WO2004070766A1 - 電子源 - Google Patents

電子源 Download PDF

Info

Publication number
WO2004070766A1
WO2004070766A1 PCT/JP2004/001035 JP2004001035W WO2004070766A1 WO 2004070766 A1 WO2004070766 A1 WO 2004070766A1 JP 2004001035 W JP2004001035 W JP 2004001035W WO 2004070766 A1 WO2004070766 A1 WO 2004070766A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
barium
electron source
electron
oxide
source
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/001035
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Yoshinori Terui
Ryozo Nonogaki
Original Assignee
Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha filed Critical Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha
Priority to US10/544,227 priority Critical patent/US7556749B2/en
Priority to DE602004032105T priority patent/DE602004032105D1/de
Priority to EP04707672A priority patent/EP1592040B1/en
Publication of WO2004070766A1 publication Critical patent/WO2004070766A1/ja
Priority to JP2005024515A priority patent/JP4032057B2/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/06—Electron sources; Electron guns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/13—Solid thermionic cathodes
    • H01J1/14—Solid thermionic cathodes characterised by the material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02—Main electrodes
    • H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
    • H01J1/304—Field-emissive cathodes
    • H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
    • H01J1/3044—Point emitters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/06—Sources
    • H01J2237/063—Electron sources
    • H01J2237/06308—Thermionic sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/06—Sources
    • H01J2237/063—Electron sources
    • H01J2237/06308—Thermionic sources
    • H01J2237/06316—Schottky emission

Definitions

  • the present invention relates to an electron source for a scanning electron microscope, a transmission electron microscope, a surface analysis device such as an Auger electron spectrometer, a semiconductor wafer inspection device, or an electron beam exposure machine, particularly, an electron beam accelerating voltage.
  • the present invention relates to an electron source used in a semiconductor wafer inspection apparatus such as a scanning electron microscope used at a low acceleration of 1 kV or less, a critical electron microscope (CD) SEM, and a defect debug (DR) SEM.
  • a semiconductor wafer inspection apparatus such as a scanning electron microscope used at a low acceleration of 1 kV or less, a critical electron microscope (CD) SEM, and a defect debug (DR) SEM.
  • a Schottky electron emission source (hereinafter also referred to as an electron source) using a tungsten single-crystal needle-shaped electrode has been used to obtain a brighter electron beam.
  • a coating layer made of zirconium and oxygen (hereinafter, referred to as a ZrO coating layer) is provided on a tungsten single crystal needle having an axial orientation of 100> direction, and the tungsten single crystal needle is formed by the ZrO coating layer. This is the work function of the (100) plane from 4.5 eV to about 2.8 eV.
  • this (100) plane can be developed by applying a negative high voltage to tungsten single crystal 21 dollars, that is, by balancing the electrostatic stress due to the high electric field with the surface tension of the needle tip. ing.
  • the electron source has a long life, is more stable than a cold field emission cathode, operates even at a low vacuum, and is easy to use.
  • the electron source is a needle with a 100> orientation that radiates an electron beam at a predetermined position on a tungsten filament 3 provided on a conductive terminal 4 fixed to an insulator 5. 1 is fixed by welding or the like. A portion of the dollar 1 has a source 2 of zirconium and oxygen. Although not shown, the surface of $ 21 is covered with a ZrO coating layer.
  • the needle 1 Since the needle 1 is electrically heated by the filament 3 and is generally used at a temperature of about 1800K, the ZrO coating layer on the surface of the dollar 21 is consumed by evaporation. However, since the zirconium and oxygen diffuse from the supply source 2 and are continuously supplied to the surface of the needle 1, the ZrO coating layer is maintained as a result.
  • semiconductor inspection equipment such as scanning electron microscopes and CD SEMs, such as DRS EMs
  • an electron source in which a zirconium and oxygen coating layer is provided on a tungsten ⁇ 100> oriented single crystal doll 1 r OZW Schottky electron sources are widely used because of their high brightness and long life.
  • these devices generally use a low-acceleration electron beam of 1 kV or less in order to observe and measure a subject as it is.
  • the diameter of the electron beam focused by the lens is governed by chromatic aberration.
  • chromatic aberration For example, J. Pawley, Journal of Microscopy, 136, Ptl, 45 (1984)
  • the energy width of a Schottky single-electron source does not fall below 2.45 kBT at minimum.
  • kB is Boltzmann's constant and T is the absolute temperature of the electron emission region.
  • barium oxide, barium carbonate, or barium oxide and calcium oxide, aluminum oxide, etc. are added to tungsten and sintered, and Ba or BaO is added to the surface of the tungsten sintered body.
  • Dispersor, L-shaped force source, or impregnating force source which has a low adsorption function and lowers the work function, have been known for a long time.
  • the impregnating force sword operates at a temperature of about 1000-1300 K
  • the work function is reduced by providing a Ba B adsorption layer on a tungsten single crystal using the same method. Therefore, it can be easily expected that the device can operate at a temperature of about 1000-1300K and emit electrons with a low energy width.
  • the operating angular current density attracts attention. In applications such as electron beam exposure equipment and DRSEM, high throughput is required.
  • the Zr OW Schottky electron source is operated at a high angular current density of about 0.4 mA / sr.
  • An H f OZW Schottky single electron source has been proposed to support angular current density operation.
  • a work function is provided by providing a source of barium consisting of barium oxide or (Ba, Sr, Ca) oxide in a part of a tungsten single crystal and diffusing the barium into the surface of the tungsten single crystal.
  • An electron source that operates at a low temperature of about 1000K is known. Although this source has not been directly verified, it is believed that it has a B a ⁇ adsorbing layer on a tungsten single crystal.
  • Patent Publication No. 2001-319559 describes 1.
  • An Hf OZW Schottky electron source with an operating angular current density of OmAZs r and a total emission current of 350 ⁇ A or less. ⁇ 5mAZs r) is required.
  • the total emission current is also high, so electrons are irradiated to the extraction electrode and the metal aperture on the electron beam emission axis, and gas emission is remarkable, and the collision of the electron beam with the gas causes The resulting ions often damage the electron source and cause arcing, breaking the electron source. Disclosure of the invention
  • the present inventors have found a source suitable for providing a Ba 0 -containing adsorption layer on a tungsten or molybdenum single crystal, and To solve the present invention.
  • the present invention has the following features.
  • An electron source characterized in that a barium supply source comprising a double oxide of barium oxide and an oxide of a metal other than barium is provided at a part of a single crystal needle of tungsten or molybdenum.
  • the electron source according to any one of the above (1) to (7) which is an electron source used in a scanning electron microscope, a transmission electron microscope, a surface analyzer, a semiconductor wafer inspection device, or an electron beam exposure machine. Electron source.
  • a barium supply source consisting of a barium oxide and an oxide of a metal other than barium is provided on a part of a tungsten or molybdenum single crystal dollar.
  • a method for producing an electron source characterized by heating at a temperature of 1700K or less.
  • Figure 2 Schematic configuration of the evaluation device for electron emission characteristics.
  • tungsten or molybdenum single crystal As a specific embodiment of the present invention, a tungsten or molybdenum single crystal
  • An electron source (Ba OZW emitter) that has a barium and oxygen coating layer on the $ 100 direction or the ⁇ 210> direction of $ 21, and oxidizes barium oxide and metals other than barium. It can be obtained by providing a double oxide of a substance as a supply source of a vacuum on a part of the single crystal needle.
  • the metal elements other than barium in the complex oxides of oxides of metals other than barium include Group IIIA (boron, aluminum, gallium, indium, thallium) and Group IVB (titanium) in the periodic table (short-period type).
  • the barrier of the barrier oxide may be replaced with a group IA element other than the barrier (magnesium, calcium, strontium, etc.).
  • the supply source may contain free barium oxide, carbonate, and other metal oxides in addition to the double oxide.
  • the electron source of the present invention can be used in a temperature range of 900 to 1450 K, preferably 1000 to 1300 °.
  • the electron source of the present invention operates at a temperature extremely lower than 1800 K, which is the operating temperature of the Zr0 / Knottky electron source, and has a small energy width and is used in a low-acceleration electron beam. And the resolution of semiconductor wafer inspection equipment can be improved.
  • the electron source of the present invention has a low total emission current of 350 A or less even at a high angular current density of 4. OmA / sr or more, and therefore has a low possibility of ion damage or destruction of the electron source due to an arc, and has high reliability. Sex can be achieved.
  • the BaO adsorption layer has a large effect of lowering the work function, and an oxide containing barium emits a large amount of thermoelectrons at a high temperature, also known as an oxide cathode. Therefore, when a cathode having a barrier oxide as a source is heated in a vacuum and a negative high voltage is applied to the cathode, not only the surface of the tungsten single crystal but also the source of the barrier oxide is heated. Emit large amounts of electrons. The thermoelectrons strike the anode to induce gas release, and furthermore, are ionized by the electron beam to generate an arc discharge, which extremely increases the probability of breaking the single crystal needle. For this reason, a sufficient electric field cannot be applied to a single crystal needle, and a crystal plane cannot be sufficiently developed at the tip of the single crystal needle.
  • the manufacturing method of the present invention since a positive potential is applied to the single crystal needle, it does not involve electron emission, and therefore does not cause ionization of the residual gas and does not generate arc discharge. Therefore, a high voltage required to develop a sufficient crystal plane at the tip of the single crystal needle can be applied, and the sufficient crystal plane development contributes to noise reduction of the radiated current.
  • the applied voltage is 4X10 6 V / cm to 2X10 7 VZcm at maximum when converted into electric field strength.
  • the temperature be high because the crystal face develops with mass transfer at the tip of the single crystal needle. However, the temperature is preferably 1700 K or less because the supply source evaporates rapidly and disappears. On the other hand, when the temperature is low, mass transfer is suppressed. Therefore, the temperature is preferably 100 K or more, since the crystal plane is not developed. Among them, 135 to 650 K is particularly preferred.
  • a part of a single crystal of tungsten or molybdenum is provided with a supply source of a barrier composed of a barrier oxide and a metal oxide other than a barrier.
  • a temperature of not less than 100 K and not more than 170 K the frequency of arc discharge can be greatly suppressed, and a stable electron source having a high yield and a stable yield can be efficiently produced.
  • the tip of the needle 1 is disposed between the sublesser electrode 6 and the extraction electrode 7.
  • the distance between the tip of the needle 1 and the suppressor electrode 6 is 0.25 mm
  • the distance between the suppressor electrode 6 and the extraction electrode 7 is 0.6 thigh
  • the hole diameter of the extraction electrode 7 is 0.6 band
  • the distance between the suppressor electrode 6 and the The pore size is 0.4 sq.
  • the filament 3 is connected to a filament heating power supply 14, and further connected to a high voltage power supply 13 whose polarity can be changed as necessary, and a negative high voltage, that is, a extraction voltage V eX is applied to the extraction electrode 7. .
  • the sub-lesser electrode 6 is connected to a bias power supply 12, and a further negative voltage and a bias voltage V b are applied to the needle 1 and the filament 3. Thereby, the radiated thermal electrons from the filament 3 are blocked.
  • An electron source Their total emission current It is measured by an ammeter 15 placed between the high-voltage power supply 13 and the ground.
  • the electron beam 16 emitted from the tip of the needle 1 passes through the hole of the extraction electrode 7 and reaches the fluorescent screen 8.
  • the probe current I p passing through and reaching the cup-shaped electrode 10 is measured by the microammeter 11. If the solid angle calculated from the distance between the aperture 9 and the tip of the dollar 21 and the inner diameter of the aperture 9 is ⁇ , the angular current density is I ⁇ . Examples 1-4
  • An electron source with a supply source of barium / aluminum is introduced into the vacuum apparatus, and the inside of the apparatus is placed in an ultrahigh vacuum of 3 ⁇ 10-l OTorr (4 ⁇ 10-8 Pa), and the filament 3 is energized. Heat Needle 1 to 1500K and fire the source.
  • the suppressor bias voltage Vb was set to 0 V, and a positive high voltage was applied to the needle to maintain the needle for several tens of hours.
  • the bias voltage of the suppressor was applied to several hundred volts while maintaining the dollar at 1000 to 1600K, and a negative high voltage was applied to the needle for several tens of hours.
  • the needle was set to an operating temperature of 1000 to 1300K, a bias voltage was applied to the sublesser, and then a negative high voltage was applied to the needle 1.
  • a high positive voltage of up to 6 kV was applied to needle 1.
  • Example 3 the electron emission beam observed on the fluorescent screen 8 was four-fold symmetric with respect to the electron emission axis as shown in FIG. 3 (a), and the probe current on the axis was weak. As the flow increased, the on-axis probe current also gradually increased.
  • Fig. 3 (b) When the operating temperature was further reduced to 110 OK and the extraction voltage was further reduced to 1 kV and electron emission was continued for 12 hr, the pattern of the electron emission beam on the phosphor screen 8 was changed as shown in Fig. 3 (c). Irradiation was symmetric and on-axis. In addition, a probe current corresponding to the angular current density of I mAZ sr was observed, and then stable electron emission was confirmed over 150 hours.
  • the heat treatment at 150 K or more was performed only once at the beginning, and did not need to be repeated.
  • the total radiated current at 4 mA / sr operation is approximately 120 ⁇ ⁇ ⁇ from the relationship between the extracted voltage-angular current density and total radiated current, and it is confirmed that the operating angular current density is 1 O mAZ sr I was able to. (Fig. 4)
  • Steps 1 'and 2 (Examples 3 and 4), the emission current increases rapidly in the early stage of high voltage application, frequent arc discharge occurs, and the needle 1 is destroyed or radiated. Only a low negative high voltage could be applied to prevent an increase in current. In rare cases, the electron beam pattern shown in Fig. 3 (c) was obtained, but the crystal plane did not develop sufficiently and the probe current noise was large.
  • the results of the electron source whose source is composed of a vacuum aluminum sheet and other materials, are summarized in a table.
  • Other materials have a high vapor pressure and are dry and unsuitable for long-term processing at high temperatures.
  • barium aluminate does not die due to prolonged processing at a high temperature, and it is easy to obtain an electron source having favorable characteristics.
  • Table 1 summarizes the results of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 12 described above.
  • the electron source of the present invention has a feature of operating stably for a long time. In particular, according to the present invention, it is possible to obtain an electron source with extremely small noise of the slope current. Wear. Industrial applicability
  • the electron source of the present invention is a Ba OZW Schottky electron source having a Ba ⁇ adsorbing layer and capable of stable operation for a long time, as in the prior art. It does not require a high-temperature heat treatment of 0 OK or more, and can operate at 100 to 130 K which can operate at a low energy width. Under operating conditions with an angular current density of 4.O mA / sr, the total radiated current is kept at 350 A or less. Deterioration of electron emission characteristics due to gas emission from the diaphragm and reduction in reliability, such as damage to the tip of the $ 21 arc, can be suppressed, and electron beam application equipment such as electron beam exposure equipment and DR-SEM. The throughput can be improved.
  • the manufacturing method of the present invention it is possible to manufacture an electron source that emits electrons with reduced noise by reducing the probability of needle breakage due to arc discharge during manufacturing.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Solid Thermionic Cathode (AREA)

Description

明細 書 電子源 技術分野
本発明は、 走査型電子顕微鏡、 透過型電子顕微鏡、 ォ一ジェ電子分光装置を始め とする表面分析装置、半導体ウェハ検査装置、又は電子線露光機用の電子源、特に、 電子ビームの加速電圧が 1 kV以下の低加速で用いられる走査型電子顕微鏡、 CD (c r i t i c a l d imen s i on) SEM、 DR (de f e c t r e v i ew) S EMのような半導体ウェハ検査装置に用いられる電子源に関する。 背景技術
近年、 より高輝度の電子ビームを得るために、 タングステン単結晶の針状電極を 用いたショットキー電子放射源 （以下、 電子源ともいう） が使用されている。 この 電子源は、軸方位がぐ 100>方位からなるタングステン単結晶ニードルに、 ジル コニゥム及び酸素からなる被覆層 （以下、 Z rO被覆層という） を設け、 該 Z r〇 被覆層によってタングステン単結晶の （100)面の仕事関数を 4. 5 e Vから約 2. 8 e Vに低下させたものである。 .この電子源のニードルの先端部に形成された (100)面に相当する微小な結晶面のみが電子放出領域となるので、従来の熱陰 極よりも高輝度の電子ビームが得られる。 この （100)面はタングステン単結晶 二一ドルに負の高電圧を印加することにより、すなわち、高電界による静電応力と ニードル先端の表面張力が釣り合うことにより発達させることが出来ることが知 られている。また、この電子源は長寿命であり、また冷電界放射陰極よりも安定で、 低い真空度でも動作し、 使い易いという特徴を有している。
電子源は、 図 1に示すように、絶縁碍子 5に固定された導電端子 4に設けられた タングステン製のフィラメント 3の所定の位置に電子ビームを放射する夕ングス テンのぐ 100>方位のニードル 1が溶接等により固着されている。二一ドル 1の 一部には、 ジルコニウムと酸素の供給源 2が設けられている。図示していないが二 一ドル 1の表面は Z r O被覆層で覆われている。
ニードル 1はフィラメント 3により通電加熱されて一般に 1800K程度の温 度下で使用されるので、二一ドル 1表面の Z rO被覆層は蒸発により消耗する。 し かし、供給源 2よりジルコニウム及び酸素が拡散することにより、ニードル 1の表 面に連続的に供給されるので、 結果的に Z rO被覆層が維持される。 走査型電子顕微鏡や CD SEMぁるぃはDR S EMといった半導体検査装 置などでは、タングステンの <100〉方位の単結晶二一ドル 1にジルコニウムと 酸素の被覆層を設けた電子源、 いわゆる Z r OZWショットキ一電子源、が高輝度 で長寿命を有することから広く使用されている。 また、 これらの装置は被検体をそ のままで観察、測定するため 1 kV以下の低加速電子ビームを用いることが一般的 に行われている。
低加速電子ビームを用いる場合はレンズにより絞った電子ビームの径は、色収差 により支配される。 [例えば、 J. Paw ley, Journal of Microscopy, 136, Ptl, 45 (1984)]この色収差を低減するには電子源から放射される電子のエネルギー幅を小 さくする必要がある。 ショットキ一電子放射源のエネルギー幅は最小でも 2. 45 kBTを下回ることはない。 ここで kBはボルツマン定数、 Tは電子放射領域の絶 対温度である。 [R. D. Young, P hy s . Rev..113 (1959) p 1 10] したがって、色収差の低減には電子源の動作温度を下げることが有効なの であるが、一方、 ショットキ一電子放射や熱電子放射では動作温度を下げると放射 電流が激減する。 このため、電子源の動作温度を下げるには仕事関数の低い電子源 を用いなければならない。以上のような観点から Z r O吸着層にかわる低仕事関数 を有するタングステン単結晶上への吸着種とその供給源の探索が近年精力的に行 われている。 [例えば、 西山 英利 ·大嶋 卓 ·品田 博之 応用物理 第 71巻 第 4号 （2002) ρ438、 あるいは H. Nishiyama, T. Ohshima, H. Shinada, Applied Surface Science 146 (1999), p382、 あるいは斉藤 泰、 矢田 慶治、 安 達 洋 信学技報 ED2001 - 175 (2001-12) pl5]
一方、 ブラウン管用の電子源として、 タングステンに酸化バリウム、 または炭酸 バリゥムあるいは酸化バリウムと酸化カルシウム、酸化アルミ二ゥムなどを加えて 焼結し、タングステン焼結体の表面に B aまたは B a Oの吸着層を設けて仕事関数 を低下させるディスぺンサー '力ソード、 L型力ソ一ドあるいは含浸力ソ一ドが古 くから知られている。 [例えば、 A. H. W. B e c k、 Th e I n s t i t u t i on o f E l e c t r i c a l Eng i n e e r s P ap e r N o. 2750 R Nov. 1958、 p 372 中の p 378 - 381にまとめら れている。 ]
含浸力ソードは 1000 - 1300K程度の温度で動作することから同様な手 法を用いて B a〇吸着層をタングステン単結晶上に設けることにより低仕事関数 化が進む。従って、 1000 - 1300K程度の温度で動作して低いエネルギー幅 の電子放射が行えることが容易に予想できる。 低加速電圧動作時のエネルギー幅とは別に、 スル一プット （through put)が重 視される用途では動作角電流密度が注目される。電子線露光装置や D R S E Mと いった用途では、高いスループッ卜が求められ、 このような用途において Z r O Wショットキー電子源は 0.4mA/s r程度の高い角電流密度で動作されており、 更に高い角電流密度動作に対応するため H f OZWショットキ一電子源が提案さ れている。 [特許公開番号 2001 - 319559] タングステン単結晶の一部に酸化バリウムや （Ba, S r, Ca) 酸化物からな るバリウムの供給源を設け、バリウムをタングステン単結晶表面に拡散させて仕事 関数を 1. 2 eV程度までに下げ、 1000K程度の低温で動作する電子源が知ら れている。この電子源は直接検証されていないがタングステン単結晶上に； B a〇吸 着層を有していると考えられている。 [西山 英利 ·大嶋 卓 ·品田 博之 応用 物理 第 71巻第 4号（2002) p 438、あるいは特開平 10 - 154477] この研究例によると、 （Ba, S r , C a) 酸化物を用いてタングステン単結晶の <100>方位の二一ドルに B a O吸着層を設けた場合には 1500 K以上での 熱処理の後に 1000Kで動作してその電子放射は放射軸に沿って狭い角度に閉 じこめられ、電子源として好ましい放射特性を示すことが報告されている。しかし、 一方で安定して動作する時間は数時間と極めて短く、繰り返し 1500K以上の熱 処理を行う必要があることが述べられており、工業的な実用に耐えないと考えられ る。 また、酸化バリウムを供給源とした場合についても報告されているが、 この場 合には電子放射が 4回対称となり放射軸に沿って均一に閉じこめられないことと、 再現性の乏しさが指摘されている。
特許公開番号 2001 - 319559には 1. OmAZs rの動作角電流密度で 全放射電流が 350 ^ A以下の H f OZWショットキ一電子源が記載されている が、 近年更に高い角電流密度動作 （3〜5mAZs r) が要求されている。 このよ うな極めて高い角電流密度動作時には全放射電流も高くなるため、引き出し電極や 電子ビーム放射軸上の金属製絞りに電子が照射され、ガス放出が著しくなり、電子 線の気体への衝突により生成したイオンが電子源を撃して損傷を与えたり、アーク 放電を生じて電子源を破壌することがしばしばある。 発明の開示
本発明者は、上記の事情に鑑みて種々検討した結果、タングステン又はモリブデ ンの単結晶上に B a 0含有吸着層を設けるのに適した供給源を見いだし、前記課題 を解決して本発明に至ったものである。
即ち、 本発明は、 以下の特徴とする要旨とするものである。
(1)タングステンまたはモリブデンの単結晶ニードルの一部に、バリウム酸化物 とバリウム以外の金属の酸化物との複酸化物からなるバリウムの供給源を設け ることを特徴とする電子源。
(2) バリウム以外の金属が、 周期表の I I I B、 IVB、 及び I I I A族からな る群から選ばれる 1つ以上の金属元素である上記 （1) 記載の電子源。
(3) 複酸化物が、 BaA l 2〇4、 BaA l 12〇19、 Ba3S c4〇9、 B a S c 2 04、 B aT i〇3、 BaZ r〇3、 及び B a H f O 3からなる群から選ばれる 1つ 以上の複酸化物である上記 （1) 又は （2) 記載の電子源。
(4)バリウム酸化物のバリウムの一部がバリウム以外の I I A族元素で置き換え られている上記 （1) 〜 （3) のいずれかに記載の電子源。
( 5 )夕ングステンまたはモリブデンの単結晶二一ドルが、 < 100〉方位であり、 かつニードルの先端部に （100) 結晶面からなる平坦面を有する上記 （1) 、 〜 （4) のいずれかに記載の電子源。
(6)タングステンまたはモリブデンの単結晶二一ドルが、 < 211〉方位であり、 かつ二一ドルの先端部に（211)結晶面からなる平坦面を有する上記（1)〜（4) のいずれかに記載の電子源。
(7) 4. 0mA/ s rの角電流密度で動作したときの全放射電流が 350 xA以 下である上記 （1) 〜 （6) のいずれかに記載の電子源。
(8) 走査型電子顕微鏡、 透過型電子顕微鏡、 表面分析装置、 半導体ウェハ検査装 置、 又は電子線露光機に使用される電子源である上記 （1) 〜 （7) のいずれかに 記載の電子源。
(9)タングステンまたはモリブデンの単結晶二一ドルの一部に、バリウム酸化物 とバリウム以外の金属の酸化物の複酸化物からなるバリウムの供給源を設けた電 子源を、二一ドルの温度が 1000K以上 1300K以下で使用することを特徴と する電子源の使用方法。
(10) タングステンまたはモリブデンの単結晶二一ドルの一部に、バリウム酸化 物とバリウム以外の金属の酸化物の複酸化物からなるバリウムの供給源を設けた ニードルに正電位を印加して 1000K以上 1700K以下で加熱することを特 徴とする、 電子源の製造方法。 図面の簡単な説明 図 1 ： 電子源の概略構造図。
図 2 ： 電子放射特性の評価装置の概略構成図。
図 3 ： 蛍光板上で観察された電子放射ビームの角度分布パターン
図 4 ： 引き出し電圧—角電流密度、 及び引き出し電圧一全放射電流の測定例 符号の説明
1 ニードル
2 供給源
3 フィラメン卜
4 導電端子
5 絶縁碍子
6 サブレッサ一電極
7 引き出し電極
8 蛍光板
9 アパーチャ一
1 0 カップ状電極
1 1 プロ一ブ電流測定用微小電流計
1 2 バイアス電源
1 3 高圧電源
1 4 フィラメント加熱電源
1 5 . 全放射電流測定用電流計
1 6 . 放射電子線 発明を実施するための最良の形態
本発明の具体的な実施態様としては、タングステンまたはモリブデン単結晶のぐ
1 0 0 >方位、又は < 2 1 0 >方位の二一ドルにバリウムと酸素の被覆層を設けた 電子源（B a OZWェミッタ一） であって、 バリウム酸化物とバリウム以外の金属 の酸化物の複酸化物をバリゥムの供給源として単結晶ニードルの一部に設けるこ とにより得られる。バリウム以外の金属の酸化物の複酸化物における、バリウム以 外の金属元素としては、 周期律表 （短周期型） の I I I A族 （ホウ素、 アルミニゥ ム、 ガリウム、 インジウム、 タリウム） 、 I V B族 （チタン、 ジルコニウム、 ハフ ニゥム） 、 I I I B族 (スカンジウム、 イットリウム、 ランタノイド元素、 ァクチ ノィド元素）からなる群から選ばれる 1つ以上の金属元素が好ましい。 上記の複酸 化物としては、 特に、 B aA l 204、 B aA l 12019、 B a3S c 409、 B a S c2〇4、 B aT i〇3、 BaZ r03、 B a H f 〇 3からなる群から選ばれる 1っ以 上の複酸化物が好ましい。
なお、 バリゥム酸化物のバリゥムの一部がバリゥム以外の I I A族元素（マグネ シム、 カルシウム、 ストロンチウムなど）で置き換えられていることができる。 ま た、 供給源中には、複酸化物のほかに遊離の酸化バリウムや炭酸塩、 他の金属酸化 物が含有していても構わない。
尚、 本発明の電子源は、 900〜 1450 K、 好ましくは 1000〜： 1 300Κ の温度範囲で用いることができる。
また、本発明の電子源は、 Z r 0/ ノョットキ一電子源の動作温度である 18 00 Kよりも極めて低い温度で動作するためエネルギー幅小さく低加速電子ビ一 ムで用いられる走査型電子顕微鏡や半導体ウェハ検查装置の分解能向上に寄与で きる。
更に、本発明の電子源は 4. OmA/s r以上の高い角電流密度動作でも全放射 電流が 350 A以下と少ないため、イオン損傷やアークによる電子源の破壊の可 能性が低く、 高い信頼性が達成できる。
B a O吸着層は仕事関数を下げる効果が大きく、 また、バリウムを含む酸化物は 酸化物陰極としても知られているとおり、高温で熱電子を多量に放射する。 このた めバリゥム酸化物を供給源として有する陰極は、真空中で加熱して陰極に負の高圧 を印加するとタングステン単結晶二一ドルの表面ばかりでなく、バリゥム酸化物か らなる供給源から熱電子を多量に放射する。この熱電子は陽極をたたきガス放出を 誘起し、更に電子線によりイオン化してアーク放電を発生し単結晶ニードルを破壊 する確率が極めて高くなる。 このため、単結晶二一ドルに十分な電界を印加するこ とが出来ず、単結晶ニードルの先端に十分に結晶面を発達させることが出来ないこ とがしばしば起こりうる。
しかし、本発明の製造方法によれば、正電位を単結晶ニードルに印加するため電 子放射を伴わず、そのため、残留ガスのイオン化も起こらずアーク放電を発生する ことはない。よって、単結晶ニードルの先端に十分な結晶面を発達させるのに必要 な高電圧を印加することができ、十分な結晶面の発達は放射電流のノイズ低減に寄 与する。 なお、 印加する電圧は電界強度に換算すると、 4X 106V/cmから最 大で、 2X 107VZcmである。 更に、 結晶面が発達するには単結晶ニードル先 端の物質移動を伴うために温度は高い方が好ましいのであるが、供給源が急速に蒸 発して消失するので 1700K以下が好ましい。一方、温度が低いと物質移動が抑 制され結晶面が発達しないので 1 0 0 0 K以上が好ましい。なかでも、 1 3 5 0〜 1 6 5 0 Kが特に好ましい。
このようにして、タングステンまたはモリブデンの単結晶二一ドルの一部に、バ リゥム酸化物とバリゥム以外の金属の酸化物からなるバリゥムの供給源を設けた 単結晶二一ドルに正電位を印加して好ましくは 1 0 0 0 K以上 1 7 0 0 K以下で 加熱することにより、 アーク放電の頻度を大きく抑制し、部留まりが高く、 安定し た電子源を効率よく作製することができる。
<実施例〉
以下に本発明について実施例を挙げてさらに具体的に説明するが、本発明はかか る実施例に限定して解釈されるべきでないことはもちろんである。 絶縁碍子にロウ付けされた導電端子にタングステン製のフィラメントをスポッ ト溶接により固定した後、 < 1 0 0 >方位の単結晶タングステン細線を寸断した二 一ドルを前記フィラメントにスポット溶接により取り付け、更に、ニードルの先端 を曲率半径が約 1 /z mなるように電解研磨して、 電子源中間体を得た。
また、 供給源を構成する材料として ·市販のバリウム ·アルミネート （B a A l 2〇4) 粉末、 ·酸化バリウム粉末、 ·酸化バリウム、 酸化カルシウム、 酸化アル ミニゥム粉末の混合物（モル比 5 : 3 : 2 )、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、 酸化カルシウム粉末の混合物 （モル比 5 : 4 : 1 ) 各々を用いて比較を行った。 各 粉末を用いて酢酸ィソアミルを分散媒として、 乳鉢上で粉碎してスラリーを得た。 前記スラリ一を前記電子源中間体の二一ドル（フイラメン卜への固定位置とニード ルの先端との中央の位置） に塗布して、 供給源を予備形成した。
スラリー中の酢酸ィソアミルが蒸発した後、 図 2に示す装置に導入した。
ニードル 1の先端はサブレッサ一電極 6と引き出し電極 7との間に配置される。 尚、 ニードル 1の先端とサプレッサー電極 6の距離は 0 . 2 5 mm、 サプレッサー 電極 6と引き出し電極 7の距離は 0 . 6腿、 引き出し電極 7の孔径は 0 . 6匪、 サ プレッサー電極 6の孔径は 0 . 4讓である。
フィラメント 3はフイラメント加熱電源 1 4に接続され、更に必要に応じて極性 を変えられる高圧電源 1 3に接続され、 引き出し電極 7に対して負の高電圧、即ち 引き出し電圧 V e Xが印加される。 また、サブレッサー電極 6はバイアス電源 1 2 に接続され、ニードル 1とフィラメント 3に対して更に負の電圧、バイアス電圧 V b、 が印加される。 これによりフィラメント 3からの放射熱電子を遮る。電子源か らの全放射電流 I tは高圧電源 13とアース間に置かれた電流計 15により測定 される。ニードル 1の先端から放射した電子ビーム 16は引き出し電極 7の孔を通 過して、蛍光板 8に到達する。蛍光板 8の中央にはアパーチャ一 9 (小孔）が有り、 通過してカップ状電極 10に到達したプローブ電流 I pは微小電流計 1 1により 測定される。なおアパーチャ一 9と二一ドル 1の先端との距離とアパーチャ一 9の 内径から算出される立体角を ωとすると角電流密度は I ρΖωとなる。 実施例 1〜4
バリウム ·アルミネ一トを供給源とした電子源を真空装置内に導入して装置内を 3X 10 - l OTo r r (4 X 10 - 8 P a)の超高真空中としてフィラメント 3 に通電してニードル 1を 1500Kに加熱し、 供給源を焼成する。
以降、 手順 1と手順 2を行ったもの （実施例 1、 2) と、 手順 1 ' と手順 2を行 なったもの （実施例 3、 4) との 2通りを比較した。
(手順 1)
ニードルを 1000〜1600Kに維持したままサプレッサーのバイアス電圧 V b = 0 Vとして、 ニードルに正の高電圧を印加して数十時間維持した。
(手順 1 ' )
二一ドルを 1000〜1600Kに維持したままサプレッサーのバイアス電圧を 数百 V印加して、 ニードルに負の高電圧を印加して数十時間維持した。
(手順 2)
ニードルを 1000〜 1300Kの動作温度設定して、 サブレッサ一にバイアス 電圧を印加し、 続いてニードル 1に負の高電圧を印加した。 手順 1ではニードル 1に最大で 6 kVの正の高電圧を印加した。手順 1と手順 2 の順で処理したものは手順 2でバイアス電圧を 50 Vとしてニードル 1に Ve X = 3 kVの引き出し電圧を印加したところ全ての電子源で徐々に放射電流が増し た。
実施例 3においては、 蛍光板 8上に観察された電子放射ビームは図 3 (a) に示 すように電子放射軸上に 4回対称で軸上のプローブ電流は微弱であつたが、放射電 流の増加と共に軸上のプローブ電流も徐々に増加してきた。 （図 3 (b))その後、 更に 1 1 0 O Kまで動作温度を下げて更に引き出し電圧を 1 k Vまで下げ 1 2 h r電子放射を継続したところ、蛍光板 8上の電子放射ビームのパターンは図 3 ( c ) に示すように軸対称且つ軸上を照射するものであった。また I mAZ s rの角電流 密度に相当するプローブ電流が観察され、その後 1 5 0 0 h rにわたり安定した電 子放射が確認できた。また、この間に 1 5 0 0 K以上の熱処理は最初の一回のみで、 繰り返し行う必要はなかった。加えて、 その引き出し電圧-角電流密度、 全放射電 流の関係から 4 mA/ s r動作時の全放射電流は約 1 2 0 χ Αであり、 1 O mAZ s rの動作角電流密度まで確認することができた。 （第 4図）
但し、 手順 1 ' と手順 2を行ったもの （実施例 3、 4 ) では、 高圧印加の初期に 急激に放射電流が増加して頻繁にアーク放電が生じてニードル 1が破壊するか、放 射電流の増加を防ぐために低い負の高電圧しか印加できなかった。希に、図 3 ( c ) の電子放射ビームパターンに至るものもあつたが、結晶面が十分発達せずプローブ 電流のノィズが大きかつた。
その後、装置から電子源を取り出してタングステンニードルの先端を走査型電子 顕微鏡で観察したところニードル先端に平坦な（1 0 0 )結晶面が形成されている ことが確認できた。特に、手順 1と手順 2で順に処理したもの（実施例 2 )は、 ニードル 1の先端に形成される結晶面の直径が手順 1 ' と手順 2を行ったもの（実 施例 3、 4 ) より大きかった。 比較例：！〜 1 2
次に、バリゥムアルミネ一トとそれ以外の材料により供給源が構成された電子源 の結果を表にまとめた。他の材料は蒸気圧が高いため枯渴しゃすく、高温で長時間 の処理を行うのに不向きである。一方、バリウムアルミネートは高温で長時間の処 理により枯渴することなく、 好ましい特性の電子源を得やすい。 以上の実施例 1〜4及び比較例 1〜1 2の結果を表 1にまとめて示す。かかる表 1から明らかなように、本発明の電子源は安定して長時間動作する特徴を有し、特 に、本発明によれば、 ブロープ電流のノイズが極めて小さな電子源を得ることがで きる。 産業上の利用可能性
本発明の電子源は、 B a〇吸着層を有して長時間の安定動作が可能な B a OZW ショットキ一電子源であり、従来技術のように数時間に一度の複数回にわたる 1 5 0 O K以上の高温熱処理を必要とせず、低エネルギー幅動作が可能な 1 0 0 0 - 1 3 0 0 Kでの動作が可能である。角電流密度が 4. O mA/ s rの動作条件におい て、 全放射電流が 3 5 0 A以下に抑えられているので、 従来問題となっていた高 角電流密度動作時の、引き出し電極や金属製絞りからのガス放出に起因する電子放 射特性の劣化、或いは二一ドル先端をアークにより損傷するといった信頼性の低下 が抑制でき、更に電子線露光機、 D R - S EMといった電子ビーム応用機器のスル —プットを向上させることができる。
また、本発明による製造方法によれば、製造時のアーク放電によるニードルの破 壊確率を低減し、 ノイズの少ない電子放射を行う電子源が製造できる。
寸 C プローブ電 結晶面の直
処理 電子放射 供給源の構成材料 動作温度と時間
流のノイズ 径 パターン 実施例 1 バリウム'アルミネート 1500K 40hr 1 100K 1500hr以上 <1 % 0.7 m 図 3(c)相当 実施例 2 手順 1 + 2 (BaAI204) 1450K 78hr 1 100 760hr以上 <1 % 0.7 jU m 図 3(c)相当 酸化バリウム 1080K 150hrで停止 図 3(a)相当 (BaO) 1200 50hrで停止 図 3(a)相当 化アルミニウム 1300K 200hrで停止 図 3(a)相当 (BaO, CaO, Al203)モル比 5:3:2 1300K 230hrで停止 図 3(a)相当 比較例 5 酸化バリウム、酸化ストロンチウム、 1500hr 30hrで停止 図 3(a)相当 比較例 6 酸化カルシウム 1500K 30hrで停止 図 3(a)相当 実施例 3 バリウム■アルミネート 1500K 60hr 1 100 200hr以上 12-15% 0.2 / m 図 3(c)相当 実施例 4 手順 1 ' + 2 (BaAI204) 1450K 92hr 1 100K 200hr以上 14-17% 0.1 (i m 図 3(c)相当 比較例 7 酸化バリウム 1080 200hrで停止 図 3(a)相当 比較例 8 (BaO) 1200K 48hrで停止 図 3(a)相当 比較例 9 化アルミニウム 1300K 200hrで停止 図 3(a)相当 比較例 1 0 (BaO, CaO, Al203)モル比 5:3:2 1300K 250hrで停止 図 3(a)相当 比較例 1 1 酸化バリウム、酸化ストロンチウム、 1500hr 10hrで停止 図 3(a)相当 比較例 1 2 酸化カルシウム 1500 10hrで停止 図 3(a)相当

Claims

請求の範囲
1. タングステンまたはモリブデンの単結晶二一ドルの一部に、バリウム酸化物と バリウム以外の金属の酸化物との複酸化物からなるバリウムの供給源を設ける ことを特徴とする電子源。
2. バリウム以外の金属が、 周期表の I I IA、 I VB、 及び I I I B族からなる 群から選ばれる 1つ以上の金属元素である請求項 1記載の電子源。
3. 複酸化物が、 BaA l 2〇4、 BaA l 12〇19、 Ba3S c 409、 BaS c2〇 4、 BaT i〇3、 BaZ r〇3、 及び B aH f 03からなる群から選ばれる 1つ 以上の複酸化物である請求項 1又は 2記載の電子源。
4.バリウム酸化物のバリウムの一部がバリウム以外の I I A族元素で置き換えら れている請求項 1〜 3のいずれかに記載の電子源。
5. タングステンまたはモリブデンの単結晶二一ドルが、 <100>方位であり、 かつ二一ドルの先端部に（100)結晶面からなる平坦面を有する請求項 1〜4 のいずれかに記載の電子源。
6. タングステンまたはモリブデンの単結晶二一ドルが、 <211>方位であり、 かつ二一ドルの先端部に (211)結晶面からなる平坦面を有する請求項 1〜4 のいずれかに記載の電子源。
7. 4. OmA/s rの角電流密度で動作したときの全放射電流が 350 A以下 である請求項 1〜 6のいずれかに記載の電子源。
8.走査型電子顕微鏡、透過型電子顕微鏡、表面分析装置、半導体ウェハ検査装置、 又は電子線露光機に使用される電子源である請求項 1〜 7のいずれかに記載の 電子源。
9. タングステンまたはモリブデンの単結晶ニードルの一部に、バリウム酸化物と バリゥム以外の金属の酸化物の複酸化物からなるバリゥムの供給源を設けた電 子源を、二一ドルの温度が 1000K以上 1300K以下で使用することを特徴 とする電子源の使用方法。 0. タングステンまたはモリブデンの単結晶ニードルの一部に、バリウム酸化物 とバリウム以外の金属の酸化物の複酸化物からなるバリウムの供給源を設けた ニードルに正電位を印加して 1000K以上 1700K以下で加熱することを 特徴とする、 電子源の製造方法。
PCT/JP2004/001035 2003-02-03 2004-02-03 電子源 WO2004070766A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/544,227 US7556749B2 (en) 2003-02-03 2004-02-03 Electron source
DE602004032105T DE602004032105D1 (de) 2003-02-03 2004-02-03 Elektronenquelle
EP04707672A EP1592040B1 (en) 2003-02-03 2004-02-03 Electron source
JP2005024515A JP4032057B2 (ja) 2004-02-03 2005-01-31 電子源の製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003-025718 2003-02-03
JP2003025718A JP4210131B2 (ja) 2003-02-03 2003-02-03 電子源及び電子源の使用方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2004070766A1 true WO2004070766A1 (ja) 2004-08-19

Family

ID=32844113

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2004/001035 WO2004070766A1 (ja) 2003-02-03 2004-02-03 電子源

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7556749B2 (ja)
EP (1) EP1592040B1 (ja)
JP (1) JP4210131B2 (ja)
DE (1) DE602004032105D1 (ja)
WO (1) WO2004070766A1 (ja)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1760762B1 (en) * 2005-09-06 2012-02-01 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Device and method for selecting an emission area of an emission pattern
WO2008031058A2 (en) * 2006-09-07 2008-03-13 Michigan Technological University Self-regenerating nanotips for low-power electric propulsion (ep) cathodes
JP4782736B2 (ja) * 2007-07-12 2011-09-28 電気化学工業株式会社 電子源
WO2009044564A1 (ja) 2007-10-05 2009-04-09 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha 電子源及び電子ビーム装置
JP2010061898A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Denki Kagaku Kogyo Kk 電子源及び電子機器
DE112009003724B4 (de) * 2008-12-16 2017-07-13 Hitachi High-Technologies Corporation Verwendung eines Elektronenstrahlgeräts
JP2011065790A (ja) * 2009-09-15 2011-03-31 Tokyo Electron Ltd 電子源、電子源の製造方法及び電子放出方法
JP2011076753A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Denki Kagaku Kogyo Kk 電子源及び電子機器
JP5063715B2 (ja) * 2010-02-04 2012-10-31 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子源，電子銃、それを用いた電子顕微鏡装置及び電子線描画装置
US8896195B2 (en) * 2010-10-21 2014-11-25 Hermes Microvision, Inc. Filament for electron source
US9496673B2 (en) * 2011-03-18 2016-11-15 Denka Company Limited Enclosure and method for handling electron gun or ion gun
US9117821B2 (en) * 2013-03-12 2015-08-25 Carnegie Mellon University Oriented crystal nanowire interconnects
JP6492824B2 (ja) * 2015-03-18 2019-04-03 宇部興産株式会社 光変換用セラミックス複合材料およびその製造方法
CN117238739A (zh) 2016-08-08 2023-12-15 Asml荷兰有限公司 电子发射器及其制造方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0836981A (ja) * 1994-07-22 1996-02-06 Denki Kagaku Kogyo Kk 熱電界放射陰極及びその製造方法
JPH10154477A (ja) * 1996-09-27 1998-06-09 Hitachi Ltd 拡散補給型電子源およびそれを用いた電子線応用装置
JPH11185681A (ja) * 1997-12-24 1999-07-09 Hitachi Ltd 熱拡散補給型電子源，電子線発生方法および電子線応用装置
JPH11288658A (ja) * 1998-04-01 1999-10-19 Hitachi Ltd 酸化物陰極
JPH11354007A (ja) * 1998-06-11 1999-12-24 Hitachi Ltd 電子源およびそれを用いた電子線装置
JP2000340096A (ja) * 1999-03-19 2000-12-08 Tdk Corp 電子放出電極
JP2001167687A (ja) * 1999-12-06 2001-06-22 Tdk Corp 電子放出材料、電極および放電灯
JP2003031170A (ja) * 2001-07-18 2003-01-31 Denki Kagaku Kogyo Kk 電子放射陰極とその製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5733688A (en) * 1994-12-14 1998-03-31 Canon Kabushiki Kaisha Lithographic mask structure and method of producing the same comprising W and molybdenum alloy absorber
US5847498A (en) * 1994-12-23 1998-12-08 Philips Electronics North America Corporation Multiple layer composite electrodes for discharge lamps
US5744905A (en) * 1994-12-23 1998-04-28 Philips Electronics North America Corporation Emission materials for discharge lamps and method for manufacturing electrode structures with such materials
JP3397570B2 (ja) * 1996-04-02 2003-04-14 電気化学工業株式会社 熱電界放射陰極
TW388048B (en) * 1997-04-30 2000-04-21 Hitachi Ltd Cathode-ray tube and electron gun thereof
US5911919A (en) * 1997-09-08 1999-06-15 Integrated Thermal Sciences, Inc. Electron emission materials and components
JPH11224629A (ja) * 1998-02-09 1999-08-17 Hitachi Ltd 拡散補給型電子源、その製造方法および電子線装置
JP2000357464A (ja) * 1999-06-14 2000-12-26 Hitachi Ltd 陰極線管
JP2001325910A (ja) * 2000-05-16 2001-11-22 Denki Kagaku Kogyo Kk 電子銃とその使用方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0836981A (ja) * 1994-07-22 1996-02-06 Denki Kagaku Kogyo Kk 熱電界放射陰極及びその製造方法
JPH10154477A (ja) * 1996-09-27 1998-06-09 Hitachi Ltd 拡散補給型電子源およびそれを用いた電子線応用装置
JPH11185681A (ja) * 1997-12-24 1999-07-09 Hitachi Ltd 熱拡散補給型電子源，電子線発生方法および電子線応用装置
JPH11288658A (ja) * 1998-04-01 1999-10-19 Hitachi Ltd 酸化物陰極
JPH11354007A (ja) * 1998-06-11 1999-12-24 Hitachi Ltd 電子源およびそれを用いた電子線装置
JP2000340096A (ja) * 1999-03-19 2000-12-08 Tdk Corp 電子放出電極
JP2001167687A (ja) * 1999-12-06 2001-06-22 Tdk Corp 電子放出材料、電極および放電灯
JP2003031170A (ja) * 2001-07-18 2003-01-31 Denki Kagaku Kogyo Kk 電子放射陰極とその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1592040A4 *

Also Published As

Publication number Publication date
JP2004265614A (ja) 2004-09-24
EP1592040A1 (en) 2005-11-02
EP1592040B1 (en) 2011-04-06
US20060076866A1 (en) 2006-04-13
EP1592040A4 (en) 2010-06-02
US7556749B2 (en) 2009-07-07
JP4210131B2 (ja) 2009-01-14
DE602004032105D1 (de) 2011-05-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9812279B2 (en) Electrode material with low work function and high chemical stability
WO2004070766A1 (ja) 電子源
US9984846B2 (en) High brightness boron-containing electron beam emitters for use in a vacuum environment
JP2015518245A5 (ja)
JP6694515B2 (ja) 電子線装置
JP4792404B2 (ja) 電子源の製造方法
JP4032057B2 (ja) 電子源の製造方法
WO2009098788A1 (ja) 電子源の製造方法
WO2007148507A1 (ja) 電子源
JPH0836981A (ja) 熱電界放射陰極及びその製造方法
WO2011040326A1 (ja) 電子源用ロッド、電子源及び電子機器
EP2571041B1 (en) Electron source
WO2022064557A1 (ja) 電子源とその製造方法およびそれを用いた電子線装置
JP2005332677A (ja) 電子源の製造方法と使用方法
JP4874758B2 (ja) 電子源
JPWO2004073010A1 (ja) 電子銃

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2004707672

Country of ref document: EP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2006076866

Country of ref document: US

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10544227

Country of ref document: US

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2004707672

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 10544227

Country of ref document: US