様に、流動性と表面平滑性の点から 2〜200m²Zgが好ましぐさらに流動性の点から比表面積の上限は 50m 2Zgがより好ましく、 10m²Zgが特に好まし、。 [0033] なお、本発明において、比表面積 (BET比表面積）は、ブルナウア一'エメット'テーラー（Brunauer— Emmett— Teller)式により、無機フィラーに窒素を吸着させてその表面積を測定した値であり、市販されて！ヽる BET装置により測定できる。

[0034] 本発明の接着シートは、前記高分子量成分、エポキシ榭脂を主成分とする熱硬化性成分、フィラー、及び他の成分を有機溶媒中で混合、混練してワニスを調製した後、基材フィルム上に上記ワニスの層を形成させ、加熱乾燥した後、基材を除去して得ることができる。上記の混合、混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。上記の加熱乾燥の条件は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常 60°C〜 200。Cで、 0. 1〜90分間カロ熱して行う。

[0035] 上記接着シートの製造における上記ワニスの調製に用いる有機溶媒、即ち接着シート調製後の残存揮発分は、材料を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなぐ従来公知のものを使用することができる。このような溶剤としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルァセトアミド、 N—メチルピロリドン、アセトン、メチルェチルケトン、シクロへキサノンなどのケトン系溶媒、トルエン、キシレン等が挙げられる。乾燥速度が速ぐ価格が安い点でメチルェチルケトン、シクロへキサノンなどを使用することが好ましい。

[0036] 有機溶媒の使用量は、接着シート調製後の残存揮発分が全重量基準で 0. 01〜3 重量％であれば特に制限はないが、耐熱信頼性の観点からは全重量基準で 0. 01 〜2重量％が好ましぐ全重量基準で 0. 01〜： L 5重量％がさらに好ましい。

[0037] 接着シートの膜厚は、基板の配線回路や下層の半導体チップに付設された金ワイャ等の凹凸を充てん可能とするため、 10〜250 /ζ πιとする。 10 mより薄いと応力緩和効果や接着性が乏しくなる傾向があり、 250 mより厚いと経済的でなくなる上に、半導体装置の小型化の要求に応えられない。なお、接着性が高ぐまた、半導体装置を薄型化できる点で 20〜： LOO μ mが好ましぐさらに好ましくは 40〜80 μ mである

[0038] 本発明にお、て、硬化前 (Bステージ状態）の接着シートの 25°Cにおける動的粘弹性測定による貯蔵弾性率が 200〜3000MPaであると、ダイシング性が優れる点で好ましい。ダイシング性に優れ、かつウェハとの密着性が優れる点で 500〜2000M Paがより好ましい。また、硬化前 (Bステージ状態）の接着シートの 80°Cにおける動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が 0. 1〜： LOMPaであると、 80°Cでウェハにラミネート可能である。特にウェハへの密着性が高い点で、 0. 5〜5MPaであるとことがより好ましい。

[0039] 本発明において、硬化後（Cステージ状態）の接着シートの 170°Cにおける動的粘弾性測定による貯蔵弾性率は、良好なワイヤボンディング性を得るために 20〜600 MPaであることが好ましい。貯蔵弾性率は、より好ましくは 40〜600MPa、さらに好ましくは 40〜400MPaである。

[0040] 弾性率は、動的粘弾性測定装置 (レオロジ一社製、 DVE— V4)を用いて測定することができる（サンプルサイズ:長さ 20mm、幅 4mm、温度範囲— 30〜200°C、昇温速度 5°CZmin、引張りモード、 10Hz、自動静荷重)。

[0041] 本発明の接着シートを多層構造を有する多層接着シートとして用いても良ぐ例えば、上述した接着シートを 2枚以上ラミネートしたもの、本発明の接着シートとそれ以外の接着シートを複数ラミネートしたものとして用いても良、。

[0042] 例えば、第 1の接着剤層及び第 2の接着層剤が直接的又は間接的に積層された構造を有してなる多層接着シートであって、少なくとも第 2の接着剤層が本発明の接着シートからなり、かつ、第 1の接着剤層のフロー量 A、厚さ a /z mと、第 2の接着剤層のフロー量 B、厚さ b μ mとが、 AX 3< Bかつ a X 2<bの関係を有する多層接着シートとして用いることができる。多層接着シートは、ウェハ、接着シート及びダイシングテープを貼り合せた際に、ウェハに接する側が第 1の接着剤層であり、ダイシングテープに接する側が第 2の接着剤層であることが好ま、。

[0043] このような 2層シートにすることで、 A又は Bの絶対値に応じて、接着時に適宜圧力 · 温度'時間（中でも特に圧力）を選択することにより、第 2層は凹凸を埋め込み、第 1 層は凹凸により突き破られないように接着することが可能である。つまり、配線やワイャの充てん性と、配線やワイヤと上部半導体チップとの絶縁性を確保することができる。 A X 3≥Bの場合、第 1の接着剤層が配線やワイヤの侵入を妨げる効果が低ぐ凹凸を形成する基板上の回路やワイヤの上部に位置する半導体チップと接し、絶縁が確保されない傾向があり、また a X 2≥bの場合、凹凸やワイヤの充てん性が低下し、ボイドができやすくなる傾向がある。

[0044] 本発明にお、て、フロー量は、硬化前の接着シートと PETフィルムを 1 X 2cmの短冊状に打ち抜、たサンプルにつ!、て、熱圧着試験装置 (テスター産業 (株)製)を用いて熱板温度 100°C、圧力 IMPaで 18秒間プレスした後、サンプルの端部からはみだした榭脂の長さを光学顕微鏡で測定して得ることができる。

[0045] また、例えば、第 1の接着剤層及び第 2の接着剤層が直接的又は間接的に積層された構造を有してなる多層接着シートであって、少なくとも第 2の接着剤層が本発明の接着シートからなり、かつ、第 1の接着剤層の溶融粘度 a Pa' s、厚さ a /z mと、第 2 の接着剤層の溶融粘度 j8 Pa ' s、厚さ b /z mとが、 α > β X 3かつ a X 2< bの関係を有する多層接着シートとして用いることができる。多層接着シートは、ウェハ、接着シート及びダイシングテープを貼り合せた際に、ウェハに接する側が第 1の接着剤層であり、ダイシングテープに接する側が第 2の接着剤層であることが好ま、。

[0046] このような 2層シートにすることで、 a又は j8の絶対値に応じて、接着時に適宜圧力 •温度'時間（中でも特に圧力）を選択することにより、第 2層は凹凸を埋め込み、第 1 層は凹凸により突き破られないように接着することが可能である。つまり、配線やワイャの充てん性と、配線やワイヤと上部半導体チップとの絶縁性を確保することができる。 α≤ ΐ3 Χ 3の場合、第 1の接着剤層が配線やワイヤの侵入を妨げる効果が低ぐ凹凸を形成する基板上の回路やワイヤの上部に位置する半導体チップと接し、絶縁が確保されない傾向があり、また a X 2≥bの場合、凹凸やワイヤの充てん性が低下し、ボイドができやすくなる傾向がある。

[0047] 本発明にお、て、溶融粘度は、後述する平行平板プラストメータ法により硬化前の接着シートについて測定、算出して得ることができる。

[0048] なお、 Α、 Β、 α、 j8、 a、 bはそれぞれ適当な範囲内にあることが好ましぐ Aは 100 〜400 μ m、 Bは 300〜2000 μ mが好ましい。低すぎると充てん性が悪化し、大きすぎると半導体チップ端部からの榭脂の浸みだしが大きくなる傾向がある。 aは 3000 〜 150万 Pa' s力好まし!/ヽ。 β ίま好ましく ίま 1000〜7500Pa' s、特に好ましく ίま 1000 〜5000Pa' s、さらに好ましくは、 1500〜3000Pa' sである。高すぎると充てん'性力 S 悪化し、低すぎると半導体チップ端部からの榭脂の浸みだしが大きくなる傾向がある

。また aは 5〜30 μ m、 bは 10〜250 μ mであることが好ましい。なお、接着シートを単層で用いる場合についても、接着シート単体のフロー、溶融粘度及び厚さが、それぞれ上記で規定する Β、 β及び bの範囲であることが好ましい。

[0049] 第 1の接着剤層としては、 80°C以下でウェハと貼付できれば、特に制限はなぐ日立化成工業 (株)製、ノ、ィアタッチ HS— 210、 HS— 230など使用できる。第 2の接着剤層としては、本発明の接着シートを使用することができる。

[0050] 好ましい組合せの一例としては、ハイアタッチ HS— 230 (フロー量 250 m、厚さ 1 0 m、溶融粘度 32万 Pa' s)と本発明の接着シート（フロー量 1000 μ m、厚さ 70 μ m、溶融粘度 2200Pa' s)が挙げられる。その場合、 AX 3< B、 a > j8 X 3、a X 2< bの関係式を満たして、る。

[0051] 本発明の接着シートは、それ自体で用いても構わないが、一実施態様として、本発明の接着シートを従来公知のダイシングテープ上に積層したダイシングテープ一体型接着シートとして用いることもできる。この場合、ウェハへのラミネート工程が一回で済む点で、作業の効率化が可能である。

[0052] 本発明に使用するダイシングテープとしては、例えば、ポリテトラフルォロエチレンフイルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。また、必要に応じてプライマー塗布、 UV処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理を行っても良い。ダイシングテープは粘着性を有することが好ましぐ上述のプラスチックフィルムに粘着性を付与したものを用いても良いし、上述のプラスチックフィルムの片面に粘着剤層を設けても良い。これは、榭脂組成物において特に液状成分の比率、高分子量成分の Tgを調整することによつて得られる適度なタック強度を有する榭脂組成物を塗布乾燥することで形成可能である。

[0053] また、接着シートを半導体装置を製造する際に用いた場合、ダイシング時には半導体チップが飛散しな、粘着力を有し、その後ピックアップ時にはダイシングテープから剥離することが望まれる。たとえば、接着シートの粘着性が高すぎるとピックアップが困難になることがある。そのため、適宜、接着シートのタック強度を調節することが好ましぐその方法としては、接着シートの室温におけるフローを上昇させることにより、粘着強度及びタック強度も上昇する傾向があり、フローを低下させれば粘着強度及びタック強度も低下する傾向があることを利用すればよい。例えば、フローを上昇させる場合には、可塑剤の含有量の増加、粘着付与材含有量の増加等の方法がある。逆にフローを低下させる場合には、前記化合物の含有量を減らせばよい。前記可塑剤としては、例えば、単官能のアクリルモノマー、単官能エポキシ榭脂、液状エポキシ榭脂、アクリル系榭脂、エポキシ系のいわゆる希釈剤等が挙げられる。

[0054] ダイシングテープ上に接着シートを積層する方法としては、印刷のほか、予め作成した接着シートをダイシングテープ上にプレス、ホットロールラミネートする方法が挙げられる力連続的に製造でき、効率が良い点でホットロールラミネートする方法が好ましい。

[0055] 尚、ダイシングテープの膜厚は、特に制限はなぐ接着シートの膜厚やダイシングテ一ブー体型接着シートの用途によって適宜、当業者の知識に基づいて定められるものであるが、経済性がよぐフィルムの取扱い性が良い点で 60〜 150 m、好ましくは70〜130 ！!1でぁる。

[0056] 本発明の接着シートは、好ましくは半導体装置の製造に用いられ、より好ましくはゥエノ、、接着シート及びダイシングテープを 0°C〜80°Cで貼り合わせた後、回転刃でゥエノヽ、接着シート及びダイシングテープを同時に切断し、接着剤付き半導体チップを得た後、当該接着剤付き半導体チップを凹凸を有する基板又は半導体チップに荷重 0. 001〜： LMPaで接着し、接着剤で凹凸を充てんする工程を含む半導体装置の製造に用いられる。

[0057] 本発明において、ウェハとしては、単結晶シリコンの他、多結晶シリコン、各種セラミック、ガリウム砒素などの化合物半導体などが使用される。

[0058] 接着シートを単層で用いる場合には、ウェハに接着シートを貼り合わせた後、次いで接着シート面にダイシングテープを貼り合わせればよい。また、接着シートを多層で用いる場合には、ウェハに第 1の接着剤層、第 2の接着剤層を順に貼り合わせてもよいし、予め第 1の接着剤層及び第 2の接着剤層を含む多層接着シートを作成しておき、当該多層接着シートをウェハに貼り合わせてもよい。また、本発明の接着シート又は多層接着シート、及びダイシングテープを備えるダイシングテープ一体型接着シートを用いることにより、半導体装置を製造することもできる。

[0059] 接着シートをウェハに貼り付ける温度、即ちラミネート温度は、 0〜80°Cであり、好ましくは 15〜80°Cであり、さらに好ましくは 20〜70°Cである。 80°Cを超えると接着シート貼り付け後のウェハの反りが大きくなる傾向がある。

[0060] ダイシングテープ又はダイシングテープ一体型接着シートを貼り付ける際にも、上記温度で行うことが好ま、。

[0061] 図 3に、本発明の一実施態様である接着シート b、半導体ウェハ A、及びダンシングテープ 1の断面図を示し、また、図 4に、本発明の一実施態様である多層接着シート c 、半導体ウェハ A、及びダイシングテープ 1の断面図を示す。図 4中、 aは第 1の接着剤層、 b'は第 2の接着剤層を示す。

[0062] 次、で、接着シート、ダイシングテープが貼り付けられた半導体ウェハを、ダイシングカッターを用いてダイシング、さらに洗浄、乾燥することにより、接着剤付き半導体チップを得ることができる。

[0063] また、他の実施態様として、本発明の接着シートは、図 6に示すように基材フィルム 5の上に接着シート bを設けた基材フィルム付き接着シートとして用いてもよい。このようにすれば、接着シート単体では扱いにくい場合でも便利であり、例えば、図 6に示す構造の接着シートと上述のダイシングテープを貼り合わせた後、基材フィルム 5を剥離し、その後に半導体ウエノ、 Aを貼り合わせることで、容易に図 3のような構造とすることができる。また、基材フィルム 5を剥離しないでそのままカバーフィルムとして使用することも可能である。

[0064] 上記基材フィルム 5としては、特に制限はなぐ例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフイノレム、ポリエチレンテレフタレートフイノレム、ポリイミドフイノレム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等がある。

[0065] また、本発明の接着シートは、図 7に示すように多層接着シートが第 2の接着剤層 b ，、第 1の接着剤層 aの順に基材フィルム上に設けられた基材フィルム付き接着シートとして用いてもよい。また、第 1の接着剤層 a、第 2の接着剤層 b，の順に基材フィルム上に積層されていてもよい。

[0066] さらに、他の実施態様として、本発明の接着シートは、図 6及び図 7に示す構造で、かつ接着シート自体がダイシングテープとしての役割を果たしても良、。このような接着シートは、ダイシングダイボンド一体型接着シートなどと呼ばれ、一つのシートでダイシングテープとしての役割と、接着シートとしての役割を果たすので、図 8のように、ダイシングしてピックアップするだけで接着剤付き半導体チップを得ることができる。

[0067] 接着シートにこのような機能を持たせるには、例えば、接着シートが、光硬化性高分子量成分、光硬化性モノマー、光開始剤等の光硬化性成分を含んでいれば良い。このような一体型のシートは、半導体チップを基板又は半導体チップに接着する段階では光照射が行われており、硬化前の 25°Cでの動的粘弾性測定による貯蔵弾性率、硬化前の 80°Cでの動的粘弾性測定による貯蔵弾性率のそれぞれの値は、光照射を行った後であり熱硬化が行われる前の段階における値を指す。

[0068] ダイシングダイボンド一体型の接着シートは、好ましくはウェハ、接着シート及び基材フィルムを 0°C〜80°Cで貼り合わせた後、回転刃でウェハ、接着シート及び基材フイルムを同時に切断し、接着剤付き半導体チップを得た後、当該接着剤付き半導体チップを凹凸を有する基板又は半導体チップに荷重 0. 001〜lMPaで接着し、接着剤で凹凸を充てんする工程を含む半導体装置の製造に用いられる。

[0069] 得られた接着剤付き半導体チップ A1は、配線 4に起因する凹凸を有する基板 3又はワイヤ 2に起因する凹凸を有する半導体チップに、接着剤 blを介して荷重 0. 001 〜lMPaで接着され、接着剤により凹凸が充てんされる（図 5)。荷重は 0. 01-0. 5 MPaであることが好ましぐ 0. 01-0. 3MPaであることがより好ましい。荷重が 0. 00 1 MPa未満であるとボイドが発生し耐熱性が低下する傾向があり、 1 MPaを超えると半導体チップが破損する傾向がある。

[0070] 図 5は、接着剤付き半導体チップをワイヤボンディングされた半導体チップに接着する際の工程の一例を示す概略図である。

[0071] 本発明におヽては、接着剤付き半導体チップを基板又は半導体チップに接着する際に、基板の配線、半導体チップのワイヤ等の凹凸を加熱することが好ましい。加熱温度は、 60〜240°Cであることが好ましぐ 100〜180°Cであることがより好ましい。 6 0°C未満であると接着性が低下する傾向があり、 240°Cを超えると基板が変形し、反りが大きくなる傾向がある。加熱方法としては、基板又は半導体チップを予め加熱した熱板に接触させる、基板又は半導体チップに赤外線又はマイクロ波を照射する、熱風を吹きかける等の方法が挙げられる。

[0072] 本発明においては、特定の榭脂組成を有する接着シートを使用することにより、ダイシング時に接着シートやウェハが回転刃により切削され生じた切削くず力切断後の洗浄時やチップピックアップ時にダイシングテープから糸状に剥離しな、ようにすることができる。また、層構造を多層化し、特に、フローの低い層と高い層を積層した接着シート、または、溶融粘度の高い層と低い層を積層した接着シートは、配線回路及びワイヤの充てん性と上下の半導体チップとの絶縁性に優れる。

また、本発明の接着シートは、配線回路及びワイヤの充てん性が良好であり、半導体装置の製造において、ウェハと接着シートを同時に切断するダイシング工程での切断性が優れるため、ダイシングの速度を早くすることができる。そのため、本発明の接着シートによれば、半導体装置の歩留の向上、製造速度の向上をは力ることが可能となる。

さらに、本発明の接着シートは、半導体装置の製造における半導体チップと基板や下層のチップなどの支持部材との接着工程にぉヽて、接着信頼性に優れる接着シートとして使用することができる。即ち、本発明の接着シートは、半導体搭載用支持部材に半導体チップを実装する場合に必要な耐熱性、耐湿性、絶縁性を有し、かつ作業性に優れるものである。

実施例

[0073] [接着シートの組成と製造方法]

(実施例 1)

エポキシ榭脂としてビスフエノール F型エポキシ榭脂（エポキシ当量 160、東都化成株式会社製商品名 YD— 8170Cを使用） 30重量部、クレゾ一ルノボラック型ェポキシ榭脂 (エポキシ当量 210、東都化成株式会社製商品名 YDCN— 703を使用） 10 重量部；エポキシ榭脂の硬化剤としてフエノールノボラック榭脂（大日本インキ化学ェ業株式会社製商品名プライォーフェン LF2882を使用） 27重量部;エポキシ基含有アクリル系共重合体としてエポキシ基含有アクリルゴム（ゲルパーミエーシヨンクロマトグラフィ一による重量平均分子量 80万、グリシジルメタタリレート 3重量％、 Tgは — 7°C、ナガセケムテックス株式会社製商品名 HTR— 860P— 3DRを使用） 28重量部；硬化促進剤としてイミダゾール系硬化促進剤 (四国化成工業株式会社製キュアゾール 2PZ— CNを使用） 0. 1重量部；シリカフィラー（アドマファイン株式会社製、 SO

— C2 (比重： 2. 2gZcm³、モース硬度 7、平均粒径 0. 5 /ζ πι、比表面積 6. OmVg

) )を使用） 95重量部；シランカップリング剤として（日本ュ-カー株式会社製商品名 A

— 189を使用） 0. 25重量部および（日本ュ-カー株式会社製商品名 A— 1160を使用） 0. 5重量部；からなる組成物に、シクロへキサノンを加えて撹拌混合し、真空脱気して接着剤ワニスを得た。

[0074] この接着剤ワニスを、厚さ 50 μ mの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、 90°C10分間、 120°Cで 5分間加熱乾燥して膜厚が 75 mの塗膜とし、 Bステージ状態の接着シートを作製した。このフィルムのフローは 757 mであつた。

[0075] 加工すべき半導体ウェハ A (厚さ 80 μ m)に接着シート bを 60°Cでラミネートし、端部を切断した。これにダイシングテープ 1をホットロールラミネータ（Du Pont製 Risto n)で 25°Cでラミネートした（図 3)。この際ダイシングテープには古河電工 (株)製 (U C3004M— 80)を用いた。ダイシングテープの膜厚は、 100 mであった。

[0076] (実施例 2)

第 1の接着剤層として HS— 230 (厚さ 10 /z m)と、第 2の接着剤層として実施例 1と同様の接着シートを 60°Cでラミネートし、第 1及び第 2の接着剤層を有する多層接着シートを作製した。第 1の接着剤層と第 2の接着剤層とが貼り合わされた状態でのフロ一量を測定したところ、第 1の接着剤層は 200 m、第 2の接着剤層は 758 mであつた o

[0077] 加工すべき半導体ウェハ A (厚さ 80 m)に、第 2の接着剤層が半導体ウェハ Aに接するように多層接着シートを 60°Cでラミネートし、端部を切断した。これにダイシングテープ 1を、ダイシングテープ 1上に第 2の接着剤層 bが積層されるように配置し、これらをホットロールラミネータ（Du Pont製 Riston)で 25°Cでラミネートした（図 4)。この際ダイシングテープには古河電工 (株)製 (UC3004M— 80)を用いた。ダイシングテープの膜厚は、 100 mであった。

[0078] (実施例 3)

膜厚を 50 μ mとした他は、実施例 1と同様に接着シートを作製した。

[0079] (比較例 1)

フィラーを使用しなヽ他は実施例 1と同様に試料を作成した。接着シートのフローは 2000 μ mであった。

[0080] (実施例 4〜8及び比較例 2、 3)

フィラー及びエポキシ基含有アクリルゴムの含有量を、表 1に示す量に変更した他は、実施例 1と同様に接着シートを作製した。

[0081] [評価項目]

(1)硬化後の弾性率

Cステージ状態の接着シートの 170°Cの弾性率を動的粘弾性測定装置 (レオロジ一社製、 DVE—V4)を用いて測定した（サンプルサイズ:長さ 20mm、幅 4mm、温度範囲— 30〜200°C、昇温速度 5°CZmin、引張りモード、 10Hz、自動静荷重)。

[0082] (2)接着力

120°Cのホットプレート上で、半導体チップ（5mm角）を金めつき基板 (銅箔付フレキ基板電解金めつき（Ni: 5 m、 Au: 0. 3 m) )上に接着シートを用いて接着し、 1 30°C、 30min+ 170°C、 lhキュアした。この試料のついて 85°C/85%RH、 48h吸湿後の 260°Cでの剪断強度を測定した。

[0083] (3)ラミネート性

ホットロールラミネータ（60°C、 0. 3mZ分、 0. 3MPa)で幅 10mmの接着シートとウェハを貼り合わせ、その後、接着シートを TOYOBALWIN製 UTM— 4— 100型テンシロンを用いて、 25°Cの雰囲気中で、 90° の角度で、 50mmZ分の引張り速度で剥がしたときの 90° ピール強度を求めた。 90° ピール強度が 30NZm以上の場合はラミネート性良好（〇）、 90° ピール強度が 30NZm未満の場合はラミネート性不良（X )とした。 [0084] (4)フロー

接着シートと PETフィルムを 1 X 2cmの短冊状に打ち抜いたサンプルについて、熱圧着試験装置 (テスター産業 (株)製)を用いて熱板温度 100°C、圧力 IMPaで 18秒間プレスした後、サンプルの端部からはみだした榭脂の長さを光学顕微鏡で測定し、これをフロー量とした。

[0085] (5)ダイシング性

接着シート、ダイシングテープの付いた半導体ウェハに、ダイシングカッターを用いてダイシング、さらに洗浄、乾燥を行い接着シート付き半導体チップを得た。その際、半導体チップの側面のクラックの最大高さと榭脂のばりの長さを測定し、それらが、 3 0 111以下の場合は〇、 30 m超の場合は Xとした。

[0086] (6)充てん性、耐リフロークラック性、耐温度サイクル性

接着剤付き半導体チップと、厚み 25 mのポリイミドフィルムを基材に用いた高さ 1 O /z mの凹凸を有する配線基板を 0. lMPa、 ls、 160°Cの条件で貼り合せた半導体装置サンプル (片面にはんだボールを形成)を作製し、充てん性、耐熱性を調べた。充てん性の評価は、半導体チップの断面を研磨し、光学顕微鏡で配線基板の凹凸付近などを観察し、直径 5 m以上の空隙の有無を調査することにより行った。直径 5 m以上の空隙のないものを〇、あるものを Xとした。耐熱性の評価方法には、耐リフロークラック性と耐温度サイクル試験を適用した。

[0087] 耐リフロークラック性の評価は、サンプル表面の最高温度が 260°Cでこの温度を 20 秒間保持するように温度設定した IRリフロー炉にサンプルを通し、室温で放置することにより冷却する処理を 2回繰り返したサンプル中のクラックを、目視と超音波顕微鏡で視察した。試料 10個すべてでクラックの発生していないものを〇とし、 1個以上発生していたものを Xとした。

[0088] 耐温度サイクル性は、サンプルを— 55°C雰囲気に 30分間放置し、その後 125°Cの雰囲気に 30分間放置する工程を 1サイクルとして、 1000サイクル後において超音波顕微鏡を用いて剥離やクラック等の破壊が試料 10すべてで発生して、な、ものを〇、 1個以上発生したものを Xとした。

[0089] (7)ワイヤ充てん性半導体チップ及び接着シートと、半導体チップ上に高さ 60 mになるように金ワイャ（直径 25 m)を布線した半導体チップを 0. lMPa、 ls、 160°Cの条件で貼り合せたサンプルについて充てん性を評価した。半導体チップの断面を研磨し、光学顕微鏡でワイヤ付近に直径 5 μ m以上の空隙の有無を調査した。直径 5 μ m以上の空隙のないものを〇、あるものを Xとした。

[0090] (8)硬化前の弾性率

Bステージ状態の接着シートの 25°C及び 80°Cの弾性率を動的粘弾性測定装置（レオロジ一社製、 DVE— V4)を用いて測定した（サンプルサイズ:長さ 20mm、幅 4 mm、温度範囲 30〜200°C、昇温速度 5°CZmin、引張りモード、 10Hz、自動静荷重)。

[0091] (9)溶融粘度

接着シートの溶融粘度は、下記の平行平板プラストメータ法により測定、算出した値を用いた。すなわち、接着シートをラミネートし、厚さ 100〜300 mのフィルムを作製する。これを直径 11. 3mmの円形に打ち抜いたものを試料とし、 100°Cにおいて、荷重 3. Okgfで 5秒間加圧し、加圧前後の試料の厚みから、式 1を用いて溶融粘度を算出した。実施例 2のフィルムに関しては各層の溶融粘度を測定したところ、第 1 層の接着剤層は 32万 Pa · s、第 2層の接着剤層は 2640Pa · sであった。

[0092] [数 1]

t 式 1

(式中、 Z0は荷重を加える前の接着シートの厚さ、 Zは荷重を加えた後の接着シートの厚さ、 Vは接着シートの体積、 Fは加えた荷重、 tは荷重をカ卩えた時間を表す。 ) [0093] サンプルの作成方法について詳しく説明すると、接着シート単体の厚みが 100 m 未満である場合は、接着シートを複数枚数貼り合わせて 100〜300 mの厚さにする。厚さが 100〜300 mであれば測定値が再現性よく得られるためである。例えば接着シート単体の厚みが 40 mである場合は、接着シートを 3〜7枚貼り合わせればよい。また、貼り合わせる条件はサンプルによって異なる力測定中に貼り合わせ面にお、て剥離が生じな、ようにすればよぐ通常その接着シートの硬化が進まな！/、条件で貼り合わせる。

評価結果を表 1に示す。

[表 1]

項目単位実お例

1 2 3 4 5 6 7 8

HTR-860P-3 重量部 28 28 28 44 33 32 28 44

S0-C2 重量部 95 95 95 47 66 177 41 110 高分子量成分重量％ 29 29 29 40 33 32 29 40 フイラ- (樹脂 100重量部に対し) 重量部 100 100 100 42 66 179 43 99 膜厚 U 75 75 50 75 75 75 75 75

Cステージ弾性率（170°C) MPa 160 120 160 50 90 200 100 140 接着力 kg 2 2.3 2 1.8 2 1.6 1.8 2.2 ラミネート性 — 〇〇〇〇〇〇〇〇フロー il m 757 758 759 760 1200 770 1800 680 ダイシング性 — 〇〇〇〇〇 O 〇〇充てん性 — 〇〇〇〇〇〇〇〇耐リフロークラック性 — 〇〇〇〇〇〇〇〇耐温度サイクル性 —— 〇〇〇〇〇〇〇〇ワイヤ充てん性 — 〇〇〇〇〇〇〇〇溶融粘度（100°C) Pa-S 2640 2640 2630 2630 1660 2600 1110 2940

Bステージ弾性率（25°C) MPa 600 580 614 340 380 900 320 560

Bステージ弾性率（80°C) MPa 1 1 1.4 0.8 0.3 1.9 0.8 1.1

[0095]

[0096] 以上、本発明について実施例を用いて説明してきたが、以下の作用効果を奏するー

Claims

請求の範囲

[1] 架橋性官能基を含む重量平均分子量が 10万以上かつ Tgが― 50〜50°Cである高分子量成分 15〜40重量％及びエポキシ榭脂を主成分とする熱硬化性成分 60〜 85重量％を含む榭脂 100重量部と、

フィラー 40〜180重量部とを含有し、

厚さが 10〜250 mであることを特徴とする接着シート。

[2] 硬化前の 25°Cでの動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が 200〜3000MPaであり、 80°Cでの動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が 0. 1〜： LOMPaである請求項 1記載の接着シート。

[3] 硬化後の 170°Cでの動的粘弾性測定による貯蔵弾性率が 20〜600MPaである請求項 1又は 2記載の接着シート。

[4] 硬化前の 100°Cでの溶融粘度が 1000〜7500Pa' sである請求項 1〜3いずれかに記載の接着シート。

[5] 榭脂 100重量部とフィラー 60〜120重量部とを含有する請求項 1〜4いずれかに記載の接着シート。

[6] フィラーのモース硬度が 3〜8である請求項 1〜5いずれかに記載の接着シート。

[7] フィラーの平均粒径が 0. 05〜5 μ mであり、比表面積が 2〜200m²Zgである請求項 1〜6いずれかに記載の接着シート。

[8] ウェハ、接着シート及びダイシングテープを 0°C〜80°Cで貼り合わせ、回転刃でゥエノヽ、接着シート及びダンシングテープを同時に切断し、接着剤付き半導体チップを得た後、当該接着剤付き半導体チップを凹凸を有する基板又は半導体チップに荷重 0. 001〜： LMPaで接着し、接着剤で凹凸を充てんする工程に使用する請求項 1

〜7いずれかに記載の接着シート。

[9] 第 1の接着剤層及び第 2の接着剤層が直接的に又は間接的に積層された構造を有してなる多層接着シートであって、

少なくとも第 2の接着剤層が請求項 1〜8いずれかに記載の接着シートからなり、かつ、第 1の接着剤層のフロー量 A /z m 厚さ a /z m 第 2の接着剤層のフロー量 B μ m、厚さ b μ mとが、 A X 3< Bかつ a X 2< bの関係を有する多層接着シート。

[10] 第 1の接着剤層及び第 2の接着剤層が直接的に又は間接的に積層された構造を有してなる多層接着シートであって、

少なくとも第 2の接着剤層が請求項 1〜8いずれかに記載の接着シートからなり、かつ、第 1の接着剤層の溶融粘度 a Pa ' s、厚さ a /z m 第 2の接着剤層の溶融粘度 jS Pa ' s、厚さ b /z mとが、 α > β X 3かつ a X 2 < bの関係を有する多層接着シート

[11] ウェハ、接着シート及びダイシングテープを貼り合せた際に、ウェハに接する側が第 1の接着剤層であり、ダイシングテープに接する側が第 2の接着剤層である請求項 9又は 10記載の多層接着シート。

[12] ウェハ、請求項 1〜： L 1いずれかに記載の接着シート及びダイシングテープを 0°C〜 80°Cで貼り合わせ、回転刃でウェハ、接着シート及びダンシングテープを同時に切断し、接着剤付き半導体チップを得た後、当該接着剤付き半導体チップを凹凸を有する基板又は半導体チップに荷重 0. 001〜： LMPaで接着し、接着剤で凹凸を充てんする工程を含む半導体装置の製造方法。

[13] 接着剤付き半導体チップを凹凸を有する基板又は半導体チップに接着する際に、凹凸を加熱する請求項 12記載の半導体装置の製造方法。

[14] 請求項 1〜11いずれかに記載の接着シートを用いて半導体チップと基板、又は半導体チップと半導体チップとを接着してなる半導体装置。