JPH0750314A - 半導体装置とそのワイヤボンディング方法 - Google Patents

半導体装置とそのワイヤボンディング方法

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JPH0750314A
JPH0750314A JP5215080A JP21508093A JPH0750314A JP H0750314 A JPH0750314 A JP H0750314A JP 5215080 A JP5215080 A JP 5215080A JP 21508093 A JP21508093 A JP 21508093A JP H0750314 A JPH0750314 A JP H0750314A
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wire
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wires
inner lead
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洋毅 砂口
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体チップ上の電極パッドの間隔を従来よ
り狭めた場合でも、ワイヤ同士の接触を防止できるよう
にする。 【構成】 電極パッド２側を第１ボンドとしインナリー
ド３側を第２ボンドとして接続したワイヤ４と、電極パ
ッド２側を第２ボンドとしインナリード３側を第１ボン
ドとして接続したワイヤ４とを、インナリード３の配列
方向に沿って交互に配置した。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体チップ上に形成
された電極パッドと半導体チップの周辺に配列されたイ
ンナリードとをワイヤにて接続してなる半導体装置とそ
のワイヤボンディング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来の半導体装置を説明する要
部斜視図である。図において、半導体チップ１の上面に
は複数の電極パッド２が一定の間隔で形成されている。
また、半導体チップ１の周辺には外部引出用端子として
のインナリード３が上記電極パッド２の各々に対応して
配列されている。そして、半導体チップ１上の電極パッ
ド２とその周辺に配置されたインナリード３とは、極細
のワイヤ４によって接続されている。
【０００３】ところで、従来における半導体装置のワイ
ヤボンディング方法では、一般的に、半導体チップ１上
の電極パッド２側を第１ボンドとし、その周辺のインナ
リード３側を第２ボンドとした正ボンディングを、チッ
プ端から順にインナリード３の配列方向に沿って行って
いた。よって、当然のことながら、半導体チップ１上の
電極パッド２側では全てボールボンドが行われ、相対す
るインナリード３側では全てステッチボンドが行われて
いた。このため、ワイヤ４の立ち上がり部分は、全て半
導体チップ１側に配置されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の半導体装置では、近年のファインピッチ化や多ピン化
などへの対応として、半導体チップ１上の電極パッド２
の間隔を狭くすると、ワイヤボンディング時のループ曲
がりや、モールド成形時の樹脂圧によるワイヤ流れ等に
よってワイヤ４に傾きが生じた際、ワイヤ４の立ち上が
り部分でワイヤ４同士が接触してしまうという問題があ
った。
【０００５】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたもので、半導体チップ上の電極パッドの間隔を従来
より狭めた場合であっても、ワイヤ同士の接触を防止す
ることができる半導体装置とそのワイヤボンディング方
法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたもので、半導体チップ上に形成さ
れた電極パッドと半導体チップの周辺に配列されたイン
ナリードとをワイヤにて接続してなる半導体装置におい
て、電極パッド側を第１ボンドとしインナリード側を第
２ボンドとして接続されたワイヤと、電極パッド側を第
２ボンドとしインナリード側を第１ボンドとして接続さ
れたワイヤとが、インナリードの配列方向に沿って交互
に配置されているものである。
【０００７】また、半導体チップ上に形成された電極パ
ッドと半導体チップの周辺に配列されたインナリードと
をワイヤにて接続する半導体装置のワイヤボンディング
方法において、電極パッド側を第１ボンドとしインナリ
ード側を第２ボンドとしてワイヤを接続する正ボンディ
ングと、電極パッド側を第２ボンドとしインナリード側
を第１ボンドとしてワイヤを接続する逆ボンディングと
を、インナリードの配列方向に沿って交互に行うように
したものである。
【０００８】
【作用】本発明の半導体装置においては、正ボンディン
グによって接続されたワイヤと、逆ボンディングによっ
て接続されたワイヤとが、インナリードの配列方向に沿
って交互に配置されているため、従来よりもワイヤの立
ち上がり部分の間隔が広く確保されるようになる。ま
た、本発明のワイヤボンディング方法においては、イン
ナリードの配列方向に沿って正ボンディングと逆ボンデ
ィングとを交互に行うことで、ワイヤボンディングにお
けるキャピラリの移動距離が従来よりも短くなる。
【０００９】
【実施例】図１は、本発明に係わる半導体装置を説明す
る要部斜視図である。図において、半導体チップ１の上
面には複数の電極パッド２が所定のピッチで形成されて
いる。また、半導体チップ１の周辺には外部引出用端子
としてのインナリード３が上記電極パッド２に対応して
配列されている。そして、半導体チップ１上の電極パッ
ド２とその周辺に配置されたインナリード３とは、極細
のワイヤ４によって接続されている。
【００１０】ここで本実施例の半導体装置においては、
半導体チップ１上の電極パッド２側を第１ボンドとし、
その周辺のインナリード３側を第２ボンドとしたワイヤ
４と、その反対に電極パッド２側を第２ボンドとし、イ
ンナリード３側を第１ボンドとしたワイヤ４とが、イン
ナリード３の配列方向に沿って交互に配置されている。
すなわち、電極パッド２とインナリード３のいずれの側
においても、ボールボンドによる圧着ボール４ａとステ
ッチボンドによるクレセント（三日月部分）４ｂとが、
電極パッド２やインナリード３の配列方向に沿って交互
に配置されている。
【００１１】次に、本実施例の半導体装置のワイヤボン
ディング方法について図２を参照しながら説明する。ま
ず、図示せぬキャピラリの先端に形成したボールを、チ
ップ端に配置された電極パッド２上にボールボンドによ
り圧着する。次に、所定のループ形状を描きながらキャ
ピラリをインナリード３側に移動して、ワイヤ４の一端
をインナリード３上にステッチボンドにより圧着する。
続いて、隣接するインナリード３側にキャピラリを移動
して、キャピラリの先端に形成したボールをボールボン
ドによりインナリード３上に圧着する。次いで、所定の
ループ形状を描きながらキャピラリを電極パッド２側に
移動して、ワイヤ４の一端を電極パッド２上にステッチ
ボンドにより圧着する。以下、上記同様の手順にしたが
ってキャピラリを図中矢印で示すように移動させなが
ら、電極パッド２とインナリード３とをワイヤ４にて接
続していく。
【００１２】以上述べたように、まず本実施例の半導体
装置においては、正ボンディングによって接続されたワ
イヤ４と、逆ボンディングによって接続されたワイヤ４
とが、インナリード３の配列方向に沿って交互に配置さ
れているため、図３に示すように、半導体チップ１側に
おけるワイヤ４の立ち上がり部分の間隔Ｌが電極パッド
２の間隔Ｐのほぼ２倍となり、しかもインナリード３側
においてはそのリード間隔が電極パッド２の間隔Ｐより
も広く確保されることから、その分だけワイヤ４の立ち
上がり部分の間隔Ｌが半導体チップ１側以上に確保され
るため、ワイヤボンディング時のループ曲がりやモール
ド成形時のワイヤ流れ等によってワイヤが図中一点破線
で示すように傾いた場合でも、ワイヤ４同士の接触が起
こり難くなる。
【００１３】また、本実施例のワイヤボンディング方法
では、半導体チップ１上の電極パッド２側を第１ボンド
とし、その周辺のインナリード３側を第２ボンドとして
ワイヤ４を接続する正ボンディングと、その反対に電極
パッド２側を第２ボンドとし、インナリード３側を第１
ボンドとしてワイヤ４を接続する逆ボンディングとを、
インナリード３の配列方向に沿って交互に行うようにし
たので、従来のように１本のワイヤ４を接続するたびに
キャピラリを電極パッド２とインナリード３間で移動さ
せる場合に比べて、キャピラリの移動距離が短くなる。
【００１４】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の半導体装
置によれば、正ボンディングによって接続されたワイヤ
と、逆ボンディングによって接続されたワイヤとが、イ
ンナリードの配列方向に沿って交互に配置されているた
め、従来よりもワイヤの立ち上がり部分の間隔が広く確
保され、これにより種々の要因によってワイヤの倒れが
生じた場合でも、ワイヤ同士の接触が起こり難くなる。
その結果、従来よりも電極パッドの間隔を狭めた場合で
あっても、ワイヤ同士の接触が確実に防止されるように
なるため、さらなる多ピン化並びにファインピッチ化へ
の対応が実現可能となる。
【００１５】また、本発明のワイヤボンディング方法に
おいては、インナリードの配列方向に沿って正ボンディ
ングと逆ボンディングとを交互に行うことにより、キャ
ピラリの移動距離が従来よりも短くなるため、ワイヤボ
ンディング工程での効率アップが図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係わる半導体装置を説明する要部斜視
図である。
【図２】本発明に係わる半導体装置のワイヤボンディン
グ方法を説明する要部平面図である。
【図３】半導体チップ上におけるワイヤの高さ関係を説
明する図である。
【図４】従来の半導体装置を説明する要部斜視図であ
る。
【符号の説明】
１ 半導体チップ ２ 電極パッド ３ インナリード ４ ワイヤ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体チップ上に形成された電極パッド
    と前記半導体チップの周辺に配列されたインナリードと
    をワイヤにて接続してなる半導体装置において、 前記電極パッド側を第１ボンドとし前記インナリード側
    を第２ボンドとして接続されたワイヤと、前記電極パッ
    ド側を第２ボンドとし前記インナリード側を第１ボンド
    として接続されたワイヤとが、前記インナリードの配列
    方向に沿って交互に配置されていることを特徴とする半
    導体装置。
  2. 【請求項２】 半導体チップ上に形成された電極パッド
    と前記半導体チップの周辺に配列されたインナリードと
    をワイヤにて接続する半導体装置のワイヤボンディング
    方法において、 前記電極パッド側を第１ボンドとし前記インナリード側
    を第２ボンドとしてワイヤを接続する正ボンディング
    と、前記電極パッド側を第２ボンドとし前記インナリー
    ド側を第１ボンドとしてワイヤを接続する逆ボンディン
    グとを、前記インナリードの配列方向に沿って交互に行
    うことを特徴とする半導体装置のワイヤボンディング方
    法。
JP5215080A 1993-08-06 1993-08-06 半導体装置とそのワイヤボンディング方法 Pending JPH0750314A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2009117520A (ja) * 2007-11-05 2009-05-28 Fujitsu Microelectronics Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2011166620A (ja) * 2010-02-12 2011-08-25 Murata Mfg Co Ltd Ｌｃフィルタ
JP2013179146A (ja) * 2012-02-28 2013-09-09 Casio Comput Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US9123713B2 (en) 2010-11-24 2015-09-01 Tessera, Inc. Lead structures with vertical offsets

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