-
Die
Erfindung liegt auf dem Gebiet der Mikromechanik und betrifft eine
Kontaktfederanordnung zur elektrischen Kontaktierung eines Halbleiterwafers
zu Testzwecken mit einem Substrat und mindestens einer einseitig
an einer Oberfläche
des Substrats fixierten streifenförmigen Kontaktfeder.
-
Zur
Kontaktierung von prozessierten Halbleiterwafern zu Testzwecken
bei deren Herstellung werden Kontaktfederanordnungen verwendet,
bei denen die Kontaktierung eines Halbleiterwafers über eine Vielzahl
von einzelnen, gegen den Halbleiterwafer gedrückten Kontakten erfolgt.
-
Eine
derartige Kontaktfederanordnung, auch probe card genannt, ist z.
B. in der
US 5869974
A beschrieben. Auf einer flexibel ausgebildeten monokristallinen
Siliziummembran ist eine Vielzahl von Kontaktnadeln in einem Kontaktmuster
angeordnet, das einem Muster von entsprechenden Kontaktregionen auf
dem zu kontaktierenden Halbleiterwafer entspricht. Zur Verringerung
des elektrischen Widerstandes sind die Kontaktnadeln mit einer Metallschicht überzogen.
Die Siliziummembran begrenzt einen Hohlraum, der mittels eines Fluids
gefüllt
werden kann, um einen Druck auf die Membran auszuüben. Die
dadurch in Richtung des zu kontaktierenden Halbleiterwafers ausgewölbte Membran
drückt
die Kontaktnadeln stärker
gegen die Kontaktregionen. Gleichzeitig soll ein eventuell vorhandener
Höhenunterschied
zwischen einzelnen Kontaktregionen des Halbleiterwafers ausgeglichen
werden. Dies ist jedoch nur zu einem bedingten Grade möglich. Insbesondere
größere Höhenunterschiede
zwischen unmittelbar benachbarten Kontaktregionen lassen sich durch
die allseitig eingespannte Membran nicht hinreichend ausgleichen.
Eine ausreichende Kontaktierung al ler Kontaktregionen ist somit
nicht gesichert. Darüber
hinaus ist diese Kontaktfederanordnung wegen der Metallschicht nur
bedingt Front-End tauglich, da Metall zu einer Kontaminierung von
Halbleitermaterial führen
kann.
-
Eine
Kontaktfederanordnung zur temporären Kontaktierung
von mit metallenen Kontaktregionen versehenen integrierten Schaltungen
ist in der
US 5914218
A beschrieben. Die ebenfalls als probe card bezeichnete
Kontaktfederanordnung umfaßt
eine Vielzahl von als Bi-Metallstreifen ausgebildeten Kontaktfedern,
die sich aufgrund einer mechanischen Verspannung zwischen den beiden
Metallstreifen von der Oberfläche
des Trägersubstrats
wegbiegen. Mit diese Anordnung lassen sich aufgrund des für die Kontaktfedern
verwendeten Materials nur Halbleiterwafer mit integrierten Schaltungen
kontaktieren, die bereits fertig hergestellt und mit metallenen
Kontaktregionen, sogenannten Pads, versehen sind. Die mit Pads versehenen
Halbleiterwafer befinden sich bereits in der mit Back-End bezeichneten
Herstellungsphase, in der die prozessierten Halbleiterwafer geschnitten,
verkapselt und mit Anschlüssen
versehen werden. Die zur Herstellung der eigentlichen integrierten
Schaltung erforderlichen Schritte (Bildung der aktiven und passiven
Bauelemente in und auf dem Halbleitersubstrat sowie Bildung der
Verdrahtung – auch
Metallisierung genannt) fallen dagegen in die sogenannte Front-End
Herstellungsphase. Insbesondere nach Bildung der aktiven und passiven
Bauelemente ist ein Testen der integrierten Schaltung gewünscht, um
fehlerhaft hergestellte Halbleiterwafer möglichst frühzeitig von der weiteren Herstellung auszuschließen. Desweiteren
könnten
Prozeßparameter
bereits während
der Herstellung der integrierten Schaltung optimiert und angepaßt werden,
sofern eine Testmöglichkeit
zur Verfügung
stehen würde. Metallene
Kontaktfedern eignen sich dabei nicht zur Kontaktierung von noch
nicht vollständig
fertig prozessierten Halbleiterwafern, bei denen als Kontaktregionen
Dotierungsgebiete und dergleichen dienen. Insbesondere können in
das Halbleitersubstrat eindiffundierte Metallatome unerwünschte Stör stellen hervorrufen,
die zu nicht kontrollierbaren geänderten elektrischen
Eigenschaften führen.
-
Eine
weitere, aus Metall bestehende Kontaktfederanordnung ist beispielsweise
in der
WO 01/09623
A1 offenbart. Dagegen beschreibt der Fachartikel von Y.
Zhang et al., ”Thermally
Actuated Microprobes for a New Wafer Probe Card”, IEEE J. of Microelectromechanical
Systems, Vol. 8, Nr. 1, March 1999, 43–49 eine Kontaktfederanordnung,
deren aus SiO
2 und Al bestehende Kontaktfedern
durch lokale Erwärmung
eine Verbiegung erfahren. Dem Fachartikel von J. Y. Park et al., ”Fabrication
of Cantilever-Bump Type Si Probe-Card”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol.
39 (2000), 7108–7110
läßt sich
eine Kontaktfederanordnung mit streßfreien Kontaktfedern entnehmen.
Damit diese Kontaktfedern mit dem zu kontaktierenden Substrat in
Kontakt treten können, weisen
sie an ihrem freien Ende metallbeschichtete Kontakthügel auf.
In der
WO 97/21105
A1 ist eine Kontaktfederanordnung beschrieben, deren Kontaktfedern
aus Silizium und einer Metallschicht bestehen. Durch die unterschiedlichen
thermischen Ausdehnungskoeffizienten der verwendeten Materialien
verbiegen sich die Kontaktfedern nach einer thermischen Behandlung.
Diese Kontaktfederanordnungen sind jedoch auch nur bedingt Front-End
tauglich.
-
Auf
anderen technischen Gebieten werden verspannte Halbleiter verwendet.
So beschreibt beispielsweise die
DE 196 31 693 A1 eine Ventilanordnung aus
monokristallinem Silizium mit einer Ventilklappe, die über einen
membranartigen Steg mit dem Halbleitergrundmaterial verbunden ist.
Der Steg ist dotiert, um die Ventilklappe in Schließrichtung,
die gleichzeitig die Flußrichtung
ist, vorzuspannen. Die
DE
198 51 967 A1 beschreibt dagegen, wie sich durch Dotierung
eine Wölbung
in einer Siliziummembran herbeiführen
läßt, um dadurch
einen Hohlspiegel herzustellen. Auch in der
EP 0 367 750 B1 werden Siliziummembranen
dotiert. Dort erfolgt dies jedoch, damit die Membranen möglichst
flach gespannt bleiben.
-
Kontaktnadeln
sind ebenfalls in dem Fachartikel von T. Hantschel et al., ”Highly
conductive diamond grobes for scanning spreading resistance microscopy”, Applied
Physics Letters, Vol. 76, No. 12 (2000), 1603–1605 beschrieben. Diese Kontaktnadeln
bestehen aus monokristallinem Silizium mit darin integrierter Diamantspitze.
Eine Kontaktspitze für Lithografiezwecke
ist dagegen im Fachartikel von S. W. Park et al., ”Nanometer
scale lithography at high scanning speeds with the atomic force
microscope using sein an glass”,
Applied Physics letters, Vol. 67, No. 16 (1995), 2415–2417 beschrieben.
Diese besteht aus monokristallinem Silizium.
-
Es
ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Kontaktfederanordnung
zur sicheren Kontaktierung eines Halbleiterwafers anzugeben, die eine
Front-End taugliche Kontaktierung bei gleichzeitig hinreichendem
Ausgleich von Höhenunterschieden
ermöglicht.
-
Diese
Aufgabe wird bei der eingangs genannten Kontaktfederanordnung erfindungsgemäß dadurch
gelöst,
daß die
mindestens eine Kontaktfeder aus einem einen Streßgradienten
aufweisenden Halbleitermaterial besteht, wobei der Streßgradient eine
elastische Verbiegung der Kontaktfeder verursacht.
-
Durch
die Verwendung von Halbleitermaterial für die Kontaktfedern kann die
erfindungsgemäße Kontaktfederanordnung
zur Kontaktierung von Halbleiterwafern in der Front-End Herstellungsphase
verwendet werden, da in direktem Kontakt zum Halbleitersubstrat
des zu kontaktierenden Halbleiterwafers nur das Halbleitermaterial
der Federkontakte tritt. Unerwünschte
Metall-Halbleiterkontakte werden nicht gebildet.
-
Ein
weiterer Vorteil ist darin zu sehen, daß die Kontaktfederanordnung
mit Mitteln hergestellt werden kann, die standardmäßig auch
für die
Prozessierung von Halbleiterwafern zur Verfügung stehen. Dies ermöglicht gleichzeitig
die Herstellung von der Größe der Kontaktregionen
angepaßten
Kontaktfe dern. Bei der Kontaktierung von Halbleiterwafern während der
Front-End Herstellungsphase müssen elektrische
Verbindungen zu zum Teil sehr kleinen Kontaktregionen hergestellt
werden. Derartige Kontaktregionen können z. B. Dotierungsgebiete
sein. Um derartige kleine Kontaktregionen kontaktieren zu können, müssen die
entsprechenden Kontakte ebenfalls sehr klein sein. Aufgrund des
für die
Kontaktfeder verwendeten Halbleitermaterials kann diese mit den
in der Standard-Halbleitertechnologie
zur Verfügung
stehenden Strukturie rungsmitteln in einer der Kontaktregion entsprechenden
Größenordnung
hergestellt werden.
-
Darüber hinaus
hat ein Halbleitermaterial auch den Vorteil, daß es eine hohe Elastizität bei gleichzeitig
geringer Ermüdung
aufweist. So hat z. B. Silizium einen E-Modul von etwa 165 GPa im
Vergleich zu Stahl mit etwa 200 GPa, weist dagegen jedoch eine deutlich
geringere Ermüdung
als Stahl auf.
-
Die
Kontaktfeder kann sowohl aus monokristallinem als auch aus polykristallinem
Halbleitermaterial bestehen. Polykristallines Material hat darüber hinaus
den Vorteil, das es sich mit einer Vielzahl von Abscheideverfahren
auf unterschiedliche Materialien aufbringen läßt und dabei nahezu jede beliebige Form
des Untergrunds annimmt. Dadurch ergibt sich eine große Gestaltungsfreiheit
hinsichtlich der Formgebung der Kontaktfeder.
-
Die
Federeigenschaften der Kontaktfeder werden darüber hinaus durch mechanische
Verspannungen oder Streßgradienten
innerhalb der Kontaktfeder beeinflußt. Dies trifft auch auf den
Grad der Verbiegung zu, der sich ohne Einwirkung äußerer Kräfte allein
aufgrund des intrinsisch aufgebauten Streßgradienten einstellt. Dieser
Streßgradient
kann durch unterschiedliche Maßnahmen
hervorgerufen und in weiten Bereichen eingestellt werden, wobei
er bevorzugt so gewählt
wird, daß er
zu einem Verbiegen der Kontaktfeder aus der Ebene der Substratoberfläche führt. Eine
Möglichkeit
besteht in der zwei- oder
sogar mehrschichtigen Ausbildung der Kontaktfeder. Dabei werden
zumindest zwei jeweils eine unterschiedliche mechanische Verspannung
aufweisende Halbleiterschichten miteinander verbunden. Bei der Verspannung
kann es sich um Zug- und/oder Druckspannung handeln. Die unterschiedliche
Verspannung wird z. B. bei der Herstellung der einzelnen Halbleiterschichten
eingestellt. Aufgrund der unterschiedlichen Verspannung der beiden
Halbleiterschichten bildet sich ein Streßgradient innerhalb des von
den beiden Halbleiterschichten gebildeten Halbleitermaterials heraus.
Dieser führt
zu einem Verbiegen bzw. einer Krümmung
der Kontaktfeder, die einseitig mit dem Substrat verbunden ist.
Die Halbleiterschichten müssen
nicht notwendigerweise unmittelbar miteinander verbunden sein. Ebenso
sind Zwischenschichten möglich,
die jedoch die Ausbildung des Streßgradienten im Halbleitermaterial
nur unerheblich beeinflussen sollten. Beispielsweise ist eine im
Vergleich zu den Halbleiterschichten dünne Siliziumnitridschicht geeignet.
Eine der beiden Halbleiterschichten, im folgenden als erste Halbleiterschicht bezeichnet,
liegt an der Außenseite
der Biegung bzw. Verkrümmung
während
die andere, im folgenden als zweite Halbleiterschicht bezeichnet,
zur Innenseite der Biegung gewandt ist. Die erste Halbleiterschicht ist
demnach dem Substrat, auf dem die Kontaktfeder angeordnet ist, zugewandt.
-
Die
unterschiedliche Verspannung der ersten und zweiten Halbleiterschicht
kann z. B. durch unterschiedliche Dotierung hervorgerufen werden. So
ist es z. B. im Falle von Polysilizium als Halbleitermaterial möglich, die
erste Halbleiterschicht mit einer niedrigeren Dotierung als die
zweite Halbleiterschicht zu versehen, um die angesprochene Verbiegung
zu erreichen. Als Dotierstoff eignen sich z. B. Phosphor, Arsen
und Bor. Das Ausmaß der
Verspannung ist in Abhängigkeit
von der Höhe
der Dotierung und der Abscheidetemperatur in weiten Bereichen variierbar.
-
Eine
weitere Möglichkeit,
die unterschiedliche Verspannung der ersten und zweiten Halbleiterschicht
hervorzurufen, besteht in der Abscheidung bei unterschiedlichen
Temperaturen. So kann z. B. im Falle von Polysilizium als Halbleitermaterial
die erste Halbleiterschicht bei einer höheren Temperatur als die zweite
Halbleiterschicht abgeschieden werden, um die angegebene Biegung
zu erzielen. Die beiden Halbleiterschichten können dabei dotiert sein. Zur Verringerung
des elektrischen Widerstandes und zur Verbesserung der Kontakteigenschaften
sollte zumindest die zweite Halbleiterschicht, die dem zu kontaktierenden
Substrat zugewandt ist, hinreichend dotiert sein. Die Dotierung
sollte dabei bevorzugt ausreichend hoch sein, damit der elektrische
Widerstand der Kontaktfeder geringer als der Widerstand des zu vermessenden
Substrats bzw. des Dotierungsgebiets ist.
-
Weitergehende
Angaben zur Einstellung der Verspannung in Halbleiterschichten sind
in den Fachartikeln von M. Orpana et al. ”Control of residual stress
of polysilicon thin films by heavy doping in surface micromachining” IEEE 1991,
S. 957–960
und M. Biebl et al., ”In
situ phosphorus-doped polysilicon for integrated MEMs”, Transducers'95 – Eurosensors
IX, 8th International Conference an Solid-State
Sensors and Actuators, Stockholm, Sweden, June 25–29, 1995,
Seite 198–201
beschrieben.
-
Weiteren
Einfluß auf
die Federeigenschaften, insbesondere auf die Federkonstante der
Kontaktfeder haben die Dicke und die Länge des frei beweglichen Teils
der Kontaktfeder. Die Dicke der Kontaktfeder bestimmt bei gleicher
Länge insbesondere die
Rückstellkraft,
während
eine zunehmende Länge zu
einem stärkeren
Herausbiegen des freien Endes gegenüber der durch das fixierte
Ende der Kontaktfeder und der Substratoberfläche verlaufenden Ebene führt. Das
freie Ende kann bei einer bevorzugten Länge der Kontaktfeder zwischen
100 und 1000 μm
zwischen 10 und 100 μm
betragen. Sofern die Kontaktfeder zur Kontaktierung eines Halbleiterwafers
verwendet wird, können
so Höhenunterschiede
von einigen 10 μm
bei gleichzeitig ausreichend sicherer Kontaktierung ausgeglichen
werden.
-
Bevorzugt
ist am Substrat mindestens eine Schutzstruktur vorgesehen, welche
die mindestens eine Kontaktfeder vor einem zu starken Verbiegen schützt, wenn
die Kontaktfederanordnung mit der mindestens einen Kontaktfeder
gegen ein anderes Substrat gedrückt
wird. Dadurch soll eine Überbeanspruchung
der Kontaktfeder vermieden werden. Günstig ist es, wenn die Schutz struktur
ringförmig
um die mindestens eine Kontaktfeder verläuft, wobei die Kontaktfeder
einseitig an einer Seitenwand der Schutzstruktur fixiert ist. Die
Schutzstruktur, die gleichzeitig einen Aufschlagschutz darstellt,
ist im Querschnitt bevorzugt kraterförmig, wobei die Kontaktfeder
einseitig mit einer Innenwand des Kraters verbunden ist. Die Größe der Schutzstruktur
richtet sich zweckmäßigerweise
nach der Größe der Kontaktfeder
und liegt bevorzugt zwischen 100 und 500 μm. Günstig ist weiterhin die Schutzstruktur
aus dem Halbleitermaterial herzustellen und diese mit einem isolierenden
Ring zu bedecken, der die Kontaktfeder freiläßt. Dadurch kann einerseits
die Schutzstruktur eine elektrische Verbindung zur Kontaktfeder
herstellen. Andererseits ist die Schutzstruktur an ihrer Oberseite
elektrisch isoliert.
-
Bevorzugt
weist die Kontaktfederanordnung eine Vielzahl von Kontaktfedern
auf, die bei der Kontaktierung des Halbleiterwafers gegen den zu
kontaktierenden Halbleiterwafer gedrückt werden.
-
Die
Anzahl der Kontaktfedern kann bis zu einigen 10000 betragen, je
nachdem ob ein flächiger Kontakt
mit dem Halbleitersubstrat über
alle Kontaktfedern oder eine gezielte Kontaktierung einiger Kontaktregionen
des Halbleiterwafers über
einzelne, in einem bestimmten Kontaktmuster angeordnete Kontaktfedern
hergestellt werden soll. Bevorzugt sind die Kontaktfedern in Abhängigkeit
von den zu kontaktierenden Kontaktregionen dotiert, um z. B. die
Ausbildung von störenden
pn-Übergängen zu
vermeiden. Außerdem
sollten die Kontaktfedern eine ausreichend hohe Dotierung zur Verminderung
ihres elektrischen Widerstandes aufweisen. Insbesondere sollte der
Widerstand der Kontaktfeder geringer als andere in Serie geschaltete
Widerstände
sein, damit der Gesamtwiderstand nicht von dem Widerstand der Kontaktfeder
dominiert wird.
-
Um
einen möglichst
homogenen Kontakt mit dem zu kontaktierenden Halbleiterwafer herzustellen,
empfiehlt sich eine mög lichst
regelmäßige Anordnung
der Kontaktfedern. Beispielsweise matrix- oder rasterförmige Anordnungen
sind gut geeignet. Sollen dagegen bereits strukturierte Halbleiterwafer, d.
h. Halbleiterwafer mit zum Teil fertig gestellten integrierten Schaltungen
kontaktiert werden, sind an das Muster der Kontaktregionen angepaßte Anordnungen
von Kontaktfedern zu bevorzugen. Eine sehr flexible Art, das jeweils
entsprechende Kontaktmuster zu erhalten, eröffnet sich durch eine zunächst gleichmäßige rasterförmige Herstellung
von Kontaktfedern mit anschließendem
selektiven Entfernen derjenigen Kontaktfedern, die für die Kontaktierung
nicht benötigt
werden. So können
unabhängig
von dem jeweils benötigten
Kontaktmuster zunächst
Rohlinge von Kontaktfederanordnungen, die alle jeweils eine matrixförmige Anordnung
der Kontaktfedern aufweisen, hergestellt werden. Erst nachfolgend
wird das für
den jeweiligen Verwendungszweck gewünschte Muster eingeschrieben.
Auf speziell auf das jeweilige Kontaktmuster abgestimmte kostenintensive
Fotomasken kann damit verzichtet werden. Bevorzugt erfolgt das Entfernen
der nicht benötigten
Kontaktfedern mit einem seriellen Schreibtool, z. B. mittels eines
Laserstrahls. Alternativ ist es möglich, gezielt elektrische
Verbindungsbahnen zu einzelnen Kontaktfedern selektiv zu öffnen. Ggf.
können
die einzelnen Kontaktfedern unterschiedlich dotiert werden.
-
Die
Kontaktfedern können
alle auf einem gemeinsamen elektrischen Potential liegen. Dies ist
insbesondere bei einem flächigen
Kontakt sinnvoll.
-
Weiterhin
ist bevorzugt, wenn jeder Kontaktfeder jeweils ein Schaltelement
zugeordnet ist, welches die jeweilige Kontaktfeder mit einer Zuleitung verbindet.
Die Kontaktfedern können
damit individuell mit elektrischen Zuleitungen verbunden werden, wodurch
die Flexibilität
bei der Kontaktierung und Auswertung des zu kontaktierenden Halbleiterwafers erhöht wird.
Bevorzugt handelt es sich bei den Schaltelementen um Feldeffekttransistoren.
Die Kontaktfedern sind mit jeweils einem Dotierungsgebiet ihres
jeweils zugeordneten Feldeffekttransistors verbunden. Die Feldeffekttransistoren
können
bei rasterförmiger Anordnung
vergleichbar mit einem dynamischen Halbleiterspeicher (DRAM) spaltenweise über Auswahlleitungen
angesteuert werden, wobei die jeweils nicht mit der Kontaktfeder
verbundenen Dotierungsgebiete der Feldeffekttransistoren reihenweise über eine
Art Bitleitung verbunden sein können.
Die Auswahl einzelner Kontaktfedern kann in diesem Fall analog zur
Auswahl von Speicherzellen eines DRAM's erfolgen.
-
Weiterhin
ist es bevorzugt, wenn jede Kontaktfeder mit jeweils einer separaten
Zuleitung, z. B. in Form einer Leiterbahn, unmittelbar elektrisch
leitend verbunden ist. Dadurch lassen sich alle Kontaktfedern individuell
ansprechen.
-
Zur
Kontaktierung der Kontaktfedern können auch die Schutzstrukturen
verwendet werden, sofern sie aus einem elektrisch leitfähigen Material
bestehen. Dies kann z. B. bevorzugt ebenfalls ein Halbleitermaterial
sein. Sofern die Schutzstrukturen aus einem elektrisch isolierenden
Material bestehen, kann die elektrische Verbindung zu den Kontaktfedern über an den
Schutzstrukturen angeordneten Leiterbahnen hergestellt werden.
-
Die
Schutzstrukturen haben insbesondere bei einer rasterförmigen Anordnung
einen Abstand von etwa 100 bis 1000 μm zueinander. Günstig ist
es, wenn die Abstände
zwischen den Kontaktfedern im Bereich der Schichtdicke des zu kontaktierenden Halbleiterwafers
liegen. Wird weiterhin eine unabhängige Kontaktierung der Kontaktfedern
oder einzelner Gruppen von Kontaktfedern gewählt, so können eventuell auftretende
Inhomogenitäten
bei der Kontaktierung oder lokal unterschiedliche Kontaktwiderstände durch
Anpassung der individuell an jede Kontaktfeder angelegten Spannung
bzw. Strom ausgeglichen werden. Weiterhin ist es bei separaten Zuleitungen
zu den Kontaktfedern möglich,
gleichzeitig z. B. bis zu einigen 10000 Kontakten mit den strukturierten
Halbleiterwafern herzustel len, um Messungen durchführen oder
elektrische Prozesse untersuchen zu können.
-
Durch
die erfindungsgemäßen Kontaktfedern
können
auch relativ große
Höhenunterschiede von
unmittelbar benachbarten Kontaktregionen ausgeglichen werden. Bei
der Anordnung gemäß
US 5869974 A ist
dies dagegen nicht möglich.
Dort können
nur Höhenunterschiede,
die sich über
ein größeres Gebiet
erstrecken, ausgeglichen werden. Darüber hinaus zeigen die erfindungsgemäßen Kontaktfedern
aufgrund ihrer hohen Federkraft eine relativ hohe Toleranz gegenüber Staubpartikeln
und dergleichen, die sich auf der Oberfläche der Kontaktregionen des
zu kontaktierenden Halbleiterwafers befinden. Weiterhin sichert
die vergleichsweise hohe einstellbare Federkraft der Kontaktfedern
einen ausreichend guten ohmschen Kontakt zwischen der Kontaktfeder
und der Kontaktregion des zu kontaktierenden Halbleiterwafers.
-
Die
Erfindung betrifft weiterhin ein Verfahren zur Herstellung einer
Kontaktfederanordnung mit einem Substrat und mindestens einer einseitig
an einer Oberfläche
des Substrats fixierten und aus einem Halbleitermaterial bestehenden
streifenförmigen Kontaktfeder
mit den Schritten:
- a) das Halbleitermaterial
wird so auf das Substrat aufgebracht, daß ein Streßgradient innerhalb des Halbleitermaterials
entsteht;
- b) das Halbleitermaterial wird strukturiert, so daß mindestens
eine streifenförmige
Kontaktfeder entsteht; und
- c) die Kontaktfeder wird an einer Seite von der Substratoberfläche abgelöst, so daß sich die
Kontaktfeder durch den Streßgradienten
im Halbleitermaterial verbiegt.
-
Der
Streßgradient
innerhalb des Halbleitermaterials kann dabei z. B. in situ durch Änderung
von Abscheideparametern hervorgerufen werden.
-
Grundsätzlich läßt sich
der Streßgradient durch Änderung
einer Vielzahl von Prozeßparametern
einstellen. Insbesondere eignen sich die Abscheidetemperatur, die
Höhe und
Art der Dotierung und die Abscheiderate. Die Dotierung kann in situ oder
nachfolgend durch Implantation erfolgen. Der sich bei der Abscheidung
herausbildende Streßgradient
kann durch eine nachfolgende Temperaturbehandlung (anneal) beeinflußt werden.
-
Bevorzugt
wird weiterhin, wenn in Schritt a)
mindestens eine erste und
eine zweite das Halbleitermaterial (30) bildende Halbleiterschicht
(28, 32) auf das Substrat (6) aufgebracht
werden, wobei die erste und die zweite Halbleiterschicht (28, 32)
eine unterschiedliche mechanische Vorspannung aufweisen, die den
Streßgradienten
im Halbleitermaterial (30) hervorruft; und
in Schritt
b)
die erste und die zweite Halbleiterschicht (28, 32) strukturiert
werden, so daß mindestens
eine streifenförmige
Kontaktfeder (2) entsteht.
-
Die
erste und die zweite Halbleiterschicht werden nacheinander auf das
Substrat aufgebracht und bevorzugt gemeinsam strukturiert, wobei
eine bevorzugt streifenförmige
Kontaktfeder entsteht. Diese hat noch einen ganzflächigen Kontakt
zum Substrat, so daß der
im Halbleitermaterial durch die beiden unterschiedlich verspannten
Halbleiterschichten aufgebaute Streßgradient noch nicht zu einem
Verbiegen der Kontaktfeder führt.
Der Streßgradient
sollte so gewählt
werden, daß er
nicht zu stark wird, um ein unkontrolliertes Ablösen der Kontaktfeder zu vermeiden.
Außerdem
bestünde
die Gefahr, daß die
einseitige Fixierung der Kontaktfeder geschwächt wird. Abschließend wird
die Kontaktfeder an einer Seite vom Substrat bis zur gewünschten
Länge abgelöst, so daß ein Cantilever
entsteht. Das Ablösen
kann z. B. durch ein Unterätzen
des Substrats hervorgerufen werden. Im abgelösten Teil verursacht der interne Streßgradient
nun ein Verbiegen der Kontaktfeder.
-
Die
erste und die zweite Halbleiterschicht können auch bei einer kontinuierlichen
Abscheidung des Halbleitermaterials gebildet werden. In diesem Fall
werden die Abscheideparameter in-situ verändert und führen zu einer abgeschiedenen
Halbleiterschicht, zwischen derer Ober- und Unterseite ein Streßgradient
ausgebildet ist.
-
Das
Halbleitermaterial bzw. die Halbleiterschichten können zunächst sowohl
amorph als auch polykristallin abgeschieden werden. Die erzielte
Kristallinität
hängt insbesondere
von der Abscheidetemperatur und der Abscheiderate ab. Durch eine
nachfolgende Temperaturbehandlung werden dann sowohl die mechanischen
Eigenschaften beeinflußt und
gewünscht
eingestellt als auch das amorphe Halbleitermaterial in ein polykristallines überführt. Die Kontaktfeder
sollte demnach bevorzugt aus polykristallinem Material bestehen.
Die Temperaturbehandlung kann sich im Falle der Abscheidung der
beiden Halbleiterschichten an jede Abscheidung anschließen. Bevorzugt
sollte die Temperaturbehandlung jedoch erst nach der Abscheidung
beider Halbleiterschichten erfolgen. Eine zweigeteilte Prozeßführung hat
den Vorteil, daß die
mechanischen Eigenschaften individuell angepaßt werden können. Es sollte dabei jedoch
beachtet werden, daß die
zweite Temperaturbehandlung die erste Halbleiterschicht ebenfalls
beeinflußt.
Die einteilige Prozeßführung ist
dagegen prozeßökonomisch
vorteilhafter.
-
Bevorzugt
ist es, wenn
vor Schritt a)
auf die Substratoberfläche eine
Hilfsschicht aufgebracht und in die Hilfsschicht mindestens eine
bis zur Substratoberfläche
reichende Öffnung
geätzt
wird;
in Schritt a) das Halbleitermaterial in die mindestens eine Öffnung der
Hilfsschicht und auf die Oberfläche der
Hilfsschicht aufgebracht wird; und
in Schritt c)
die Hilfsschicht
selektiv zu dem Halbleitermaterial entfernt wird, wobei die Kontaktfeder über das
in die Öffnung
der Hilfsschicht eingebrachte Halbleitermaterial am Substrat fixiert
bleibt.
-
Die
Hilfsschicht hat dabei insbesondere zwei Funktionen. Zum einen führt sie
dazu, daß die
Kontaktfeder in einem vorgegebenen Abstand zur Substratoberfläche erzeugt
wird, damit sie ggf. frei schwingen kann. Darüber hinaus vereinfacht die
Hilfsschicht das Ablösen
der Kontaktfeder, da dies automatisch beim Entfernen der Hilfsschicht
erfolgt. Die Kontaktfeder bleibt über das in die Öffnung der
Hilfsschicht eingebrachte Material, dieses kann das Halbleitermaterial
aber auch jedes andere Material sein, mit der Oberfläche des
Substrats verbunden. Bevorzugt sollte das Material Front-End tauglich
sein.
-
Weiterhin
ist es bevorzugt wenn, die Hilfsschicht aus zwei Teilschichten besteht
und
- – zuerst
eine erste der beiden Teilschichten aufgebracht und in diese zumindest
ein bis zur Substratoberfläche
reichendes Fenster geätzt
wird;
- – an
den Seitenwänden
des Fensters mit der Substratoberfläche verbundene Randstege gebildet werden;
- – eine
zweite der beiden Teilschichten zur Fertigstellung der Hilfsschicht
ganzflächig
auf die erste Teilschicht und die Randstege aufgebracht wird; und
- – in
beide Teilschichten die bis zur Substratoberfläche reichende Öffnung geätzt wird;
und
in Schritt c) - – zum Entfernen der Hilfsschicht
die erste und zweite Teilschicht selektiv zu den Randstegen und zum
Halbleitermaterial entfernt werden.
-
Durch
die Randstege soll ein sogenanntes Sticking vermieden werden. Beim
Entfernen der Hilfsschicht, das z. B. naßchemisch erfolgt, kann es aufgrund
der Oberflächenspannung
des verwen deten Ätzmediums
dazu kommen, daß die
Kontaktfeder auf die Substratoberfläche angesaugt wird und dort kleben
bleibt. Die Randstege verhindern eine ganzflächige Auflage auf der Substratoberfläche und
damit ein Verkleben.
-
Weiterhin
wird bevorzugt, wenn die in die Hilfsschicht geätzte Öffnung in Draufsicht auf die Substratoberfläche in Form
eines um die Kontaktfeder verlaufenden Ringes ausgebildet wird,
wobei die Kontaktfeder innerhalb des Rings ausgehend von einer Seitenwand
des Rings verläuft.
Dadurch wird eine krater- oder ringförmige Schutzstruktur um die Kontaktfeder
gebildet.
-
Das
erfindungsgemäße Verfahren
wird weiterhin zur Herstellung einer Kontaktfederanordnung mit einer
Vielzahl von Kontaktfedern zur Kontaktierung eines Halbleiterwafers
verwendet.
-
Im
folgenden wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispiels beschrieben
und in Figuren dargestellt. Es zeigen:
-
1 die
Seitenansicht einer Kontaktfeder einer erfindungsgemäßen Kontaktfederanordnung;
-
2 den
Querschnitt einer Kontaktfeder;
-
3 die
Draufsicht auf eine Kontaktfeder;
-
4 verschieden
groß skalierte
Ausschnitte einer Kontaktfederanordnung mit einer Vielzahl von rasterförmig angeordneten
Kontaktfedern;
-
5A–5G einzelne
Verfahrensschritte zur Herstellung einer Kontaktfeder;
-
6A–6C weitere
Verfahrensschritte zur Herstellung einer Kontaktfeder;
-
7 eine
mit einem Feldeffekttransistor verbundene Kontaktfeder; und
-
8A–8B einzelne
Verfahrensschritte bei der Herstellung eines Kontaktmusters einer
Kontaktfederanordnung.
-
1 zeigt
eine Kontaktfeder 2 umgeben von einer Schutzstruktur 4.
Diese ist auf einem Substrat 6 angeordnet und stellt gleichzeitig
die Verbindung zwischen der Kontaktfeder 2 und dem Substrat 6 her.
Die Schutzstruktur 4 kann aus einem Halbleitermaterial
(z. B. Si, GaAs) aber auch aus jedem anderen geeigneten Material
bestehen. Die Kontaktfeder selbst besteht aus einem Halbleitermaterial
(z. B. Si, GaAs) in dem ein intrinsischer Streßgradient zu einem Verbiegen
des freien Endes 8 der Kontaktfeder 2 führt. Dadurch
ragt das freie Ende 8 aus der oberen Ebene der Schutzstruktur
hervor.
-
In 2 ist
ein Querschnitt der erfindungsgemäßen Kontaktfederanordnung gezeigt.
Das fixierte Ende 10 der Kontaktfeder ist mit einer Innenseite der
Schutzstruktur verbunden.
-
Zur
besseren Veranschaulichung ist in 3 eine Draufsicht
auf die Kontaktfederanordnung dargestellt. Bevorzugte geometrische
Abmessungen der Kontaktfeder und ihrer Schutzstruktur sind in den 1 bis 3 angegeben.
Die erfindungsgemäße Kontaktfederanordnung
ist jedoch nicht auf die angegebenen Abmessungen und Verwendungen
beschränkt.
-
Eine
Kontaktfederanordnung mit rasterförmiger Anordnung von einzelnen,
mit jeweils einer Schutzstruktur umgebenen Kontaktfedern ist in 4 dargestellt.
Auf einem Wafer 12 ist eine Vielzahl von Kontaktfedern 2 rasterförmig angeordnet. Der
Abstand zwischen den einzelnen, die Kontaktfedern 2 umgebenden
Schutzstrukturen 4 liegt zwischen 100 und 1000 μm, so daß sich ein
entsprechend an die Dicke des zu kontaktierenden Halbleiterwafers
angepaßter
Abstand zwischen den einzelnen Kontaktfedern ergibt. Der Abstand
zwischen den einzelnen Kontaktfedern 2 liegt zwischen 100
und 2000 μm,
bevorzugt zwischen 200 und 1500 μm. Eine
derartig rasterförmige
Anordnung ist insbesondere für
einen großflächigen, über alle
Kontaktfedern hergestellten elektrischen Kontakt mit dem HalbleiterWafer
günstig.
Die Länge
der Kontaktfedern beträgt
etwa 100 bis 1000 μm.
-
Zur
besseren Veranschaulichung einzelner Verfahrensschritte bei der
Herstellung der Kontaktfederanordnung bzw. der Kontaktfedern wird
auf die 5A bis 5G verwiesen.
Auf das aus Silizium bestehende Substrat 6 wird eine erste
Teilschicht 14 einer Hilfsschicht 16 aufgebracht
und in diese ein bis zum Substrat 6 reichendes Fenster 18 geätzt. Eine Opferschicht 20 aus
bevorzugt Siliziumnitrid wird anschließend konform aufgebracht und
isotrop trocken geätzt,
so daß Randstege 22 an
den Seitenwänden der
Fenster 18 verbleiben. Die Randstege bilden in einem späteren Verfahrensschritt
Abstandhalter gegen das Sticking der zur bildenden Kontaktfeder.
Auf die so erhaltene und in 5B gezeigte
Struktur wird anschließend
eine zweite Teilschicht 24 planarisierend aufgebracht.
Dabei werden die in der ersten Teilschicht 14 geschaffenen
Fenster 18 vollständig gefüllt. Die
erste und die zweite Teilschicht 14 und 24, welche
zusammen die Hilfsschicht 16 bilden, bestehen bevorzugt
aus Siliziumoxid, insbesondere aus TEOS (Tetraethylorthosilicat)
oder BPSG (Borphosphorsilikatglas).
-
In
einem weiteren Verfahrensschritt erfolgt die Bildung einer bis zur
Substratoberfläche
reichenden Öffnung 26 in
der Hilfsschicht 16. Die Öffnung 26 hat dabei
die Form der um die Kontaktfeder zu bildenden Schutzstruktur. Gleichzeitig
definiert die Öffnung 26 die
Verankerung der Kontaktfeder am Substrat 6.
-
Nachfolgend
wird in situ dotiertes Polysilizium, das die erste Halbleiterschicht 28 des
Halbleitermaterials 30 bildet, in die Öffnung 26 und auf
die Oberfläche
der zweiten Hilfsschicht 24 abgeschieden. Die erste Halbleiterschicht 28 wird
z. B. bei einer Temperatur von etwa 650°C und etwa 3330 Pa (25 Torr)
aus einem Si2H6/PH3 Gemisch mit einem Verhältnis von Si2H6:PH3 von etwa 30
abgeschieden. Die Flüsse
von Si2H6 und PH3 werden auf etwa 150 und 35 sccm eingestellt.
Bei der nachfolgend abgeschiedenen zweiten Halbleiterschicht 32 wird
dagegen das Verhältnis
von Si2H6:PH3 auf etwa 50 bei ansonsten gleichbleibenden
Bedingungen eingestellt. Die miteinander verbundene erste und zweite
Halbleiterschicht bildet zusammen das Halbleitermaterial 30,
in dem aufgrund der unterschiedlichen Verspannung der beiden Halbleiterschichten
ein intrinsischer Streßgradient
entsteht. Dieser hat die Tendenz, die zu bildende Kontaktfeder von
der Oberfläche
des Substrats 6 weg zu biegen. Die in situ Dotierung mit As
führt zu
vergleichbaren Ergebnissen. Ggf. muß die Höhe der Dotierung angepaßt werden.
Durch eine abschließende
Kurzzeittemperaturbehandlung (rapid thermal annealing, RTA) bei
etwa 900°C
für etwa
20 s werden die mechanischen Verspannungen der beiden Halbleiterschichten
eingestellt. Die erste Halbleiterschicht weist danach eine Druckspannung von
etwa –46
MPa auf, während
die zweite Halbleiterschicht unter einer Zugspannung von etwa 107 MPa
steht. Diese Werte sind nur beispielhaft und können durch die Temperatur und
die Dauer der Temperaturbehandlung variiert werden. Diesbezüglich weitergehende
Informationen können
dem Fachartikel von T. Scheiter et al., ”Rapid thermal annealing of doped
silicon films to relax intrinsic stress”, Sensor and Materials, Tokyo
(1996) Bd. 8, Nr. 7, S. 445–454 entnommen
werden.
-
Eine
alternative Möglichkeit,
den Streßgradienten
hervorzurufen, eröffnet
sich bei einer Abscheidung der ersten und zweiten Halbleiterschicht
aus einem PH3/SiH4 Gemisch
bei unterschiedlichen Temperaturen. Bei der ersten Halbleiterschicht 28 wird eine
Abscheidetemperatur von etwa 610°C
und bei der zweiten Halbleiterschicht von etwa 590°C gewählt. Die
Abscheidetemperatur bezieht sich dabei auf die Temperatur des Substrats.
Ein nachträgliches Dotieren
ist ebenfalls möglich.
Bei der Abscheidung der ersten Halbleiterschicht wird das Verhältnis von PH3 zu SiH4 auf etwa
1.6·10–3 und
bei der zweiten Halbleiterschicht auf etwa 1·10–2 eingestellt.
Nach einem abschließenden
RTA-Schritt bei 900°C
(etwa 20 s) steht die erste Halbleiterschicht unter einer Druckspannung
von unge fähr –180 MPa,
die zweite Halbleiterschicht dagegen unter einer Zugspannung von etwa
30 MPa.
-
Eine
weitere Möglichkeit
zur Erzeugung des Streßgradienten
bei Bor-dotierten Halbleiterschichten wird nachfolgend angegeben.
Das Halbleitermaterial wird hier ebenfalls in zwei Schichten aufgetragen.
Die erste Halbleiterschicht wird bei einer Temperatur von etwa 625°C, die zweite
bei einer Temperatur von etwa 560°C
unter Verwendung von Silan abgeschieden. Bor wird nachträglich bis
zu einer Zielkonzentration von etwa 4·1020/cm
implantiert. Mittels eines RTA-Schritts (950°C, 20 s) wird die Druckspannung
innerhalb der ersten Halbleiterschicht auf etwa –130 MPa und die Zugspannung
innerhalb der zweiten Halbleiterschicht auf etwa 250 MPa eingestellt.
-
Nachfolgend
werden die beiden Halbleiterschichten 28 und 32 strukturiert.
Dabei wird die Kontaktfeder 2 in ihrer endgültigen Form
gebildet. Gleichzeitig werden mittels einer Trockenätzung Hilfsöffnungen 34 in
Form von Ätzlöchern oder
Gräben
in die Kontaktfeder 2 eingebracht, die einen besseren Zutritt
des nachfolgend aufzubringenden Ätzmediums zu
der Hilfsschicht 16 ermöglichen
sollen. Das übrige verbleibende
Polysilizium formt zusammen mit dem in der Öffnung 26 befindlichen
Polysilizium die Schutzstruktur 4.
-
Es
schließt
sich das Entfernen der Hilfsschicht 16 an. Dazu werden
die beiden die Hilfsschicht 16 bildenden Teilschichten 14 und 24 naßchemisch
mittels HF selektiv zum Halbleitermaterial der Kontaktfeder und
zum Material der Randstege 22 entfernt. Bei der anschließenden Trocknung
verhindern die Randstege 22 ein Sticking der Kontaktfeder. Alternativ
wäre eine Ätzung mit
HF Gas oder naßchemisch
mit HF und anschließender
kritischer Punkt-Trocknung möglich.
Durch das Entfernen der Hilfsschicht 16 wird die Kontaktfeder
vom Substrat bis auf das in der Öffnung 26 befindliche
Halbleitermaterial abgelöst.
Der in dem Halbleitermaterial aufgebaute Streßgradient führt nun zu einem Wegbiegen
des freien Endes 8 der Kontakt feder 2 von der Substratoberfläche. Die
so erhaltene Struktur zeigt 5G.
-
Zur
Isolation der Kontaktfeder 2 kann eine Isolationsschicht 36 aufgebracht
und im Bereich des freien Endes 8 entfernt werden. Eine
dünne Siliziumnitridschicht
ist z. B. dafür
geeignet.
-
Alternativ
und insbesondere günstig
hinsichtlich der Ätzung
und Freilegung der Kontaktfeder ist eine ringförmige Isolationsstruktur (ringförmiger Rahmen) 36 auf
der Schutzstruktur, Ein geeignetes Material ist z. B. Siliziumnitrid.
Die einzelnen Schritte zur Herstellung dieses Rahmens 36 sind
in den guren 6A–6C dargestellt.
Auf die zweite Halbleiterschicht 32 wird die Siliziumnitridschicht 36 aufgebracht
und bevorzugt gemeinsam mit der Kontaktfeder strukturiert. Anschließend wird
die Kontaktfeder von der Siliziumnitridschicht 36 befreit,
so daß letztere
nur als Rahmen auf der Schutzstruktur verbleibt. Die mechanischen
Eigenschaften der Kontaktfeder werden somit nicht von der Siliziumnitridschicht 36 beeinflußt. Gleichzeitig
kann letztere zur Verbesserung der Isolation dicker ausgebildet
werden.
-
Die
einzelnen Kontaktfedern können
je nach Dotierung der zu kontaktierenden Kontaktregionen des Halbleiterwafers
unterschiedlich dotiert sein, um einen möglichst guten ohmschen Kontakt
herzustellen.
-
Eine über die
aus einem elektrisch leitfähigen
Material bestehende Schutzstruktur 4 mit einem Dotierungsgebiet 38 eines
Feldeffekttransistors 40 verbundene Kontaktfeder 2 zeigt 7.
Der Feldeffekttransistor 40 übernimmt bei dieser Ausführungsform
die Funktion eines Schaltelements zum selektiven Verbinden der Kontaktfeder
mit einer hier nicht dargestellten Zuleitung, die mit dem anderen
Dotierungsgebiet 42 des Feldeffekttransistors 40 verbunden
ist. Über
die Auswahlleitung 44 wird der Feldeffekttransistor 40 angesteuert.
Bevorzugt ist eine Vielzahl von Feldeffekttransistoren und Kontaktfedern matrixförmig angeordnet.
-
Sofern
die Schutzstruktur aus einem elektrisch isolierenden Material besteht,
wird die Verbindung zwischen dem Dotierungsgebiet 38 und
der Kontaktfeder 2 über
hier nicht dargestellte Leiterbahnen hergestellt.
-
In
den 8A und 8B werden
Verfahrensschritte zur Herstellung einer Kontaktfederanordnung mit
einer Vielzahl von zunächst
rasterförmig
angeordneten Kontaktfedern 2a–2d, die bei diesem Ausführungsbeispiel
jeweils von einer Schutzstruktur 4a–4d umgeben sind,
dargestellt. Die Kontaktfedern und die Schutzstrukturen werden unabhängig von dem
angestrebten Kontaktmuster zunächst
alle gemeinsam hergestellt. Dadurch wird der Herstellungsprozeß vereinfacht.
In einem nachfolgenden Verfahrensschritt werden diejenigen Kontaktfedern 2b und 2c sowie
die Schutzstrukturen 4b und 4c selektiv entfernt,
die für
die angestrebte Kontaktierung nicht erforderlich sind. Dadurch entsteht
ein auf den jeweiligen Anwendungszweck ausgerichtetes Kontaktierungsmuster.
Das Entfernen der nicht benötigten Kontaktfedern
und Schutzstrukturen erfolgt bevorzugt mittels eines Laserstrahls
der, je nach verwendeter Wellenlänge,
die zu entfernenden Strukturen kalt entfernt oder thermisch verdampft.
Die so erhaltene Struktur ist in 7B dargestellt.
-
- 2
- Kontaktfeder
- 4
- Schutzstruktur
- 6
- Substrat
- 8
- freies
Ende der Kontaktfeder
- 10
- fixiertes
Ende der Kontaktfeder
- 12
- Wafer
- 14
- erste
Teilschicht der Hilfsschicht
- 16
- Hilfsschicht
- 18
- Fenster
in erster Teilschicht
- 20
- Opferschicht
- 22
- Randstege
- 24
- zweite
Teilschicht der Hilfsschicht
- 26
- Öffnung
- 28
- erste
Halbleiterschicht des Halbleitermaterials
- 30
- Halbleitermaterial
- 32
- zweite
Halbleiterschicht des Halbleitermaterials
- 34
- Hilfsöffnungen
- 36
- Isolationsschicht/Rahmen
- 38,
42
- Dotierungsgebiet
- 40
- Schaltelement/Feldeffekttransistor
- 44
- Auswahlleitung