WO2004046739A1 - 電気的プローブシステム - Google Patents

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WO2004046739A1
WO2004046739A1 PCT/JP2003/014717 JP0314717W WO2004046739A1 WO 2004046739 A1 WO2004046739 A1 WO 2004046739A1 JP 0314717 W JP0314717 W JP 0314717W WO 2004046739 A1 WO2004046739 A1 WO 2004046739A1
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WO
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substrate
group
probe unit
board
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PCT/JP2003/014717
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English (en)
French (fr)
Inventor
Shigeki Ishikawa
Makoto Watanabe
Original Assignee
Nhk Spring Co., Ltd.
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Publication date
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Priority to AU2003284411A priority patent/AU2003284411A1/en
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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    • G01R1/07364Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch
    • G01R1/07371Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card with provisions for altering position, number or connection of probe tips; Adapting to differences in pitch using an intermediate card or back card with apertures through which the probes pass
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    • G01R1/07307Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07314Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being perpendicular to test object, e.g. bed of nails or probe with bump contacts on a rigid support

Definitions

  • the present invention relates to an electrical probe system, and in particular, to a plurality of electrical contacts (hereinafter referred to as “pads”) of a circuit board to be inspected, which individually make contact with an electrical contact (hereinafter referred to as a “pad”) to form a conductive path for inspection. It relates to an electrical probe system equipped with a pulsive contact probe (spring type conductive contact, hereinafter simply referred to as “probe”).
  • pulsive contact probe spring type conductive contact
  • the electric probe system generally includes a substrate holding mechanism for holding a test substrate, and a probe unit capable of three-dimensionally positioning the holding mechanism with a robot or the like.
  • the conventional probe unit has a configuration in which a plurality of probes are implanted on one surface of a probe holder under the same conditions.
  • the contact pressure between the probe and the pad be equal. Measurement accuracy can be obtained and inspection can be performed smoothly.
  • the substrate holding mechanism has been devised so as to prevent deformation of the test substrate and maintain desired measurement accuracy.
  • An object of the present invention is to provide an electric probe system that does not impair the smoothness of inspection for preventing deformation even when the substrate size becomes large. Disclosure of the invention
  • the present inventors have found that an electric probe system that makes a probe elastically contact a pad has a good contact performance with the probe, and therefore, the stroke (that is, the tip of the probe due to the expansion and contraction of the probe) is reduced. (Displacement) within an appropriate width, it is possible to obtain a contact pressure that can maintain the measurement accuracy at a given location. Therefore, even if the planting conditions of the probe are changed, the stroke By controlling the area, the contact pressure can be adjusted within a range in which a desired measurement accuracy can be maintained.
  • the present invention includes a holding mechanism for holding a test substrate, and a pro-unit which can be positioned with respect to the holding mechanism, wherein the pro-unit has a first pad group of m substrates, Within the stroke domain, the first probe group that can be contacted by a predetermined range of contact pressure and the second group of pads on the IJ substrate are blinded by the first stroke.
  • a second probe group that can be elastically contacted by the predetermined range of contact pressure in a second stroke variation region different from the variation region;
  • An electrical probe system including a probe holder on which first and second probe groups are implanted.
  • the first stroke domain in which the first probe group can be in contact with the first pad group by a predetermined range of contact pressure is the same as the second probe group.
  • the second stroke domain that can be in contact with the second pad group differs depending on the contact pressure in the range.
  • the top envelope of the first pad group is included in the first stroke domain, and the top envelope of the second pad group is the second envelope.
  • the contact pressure of the first and second probe groups Is within a predetermined range, and a desired measurement degree is maintained.
  • the deformation of the test substrate held by the holding mechanism is predicted, and the envelope surface at the top of the pad, which is displaced accordingly, is divided stepwise, and the pad corresponding to one of the descending divided surfaces is divided.
  • the first pad group the pad corresponding to the other is the second pad group, and a probe unit having a probe group capable of dealing with those pad groups is prepared.
  • the inspection can be performed with a desired measurement accuracy without preventing the substrate from being deformed, and even when the substrate size becomes large, the smoothness of the inspection is not impaired to prevent the deformation.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of an i-mode according to the first embodiment of the present invention.
  • Figure 2 shows a cross section of the probe of the electrical probe system of Figure 1.
  • FIG. 3 is a sectional view showing a modification of the probe of FIG.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view showing another modification of the probe of FIG. 2
  • FIG. 5 is a plan view of a board to be inspected by the electrical probe system of FIG.
  • FIG. 6 is a plan view of the substrate holding mechanism for holding the substrate of FIG. 5;
  • FIG. 7 is a plan view showing a modification of the substrate holding mechanism of FIG. 6;
  • Figure 9 predicts the deformation of the substrate held by the substrate holding mechanism in Figure 6.
  • FIG. 10 is a diagram illustrating the principle of the present invention.
  • FIG. 11 is a side view of an electric probe system according to a second embodiment of the present invention.
  • Figure 12 is a bottom view of the probe unit of the electrical probe system of Figure 11;
  • Figure 13 is a cross-sectional view of the probe unit of Figure 12 taken along line XII-I-XIII.
  • FIG. 14 is a bottom view of a port unit of the electric probe system according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a sectional view taken along the line XV-XV of the probe unit of FIG. 14;
  • FIG. 16 is a side view of an electric probe system according to the fourth embodiment of the present invention.
  • Figure 17 is a perspective view of the lower unit of the electrical probe system of Figure 16.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view of a main part of an electric probe system according to a fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view of a main part of an electric probe system according to a sixth embodiment of the present invention.
  • FIG. 20 is a sectional view of a main part of an electric probe system according to a seventh embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a plan view of a substrate holding mechanism 2 for holding the substrate 10
  • FIG. 7 is a plan view showing a modification example 12 of the substrate holding mechanism 2. is there.
  • the electric probe system PS 1 has a substrate holding mechanism 2 for holding a substrate 10 horizontally, and a tertiary robot arm RA for the holding mechanism 2. And a probe unit 3 that can be originally positioned.
  • the probe unit 3 is configured as a probe module supported by an arm RA of a computer-assisted multi-axis positioning robot called a “tester”, and has a substantially flat insulating housing MH and It consists of the center and left and right probe blocks 5a, 5b and 5a arranged exclusively for the substrate 10 to be inspected.
  • Each pro Buburo click 5 a, 5 b, 5 a, the probe 5 n hundreds or thousands, ra Are planted in the central area 3b on the bottom surface (3a, 3b, 3a) of the module housing MH, and the lower end of each contact is exposed at a predetermined design distance and configured as a matrix.
  • the left and right regions 3a on the bottom surface (3a, 3b, 3a) of the module housing MH are lifted up via the step 3c to avoid hitting due to deformation of the substrate 10.
  • 6 and 8 are mounting screws
  • 7 is a positioning pin insertion hole.
  • the module MH has a plate-shaped lower probe holder 3 d, a plate-shaped intermediate probe holder 3 e stacked on the lower probe holder 3 d, and A plate-shaped upper probe holder 3f laminated on the intermediate probe holder 3e; and an insulating substrate laminated on the upper probe holder 3f and formed with the lead conductor W1.
  • Each support hole SH has a lower support hole SH1 passing through the lower holder 3d, an intermediate support hole SH2 passing through the intermediate holder 3e, and an upper support hole SH3 passing through the upper holder 3f. And power.
  • the lower support hole SH1 is provided with an inward step to reduce the diameter of the lower SH4, and the upper support hole SH3 is also provided with an inward step to reduce the upper end SH5.
  • the upper end of the upper support hole SH3 At the upper end of the upper support hole SH3, the lower end of the corresponding lead conductor W1 is exposed inward.
  • Each probe 5 n ⁇ is a resilient conductive contact CP1 having upper and lower plungers PL1 and PL2, which are conductive needle members, and a conductive coil spring SP1 interposed therebetween. Be composed.
  • the upper plunger PL1 extends from the intermediate support hole SH2 to the upper support hole
  • Relatively long shaft PL11 extending to SH3 and upper support hole It has a relatively short needle head PL12 slidably fitted to the reduced diameter portion of SH3 and an intermediate flange PL13 slidably fitted to the large diameter portion of the upper support hole SH3.
  • the lower plunger PL2 is slidably fitted to the relatively short shaft PL21 extending into the large diameter portion of the lower support hole SH1 and to the reduced diameter portion of the lower support hole SH1. It has a relatively long needle head PL22 protruding from the bottom surface 3b, and a middle flange PL23 slidably fitted to the large diameter portion of the lower support hole SH1.
  • the coil spring SP1 includes a pitch-wound spiral SP11 extending along the shaft PL11 from the boss below the flange PL13 of the upper plunger PL1, and a flange PL23 above the lower plunger PL2 from the lower end of the coaxial PL11. And a tightly wound spiral portion SP12 extending over the boss portion.
  • the coil spring SP1 is in an extended state in which the needle head PL12 of the upper plunger PL1 is in contact with the lower end of the lead wire W1 and the flange PL23 of the lower plunger PL2 is engaged with the step of the lower support hole SH1 (hereinafter referred to as " The needle head PL12 of the upper plunger PL1 abuts on the lower end of the lead wire W1 and the needle head PL22 of the lower plunger PL2 points to the holder lower surface 3b. It expands and contracts to a degenerate state (hereafter, often referred to as a “compression state”), which is almost flush.
  • a degenerate state hereafter, often referred to as a “compression state”
  • the upper and lower plungers PL1 and PL2 are constantly urged in the opposite direction by the spring SP1, and the lower plunger PL2 is pressed against the step of the lower support hole SH1 by the flange PL23, thereby being prevented from falling off.
  • the tip of the needle head PL12 is pressed against the lower end of the lead conductor W1.
  • Needle head PL22 lower plunger PL2 of each probe 5 n, m is off the infested from the support hole SH in response to expansion and contraction of the coil spring SP1, the apex end corresponds to the full rie state of the coil spring SP 1 Release stroke position PS1, force, etc., to compression stroke position PS2 corresponding to the compression state of coil spring SP1 (hereinafter referred to as “full stroke”) Displacement within distance h I do.
  • the top (more precisely, the upper surface) of the pad 1 lk corresponding to the probe 5 n , m is positioned at a distance d from the holder mask 3 b within the inspection area 11 ′ of the substrate 10. Place, the distance d of this if short Ri by full-collected by filtration chromatography click h, the probe 5 n, the lower end of the m (this means that the tip of the lower bra Nja needle head PL22) is, from the full lease door stroke position PS1
  • the contact pressure Pn , m With the contact pressure Pn , m corresponding to the compression amount (h-d) of the contact, it comes into contact with the top of the node Ilk.
  • the contact pressure P n , m becomes almost zero at the free stroke position PS1, and reaches the maximum Pmax at the compression stroke position PS2.
  • the accuracy (ie, the number of significant digits) of the measurement with each probe 5 n , m is determined by the pressure threshold width (upper pressure-lower pressure) defined by the specific upper and lower limits (0 ⁇ lower pressure, upper pressure ⁇ Pmax). ) Continuously depends on the contact pressures P n , B , so that the accuracy of the measurement by the probe unit 3 overlaps with the pressure threshold width of all the probes 5 (by adoption of a good coil spring).
  • the contact pressure P n , n can be made to depend continuously on the absolute value within the overlap, and the individual probe 5 ⁇ , ⁇ implantation conditions (member specifications and mounting (Including specifications).
  • a reference value of the contact pressure corresponding to the theoretical measurement accuracy (that is, a theoretical equal pressure value) is set within the overlap of the above-mentioned pressure threshold width, and above and below this reference value (for all probes 5). ) If a common differential area is set and measurement is performed with the contact pressure within that area, the accuracy of the measurement will be It means that it is included in the mathematical neighborhood of the physical precision (that is, the range of the desired precision).
  • the reference value of the stroke displacement that is ideal for obtaining the desired accuracy is determined “locally”, and the difference region ⁇ having a common width (for all the probes 5) above and below this reference value is defined. If ⁇ is set and measurement is performed with a stroke within the setting range (2 ⁇ Z), the desired measurement accuracy can be maintained.
  • the stroke ( h_d) of the individual probe 5 n , ffl is the lower surface of the holder at the site corresponding to the substrate area 1 to be measured.
  • the probe system psi can inspect the pad array on the back surface of the substrate 10 by holding the substrate 10 upside down by the holding mechanism 2.
  • the probe unit V3 may be moved to the back side of the substrate 10 by the rod arm RA, in which case the probe 5 n , As m , the conductive contact CP2 for upward inspection shown in FIG. 3 or the full-spring conductive contact CP3 shown in FIG. 4 can be used.
  • the conductive contact CP2 in FIG. 3 includes a center coil spring member SP2, and an upper conductive needle PL3 and a lower conductive needle PL4 connected to both ends of the spring member SP2.
  • the upper needle-shaped body PL3 has a large-diameter body PL31 and a small-diameter shaft PL33 having a claw PL32 formed at the tip, and a retaining step PL34 is defined therebetween. It is.
  • the claw portion PL32 elastically contacts a solder ball HB as a pad element provided on the back surface of the substrate area 11 ⁇ to be inspected.
  • the position of the step PL34 of the needle-shaped body PL3 may be raised so that the contact CP2 can be pulled out together with the movable member.
  • the lower needle-like body PL4 has a flange PL43 between a small-diameter shaft PL41 and a conical base PL42 in contact with the conductor of the wiring plate.
  • the spring member SP2 is fitted to the tightly wound spiral part SP21 fitted to the lower boss of the body PL31 of the upper needle-like body PL3 and the upper boss of the flange PL43 of the lower needle-like body PL4. And a pitch winding spiral part SP22.
  • the conductive contact CP3 shown in FIG. 4 is entirely composed of a coil spring member, and includes upper and lower tightly wound spiral portions SP3 and SP5 for providing a required rigidity and a pitch wound spiral portion SP4 for connecting them to provide a spring force. Yes.
  • the upper and lower closely wound spiral portions SP3 and SP5 are formed with steps SP33 and SP53 at the boundary between the large-diameter koinole sounds SP31 and SP51 and the / J ⁇ -diameter koinole sounds SP32 and SP52. It is prevented from slipping out.
  • FIG. 5 shows a total of IxJ semiconductor substrates 11 ⁇ ⁇ (hereinafter, generically referred to as 11) of the test substrate 10 cut and separated in the post-process of the inspection by the probe system PS1. As shown, it is composed of a main part 10a packaged in a matrix shape and four edges 10b surrounding the main part 10a.
  • Each semiconductor substrate 11 has a size of length L / 3 ⁇ width W, and a large number of pads 1 lk are formed at predetermined positions on the front and back surfaces.
  • the probe unit 3 is composed of three continuous semiconductor substrates 11 ′, ll i + 1 , j, ll i + 2 , j (for example, a region of length Lx width W shown by projection in the figure). Inspect at the same time.
  • the substrate holding mechanism 2 for holding the test substrate 10 includes a rectangular outer frame 2a with one corner missing, and three corners 2d, 2e, 2f and four sides 2g, 2h. , 2i, 2j, an inner edge 2b extending along As shown in Fig. 1, a pressing member 2m slidably fitted in the corner 2c of the outer frame 2a and a pressing spring 2k for urging the pressing member 2m inward of the outer frame 2a.
  • a holding frame FR that supports the outer frame 2a from the outside, and conveys and positions as necessary.
  • the substrate 10 to be tested falls on the inner edge 2b while leaving a slight pressing margin, the notch 2n of the pressing member 2m is applied to one corner of the substrate 10, and the other three corners are pushed by the push spring 2k. It is positioned with respect to the outer frame 2a by pressing it into the three corners 2p, 2q, 2r of the inner edge 2b.
  • the test substrate 10 may be held by the substrate holding mechanism 12 shown in FIG. 7 instead of the substrate holding mechanism 2 of FIG.
  • the holding mechanism 12 includes a pair of corner members I2a and 12f and a holding frame (not shown) for holding the corner members I2a and 12f.
  • Each corner member 12a and 12f has a small dimension defining right angles 12b and 12g.
  • the board 10 is provided with outer frames 12c, 12d and 12h, 12i and corresponding inner edges 12e, 12j, and the substrate 10 is positioned with its diagonal portions at corners 12p, 12q of the inner edges 12e, 12j. .
  • FIG. 8 is an explanatory view of a comparative example in which a conventional deformation prevention method is applied to the substrate holding mechanism 2
  • FIG. 9 is an explanatory view for predicting deformation of the substrate 10 held by the substrate holding mechanism 2
  • FIG. 3 is an explanatory view of the principle of the invention.
  • the contact pressure PoxNxM (and the weight of the substrate 10) by the NxM probes 5 is negated, and the deflection of the substrate 10 is corrected by adding the reaction force Pc.
  • the surface surrounding the top of the pad 1 lk of the target area 11., ll i +1 , j5 ll i +2 , j was parallel to the holder lower surface 3b. That is, in order to obtain a desired inspection accuracy, the isocontact pressure (Po) surface of the probe 5 (hereinafter referred to as “inspection reference surface”) was changed to a flat inspection reference surface RS0 for inspection.
  • This reference plane RS0 is A single setting for all probes 5 matches the envelope at the top of the pad Ilk.
  • the inspection is performed without performing the radius correction by the reaction force Fc, and the labor of the deflection correction is omitted. Therefore, considering the conventional method, as shown in Fig. 9, the iso-contact pressure (P1) surface of the probe 5 becomes the inspection reference surface RS1 that is bent downward, making it difficult to realize easily. ,.
  • This reference plane RS 1 also coincides with the envelope surface at the top of the pad Ilk.
  • the inspection reference plane RS1 is defined by a reference plane RS covered by a finite number (in this case, three) of spatial regions VI, V2, and V3 shown in Table 1 below. -11, RS-12, and RS-13, and a flat reference corresponding to the respective stroke displacement reference value (that is, the midpoint of the corresponding stroke domain 2 ⁇ ).
  • the inspection is performed based on the new inspection reference plane RS2, which is replaced with the planes RS-21, RS-22, and RS-23, and these reference planes are combined, so that a smooth inspection is possible.
  • the pitch of the 1 lk of the test substrate 10 has become smaller year by year, and at present, the pitch of about 0.2 mm is common.
  • the pitch of the probe 5 becomes smaller, and the stroke of the probe is about 0.5 mm, which is commonly used, and the substrate tends to be thinner than 10 force S i .O mm.
  • the size of the substrate 10 is increased (for example, 30 mm or more on each side), and the warpage due to the load of the probe unit 3 is also increased.
  • the probe stroke becomes shorter, about 0.5 mm, and becomes closer, so the outer peripheral edge of the lower part of the upper probe unit and the substrate It is necessary to prevent interference with the surface to be inspected.
  • Another object of the present invention is to make it possible to easily stabilize the contact of the probe with the substrate at the time of inspection.
  • the surface of the probe unit 3 facing the substrate 10 to be tested is allowed to warp the substrate 10 caused by the load caused by the contact of the probe 5 with the node Ilk. There is a difference 3c.
  • FIGS. 11 to 13 a second embodiment of the present invention and a third embodiment corresponding to a modified example thereof will be described with reference to FIGS. 11 to 13.
  • the same elements as those in the first embodiment are indicated by the numbers of the embodiments before the reference numbers.
  • FIG. 11 is a side view of the electric probe system PS2 according to the second embodiment
  • FIG. 12 is a bottom view of the probe unit 23 of the probe system PS2
  • FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line XIII-XIII of FIG.
  • FIG. 14 is a bottom view of the probe unit 33 of the electric probe system PS3 according to the third embodiment
  • FIG. 15 is a cross-sectional view taken along the line XV-XV of FIG.
  • the probe unit 23 includes a plurality of probes 25 corresponding to a pad 1 lk of the test board 10, and has a surface B facing the board 10. It has a stepped portion 23c that allows the substrate 10 to warp due to a load caused by the contact of the probe 5 with the pad.
  • the probe unit 23 is located above the substrate 10 in the case of a one-sided inspection.
  • the probe unit 23 is configured such that each probe 5 is elastically contacted with a corresponding pad Ilk by driving a cylinder or the like from above the substrate 10 whose peripheral edge is supported by the substrate holding chuck 22. Perform ⁇ . At this time, due to the load of the probe unit 23, the substrate 10 warps in a direction in which a portion corresponding to the center of the opposing surface B of the probe unit 23 becomes a valley.
  • the probe unit 23 relieves the warpage of the substrate 10 at the step 23a formed on the facing surface B, and inspects the substrate 10 of the probe unit 3 for inspection. Avoid contact of the edge portion A with the surface C, and reduce the gap d between the facing surface B and the valley of the surface C to be inspected due to warpage.
  • the probe unit 23 receives the substrate 10 without correcting the warpage of the substrate 10. For example, stress concentration does not occur even in the support portion of chuck 22.
  • the center edge E of the step 23c which is the boundary of the step 23a, also has a sufficient distance D from the chuck 22 compared to the similar distance of the edge A. Due to the length, the contact load at the center edge E is much smaller than that at the edge A.
  • the gap d resulting from the warpage of the substrate 10 can be reduced, the stroke of the probe 25 can be increased, and the contact stability due to the increase in the contact load of the probe can be achieved.
  • the step is formed on the side of the higher portions 23b and 33b formed in the center of the facing surface B and formed on the facing surface B.
  • the other parts are formed as lower parts 23a, 33a which are formed lower than the higher parts 23b, 33b.
  • a high portion 23b is formed at the center of the opposing surface B so as to cross in the width direction, and the low portion 23a is a step 23c on both sides of the high portion 23b.
  • the boundary is formed.
  • a rectangular surface high portion 33b is formed at the center of the opposing surface B, and the low portion 33a encloses the high portion 33b and a step formed around the high portion 33b.
  • Section 33c is the boundary.
  • the warpage of the substrate 10 is released at the step formed as the lower portions 23a and 33a on the opposing surface B of the probe units 23 and 33, and the outer peripheral edges of the probe units 23 and 33 are exposed to the inspection surface C of the substrate 10.
  • the gap d between the opposing surface B and the valley of the surface C to be inspected can be reduced because the central portion of the opposing surface B is set to the higher portions 23b and 33b.
  • the surface C to be inspected is not damaged.
  • the low part 23a, 33a is a probe of the height difference from the high part 23b, 33b.
  • This height difference corresponds to the height H 1 of the steps 23c and 33c.
  • the warp portion approaches the lower portions 23a, 33a, and the probes 25a, 35a there are higher portions.
  • a larger stroke can be secured than the probes 25b and 35b of the 23b and 33b, and the contact load of the probes 25a and 35a in the lower portions 23a and 33a on the surface C to be measured is increased, and the contact stability of the probes is increased. Can be achieved.
  • the difference in height between the lower portions 23a and 33a and the higher portions 23b and 33b is set to 15% or more of the full stroke h of the probes 25 and 35 because the probe has stable contact with the surface C to be inspected. This is to prevent interference with the outer wedges of the probe units 23 and 33.
  • 23d, 23e, 23f and 33d, 33e, 33f are the lower holder, intermediate holder, and upper holder of the probe
  • 23g and 33g are wiring plates
  • L2, L21, L3, L31, and L32 are length dimensions.
  • W2, W21, W3, W31, W32 and the width dimension, 26, 36, 27, 37 screws, 28a, 29a, 38a, 39a are ⁇ holes of the positioning pins 28b, 29b, 38b, 39b 0
  • FIG. 16 is a side view of an electric probe system PS4 for simultaneous double-sided inspection according to the fourth embodiment
  • FIG. 17 is a perspective view of a lower probe cut 44 of the probe system PS4.
  • the probe system PS4 inspects the upper and lower probe units 43 and 44 that hold the board 10 from above and below by driving them with a cylinder, etc., and bringing the respective probes 45a and 45b and 45c and 45d into contact with the corresponding pads. I do.
  • the upper probe unit 43 has a high portion 43b and a step portion (low portion) 43a that allows the substrate 10 to warp.
  • the lower probe unit 44 also has a step portion (low portion) 44a and a high portion 44b. It is formed, and the warpage of the substrate 10 does not interfere.
  • the probe 45c in the lower portion 44a of the lower probe unit 44 has a smaller stroke during inspection than the probe 45d in the higher portion 44b.
  • the surface to be inspected by the lower probe unit 44 is on the side where the mother board is mounted, and the pads on the side where the mother board is mounted are arranged.
  • the pitch is relatively wider than the tip mounting side, and the probes 45c and 45d of the lower probe unit 44 have a longer stroke than the probes 45a and 45b of the upper
  • the size can be made large, and the number of pads on the motherboard mounting side is much smaller than that on the chip mounting side, and probe contact is stable.
  • 44d, 44e, and 44f are the upper holder, intermediate holder, and lower holder of the probe, and 44g is the wiring plate.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view of a main part of an electric probe system PS5 according to a fifth embodiment
  • FIG. 19 is a cross-sectional view of a main part of an electric probe system PS6 according to a sixth embodiment.
  • the probe units 54 and 64 of the probe systems PS5 and PS6 are provided with probes 55 and 65 corresponding to the pads of the substrate 10, and the probe units 54 and 64 facing the surface to be inspected of the substrate 10 and the surface C thereof.
  • the distance from the surface B differs from the warp of the substrate 10 caused by the elastic load of the probe 55.65.
  • the probes 55 and 65 are grouped (55c, 55d, 55c; 65c, 65d, 65c) along the warp of the substrate 10, and the amount of protrusion is set for each group according to the above-mentioned separation distance.
  • the probe portion resiliently contacts the surface to be inspected C on the concave side of the warp of the substrate 10, and the probe 55d corresponding to the concave valley of the substrate 10 is in the maximum protruding amount group G1.
  • the probe 55c corresponding to the slope on both sides of the concave valley becomes the minimum protrusion amount group G2.
  • the probe unit 65 the probe resiliently touches the surface C to be inspected on the convex side of the warpage of the substrate 10, and the probe 65d corresponding to the top of the convex surface of the substrate 10 becomes the minimum protrusion group G2, and the convex surface of the substrate 10
  • the probe 65c corresponding to the slopes on both sides of the top is the maximum protrusion group G1.
  • the probe unit 55 can be used as an upper probe unit for one-sided inspection, and the probe units 55 and 65 can be used as an upper probe unit and a lower probe unit for simultaneous double-sided inspection.
  • the probes 55 and 65 of the probe units 55 and 65 are grouped along the curvature of the substrate 10, and the groups are determined according to the distance between the test surface C of the substrate 10 and the opposing surface B of the probe unit for each group. Because of the protruding amount, it makes stable contact with the entire inspection surface C despite the difference in the separation distance.
  • the protrusion amount difference g between the maximum protrusion amount group G1 and the minimum protrusion amount group G2 is set to 20% or more of the maximum protrusion amount.
  • the protrusion amount of the group G1 is 2 mm
  • the protrusion amount of the group G2 is 1.5 mm.
  • the probe of the maximum protruding amount group G1 comes into contact with the inspection surface C to cause the substrate 10 to warp and retreat into the probe units 54 and 64.
  • the probe of the minimum protrusion group G2 contacts the surface C to be inspected, and then the maximum and The probes of the minimum protrusion groups Gl and G2 retreat together.
  • the probe units 54 and 64 may include a group having an intermediate protrusion amount between the maximum protrusion amount group G1 and the minimum protrusion amount group G2.
  • the contact of the probe with the inspection surface C is not stable.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view of a main part of an electric probe system PS7 according to the seventh embodiment.
  • the maximum protrusion amount group G1 is constituted by a probe 75d provided in the high-order portion 74b of the surface facing the surface to be inspected of the probe unit 74, and the minimum protrusion amount
  • the group G2 is constituted by the probe 75c provided in the lower portion 74a in the above-mentioned opposing surface.
  • the warpage of the test board is released at the step formed on the facing surface of the probe unit, thereby preventing the outer peripheral edge of the probe unit from interfering with the test surface of the test board. It is possible to reduce the gap between the opposing surface of the probe unit due to the warp and the valley of the inspection surface of the inspection substrate, thereby easily stabilizing the contact of the probe with the substrate.
  • the warpage of the test board is released at the step formed as a low part on the opposing surface of the probe unit, so that the probe unit It is possible to prevent the outer peripheral edge from interfering with the surface to be inspected of the substrate to be inspected. If the central portion of the opposing surface is formed at a higher position, the opposing surface of the professional unit and the substrate to be inspected due to warpage The gap with the valley of the surface to be inspected can be further reduced.
  • the height difference between the lower part as the step part and the higher part is set as 15% or more of the full stroke of the probe.Pubs that can obtain contact stability are grouped along the warpage of the test board. In addition, since the amount of protrusion is given to each group in accordance with the distance between the test surface of the test substrate and the opposing surface of the probe unit, contact stability can be obtained over the entire test surface regardless of the difference in the separation distance. .
  • This contact stability can be obtained without correcting the warpage of the test substrate, but with the warped state being substantially left, so that stress concentration in the contact state can be avoided.
  • the contact stability can be improved by making the protrusion amount difference between the maximum protrusion amount group and the minimum protrusion amount group 20% or more of the large protrusion amount.

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Abstract

被検基板(10)を保持する保持機構(2)と、前記保持機構(2)に対し位置決め可能なプローブユニット(3)とを備え、前記プローブユニット(3)は、前記基板(10)の第1のパッド群(11k)に、第1のストローク変域(V1)内で、所定範囲(2ΔZ)の接触圧により弾接可能な第1のプローブ群(5a)と、前記基板(10)の第2のパッド群(11k)に、前記第1のストローク変域(V1)と異なる第2のストローク変域(V2)内で、前記所定範囲(2ΔZ)の接触圧により弾接可能な第2のプローブ群(5b)と、前記第1及び第2のプローブ群(5a,5b)が植設されたプローブホルダ(3d)とを備える電気的プローブシステム。

Description

明細書 電気的プローブシステム 技術分野
本発明は、 電気的プローブシステムに関し、 特に、 検査対 象となる回路基板の電気接点 (以下 「パッ ド」 と呼ぶ。 ) へ 個別に接触して検査のための導電路を構成する複数の リ パル ジブコ ンタク タプローブ(弾発式導電性接触子、 以下単に 「プ ロ ーブ」 と呼ぶ。 ) を備えた電気的プローブシステム に関す る。 背景技術
電気的プローブシステムは、 通常、 被検基板を保持する基 板保持機構と、 こ の保持機構に対しロボッ ト等によ り 三次元 的に位置決め可能なプローブュニッ ト と を備える。
従来のプローブュニッ トは、 複数のプローブをプローブホ ルダの片面に同じ条件で植設した構成を有する。
従って、 プローブの接触対象となるパッ ドの頂部を包絡す る面がプローブホルダのプローブ植設面と平行であれば、 そ れらのプローブとパッ ドとの接触圧が等しく なつて、 好ま し い測定精度が得られ、 検查を円滑に行える。
反面、 被検基板が自重あるいは接触圧によ り変形して、 パ ッ ド頂部の包絡面がプローブ植設面に平行でなく なる と、 プ ローブとパッ ドとの接触圧が均一さを欠き、 測定精度にその 影響がでる。 そこで、 従来は、 基板保持機構に工夫を施し、 被検基板の 変形を防止して所望の測定精度を維持するよ う にしていた。
(日本国特開平 1 1 一 1 5 3 6 4 7号公報参照)
しかしながら、 基板サイズの拡大化に伴って、 変形防止に 手間取り 、 その分、 検査の円滑性が損なわれていた。
本発明は、 基板サイズが大き く なつても、 その変形防止の ために検査の円滑性が損なわれる こ とのない電気的プローブ システムを提供するこ とを一つの課題とする。 発明の開示
本発明者等は、 プローブをパッ ドに弾接させる電気的プロ ーブシステムは 、 プロ一プの接触性能が良好なため 、 そのス 卜 ローク (つま り、 プ Π一ブの伸縮に伴う先端部の変位) が 適宜な幅の中にあれば 、 所 の測定精度を維持可能な接触圧 が得られる こ とを知り 、 従つて、 プロ一ブの植設条件を変え ても、 そのス 卜 ローク変域を管理する とによ りヽ 所望の測 定精度を維持可能な範囲に接触圧を調整できるこ とカ ^"カ つ て、 前記課題を解決する次の発明を行つた。
本発明は、 被検基板を保持する保持機構と、 前記保持機構 に対し位置決め可能なプロ一ブュニッ 卜 と を備え 、 前記プロ ーブュニッ トは 、 m 基板の第 1 のパッ ド群に、 第 1 のス ト ローク変域内で 、 所定範囲の接触圧によ り 弹接可能な第 1 の プローブ群と 、 目 IJ記基板の第 2 のパ ッ 群に、 盲 U記第 1 のス 卜 Π—ク変域と異なる第 2 のス ト ロ ーク変域内で 、 前記所定 範囲の接触圧によ り弾接可能な第 2 のプロープ群と 、 mi s己
1及び第 2 のプローブ群が植設されたプローブホルダと を備 える電気的プ π一ブシステムである。 本発明によれば、 第 1 のプローブ群が所定範囲の接触圧に よ り第 1 のパッ ド群に弹接可能な第 1 のス ト ローク変域と、 第 2 のプ ーブ群が同じ範囲の接触圧によ り第 2 のパッ ド群 に弹接可能な第 2 のス ト ローク変域とが異なる。
このため 、 第 1 のパッ ド群の頂部包絡面が第 1 のス ト ロ ー ク変域に包含され、 且つ、 第 2 のパッ ド群の頂部包絡面が第
2 のス 卜 ーク変域に包含されていれば、 各包絡面の起伏或 いは第 1 及び第 2 ス ト ローク変域の違いに係わり なく 、 第 1 及び第 2 のプローブ群の接触圧が所定の範囲に収ま り 、 所望 の測定 度が維持される。
従つて 、 保持機構で保持される被検基板の変形を予測し、 それに応じて変位するパッ ド頂部の包絡面を段階的に分割し て 、 降り 合う分割面の内の一方に対応するパッ ドを第 1 のパ ク ド群と し 、他方に対応するパッ ドを第 2 のパ ッ ド群と して、 それらのパッ ド群に対処可能なプローブ群を備えるプローブ ュ二ッ 卜を用意するこ とによ り 、 基板の変形を防止せずと も 所望の測定精度で検査を行え、基板サイズが大き く なっても、 その変形防止のために検査の円滑性が損なわれずに済む。 図面の簡単な 明
本発明の上記その他の 、 特徴及ぴ効果は 、 以下に添付 図面を參照してなされる本発明を実施するための最良の形態 の 明を むこ と によ り 明らかとなる。 添付図面中 :
図 1 は 、 本発明の第 1 の 施の形態に係る i気的プ
実 一ブ システムの斜視図 ,
図 2 はヽ 図 1 の電気的プ Π一ブシステムのプ 一ブの断面 図
図 3 は 、 図 2 のプ 一ブの変更例を示す断面図 図 4 は、 図 2 のプローブの別の変更例を示す断面図 ; 図 5 は 図 1 の電気的プロ一ブシステムの検査対象と なる 基板の平面図 ラ
図 6 は 図 5 の基板を保持する基板保持機構の平面図 ; 図 7 は 、 図 6 の基板保持機構の変更例を示す平面図 ; 図 8 は 、 図 6 の基板保持機構に従来の変形防止方式を適用 した比較例の説明図
図 9 は 図 6 の基板保持機構で保持された基板の変形を予 測する 明図
図 1 0 は 、 本発明の原理説明図 ;
図 1 1 は 、 本発明の第 2 の実施の形態に係る電気的プロ一 ブシステムの側面図
図 1 2 は 図 1 1 の電気的プローブシステムのプローブュ ニ ッ 卜 の底面図 ;
図 1 3 は 、 図 1 2 のプローブユニ ッ ト の X I I I - XI I I線断面
図 1 4 は 、 本発明の第 3 の実施の形態に係る電気的プロ一 ブシステムのプ口一ブュニッ ト の底面図
図 1 5 は 図 1 4 のプローブユニッ トの XV- XV線断面; 図 1 6 は 、 本発明の第 4 の実施の形態に係る電気的プロ一 ブシステムの側面図
図 1 7 は 図 1 6 の電気的プローブシステムの下側プロ一 ブュニ V 卜 の斜視図
図 1 8 は 、 本発明の第 5 の実施の形態に係る電気的プロ一 ブシステムの要部断面図 ;
図 1 9 は 、 本発明の第 6 の実施の形態に係る電気的プロ一 ブシステムの要部断面図 ; そ して 図 2 0 は、 本発明の第 7 の実施の形態に係る電気的プロ一 ブシステムの要部断面図である。 発明を実施するための最良の形態
以下に、 本発明を実施するための最良の形態を、 添付図面 に基づき説明する。 図中、 同じ要素は同じ符号で表す。
(第 1 の実施の形態)
先ず、 図 1 〜図 7 を参照して、 本発明の第 1 の実施の形態 及びその変更例を説明する。
図 1 は本発明の第 1 の実施の形態に係る電気的プローブシ ステム PS 1 の斜視図、 図 2 は同プロ ーブシステム PS 1 の任意 なプローブ 5n, m ( 1≤ n ≤ N, 1≤ m≤ M ; N, M = 自然数、 以下総 称的には 5で示す。 ) の断面図、 図 3及び図 4はそれぞれプ ローブ 5n, raの変更例を示す断面図、 図 5 はプローブシステム PS 1 の検査対象となる半導体基板 1 0 の平面図、 図 6 は基板 1 0 を保持する基板保持機構 2 の平面図、 図 7 は基板保持機 構 2 の変更例 1 2 を示す平面図である。
第 1 の実施の形態に係る電気的プローブシステム PS 1 は、 図 1 に示す様に、基板 10 を水平に保持する基板保持機構 2 と、 こ の保持機構 2 に対しロボッ トアーム RA によ り三次元的に 位置決め可能なプローブュニッ ト 3 と を備える。
プローブュニッ ト 3 は、 「テスター」 と呼ばれるコ ンビユ ー タ支援多軸位置決めロボッ トのアーム RA によ り支持された プローブモジュ ールと して構成され、 略々平らな絶縁性のハ ウジング MH と、 検査対象となる基板 1 0専用に配置された中 央及ぴ左右のプローブプロ ック 5 a, 5b, 5 a とから成る。各プロ ーブブロ ック 5 a, 5 b, 5 a は、 数百または数千のプローブ 5 n, ra をモジュールハウジング MH の底面 (3a, 3b, 3a) の中央領域 3b に植設し、 それぞれの接触下端部を所定の設計距離で露出 させたマ ト リ ッタス と して構成される。
モジュールハウジング MHの底面 ( 3a, 3b, 3a) の左右の領域 3a は、 段差 3 c を介して持ち上げ、 基板 10 の変形による当 た り を回避する。 図中、 6 , 8 は取付けねじ 、 7 は位置決め ピンの揷入孔である ο
モジユーノレノヽウジング M Hは、 図 2 に示すよ う に、 板状の 下側プローブホルダ 3 d と、 こ の下側プ ブホノレダ 3 dの 上に積層された板状の中間プローブホルダ 3 e と、 この中間 プローブホノレダ 3 e の上に積層された板状の上側プ口ーブホ ルダ 3 f と、 こ の上側プローブホルダ 3 f の上に積層されリ 一 ド導体 W 1 が形成された絶縁性基板と しての配線プレー ト
3 g と を含む。
上記プローブホルダ 3 d , 3 e , 3 f 及ぴ配線プ レー ト 3 g は互いに密に接合され、 プローブ 5 を個別に収容する支持 孔 SHが形成される。 各支持孔 SH は、 下側ホルダ 3 d を縦通 する下側支持孔 SH1 と、 中間ホルダ 3 e を縦通する中間支持 孔 SH 2 と、上側ホルダ 3 f を縦通する上側支持孔 SH 3 と力 ら なる。 下側支持孔 SH1 は、 内方への段差を設けて下部 SH4 を 縮径し、上側支持孔 SH 3 も、内方への段差を設けて上端部 SH5 を縮径する。 上側支持孔 SH3 の上端では、 対応する リ ー ド導 体 W1 の下端部が内方に露出する。
各プローブ 5 n ^は、 導電性の針状部材である上下のプラン ジャ PL1, PL2 とその間に介装された導電性のコイルばね SP1 と を有する弾発式の導電性接触子 CP1 と して構成される。 上側のプランジャ PL1 は、 中間支持孔 SH 2から上側支持孔
SH3へかけて延在する比較的長寸の軸部 PL 11 と、 上側支持孔 SH3 の縮径部へ摺動可能に嵌合する比較的短寸の針頭部 PL12 と、 上側支持孔 SH3 の大径部へ摺動可能に嵌合する中間鍔部 PL13 と を有する。
下側のプランジャ PL2 は、 下側支持孔 SH 1 の大径部中に延 在する比較的短寸の軸部 PL21 と、下側支持孔 SH1 の縮径部へ 摺動可能に嵌合して底面 3 b よ り 突出する比較的長寸の針頭 部 PL22 と、下側支持孔 SH1 の大径部へ摺動可能に嵌合する中 間鍔部 PL23 と を有する。
コイルばね SP1 は、上側プランジャ PL1 の鍔部 PL13下側の ボス部から軸部 PL11 に沿って延在する ピッチ卷螺旋部 SP 11 と、 同軸部 PL11 の下端から下側プランジャ PL2 の鍔部 PL23 上側のボス部にかけて延在する密着卷螺旋部 SP12 とからな る。 コイルばね SP1 は、 上側プランジャ PL1 の針頭部 PL12 が リ ー ド線 W1 下端に当接し且つ下側プランジャ PL2 の鍔部 PL23 が下側支持孔 SH1 の段差に係合する伸延状態 (以下、 し ばしば 「フ リ ー状態」 と呼ぶ。) と、 上側プラ ンジャ PL1 の針 頭部 PL12 が リ ー ド線 W1 下端に当接し且つ下側プラ ンジャ PL2の針頭部 PL22尖端がホルダ下面 3 b と略々面一になる縮 退状態 (以下、 しばしば 「コンプレツシヨ ン状態」 と呼ぶ。) との間で伸縮する。
上下のプランジャ PL1, PL2 は、 ばね SP1 によ り 常時逆方向 に付勢され、 下側プランジャ PL2 は、 鍔部 PL23 で下側支持孔 SH1 の段差に押し当て られ、 これによ り脱落阻止されて、 針 頭部 PL22 の尖端が外方へ突出し、 基板 1 0 の対応領域 lli.j ( 1≤ i≤ I, 1≤ j≤ J; I , J = 自然数) にあるノ ッ ド Ilk の 頂部に弹接する。 上側プラ ンジャ PL1 は、 針頭部 PL12 の尖端 が リ ー ド導体 W1 の下端に押し当てられる。 これによ り 、 導電 性接触子 CP1 ( = 5 n m) が、 ノ ッ ド 1 lk と リ ー ド導体 W1 と を 結ぶ導電路と して機能する。
各プローブ 5 n,mの下側プランジャ PL2 の針頭部 PL22 は、 コイルばね SP1 の伸縮に応じて支持孔 SHから出没し、その尖 端が、 コイルばね SP 1 のフ リ ー状態に対応するフ リ ース ト ロ ーク位置 PS1 力、ら、 コイルばね SP1 のコンプレツシヨ ン状態 に対応する コンプレツショ ンス ト ローク位置 PS2 までの (以 下 「フルス ト ロ ーク 」 と呼ぶ。) 距離 h内で変位する。
従って、 基板 1 0 の検査領域 11 』 内でプローブ 5 n, m に対 応するパッ ド 1 lk の頂部(よ り 正確にはその上面)をホルダ仮 面 3 b 力、ら距離 d の位置におき、 こ の距離 d をフルス ト ロ ー ク h よ り 短く すれば、 プローブ 5 n,mの下端 (つま り 下側ブラ ンジャ針頭部 PL22 の尖端) が、 フ リ ース ト ローク位置 PS1 からの圧縮量 ( h — d ) に応じた接触圧 Pn, mで、 ノ ッ ド Ilk の頂部に弾接する。 こ の接触圧 Pn,mは、 フ リ ース ト ローク位 置 PS1でほぼ零とな り 、コンプレツシヨ ンス ト ローク位置 PS2 で最大 Pmax となる。
個別のプローブ 5 n,m による測定の精度(即ち有効桁数)は、 固有の上下限値 ( 0 <下限圧く上限圧 < Pmax) によ り 定義され る圧閾幅(上限圧-下限圧)内で接触圧 Pn, Bに連続的に依存し、 従って、 プローブュニッ ト 3 による測定の精度は、 (良質なコ ィルばねの採用によ り ) 全プローブ 5 の圧閾幅に重な り を持 たせれば、 その重な り 内で、 接触圧 Pn, nの絶対値に連続的に 依存させる こ と ができ、 個別プローブ 5 η,π の植設条件(部材 仕様及ぴ取付仕様を含む)に左右されずに済む。
これは、理論的な測定精度に対応する接触圧の基準値(即ち 理論的な等圧値)を上記圧閾幅の重な り 内に定め、こ の基準値 の上下に(全プローブ 5 に関し)共通な微分領域を設定して、 その領域内の接触圧で測定を行えば、 その測定の精度が上記 理 的精度の数学的近傍 (つま り所望な精度の範囲) に包含 されるこ と を意味する。
―方 、個別プローブ 5 n,mの接触圧は、その圧縮量 h — d ( = プ 一ブ下端のス ト ローク変位) に比例する。
従つて、 所望の精度を得る上で理想的なス ト ローク変位の 基準値を 「局所的に」 定め、 こ の基準値の上下で (全プロ一 ブ 5 に関し) 幅が共通な差分領域 Δ Ζ を設定して、 その設定 変域 ( 2 Δ Z) 内のス ト ロークで測定を行えば、 所望の測定精 度を維持するこ とができる。
こ の点、 個別プローブ 5 n,fflのス ト ローク ( h _ d ) は、 測 定対象と なる基板領域 1 ,」 の対応部位におけるホルダ下面
3 b側への変形に対応する ので、 こ の局所的変形を包含する ス 卜 ーク変域を上記設定変域 ( 2 Δ Ζ) と して選定すれば、 基板 1 0 が変形した状態で測定しても所望の測定精度が得ら れる
な 、 プローブシステム psi は、 保持機構 2で基板 10 を裏 表逆に保持する こ と によ り 、基板 10裏面のパッ ド列を検査す る - とができる。
- の点、 基板 1 0 を裏表逆に保持する代わ り に、 プローブ ュ二 V ト 3 をロポッ トアーム RA によ り 基板 10 の裏側に移動 させてもよ く 、 その場合、 前記プローブ 5 n,mと して、 図 3 に 示す上向き検査用導電性接触子 CP2又は図 4 に示す総ばね形 導電性接触子 CP3 を用いるこ とができる。
図 3の導電性接触子 CP2は、中央のコイルばね部材 SP2 と、 このばね部材 SP2 の両端部に連結される上側導電性針状体 PL3及び下側導電性針状体 PL4 と を有する。上側の針状体 PL3 は、 大径の胴部 PL31 と、 先端に爪部 PL32 が形成された小径 の軸部 PL33 と を備え、 その間に抜け止め段差 PL34が画成さ れる。 爪部 PL32 は検査対象となる基板領域 11^·の裏面に設 けられたパッ ド要素と してのハンダボール HB に弾接する。針 状体 PL3 の段差 PL34 の位置を上げて、接触子 CP2 を可動部材 と共に上方へ抜き取り 可能な構成にしても良い。 下側の針状 体 PL4は、 小径の軸部 PL41 と、 配線プレー トの導体に弹接す る錐状基部 PL42 と の間に鍔部 PL43 を設ける。 ばね部材 SP2 は、上側の針状体 PL3 の胴部 PL31下側のボス部に嵌合する密 着卷螺旋部 SP21 と、 下側の針状体 PL4 の鍔部 PL43上側のボ ス部に嵌合する ピッチ卷螺旋部 SP22 と を有する。
図 4 の導電性接触子 CP3 は、 その全体がコイルばね部材か らなり 、 所要の剛性を与える上下の密着卷螺旋部 SP3, SP5 と その間を連結しばね力を与える ピッチ卷螺旋部 SP4 と を有す る。 上下の密着巻螺旋部 SP3, SP5 は、 いずれも、 その大径コ ィノレ音 SP31, SP51 と / Jヽ径コィノレ音 SP32, SP52 との境界部に段 部 SP33, SP53 カ 形成され、 これによ り抜け止めされる。
以上において、 被検基板 1 0 は、 プローブシステム PS 1 に よる検査の後工程で切断分離される総数 IxJ個の半導体基板 11^· (以下、 総称的には 11 で表す。 )を図 5 に示すよ う にマ ト リ ックス状にパッケージ化した主部 10a と、 それを囲繞する 四辺の縁部 10b とで構成される。
各半導体基板 1 1 は、 長さ L/3 x幅 W の寸法を有し、 その 表裏には多数のパッ ド 1 lkが所定位置に形成されている。
プローブユニッ ト 3 は、 連続する 3 個の半導体基板 11 』, lli + 1,j, lli + 2,j (例えば、 図中に射影をつけて示した長さ Lx幅 Wの領域) を同時に検査する。
被検基板 1 0 を保持する基板保持機構 2 は、 図 6 に示すよ う に、 一隅が欠けた矩形状の外枠 2a と 、 その 3 つの角隅 2d, 2e, 2f 及び四辺部 2g, 2h, 2i, 2j沿いに延在する内縁 2b と、 外枠 2a の欠隅部 2c に摺動自在に嵌合する押当部材 2m と、こ の押当部材 2mを外枠 2a の内方に付勢する押ばね 2k と、 図 1 に示すよ う に、 外枠 2a を外方よ り 支承し、 必要に応じ搬送、 位置決めする保持枠 FR と を有する。
被検基板 10は、若干の押し代を残して内縁 2bに落し掛け、 押当部材 2m の切欠部 2n を基板 1 0 の一角に当てがい、 押ば ね 2kで押して、他の三つの角を内縁 2b の三隅 2p, 2q, 2r に押 し込むこ とによ り 、 外枠 2aに対する位置決めを行う。
被検基板 1 0 は、 図 6 の基板保持機構 2 に代え、 図 7 に示 す基板保持機構 1 2で保持しても良い。 この保持機構 1 2 は、 一対のコーナー部材 I2a, 12f と、 これを保持する不図示の保 持枠とで構成され、 各コーナー部材 12a, 12f は、 直角な角 12b, 12g画成する小寸外辺枠 12c, 12d及ぴ 12h, 12i と、 それ に対応する内縁 12e, 12 j と を備え、 基板 10 は、 その対角部を 内縁 12e, 12j の角隅 12p, 12qにあてがって位置決めする。
こ こで、 図 8 〜図 10 を参照して、 プローブシステム PS1 による基板 1 0 の検査方法につき説明を行う。
図 8 は基板保持機構 2 に従来の変形防止方式を適用 した比 較例の説明図、 図 9 は基板保持機構 2で保持された基板 1 0 の変形を予測する説明図、 図 1 0 は本発明の原理説明図であ る。
従来は、 図 8 に示すよ う に、 NxM個のプローブ 5 による接 触圧 PoxNxM (及ぴ基板 10 の自重)を打ち消す.反力 Pcを加えて、 基板 1 0 の撓みを補正し、 検查対象領域 11 ., lli + 1,j5 lli + 2,j のパッ ド 1 lkの頂部を包絡する面をホルダ下面 3bと平行にし ていた。 つま り 、 所望の検査精度を得るためにプローブ 5 の 等接触圧 (Po) 面 (以下 「検査基準面」 と呼ぶ。 ) を平らな 検査基準面 RS0 に変えて検查していた。 この基準面 RS0は、 全プローブ 5 に対して単一設定きれ、 パッ ド Ilk頂部の包絡 面に一致する。
本発明では、上記反力 Fc による橈み捕正を行わずに検査を 行い、 撓み捕正の手間を省く 。 このため、 従来方式に合わせ て考えれば、 図 9 に示すよ う に、 プローブ 5 の等接触圧(P1) 面が下方に撓んだ検查基準面 RS1 にな り 、容易に実現し難レ、。 この基準面 RS 1 もパッ ド Ilk頂部の包絡面に一致する。
この点、 本発明は、 図 10 に示すよ う に、 上記検査基準面 RS1 を、 次の表 1 に示す有限個(この場合 3つ)の空間領域 VI, V2, V3で覆われる基準面 RS - 11, RS - 12, RS- 13 に分け、 それ ぞれのス ト ローク変位の基準値 (つま り 、 対応するス ト ロ ー ク変域 2 Δ Ζ の中点) に対応する平らな基準面 RS- 21, RS-22, RS-23で置換え、 これらの基準面を合成した新たな検查基準 面 RS2 に基づき検査しており 、 円滑な検査が可能である。
表 1 : 空間領域 VI, V2, V3の寸法
Figure imgf000014_0001
と ころで、被検基板 1 0 は、そのパッ ド 1 lkのピッチが年々 微小化し、 現在ではピッチ 0 . 2 m m程度のものが通常化し ている。 これに伴いプローブ 5 のピッチが微小化し、 そのス ト ローク も 0 . 5 mm程度のものが常用され、 しかも基板 1 0力 S i . O mm以下に薄化する傾向にある。
また基板 1 0 のサイズが大き く な り (例えば、 一辺 3 0 m m以上) 、 プローブユニッ ト 3 の荷重による反り も大き く な つている。 こ の点、 プローブュニ ッ ト 3 の荷重を小さ く して基板 1 0 を保護する試みもあるが、 それには、 プロープ 5 のス ト ロ ー クを大き く して安定接触を図る必要がある。
しかしながら、基板 1 0への接触安定性を図ろ う とする と、 プローブのス ト ロークが約 0 . 5 mmと短く なつた分、 更に 近づく ので、 上部プローブュニッ トの下部の外周エッジ部と 基板 1 0 の被検查面との干渉を防止する必要がある。
本発明は、 検查時に、 基板に対するプローブの接触安定性 を容易に図れる よ う にするこ と も 目的と している。
こ の 目的を達成するため、 本実施例では、 被検基板 1 0 に 対向するプローブュニッ ト 3 の面に、プローブ 5のノ ッ ド Ilk への当接による負荷で生じる基板 1 0 の反り を許容する 差 3c を設けている。 (第 2及び第 3の実施の形態)
次に、 図 1 1 〜図 1 3 を参照して、 本発明の第 2 の実施の 形態およびその変更例に相当する第 3 の実施の形態を説明す る。 なお、 以下の実施の態様において、 第 1 の実施の態様と 同様な要素は、 その参照番号の前に実施態様の番号を付して 示す。
図 1 1 は第 2 の実施の形態に係る電気的プローブシステム PS2 の側面図、 図 1 2はプロープシステム PS2 のプローブュ ニッ ト 23 の底面図、 図 1 3 は図 12 の XIII- XIII線断面図、 図 1 4 は第 3 の実施の形態に係る電気的プローブシステム PS3のプローブュニッ ト 33の底面図、図 1 5 は図 1 4 の XV- XV 線断面である。
プローブュニッ ト 23は、 被検基板 10 のパ ッ ド 1 lkに対応 する複数のプローブ 25を備え、その基板 10への対向面 B に、 プローブ 5 のパッ ドへの当接による負荷で生じる基板 10 の 反り を許容する段差部 23 c を有する。
プローブユニッ ト 23 は、 片面検査の場合、 基板 10 の上側 に位置する。
このプローブュニッ ト 23 は、 周縁部が基板押えチャ ック 22で支持された基板 10 の上方から、 シリ ンダ等の駆動によ り 、 各プローブ 5 を対応するパッ ド I l kに弾接させて検查を 行う。 この と き、 基板 10 は、 プローブユニッ ト 23 の負荷に よ り 、プローブュエツ ト 23 の対向面 B の中央部に対応する部 位が谷となる方向に反る。
この検查時、プローブュニッ ト 23 は、図 1 2 に示すよ う に、 基板 10 の反り を、上記対向面 B に形成された段差部 23aで逃 がし、プローブュニッ ト 3 の基板 10 の被検査面 Cに対するェ ッジ部 Aの当接を回避し、 反り に起因する対向面 B と被検査 面 Cの谷部との隙間 d を小さ く する。
プローブユニッ ト 23 は、 基板 10 の反り を矯正せず、 その まま受け入れる。 例えば、 チャ ック 22 による支持部でも応力 集中がおきない。
エッジ部 Aの被検査面 Cへの当接を避けるので、 エッジ部 Aによる基板 10 の損傷がない。 このエッジ部の不具合につい ては、段差部 23 aの境界となる段部 23 cの中央エッジ部 E も、 チャ ック 22からの離間距離 Dがエッジ部 Aの同様な離間距離 に比べて充分長いので、 中央エッジ部 Eの接触荷重はエッジ 部 Aのそれと比べて充分小さ く なる。
基板 10 の反り に起因する隙間 d を小さ く でき、その分プロ ープ 25 のス ト ローク を稼げ、プローブの接触荷重の増大によ る接触安定性を図れる。 図 12,図 13およぴ図 14,図 15 に示すよ う に、 段差部は、 対 向面 B の中央部に形成された高位部 23b, 33b の側部に形成さ れ対向面 Bの他の部分を高位部 23b, 33b よ り低位に形成する 低位部 23a, 33a と して構成される。
図 12,図 13 のプローブユニッ ト 23では、 対向面 B の中央 部に幅方向に横断する よ う にして高位部 23bが形成され、 低 位部 23aは高位部 23b の両側部分に段部 23c を境界と して形 成される。
図 14,図 15のプローブュニッ ト 33では、 対向面 B の中央 部に矩形平面の高位部 33bが形成され、 低位部 33aは高位部 33b を取卷き、 高位部 33b の周囲に形成された段部 33c を境 界とする。
基板 10 の反り を、プローブュニッ ト 23, 33 の対向面 Bに低 位部 23a, 33a と して形成した段差部で逃がし、 プローブュニ ッ ト 23, 33の外周エッジ部が基板 10の被検査面 Cに干渉する のを回避でき、 また対向面 Bの中央部を高位部 23b, 33b にし たので、 対向面 B と被検査面 Cの谷部との隙間 d を小さ く で き、 プローブ 25, 35 の接触安定性を確実に図れ、 被検査面 C が損傷しない。
低位部 23a, 33aは、 高位部 23b, 33b と の高低差がプローブ
25, 35 のフルス ト ローク h の 1 5 %以上になる。 この高低差 は段部 23c, 33c の高さ H 1 に相当する。
基板 10 の反り を、プローブュニッ ト 23, 33 の対向面 B に形 成した低位部 23a, 33aで逃がす際、 反り部が低位部 23a, 33a に漸近し、 そこのプローブ 25a, 35aは、 高位部 23b, 33b のプ ローブ 25b, 35b よ り 大きいス ト ロークを確保でき、 低位部 23a, 33a にあるプローブ 25 a, 35 a の被検查面 Cに対する接触 荷重を増大させ、 プローブの接触安定性を図れる。 低位部 23a, 33a と高位部 23b, 33b と の高低差をプローブ 25, 35 のフルス ト ローク h の 1 5 %以上と したのは、 プロ一 ブの被検査面 Cに対する接触安定性を得、 プローブュニッ ト 23, 33 の外周ェッジ部を干渉させないためである。
図中、 23d, 23e, 23f 及び 33d, 33e, 33f はプローブの下側ホ ルダ、 中間ホルダ、 上側ホルダ、 23g及ぴ 33gは配線プレー ト、 L2, L21, L3, L31, L32 は長さ寸法、 W2, W21, W3, W31, W32 は幅 寸法、 26, 36, 27, 37 はねじ、 28a,29a,38a,39aは位置決めピン 28b, 29b, 38b, 39b の揷入孔である 0
(第 4の実施の形態)
次に、 図 1 6〜図 17 を参照して、 本発明の第 4 の実施の形 態を説明する。
図 1 6 は第 4 の実施の形態に係る両面同時検査用電気的プ ローブシステム PS4の側面図、図 1 7 はプローブシステム PS4 の下側プローブュ-ッ ト 44斜視図である。
プローブシステム PS4は、基板 10 を上下から挟持する上部 および下部プローブュニッ ト 43, 44を、シリ ンダ等で駆動し、 それぞれのプローブ 45a, 45bおよび 45c, 45dを対応するパッ ドに弹接させて検査を行う。
上部プローブュニッ ト 43 は、 高位部 43b及び基板 10 の反 り を許容する段差部 (低位部) 43a を有し、 下部プローブュ ニッ ト 44にも、 段差部 (低位部) 44a及ぴ高位部 44bが形成 され、 基板 10 の反り が干渉しない。
下部プローブュニッ ト 44 の低位部 44a のプローブ 45 c は、 高位部 44bのプローブ 45d よ り も検査時のス ト ロークが小さ い。 この点、 下部プローブュニッ ト 44による被検査面はマザ 一ボー ド取付側とな り 、 マザ一ボー ド取付側のパッ ドの配置 はチップ搭载側に比べてピッチが相対的に広く 、 また下部プ ロープュニッ ト 44 のプローブ 45c, 45d は、上咅 |3プローブュニ ッ ト 43 のプロ ーブ 45a, 45b に比べス ト ロ ーク を大き く でき、 しかもマザ一ボー ド取付側はパッ ド数がチップ搭載側よ り か な り 少なく 、 プローブの接触が安定する。
図中、 44d, 44e, 44f はプローブの上側ホルダ、 中間ホルダ、 下側ホルダ、 44g は配線プレー トである。
(第 5及び第 6 の実施の形態)
次に、 図 1 8 〜図 1 9 を参照して、 本発明の第 5 の実施の 形態およびその変更例に相当する第 6 の実施の形態を説明す る。
図 1 8 は第 5 の実施の形態に係る電気的プローブシステム PS5 の要部断面図、 図 1 9 は第 6 の実施の形態に係る電気的 プローブシステム PS6 の要部断面図である。
プロ ーブシステム PS5、 PS6 のプロ ーブュニ ッ ト 54, 64 は、 基板 10 のパ ッ ドに対応したプローブ 55, 65 を備え、 基板 10 の被検査面じ と、 それ Cに対向するプローブュニッ ト 54, 64 の面 B と の離間距離が、 プローブ 55.65 の弾接負荷で生じる 基板 10 の反 り に沿い相違する。
プローブ 55, 65は、基板 10の反 り に沿つてグループ化(55c, 55d, 55c; 65c, 65d, 65c)され、 グループ毎に上記離間距離に応 じた突出量が設定される。
プローブュニッ ト 55 は、 基板 10 の反 り の凹面側の被検査 面 C にプローブ部が弾接し、基板 10 の凹面の谷部に対応する プローブ 55d が最大突出量グループ G1 と な り 、 基板 10 の凹 面谷部の両側の斜面に対応するプローブ 55c が最小突出量グ ループ G2 と なる。 プローブュニッ ト 65 は、 基板 10 の反 り の凸面側の被検査 面 Cにプローブが弾接し、基板 10 の凸面の頂部に対応するプ ロープ 65dが最小突出量グループ G2 と な り 、 基板 10 の凸面 頂部両側の斜面に対応するプローブ 65c が最大突出量グルー プ G1 と なる。
プローブュニッ ト 55 は片面検査時の上部プローブュニッ ト と して使用でき、 またプローブユニッ ト 55, 65 は、 それぞ れ両面同時検查時の上部プローブュニッ ト、 下部プローブュ ニッ ト と して使用でき る。
プローブュ - ッ ト 55, 65 のプローブ 55, 65 は、基板 10 の反 り に沿ってグループ化され、 グループ毎に基板 10 の被検查面 C と プローブュニッ トの対向面 B と の離間距離に応じた突出 量を持つので、 前記離間距離の相違にも拘わらず、 被検査面 C全体に安定接触する。
この接触安定性は、 基板 10 の反 り を矯正せず、 大略残した まま得られので、 接触時の応力集中がない。
好ま しく は、最大突出量グループ G1 と最小突出量グループ G2 と の突出量差 g を最大突出量の 2 0 %以上に設定する。
例えば、 グループ G1 の突出量 2 m m、 グループ G2 の突出 量 1 . 5 m mとする。
検查時は、 先ず、 最大突出量グループ G1 のプローブが被検 査面 C に当接して基板 10 に反 り を生じさせ、プローブュニ ッ ト 54, 64 内に後退する。最大突出量グループ G1 のプロ一ブが その突出量の少な く と も 2 0 %を越えて後退した後に、 最小 突出量グループ G2 のプローブが被検査面 C に当接し、その後 さ らに最大および最小突出量グループ Gl, G2 のプローブが共 に後退する。 これによ り 、 各グループ Gl , G2 のプロープに必 要な接触荷重が得られる。 プローブュニッ ト 54, 64は、最大突出量グループ G 1 と最小 突出量グループ G2 との中間の突出量を有するグループを備 えても良い。
最大突出量グループ G 1 と最小突出量グループ G2 と の突出 量差 g が最大突出量の 2 0 %未満の場合には、 プローブの被 検査面 Cに対する接触が安定しない。
(第 7 の実施の形態)
次に、 図 2 0 を参照して、 本発明の第 5及び第 6の実施の 形態の変更例である第 7の実施の形態を説明する。
図 2 0 は第 7 の実施の形態に係る電気的プローブシステム PS 7 の要部断面図である。
プローブシステム PS 7 は、 最大突出量グループ G 1 が、 プロ ーブュニッ ト 7 4 の被検査面に対向する対向面の内で高位部 分 74b に設けられたプローブ 75 dによって構成され、 最小突 出量グループ G2が、上記対向面の内で低位部分 74a に設けら れたプローブ 75 c よって構成される。
上記各部 74a, 74bからのプローブの突出量 a は同一で、 高 位部分 74b と低位部分 74a との段差によ り 、 最大突出量の 2 0 %以上となる突出量差 g を確保する。
本発明によれば、 被検基板の反り をプローブュニッ トの対 向面に形成した段差部で逃がすこ と によ り 、 プローブュニッ トの外周エッジ部が被検基板の被検査面に干渉するのを回避 でき、 反り に起因するプローブユニッ トの対向面と被検基板 の被検査面の谷部との隙間を小さ く できるので、 基板に対す るプローブの接触安定性を容易に図れる。
被検基板の反り をプローブュニッ トの対向面に低位部と し て形成した段差部で逃がすこ と によ り 、 プローブュニッ トの 外周ェ ジ部が被検基板の被検査面に干渉するのを回避でき 対向面の中央部を高位部に形成すれば、 反り に起因するプロ 一ブュ二ッ トの対向面と被検基板の被検査面の谷部との隙間 を一層小さ く できる。
段差部と しての低位部と、 高位部との高低差を、 プローブ のフルス 卜 ローク の 1 5 %以上と して接触安定性が得られる プ ブを被検基板の反り に沿ってグループ化し、 グルー プ毎に被検基板の被検査面とプローブュニッ トの対向面との 離間距離に応じた突出量を付与したので、 離間距離の相違に 拘わらず被検査面全体で接触安定性が得られる。
この接触安定性は、被検基板の反り を矯正するのではなく 、 反り 状態を大略残したまま得られるので、 その接触状態での 応力集中を避けるこ とができる。
最大突出量グループと最小突出量グループとの突出量差を 大突出里の 2 0 %以上と して、 接触安定性を向上できる。 産業上の利用可能性
本発明によれば、 基板サイズが大き く なつても、 その変形 防止のために検査の円滑性が損なわれるこ とのない電気的プ 一ブシステムが提供される。

Claims

請求の範囲
1 . 被検基板 ( 1 0 ) を保持する保持機構 ( 2 ) と、 前記保 持機構 ( 2 ) に対し位置決め可能なプローブユニッ ト ( 3 ) と を備え、 前記プローブユニッ ト ( 3 ) は、 前記基板 ( 1 0 ) の第 1 のパッ ド群(Ilk)に、第 1 のス ト ローク変域(VI)内で、 所定範囲 ( 2 Δ Ζ) の接触圧によ り 弾接可能な第 1 のプローブ 群(5a)と、 前記基板 ( 1 0 ) の第 2 のパ ッ ド群(Ilk)に、 前記 第 1 のス ト ローク変域 (VI) と異なる第 2 のス ト ローク変域 (V2) 内で、 前記所定範囲 ( 2 Δ Z) の接触圧によ り 弾接可能 な第 2 のプローブ群(5b)と、 前記第 1及び第 2 のプローブ群 (5a, 5b)が植設されたプローブホルダ ( 3 d ) と を備える電気 的プローブシステム。
2. 被検基板のパッ ドに対応して複数のプローブを備えた基 板検查用プローブュニッ トであって、
前記被検基板に対向する前記プローブュニッ ト の対向面に、 前記プローブの前記パッ ドへの当接による負荷で生じる前記 被検基板の反り を許容する段差部が設けられているこ と を特 徴とする基板検査用プローブユニッ ト。
3 .請求項 2 に記載の基板検査用プローブユニッ トであって、 前記段差部は、 前記対向面の中央部に形成された高位部の 側部に形成され前記対向面の他の部分を前記高位部よ り低位 に形成する低位部と して構成されているこ と を特徴とする基 板検査用プローブュニッ ト。
4 .請求項 3 に記載の基板検査用プローブュニッ トであって 前記低位部は、 -刖、' -記高位部との高低 力 IU記プ 一プの フ ノレス ト ローク の 1 5 %以上になるよ に形成されているこ と を特徴とする基板検 用プロープュ二ッ 卜。
5 . 被検基板のパ V ド、に対応して複数のプロ ブを備えた基 板検査用プロ一ブュ二ッ トであって 、
前記被検基板の被検査面と 、 該被検查面に対向する刖記プ ローブュニッ トの対向面との離間距離は、 前記プ ブの前 記パッ ドへの当接による負荷で生じる前記被検基板の反り に 沿つ飞相理してお 、
前記複数のプ 一ブは、 BU記被検基板の反り に沿つて適宜 グループ化される と に、 各グループ毎に i U記離間距離に応 じた突出量を有して取り付けられてレ、る
こ と を特徴とする基板検査用プロ一ブュニッ 卜 o
6 .請求項 5 に記載の基板検査用プローブュニッ トであって、 前記複数のプローブは、 最大突出量グループと最小突出量 グループを少なく と も有してグループ化されており 、 かつ 前記最大突出量グループと最小突出量グループとの突出量 差が最大突出量の 2 0 %以上となるよ う に設定されているこ と を特徴とする基板検査用プローブュニッ ト。
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