ES2227588T3 - Contacto de resorte segun patron fotolitografico. - Google Patents

Contacto de resorte segun patron fotolitografico.

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ES2227588T3
ES2227588T3 ES96916778T ES96916778T ES2227588T3 ES 2227588 T3 ES2227588 T3 ES 2227588T3 ES 96916778 T ES96916778 T ES 96916778T ES 96916778 T ES96916778 T ES 96916778T ES 2227588 T3 ES2227588 T3 ES 2227588T3
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ES
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spring
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contacts
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ES96916778T
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English (en)
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Donald Leonard Smith
Andrew Sebastian Alimonda
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Xerox Corp
Original Assignee
Xerox Corp
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Abstract

UN CONTACTO DE MUELLE CONFORMADO POR FOTOLITOGRAFIA(15) Y QUE SE FORMA SOBRE UN SUSTRATO (14) CONECTA ELECTRICAMENTE LOS TERMINALES DE CONEXION (3) DE DOS DISPOSITIVOS. EL CONTACTO DE MUELLE (15) COMPENSA ADEMAS LAS VARIACIONES TERMICAS Y MECANICAS Y OTROS FACTORES MEDIOAMBIENTALES. UN GRADIENTE DE TENSION INTRINSECO AL CONTACTO DE MUELLE DETERMINA QUE UNA PARTE LIBRE (11) DE ESTE SE FLEXIONE HACIA ARRIBA Y HACIA AFUERA DESDE EL SUSTRATO. UNA PARTE DE ANCLAJE (12) PERMANECE FIJA AL SUSTRATO (14) Y SE CONECTA ELECTRICAMENTE A UN PRIMER TERMINAL DE CONTACTO (3) DEL SUSTRATO (14). EL CONTACTO DE MUELLE (15) ESTA HECHO DE MATERIAL ELASTICO Y SU PARTE LIBRE (11) ESTA EN CONTACTO CON UN SEGUNDO TERMINAL DE CONEXION (3), INTERCONECTANDO ELECTRICAMENTE DE ESTA FORMA LOS DOS TERMINALES DE CONEXION.

Description

Contacto de resorte según patrón fotolitográfico.
Antecedentes de la invención Campo de la invención
La presente invención se refiere en general a contactos de resorte según patrón fotolitográfico para su uso para unir eléctricamente circuitos integrados, circuitos impresos, configuraciones de electrodos u otros dispositivos.
Descripción de la técnica relacionada
Las técnicas estándar de unión para conexión eléctrica de circuitos integrados, o chips, a un circuito impreso u otro dispositivo incluyen unión por hilo, unión por lengüeta, unión de chip invertido por bolas de soldadura y bolas de oro y otras técnicas. La figura 1 muestra una placa de contacto 3 formada sobre un hilo de chip 2 unido a una placa de contacto correspondiente 3 formada en un sustrato 1. Las placas de contacto 3 están conectadas eléctricamente, o unidas, mediante un hilo 4. Como el chip 2 tiene típicamente decenas o incluso centenares de placas de contacto 3, unir por hilo cada placa de contacto 3 en el chip 2 a la correspondiente placa de contacto 3 en el sustrato 1 supone un trabajo intensivo, costoso y lento. Además, las placas de contacto 3 deben ser suficientemente grandes para que quepan tanto el hilo 4 como la precisión del hilo que se une al dispositivo usado para crear la unión por hilo. Por tanto, las placas de contacto 3 se hacen mayores de lo que sería necesario para compensar las limitaciones de tamaño del hilo 4 y del dispositivo de unión por hilo.
La figura 2 muestra la placa de contacto 3 formada en la lengüeta del chip 2 unida a la correspondiente placa de contacto 3 en el sustrato 1. Contra las placas de contacto 3 se fuerza un sustrato flexible 5 que tiene líneas conductoras formadas en su superficie inferior. Entre las placas de contacto 3 y el sustrato flexible 5 se coloca una capa de adhesivo anisótropo (no mostrada). Cuando se presiona el sustrato flexible 5 contra las placas de contacto 3, el adhesivo anisótropo y las líneas conductoras formadas en el sustrato flexible 5 cooperan para completar la conexión eléctrica entre las placas de contacto 3. Al igual que la unión por hilo, la unión por lengüeta adolece de pérdida de productividad, fragilidad de la unión y coste elevado.
Otro procedimiento convencional para unir las placas de contacto 3 formadas en el chip 2 con las placas de contacto 3 formadas en el sustrato 1 o en algún otro dispositivo es la unión de chip invertido por bolas de soldadura. La figura 3 muestra el chip 2 invertido con las placas de contacto 3 enfrentadas al sustrato 1. El nombre de "chip invertido" proviene de la inversión del chip 2, ya que el chip 2 está "dado la vuelta" con las placas de contacto 3 enfrentadas al sustrato 1, en contraste con la unión por lengüeta y la unión por hilo, en las que las placas de contacto 3 sobre el chip 2 están orientadas hacia fuera del sustrato 1. Debe advertirse, sin embargo, que la unión por lengüeta puede realizarse también con el chip 2 "dado la vuelta". En la unión de chip invertido estándar, se forman bolas de soldadura 6 en las placas de contacto 3 en el sustrato 1 o en el chip 2. La conexión eléctrica entre las placas de contacto correspondientes 3 se completa presionando las placas de contacto 3 del chip 2 contra las bolas de soldadura 6 y fundiendo las bolas de soldadura 6.
La unión con chip invertido supone una mejora con respecto a la unión por hilo y a la unión por lengüeta. Las relativamente blandas bolas de soldadura 6 tienden a deformarse permanentemente cuando se presiona el chip 2 contra las bolas de soldadura 6. Esta deformación de las bolas de soldadura 6 compensa las irregularidades en las alturas de las placas de contacto 3 y cualquier presión de contacto desigual que fuerce al chip 2 contra las bolas de soldadura 6.
Sin embargo, la unión de chip invertido sufre variaciones mecánicas y térmicas en las bolas de soldadura 6. Si las bolas de soldadura 6 no tienen una altura uniforme o si el sustrato 1 está alabeado, el contacto entre las placas de contacto 3 y las bolas de soldadura 6 puede interrumpirse. Asimismo, si la presión de contacto que fuerza el chip 2 contra las bolas de soldadura 6 es desigual, el contacto entre algunas placas de soldadura 3 y las correspondientes bolas de soldadura 6 puede fallar. Además, las tensiones derivadas de las diferencias de expansión térmica entre el chip 2 y el sustrato 1 pueden romper las uniones formadas por las bolas de soldadura 6.
A diferencia de las uniones relativamente permanentes descritas anteriormente, la figura 4 muestra una técnica estándar para estabilizar un contacto eléctrico temporal entre dos dispositivos. Una tarjeta de sonda 7 que tiene una pluralidad de agujas 8 establece contacto con las placas de contacto 3 mediante presión física de las agujas de sonda 8 contra las placas de contacto 3. El contacto físico entre las agujas de sonda 8 y las placas de contacto 3 crea una conexión eléctrica entre las agujas de sonda 8 y las líneas 9 formadas en el sustrato 1.
Las tarjetas de sonda 7 se usan generalmente para crear sólo contactos temporales entre las agujas de sonda 8 y las placas de contacto 3, de manera que el dispositivo 10 puede ser sometido a prueba, interrogación o cualquier otra comunicación. El dispositivo 10 puede ser una matriz de electrodos de pantalla que forman parte de una pantalla de cristal líquido de matriz activa. Las pruebas de los dispositivos 10 como, por ejemplo, matrices de electrodos de pantalla de cristal líquido se describen más detalladamente en el documento US- A-6531953.
Las tarjetas de sonda 7 tienen muchas más aplicaciones que únicamente probar pantallas de cristal líquido. Cualquier dispositivo 10 que tenga placas de contacto 3 numerosas y relativamente pequeñas, similares a las presentadas en el chip 2, puede someterse a pruebas usando la tarjeta de sonda 7. Sin embargo, las técnicas estándar para producir la tarjeta de sonda 7 requieren alto consumo de tiempo y un trabajo intensivo. Cada tarjeta de sonda 7 debe hacerse a medida para el dispositivo 10 en concreto que va a someterse a prueba. Típicamente, las agujas de sonda 8 se forman manualmente en la tarjeta de sonda 7. Dado que las tarjetas de sonda 7 se fabrican a medida y son relativamente caras, las tarjetas de sonda 7 no se fabrican típicamente para establecer contacto con todas las placas de contacto 3 del dispositivo 10 a la vez. Por tanto, sólo es posible comunicarse, probar o interrogar partes del dispositivo 10 en un momento dado, lo que exige tener que mover la tarjeta de sonda 7 para permitir la comunicación, la prueba o la interrogación de todo el dispositivo 10.
Las tarjetas de sonda 7 se usan también para probar los chips 2 mientras los chips 2 siguen formando parte de una oblea de silicio monocristalino. Una de estas tarjetas de sonda 7 se forma por procesado de revestimiento de patrón fotolitográfico, según se desvela en Probing at Die Level, Corwith, Advanced Packaging, febrero de 1995, págs. 26-28. El procesado de revestimiento de patrón fotolitográfico produce tarjetas de sonda 7 que tienen esencialmente el mismo diseño que la tarjeta de sonda 7 estándar. Sin embargo, este nuevo tipo de procesado parece automatizar el procedimiento para producir agujas de sonda 8, lo que evita la formación manual de las agujas de sonda 8. Asimismo, este artículo desvela una tarjeta de sonda 7 que está doblada en el extremo más próximo a las agujas de sonda 8, como se muestra en la figura 5. La flexión de la tarjeta de sonda 7 permite que las agujas de sonda 8 establezcan contacto con la placa de contacto 3 según un cierto ángulo. Cuando la tarjeta de sonda 7 empuja las agujas de sonda 8 hacia las placas de contacto 3, tiene lugar una acción de frotado mecánico que permite que las agujas de sonda 8 pasen a través del óxido formado en la superficie superior de la placa de contacto 3. Todas las tarjetas de sonda 7 estándar están, sin embargo, limitadas a probar placas de contacto 3 que están dispuestas en una configuración lineal.
Resumen de la invención
Consiguientemente, la presente invención proporciona un contacto de resorte que muestra la velocidad y facilidad de la unión de chip invertido por bolas de soldadura a la vez que elimina la necesidad de crear bolas de soldadura uniformes o una presión de contacto uniforme. Asimismo la invención proporciona configuraciones de contactos de ajuste más fino que la unión de chip invertido por bolas de soldadura.
Según la presente invención, un contacto de resorte comprende un sustrato,
una superficie de contacto dispuesta en oposición al sustrato; y
un elemento elástico que tiene una parte anclada y una parte libre, con la parte anclada fija al sustrato y la parte libre separada del sustrato;
en el que el elemento elástico comprende una pluralidad de capas con un gradiente de tensión inherente en las que las desviaciones de la parte libre con respecto al sustrato y en contacto con la superficie se disponen en oposición al sustrato.
La presente invención proporciona además un contacto de resorte que tiene propiedades elásticas que permiten que el contacto de resorte mantenga contacto físico con una placa de contacto a pesar de las variaciones en las alturas de las placas de contacto, la presión de contacto, las variaciones térmicas o el choque mecánico.
La presente invención proporciona además una tarjeta de sonda y un procedimiento para producir la tarjeta de sonda que tiene contactos de resorte en vez de las agujas de sonda estándar.
Breve descripción de los dibujos
La presente invención se describirá haciendo referencia a los siguientes dibujos, en los cuales los números de referencia se refieren a elementos semejantes y en los que:
La figura 1 muestra un hilo del chip unido a un sustrato.
La figura 2 muestra la lengüeta del chip unida al sustrato.
La figura 3 muestra el chip invertido con bolas de soldadura unidas al sustrato.
La figura 4 muestra una tarjeta de sonda en contacto con un dispositivo electrónico.
La figura 5 muestra una tarjeta de sonda que tiene una aguja de sonda inclinada en ángulo.
La figura 6 es un contacto de resorte en un estado libre no deformado y otro contacto de resorte deformado cuando establece contacto con una placa de contacto.
La figura 7 muestra una barra metálica sin gradiente de tensión.
La figura 8 muestra un modelo para determinar la curvatura de un contacto de resorte debida al gradiente de tensión.
La figura 9 muestra un modelo para determinar la magnitud de la fuerza de reacción ejercida en la punta del contacto de resorte.
La figura 10 muestra las primeras etapas en un procedimiento de formación de un contacto de resorte según la invención.
La figura 11 muestra etapas adicionales que siguen a las mostradas en la figura 10 en un procedimiento de formación de un contacto de resorte según la invención.
La figura 12 muestra etapas adicionales que siguen a las mostradas en la figura 11 en un procedimiento de formación de un contacto de resorte según la invención.
La figura 13 muestra una etapa final en uno de los procedimientos de formación de un contacto de resorte según la invención.
La figura 14 es una representación gráfica de la tensión sobre la película en una aleación de níquel-circonio depositada por pulverización catódica en función de la presión de gas de plasma.
La figura 15 es una vista desde arriba de un contacto de resorte.
La figura 16 es un dispositivo para probar la resistencia de contacto de una pluralidad de pares de contactos de resorte.
La figura 17 es una representación gráfica de la resistencia detectada de una pluralidad de pares de contactos de resorte.
La figura 18 es una representación gráfica de la resistencia de contacto de un contacto de resorte en función de la distancia entre la placa de contacto y el sustrato.
La figura 19 es un contacto de resorte que tiene un extremo plano.
La figura 20 es un contacto de resorte que tiene un extremo puntiagudo.
La figura 21 es un contacto de resorte que tiene dos puntas en el extremo en punta.
La figura 22 es un contacto de resorte que tiene múltiples puntas en el extremo en punta.
La figura 23 es un contacto de resorte que tiene una lengüeta deformable en el extremo en punta.
La figura 24 muestra un contacto de resorte que tiene un extremo de lengüeta deformado cuando se fuerza contra una placa de contacto.
La figura 25 es un chip que tiene una pluralidad de contactos de resorte unidos eléctricamente a un sustrato.
La figura 26 es un chip unido a una cubierta antipolvo y en contacto eléctrico con un sustrato que tiene una pluralidad de contactos de resorte y una cubierta antipolvo.
La figura 26 es un chip unido a una cubierta antipolvo y en contacto eléctrico con un sustrato que tiene una pluralidad de contactos de resorte.
La figura 27 es un chip unido a un sustrato y en contacto eléctrico con una pluralidad de contactos de resorte en el sustrato.
La figura 28 es un chip unido eléctricamente a un sustrato por medio de una oblea intermedia que tiene una pluralidad de contactos de resorte.
La figura 29 es una tarjeta de sonda que tiene una pluralidad de contactos de resorte usados para probar un dispositivo electrónico, y
La figura 30 es una pantalla de cristal líquido y un dispositivo para probar el funcionamiento de la pantalla.
Descripción detallada de las formas de realización preferidas
La figura 6 muestra una vista lateral de una estructura de unión 100 que tiene una pluralidad de contactos de resorte 15. Cada contacto de resorte 15 comprende una parte libre 11 y una parte anclada 12 fija a una capa inferior aislante 13 y conectada eléctricamente a una placa de contacto 3. Cada contacto de resorte 15 está hecho de un material extremadamente elástico, como una aleación de cromo-molibdeno o una aleación de níquel-circonio. Preferentemente, los contactos de resorte 15 están formados por un material conductor elástico, aunque pueden estar formados por un material no conductor o semiconductor si están recubiertos o revestidos de un material conductor. Más preferentemente, los contactos de resorte 15 están formados por aleación de níquel-circonio que tiene un 1% de circonio. El circonio se añade al níquel para mejorar las propiedades elásticas de la aleación sin reducir de modo importante la conductividad del níquel. Cuando el material elástico no es conductor, se recubre al menos en una cara con un material conductor, como un metal o una aleación metálica.
La placa de contacto 3 es el extremo terminal de una línea de comunicación que se comunica eléctricamente con un dispositivo electrónico formado en el sustrato 14 o dispositivo 101 como, por ejemplo, un transistor, un electrodo de pantalla u otro dispositivo eléctrico. La placa de contacto 3 está hecha típicamente de aluminio, pero puede estar hecha de cualquier material conductor. Si la placa de contacto 3 del dispositivo 101 está hecha de aluminio, la placa de contacto 3 estará recubierta preferentemente con un material conductor, como oro, óxido de indio y estaño o níquel. Esto permite que el contacto de resorte 15 establezca un mejor contacto eléctrico con la placa de contacto 3, dado que el contacto de resorte 14 no puede "frotarse" con la placa de contacto 3 sin revestir para romper el óxido de aluminio que se forma en una placa de contacto de aluminio 3 sin revestir. La capa inferior aislante 13 está hecha de nitruro de silicio u otro material aislante y atacable. Sin embargo, la capa inferior aislante 13 no es necesaria y puede eliminarse. La capa inferior aislante 13 y la placa de contacto 3 se forman en o encima de un sustrato 14, que está formado también por un material aislante, como vidrio o silicio oxidado.
Como se muestra en la figura 7, una barra de metal que no tiene gradiente de tensión inherente en el metal se extenderá en plano. Sin embargo, como se muestra en la figura 8, cuando la barra se dobla formando un arco, se introduce en la barra un gradiente de tensión uniforme \Delta\sigma/h. Análogamente, si se introduce un gradiente de tensión uniforme \Delta\sigma/h en la barra metálica plana, la barra metálica se doblará en forma de arco.
Cada contacto de resorte 15 se forma de manera que se introduzca un gradiente de tensión \Delta\sigma/h en el contacto de resorte 15. Cuando se forma el contacto de resorte 15, la capa metálica que comprende el contacto de resorte 15 se deposita de tal manera que en las partes superiores de la capa metálica existe una tensión de compresión y en las partes inferiores de la capa metálica existe una tensión de tracción. La tensión de compresión en las partes superiores de la capa metálica se representa mediante flechas dirigidas hacia dentro. La tensión de tracción en las partes inferiores de la capa metálica se representa mediante flechas dirigidas hacia fuera. El gradiente de tensión \Delta\sigma/h hace que el contacto de resorte 15 se doble para adoptar una forma de arco que tiene un radio r. La ecuación 1 proporciona el radio de curvatura r del contacto de resorte 15:
(1)r = \left(\frac{Y}{1-v} \right) \frac{k}{\Delta \sigma}
en la que Y es el módulo de Young del metal, h es el grosor de la capa metálica que forma el contacto de resorte 15, \Delta\sigma es la diferencia total de tensión y v es el coeficiente de Poisson del metal.
Haciendo referencia de nuevo a la figura 6, r es el radio de curvatura de la parte libre 11 del contacto de resorte 15 según predice la ecuación 1, y \Theta es el ángulo que separa la línea del radio dirigida hacia la unión de la parte libre 11 con la parte anclada 12 y la línea de radio dirigida hacia la punta 30 de la parte libre 11. La ecuación 2 da la altura aproximada b de la punta del contacto de resorte 30 desde el sustrato 14 para ángulos \Theta < 50º:
(2)b \approx \frac{L^{2}}{2r}
en la que L es la longitud de la parte libre 11 y r es el radio de curvatura de la parte libre 11.
Como cada contacto de resorte 15 está hecho preferentemente con un material altamente elástico, cada contacto de resorte 15 puede impulsarse en sentido descendente hacia la punta 30 y deformarse según se muestra en la figura 6, pero no se deformará plásticamente. Típicamente, una placa de contacto 3 de un dispositivo 101 ejerce la fuerza descendente aplicada en la punta 30 y establece contacto eléctricamente con la punta 30. El contacto de resorte 15 resiste la fuerza descendente aplicada en la punta 30 y mantiene el contacto eléctrico con la placa de contacto 3.
Cuando se relaja la fuerza en la punta 30, el contacto de resorte recuperará su estado no deformado. Así, la elasticidad de los contactos de resorte 15 permite que los contactos de resorte 15 establezcan numerosas conexiones eléctricas sucesivas con diferentes placas de contacto 3, a la vez que mantienen la integridad de la conexión eléctrica entre la punta de los contactos de resorte 30 y las placas de contacto 3.
Adicionalmente, el contacto de resorte 15 está hecho preferentemente de un material resistente a la deformación progresiva. Por tanto, cuando el contacto de resorte 15 se deforma elásticamente en un periodo extenso por una presión descendente de una placa de contacto 3 en la punta del contacto de resorte 30, el contacto de resorte 15 resiste la fuerza descendente y empuja a la punta del contacto de resorte 30 contra la placa de contacto 3, manteniendo la 
\hbox{conexión  eléctrica.}
La figura 9 muestra un modelo para determinar la magnitud de la fuerza F_{punta} aplicada por la punta del contacto de resorte 30 en la placa de contacto 3 como reacción a la fuerza de la placa de contacto 3 que presiona en sentido descendente sobre la punta del contacto de resorte 30. La ecuación 3 proporciona la fuerza de reacción F_{punta} de la punta del contacto de resorte 30:
(3)F_{punta} = \frac{wh^{2}\Delta\sigma}{12x}
en la que w es la anchura del contacto de resorte 15, h es el grosor del contacto de resorte 15, \Delta\sigma es la diferencia de tensión total y x es la distancia horizontal desde la punta del contacto de resorte 30 hasta el punto en el que el contacto de resorte 15 toca primero el sustrato 14.
Para una anchura w, un grosor h y una diferencia de tensión \Delta\sigma dados, la fuerza de reacción F_{punta} de la punta 30 varía en relación inversa con la distancia x. Por tanto, la fuerza de reacción F_{punta} aumenta cuando la punta del contacto de resorte 30 se aproxima al sustrato 14, ya que la distancia x disminuye cuando el contacto de resorte 15 se colapsa y presiona contra el sustrato 14, según se muestra en la figura 6. El aumento en la fuerza de reacción F_{punta} cuando la placa de contacto 3 presiona sobre la punta del contacto de resorte 30 más cerca del sustrato 14 mejora por lo general la conexión eléctrica entre la punta del contacto de resorte 30 y la placa de contacto 3. La creciente fuerza de reacción F_{punta} hace que la punta del contacto de resorte 30 y/o la placa de contacto 3 se deformen localmente en la zona de contacto, aumentando la zona de contacto entre la placa de contacto y la punta del contacto de resorte 30.
Las figuras 10 a 13 muestran las etapas básicas en la formación de un contacto de resorte 15. En la figura 10, se forma una placa de contacto 3 en o sobre un sustrato 14. Adicionalmente, se forma una capa inferior aislante 13 en o sobre el sustrato 14. Sin embargo, como se mencionó anteriormente, la capa inferior aislante 13 no es necesaria y puede eliminarse.
En la figura 11, se deposita una capa de metal 16 en o sobre el sustrato 14. En la forma de realización preferida de la invención, el metal es la aleación de níquel-circonio descrita anteriormente. Parte de la capa metálica 16 está conectada eléctricamente, o en contacto directo, con la placa de contacto 3 y otra parte de la capa metálica 16 se deposita en o sobre la capa inferior aislante 13. Existen numerosos procedimientos disponibles para depositar una capa metálica 16 en o sobre el sustrato 14, entre los que se incluyen deposición por haz de electrones, evaporación térmica, deposición química de vapor, deposición por pulverización catódica y otros procedimientos. Preferentemente, la capa metálica 16 se deposita por pulverización catódica.
Cuando se deposita un metal por pulverización catódica, se coloca una placa del metal, denominada objetivo, en un cátodo, que se ajusta con un potencial negativo elevado y se sumerge en un gas a baja presión, típicamente de 1 a 100 miliTorr (0,13 a 133 Pa). Esto hace que prenda un plasma de descarga por incandescencia, a partir del cual iones positivos se aceleran hacia el objetivo cargado negativamente. Este bombardeo iónico arranca átomos metálicos del objetivo, y muchos de ellos se depositan en las superficies próximas, como el sustrato 14.
La capa metálica 16 puede verse como si estuviera depositada en varias subcapas 16-1 a 16-n, hasta sumar un grosor final h de aproximadamente 1 \mum. El gradiente de tensión \Delta\Theta/h se introduce en la capa metálica 16 por alteración de la tensión inherente a cada una de las subcapas 16-1 a 16-n de la capa metálica 16, como se muestra en la figura 11, de manera que cada subcapa 16-x tiene un nivel diferente de tensión inherente.
En cada subcapa 16-x de la capa metálica depositada 16 pueden introducirse diferentes niveles de tensión durante la deposición por pulverización catódica en diversas formas, que incluyen adición de un gas reactivo al plasma; deposición del metal en un cierto ángulo, y cambio de la presión del gas de plasma. Preferentemente, los diferentes niveles de tensión se introducen en la capa metálica 16 haciendo variar la presión del gas de plasma, que es preferentemente argón.
La figura 14 es una gráfica que muestra la relación típica de la tensión sobre la película en la aleación de níquel-circonio depositada por pulverización catódica y la presión del gas de plasma usado en la deposición. Para bajas presiones del gas de plasma, aproximadamente 1 mTorr (0,13 Pa), la tensión sobre la película del metal depositado es de compresión. Conforme aumenta la presión del gas de plasma, la tensión sobre la película de la subcapa depositada cambia a una tensión de tracción y aumenta con el incremento de la presión del gas de plasma.
Preferentemente, la capa metálica 16 se deposita en cinco subcapas 16-1 a 16-5. La primera subcapa 16-1 se deposita a una presión de gas de plasma de 1 mTorr (0,13 Pa), indicada con el número 1 en la figura 14. La primera subcapa 16-1 es la más inferior de la capa metálica 16 y tiene una tensión de compresión inherente. La segunda subcapa 16-2 se deposita sobre la primera subcapa 16-1 a una presión de gas de plasma de aproximadamente 6 mTorr (1 Pa). La segunda subcapa 16-2 tiene una ligera tensión de tracción inherente, indicada con el número 2 en la figura 14. Las subcapas 16-3, 16-4 y 16-5 se depositan a continuación sobre las otras a presiones de gas de plasma indicadas por los números 3, 4 y 5 en la figura 14.
El procedimiento de deposición de la capa metálica 16 en cinco subcapas separadas 16-1 a 16-5 tiene como resultado una capa metálica 16 que tiene un gradiente de tensión \Delta\Theta/h que es de tipo compresión en la parte inferior de la capa metálica 16 y que se convierte cada vez más en de tipo tracción hacia la parte superior de la capa metálica 16. Aunque el gradiente de tensión \Delta\Theta/h obliga a la capa metálica 16 a doblarse en forma de arco, la capa metálica 16 se adhiere a la capa inferior aislante 13, el sustrato 14 y la placa de contacto 3 y, así, se extiende en plano.
Después de depositar la capa metálica 16, se modela fotolitográficamente la capa metálica 16 en los contactos de resorte 15. El modelado fotolitográfico es una técnica muy conocida y se usa sistemáticamente en la industria de chips de semiconductores. Primero, se embute una resina fotosensible positiva 17 en la parte superior de la capa metálica 16 y se somete a horneado suave a 90ºC para extraer los disolventes de la resina 17. La resina fotosensible 17 se expone a un patrón apropiado de luz ultravioleta y luego se revela. Las zonas expuestas de la resina 17 se eliminan durante el revelado y la resina restante 17 se somete a un horneado fuerte a 120ºC. Se usa entonces ataque por plasma o húmedo para eliminar las zonas expuestas de la capa metálica 16. Las zonas restantes de la capa metálica 16 después del ataque forman los contactos de resorte 15. En la figura 15 se muestra una vista desde arriba de un contacto de resorte 15. La zona de la capa metálica 16 retirada por el ataque se describe en la línea de puntos 18.
A continuación, como se muestra en la figura 12, se libera la parte libre 11 del contacto de resorte 15 de la capa inferior aislante 13 por un procedimiento de ataque por socavado. Hasta que la parte libre 11 se libera de la capa inferior aislante 13, la parte libre 11 se adhiere a la capa inferior aislante 13 y el contacto de resorte 15 se extiende en plano sobre el sustrato 14. Existen dos procedimientos para liberar los contactos de resorte 15 del sustrato 14 o de la capa inferior aislante 13. En el primer procedimiento, la capa inferior aislante 13, típicamente nitruro de silicio, se deposita mediante deposición química de vapor por plasma (PECVD) a una temperatura de 200 a 250ºC. Esto da a la capa inferior aislante 13 una rápida velocidad de ataque. La capa inferior aislante 13 se premodela entonces, antes de la deposición de la capa metálica 16, en islas sobre las que se formarán los contactos de resorte 15. Después de que se han formado los contactos de resorte 15 en o sobre las islas de la capa inferior aislante 13, los contactos de resorte 15 se liberan de las islas de la capa inferior aislante 13 por ataque de las islas con un agente de ataque selectivo. El agente de ataque selectivo es típicamente una solución de HF. El agente de ataque se denomina agente de ataque selectivo porque ataca la capa inferior aislante 13 más deprisa de lo que dicho agente de ataque selectivo elimina el metal de los contactos de resorte 15. Esto significa que los contactos de resorte 15 se liberan de la capa inferior aislante 13 y quedan libres para doblarse y apartarse de la capa inferior aislante 13 debido al gradiente de tensión \Delta\Theta/h en los contactos de resorte 15. Las islas pueden formarse a partir de un material de bajo punto de fusión, como una soldadura o un plástico. Después de formar los contactos de resorte 15, el material de bajo punto de fusión se calienta para liberar los contactos de resorte 15.
En el segundo procedimiento para liberar los contactos de resorte 15, la capa inferior aislante 13, si se usa, no se premodela en islas. En su lugar, después de formar los contactos de resorte 15, en dichos contactos de resorte 15 y en las zonas circundantes se deposita por PECVD una capa de pasivación, como oxinitruro de silicio. La capa de pasivación se modela en ventanas, como la zona sombreada que se muestra en la figura 15, para dejar expuesta la parte libre 11 de los contactos de resorte 15 y las zonas circundantes de la capa inferior aislante 13. El mismo agente de ataque selectivo, la solución de HF, se usa para ataque de la capa inferior aislante 13 y liberar los contactos de resorte 15. Este procedimiento evita una discontinuidad escalonada en el metal de los contactos de resorte 15 en el borde de la parte anclada 12 y deja una cubierta aislante en la parte anclada 12. La cubierta aislante protege la parte anclada 12 de cortocircuitos y ayuda también a mantener la parte anclada 12 en el sustrato 14.
Sólo las zonas de la capa inferior aislante 13 por debajo de la parte libre 11 del contacto de resorte 15 se someten a ataque por socavado. La zona de la capa inferior aislante 13 que se ataca por socavado para cada contacto de resorte 15 se describe por medio de la parte sombreada de la figura 15. Esto significa que la parte anclada 12 del contacto de resorte 15 permanece fija a la capa inferior aislante 13 y no tira de la capa inferior aislante 13. Debe advertirse que el procedimiento para modelar la capa metálica 16 en los contactos de resorte 15 no debería tener como resultado ningún recocido de la capa metálica 16.
Pueden añadirse etapas adicionales a los procedimientos de ataque por socavado para mejorar los procedimientos, si fuera necesario. Por ejemplo, pueden someterse a ataque vías de agente de ataque, o pequeñas ventanas, en las partes libres 11 de los contactos de resorte 15. Las vías de agente de ataque actúan de modo que proporcionan al agente de ataque selectivo un acceso más rápido a la capa inferior aislante 13, con lo que aceleran el procedimiento de liberación de las partes libres 11 desde la capa inferior aislante 13. Asimismo, puede aplicarse una máscara dura, hecha de, por ejemplo, silicio, a la superficie superior de los contactos de resorte 15 para garantizar que el agente de ataque no elimina material de la superficie superior de los contactos de resorte 15 en caso de que el material fotosensible 17 que protege la parte superior de los contactos de resorte 15 falle durante el modelado del contacto de resorte 15.
Una vez liberada la parte libre 11 de la capa inferior aislante 13, el gradiente de tensión \Delta\sigma/h hace que la parte libre 11 se doble hacia arriba y se aparte del sustrato 14. El gradiente de tensión \Delta\sigma/h sigue siendo inherente a la parte anclada 12 y obliga a la parte anclada 12 a tirar del sustrato 14.
Para reducir la posibilidad de que la parte anclada 12 tire del sustrato 14, puede someterse a recocido el contacto de resorte 15 para mitigar la tensión en la parte anclada 12. Este procedimiento de recocido no afecta a la parte libre 11 ya que, una vez que la parte libre 11 se ha liberado y puede doblarse, sobre dicha parte libre 11 no queda ninguna tensión que haya que mitigar por recocido. Así, la parte libre 11 permanece curva y separada del sustrato 14 después del recocido.
Finalmente, la figura 13 muestra una capa de oro 19 metalizada sobre la superficie exterior de cada contacto de resorte 15. La capa de oro 19 se usa preferentemente para reducir la resistencia en los contactos de resorte 15, pero puede sustituirse por cualquier otro material conductor. Preferentemente, la capa de oro 19 está metalizada en los contactos de resorte 15 usando un procedimiento de metalización sin corriente eléctrica.
Como el procedimiento de formación de los contactos de resorte 15 está limitado sólo por las reglas de diseño del modelado fotolitográfico, pueden formarse muchos centenares o miles de contactos de resorte 15 muy cerca unos de otros en una zona relativamente pequeña del sustrato 14. La anchura w típica del contacto de resorte 15 es de 10 a 100 \mum. Por tanto, los contactos de resorte 15 pueden formarse muy juntos, con una separación de aproximadamente 10 a 20 \mum. Esto hace que la distancia entre centros que existe entre contactos de resorte 15 adyacentes sea aproximadamente de 20 a 120 \mum, que es igual o menor que la distancia típica entre centros que existe entre placas de contacto 3 adyacentes en un chip de semiconductores 2 estándar.
Para probar la eficacia de los contactos de resorte 15 en aplicaciones similares a las encontradas en unión de chip invertido por bolas de soldadura, se desarrolló una configuración de prueba de los contactos de resorte 15 con una separación entre centros de 80 \mum, según se muestra en la figura 16. Se formaron cuatro conjuntos de configuraciones 20 de los contactos de resorte 15 en un sustrato base 21. En un sustrato superior 23 se formaron cuatro configuraciones correspondientes de placas de contacto 22 ligadas. El sustrato superior 23 y el sustrato inferior 21 se acercaron de manera que los contactos de resorte 15 establecieron contacto con una placa de contacto 3 correspondiente. Entonces se midió la resistencia R en los pares de los terminales de contactos de resorte 15.
La figura 17 representa gráficamente la resistencia R medida para cada par de contactos de resorte en el aparato de prueba. La resistencia R medida dentro de cada configuración tiende en general a crecer de izquierda a derecha, debido a la mayor longitud de los conductores en los contactos de resorte 15 colocados a la derecha en comparación con los contactos de resorte 15 colocados a la izquierda en cada configuración. La mayoría de los aproximadamente 25 a 30 ohmios de resistencia medidos para cada par de contactos de resorte 15 se debe a la longitud y la geometría de los conductores que se extienden entre los contactos de resorte 15 y los puntos de sondeo de la resistencia R.
La figura 18 muestra la resistencia total de la conexión entre un contacto de resorte 15 y la correspondiente placa de contacto 3, con la mayoría de la resistencia R mostrada en la figura 17 eliminada mediante el uso de una geometría de sondeo de 4 puntos. Como se muestra en la figura 18, aproximadamente 1,3 ohmios de resistencia se deben a los conductores dirigidos a la placa de contacto 3 y el contacto de resorte 15. Aproximadamente 0,2 ohmios de resistencia se deben al contorno de la punta de los contactos de resorte 30. La resistencia restante, aproximadamente 0,1 ohmios para b < 80 \mum, es la resistencia en la interfaz entre la placa de contacto 3 y la punta de los contactos de resorte 30.
En general, la resistencia en la interfaz entre la placa de contacto 3 y la punta de los contactos de resorte 30 disminuye al disminuir la altura b. Como se mencionó anteriormente, la fuerza de reacción F_{punta} que la punta de los contactos de resorte 30 ejerce sobre la placa de contacto 3 aumenta cuando la placa de contacto 3 empuja a la punta de los contactos de resorte 30 más cerca del sustrato 14. La mayor fuerza de reacción F_{punta} hace que la punta de los contactos de resorte 30 se deforme localmente en la placa de contacto 3, con lo que aumenta la zona de contacto y disminuye la resistencia en la interfaz.
El contorno de las puntas del contacto de resorte 30 puede adoptar formas diferentes, dependiendo de la aplicación. Como los contactos de resorte 15 están modelados fotolitográficamente, las puntas de los contactos de resorte 30 se forman fácilmente en una diversidad de contornos. La figura 19 muestra unas puntas de contactos de resorte 30 que tienen un extremo plano. La punta de contactos de resorte 30 mostrada en la figura 20 tiene un extremo puntiagudo que concentra la fuerza F_{punta} ejercida por el contacto de resorte 15 en un único punto de la placa de contacto 3. Este contorno puntiagudo ayuda a la punta de contactos de resorte 30 cuando rompe ciertos óxidos que pueden estar presentes en las placas de contacto 3. Las figuras 21 y 22 muestran puntas de contactos de resorte 30 que tienen múltiples puntos para aplicaciones en las que se requiere una redundancia del contacto. La figura 23 muestra una punta de contactos de resorte 30 que tiene una lengüeta deformable. La lengüeta deformable aumenta la zona de contacto con la placa de contacto 3, por deformación según se muestra en la figura 24 cuando el contacto de resorte 15 fuerza la punta 30 contra la placa de contacto 3.
Se usan otros procedimientos para reducir la resistencia de contacto entre la punta de contactos de resorte 30 y la placa de contacto 3. Las puntas de contactos de resorte 30 pueden frotarse por medios ultrasónicos en las placas de contacto 3 para aumentar la zona de contacto. Asimismo, las puntas de contactos de resorte 30 y las placas de contacto 3 pueden recubrirse con soldadura que se funde después de que las puntas 30 y las placas de contacto 3 hayan entrado en contacto. La fusión de la soldadura une los contactos de resorte 15 con las placas de contacto 3.
Como se ha mencionado anteriormente, dado que la producción de los contactos de resorte 15 está limitada sólo por las reglas de diseño del modelado fotolitográfico, los contactos de resorte 15 pueden usarse para interconectar numerosos tipos diferentes de dispositivos. Por ejemplo, la figura 25 muestra una forma de realización preferida de la invención. Los contactos de resorte 15 se forman en la superficie inferior del chip 2. Los contactos de resorte 15 establecen contacto con las correspondientes placas de contacto 3 en el sustrato 14. El adhesivo 24 mantiene estático el chip 2 con respecto al sustrato 14. La figura 26 muestra el sustrato 14 que tiene una pluralidad de contactos de resorte 15 formados en la superficie superior del sustrato 14. Las placas de contacto 3 formadas en la superficie inferior del chip 2 están conectadas eléctricamente a los correspondientes contactos de resorte 15 en el sustrato 14. Un adhesivo 24 mantiene estático el chip 2 con respecto a una cubierta antipolvo, o cámara, 25 que cubre el chip 2 y sella herméticamente la cubierta antipolvo 25 en el sustrato 14. La cubierta antipolvo 25 garantiza que la humedad y otras sustancias extrañas no corroan los contactos de resorte 15 o las placas de contacto 3, o interfieran de algún otro modo con las conexiones eléctricas entre los contactos de resorte 15 individuales y las correspondientes placas de contacto 3. Unas aletas de refrigeración opcionales 50 y la cubierta antipolvo 25 proporcionan un sumidero térmico para enfriar el chip 2. La figura 27 muestra una forma alternativa de la forma de realización mostrada en la figura 26. El adhesivo 24 mantiene estático el chip 2 con respecto al sustrato 14. La cubierta antipolvo 25 no proporciona ningún sumidero térmico.
La figura 28 muestra una forma de realización alternativa de un dispositivo de conexión para conectar eléctricamente dos dispositivos. Se muestra una oblea 26 que tiene una pluralidad de contactos de resorte 15 formados en lados opuestos de la oblea. Pares de contactos de resorte 15 en lados opuestos de la oblea 26 se comunican entre sí a través de vías de agente de ataque en la oblea 26 y se conectan eléctricamente con las placas de contacto 3 tanto en el chip 2 como en el sustrato 14. Esta forma de realización de la invención permite el procesado del chip 2 y el sustrato 14 sin arriesgarse a dañar los contactos de resorte 15. La oblea 26 se usa para interconectar el chip 2 y el sustrato 14 sólo después de que se haya completado todo el procesado en el chip 2 y el sustrato 14.
Los contactos de resorte 15 no se limitan a interconectar el chip 2 con el sustrato 14 o el circuito impreso. Los contactos de resorte 15 se usan igualmente para interconectar dos chips 2, dos circuitos impresos u otros dispositivos electrónicos entre sí. Dos ejemplos de aplicaciones son el montaje de chips activadores para pantallas visuales y el ensamblaje de módulos multichip (MCM) para ordenadores. Otro uso alternativo de los contactos de resorte 15 es en las tarjetas de sonda. Como se expuso anteriormente, las tarjetas de sonda 7 se usan para conectar temporalmente dos dispositivos, típicamente cuando uno de los dispositivos se está sometiendo a prueba. Dichas pruebas son comunes en la industria de semiconductores, en la que se usan las tarjetas de sonda 7 para probar chips de semiconductores mientras los chips siguen formando parte de una oblea de silicio monocristalino.
La figura 29 muestra una forma de realización de la invención en la que la tarjeta de sonda 27 tiene una configuración de contactos de resorte 15 usada en lugar de las agujas de sonda 8 estándar. La tarjeta de sonda 27 funciona de modo idéntico a la tarjeta de sonda 7, con la salvedad de que tiene contactos de resorte 15. La tarjeta de sonda 27 está alineada con el dispositivo 10 de manera que los contactos de resorte 15 entran en contacto convenientemente con las correspondientes placas de contacto 3 en el dispositivo 10. Así, el dispositivo 10 se prueba o se pone en comunicación mediante un dispositivo de prueba conectado eléctricamente a la tarjeta de sonda 27.
En la figura 30 se muestra un dispositivo de prueba de ejemplo, que se describe más detalladamente en la solicitud JAO 34053 que se presenta conjuntamente con ésta. Un generador de patrón de pantalla 40 se comunica con los chips activadores 42 montados en las dos tarjetas de sonda 27 a plena anchura. Las tarjetas de sonda 27 tienen los contactos de resorte 15 con contacto a líneas de direccionamiento asociadas 43 formadas en la placa de pantalla 44. Las líneas de direccionamiento 43 se comunican con los electrodos de pantalla (no mostrados). Por tanto, el generador de patrón de pantalla 40 puede activar los electrodos de pantalla para producir una matriz de potenciales eléctricos correspondientes a una imagen de prueba. Los sensores (no mostrados) en la placa de sensores 45 detectan la matriz de potenciales eléctricos en los electrodos de pantalla y generan señales correspondientes a cada potencial eléctrico. Las señales son leídas por chips de barrido 46 montados en la placa de sensores 45. El analizador de señales de prueba 41 recibe las señales de los chips de barrido 46 y forma una imagen detectada correspondiente a las señales. El analizador de señales de prueba 41 compara entonces la imagen detectada con la salida de la imagen de prueba por medio del generador de patrón de pantalla 40 para determinar si la placa de pantalla 44 y los electrodos de pantalla están funcionando apropiadamente.
Como la producción de una tarjeta de sonda 7 estándar que tenga agujas de sonda 8 es un trabajo intensivo y de alto consumo de tiempo, las tarjetas de sonda 7 estándar no se hacen generalmente de forma que establezcan contacto con todas las líneas de direccionamiento 43 en la placa de pantalla 44. Por tanto, las pruebas de la placa de pantalla 44 deben realizarse por secciones, ya que las tarjetas de sonda 7 no abarcan toda la anchura de las líneas de direccionamiento 43. Por el contrario, la tarjeta de sonda 27 hecha con contactos de resorte 15 puede prepararse de modo sencillo y económico. Asimismo, las tarjetas de sonda 27 que tienen los contactos de resorte 15 pueden prepararse en cualquier anchura y, por tanto, pueden probar todos los datos o líneas de dirección de un aparato, como la pantalla mostrada en la figura 30, de una sola vez.
En otro ejemplo, las pruebas de escala de obleas e incrustación de chips 2 puede realizarse mediante una sola tarjeta de sonda 27 que establezca contacto con todas las placas de contacto 3 de todos los chips 2 mientras los chips 2 siguen formando parte de una oblea de semiconductor monocristalino. La tarjeta de sonda 27 puede ser una oblea de silicio que contenga microcircuitos para distribuir señales de prueba desde y hacia cada chip 2 en la oblea sometida a prueba. Las señales de prueba pueden distribuirse a los chips todas de una vez o en secuencial.
Aunque la invención se ha descrito con referencia a formas de realización específicas, la descripción de las formas de realización específicas es sólo ilustrativa y no ha de interpretarse como limitativa del alcance de la invención. Los expertos en la materia pueden encontrar otras modificaciones y cambios diversos sin apartarse del alcance de la invención tal y como se expone en las siguientes reivindicaciones.

Claims (10)

1. Un contacto de resorte que comprende:
un sustrato (14),
una superficie de contacto (3) dispuesta en oposición al sustrato;
y
un elemento elástico (15) que tiene una parte anclada (12) y una parte libre (11), con la parte anclada (12) fija al sustrato y la parte libre (11) separada del sustrato;
en el que el elemento elástico (15) comprende una pluralidad de capas con un gradiente de tensión inherente en ellas que desvía la parte libre del sustrato y la pone en contacto con la superficie (3) dispuesta en oposición al sustrato (14).
2. Un contacto de resorte según la reivindicación 1, en el que la parte anclada (12) está conectada eléctricamente a un primer contacto (3) formado sobre el sustrato (14) y la parte libre (11) establece contacto convenientemente con la superficie de contacto (3) formada sobre un segundo sustrato (101).
3. Una tarjeta de sonda y un dispositivo sometido a sondeo, que comprenden:
un sustrato (14) que forma parte de la sonda;
una pluralidad de líneas de señales conductoras formada en el sustrato; y
una pluralidad de contactos de resorte de acuerdo con la reivindicación 1 ó 2 dispuestos según un patrón que se corresponde con una configuración de placas de contacto (3) en el dispositivo sometido a sondeo dispuestas en oposición al sustrato (14), con cada uno de la pluralidad de contactos de resorte en contacto eléctrico con cada una de la pluralidad de líneas de señales conductoras correspondientes.
4. Una tarjeta de sonda y un dispositivo según la reivindicación 3, en los que:
el dispositivo sometido a sondeo es una matriz de pantalla visual, y cada uno de la pluralidad de contactos de resorte (15) hace contacto con una placa de contacto (3) correspondiente de la configuración de placas de contacto, y
los seleccionados de una pluralidad de electrodos de pantalla de la matriz de pantalla visual, que se comunican con al menos una de la pluralidad de líneas de señales conductoras, están activos.
5. Una tarjeta de sonda y un dispositivo según la reivindicación 3, en los que el dispositivo sometido a sondeo es una oblea semiconductora que comprende una pluralidad de chips y la configuración de placas de contacto, siendo cada uno de la pluralidad de chips sometidos a una de las pruebas de escala de obleas e incrustación.
6. Un dispositivo de contacto que comprende:
un sustrato (14) que tiene una cara superior y una cara inferior opuesta;
al menos un contacto de resorte superior (15) de acuerdo con la reivindicación 1 ó 2 formado en la parte superior del sustrato (14), estando al menos un contacto de resorte superior dispuesto de forma que coincida y establezca contacto con al menos una placa de contacto (3) correspondiente en un primer dispositivo sobre el sustrato; y
al menos un contacto de resorte (15) inferior de acuerdo con la reivindicación 1 ó 2 formado en la cara inferior del sustrato (14), estando al menos un contacto de resorte inferior dispuesto de forma que coincida y establezca contacto con al menos una placa de contacto (3) en un segundo dispositivo por debajo del sustrato, estando al menos un contacto de resorte (15) inferior en comunicación eléctrica con al menos un contacto de resorte superior (15) correspondiente.
7. El contacto de resorte, la tarjeta de sonda o el dispositivo de contacto según cualquiera de las reivindicaciones precedentes, en los que (A) el o cada elemento elástico (15) está formado por un material eléctricamente conductor, o (B) se forma una capa eléctricamente conductora en al menos una parte de una superficie exterior del o de cada elemento elástico (15).
8. Un contacto de resorte, una tarjeta de sonda y un dispositivo o dispositivo de contacto según cualquiera de las reivindicaciones precedentes, en los que el extremo libre de la parte libre (11) del o de cada uno de la pluralidad de contactos de resorte (15) está recubierto con un material más blando que el material que forma el o cada uno de la pluralidad de contactos de resorte, mejorando el material más blando el contacto entre el extremo libre de cada uno de la pluralidad de contactos de resorte y las placas de contacto (3) correspondientes.
9. Un procedimiento para formar un contacto de resorte según la reivindicación 1, que comprende las etapas siguientes:
deposición de una capa de un material elástico en un sustrato (14), teniendo el material elástico un gradiente de tensión inherente, desviando el gradiente de tensión inherente el material elástico para alejarlo del sustrato;
modelado fotolitográfico de la capa de material elástico para formar al menos un contacto de resorte (15) que tiene una parte libre (11) y una parte anclada (12), y
ataque por socavado de una parte del sustrato (14) bajo al menos un contacto de resorte (15) para liberar la parte libre (11) de al menos un contacto de resorte desde el sustrato, y manteniéndose fija la parte anclada (12) de al menos un contacto de resorte en el sustrato en el que la parte libre se desvía para alejarse del sustrato por el gradiente de tensión inherente cuando la parte libre se libera para establecer contacto con una superficie que está colocada en oposición al sustrato.
10. El procedimiento de la reivindicación 9, en el que la etapa de ataque por socavado comprende las etapas siguientes:
conformado fotolitográfico de vías de agente de ataque en al menos un contacto de resorte (15), y
aplicación de agente de ataque para atacar el sustrato (14) bajo al menos un contacto de resorte (15) para liberar la parte libre (11) del contacto de resorte del sustrato, y preferentemente en la que la etapa de deposición de la capa de material elástico comprende la etapa de deposición por pulverización catódica de una pluralidad de subcapas de una aleación metálica, estando cada una de la pluralidad de subcapas depositada a diferentes presiones de gas de plasma seleccionadas, creando cada presión diferente de gas de plasma seleccionada un nivel diferente de tensión inherente correspondiente en una de la pluralidad de subcapas correspondiente.
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