JP5847605B2 - シロール誘導体及びシロール誘導体を含んでなる有機電子素子 - Google Patents

Description

本発明は、シロール誘導体及びシロール誘導体を含んでなる有機電子素子に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」という。）に用いられる発光材料として、シロール誘導体が注目されている（特許文献１）。とりわけ、下記式：

で表される、置換基としてジフェニルホスフィノイル基を有するジチエノシロール誘導体は、高い発光量子効率を示すことが知られている（非特許文献１）。

国際公開第００／０２８８６号

Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，２６，６５９１−６５９５（２００７）

しかし、これらの化合物は、溶液状態にあるか固体状態にあるかといった、状態の違いに依存して発光量子効率が変化しやすく、その結果、かかる化合物を有機ＥＬ素子の発光材料として用いる場合、その発光量子効率は、加工プロセスの影響を少なからず受け、不安定となりやすいという問題があった。

そこで、本発明は、溶液状態及び固体状態の両状態において高い発光量子効率を示す化合物を提供することを目的とする。

本発明者らは鋭意検討した結果、下記の構成を有する化合物により上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成させるに至った。

本発明は、下記〔１〕〜〔１０〕を提供する。
〔１〕下記式（１）で表される化合物。

（式（１）中、
Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は有機基である。Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立に、水素原子又は有機基である。Ｒ^１とＲ^２は結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環構造を形成してもよく、Ｒ^１とＲ^２が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに形成する環構造は置換基を有していてもよい。Ｒ^３とＲ^４は結合して、それぞれが結合する珪素原子とともに環構造を形成してもよく、Ｒ^３とＲ^４が結合して、それぞれが結合する珪素原子とともに形成する環構造は置換基を有していてもよい。
Ｒ^５は、水素原子、ハロゲン原子又は有機基である。
Ａは、−Ｏ−で表される基、−Ｓ−で表される基、−Ｎ（Ｒ^６）−で表される基、−Ｃ（Ｒ^７）_２−で表される基、−Ｓｉ（Ｒ^８）_２−で表される基、又は、−Ｐ（Ｒ^９）−で表される基である。Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８及びＲ^９は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を有していてもよいヒドロカルビル基である。２個のＲ^７は、互いに同じでも異なっていてもよく、結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環構造を形成してもよく、２個のＲ^８は、互いに同じでも異なっていてもよく、結合して、それぞれが結合する珪素原子とともに環構造を形成してもよい。
Ｑ^１は、フッ素原子、ニトロ基、又は下記式（２）で表される基である。）

（式（２）中、
Ｘは、ホウ素原子又は窒素原子である。
Ｒ^１０及びＲ^１１は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を有していてもよいヒドロカルビル基である。Ｒ^１２は、有機基である。Ｒ^１０とＲ^１１は結合して、それぞれが結合するＸとともに環構造を形成してもよい。
ｎは、Ｘが窒素原子のとき０であり、Ｘがホウ素原子のとき０又は１である。）
〔２〕前記式（１）で表される化合物が、下記式（４）で表される化合物である、〔１〕に記載の化合物。

（式（４）中、
Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ａ及びＱ^１は、前記と同じ意味を表す。
Ｑ^４は、ハロゲン原子、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、スルホ基、−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）_２で表される基、−ＯＰ（ＯＨ）_２で表される基、前記式（２）で表される基又は有機基である。
２個のＲ^５は、互いに同じでも異なっていてもよく、２個のＡは、互いに同じでも異なっていてもよい。
ｍは１又は０である。）
〔３〕前記式（４）で表される化合物が、下記式（３）で表される化合物である、〔２〕に記載の化合物。

（式（３）中、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｑ^１及びＱ^４は、前記と同じ意味を表す。）
〔４〕Ｒ^３及びＲ^４が、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基、又は、置換基を有していてもよいヘテロシクリル基であり、
Ｑ^１が、前記式（２）で表される基であり、
Ｑ^４が、前記式（２）で表される基、又は、炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビルチオ基である、〔２〕又は〔３〕に記載の化合物。
〔５〕Ｑ^１が、前記式（２）で表される基であり、Ｘがホウ素原子であり、Ｒ^１０とＲ^１１が同一の基であり、ｎが０である、〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載の化合物。
〔６〕Ｑ^４が、前記式（２）で表される基であり、Ｘがホウ素原子であり、Ｒ^１０とＲ^１１が同一の基であり、ｎが０である、〔２〕〜〔５〕のいずれかに記載の化合物。
〔７〕Ｑ^４が、炭素原子数が１〜８のヒドロカルビルチオ基である、〔２〕〜〔５〕のいずれかに記載の化合物。
〔８〕Ｒ^３及びＲ^４が、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいフェニル基、又は置換基を有していてもよいチエニル基である、〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載の化合物。
〔９〕〔１〕〜〔８〕のいずれかに記載の化合物を含む、組成物。
〔１０〕〔１〕〜〔８〕のいずれかに記載の化合物、又は〔９〕に記載の組成物を用いてなる、有機電子素子。

本発明によれば、溶液状態及び粉体状態の両状態において高い発光量子効率を示す化合物を提供することができる。

以下、本発明の実施形態について説明する。

本明細書において、Ｍｅはメチル基を表し、Ｅｔはエチル基を表し、ｎ−Ｂｕはノルマルブチル基を表し、ｎ−Ｈｅｘはノルマルヘキシル基を表し、Ｐｈはフェニル基を表し、Ｍｅｓは２，４，６−トリメチルフェニル基（「メシチル基」ともいう。）を表す。

＜シロール誘導体＞
本発明の化合物（以下、「シロール誘導体」とも言う。）は、前記式（１）で表される構造を有する。

前記式（１）において、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は有機基である。

Ｒ^１及びＲ^２がとり得るハロゲン原子の例としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。ハロゲン原子としては、好ましくはフッ素原子、塩素原子、臭素原子であり、より好ましくはフッ素原子、塩素原子であり、さらに好ましくはフッ素原子である。

Ｒ^１及びＲ^２が有機基である場合、Ｒ^１とＲ^２は結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環構造を形成してもよく、形成しなくてもよいが、本発明の化合物の共役長が延びて発光量子効率がより高くなるので、Ｒ^１とＲ^２は結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環構造を形成することが好ましい。Ｒ^１とＲ^２が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに形成する環構造は置換基を有していてもよい。該置換基としては、後述する置換基の何れであってもよいが、発光量子効率がより安定になるので、後述するＲ^５及びＱ^４が好ましい。
Ｒ^１とＲ^２が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに形成する環構造については、式（４）を参照して後述する。

Ｒ^１とＲ^２が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環構造を形成しない場合、Ｒ^１及びＲ^２は、水素原子又は有機基であることが好ましく、有機基であることがより好ましい。

Ｒ^１及びＲ^２がとり得る有機基としては、例えば、置換基を有していてもよい炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビル基、置換基を有していてもよい炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビルオキシ基、置換基を有していてもよい炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビルチオ基、及び炭素原子数が１〜３０の置換シリル基（置換シリル基が有する置換基は、さらに置換基を有していてもよい）が挙げられる。なお、該炭素原子数には、置換基の炭素原子数は含まれない。
これらの有機基の中でも、炭素原子数が１〜１８のヒドロカルビル基、炭素原子数が１〜１８のヒドロカルビルオキシ基、炭素原子数が１〜１８のヒドロカルビルチオ基、又は炭素原子数が１〜１８の置換シリル基が好ましく、炭素原子数が１〜１２のヒドロカルビル基、炭素原子数が１〜１２のヒドロカルビルオキシ基、炭素原子数が１〜１２のヒドロカルビルチオ基、又は炭素原子数が１〜１２の置換シリル基がより好ましく、炭素原子数が１〜１２のヒドロカルビル基、又は炭素原子数が１〜１２のヒドロカルビルオキシ基が更に好ましく、炭素原子数が１〜６のヒドロカルビル基が特に好ましい。
前記ヒドロカルビル基、前記ヒドロカルビルオキシ基及び前記ヒドロカルビルチオ基はそれぞれ、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれであってもよい。

Ｒ^１及びＲ^２がとり得る「置換基を有していてもよいヒドロカルビル基」におけるヒドロカルビル基としては、例えば、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ノルボルニル基、ベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、２−ビフェニル基、３−ビフェニル基、４−ビフェニル基、ターフェニル基、３，５−ジフェニルフェニル基、３，４−ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基、９−フェナントリル基、１−ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基及びコロニル基が挙げられる。
これらのヒドロカルビル基の中でも、好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、２−ビフェニル基、３−ビフェニル基、４−ビフェニル基、ターフェニル基、３，５−ジフェニルフェニル基、３，４−ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基、又は９−フェナントリル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ベンジル基、又はフェニル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、又は２−エチルヘキシル基であり、特に好ましくはメチル基である。

Ｒ^１及びＲ^２がとり得る「置換基を有していてもよいヒドロカルビルオキシ基」におけるヒドロカルビルオキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、１−プロパノキシ基、２−プロパノキシ基、１−ブトキシ基、２−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、シクロプロパノキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、２−アダマンチルオキシ基、ノルボルニルオキシ基、ベンジルオキシ基、α,α−ジメチルベンジロキシ基、２−フェネチルオキシ基、１−フェネチルオキシ基、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基及び２−ナフチルオキシ基が挙げられる。
これらのヒドロカルビルオキシ基の中でも、好ましくはメトキシ基、エトキシ基、１−プロパノキシ基、２−プロパノキシ基、１−ブトキシ基、２−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基又は３，７−ジメチルオクチルオキシ基であり、より好ましくはメトキシ基又はエトキシ基である。

Ｒ^１及びＲ^２がとり得る「置換基を有していてもよいヒドロカルビルチオ基」におけるヒドロカルビルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、１−プロピルチオ基、２−プロピルチオ基、１−ブチルチオ基、２−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、ドデシルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、シクロプロピルチオ基、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基、１−アダマンチルチオ基、２−アダマンチルチオ基、ノルボルニルチオ基、ベンジルチオ基、α,α−ジメチルベンジルチオ基、２−フェネチルチオ基、１−フェネチルチオ基、フェニルチオ基、１−ナフチルチオ基及び２−ナフチルチオ基が挙げられる。
これらのヒドロカルビルチオ基の中でも、好ましくはメチルチオ基、エチルチオ基、１−プロピルチオ基、２−プロピルチオ基、１−ブチルチオ基、２−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、ドデシルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基又は３，７−ジメチルオクチルチオ基であり、より好ましくはメチルチオ基又はエチルチオ基である。

Ｒ^１及びＲ^２がとり得る「置換シリル基」における置換シリル基とは、シリル基における水素原子の１個、２個又は３個が、アルキル基、アリール基及びアリールアルキル基からなる群から選ばれる１個、２個又は３個の基で置換されたシリル基をいう。置換シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−イソプロピルシリル基、ジメチル−イソプロピルシリル基、ジエチル−イソプロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ドデシルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基及びジメチルモノフェニルシリル基が挙げられる。
これらの置換シリル基の中でも、好ましくはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基又はｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基であり、更に好ましくはトリメチルシリル基である。

Ｒ^１及びＲ^２がとり得る有機基が、置換基を有する場合、該置換基（以下、「Ｒ^１及びＲ^２における任意の置換基」という場合がある。）としては、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、カルボキシ基、スルホ基、−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）_２で表される基（「リン酸基」ともいう。）、−ＯＰ（ＯＨ）_２で表される基（「亜リン酸基」ともいう。）、ニトロ基、炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビル基、炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビルオキシ基、炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビルチオ基、及び炭素原子数が１〜３０の置換シリル基が挙げられる。Ｒ^１及びＲ^２における任意の置換基はまた、前記式（２）と同じ構造の置換基であってもよい。

これらの置換基の中でも、ハロゲン原子、炭素原子数が１〜１８のヒドロカルビル基、炭素原子数が１〜１８のヒドロカルビルオキシ基、炭素原子数が１〜１８のヒドロカルビルチオ基、炭素原子数が１〜１８の置換シリル基、又は前記式（２）と同じ構造の置換基が好ましく、炭素原子数が１〜１２のヒドロカルビル基、炭素原子数が１〜１２のヒドロカルビルオキシ基、炭素原子数が１〜１２のヒドロカルビルチオ基、炭素原子数が１〜１２の置換シリル基、又は前記式（２）と同じ構造の置換基がより好ましく、炭素原子数が１〜１２のヒドロカルビル基、炭素原子数が１〜１２のヒドロカルビルオキシ基、又は前記式（２）と同じ構造の置換基が更に好ましく、炭素原子数が１〜１２のヒドロカルビル基、又は炭素原子数が１〜１２のヒドロカルビルオキシ基が特に好ましい。
Ｒ^１及びＲ^２における任意の置換基として用いられる、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基はそれぞれ、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれであってもよい。

Ｒ^１及びＲ^２における任意の置換基が前記式（２）と同じ構造の置換基である場合、該置換基中のＸ、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びｎの好ましい例は、後述のＸ、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２及びｎの好ましい例と同様である。

Ｒ^１及びＲ^２における任意の置換基がハロゲン原子である場合、該ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子が挙げられる。Ｒ^１及びＲ^２における任意の置換基として用いられるハロゲン原子としては、好ましくはフッ素原子、塩素原子又は臭素原子であり、より好ましくはフッ素原子又は塩素原子であり、更に好ましくはフッ素原子である。

Ｒ^１及びＲ^２における任意の置換基がヒドロカルビル基である場合、該ヒドロカルビル基としては、例えば、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ノルボルニル基、ベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、２−ビフェニル基、３−ビフェニル基、４−ビフェニル基、ターフェニル基、３，５−ジフェニルフェニル基、３，４−ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基、９−フェナントリル基、１−ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基及びコロニル基が挙げられる。
Ｒ^１及びＲ^２における任意の置換基として用いられるヒドロカルビル基としては、好ましくはメチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、２−ビフェニル基、３−ビフェニル基、４−ビフェニル基、ターフェニル基、３，５−ジフェニルフェニル基、３，４−ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基又は９−フェナントリル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ベンジル基又はフェニル基であり、更に好ましくはメチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基又は２−エチルヘキシル基であり、特に好ましくはメチル基、エチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基又は２−エチルヘキシル基であり、とりわけ好ましくはメチル基である。

Ｒ^１及びＲ^２における任意の置換基がヒドロカルビルオキシ基である場合、該ヒドロカルビルオキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、１−プロパノキシ基、２−プロパノキシ基、１−ブトキシ基、２−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、シクロプロパノキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、１−アダマンチルオキシ基、２−アダマンチルオキシ基、ノルボルニルオキシ基、ベンジルオキシ基、α,α−ジメチルベンジロキシ基、２−フェネチルオキシ基、１−フェネチルオキシ基、フェノキシ基、アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基及び２−ナフチルオキシ基が挙げられる。
Ｒ^１及びＲ^２における任意の置換基として用いられるヒドロカルビルオキシ基としては、好ましくはメトキシ基、エトキシ基、１−プロパノキシ基、２−プロパノキシ基、１−ブトキシ基、２−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基又は３，７−ジメチルオクチルオキシ基であり、より好ましくはメトキシ基又はエトキシ基である。

Ｒ^１及びＲ^２における任意の置換基がヒドロカルビルチオ基である場合、該ヒドロカルビルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、１−プロピルチオ基、２−プロピルチオ基、１−ブチルチオ基、２−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、ドデシルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、シクロプロピルチオ基、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基、１−アダマンチルチオ基、２−アダマンチルチオ基、ノルボルニルチオ基、ベンジルチオ基、α,α−ジメチルベンジルチオ基、２−フェネチルチオ基、１−フェネチルチオ基、フェニルチオ基、アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基及び２−ナフチルチオ基が挙げられる。
Ｒ^１及びＲ^２における任意の置換基として用いられるヒドロカルビルチオ基としては、好ましくはメチルチオ基、エチルチオ基、１−プロピルチオ基、２−プロピルチオ基、１−ブチルチオ基、２−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、ドデシルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基又は３，７−ジメチルオクチルチオ基であり、より好ましくはメチルチオ基、又はエチルチオ基である。

Ｒ^１及びＲ^２における任意の置換基が置換シリル基である場合、該置換シリル基は、シリル基における水素原子の１個、２個又は３個が、アルキル基、アリール基及びアリールアルキル基からなる群から選ばれる１個、２個又は３個の基で置換されたシリル基をいう。Ｒ^１及びＲ^２における任意の置換基として用いられる置換シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−イソプロピルシリル基、ジメチル−イソプロピルシリル基、ジエチル−イソプロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ドデシルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基及びジメチルモノフェニルシリル基が挙げられる。
Ｒ^１及びＲ^２における任意の置換基として用いられる置換基シリル基としては、好ましくはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基又はｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基であり、より好ましくはトリメチルシリル基である。

前記式（１）において、Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立に、水素原子又は有機基であり、有機基であることが好ましい。

Ｒ^３及びＲ^４が有機基である場合、Ｒ^３とＲ^４は結合して、それぞれが結合する珪素原子とともに環構造を形成してもよく、Ｒ^３とＲ^４が結合して、それぞれが結合する珪素原子とともに形成する環構造は置換基を有していてもよい。該置換基としては、例えば、上述したＲ^１及びＲ^２における任意の置換基が挙げられ、発光量子効率がより安定になるので、後述するＱ^２が好ましい。
Ｒ^３とＲ^４が結合して、それぞれが結合する珪素原子とともに形成する環構造については、式（６）を参照して後述する。

Ｒ^３及びＲ^４がとり得る有機基としては、Ｒ^１がとり得る有機基として説明した有機基と同じものが挙げられる。本発明の化合物の中心となる珪素原子に嵩高い置換基が結合した化合物は安定な発光量子効率を示すので、Ｒ^３及びＲ^４がとり得る有機基としては、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいヘテロシクリル基が好ましい。

Ｒ^３及びＲ^４がとり得る「置換基を有していてもよいアリール基」におけるアリール基としては、炭素原子数が６〜３０（該炭素原子数に、置換基の炭素原子数は含まれない。）のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基、４−フェニルフェニル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基及び９−アントラセニル基が挙げられる。
これらのアリール基の中でも、好ましくは、フェニル基、１−ナフチル基又は２−ナフチル基であり、より好ましくは、フェニル基である。

Ｒ^３及びＲ^４がとり得る「置換基を有していてもよいヘテロシクリル基」におけるヘテロシクリル基としては、複素環式化合物を構成する炭素原子に結合した水素原子を１個除いた残りの原子団を意味し、炭素原子数２〜３０（該炭素原子数に、置換基の炭素原子数は含まれない。）のヘテロシクリル基が好ましく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ホスホリル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基、トリアジル基、キナゾリニル基及びイミダゾリル基が挙げられる。
これらのヘテロシクリル基の中でも、好ましくは、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ホスホリル基又はピリジル基であり、より好ましくは、チエニル基、ピロリル基、フリル基又はピリジル基であり、更に好ましくは、チエニル基である。

Ｒ^３及びＲ^４がとり得る「置換基を有していてもよいアリール基」及び「置換基を有していてもよいヘテロシクリル基」における、置換基の例及び好ましい例は、Ｒ^１及びＲ^２における任意の置換基と同じである。

Ｒ^３及びＲ^４は、発光量子効率がより安定になるので、置換基を有していてもよいフェニル基又は置換基を有していてもよいチエニル基であることが好ましい。

Ｒ^３とＲ^４は、互いに同じでも異なっていてもよいが、発光量子効率がより安定になるので、互いに同じであることが好ましい。

前記式（１）において、Ｒ^５は、水素原子、ハロゲン原子又は有機基であり、水素原子又はハロゲン原子が好ましく、水素原子がより好ましい。

Ｒ^５がハロゲン原子である場合、Ｒ^５がとり得るハロゲン原子の例及び好ましい例は、Ｒ^１がとり得るハロゲン原子のそれらと同じである。

Ｒ^５がとり得る有機基の例及び好ましい例は、Ｒ^１がとり得る有機基のそれらと同じである。

Ｒ^５がとり得る有機基が置換基を有する場合、該置換基（以下、「Ｒ^５における任意の置換基」という場合がある。）としては、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、カルボキシル基、スルホ基、−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）_２で表される基、−ＯＰ（ＯＨ）_２で表される基、ニトロ基、炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビル基、炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビルオキシ基、炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビルチオ基、及び炭素原子数が１〜３０の置換シリル基が挙げられる。
中でも、ハロゲン原子、炭素原子数が１〜１８のヒドロカルビル基、炭素原子数が１〜１８のヒドロカルビルオキシ基、又は炭素原子数が１〜１８のヒドロカルビルチオ基が好ましく、炭素原子数が１〜１２のヒドロカルビル基、炭素原子数が１〜１２のヒドロカルビルオキシ基、又は炭素原子数が１〜１２のヒドロカルビルチオ基がより好ましく、炭素原子数が１〜１２のヒドロカルビル基、又は炭素原子数が１〜１２のヒドロカルビルオキシ基が更に好ましい。
Ｒ^５における任意の置換基として用いられる、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基及びヒドロカルビルチオ基はそれぞれ、直鎖状、分岐鎖状又は環状のいずれであってもよい。

Ｒ^５における任意の置換基として用いられる、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基、及び置換シリル基の例及び好ましい例は、Ｒ^１及びＲ^２における任意の置換基として説明したヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基及び置換シリル基のそれらと、それぞれ同じである。

前記式（１）において、Ａは、−Ｏ−で表される基、−Ｓ−で表される基、−Ｎ（Ｒ^６）−で表される基、−Ｃ（Ｒ^７）_２−で表される基、−Ｓｉ（Ｒ^８）_２−で表される基、又は−Ｐ（Ｒ^９）−で表される基である。これらの基の中でも、本発明の化合物の発光量子効率が高くなるので、−Ｏ−で表される基、−Ｓ−で表される基、−Ｃ（Ｒ^７）_２−で表される基、−Ｓｉ（Ｒ^８）_２−で表される基、又は−Ｐ（Ｒ^９）−で表される基が好ましく、−Ｏ−で表される基、−Ｓ−で表される基、又は−Ｐ（Ｒ^９）−で表される基がより好ましく、−Ｏ−で表される基、又は−Ｓ−で表される基が更に好ましく、−Ｓ−で表される基が特に好ましい。

Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８及びＲ^９は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を有していてもよいヒドロカルビル基であり、置換基を有していてもよいヒドロカルビル基が好ましい。

Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８及びＲ^９がとり得る「置換基を有していてもよいヒドロカルビル基」におけるヒドロカルビル基としては、炭素原子数１〜３０（該炭素原子数に、置換基の炭素原子数は含まれない。）のヒドロカルビル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ノルボルニル基、ベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、２−ビフェニル基、３−ビフェニル基、４−ビフェニル基、ターフェニル基、３，５−ジフェニルフェニル基、３，４−ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基、９−フェナントリル基、１−ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基及びコロニル基が挙げられる。
これらのヒドロカルビル基の中でも、好ましくは、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、２−ビフェニル基、３−ビフェニル基、４−ビフェニル基、ターフェニル基、３，５−ジフェニルフェニル基、３，４−ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基又は９−フェナントリル基であり、より好ましくはメチル基、エチル基、１−プロピル基、１−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基又は９−アントリル基であり、更に好ましくはフェニル基、１−ナフチル基又は２−ナフチル基であり、特に好ましくはフェニル基である。

Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８及びＲ^９がとり得る「置換基を有していてもよいヒドロカルビル基」における置換基の例及び好ましい例は、Ｒ^５における任意の置換基と同じである。

前記式（１）において、Ａが−Ｃ（Ｒ^７）_２−で表される基である場合、２個のＲ^７は、互いに同じでも異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。また、２個のＲ^７は結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環構造を形成してもよいが、環構造を形成しないことが好ましい。
前記式（１）において、Ａが−Ｓｉ（Ｒ^８）_２−で表される基である場合、２個のＲ^８は、互いに同じでも異なっていてもよいが、同じ構造であることが好ましい。また、２個のＲ^８は結合して、それぞれが結合する珪素原子ともに環構造を形成してもよいが、環構造を形成しないことが好ましい。

前記式（１）において、Ｑ^１は、フッ素原子、ニトロ基、又は前記式（２）で表される基であり、発光量子効率がより安定になるので、フッ素原子又は前記式（２）で表される基であることが好ましく、前記式（２）で表される基であることがより好ましい。

発光量子効率がより安定になるので、前記式（１）において、Ｒ^３及びＲ^４が、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基、又は、置換基を有していてもよいヘテロシクリル基であり、且つ、Ｑ^１が、前記式（２）で表される基であることが好ましい。

前記式（２）で表される基において、Ｘは、ホウ素原子又は窒素原子であり、ホウ素原子であることが好ましい。

前記式（２）で表される基において、Ｘがホウ素原子であることにより、本発明のシロール誘導体は、センサー材料としての特性を示す。具体的には、本発明のシロール誘導体に対して特定の非共有電子対を有する化合物を添加することによって、本発明のシロール誘導体の吸収スペクトル又は発光スペクトルが変化し、特に吸収スペクトルが大きく変化する。該特定の非共有電子対を有する化合物としては、例えば、トリメチルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の３級ホスフィン化合物；ハロゲン化物イオンを有する化合物、カルボキシラート部位を有する化合物、アニオン性炭素原子を有する化合物、アニオン性窒素原子を有する化合物等の電荷を帯びた化合物；が挙げられる。これらの中では、ハロゲン化物イオンを有する化合物が好ましく、フッ素アニオンを有する化合物がより好ましい。

前記式（２）で表される基において、Ｒ^１０及びＲ^１１は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を有していてもよいヒドロカルビル基であり、置換基を有していてもよいヒドロカルビル基が好ましい。
Ｒ^１０とＲ^１１は結合して、それぞれが結合するＸとともに環構造を形成してもよい。

Ｒ^１０及びＲ^１１がとり得る「置換基を有していてもよいヒドロカルビル基」におけるヒドロカルビル基としては、炭素原子数１〜５０（該炭素原子数に、置換基の炭素原子数は含まれない。）のヒドロカルビル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、１−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、ペンタデシル基、オクタデシル基及びドコシル基等の炭素原子数が１〜３０のアルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロノニル基、シクロドデシル基、ノルボニル基及びアダマンチル基等の炭素原子数が３〜３０の環状飽和ヒドロカルビル基；エテニル基、プロペニル基、３−ブテニル基、２−ブテニル基、２−ペンテニル基、２−ヘキセニル基、２−ノネニル基及び２−ドデセニル基等の炭素原子数が２〜３０のアルケニル基；フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基（メシチル基）、２−イソプロピルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−（２−エチルヘキシル）フェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基、４−フェニルフェニル基及び９−フルオレニル基等の炭素原子数が６〜３０のアリール基；並びにフェニルメチル基、１−フェニルエチル基、２−フェニルエチル基、１−フェニル−１−プロピル基、１−フェニル−２−プロピル基、２−フェニル−２−プロピル基、３−フェニル−１−プロピル基、４−フェニル−１−ブチル基、５−フェニル−１−ペンチル基及び６−フェニル−１−ヘキシル基等の炭素原子数が７〜５０のアリールアルキル基が挙げられる。
これらのヒドロカルビル基の中でも、発光量子効率がより安定になるので、アルキル基又はアリール基が好ましく、アリール基がより好ましい。アリール基としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、２−イソプロピルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、又は４−ヘキシルフェニル基が好ましく、フェニル基又は２，４，６−トリメチルフェニル基がより好ましい。

Ｒ^１０及びＲ^１１がとり得る「置換基を有していてもよいヒドロカルビル基」における置換基の例及び好ましい例は、Ｒ^５における任意の置換基と同じである。

発光量子効率がより安定になるので、前記式（２）で表される基において、Ｒ^１０とＲ^１１とは、同一の基であることが好ましい。例えば、Ｒ^１０がフェニル基である場合、Ｒ^１１もフェニル基であることが好ましく、Ｒ^１０が２，４，６−トリメチルフェニル基である場合、Ｒ^１１も２，４，６−トリメチルフェニル基であることが好ましい。

前記式（２）で表される基において、Ｒ^１２は、有機基である。Ｒ^１２がとり得る有機基としては、例えば、−Ｒ^１４で表される基、−Ｐ（Ｒ^１５）_３で表される基、−Ｏ＝Ｐ（Ｒ^１６）_３で表される基、−Ｓ＝Ｐ（Ｒ^１７）_３で表される基、−Ｎ（Ｒ^１８）_３で表される基、−Ｏ＝Ｃ（Ｒ^１９）_２で表される基、及び−Ｏ（Ｒ^２０）で表される基が挙げられる。
中でも、−Ｒ^１４で表される基、−Ｐ（Ｒ^１５）_３で表される基、又は−Ｎ（Ｒ^１８）_３で表される基が好ましく、−Ｒ^１４で表される基、又は−Ｐ（Ｒ^１５）_３で表される基が更に好ましく、−Ｐ（Ｒ^１５）_３で表される基がより好ましい。

Ｒ^１４は、置換基を有していてもよいアリール基、又は置換基を有していてもよいヘテロシクリル基であり、置換基を有していてもよいヘテロシクリル基が好ましい。

Ｒ^１４がとり得る「置換基を有していてもよいアリール基」におけるアリール基としては、炭素原子数が６〜３０（該炭素原子数に、置換基の炭素原子数は含まれない。）のアリール基が好ましく、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、４−エチルフェニル基、４−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ブチルフェニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、４−ヘキシルフェニル基、４−シクロヘキシルフェニル基、４−アダマンチルフェニル基及び４−フェニルフェニル基が挙げられる。
これらのアリール基の中でも、フェニル基、１−ナフチル基又は２−ナフチル基が好ましく、フェニル基がより好ましい。

Ｒ^１４がとり得る「置換基を有していてもよいヘテロシクリル基」におけるヘテロシクリル基としては、炭素原子数が２〜３０（該炭素原子数に、置換基の炭素原子数は含まれない。）のヘテロシクリル基が好ましく、例えば、ピロリル基、ピラジニル基、ピリジル基、インドリル基、イソインドリル基、フリル基、ベンゾフラニル基、イソベンゾフラニル基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリニル基、カルバゾリル基、フェナントリジニル基、アクリジニル基、１，７−フェナントロリニル基、１，８−フェナントロリニル基、１，９−フェナントロリニル基、１，１０−フェナントロリニル基、２，９−フェナントロリニル基、２，８−フェナントロリニル基、２，７−フェナントロリニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサジニル基、オキサゾリル基、フラザニル基及びチエニル基が挙げられる。
これらのヘテロシクリル基の中でも、ピラジニル基、ピリジル基、インドリル基、フリル基、ベンゾフラニル基、キノリル基、イソキノリル基又はオキサゾリル基が好ましく、ピリジル基又はキノリル基がより好ましい。
Ｒ^１４がとり得る「置換基を有していてもよいヘテロシクリル基」がＸに結合する部位は、該ヘテロシクリル基のヘテロ原子であることが好ましい。

Ｒ^１４がとり得る「置換基を有していてもよいアリール基」及び「置換基を有していてもよいヘテロシクリル基」における置換基としては、例えば、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、カルボキシル基、スルホ基、−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）_２で表される基、−ＯＰ（ＯＨ）_２で表される基、ニトロ基、炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビル基、炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビルオキシ基、炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビルチオ基、及び炭素原子数が１〜３０の置換シリル基が挙げられる。
これらの置換基の中でも、ハロゲン原子、炭素原子数が１〜１８のヒドロカルビル基、炭素原子数が１〜１８のヒドロカルビルオキシ基、炭素原子数が１〜１８のヒドロカルビルチオ基、又は炭素原子数が１〜１８の置換シリル基が好ましく、ハロゲン原子、炭素原子数が１〜１２のヒドロカルビル基、炭素原子数が１〜１２のヒドロカルビルオキシ基、炭素原子数が１〜１２のヒドロカルビルチオ基、又は炭素原子数が１〜１２の置換シリル基がより好ましく、ハロゲン原子、炭素原子数が１〜１２のヒドロカルビル基、又は炭素原子数が１〜１２のヒドロカルビルオキシ基が更に好ましく、ハロゲン原子が特に好ましい。
Ｒ^１４において、置換基として用いられる、ハロゲン原子、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基及び置換シリル基の例及び好ましい例は、Ｒ^１において置換基として説明したハロゲン原子、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基及び置換シリル基のそれらと、それぞれ同じである。

Ｒ^１５、Ｒ^１６及びＲ^１７は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいヒドロカルビル基である。Ｒ^１５、Ｒ^１６及びＲ^１７がとり得る「置換基を有していてもよいヒドロカルビル基」におけるヒドロカルビル基としては、炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビル基が好ましく、例えば、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ノルボルニル基、ベンジル基、α，α−ジメチルベンジル基、１−フェネチル基、２−フェネチル基、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、オレイル基、エイコサペンタエニル基、ドコサヘキサエニル基、２，２−ジフェニルビニル基、１，２，２−トリフェニルビニル基、２−フェニル−２−プロペニル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、２−ビフェニル基、３−ビフェニル基、４−ビフェニル基、ターフェニル基、３，５−ジフェニルフェニル基、３，４−ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基、９−フェナントリル基、１−ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基及びコロニル基が挙げられる。
これらのヒドロカルビル基の中でも、メチル基、エチル基、１−プロピル基、２−プロピル基、１−ブチル基、２−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、２−ビフェニル基、３−ビフェニル基、４−ビフェニル基、ターフェニル基、３，５−ジフェニルフェニル基、３，４−ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基又は９−フェナントリル基が好ましく、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、２−ビフェニル基、３−ビフェニル基、４−ビフェニル基、ターフェニル基、３，５−ジフェニルフェニル基、３，４−ジフェニルフェニル基、ペンタフェニルフェニル基、４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル基、４−（１，２，２−トリフェニルビニル）フェニル基、フルオレニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、９−アントリル基、２−アントリル基又は９−フェナントリル基がより好ましく、フェニル基、２−トリル基、４−トリル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基又は９−アントリル基が更に好ましく、フェニル基が特に好ましい。

Ｒ^１５、Ｒ^１６及びＲ^１７がとり得る「置換基を有していてもよいヒドロカルビル基」における置換基の例及び好ましい例は、Ｒ^５における任意の置換基と同じである。

Ｒ^１８は、水素原子又は置換基を有していてもよいヒドロカルビル基であり、置換基を有していてもよいヒドロカルビル基が好ましい。但し、Ｒ^１８の少なくとも１個は、置換基を有していてもよいヒドロカルビル基である。Ｒ^１８がとり得る「置換基を有していてもよいヒドロカルビル基」の例及び好ましい例は、Ｒ^６において説明した「置換基を有していてもよいヒドロカルビル基」のそれらと同じである。

Ｒ^１９及びＲ^２０は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいヒドロカルビル基である。Ｒ^１９及びＲ^２０がとり得る「置換基を有していてもよいヒドロカルビル基」の例及び好ましい例は、Ｒ^６において説明した「置換基を有していてもよいヒドロカルビル基」のそれらと同じである。
２個のＲ^１９は結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環構造を形成してもよい。

前記式（２）で表される基において、Ｒ^１２−Ｘ間の結合は、共有結合でも配位結合でもよい。

前記式（２）で表される基において、ｎは、Ｘが窒素原子のとき０であり、Ｘがホウ素原子のとき０又は１である。好ましくは、ｎは０である。

前記式（１）において、Ｒ^５とＱ^１の結合位置は、Ａ、Ｒ^５及びＱ^１が存在する環において、Ｒ^５よりもＱ^１がＡから近い炭素原子に結合することが好ましい。

本発明の化合物の共役長が延びて発光量子効率が高くなるので、前記式（１）において、Ｒ^１とＲ^２は結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環構造を形成することが好ましい。Ｒ^１とＲ^２が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環構造を形成する場合、前記式（１）で表される化合物としては、前記式（４）で表される化合物が好ましい。

式（４）において、ｍは０又は１であり、好ましくは１である。

式（４）において、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ａ及びＱ^１の例及び好ましい例は、前記式（１）において説明したＲ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ａ及びＱ^１のそれらと、それぞれ同じである。

式（４）において、Ｑ^４は、ハロゲン原子、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、スルホ基、−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）_２で表される基、−ＯＰ（ＯＨ）_２で表される基、前記式（２）で表される基又は有機基である。好ましくはハロゲン原子、ヒドロキシ基、メルカプト基、前記式（２）で表される基又は有機基であり、より好ましくはハロゲン原子、前記式（２）で表される基又は有機基であり、更に好ましくは前記式（２）で表される基又は有機基であり、特に好ましくは前記式（２）で表される基である。

Ｑ^４がとり得るハロゲン原子は、好ましくはフッ素原子、塩素原子又は臭素原子であり、より好ましくはフッ素原子又は塩素原子であり、更に好ましくはフッ素原子である。

Ｑ^４がとり得る有機基としては、例えば、炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビル基、炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビルオキシ基、炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビルチオ基又は炭素原子数が１〜３０の置換シリル基が挙げられる。中でも、炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビルオキシ基、又は炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビルチオ基が好ましく、炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビルチオ基がより好ましい。Ｑ^４がとり得る有機基において、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基、及び置換シリル基の例及び好ましい例は、Ｒ^１及びＲ^２における任意の置換基として説明したヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基及び置換シリル基のそれらと、それぞれ同じである。

２個のＡは、互いに同じでも異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。

Ｒ^５とＱ^１の結合位置は、Ａ、Ｒ^５及びＱ^１が存在する環において、Ｒ^５よりもＱ^１がＡから近い炭素原子に結合することが好ましい。

Ｒ^５とＱ^４の結合位置は、Ａ、Ｒ^５及びＱ^４が存在する環において、Ｒ^５よりもＱ^４がＡから近い炭素原子に結合することが好ましい。

上記式（４）で表される化合物としては、発光量子効率がより高くなるので、前記式（３）で表される化合物が好ましい。

式（３）において、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｑ^１及びＱ^４の例及び好ましい例は、前記式（１）において説明したＲ^３、Ｒ^４及びＱ^１、並びに前記式（４）において説明したＱ^４のそれらと、それぞれ同じである。

発光量子効率がより安定になるので、式（３）において、Ｒ^３及びＲ^４が、置換基を有していてもよいアリール基、又は、置換基を有していてもよいヘテロシクリル基であり、Ｑ^１が、前記式（２）で表される基であり、Ｑ^４が、前記式（２）で表される基、又は、炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビルチオ基であることが好ましい。

Ｒ^３とＲ^４は結合して、それぞれが結合する珪素原子とともに環構造を形成してもよく、形成しなくてもよい。Ｒ^３とＲ^４が環構造を形成しない場合、前記式（３）で表される化合物としては、下記式（５）で表される化合物が好ましい。Ｒ^３とＲ^４が結合して、それぞれが結合する珪素原子とともに環構造を形成する場合、前記式（３）で表される化合物としては、下記式（６）で表される化合物が好ましい。

式（５）中、Ｑ^４、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｘ及びｎは前記と同じ意味を表す。
Ａｒ^１は、置換基を有していてもよいアリール基、又は、置換基を有していてもよいヘテロシクリル基である。２個のＡｒ^１は、互いに同じでも異なっていてもよい。

式（６）中、Ｑ^４、Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｘ及びｎは前記と同じ意味を表す。
Ａ^２は、−Ｏ−で表される基、−Ｓ−で表される基、−Ｎ（Ｒ^６）−で表される基、−Ｃ（Ｒ^７）_２−で表される基、−Ｓｉ（Ｒ^８）_２−で表される基、−Ｐ（Ｒ^９）−で表される基、又は−Ｃ（Ｒ^１３）＝Ｃ（Ｒ^１３）−で表される基である。２個のＡ^２は、互いに同じでも異なっていてもよい。Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８及びＲ^９は前記と同じ意味を表す。Ｒ^１３は、水素原子、フッ素原子、又は置換基を有していてもよいヒドロカルビル基である。２個のＲ^１３は、互いに同じでも異なっていてもよい。
Ｑ^２は、ハロゲン原子、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、スルホ基、リン酸基、亜リン酸基、又は有機基である。Ｑ^２が複数個存在する場合、それらは互いに同じでも異なっていてもよい。
ｙは、０、１又は２である。２個のｙは、互いに同じでも異なっていてもよい。

式（５）において、Ｑ^４の例及び好ましい例は、前記式（４）において説明したＱ^４のそれらと、それぞれ同じである。Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｘ及びｎの例及び好ましい例は、前記式（２）において説明したＲ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｘ及びｎのそれらと、それぞれ同じである。

式（５）において、Ａｒ^１がとり得る「置換基を有していてもよいアリール基」におけるアリール基の例及び好ましい例は、Ｒ^３において説明した「置換基を有していてもよいアリール基」におけるアリール基のそれらと同じであり、Ａｒ^１がとり得る「置換基を有していてもよいアリール基」における置換基の例及び好ましい例は、Ｒ^１及びＲ^２における任意の置換基と同じである。

式（５）において、Ａｒ^１がとり得る「置換基を有していてもよいヘテロシクリル基」におけるヘテロシクリル基の例及び好ましい例は、Ｒ^３において説明した「置換基を有していてもよいヘテロシクリル基」におけるヘテロシクリル基のそれらと同じであり、Ａｒ^１がとり得る「置換基を有していてもよいヘテロシクリル基」における置換基の例及び好ましい例は、Ｒ^１及びＲ^２における任意の置換基と同じである。

式（５）において、Ａｒ^１は置換基を有していてもよいアリール基であることが好ましい。

式（６）において、Ｑ^４の例及び好ましい例は、前記式（４）において説明したＱ^４のそれらと、それぞれ同じである。Ｒ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｘ及びｎの例及び好ましい例は、前記式（２）において説明したＲ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｘ及びｎのそれらと、それぞれ同じである。

式（６）において、２個のＡ^２は、好ましくは−Ｏ−で表される基、−Ｓ−で表される基、−Ｐ（Ｒ^９）−で表される基、又は−Ｃ（Ｒ^１３）＝Ｃ（Ｒ^１３）−で表される基であり、より好ましくは−Ｏ−で表される基、−Ｓ−で表される基、又は−Ｃ（Ｒ^１３）＝Ｃ（Ｒ^１３）−で表される基であり、更に好ましくは−Ｓ−で表される基、又は−Ｃ（Ｒ^１３）＝Ｃ（Ｒ^１３）−で表される基であり、特に好ましくは−Ｓ−で表される基である。
２個のＡ^２は、互いに同じでも異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。

式（６）において、Ａ^２が−Ｃ（Ｒ^１３）＝Ｃ（Ｒ^１３）−で表される基である場合、２個のＲ^１３は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、又は置換基を有していてもよい炭素原子数１〜３０のヒドロカルビル基であり、水素原子が好ましい。Ｒ^１３がとり得る「置換基を有していてもよいヒドロカルビル基」におけるヒドロカルビル基の例及び好ましい例は、Ｒ^１及びＲ^２において説明した「置換基を有していてもよいヒドロカルビル基」におけるヒドロカルビル基のそれらと同じである。Ｒ^１３がとり得る「置換基を有していてもよいヒドロカルビル基」における置換基の例及び好ましい例は、Ｒ^５における任意の置換基と同じである。

式（６）において、Ｑ^２は、好ましくはハロゲン原子、ニトロ基、前記式（２）で表される基又は有機基であり、より好ましくはハロゲン原子、前記式（２）で表される基又は有機基であり、更に好ましくは前記式（２）で表される基又は有機基であり、特に好ましくは前記式（２）で表される基である。Ｑ^２が複数個存在する場合、それらは互いに同じでも異なっていてもよい。

Ｑ^２がとり得るハロゲン原子は、好ましくはフッ素原子、塩素原子又は臭素原子であり、より好ましくはフッ素原子又は塩素原子であり、更に好ましくはフッ素原子である。

Ｑ^２がとり得る有機基としては、例えば、炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビル基、炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビルオキシ基、炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビルチオ基又は炭素原子数が１〜３０の置換シリル基が挙げられる。中でも、炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビル基、又は炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビルオキシ基が好ましく、炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビル基がより好ましい。Ｑ^２がとり得る有機基において、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基、及び置換シリル基の例及び好ましい例は、Ｒ^１及びＲ^２における任意の置換基として説明したヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、ヒドロカルビルチオ基、及び置換シリル基のそれらと、それぞれ同じである。

Ｑ^２が、前記式（２）で表される基である場合、Ｑ^２におけるＲ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｘ及びｎは、式（６）中に示されているＲ^１０、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｘ及びｎとは、互いに同じでも異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。

Ｑ^２におけるＸと、式（６）中に示されているＸは、互いに同じでも異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。

式（６）において、ｙが１である場合、Ｑ^２は、Ａ^２に直接結合する炭素原子と結合することが好ましい。

式（６）において、ｙは、好ましくは０又は１であり、更に好ましくは１である。２個のｙは、それぞれ同じでも異なっていてもよいが、同じであることが好ましい。

式（５）及び式（６）のそれぞれについて、Ｒ^１２−Ｘ間の結合は、共有結合でも配位結合でもよい。Ｒ^１２−Ｘ間の結合が複数存在する場合、それぞれ独立に、共有結合又は配位結合であってよい。

式（５）及び式（６）のそれぞれについて、ｎが０であることが好ましい。Ｑ^４が前記式（２）で表される基である場合、Ｑ^４におけるｎも、０であることが好ましい。

式（５）について、本発明の化合物の発光量子収率がより優れるので、Ｘがホウ素原子であることが好ましい。Ｑ^４が前記式（２）で表される基である場合、Ｑ^４におけるＸも、ホウ素原子であることが好ましい。
式（６）について、本発明の化合物の発光量子収率がより優れるので、式（６）におけるＸはホウ素原子であることが好ましい。Ｑ^４が前記式（２）で表される基である場合、Ｑ^４におけるＸも、ホウ素原子であることが好ましい。

式（５）及び式（６）のそれぞれについて、Ｒ^１０及びＲ^１１は、同一の基であることが好ましい。Ｑ^４が前記式（２）で表される基である場合、Ｑ^４におけるＲ^１０及びＲ^１１も、式（５）及び式（６）のそれぞれに記載されているＲ^１０及びＲ^１１と同一の基であることが好ましい。

式（５）及び式（６）のそれぞれについて、Ｘがホウ素原子であり、Ｒ^１０とＲ^１１とが同一の基であり、ｎが０であることが好ましい。

式（５）及び式（６）のそれぞれについて、Ｑ^４が、前記式（２）で表される基であり、Ｘがホウ素原子であり、Ｒ^１０とＲ^１１が同一の基であり、ｎが０であるか、又は、Ｑ^４が、炭素原子数が１〜８のヒドロカルビルチオ基であることが好ましい。

式（６）について、上記の通り、２個のｙがどちらも１であることが好ましいが、この場合、２個のＱ^２がどちらも、前記式（２）で表される基であり、Ｘがホウ素原子であり、Ｒ^１０とＲ^１１が同一の基であり、ｎが０であるか、又は、２個のＱ^２がどちらも、炭素原子数が１〜８のヒドロカルビルチオ基であることが好ましい。

式（５）で表される化合物及び式（６）で表される化合物の中でも、高い発光量子効率をより安定に示すので、前記式（５）で表される化合物が好ましい。

本発明の化合物として、例えば、以下の化合物（式１−１〜式１−４、式４−１〜式４−４、式３−１〜式３−３、式５−１〜式５−７、式６−１〜式６−１０）が挙げられる。
高い発光量子効率をより安定に示すので、式４−１〜式４−４、式３−１〜式３−３、式５−１〜式５−７、式６−１〜式６−１０のいずれかで表される化合物が好ましく、式３−１〜式３−３、式５−１〜式５−７、式６−１〜式６−１０のいずれかで表される化合物がより好ましく、式５−１〜式５−６、式６−１〜式６−１０のいずれかで表される化合物が更に好ましく、式５−１、式５−３、式６−１又は式６−５で表される化合物が特に好ましい。

本発明の化合物の構造は、融点測定、分子量測定、^１Ｈ ＮＭＲ測定、^１３Ｃ ＮＭＲ測定、^１１Ｂ ＮＭＲ測定、及びＣＨＮ元素分析等の分析手法によって確認することができる。

本発明の化合物は、一般に知られている反応を組み合わせることで合成することができ、特に限定されるものではないが、例えば、以下に示す方法により好適に製造することができる。

すなわち、一形態において、前記式（１）で表される化合物は、下記式（７）：

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^５及びＡは前記と同じ意味を表す。Ｑ^３は、前記Ｑ^１であるか、又はＱ^１前駆体である。）
で表される化合物に、２当量の有機リチウム化合物（例えば、ｎ−ブチルリチウム）を加えてジアニオンを生成させた後、下記式（８）：

（式中、Ｒ^３及びＲ^４は前記と同じ意味を表す。）
で表される化合物を加えることにより、得ることができる。

前記式（８）で表される化合物は、テトラクロロシランに対し、Ｒ^３−Ｌｉ又はＲ^３−ＭｇＣｌと、Ｒ^４−Ｌｉ又はＲ^４−ＭｇＣｌとを１当量ずつ加えて反応させることによって合成できる。なお、Ｒ^３とＲ^４は、互いに結合して、それぞれが結合する珪素原子とともに環構造を形成していてもよい。Ｒ^３とＲ^４が互いに結合して、それぞれが結合する珪素原子とともに環構造を形成している場合、例えば、テトラクロロシランに対し、Ｒ^３とＲ^４が互いに結合した構造（以下、Ｒ^３とＲ^４とから水素原子がそれぞれ１つ除かれて、Ｒ^３とＲ^４が結合した構造をＲ^３−Ｒ^４と表す。）のジアニオンである、Ｌｉ−Ｒ^３−Ｒ^４−Ｌｉ又はＭｇＣｌ−Ｒ^３−Ｒ^４−ＭｇＣｌを１当量反応させることで合成できる。

前記式（７）中のＱ^３がＱ^１前駆体である場合、Ｑ^１前駆体の構造は、一般的に知られている反応によってＱ^１の構造に変換可能である各種の形態をとることができる。

Ｑ^１前駆体の構造の一形態としては、例えば、トリメチルシリル基が挙げられる。トリメチルシリル基は、例えば、臭素と反応することで、トリメチルシリル基がブロモ基に変換される。更に、ブロモ基は、例えば、ブロモ基に対して１当量の有機リチウム化合物（例えば、ｎ−ブチルリチウム）を加えてアニオンを生成させた後、下記式（９）：

（式中、Ｒ^１０及びＲ^１１は前記と同じ意味を表す。）
で表される化合物を加えることにより、前記式（２）においてＸがホウ素原子であり、ｎが０である基に変換することができる。更に、ホウ素原子に対してＲ^１２を結合することが可能な各種試薬と反応させることによって、前記式（２）においてｎが１である基に変換することができる。例えば、前記試薬としてトリフェニルホスフィンを用いることによって、前記式（２）においてＲ^１２がトリフェニルホスフィノ基（ＰＰｈ_３）であり、ｎが１である基に変換することができる。

上述のＱ^１前駆体からの反応で得られたブロモ基はまた、触媒（例えば、酢酸パラジウム（ＩＩ）及びトリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン）の存在下、下記式（１０）：

（式中、Ｒ^１０及びＲ^１１は前記と同じ意味を表す。）
で表される化合物と反応することにより、前記式（２）においてＸが窒素原子である基に変換することができる。
こうして、所望のＱ^１を有する前記式（１）で表される化合物を合成することができる。

このようにして得られた式（１）で表される化合物は、シリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製、再結晶、再沈殿等の処理を行うことによって、単離精製することができる。

上述の合成例において、前記式（７）で表される化合物として、下記式（１１）：

（式中、Ｒ^５、Ａ、Ｑ^３、Ｑ^４及びｍは前記と同じ意味を表す。）
で表される化合物を用いることにより、前記式（４）で表される化合物を合成することができる。

また、前記式（１１）で表される化合物として下記式（１２）：

（式中、Ｑ^３及びＱ^４は前記と同じ意味を表す。）
で表される化合物を用いることにより、前記式（３）で表される化合物を合成することができる。

＜組成物＞
本発明の化合物は、単独で用いてもよいし、その他の成分と混合して組成物として用いてもよく、好ましくは組成物として用いる。組成物を形成するために用いられる前記その他の成分としては、本発明の組成物を用いて得られる素子の駆動電圧を低減することができるので、電荷輸送材料が好ましい。従って、一実施形態において、本発明の組成物は、本発明の化合物と、電荷輸送材料とを含む。この組成物は、有機電子素子を構成する有機膜の材料として用いることができ、２５℃において、液状又は固形状である。

電荷輸送材料とは、有機ＥＬ素子等の有機電子素子において電荷の運搬を担う材料をいい、例えば、正孔輸送材料及び電子輸送材料が挙げられる。電荷輸送材料は、例えば、低分子有機化合物、高分子有機化合物（高分子化合物）及びオリゴマーのいずれであってもよい。低分子有機化合物、高分子有機化合物及びオリゴマーは、いずれも共役していることが好ましい。

前記正孔輸送材料としては、例えば、フルオレン及びその誘導体、芳香族アミン及びその誘導体、カルバゾール誘導体及びポリパラフェニレン誘導体等の、有機ＥＬ素子等の有機電子素子の正孔輸送材料として用いられる公知の材料が挙げられる。

前記電子輸送材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、トリアジン誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、並びに８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体等の、有機ＥＬ素子等の有機電子素子の電子輸送材料として用いられる公知の材料が挙げられる。

本発明の組成物において、本発明の化合物の含有量は、発光強度が優れるので、電荷輸送材料１００質量部に対して、通常、０.０１質量部〜２００質量部であり、好ましくは０.１質量部〜５０質量部である。

組成物を形成するために用いられる前記その他の成分としては、溶媒又は分散媒も好ましい。

溶媒又は分散媒としては、本発明の化合物を均一に溶解又は分散することができる公知の溶媒を使用してよい。このような溶媒としては、例えば、下記が挙げられる。
芳香族炭化水素系溶媒：トルエン、キシレン（各異性体又はそれらの混合物）、１，２，３−トリメチルベンゼン、１，２，４−トリメチルベンゼン、メシチレン（１，３，５−トリメチルベンゼン）、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、ブチルベンゼン、イソブチルベンゼン、２−フェニルブタン、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、ペンチルベンゼン、ネオペンチルベンゼン、イソアミルベンゼン、ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、３−プロピルトルエン、４−プロピルトルエン、１−メチル−４−プロピルベンゼン、１，４−ジエチルベンゼン、１，４−ジプロピルベンゼン、インダン、及びテトラリン（１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン）等。
脂肪族炭化水素系溶媒：ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、及びデカリン等。
芳香族エーテル系溶媒：アニソール、エトキシベンゼン、プロポキシベンゼン、ブチロキシベンゼン、ペンチルオキシベンゼン、シクロペンチルオキシベンゼン、ヘキシルオキシベンゼン、シクロヘキシルオキシベンゼン、ヘプチルオキシベンゼン、オクチルオキシベンゼン、２−メチルアニソール、３−メチルアニソール、４−メチルアニソール、４−エチルアニソール、４−プロピルアニソール、４−ブチルアニソール、４−ペンチルアニソール、４−ヘキシルアニソール、ジフェニルエーテル、４−フェノキシトルエン、３−フェノキシトルエン、１，３−ジメトキシベンゼン、２，６−ジメチルアニソール、２，５−ジメチルアニソール、２，３−ジメチルアニソール、及び３，５−ジメチルアニソール等。
脂肪族エーテル系溶媒：テトラヒドロフラン、ジオキサン、及びジオキソラン等。
ケトン系溶媒：アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、及びアセトフェノン等。
エステル系溶媒：酢酸エチル、酢酸ブチル、安息香酸メチル、及びエチルセルソルブアセテート等。
塩素系溶媒：塩化メチレン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、及びｏ−ジクロロベンゼン等。
アルコール系溶媒：メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、及びシクロヘキサノール等。
多価アルコール及びその誘導体：エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、及び１，２−ヘキサンジオール等。
非プロトン性極性溶媒：ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ニトロメタン、炭酸プロピレン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、及びＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等。

溶媒は、単独溶媒でも混合溶媒でもよいが、成膜性が良好になるので、混合溶媒を用いることが好ましい。溶媒は、洗浄、蒸留及び吸着剤への接触等の精製方法により精製したものを用いてもよい。

溶媒又は分散媒を含む本発明の組成物によれば、本発明の化合物を含む有機膜を容易に製造することができ、有機ＥＬ素子等の有機電子素子を容易に製造することができる。例えば、溶媒又は分散媒を含む本発明の組成物を基板上に塗布して、加熱、送風又は減圧によって溶媒又は分散媒を留去することにより、本発明の化合物を含む有機膜が得られる。溶媒の留去の条件は、使用される溶媒に応じて変更することができる。該条件としては、例えば、４０〜１５０℃程度の雰囲気温度（加熱雰囲気）、及び１０^-3Ｐａ程度の減圧雰囲気が挙げられる。

溶媒又は分散媒を含む組成物中の本発明の化合物の含有量は、通常、０．０１〜２０質量％であり、０．１〜５質量％であることが好ましい。

本発明の組成物において、本発明の化合物及び前記電荷輸送材料は、各々、１種単独で用いても２種以上を併用してもよい。

＜有機膜＞
本発明の化合物は、有機膜の形状で用いることが好ましい。該有機膜は本発明の化合物を含有し、例えば、溶媒又は分散媒を含む組成物を用いて、スピンコート法等の塗布法により、塗布成膜することができる。

前記有機膜は、有機電子素子において、例えば、発光性膜（発光層）、導電性膜（電極）、及び有機半導体膜（活性層）として使用できる。

前記有機膜の厚さは、通常、１ｎｍ〜５００ｎｍであり、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

＜有機電子素子＞
本発明の有機電子素子は、本発明の化合物又は本発明の組成物を用いてなる。本発明の有機電子素子としては、例えば、本発明の化合物又は本発明の組成物を用いてなる機能層を備える発光素子、スイッチング素子及び光電変換素子が挙げられる。
以下、その代表的なものとして、本発明の有機電子素子が発光素子である場合（以下、「本発明の発光素子」ともいう。）について説明する。

［発光素子］
本発明の発光素子は、陽極及び陰極からなる電極間に、発光層を有する。発光層は、発光する機能を有する層である。

本発明の発光素子は、発光効率及び耐久性を向上させるために、発光層以外の層を含んでいてもよい。発光層以外の層としては、例えば、電荷輸送層、電荷注入層及び電荷阻止層が挙げられる。なお、各層は、１層からなるものでも２層以上からなるものでもよい。

電荷輸送層は、電荷（正孔又は電子）を輸送する機能を有する層であり、その中でも、正孔を輸送する機能を有する層を正孔輸送層といい、電子輸送する機能を有する層を電子輸送層という。電荷注入層は、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、発光素子の駆動電圧を下げる効果を奏する層であり、その中でも、陽極からの正孔注入効率を改善する機能を有する層を正孔注入層といい、陰極からの電子注入効率を改善する機能を有する層を電子注入層という。電荷阻止層は、電荷を発光層に閉じ込める機能を有する層であり、その中でも、電子を輸送し正孔を発光層に閉じ込める機能を有する層を正孔阻止層といい、正孔を輸送し電子を発光層に閉じ込める機能を有する層を電子阻止層という。なお、正孔輸送層及び／又は正孔注入層が電子の輸送を堰き止め電子を発光層に閉じ込める機能を有する場合には、これらの層が電子阻止層を兼ねてもよい。
また、電子輸送層及び／又は電子注入層が正孔の輸送を堰き止め正孔を発光層に閉じ込める機能を有する場合には、これらの層が正孔阻止層を兼ねてもよい。

本発明の発光素子の構造としては、例えば、以下のａ）〜ｑ）の構造が挙げられる。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／発光層／正孔阻止層／陰極
ｅ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｆ）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
ｇ）陽極／発光層／電子注入層／陰極
ｈ）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
ｉ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｊ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｋ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
ｌ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／陰極
ｍ）陽極／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｎ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｏ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ｐ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ｑ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
ここで、記号「／」は、これを挟んで両側に記載された各層が隣接して積層されていることを示す。なお、発光層、正孔輸送層及び電子輸送層は、それぞれ独立に、２層以上用いてもよい。

本発明の発光素子は、電極との密着性向上のために、又は、電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して絶縁層を更に有していてもよい。上記絶縁層に用いる材料としては、例えば、金属フッ化物、金属酸化物、及び有機絶縁材料が挙げられる。絶縁層の厚さは、通常、２ｎｍ以下である。絶縁層を有する発光素子としては、例えば、陰極に隣接して上記絶縁層を有する発光素子、及び陽極に隣接して上記絶縁層を有する発光素子が挙げられる。本発明の発光素子はまた、界面の密着性向上や混合の防止のために、互いに隣接する各層間に薄いバッファー層が挿入されていてもよい。バッファー層としては、例えば、陽極に隣接して導電性高分子化合物を含む層が挙げられる。

本発明の発光素子の発光層は、本発明の化合物又は本発明の組成物を用いてなる。該発光層は、本発明の組成物における一成分として、その他の発光材料を含んでいてもよい。
その他の発光材料としては、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系色素、キサンテン系色素、クマリン系色素及びシアニン系色素等の色素類、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、並びにテトラフェニルブタジエン及びその誘導体が挙げられる。

発光層はまた、本発明の組成物の一成分として、本発明の化合物をゲスト材料とするホスト材料を含有してもよい。ホスト材料としては、例えば、フルオレン骨格を有する化合物、カルバゾール骨格を有する化合物、ジアリールアミン骨格を有する化合物、ピリジン骨格を有する化合物、ピラジン骨格を有する化合物、トリアジン骨格を有する化合物及びアリールシラン骨格を有する化合物が挙げられる。ホスト材料のＴ１（最低三重項励起状態のエネルギーレベル）は、ゲスト材料のＴ１より大きいことが好ましく、その差が０．２ｅＶよりも大きいことが更に好ましい。ホスト材料は、低分子化合物及び高分子化合物のいずれでもよい。前記ホスト材料と、本発明の化合物又は本発明の組成物とを混合して塗布するか、又は蒸着することによって、発光層を形成してよい。

発光層中の本発明の化合物の含有量は、発光層全体の質量を１００質量部としたとき、通常、０．０１〜１００質量部であり、０．１〜７０質量部であることが好ましく、１〜３０質量部であることがより好ましい。

発光層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率とが適度な値となるように選択すればよい。発光層の厚さは、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは１ｎｍ〜５００ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

正孔輸送層に用いる材料としては、例えば、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン残基を有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体、ポリアミノフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）及びその誘導体、並びにポリ（２，５−チエニレンビニレン）及びその誘導体が挙げられる。

正孔輸送層の厚さは、発光効率と駆動電圧とが適度な値となるように設定され、用いる材料によって最適値が異なるが、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

電子輸送層に用いる材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、トリアジン誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、並びにポリフルオレン及びその誘導体が挙げられる。

電子輸送層の厚さは、発光効率と駆動電圧とが適度な値となるように設定され、用いる材料によって最適値が異なるが、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

正孔注入層の材料としては、例えば、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー及びポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマーが挙げられる。

正孔注入層の厚さは、発光効率と駆動電圧とが適度な値となるように設定され、用いる材料によって最適値が異なるが、通常、１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

電子注入層の材料は、電極の材料及び／又は該電子注入層と隣接する層の材料との関係に応じて選択すればよい。電子注入層の材料としては、例えば、ポリアニリン及びその誘導体、ポリアミノフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子、金属フタロシアニン、並びにカーボンが挙げられる。

電子注入層の厚さは、通常、１ｎｍ〜１００ｎｍであり、好ましくは１ｎｍ〜５０ｎｍであり、より好ましくは１ｎｍ〜１０ｎｍである。

上記各層は隣接する層又は基板上に形成される。上記各層の形成方法としては、例えば、真空蒸着法（抵抗加熱蒸着法、電子ビーム法等）、スパッタリング法、ＬＢ法、分子積層法及び塗布法が挙げられ、製造プロセスをより簡便にできるので、塗布法が好ましい。

上記各層を形成するために用い得る塗布法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、ディップコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法及びインクジェット印刷法が挙げられ、ロールコート法、スプレーコート法、フレキソ印刷法及びインクジェット印刷法が好ましい。

本発明の発光素子は、通常、基板を用いて形成される。基板の一方の面に電極が形成され、更に発光素子の各層が形成される。上記基板としては、例えば、ガラス、プラスチック、及びシリコン等の材質の基板、高分子フィルムの基板が挙げられる。

本発明の発光素子に含まれる陽極及び陰極は、通常、透明又は半透明のものであるが、陽極が透明又は半透明のものであることが好ましい。

陽極に用いる材料としては、例えば、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜、及び透明の有機導電膜が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等、アンチモンスズ酸化物、ＮＥＳＡ、金、白金、銀、銅、ポリアニリン及びその誘導体、並びにポリアミノフェン及びその誘導体である。

陽極の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法及びメッキ法が挙げられる。２層以上の積層構造の陽極を形成してもよい。

陽極の厚さは、光の透過性と電気伝導度とを考慮して調整され、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、より好ましくは４０ｎｍ〜５００ｎｍである。

陰極に用いる材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましく、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム及びイッテルビウム等の金属；それらの金属からなる群から選ばれる２つ以上の金属の合金；それらの金属からなる群から選ばれる１種以上の金属と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン及び錫からなる群から選ばれる１種以上の金属との合金；グラファイト；及びグラファイト層間化合物が挙げられる。

陰極の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、及び、金属薄膜を熱圧着するラミネート法が挙げられる。また、２層以上の積層構造の陰極を形成してもよい。

陰極の厚さは、電気伝導度と耐久性とを考慮して調整され、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、より好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

本発明の発光素子では、素子を外部から保護して長期安定的に使用するために、陰極形成後、発光素子を保護する保護層又は保護カバーを設けることが好ましい。保護層に用いる材料としては、例えば、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物及び金属ホウ化物が挙げられる。保護カバーとしては、例えば、ガラス板、及び、表面に低透水率処理を施したプラスチック板が挙げられる。これらのうち、保護カバーを、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂を用いて素子と貼り合わせて、素子を密閉することが好ましい。

本発明の発光素子は、例えば、面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置のバックライト、照明に有用である。

［光電変換素子］
本発明の化合物又は本発明の組成物は、光電変換素子に用いることもできる。

光電変換素子は、通常、陽極、陰極及び電荷分離層を有する。電荷分離層は、陽極と陰極との間に位置する。光電変換素子は、陽極と陰極との間に、電荷分離層以外の任意の層を有していてもよい。本発明の化合物又は本発明の組成物は、電荷分離層の作製に用いてもよいし、電荷分離層以外の任意の層の作製に用いてもよい。

陰極及び陽極の材料及び例は、発光素子の項で説明した陰極及び陽極の材料及び例と同じである。陽極及びは陰極の形状は、限定されず、櫛型であってもよい。陽極及び陰極は、透明又は半透明のいずれでもよい。

光電変換素子の電荷分離層には、通常、電子供与性化合物と電子受容性化合物とが含まれている。

電子供与性化合物としては、例えば、共役高分子化合物が挙げられる。該共役高分子化合物としては、例えば、チオフェンジイル基を含む共役高分子化合物及びフルオレンジイル基を含む共役高分子化合物が挙げられる。

電子受容性化合物としては、例えば、フラーレン及びフラーレン誘導体が挙げられる。

光電変換素子は、通常、基板を用いて形成される。基板の例は、発光素子の項で説明した基板の例と同じである。

光電変換素子は、太陽電池であることが好ましい。

以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明するが、本発明は、以下の実施例に何ら限定されるものではない。

＜実施例１＞
シロール誘導体５−１の合成

滴下ロート、還流管及び三方コックを備えた二口ナス形フラスコに２，６−ジブロモ−４，４−ジフェニルジチエノシロール（０．３２ｇ、０．６４ｍｍｏｌ）を入れ、装置内の気体をアルゴンガスで置換した。次いで、ジエチルエーテル１０ｍＬを加え−８０℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウムのへキサン溶液（１．６５ｍｏｌ／Ｌ）を０．８ｍＬ加え、室温に戻して１時間撹拌した。その後、反応液を−８０℃に冷却し、ジメシチルフルオロボラン（０．３３ｇ、１．２８ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル溶液を加え、室温に戻して１時間撹拌した。その後、反応液に水を加えて抽出し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過した。ろ液から溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：へキサン／クロロホルム＝３／１（体積基準））で精製し、シロール誘導体５−１を０．３６ｇ（収率６６％）得た。

得られたシロール誘導体５−１の融点、ＥＳＩ−ＭＳ、^１Ｈ ＮＭＲ、^１３Ｃ ＮＭＲ、^１１Ｂ ＮＭＲ、及びＣＨ元素分析のデータを下記に示す。

融点 ３１６．０〜３１７．８℃；
ＥＳＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ） ８６５．４（［Ｍ＋Ｎａ］^＋）；
^１Ｈ ＮＭＲ（ｉｎ ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝２．１４（ｓ，２４Ｈ），２．３０（ｓ，１２Ｈ），６．８２（ｓ，８Ｈ），７．３２−７．４４（ｍ，６Ｈ），７．５６−７．５９（ｍ，４Ｈ），７．６２（ｓ，２Ｈ）；^１３Ｃ ＮＭＲ（ｉｎ ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝２１．２４，２３．５９，１２８．１６，１２８．２１，１３０．４３，１３１．３８，１３５．４０，１３８．５６，１４０．７９，１４３．９７，１４４．９６，１５４．７７，１６２．３４；
^１１Ｂ ＮＭＲ（ｉｎ ＣＤＣｌ_３ ｆｒｏｍ ＢＦ_３・Ｅｔ_２Ｏ）：δ（ｐｐｍ）＝６７．４７（ｂｒｏａｄ）；
Ａｎａｌ．Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ_５６Ｈ_５６Ｂ_２Ｓ_２Ｓｉ：Ｃ，７９．８０；Ｈ，６．７０． Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，７９．８１；Ｈ，６．７２．

なお、シロール誘導体５−１のＥＳＩ−ＭＳスペクトルは、Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製のＬＴＱ Ｏｒｂｉｔｒａｐを用いて測定した。^１Ｈ ＮＭＲスペクトルは、Ｖａｒｉａｎ社製４００ＭＲを用いて測定した。^１３Ｃ ＮＭＲ及び^１１Ｂ ＮＭＲスペクトルは、Ｖａｒｉａｎ社製Ｓｙｓｔｅｍ５００を用いて測定した。

また、２，６−ジブロモ−４，４−ジフェニルジチエノシロールは、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ １８，１４５３−１４５９（１９９９）に記載の方法に従って合成した。

＜合成例１＞
２，２’，６，６’−テトラブロモ−４，４’−スピロビス（ジチエノシロール）の合成

２，２’，６，６’−テトラキス（トリメチルシリル）−４，４’−スピロビス（ジチエノシロール）（４．００ｇ、６．２０ｍｍｏｌ）をジエチルエーテル６０ｍＬに溶解させた後、−８０℃に冷却して、臭素（３．６９ｇ、２４．８ｍｍｏｌ）を加えた。その後、反応液を室温に戻し、３０分撹拌した。その後、反応液から溶媒を留去し、残渣をｎ−へキサンで洗い、２，２’，６，６’−テトラブロモ−４，４’−スピロビス（ジチエノシロール）を３．４０ｇ（収率８２％）得た。

得られた２，２’，６，６’−テトラブロモ−４，４’−スピロビス（ジチエノシロール）の融点、^１Ｈ ＮＭＲ、^１３Ｃ ＮＭＲ、及びＣＨ元素分析のデータを下記に示す。

融点 ＞３００℃；
^１Ｈ ＮＭＲ（ｉｎ ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝６．８７（ｓ）；
^１３Ｃ ＮＭＲ（ｉｎ ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝１１２．８５，１３２．１８，１３２．２２，１５３．２７；
Ａｎａｌ． Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ_１４Ｈ_４Ｂｒ_４Ｓ_４Ｓｉ：Ｃ，２８．２９；Ｈ，０．６０． Ｆｏｕｎｄ：Ｃ，２８．５３；Ｈ，０．６５．

なお、２，２’，６，６’−テトラブロモ−４，４’−スピロビス（ジチエノシロール）の^１Ｈ ＮＭＲ及び^１３Ｃ ＮＭＲスペクトルは、日本電子社製ＬＡ−４００を用いて測定した。

また、２，２’，６，６’−テトラキス（トリメチルシリル）−４，４’−スピロビス（ジチエノシロール）は、特開第２００５−２５５５７３号公報に記載の方法で合成した。

＜実施例２＞
シロール誘導体６−１の合成

滴下ロート、還流管及び三方コックを備えた二口ナス形フラスコに２，２’，６，６’−テトラブロモ−４，４’−スピロビス（ジチエノシロール）（０．５０ｇ、０．７４ｍｍｏｌ）を入れ、装置内の気体をアルゴンガスで置換した。次いで、ジエチルエーテル７０ｍＬを加え−８０℃に冷却し、ｓｅｃ−ブチルリチウムのへキサン溶液（１．０ｍｏｌ／Ｌ）を３．０ｍＬ加え、−８０℃のまま３０分撹拌した。その後、−８０℃において、ジメシチルフルオロボラン（０．８０ｇ、３．０ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル溶液を加え、室温に戻して一晩撹拌した。その後、反応液をろ過し、ろ液に水を加えて抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、ろ過し、ろ液から溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：へキサン／クロロホルム＝３／１（体積基準））で精製し、シロール誘導体６−１を３２ｍｇ（収率３％）得た。

得られたシロール誘導体６−１のＦＡＢ−ＭＳ、及び^１Ｈ ＮＭＲのデータを下記に示す。

ＦＡＢ−ＭＳ（ｍ／ｚ） １３４８（Ｍ＋）；
^１Ｈ ＮＭＲ（ｉｎ ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝２．１２（ｓ，４８Ｈ），２．２８（ｓ，２４Ｈ），６．８０（ｓ，１６Ｈ），７．２４（ｓ，４Ｈ）．

なお、シロール誘導体６−１のＦＡＢ−ＭＳスペクトルは、日本電子社製ＳＸ１０２Ａ型二重収束質量分析計を用いて測定した。^１Ｈ ＮＭＲスペクトルは、Ｖａｒｉａｎ社製Ｓｙｓｔｅｍ５００を用いて測定した。

＜実施例３＞
シロール誘導体５−７の合成

滴下ロート、還流管及び三方コックを備えた二口ナス形フラスコに２−ジブロモ−６−メチルチオ−４，４−ジフェニルジチエノシロール（０．３５ｇ、０．７４ｍｍｏｌ）を入れ、装置内の気体をアルゴンガスで置換した。次いで、ジエチルエーテル２０ｍＬを加え−８０℃に冷却し、ｎ−ブチルリチウムのへキサン溶液（１．６５ｍｏｌ／Ｌ）を０．４５ｍＬ加え、室温に戻して１時間撹拌した。その後、反応液を０℃に冷却し、ジメシチルフルオロボラン（０．２０ｇ、０．７５ｍｍｏｌ）のジエチルエーテル溶液を加え、室温に戻して一晩撹拌した。その後、反応液に水を加えて抽出し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過した。ろ液から溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：へキサン／クロロホルム＝２０／１（体積基準））で精製し、シロール誘導体５−７を０．０８２ｇ（収率１８％）得た。

得られたシロール誘導体５−７の融点、Ｅｘａｃｔ−ＭＳ、^１Ｈ ＮＭＲ、^１３Ｃ ＮＭＲ、及び^１１Ｂ ＮＭＲのデータを下記に示す。

融点 ２２２．７〜２２４．３℃；
Ｅｘａｃｔ−ＭＳ Ｃａｌｃｄ ｆｏｒ Ｃ_３９Ｈ_３７ＢＳ_３Ｓｉ（Ｍ^＋）：６４０．１９１４２． Ｆｏｕｎｄ：６４０．１９１４１．
^１Ｈ ＮＭＲ（ｉｎ ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝２．１６（ｓ，１２Ｈ），２．３０（ｓ，６Ｈ），２．５１（ｓ，３Ｈ），６．８３（ｓ，４Ｈ），７．２１（ｓ，１Ｈ），７．３３−７．４３（ｍ，６Ｈ），７．５６−７．６０（ｍ，５Ｈ）；^１３Ｃ ＮＭＲ（ｉｎ ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝２１．２３，２２．４５，２３．５７，１２８．１９，１２８．２１，１３０．４８，１３１．２３，１３３．９７，１３５．３８，１３８．４２，１４１．１７，１４１．７７，１４３．４１，１４４．０６，１５１．７１，１６２．９４；
^１１Ｂ ＮＭＲ（ｉｎ ＣＤＣｌ_３ ｆｒｏｍ ＢＦ_３・Ｅｔ_２Ｏ）：δ（ｐｐｍ）＝６６．８１（ｂｒｏａｄ）．

なお、シロール誘導体５−７のＥｘａｃｔ−ＭＳは、Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｓｈｅｒ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製のＬＴＱ Ｏｒｂｉｔｒａｐ ＸＬを用いて測定した。^１Ｈ ＮＭＲスペクトルは、Ｖａｒｉａｎ社製４００ＭＲを用いて測定した。^１３Ｃ ＮＭＲ及び^１１Ｂ ＮＭＲスペクトルは、Ｖａｒｉａｎ社製Ｓｙｓｔｅｍ５００を用いて測定した。

また、２−ジブロモ−６−メチルチオ−４，４−ジフェニルジチエノシロールは、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ ２５，１５１１−１５１６（２００６）に記載の方法に従って合成した。

［光学特性］
シロール誘導体５−１の発光量子効率は、クロロホルム溶液（濃度：５．２×１０^−６ｍｏｌ／Ｌ）の状態で９０％、固体（粉体）の状態で８３％であった。

シロール誘導体５−７の発光量子効率は、クロロホルム溶液（濃度：５．０×１０^−６ｍｏｌ／Ｌ）の状態で８３％、固体（粉体）の状態で５８％であった。
なお、発光量子効率は、浜松ホトニクス社製のＣ９９２０−０１を用いて測定した。

＜比較例１＞

上述の非特許文献１に記載されている、置換基としてジフェニルホスフィノイル基を有するシロール誘導体２ａの発光量子効率は、クロロホルム溶液の状態では８５％と高い値を示すが、固体（粉体）の状態では４１％となり、溶液状態の半分以下の値に低下する。

＜測定例１＞
シロール誘導体５−１のＴＨＦ溶液（濃度：５．０×１０^−６ｍｏｌ／Ｌ）を調製した。この溶液の吸収スペクトルを測定したところ、４４０ｎｍ及び４１８ｎｍに吸収ピークを示した。この溶液に、テトラブチルアンモニウムフルオリドをシロール誘導体５−１に対して４当量添加したところ、吸収ピークは４５５ｎｍのみとなった。これにより、シロール誘導体５−１が、センサー材料としての特性を示すことが明らかとなった。

なお、測定例１における吸収スペクトルの測定は、ＳＨＩＭＡＤＺＵ社製のＵＶ−３１５０を用いた。

これらの結果から、本発明の化合物は、溶液状態及び粉体状態の両状態で安定して、高い発光量子効率を示す。よって、本発明の化合物は、加工プロセスによらず安定な品質を示すので、有機電子素子材料として好適に利用できる。

Claims (9)

1. 下記式（１）で表される化合物。
   

   

   （式（１）中、
   Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は有機基である。Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立に、水素原子又は有機基である。Ｒ^１とＲ^２は結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環構造を形成してもよく、Ｒ^１とＲ^２が結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに形成する環構造は置換基を有していてもよい。Ｒ^３とＲ^４は結合して、それぞれが結合する珪素原子とともに環構造を形成してもよく、Ｒ^３とＲ^４が結合して、それぞれが結合する珪素原子とともに形成する環構造は置換基を有していてもよい。
   Ｒ^５は、水素原子、ハロゲン原子又は有機基である。
   Ａは、−Ｏ−で表される基、−Ｓ−で表される基、−Ｎ（Ｒ^６）−で表される基、−Ｃ（Ｒ^７）_２−で表される基、−Ｓｉ（Ｒ^８）_２−で表される基、又は−Ｐ（Ｒ^９）−で表される基である。Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８及びＲ^９は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を有していてもよいヒドロカルビル基である。２個のＲ^７は、互いに同じでも異なっていてもよく、結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環構造を形成してもよく、２個のＲ^８は、互いに同じでも異なっていてもよく、結合して、それぞれが結合する珪素原子とともに環構造を形成してもよい。
   Ｑ^１は、下記式（２）で表される基である。）
   

   

   （式（２）中、
   Ｘは、ホウ素原子である。
   Ｒ^１０及びＲ^１１は、水素原子又は置換基を有していてもよいヒドロカルビル基であり、同一の基である。Ｒ^１２は、有機基である。Ｒ^１０とＲ^１１は結合して、それぞれが結合するＸとともに環構造を形成してもよい。
   ｎは、０である。）
2. 前記式（１）で表される化合物が、下記式（４）で表される化合物である、請求項１に記載の化合物。
   

   

   （式（４）中、
   Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ａ及びＱ^１は、前記と同じ意味を表す。
   Ｑ^４は、ハロゲン原子、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、スルホ基、−ＯＰ（＝Ｏ）（ＯＨ）_２で表される基、−ＯＰ（ＯＨ）_２で表される基、前記式（２）で表される基又は有機基である。
   ２個のＲ^５は、互いに同じでも異なっていてもよく、２個のＡは、互いに同じでも異なっていてもよい。
   ｍは０又は１である。）
3. 前記式（４）で表される化合物が、下記式（３）で表される化合物である、請求項２に記載の化合物。
   

   

   （式（３）中、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｑ^１及びＱ^４は、前記と同じ意味を表す。）
4. Ｒ^３及びＲ^４が、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基、又は、置換基を有していてもよいヘテロシクリル基であり、
   Ｑ ^４ が、前記式（２）で表される基、又は、炭素原子数が１〜３０のヒドロカルビルチオ基である、請求項２又は３に記載の化合物。
5. Ｑ^４が、前記式（２）で表される基であり、Ｘがホウ素原子であり、Ｒ^１０とＲ^１１が同一の基であり、ｎが０である、請求項２〜４のいずれか一項に記載の化合物。
6. Ｑ^４が、炭素原子数が１〜８のヒドロカルビルチオ基である、請求項２〜４のいずれか一項に記載の化合物。
7. Ｒ^３及びＲ^４が、それぞれ独立に、置換基を有していてもよいフェニル基、又は置換基を有していてもよいチエニル基である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の化合物。
8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の化合物を含む、組成物。
9. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の化合物、又は請求項８に記載の組成物を用いてなる、有機電子素子。