JP2004061224A - 半導体検査用コネクタ - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体の特性を検査する検査装置における副基板を簡素化して製造コストを低減し、正確な位置決め作業を省略し、高温下の検査でも位置決め位置がずれたり、接続不良を招かない半導体検査用コネクタを提供する。
【解決手段】主基板1に導通接続される副基板10と、副基板10とシリコンチップ20を導通接続する検査コネクタ30を備え、副基板10をシリコン製として副基板10とシリコンチップ20に同様の電極パターンをそれぞれ形成する。そして、検査コネクタ30を、副基板10とシリコンチップ20間に介在する絶縁性の弾性エラストマー31と、弾性エラストマー31に埋設されて副基板10とシリコンチップ20の電極11・21間を導通接続する複数の導電細線32とから構成し、副基板10とシリコンチップ20の各電極11・21に複数の導電細線32をランダムに接触させてシリコンチップ20の電気的諸特性を測定する。
【選択図】 図1
【解決手段】主基板1に導通接続される副基板10と、副基板10とシリコンチップ20を導通接続する検査コネクタ30を備え、副基板10をシリコン製として副基板10とシリコンチップ20に同様の電極パターンをそれぞれ形成する。そして、検査コネクタ30を、副基板10とシリコンチップ20間に介在する絶縁性の弾性エラストマー31と、弾性エラストマー31に埋設されて副基板10とシリコンチップ20の電極11・21間を導通接続する複数の導電細線32とから構成し、副基板10とシリコンチップ20の各電極11・21に複数の導電細線32をランダムに接触させてシリコンチップ20の電気的諸特性を測定する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体の電気的諸特性を測定する際に使用される半導体検査用コネクタに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、シリコンチップ20の電気的諸特性を測定する場合には、例えば特開平2002‐40051号公報や図6に示すように、主導電パターン2を備えた主基板1に電気的に導通接続された副基板10Aと、この副基板10Aと測定対象物であるシリコンチップ20との間に介在されるプローブ機構40とを備え、副基板10Aとシリコンチップ20間をプローブ機構40により導通接続してシリコンチップ20の電気的諸特性を測定するようにしている。副基板10Aは、副導電パターン13を備えた多層構造に形成され、上面が主基板1の主導電パターン2に電気的に導通接続されており、下部には複数のコイルスプリング14が一部露出して内蔵されている。
【0003】
プローブ機構40は、上下動するピン形のプローブ41を所定のピッチで複数並べ備え、各プローブ41の尖った上端部が副基板10Aの下面から突出したコイルスプリング14に接触し、各プローブ41の尖った下端部がシリコンチップ20の電極21に接触する。このような構成のプローブ機構40は、プローブ41の上下動により高さ寸法のバラツキを吸収し、1ピン当たりの荷重をも制御する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
シリコンチップ20の電気的諸特性を測定する従来の検査装置は、以上のように副基板10Aが高価な多層構造であり、しかも、副基板10Aの下部に複数のコイルスプリング14を配設しなければならないので、構成が非常に複雑化し、製造コストを抑えることができないという問題がある。また、一対一の対応で導通接続するので、XY方向に正確に位置決めしなければならず、プローブ機構40や細いプローブ41の製造もきわめて困難である。さらに、シリコンチップ20の検査には、高温下での検査(例えば、85℃又は125℃の高温下でのバーンイン検査)もあるが、この検査時に副基板10Aやシリコンチップ20の材質の相違に伴う熱膨張差により、位置決め位置がずれたり、接続不良を招くおそれがある。
【0005】
本発明は、上記に鑑みなされたもので、半導体の特性を検査する検査装置における副基板の構成を簡素化して製造コストを低減し、正確な位置決め作業を簡略化し、例え高温下の検査でも位置決め位置がずれたり、接続不良を招くおそれの少ない製造の容易な半導体検査用コネクタを提供することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明においては、上記課題を達成するため、主基板に副基板を電気的に接続してこの副基板と半導体とを検査コネクタで電気的に接続し、半導体の特性を検査するものであって、
副基板と半導体に略同様の電極パターンをそれぞれ形成し、
検査コネクタを、副基板と半導体の間に介在する絶縁性の弾性エラストマーと、この絶縁性の弾性エラストマーに内蔵されて副基板と半導体の電極間を電気的に接続する複数の導電細線とから構成し、副基板と半導体の各電極に検査コネクタの複数の導電細線をランダムに接続するようにしたことを特徴としている。
【0007】
なお、副基板と半導体とを同一の材質によりそれぞれ形成することが好ましい。
また、検査コネクタの弾性エラストマーをシリコーンとし、副基板と半導体のうち、少なくとも副基板に検査コネクタを密着させることが好ましい。
【0008】
ここで、特許請求の範囲における半導体の特性の検査には、少なくとも半導体製造における検査工程の各種検査、具体的には、半導体に印加される電流,電圧,出力特性,周波数特性の測定、パターン切れ、回路ショート、不良判定、高温テスト等が含まれる。略同様の電極パターンには、同一の電極パターン、おおよそ同一の電極パターン、類似の電極パターンが含まれる。また、検査コネクタを構成するシリコーン(silicone)は、弾性を有するシリコーンゴムやシリコーンフォーム等とすることができる。複数の導電細線は、電極に応じて弾性エラストマーに直接的に内蔵されても良いし、可能であれば略柱形の弾性エラストマーに内蔵保持された状態で間接的に内蔵されるものでも良い。
【0009】
さらに、本発明は、主基板に副基板を電気的に接続してこの副基板と半導体とを検査コネクタで電気的に接続し、半導体の特性を検査するものであって、
主基板に固定用フレームを設け、
副基板と半導体に略同様の電極パターンをそれぞれ形成し、
検査コネクタを、副基板と半導体の間に介在する絶縁性の弾性エラストマーと、この絶縁性の弾性エラストマーに内蔵されて副基板と半導体の電極間を電気的に接続する複数の導電細線とから構成し、弾性エラストマーの周囲に、固定用フレームに支持される係合片を形成し、副基板と半導体の各電極に検査コネクタの複数の導電細線をランダムに接続するようにすることもできる。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明すると、本実施形態における半導体検査用コネクタは、図1ないし図4に示すように、主基板1に電気的に導通接続される副基板10と、この副基板10と測定対象物であるシリコンチップ20とを導通接続する検査コネクタ30とを備え、LSI等のシリコンチップ20の電気的諸特性を測定するようにしている。
【0011】
主基板1は、例えば十数層の多層構造に形成され、各層に主導電パターン2が形成される。この主基板1は、その最下層の主導電パターン2が一部露出して形成され、この主導電パターン2の複数の入出力端子部3にフレキシブルケーブル4が接続される(図1参照)。また、副基板10は、図1や図2に示すように、シリコンチップ20と同様の材質のシリコン(silicon)により平面矩形に形成される。この副基板10は、その表面(下面)両側部に、平坦な複数の電極11がそれぞれ所定のピッチで並べて形成され、各電極11の外側には、平坦な引き出し電極12が導通状態に形成されており、各引き出し電極12に主基板1のフレキシブルケーブル4が接続される。
【0012】
シリコンチップ20は、図3に示すように、平面矩形に形成されてその表面両側部には、平坦な複数の電極21がそれぞれ所定のピッチで並べて形成され、上方の副基板10に検査コネクタ30を介して対向する。このシリコンチップ20の複数の電極21は60μ□サイズに形成される。シリコンチップ20と副基板10の電極パターンは、図1ないし図3に示すように同一に配列される。
【0013】
検査コネクタ30は、図1や図4に示すように、副基板10とシリコンチップ20との間に着脱自在あるいは固定して介在密着する絶縁性の弾性エラストマー31と、この絶縁性の弾性エラストマー31の上下厚さ方向に高密度に並べて埋設され、副基板10とシリコンチップ20の電極11・21間を導通接続する可撓性の複数の導電細線32とから構成され、副基板10とシリコンチップ20の各電極11・21に複数の導電細線32をランダムに接触させる。
【0014】
弾性エラストマー31は、例えば圧縮永久歪み特性、耐熱性、電気的特性等に優れるシリコーンゴムを用いて平面矩形に成形される。この弾性エラストマー31は、例えば0.2〜1mm程度の厚さに形成され、40°〜70°Hs、好ましくは60°Hs程度の硬度とされる。これは、40°Hs未満の硬度では導電細線32を保持することができず、逆に70°Hsを超える硬度では荷重が増大してしまうからである。
【0015】
複数の導電細線32は、例えば相対向する電極11・21に対して16本の導電細線32が接触するよう例えば15μmピッチで図1の横方向及び奥方向に配列される。各導電細線32は、導通材料であるタングステン、チタン合金、銅、真鍮等を用いて屈曲可能に形成され、腐食や錆防止の観点から表面に金メッキ処理が施されており、プローブ41の機能を発揮する。この導電細線32は、検査コネクタ30における複数の導電細線32のピッチの30〜70%、好ましくは50%の大きさの線径に形成され、本実施形態では7.5μmの線径に形成される。これは、導電細線32の線径が30%未満の場合には、低荷重になり過ぎて接続信頼性が低下し、逆に70%を超える場合には、高荷重となるからである。
【0016】
上記構成において、シリコンチップ20の電気的諸特性を測定する場合には、図1に示すように、副基板10とシリコンチップ20との間に検査コネクタ30を介在し、主基板1及び副基板10を下降させて副基板10とシリコンチップ20の各電極11・21に検査コネクタ30における複数の導電細線32の端部を接触させ、荷重を加えて検査コネクタ30を圧縮変形すれば良い。こうすれば、複数の導電細線32が導通経路を形成し、シリコンチップ20の電気的諸特性を測定することができる。
【0017】
上記構成によれば、副基板10が高価な多層構造ではなく、しかも、複雑高価なプローブ機構40の代わりに簡易な構成の検査コネクタ30を使用するので、製造コストを著しく抑制することができる。また、一対一の対応で導通接続するのではなく、相対向する電極11・21に複数の導電細線32の上下両端部をランダムに接触させるので、XY方向に厳格に位置決めする必要が全くなく、例え少々位置ずれしたとしても、接続の安定性や信頼性を大幅に向上させることができる。また、副基板10をシリコンチップ20と同一の材質であるシリコンにより形成するので、例え高温下で検査する場合でも、副基板10とシリコンチップ20の材質の相違に伴う熱膨張差により、位置決め位置がずれたり、接続不良を招くおそれがない。
【0018】
さらに、副基板10が反っている場合でも、副基板10に接触する検査コネクタ30の弾性エラストマー31が撓んで反りを吸収するので、安定した導通接続が大いに期待できる。さらにまた、従来例に比べ、検査コネクタ30が安価であるので、補修や交換等も低コストで済ますことができる。
【0019】
次に、図5は本発明の第2の実施形態を示すもので、この場合には、主基板1の最下層に、左右一対の固定用フレーム5を所定の間隔をおいて対設し、弾性エラストマー31の周囲である両側部には、各種の弾性エラストマーからなる係合片33をそれぞれ設け、各係合片33を固定用フレーム5に係合支持させることにより、主基板1に検査コネクタ30を固定するようにしている。
【0020】
固定用フレーム5は、各種の合成樹脂(例えば、PET、PBT、POM等)等を用いて断面略L字形に屈曲形成され、自由端部である内側先端部に矩形の切り欠き6が形成されており、この凹んだ切り欠き6に係合片33が着脱自在あるいは固定して搭載される。この固定用フレーム5は、必要に応じて複数個に形成されたり、単一の平面略枠形に形成される。また、係合片33は、例えばシリコーンゴム等を用いて断面略矩形に形成され、必要に応じて弾性エラストマー31の一部として、あるいは別体として形成される。また、必要に応じ、複数個に形成されたり、単一の平面略枠形に形成される。その他の部分については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。
本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、簡易な構成でセットの容易化を図ることができる。
【0021】
なお、検査コネクタ30の弾性エラストマー31は、平面矩形でも良いが、多角形、円形、楕円形等に適宜変更することができる。また、弾性エラストマー31の前後部に、各種の弾性エラストマーからなる係合片33をそれぞれ設けても良いし、係合片33を多角形等に形成することも可能である。
【0022】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、副基板と半導体に略同様の電極パターンをそれぞれ形成し、検査コネクタを、副基板と半導体の間に介在する絶縁性の弾性エラストマーと、この絶縁性の弾性エラストマーに内蔵されて副基板と半導体の電極間を電気的に接続する複数の導電細線とから構成し、副基板と半導体の各電極に検査コネクタの複数の導電細線をランダムに接触させるので、半導体の特性を検査する検査装置における副基板の構成を簡素化して製造コストを低減し、位置決め作業を簡略化することができるという効果がある。また、例え高温下の検査でも、位置決め位置のずれを抑制あるいは防止し、接続不良のおそれを減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体検査用コネクタの実施形態を示す断面全体説明図である。
【図2】本発明に係る半導体検査用コネクタの実施形態における副基板を示す斜視説明図である。
【図3】本発明に係る半導体検査用コネクタの実施形態におけるシリコンチップを示す斜視説明図である。
【図4】本発明に係る半導体検査用コネクタの実施形態を示す要部拡大平面図である。
【図5】本発明に係る半導体検査用コネクタの第2の実施形態を示す断面全体説明図である。
【図6】従来におけるシリコンチップの電気的諸特性を測定する装置を示す模式断面説明図である。
【符号の説明】
1 主基板
3 入出力端子部
5 固定用フレーム
10 副基板
10A 副基板
11 電極
20 シリコンチップ(半導体)
21 電極
30 検査コネクタ
31 弾性エラストマー
32 導電細線
33 係合片
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体の電気的諸特性を測定する際に使用される半導体検査用コネクタに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、シリコンチップ20の電気的諸特性を測定する場合には、例えば特開平2002‐40051号公報や図6に示すように、主導電パターン2を備えた主基板1に電気的に導通接続された副基板10Aと、この副基板10Aと測定対象物であるシリコンチップ20との間に介在されるプローブ機構40とを備え、副基板10Aとシリコンチップ20間をプローブ機構40により導通接続してシリコンチップ20の電気的諸特性を測定するようにしている。副基板10Aは、副導電パターン13を備えた多層構造に形成され、上面が主基板1の主導電パターン2に電気的に導通接続されており、下部には複数のコイルスプリング14が一部露出して内蔵されている。
【0003】
プローブ機構40は、上下動するピン形のプローブ41を所定のピッチで複数並べ備え、各プローブ41の尖った上端部が副基板10Aの下面から突出したコイルスプリング14に接触し、各プローブ41の尖った下端部がシリコンチップ20の電極21に接触する。このような構成のプローブ機構40は、プローブ41の上下動により高さ寸法のバラツキを吸収し、1ピン当たりの荷重をも制御する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
シリコンチップ20の電気的諸特性を測定する従来の検査装置は、以上のように副基板10Aが高価な多層構造であり、しかも、副基板10Aの下部に複数のコイルスプリング14を配設しなければならないので、構成が非常に複雑化し、製造コストを抑えることができないという問題がある。また、一対一の対応で導通接続するので、XY方向に正確に位置決めしなければならず、プローブ機構40や細いプローブ41の製造もきわめて困難である。さらに、シリコンチップ20の検査には、高温下での検査(例えば、85℃又は125℃の高温下でのバーンイン検査)もあるが、この検査時に副基板10Aやシリコンチップ20の材質の相違に伴う熱膨張差により、位置決め位置がずれたり、接続不良を招くおそれがある。
【0005】
本発明は、上記に鑑みなされたもので、半導体の特性を検査する検査装置における副基板の構成を簡素化して製造コストを低減し、正確な位置決め作業を簡略化し、例え高温下の検査でも位置決め位置がずれたり、接続不良を招くおそれの少ない製造の容易な半導体検査用コネクタを提供することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明においては、上記課題を達成するため、主基板に副基板を電気的に接続してこの副基板と半導体とを検査コネクタで電気的に接続し、半導体の特性を検査するものであって、
副基板と半導体に略同様の電極パターンをそれぞれ形成し、
検査コネクタを、副基板と半導体の間に介在する絶縁性の弾性エラストマーと、この絶縁性の弾性エラストマーに内蔵されて副基板と半導体の電極間を電気的に接続する複数の導電細線とから構成し、副基板と半導体の各電極に検査コネクタの複数の導電細線をランダムに接続するようにしたことを特徴としている。
【0007】
なお、副基板と半導体とを同一の材質によりそれぞれ形成することが好ましい。
また、検査コネクタの弾性エラストマーをシリコーンとし、副基板と半導体のうち、少なくとも副基板に検査コネクタを密着させることが好ましい。
【0008】
ここで、特許請求の範囲における半導体の特性の検査には、少なくとも半導体製造における検査工程の各種検査、具体的には、半導体に印加される電流,電圧,出力特性,周波数特性の測定、パターン切れ、回路ショート、不良判定、高温テスト等が含まれる。略同様の電極パターンには、同一の電極パターン、おおよそ同一の電極パターン、類似の電極パターンが含まれる。また、検査コネクタを構成するシリコーン(silicone)は、弾性を有するシリコーンゴムやシリコーンフォーム等とすることができる。複数の導電細線は、電極に応じて弾性エラストマーに直接的に内蔵されても良いし、可能であれば略柱形の弾性エラストマーに内蔵保持された状態で間接的に内蔵されるものでも良い。
【0009】
さらに、本発明は、主基板に副基板を電気的に接続してこの副基板と半導体とを検査コネクタで電気的に接続し、半導体の特性を検査するものであって、
主基板に固定用フレームを設け、
副基板と半導体に略同様の電極パターンをそれぞれ形成し、
検査コネクタを、副基板と半導体の間に介在する絶縁性の弾性エラストマーと、この絶縁性の弾性エラストマーに内蔵されて副基板と半導体の電極間を電気的に接続する複数の導電細線とから構成し、弾性エラストマーの周囲に、固定用フレームに支持される係合片を形成し、副基板と半導体の各電極に検査コネクタの複数の導電細線をランダムに接続するようにすることもできる。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明すると、本実施形態における半導体検査用コネクタは、図1ないし図4に示すように、主基板1に電気的に導通接続される副基板10と、この副基板10と測定対象物であるシリコンチップ20とを導通接続する検査コネクタ30とを備え、LSI等のシリコンチップ20の電気的諸特性を測定するようにしている。
【0011】
主基板1は、例えば十数層の多層構造に形成され、各層に主導電パターン2が形成される。この主基板1は、その最下層の主導電パターン2が一部露出して形成され、この主導電パターン2の複数の入出力端子部3にフレキシブルケーブル4が接続される(図1参照)。また、副基板10は、図1や図2に示すように、シリコンチップ20と同様の材質のシリコン(silicon)により平面矩形に形成される。この副基板10は、その表面(下面)両側部に、平坦な複数の電極11がそれぞれ所定のピッチで並べて形成され、各電極11の外側には、平坦な引き出し電極12が導通状態に形成されており、各引き出し電極12に主基板1のフレキシブルケーブル4が接続される。
【0012】
シリコンチップ20は、図3に示すように、平面矩形に形成されてその表面両側部には、平坦な複数の電極21がそれぞれ所定のピッチで並べて形成され、上方の副基板10に検査コネクタ30を介して対向する。このシリコンチップ20の複数の電極21は60μ□サイズに形成される。シリコンチップ20と副基板10の電極パターンは、図1ないし図3に示すように同一に配列される。
【0013】
検査コネクタ30は、図1や図4に示すように、副基板10とシリコンチップ20との間に着脱自在あるいは固定して介在密着する絶縁性の弾性エラストマー31と、この絶縁性の弾性エラストマー31の上下厚さ方向に高密度に並べて埋設され、副基板10とシリコンチップ20の電極11・21間を導通接続する可撓性の複数の導電細線32とから構成され、副基板10とシリコンチップ20の各電極11・21に複数の導電細線32をランダムに接触させる。
【0014】
弾性エラストマー31は、例えば圧縮永久歪み特性、耐熱性、電気的特性等に優れるシリコーンゴムを用いて平面矩形に成形される。この弾性エラストマー31は、例えば0.2〜1mm程度の厚さに形成され、40°〜70°Hs、好ましくは60°Hs程度の硬度とされる。これは、40°Hs未満の硬度では導電細線32を保持することができず、逆に70°Hsを超える硬度では荷重が増大してしまうからである。
【0015】
複数の導電細線32は、例えば相対向する電極11・21に対して16本の導電細線32が接触するよう例えば15μmピッチで図1の横方向及び奥方向に配列される。各導電細線32は、導通材料であるタングステン、チタン合金、銅、真鍮等を用いて屈曲可能に形成され、腐食や錆防止の観点から表面に金メッキ処理が施されており、プローブ41の機能を発揮する。この導電細線32は、検査コネクタ30における複数の導電細線32のピッチの30〜70%、好ましくは50%の大きさの線径に形成され、本実施形態では7.5μmの線径に形成される。これは、導電細線32の線径が30%未満の場合には、低荷重になり過ぎて接続信頼性が低下し、逆に70%を超える場合には、高荷重となるからである。
【0016】
上記構成において、シリコンチップ20の電気的諸特性を測定する場合には、図1に示すように、副基板10とシリコンチップ20との間に検査コネクタ30を介在し、主基板1及び副基板10を下降させて副基板10とシリコンチップ20の各電極11・21に検査コネクタ30における複数の導電細線32の端部を接触させ、荷重を加えて検査コネクタ30を圧縮変形すれば良い。こうすれば、複数の導電細線32が導通経路を形成し、シリコンチップ20の電気的諸特性を測定することができる。
【0017】
上記構成によれば、副基板10が高価な多層構造ではなく、しかも、複雑高価なプローブ機構40の代わりに簡易な構成の検査コネクタ30を使用するので、製造コストを著しく抑制することができる。また、一対一の対応で導通接続するのではなく、相対向する電極11・21に複数の導電細線32の上下両端部をランダムに接触させるので、XY方向に厳格に位置決めする必要が全くなく、例え少々位置ずれしたとしても、接続の安定性や信頼性を大幅に向上させることができる。また、副基板10をシリコンチップ20と同一の材質であるシリコンにより形成するので、例え高温下で検査する場合でも、副基板10とシリコンチップ20の材質の相違に伴う熱膨張差により、位置決め位置がずれたり、接続不良を招くおそれがない。
【0018】
さらに、副基板10が反っている場合でも、副基板10に接触する検査コネクタ30の弾性エラストマー31が撓んで反りを吸収するので、安定した導通接続が大いに期待できる。さらにまた、従来例に比べ、検査コネクタ30が安価であるので、補修や交換等も低コストで済ますことができる。
【0019】
次に、図5は本発明の第2の実施形態を示すもので、この場合には、主基板1の最下層に、左右一対の固定用フレーム5を所定の間隔をおいて対設し、弾性エラストマー31の周囲である両側部には、各種の弾性エラストマーからなる係合片33をそれぞれ設け、各係合片33を固定用フレーム5に係合支持させることにより、主基板1に検査コネクタ30を固定するようにしている。
【0020】
固定用フレーム5は、各種の合成樹脂(例えば、PET、PBT、POM等)等を用いて断面略L字形に屈曲形成され、自由端部である内側先端部に矩形の切り欠き6が形成されており、この凹んだ切り欠き6に係合片33が着脱自在あるいは固定して搭載される。この固定用フレーム5は、必要に応じて複数個に形成されたり、単一の平面略枠形に形成される。また、係合片33は、例えばシリコーンゴム等を用いて断面略矩形に形成され、必要に応じて弾性エラストマー31の一部として、あるいは別体として形成される。また、必要に応じ、複数個に形成されたり、単一の平面略枠形に形成される。その他の部分については、上記実施形態と同様であるので説明を省略する。
本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、簡易な構成でセットの容易化を図ることができる。
【0021】
なお、検査コネクタ30の弾性エラストマー31は、平面矩形でも良いが、多角形、円形、楕円形等に適宜変更することができる。また、弾性エラストマー31の前後部に、各種の弾性エラストマーからなる係合片33をそれぞれ設けても良いし、係合片33を多角形等に形成することも可能である。
【0022】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、副基板と半導体に略同様の電極パターンをそれぞれ形成し、検査コネクタを、副基板と半導体の間に介在する絶縁性の弾性エラストマーと、この絶縁性の弾性エラストマーに内蔵されて副基板と半導体の電極間を電気的に接続する複数の導電細線とから構成し、副基板と半導体の各電極に検査コネクタの複数の導電細線をランダムに接触させるので、半導体の特性を検査する検査装置における副基板の構成を簡素化して製造コストを低減し、位置決め作業を簡略化することができるという効果がある。また、例え高温下の検査でも、位置決め位置のずれを抑制あるいは防止し、接続不良のおそれを減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体検査用コネクタの実施形態を示す断面全体説明図である。
【図2】本発明に係る半導体検査用コネクタの実施形態における副基板を示す斜視説明図である。
【図3】本発明に係る半導体検査用コネクタの実施形態におけるシリコンチップを示す斜視説明図である。
【図4】本発明に係る半導体検査用コネクタの実施形態を示す要部拡大平面図である。
【図5】本発明に係る半導体検査用コネクタの第2の実施形態を示す断面全体説明図である。
【図6】従来におけるシリコンチップの電気的諸特性を測定する装置を示す模式断面説明図である。
【符号の説明】
1 主基板
3 入出力端子部
5 固定用フレーム
10 副基板
10A 副基板
11 電極
20 シリコンチップ(半導体)
21 電極
30 検査コネクタ
31 弾性エラストマー
32 導電細線
33 係合片
Claims (3)
- 主基板に副基板を電気的に接続してこの副基板と半導体とを検査コネクタで電気的に接続し、半導体の特性を検査する半導体検査用コネクタであって、
副基板と半導体に略同様の電極パターンをそれぞれ形成し、
検査コネクタを、副基板と半導体の間に介在する絶縁性の弾性エラストマーと、この絶縁性の弾性エラストマーに内蔵されて副基板と半導体の電極間を電気的に接続する複数の導電細線とから構成し、副基板と半導体の各電極に検査コネクタの複数の導電細線をランダムに接続するようにしたことを特徴とする半導体検査用コネクタ。 - 副基板と半導体とを同一の材質によりそれぞれ形成した請求項1記載の半導体検査用コネクタ。
- 検査コネクタの弾性エラストマーをシリコーンとし、副基板と半導体のうち、少なくとも副基板に検査コネクタを密着させるようにした請求項1又は2記載の半導体検査用コネクタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002218212A JP2004061224A (ja) | 2002-07-26 | 2002-07-26 | 半導体検査用コネクタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2002218212A JP2004061224A (ja) | 2002-07-26 | 2002-07-26 | 半導体検査用コネクタ |
Publications (1)
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---|---|
JP2004061224A true JP2004061224A (ja) | 2004-02-26 |
Family
ID=31939468
Family Applications (1)
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JP2002218212A Pending JP2004061224A (ja) | 2002-07-26 | 2002-07-26 | 半導体検査用コネクタ |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP2004061224A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020085534A (ja) * | 2018-11-19 | 2020-06-04 | 株式会社アドバンテスト | 試験装置および試験方法 |
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2002
- 2002-07-26 JP JP2002218212A patent/JP2004061224A/ja active Pending
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