JPS6143436A - ボンデイング方法 - Google Patents
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- H01L2224/4912—Layout
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野j
本発明は、半導体装置、特に半導体装置のペレットとリ
ード部の電気的接続に適用して有効な技術に関するもの
である。
ード部の電気的接続に適用して有効な技術に関するもの
である。
[背景技術]
半導体装置の小型化、高集積化に伴い、リードフレーム
またはセラミック等の上に形成された外部導電部用のリ
ード部も微細化する1頃向にある。
またはセラミック等の上に形成された外部導電部用のリ
ード部も微細化する1頃向にある。
しかし、リード部の微細化は電気的抵抗の増大、リード
部の成形またはリード配線パターンの形成が困難になる
等の問題がある。
部の成形またはリード配線パターンの形成が困難になる
等の問題がある。
そのため、一つのリード部上の幅方向に並列に複数のワ
イヤをボンディングすることにより上記問題点を解決す
ることも考えられるが、かかる方法では正確なボンディ
ングを行うためにリード部の幅を広くせざるを得す、特
に多ピンの半導体装置では不具合であることが本発明者
によって明らかにされた。
イヤをボンディングすることにより上記問題点を解決す
ることも考えられるが、かかる方法では正確なボンディ
ングを行うためにリード部の幅を広くせざるを得す、特
に多ピンの半導体装置では不具合であることが本発明者
によって明らかにされた。
なお、ワイヤボンディング技術は、たとえば工業調査会
発行、rIC化実装技術」、日本マイクロエレクトロニ
クス協会績、1980年1月15日発行、P、 99〜
103に示されている。
発行、rIC化実装技術」、日本マイクロエレクトロニ
クス協会績、1980年1月15日発行、P、 99〜
103に示されている。
[発明の目的]
本発明の目的は半導体装置のボンディングワイヤの電気
的抵抗を低減することのできる技術を提1共することに
ある。
的抵抗を低減することのできる技術を提1共することに
ある。
本発明の他の目的は、リード部の幅を大きくすることを
防止することのできる技術を提供することにある。
防止することのできる技術を提供することにある。
本発明の他の目的は高集積化した半導体装置のペレット
とリード部の電気的接続に関し有効な技術を提供するこ
とにある。
とリード部の電気的接続に関し有効な技術を提供するこ
とにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明R11lの記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。
明R11lの記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。
[発明の概要]
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、リード部の長さ方向の同一直線上に複数本の
ワイヤをボンディングすることにより、前記目的を達成
するものである。
ワイヤをボンディングすることにより、前記目的を達成
するものである。
[実施例1]
第1図(al、(blは、それぞれ本発明によるボンデ
ィング方法の一実施例の工程を順次示す斜視図、第2図
は本発明によるボンディング方法によりボンディングさ
れたペレットおよびリード部の部分平面図である。
ィング方法の一実施例の工程を順次示す斜視図、第2図
は本発明によるボンディング方法によりボンディングさ
れたペレットおよびリード部の部分平面図である。
この実施例においては、まず第1図falに示すように
ペレット1のボンディングパッド2に第1ワイヤ3の端
部をボンディングした後、他方の端部をリードフレーム
のリード部4の長さ方向のベレット1寄りにボンディン
グし、第1ワイヤ3のボンディングを完了する。
ペレット1のボンディングパッド2に第1ワイヤ3の端
部をボンディングした後、他方の端部をリードフレーム
のリード部4の長さ方向のベレット1寄りにボンディン
グし、第1ワイヤ3のボンディングを完了する。
次に第1図(blに示すようにボンディングパッド2に
第2ワイヤ5の端部をボンディングした後、第1ワイヤ
3に接触しないようループ高さを該第1ワイヤ3のそれ
よりも十分高くとった上で第2ワイヤ5の他方の端部を
リード部4の長さ方向の前記第1ワイヤ3と同一直線上
でかつ該第1ワイヤ3のボンディング位置よりもペレッ
ト2から離れた位置にボンディングし、第2ワイヤ5の
ボンディングを完了する。
第2ワイヤ5の端部をボンディングした後、第1ワイヤ
3に接触しないようループ高さを該第1ワイヤ3のそれ
よりも十分高くとった上で第2ワイヤ5の他方の端部を
リード部4の長さ方向の前記第1ワイヤ3と同一直線上
でかつ該第1ワイヤ3のボンディング位置よりもペレッ
ト2から離れた位置にボンディングし、第2ワイヤ5の
ボンディングを完了する。
本実施例の特徴は第1ワイヤ3および第2ワイヤ5のリ
ード部側の端部をリード部の長さ方向の同一直線上にボ
ンディングし、一方の端部は同一ペレットにボンディン
グしたことにある。
ード部側の端部をリード部の長さ方向の同一直線上にボ
ンディングし、一方の端部は同一ペレットにボンディン
グしたことにある。
すなわち、本実施例に示すボンディング方法によりリー
ド部4の幅を広くすることなく、同一リード部4上に複
数のワイヤ3.5がボンディングできるため、電気的抵
抗を低減することができるのである。
ド部4の幅を広くすることなく、同一リード部4上に複
数のワイヤ3.5がボンディングできるため、電気的抵
抗を低減することができるのである。
また、第1ワイヤ3と第2ワイヤ5のループ高さが異な
っているためワイヤのシッートをより確実に防止するこ
とができる。
っているためワイヤのシッートをより確実に防止するこ
とができる。
この実施例は電源線(たとえば5V、OV)のワイヤの
抵tJtが問題となるような場合に有効である。
抵tJtが問題となるような場合に有効である。
[実施例2]
第3図は本発明によるボンディング方法の他の実施例を
示す平面図である。
示す平面図である。
この実Jei例においては、まずペレット1のボンディ
ングパッド6に第1ワイヤ3の端部をボンディングした
後、他方の端部をリード部4の長さ方向ペレットl寄り
にボンディングし第1ワイヤ3のボンディングを完了す
る。
ングパッド6に第1ワイヤ3の端部をボンディングした
後、他方の端部をリード部4の長さ方向ペレットl寄り
にボンディングし第1ワイヤ3のボンディングを完了す
る。
次にペレットlの別のボンディングパッド7に第2ワイ
ヤ5の端部をボンディングした後、第1ワイヤ3に接触
しないようループ高さをコ亥第1ワイヤ3のそれよりも
十分高くとった上で第2ワイヤ5の他方の端部をリード
部4の長さ方向の前記第1ワイヤ3と同一直線上でかつ
該第1ワイヤ3のボンディング位置よりもペレット2か
ら離れた位置にボンディングし、第2ワイヤ5のボンデ
ィングを完了する。
ヤ5の端部をボンディングした後、第1ワイヤ3に接触
しないようループ高さをコ亥第1ワイヤ3のそれよりも
十分高くとった上で第2ワイヤ5の他方の端部をリード
部4の長さ方向の前記第1ワイヤ3と同一直線上でかつ
該第1ワイヤ3のボンディング位置よりもペレット2か
ら離れた位置にボンディングし、第2ワイヤ5のボンデ
ィングを完了する。
本実施例2が実施例1と異なる点は、第1ワイヤ3およ
び第2ワイヤ5によって電気的に接続されるペレット側
のボンディングパッドが異なるパッドであることにある
。
び第2ワイヤ5によって電気的に接続されるペレット側
のボンディングパッドが異なるパッドであることにある
。
すなわち、本実施例2に示すボンディング方法により、
リード部4の幅を広くすることなく複数のボンディング
パット“6.7との電気的接続が可能となる。
リード部4の幅を広くすることなく複数のボンディング
パット“6.7との電気的接続が可能となる。
[効果]
(l)、リード部の長さ方向の同一直線上に複数のワイ
ヤをボンディングすることによりリード部の幅を広くす
ることなく複数のワイヤをボンディングすることができ
る。 − (2)、ペレット側のボンディングパッドを同一パッド
にすることにより、ボンディングワイヤの電気的抵抗を
低減することができる。
ヤをボンディングすることによりリード部の幅を広くす
ることなく複数のワイヤをボンディングすることができ
る。 − (2)、ペレット側のボンディングパッドを同一パッド
にすることにより、ボンディングワイヤの電気的抵抗を
低減することができる。
(3)、複数のワイヤのループ高さをそれぞれ異ならせ
ることにより、ワイヤのシッートをより確実に防止する
ことができる。
ることにより、ワイヤのシッートをより確実に防止する
ことができる。
(41,一つのリード部で複数のワイヤをボンディング
することができるため、リード部の本数を減少でき、半
導体装置が小型化、高集積化してもリード部の成形、加
工が容易である。
することができるため、リード部の本数を減少でき、半
導体装置が小型化、高集積化してもリード部の成形、加
工が容易である。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、リードに替えて、セラミック基板上に形成さ
れた、たとえばA u / N i / M oの3層
積層構造の配線層を用いる場合にも、本発明は有効であ
る。また、複数本のワイヤのループ高さは同じにするこ
ともでき、特にワイヤに絶縁性被膜を被覆することによ
り、同一ループ高さでもワイヤシッートを防止できる。
れた、たとえばA u / N i / M oの3層
積層構造の配線層を用いる場合にも、本発明は有効であ
る。また、複数本のワイヤのループ高さは同じにするこ
ともでき、特にワイヤに絶縁性被膜を被覆することによ
り、同一ループ高さでもワイヤシッートを防止できる。
[利用分野]
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるリードフレームを用
いたワイヤボンディングに適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、たとえば、セラ
ミックパッケージ上に形成された外部導電部用のリード
配線上にワイヤボンディングする場合等にも適用できる
。
をその背景となった利用分野であるリードフレームを用
いたワイヤボンディングに適用した場合について説明し
たが、それに限定されるものではなく、たとえば、セラ
ミックパッケージ上に形成された外部導電部用のリード
配線上にワイヤボンディングする場合等にも適用できる
。
第1図(al、世)はそれぞれ本発明による実施例1で
あるボンディング方法の工程を順次示す斜視図、第2図
は本発明による実施例1であるボンディング方法により
ボンディングされたペレットおよびリード部の部分平面
図、 第3図は本発明による実施例2であるボンディング方法
によりボンディングされたペレットおよびリード部の部
分平面図である。 l・・・ペレット、2・・・ボンディングパッド、3・
・・第1ワイヤ、4・・・リード部、5・・・第2ワイ
ヤ、6・・・ボンディングパッド、7・・・ボンディン
グパソ下。 第 1 図 ((L)
あるボンディング方法の工程を順次示す斜視図、第2図
は本発明による実施例1であるボンディング方法により
ボンディングされたペレットおよびリード部の部分平面
図、 第3図は本発明による実施例2であるボンディング方法
によりボンディングされたペレットおよびリード部の部
分平面図である。 l・・・ペレット、2・・・ボンディングパッド、3・
・・第1ワイヤ、4・・・リード部、5・・・第2ワイ
ヤ、6・・・ボンディングパッド、7・・・ボンディン
グパソ下。 第 1 図 ((L)
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、半導体装置のペレットと外部導電部用のリード部と
をワイヤで接続するワイヤボンディング方法において、
リード部の長さ方向の同一直線上に複数本のワイヤをボ
ンディングすることを特徴とするボンディング方法。 2、ペレット側のボンディングパッドが同一パッドであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のボンデ
ィング方法。 3、複数本のワイヤのループ高さが互いに異なることを
特徴とする特許請求の範囲第1項または第2項記載のボ
ンディング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59164958A JPS6143436A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | ボンデイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59164958A JPS6143436A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | ボンデイング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6143436A true JPS6143436A (ja) | 1986-03-03 |
Family
ID=15803092
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59164958A Pending JPS6143436A (ja) | 1984-08-08 | 1984-08-08 | ボンデイング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6143436A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01205541A (ja) * | 1988-02-12 | 1989-08-17 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
JPH03209733A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPH05144859A (ja) * | 1991-11-18 | 1993-06-11 | Toowa Kk | 電子部品の樹脂封止成形方法 |
JPH07335680A (ja) * | 1994-06-14 | 1995-12-22 | Fujitsu Ltd | 回路基板及びその製造方法、並びに半導体装置のワイヤボンディング方法及び半導体装置の封止方法 |
US6441501B1 (en) * | 2000-09-30 | 2002-08-27 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Wire-bonded semiconductor device with improved wire arrangement scheme for minimizing abnormal wire sweep |
JP2008047679A (ja) * | 2006-08-15 | 2008-02-28 | Yamaha Corp | 半導体装置及びワイヤーボンディング方法 |
JP2018110169A (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-12 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置製造方法 |
-
1984
- 1984-08-08 JP JP59164958A patent/JPS6143436A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01205541A (ja) * | 1988-02-12 | 1989-08-17 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
JPH03209733A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-12 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
JPH05144859A (ja) * | 1991-11-18 | 1993-06-11 | Toowa Kk | 電子部品の樹脂封止成形方法 |
JPH07335680A (ja) * | 1994-06-14 | 1995-12-22 | Fujitsu Ltd | 回路基板及びその製造方法、並びに半導体装置のワイヤボンディング方法及び半導体装置の封止方法 |
US6441501B1 (en) * | 2000-09-30 | 2002-08-27 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Wire-bonded semiconductor device with improved wire arrangement scheme for minimizing abnormal wire sweep |
JP2008047679A (ja) * | 2006-08-15 | 2008-02-28 | Yamaha Corp | 半導体装置及びワイヤーボンディング方法 |
JP2018110169A (ja) * | 2016-12-28 | 2018-07-12 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置製造方法 |
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