JP2000156453A - ワイヤボンディング接続構造及びワイヤの改修方法 - Google Patents

ワイヤボンディング接続構造及びワイヤの改修方法

Info

Publication number
JP2000156453A
JP2000156453A JP10329110A JP32911098A JP2000156453A JP 2000156453 A JP2000156453 A JP 2000156453A JP 10329110 A JP10329110 A JP 10329110A JP 32911098 A JP32911098 A JP 32911098A JP 2000156453 A JP2000156453 A JP 2000156453A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wire
electrode
electrodes
wire bonding
bonding connection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP10329110A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuko Kitayama
憂子 北山
Susumu Ozawa
進 小澤
Satoru Yamada
識 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP10329110A priority Critical patent/JP2000156453A/ja
Publication of JP2000156453A publication Critical patent/JP2000156453A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/98—Methods for disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/04042—Bonding areas specifically adapted for wire connectors, e.g. wirebond pads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05554—Shape in top view being square
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48471—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area being a ball bond, i.e. wedge-to-ball, reverse stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/4905—Shape
    • H01L2224/49051—Connectors having different shapes
    • H01L2224/49052—Different loop heights
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/494—Connecting portions
    • H01L2224/4943—Connecting portions the connecting portions being staggered
    • H01L2224/49431—Connecting portions the connecting portions being staggered on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/494—Connecting portions
    • H01L2224/4945—Wire connectors having connecting portions of different types on the semiconductor or solid-state body, e.g. regular and reverse stitches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85191—Translational movements connecting first both on and outside the semiconductor or solid-state body, i.e. regular and reverse stitches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ワイヤの改修作業が容易となるワイヤボンデ
ィング接続構造とする。 【解決手段】 基板上に搭載された２つの半導体素子間
のワイヤボンディングによる接続構造を、それぞれの半
導体素子上に、電極を２ｎ列（但し、ｎは１以上の正の
整数）以上の複数列に配列し、且つ配列方向に直交する
方向で各列の電極の中心が重ならないようそれぞれ位置
をずらして配列し、各電極列別に第１ボンド側と第２ボ
ンド側と交互に成るように分けてボールボンディングを
行った構造とし、そのワイヤボンディングは隣接する電
極同士におけるそれぞれの電極に接続されたワイヤのル
ープ高さが異なるようにした。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金ワイヤの改修作
業を容易にしたワイヤボンディング接続構造並びにワイ
ヤの改修方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図８は、従来のワイヤボンディング接続
構造を示した側面図である。この図８において、２１は
半導体素子である集積回路チップ（以下、ＩＣと称す）
を搭載するための基板、２２は第１のＩＣ、２３は第２
のＩＣ、２４は金ワイヤである。また、ａは第１のＩＣ
の電極、ｂは第１のＩＣの電極、ｃは第２のＩＣの電
極、ｄは第２のＩＣの電極である。ここで、第１のＩＣ
２２と第２のＩＣ２３とが互いに対向し且つ平行な状態
で基板２１上に搭載されている。そして第1のＩＣ２２
において、第２のＩＣ２３と対向する端面の近傍のＩＣ
表面に電極ａが列状に（紙面と垂直方向に）複数配列さ
れ、また電極ａより内側のＩＣ表面に電極ｂが列状に
（紙面と垂直方向に）複数配列され、然もこれら電極ａ
とｂが千鳥状となるように配列されている。同様に、第
２のＩＣ２３においても、第１のＩＣ２２と対向する端
面の近傍のＩＣ表面に電極ｃが列状に（紙面と垂直方向
に）複数配列され、また電極ｃより内側のＩＣ表面に電
極ｄが列状に（紙面と垂直方向に）複数配列され、然も
これら電極ｃとｄが千鳥状となるように配列されてい
る。そして、第1のＩＣの電極ａは第2のＩＣの電極ｃと
金ワイヤ２４により接続されて内側のループ状配線を形
成し、、第1のＩＣの電極ｂは第2のＩＣの電極ｄと金ワ
イヤ２４により接続されて外側のループ状配線を形成し
ている。ここで金ワイヤの接続はボールボンディング方
法によって接続されている。そして電極ａとｃ及び電極
ｂとｄを接続する金ワイヤ２４は、第１のＩＣ側の電極
を第１ボンド、第２のＩＣ側の電極を第２ボンドとして
ワイヤボンディングされる。即ち、まず第１のＩＣ２２
の電極ａ（又はｂ）に金ワイヤ２４を第１のボンディン
グ（第１ボンド）した後、続いて第２のＩＣ２３の電極
ｃ（またはｄ）に第２のボンディング（第２ボンド）を
行っている。
【０００３】図８に示したような従来の実装構造におい
て、多数配線された金ワイヤ２４相互の接触防止あるい
は不良配線の除去等の改修を行う場合に、従来は図９に
示すように修正針２６を用いて改修作業を行っていた。
なお、図９は、改修作業時の要部を示す切り欠き図であ
り、基板２１の図示は省略している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図８に
示したような実装構造であると、いずれか一方のＩＣの
電極を第１ボンドとして固定するため、同様なループ形
状をした金ワイヤが密に配列される。そのため、図９に
示すように、１箇所〜数箇所の金ワイヤの修正を行う時
や、修正針２６を取り除く時に、隣接する正常な金ワイ
ヤと接触し、正常な金ワイヤも傷つけてしまうという問
題点があった。
【０００５】本発明は、上記問題点を解決し、ワイヤボ
ンディングしたワイヤの改修作業を容易にしたワイヤボ
ンディング接続構造並びにその構造に対するワイヤの改
修方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明によれば、基板上に搭載された２つ
の半導体素子間のワイヤボンディング接続構造におい
て、それぞれの半導体素子上に、電極を２ｎ列（但し、
ｎは１以上の正の整数）以上の複数列に配列し、且つ配
列方向に直交する方向で各列の電極の中心が重ならない
ようそれぞれ位置をずらして配列し、各電極列別に第１
ボンド側と第２ボンド側と交互に成るように分けてボー
ルボンディングされたことを特徴とする。
【０００７】また請求項２の発明によれば、基板上に搭
載された半導体素子と基板間のワイヤボンディング接続
構造において、半導体素子上および基板上に、それぞれ
電極を２ｎ列（但し、ｎは１以上の正の整数）以上の複
数列に配列し、且つ配列方向に直交する方向で各列の電
極の中心が重ならないようそれぞれ位置をずらして配列
し、各電極列別に第１ボンド側と第２ボンド側と交互に
成るように分けてボールボンディングされたことを特徴
とする。
【０００８】また、請求項３の発明によれば、請求項１
若しくは請求項２のいずれかの請求項に記載のワイヤボ
ンディング接続構造において、半導体素子上若しくは基
板上に配列された電極が千鳥状に配列されたことを特徴
とする。
【０００９】また、請求項４の発明によれば、請求項１
乃至請求項３のいずれかの請求項に記載のワイヤボンデ
ィング接続構造において、ワイヤボンディング接続は、
第１ボンド側電極に圧着して形成されるワイヤのボール
の中心からワイヤが所定の高さまで垂直に立ち上げら
れ、第２ボンド側の電極方向に曲がり傾斜したループ形
状で第２ボンド側電極にワイヤ４を圧着することにより
成され、隣接する電極同士におけるそれぞれの電極に接
続されたループ形状のワイヤのループ高さが異なること
を特徴とする。
【００１０】また、請求項５の発明によれば、請求項４
に記載のワイヤボンディング接続構造により接続された
ワイヤを改修するに際し、接続されたワイヤの第１ボン
ド側の近傍に形成された曲がりの部分を利用して改修を
行うことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。
【００１２】図１は本発明の実施の形態に係るワイヤボ
ンディング接続構造を示した側面図であり、図２はその
平面図である。これら図１、図２において、１は半導体
素子である集積回路チップ（以下、ＩＣと称す）を搭載
するための基板、２は第１のＩＣ、３は第２のＩＣ、４
は金ワイヤである。また、ａは第１のＩＣの第１電極、
ｂは第１のＩＣの第２電極、ｃは第２のＩＣの第１電
極、ｄは第２のＩＣの第２電極である。ここで、第１の
ＩＣ２と第２のＩＣ３とが互いに対向し且つ平行な状態
で基板１上に搭載されている。そして第1のＩＣ２にお
いて、第２のＩＣ３と対向する端面の近傍のＩＣ表面に
第１電極ａが列状に（紙面と垂直方向に）複数配列さ
れ、また第１電極ａより内側（ＩＣ中心側）のＩＣ表面
に第２電極ｂが列状に（紙面と垂直方向に）複数配列さ
れ、然もこれら第１、第２電極ａとｂが千鳥状となるよ
うに配列されている。同様に、第２のＩＣ３において
も、第１のＩＣ２と対向する端面の近傍のＩＣ表面に第
１電極ｃが列状に（紙面と垂直方向に）複数配列され、
また第１電極ｃより内側（ＩＣ中心側）のＩＣ表面に第
２電極ｄが列状に（紙面と垂直方向に）複数配列され、
然もこれら第１、第２電極ｃとｄが千鳥状となるように
配列されている。また第１、第２のＩＣ２、３の各電極
は、第１のＩＣ２の第１電極ａと第２のＩＣの第１電極
ｃ、第１のＩＣ２の第２電極ｂと第２のＩＣの第２電極
ｄとが、それぞれ線対称の関係で対向するように配列さ
れている。
【００１３】そして、第1のＩＣ２の第１電極ａと第２
のＩＣ３の第１電極ｃ、及び第1のＩＣ２の第２電極ｂ
と第2のＩＣ３の第２電極ｄとが、それぞれ金ワイヤ４
を用い、ワイヤボンディングの１つの方法であるボール
ボンディングにより接続される。ここで、第１のＩＣ２
の第１電極ａと第２のＩＣの第２電極ｃを接続する金ワ
イヤ４は、第１のＩＣ２側を第１ボンド、第２のＩＣ側
を第２ボンドとして設定し、ワイヤボンディングを行
う。また第１のＩＣ２の第２電極ｂと第２のＩＣ３の第
２電極ｄを接続する金ワイヤ４は、第２のＩＣ３側を第
１ボンド、第１のＩＣ側を第２ボンドとして設定し、ワ
イヤボンディングを行う。
【００１４】そして、ボールボンディングによるワイヤ
ボンディングは、第１ボンド側電極に金ワイヤ４を圧着
し、第１ボンド側電極に圧着して形成される金ワイヤの
金ボールの中心から、金ワイヤを所定の高さまで垂直に
立ち上げ、次いで第２ボンド側の電極方向に、曲がり傾
斜した形状で、第２ボンド側電極に金ワイヤ４を圧着す
る。このようにして、接続される金ワイヤのループ状配
線形状は、第１ボンド側は高く、第２ボンド側は低く形
成されることになる。本実施の形態において、一方のＩ
Ｃ２における隣接した各電極ａ及びｂはそれぞれ第２ボ
ンド側、第１ボンド側となり、また他方のＩＣ３におけ
る隣接した各電極ｃおよびｄはそれぞれ第１ボンド側、
第２ボンド側となる。そのため、図１に示すように、金
ワイヤ４の接続構造は、隣接電極間において金ワイヤの
ループ配線の高さが異なる構造となる。即ち、図１に示
すように、第１のＩＣ側が高くなった形状のループ状配
線と第２のＩＣ側が高くなった形状のループ状配線が交
互に配列され、従って、ほぼ同一形状のループ状配線は
一つおきの配線となり、隣接するループ状配線は異なっ
た形状となる。また、ほぼ同一形状のループ状配線は一
つおきの配線となるため、ほぼ同一形状のループ状配線
同士で隣接するものの間のピッチは広くなる。
【００１５】次に、図３（Ａ）〜（Ｃ）を参照して、本
発明の実施の形態に係るワイヤボンディング接続工程に
ついて説明する。
【００１６】図３において、５はキャピラリであり、ま
た図１、図２と同一部位については同一番号を付してい
る。この実装方法においては、予め、基板１上に、第１
のＩＣ２と第２のＩＣ３とを互いに対向し且つ平行な状
態でダイボンディング等により実装する。
【００１７】次に、第２のＩＣ３から第１のＩＣ２への
ワイヤボンディング接続及び第１のＩＣ２から第２のＩ
Ｃ３へのワイヤボンディング接続を行う。
【００１８】まず、第２のＩＣ３から第１のＩＣ２への
ワイヤボンディング接続は、図３（Ａ）に示すように、
第１のＩＣ２と対向する第２のＩＣ３上の端面近傍の列
の第１電極ｃを第１ボンド側として、キャピラリ５を用
いてボールボンディングにより、第１電極ｃに金ワイヤ
４を圧着し、第１電極ｃに圧着して形成される金ワイヤ
の金ボール４ａの中心から、金ワイヤを所定の高さまで
垂直に立ち上げ、次いで、図３（Ｂ）に示すように、第
２ボンド側の電極方向に曲がり傾斜した形状で、上記第
１電極ｃと対向する第１のＩＣ２上の端面近傍の列の第
１電極ａを第２ボンド側として、この第１電極ａに金ワ
イヤ４を圧着してワイヤボンディングする。
【００１９】次いで、第１のＩＣ２から第２のＩＣ３へ
のワイヤボンディング接続は、図３（Ｂ）に示すよう
に、第１のＩＣ２上の端面近傍の列の第１電極ａより内
側（ＩＣ中心側）の列の第２電極ｂを第１ボンド側とし
て、キャピラリ５を用いてボールボンディングにより、
電極ｂに金ワイヤ４を圧着し、第２電極ｂに圧着して形
成される金ワイヤの金ボール４ａの中心から、金ワイヤ
４を所定の高さまで垂直に立ち上げ、次いで、図３
（Ｃ）に示すように、第２ボンド側の電極方向に曲がり
傾斜した形状で、上記第２電極ｂと対向する第２のＩＣ
３上の端面近傍の列の第１電極ｃより内側（ＩＣ中心
側）の列の第２電極ｄを第２ボンド側として、この第２
電極ｄに金ワイヤ４を圧着してワイヤボンディングす
る。
【００２０】このように、第２のＩＣ３から第１のＩＣ
２へのワイヤボンディング接続及び第１のＩＣ２から第
２のＩＣ３へのワイヤボンディング接続を行い、図３
（Ｃ）に示すように実装が完了する。この際、第２のＩ
Ｃ３から第１のＩＣ２へのワイヤボンディング接続と第
１のＩＣ２から第２のＩＣ３へのワイヤボンディング接
続とを交互に繰り返して接続する方法と、どちらか一方
のＩＣからのワイヤボンディング接続をすべて行った後
に他方のＩＣからのワイヤボンディング接続をすべて行
う方法とがあるが、いずれの方法を用いてもかまわな
い。
【００２１】また、前述の例では、図１，図２に示すよ
うに、第１、第２のＩＣ２、３の各電極が、第１のＩＣ
２の第１電極ａと第２のＩＣの第１電極ｃ、第１のＩＣ
２の第２電極ｂと第２のＩＣの第２電極ｄとが、それぞ
れ線対称の関係で対向するように配列されている場合に
ついて本発明を適用した例を説明したが、本発明は、こ
の電極配置形態に限らず、その他の種々の電極配置形態
に適用可能である。
【００２２】その一つの変形例を図４に示す。図４に示
すように、第１のＩＣの第１電極ａ、第２電極ｂの配列
は、図２の場合と同様に配列し、第２のＩＣ３の第２電
極ｄを端面側に設け、第１の電極ｃを第２のＩＣ３の第
１電極ｄより内側（ＩＣ中心側）に設けて、第１のＩＣ
２の第２電極ｂを第１ボンド側、第２のＩＣ３の第２電
極ｄを第２ボンド側として両者を接続、同様に第２のＩ
Ｃ３の第１電極ｃを第１ボンド側、第１のＩＣ２の第１
電極ａを第２ボンド側として両者を接続する形態でのワ
イヤボンディング接続も当然可能である。図５はこの場
合の接続状態を示した側面図である。
【００２３】さらに、他の変形例として、それぞれのＩ
Ｃにおける電極の配列を４列以上の偶数列にし、配列方
向に直交する方向で各列の電極の中心が重ならないよう
それぞれ位置をずらして配列してある場合にも本発明は
適用しうるものであり、この場合もワイヤボンディング
の際は各電極列別に交互に第１ボンド側、第２ボンド側
に設定されることとなる。
【００２４】また、前述の例では、２つのＩＣのそれぞ
れの電極間をワイヤボンディング接続する場合について
説明したが、本発明はこれに限らず、基板上に搭載され
たＩＣの各電極と基板上に形成された電極との間のワイ
ヤボンディング接続にも当然適用可能である。
【００２５】また、前述の例では、金ワイヤを用いた例
を示したが、この金ワイヤに限られるものではなく、ワ
イヤボンディングに使用可能な材質のワイヤであれば他
の材質からなるワイヤを用いても良い。
【００２６】次に、図１、２で示した本発明に係る実装
構造において、多数配線された金ワイヤ４相互の接触防
止あるいは不良配線の除去等の改修を行う際の、金ワイ
ヤ４の位置修正あるいは除去等の改修方法について、図
６を参照して説明する。なお、図６は、改修作業時の要
部を示す切り欠き図であり、基板１の図示は省略してい
る。
【００２７】図６において、６は修正針であり、また図
１、図２と同一部位については同一番号を付している。
図６に示すように、接続された所定のループ状配線の金
ワイヤ４の位置の修正を行う時は、修正対象のループ状
配線の高くなった部分である第１ボンド側の曲部に修正
針６を掛けて金ワイヤの位置の修正を行う。また、金ワ
イヤを取り除くも同様に除去対象のループ状配線の第１
ボンド側の曲部に修正針６を掛けて、この修正針６を用
い、さらに後述するようにピンセット等を用いて、その
ループ状配線を除去する。上述のループ状配線の位置修
正あるいは除去のいずれの場合においても、前述のよう
に、ほぼ同一形状のループ状配線同士で隣接するもの
（即ち一つおきのループ状配線）の間のピッチが広くな
っており、且つ修正あるいは除去対象のループ状配線に
隣接するループ状配線はループ形状が異なっており、修
正あるいは除去対象のループ状配線の修正針６を掛けた
曲部に対応する隣接ループ状配線の部分は第２ボンド側
であるため配線の高さが低く形成されているため、この
隣接ループ状配線に修正針６が接触することはない。従
って、ループ状配線の修正あるいは除去作業時に、隣接
ループ状配線の金ワイヤ４を傷つけることはない。
【００２８】次に図７（Ａ）〜（Ｄ）を参照して、接続
が不良な金ワイヤの改修方法について、さらに具体的に
説明する。図７において、７はピンセットであり、図１
〜図３と同一部位については同一番号を付している。
【００２９】まず、図７（Ａ）に示すように、修正針６
を修正対象のループ状配線である金ワイヤ４の曲部に掛
ける。次いで、図７（Ｂ）に示すように、修正針６を上
方に引き上げると金ワイヤ４の第２ボンド側が破断し、
破断部分から上方に立ち上がる。次いで、図７（Ｃ）に
示すように、立ち上がった金ワイヤ４をピンセットで挟
み込む。次いで、図７（Ｄ）に示すように、ピンセット
７を用いて不要なループ状配線である金ワイヤ４を取り
除く。その後、あらためて再度該当個所に前述したよう
にしてワイヤボンディングを行って、改修が完了する。
【００３０】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、２つの半導体素子（例えば、ＩＣ）間（或いはＩ
Ｃと基板間）をワイヤボンディングによって接続する際
に、それぞれのＩＣ上（或いはＩＣ上及び基板上）に電
極を２ｎ列（但し、ｎは１以上の正の整数）以上の複数
列に配列し、且つ配列方向に直交する方向で各列の電極
の中心が重ならないようそれぞれ位置をずらして配列
し、各電極列別に第１ボンド側と第２ボンド側と交互に
成るように分けてワイヤボンディングし、隣接する電極
に接続されたループ状配線としての金ワイヤのループ高
さを異ならせることにより、金ワイヤの改修作業時にお
いて、隣接する正常な金ワイヤに接触することなく、改
修対象の金ワイヤを、修正または取り除くことができ、
改修作業を容易に行うことが出来るという効果を有す
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るワイヤボンディング接続構造を示
した側面図である。
【図２】本発明に係るワイヤボンディング接続構造を示
した平面図である。
【図３】本発明に係るワイヤボンディング接続工程を示
した図である。
【図４】本発明の変形例に係るワイヤボンディング接続
構造を示した平面図である。
【図５】本発明の変形例に係るワイヤボンディング接続
構造を示した側面図である。
【図６】本発明に係るワイヤの改修方法を説明するため
の図である。
【図７】本発明に係るワイヤの改修工程を示した図であ
る。
【図８】従来のワイヤボンディング接続構造を示した側
面図である。
【図９】従来のワイヤの改修方法を説明するための図で
ある。
【符号の説明】
１ 基板 ２ 第１のＩＣ ３ 第２のＩＣ ４ 金ワイヤ ５ キャピラリ ６ 修正針 ７ ピンセット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山田 識 東京都港区虎ノ門１丁目７番12号 沖電気 工業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F044 AA14 AA20 HH01 HH06

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に搭載された２つの半導体素子間
    のワイヤボンディング接続構造において、 それぞれの半導体素子上に、電極を２ｎ列（但し、ｎは
    １以上の正の整数）以上の複数列に配列し、且つ配列方
    向に直交する方向で各列の電極の中心が重ならないよう
    それぞれ位置をずらして配列し、各電極列別に第１ボン
    ド側と第２ボンド側と交互に成るように分けてボールボ
    ンディングされたことを特徴とするワイヤボンディング
    接続構造。
  2. 【請求項２】 基板上に搭載された半導体素子と基板間
    のワイヤボンディング接続構造において、 半導体素子上および基板上に、それぞれ電極を２ｎ列
    （但し、ｎは１以上の正の整数）以上の複数列に配列
    し、且つ配列方向に直交する方向で各列の電極の中心が
    重ならないようそれぞれ位置をずらして配列し、各電極
    列別に第１ボンド側と第２ボンド側と交互に成るように
    分けてボールボンディングされたことを特徴とするワイ
    ヤボンディング接続構造。
  3. 【請求項３】 請求項１若しくは請求項２のいずれかの
    請求項に記載のワイヤボンディング接続構造において、 半導体素子上若しくは基板上に配列された電極が千鳥状
    に配列されたことを特徴とするワイヤボンディング接続
    構造。
  4. 【請求項４】 請求項１乃至請求項３のいずれかの請求
    項に記載のワイヤボンディング接続構造において、 ワイヤボンディング接続は、第１ボンド側の電極に圧着
    して形成されるワイヤのボールの中心からワイヤが所定
    の高さまで垂直に立ち上げられ、第２ボンド側の電極方
    向に曲がり傾斜したループ形状で第２ボンド側の電極に
    ワイヤ４を圧着することにより成され、 隣接する電極同士におけるそれぞれの電極に接続された
    ワイヤのループ高さが異なることを特徴とするワイヤボ
    ンディング接続構造。
  5. 【請求項５】 請求項４に記載のワイヤボンディング接
    続構造により接続されたワイヤを改修するに際し、接続
    されたループ形状のワイヤの第１ボンド側の近傍に形成
    された曲がりの部分を利用して改修を行うことを特徴と
    するワイヤの改修方法。
JP10329110A 1998-11-19 1998-11-19 ワイヤボンディング接続構造及びワイヤの改修方法 Withdrawn JP2000156453A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10329110A JP2000156453A (ja) 1998-11-19 1998-11-19 ワイヤボンディング接続構造及びワイヤの改修方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10329110A JP2000156453A (ja) 1998-11-19 1998-11-19 ワイヤボンディング接続構造及びワイヤの改修方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000156453A true JP2000156453A (ja) 2000-06-06

Family

ID=18217732

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10329110A Withdrawn JP2000156453A (ja) 1998-11-19 1998-11-19 ワイヤボンディング接続構造及びワイヤの改修方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000156453A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012195459A (ja) * 2011-03-16 2012-10-11 Sharp Corp ワイヤーボンディング方法、及び、半導体装置
CN116779574A (zh) * 2023-08-08 2023-09-19 深圳市锐骏半导体股份有限公司 集成采样电阻的半导体装置及其制造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012195459A (ja) * 2011-03-16 2012-10-11 Sharp Corp ワイヤーボンディング方法、及び、半導体装置
CN116779574A (zh) * 2023-08-08 2023-09-19 深圳市锐骏半导体股份有限公司 集成采样电阻的半导体装置及其制造方法
CN116779574B (zh) * 2023-08-08 2024-04-19 深圳市锐骏半导体股份有限公司 集成采样电阻的半导体装置及其制造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6713881B2 (en) Semiconductor device and method of manufacturing same
JP3428996B2 (ja) 成形リード構造体および方法
US5574311A (en) Device having pins formed of hardened mixture of conductive metal particle and resin
US7064450B1 (en) Semiconductor die with high density offset-inline bond arrangement
JP2002329742A (ja) 半導体装置
KR100479190B1 (ko) 반도체장치 및 이의 와이어본딩방법
TWI395301B (zh) 使用在金屬氧化物半導體場效電晶體球閘陣列封裝技術上之摺疊框架載體
JP3497847B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2000156453A (ja) ワイヤボンディング接続構造及びワイヤの改修方法
JP4105996B2 (ja) ワイヤボンディング方法
KR100285535B1 (ko) 와이어본딩방법
CN1387258A (zh) 键合区
JP2007036252A (ja) 改善されたパッド構造を有する半導体装置及び半導体装置のパッド形成方法
US20020070450A1 (en) Bond pad structure for integrated circuits
JPS59129451A (ja) リ−ドフレ−ム
JP2003124387A (ja) 半導体装置及び該半導体装置に使用されるプリント基板
JP4402806B2 (ja) 半導体装置
JPH10107083A (ja) 電気回路素子及びその実装体構造
JP2006013497A (ja) 半導体ペレット及び半導体装置
JP2007101506A (ja) プローブカードの製作方法
JP2007127481A (ja) プローブカードの製作方法
KR0128247Y1 (ko) 반도체 패키지용 리드 프레임
JPH02211643A (ja) 半導体装置
JPH0750314A (ja) 半導体装置とそのワイヤボンディング方法
JPH03233950A (ja) フレキシブルテープ及び半導体チップの実装構造

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20060207