WO2004086424A1

WO2004086424A1 - フェライト磁石およびその製造方法

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Publication number: WO2004086424A1
Application number: PCT/JP2003/008830
Authority: WO
Inventors: Osamu Kobayashi
Original assignee: Minebea Co., Ltd.
Priority date: 2003-03-25
Filing date: 2003-07-11
Publication date: 2004-10-07
Also published as: CN100377266C; CN1759457A; JP2004296502A

Abstract

式（Ｓｒ１−ｘＡｘ）Ｏ・ｎ［（Ｆｅ３＋１−ｙＦｅ２＋ｙ）２Ｏ３］で表されるマグネトプランバイト単相からなり、この式において、Ａは希土類元素から選択される少なくとも一種であり、ｘ、ｙおよびｎはモル比を表し、それぞれが、０＜ｘ≦０.６、０＜ｙ≦０.０５、５.７≦ｎ≦６.０の範囲にある構成とし、焼結時、前記式で表されるマグネトプランバイトの単相を生成させるように還元性雰囲気を制御する。

Description

明細書フェライト磁石およびその製造方法技術分野

本発明は、マグネトプランパイト型結晶構造を有するフェライト磁石およびその製造方法に関する。背景技術

フェライト磁石は様々な産業分野において使用されており、特に、最近の自動車の電装ィヒおよび I τ化は自動車部品用磁石の需要を増大させている。自動車部品に磁石を用いる場合は、部品の小型化、軽量ィ匕という命題が避けられないため磁石特性に優れた磁石の使用が必要不可欠となり、例えば各種電装用モータに使用されるフェライト磁石についても磁石特性のより一層の向上が求められている。磁石特性に優れたフェライト磁石としては、マグネトプランバイト型（以下、

M型と呼ぶ）結晶構造を有するものが従来より知られている。そして、この M型フェライト磁石に関する研究も数多く為されているが、現在実用化されているものは、式 S r〇 · 11 F e ₂〇₃で表される S rフェライト磁石、並びに式 B a O · n F e ₂ 0 ₃で表される B aフェライト磁石の二種類がある (各式中、 nはそれぞれ S r Oまたは B a Oに対する F e ₂0 ₃のモル比を表す）。なかんずく、 S rフェライト磁石は高い磁石特性を発揮することが確認されている。この場合、 M相を構成する成分中の S r Oに対する F e ₂ 0 ₃のモル比 n ( n = F e ₂ 0 ₃/ S r O) の化学量論組成は 6 . 0であるが、現在量産されている S rフェライト磁石は、化学量論組成よりも遥かに S r Oが過剰である組成領域、例えば nが 5 . 2ないし 5 . 6程度の組成領域が選択されている。この選択範囲よりも F e ₂ 0 ₃ が多い組成領域ほど焼結性に乏しいことが知られている。このため、上記したよりも F e ₂ 0 ₃が多い組成領域の磁石を作製しようとすれば焼結温度を高く設定しなければならず、著しい結晶成長を伴ってしまう。これは磁石特性の内、保磁力の大幅な低下を招く。また、磁石特性を向上させるため、あるいは焼結性を改善するために、例えば

S i〇₂、 Ca C0₃、 A 1₂0₃、 C r ₂ O ₃等の添加物を 1〜 3 mass%程度カロえることも多い。

上記（n = 5.2〜5.6) のような S r O過剰の組成領域では当然のことながら原料となる高価な S r C〇₃が多量に必要となり、その分原材料の価格が高くなるため工業上問題が大きい。逆に、 F e ₂〇₃組成を大きくすればするほど残留磁束密度を大きくできる可能性があるが、上述した焼結性の問題がある。

高性能な磁石を得たい場合、保磁力、残留磁束密度とも大きくする必要があり、焼結密度を上げること、均一で微細な結晶粒を得ることが重要になる。高い焼結密度を得るためには高温で焼結する必要があるが、その場合、結晶粒が成長してしまうためこの方法は現実的でない。上述したように、焼結性を改善するために、例えば S i 0₂、 C a C〇₃、 A 1₂O₃、 C r ₂0₃等の添加物が使用されている。この他、同じく焼結性を改善するために希土類元素の酸化物を添加するという報告 (例えば、特公昭 29— 5139号公報参照) もある。

さらに磁気異方性を大きくする目的で希土類元素だけでなく同時にコバルトを添加した磁気記録材料が報告されている（例えば、特開昭 62— 1 19760号公報参照)。希土類元素の添加は焼結性を向上させるものの、希土類元素には + 3価のイオンとなるものが多く、これらが M相中の S r ^{2 +}または B a ^{2 +}のサイトに固溶して M相中のィオンバランスを崩す原因となる。しかしながら、 M相中の F e ³⁺サイトに C o ^{2 +}を固溶させることにより、前記イオンパランスの崩れを軽減して M相を安定化させることも可能となった。その後、全く同じ技術思想にてフェライト磁石および磁気記録材料の特許が権利化されている (例えば、特開平 10— 149910号公報および特開平 1 1一 154604号公報参照）。しかしながら、高価なコバルトを併用しているため原材料の価格はさらに高くなつてしまう。膜として使用する磁気記録材料の場合はともかく、パルクとして使用する磁石の場合は工業上問題である。

上述したように、 S rフェライト磁石においては、 31：0に対する 6 ₂0₃ のモル比 nが 5.2ないし 5.6程度の組成領域にて量産されている。これよりも nが大きい領域から化学量論組成である n = 6.0付近になると、フェライト磁石の焼結性が著しく低下するためである。さらには、 n > 6となる組成領域ではマグネトプランパイト相の単相にはならないと一般的にいわれている。

例えば、モル比 nが 5 . 6よりも大きい組成領域を選択し、通常に用いられている温度 ( 1 1 5 0 °C程度）で焼結すると、十分に焼結密度を上げることは難しい。さらに、モル比 nが 6 . 0よりも大きい組成領域を選択すれば、フェライト磁石中に F e ₂0 ₃相等の異相が残留し、十分な磁石特性を得ることはできない。他方、低い焼結性を捕うために高温で焼結すると、焼結密度は高くなるものの、結晶粒が大きく成長して磁石特性の低下を招いてしまう。従って、従来の S r系フェライト磁石は、化学量論組成よりも遥かに S r Oが過剰である組成領域、例えば nが 5 . 2ないし 5 . 6程度の組成領域で製造されている。すなわち、従来一般のフェライト磁石は高価な S r Oを過剰に含む組成となっており、その分製品価格が高くなるという問題があつた。

また、コバルトを添加したフェライト磁石は、その磁石特性については比較的良好であるけれども、材料として高価なコバルトを使用するため製造费用が高騰する。

本発明は上記のような従来技術の現状を考慮して為されたものであり、その課題は、化学量論組成付近の組成領域でも優れた磁石特性を有する安価なフヱライト磁石とその製造方法とを提供することにある。発明の開示 '

本発明者は鋭意研究を行った結果、希土類元素を少量添加すると共に、仮焼時あるいは焼結時、適切な還元性雰囲気となるように酸素濃度を制御することによつて、化学量論組成付近の領域であっても一般的に選択されている焼結温度にて十分に焼結が進行し、結晶成長もさほど促進されないことを見出した。また、適切な還元性雰囲気となるように酸素濃度を制御することによって F e ³ +の一部が還元されて F e ^{2 +}になり、 C o等を添カ卩しなくても希土類イオンと電気的なパランスを保てること見出した。さらには、このように電気的なパランスを保てる結果 F e ₂0 ₃相や、 S r O相の残留を極力抑制できること見出した。

本発明は、上記した知見に基づいてなされたもので、本発明に係るフェライト磁石は、式（S r !__XA_X) O · n [(F e ^{3 +} _x__yF e ^{2 +} _y) ₂0₃] で表される M 型結晶構造の単相からなり、この式において、 Aは希土類元素から選択される少なくとも一種であり、 x、 yおよび nはモル比を表し、それぞれが、 0く χ^Ο. 6、 0<y≤0.05, 5.7≤n≤ 6.0の範囲にあることを特徴とする。

このように構成したフェライト磁石においては、化学量論組成付近の組成領域であっても F e ²⁺が生成されるため M型単相の均一微細な結晶組織が得られ、かつ F e ^{2 +}は大きな磁気異方性を示すため磁石特性が向上する。しかも、化学量論組成付近の組成領域となっているので、高価な S r C〇₃原料の使用量が可及的に削減する。

請求項 2に係るフェライトフェライト磁石は、請求項 1に記載のフェライト磁石において、 S i O₂ : 0.0 1〜0.5 mass%、 C a C O ₃ ： 0.0 1〜1.0 mass%、 A 1₂0₃： 0.01〜2.0 mass%、 C r ₂0₃： 0.01〜2.0 mass% のうちの少なくとも一種をさらに含有することを特徴とする。本発明では、上記の微量成分をさらに含有することにより、フェライト磁石の磁石特性および焼結反応性を向上させることができる。

請求項 3に係る発明はフェライト磁石の製造方法であり、 S r C0₃、 F e ₂ O ₃ならびに A₂0₃の各原料粉末を秤量、混合し、還元性雰囲気下で仮焼することにより得られた粉末を成形して成形体とし、該成形体を還元性雰囲気下で焼結させることにより、式（S rト _XA_X) O · n [(F e ^{3 +}ト _yF e ^{2 +} _y) ₂〇₃] で表されるマグネトプランパイト型結晶構造の単相を生成させることを特徴とする。なお、この式において、 Aは希土類元素から選択される少なくとも一種であり、 x、 yおよび nはモル比を表し、それぞれが、 0 < x≤ 0.6、 0<y≤0.05, 5.7≤n≤ 6.0の範囲にある。

このように本発明に係るフェライト磁石の製造方法は、仮焼時あるいは焼結時、 M相中の F e ³ +の一部を還元して F e ^{2 +}を生成するよう還元性雰囲気下で制御することを特 =ί敷とする。ここにおいて生成した F e ²⁺と、もともと含有している + 3価の希土類元素ィオンとによって M型結晶構造中のィオンパランスが保たれる。すなわち仮焼時あるいは焼結時の雰囲気酸素濃度が低すぎる場合、 F e ² +の生成量が多くなり、 2 n y》xとなってしまい M相中のイオンバランスが崩れてしまう。逆に、大気中で行った場合、 F e ^{2 +}は全く生成されず、 2 n y《 Xとなってしまい、 M相中のイオンバランスが崩れてしまうだけでなく、異相が残留することにより M相の単相が得られない。

本フェライト磁石は、本来大気中では焼結しづらい組成、あるいは M相の単相にはならない組成を選択している。しかしながら、上述したように、還元性雰囲気中で焼結することと、原子価制御手法を取り入れることとの両方によってはじめて焼結を促進することができるだけでなく M相の単相が得られることを見出した。

請求項 4に係る発明はフェライト磁石の製造方法であり、 S r C 0 ₃、 F e ₂ O ₃ならびに A ₂ O ₃の各原料粉末を秤量、混合し、大気中で仮焼して得られた粉末を成形して成形体とし、該成形体を還元性雰囲気下で焼結させることにより、式 ( S rト _X A _X) O ' n [ ( F e ^{3 +}ト _y F e ^{2 +} _y ) ₂ 0 ₃ ] で表されるマグネトプランパイト型結晶構造の単相を生成させることを特徴とする。なお、この式において、 Aは希土類元素から選択される少なくとも一種であり、 x、 yおよび nはモル比を表し、それぞれが、 0 < X≤ 0 . 6 0 < y≤ 0 . 0 5 5 . 7≤ n≤ 6 . 0の範囲にある。

このように、仮焼時の雰囲気条件については制御が容易な大気中で行なうことも可能である。

請求項 5に係るフェライト磁石の製造方法は、請求項 3または 4に記載の製造方法において、厳密に 2 n y = xを満足するよう、加える A ₂0 ₃の量と F e ₂〇 ₃の還元により生成する F e Oの量とを制御することを特徴とする。 M型結晶構造中のィオンバランスが完全に保たれ、結晶構造の安定性という意味にぉレ、ても、磁石特性上においても最も好ましい。

請求項 6に係るフェライト磁石の製造方法は、請求項 3乃至 5のいずれか 1項に記載の製造方法において、希土類元素の原料としてミッシュメタルを使用することを特徴とする。本発明では、希土類元素の原料としてミッシュメタルを使用することにより、フェライト磁石を安価に製造することができる。発明を実施するための最良の形態本発明のフェライト磁石は、上記したように式（S _{r i}— _XA_X) O ' n [(F e s + e y) ₂0₃] で表されるマグネトプランバイト型結晶構造の単相からなり、この式において、 Aは希土類元素から選択される少なくとも一種であり、 x、 yおよび nはモル比を表し、それぞれが、 0く χ^0.6、 0く y≤0.05、 5.7≤n≤ 6.0の範囲にあることを特徴とする。

本発明のフェライト磁石では、 S r Oに対する F e ₂0₃のモル比 nが化学量論組成 (n = 6) 力、、化学量論組成に近い領域となっている。このように nを設定したのは、できるだけ高い残留磁束密度を得るためである。ただし、 nが 6よりも大きな組成領域では、 M型結晶構造の単相からなる磁石とすることはより困難になると推定される。したがって、この nを上記した範囲、 5.7 n≤6.0 に設定することにより、高レ、残留磁束密度と高、保磁力とを確保することができる。

本発明のフェライト磁石において、希土類元素である Aは焼結性を向上させるために役立つ。これらの希土類元素 Aは、あまり少ないとその効果が小さく、逆に多すぎると電気的なイオンパランスが崩れてしまうのでその含有量はモル比で上記した範囲、 0く≤x≤0. 6とする。

また、本フェライト磁石は、 S i 0₂： 0.0 l〜0.5niass%、 C a C0₃ ： 0.01〜 1.0赚 ss%、 Al ₂O₃ : 0.01~2.0 mass%、 C r ₂0₃ : 0.01 〜2.0mass%のうちの少なくとも一種をさらに含有する構成としてもよい。これら成分は何れも磁石特性の向上並びに焼結性の改善に寄与することが従来より知られており、これら成分の微量添加により、磁石特性のより一層の向上並びに焼結性のより一層の改善を図ることができる。

本発明のフェライト磁石の製造方法は、上記したように焼結時、式 (S r卜 _x A_x) O ' n [(F e ^{3 +} _x__yF e ^{2 +} _y) ₂0₃] 中の y (0<y≤0.05) を満足する F e ²⁺生成量が得られるように還元性雰囲気すなわち雰囲気酸素濃度を制御することを特徴とする。

フェライトの焼結が進行するのは、 600°C付近からトップ温度域にかけてである。したがって、雰囲気酸素濃度の制御は、 600°Cより高温側の昇温過程、トップ温度保持過程おょぴ 600 °C付近より高温側の冷却過程で行う。一方、昇温過程の室温から 6 0 0 °C付近までの温度域では、粉末成形体中に含まれるバインダ一等の有機物を燃焼および飛散させるために、酸素濃度は高い方が望ましい。昇温過程からトップ温度域にかけて雰囲気酸素濃度を制御するのは、 nが 6 . 0より大きくて、本来は焼結しづらい組成のフェライトの焼結を促進するためである。即ち、雰囲気を適切な還元性に保つと、このような組成では形成し難い酸素イオンの原子空孔の形成が促進される。酸素イオンは他の金属イオンよりもィオンのサイズが大きく、この酸素イオンの原子空孔がフェライト中に多量に形成されることにより、この原子空孔を媒体として他の金属イオンの拡散が促進され、結果として焼結がより容易に進行する。

トップ温度域から冷却過程にかけて雰囲気酸素濃度を制御するのは、 F e ^{2 +} 生成量を制御して、この F e ^{2 +}とフェライト中に含有させた希土類イオン（例えば、 C e ^{3 +}) とを同モル数に、つまり、電気的にイオンバランスさせるためでめる。

おおよそ 5 0 0 °Cよりも低い温度域ではフェライト中の酸化還元反応が進行しないため、冷却過程での雰囲気酸素濃度の制御は 5 0 0 °Cまでの温度域で行えば十分である。

本発明のフェライト磁石を製造するには、酸化鉄、炭酸ストロンチウム、希土類元素等の原料粉末を秤量した後、均一に混合し、続いてこの混合粉末を仮焼おょぴ微粉砕し、その後成形おょぴ焼結を行う。

酸化鉄の原料粉末としては、純粋な酸化鉄の粉末の他、製鉄所における鋼板の酸洗い工程にて排出される鉄鲭びを回収した酸化鉄粉末を使用することができる。この回収した酸化鉄粉末中には酸化鉄以外の成分として、 C a、 S i、 C 1、 S、 P等が存在する。これらの成分の大半は、フェライト磁石製造の際の仮焼および焼結工程での加熱により燃焼、飛散するが、少量がフェライト磁石中に残留する。他方、 F eと格子定数の近い Mn、 C r、 N i、 C o , V等は、製鉄所の精練行程を経た後においても鉄鋼中に含まれており、したがって、これら元素もまた酸化鉄原料経由でフェライト磁石中に混入してくる。しカゝし、前記した元素のうち Mn、 C r等の元素は少量であればフェライト磁石中に存在しても問題がなく、一方、 C aおよび S iについては、磁石特性の向上のため上記したように積極的に活用することができる。

本発明のフェライト磁石の製造においては、希土類元素の原料としてミッシュメタルを使用することができる。ミッシュメタルは希土類元素の混合物であって、例えば C e (40〜50mass%)、 L a ( 20〜 40 mass%)、 P r、 Nd等を含有し、単一元素に分離精製せずとも混合物のまま希土類元素原料として使用することができる。希土類元素はその地殻中での存在率が低いだけでなく、ランタノィドゃァクチノィド等は互いの化学的性質が類似しているために分離精製が困難であり、よって分離精製に要する費用も高い。そこで、本発明のフェライト磁石の原料としてミッシュメタルを使用することにより、フェライト磁石の製造に要する費用を大幅に低減することができる。

上記仮焼を行う際の温度は 1 000〜 1400°Cの範囲で選択することができる。この仮焼は大気中で行ってもよレ、が、上記した焼結時と同様に還元性雰囲気で行ってもよい。仮焼を還元性雰囲気で行う場合は、実質的に M相が形成される。仮焼後の微粉砕は湿式にて行うことができる。この場合、平均の破砕粒径が 0. 5-1. μ mの範囲となるようにかつ均一な粒径となるように微粉砕するのが望ましい。この微粉碎時に、所望により S i〇₂、 Ca C〇₃、 A 1₂0₃、 C r ₂ O ₃等の微量成分を添加することができる。また、上記した希土類元素の原料粉末はこの仮焼粉末に対して添加してもよい。

仮焼後の成形は、スラリー状として湿式にて成形してもよいし、乾燥後に乾式にて成形してもよい。この場合、磁場中で成形してもよく、その磁場としては 4 00〜1 200 k A/m程度が選択される。

成形体の焼結に際しては、一般的に行われている 1 1 50°C程度の焼結温度を選択する。該温度での焼結では結晶粒の過度の成長は生じず、また焼結は十分に進行するため、 F e ₂0₃や S r Oが残留することも、 M相以外の異相が形成されることもない。この焼結に際してはまた、上記したように雰囲気酸素濃度を厳密に制御して F e ²⁺生成量を制御する。雰囲気酸素濃度の制御は、窒素ガス、窒素と水素との混合ガス等を流して行うことができる。実施例以下の実施例で本発明をより詳細に説明するが、これらの実施例は本発明をある特定の態様に制限することを意図しない。

所定量の S r C0₃、 F e ₂0₃、希土類元素の酸化物の各原料粉末を配合し、湿式にて混合した。そして、この混合粉末を 1 30 0°Cで 2時間、大気中または窒素流入により酸素濃度を制御した雰囲気中で仮焼した。仮焼後、 0.2 mass% の S i 0₂、 0.3mass%の C a C O ₃ぉょぴ 0.5 mass%の A 1 ₂0₃を添カロし、アトライターにより湿式粉砕して平均粒径 0.7 μ mの微細粉末を得た。

次に、得られた微細粉末を 8 0 0 k Aノ mの磁場中で湿式成形し、 3 00°Cで乾燥した後、 1 1 50°Cで 1時間、大気中または窒素流入により酸素濃度を制御した雰囲気中で焼結し、表 1に示す本発明試料 (フェライト磁石） 1〜5と比較試料（フェライト磁石）：！〜 3とを製作した。

そして、得られたフェライト磁石の組成を分析して、前記式（S _{r i}__xA_x) O · n [(F e ³^一 _yF e ^{2 +} _y) ₂0₃] 中の x、 yおよび nを評価し、併せて前記式で表される主相の含有量 (モル比) を評価した。ここで、 y (F e ²⁺) の評価には滴定法を、 X (A) および nの評価には蛍光 X線法を、主相の評価には X線回折法をそれぞれ用いた。結果を表 1に示す。

また、得られたフェライト磁石の最大エネルギー積（BH) ma x, 残留磁束密度 B r、およぴ保磁力 H cを磁気磁束計によつて測定した。結果を表 2に示す。 . (表中「制御」とあるのは還元性雰囲気を意味する)

[表 1]

1) 希土類元素としてミッシュメタルを使用 [表 2 ]

表 1および表 2に示す結果より、本発明のフェライト磁石（本発明試料:！〜 5 ) はいずれも、添加した希土類元素と生成した F e ^{2 +}とが電気的にバランスしている。また、厳密に雰囲気酸素濃度を制御して焼結を行ったため、十分に焼結が進行している。この結果、主相のモル比が 1 0 0 %で、 F e ₂ O ₃等の未反応相は確認されない。また、最大エネルギー積、残留磁束密度および保磁力ともに優れた値が得られている。

これに対して、比較試料 1のフェライト磁石は、大気中で焼結したことにより F e ^{2 +}が全く生成しておらず、イオンバランスが崩れている。また、比較試料 2のフェライト磁石は、 C e等の希土類ィオンを含有しないため焼結が不十分である。これらのことより、比較試料 1および 2のフェライト磁石はいずれも、 F e ₂ O 3等の未反応相が残留しているとともに、最大エネルギー積、残留磁束密度および保磁力ともに本発明のフェライト磁石に比べて低くなっている。

また、比較試料 3のフェライト磁石は、本発明試料:！〜 5程ではないものの、最大エネルギー積、残留磁束密度および保磁力ともに良好な特性が得られている。し力しながら、 S r Oが多すぎるため、本願の目的とするところの原材料の安価なフェライト磁石という範疇からは逸脱する。産業上の利用可能性

本発明に係るフェライト磁石およびその製造方法によれば、化学量論組成並びに化学量論組成よりも S r Oがわずか過剰の組成領域（5.7≤n≤6.0) でも極めて優れた磁石特性が得られ、高価な S rの使用を削減できる分、製品価格の低減を達成できる。

Claims

請求の範囲

1. 式（S rト _XA_X) O · n [(F e 丄一 _yF e ^{2 +} _y) ₂0₃] で表されるマグネトプランバイト型結晶構造の単相からなり、この式において、 Aは希土類元素から選択される少なくとも一種であり、 x、 yおよび nはモル比を表し、それぞれが、 0<x≤0.6、 0 < y≤ 0.05, 5.7≤ n≤ 6.0の範囲にあることを特徴とするフェライト磁石。

2. S i O₂ : 0.01〜0.5 mass%、 C a C0₃： 0.01~1.0 mass%、 A 1₂〇₃： 0.0ユ〜 2.0 mass% C r ₂O₃ : 0.01〜2.0 mass%のうちの少なくとも一種をさらに含有することを特徴とする請求項 1に記載のフェライト磁石。

3. S r C0₃、 F e ₂O₃ならびに A₂0₃の各原料粉末を秤量、混合し、還元性雰囲気下で仮焼することにより得られた粉末を成形して成形体とし、該成形体を還元性雰囲気下で焼結させることにより、式 (S rト _XA_X) O ' n [(F e ³V_yF e ^{2 +} _y) ₂0₃] で表されるマグネトプランバイト型結晶構造の単相を生成させることを特徴とするフェライト磁石の製造方法。（なお、この式において、 Aは希土類元素から選択される少なくとも一種であり、 x、 yおよび nはモル比を表し、それぞれが、 0<x≤0.6, 0 < y≤ 0.05, 5.7≤ n≤ 6.0の範囲にある。）

4. S r C0₃、 F e ₂0₃ならびに A₂0₃の各原料粉末を秤量、混合し、大気中で仮焼して得られた粉末を成形して成形体とし、該成形体を還元性雰囲気下で焼結させることにより、式 (S rト _XA_X) O · n [(F e ^{3 +} _x__y F e ^{2 +} _y) ₂0 ₃] で表されるマグネトプランパイト型結晶構造の単相を生成させることを特徴とするフェライト磁石の製造方法。（なお、この式において、 Aは希土類元素から選択される少なくとも一種であり、 x、 yおよび nはモル比を表し、それぞれが、 0く x≤0.6、 0 <y≤ 0.05, 5.7≤ n≤ 6.0の範囲にある。）

5. 上記式において、 2 n y = xとなるように還元性雰囲気下で焼結を行うことを特徴とする請求項 3または 4に記載のフェライト磁石の製造方法。

6. 希土類元素の原料としてミッシュメタルを使用することを特徴とする請求項 3乃至 5のレヽずれか 1項に記載のフェライト磁石の製造方法。