明 細 書 芳香族化合物 技術分野
本発明は、 分岐型高分子化合物の原料モノマーとして用いうる、 縮合反応性官能基ま たはその前駆体を 3つまたは 4つ有する芳香族化合物に関する。
背景技術
高分子量の発光材料 (高分子発光体) は低分子量のそれとは異なり溶媒に可溶で塗布 法により発光素子における発光層を形成できることから種々検討されており、 主鎖に芳 香環を含むものが、 知られている。
これらの高分子発光体を製造するためのモノマーとして、 縮合反応性官能基を 2個有 する芳香族化合物 (例えば、 W0 9 7 / 0 5 1 8 4など) が用いられる。
一方近年、 高分子発光体の性能を改良等するために分岐型高分子化合物とする試みが なされており、 そのモノマーとして使用しうる、 3つの縮合反応性官能基を有する芳香 族化合物が開示されている (例えば、 W0 9 6 / 1 7 0 3 5 ) 。,しかしながら、 種々の 分岐型高分子化合物を創製する: あにほ、 その種類は不十分であった。
発明の開示 « '
本発明の目的は、 3つまたは 4つの縮合反応性官能基またはその前駆体を有する新規 な芳眷族化合物を提供することである。
すなわち、 本発明は、 下記式 ) または (2 ) で示される化合物を提供するもので ある。
[式中、 A r 1および A r 3 は、 それぞれ独立に、 4価の芳香族炭ィ匕水素基または 4価 の複素環基を表す。 A r 2 は、 3価の芳香族炭化水素基または 3価の複素環基を表し、 該 A r A r 2および A r 3 は置換基を有していてもよく、 A r 'および A 2が置換 基を有する場合、 それらが結合して環を形成していてもよく、 A r 1および A r 3が置
換基を有する場合、 それらが結合して環を形成していてもよい。
また、 A1 は、 一 z1—、 一 z2— z3 —または— z4 =z5 一を表し、 τ、、 ζ2、 お よび Ζ3 は、 それぞれ独立に、 0、 S、 C (=〇) 、 S (=0) 、 S〇2、 C (R1) ( R2) 、 S i (R3) (R4) 、 N (R5) 、 B (R6) 、 P (R7) または P (=〇) (R 8) を表し、 Z4および Z5 は、 それぞれ独立に、 N、 B、 P、 C (R9) または S i ( R10) を表す。 ' .
(式中、 R'、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9および R1 °はそれぞれ独立に 、 水素原子、 ハロゲン原子、 アルキル基、 アルキルォキシ基、 アルキルチオ基、 ァリー ル基、 ァリールォキシ基、 ァリールチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルキルォ キシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 アミド基、 酸イミド基 、 ィミン残基、 アミノ基、 置換アミノ基、 置換シリル基、 置換シリルォキシ基、 置換シ リルチオ基、 置換シリルアミノ基、 1価の複素環基、 ヘテロァリールォキシ基、 ヘテロ ァリールチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールェチニル基、 カルボキシル基、 アル キルォキシカルポニル基、 7リールォキシカルボニル基、 ァリールアルキルォキシカル ポニル基、 ヘテロァリールォキシ力ルポニル基またはシァノ基を表す。 ただし、 R1と R2、 R3と R4は互いに結合して環を形成していてもよい。 )
ただし式 (1) において、 八 ^ 八 は八!^環上の互ぃに隣接する原子に結合し、 Ar1と A1 は A r 環上の互いに隣接する原子隣に結合し、 式 (2) において A r 3 と A1 は A r1環上の互いに隣接する原子に結合し、 と 1 は Ar3'環の互いに隣 接する原子上に結合する。
また、 X1 、 X2 、 X3および x は、 それぞれ独立にハロゲン原子、 アルキルスルホ ネート基、 ァリ一ルスルホネート基、 ァリールアルキルスルホネート基、 ホウ酸エステ ル基、 —B (OH) 2、 モノハロゲン化メチル基、 スレホニゥムメチル基、 ホスホニゥ ムメチル基、 ホスホネートメチル基、 シァノメチル基、 ホルミル基、 ピニル基、 水酸基 、 アルキルォキシ基、 ァシルォキシ基、 置換シリルォキシ基、 アミノ基またはニトロ基 を表し、 式 (1) における X1 、 X2、 および X3 の少なくとも一つ並びに式 (2) に おける、 X1 、 X2 、 X3および X4の少なくとも一つはハロゲン原子、 アルキルスル ホネート基、 ァリールスルホネート基、 ァリールアルキルスルホネート基、 ホウ酸エス
テル基、 -B (OH) a、 モノハロゲン化メチル基、 スルホニゥムメチル基、 ホスホニ ゥムメチル基、 ホスホネ一トメチル基、 シァノメチル基、 ホ^/ミル基、 ピニル基から選 ばれる。 〕
また本発明は、 下記式 (5) または (6) で示される化合物を提供するものである。
(5) (6)
〔式中、 A1および X3 は、 前記と同じ意味を表し、 Ar4 、 Ar5 、 Ar 6および A r 7 は、 それぞれ独立に 3価の芳香族炭化水素基または 3価の複素環基を表し、 該 Ar 4 、 Ar5 、 Ar 6および A r 7 は置換基を有していてもよく、 A r 4および A r 5が置 換基を有する場合、 それらが結合して環を形成していてもよレ^
X9 、 X1 °、 X1 1および X1 2 は、 それぞれ独立にハロゲン原子、 アルキルスルホ ネート基、 ァリールスルホネート基、 7リ一ルアルキルスルホネート基、 ホウ酸エステ ル基、 一 B (OH) 2、 モノハロゲン化メチル基、 スルホニゥムメチル基、 ホスホニゥ ムメチル基、 ホスホネートメチル基、 シァノメチル基、 ホルミル基、 ビニル基、 水酸基 、 アルキルォキシ基、 ァシルォキシ基、 置換シリルォキシ基、 アミノ基またはニトロ基 を表し、 式 (5) における X9、; X1。および X3 の少なくとも一つ、 並びに式 (6) に おける、 X9、 X1( X11および X12の少なくとも一つは、 ゾヽロゲン原子、 アルキルス ルホネート基、 ァリールスルホネート基、 7リールアルキルスルホネ一ト基、 ホウ酸ェ ステル基、 — B (OH) 2 、 モノノ ロゲン化メチル基、 スルホニゥムメチル基、 ホスホ ニゥムメチル基、 ホスホネ一トメ ル基、 シァノメチル基、 ホルミル基またはピニル基 である。 〕
さらに本発明は、 下記式 (9) 、 (10) または (11) で示される化合物を提供す るものである。
(9) (10) (11)
[式中、 A r 4および A r 5 は、 前記と同じ意味を表し、. A r 8 、 Ar 9および A r 1
0 はそれぞれ独立にァリ一レン基または 2価の複素環基を表し、 該 Ar4 、 Ar 5 、 A r8 、 A r 9および Ar 1 0 は置換基を有していてもよく、 A r 4および A r 5が置換基 を有する場合、 それらが結合して環を形成していてもよく、 A r 9および A r 1(1が置換 基を有する場合、 それらが結合して環を形成していてもよく、 A r 9および A r 1(1が直 接結合して環を形成していてもよい。
A 2 は、 下記式のいずれかで表される。 ヽ Z / /
79 10 式中、 Z6 は B、 Pまたは P (=0) を表し、 Z7 は C (R9 ) 、 S i (R1 。) 、 N 、 B、 Pまたは P (=0) を表し、 Z8は o、 S、 C (=o) 、 - S (=o) 、 so2、 C (R1) (R2) 、 S i (R3) (R4) 、 N (R5) 、 B RS)' P (R7) または P
(=0) (R8) を表-し、 Z9 'は Cまたは S iを表し、 Z1 。 は N、 B、 P、 C (R9) または S i (R1 D)を表す。 (式中、 R'、 R2、 R3、 R4、 : R5、 R6、 R7、 R8、 お よび R.10は前記と同じ意味を表 )
式中、 Ζ1 1 は Cまたは S iを表し、 Z1 2 は 0、 S、 C (=0> s (=o) 、 so 2、 C (R1) (R2) 、 S i (R3) (R4) 、 N (R5) 、 B (R6) P (R7) もしく は P (=〇) (R8) を表し、 Z1 3および Z1 4はそれぞれ独立に C (R9 ) 、 S i
(R1 ° ) 、 B、 N、 Pまたは P (=0) を表す。 Z1 5および Z1 6 はそれぞれ独立 に Cまたは S iを表す。 (式中、 R'、 R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9およ
び Rieは前記と同じ意味を表す。 )
A 4は、 水素原子、 アルキル基、 アルキルォキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリ一ルチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルキルォキシ基 、 ァリールアルキルチオ基、 置換アミノ基、 置換シリル基、 1価の複素環基、 ヘテロァ リールォキシ基、 ヘテロァリ一ルチオ基、 7リ一ルァルケニル基またはァリ一ルェチニ ル基を表す。 ただし、' 式 (9.) において A r 5 と A2 は A r 4環の互いに隣接する原子 に結合し、 Ar4 と A2は Ar5環の互いに隣接する原子に結合する。
χ 1 8 、 χ 1 9 、 χ 2 。 、 χ 2 1および Χ 2 2 は、 それぞれ独立にハロゲン原子、 ァ ルキルスルホネート基、 ァリールスルホネート基、 ァリーフレアルキルスルホネート基、 ホウ酸エステル基、 — Β (ΟΗ) 2、 モノハロゲン化メチル基、 スルホ二ゥムメチル基 、 ホスホニゥムメチル基、 ホスホネートメチル基、 シァノメチル基、 ホルミル基、 ビニ ル基、 水酸基、 アルキルォキシ基、 ァシルォキシ基、 置換シリルォキシ基、 アミノ基ま たはニトロ基を表し、 式 (9) における X1 8 、 X1 9および X2 0 の少なくとも一つ 、 式 (10) における X1 8 、 X2 1および X2 2 の少なくとも一つ、 並びに式 (11) における X1 8 、 X1 9 、 X2 1 および X2 2 の少なくとも一つは、 ハロゲン原子、 ァ ルキルスルホネート基、 ァリールスルホネート基、 ァリ一フレアルキルスルホネート基、 ホウ酸エステル基、 — Β (ΟΗ: 2、 4ノハロゲン化メチル基、 スルホ二ゥムメチル基 、 ホスホニゥムメチリレ基、 ホスホネードメチル基、 シァノメチル基、 ホルミル基、 また はビニル基である。 ] ·
また、 本発明は、 下記式 (15 で示される化合物を提供するものである。
(式中、 Ar4 、 Ar5 、 A1 および X3 は、 前記と同じ意味を表す。 A 5 は、 ホウ 素原子、 アルミニウム原子、 ガリウム原子、 ケィ素原子、 ゲルマニウム原子、 窒素原子 、 リン原子、 砒素原子、 a価の芳香族炭化水素基、 a価の複素環基または金属錯体構造 を有する a価の基を表す。 aは 3または 4を表す。 複数ある A r 4 、 Ar5 、 A1およ
び X 1 。 は、 互いに同一であっても異なっていてもよい。 )
発明を実施するための最良の形態
上記式 (1 )、 (2 ) で示される化合物において、 A r 1および A r 3 は、 それぞれ 独立に、 4価の芳香族炭化水素基または 4価の複素環基を表す。 A r 2 は、 3価の芳香 族炭化水素基または 3価の複素環基を表し、 該 A r A r 2および A r 3 は置換基を 有していてもよく、 A r 1および A r 2が置換基を有する場合、 それらが結合して環を形 成していてもよく、 A r 1および A r 3が置換基を有する場合、 それらが結合して環を 形成していてもよい。
ここで 3価の芳香族炭化水素基および 4価の芳香族炭化水素基とは、 芳香族炭化水素 化合物からそれぞれ 3つおよび 4つの水素原子を除いた残りの原子団をいい、 通常炭素 数 6〜6 0、 好ましくは 6〜2 0 ある。 なお、 芳香族炭ィ匕水素基に置換基を有してい てもよいが、 芳香族炭化水素基の炭素数には置換基の炭素数は含まれない。 置換基とし ては、 アルキル基、 アルキルォキシ基、 アルキルチオ基、 ァリーリレ基、 ァリールォキシ 基、 7リ一ルチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルキルォヰシ基、 ァリールアル キルチオ基、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 アミド基、 酸イミド基、 ィミン残基、 ァミノ 基、 置換アミノ基、 置換シリル基、 置換シリルォキシ基、 置換シ,リルチオ基、 置換シリ ルァミノ基、 1価の複素環基、. へ' ロプリールォキシ基、 ヘテロァリールチオ基、 ァリ ールアルケニル基、 ^リールェチニル基'、 力ルポキシル基、 アルキ ォキシカルポニル 基、 ァリールォキシカルボニル基、 ァリールアルキルォキシカル ニル基、 ヘテロァリ ールォキシカルポニル基、 シァノ '基等が挙げられる。 芳香族炭化冰素化合物としては、 下記の化合物が例示される。 i
また、 3価の複素環基および 4価の複素環基とは、 複素環化合物からそれぞれ 3つお よび 4つの水素原子を除いた残りの原子団をいい、 通常炭素数 3
:〜6 0、 好ましくは 3 〜2 0である。 なお、 複素環基上に置換基を有していてもよいが、 複素環基の炭素数に は置換基の炭素数は含まれない。 置換基としては、 アルキル基、.アルキルォキシ基、 ァ ルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリー チオ基、 ァリールアルキル基 、 ァリ一ルアルキルォキシ基'、;
:ァ'リールアルキルチオ基、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 アミド基、 酸イミド基、 ィミン残基、 アミノ基、 置換アミノ基、 置換シリル基、 置換シ リルォキシ基、 置換シリルチオ 置換シリルアミノ基、 1価の複素環基、 ヘテロァリ —ルォキシ基、 ヘテロァリ一ルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリ一ルェチニル基、 カルボキシル基、 アルキルォキジカルポニル基、 ァリーレオキシカルポニル基、 アリ^ ルアルキルォキシカルポニル基、 へデロアリールォキシカルポニル基、 シァノ基等が挙 げられる。 複素環化合物としては、 下記の化合物が例示される。
式中、 Rはそれぞれ独立に水素原子、 アルキル基、 ァリール基、 ァリールアルキル基 、 置換シリル基、 ァシル基または 1価の複素環基を表す。 R ' それぞれ独立に、 水素 原子、 ハロゲン原子、 アルキ 基、 アルキルォキシ基、 アルキルチオ基、 ァリ一ル基、 ァリールォキシ基、;ゲリールチオ基、 ァ'リールアルキル基、 ァリールアルキルォキシ基 、 ァリールアルキルチオ基、 ァシルォキシ基、 置換アミノ基、 アミド基、'ァリールアル ケニル基、 ァリールアルキニル S、. 1価の複素環基、 ヘテロァリールォキシ基、 ヘテロ ァリ一ルチオ基またはシァノ基 ¾ す。
A r \ A r 2および A r 3が有していてもよい置換基のなかで、 アルキル基として は、 直鎖、 分岐または環状のいずれでもよく、 置換基を有していてもよい。 炭素数は通 常 1〜2 0程度であり、 具体的には、 メチル基、 ェチル基、 プロピル基、 i 一プロピル 基、 ブチル基、 i一ブチル基、 t—ブチル基、 ペンチル基、 へキシル基、 シクロへキシ ル基、 ヘプチル基、 ォクチル基、 2—ェチルへキシル基、 ノニ Jレ基、 デシル基、 3 , 7 ージメチルォクチル基、 ラウリル基、 トリフルォロメチル基、 ペンタフルォロェチル基 、 パ一フルォロブチル基、 パ一フルォ口へキシル基、 パーフルォロォクチル基などが例
示される。
アルキルォキシ基としては、 直鎖、 分岐または環状のいずれでもよく、 置換基を有し ていてもよい。 炭素数は通常 1~20程度であり、 具体的には、 メトキシ基、 エトキシ 基、 プロピルォキシ基、 i一プロピルォキシ基、 ブトキシ基、 i—ブトキシ基、 t— ブトキシ基、 ペンチルォキシ基、 へキシルォキシ基、 シクロへキシルォキシ基、 へプチ ルォキシ基、 ォクチルォキシ基、 2一ェチルへキシルォキシ基、 ノニルォキシ基、 デシ ルォキシ基、 3, 7ージメチルォクチルォキシ基、 ラウリルォキシ基、 トリフルォロメ トキシ基、 ペンタフルォロエトキシ基、 パーフルォロブトキシ基、 パーフルォ口へキシ ル基、 パ一フルォロォクチル基、 メトキシメチルォキシ基、 2—メトキシェチルォキシ 基などが例示される。
アルキルチオ基は、 直鎖、 分岐または環状のいずれでもよく、 置換基を有していても よい。 炭素数は通常 1〜20程度であり、 具体的には、 メチルチオ基、 ェチルチオ基、 プロピルチオ基、 i—プロピルチオ基、 プチルチオ基、 iーブチルチオ基、 t—ブ チルチオ基、 ペンチルチオ基、 へキシルチオ基、 シクロへキシルチオ基、 へプチルチオ 基、 ォクチルチオ基、 2—ェチルへキシルチオ基、 ノニルチオ基、 デシルチオ基、 3, 7—ジメチルォクチルチオ基、 ラウリルチオ基、 トリフルォロスチルチオ基などが例示 される。 . . .. ■
ァリール基は、 置換基を有していても'よく、 炭素数は通常 3〜 60程度であり、 具体 的には、 フエニル基、 〇,〜〇12アルコキシフエニル基 (C,~C12は、 炭素数 1〜12 であることを示す。 以下も同様である。 ) 、 C,~C12アルキルフエニル基、 1—ナフ チル基、 2—ナフチル基、 ペンタ^ルオロフェニル基、 ピリジ Jレ基、 ピリダジニル基、 ピリミジル基、 ピラジル基、 トリアジル基などが例示される。
ァリールォキシ基としては、 芳香環上に置換基を有していてもよく、 炭素数は通常 3 ~60程度であり、 具体的には、 フエノキシ基、 C,〜C12アルコキシフエノキシ基、 C,~C12アルキルフエノキシ基、 1一ナフチルォキシ基、 2一ナフチルォキシ基、 ぺ ンタフルオロフェニルォキシ基、 ピリジルォキシ基、 ピリダジニルォキシ基、 ピリミジ ルォキシ基、 ピラジルォキシ基、 トリアジルォキシ基などが例 される。
ァリ一ルチオ基としては、 芳香環上に置換基を有していてもよく、 炭素数は通常 3〜
60程度であり、 具体的には、 フエ二ルチオ基、 C,〜C12アルコキシフエ二ルチオ基 、 C,〜C12アルキルフエ二ルチオ基、 1—ナフチルチオ基、 2—ナフチルチオ基、 ぺ ン夕フルオロフェニルチオ基、 ピリジルチオ基、 ピリダジニノレチォ基、 ピリミジルチォ 基、 ピラジルチオ基、 トリアジルチオ基などが例示される。
ァリールアルキル基としては、 置換基を有していてもよく、 炭素数は通常 7~60程 度であり、 具体的には、 フエニル— 〜。^アルキル基、 C,〜Ci2アルコキシフエ二 ルー C,〜C,2アルキル基、 C ,〜 C , 2アルキルフエニル— C , ~ C , 2アルキル基、 1一 ナフチル— C,〜C12アルキル基、 2—ナフチル— C,〜C12アルキル基などが例示され る。
ァリールアルキルォキシ基は、 置換基を有していてもよく、 炭素数は通常 7〜60程 度であり、 具体的には、 フエニル— 〜じ^アルコキシ基、 じ,〜。^アルコキシフエ 二ルー C , ~ C , 2アルコキシ基、 C,〜C,2アルキルフエ二ルー C,〜CI2アルコキシ基 、 1一ナフチルー ^〜012アルコキシ基、 2—ナフチルー C,〜C12アルコキシ基など が例示される。
ァリールアルキルチオ基としては、 置換基を有していてもよく、 炭素数は通常 7〜 6 0程度であり、 具体的には、 フエ二ルー Ci〜C,2アルキルチォ基、 ^〜 2アルコキ シフエ二ル— C,〜 C, 2アル ル^ 基: C ,〜 C , 2アルキルフエ二ルー C ,〜 C , 2アル キルチオ ¾、 1ーナ:フヂル— 〜 2アルキルチオ基、 2—ナフチル— C,〜C12アル キルチオ基などが例示される。 '
ァシル基は、 炭素数は通常 2 20程度であり、 具体的には、 ァセチル基、 プロピオ ニル基、 プチリル基、 イソブチリ,ル基、 ピバロイル基、 ベンゾィル基、 トリフルォロア セチル基、 ペンタフルォ口べンゾィル基などが例示される。
ァシルォキシ基は、 炭素数は通常 2〜 20程度であり、 具体的には、 ァセトキシ基、 プロピオニルォキシ基、 プチリルォキシ基、 イソプチリルォキシ基、 ビバロイルォキシ 基、 ベンゾィルォキシ基、 トリフルォロアセチルォキシ基、 ペンタフルォロベンゾィル ォキシ基などが例示される。
アミド基は、 炭素数は通常 2 ~ 20程度であり、 具体的には、 ホルムアミド基、 ァセ トアミド基、 プロピオアミド基、 プチロアミド基、 ベンズアミ ド基、 トリフルォロアセ
トアミド基、 ペンタフルォ口べンズアミド基、 ジホルムアミド基、 ジァセトアミド基、 ジプロピオアミド基、 ジブチロアミド基、 ジベンズアミド基、 ジトリフルォロアセトァ ミド基、 ジペンタフルォ口べンズアミド基などが例示される。
酸イミド基としては、 酸イミドからその窒素原子に結合した水素康子を除いて得られ る残基があげられ、 通常炭素数 2〜 6 0程度であり、 好ましくは炭泰数 2〜2 0である 。 具体的には以下に'示す基が例示される。
ィミン残基としては、 イミン化 物 (分子内に、 —N = C -を持つ有機化合物のこと をいう。 その例として、 アルジミン、 ケチミン及びこれらの N上の 7K素原子が、 アルキ ル基等で置換された化合物があげられる) から水素原子 1個を除い 残基があげられ、 通常炭素数 2〜 6 0程度であり、 好ましくは炭素数 2〜 2 0である。 具体的には、 以下 の構造式で示される基などが例示される。
^/ Me
置換アミノ基としては、 アルキル基、 ァリール基、 ァリールアルキル基および 1価の 複素環基から選ばれる 1または 2個の基で置換されたァミノ基があげられ、 該アルキル 基、 ァリール基、 ァリールアルキル基または 1価の複素環基は置 基を有していてもよ レ^ 炭素数は通常 1〜40程度であり、 具体的には、 メチルァミノ基、 ジメチルァミノ 基、 ェチルァミノ基、 ジェチルァミノ基、 プロピルアミノ基、 ジプロピルアミノ基、 ィ ソプロピルアミノ基、 ジイソプロピルアミノ基、 ブチルアミノ 、 イソプチルァミノ基 、 t—プチルァミノ基、 ペンチ,ルァミノ基、 へキシルアミ'ノ基、' シクロへキシルァミノ 基、 ヘプチルァミノ基、 ォクチルァミノ''基、 2ーェチルへキシルァミノ基、 ノニルアミ ノ基、 デシルァミノ基、 3, 7—ジメチルォクチルァミノ基、 ラウリルアミノ基、 シク 口ペンチルァミノ基、 ジシクロペンチルァミノ基、 シクロへキシルァミノ基、 ジシクロ へキシルァミノ基、 ピロリジル ピペリジル基、 ジトリフルォロメチルァミノ基、 フ ェニルァミノ基、 ジフエニルァミノ基、 〜0
12アルコキシフエニルァミノ基、 ジ ( C,〜C
I2アルコキシフエニル) アミノ基、 ジ (C,~C
12アルキルフエニル) アミノ基 、 1一ナフチルァミノ基、 2—ナフチルァミノ基、 ペン夕フルオロフェニルァミノ基、 ピリジルァミノ基、 ピリダジニルァミノ基、 ピリミジルアミノ基、 ピラジルァミノ基、 トリアジルァミノ基、 フエニル _ C,〜C,
2アルキルアミノ基、 アルコキシフ ェニルー C,〜C,
2アルキルアミノ基、 〇
1〜。
12ァルキルフェニル—〇
1〜
12ァルキ ルァミノ基、 ジ (0,〜〇
12アルコキシフエ二ルー C,〜C
12アルキル) アミノ基、 ジ (
〜。^アルキルフエニル— 〜〇
1 2アルキル) アミノ基、 1一ナフチルー
2アルキルアミノ基、 2—ナフチル— C,〜C , 2アルキルアミノ基などが例示される。 置換シリル基としては、 アルキル基、 ァリール基、 ァリールアルキル基および 1価の 複素環基から選ばれる 1、 2または 3個の基で置換されたシリル基があげられ、 炭素数 は通常 1〜 6 0程度であり、 好ましくは炭素数 3 ~ 3 0である。 なお該アルキル基、 ァ リ一ル基、 ァリールアルキル基または 1価の複素環基は置換基を有していてもよい。 トリメチルシリル基、 トリェチルシリル基、 トリ— n—プロビルシリル基、 トリ一 i 一 プロビルシリル基、 tーブチルシリルジメチルシリル基、 トリフエ二 Jレシリル基、 トリ —P—キシリルシリル基、 トリベンジルシリル基、 ジフエニルメチルシリル基、 t—ブ チルジフエニルシリル基、 ジメチルフエニルシリル基などが例示される。
置換シリルォキシ基としては、 アルキル基、 ァリール基、 ァリールアルキル基および 1価の複素環基から選ばれる 1、 2または 3個の基で置換されたシリルォキシ基 (H3 S i〇-) があげられ、 炭素数は通常 1〜 6 0程度であり、 好ましくは炭素数 3〜 3 0で ある。 なお該アルキル基、 ァリール基、 ァリールアルキル基または 1価の複素環基は置 換基を有していてもよい。
置換シリルォキシ基としては、 トリメチルシリルォキシ基、 ト,リエチルシリルォキシ 基、 トリ一 n—プロピルシリ レ^ " シ ¾、 トリ _ i—プロビルシリルホキシ基、 tーブ チルシリルジメチル 'シリルォキシ基、 卜'リフエニルシリルォキシ基、 卜リー p—キシリ ルシリルォキシ基、 トリベンジルシリルォキシ基、 ジフエ二ルメチルシリルォキシ基、 t—プチルジフエニルシリルオギシ基、 ジメチルフエニルシリルォキシ基などが例示さ れる。
置換シリルチオ基としては、 アルキル基、 ァリ一ル基、 ァリ一ルァレキル基および 1 価の複素環基から選ばれる 1、 2または 3個の基で置換されたシリルヂォ基 (H3 S i S -) があげられ、 炭素数は通常 1〜6 0程度であり、 好ましくは炭素数 3〜3 0であ る。 なお該アルキル基、 ァリール基、 ァリールアルキル基または 1価の複素環基は置換 基を有していてもよい。
置換シリルチオ基としては、 トリメチルシリルチオ基、 トリェチルシリルチオ基、 ト リ— n—プロビルシリルチオ基、 トリー i 一プロビルシリルチオ基、 t -ブチルシリル
ジメチルシリルチオ基、 トリフエ二ルシリルチオ基、 トリー!)—キシリルシリルチオ基 、 トリベンジルシリルチオ基、 ジフエ二ルメチルシリルチオ基、 tーブチルジフエニル シリルチオ基、 ジメチルフエニルシリルチオ基などが例示される。
置換シリルアミノ基としては、 アルキル基、 ァリール基、 ァリールアルキル基および 1価の複素環基から選ばれる 1〜 6個の基で置換されたシリルアミノ基 (H3 S i NH- または ( (H3 S i) 2 N-) があげられ、 炭素数は通常 1〜1 2 0程度であり、 好まし くは炭素数 3〜6 0である。 なお該アルキル基、 ァリール基、 ァリールアルキル基また は 1価の複素環基は置換基を有していてもよい。
置換シリルアミノ基としては、 トリメチルシリルアミノ基、 トリェチルシリルアミノ 基、 トリー n—プロビルシリルアミノ基、 トリー i—プロビルシリルアミノ基、 tーブ チルシリルジメチルシリルアミノ基、 トリフエニルシリルアミノ基、 トリー p—キシリ ルシリルアミノ基、 トリベンジルシリルアミノ基、 ジフエ二ルメチルシリルアミノ基、 t—プチルジフエニルシリルアミノ基、 ジメチルフエニルシリルアミノ基、 ジ (トリメ チルシリル) アミノ基、 ジ (卜リエチルシリル) アミノ基、 ジ (卜リ—n—プロビルシ リル) アミノ基、 ジ (トリー i —プロピルシリル) アミノ基、 ジ ( t 一プチルシリルジ メチルシリル) アミノ基、 ジ (トリフエニルシリル) アミノ基、 ジ (トリ— p—キシリ ルシリル) アミノ基、 ジ (トリ ジ^シリル) アミノ基、 ジ (ジフエ二ルメチルシリ ル) アミノ基、 ジ t—プチルジフエ二'ルシリル) アミノ基、 ジ (ジメチルフエエルシ リル) アミノ基などが例示される。 '
1価の複素環基とは、 複素環化 ' 物から水素原子 1個を除いた残りの原子団をいい、 炭素数は通常 2〜 6 0程度であり 具体的には、 チェニル基、 C i〜C 1 2アルキルチェ ニル基、 ピロリル基、 フリル基、 ピリジル基、 〜じ^アルキルピリジル基、 イミダ ゾリル基、 ピラゾリル基、 トリァゾリル基、 ォキサゾリル基、 チアゾール基、 チアジア ゾール基などが例示される。
ヘテロァリールォキシ基とは、 複素環化合物から水素原子 1個を酸素原子で置換した 基をいい、 Q1 -〇一で示される。 Q1は 1価の複素環基を表す。 炭素数は通常 2〜6 0程 度であり、 具体的には、 チェニルォキシ基、 C ,〜C 1 2アルキルチェニルォキシ基、 ピ 口リルォキシ基、 フリルォキシ基、 ピリジルォキシ基、 〜じ アルキルピリジルォ
キシ基、 イミダゾリルォキシ基、 ピラゾリルォキシ基、 トリァゾリルォキシ基、 ォキサ ゾリルォキシ基、 チアゾールォキシ基、 チアジアゾールォキシ基などが例示される。 ヘテロァリ一ルチオ基とは、 複素環化合物から水素原子 1個を硫黄原子で置換した基 をいい、 Q2— S—で示される。 Q2は 1価の複素環基を表す。 炭素数は、 通常 2〜60 程度で、 具体的には、 チェ二ルメルカプト基、 2アルキレチェ二ルメルカプト 基、 ピロリルメルカフ。ト基、 フリルメルカプト基、 ピリ ルメルカプト基、 C,~C12 アルキルピリジルメルカプト基、 イミダゾリルメルカプト基、 ビラゾリルメルカプト基 、 トリアゾリルメルカプト基、 ォキサゾリルメルカプト基、 チアゾ一ルメルカプト基、 チアジアゾ一ルメルカプト基などが例示される。
ヘテロァリールォキシカルポニル基とは、 複素環化合物から水素原子 1個をォキシ力 ルポニル基で置換した基をいい、 Q3-〇 (C = 0) 一で示される。 Q3は 1価の複素環基 を表す。 炭素数は通常 2〜 60程度であり、 具体的には、 チェニリレオキシカルボニル基 、 C ,〜 C , 2アルキルチェニルォキシカルポニル基、 ピロリルォキシカルボニル基、 フ リルォキシカルボニル基、 ピリジルォキシカルポニル基、 ^~〇12アルキルピリジル ォキシカルポニル基、 イミダゾリルォキシカルポニル基、 ピラゾリルォキシカルボニル 基、 トリアゾリルォキシカルポニル基、 ォキサゾリルォキシカルポニル基、 チアゾール ォキシ力ルポニル基、 チアジ 7:ゾ. ルォキシカルポ'ニル基などが例示される。
ァリールアルケニ:ル基、 ァリールエヂニル基におけるァリール基としては、 上記のァ リール基に例示の基が挙げられる。 ァリールアルケニル基におけるアルケニル基は、 炭 素数は通常 2 ~20程度であり、''ビニル基、 1一プロピレニル基、 2—プロピレニル基 、 3—プロピレニル基、 ブテニル 4、 ペンテニル基、 へキセニル基、 ヘプテニル基、 ォ クテニル基、 シクロへキセニル基、 1, 3—ブ夕ジェニル基など力 S例示される。
式 (1) 、 (2) における A1 は、 一 Z1—、 -Z2-Z3 —また W:_Z4 =Z5 一を表 し、 Z Z2、 および Z3 は、 それぞれ独立に、 〇、 S、 C (=〇) 、 S (=0) 、 S 02、 C (R1) (R2) 、 S i (R3) (R4) 、 N (R5) 、 B (R6) 、 P (R7) また は P (=〇) (R8) を表し、 Z4および Z5 は、 それぞれ独立に、 N、 B、 P、 C ( R9) または S i (R10)
(式中、 R R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9および R10はそれぞれ独立に
、 水素原子、 ハロゲン原子、 アルキル基、 アルキルォキシ基、 アルキルチオ基、 ァリ一 ル基、 ァリールォキシ基、 7リ一ルチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルキルォ キシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 アミド基、 酸イミド基 、 ィミン残基、 アミノ基、 置換アミノ基、 置換シリル基、 置換シリルォキシ基、 置換シ リルチオ基、 置換シリルアミノ基、 1価の複素環基、 ヘテロァリールォキシ基、 ヘテロ ァリ一ルチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリ一ルェチニル基、 カルボキシル基、 アル キルォキシカルポニル基、 ァリ一ルォキシカルボニル基、 ァリールアルキルォキシカル ポニル基、 ヘテロァリールォキシ力ルポニル基またはシァノ基を表す。 ただし、 と R2、 R3と R4は互いに結合して環を形成していてもよい。 ) を表す。
R R2、 R3、 R4、 R5、 R6、 R7、 R8、 R9および R1 °における、 /ヽロゲン原子 、 アルキル基、 アルキルォキシ基、' アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 7リ一ルチオ基、 ァリールアルキル基、 7リールアルキルォキシ基、 ァリールアルキル チォ基、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 アミド基、 酸イミド基、 ィミン残基、 置換アミノ 基、 置換シリル基、 置換シリルォキシ基、 置換シリルチオ基、 置換シリルアミノ基、 1 価の複素環基、 ヘテロァリールォキシ基、 ヘテロァリ一ルチオ基、 ァリールアルケニル 基、 ァリ一ルェチニル基の定義、 具体例は前記と同じである。 ,
ただし式 (1 ) において、 と 1 は A r 1環上の互いに隣接する原子に結合し 、 A r 1と A 1 は A F 2環上の互いに隣接する原子隣に結合し、 式 (2 ) ίこおいて A r 3 と A 1 は A r 1環上の互いに隣接する原子に結合し、 A r 1と A 1 は A r 3環の互いに 隣接する原子上に結合する。
A 1 のうち、 - Z 1 - としては、. ¾体的には下記に例示の基が挙げられる。
A1 において、 — Z2— Z3 —としては、 下記 (16) 、 (17) 、 (18) に例示 の基が挙げられる。 /
(11)
6ΐ
l00Sl0/l700Zdf/X3d οόοεεο/sooi OAV
A1 において、 一 Z4 =Z5 一としては、 以下の (19) 、 (20) に例示の基が挙 げられる。
\ N=C / (20)
\
R9 また、 式 (1) および (2)"中、 X1' X2 、 X3および X4 は、 それぞれ独立にハ ロゲン原子、 アルキルスルホネート基、 ァリールスルホネート基、 ァリールァ Jレキルス ルホネ一ト基、 ホウ酸エステル基、 —B (OH) 2 、 モノハロゲン化メチル基、 スルホ ニゥムメチル基、 ホスホニゥム ル基、 ホスホネ一トメチル基、 シァノメチル基、 ホ ルミル基、 ビニル基、 水酸基、 アルキルォキシ基、 ァシルォキシ基、 置換シリリレオキシ 基、 アミノ基またはニトロ基を表し、 式 (1) における X1 、 X2 、 X3 の少なくとも 一つは、 ハロゲン原子、 アルキルスルホネート基、 ァリールスルホネート基、 ァリール アルキルスルホネート基、 ホウ酸エステル基、 一 B (OH) 2、 モノハロゲン化メチル 基、 スルホニゥムメチル基、 ホスホニゥムメチル基、 ホスホネ一トメチル基、 シァノメ チル基、 ホルミル基およびビニル基から選ばれ、 式 (2) における、 X1 、 X2 、 X3 および X4の少なくとも一つはハロゲン原子、 アルキルスルホネート基、 ァリールスル
ホネート基、 ァリールアルキルスルホネート基、 ホウ酸エステル基、 —B (OH) 2 、 モノ八ロゲン化メチル基、 スルホニゥムメチル基、 ホスホニゥムメチル基、 ホスホネー トメチル基、 シァノメチル基、 ホルミル基およびビニル基から選ばれる。
ここに、 ハロゲン原子としては、 フッ素、 塩素、 臭素、 よう素が例示され、 好ましく は、 塩素、 臭素またはヨウ素である。
アルキルスルホネート基としては、 メタンスルホネー小基、 エタンスルホネー卜基、 トリフルォロメタンスルホネ一ト基などが例示され、 ァリールスルホネート基としては 、 ベンゼンスルホネ一ト基、 p—トルエンスルホネート基などが例示され、 ァリールァ ルキルスルホネ一ト基としては、 ベンジルスルホネート基などが例示される。
ホウ酸エステル基としては、 下記式で示される基が例示される。
モノハロゲン化メチル基としては、 フッ化メチル基、 塩ィヒメチル基、 臭化メチレ基、 ヨウ化メチル基が例示される。
スルホニゥムメチル基としては、,,下記式で示される基が例^ざれる。
— CH2SMe2X、 -CH2 S P h¾X (Xはハロゲン原子を示す。 ) ホスホニゥムメチル基としては、 下記式で示される基が例示される。 .
-CH2 PPh3X (X ハロゲン原子を示す。 )
ホスホネ一トメチル基としては、;下記式で示される基が例示される。
— CH2PO (OR' ) 2
(R' はアルキル基、 ァリール基またはァリールアルキル基を示す。 ) 上記式 (1) または (2) で示される化合物が、 縮合反応性官能基と縮合反応' I ' 官能 基前駆体とを有する場合、 縮合反応をおこなった後に縮合反応性官能基前駆体を官能基 変換し、 更に縮合反応をおこなうことにより位置選択的な置換基導入や重合反応をおこ なうことができる。
なお、 縮合反応性官能基としては、 ハロゲン原子、 アルキルスルホネート基、 ァリー ルスルホネート基、 ァリールアルキルスルホネート基、 ホウ酸エステル基、 一 B (O H ) 2、 モノハロゲン化メチル基、 スルホニゥムメチル基、 ホスホニゥムメチル基、 ホス ホネートメチル基、 シァノメチル基、 ホルミル基、 またはビニル基が挙げられ、 縮合反 応性官能基前駆体とは、 官能基変換をおこなうことにより縮合反応性官能基に変換でき る官能基を指し、 具本的には、 水酸基、 アルキルォキシ基、'ァシルォキシ基、 置換シリ ルォキシ基、 アミノ基またはニト口基が挙げられる。
また、 縮合反応性官能基前駆体を縮合反応性官能基へと変換する方法としては、 縮合 反応性官能基前駆体が水酸基の場合、 塩基の存在下、 アルキルスルホン酸無水物または 塩ィ匕アルキルスルホニルと反応させることによりアルキルスルホネート基へと変換する ことができる。 同様にして対応するスルホン酸無水物または塩化スルホ二ルを用いるこ とにより、 ァリールスルホネート、 7リ一ルアルキルスルホネ一ト基へと変換すること ができる。 ·
縮合反応性官能基前駆体がアルキルォキシ基の場合、 三臭化ホウ素などを用いて水酸 基へと変換した後に、 上記の方法を用いてアルキルスルホネ一ト基、 7リ一ルスリレホネ 一トまたはァリールアルキルスルホネート基へと変換することができる。
縮合反応性官能基前駆体がア リレオ丰シ基の場合'、 塩基性条件での加水分解または還 元剤との反応で水酸基へと変換した後に、 上記の方法を用いてアルキルスルホネート基 、 7リ一ルスルホネ一トまたはァリ一ルアルキルスルホネ一ト基へと変換することがで きる。 ·'
縮合反応性官能基前駆体が置換 リルォキシ基の場合、 酸性条件での加水分解、 塩基 性条件での加水分解、 フッ化物イオン.との反応で水酸基へと変換した後に、 上記の方法 を用いてアルキルスルホネ一ト基、 ァリ一ルスルホネー卜またはァリ—ルアルキルスル ホネート基へと変換することができる。
縮合反応性官能基前駆体がアミノ基の場合、 Sandraeyer反応により、 ハロゲン原子へ と変換することができる。
縮合反応性官能基前駆体が二ト口基の場合、 還元剤との反応でアミノ基へと変換した 後に、 上記の方法を用いてハロゲン原子へと変換することができる。
上記式 (1) または (2) で示される化合物が縮合反応性官能基と縮合反応性官能 S 前駆体とを有する場合、 該ィ匕合物をポリマーにした時の発光強度の観点から、 A1が、
0、 C (R1) (R2) 、 N (R5) または B (R6) である場合が好ましい。
また、 ポリマーにした時の発光強度の観点から、 一Z2— Z3 —のうち、 Z2と Z3 カ 互いに異なるものまたは— Z4 =Z5 —表される場合も好ましい。 具体的には、 上記 (16) 、 (17) 、' (18) 、 (19) または (20) に例示の基が挙げられる。 中でも、 A1 が〇一 C (=0) 、 O-C (R1) (R2) 、 S-C (R1) (R2) 、 S (=〇) 一 C (R1) (R2) 、 S〇2 — C (R1) (R2) 、 N (R5) 一 C (=0) ま たは N=C (R9) である場合、 より好ましい。 具体的には、 上記式 (18) および ( 20) に例示の基が挙げられる。
また、 式 (1) における X1 、 X2 、 X3 の全てが、 ハロゲン原子、 アルキルスルぉ ネート基、 ァリールスルホネート基、 ァリ一ルアルキルスルホネート基、 ホウ酸エステ ル基、 一 B (OH) 2、 モノハロゲン化メチル基、 スルホニゥムメチル基、 ホスホニゥ ムメチル基、 ホスホネートメチル基、 シァノメチル基、 ホルミル基、 ビニル基から選 れる場合、 式 (2) における X1 、 X2 、 X3および X4の全てがハロゲン原子、 ァレ キルスルホネート基、 ァリ一ルスルホネート基、 ァリールアルキルスルホネート基、 お ゥ酸エステル基、 — B (OH) 2 モノハロゲン化'メチル基、 スルホニゥムメチル基、 ホスホニゥムメチル基、 ホスホネ一トメ'チル基、 シァノメチル基、 ホルミル基、 ビニリレ 基から選ばれる化合物である場合、 直接重合に供すると分岐ポリマ一を与えることから 好ましい。 '
中でも、 縮合反応の反応部位の翻御が可能なことから、 (1) 式において X1 、 X2 、 X3 のうち少なくとも 1つが他と異なる官能基である場合および (2) 式において X
1 、 X2 、 X3 、 X4 のうち少なくとも 1つが他と異なる官能基である場合が好ましい 中でも、 X1 、 X2 、 X3のうち少なくとも 1つがハロゲン原子でかつ、 X1 、 X2 、 X3 のうち少なくとも 1つがスルホネート基である場合が好ましい。 ここでスルポネ ―ト基とはアルキルスルホネート基、 ァリ一ルスルホネートまたはァリールアルキルス ルホネート基を表す。
ポリマーにした時の発光強度の観点から、 A1が、 0、 S、 S (=0) または S02 である場合が好ましく、 ポリマーにした時の電荷輸送性の観点から、 A1が、 C (R1 ) (R2) 、 S i (R3) (R4) 、 N (R5) 、 B (R6) 、 P (R7) もしくは P (=〇 ) (R8) である場合が好ましい。
また、 ポリマーにした時の発光強度の観点から、 — Z2— Z3 —または— Z4 = Z5 一表される場合も好ましい。 .具体的には、 上記式 (16) 、 (17) 、 (18) 、 (1 9) または (20) に例示の基が挙げられる。
中でも、 A1が O— C (=0) 、 O-C (R1) (R2) 、 S-C (R1) (R2) 、 S (=〇) 一 C (R1) (R2) 、 S02 一 C (R1) (R2) 、 N (R5) 一 C (=〇) ま たは N = C (R9) である場合、 より好ましい。 具体的には、 上記式 (18) または ( 20) に例示の基が挙げられる。
式 (1) で示される化合物としては、 下記 (21) 、 (22) の化合物が例示される
92
060CC0/S00Z; OAV lOOSTO/ OOldf/I3d
izz)
l00SX0/t700Zdf/X3d οόοεεο/sooi OAV
式 (2) で示される化合物としては、 下記(23)、 (24) の化合物が例示される,
中でも、 上記式 (1) において A r
1および A r
2が芳香族炭ィ匕水素の場合、 または 上記式 (2) において A r
1および A r
3が芳香族炭化水素の場合、 化合物の安定性の 観点から好ましい。
特に、 下記式 (1— 1) または (2— 1) で表される場合、 化合物の安定性の観点か ら好ましい。
式中、 A
1 、 X
1 、 X
2 、 X
3および X
4 は上記と同じ。 ベンゼン環上に置換基を有 していてもよく、 置!^基が互いに結合して環を形成していてもよい。 置換基として ίよ、 アルキル基、 アルキルォキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァ リールチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルキルォキシ基、 ァリールアルキルチ ォ基、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 アミド基、 酸イミド基、 ィミン残基、 アミノ基、 置 換ァミノ基、 置換シリル基、 置換シリルォキシ基、 置換シリルチオ基、 置換シリルアミ ノ基、 1価の複素環基、 ヘテロァリールォキシ基、 ヘテロァリールチオ基、 ァリ一ルァ ルケニル基、 ァリールェチニル基、 力ルポキシル基、 アルキルォキシカルポニル基、 ァ リールォキシカルポニル基、 ァリールアルキルォキシカルポニル基、 ヘテロァリールォ キシカルボニル基またはシァノ基が挙げられる。
( 1 ) または (2 ) で示される化合物の合成法について述べる。
上記式 (1 ) または (2 ) で示される化合物は、 上記式 (1— 2 ) で示される化合物 をハロゲン化する方法などにより 造することができる。 X 1 ' および X 3 'はそれぞ れ独立に、 ハロゲン原子、 アルキ スルホネート基、 ァリ一ルスルホネート基、 ァリー ルアルキルスルホネート基、 ホウ酸エステル基、 — Β (ΟΗ) 2、 モノハロゲン化メ^ ル基、 スルホニゥムメチル基、 ホスホニゥムメチル基、 ホスホネートメチル基、 シァノ メチル基、 ホルミル基もしくはビニル基、 またはハロゲン原子、 アルキルスルホネート 基、 ァリ一ルスルホネート基、 ァリールアルキルスルホネート基、 ホウ酸エステル基、 一 Β (ΟΗ) 2、 モノハロゲン化メチル基、 スルホニゥムメチル基、 ホスホニゥムメチ ル基、 ホスホネートメチル基、 シァノメチル基、 ホルミル基もしくはビニル基に変換可 能な官能基を表す。 中でも、 X 1 ' および X 3 'は電子供与基が好ましい。
以下に合成法を例示する。
次に、 式 (5) または (6) で示される化合物について述べる。
(5) (6)
式中、 A1 および X3 は、 前記と同じ意味を表し、 Ar4 Ar5 Ar 6および A r 7 は、 それぞれ独立に 3価の芳香族炭化水素基または 3価の複素環基を表し、 該 Ar 4 Ar5 Ar 6および A r 7 は置換基を有していてもよく、 A r 4および A r 5が置 換基を有する場合、 それらが結合して環を形成じていてもよい。
ここに、 3価の芳香族炭化水素基、 3価の複素環基、 Ar4 Ar5 Ar 6および Ar 7が有していてもよい置換基等 の定義、 具 例等は、 、 (2) における それらの定義、 具体例等と同様 ある。,.
また、 X9 X1 Q X1 1 および X1 2 は、 それぞれ独立に八口ゲン原子、 アルキ ルスルホネート基、 ァリールスル ' ネート基、 ァリールアルキルスルホネート基、 ホウ 酸エステル基、 — B (OH) 2、 モノハロゲン化メチル基、 スルホニゥムメチル基、 ホ スポニゥムメチル基、 ホスホネ一トメチル基、 シァノメチル基、 ホルミル基、 ビニル '基 7_Κ酸基、 アルキルォキシ基、 ァシルォキシ基、 置換シリルォキシ基、 アミノ基または ニトロ基を表し、 式 (5) における X9 X1。および X3 の少なくとも一つが、 ハロゲ ン原子、 アルキルスルホネート基、 ァリ一ルスルホネート基、 ァリールアルキルスルホ ネート基、 ホウ酸エステル基、 — Β (ΟΗ) 2、 モノハロゲン化メチル基、 スルホニゥ ムメチル基、 ホスホニゥムメチル基、 ホスホネートメチル基、 シァノメチル基、 ホルミ ル基およびピニル基から選ばれ、 式 (6) における、 X9 X10, X11および X12の少
なくとも一つは、 ハロゲン原子、 アルキルスルホネート基、 ァリールスルホネート基、 ァリールアルキルスルホネート基、 ホウ酸エステル基、 — B (OH) 2、 モノハロゲン 化メチル基、 スルホニゥムメチル基、 ホスホニゥムメチル基、 ホスホネートメチル基、 シァノメチル基、 ホルミル基およびピニル基から選ばれる。
ここに、 X9 、 X1 Q 、 X1 1 および X1 2 における、 ハロゲン原子、 アルキルスル ホネート基、 ァリールスルホネート基、 ァリールアルキルスルホネート基、 ホウ酸エス テル基、 一 B (OH) 2 、 モノハロゲン化メチル基、 スルホニゥムメチル基、 ホスホニ ゥムメチル基、 ホスホネートメチル基、 アルキルォキシ基、 ァシルォキシ基、 置換シリ ルォキシ基、 の定義、 具体例等は、 式 (1) 、 (2) におけるそれらの定義、 具体例等 と同様である。
上記式 (5) または (6) で示される化合物が、 縮合反応性官能基と縮合反応性官能 基前駆体とを有する場合、 縮合反応をおこなった後に縮合反応性官能基前駆体を官能基 変換し、 更に縮合反応をおこなうことにより位置選択的な置換基導入や重合反応をおこ なうことができる。
上記式 (5) または (6) で示される化合物が、 縮合反応性官能基と縮合反応性官能 基前駆体とを有する場合、 該化合物をポリマーにした時の発 ¾度の観点から、 A1 が 0、 S、 S (=〇) 、 S02 たis i (R3) (R4) 、 N (R5) である場合が好ま しい。 .'; ''
また、 一 Z2— Z3 —または一 Z 4 =z5 —で表される場合も好ましい。 具体的には 、 上記式 (16) 、 (17) 、 (18) 、 (19) または (20) に例示の基が挙げら れる。 β
中でも、 Α1が 0— C (=〇) 、 O-C (R1) (R2) 、 N (R5) — C (=0) ま たは N = C (R9) である場合が好ましい。
また、 式 (5) における X1 、 X2および X3 の全てが、 ハロゲン原子、 アルキルス ルホネート基、 ァリールスルホネート基、 ァリールアルキルスルホネート基、 ホウ酸ェ ステル基、 一 B (OH) 2、 モノハロゲン化メチル基、 スルホニゥムメチル基、 ホスホ ニゥムメチル基、 ホスホネートメチル基、 シァノメチル基、 ホルミル基、 ピニル基から 選ばれる場合、 式 (6) における X1 、 X2 、 X3および X4の全てがハロゲン原子、
アルキルスルホネ一ト基、 ァリ一ルスルホネート基、 7リールアルキルスルホネ一ト基 、 ホウ酸エステル基、 一 B (OH) 2、 モノハロゲン化メチル基、 スルホニゥムメチル 基、 ホスホニゥムメチル基、 ホスホネートメチル基、 シァノメチル基、 ホルミル基およ びビニル基から選ばれる場合、 直接重合に供すると分岐ポリマーを与えることから好ま しい。
中でも、 縮合反応の反応部位の制御が可能なことから、. (5) 式において X 3 、 X9 、 X1 0 のうち少なくとも 1つが他と異なる官能基である場合および (6) 式において X9 , X1 0 , X1 1 , X1 2 のうち少なくとも 1つが他と異なる官能基である場合が 好ましい。
ポリマーにした時の発光強度の観点から A1 が 0、 S、' S (=0) 、 S〇2 または S i (R3) (R4) 、 N (R5) である場合が好ましい。
また、 一 Z2— Z3 —または— Z4 = Z5 —表される場合も好ましい。 具体的には、 上記式 (16) 、 (17) 、 (18) 、 (19) または (20) に例示の基が挙げられ る。
中でも、 A1 が O— C (=〇) 、 O-C (R1) (R2) 、 N (R5) 一 C (=0) ま たは N=C (R9) である場合が好ましい。
式 (5) で示される化合物と.じ.そは/下記 (25) および (26) に例示の化合物が 挙げられる。 《 ' "
2S
lOOSlO/tOOZdf/XJd οόοεεο/soor ΟΛ\
n
IOOS秦 OOZdf/IDd οόοεεο/sooz OAV
式 (6) で示される化合物としては、 下記 (27) および (28) に例示の化合物が
中でも、 上記式 (5) または (6) において A r
4および A r
5が芳香族炭化水素の 場合、 化合物の安定性の観点から好ましい。
特に、 下記式 (5— 1) または (6— 1) で表される場合、 化合物の安定性の観点か ら好ましい。
式中、 Ar 6 、 Ar 7 、 A1 、 X3 、 X9 、 X1 Q 、 X1 1および X1 2は上記と同 じ。 ベンゼン環上に置換基を有していてもよく、 置換基が互いに結合して環を形成して いてもよい。 置換基としては、 アルキル基、 アルキルォキシ基、 アルキルチオ基、 ァリ ール基、 ァリールォキシ基、 ァリールチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルキル ォキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 ァシル基、 ァシルォキシ基、 アミド基、 酸イミド 基、 ィミン残基、 アミノ基、 置換アミノ基、 置換シリル基、 置換:シリルォキシ基、 置換 シリルチオ基、 置換シリルアミノ基、 1価の複素環基、 ヘテロァリールォキシ基、 へテ ロアリールチオ基、 ァリールアルケニル基、 ァリールェチェル基、 カルボキシル基、 ァ ルキルォキシカルボニル基、 ァリールォキシカルボニル基、 ァリ.一ルアルキルォキシ力 ルポニル基、 ヘテロァリールォキ 力 ポニル基またはシァノ基が挙げられる。
次に (5) 式で表される化合物の合成法について述べる。
上記式 (5) で示される化合物は、 上記式 (5— 2) で示される化合物と (5— 3) で示される化合物 1当量をクロスカップリングさせた後に、 X3 '. 、 X9 ' および X1 0 'をそれぞれ X 3 、 X9および X1 0へと変換する方法などにより製造することがで きる。 式中、 A1 、 Ar4 、 Ar 5および A r 6 は、 上記と同じ意味を表す。 X3 ' 、 X9 ' および X1 0 'はそれぞれ独立にハロゲン原子、 アルキルスルホネート基、 ァリ 一ルスルホネート基、 ァリールアルキルスルホネート基、 ホウ酸エステル基、 — B (O H) 2、 モノハロゲン化メチル基、 スルホニゥムメチル基、 ホスホニゥムメチル基、 ホ
スホネートメチル基、 シァノメチル基、 ホルミル基もしくはビニル基、 またはハロゲン 原子、 アルキルスルホネート基、 ァリールスルホネート基、 ァリールアルキルスルホネ —ト基、 ホウ酸エステル基、 一 B (OH) 2、 モノハロゲン化メチル基、 スルホニゥム メチル基、 ホスホニゥムメチル基、 ホスホネ一トメチル基、 シァノメチル基、 ホルミル 基もしくはビニル基に変換可能な官能基を表す。 X3 0および X3 1 は、 それぞれ独立 にハロゲン原子、 アルキルス.ルホネート基、 ァリールスルホネート基、 ァリールアルキ ルスルホネート基、 トリアルキルスズ基、 ホウ酸エステル基または一 B (OH) 2 を表 す。
クロスカツプリングの方法としては、 S u z u k iカツプリング、 G r i g n a r d カップリング、 S t i l l eカップリングなどが例示される。 X9および X1 0 に変換 可能な官能基としては、 例えば、 7酸基、 アルキルォキシ基、 ァシルォキシ基、 置換シ リルォキシ基、 アミノ基またはニトロ基などが例示される。 官能基変換の方法としては 、 上記の通りである。 以下に合成法を例示する。
次に (6) 式で表される化合物の合成法について述べる。
(5-4) (6-2) 上記式 (6) で示される化合物は、 例えば上記式 (5— 4) で示される化合物と (6 ■2) で示される化合物をクロスカップリングさせた後に、 X9 . 、 X1 0 .、 X1 1
'および X1 2 'をそれぞれ X 9 、 X1 °、 X1 1 および X1 2へと変換する方法など により製造することができる。 クロスカップリングの方法としては、 上記と同じ方法が 挙げられる。 また、 (6) で示される化合物は、 (5— 2) で示される化合物と (5— 3) で示される化合物 2当量とを反応させた後に X 9 ' および X1 0 'をそれぞれ X 9 および X1 0変換する方法などによっても製造することができる。
次に、 式 (9) 、 (10) または (11) で示される化合物について述べる,
式中、 A r 4および A r 5は、 記と同じ意味を表し、 A r 8 、 Ar 9および A r 1 0 はそれぞれ独立にァリ一レン または 2価の複素環基を表し、 該 Ar4 、 Ar5 、 A r8 、 Ar9および Ar1 Q は置換基を有していてもよく、 A r 4および A r 5が置換基 を有する場合、 それらが結合して環を形成していてもよく、 八1"9ぉょび 1"1 !)が置換 基を有する場合、 それらが結合して環を形成していてもよく、 八 ぉょび °が直 接結合して環を形成していてもよい。
ここにァリーレン基とは、 芳香族炭化水素化合物から 2つの水素原子を除いた残りの 原子団をいい、 通常炭素数 6〜60、 好ましくは 6〜20である。 なお、 芳香族炭化水 素基に置換基を有していてもよいが、 芳香族炭化水素基の炭素数には置換基の炭素数は 含まれない。 芳香族炭化水素化合物、 置換基については、 前記式 (1) における 3価の
芳香族炭化水素基について例示の化合物、 基が例示される。
2価の複素環基とは、 複素環ィヒ合物から 2つの水素原子を除いた残りの原子団をいい 、 通常炭素数 3 60、 好ましくは 3 20である。 なお、 複素環基上に置換基を有し ていてもよい。 複素環化合物、 該置換基としては、 前記式 (1) における 3価の複素環 基について例示の化合物、 基が例示される。
式中、 A2 は、 下 i己式のいずれかで表される。 6 9 10 式中、 Z6 は B Pまたは P (=0) を表し、 Z7 はじ (R9 ) S i (R1 。) N B Pまたは P (=〇) を表し、 Z8 は 0 S C (=〇) S (=〇) S02 C (R1) (R2) S i (R3): (R4) N (R5) B (R6) P (R7) または P (=0) (R8) を表し、 Z9 は Cまたは S iを表し、 Z1 0 は N B P C (R9
) または S i (R1!))を表す。 (式中、 R' R2 R3 R4 R5 . R6. R7 R8 R9 および R1Qは前記と同じ意味を表す。 )
A 3 は、 下記式のいずれかで表される。 .
/
13 之 14
z11-z12 Ζ13 之14 ζ
式中、 Ζ1 1 は Cまたは S iを表し、 Z は〇、 S C (=〇) S (=〇) S
02 C (R1) (R2) S i ( 3) (R4) N (R5) B (R6) P (R7) もし くは P (=0) (R8) を表し、 1 3および Z1 4はそれぞれ独立に C (R9 ) S i (R1 ° ) B N Pまたは P (=0) を表す。 Z1 5および Z1 6 はそれぞれ独 立に Cまたは S iを表す。 (式中、 R R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9お よび R 1(1は前記と同じ意味を表す。 )
A 4 は、 水素原子、 アルキル基、 アルキルォキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリールチオ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルキルォキシ基
、 ァリールアルキルチオ基、 置換アミノ基、 置換シリル基、 1価の複素環基、 ヘテロァ リールォキシ基、 ヘテロァリールチオ基、 ァリールアルケニル基またはァリールェチニ
ル基を表す。 ただし、 式 (9) において Ars と A2 は A r 4環の互いに隣接する原子 に結合し、 Ar4 と A2は Ar5環の互いに隣接する原子に結合する。
式中、 X1 8 、 X1 9 、 X2 。、 X2 1および X2 2 は、 それぞれ独立にハロゲン原 子、 アルキルスルホネート基、 ァリ一ルスルホネート基、 ァリールアルキルスルホネ一 ト基、 ホウ酸エステル基、 — B (OH) 2 、 モノハロゲン化メチル基、 スルホ二ゥムメ チル基、 ホスホニゥムメチル基、 ホスホネートメチル基、.シァノメチル基、 ホルミル基 、 ビニル基、 水酸基、 アルキルォキシ基、 ァシルォキシ基、 置換シリルォキシ基、 アミ ノ基またはニトロ基を表し、 式 (9) における X1 8 、 X1 9および X2 0 の少なくと も一つはハロゲン原子、 アルキルスルホネート基、 ァリールスルホネート基、 ァリール アルキルスルホネート基、 ホウ酸エステル基、 — B (OH) 2 、 モノハロゲン化メチル 基、 スルホニゥムメチル基、 ホスホニゥムメチル基、 ホスホネートメチル基、 シァノメ チル基、 ホルミル基、 およびビニル基から選ばれ、 式 (10) における X1 8 、 X2 1 お よび X2 2 の少なくとも一つはハロゲン原子、 アルキルスルホネ一卜基、 ァリールスル ホネート基、 ァリールアルキルスルホネート基、 ホウ酸エステル基、 — B (OH) 2 、 モノハロゲン化メチル基、 スルホニゥムメチル基、 ホスホニゥムメチル基、 ホスホネー トメチル基、 シァノメチル基、 ホルミル基、 およびピニル基から,選ばれ、 式 (11) に おける X1 8 、 X1 9 、 X2 1および^2 2 の少なくとも一つは、 ハロゲン原子、 アル キルスルホネ一ト基; ァリールスルホネート基、 ァリールアルキルスルホネート基、 ホ ゥ酸エステル基、 —B (OH) 2 、 モノハロゲン化メチル基、 スルホニゥムメチル基、 ホスホニゥムメチル基、 ホスホネートメチル基、 シァノメチル基、 ホルミル基、 および ビニル基から選ばれる。
A
2で表される基としては、 具体的には以下に例示の基が挙げられる。
I \ / \ / ヽ / \ / \ /
Rio^i-S o10.Si-S02
R9 - R9 '
R6 0 R10 S R10
R7 R9 I 6 R1°
'R8 0 - I ¾ R
\ / \ /
Si -Si
R 10ー曱 _B、 n10
R5 R6 R I R7 R 、
R2 o
o
\ / \ / \ / \ / \ / \ \ /
B-B B-P B-P N-0 N-S N- \ /
/ 、R6 / R7 / 0' R8 / / / O ー3. N-S02
O /
\ / \ / \ / \ / \ /
i N— Si、 „ N-N N-B N-P N-P
R2 R / R f / 、R6 / R
8
\ / ヽ .o
, / \ / \ \ I \ I
P-0 P-S / ヽ
-i P— s、 P— so2 P- P-Si, , P-N
, \、 \- o 0 / / R2 / ^ R / 、R5
8
\ / \ / \ / \ / \ / \ /
P - -B—、 P . -P .、 p-p, 0* Rr8 s o- -so2
R8 R1 R8
\ / \ / \ '/' ' \ / \ / \ /
R
8 R
2 " R
8 R
4 ' R
8 -R
5 R
8 R
6 R
8 R
7 R
80 R
8
,
\ I \ / \ / ヽ / ヽ /
Si=N Si=B Si=p Si=¾ Si=Si
I / / / ,a r9 / 10
A
3で表される基としては、 具体的には以下に例示の基が挙げられる c
I \ / \ / \ / Si-0 ^Si-S 、Si- S, .Si-S02
R6 R7 0' R8 Λ O O
\ / \ /
-Si- Si-N Si-B,
3
R2* I 、 R
R5 I 、R6 I R7 I O R8
上記式 (9) 、 (10) または (11) で示される化合物が、 縮合反応性官能基と縮 合反応性官能基前駆体とを有する場合、 縮合反応をおこなった後に縮合反応性官能基前 駆体を官能基変換し、 更に縮合反応をおこなうことにより位置選択的な置換基導入や重 合反応をおこなうことができる。
上記式 (9) 、 (10) または (11) で示される化合物が、 縮合反応性官能基と縮 合反応性官能基前駆体とを有する場合、 該化合物をポリマ一にした時の発光強度の観点 から、 A2が B、 Pまたは P (^p) である場合が好ましい。
式中、 Z7 、 Z8 、 Z9および '1 。は上記と同じ意味を表す。
上記式 (10) または (11) で示される化合物は、 ポリマーにした時の発光強度の 観点から、 A
3が下記に示す 4価の基である場合が好ましい。
また、 式 (9) における X1 8 、 X1 9および X2 0 の全てがハロゲン原子、 アルキ ルスルホネート基、 ァリールスルホネ一ト基、 7リ一ルアルキルスルホネ一ト基、 ホウ 酸エステル基、 — B (OH) 2、 モノハロゲン化メチル基、 スルホニゥムメチル基、 ホ
スホニゥムメチル基、 ホスホネ一トメチル基、 シァノメチル基、 ホルミル基、 ビニル基 から選ばれる場合、 式 (10) における X1 8 、 X2 1 および X2 2の全てがハロゲン 原子、 アルキルスルホネート基、 ァリ一ルスルホネート基、 ァリールアルキルスルホネ ート基、 ホウ酸エステル基、 一 B (OH) 2、 モノハロゲン化メチル基、 スルホニゥム メチル基、 ホスホニゥムメチル基、 ホスホネートメチル基、 シァノメチル基、 ホルミル 基、 ビニル基から選'ばれる場合、 式 (11) における X1.8 、 X1 9 、 X2 1および X
2 2 の全てが、 ハロゲン原子、 アルキルスルホネート基、 ァリ一ルスルホネート基、 ァ リ一ルアルキルスルホネート基、 ホウ酸エステル基、 一 B (OH) 2、 モノハロゲン化 メチル基、 スルホニゥムメチル基、 ホスホニゥムメチル基、 ホスホネートメチル基、 シ ァノメチル基、 ホルミル基、 ピニル基から選ばれる場合、 直接重合に供すると分岐ポリ マーを与えることから好ましい。 '
中でも、 縮合反応の反応部位の制御が可能なことから、 (9) 式において X1 8 、 X 1 9 、 X2 Q のうち少なくとも 1つが他と異なる官能基である場合、 (10) 式におい て X1 8 、 X2 1 、 X2 2 のうち少なくとも 1つが他と異なる官能基である場合および (11) 式において X1 8 、 X1 9 、 X2 1 、 X2 2 のうち少なくとも 1つが他と異な る官能基である場合が好ましい。 .
ポリマ一にした時の発光強,度' ©.fe点 ら、 A2が B、 Pまたは P (=0) である場合 が好ましい。 ·'; ''
また、 A
2 が下記式で表される場合も好ましい。
式中、 Z7 、 Z8 、 Z9および Z1 は上記と同じ意味を表す。
上記式 (10) または (11) で示される化合物は、 ポリマーにした時の発光強度の 観点から、 A
3が下記に示す 4。価の基である場合が好ましい。
式 (9) で示される化合物としては、 下記 (29) および (30) に例示の化合物が 挙げられる。
t CO
(30)
式 (10) で示される化合物としては、 下記 (31) および (32) に例示の化合物
が挙げられる。
式 (11) で示される化合物としては、 下記 (33) および (34) に例示の化合物
が挙げられる。
Ġ Ĩ34)
中でも、 上記式 (9) 、 (10) または (11) において A r 4および A r 5が芳香 族炭化水素の場合、 化合物の安定性の観点から好ましい。
特に、 下記式 (9— 1) 、 (10-1) または (11— 1) で表される場合、 化合物 の安定性の観点から好ましい。
2 1 および X2 2 は上記と同じ。 ンゼン環上に置換基を有していてもよく、 置換基が 互いに結合して環を形成していてもよい。 置換基としては、 アルキル基、 アルキルォキ シ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリールチオ基、 ァリ一ルァ ルキル基、 ァリールアルキルォキシ基、 ァリー アルキルチオ基、 ァシル基、 ァシルォ キシ基、 アミド基、 酸イミド基、 ィミン残基、 アミノ基、 置換アミノ基、 置換シリル基 、 置換シリルォキシ基、 置換シリルチオ基、 置換シリルアミノ基、 1価の複素環基、 へ テロアリールォキシ基、 へテ.ロア:リ一ルチオ基、 ァ'リールアルケニル基、 ァリールェチ ニル基、 カルボキジ :ル基、 アルキルォキシカルボニル基、 ァリールォキシカルボニル基 、 ァリールアルキルォキシカルボ ル基、.ヘテロァリールォキシ力ルポニル基またはシ ァノ基が挙げられる。 .
i 次に上記式 (9) 、 (10) または (11) で表される化合物の製造方法について述 ベる。
18 18
X -Ar4 -Ar。 19
- X X -A -Ar a— A4 X 8 -Ar4- -Ar5— X19
I /
)=0 OH -O -O
O O
(9-2) (10-2) (11-2) 上記式 (9) 、 (10) または (11) で示される化合物は、 例えば対応する有機リチ
ゥム試薬または Gr i gn a r d試薬と上記式 (9— 2) 、 (10— 2) または (1 一 2) とそれぞれ反応させた後、 酸触媒存在下に反応させる方法などにより製造する とができる。 以下に製造方法を例示する。
BrMg- Br
次に、 式 (15) で示される化合物について述べる。
(15)
式中、 Ar4、 Ar5、 A1および X3 は、 前記と同じ意味を表す。 A5 は、 ホウ素 原子、 アルミニウム原子、 ガリウム原子、 ケィ素原子、 ゲルマニウム原子、 窒素原子、 リン原子、 砒素原子、 a価の芳香族炭化水素基、 a価の複素環基または金属錯体構造を 有する a価の基を表す。 aは 3または 4を表す。 複数ある Ar4、 Ar5、 A1 および X1 0 は、 互いに同一であっても異なっていてもよい。
ここに、 a価の芳香族炭化水素基、 a価の複素環基の定義、 具体例は、 前記の 3価の 芳香族炭化水素基、 4価の芳香族炭化水素基、 3価の複素環基、 4価の複素環基の説明
におけるそれらの定義、 具体例と同様である。
また、 金属錯体構造を有する a価の基とは、 有機配位子を有する金属錯体の有機配位 子から水素原子を a個除いた残りの a価の基である。 該有機配位子の炭素数は、 通常 4 〜6 0程度であり、 例えば、 8—キノリノールおよびその誘導体、 ベンゾキノリノール およびその誘導体、 2—フエ二ルーピリジンおよびその誘導体、 2—フエ二ルーベンゾ チアゾールおよびその誘導体、 2—フエ二ルーベンゾキサゾールおよびその誘導体、 ポ ルフィリンおよびその誘導体などが挙げられる。
また、 該錯体の中心金属としては、 例えば、 アルミニウム、 亜鉛、 ベリリウム、 イリ ジゥム、 白金、 金、 ユーロピウム、 テルビウムなどが挙げられる。
有機配位子を有する金属錯体としては、 低分子の蛍光材料、 燐光材料として公知の金属 錯体、 三重項発光錯体などが挙げられる。
金属錯体構造を有する a価の基としては、 具体的には、 下記に例示の基が挙げられる
。 なお、 金属錯体構造を有する a価の基上に置換基を有していてもよいが、 複素環基の 炭素数には置換基の炭素数は含まれない。 置換基としては、 アルキル基、 アルキルォキ シ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリ一ルチオ基、 ァリールァ ルキル基、 ァリールアルキルォキシ基、 ァリールアルキルチオ基.、 ァシル基、 ァシルォ キシ基、 アミド基、 酸イミド碁 ミジ残基、 アミノ基、 置換アミノ基、 置換シリル基
、 置換シリルォキシ基、 置換シリルチオ基、 置換シリルアミノ基、 1価の複素環基、 へ テロアリールォキシ基、 ヘテロァリールチオ基、 ァリールアルケニル基、'ァリールェチ メ
ニル基、 力ルポキシル基、 アルキ:)レオキシカルポニル基、 7リールォキシカルボニル基 、 ァリールアルキルォキシカルポ^ル基、 ヘテロァリールォキシ力ルポニル基またはシ ァノ基が挙げられる。
これら置換基の定義、 具体例は、 前記と同様である。
ポリマーにした時の発光強度の観点から、 A
1 が 0、 S、 S (=〇) 、. S〇
2、 S i (R
3) (R
4) 、 N (R
5) 、 B (R
6) 、 P (R
7) 、 P (=0) (R
8) 、 一 O— C (=0) —、 -O-C (β') (R
2) ―、 一 N (R
5) — C (=0) —または -N = C (R
9) 一である場合が好ましい。
式 (15) で示される化合物としては、 下記 (35) および (36) に例示の化合物 が挙げられる。
S9
T00Sl0/l700Zdf/X3d οόοεεο/sooz OAV
(s ε)
93
T00Sl0/l700Zdf/X3d οόοεεο/sooz OAV
A9
100S請 OOZdf/ェ:) d οόοεεο/sooz OAV
5
(36)
中でも、 上記式 (15) において A r 4および A r 5が芳香族炭化水素の場合、 化合物 の安定性の観点から好ましい。
A
^に、 下記式 (15— 1) で表される場合、 化合物の安定性の観点から好ましい。
式中、 A1 、 A5 、 X3および aは上記と同じ。 ベンゼン環上に置換基を有していて もよく、 置換基が互いに結合して環を形成していてもよい。 置換基としては、 アルキル 基、 アルキルォキシ基、 アルキルチオ基、 ァリール基、 ァリールォキシ基、 ァリールチ ォ基、 ァリールアルキル基、 ァリールアルキルォキシ基、 ァリールアルキルチオ基、 7 シル基、 ァシルォキシ基、 アミド棊、 酸イミド基、 イミン残 S、 アミノ基、 置換アミノ 基、 置換シリル基、 置換シリルォキシ基、 置換シリルチオ基、 置換シリルアミノ基、 1 価の複素環基、 ヘテロァリールォキシ基、 ヘテロァリ一ルチオ基、 ァリールアルケニル 基、 ァリールェチニル基、 力ルポキシル基またはシァノ基が挙げられる。
次に (15) 式で表される化合物の製造方法について述べる。 A 5がホウ素原子、 ァ ルミニゥム原子、 ガリウム原子、 ケィ素原子、 ゲルマニウム原子、 リン原子または砒素 原子である場合、 下記式 (15— 2) と (15-3) とを反応させる方法などにより製 造することができる。'式中、 A'1 -、 A5,、 Ar4 、 A r 5および X3 は上記と同じ。 M はリチウム原子、 ナトリウム原子、 カリウム原子、 マグネシウム塩を表す。 X3 3 はハ メ
ロゲン原子を表す。
_4
- ヽ, A5X33a
(15-2) (15-3) 以下に製造方法を例示する c
A5が a価の芳香族炭化水素基、 a価の複素環基または金属錯体構造を有する a価の
基である場合、 (15— 4) で示される化合物と (15— 5) で示される化合物とのク ロスカップリングさせる方法などにより製造することができる。 式中、 A1 、 A5 、 A r4 、 Ar 5および X3 は上記と同じ。 X3 4および X3 5 はそれぞれ独立にハロゲン 原子、 アルキルスルホネート基、 ァリールスルホネート基、 ァリールアルキルスルホネ —ト基、 トリアルキルスズ基、 ホウ酸エステル基または一 B (OH) 2 を表す。 クロス 力ップリングの方法としては; S U z u k iカツプリング、 G r i g n a r dカツプリ ング、 S t i l l eカップリングなどが例示される。
34
-Ar4 Ar。
ノ
A, A5X35a
(15-4) (15-5) 以下に製造方法を例示する (
縮合反応の方法としては、 ビ二 ン基を介して結合する場合には、 例えば特開平 5— 202355号公報に記載の方法. より製造し得る。 縮合反応性官能基を 2つ以上有す る場合、 縮合重合反応としても用いることができる。
すなわち、 〔1〕 アルデヒド基を有する化合物とホスホニゥム塩基を有する化合物と の Wi t t i g反応、 〔2〕 ピニル基を有する化合物とハロゲン原子を有する化合物と の He c k反応 〔3〕 アルデヒド基を有する化合物とアルキルホスホネート基を有する 化合物との Ho r n e r -Wad s wo r t h-Emmon s反応 〔4〕 ホルミル基を 有する化合物とシァノ基を有する化合物との Kn o e V e n a g e 1反応 〔5〕 ホルミ ル基を 2つ以上有する化合物の McMu r r y反応などの方法が例示される。
上記 〔1〕 〜 〔5〕 の反応について以下に式で示す。
本発明の化合物を縮合重合反応に供することにより、 分岐状オリゴマー、 分岐状ポリ マーを製造することができる。 〔1〕
Base
Ar- -CHO + X— Ph3P+H2C—— Ar' Ar- ■Ar'
〔2〕
Ar- ase
+ Br一 B
Ar' Ar- -Ar'
Pd Cat.
〔3〕
Base
Ar- -CHO + (RO)2(0)PH2C—— Ar' Ar- ■Ar'
〔4〕
Base
Ar CHO + NCCH2— Ar' Ar- -Ar'
CN
〔5〕
TiCl3-Zn
Ar- ■CHO + OHC- ■ArV Ar- ■Ar' i
また、 直接結合を形成する縮合反応の方法としては、 例えば 〔6〕 Suz uk iカツ プリング反応、 〔7〕 Gr i gna r dカップリング反応、 〔8〕 N i (0) 触媒によ る縮合反応などが例示される。 上記 〔6〕 〜 〔8〕 までの重合法について、 以下に式で示す。
〔6〕
Pd Cat. Λ Λ ,
Ar—— Br + (RO)2B— Ar' ► r一 Ar'
Base
R=H, alkyl
〔7〕
Ni Cat.
Ar MgBr + Br Ar' ► Ar Ar'
〔8〕
Ni(0).
Ar- Br + Br- ■Ar' Ar-
反応の方法としては、 本発明の化合物を、 必要に応じ有機溶媒に溶解し、 例えばアル カリや適当な触媒を用い、 有機溶媒の融点以上沸点以下で、 反応させることができる。
A
例えば、 "オルガニック リアクションズ (O r g a n i c Re a c t i on s) " , 第 14巻, 270— 490頁, ジョンワイリー' アンド サンズ (J ohn Wi 1 e y&S o n s, I n c. ) , 1 965年、 "オルガニック リアクションズ (O r g an i c R e a c t i o n s) , 第 27卷, 3 ,45— 390頁, ジョンワイリー アンド サンズ (J phn W'i "l e y,&S o n s, I n c. ) , 1 982年、 "オル ガニック シンセシス (O r g an i c S yn t h e s e s) ", コレクティブ第 6 卷 (Co 1 1 e c t i V e V o'\ me V I) , 407— 41 1頁, ジョンワイリ 一 アンド サンズ (J ohn i l e y&S on s, I n c. ) , 1988年、 ケ ミカル レビュー (Ch em. Re v. ) , 第 95卷, 2457頁 (1 995年) 、 ジ ヤーナル ォブ オルガノメタリック ケミストリー (J. 〇 r g anome t. C h em. ;) , 第 576巻, 147頁 (1 999年) 、 ジャーナル ォブ プラクティカル ケミストリ一 (J. P r ak t. Ch em. ) , 第 336巻, 247頁 (1 994年 ) 、 マクロモレキュラー ケミストリ一 マクロモレキュラー シンポジウム (Ma k r omo l . C em. , Ma c r omo l . S ymp. ) , 第 12卷, 229頁 (1 987年) などに記載の公知の方法を用いることができる。
有機溶媒としては、 用いる化合物や反応によっても異なるが、 一般に副反応を抑制す るために、 用いる溶媒は十分に脱酸素処理を施し、 不活性雰囲気化で反応を進行させる ことが好ましい。 また、 同様に脱水処理を行うことが好ましい。 (但し、 S u z u k i 力ップリング反応のような水との 2相系での反応の場合にはその限りではない。 ) 反応させるために適宜アルカリや適当な触媒を添加する。 これらは用いる反応に応じ て選択すればよい。 該ァルカ 'リまたは触媒は、 反応に用いる溶媒に十分に溶解するもの が好ましい。 アルカリまたは触媒を混合する方法としては、 反応液をアルゴンや窒素な どの不活性雰囲気下で攪拌しながらゆつくりとアル力リまたは触媒の溶液を添加するか 、 逆にアルカリまたは触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加する方法が例示される。 ま た合成後、 再沈精製、 クロマトグラフィーによる分別等の通常の方法により精製するこ とができる。 '
より具体的に、 反応条件について述べると、 W i t t i g反応、 H o r n e r反応、 K n o e v e n g e 1反応などの場合は、 単量体の官能基に対して当量以上、 好ましく は 1 ~ 3当量のアルカリを用いて反応させる。 アルカリとしては、 特に限定されないが 、 例えば、 カリウム— tーブトキシド、 ナトリウム一 t —ブトキシド、 ナトリウムエヂ ラート、 リチウムメチラートなどの金属アルコラートや、 水率 ナトリウムなどのハイ ドライド試薬、 ナトリウムアミ,:ド等のアミド類等を用いることができる。 溶媒としては 、 N、 N—ジメチルホルムアミド、 テトラヒドロフラン、 ジォキサン、 トルエン等が 用いられる。 反応の温度は、 通常は室温から 1 5 0で程度で反応を進行させることがで きる。 反応時間は、 例えば、 5分聞〜 4 0時間であるが、 十分に重合が進行する時間で あればよく、 また反応が終了した後に長時間放置する必要はないので、 好ましくは 1 0 分間〜 2 4時間である。 反応の際の濃度は、 希薄すぎると反応の効率が悪く、 濃すぎる と反応の制御が難しくなるので、 約 0 . 0 1 w t %〜溶解する最大濃度の範囲で適宜選 択すればよく、 通常は、 0 . 1 w t %〜2 0 w t %の範囲である。 H e c k反応の場合 は、 パラジウム触媒を用い、 トリェチルァミンなどの塩基の存在下で、 単量体を反応さ せる。 N、 N—ジメチルホルムアミドゃ N—メチルピロリドンなどの比較的沸点の高い 溶媒を用い、 反応温度は、 8 0〜1 6 0 °C程度、 反応時間は、 1時間から 1 0 0時間程 度である。
S u z u k iカップリング反応の場合は、 触媒として、 例えばパラジウム [テトラキ ス (トリフエニルホスフィン) ] 、 パラジウムアセテート類などを用い、 炭酸カリウム 、 炭酸ナトリウム、 水酸化バリウム等の無機塩基、 トリェチルァミン等の有機塩基、 フ ッ化セシウムなどの無機塩を単量体に対して当量以上、 好ましくは 1〜1 0当量加えて 反応させる。 無機塩を水溶液として、 2相系で反応させてもよい。 溶媒としては、 N 、 N—ジメチルホルムアミド'、 トルエン、 ジメトキシェタン、 テトラヒドロフランなど が例示される。 溶媒にもよるが 5 0〜1 6 0 °C程度の温度が好適に用いられる。 溶媒の 沸点近くまで昇温し、 環流させてもよい。 反応時間は 1時間から 2 0 0時間程度である
G r i g n a r d反応の場合は、 テトラヒドロフラン、 ジェチルエーテル、 ジメトキ シェタンなどのエーテル系溶媒中でハロゲン化物と金属 M gとを反応させて G r i g n a r d試薬溶液とし、 これと別に用意した単量体溶液とを混合し、 ニッケルまたはパラ ジゥム触媒を過剰反応に注意しながら添加した後に昇温して環流させながら反応させる 方法が例示される。 G r i g n a r d試薬は単量体に対して当量以上、 好ましくは 1〜 1 . 5当量、 より好ましくは 1〜1 . 2当量用いる。 これら以外の方法で重合する場合 も、 公知の方法に従って反応させることができる。 , 以下、 本発明をさちに詳細に説明す^ために実施例を示すが、 本発明はこれらに限定 されるものではない。
合成例 1 (化合物 Aの合成) .
/
化合物 A
原料である 2 , 2, , 5 , 5 ' ーテトラメトキシ— 1, 1, ービフエニルは、 1ーブ 口モー 2 , 5—ジメトキシベンゼンからゼロ価ニッケルを用いたカップリング反応にて 合成した。
不活性雰囲気下の三つ口フラスコに 2, 2, , 5, 5, ーテトラメトキシー 1, 1, —ビフエニル (7.0g、 26iramol) を入れ、 脱水 N, N—ジメチルホルムアミド (lOOml) に溶解した。 フラスコを氷浴で冷却しながら、 滴下ロートから N—クロロスクシンイミ ド (6.8g、 52mmol) の脱水 N, N—ジメチルホルムアミド (70ml) を 15分かけて滴下 した。 滴下終了後ゆっくりと攪拌しながらゆっくりと室温へ戻し、 1日攪拌した。 反応液に水 (300ml) を加えて、 析出した沈殿をろ別回収した。 得られた沈殿をトル ェン /へキサンで再結晶し目的物を得た (収量 5.8g) 。
Ή-NMR (30 OMHz/CDC 13) :
δ 3. 74 (s、 6H) 、 3. 87 (s、 6H) 、 6. 85 (s、 2H) 、 7. 02
(s、 2H)
化合物 B
不活性雰囲気下の三つ口フラスコに化合物 A (5.8g、 17mmmol) を入れ、 脱水塩化メ チレン (lOOml) に溶解した。 フラスコを氷浴で冷却しながら 滴下ロートから三臭化 ホウ素の塩化メチレン溶液 (lmol/L, 5,0ml) をの 30分かけて滴下した。 滴下終了後 ゆっくりと攪拌しながらゆつくりと室温へ戻し、 一夜攪拌した。 .
反応液から酢酸ェチルで抽出し/有機層を水洗いした後、 溶媒を留去して目的物を得 た (収量 4.9g) 。 j
Ή-NMR (30 OMHz/CDC 13) :
δ 6. 64 (s、 2H) 、 6. 82 (s、 2 H) 、 8. 9~9. 1 (b r、 2 H) 、 9. 37 (s、 2H) 。
化合物 C
不活性雰囲気下の三つ口フラスコに化合物 B (4.8g、 17腿 mol) 、 ゼォライト (6.7g ; Zeolite HSZ 360HUA (Tosoh) ) およびモレキュラーシ一ブスで乾燥した o—ジク ロロベンゼン (nOml) を加えた。 オイルパスで加熱 (バス温 180°C) しながら 13時間 攪拌した。 反応液を室温付近まで冷却し、 へキサン (200ml) を加えた。 析出したろ別 し、 へキサンで洗浄 ·乾燥した。 沈殿から酢酸ェチルで抽出し、 その溶液をシリカゲル のショートカラムでボトムカットした後、 溶媒を留去して、 目的物を得た (収量 3.5g)
MSスぺクトル: [M-H]- 267.0
実施例 2 (化合物 Dの合成)
化合物 D
不活性棼囲気下の三つ口フラスコに化合物 C (4.2g) 、 4-N, N—ジメチルァミノ ピリジン (5.7g) 入れ、 脱水塩化メチレン (40ml) に溶解した。.フラスコを氷浴で冷や しながらトリフルォロメタンスルホン酸無水物 (llg) を?0分かけて滴下した。 そのま まゆつくりと室温まで昇温し'^ R 間攪拌した。 トルエンを加えてろ過し、 ろ液をシリカ ゲルのショートカラムでボトムカットした後、 溶媒を留去した。 得られた固体をトルェ
'系で再結晶し目的物 得た (7.6g) 。
Ή-NMR (30 OMHz/CD.C 13) :
δ 7. 80 (s、 2H) 、 7. 93 (s、 2H) 。
化合物 E
不活性雰囲気下 1 1の四つ口フラスコに 2, 8—ジブロモジベンゾチォフェン 7 g と THF 280mlを入れ、 室温で撹拌、 溶かした後、 一 78 °Cまで冷却した。 n—
プチルリチウム 29ml (1. 6モルへキサン溶液) を滴下した。 滴下終了後、 温度 を保持したまま 2時間撹拌し、 トリメトキシポロン酸 13 gを滴下した。 滴下終了後 、 ゆっくり室温まで戻した。 3時間室温で撹拌後、 TLCで原料の消失を確認した。 5 %硫酸 100mlを加えて反応を終了させ、 室温で 12時間撹拌した。 水を加えて洗 浄し、 有機層を抽出した。 溶媒を酢酸ェチルに置換した後、 30%過酸化水素水 5m 1を加え、 40°Cで 5時間撹拌した。 その後有機層を抽出し、 10%硫酸アンモニゥム 鉄 (II) 水溶液で洗浄後乾燥、 溶媒を除去することにより、 茶色の固体 4. 43 gを 得た。
MS (APC I (-) ) : (M-H) - 215
化合物 F
不活性雰囲気下で 200m 1の三つ口フラスコに化合物 E 4. 43 gと臭化 n—才 クチル 25. l g、 および炭酸カリウム 12. 5 g (23. 5mmo 1 ) を入れ、 溶媒としてメチルイソプチルケトン 50mlを加えて 125 °C,で 6時間加熱還流した 。 反応終了後、 溶媒を除き、 クロ ホ ムと水で分離、 有機層を抽出し、 さらに水で 2 回洗浄した。 無水硫酸ナトリ <ムで乾燥後、 シリカゲルカラム (展開溶媒: トルエン " シクロへキサン =1/10) で精製することにより、 8. 49 gの化合物 Fを得た。 1 H-NMR (30 OMHz/CDC 13) :
δ 0. 91 (t、 6H) 、 〜; L. 90 (m、 24H) 、 4. 08 (t、 4H ) 、 7. 07 (dd、 2H) 、 7. 55 (d、 2 H) 、 7. 68 (d、 2 H) 合成例 5 (化合物 Gの合成)
化合物 G
100m 1三つ口フラスコに化合物 F 6. 67 gと酢酸 40mlを入れ、 オイル バスでバス温度 140°Cまで昇温した。 続いて、 30 %過酸化水素水 13m 1を冷却 管から加え、 1時間強く撹拌した後、 冷水 18 Om 1に注いで反応を終了させた。 クロ 口ホルムで抽出、 乾燥後溶媒を除去することによって、 6. 96 gの化合物 Gを得た。 1 H - NMR (30 OMHz/CDC 13) :
δ 0. 90 (t、 6Η) 、 ·1. 26〜; 1. 87 (m、 24H) 、 4. 06 (t、 4H ) 、 7. 19 (dd、 2H) 、 7. 69 (d、 2 H) 、 7. 84 (d、 2 H)
MS (AP C I ( + ) ) : (M+H) + 473
化合物 H
不活性雰囲気下 20 Om 1四つ口フラスコに化合物 G 3. 96 gと酢酸 Zクロロホ ルム =1 : 1混合液 15mlを加え、 70°Cで撹拌し、 溶解させた。 続いて、 臭素 6. 02 gを上記の溶媒 3 m 1に溶かして加え、 3時間撹拌した。 チォ硫酸ナトリウ ム水溶液を加えて未反応の臭素を き、 クロ口ホルムと水で分離、 有機層を抽出、 乾燥 した。 溶媒を除去し、 シリカ' ;ルカラム (展開溶媒:クロ口ホルム/へキサン =1 4 ) で精製することにより、 4. 46 gの化合物 Hを得た。
Ή-NMR (30 OMHz/CPC 13) :
δ 0. 95 (t、 6H) 、 1.尸〜 1. 99 (m、 24H) 、 4. 19 (t、 4H ) 、 7. 04 (s、 2H) 、 7.' 89 (s、 2H)
MS (FD
+) M
+ 630 実施例 4 (化合物 Iの合成)
化合物 I
不活性雰囲気下 200 m 1三つ口フラスコに化合物 H 3. 9 gとジェチルエーテル
50mlを入れ、 40°Cまで昇温、 撹拌した。 水素化アルミニウムリチウム 1. 1 7 gを少量ずつ加え、 5時間反応させた。 水を少量ずつ加えることによって過剰な水素 化アルミニウムリチウムを分解し、 36%塩酸 5. 7mlで洗浄した。 クロ口ホルム 、 水で分離、 有機層を抽出後乾燥した。 シリカゲルカラム (展開溶媒:クロ口ホルム Z へキサン =1ノ 5) で精製することにより、 1. 8 gの化合物 Iを得た。
Ή-NMR (30 OMHz/CDC 13) :
δ 0. 90 (t、 6H) 、 1. 26〜: 1. 97 (m、 24H) 、 4. 15 (t、 4H ) 、 7. 45 (s、 2H) 、 7. 94 (s、 2 H)
MS (FD+ ) M
+ 598 実施例 5 (化合物 Jの合成)
化合物 Iをジクロロメタンに溶解し、 三臭化ホウ素を加え攪拌した。 反応終了後、 水 を加え、 水相を酢酸ェチルで抽出し、 溶媒を留去すると化合物 Jが得られる。 実施例 6· (化合物. Kの合成)'
化合物 Iをジクロロメタンに溶解し、 三臭化ホウ素を加え攪拌した。 反応終了後、 水 を加え、 水相を酢酸ェチルで抽出し、 溶媒を留去すると化合物 Jが得られる。 合成例 6 (化合物 Kの合成)
500 nU-3口フラスコをアルゴン置換した後、 ジベンゾフラン 3.00 gをとり、 60 mlの 脱水ジェチルェ一テルに溶解させ、 Ν,Ν,Ν' ,Ν' -テトラメチルエチレンジァミン 8.2 ml を加えた。 -78 °Cに冷却した後、 s-ブチルリチウム 54 ml (0.99 Mシクロへキサン-へ キサン溶液) を 10分で滴下した。 室温まで昇温し、 4時間攪拌した後、 -78 °Cに冷却し 、 トリメトキシポラン 7.1 mlを一度に加えた。 室温まで昇温し、 4時間攪拌した。 0 °C まで冷却し、 30%過酸化水素水 20 mlを 30分で滴下した。 滴下後、 1時間攪拌し、 飽和亜 硫酸水素ナトリウム水溶液 20 mlを 20分で滴下した。 室温で 3時間攪拌した後、 1 N塩酸 を加え酸性にし、 100 mlのジェチルエーテルで 3回抽出した。 硫酸ナトリウムで乾燥し た後、 3.76 gの化合物 Kを得た。
1 H-NMR (CD30D, 300MHz) : 67.46 (2H, d) , 7.18 (2H, t) , 6.97 (2Η, d)
MS (ESI-negative, KC1添加) m/z: 199.1 ( [M-H] 一 ) 合成例 7 (化合物 Lの合成)
C8H170 、0 OC8H17 , i
化合物 L ", ' ' ■
100 id - 3ロフラス: αを窒素 換した後'、 化合物 K0.50 gをとり、 18 mlの脱水 DMFに溶 解させ、 炭酸カリウム 0.80 g、 卜ブロモオクタン 0.9 mlを加えた。 バス温 120でで 2時 間攪拌した後放冷し、 水 50 ml加えて 50 mlのトルエンで 3回抽出した。 有機相を合わせ 、 シリカゲルでろ過した後に溶媒 留去することにより化合物 L 0.90gを得た。
1 H-NMR (CDC13, 300MHz) 67.50 (2H, d) , 7.22 (2H, t) , 6.97 (2Η, d) , 4.24 (4 H, t) , 1.96〜1.87 (4H, m) , 1.58〜し 48 (4Η, m) , 1·43〜1.30 (16H, m) , 0.89 ( 6Η, t) .
1 3 C-NMR (CDC 13, 300MHz) δ 146.0, 145.6, 126.4, 123.6, 113.0, 111.3, 69.7, 32.
1, 29.7, 29.6, 29.5, 26.3, 23.0, 14.4.
MS (APCト positive) m/z: 425.3 ( [MIH] + ) ·
実施例 7 (化合物 Mの合成)
化合物 M
100 m卜 3口フラスコをアルゴン置換した後、 化合物 L0.83 gをとり、 17 mlの脱水ジ ェチルェ一テルに溶解させ、 Ν,Ν,Ν' ,Ν' -テトラメチルエチレンジァミン 0.8 mlを加え 、 -78 °Cに冷却した。 s-ブチルリチウム 5.1 ml (0.99 Mシクロへキサン ·へキサン溶液 ) を 5分間で滴下し、 滴下後 10分攪拌した後、 冷浴をはずし、 室温にて 4時間攪拌した後 、 - 78 °Cに冷却した。 この溶液に 1,2-ジブロモ -1,1, 2, 2 -テトラフルォロェタン 0.7 nil を 5 mlのジェチルェ一テルに溶解した溶液を 5分で滴下した。 5分攪拌後、 冷浴をはずし 、 室温にて 3時間攪拌した。 飽和炭酸水素ナトリウム水溶液 10 ml加えて水相を 10 mlの トルエンで 2回抽出した。 有機相を合わせ、 シリカゲルでろ過した後に溶媒を留去する ことにより化合物 M 1.10 gを得た。
1 H-NMR (CDC13, 300MHz) : 67.47 (2H, d) , 7.39 (2H, d) , 4.47 (4Η, t) , 1.9ト1 .83 (4Η, m) , 1.61〜1.51 (4H, m) , L40〜1.25 (16H, m) , Q.89 (6H, t) .
1 3 C-NMR (CDC 13, 300MHz) ..: δ 147.7/ 142.3, 128.3, 125.9, 115.3, 114.1, 74.1, 32.1, 30.5, 29.7,':29·6, 26.3, 23.0," 14.4.
MS (ESI-positive) :m/z : 619.0, 621.0, 622.5 ( [M+H] + ) . 実施例 8 (化合物 Nの合成)
化合物 N
実施例 5、 6と同様の処理をおこなうことにより化合物 Nを合成することができる。
合成例 8 (化合物 Oの合成)
化合物 o
500 m卜 3口フラスコをアルゴン置換した後、 ジベンゾチォフェン 5.00 gをとり、 100 mlの脱水ジェチルエーテルに溶解させ、 Ν,Ν,Ν' ,Ν' -テトラメチルエチレンジァミン 12 .5 mlを加えた。 -78 °Cに冷却した後、 s-ブチルリチウム 82 mlを 10分で滴下した。 室温 まで昇温し、 3時間攪拌した後、 -78°Cに冷却し、 トリメトキシポラン 11 mlを一度に加 えた。 室温まで昇温し、 1.5時間攪拌した。 0 °Cまで冷却し、 30%過酸化水素水 30 mlを 2 0分で滴下した。 滴下後、 1時間攪拌し、 飽和亜硫酸水素ナトリウム水溶液 30 mlを 10分 で滴下した。 室温で 3時間攪拌した後、 1N塩酸を加え酸性にし、 100 mlのジェチルェ一 テルで 3回抽出した。 硫酸ナトリウムで乾燥した後、 6.31 gの粗生成物を得た。 トルェ ン:エタノール =5 : 1混合溶媒から 2回再結晶することにより化合物〇 0.61gを得 た。
1 H-NMR (CD30D, 300ΜΗζ) δ 7.69 (2Η, d) , 7.31 (2H, t) , 6.90 (2Η, d) .
MS (ESI-negative, KC1添加) jn/z': 215.1 ( [M-H], - ) : ' 合成例 9 (化合物 Pの合成) ·
化合物 P
100 m卜 3口フラスコを窒素置換した後、 化合物 O 0.50gをとり、 14 mlの脱水 DMFに 溶解させ、 炭酸カリウム 0.86 g、 卜ブロモオクタン 0.9 mlを加えた。 バス温 120 °Cで 2 時間攪拌した後放冷し、 水 50 ml加えて 50 mlのトルエンで 3回抽出した。 有機相を合わ せ、 シリカゲルでろ過した後に溶媒を留去するこ.とにより化合物 P 0.95gを得た。
1 H-NMR (CDC13, 300MHz) 67.69 (2H, d) , 7.35 (2H, t) , 6.86 (2Η, d) , 4.14 (4
H, t) , 1.92〜1.82 (4H, m) , 1.54〜し 47 (4H, m) , 1.42〜1.30 (16H, m) , 0.89 (6H, t) .
1 3 C-NMR (CDC 13, 300MHz) 6154.6, 138.0, 129.2, 125.8, 114.5, 107.9, 68.9, 32. 2, 29.7, 29.6, 26.4, 23.0, 14.5. 実施例 9 (化合物 Qの合成) ·
化合物 Q
500 nd- 3口フラスコをアルゴン置換した後、 化合物 P 9.00gをとり、 180 mlの脱水 ジェチルェ一テルに溶解させ、 Ν,Ν,Ν' ,Ν' -テトラメチルエチレンジァミン 8.7 mlを加 えた。 -78 °Cに冷却した後、 s-ブチルリチウム 57 ml (0.99 Mシクロへキサン ·へキサ ン溶液) を 10分で滴下した。 徐々に室温まで昇温した後、 5時間還流した後、 -78でに 冷却し、 1,2-ジブロモ -1,1,2,2-テトラフルォロェタン 8 mlを 40 mlの脱水ジェチルエー テルに溶解した溶液を 30分で滴下した。 室温まで昇温し、 3時間攪拌した。 飽和炭酸水 素ナトリウム水溶液 100 ml加え, 100 mfのへキサンで 2回抽出し'た。 シリカゲルショー トカラムを通した後 溶媒を留去するこ'とにより、 化合物 Q 11.20gを得た。
1 H-NMR (CDC13, 300fflz) δ 7,62 (2H, d) , 7.56 (2H, d) , 4.20 (4H, t) 1.96'
1.84 (4H, m) , 1.64〜1·48 (4Η,·; m) , 1.40-1.25 (16H, in) , 0.90 (6H, t)
MS (APPI -positive) m/z : ήθ, 598, 596 ( [M] + ) . 実施例 10 (化合物 Sの合成)
5 Om 1 2口フラスコを窒素置換した後、 化合物 R (特開 2004— 168999に 開示) l O Omg (0. 1 5 mm o 1 ) と 1, 3—ジクロロー 5—ョードベンゼン 1 2
Omg (0. 44mmo 1 ) 、 テトラキス (トリフエニルホスフィン) パラジウム (0 ) 1 Omg (0. 01 mm 01 ) を取り、 1 m 1のトルエンに溶解させた。 1 M炭酸力 リウム水溶液を lml加え、 還流下、 20時間攪拌した。 分液し、 有機相を水、 飽和食 塩水で洗浄後、 溶媒を留去し、 粗生成物を得た。
MS (ESI— negative) m/z : 729 ( [M+Cl] -) .
実施例 11 (化合物 Vの合成)
化合物で (特開 2004— 168999に開示) をジクロロメタン溶媒中、 三臭化ホ ゥ素で処理することにより、 化合物 Uが得られる。 化合物 Uを実施例 2と同様の処理を おこない、 化合物 Vを得ることができる。
上記で合成した化合物 Iを THF溶媒中、 —78でで 1当量の n—ブチルリチウムで 処理した後、 1 Z4当量の四塩イ^ rィ素と反応させることにより化合物 Wが得られる。 '
産業上の利用可能性
本発明の芳香族化合物は、 3つまたは 4つの縮合反応性官能基またはその前駆体を有 する新規な芳香族化合物であり、 分岐型高分子化合物等を製造するためのモノマー等と して有用である。
本発明の芳香族化合物を用いて合成した縮合反応化合物、 オリゴマー、 デンドリマ一 および高分子化合物は医 ·農薬や有機電子材料、 およびそれらの中間体として用いるこ とができる。
本発明の芳香族化合物を用いて合成したオリゴマー、 デンドリマ一、 高分子化合物は 、 固体状態で蛍光または燐光を有し、 高分子発光体 (高分子量の発光材料)として用いる ことができる。 また、 該高分子化合物は優れた電子輸送能を有しており、 高分子 L E D 用材料や電荷輸送材料として好適に用いることができる。 該高分子発光体を用いた高分 子 L E Dは低電圧、 高効率で駆動できる高性能の高分子 L E Dである。 従って、 該高分 子 L E Dは液晶ディスプレイ ·のバックライト、 または照明用としての曲面状や平面状の 光源、 セグメントタイプの表示素子、 ドットマトリックスのフラットパネルディスプレ ィ等の装置に好ましく使用できる。
また、 本発明の芳香族化合物を用いて合成したオリゴマー、 デンドリマ一、 高分子化 合物はレーザー用色素、 有機太陽電池用材料、 有機トランジスタ用の有機半導体、 発光 性薄膜、 導電性薄膜、 有機半導体薄膜などの伝導性薄膜用材料としても用いることがで きる。