CN102405266A - 粘接片 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及具备将含有(A)高分子量成分和(B)热固化性成分的粘接剂组合物成形为片状的粘接剂层的粘接片，所述(A)高分子量成分的IR光谱中，来自腈基的2240cm-1附近的峰高度(PCN)相对于来自羰基的1730cm-1附近的峰高度(PCO)的比(PCN/PCO)为0.03以下。

Description

粘接片
技术领域
本发明涉及粘接片。
背景技术
近年来，移动电话、移动音频机器用的将储存器封装芯片多段地层叠的堆叠MCP(Multi Chip Package)正在普及。在这样的封装中，在芯片的粘接面上不产生空隙地安装芯片，但是如何使连接可靠性提高成为一个课题。特别是在具有布线等的基板上层叠芯片时，充分填埋该基板表面的凹凸的填埋性对于确保封装的连接可靠性非常重要。另一方面，最近伴随半导体装置的小型化、薄型化，基板和晶片的薄型化也正在发展，由于上述的热应力而元件易于发生翘曲等。因此，迫切需要在更低温、低载荷条件下的安装。
但是，仅进行低温·低载荷的压接安装时，难以将上述的凹凸充分填埋，因此，以往将带有粘接片的芯片热压接于基板上进行固定，利用封装密封工序中的热和压力将凹凸填埋的方法为主流。作为这样的可以确保填埋性的粘接片，例如，已知有专利文献1中记载那样的含有环氧树脂、酚醛树脂和丙烯酸共聚物的粘接膜等。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-220576号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而，近年来，随着半导体装置的小型化和薄型化，布线变得细微化，以及，随着半导体装置的低成本化、高速化的要求，通过铜等易于腐蚀的金属在布线材料中的使用，绝缘性逐渐降低，半导体装置的连接可靠性逐渐降低。因此，为了确保连接可靠性，不光是提高填埋性，提高绝缘性也变成了重要的课题，需要可以满足填埋性和绝缘性的两方面要求的粘接片。
因此，本发明的目的在于，提供一种填埋性和绝缘性优异，能够提高半导体装置的连接可靠性的粘接片。
解决课题的方法
本发明提供一种具备将含有(A)高分子量成分和(B)热固化性成分的粘接剂组合物成形为片状的粘接剂层的粘接片，所述(A)高分子量成分的IR光谱中，来自腈基的2240cm-1附近的峰高度(PCN)相对于来自羰基的1730cm-1附近的峰高度(PCO)的比(PCN/PCO)为0.03以下。
本发明中，将(A)高分子量成分中的腈基的含量，以IR光谱中的羰基的峰高度和腈基的峰高度之比的形式进行表示。通过将(A)高分子量成分中的腈基设定为规定量以下，本发明的粘接片的填埋性和绝缘性足够优异，可以提高半导体装置的连接可靠性。
另外，上述(A)高分子量成分的元素分析中的氮含量优选为4.0质量％以下。
在上述粘接片中，粘接剂层的100℃条件下的熔融粘度为300～30000Pa·s，优选粘接剂层的厚度为3～250μm。由此，可以进一步确保粘接剂层的填埋性。
上述粘接剂组合物还含有(C)填料、(D)固化促进剂和(E)偶联剂时，本发明的粘接片的可靠性进一步优异。
发明的效果
根据本发明，可以提供一种粘接片，其在能够填埋基板或半导体芯片的凹凸的填埋性和因布线的细微化或使用易腐蚀的铜布线等而成为问题的绝缘性方面性能优异，能够提高半导体装置的连接可靠性。
附图说明
图1是显示本发明的粘接片的优选的一个实施方式的模式剖面图。
具体实施方式
以下，根据情况，参照附图，对本发明的优选的实施方式进行详细地说明。此外，附图中，相同或相当部分标注同一符号，省略重复说明。此外，各图中的尺寸比中存在为了说明而夸大的部分，未必与实际的尺寸比一致。
图1是显示本发明的粘接片的优选的一个实施方式的模式剖面图。图1所示的粘接片1由基材膜20、及在基材膜20上设置的粘接剂层10构成。粘接剂层10由本发明所涉及的粘接剂组合物构成。本发明的粘接片可以利用保护膜将粘接剂层10上的与基材膜20相反的一侧的面被覆。
本发明的粘接片是具备将含有(A)高分子量成分和(B)热固化性成分的粘接剂组合物成形为片状的粘接剂层的粘接片，其特征在于，(A)高分子量成分的IR光谱中，来自腈基的2240cm-1附近的峰高度(PCN)相对于来自羰基的1730cm-1附近的峰高度(PCO)的比(PCN/PCO)为0.03以下。
首先，对构成本发明所涉及的粘接剂组合物的各成分进行详细说明。
(A)高分子量成分
(A)作为高分子量成分，可举出具有环氧基、醇性羟基、酚性羟基、羧基等交联性官能基的聚酰亚胺树脂、(甲基)丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、聚亚苯基醚树脂、聚醚酰亚胺树脂、苯氧基树脂、改性聚亚苯基醚树脂等。这些树脂，优选充分降低腈基的含量的树脂，更优选不含有腈基。
从膜形成性(强韧性)的观点出发，作为本发明中使用的高分子量成分(A)，优选将缩水甘油基丙烯酸酯或甲基丙烯酸缩水甘油基酯等包含官能性单体的单体聚合而得的含有环氧基的(甲基)丙烯酸共聚物等。进而，作为(甲基)丙烯酸共聚物，可使用(甲基)丙烯酸酯共聚物、丙烯酸橡胶等，更优选丙烯酸酯共聚物。这里，丙烯酸橡胶以丙烯酸酯为主成分，主要为包含丙烯酸丁酯和丙烯腈等的共聚物、或乙基丙烯酸酯和丙烯腈等的共聚物等的橡胶。本实施方式中，使用丙烯酸橡胶时，必须使用充分降低丙烯腈的比例的橡胶，或使用不含丙烯腈的橡胶。
含有环氧基的(甲基)丙烯酸共聚物含有丙烯腈作为单体单元时，丙烯腈的含量以构成含有环氧基的(甲基)丙烯酸共聚物的单体的总质量为基准，优选为10质量％以下。
(A)高分子量成分的腈基的量可以通过IR测定和元素分析来确认。
(A)高分子量成分的IR光谱中，优选来自腈基的2240cm-1附近的峰高度(PCN)相对于来自羰基的1730cm-1附近的峰高度(PCO)的比(PCN/PCO)为0.03以下。
(A)高分子量成分的元素分析中测定的氮含量优选为4.0质量％以下，更优选为3.0质量％以下。
(A)高分子量成分的玻璃化温度(以下，表示为“Tg”)优选为-50～50℃，更优选为-30～20℃。高分子量成分的Tg小于-50℃时，有可能在进行了膜成形后，粘力提高，反之，超过50℃时，有可能损害流动性。
高分子量成分的重均分子量(以下，表示为“Mw”)没有特别限制，优选为5万～120万，更优选为10万～120万，进一步优选为20万～60万。高分子量成分的Mw小于5万时，成膜性有恶化的倾向，反之，超过120万时，流动性有下降的倾向。此外，Mw表示利用凝胶渗透色谱(GPC)测定的，使用基于标准聚苯乙烯的标准曲线换算而得的值。
作为满足上述要求的(A)高分子量成分，例如，可举出将作为官能性单体的甲基丙烯酸缩水甘油基酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸乙酯和丙烯酸丁酯共聚而得的含有环氧基的丙烯酸系无规共聚物。
(B)热固化性成分
(B)热固化性成分是由通过热能够引起交联反应的反应性化合物构成的成分。作为热固化性成分，例如可举出环氧树脂、双马来酸酰亚胺树脂、酚醛树脂、尿素树脂、密胺树脂、醇酸树脂、丙烯酸树脂、不饱和聚酯树脂、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂、硅酮树脂、间苯二酚甲醛树脂、二甲苯树脂、呋喃树脂、聚氨酯树脂、酮树脂、三烯丙基氰脲酸酯树脂、聚异氰酸酯树脂、含有三(2-羟基乙基)异氰脲酸酯的树脂、含有三烯丙基偏苯三酸酯的树脂、由环戊二烯合成的热固化性树脂、基于芳香族二氨腈的三聚体化的热固化性树脂等。这些中，从可以赋予高温下的优良的粘接力的观点出发，优选环氧树脂、氰酸酯树脂和双马来酸酰亚胺树脂。作为热固化性树脂，可以优选使用具有安装半导体元件时所要求的耐热性和耐湿性，在150℃以上反应而高分子量化的环氧树脂。这些热固化性成分，可以1种单独使用或2种以上组合使用。
作为环氧树脂，只要是固化而具有粘接作用的树脂就没有特别限制。作为环氧树脂，可以应用例如双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂等二官能环氧树脂；苯酚酚醛型清漆环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂等酚醛清漆型环氧树脂；多官能环氧树脂；脂环式环氧树脂等一般公知的环氧树脂。其中，优选双酚F型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂等。这些可以1种单独使用或2种以上组合使用。
使用上述环氧树脂时，热固化性成分优选含有用于使环氧树脂固化的固化剂。作为固化剂，可以使用以往使用的公知的固化剂。作为固化剂，可举出例如酚系化合物、脂肪族胺、脂环族胺、芳香族聚胺、聚酰胺、脂肪族酸酐、脂环族酸酐、芳香族酸酐、双氰胺、有机酸二酰肼、三氟化硼胺络合物、咪唑类、叔胺等。这些中，优选酚系化合物，更优选分子中具有至少2个以上酚性羟基的酚系化合物。作为这样的化合物，例如可举出苯酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆、叔丁基苯酚酚醛清漆、二环戊二烯甲酚酚醛清漆、二环戊二烯苯酚酚醛清漆、亚二甲苯基改性苯酚酚醛清漆、萘酚系化合物、三酚系化合物、四苯酚酚醛清漆、双酚A酚醛清漆、聚对乙烯基酚、苯酚芳烷基树脂。这些中，作为固化剂，优选双酚A、双酚F、双酚S这样的1分子中具有2个以上的酚性羟基的酚系化合物、苯酚酚醛清漆树脂、双酚A酚醛清漆树脂或甲酚酚醛清漆树脂等酚醛树脂。这些可以1种单独使用或2种以上组合使用。
(C)填料
在粘接剂组合物中，除了上述成分之外可以添加(C)填料。作为(C)填料，没有特别限制优选无机填料，例如可以使用氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、结晶性二氧化硅和非晶性二氧化硅。这些可以1种单独使用或2种以上混合使用。
从热传导性提高的观点出发，优选使用氧化铝、氮化铝、氮化硼、结晶性二氧化硅或非晶性二氧化硅作为填料。另外，从熔融粘度的调整、赋予触变性的观点出发，优选可以使用氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、结晶性二氧化硅或非晶性二氧化硅。另外，从提高切割性的观点出发，优选使用氧化铝或二氧化硅。
填料的平均粒径优选为0.005～2.0μm。平均粒径小于0.005μm或超过2.0μm时，有可能粘接剂片的粘接性降低。为了得到粘接剂组合物的良好的成膜性和高粘接力，填料的平均粒径更优选为0.005～1.5μm，进一步优选0.005～1.0μm。
从确保粘接剂层的流动性的观点出发，填料的含有比例相对于(A)和(B)成分的合计100质量份，优选为1～10质量份，更优选为3～5质量份。
(D)固化促进剂
在粘接剂组合物中，还可以含有(D)固化促进剂。作为固化促进剂，没有特别限制，例如，可举出1，8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳烯-7、1，5-二氮杂双环[4.3.0]壬烯-5、5，6-二丁基氨基-1，8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳烯-7等环脒化合物，和在这些化合物中添加马来酸酐、1，4-苯醌、2，5-甲苯醌、1，4-萘醌、2，3-二甲基苯醌、2，6-二甲基苯醌、2，3-二甲氧基-5-甲基-1，4-苯醌、2，3-二甲氧基-1，4-苯醌、苯基-1，4-苯醌等醌化合物、重氮苯基甲烷、酚醛树脂等具有π键的化合物而成的分子内具有极化的化合物，苄基二甲基胺、三乙醇胺、二甲基氨基乙醇、三(二甲基氨基甲基)苯酚等叔胺类和它们的衍生物，2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-十七烷基咪唑等咪唑类和它们的衍生物，三丁基膦、甲基二苯基膦、三苯基膦、三(4-甲基苯基)膦、二苯基膦、苯基膦等有机膦类，和在这些膦类中添加马来酸酐、上述醌化合物、重氮苯基甲烷、酚醛树脂等具有π键的化合物而成的分子内具有极化的磷化合物、四苯基鏻四苯基硼酸盐、四苯基鏻乙基三苯基硼酸盐、四丁基鏻四丁基硼酸盐等四取代鏻·四取代硼酸盐、2-乙基-4-甲基咪唑·四苯基硼酸盐、N-甲基吗啉·四苯基硼酸盐等四苯基硼盐和它们的衍生物。这些固化促进剂，可以1种单独使用或2种以上混合使用。其中，作为固化促进剂，优选含有咪唑类。
(E)偶联剂
另外，在粘接剂组合物中，为了使不同种材料间的界面结合良好，还可以配合(E)偶联剂。作为偶联剂，可举出硅烷系偶联剂、钛酸酯系偶联剂、铝系偶联剂，这些中优选硅烷系偶联剂。
作为硅烷系偶联剂，没有特别限制，可举出例如，乙烯基三氯硅烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷等乙烯基硅烷类；γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基-三甲氧基硅烷、甲基三(甲基丙烯酰氧基乙氧基)硅烷等甲基丙烯酰基硅烷类；β-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、甲基三(缩水甘油基氧基)硅烷等含有环氧基的硅烷类；N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基-三(2-甲氧基-乙氧基-乙氧基)硅烷、N-甲基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、三氨基丙基-三甲氧基硅烷、3-4，5-二氢咪唑-1-基-丙基三甲氧基硅烷、戊基三氯硅烷等氨基硅烷类；γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基三乙氧基硅烷、3-巯基丙基-甲基二甲氧基硅烷等巯基硅烷类；3-酰脲丙基三乙氧基硅烷、3-酰脲丙基三甲氧基硅烷等含有脲键的硅烷类；三甲基甲硅烷基异氰酸酯、二甲基甲硅烷基异氰酸酯、甲基甲硅烷基三异氰酸酯、乙烯基甲硅烷基三异氰酸酯、苯基甲硅烷基三异氰酸酯、四异氰酸酯硅烷、乙氧基硅烷异氰酸酯等含有异氰酸酯基的硅烷类；3-氯丙基-甲基二甲氧基硅烷、3-氯丙基-二甲氧基硅烷、3-氰基丙基-三乙氧基硅烷、六甲基二硅氮烷、N，O-双(三甲基甲硅烷基)乙酰胺、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三氯硅烷、正丙基三甲氧基硅烷、异丁基三甲氧基硅烷、辛基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、N-β(N-乙烯基苄基氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、十八烷基二甲基[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]氯化铵、γ-氯丙基甲基二氯硅烷、γ-氯丙基甲基二甲氧基硅烷和γ-氯丙基甲基二乙氧基硅烷。这些可以1种单独使用或2种以上并用。
本实施方式的粘接剂组合物含有(A)高分子量成分、(B)热固化性成分、(C)填料、(D)固化促进剂和(E)偶联剂时，将(A)～(E)成分的合计量100质量％作为基准，优选(A)高分子量成分为50～80质量％，(B)热固化性成分为15～40质量％，(C)填料为3～10质量％，(D)固化促进剂为0.05～0.15质量％和(E)偶联剂为0.5～2质量％。
(A)高分子量成分不足50质量％时，粘接剂层10有变脆的倾向，超过80质量％时，粘接剂层10的流动性有降低的倾向。另外，(B)热固化性成分小于15质量％时，粘接剂层10的固化性有降低的倾向，超过40质量％时，粘接剂层10有变脆的倾向。进而，(C)填料不足3质量％时，粘接剂层10的粘接力有降低的倾向，超过10质量％时，粘接剂层10的流动性有降低的倾向。
作为基材膜20，没有特别限制，例如可以使用聚酯膜、聚丙烯膜、聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚酰亚胺膜、聚醚酰亚胺膜、聚醚萘二甲酸酯膜、甲基戊烯膜等。
相对于这些膜，根据需要可以进行底涂层涂布、UV处理、电晕放电处理、研磨处理、蚀刻处理等表面处理。基材膜20的厚度没有特别限制，可以根据粘接剂层10的厚度、粘接片1的用途适当选择。
本发明的粘接片1例如可以通过如下所述制作。首先，将上述的构成粘接剂组合物的各成分在有机溶剂中混合，混炼，制备清漆，将该清漆的层形成在基材膜20上，通过加热，干燥，可以得到粘接片1。另外，在清漆层的干燥后除去基材膜20，可以制成仅由粘接剂层10构成的粘接片。
上述的混合、混炼可以适当组合通常的搅拌机、擂溃机、三辊机、球磨机等分散机来进行。加热干燥的条件，只要是所使用的有机溶剂充分挥散的条件，就没有特别限制，通常在60～200℃进行，可以进行0.1～90分钟加热。
在上述清漆的制备中使用的有机溶剂，只要能将构成粘接片的成分均匀地溶解、混炼或分散，就没有限制，可使用以往公知的溶剂。作为这样的溶剂，例如，可举出二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺系溶剂；丙酮、甲基乙基酮、环己酮等酮系溶剂；甲苯、二甲苯等烃系溶剂。从干燥速度快，价格便宜的观点出发，优选使用甲基乙基酮、环己酮。
有机溶剂在将要形成的粘接剂层10中的残存挥发部分，优选在相对于粘接剂层10的总质量基准计为0～1.0质量％的范围内使用，因为担心由于粘接剂层10的发泡等引起的可靠性降低，更优选粘接剂层10以总质量基准计为0～0.5质量％的范围内使用。
粘接剂层10的固化前的100℃条件下的熔融粘度优选为300～30000Pa·s，更优选为300～20000Pa·s。熔融粘度不足300Pa·s时，连接时有时会将粘接剂层挤出，超过30000Pa·s时填埋性有不充分的倾向。
粘接剂层10的熔融粘度可以使用旋转式粘弹性测定装置(TI·Instrument·Japan(株)制，商品名“ARES-RDA”)来测定。另外，粘接剂层10的粘接力可以使用万能接合测试机(Dage公司制，商品名“Series4000”)来测定。
另外，粘接剂层10的厚度为了能够将基板的布线电路、下层的芯片的凹凸填充，优选为3～250μm。该厚度小于3μm时，有缺乏应力松弛效果、粘接性的倾向，超过250μm时，除了变得不经济之外，也有可能不能满足半导体装置的薄型化的要求。粘接剂层10的厚度从确保粘接性的观点出发，优选为3～100μm，从能将半导体装置薄型化的观点出发，更优选为3～20μm。
本发明的粘接片对基板或半导体芯片的凹凸表面的凹部填充性良好。因此，在用于将半导体装置的制造中的半导体芯片和基材之间、半导体芯片彼此之间粘接的工序中，可以作为粘接可靠性优异的粘接片来使用。
通过粘接片填充基板或半导体芯片的凹凸时的载荷可以适当选择。通过粘接片填充基板或半导体芯片的凹凸时，优选对基板的布线、半导体芯片的凹凸进行加热。作为加热方法，可举出使具有凹凸的基板或半导体芯片与预先进行了加热的热板接触的方法。
实施例
以下，利用实施例详细地说明本发明，但是本发明并不限于这些实施例。
(A)高分子量成分
作为高分子量成分，准备具有下述组成的A1～A3的各成分。此外，高分子量成分中的腈基的含量通过IR测定和元素分析确定。
(IR测定)
对于A1～A3成分，通过KBr压片法，测定透射IR光谱，纵轴表示吸光度。对于IR的测定，使用日本分光制“FT-IR6300”(光源：高亮度陶瓷光源，检测器：DLATGS)。
(来自腈基的2240cm-1附近的峰高度(PCN))
将2270cm-1和2220cm-1的2点之间吸光度峰最高点作为峰值点。将2270cm-1和2220cm-1的2点间的直线作为基线，将在该基线上的和峰值点同波数的点的吸光度与峰值点的吸光度之差作为来自腈基的峰高度(PCN)。
(来自羰基的1730cm-1附近的峰高度(PCO))
将1670cm-1和1860cm-1的2点之间吸光度峰最高点作为峰值点。将1670cm-1和1860cm-1的2点间的直线作为基线，将在该基线上的与峰值点同波数的点的吸光度与峰值点的吸光度之差作为来自羰基的峰高度(PCO)。
(元素分析)
对于A1～A3成分，使用Elementar制的全自动元素分析装置“VarioEL”进行元素分析，测定氮含量。
A1：甲基丙烯酸缩水甘油基酯2.6质量％，甲基丙烯酸甲酯24.4质量％，丙烯酸乙酯43质量％，丙烯酸丁酯20质量％和丙烯腈10质量％的含有环氧基的丙烯酸系无规共聚物(Mw50万，Tg10℃，PCN/PCO 0.03，氮含量2.6质量％)
A2：甲基丙烯酸缩水甘油基酯2.4质量％，甲基丙烯酸甲酯43.5质量％，丙烯酸乙酯18.3质量％和丙烯酸丁酯35.8质量％的含有环氧基的丙烯酸系无规共聚物(Mw50万，Tg10℃，PCN/PCO 0，氮含量0质量％)
A3：甲基丙烯酸缩水甘油基酯3质量％，丙烯酸乙酯29.25质量％，丙烯酸丁酯38.15质量％和丙烯腈29.6重量％的含有环氧基的丙烯酸系无规共聚物(Mw50万，Tg10℃，PCN/PCO 1，氮含量7.8质量％)
(B)热固化性成分
甲酚酚醛型环氧树脂：东都化成(株)制，商品名“YDCN-700-10”，环氧当量：210，Tg：75℃
酚醛树脂：三井化学(株)制，商品名“Mirex XLC-LL”，羟基当量175
(C)填料
二氧化硅：日本Aerosil(株)制，商品名“Aerosil R972”，平均粒径0.016μm
(D)固化促进剂
1-氰基乙基-2-苯基咪唑Curesol：四国化成(株)制，商品名“2PZ-CN”
(E)偶联剂
γ-巯基丙基三甲氧基硅烷：日本UNICAR(株)制，商品名“NUCA-189”
γ-酰脲丙基三乙氧基硅烷：日本UNICAR(株)制，商品名“NUCA-1160”
[粘接片的制作]
实施例1
用表1所示的配合比例(质量份)配合各成分，制备粘接剂组合物。首先，将“YDCN-700-10”11质量份，“Mirex XLC-LL”9质量份，“AerosilR972”3质量份和环己酮混合，加入“A1”的17质量％环己酮溶液(以固体成分换算计为76质量份)，再加入“Curesol 2PZ-CN”0.02质量份、“NUC A-189”0.2质量份和“NUC A-1160”0.8质量份，搅拌混合至均匀。将其用100目的滤器过滤，通过真空脱泡，得到粘接剂组合物的清漆。
将上述清漆在作为基材膜的厚度38μm的经脱模处理的聚对苯二甲酸乙二酯膜上涂布，在115℃进行5分钟加热干燥，制作基材膜上形成有B阶状态的粘接剂层(厚度25μm)的粘接片。
实施例2
代替作为高分子量成分的“A1”，使用“A2”，除此以外，与实施例1同样地制作粘接片。
比较例1
代替作为高分子量成分的“A1”，使用“A3”，除此以外，与实施例1同样地制作粘接片。
[表1]
Figure BDA0000099715950000121
[粘接片的评价]
对于用实施例1、2和比较例1制作的粘接片的特性，按照以下方法进行评价。
(1)100℃条件下的熔融粘度的测定：基板或半导体芯片的凹凸填埋性的评价
粘接片的粘接剂层的熔融粘度使用旋转式粘弹性测定装置〔TIInstrument Japan(株)制，ARES-RDA〕进行测定。
从粘接片上剥离基材膜后，在70℃将5片粘接剂层贴合，制成膜厚125μm的膜，冲切成直径8mm的圆形。将制作的圆形的膜在直径同为8mm的夹具2片之间夹持，制作试样，以频率：1Hz、测定开始温度：35℃、测定结束温度：150℃、升温速度5℃/分的测定条件，测定100℃的熔融粘度。结果示于表2。
(2)绝缘可靠性试验
对电蚀刻试验用基板(ESPANEX(新日铁化学公司制的无粘接剂的2层柔性覆铜层叠板))上的铜箔进行蚀刻，形成梳形图案(无镀金，线条30μm，间隙70μm)。接着，从切断为5mm×12mm的粘接片上剥离基材膜，使用压接机在上述梳形图案上，以100℃、压力2kgf的条件对粘接剂层进行10秒预压接，然后利用175℃、压力17kgf的条件再进行30秒的热压接。
将其在170℃进行3小时固化，制成绝缘可靠性试验用的试样。将试样设置在加速寿命试验装置(HIRAYAMA制，商品名“PL-422R8”，条件：3.6V bias/130℃/85％/200时间)中，测定绝缘电阻。作为评价方法，经过200小时，将绝缘电阻超过108Ω的试样记为“A”，处于106～108Ω的范围的试样记为“B”，小于106Ω的试样记为“C”。结果示于表2。
[表2]
Figure BDA0000099715950000131
如表2所示可知，实施例1和2都具有良好绝缘可靠性。另外，实施例1使用了比比较例1腈基量减少的高分子量成分“A1”。可以确认，仅通过这样的使腈基量减少，绝缘可靠性就能满足200小时的长时间。实施例2，使用不含腈基的高分子量成分“A2”，与实施例1相比，可以确认能稳定地长时间满足高绝缘可靠性。
另外，作为填埋性的指标，测定100℃的熔融粘度，结果，熔融粘度按照实施例2、实施例1、比较例1的顺序，逐渐提高，确认填埋性按照该顺序依次更加良好。这可以认为是因为，通过降低腈基量，分子间的相互作用变弱，流动性提高。
由以上的结果可确认，根据本发明，能提供可以满足对提高半导体装置的连接可靠性而言为重要因素的填埋性和绝缘性的两方面要求的粘接片。
附图标记说明
1...粘接片
10...粘接剂层
20...基材膜

Claims (4)

1.一种粘接片，其具备将含有(A)高分子量成分和(B)热固化性成分的粘接剂组合物成形为片状的粘接剂层，
所述(A)高分子量成分的IR光谱中，来自腈基的2240cm-1附近的峰高度(PCN)相对于来自羰基的1730cm-1附近的峰高度(PCO)的比(PCN/PCO)为0.03以下。
2.如权利要求1所述的粘接片，其中，所述(A)高分子量成分的元素分析中的氮含量为4.0质量％以下。
3.如权利要求1或2所述的粘接片，其中，
所述粘接剂层的100℃下的熔融粘度为300～30000Pa·s，所述粘接剂层的厚度为3～250μm。
4.如权利要求1～3中的任一项所述的粘接片，其中，
所述粘接剂组合物还含有(C)填料、(D)固化促进剂和(E)偶联剂。
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