JPWO2010131655A1 - 接着シート - Google Patents
接着シート Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2010131655A1 JPWO2010131655A1 JP2011513346A JP2011513346A JPWO2010131655A1 JP WO2010131655 A1 JPWO2010131655 A1 JP WO2010131655A1 JP 2011513346 A JP2011513346 A JP 2011513346A JP 2011513346 A JP2011513346 A JP 2011513346A JP WO2010131655 A1 JPWO2010131655 A1 JP WO2010131655A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive
- adhesive sheet
- molecular weight
- high molecular
- mass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 title claims abstract description 70
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 21
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 claims abstract description 16
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims abstract description 16
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims abstract description 8
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 claims abstract description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 13
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 10
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 6
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims 1
- -1 copper Chemical class 0.000 description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 22
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 20
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 20
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 9
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 8
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 8
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 6
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 6
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 5
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 5
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropylurea Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC(N)=O LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N N-Methylmorpholine Chemical compound CN1CCOCC1 SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 3
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 229920005604 random copolymer Polymers 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 1,4-naphthoquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C=CC(=O)C2=C1 FRASJONUBLZVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 2
- NADHCXOXVRHBHC-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethoxycyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical compound COC1=C(OC)C(=O)C=CC1=O NADHCXOXVRHBHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 2
- KNTKCYKJRSMRMZ-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCCl KNTKCYKJRSMRMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 4,4'-sulfonyldiphenol Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(O)C=C1 VPWNQTHUCYMVMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 2
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CRGRWBQSZSQVIE-UHFFFAOYSA-N diazomethylbenzene Chemical compound [N-]=[N+]=CC1=CC=CC=C1 CRGRWBQSZSQVIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 2
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 2
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 2
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIXPTCZPFCVOQF-UHFFFAOYSA-N ubiquinone-0 Chemical compound COC1=C(OC)C(=O)C(C)=CC1=O UIXPTCZPFCVOQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003067 (meth)acrylic acid ester copolymer Polymers 0.000 description 1
- BPXVHIRIPLPOPT-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tris(2-hydroxyethyl)-1,3,5-triazinane-2,4,6-trione Chemical compound OCCN1C(=O)N(CCO)C(=O)N(CCO)C1=O BPXVHIRIPLPOPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940005561 1,4-benzoquinone Drugs 0.000 description 1
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 2,3,4,6,7,8,9,10-octahydropyrimido[1,2-a]azepine Chemical compound C1CCCCN2CCCN=C21 GQHTUMJGOHRCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZEGDFCCYTFPECB-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethoxy-1,4-benzoquinone Natural products C1=CC=C2C(=O)C(OC)=C(OC)C(=O)C2=C1 ZEGDFCCYTFPECB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIACLXROWHONEE-UHFFFAOYSA-N 2,3-dimethylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical compound CC1=C(C)C(=O)C=CC1=O AIACLXROWHONEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJELTSYBAHKXRW-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-triallyloxy-1,3,5-triazine Chemical compound C=CCOC1=NC(OCC=C)=NC(OCC=C)=N1 BJELTSYBAHKXRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AHDSRXYHVZECER-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tris[(dimethylamino)methyl]phenol Chemical compound CN(C)CC1=CC(CN(C)C)=C(O)C(CN(C)C)=C1 AHDSRXYHVZECER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SENUUPBBLQWHMF-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical compound CC1=CC(=O)C=C(C)C1=O SENUUPBBLQWHMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLYUOMVYYFJUBR-UHFFFAOYSA-N 2-[methyl-bis[2-(2-methylprop-2-enoyloxy)ethoxy]silyl]oxyethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO[Si](C)(OCCOC(=O)C(C)=C)OCCOC(=O)C(C)=C CLYUOMVYYFJUBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZMPNTRTTKGGDK-UHFFFAOYSA-N 2-heptadecyl-1H-imidazole 1H-imidazole Chemical class C(CCCCCCCCCCCCCCCC)C=1NC=CN1.N1C=NC=C1 GZMPNTRTTKGGDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HOZMLTCHTRHKRK-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-silylprop-2-en-1-one Chemical class CC(=C)C([SiH3])=O HOZMLTCHTRHKRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1h-imidazole Chemical compound CC1=NC=CN1 LXBGSDVWAMZHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTWDKFNVVLAELH-UHFFFAOYSA-N 2-methylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical compound CC1=CC(=O)C=CC1=O VTWDKFNVVLAELH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMMZCWZIJXAGKW-UHFFFAOYSA-N 2-methylpent-2-ene Chemical compound CCC=C(C)C JMMZCWZIJXAGKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound C1=CNC(C=2C=CC=CC=2)=N1 ZCUJYXPAKHMBAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLQZIECDMISZHS-UHFFFAOYSA-N 2-phenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1 RLQZIECDMISZHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WJQOZHYUIDYNHM-UHFFFAOYSA-N 2-tert-Butylphenol Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=C1O WJQOZHYUIDYNHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IHDMWJVVHWITIM-UHFFFAOYSA-N 3-(4,5-dihydroimidazol-1-yl)propyl-trimethoxysilane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN1CCN=C1 IHDMWJVVHWITIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHWPPBZDJQYMDI-UHFFFAOYSA-N 3-[3-[benzyl(ethenyl)amino]propoxy-dimethoxysilyl]propan-1-amine Chemical compound NCCC[Si](OC)(OC)OCCCN(C=C)CC1=CC=CC=C1 GHWPPBZDJQYMDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXLAEGYMDGUSBD-UHFFFAOYSA-N 3-[diethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCN HXLAEGYMDGUSBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propan-1-amine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCN ZYAASQNKCWTPKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C LZMNXXQIQIHFGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJURIXUDYDHOMA-UHFFFAOYSA-N 3-[tris[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]silyl]propan-1-amine Chemical compound COCCOCCO[Si](CCCN)(OCCOCCOC)OCCOCCOC PJURIXUDYDHOMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEZMLECYELSZDC-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl-diethoxy-methylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)CCCCl KEZMLECYELSZDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCS DCQBZYNUSLHVJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVACOMKKELLCHJ-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropylurea Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC(N)=O LVACOMKKELLCHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGIURMCNTDVGJM-UHFFFAOYSA-N 4-triethoxysilylbutanenitrile Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCC#N VGIURMCNTDVGJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-phenyl-1h-imidazole Chemical compound N1C(C)=CN=C1C1=CC=CC=C1 TYOXIFXYEIILLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 5K8XI641G3 Chemical compound CCC1=NC=C(C)N1 ULKLGIFJWFIQFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015900 BF3 Inorganic materials 0.000 description 1
- DEKKRYGGQQQYSA-UHFFFAOYSA-N CCO[SiH3].N=C=O Chemical compound CCO[SiH3].N=C=O DEKKRYGGQQQYSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJIZILLCOZOPQO-UHFFFAOYSA-N CO[Si](OC)CCCCl Chemical compound CO[Si](OC)CCCCl SJIZILLCOZOPQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 239000004641 Diallyl-phthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000233855 Orchidaceae Species 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- KVBYPTUGEKVEIJ-UHFFFAOYSA-N benzene-1,3-diol;formaldehyde Chemical compound O=C.OC1=CC=CC(O)=C1 KVBYPTUGEKVEIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N bis(prop-2-enyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC=C QUDWYFHPNIMBFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N boron trifluoride Substances FB(F)F WTEOIRVLGSZEPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001642 boronic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960002887 deanol Drugs 0.000 description 1
- UCJHMXXKIKBHQP-UHFFFAOYSA-N dichloro-(3-chloropropyl)-methylsilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)CCCCl UCJHMXXKIKBHQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N diethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical group CCO[Si](C)(OCC)CCCOCC1CO1 OTARVPUIYXHRRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical group CO[Si](C)(OC)CCCOCC1CO1 WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DEJRLAVWNDPXGZ-UHFFFAOYSA-N dimethyl(3-trimethoxysilylpropyl)azanium;chloride Chemical compound Cl.CO[Si](OC)(OC)CCCN(C)C DEJRLAVWNDPXGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N dimethylbenzylamine Chemical compound CN(C)CC1=CC=CC=C1 XXBDWLFCJWSEKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphine Chemical compound C=1C=CC=CC=1PC1=CC=CC=C1 GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007849 furan resin Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000002188 infrared transmission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUCCZFISQTYRNK-UHFFFAOYSA-N isocyanato(dimethyl)silane Chemical compound C[SiH](C)N=C=O FUCCZFISQTYRNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIZHERJWXFHGGU-UHFFFAOYSA-N isocyanato(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)N=C=O NIZHERJWXFHGGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- UJNZOIKQAUQOCN-UHFFFAOYSA-N methyl(diphenyl)phosphane Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C)C1=CC=CC=C1 UJNZOIKQAUQOCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOXQZISAMDUXGH-UHFFFAOYSA-N methyl-tris(oxiran-2-ylmethoxy)silane Chemical group C1OC1CO[Si](OCC1OC1)(C)OCC1CO1 KOXQZISAMDUXGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVYLCNUFSHDAAW-UHFFFAOYSA-N mirex Chemical compound ClC12C(Cl)(Cl)C3(Cl)C4(Cl)C1(Cl)C1(Cl)C2(Cl)C3(Cl)C4(Cl)C1(Cl)Cl GVYLCNUFSHDAAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DVYVMJLSUSGYMH-UHFFFAOYSA-N n-methyl-3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CNCCC[Si](OC)(OC)OC DVYVMJLSUSGYMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005487 naphthalate group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N octyltriethoxysilane Chemical compound CCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC MSRJTTSHWYDFIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003493 octyltriethoxysilane Drugs 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N oxiran-2-ylmethyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC1CO1 RPQRDASANLAFCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N phenylphosphine Chemical compound PC1=CC=CC=C1 RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 1
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical class [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N sulfanylsilane Chemical class S[SiH3] TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- USFPINLPPFWTJW-UHFFFAOYSA-N tetraphenylphosphonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[P+](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 USFPINLPPFWTJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 1
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N tributylphosphine Chemical compound CCCCP(CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C=C GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOYFEXPFPVDYIS-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethyl)silane Chemical compound CC[Si](Cl)(Cl)Cl ZOYFEXPFPVDYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWDQAHIRKOXFAV-UHFFFAOYSA-N trichloro(pentyl)silane Chemical compound CCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl KWDQAHIRKOXFAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005829 trimerization reaction Methods 0.000 description 1
- XYJRNCYWTVGEEG-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(2-methylpropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC(C)C XYJRNCYWTVGEEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OC HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[2-(7-oxabicyclo[4.1.0]heptan-4-yl)ethyl]silane Chemical compound C1C(CC[Si](OC)(OC)OC)CCC2OC21 DQZNLOXENNXVAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical group CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIOVKLKJSOKLIF-HJWRWDBZSA-N trimethylsilyl (1z)-n-trimethylsilylethanimidate Chemical compound C[Si](C)(C)OC(/C)=N\[Si](C)(C)C SIOVKLKJSOKLIF-HJWRWDBZSA-N 0.000 description 1
- WXAZIUYTQHYBFW-UHFFFAOYSA-N tris(4-methylphenyl)phosphane Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1P(C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 WXAZIUYTQHYBFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRPURDFRFHUDSP-UHFFFAOYSA-N tris(prop-2-enyl) benzene-1,2,4-tricarboxylate Chemical compound C=CCOC(=O)C1=CC=C(C(=O)OCC=C)C(C(=O)OCC=C)=C1 GRPURDFRFHUDSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005050 vinyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N vinylsilane Chemical class [SiH3]C=C UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
- C09J11/02—Non-macromolecular additives
- C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
- C09J201/005—Dendritic macromolecules
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
- C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
- C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
- C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
- H01L2224/83885—Combinations of two or more hardening methods provided for in at least two different groups from H01L2224/83855 - H01L2224/8388, e.g. for hybrid thermoplastic-thermosetting adhesives
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0102—Calcium [Ca]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01073—Tantalum [Ta]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01077—Iridium [Ir]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/28—Web or sheet containing structurally defined element or component and having an adhesive outermost layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Adhesive Tapes (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
本発明は、(A)高分子量成分及び(B)熱硬化性成分を含む接着剤組成物をシート状に成形した接着剤層を備える接着シートであって、(A)高分子量成分のIRスペクトルにおいて、カルボニル基に由来する1730cm-1付近のピーク高さ(PCO)に対するニトリル基に由来する2240cm-1付近のピーク高さ(PCN)の比(PCN/PCO)が0.03以下である接着シートに関する。
Description
本発明は、接着シートに関する。
近年、携帯電話、携帯オ−ディオ機器用のメモリパッケージチップを多段に積層したスタックドMCP(Multi Chip Package)が普及している。このようなパッケージにおいては、チップの接着面に空隙を発生させることなくチップを実装することが、接続信頼性向上のための課題の一つとなっている。特に、配線などを有する基板上にチップを積層する場合、この基板表面の凹凸を十分に埋め込む埋込性がパッケージの接続信頼性の確保に重要とされている。その一方で、最近の半導体装置の小型化、薄型化に伴い基板及びウエハの薄型化が進んでおり、上述したような熱応力に起因して素子の反りなどが発生しやすくなっている。そのため、より低温・低荷重での実装が強く求められている。
しかし、低温・低荷重の圧着実装のみで上記の凹凸を十分埋め込むことが難しいため、従来は、接着シート付きチップを基板上に熱圧着して固定し、パッケージ封止工程での熱と圧力で凹凸を埋め込む方法が主流であった。このような埋込性を確保できる接着シートとしては、例えば、特許文献1に記載されているようなエポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル共重合体を含む接着フィルムなどが知られている。
しかしながら、近年、半導体装置の小型化及び薄型化に伴う配線の微細化、並びに、半導体装置の低コスト化や高速化の要求に伴う銅などの腐食しやすい金属の配線材料への使用により、絶縁性が低下し、半導体装置の接続信頼性が低下してきている。そのため、接続信頼性を確保するためには、埋込性だけではなく、絶縁性を向上させることも重要な課題となっており、埋込性及び絶縁性の両方を満足できる接着シートが求められている。
そこで、本発明は、埋込性及び絶縁性に優れ、半導体装置の接続信頼性の向上を可能とする接着シートを提供することを目的とする。
本発明は、(A)高分子量成分及び(B)熱硬化性成分を含む接着剤組成物をシート状に成形した接着剤層を備える接着シートであって、(A)高分子量成分のIRスペクトルにおいて、カルボニル基に由来する1730cm-1付近のピーク高さ(PCO)に対するニトリル基に由来する2240cm-1付近のピーク高さ(PCN)の比(PCN/PCO)が0.03以下である接着シートを提供する。
本発明では、(A)高分子量成分中のニトリル基の含有量をIRスペクトルにおけるカルボニル基のピーク高さとニトリル基のピーク高さとの比として表している。(A)高分子量成分中のニトリル基を所定量以下とすることで、本発明の接着シートは、埋込性及び絶縁性に十分に優れ、半導体装置の接続信頼性を向上することができる。
また、上記(A)高分子量成分の元素分析における窒素含有量は、4.0質量%以下であることが好ましい。
上記接着シートにおいて、接着剤層の100℃における溶融粘度が300〜30000Pa・sであり、接着剤層の厚さが3〜250μmであることが好ましい。これにより、接着剤層の埋込性をさらに確保することができる。
上記接着剤組成物が、(C)フィラー、(D)硬化促進剤及び(E)カップリング剤を更に含むと、本発明の接着シートは、信頼性により一層優れるものとなる。
本発明によれば、基板又は半導体チップの凹凸を埋め込むことができる埋込性、及び、配線の微細化や腐食しやすい銅配線等の使用で問題となっている絶縁性に優れ、半導体装置の接続信頼性の向上を可能とする接着シートを提供することができる。
以下、場合により図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。なお、各図における寸法比は、説明のため誇張している部分があり、必ずしも実際の寸法比とは一致しない。
図1は、本発明の接着シートの好適な一実施形態を示す模式断面図である。図1に示した接着シート1は、基材フィルム20と、基材フィルム20上に設けられた接着剤層10と、で構成される。接着剤層10は、本発明に係る接着剤組成物からなる。本発明の接着シートは、接着剤層10上の基材フィルム20の反対側の面を保護フィルムで被覆してもよい。
本発明の接着シートは、(A)高分子量成分及び(B)熱硬化性成分を含む接着剤組成物をシート状に成形した接着剤層を備える接着シートであって、(A)高分子量成分のIRスペクトルにおいて、カルボニル基に由来する1730cm-1付近のピーク高さ(PCO)に対するニトリル基に由来する2240cm-1付近のピーク高さ(PCN)の比(PCN/PCO)が0.03以下であることを特徴とする。
まず、本発明に係る接着剤組成物を構成する各成分について詳しく説明する。
(A)高分子量成分
(A)高分子量成分としては、エポキシ基、アルコール性水酸基、フェノール性水酸基、カルボキシル基等の架橋性官能基を有するポリイミド樹脂、(メタ)アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、ニトリル基の含有量を十分に低減したものであることが好ましく、ニトリル基を有しないことがより好ましい。
(A)高分子量成分としては、エポキシ基、アルコール性水酸基、フェノール性水酸基、カルボキシル基等の架橋性官能基を有するポリイミド樹脂、(メタ)アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、ニトリル基の含有量を十分に低減したものであることが好ましく、ニトリル基を有しないことがより好ましい。
フィルム形成性(強靭性)の観点から、本発明で用いる高分子量成分(A)としては、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等の官能性モノマーを含有するモノマーを重合して得たエポキシ基含有(メタ)アクリル共重合体等が好ましい。更に、(メタ)アクリル共重合体としては、(メタ)アクリル酸エステル共重合体、アクリルゴム等を使用することができ、アクリル酸エステル共重合体がより好ましい。ここで、アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体などからなるゴムである。本実施形態においてアクリルゴムを用いる場合、アクリロニトリルの割合を十分に低減したもの、又はアクリロニトリルを含まないものを用いる必要がある。
エポキシ基含有(メタ)アクリル共重合体がモノマー単位としてアクリロニトリルを含有する場合、アクリロニトリルの含有量は、エポキシ基含有(メタ)アクリル共重合体を構成するモノマーの全質量を基準として、10質量%以下であることが好ましい。
(A)高分子量成分のニトリル基の量は、IR測定及び元素分析により確認することができる。
(A)高分子量成分のIRスペクトルにおいて、カルボニル基に由来する1730cm-1付近のピーク高さ(PCO)に対する、ニトリル基に由来する2240cm-1付近のピーク高さ(PCN)の比(PCN/PCO)が0.03以下であることが好ましい。
(A)高分子量成分の元素分析において測定される窒素含有量は、4.0質量%以下であることが好ましく、3.0質量%以下であることがより好ましい。
(A)高分子量成分のガラス転移温度(以下、「Tg」と表記する)は、−50〜50℃であることが好ましく、−30〜20℃であることがより好ましい。高分子量成分のTgが−50℃未満では、フィルム成形を行った後のタック力が上がる可能性があり、逆に50℃を超えると流動性を損なう可能性がある。
高分子量成分の重量平均分子量(以下、「Mw」と表記する)は、特に限定されないが、5万〜120万であることが好ましく、10万〜120万であることがより好ましく、20万〜60万であることが更に好ましい。高分子量成分のMwが5万未満では、成膜性が悪くなる傾向があり、逆に120万を超えると流動性が落ちてしまう傾向がある。なお、Mwは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)で測定し、標準ポリスチレンによる検量線を用いて換算した値を意味する。
上記を満たすような(A)高分子量成分として、例えば、官能性モノマーであるグリシジルメタクリレートと、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸エチル及びアクリル酸ブチルとを共重合したエポキシ基含有アクリル系ランダム共重合体が挙げられる。
(B)熱硬化性成分
(B)熱硬化性成分は、熱により架橋反応を起こし得る反応性化合物から構成される成分である。熱硬化性成分としては、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、レゾルシノールホルムアルデヒド樹脂、キシレン樹脂、フラン樹脂、ポリウレタン樹脂、ケトン樹脂、トリアリルシアヌレート樹脂、ポリイソシアネート樹脂、トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌラートを含有する樹脂、トリアリルトリメリタートを含有する樹脂、シクロペンタジエンから合成された熱硬化性樹脂、芳香族ジシアナミドの三量化による熱硬化性樹脂等が挙げられる。これらの中でも、高温において優れた接着力を持たせることができる点で、エポキシ樹脂、シアネート樹脂及びビスマレイミド樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂としては、半導体素子を実装する場合に要求される耐熱性及び耐湿性を有し、150℃以上で反応し、高分子量化するエポキシ樹脂を好適に用いることができる。これらの熱硬化性成分は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
(B)熱硬化性成分は、熱により架橋反応を起こし得る反応性化合物から構成される成分である。熱硬化性成分としては、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、レゾルシノールホルムアルデヒド樹脂、キシレン樹脂、フラン樹脂、ポリウレタン樹脂、ケトン樹脂、トリアリルシアヌレート樹脂、ポリイソシアネート樹脂、トリス(2−ヒドロキシエチル)イソシアヌラートを含有する樹脂、トリアリルトリメリタートを含有する樹脂、シクロペンタジエンから合成された熱硬化性樹脂、芳香族ジシアナミドの三量化による熱硬化性樹脂等が挙げられる。これらの中でも、高温において優れた接着力を持たせることができる点で、エポキシ樹脂、シアネート樹脂及びビスマレイミド樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂としては、半導体素子を実装する場合に要求される耐熱性及び耐湿性を有し、150℃以上で反応し、高分子量化するエポキシ樹脂を好適に用いることができる。これらの熱硬化性成分は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
エポキシ樹脂としては、硬化して接着作用を有するものであれば特に制限はない。エポキシ樹脂として、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂等の二官能エポキシ樹脂;フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂;多官能エポキシ樹脂;脂環式エポキシ樹脂など一般に知られているものを適用することができる。これらのなかでも、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が好ましい。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
上記エポキシ樹脂を使用する場合、熱硬化性成分は、エポキシ樹脂を硬化させるための硬化剤を含むことが好ましい。硬化剤としては、従来用いられている公知の硬化剤を使用することができる。硬化剤として、例えば、フェノール系化合物、脂肪族アミン、脂環族アミン、芳香族ポリアミン、ポリアミド、脂肪族酸無水物、脂環族酸無水物、芳香族酸無水物、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジド、三フッ化ホウ素アミン錯体、イミダゾール類、第3級アミン等が挙げられる。これらの中でも、フェノール系化合物が好ましく、分子中に少なくとも2個以上のフェノール性水酸基を有するフェノール系化合物がより好ましい。このような化合物としては、例えば、フェノールノボラック、クレゾールノボラック、t−ブチルフェノールノボラック、ジシクロペンタジエンクレゾールノボラック、ジシクロペンタジエンフェノールノボラック、キシリレン変性フェノールノボラック、ナフトール系化合物、トリスフェノール系化合物、テトラキスフェノールノボラック、ビスフェノールAノボラック、ポリ−p−ビニルフェノール、フェノールアラルキル樹脂が挙げられる。これらの中でも、硬化剤としては、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールSのようなフェノール性水酸基を1分子中に2個以上有するフェノール系化合物、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールAノボラック樹脂又はクレゾールノボラック樹脂等のフェノール樹脂が好ましい。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(C)フィラー
接着剤組成物には、上記成分の他に(C)フィラーを添加することもできる。(C)フィラーとしては特に制限はないが、無機フィラーが好ましく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ及び非晶性シリカを使用できる。これらは1種を単独又は2種以上を混合して用いてもよい。
接着剤組成物には、上記成分の他に(C)フィラーを添加することもできる。(C)フィラーとしては特に制限はないが、無機フィラーが好ましく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ及び非晶性シリカを使用できる。これらは1種を単独又は2種以上を混合して用いてもよい。
熱伝導性向上の観点からは、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ又は非晶性シリカをフィラーとして用いることが好ましい。また、溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与の点からは、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ又は非晶性シリカを用いることが好ましい。また、ダイシング性の向上の観点からは、アルミナ又はシリカを用いることが好ましい。
フィラーの平均粒径は、0.005〜2.0μmであることが好ましい。平均粒径が0.005μm未満であるか又は2.0μmを超えると接着剤シートの接着性が低下する可能性がある。接着剤組成物の良好な成膜性と高い接着力を得るためには、フィラーの平均粒径は0.005〜1.5μmであることがより好ましく、0.005〜1.0μmであることがさらに好ましい。
フィラーの含有割合は、接着剤層の流動性を確保する点から、(A)及び(B)成分の合計100質量部に対して1〜10質量部であることが好ましく、3〜5質量部であることがより好ましい。
(D)硬化促進剤
接着剤組成物には、さらに(D)硬化促進剤を含有することができる。硬化促進剤としては、特に制限はなく、例えば、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノネン−5、5,6−ジブチルアミノ−1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7等のシクロアミジン化合物及びこれらの化合物に無水マレイン酸、1,4−ベンゾキノン、2,5−トルキノン、1,4−ナフトキノン、2,3−ジメチルベンゾキノン、2,6−ジメチルベンゾキノン、2,3−ジメトキシ−5−メチル−1,4−ベンゾキノン、2,3−ジメトキシ−1,4−ベンゾキノン、フェニル−1,4−ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール等の三級アミン類及びこれらの誘導体、2−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール等のイミダゾール類及びこれらの誘導体、トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス(4−メチルフェニル)ホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン等の有機ホスフィン類及びこれらのホスフィン類に無水マレイン酸、上記キノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有するリン化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムエチルトリフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムテトラブチルボレート等のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート、2−エチル−4−メチルイミダゾール・テトラフェニルボレート、N−メチルモルホリン・テトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩及びこれらの誘導体が挙げられる。これらの硬化促進剤は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。中でも、硬化促進剤としては、イミダゾール類を含むことが好ましい。
接着剤組成物には、さらに(D)硬化促進剤を含有することができる。硬化促進剤としては、特に制限はなく、例えば、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノネン−5、5,6−ジブチルアミノ−1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7等のシクロアミジン化合物及びこれらの化合物に無水マレイン酸、1,4−ベンゾキノン、2,5−トルキノン、1,4−ナフトキノン、2,3−ジメチルベンゾキノン、2,6−ジメチルベンゾキノン、2,3−ジメトキシ−5−メチル−1,4−ベンゾキノン、2,3−ジメトキシ−1,4−ベンゾキノン、フェニル−1,4−ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有する化合物、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス(ジメチルアミノメチル)フェノール等の三級アミン類及びこれらの誘導体、2−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール等のイミダゾール類及びこれらの誘導体、トリブチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリス(4−メチルフェニル)ホスフィン、ジフェニルホスフィン、フェニルホスフィン等の有機ホスフィン類及びこれらのホスフィン類に無水マレイン酸、上記キノン化合物、ジアゾフェニルメタン、フェノール樹脂等のπ結合をもつ化合物を付加してなる分子内分極を有するリン化合物、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウムエチルトリフェニルボレート、テトラブチルホスホニウムテトラブチルボレート等のテトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート、2−エチル−4−メチルイミダゾール・テトラフェニルボレート、N−メチルモルホリン・テトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩及びこれらの誘導体が挙げられる。これらの硬化促進剤は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いてもよい。中でも、硬化促進剤としては、イミダゾール類を含むことが好ましい。
(E)カップリング剤
また、接着剤組成物には、異種材料間の界面結合をよくするために(E)カップリング剤を配合することもできる。カップリング剤としては、シラン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤が挙げられ、これらの中でもシラン系カップリング剤が好ましい。
また、接着剤組成物には、異種材料間の界面結合をよくするために(E)カップリング剤を配合することもできる。カップリング剤としては、シラン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤が挙げられ、これらの中でもシラン系カップリング剤が好ましい。
シラン系カップリング剤としては、特に制限はなく、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス(β−メトキシエトキシ)シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン等のビニルシラン類;γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピル−トリメトキシシラン、メチルトリ(メタクリロイルオキエトキシ)シラン等のメタクリロイルシラン類;β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、メチルトリ(グリシジルオキシ)シラン等のエポキシ基含有シラン類;N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N‐フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピル−トリス(2−メトキシ−エトキシ−エトキシ)シラン、N−メチル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピル−トリメトキシシラン、3−4,5−ジヒドロイミダゾール−1−イル−プロピルトリメトキシシラン、アミルトリクロロシラン等のアミノシラン類;γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、3−メルカプトプロピル−メチルジメトキシシラン等のメルカプトシラン類;3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリメトキシシラン等の尿素結合含有シラン類;トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テトライソシアネートシラン、エトキシシランイソシアネート等のイソシアネート基含有シラン類;3−クロロプロピル−メチルジメトキシシラン、3−クロロプロピル−ジメトキシシラン、3−シアノプロピル−トリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、N,O−ビス(トリメチルシリル)アセトアミド、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリクロロシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、N−β(N−ビニルベンジルアミノエチル)−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチル[3−(トリメトキシシリル)プロピル]アンモニウムクロライド、γ−クロロプロピルメチルジクロロシラン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン及びγ−クロロプロピルメチルジエトキシシランが挙げられる。これらは1種を単独で又は2種以上を併用して用いることができる。
本実施形態に係る接着剤組成物が、(A)高分子量成分、(B)熱硬化性成分、(C)フィラー、(D)硬化促進剤及び(E)カップリング剤を含む場合、(A)〜(E)成分の合計量100質量%を基準として、(A)高分子量成分が50〜80質量%、(B)熱硬化性成分が15〜40質量%、(C)フィラーが3〜10質量%、(D)硬化促進剤が0.05〜0.15質量%及び(E)カップリング剤が0.5〜2質量%であることが好ましい。
(A)高分子量成分が50質量%未満では、接着剤層10が脆くなる傾向があり、80質量%を超えると接着剤層10の流動性が低下する傾向がある。また、(B)熱硬化性成分が15質量%未満では、接着剤層10の硬化性が低下する傾向があり、40質量%を超えると接着剤層10が脆くなる傾向がある。さらに、(C)フィラーが3質量%未満では、接着剤層10の接着力が低下する傾向があり、10質量%を超えると接着剤層10の流動性が低下する傾向がある。
基材フィルム20として、特に制限はなく、例えば、ポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等が用いられる。
これらのフィルムに対して、必要に応じてプライマー塗布、UV処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理を行ってもよい。基材フィルム20の厚みは、特に制限はなく、接着剤層10の厚みや接着シート1の用途によって適宜選択される。
本発明の接着シート1は、例えば、下記のようにして作製することができる。まず、上述の接着剤組成物を構成する各成分を有機溶媒中で混合、混練してワニスを調製し、このワニスの層を基材フィルム20上に形成させ、加熱により乾燥することにより接着シート1を得ることができる。また、ワニス層の乾燥後に基材フィルム20を除去して、接着剤層10のみから構成される接着シートとしてもよい。
上記の混合、混練は、通常の撹拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。加熱乾燥の条件は、使用した有機溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常60〜200℃で、0.1〜90分間加熱して行う。
上記ワニスの調製に用いる有機溶媒は、接着シートを構成する成分を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような溶剤としては、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド系溶媒;アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒;トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒が挙げられる。乾燥速度が速く、価格が安い点でメチルエチルケトン、シクロヘキサノンを使用することが好ましい。
有機溶媒は、形成される接着剤層10中の残存揮発分が接着剤層10の全質量基準で0〜1.0質量%となるような範囲で使用することが好ましく、接着剤層10の発泡などによる信頼性低下への懸念から接着剤層10の全質量基準で0〜0.5質量%となる範囲で使用することがより好ましい。
接着剤層10は、硬化前の100℃における溶融粘度が300〜30000Pa・sであることが好ましく、300〜20000Pa・sであることがより好ましい。溶融粘度が300Pa・s未満では、接続時に接着剤層がはみ出してしまうことがあり、30000Pa・sを超えると埋込性が不十分となる傾向がある。
接着剤層10の溶融粘度は、回転式粘弾性測定装置(ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン(株)製、商品名「ARES−RDA」)を用いて測定することができる。また、接着剤層10の接着力は、万能ボンドテスター(Dage社製、商品名「シリーズ4000」)を用いて測定することができる。
また、接着剤層10の厚みは、基板の配線回路や下層のチップの凹凸を充てん可能とするため、3〜250μmであることが好ましい。この厚みが3μm未満であると応力緩和効果や接着性が乏しくなる傾向があり、250μmを超えると経済的でなくなる上に、半導体装置の薄型化の要求に応えられない可能性がある。接着剤層10の厚みは、接着性確保の点から3〜100μmであることが好ましく、半導体装置を薄型化できる点から3〜20μmであることがより好ましい。
本発明の接着シートは、基板又は半導体チップの凹凸表面の凹部充填性が良好である。従って、半導体装置の製造における半導体チップと基材との間や半導体チップ同士の間を接着するための工程において、接着信頼性に優れる接着シートとして使用することができる。
基板又は半導体チップの凹凸を接着シートにより充填するときの荷重は適宜選択される。基板又は半導体チップの凹凸を接着シートにより充填する際に、基板の配線、半導体チップの凹凸を加熱することが好ましい。加熱方法としては、凹凸を有する基板又は半導体チップを予め加熱した熱板に接触させる方法が挙げられる。
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれらに制限されるものではない。
(A)高分子量成分
高分子量成分として、下記組成を有するA1〜A3の各成分を準備した。なお、高分子量成分中のニトリル基の含有量は、IR測定及び元素分析により規定した。
高分子量成分として、下記組成を有するA1〜A3の各成分を準備した。なお、高分子量成分中のニトリル基の含有量は、IR測定及び元素分析により規定した。
(IR測定)
A1〜A3成分について、KBr錠剤法により、透過IRスペクトルを測定し、縦軸を吸光度で表示した。IRの測定には、日本分光製「FT−IR6300」(光源:高輝度セラミック光源、検出器:DLATGS)を使用した。
A1〜A3成分について、KBr錠剤法により、透過IRスペクトルを測定し、縦軸を吸光度で表示した。IRの測定には、日本分光製「FT−IR6300」(光源:高輝度セラミック光源、検出器:DLATGS)を使用した。
(ニトリル基に由来する2240cm-1付近のピーク高さ(PCN))
2270cm-1と2220cm-1の2点の間で最も吸光度のピークが高い点をピーク点とした。2270cm-1と2220cm-1の2点間の直線をベースラインとし、このベースライン上でピーク点と同波数である点とピーク点との吸光度の差をニトリル基に由来するピーク高さ(PCN)とした。
(カルボニル基に由来する1730cm-1付近のピーク高さ(PCO))
1670cm-1と1860cm-1の2点の間で最も吸光度のピークが高い点をピーク点とした。1670cm-1と1860cm-1の2点間の直線をベースラインとし、このベースライン上でピーク点と同波数である点とピーク点との吸光度の差をカルボニル基に由来するピーク高さ(PCO)とした。
(元素分析)
A1〜A3成分について、エレメンタール製の全自動元素分析装置「VarioEL」を使用して元素分析を行い、窒素含有量を測定した。
2270cm-1と2220cm-1の2点の間で最も吸光度のピークが高い点をピーク点とした。2270cm-1と2220cm-1の2点間の直線をベースラインとし、このベースライン上でピーク点と同波数である点とピーク点との吸光度の差をニトリル基に由来するピーク高さ(PCN)とした。
(カルボニル基に由来する1730cm-1付近のピーク高さ(PCO))
1670cm-1と1860cm-1の2点の間で最も吸光度のピークが高い点をピーク点とした。1670cm-1と1860cm-1の2点間の直線をベースラインとし、このベースライン上でピーク点と同波数である点とピーク点との吸光度の差をカルボニル基に由来するピーク高さ(PCO)とした。
(元素分析)
A1〜A3成分について、エレメンタール製の全自動元素分析装置「VarioEL」を使用して元素分析を行い、窒素含有量を測定した。
A1:グリシジルメタクリレート2.6質量%、メタクリル酸メチル24.4質量%、アクリル酸エチル43質量%、アクリル酸ブチル20質量%及びアクリロニトリル10質量%のエポキシ基含有アクリル系ランダム共重合体(Mw50万、Tg10℃、PCN/PCO 0.03、窒素含有量2.6質量%)
A2:グリシジルメタクリレート2.4質量%、メタクリル酸メチル43.5質量%、アクリル酸エチル18.3質量%及びアクリル酸ブチル35.8質量%のエポキシ基含有アクリル系ランダム共重合体(Mw50万、Tg10℃、PCN/PCO 0、窒素含有量0質量%)
A3:グリシジルメタクリレート3質量%、アクリル酸エチル29.25質量%、アクリル酸ブチル38.15質量%及びアクリロニトリル29.6重量%のエポキシ基含有アクリル系ランダム共重合体(Mw50万、Tg10℃、PCN/PCO 1、窒素含有量7.8質量%)
A2:グリシジルメタクリレート2.4質量%、メタクリル酸メチル43.5質量%、アクリル酸エチル18.3質量%及びアクリル酸ブチル35.8質量%のエポキシ基含有アクリル系ランダム共重合体(Mw50万、Tg10℃、PCN/PCO 0、窒素含有量0質量%)
A3:グリシジルメタクリレート3質量%、アクリル酸エチル29.25質量%、アクリル酸ブチル38.15質量%及びアクリロニトリル29.6重量%のエポキシ基含有アクリル系ランダム共重合体(Mw50万、Tg10℃、PCN/PCO 1、窒素含有量7.8質量%)
(B)熱硬化性成分
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂:東都化成(株)製、商品名「YDCN−700−10」、エポキシ当量:210、Tg:75℃
フェノール樹脂:三井化学(株)製、商品名「ミレックスXLC−LL」、水酸基当量175
(C)フィラー
シリカ:日本アエロジル(株)製、商品名「アエロジルR972」、平均粒径0.016μm
(D)硬化促進剤
1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾールキュアゾール:四国化成(株)製、商品名「2PZ−CN」
(E)カップリング剤
γ―メルカプトプロピルトリメトキシシラン:日本ユニカー(株)製、商品名「NUC A−189」
γ―ウレイドプロピルトリエトキシシラン:日本ユニカー(株)製、商品名「NUC A−1160」
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂:東都化成(株)製、商品名「YDCN−700−10」、エポキシ当量:210、Tg:75℃
フェノール樹脂:三井化学(株)製、商品名「ミレックスXLC−LL」、水酸基当量175
(C)フィラー
シリカ:日本アエロジル(株)製、商品名「アエロジルR972」、平均粒径0.016μm
(D)硬化促進剤
1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾールキュアゾール:四国化成(株)製、商品名「2PZ−CN」
(E)カップリング剤
γ―メルカプトプロピルトリメトキシシラン:日本ユニカー(株)製、商品名「NUC A−189」
γ―ウレイドプロピルトリエトキシシラン:日本ユニカー(株)製、商品名「NUC A−1160」
[接着シートの作製]
実施例1
表1に示す配合割合(質量部)で各成分を配合して、接着剤組成物を調製した。まず、「YDCN−700−10」11質量部、「ミレックスXLC−LL」9質量部、「アエロジルR972」3質量部及びシクロヘキサノンを混合し、「A1」の17質量%シクロヘキサノン溶液(固形分換算76質量部)を加え、更に「キュアゾール2PZ−CN」0.02質量部、「NUC A−189」0.2質量部及び「NUC A−1160」0.8質量部を加えて均一になるまで攪拌混合した。これを100メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡することにより接着剤組成物のワニスを得た。
実施例1
表1に示す配合割合(質量部)で各成分を配合して、接着剤組成物を調製した。まず、「YDCN−700−10」11質量部、「ミレックスXLC−LL」9質量部、「アエロジルR972」3質量部及びシクロヘキサノンを混合し、「A1」の17質量%シクロヘキサノン溶液(固形分換算76質量部)を加え、更に「キュアゾール2PZ−CN」0.02質量部、「NUC A−189」0.2質量部及び「NUC A−1160」0.8質量部を加えて均一になるまで攪拌混合した。これを100メッシュのフィルターでろ過し、真空脱泡することにより接着剤組成物のワニスを得た。
上記ワニスを、基材フィルムである厚み38μmの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、115℃で5分間加熱乾燥して、Bステージ状態の接着剤層(厚み25μm)が基材フィルム上に形成された接着シートを作製した。
実施例2
高分子量成分である「A1」に変えて、「A2」を用いた以外は、実施例1と同様にして接着シートを作製した。
高分子量成分である「A1」に変えて、「A2」を用いた以外は、実施例1と同様にして接着シートを作製した。
比較例1
高分子量成分である「A1」に変えて、「A3」を用いた以外は、実施例1と同様にして接着シートを作製した。
高分子量成分である「A1」に変えて、「A3」を用いた以外は、実施例1と同様にして接着シートを作製した。
[接着シートの評価]
実施例1、2及び比較例1で作製した接着シートの特性を、以下のようにして評価した。
実施例1、2及び比較例1で作製した接着シートの特性を、以下のようにして評価した。
(1)100℃での溶融粘度の測定:基板又は半導体チップの凹凸埋め込み性の評価
接着シートの接着剤層の溶融粘度は回転式粘弾性測定装置〔ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン(株)製、ARES−RDA〕を用いて測定した。
接着シートの接着剤層の溶融粘度は回転式粘弾性測定装置〔ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン(株)製、ARES−RDA〕を用いて測定した。
接着シートから基材フィルムを剥離した後、接着剤層を70℃で5枚張り合わせて膜厚125μmのフィルムとし、直径8mmの円形に打ち抜いた。作製した円形のフィルムを同じく直径8mmの治具2枚ではさみ、サンプルを作製し、周波数:1Hz、測定開始温度:35℃、測定終了温度:150℃、昇温速度5℃/分の測定条件で100℃の溶融粘度を測定した。結果を表2に示す。
(2)絶縁信頼性試験
電食試験用基板(エスパネックス(新日鐵化学株式会社製の無接着剤の2層フレキシブル銅張り積層板))上の銅箔をエッチングして、くし形パターン(金めっき無、ライン30μm、スペース70μm)を形成した。次に、5mm×12mmに切断した接着シートから基材フィルムを剥離し、接着剤層を上記くし形パターン上に圧着機を用いて、100℃、圧力2kgfの条件で10秒間仮圧着した後、175℃、圧力17kgfの条件で30秒間さらに熱圧着した。
電食試験用基板(エスパネックス(新日鐵化学株式会社製の無接着剤の2層フレキシブル銅張り積層板))上の銅箔をエッチングして、くし形パターン(金めっき無、ライン30μm、スペース70μm)を形成した。次に、5mm×12mmに切断した接着シートから基材フィルムを剥離し、接着剤層を上記くし形パターン上に圧着機を用いて、100℃、圧力2kgfの条件で10秒間仮圧着した後、175℃、圧力17kgfの条件で30秒間さらに熱圧着した。
これを170℃で3時間硬化したものを絶縁信頼性試験用のサンプルとした。サンプルを加速寿命試験装置(HIRAYAMA製、商品名「PL−422R8」、条件:3.6V bias/130℃/85%/200時間)に設置し、絶縁抵抗を測定した。評価方法としては、200時間を通して、絶縁抵抗が108Ωを超えるものを「A」、106〜108Ωの範囲にあるものを「B」、106Ω未満のものを「C」とした。結果を表2に示す。
表2に示されるように、実施例1及び2は共に、絶縁信頼性が良好であることが明らかである。また、実施例1は、比較例1よりもニトリル量を減量している高分子量成分「A1」を使用している。このようにニトリル量を減量しただけでも絶縁信頼性は、200時間という長時間を満足できることを確認した。実施例2は、ニトリル基を含まない高分子量成分「A2」を使用しており、実施例1と比較しても、高い絶縁信頼性を安定して長時間満足することを確認した。
また、埋込性の指標として、100℃の溶融粘度を測定した結果、実施例2、実施例1、比較例1の順に溶融粘度は高くなっており、この順に埋込性が良好であることが確認された。これは、ニトリル基を低減することによって、分子間の相互作用が弱まり、流動性が高くなっているためと考えられる。
以上の結果から、本発明によれば、半導体装置の接続信頼性を向上するために重要となる、埋込性及び絶縁性の両方を満足できる接着シートを提供できることが確認された。
1…接着シート、10…接着剤層、20…基材フィルム。
Claims (4)
- (A)高分子量成分及び(B)熱硬化性成分を含む接着剤組成物をシート状に成形した接着剤層を備える接着シートであって、
前記(A)高分子量成分のIRスペクトルにおいて、カルボニル基に由来する1730cm-1付近のピーク高さ(PCO)に対するニトリル基に由来する2240cm-1付近のピーク高さ(PCN)の比(PCN/PCO)が0.03以下である、接着シート。 - 前記(A)高分子量成分の元素分析における窒素含有量が4.0質量%以下である、請求項1記載の接着シート。
- 前記接着剤層の100℃における溶融粘度が300〜30000Pa・sであり、前記接着剤層の厚さが3〜250μmである、請求項1又は2記載の接着シート。
- 前記接着剤組成物が、(C)フィラー、(D)硬化促進剤及び(E)カップリング剤を更に含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の接着シート。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009116439 | 2009-05-13 | ||
JP2009116439 | 2009-05-13 | ||
JP2009232497 | 2009-10-06 | ||
JP2009232497 | 2009-10-06 | ||
PCT/JP2010/057965 WO2010131655A1 (ja) | 2009-05-13 | 2010-05-11 | 接着シート |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010131655A1 true JPWO2010131655A1 (ja) | 2012-11-01 |
Family
ID=43085028
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011513346A Pending JPWO2010131655A1 (ja) | 2009-05-13 | 2010-05-11 | 接着シート |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120114934A1 (ja) |
JP (1) | JPWO2010131655A1 (ja) |
KR (1) | KR101359831B1 (ja) |
CN (1) | CN102405266B (ja) |
TW (1) | TWI431093B (ja) |
WO (1) | WO2010131655A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10717260B2 (en) * | 2012-07-05 | 2020-07-21 | Sony Corporation | Manufacturing method of laminated structure, laminated structure and electronic device |
JP5946815B2 (ja) * | 2013-11-26 | 2016-07-06 | ファナック株式会社 | 絶縁部品が装着されたプリント基板を有するモータ駆動装置 |
WO2020065783A1 (ja) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | 日立化成株式会社 | フィルム状接着剤、接着シート、並びに半導体装置及びその製造方法 |
CN111748298B (zh) * | 2019-03-26 | 2024-01-23 | 日东电工株式会社 | 透明粘接片及带有剥离材料的透明粘接片 |
KR102220143B1 (ko) * | 2019-12-18 | 2021-02-25 | 도레이첨단소재 주식회사 | 접착제층을 포함하는 접착시트 및 커버레이 필름, 및 상기 접착시트를 포함하는 연성인쇄회로기판 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005103180A1 (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-03 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 接着シート、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP2006022194A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Sekisui Chem Co Ltd | 硬化性樹脂フィルム、接着性エポキシ樹脂フィルム、非導電性フィルム及びダイアタッチフィルム |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3671577D1 (de) * | 1985-02-14 | 1990-06-28 | Bando Chemical Ind | Verfahren zum schneiden einer halbleiterscheibe in wuerfel. |
US4642321A (en) * | 1985-07-19 | 1987-02-10 | Kollmorgen Technologies Corporation | Heat activatable adhesive for wire scribed circuits |
JP4213792B2 (ja) * | 1998-09-24 | 2009-01-21 | 日東電工株式会社 | 熱硬化型感圧性接着剤とその接着シ―ト類 |
AU2001232298A1 (en) * | 2000-02-15 | 2001-08-27 | Hitachi Chemical Co. Ltd. | Adhesive composition, process for producing the same, adhesive film made with the same, substrate for semiconductor mounting, and semiconductor device |
KR100894208B1 (ko) * | 2000-03-31 | 2009-04-22 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 접착제 조성물, 그의 제조 방법, 이것을 사용한 접착 필름,반도체 탑재용 기판 및 반도체 장치 |
JP4719992B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2011-07-06 | 日立化成工業株式会社 | 接着剤組成物およびその用途 |
JP4934895B2 (ja) * | 2000-10-12 | 2012-05-23 | 日立化成工業株式会社 | 接着剤組成物、接着フィルム、半導体搭載用配線基板及び半導体装置 |
WO2003018703A1 (fr) * | 2001-08-27 | 2003-03-06 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Feuille adhesive et dispositif semi-conducteur; procede de fabrication |
SG157958A1 (en) * | 2003-05-22 | 2010-01-29 | Asahi Kasei Chemicals Corp | Epoxy resin composition |
TWI304835B (en) * | 2003-06-10 | 2009-01-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | Film adhesive and manufacturing method thereof,adhesive sheet and semiconductor device |
US20070003758A1 (en) * | 2004-04-01 | 2007-01-04 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Dicing die bonding film |
CN100582190C (zh) * | 2004-04-20 | 2010-01-20 | 日立化成工业株式会社 | 粘着片、半导体装置及半导体装置的制造方法 |
JP4455139B2 (ja) * | 2004-04-21 | 2010-04-21 | 日東電工株式会社 | フラットパネルディスプレイ用マザーガラス保護フィルムおよびその用途 |
US7326369B2 (en) * | 2005-03-07 | 2008-02-05 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Low stress conductive adhesive |
US20100167030A1 (en) * | 2006-10-31 | 2010-07-01 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Adhesive tape and adhesive tape roll |
CN101617395B (zh) * | 2007-03-01 | 2011-08-17 | 日东电工株式会社 | 热固化型芯片接合薄膜 |
WO2008129590A1 (ja) * | 2007-04-10 | 2008-10-30 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置 |
CN101597466B (zh) * | 2009-05-08 | 2012-07-04 | 深圳市华大电路科技有限公司 | 一种刚挠结合板的粘结片及其制作方法 |
-
2010
- 2010-05-11 CN CN201080017201.2A patent/CN102405266B/zh active Active
- 2010-05-11 JP JP2011513346A patent/JPWO2010131655A1/ja active Pending
- 2010-05-11 WO PCT/JP2010/057965 patent/WO2010131655A1/ja active Application Filing
- 2010-05-11 US US13/319,845 patent/US20120114934A1/en not_active Abandoned
- 2010-05-11 KR KR1020117024040A patent/KR101359831B1/ko active IP Right Grant
- 2010-05-13 TW TW099115304A patent/TWI431093B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005103180A1 (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-03 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 接着シート、半導体装置、及び半導体装置の製造方法 |
JP2006022194A (ja) * | 2004-07-07 | 2006-01-26 | Sekisui Chem Co Ltd | 硬化性樹脂フィルム、接着性エポキシ樹脂フィルム、非導電性フィルム及びダイアタッチフィルム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201109411A (en) | 2011-03-16 |
WO2010131655A1 (ja) | 2010-11-18 |
CN102405266B (zh) | 2014-07-16 |
KR20120007505A (ko) | 2012-01-20 |
KR101359831B1 (ko) | 2014-02-07 |
CN102405266A (zh) | 2012-04-04 |
TWI431093B (zh) | 2014-03-21 |
US20120114934A1 (en) | 2012-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6414296B2 (ja) | 接着シート及び半導体装置の製造方法 | |
JP5521364B2 (ja) | 接着シート | |
WO2001060938A1 (en) | Adhesive composition, process for producing the same, adhesive film made with the same, substrate for semiconductor mounting, and semiconductor device | |
JP2014129544A (ja) | 接着剤組成物とその製造方法及び接着剤組成物を用いた接着部材とその製造方法、半導体搭載用支持部材とその製造方法並びに半導体装置とその製造方法 | |
JP2013127014A (ja) | 接着シート | |
WO2010131655A1 (ja) | 接着シート | |
JP2007157758A (ja) | 半導体用接着フィルム及びこれを用いた半導体装置 | |
KR20090027612A (ko) | 봉지용 필름, 및 그것을 이용한 반도체장치 | |
JP5549182B2 (ja) | 接着シート及びこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
JP5236134B2 (ja) | 接着剤組成物、接着部材、半導体搭載用支持部材及び半導体装置等 | |
JP2007288174A (ja) | 半導体用接着シート及びダイシングテープ一体型半導体用接着シート | |
JP2008004751A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2009124133A (ja) | 接着部材、半導体素子搭載用支持部材及び半導体装置 | |
JP2005154687A (ja) | 接着剤組成物、接着部材、半導体搭載用支持部材及び半導体装置 | |
JP5742478B2 (ja) | 接着シート | |
JP2006199894A (ja) | 接着シート及び半導体装置 | |
JP2011159693A (ja) | 半導体用接着シート及びこれを用いたダイシング一体型半導体用接着シート | |
JP5549106B2 (ja) | 半導体用接着シート及びダイシング一体型半導体用接着シート | |
JP4114567B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2009016803A (ja) | 電子部品封止用熱硬化型樹脂フィルム | |
JP2020145227A (ja) | 接着フィルム | |
JP2010251397A (ja) | 半導体装置用中空封止用熱硬化型フィルム及びそれを用いて中空封止された半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130313 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140708 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140902 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150303 |