JP5742111B2 - 含窒素芳香環配位子を含む金属錯体 - Google Patents

Description

本発明は、含窒素芳香環配位子を含む金属錯体に関する。

有機電界発光素子に用いられる発光材料として、三重項励起状態からの発光を利用した発光材料の開発が行われている。三重項励起状態からの発光を利用した発光材料としては、無置換ピリジンをハロゲン化銅（Ｉ）に結合させることによって得られる金属錯体が提案されている（非特許文献１）。

K. R. Kyle et al., Journal of the American Chemical Society 113, 2954-2965 (1991).

しかし、前記金属錯体は、耐熱性が十分ではなかった。

そこで、本発明は、優れた耐熱性をもつ金属錯体を提供することを目的とする。

本発明は第一に、樹枝状分子鎖を有する含窒素芳香環配位子と、銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンとを含む金属錯体を提供する。

本発明は第二に、前記金属錯体を含む素子を提供する。

本発明は第三に、下記式（１４）又は（１５）で表される化合物を提供する。

（式中、Ｒ¹⁰⁰、Ｒ¹⁰¹、Ｒ¹⁰²及びＲ¹⁰³は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表す。）

本発明は第四に、下記式（１６）で表される化合物を提供する。

（式中、Ｒ¹⁰⁴、Ｒ¹⁰⁵及びＲ¹⁰⁶は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表す。）

本発明の金属錯体は、優れた耐久性（耐熱性）をもつ金属錯体であり、好ましい実施形態では、有機溶剤に対する溶解性が高く、塗布法による素子作製にも有用である。また、本発明の金属錯体は、化合物の合成や、添加剤、改質剤、電池、触媒、センサー等の材料や、有機ＥＬ素子、有機トランジスタ素子、有機光電変換素子等の材料として有用である。

以下、本発明を説明する。
本明細書において、Ｍｅはメチル基、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−Ｈｅｘはｎ−ヘキシル基、Ｐｈはフェニル基を表す。

本発明の金属錯体は、樹枝状分子鎖を有する含窒素芳香環配位子と、銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンとを有する。

本発明の金属錯体において、含窒素芳香環配位子と、銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンとは、通常、配位結合で結合しているが、イオン結合、水素結合、π−π相互作用、ファンデルワールス力で結合していてもよい。

樹枝状分子鎖とは、対称又は非対称に樹枝状に分岐した構造を意味し、デンドロン構造やハイパーブランチ構造を含む。ここで、デンドロン構造は分岐構造が規則的なもの、ハイパーブランチ構造は分岐構造が規則的でないものを意味する。

樹枝状分子鎖は、電荷輸送性が優れるので、共役系を有することが好ましい。樹枝状分子鎖における全共有結合のうち、個数基準で、３０〜１００％の共有結合が共役していることが好ましい。５０〜１００％の共有結合が共役していることがより好ましく、６５〜１００％の共有結合が共役していることが更に好ましい。

樹枝状分子鎖は、分岐構造を有し、化学的安定性が優れるので、分岐部分が芳香環を有する基であり、これに芳香環を有する基が結合していることが好ましく、該分岐構造が芳香環を有する３価の基であり、これに芳香環を有する基が結合していることがより好ましい。

分岐部分の芳香環及びこれに結合する芳香環の例は、置換基を有していてもよい以下の式（Ａ−１）〜（Ａ−３２）で表される環構造が挙げられ、好ましくは、式（Ａ−１）〜（Ａ−７）で表される環構造、より好ましくは、式（Ａ−１）で表される環構造である。

分岐部分が芳香環を有する３価の基である場合、その芳香環上の置換基の個数は、好ましくは０〜７個、より好ましくは０〜５個、更に好ましくは０〜２個、特に好ましくは０個である。

また、分岐部分に芳香環を有する基が結合する場合、該芳香環上の置換基の個数は、好ましくは０〜８個、より好ましくは０〜６個、更に好ましくは０〜３個、特に好ましくは１個である。

本明細書において、特に断りのない限り、置換基とは、その置換基が炭素原子に結合する場合には、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、−ＣＯＯ^-基、アミノ基、ホスホノ基、スルホ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、アンモニオ基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基、複素環基を表し、好ましくは、カルボキシル基、−ＣＯＯ^-基、ホスホノ基、スルホ基、水酸基、アンモニオ基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基、複素環基であり、より好ましくはヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基であり、特に好ましくは、ヒドロカルビル基である。なお、置換基が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。

また、置換基が窒素原子又はケイ素原子に結合する場合には、置換基はヒドロカルビル基を表す。

ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は、これらの基に含まれる１以上の水素原子が、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、−ＣＯＯ^-基、アミノ基、ホスホノ基、スルホ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、アンモニオ基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基、複素環基により、更に置換されていてもよい。

上記アミノ基、ホスホノ基、スルホ基、シリル基及びアンモニオ基は、これらの基に含まれる１以上の水素原子が、ヒドロカルビル基により、更に置換されていてもよい。

置換基が炭素原子を含み、かつ芳香環を含まない基である場合には、炭素原子数は１〜５０であり、好ましくは１〜３０であり、より好ましくは１〜２０であり、更に好ましくは１〜１０であり、特に好ましくは１〜４である。芳香環を含む基である場合には、炭素原子数は２〜５０であり、好ましくは３〜３０であり、より好ましくは４〜２０であり、更に好ましくは４〜１０であり、特に好ましくは４〜６である。

置換基であるハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子であり、好ましくは、フッ素原子、塩素原子及び臭素原子であり、より好ましくは、フッ素原子である。

置換基である−ＣＯＯ^-基は対イオンを有していてもよく、対イオンとしては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、ルビジウムイオン、セシウムイオン、アンモニウムイオン等が挙げられ、好ましくは、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオンであり、より好ましくは、ナトリウムイオン、カリウムイオンである。

置換基であるアミノ基は、これに含まれる１以上の水素原子が、前述の通りヒドロカルビル基により置換されていてもよく、具体例としてフェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ジブチルアミノ基が挙げられ、好ましくは、ジフェニルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基であり、更に好ましくは、ジフェニルアミノ基である。

置換基であるアシルアミノ基としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基等が挙げられ、好ましくは、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基である。

置換基であるイミド基としては、Ｎ−スクシンイミド基、Ｎ−フタルイミド基、ベンゾフェノンイミド基等が挙げられ、好ましくは、Ｎ−フタルイミド基である。

置換基であるシリル基は、これに含まれる１以上の水素原子が、前述の通りヒドロカルビル基により置換されていてもよく、より具体的には、アルキル基、アリール基及びアリールアルキル基からなる群から選ばれる１〜３個の基で置換されたシリル基が挙げられ、好ましくは、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ジメチルイソプロピリシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基であり、より好ましくは、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基であり、更に好ましくは、トリメチルシリル基である。

置換基であるアシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基等が挙げられ、好ましくはアセチル基、プロピオニル基、ベンゾイル基である。

置換基であるアンモニオ基は、これに含まれる１以上の水素原子が、前述の通りヒドロカルビル基により置換されていてもよく、具体的には、アンモニオ基、メチルアンモニオ基、ジメチルアンモニオ基、トリメチルアンモニオ基、エチルアンモニオ基、ジエチルアンモニオ基、トリエチルアンモニオ基、プロピルアンモニオ基、ジプロピルアンモニオ基、トリプロピルアンモニオ基、ブチルアンモニオ基、ジブチルアンモニオ基、トリブチルアンモニオ基等が挙げられ、好ましくは、トリメチルアンモニオ基、トリエチルアンモニオ基、トリプロピルアンモニオ基、トリブチルアンモニオ基である。

置換基であるアンモニオ基は対イオンを有していてもよく、対イオンとしては、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、水酸化物イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、炭酸イオン、酢酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロボレートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、ヘキサフルオロアンチモンイオン、ヘキサフルオロヒ素イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、パラトルエンスルホン酸イオン、ドデシルベンゼンスルホン酸イオン、テトラフェニルボレートイオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートイオン等が挙げられ、好ましくは、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、水酸化物イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロボレートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、テトラフェニルボレートイオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートイオンであり、更に好ましくは、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオンである。また、対イオンは、これらのイオンを繰り返し単位中に有する高分子のイオンでもよい。

置換基であるヒドロカルビル基としては、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ノルボルニル基、アンモニオエチル基、ベンジル基、α，α―ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−シアノフェニル基、２−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−フェニルフェニル基、ビフェニルフェニル基、３，５−ジフェニルフェニル基、３，４−ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基、９−フェナントリル基、１−ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基、コロネニル基等が挙げられ、好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ベンジル基、α，α―ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、４−メトキシフェニル基、４−シアノフェニル基、２−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−フェニルフェニル基、ビフェニルフェニル基、３，５−ジフェニルフェニル基、３，４−ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基、９−フェナントリル基であり、より好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ベンジル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、フェニル基、２−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−フェニルフェニル基、ビフェニルフェニル基であり、更に好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、フェニル基であり、特に好ましくは、メチル基、エチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、フェニル基であり、とりわけ好ましくは、メチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基である。

置換基であるヒドロカルビルオキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、１−プロピルオキシ基、２−プロピルオキシ基、１−ブチルオキシ基、２−ブチルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、２−アダマンチルオキシ基、ノルボルニルオキシ基、アンモニオエトキシ基、トリフルオロメトキシ基、ベンジロキシ基、α,α-ジメチルベンジロキシ基、２−フェネチルオキシ基、１−フェネチルオキシ基、フェノキシ基、メトキシフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基等が挙げられ、好ましくは、メトキシ基、エトキシ基、１−プロピルオキシ基、２−プロピルオキシ基、１−ブチルオキシ基、２−ブチルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基であり、更に好ましくは、メトキシ基、エトキシ基である。

置換基であるヒドロカルビルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、１−プロピルチオ基、２−プロピルチオ基、１−ブチルチオ基、２−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、ドデシルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、シクロプロピルチオ基、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基、１−アダマンチルチオ基、２−アダマンチルチオ基、ノルボルニルチオ基、アンモニオエチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基、ベンジルチオ基、α,α−ジメチルベンジルチオ基、２−フェネチルチオ基、１−フェネチルチオ基、フェニルチオ基、メトキシフェニルチオ基、オクチルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２―ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基等が挙げられ、好ましくは、メチルチオ基、エチルチオ基、１−プロピルチオ基、２−プロピルチオ基、１−ブチルチオ基、２−ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、ドデシルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基であり、更に好ましくは、メチルチオ基、エチルチオ基である。

置換基である複素環基は、複素環式化合物から水素原子を１個除いた残りの原子団を意味する。複素環基としては、置換基を有していてもよいフリル基、チエニル基、ピロリル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基、ピリジル基等が挙げられ、好ましくは、置換基を有していてもよいチエニル基、イミダゾリル基、オキサゾリル基、チアゾリル基及びピリジル基であり、より好ましくは、置換基を有していてもよいイミダゾリル基及びピリジル基である。

樹枝状分子鎖の分岐部分は、式（１）：

（式中、Ａｒ¹は、直接結合、酸素原子、イミノ基、−Ｑ¹−ＣＯＮＨ−基、ジイミド基、ヒドロカーボンジイル基、−Ｑ¹−Ｏ−基、−Ｑ¹−Ｓ−基又は２価の複素環基を表す。Ｑ¹はヒドロカーボンジイル基を示す。ここで、イミノ基及びヒドロカーボンジイル基は、置換基を有していてもよい。Ｒ¹⁰は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は２価の複素環基を表す。アミノ基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は、置換基を有していてもよい。ｅは０〜３の整数である。ｅが２以上である場合、複数存在するＲ¹⁰は、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される３価の基であることが好ましい。

分岐部分に結合する基としては、式（２）：

（式中、Ａｒ²は、直接結合、酸素原子、イミノ基、−Ｑ²−ＣＯＮＨ−基、ジイミド基、ヒドロカーボンジイル基、−Ｑ²−Ｏ−基、−Ｑ²−Ｓ−基又は２価の複素環基を表す。Ｑ²はヒドロカーボンジイル基を示す。ここで、イミノ基及びヒドロカーボンジイル基は、置換基を有していてもよい。Ｒ¹¹は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、−ＣＯＯ^-基、アミノ基、ホスホノ基、スルホ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、アンモニオ基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は２価の複素環基を表す。アミノ基、ホスホノ基、スルホ基、シリル基、アンモニオ基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は、置換基を有していてもよい。ｆは０〜５の整数である。ｆが２以上である場合、複数存在するＲ¹¹は、同一であっても異なっていてもよい。）
で表される基が好ましい。

樹枝状分子鎖の分岐部分が、式（１）で表される３価の基であり、これに式（２）で表される１価の基が結合することがより好ましい。

式（１）及び（２）中、Ａｒ¹及びＡｒ²で表される置換基を有していてもよいアミノ基としては、フェニルアミノ基、メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ジブチルアミノ基が挙げられ、好ましくは、フェニルアミノ基である。

式（１）及び（２）中、Ａｒ¹及びＡｒ²で表される−Ｑ¹−ＣＯＮＨ−基及び−Ｑ²−ＣＯＮＨ−基のＱ¹及びＱ²としては、直接結合、メチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、−Ｃ₆Ｈ₄ＣＨ₂−基、フルオロメチレン基、−Ｃ₆ＦＨ₃ＣＨ₂−基等が挙げられ、好ましくは、直接結合、メチレン基、トリメチレン基、−Ｃ₆Ｈ₄ＣＨ₂−基であり、より好ましくは、直接結合である。

式（１）及び（２）中、Ａｒ¹及びＡｒ²で表されるジイミド基としては、ピロメリト酸ジイミド基、ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸ジイミド基等が挙げられる。

式（１）及び（２）中、Ａｒ¹及びＡｒ²で表される置換基を有していてもよいヒドロカーボンジイル基としては、メチレン基、エチレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、デカメチレン基、ドデカメチレン基、エチルヘキシレン基、ジメチルオクチレン基、シクロプロピレン基、シクロペンチレン基、シクロヘキシレン基、アダマンタンジイル基、ノルボルナンジイル基、アンモニオエチレン基、−Ｃ₆Ｈ₄ＣＨ₂−基、−ＣＨ₃Ｃ₆Ｈ₃ＣＨ₂−基、−Ｃ₆Ｈ₄ＣＨ₂ＣＨ₂−基、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、ジフェニルビニレン基、フェニルビニレン基、フェニルプロペニレン基、フェニレン基、メチルフェニレン基、トリフルオロメチルフェニレン基、メトキシフェニレン基、シアノフェニレン基、ビフェニルジイル基、ターフェニルジイル基、テトラフェニルフェニレン基、（２，２−ジフェニルビニル）フェニレン基、（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニレン基、フルオレンジイル基、ナフチレン基、アントリレン基、フェナントリレン基、ピレンジイル基等が挙げられ、好ましくは、メチレン基、エチレン基、−Ｃ₆Ｈ₄ＣＨ₂−基、−Ｃ₆Ｈ₄ＣＨ₂ＣＨ₂−基、ビニレン基、プロペニレン基、ブテニレン基、フェニルビニレン基、フェニレン基、ビフェニルジイル基、ターフェニルジイル基、テトラフェニルフェニレン基、フルオレンジイル基、ナフチレン基、アントリレン基、フェナントリレン基、ピレンジイル基であり、より好ましくは、メチレン基、−Ｃ₆Ｈ₄ＣＨ₂−基、ビニレン基、プロペニレン基、フェニルビニレン基、フェニレン基、フルオレンジイル基、ナフチレン基であり、更に好ましくは、ビニレン基、フェニルビニレン基、フェニレン基である。

式（１）及び（２）中、Ａｒ¹及びＡｒ²で表される−Ｑ¹−Ｏ−基及び−Ｑ²−Ｏ−基におけるＱ¹及びＱ²としては、上述のヒドロカーボンジイル基が挙げられ、好ましくは、メチレン基、エチレン基、−Ｃ₆Ｈ₄ＣＨ₂−基、−Ｃ₆Ｈ₄ＣＨ₂ＣＨ₂−基、フェニレン基及びナフチレン基であり、より好ましくは、メチレン基及びエチレン基である。

式（１）及び（２）中、Ａｒ¹及びＡｒ²で表される−Ｑ¹−Ｓ−基及び−Ｑ²−Ｓ−基におけるＱ¹及びＱ²としては、上述のヒドロカーボンジイル基が挙げられ、好ましくは、メチレン基、エチレン基、−Ｃ₆Ｈ₄ＣＨ₂−基、−Ｃ₆Ｈ₄ＣＨ₂ＣＨ₂−基、フェニレン基及びナフチレン基であり、より好ましくは、メチレン基及びエチレン基である。

式（１）及び（２）中、Ａｒ¹及びＡｒ²で表される２価の複素環基は、複素環式化合物から水素原子を２個除いた残りの原子団を意味する。２価の複素環基としては、置換基を有していてもよいフランジイル基、チオフェンジイル基、ピロールジイル基、ピリミジンジイル基、ピラジンジイル基、イミダゾールジイル基、オキサゾールジイル基、チアゾールジイル基、ピリジンジイル基等が挙げられ、好ましくは、置換基を有していてもよいフランジイル基、チオフェンジイル基、オキサゾールジイル基、チアゾールジイル基である。

式（１）及び（２）中、Ａｒ¹及びＡｒ²は、好ましくは、直接結合、酸素原子、イミノ基、−Ｑ²−ＣＯＮＨ−基、ヒドロカーボンジイル基、−Ｑ²−Ｏ−基であり、より好ましくは、直接結合、ヒドロカーボンジイル基、−Ｑ²−Ｏ−基である。ここでＱ²はヒドロカーボンジイル基を示す。

式（１）中、Ｒ¹⁰で表されるハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基、及び複素環基の具体例は、前記と同じであり、好ましいＲ¹⁰はヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基であり、より好ましいＲ¹⁰はヒドロカルビル基である。

式（１）中、ｅは、好ましくは、０〜２の整数であり、より好ましくは、０又は１であり、更に好ましくは０である。

式（２）中、Ｒ¹¹で表されるハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、−ＣＯＯ^-基、アミノ基、ホスホノ基、スルホ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、アンモニオ基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基、複素環基の具体例は前記と同じであり、好ましいＲ¹¹は、カルボキシル基、−ＣＯＯ^-基、ホスホノ基、スルホ基、水酸基、アンモニオ基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基、複素環基であり、より好ましいＲ¹¹は、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基であり、更に好ましいＲ¹¹はヒドロカルビル基である。

式（２）中、ｆは、好ましくは、０〜３の整数であり、より好ましくは、０〜２の整数であり、更に好ましくは１である。

樹枝状分子鎖において、電荷輸送性が優れるので、Ａｒ¹及びＡｒ²が直接結合であることが好ましい。

式（１）で表される３価の基としては、例えば、以下の式（a−１）〜（a−１６）で表される基が挙げられる。

式（２）で表される１価の基としては、例えば、以下の式（ｂ−１）〜（ｂ−３２）で表される基が挙げられる。

樹枝状分子鎖を有する含窒素芳香環配位子において、含窒素芳香環配位子とは、窒素原子を含む芳香環を有する化合物であって、配位子となる化合物を意味する。

該含窒素芳香環配位子は、式（３）：

（式中、Ｘ⁰¹は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ⁰²)＝基であり、Ｘ⁰²は、−Ｘ⁰³＝Ｘ⁰⁴−、−Ｎ(Ｒ⁰³)−基、Ｎ^-、酸素原子又は硫黄原子である。Ｘ⁰³は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ⁰⁴)＝基であり、Ｘ⁰⁴は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ⁰⁵)＝基である。但し、Ｘ⁰²が−Ｘ⁰³＝Ｘ⁰⁴−である場合、Ｘ⁰¹、Ｘ⁰³及びＸ⁰⁴の少なくとも１個は、窒素原子ではない。Ｘ⁰¹が窒素原子である場合、Ｘ⁰²は−Ｘ⁰³＝Ｘ⁰⁴−、又は−Ｎ(Ｒ⁰³)−基であり、Ｘ⁰²がＮ^-、酸素原子又は硫黄原子である場合、Ｘ⁰¹は−Ｃ(Ｒ⁰²)＝基である。Ｒ⁰¹、Ｒ⁰²、Ｒ⁰⁴、Ｒ⁰⁵及びＲ⁰⁶は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、−ＣＯＯ^-基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は複素環基を表し、Ｒ⁰³は、水素原子、ヒドロカルビル基又は複素環基を表す。シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。Ｒ⁰¹、Ｒ⁰²、Ｒ⁰³、Ｒ⁰⁴、Ｒ⁰⁵及びＲ⁰⁶の少なくとも１個は前記樹枝状分子鎖を有する。Ｒ⁰¹とＲ⁰²、Ｒ⁰²とＲ⁰³、Ｒ⁰²とＲ⁰⁴、Ｒ⁰³とＲ⁰⁶、Ｒ⁰⁴とＲ⁰⁵、又はＲ⁰⁵とＲ⁰⁶は、それぞれ一緒になって環を形成していてもよい。）
で表されるものが好ましい。

式（３）中、Ｒ⁰¹、Ｒ⁰²、Ｒ⁰⁴、Ｒ⁰⁵及びＲ⁰⁶のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基であることが好ましく、水素原子又はヒドロカルビル基であることがより好ましく、水素原子であることが更に好ましい。

式（３）中、Ｒ⁰³の具体例は前記と同じであり、ヒドロカルビル基が好ましい。

また、樹枝状分子鎖を有する含窒素芳香環配位子の例として、式（３）におけるＲ⁰⁶から水素原子を１個除いた基を２つ連結したものが挙げられる。ここで、連結される式（３）におけるＲ⁰⁶から水素原子を１個除いた基のそれぞれは同じでも異なっていてもよい。連結される基におけるＸ⁰²が、共に−Ｎ(Ｒ⁰³)−基である場合はＲ⁰³同士で、共に−Ｘ⁰³＝Ｘ⁰⁴−基である場合はＸ⁰⁴同士で、一方が−Ｎ(Ｒ⁰³)−基で他方が−Ｘ⁰³＝Ｘ⁰⁴−基である場合はＲ⁰³とＸ⁰⁴で、それぞれが一緒になって環を形成していてもよい。

式（３）は、式（４）：

（式中、Ｘ²⁰は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ²¹)＝基であり、Ｘ²¹は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ²²)＝基であり、Ｘ²²は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ²³)＝基である。但し、Ｘ²⁰、Ｘ²¹及びＸ²²の少なくとも１個は、窒素原子ではない。Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴の少なくとも１個は、樹枝状分子鎖を有し、Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、−ＣＯＯ^-基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は複素環基を表す。シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。Ｒ²⁰とＲ²¹、Ｒ²¹とＲ²²、Ｒ²²とＲ²³、Ｒ²³とＲ²⁴は、それぞれ一緒になって環を形成していてもよい。）
、又は、式（５）：

（式中、Ｘ²³は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ²⁶)＝基であり、Ｘ²⁴は−Ｎ(Ｒ²⁷)−基、Ｎ^-、酸素原子又は硫黄原子である。但し、Ｘ²³が窒素原子である場合、Ｘ²⁴は−Ｎ(Ｒ²⁷)−基であり、Ｘ²⁴がＮ^-、酸素原子又は硫黄原子である場合、Ｘ²³は−Ｃ(Ｒ²⁶)＝基である。Ｒ²⁵、Ｒ²⁶、Ｒ²⁷及びＲ²⁸の少なくとも１個は前記樹枝状分子鎖を有し、Ｒ²⁵、Ｒ²⁶及びＲ²⁸は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、−ＣＯＯ^-基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は複素環基を表す。シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。Ｒ²⁷は水素原子、ヒドロカルビル基又は複素環基を表し、ヒドロカルビル基は置換基を有していてもよい。Ｒ²⁵とＲ²⁶、Ｒ²⁶とＲ²⁷、Ｒ²⁷とＲ²⁸は、それぞれ一緒になって環を形成していてもよい。）
で表されるものがより好ましい。

式（４）中、Ｒ²⁰、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³及びＲ²⁴のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基であることが好ましく、水素原子又はヒドロカルビル基であることがより好ましく、水素原子であることが更に好ましい。

式（４）中、Ｘ²⁰は、好ましくは−Ｃ(Ｒ²¹)＝基であり、Ｘ²¹は、好ましくは−Ｃ(Ｒ²²)＝基であり、Ｘ²²は、好ましくは−Ｃ(Ｒ²³)＝基である。

式（５）中、Ｒ²⁵、Ｒ²⁶及びＲ²⁸のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、水素原子、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基が好ましく、水素原子、ヒドロカルビル基がより好ましく、水素原子が更に好ましい。

式（５）中、Ｒ²⁷の具体例は前記と同じであり、ヒドロカルビル基が好ましい。

式（５）中、Ｘ²³は、好ましくは−Ｃ(Ｒ²⁶)＝基であり、Ｘ²⁴は、好ましくは−Ｎ(Ｒ²⁷)−基、硫黄原子又は酸素原子であり、より好ましくは−Ｎ(Ｒ²⁷)−基である。

また、樹枝状分子鎖を有する含窒素芳香環配位子は、式（４）におけるＲ²⁴から水素原子を１個除いた１価の基、及び式（５）におけるＲ²⁸から水素原子を１個除いた１価の基からなる群から選択される基を２つ連結したもので表される。連結される式（４）におけるＲ²⁴から水素原子を１個除いた１価の基、又は式（５）におけるＲ²⁸から水素原子を１個除いた１価の基のそれぞれは同じでも異なっていてもよい。連結される基が、共に前記式（４）のＲ²⁴から水素原子を１個除いた基である場合はＲ²³同士で、共に式（５）からＲ²⁸から水素原子を１個除いた基である場合はＲ²⁷同士で、一方が式（４）のＲ²⁴から水素原子を１個除いた基で他方が式（５）からＲ²⁸から水素原子を１個除いた基である場合はＲ²³とＲ²⁷で、それぞれが一緒になって環を形成していてもよい。

前記１価の基が連結した含窒素芳香環配位子としては、例えば、以下の式（Ｃ−１）〜（Ｃ−１１）で表される骨格構造を有するものが挙げられる。

樹枝状分子鎖を有する含窒素芳香環配位子の例として、分岐の数が２である場合を模式的に表すと、以下の通りである。

（式中、Ａは含窒素芳香環を表し、Ｊは分岐部分を表し、Ｔは分岐部分に結合する末端部を表し、ｂは１以上の整数を表す。以下、点線で囲んで示される分岐部分を最も多く有する分子鎖を「最大分岐分子鎖」という。）

最大分岐分子鎖における分岐部分の個数は、２以上が好ましい。また、有機溶剤に対する溶解性が優れるので、通常、５０個以下であり、好ましくは２０個以下であり、より好ましくは１０個以下であり、更に好ましくは６個以下であり、特に好ましくは４個以下である。

したがって、最大分岐分子鎖における分岐部分の個数は、通常、１〜５０個であり、１〜２０個が好ましく、２〜１０個がより好ましく、２〜６個が更に好ましく、２〜４個が特に好ましい。

樹枝状分子鎖を有する含窒素芳香環配位子としては、例えば、以下の式（Ｂ−１）〜（Ｂ−１５）で表されるものが挙げられる。

前記樹枝状分子鎖を有する含窒素芳香環配位子としては、下記式（１００）：

（式中、Ｘ⁰¹は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ⁰²)＝基であり、Ｘ⁰²は、−Ｘ⁰³＝Ｘ⁰⁴−基、−Ｎ(Ｒ⁰³)−基、Ｎ^-、酸素原子又は硫黄原子である。Ｘ⁰³は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ⁰⁴)＝基であり、Ｘ⁰⁴は窒素原子又は−Ｃ(Ｒ⁰⁵)＝基である。但し、Ｘ⁰²が−Ｘ⁰³＝Ｘ⁰⁴−基である場合、Ｘ⁰¹、Ｘ⁰³及びＸ⁰⁴の少なくとも１個は、窒素原子ではない。Ｘ⁰¹が窒素原子である場合、Ｘ⁰²は−Ｘ⁰³＝Ｘ⁰⁴−基、又は−Ｎ(Ｒ⁰³)−基であり、Ｘ⁰²がＮ^-、酸素原子又は硫黄原子である場合、Ｘ⁰¹は−Ｃ(Ｒ⁰²)＝基である。Ｒ⁰¹、Ｒ⁰²、Ｒ⁰⁴及びＲ⁰⁵は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、−ＣＯＯ^-基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は複素環基を表す。シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。Ｒ⁰³は、水素原子、ヒドロカルビル基又は複素環基を表し、ヒドロカルビル基は置換基を有していてもよい。Ｒ⁰¹、Ｒ⁰²、Ｒ⁰³、Ｒ⁰⁴及びＲ⁰⁵の少なくとも１個は樹枝状分子鎖を有する。Ｒ⁰¹とＲ⁰²、Ｒ⁰²とＲ⁰³、Ｒ⁰²とＲ⁰⁴、又は、Ｒ⁰⁴とＲ⁰⁵は、それぞれ一緒になって環を形成していてもよい。Ｒ⁰⁷は直接結合、酸素原子、イミノ基、−Ｑ³−ＣＯＮＨ−基、ジイミド基、ヒドロカーボンジイル基、−Ｑ³−Ｏ−基、−Ｑ³−Ｓ−基又は２価の複素環基を表す。Ｑ³は置換基を有していてもよいヒドロカーボンジイル基を示す。Ｘ⁰²が、共に−Ｎ(Ｒ⁰³)−基である場合はＲ⁰³同士で、Ｘ⁰²が共に−Ｘ⁰³＝Ｘ⁰⁴−基である場合はＸ⁰⁴同士で、一方が−Ｎ(Ｒ⁰³)−基で他方が−Ｘ⁰³＝Ｘ⁰⁴−基である場合はＲ⁰³とＸ⁰⁴とで、それぞれが一緒になって環を形成していてもよい。）
で表される配位子も好ましい。

本発明の金属錯体における銀（Ｉ）イオン又は銅（Ｉ）イオンは、資源量が豊富であり、経済性に優れるので、銅（Ｉ）イオン好ましい。

本発明の金属錯体は、含窒素芳香環配位子、銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンに加えて、含窒素芳香環配位子以外の配位子及び／又は対イオンを有していてもよい。
含窒素芳香環配位子以外の配位子としては、例えば、複素環式化合物、ホスフィン化合物、アミン化合物、及び以下：

に示した構造を有する配位子が挙げられ、Ｌ１からＬ８１で示される配位子は置換基を有していてもよい。

上記の複素環式化合物としては、置換基を有していてもよいピリジン、キノリン、ピラゾール、イミダゾール、オキサゾール、チアゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾチアゾール、トリアジン、ピリミジン、ピラジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、チオフェン、フラン、トリアゾール、トリアジン、アクリジンが挙げられ、好ましくは、置換基を有していてもよいピリジン、キノリン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアジンである。

上記のホスフィン化合物としては、トリフェニルホスフィン、プロピルジフェニルホスフィン、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルホスフィン、１−ブチルジフェニルホスフィン、１−ヘキシルジフェニルホスフィン、シクロヘキシルジフェニルホスフィン、ジシクロヘキシルフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリ（２−フリル）ホスフィン、トリ（３−フリル）ホスフィン、トリ（２−ピリジル）ホスフィン、トリ（３−ピリジル）ホスフィン、トリ（４−ピリジル）ホスフィン、２−フリルジフェニルホスフィン、３−フリルジフェニルホスフィン、２−ピリジルジフェニルホスフィン、３−ピリジルジフェニルホスフィン、４−ピリジルジフェニルホスフィン等が挙げられ、好ましくは、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリ（２−フリル）ホスフィン、トリ（３−フリル）ホスフィン、トリ（２−ピリジル）ホスフィン、トリ（３−ピリジル）ホスフィン、トリ（４−ピリジル）ホスフィン、２−フリルジフェニルホスフィン、３−フリルジフェニルホスフィン、２−ピリジルジフェニルホスフィン、３−ピリジルジフェニルホスフィン、４−ピリジルジフェニルホスフィンであり、より好ましくは、トリフェニルホスフィンであり、ここに例示したホスフィン化合物のフェニル基、シクロヘキシル基、フリル基及びピリジル基は置換基を有していてもよい。

上記のアミン化合物としては、トリフェニルアミン、ジフェニルアミン、プロピルジフェニルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルアミン、ｎ−ブチルジフェニルアミン、ｎ−ヘキシルジフェニルアミン、シクロヘキシルジフェニルアミン、ジシクロヘキシルフェニルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリメチルアミン、ジメチルアミン等が挙げられ、好ましくは、トリフェニルアミン、ジフェニルアミン、トリシクロヘキシルアミン、トリメチルアミン、ジメチルアミンであり、ここに例示したアミン化合物のフェニル基及びシクロヘキシル基は置換基を有していてもよい。

含窒素芳香環配位子以外の配位子としては、ピリジン、キノリン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリアジン、トリフェニルホスフィン、Ｌ１〜Ｌ３３、Ｌ６５〜Ｌ７１が好ましく、ピリジン、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、トリフェニルホスフィン、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ４、Ｌ６、Ｌ６５、Ｌ６６がより好ましく、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ４、Ｌ６が更に好ましく、Ｌ２、Ｌ６が特に好ましい。

対イオンとしては、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、炭酸イオン、酢酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロボレートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、ヘキサフルオロアンチモンイオン、ヘキサフルオロヒ素イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、パラトルエンスルホン酸イオン、ドデシルベンゼンスルホン酸イオン、テトラフェニルボレートイオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートイオンが挙げられ、好ましくは、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロボレートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、テトラフェニルボレートイオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートイオンであり、更に好ましくは、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオンである。なお、Ｘで表される対イオンは、これらのイオンの構造を繰り返し単位中に有する高分子化合物であってもよい。

本発明の金属錯体は、電荷輸送性が優れるので、組成式（６）：

（式中、Ｍ⁺は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌは配位子であり、Ｘは対イオンである。ｐは正の数であり、ｑ及びｒは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ⁴⁰、Ｒ⁴¹及びＲ⁴²は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は複素環基を表し、アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。Ｒ⁴⁰、Ｒ⁴¹及びＲ⁴²の少なくとも１個の水素原子は式（７）：

で示される基によって置換されている。それぞれのＲ⁴⁰又はそれぞれのＲ⁴¹は、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ⁴⁰とＲ⁴¹、Ｒ⁴¹とＲ⁴²はそれぞれが一緒になって環を形成していてもよい。上記式（７）中、Ｒ⁴³、Ｒ⁴⁴、Ｒ⁴⁵、Ｒ⁴⁶又はＲ⁴⁷は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表し、アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ⁴³、Ｒ⁴⁵、Ｒ⁴⁶又はＲ⁴⁷は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ⁴³とＲ⁴⁵、Ｒ⁴⁴とＲ⁴⁵、Ｒ⁴⁵とＲ⁴⁶、又はＲ⁴⁶とＲ⁴⁷は、それぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ、Ｘ、下記式：

で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
で表されることが更に好ましい。

Ｌは含窒素芳香環配位子以外の配位子のことであり、具体例及び好ましい例は前述したものと同じである。Ｘは対イオンであり、具体例及び好ましい例は前述したものと同じである。

Ｒ⁴⁰、Ｒ⁴¹及びＲ⁴²のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、水素原子及びヒドロカルビル基がより好ましく、水素原子が更に好ましい。

Ｒ⁴³、Ｒ⁴⁴及びＲ⁴⁵のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、水素原子がより好ましい。

Ｒ⁴⁶及びＲ⁴⁷のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、ヒドロカルビル基がより好ましい。

Ｒ⁴⁰、Ｒ⁴¹及びＲ⁴²における、少なくとも１個の水素原子は式（７）で示される基にて置換されたものであるが、好ましくはＲ⁴¹又はＲ⁴²における水素原子が式（７）で示される基で置換されたものである。

ｑ及びｒは、０＜（ｑ＋ｒ）≦４を満たすことが好ましく、０＜（ｑ＋ｒ）≦３を満たすことがより好ましく、０＜（ｑ＋ｒ）≦２を満たすことが更に好ましい。ｐは、０＜ｐ≦２を満たすことが好ましい。

本発明の金属錯体は、電荷輸送性が優れるので、組成式（８）：

（式中、Ｍ⁺は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌは配位子であり、Ｘは対イオンである。ｐは正の数であり、ｑ及びｒは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ⁵⁰、Ｒ⁵¹、Ｒ⁵²、Ｒ⁵³、Ｒ⁵⁴、Ｒ⁵⁵又はＲ⁵⁶は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表し、アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ⁵⁰、Ｒ⁵²、Ｒ⁵³、Ｒ⁵⁴、Ｒ⁵⁵又はＲ⁵⁶は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ⁵²とＲ⁵⁴、Ｒ⁵³とＲ⁵⁴、Ｒ⁵⁴とＲ⁵⁵、Ｒ⁵⁵とＲ⁵⁶は、それぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ、Ｘ、式：

で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
で表されることが特に好ましい。

Ｒ⁵⁰及びＲ⁵¹のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、水素原子及びヒドロカルビル基がより好ましく、水素原子が更に好ましい。

Ｒ⁵²、Ｒ⁵³及びＲ⁵⁴のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、水素原子がより好ましい。

Ｒ⁵⁵及びＲ⁵⁶のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、ヒドロカルビル基がより好ましい。

本発明の金属錯体は、電荷輸送性が優れるので、組成式（９）：

（式中、Ｍ'⁺は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌ'は配位子であり、Ｘ'は対イオンである。ｓは正の数であり、ｔ及びｕは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ⁶⁰、Ｒ⁶¹、Ｒ⁶²及びＲ⁶³は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は複素環基を表し、アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。Ｒ⁶⁰、Ｒ⁶¹、Ｒ⁶²及びＲ⁶³の少なくとも１個の水素原子は式（７）で示される基によって置換されている。それぞれのＲ⁶⁰、それぞれのＲ⁶¹、それぞれのＲ⁶²又はそれぞれのＲ⁶³は、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ⁶⁰とＲ⁶¹、Ｒ⁶¹とＲ⁶²、Ｒ⁶²とＲ⁶³、Ｒ⁶³同士はそれぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ'、Ｘ'、式：

で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
で表されること、又は式（１０）：

（式中、Ｍ'⁺は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌ'は配位子であり、Ｘ'は対イオンである。ｓは正の数であり、ｔ及びｕは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ⁶⁴、Ｒ⁶⁵、Ｒ⁶⁶及びＲ⁶⁷は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は複素環基を表し、アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。Ｒ⁶⁴、Ｒ⁶⁵、Ｒ⁶⁶及びＲ⁶⁷の少なくとも１個の水素原子は式（７）で示される基によって置換されている。それぞれのＲ⁶⁴、それぞれのＲ⁶⁵、それぞれのＲ⁶⁶又はそれぞれのＲ⁶⁷は、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ⁶⁴とＲ⁶⁵、Ｒ⁶⁵とＲ⁶⁶、Ｒ⁶⁶とＲ⁶⁷、Ｒ⁶⁷同士はそれぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ'、Ｘ'、式：

で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
で表されること、又は式（１１）：

（式中、Ｍ'⁺は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌ'は配位子であり、Ｘ'は対イオンである。ｓは正の数であり、ｔ及びｕは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ⁶⁸、Ｒ⁶⁹、Ｒ⁷⁰、Ｒ⁷¹、Ｒ⁷²、Ｒ⁷³及びＲ⁷⁴は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基又は複素環基を表し、アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。Ｒ⁷¹、Ｒ⁷²、Ｒ⁷³及びＲ⁷⁴の少なくとも１個の水素原子は式（７）で示される基によって置換されている。それぞれのＲ⁶⁸、それぞれのＲ⁶⁹、それぞれのＲ⁷⁰、それぞれのＲ⁷¹、それぞれのＲ⁷²、それぞれのＲ⁷³又はそれぞれのＲ⁷⁴は、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ⁶⁸とＲ⁶⁹、Ｒ⁶⁹とＲ⁷⁰、Ｒ⁷¹とＲ⁷²、Ｒ⁷²とＲ⁷³、Ｒ⁷³とＲ⁷⁴、Ｒ⁷⁴同士はそれぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ'、Ｘ'、式：

で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
で表されることが、更に好ましい。

Ｌ'は含窒素芳香環配位子以外の配位子であり、具体例及び好ましい例は前記と同じである。Ｘ'は対イオンであり、具体例及び好ましい例は前記と同じである。

ｔ及びｕは、０＜（ｔ＋ｕ）≦３を満たすことが好ましく、０＜（ｔ＋ｕ）≦２を満たすことがより好ましく、０＜（ｔ＋ｕ）≦１を満たすことが更に好ましい。ｓは、０＜ｓ≦２を満たすことが好ましい。

Ｒ⁶⁰、Ｒ⁶¹、Ｒ⁶²、Ｒ⁶³、Ｒ⁶⁴、Ｒ⁶⁵、Ｒ⁶⁶、Ｒ⁶⁷、Ｒ⁶⁸、Ｒ⁶⁹、Ｒ⁷⁰、Ｒ⁷¹、Ｒ⁷²、Ｒ⁷³及びＲ⁷⁴のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、水素原子及びヒドロカルビル基がより好ましく、水素原子が更に好ましい。

Ｒ⁶⁰、Ｒ⁶¹、Ｒ⁶²及びＲ⁶³のうち少なくとも１個が式（７）で示される基であることが好ましく、Ｒ⁶¹、Ｒ⁶²及びＲ⁶³のうち少なくとも１個が式（７）で示される基であることがより好ましく、Ｒ⁶¹及びＲ⁶²のうち少なくともどちらかが式（７）で示される基であることが更に好ましい。

Ｒ⁶⁴、Ｒ⁶⁵、Ｒ⁶⁶及びＲ⁶⁷のうち少なくとも１個が式（７）で示される基であることが好ましく、Ｒ⁶⁵、Ｒ⁶⁶及びＲ⁶⁷のうち少なくとも１個が式（７）で示される基であることがより好ましい。

Ｒ⁷¹、Ｒ⁷²、Ｒ⁷³及びＲ⁷⁴のうち少なくとも１個が式（７）で示される基であることが好ましく、Ｒ⁷¹、Ｒ⁷²、及びＲ⁷³のうち少なくとも１個が式（７）で示される基であることがより好ましく、Ｒ⁷²、及びＲ⁷³のうち少なくともどちらかが式（７）で示される基であることが更に好ましい。

本発明の金属錯体は、電荷輸送性が優れるので、組成式（１２）：

（式中、Ｍ'⁺は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌ'は配位子であり、Ｘ'は対イオンである。ｓは正の数であり、ｔ及びｕは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ⁸⁰、Ｒ⁸¹、Ｒ⁸²、Ｒ⁸³、Ｒ⁸⁴、Ｒ⁸⁵、Ｒ⁸⁶及びＲ⁸⁷は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表し、アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ⁸⁰、Ｒ⁸¹、Ｒ⁸²、Ｒ⁸³、Ｒ⁸⁴、Ｒ⁸⁵、Ｒ⁸⁶又はＲ⁸⁷は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ⁸³とＲ⁸⁵、Ｒ⁸⁴とＲ⁸⁵、Ｒ⁸⁵とＲ⁸⁶、Ｒ⁸⁶とＲ⁸⁷は、それぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ'、Ｘ'、式：

で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
で表されることが特に好ましい。

Ｒ⁸⁰、Ｒ⁸¹及びＲ⁸²のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、水素原子及びヒドロカルビル基がより好ましく、水素原子が更に好ましい。

Ｒ⁸³、Ｒ⁸⁴及びＲ⁸⁵のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、水素原子がより好ましい。

Ｒ⁸⁶及びＲ⁸⁷のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、ヒドロカルビル基がより好ましい。

本発明の金属錯体は、電荷輸送性が優れるので、組成式（１３）：

（式中、Ｍ'⁺は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌ'は配位子であり、Ｘ'は対イオンである。ｓは正の数であり、ｔ及びｕは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ⁸⁹、Ｒ⁹⁰、Ｒ⁹¹、Ｒ⁹²、Ｒ⁹³、Ｒ⁹⁴、Ｒ⁹⁵、Ｒ⁹⁶、Ｒ⁹⁷、Ｒ⁹⁸又はＲ⁹⁹は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表し、アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ⁸⁹、Ｒ⁹⁰、Ｒ⁹¹、Ｒ⁹²、Ｒ⁹³、Ｒ⁹⁴、Ｒ⁹⁵、Ｒ⁹⁶、Ｒ⁹⁷、Ｒ⁹⁸又はＲ⁹⁹は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ⁸⁹とＲ⁹⁰、Ｒ⁹⁰とＲ⁹¹、Ｒ⁹²とＲ⁹⁵、Ｒ⁹³とＲ⁹⁴、Ｒ⁹⁴同士、Ｒ⁹³とＲ⁹⁵、Ｒ⁹⁵とＲ⁹⁷、Ｒ⁹⁶とＲ⁹⁷、Ｒ⁹⁷とＲ⁹⁸、Ｒ⁹⁸とＲ⁹⁹は、それぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ'、Ｘ'、式：

で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
で表されることが特に好ましい。

Ｒ⁸⁹、Ｒ⁹⁰及びＲ⁹¹のそれぞれの具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、水素原子及びヒドロカルビル基がより好ましく、水素原子が更に好ましい。

Ｒ⁹²、Ｒ⁹³、Ｒ⁹⁴、Ｒ⁹⁵、Ｒ⁹⁶及びＲ⁹⁷のそれぞれの具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、水素原子がより好ましい。

Ｒ⁹⁸及びＲ⁹⁹のそれぞれの具体例は前記と同じであり、これらとしては、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、ヒドロカルビル基がより好ましい。

また、本発明の金属錯体は、発光性金属錯体であることが好ましい。ここで、「発光性」とは、外場（光、電場、磁場、圧力等）によって発光を生じる性質を意味している。

本発明の金属錯体としては、以下の金属錯体が挙げられる。

本発明の金属錯体は、対応する金属塩と、樹枝状分子鎖を有する含窒素芳香環配位子となる化合物（例えば、前記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−１５）で表される配位子となる化合物、前記式（１４）〜（１６）で表される化合物）とを、室温下、溶媒中で混合させる工程を含む製造方法により得ることが好ましい。必要に応じて、この工程により得られた沈殿を回収することもできるし、該工程により得られた溶液から溶媒を留去することもできる。前記工程において、樹枝状分子鎖を有する含窒素芳香環配位子以外の配位子（例えば、前記Ｌ１〜Ｌ８１）、アルカリ金属塩（例えば、塩化ナトリウム、臭化ナトリウム、ヨウ化ナトリウム、硫酸ナトリウム、硝酸ナトリウム、炭酸ナトリウム、酢酸ナトリウム、過塩素酸ナトリウム、テトラフルオロボレートナトリウム、ヘキサフルオロホスフェートナトリウム、ヘキサフルオロアンチモネートナトリウム、メタンスルホン酸ナトリウム、トリフルオロメタンスルホン酸ナトリウム、トリフルオロ酢酸ナトリウム、ベンゼンスルホン酸ナトリウム、パラトルエンスルホン酸ナトリウム、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、テトラフェニルボレートナトリウム）を更に混合することができる。

前記の対応する金属塩としては、ヨウ化銅（Ｉ）、臭化銅（Ｉ）、塩化銅（Ｉ）、フッ化銅（Ｉ）、テトラキス（アセトニトリル）銅（Ｉ）テトラフルオロボレート、テトラキス（アセトニトリル）銅（Ｉ）トリフレート、テトラキス（アセトニトリル）銅（Ｉ）ヘキサフルオロホスフェート、硫酸銅（Ｉ）、硝酸銅（Ｉ）、酢酸銅（Ｉ）、トリフルオロメタンスルホン酸銅（Ｉ）等が挙げられ、ヨウ化銅（Ｉ）、テトラキス（アセトニトリル）銅（Ｉ）テトラフルオロボレート、テトラキス（アセトニトリル）銅（Ｉ）トリフレート、テトラキス（アセトニトリル）銅（Ｉ）ヘキサフルオロホスフェートが好ましい。

上述の混合を行う際には、対応する金属塩、含窒素芳香環配位子を溶媒中に均一に溶解させるため、又は溶液の粘度が高い場合には撹拌を容易にするために、緩衝液等の水系溶媒、有機溶媒を用いてもよいが、有機溶媒が好ましい。

有機溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素化炭化水素溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ペンタン、ヘキサン、へプタン、オクタン、ノナン、デカン等の脂肪族炭化水素溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド溶媒が挙げられる。これらの有機溶媒は、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

＜用途＞
本発明の金属錯体は、可視光、紫外線、真空紫外線、真空紫外線よりも短波長の光、電子注入、電界、熱、応力、超音波、電磁波以外の放射線等の励起源により発光させることができるので、三波長型蛍光ランプ等の紫外線発光素子、白色ＬＥＤ等の紫外線・可視励起発光素子、ＣＲＴ等の電子励起発光素子、有機ＥＬ等の電子注入発光素子、フィルムパッチ等の電磁波以外での放射線による励起発光素子に用いることができる。例えば、本発明の金属錯体を有機ＥＬに用いる場合、本発明の金属錯体を有機溶媒に溶解又は分散させた後に、塗布により薄膜化して用いることができる。

本発明の金属錯体は、導電性材料として有用であるので、電荷輸送材料、電荷注入材料としても有用である。また、本発明の金属錯体は、有機トランジスタ素子、有機光電変換素子等の材料や、化合物の合成原料、添加剤、改質剤、電池、触媒、センサー等の材料としても有用である。

本発明の素子が発光素子である場合、陰極と発光層との間に電子輸送層又は正孔阻止層を備える素子、陽極と発光層との間に正孔輸送層又は電子阻止層を備える素子、陰極と発光層との間に電子輸送層又は正孔阻止層を備え、かつ陽極と発光層との間に正孔輸送層又は電子阻止層を備える素子等が挙げられる。

本発明の素子の具体的な構造を、以下に示す。なお、「／」は各層が隣接して積層されていることを示す。以下、同様である。
ａ）陽極／（電荷注入層）／発光層／（電荷注入層）／陰極
ｂ）陽極／（電荷注入層）／正孔輸送層／発光層／（電荷注入層）／陰極
ｃ）陽極／（電荷注入層）／発光層／電子輸送層／（電荷注入層）／陰極
ｄ）陽極／（電荷注入層）／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／（電荷注入層）／陰極

また、本発明の素子においては、発光層、正孔輸送層、及び電子輸送層をそれぞれ独立に２層以上設けてもよい。

電極に隣接して設けた電荷輸送層（正孔輸送層及び電子輸送層）のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、一般に電荷注入層（正孔注入層及び電子注入層）と呼ばれることがある。電荷注入層を備える素子としては、陰極に隣接して電荷注入層を備える素子、陽極に隣接して電荷注入層を備える素子が挙げられる。

本発明の素子では、電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために電極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよい。前記絶縁層に用いる材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を備える素子としては、陰極に隣接して前記絶縁層を備える素子、陽極に隣接して前記絶縁層を備える素子が挙げられる。

本発明の素子では、更に、界面の密着性向上や混層の防止等のために、電極と発光層との間にこの電極に隣接して、また、電荷輸送層と発光層と界面に、平均膜厚２ｎｍ以下のバッファー層を設けてもよい。

本発明の素子は上記例示した構造に限定されるものではなく、層の順番、数、及び各層の厚さを、発光効率又は光電効率や素子寿命を考慮して設定したものも含まれる。
本発明の素子の各層について説明する。

本発明の素子の発光層は、電界印加時に陽極側の隣接する層より正孔を注入することができ、陰極側の隣接する層より電子を注入することができる機能、注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能、電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能を有するものである。本発明の有機電界発光素子の発光層は、上記金属錯体を含有することが好ましく、この金属錯体をゲスト材料とするホスト材料を含有していてもよい。

ホスト材料としては、フルオレン骨格を有する化合物、カルバゾール骨格を有する化合物、ジアリールアミン骨格を有する化合物、ピリジン骨格を有する化合物、ピラジン骨格を有する化合物、トリアジン骨格を有する化合物及びアリールシラン骨格を有する化合物等が挙げられる。ホスト材料のＴ１（最低三重項励起状態のエネルギーレベル）は、ゲスト材料のＴ１より大きいことが好ましく、その差が０．２ｅＶよりも大きいことが更に好ましい。ホスト材料は低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。また、ホスト材料と金属錯体等の発光材料とを混合して塗布する、あるいは共蒸着等することによって、発光材料がホスト材料にドープされた発光層を形成することができる。

金属錯体を含有する層中の金属錯体の含有量は、当該層全体に対し、通常０．０１〜１００重量％であり、０．１〜５０重量％が好ましく、１〜３０重量％がより好ましい。

前記正孔輸送層に用いる材料としては、例えば、特開昭６３−７０２５７号公報、特開昭６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、特開平２−１３５３６１号公報、特開平２−２０９９８８号公報、特開平３−３７９９２号公報、特開平３−１５２１８４号公報に記載されている化合物が挙げられる。具体的には、ポリピニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリアミノフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンピニレン）及びその誘導体、並びにポリ（２，５−チエニレンピニレン）及びその誘導体等が挙げられる。

正孔輸送層の膜厚は、発光効率又は光電効率と駆動電圧とが適度な値となるように設定され、用いる材料によって最適値が異なるが、ピンホールが発生しない厚さが必要である。膜厚が厚すぎる正孔輸送層は素子の駆動電圧が高くなる傾向がある。従って、正孔輸送層の膜厚は１ｎｍ〜１μｍであることが好ましく、２〜５００ｎｍであることがより好ましく、５〜２００ｎｍであることが特に好ましい。

電子輸送層に用いる材料としては、例えば、特開昭６３−７０２５７号公報、特開昭６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、特開平２−１３５３６１号公報、特開平２−２０９９８８号公報、特開平３−３７９９２号公報、特開平３−１５２１８４号公報に記載されている化合物が挙げられる。具体的には、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、並びにポリフルオレン及びその誘導体等が挙げられる。

電子輸送層の膜厚は、発光効率又は光電効率と駆動電圧とが適度な値となるように設定され、用いる材料によって最適値が異なるが、ピンホールが発生しない厚さが必要である。膜厚が厚すぎる電子輸送層は素子の駆動電圧が高くなる傾向がある。従って、電子輸送層の膜厚は１ｎｍ〜１μｍであることが好ましく、２〜５００ｎｍであることがより好ましく、５〜２００ｎｍであることが特に好ましい。

本発明の素子は、通常、基板を用いて形成される。基板の一方の面には電極が形成され、他方の面に素子の各層を形成する。本発明に用いる基板は電極及び素子の各層を形成する際に化学的に変化しないものであればよく、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フイルム、シリコンの基板が挙げられる。この基板が不透明のものである場合には反対の電極として透明又は半透明のものを形成することが好ましい。

通常、陽極及び陰極のうちの少なくとも一方は透明又は半透明のものであり、陽極が透明又は半透明のものであることが好ましい。また、本発明の素子が光電変換素子の場合には、陽極及び陰極のうちの少なくとも一方の電極を櫛型に形成してもよい。この場合、電極は不透明のものであってもよいが、透明又は半透明のものであることが好ましい。

陽極に用いる材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が挙げられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体（インジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）及びインジウム・亜鉛・オキサイド等）、アンチモン・スズ・オキサイド、ＮＥＳＡ、金、白金、銀、銅等が挙げられる。これらのうち、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。また、陽極として、ポリアニリン及びその誘導体、並びにポリアミノフェン及びその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。

陽極の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。

陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して設定することができ、１０ｎｍ〜１０μｍであることが好ましく、２０ｎｍ〜１μｍであることがより好ましく、５０〜５００ｎｍであることが特に好ましい。

陰極に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましく、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、及びイッテルビウム等の金属；それらのうちの２つ以上の金属の合金；それらのうちの１個以上の金属と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの１個以上の金属との合金；グラファイト；並びにグラファイト層間化合物等が挙げられる。前記合金として、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。

陽極及び陰極の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、及び金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が挙げられる。また、２層以上の積層構造の陰極を形成してもよい。

陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して設定することができ、１０ｎｍ〜１０μｍであることが好ましく、２０ｎｍ〜１μｍであることがより好ましく、５０〜５００ｎｍであることが特に好ましい。
また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、又は金属酸化物、金属フッ化物、若しくは有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。

本発明の素子では、素子を外部から保護して長期安定的に使用するために、陰極形成後、素子を保護する保護層及び／又は保護カバーを形成していてもよい。

このような保護層に用いる材料としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物等が挙げられる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等が挙げられる。これらのうち、保護カバーを熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂を用いて素子と貼り合わせて素子を密閉することが好ましい。

電荷注入層としては、導電性高分子を含む層、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層（陽極と正孔輸送層との間に設けられる場合）、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層（陰極と電子輸送層との間に設けられる場合）等が挙げられる。

電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係に応じて選択すればよい。具体的には、ポリアニリン及びその誘導体、ポリアミノフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニン等）、カーボン等が挙げられる。

電荷注入層の膜厚は、１ｎｍ〜１００ｎｍであることが好ましく、１ｎｍ〜５０ｎｍであることがより好ましく、１ｎｍ〜１０ｎｍであることがより好ましい。

本発明はまた、式（１４）及び（１５）：

（式中、Ｒ¹⁰⁰、Ｒ¹⁰¹、Ｒ¹⁰²及びＲ¹⁰³は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表す。）
で表される化合物に関するものである。

Ｒ¹⁰⁰及びＲ¹⁰²のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、水素原子及びヒドロカルビル基がより好ましく、水素原子が更に好ましい。

Ｒ¹⁰¹及びＲ¹⁰³のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、水素原子及びヒドロカルビル基がより好ましく、ヒドロカルビル基が更に好ましい。

本発明はまた、式（１６）：

（式中、Ｒ¹⁰⁴、Ｒ¹⁰⁵及びＲ¹⁰⁶は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表す。）

Ｒ¹⁰⁴及びＲ¹⁰⁵のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、水素原子及びヒドロカルビル基がより好ましく、水素原子が更に好ましい。

Ｒ¹⁰⁶のそれぞれの基の具体例は前記と同じであり、水素原子、ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基が好ましく、水素原子及びヒドロカルビル基がより好ましく、ヒドロカルビル基が更に好ましい。

以下、本発明について、実施例を用いてより詳細に説明する。

発光スペクトルは、励起波長を３６５ｎｍとして、蛍光分光光度計（ＪＯＢＩＮＹＶＯＮ−ＳＰＥＸ社製、商品名：Ｆｌｕｏｒｏｌｏｇ−Ｔａｕ３）により測定した。励起寿命は、この発光スペクトルの発光ピーク波長における励起寿命を求めた。

＜実施例１＞
（化合物Ｂ１の合成例）

化合物Ａ１は、Chinese Journal of Chemistry 24, 1631-1638 (2006)に記載された方法で合成した。

次いで、アルゴン雰囲気下、化合物Ａ１（１００ｍｇ、０．２１３ｍｍｏｌ）、３，５−ジブロモピリジン（２１ｍｇ、０．０８８９ｍｍｏｌ）及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１０ｍｇ、０．００８８９ｍｍｏｌ）に、トルエン（３ｍＬ）、エタノール（１ｍＬ）及び２Ｍの炭酸カリウム水溶液（１．５ｍＬ）を加え、８５℃で加熱しながら、２２時間撹拌した。室温まで冷却した後、得られた反応溶液の有機層と水層とを分離し、有機層を濃縮乾固したところ、粗生成物を得た。この粗生成物をシリカゲルのカラムクロマトグラフィーで精製することにより、化合物Ｂ１を得た（６８ｍｇ）。

¹Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ８．９６（ｓ、２Ｈ）、８．２２（ｓ、１Ｈ）、７．８５（ｓ、２Ｈ）、７．８１（ｓ、４Ｈ）、７．６４（ｄ、Ｊ＝６．６Ｈｚ、８Ｈ）、７．５１（ｄ、Ｊ＝６．６Ｈｚ、８Ｈ）、１．３８（ｓ、３６Ｈ）．
¹³Ｃ ＮＭＲ（７５ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ１５０．７９、１４７．３３、１４２．６０、１３８．６８、１３７．９０、１３６．７７、１３３．１６、１２７．００、１２５．８７、１２４．７９、３４．５８、３１．３５．
ＤＡＲＴ−ＭＳ（Ｍ／Ｚ）：ｆｏｕｎｄ ７６０．２９、ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｍ⁺ ７５９．４８．

（金属錯体Ｃ１の合成例）
アルゴン雰囲気下、化合物Ｂ１（１６ｍｇ、０．０２１０ｍｍｏｌ）のクロロホルム溶液（２ｍＬ）にヨウ化銅（Ｉ）（２ｍｇ、０．０１０５ｍｍｏｌ）を加え、室温で１２時間撹拌したところ、沈殿が生じた。この沈殿を回収することにより、下記組成式：

で表される金属錯体Ｃ１（１５．７ｍｇ）を得た。

元素分析 Ｆｏｕｎｄ（％）Ｃ：７７．９５、Ｈ：６．８６、Ｎ：１．６１、Ｃｕ：３．７６、Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ１（％） Ｃ：７８．３０、Ｈ：７．０３、Ｎ：１．６０、Ｃｕ：４．３６

金属錯体Ｃ１は、紫外線励起（３６５ｎｍ）により黄色に発光し、その発光ピーク波長は５８３ｎｍであり、励起寿命は１．０μｓであった。

金属錯体Ｃ１は、室温において、クロロホルム、トルエン、キシレン、ヘキサンに易溶であった。

金属錯体Ｃ１を、大気中１００℃で７時間放置したところ、発光強度に変化はほとんど認められなかった。また、熱重量・示差熱分析装置（セイコーインスツルメンツ製、商品名：ＥＸＳＴＡＲ−６３００）を用いて、金属錯体Ｃ１を加熱したところ、３０〜４００℃の温度範囲において質量減少は認められなかった。

＜実施例２＞
（化合物Ｂ２の合成例）

化合物Ａ２は、Chinese Journal of Chemistry 24, 1631-1638 (2006)に記載された方法で合成した。

次いで、アルゴン雰囲気下、化合物Ａ２（１００ｍｇ、０．１１３ｍｍｏｌ）、３，５−ジブロモピリジン（１２ｍｇ、０．０５０７ｍｍｏｌ）及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（６ｍｇ、０．００５０７ｍｍｏｌ）に、トルエン（２ｍＬ）、エタノール（０．７ｍＬ）及び２Ｍの炭酸カリウム水溶液（１ｍＬ）を加え、８５℃で加熱して還流させながら、２２時間撹拌した。室温まで冷却した後、得られた反応溶液の有機層と水層とを分離し、有機層を濃縮乾固したところ、粗生成物を得た。この粗生成物をシリカゲルのカラムクロマトグラフィーで精製することにより、化合物Ｂ２を得た（６９ｍｇ、収率８５％）。

¹Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ９．０１（ｓ、２Ｈ）、８．３０（ｓ、１Ｈ）、８．０４（ｓ、２Ｈ）、７．９５（ｓ、４Ｈ）、７．８７（ｓ、８Ｈ）、７．８２（ｓ、４Ｈ）、７．６４（ｄ、Ｊ＝７．３Ｈｚ、１６Ｈ）、７．４９（ｄ、Ｊ＝７．３Ｈｚ、１６Ｈ）、１．３６（ｓ、７２Ｈ）．
¹³Ｃ ＮＭＲ（７５ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ１５０．６１、１４７．６４、１４３．０２、１４２．４１、１４１．６３、１３９．１７、１３８．１５、１３６．８６、１３３．５５、１２７．０４、１２５．８１、１２５．６８，１２５．４８、１２５．００、３４．５６、３１．３６．

（金属錯体Ｃ２の合成例）
アルゴン雰囲気下、化合物Ｂ２（１７ｍｇ、０．０１０５ｍｍｏｌ）のクロロホルム溶液（２ｍＬ）にヨウ化銅（Ｉ）（１ｍｇ、０．００５２５ｍｍｏｌ）を加え、室温で１２時間撹拌した。得られた溶液を濃縮乾固したところ、下記組成式：

で表される金属錯体Ｃ２（１８ｍｇ）を得た。

金属錯体Ｃ２は、紫外線励起（３６５ｎｍ）により黄緑色に発光し、その発光ピーク波長は５４６ｎｍであり、励起寿命は０．９μｓであった。

金属錯体Ｃ２は、室温において、クロロホルム、トルエン、キシレン、ヘキサンに易溶であった。

金属錯体Ｃ２を、大気中１００℃で７時間放置したところ、発光強度に変化はほとんど認められなかった。また、熱重量・示差熱分析装置（セイコーインスツルメンツ製、商品名：ＥＸＳＴＡＲ−６３００）を用いて、金属錯体Ｃ２を加熱したところ、３０〜４００℃の温度範囲において質量減少は認められなかった。

＜実施例３＞
（金属錯体Ｃ３の合成例）

化合物Ｂ３は、Tetrahedron Letters 41, 6809-6813 (2000)に記載された方法で合成した。

アルゴン雰囲気下、テトラフルオロホウ酸銀（Ｉ）（６．１０ｍｇ、０．０３１３ｍｍｏｌ）と、４，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）−９，９−ジメチルキサンテン（１８．１ｍｇ、０．０３１３ｍｍｏｌ）とを脱水塩化メチレン（２ｍＬ）中にて、室温で５分間撹拌した。反応溶液に化合物Ｂ３（３１．０ｍｇ、０．０３６０ｍｍｏｌ）を加え、均一反応溶液を４０℃で５分間加熱撹拌した。反応溶液にジエチルエーテルの蒸気を徐々に拡散させて再結晶を行い、５０℃で５時間真空乾燥することで金属錯体Ｃ３を得た（３５．０ｍｇ、収率６８％）。

¹Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ８．７８（ｓ、２Ｈ）、８．６７（ｓ、２Ｈ）、８．２７（ｓ、２Ｈ）、７．８９（ｓ、２Ｈ）、７．６９（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、８Ｈ）、７．５８―７．５６（ｍ、１２Ｈ）、７．２６―７．１９（ｍ、８Ｈ）、７．１２―７．０８（ｍ、１６Ｈ）、６．９９―６．９４（ｍ、２Ｈ）、６．６１（ｂｒ、２Ｈ）、１．４２（ｓ、３６Ｈ）．
³¹Ｐ ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ−４．８（ｄ、Ｊ（³¹Ｐ−¹⁰⁷Ａｇ、¹⁰⁹Ａｇ）＝３７５、４３３Ｈｚ）．
元素分析 Ｆｏｕｎｄ（％）Ｃ：７５．５４、Ｈ：５．７７、Ｎ：１．６１、Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ３（％） Ｃ：７５．６９、Ｈ：５．９２、Ｎ：１．７１

金属錯体Ｃ３は、紫外線励起（３６５ｎｍ）により緑色に発光し、その発光ピーク波長は５５３ｎｍであり、励起寿命は１．８μｓであった。

金属錯体Ｃ３は、室温において、クロロホルムに易溶であった。
金属錯体Ｃ３を、大気中１００℃で７時間放置したところ、発光強度に変化はほとんど認められなかった。

（金属錯体Ｃ３の有機ＥＬ素子作製例）
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を形成したガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、商品名：Ｂａｙｔｒｏｎ Ｐ）を用いてスピンコート法により６５ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上、２００℃で１０分間乾燥した。次に、金属錯体Ｃ３をスピンコート法により成膜した。膜厚は約７０ｎｍであった。成膜された膜を窒素ガス雰囲気下、１３０℃で１０分間乾燥した後、バリウムを約４ｎｍ、次いでアルミニウムを約１００ｎｍ蒸着して陰極とし、有機ＥＬ素子を作製した。

得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加したところ、５６０ｎｍ付近にピークを有する電界発光が得られた。

＜実施例４＞
（金属錯体Ｃ４の合成例）

アルゴン雰囲気下、ヘキサフルオロリン酸銅（Ｉ）（１．６ｍｇ、０．００４３ｍｍｏｌ）と、ビス[２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル]エーテル（２．３ｍｇ、０．００４３ｍｍｏｌ）とを脱水塩化メチレン（２ｍＬ）中にて、室温で２時間撹拌した。反応溶液に上記化合物Ｂ３（３．７ｍｇ、０．００４３ｍｍｏｌ）の脱水塩化メチレン溶液（１ｍＬ）を加え、均一反応溶液を室温で１時間撹拌し、反応溶液を濃縮乾固することで金属錯体Ｃ４を得た。

¹Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ８．９２（ｓ、２Ｈ）、８．７６（ｓ、２Ｈ）、８．２５（ｓ、２Ｈ）、７．９０（ｓ、２Ｈ）、７．６４（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、８Ｈ）、７．５８（ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ、８Ｈ）、７．５４（ｓ、４Ｈ）、７．１９（ｔ、Ｊ＝７．３Ｈｚ、２Ｈ）、７．０４（ｔ、Ｊ＝７．５Ｈｚ、８Ｈ）、６．１０―６．９２（ｍ、１４Ｈ）、６．８１―６．７０（ｂｒ、４Ｈ）、１．４３（ｓ、３６Ｈ）．
³¹Ｐ ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ−９．０６．

金属錯体Ｃ４は、紫外線励起（３６５ｎｍ）により黄色に発光し、その発光ピーク波長は５８１ｎｍであり、励起寿命は２．４μｓであった。

金属錯体Ｃ４は、室温において、クロロホルム、トルエン、キシレンに易溶であった。

金属錯体Ｃ４を、大気中１００℃で７時間放置したところ、発光強度に変化はほとんど認められなかった。

＜実施例５＞
（金属錯体Ｃ５の合成例）

化合物Ｂ４は、Tetrahedron Letters 41, 6809-6813 (2000)に記載された方法で合成した。

アルゴン雰囲気下、ヘキサフルオロリン酸銅（Ｉ）（２．４ｍｇ、０．００６４ｍｍｏｌ）と、ビス[２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル]エーテル（３．４ｍｇ、０．００６４ｍｍｏｌ）とを脱水塩化メチレン（２ｍＬ）中にて、室温で２時間撹拌した。反応溶液に上記化合物Ｂ４（１０．８ｍｇ、０．００６４ｍｍｏｌ）の脱水塩化メチレン溶液（１ｍＬ）を加え、均一反応溶液を室温で１時間撹拌し、反応溶液を濃縮乾固することで金属錯体Ｃ５を得た。

¹Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ９．００（ｓ、２Ｈ）、８．７９（ｓ、２Ｈ）、８．２８（ｓ、２Ｈ）、８．１１（ｓ、２Ｈ）、７．９１（ｓ、４Ｈ）、７．８６（ｓ、８Ｈ）、７．７０（ｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、１６Ｈ）、７．５２（ｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、１６Ｈ）、６．９５（ｂｒ、２０Ｈ）、６．８９―６．８０（ｍ、４Ｈ）、６．７４（ｂｒ、２Ｈ）、６．６９（ｂｒ、２Ｈ）、１．３８（ｓ、３６Ｈ）．
³¹Ｐ ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ−８．８２．

金属錯体Ｃ５は、紫外線励起（３６５ｎｍ）により黄色に発光し、その発光ピーク波長は５７２．５ｎｍであり、励起寿命は１．４μｓであった。

金属錯体Ｃ５は、室温において、クロロホルム、トルエン、キシレンに易溶であった。

金属錯体Ｃ５を、大気中１００℃で７時間放置したところ、発光強度に変化はほとんど認められなかった。

＜実施例６＞
（化合物Ｂ５の合成例）

アルゴン雰囲気下、化合物Ａ１（１２０ｍｇ、０．２５６ｍｍｏｌ）、化合物Ａ３（５５．４ｍｇ、０．１１６ｍｍｏｌ）及び (1,3-ジイソプロピルイミダゾール-2-イリデン)(3-クロロピリジル)パラジウム(II)ジクロライド（７．９１ｍｇ、０．０１１６ｍｍｏｌ）に、トルエン（４ｍＬ）、エタノール（１ｍＬ）及び２Ｍ炭酸カリウム水溶液（１ｍＬ）を加え、９０℃で９時間撹拌した。反応溶液に水とクロロホルムを加えた後、有機層を回収し、硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を濃縮乾固したところ、粗生成物を得た。この粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、淡黄色固体の化合物Ｂ５を得た（１１．２ｍｇ、収率９６．７％）。

¹Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ８．７８―８．７６（ｍ、２Ｈ）、８．００（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）、７．７９（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）、７．６９（ｓ、２Ｈ）、７．５７―７．５３（ｍ、１２Ｈ）、７．４６（ｄ、Ｊ＝７．２Ｈｚ、８Ｈ）、７．２５（ｂｒ、２Ｈ）、７．１８―７．１６（ｍ、２Ｈ）、７．０７（ｓ、２Ｈ）、１．３６（ｓ、３６Ｈ）．
元素分析 Ｆｏｕｎｄ（％）Ｃ：８７．１６、Ｈ：７．００、Ｎ：２．５４、Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｂ５＋２Ｈ₂Ｏ（％） Ｃ：８７．００、Ｈ：７．２０、Ｎ：２．７１．

（金属錯体Ｃ６の合成例）

アルゴン雰囲気下、ヘキサフルオロリン酸銅（Ｉ）（２．４ｍｇ、０．００６４ｍｍｏｌ）と、ビス[２−（ジフェニルホスフィノ）フェニル]エーテル（３．４ｍｇ、０．００６４ｍｍｏｌ）とを脱水塩化メチレン（２ｍＬ）中にて、室温で２時間撹拌した。反応溶液に上記化合物Ｂ５（６．６ｍｇ、０．００６４ｍｍｏｌ）の脱水塩化メチレン溶液（１ｍＬ）を加え、均一反応溶液を室温で１時間撹拌し、反応溶液を濃縮乾固することで金属錯体Ｃ６を得た。

¹Ｈ ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ８．２６（ｂｒ、２Ｈ）、８．０６（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）、７．８０（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、２Ｈ）、７．７２（ｓ、２Ｈ）、７．６０―７．５０（ｍ、１２Ｈ）、７．４４（ｍ、８Ｈ）、７．３５―７．２２（ｍ、４Ｈ）、７．１５―６．８０（ｍ、２６Ｈ）、６．７５（ｂｒ、２Ｈ）、６．６３（ｂｒ、２Ｈ）、１．３４（ｓ、３６Ｈ）．
³¹Ｐ ＮＭＲ（１２２ＭＨｚ、ＣＤＣｌ₃）：δ−１２．０．

金属錯体Ｃ６は、紫外線励起（３６５ｎｍ）により黄色に発光し、その発光ピーク波長は５６６．０ｎｍであり、励起寿命は１．４μｓであった。

金属錯体Ｃ６は、室温において、クロロホルム、トルエン、キシレンに易溶であった。

金属錯体Ｃ６を、大気中１００℃で７時間放置したところ、発光強度に変化はほとんど認められなかった。

＜比較例１＞
（金属錯体Ｄ１の合成）
アルゴン雰囲気下、ヨウ化銅（Ｉ）（４００ｍｇ、２．１ｍｍｏｌ）に、ピリジン（５ｍＬ）及び乾燥アセトン（１０ｍＬ）を加え、室温で撹拌して溶液を調製した。この溶液を−１８℃まで冷却したところ、結晶が得られた。この結晶を回収することにより、下記組成式：

で表される金属錯体Ｄ１（３１２ｍｇ）を得た。

金属錯体Ｄ１は、紫外線励起（３６５ｎｍ）により黄色に発光し、その発光ピーク波長は５６０ｎｍであり、励起寿命は６．３μｓであった。

金属錯体Ｄ１は、室温にて、クロロホルム、トルエン、キシレンに難溶、ヘキサンに不溶であった。

金属錯体Ｄ１を、大気中１００℃で７時間放置したところ、発光を示さなくなった。また、熱重量・示差熱分析装置（セイコーインスツルメンツ製、商品名：ＥＸＳＴＡＲ−６３００）を用いて、金属錯体Ｄ１を加熱したところ、１２３℃で全質量の２３％の質量減少が認められた。

Claims (8)

1. 下記組成式（６）：
   

   

   （式中、Ｍ⁺は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌは配位子であり、Ｘは対イオンである。ｐは正の数であり、ｑ及びｒは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ⁴⁰及びＲ⁴²は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロカルビル基又はヒドロカルビルオキシ基を表す。ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基は置換基を有していてもよい。Ｒ⁴¹は、下記式（７）：
   

   

   で表される基を表す。それぞれのＲ⁴⁰又はそれぞれのＲ⁴¹は、同一であっても異なっていてもよい。式（７）中、Ｒ⁴³、Ｒ⁴⁴、Ｒ⁴⁵、Ｒ⁴⁶及びＲ⁴⁷は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表す。アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ⁴³、Ｒ⁴⁵、Ｒ⁴⁶又はＲ⁴⁷は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ ⁴⁵とＲ⁴⁶、Ｒ⁴⁶とＲ⁴⁷は、それぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ、Ｘ、下記式：
   

   

   で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
   で表される金属錯体。
2. 下記組成式（８）：
   

   

   （式中、Ｍ⁺は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌは配位子であり、Ｘは対イオンである。ｐは正の数であり、ｑ及びｒは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ⁵⁰及びＲ⁵¹は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロカルビル基又はヒドロカルビルオキシ基を表す。ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基は置換基を有していてもよい。Ｒ⁵²、Ｒ⁵³、Ｒ⁵⁴、Ｒ⁵⁵及びＲ⁵⁶は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表す。アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ⁵⁰、Ｒ⁵²、Ｒ⁵³、Ｒ⁵⁴、Ｒ⁵⁵又はＲ⁵⁶は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ ⁵⁴とＲ⁵⁵、Ｒ⁵⁵とＲ⁵⁶は、それぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ、Ｘ、下記式：
   

   

   で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
   で表される請求項１に記載の金属錯体。
3. 下記組成式（９）：
   

   

   （式中、Ｍ'⁺は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌ'は配位子であり、Ｘ'は対イオンである。ｓは正の数であり、ｔ及びｕは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ⁶⁰、Ｒ⁶¹及びＲ⁶³は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロカルビル基又はヒドロカルビルオキシ基を表す。ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基は置換基を有していてもよい。Ｒ⁶²は、下記式（７）：
   

   

   で表される基を表す。それぞれのＲ⁶⁰、それぞれのＲ⁶¹、それぞれのＲ⁶²又はそれぞれのＲ⁶³は、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ⁶⁰とＲ⁶¹、Ｒ⁶³同士は、それぞれが一緒になって環を形成していてもよい。式（７）中、Ｒ⁴³、Ｒ⁴⁴、Ｒ⁴⁵、Ｒ⁴⁶及びＲ⁴⁷は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表す。アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ⁴³、Ｒ⁴⁵、Ｒ⁴⁶又はＲ⁴⁷は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ ⁴⁵とＲ⁴⁶、Ｒ⁴⁶とＲ⁴⁷は、それぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ'、Ｘ'、下記式：
   

   

   で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
   又は下記式（１０）：
   

   

   （式中、Ｍ'⁺は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌ'は配位子であり、Ｘ'は対イオンである。ｓは正の数であり、ｔ及びｕは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ⁶⁴、Ｒ⁶⁶及びＲ⁶⁷は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロカルビル基又はヒドロカルビルオキシ基を表す。ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基は置換基を有していてもよい。Ｒ⁶⁵は、前記式（７）で表される基を表す。それぞれのＲ⁶⁴、それぞれのＲ⁶⁵、それぞれのＲ⁶⁶又はそれぞれのＲ⁶⁷は、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ⁶⁶とＲ⁶⁷、Ｒ⁶⁷同士は、それぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ'、Ｘ'、下記式：
   

   

   で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
   又は下記式（１１）：
   

   

   （式中、Ｍ'⁺は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌ'は配位子であり、Ｘ'は対イオンである。ｓは正の数であり、ｔ及びｕは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ⁶⁸、Ｒ⁶⁹、Ｒ⁷⁰、Ｒ⁷¹、Ｒ⁷³及びＲ⁷⁴は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロカルビル基又はヒドロカルビルオキシ基を表す。ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基は置換基を有していてもよい。Ｒ⁷²は、前記式（７）で表される基を表す。それぞれのＲ⁶⁸、それぞれのＲ⁶⁹、それぞれのＲ⁷⁰、それぞれのＲ⁷¹、それぞれのＲ⁷²、それぞれのＲ⁷³又はそれぞれのＲ⁷⁴は、同一であっても異なっていてもよく、Ｒ⁶⁸とＲ⁶⁹、Ｒ⁶⁹とＲ⁷⁰、Ｒ⁷³とＲ⁷⁴、Ｒ⁷⁴同士は、それぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ'、Ｘ'、下記式：
   

   

   で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
   で表される金属錯体。
4. 下記組成式（１２）：
   

   

   （式中、Ｍ'⁺は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌ'は配位子であり、Ｘ'は対イオンである。ｓは正の数であり、ｔ及びｕは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ⁸⁰、Ｒ⁸¹及びＲ⁸²は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロカルビル基又はヒドロカルビルオキシ基を表す。ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基は置換基を有していてもよい。Ｒ⁸³、Ｒ⁸⁴、Ｒ⁸⁵、Ｒ⁸⁶及びＲ⁸⁷は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表す。アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ⁸⁰、Ｒ⁸¹、Ｒ⁸²、Ｒ⁸³、Ｒ⁸⁴、Ｒ⁸⁵、Ｒ⁸⁶又はＲ⁸⁷は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ ⁸⁵とＲ⁸⁶、Ｒ⁸⁶とＲ⁸⁷は、それぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ'、Ｘ'、下記式：
   

   

   で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
   で表される請求項３に記載の金属錯体。
5. 下記組成式（１３）：
   

   

   （式中、Ｍ'⁺は銅（Ｉ）イオン又は銀（Ｉ）イオンであり、Ｌ'は配位子であり、Ｘ'は対イオンである。ｓは正の数であり、ｔ及びｕは、それぞれ独立に、０以上の数である。Ｒ⁸⁹、Ｒ⁹⁰、Ｒ⁹¹、Ｒ⁹²、Ｒ⁹³及びＲ⁹⁴は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロカルビル基またはヒドロカルビルオキシ基を表す。ヒドロカルビル基及びヒドロカルビルオキシ基は置換基を有していてもよい。Ｒ⁹⁵、Ｒ⁹⁶、Ｒ⁹⁷、Ｒ⁹⁸及びＲ⁹⁹は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表す。アミノ基、シリル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ⁸⁹、Ｒ⁹⁰、Ｒ⁹¹、Ｒ⁹²、Ｒ⁹³、Ｒ⁹⁴、Ｒ⁹⁵、Ｒ⁹⁶、Ｒ⁹⁷、Ｒ⁹⁸又はＲ⁹⁹は、同一であっても異なっていてもよい。Ｒ⁸⁹とＲ⁹⁰、Ｒ⁹⁰とＲ⁹¹ 、Ｒ ⁹³とＲ⁹⁴、Ｒ⁹⁴同士、Ｒ ⁹⁷とＲ⁹⁸、Ｒ⁹⁸とＲ⁹⁹は、それぞれが一緒になって環を形成していてもよい。Ｌ'、Ｘ'、下記式：
   

   

   で表される構造が複数存在する場合、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。）
   で表される請求項３に記載の金属錯体。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の金属錯体を含む素子。
7. 下記式（１４）又は（１５）で表される化合物。
   

   

   （式中、Ｒ¹⁰⁰、Ｒ¹⁰¹、Ｒ¹⁰²及びＲ¹⁰³は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表す。）
8. 下記式（１６）で表される化合物。
   

   

   （式中、Ｒ¹⁰⁴、Ｒ¹⁰⁵及びＲ¹⁰⁶は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボキシル基、アミノ基、アシルアミノ基、イミド基、シリル基、水酸基、アシル基、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基又はヒドロカルビルチオ基を表す。）