WO2003003352A1

WO2003003352A1 - Procede et appareil d'enregistrement magnetique et support d'enregistrement magnetique destine a etre utilise dans ledit appareil

Info

Publication number: WO2003003352A1
Application number: PCT/JP2001/005579
Authority: WO
Inventors: Toshio Sugimoto
Original assignee: Fujitsu Limited
Priority date: 2001-06-28
Filing date: 2001-06-28
Publication date: 2003-01-09
Also published as: EP1411500A1; US7142384B2; KR100727447B1; EP1411500A4; WO2003003352A8; JPWO2003003352A1; KR20040012904A; US20040136107A1

Description

^言^:^法及びにこれに用いる言 ^媒体鎌分野

本発明は、サーマルアシスト擴を用いて磁気首媒体に藏'隨を言藤する磁気言藤方法及言置に関する。より詳しくは、纖へッドで磁気講某体に磁気†f¾を言する際に、サーマゾレアシスト用の光へッドを精度良く ί立置決めできるようにして、高記録密度ィ匕を図った磁気記録方法及び ^言^^置に関する。そして、本発明には、上言膽気 ΙΞ^置に適した纖言藤媒体に関する発明も含まれる。

近年の誠に発展するマゾメディァ化の中で、中核となるメモリの 1つとして、磁気言藤媒体に対してさらなる大容量化へのが大きい。背景鎌

上言赚気言藤媒体に関しては、近年において著しいスピドで高曹藤密度化技術が向上しており、年率約 2 0 0 %という非常に早いで言職密度が増大してレ、る。しかし、さらなる高曾密度化のためには、 ¾y となる磁で (Df^ らぎの問題を解消する必要がある。そのための纖として高レ頓カ H cを有する磁性材料で形成したを備える磁気言藤媒体についての開発が盛んに行われている。

そして、上記のように高レ cを有する IH^ に磁気情報を言 5 ^することに関しては、いわゆるサーマルアシストと称される言 S^Mの験がある。このサーマルアシスト嫌は、 m (磁性体）の«力 H eが踏特性を有し、キュリ一 T cへ近付くに従って上記 ί 力 H c力氐下するという特性を利用するものである。このサーマルアシスト婦をより具体的に説明すると、 «気言置で通常用いられているキュリー言 B^l?と称されるものを応用したものであり、レーザ光等を曾 Ξ^ϋに■してその figを上げ、 « Η οを低下させた状態で外部 (藏ヘッド）により言を行う方法である。この方法を用レヽれば、霄^ 1の«力 H cを低下させた状態で Ϊ を行うことができるので戯ヘッドからの言凝磁界を赚できる。そして、こおいては言 Ξ^ϋは高レ«力 H cを有するので、■らぎによる問題を生じることなく安定に言凝歸が! ^される。

ここで、上記サーマルアシスト鎌を藏錄媒体装置に翻するためには、従来から！^ · に棚している磁気へッドに加えて、光を照财る光へッドを新たに設けることになる。そして、節される際には、磁気ヘッドにより総が行われる部分が光により ^されるように、磁気へッドの相対位置に光へッドを精度よく位置決めする»亍の ¾3Ϊが必要となる。

ところで、従来から光藏曾置では磁気へッド及ぴ光へッドを用、た識を行っているので、その位置決め法について説明する。 «気言置で用いる光学へッド及へッドの位置決め法は、まず勘肚の溝（クンブ）に形成されたァドレス信号 (ピット）を光として読み出して ί立置により光へッドが位置決めされる。戯へッドはこの光学へッドに対して纖的に固定されており、光学ヘッドの位歡めに追従して同様に位置決めされる。

そして、光磁気霄職媒体に»S行われる際は、光ヘッドにより媒体上に形成された光学スポットに対して、非常に広い領域で磁気へッドから磁界が働合される。このように広い領域に醒が印加されるのは、光学ヘッドと戴ヘッドとの相対位:置を高精度に御できないので、上記光学スポットが磁気へッドからの磁界內に必ず含まれる状態を形 ^"るためであった。

上記のように光磁気言置で用レ、られてレヽた位置讓灘では、光へッドが位置決めされたことに追従して、磁気へッドが位置決めされるようになっている。そして、磁気へッドを光へッドの相対位置に精度良く位置決めできない纖として、非常に広い領域に ^をしてい

ところが、 ^IE^S置の ^には、へッドはサ一ボ術を用いて^^記録媒体上の所定位置に精度良く位置決めされる。そして、このへッドと相対する位置に光学へッドを精度良く位置決めすることが必要となる。

ここで、磁気 ΙΞ^某体喊面はク ^ブのない⁵！^骨面であるので、 m 女某体ののようにグ /トプを利用した位置決めを行うことができなレ、。そこで、騰へッドの相対位置へ光学へッドを精度良く位置決めさせる新たな擴を検討することが必要となる。

なお、前述した光磁気霄 5^置とは逆の組^:にして、戯へッドに対して光ヘッドを纖的に固針ることも考えられる。しかし、この齡にも前述したと同様に位置決め精度が悪いという問題が発生する。光へッドを磁気へッド位置に精度よく相対させないと、光による前述したサーマルアシストの効果を +^に得ることができず、 ¾1での高感度な言凝を^ aできず高言藤密度化を図ることができなくなる。

したがって、本発明の主な目的は ^t^媒体にサーマルアシスト技術を用いて磁気'赚の識を行う方法に関し、戯へッド位置に対して光へッドを精度良く位置決めして記録を行う方法をするこであり、また他の目的は上記方法をしている磁気言置を^ *することであり、さらに他の目的はこの装置に適用される ^^霄職某体をすることである。発明の開示

上記目的は、請求項 1にる如く、

磁気へッドにより磁気言媒体の l«iに^ を言する際に、光へッド力照射した光で嫌己言翻を加熱しながら廳藤を行う觀言媒体の霄礙方法であって、

編膽気媒体が肅 S光へッドの位置決めに用いる、磁 1·生を有する位置決め用磁 !·生層を備えており、

^言 ^女某体上の戸；^ &置に磁気へッドを移 SrTる第 1ステップと、嫌気へッドから ΙϋΙΗ位置決め用磁闘へ、嫌己光へッドを位置決めするための位置決め rを^ Τる第 2ステップと、

lift己光へッドから該光へッドを位置決めするための位置決め光 P rを出力して嫌己位置決め磁界 H rにより磁化された ΙίίΙΗ位置決め用礎 14 との間で^ ¾学効果を生じさせ、 »気光学効果による検出値に基づいて tins光へッドを tfits 気へッド位置に相るように制御する第 3ステップとむ戯言 »某体の記

^^法によりることができる。本発明によれば、磁^学効果の検出値が最大となるような光へッド位置を検出することで、光へッドを磁気へッドと相る ¾i位置に位置決めすることができる。この状態では前述したサーマルアシストカ S効果的に作用するので、磁気へッドにより言職媒体^^' を高言密度化して言凝できる。

また、謙己第 3ステップは、謝膽気ヘッドに相る位置の近傍まで tfitS光へッドが粗位置讓により移動した後に節されるようにしてもよい。この齢、光へッドを粗位置纖して力 β¾するので、より速やかに光へッドを戯へッドと相る位置に位置決めできる。

また、嫌己第 3ステップの後に、嫌ヘッドから肅己言気'隨を言 » るための識磁界 Hw及 υ¾ΐίΐ己光へッドから tins言 s^iを加熱するための言凝アシスト光 Pw;^、供給されて ttrtsf^i^^;'賺の曾を行う第 4ステツプが含まれ、 t5IS位置決め磁界 H r及立置決め光 P rは、嫌己霄藤礙 Hw及 v^ rシスト光 p wのぞれぞれょり小さレ、エネルギを用いるようにすることが好ましい。

すなわち、光へッドを位置決めするために用ヽる位置決め離 H r MM爨決め光 P rで用いるパワーは、サーマルアシスト賺を用いて識を行う際の繊磁界 Hw及ひ識アシスト光 Pwと比較してィ赚されていること力 S望ましい。このようにすることで、嫌 f鎌の消失を抑制し、装置の消費の観を図ることあでさる。

また、謙己位置決め勝 H rを^ 1~るために用いる交流周波数は、謙 S 層^ ^気'隨を講する際に肅己言凝磁界 Hwを^ 1~るための交流周波 «ぴその 'lf¾を再生する際に用レヽる交流周波数とは異なるよう設定されてレ、ることとしてもよい。

wm · で用いている交流周波数と、光へッドを位置決めするために用いる位置決め磁界 H rを^ 1 "るための交流周波数とを異なるものとすることで、 1 つの磁気へッドから言^ »Hw及 Ό«ί置決め »H rをさせることカ可能となる。

そして、上記目的は、請求項 5にの如く、

磁気言職媒体と、難気言魔媒体の曾 E^iに磁気' lf#を言 5 ^する藏へッドと、へッドを t某体上の所 i立置 t ^Siさせる龍へッド勵,睡手段と、嫌言凝媒体を間にして嫌気へッドと相财る位置に配置され、嫌己記録の際に廳 3言^ に光を照 Jtして加熱する光へッドと、該光へッドを爾へッドと相 ¾ "る位置に移動させる光へッド聽,睡手段とを、有する觀議装置であって、

ドと相る位置に位置決めする際に用いる、磁性を有する位置決め用磁 Ιίϋ^ ^み、

膽己位置決め用磁の磁ィ! ^態に基づレ、て生じる磁^ 6学効果を用レ、て、前記光へッド、 ¾置が tifi 気へッド位置と相るように制御する光へッド位 # I«を含む騰^ ^置によっても誠できる。

本発明では、位置決め用磁 ffilを含む藏應某体を採用し、光ヘッド位翻 «jfが、位置決め用磁 14 の蘭!^態に基づいて生じる藏光学効果に基づき、磁^:学効果の検出値が最大となるような光へッド位置を検出しながら、光へッドを纖へッドと相る髓位置に位置決めできる。

よって、本発明でもサーマノレアシストが効果的に作用するので、磁気へッドにより言 «某体^ を高言密度化して言できる ¾ fM¾置を^ できる。

そして、膽己光ヘッド位は、嫌 ¾ ヘッドから IB位置決め用磁 tt へ StrlB光へッドを位置決めするための位置決め H rを^^る位置決め磁界^ &手段と、觸己光へッドから該光へッドを位置決めするための位置決め光 P rを発生させる (立置決め光発生手段と、 ΙίΠΒί立置決め光 P rと tiff己立置決め磁界 H rにより磁化された tiff己位置決め用磁 14 との間で生じる磁気光学効果の検出値に基づいて嫌己光へッドを膽 B 気へッド位置に相财るように嫌己光へッド！ ¾¾¾¾手段を制御する光へッド位置決め手段とを含んで構成できる。

また、 tfit己位置決め霧合手段は、膽己言 Ξ^ϋ^ '隨を言 e^ るための言凝磁界手段を兼ね、異なる交流周置を用いて嫌己位置決め »H rと記録離 Hwとを^ 1~るようにしてもよい。 ~«に曾 ^手段は磁気へッドがあり、この ^^ヘッドで置決め磁界も TOできるように併用すると、従来のハー Mi成をそのまま利用できる。また、前記位置決め光発生手段は、前記記^！を加熱するための記録アシスト光発生手段を兼ね、位置決め光 P rは言 2^アシスト光 P wより弱い光エネレギを用いて発生させるようにしてもよい。サーマルアシスト鎌を用レ、る騰!^ ¾ 置では識アシスト光発生手段として光へッドを設ける必要があるので、この光へッドで位置決め光も t るようにするとハードf成を簡素化できる。

さらに、上記目的は、請求項 9にる如く、

磁性を有する言 B^gと、

光へッド位置決め用に設けた磁性を有する位置決め用磁 14®と、

廳己言 5^1と謂己位置決め用磁隨との間に形成され、編己光ヘッド位置決めのときには ^fB Uiと位置決め用磁との^;的結合が生じて、なレ、状態形财る中間層とを含む^！藤媒体によっても誠される。

«気言^ ¾体はィ立置決め用磁 Ι4ϋを備えるので、光へッドをへッドと相 ¾ "る ¾@位置に位置決めできるようになり、さらに中間層を有することでこの位置決め用磁！ 4 を設けたことで生ずると予想される問題の発生をに防止でさる。

また、前 ΙΕί立置決め用磁性層のキュリー温度を T c 1、前言己記録層のキュリーを T c 2としたときに、 T c 1く T c 2の^ ί牛を満たすようにすること力 S望ましレ、。

また、 t!if己立置決め用磁の «カを H e 1、 tiff己言^！の«力を H e 2 としたときに、 H c 1く H c 2の餅を満たし、觸己キュリ一 T c 2の近傍及びこれより高いでは謝己«力 H c 1がほぼ消失するように設定されていること力 S望ましい。

また、 ΙίίΙΕ中間層は、 tiff己位置決め用磁 14ϋと lift己位置決め用磁 14ϋとの結合をる^ 14®としてもよい。

また、膽己中間層は、膽己位置決め用磁の鐘力を H c 1より弱レ «力 H c 3を有し、編己置決め用磁 14ϋのキュリ— T c 1の近傍及びこれより高い鍵で、位置決め用磁 Ι4ϋの磁化がほぼ消失するように設定してもよい。また、 IfilB光へッドを位置決めする際に働合される位置決め磁界 H rに対して、嫌己位置決め用磁闘の舰カを H e 1及霞己言翻 (^種力を H e 2は、次の隱、 H e KH r <H c 2を満たすように設定するのが望ましレヽ。

また、嫌己位置決め用磁 14®は、少なくとも膽己光ヘッド位置決めの際には膜面に ¾S方向に磁織方性を有していることが望ましレ、。図面の簡単な説明

図 1は、第 1 例の藏言凝媒体の ϋ ^成とその周辺を拡大してを示した図である。

図 2は、第 1磁鹏（光ヘッド位置決め層）及び第 2磁 ΐ4ϋ ( ) について、丁と«力 H eとの »について示した図である。

図 3 Aは、例の磁気言置のブロック図である。また、図 3 Bは、同装置に関するフローチヤ一トである。

図 4は、 ¾ϋ例の磁気置で上記トラッキング時に得られるトラッキング信号（検出信号）の »を示した図である。

図 5は、難例の光ヘッドの位置を固定し、纖ヘッド位置を変化させた時に得られたトラッキング信号（検出信号）の C/Nの変化を示した測定例図である。図 6は、第 2難例で用レ、る磁気 ¾媒体の概難成を ttit己図 1と同様に示している図である。発明の ¾¾¾をするための最良の开態以下、本発明の好まし、第 1 »例を図面に基づレヽて説明する。

まず、本 ¾例の磁気言置で用いる^!^媒体 1 0について説明する。図 1は、本鍾例の騰言繊某体 1 0の ¾ϋ成とその周辺を拡大してを示した図である。図 1には、磁気言女某体 1 0と、この言藤媒体 1 0の上部側に設けられるへッド 2 0と、この^言^^某体 1 0の下部佃 jに設けられる光へッド 3 0と力 S示されている。

図 1により、磁気言媒体 1 0詳細な構成を説明する前に、ここで戯廳某体 1 0力たすべき餅について説明する。

本»例の^ ¾ ^某体 1 0は、図 1 すように 2つの磁 ¾ 1 3、 1 5を含み、これらは 1つの中間層 1 4を間に介在させた状態で形成されている。ここで、上個 Jの第 2磁 14© 1 5力 S^ である。へッド 2 0により 5へ所定の騰隨が錄され、さらにその言凝が胜される。また、下側の第 1磁 '14 1 3は上記光へッド 3 0を^;へッド 2 0の相対位置に精度良く位置付けするために开诚された光へッド ί立置決め層である。

上記第 2磁 14 1 5は霄^！として所定の高«力 H e 2を有して形成されている必要があるが、第 1磁 14ϋ 1 3は光ヘッド位置決め層として機能できる鍵の«力 H e 1、すなわち第 2礎 ffii l 5の«力 H e 2と比較して低レ«力を有している。この « Η c 1と«力 H c 2とのより詳糸田な,については後る。

なお、これ以後においては、原則として第 1磁隨 1 3を光ヘッド位置決め層 1 3、第 2磁 1411 5を言 ^11 5と称して説明する。

光へッド位置決め層 1 3は、光へッド 3 0を位置決めする際に用いるものである。この光へッド位置決め層 1 3に磁気へッド 2 0力、ら光へッド、 ί立置決め用の磁界 H r (以下、

x ) が^されると、所定の礙態となる。そして、この光へッド位置決め層 1 3に対して光へッド 3 0から位置決め用の光 P r (以下、位置決め光 P r ) を照 i"ると、 ^光学効果 (K e r r効果）が生じる、この K e r r効果による検出値（検出信号）に基づいて光ヘッド 3 0を高精度に位置決めする。

ところで、磁気へッド 2 0により言^ ϋ 1 5に^ 'lff の言凝が行われる際には、磁気言某体の嫌に寄与しない上記光へッド位置決め層 1 3の磁化は可能な限り赚されてレ、ること力 S好ましレ、。

そこで、本難例の 5と光へッド位置決め層 1 3との間には所定の関係が設定されている。この点について説明する。

図 2は、第 1磁 1¾1 (光ヘッド位置決め層） 1 3及び第 2磁 |¾1 (15^18) 1 5につレ、て、 Tと «ΛΗ cとのにつヽて示した図である。なお、図 2 におレヽて、 Τを示での T c 1、 T c 2は、それ第 1磁 ftjf 1 3と第 2磁 !·生層 1 5のキュリー? を示している。また、 M s 1、 M s 2は、それぞれ第 1磁圏 1 3と第 2磁鹏1 5の飽和磁化を示している。本例の^^言置は前述したサーマルアシストを用いて„ の高曾密度化を可能とする。そのために、ま 1¾11 5は高レ權力 H eを有する磁隨料で形ることで、高い IMSらぎ性が得られるようにしている。そして、雄時には光ヘッド 3 0から霄藤アシスト用の光 Pw (以下、言ァシスト光 P w) を照射して言 5^11 5を加熱することで霄^ S 1 5の霞力 H c 2 を赚させ、磁気へッド 2 0による認が円滑に節できる状態を形^ る。そして、この言藤時では前記光へッド位置決め層 1 3の«力 H c 1はゼロに近い状態となっていること; ^好ましい。そのため^ «気言藤媒体 1 0では、記 m i 5のキュリ一 T c 2よりも光へッド位置決め層 1 3のキュリ一 fi^T c 1力 s低くなうように設定している。このようにすると、言凝時に、 t m 1 5 の腿力 H e 2を低下させるめ言凝アシスト光 Pwを光へッド 3 0力、ら照财ると、キュリー T c 2の近傍まで搬した状態では、光へッド位置決め層 1 3 の磁化をほぼ消失或レヽは極低レベルの衝態とすることができる。

したがって、本^ 例の^言^^体 1 0では、言時には光ヘッド位置決め層 1 3力らの漏; |1»が抑制されるので、纖へッド 2 0力ら'隨言のために 15^11 5へ^!合される |E»^H_Wへの影響を確実に防止できる。

そして、言において光へッド 3 0から言アシスト光 Pwが照射された際には、これにより磁気へッド 2 0からの記録磁界 Hw以下の保磁力 H c 2にまで繊されているように曹^ 11 5のキュリー T c 2力 S設定されている。すなわち、識アシスト光 Pwが照射されたときには、言職磁界 Hwと第 2磁との »は少、なくとも、 H e 2く Hwを満たすように設定されていることが望ましい。

なお、言 3^ 1 5のキュリー T c 2を高めに設定しても曹^ 11 5への記録は可能である。しかし、このキュリ一?破 T c 2が高くなり過ぎると光へッド 3 0から高レ、光エネルギを^ Tることが必要となる。さらに、消費及び光へッド 3 0の魏などの点からとなるので好ましくない。

図 1に基づいて戯言«某体 1 0の各層について説明する。この藏言纖体 1 0は、ガラス凝反 1 1上に D Cマグネトロンスパッタ法を用いて各層を賑滅膜した麵構造として形^ Tることができる。 ^^牛は、例えばスパッタガス圧が 4〜6mTo r r、室温とする。

上記ガラス蓮 11上に、光の Alt"る側から、下漏 12、第 1磁 14 (¾ へッド立置決め層） 13、中間層 14、第 2磁 , (|5¾ϋ) 15、保^ 116を J画嫩る。

図 1の磁気霄媒体 10の具体例は、下: ffi l 2として S iN層、第 1磁 Ι4ϋ 13として上記光へッド位置決め層となる GdFeS i層、中間層 14として光へッド位置決め層 13と霄 5^ 15とを戯的に分るための C _r (クロミゥム）層、言^ 115として SmCo層、さらに^ 116として言 5^115の酸ィ匕防止等のため Cr層及び C (カーボン）層を順に鎌した。

光へッド位鳅め層 13を G d F e S iで形成した:^のキュリ一 T c 1 t i 50。C、 l 5を SmC oで铖した:^のキュリ一 T c

350でである。また、これらの室温で《« Ηοは、光ヘッド位置決め層 1 3の«力 He 1力 S約 100Oe、曾 5の«力 He 2力 S約 3. 3kOe である。

また、各層の醇は、例えば S i Nの下： ¾ 12力ら、 J嗔に S i N— 70 n m、 GdFeS i— 40nm、 Cr— 50nm、 SmCo— 20nm、 Cr— 5nm、 C— 1 nmとすることができる。さらに、戯ヘッド 20による言藤 · 特性言鞭のために C層 16上に潤滑剤を脑して潤滑層 17¾^¾¾1~るの力 S望ましい。光ヘッド位置決め層 13としてガドリニウム（Gd) ½ti m m ^ カゝらなる非晶質合金薄膜を用いることができ、磁性材としての GdF e系合金を用いること力 S好ましい。ここに S iを勸卩することでキユリ一献 T c 1を調節することができる。この S i他に Crや A 1等を勸卩してもよい。また、 Nd ( ネオジゥム）等の希麵を励卩したり、 Co,Ptなどの多層膜を用いてもよい。

また、上記中間層 14として C rを用、てレ、るが、磁気言 «雄 10のを制御するために、 S i、 Cr、 Cu、 Au、 Ag、 Al、 Ti、 Ta等の^ ¾ の他に、 Y— S iO₂、 Tb-S i0₂、 A IN, A 1₂0₃などの誘電体も棚することができる。なお、ここに示した誘電体は、下漏 12にも械である。上記中間層 14は、上記光へッド立置決め層 13と上記言^ 115との的結合を^ るために形成されている。ただし、光ヘッド位置決め層 1 3と言凝層 1 5との磁気的結合が切られている状態が必要であるのは、光へッド 3 0を位置決めするとき、及 ϋ¾気へッド 2 0による 'IffRI ^^菊 ϊされるときである。すなわち、光へッド 3 0を位置決めするとき及気へッド 2 0で曾 »するときに、光へッド位置決め層 1 3と言翻 1 5とが磁気的 ¾ ^合していると、戯へッド 2 0から^ Τべき礙をより大きくする必要が生じるので、これを抑制するためである。よって、上記中間層 1 4は一般的には非磁性層である。

しカゝし、したとき:!^のときに、光へッド位置決め層 1 3と IS^l l 5と力的 ¾ ^合していると、霄^ 1 1 5の Hf iSらぎ性が向上するというメリットがある。よって、この中間層 1 4の觀的性質に変更を加えて、光ヘッド 3 0をィ置決め B寺及 « ^へッド 2 0による言には光へッド位置決め層 1 3と言翻 1 5との戯的結合を^ ®ί1~る。そして、それのときには光ヘッド位置決め層 1 3と霄^ 1 1 5と力 S磁気的合が形成されるように設計してもよい。このような構成の磁気言 Ξ¾体については、次の第 2鍾例で示す。

嫌¾^；へッド 2 0としては霄凝へッド部とへッド部とを一体匕したマー «の磁気へッドを用、ることができる。言ッド部として、トラック幅及びギャップ長が、それぞれ 2 μ πι、 0. 3 μ πιであるものを用いることができる。また、へッド¾につレヽては、トラック幅及びギヤップ長がそれそれ 1 μ m、 0. 2 μ πιであるものを用いることができる。

また、上記光へッド 3 0としては、波長 6 7 0 nm、 NA 0. 5 5のものを用レ、、 t · は 5 m/ sであるものを用レ、ることができる。

次に、上記光へッド 3 0を戯へッド 3 0の相対位置に位置決めするとき（トラッキング時）に光へッド 3 0から位置決め光 P r力 S照 J†されるときと、光へッド位置決め層 1 3及ひ ¾1 1 5の鐘力との隱を説明する。

本実施例では光へッド 3 0を位置決めするために、光へッド位置決め層 1 3からの学信号 (K e r r回）を利用する。この時、以下に述べる陣へッド 2 0からの位置決め »H r (交 « ) 、光へッド位置決め層 1 3 (D 力 H e lRmm l 5

c 2は、以下の隱を満足させなければならなレ、。 H e 1く H r <H c 2

この «カの隱を満足する限り、位置決め光 P rを照射したことによって記 m i 5に言済みの戯 '賺が消去されることはなレ、。

以上説明した本^ fe例の言^媒体 1。に関して、光へッド位置決め層 1 3 Rxn 1 5に関連して満たすべき牛は、次の通りにまとめることができる。

1 ) まず、光へッド 30の位置決めを行うことで言 eiui 1 5への影響が出なレ、ようにする。

光へッド 3 0を立置決めする際には、嫌己光へッド位置決め層 1 3に位置決め光 P rを照射した状態で、藏へッド 2 0から位置決め離 H r力 S«される。このとき、位置決め離 H rを受けた光へッド位置決め層 1 3は、磁化を回転させて所定の磁ィ態となる。よって、光へッド位置決め層 1 3の纖カ H e 1は、位置決め光 P rを照射した状態で位置決め歸 H rがされたとき磁化が回転するとする。

し力し、言^ 11 5は言 5^lf#が消去されないような高レ，力 H c 2を有していること力 S必要である。すなわち、霄^! 1 5は、光へッド位置決め層 1 3に位置決め光 P rを照 Jtした状態で位置決め »H r力 S ^されたときでも觀的に安定である力 H c 2を有すること力 S必要である。

よって、少なくとも H c 1く H rく H c 2の餅を満たすように、光へッド位置決め層 1 3RX m 1 5を設計する。

2) つぎに、言時においては光へッド位置決め層 1 3からの漏滅化を抑制する。

そのために、光へッド位置決め層 1 3のキュリ一温度 T c 1は、 IS^層 1 5のキユリ一雕 T c 2より低く設定する。そして、キユリ一 T c 2の近傍で、光へッド位置決め層 1 3 < »力 H e 1がほぼ消失しているように設定すること力子ましレヽ。すわわち、少なくとも T c 1 < T c 2である。

3) そして、光を照射したサ一マルアシストにより、記録層 1 5^実な記録力 S¾f亍されるようにする。

そのために、言に lE^li l 5に言アシスト光 Pが照された状態で磁気へッド 2 0から霄離 Hwが姆合されたとき、 H c 2く Hw、を満たすようにする。すなわち、 1^11 5の霞力 H e 2がこの餅を満たすようにキュリー赚 T c 2を設定する。

さらに、図 3により本 ¾ϋ例の磁気 ¾ ^置 1の i^ii成とヘッド 2 0及び光へッド 3 0の勵につレ、て説明する。図 3 Aは藏言^ ^置 1のプロック図及び図 3 Bは同フローチャートである。なお、図 1に示した立と同一の部位には同一の符号を付してレ、る。

図 3 A及び図 3 Bで、 m m ι oに曾職されたサーボ信号（ァドレス情報）に基づき、騰へッド 2 0は所定位置に高精度に移動されるようになっている。このへッド 2 0は麵装置 (VCM) 2 2により騰言藤媒体 1 0上部側で向に,睡される。纖へッド 2 0の位置は磁気ヘッド位織1御回路 2

4により制御されている。

このへッド 2 0に関する位織 IJ御フローは、図 3 Bの右側に示されてレゝる。

^^へッド 2 0はサーボ』御されて、磁気言裔女某体 1 0上の所定ィ立置に精度良く位置決めすることができる。

また、磁気言置 1は光へッド 3 0を上誘気へッド 2 0の相対位置に精度良く位置決めするための漏も備えている。

光へッド 3 0も光へッド睡装置 3 2により磁気應某体 1 0下部側で向に垂される。光ヘッド 3 0の位置は、上言気光学効果を利用して光ヘッド

3 0の位置に応じた信号を検出する信号検出回路 3 4と位置!^]制御回路 3 6とにより制御されている。そして、この位置 βΐ^御回路 3 6は上曾気へッド位織 IJ御回路 2 4から戯へッド 2 0の位置も検出しており、光ヘッド 3 0力 S戯ヘッド 2 0の相対位置に精度良く位置決めされるように光へッド β装置 3 2を勵制御する。

上記位置睡制御回路 3 6による垂制御には、まず磁気へッド位置制御回路 2 4からの信号を受けて觀へッド 2 0力立 "る近傍まで光へッド 3 0を移動させる丰且ィ立^^御と、信号検出回路 3 4からの検出信号を用いながら光へッド 3 0を磁気へッド 2 0の相対位置まで ΙΕ Ιに移動させるフィードパック制御とが含まれてレ、る。この光へッド 3 0の位^ J御にっレ、ては図 3 Βの左側に制御フローが示されている光へッド 3 0を位置決めする際のトラッキング作を説明する。藏へッド 2

0力 S所鎌 Ki"ると同時に、磁気へッド位織 I卿回路 2 4から位御信号が位置 «I制御回路 3 6に入力される。この ί立置垂制御回路 3 6は、まず粗位置トラッキングして^へッド 2 0が位置しているトラック近傍に光へッド 3 0を移動させる。

次に、光学へッド 3 0の位置を髓 ίはるた ¾f 置決め磁界 H rを騰へッド 2 0力ら上記光ヘッド ί立置決め層 1 3へ ^る。なお、このとき光学ヘッド 3 0から照 Jt "る位置決め光 P rと位置決め β·Η r、及び光へッド位鹭決め層 1 3の«力 H e 1とは前述した »を満たしている。

本第 ι¾ϋ例 1示した觀霄藤媒体 1 0の構成ではこのとき、言^ yp i 5と光へッド位置決め層 1 3とは磁¾3¾結合していないので、光へッド位置決め層 1 3の磁化は光へッド立置決め用磁界 H rを受けると同方向に礙転する。

なお、 m 1 5と光へッド位置決め層 1 3と力 s磁^ m結合して光へッド位置決め層 1 3の磁化が Ϊ2^ 1 5の磁ィ匕によつて藤されてレ、ると、両方の層 1 3、 1 5を合: ½た«力 H cは大きくなるので、子な検出信号寻られなレ、。図 4は、 ^霄^ ¾置 1で上記トラッキング時に得られるトラッキング信号 ( 検出信号）の嫩を示している。光学へッド 3 0力 S磁気へッド 2 0のトラック位置よりも" f bると位置決め磁界 H r力低下し、光へッド位置決め層 1 3の觀饭転する領域が低下する。これは、キャリア信号の低下となるため C/N値の低下につながる。一方、纖位置（高精度に相対した位置）のときは、磁界弓嫉あるいは光が最大となっているため CZN値が最大となる（図 5参照）。

ここで、光学ヘッド 3 0の位置を髓ィはるために、戯ヘッド 2 0からの位置決め »H rの交 «界周波数は、へッド 2 0で^; ft¾を霄^^レヽは再生する C f言号との混同謹けるため異なる周波数に設定すること力 S好ましレ、。すなわち、この交流 »周波数は任意の信号变調^:に定めてよいが、記録.再生信号周波数とそれらの高調波周とは異なる周波数を設定することが好ましい。

以上のような構成により骨でグ /1 ^ブを有さなレヽ ^^言職媒体で、へッド 2 0のネ目対 ί立置に光学へッド 3 0を高精度に位置決めすることができる。上言 ¾¾言5^置 1に関して、磁気へッド 2 0からの位置決め »H rに対して、 G d F e S iで形成した光へッド位 g¾め層 1 3からのトラッキング信号が得られるかを ¾ ^した。觀へッド 2 0の霄則へッドに周波数 5MH zの信号を入力しこのとき、位置決め»1¾ 1：» ¾4 0 0 0 6となるょぅにへッド電流を設定し、位置決め光 P rは 1 mWとした。

光へッド 3 0の位置を固定し、へッド位置を変化させた時に得られたトラッキング信号の CZNの変化を図 5に示した。図 4で示したのと同様な C/N特性が得られ、相対位置に: til位置がすること力できる。

次に、位置決め光 P rを照した齢と、照しないとで磁気言媒体 1 0に言 —ク長を固定して磁気 fffgの ΙΞ^^を行っ^ このとき、纖へッド 1 0の言ッド彻 jには、異なる周波数に設定した光へッド 3 0を位置決めするための信号（トラッキング信号）と ΙΞ^ί言号を一定の間隔で ¾Sに菊言し f o この結果、光へッド 3 0から位置決め光 P rを照してトラッキングを行い記鍋寺に言藤アシスト光 Pwを照射して言魔を行った齢の方が、位置決め光 P r を用いなかった^^と比較して S/Nで 5 d B以上高くなり、本雄例の德が脑ゝできた。

光学へッド 3 0を高精度にトラッキングするためには、光学スポットがより絞られている方が好ましい。その方法として、光ヘッド 3 0にレーザを採用し、レ一ザ波長を短くする；^ >N Aを高くすることが考えられる。

廳己光へッド位置決め層 1 3としてガドリ二ゥムを含む希土類、遷 ^からなる非晶質合金薄膜を用いることがでが、短波長化には短波; S¾M域で^ t学効果が大きくなる N d等の希を ¾¾Πしたり、 C o /P t などの多層膜が有効である。

(S2難例）

次に本発明の第 2 ¾¾¾例にっレ、て説明する。本第 2雄例では磁気記'離置に用レゝる戯譜某体が嫌己第 1雄例齢とは異なる。

図 6 ίま、第 2 例で用レヽる^ 言女某体 5 0の tE^i成を tiff己図 1と同様に示している。なお、本第 2»例の^;記'麟置の成は、嫌己第 1難例の齢と同様であるので、同" 立には図 1と同一の符号を付して識する説明は省略する。

嫌己第 1難例の戯廳某体 1 0は、光へッド位置決め層 1 3と言翻 1 5 とが常に戯的 ¾ ^合しないように、讓 I"生の中間層 1 4を間に介在させた構造である。

し力し、前述したように光へッド 3 0»{立置決め時及へッド 2 0により mm i 5への識が節されていると時を除けば、光へッド位置決め層 1 3と m l 5とが的に結合してレ、れは5^ 1 5のらぎ性が向上するというメリットを生じる。

よって、本第 2雄例で^ T戯麵某体 5 0は、第 1雄例の藏嫌媒体 1 0での非磁 I"生の中間層 1 4に替えて、所定の磁性を有する第 3磁性層 5 5が用いられている。

この第 3磁 1415 5の »力を H c 3、キユリを T c 3とし、光へッド位置決め層 1 3に位置決め光 P rを照した状態で位置決め磁界 H r力 S«されたときの騰言某体 5 0の tとしたとき、 T c 3 < t <T c lを満たすように第 3磁 14 5 5力 s設計されてレヽればよい。このような構成であれば、へッド 3 0を位置決めしてレヽるときには第 3磁 14 5 5の «力を H c 3はほぼ消失した状態となる。よって、光ヘッド 3 0を位置決め時では、図 1の藏霄藤媒体 1 0の層構成と同様の状態を形成できることになる。

また、言 «某体 5 0でも当然に、嫌碰気言媒体 1 0と同様に T c 1 <T c 2の薪を満すように設定される。よって、上記 T c 3く tく T c 1を満たせはアシスト光 Pwを照した状態で言 E«^Hw力合される霄^! 1 5への言には第 3磁 5 5の保磁力 H c 3は^:に消失した状態であり全く問題とならない。

本難例の戯言某体 5 0の構成による利点は、 1 5に識された磁気'! f#が光ヘッド位置決め層 1 3まで合によって転写される点である。そのために、実質的に言^!力 S厚くなる。そのため、

( 1 ) t B rで示される信号が増加する、

(ただし、 t ： m\ ^ , B r ： am化である） (2) Bf^らぎ性が向上する、

という新たな効果を得ることができる。

図 6を参照して、磁気言凝媒体 50の具体的な層構成を説明する。下漏 12 として S i N層、第 1磁 14 Ofeへッド位置決め層） 13として GdF e S i層、第 3磁 |4ϋ55として DyFeCo層、第 2磁 Ι4ϋ (言 5^ ) 15として TbF e C o層を形成し、 15の酸化防止などのための 16として C r及ぴ c層を) ιΐ¾¾¾ϋした。

GdFe S iで形成した光へッド位置決め層 13、 DyFeCoて ^ ^成した第 3 55および TbFeCoで缄した^ 115のキユリ一？ ¾T cは、それそれ180°C、約 120°C、約 300°Cと設定した。また、室温での難力は、光へッド ί立置決め層 13が約 200Oe、第 3磁圏 55力約 100Oe、 15力 S約 3 k O eとした。さらに、各層の麟は S i Nの下漏 11から順に、 S iN—70nm、 GdFeS i_40nm、 DyFeCo— 40nm、 TbFeCo— 40 nm、 Cr— 5nm、 C—lnmとした。

本難例の磁気 ΙΞ^媒体 50で、位置決め光 P rを 1. 2 mWとして、第 1実施例と同様な籠を行っ^ その結果、図 5と同様の結果が得られ、 ^m m

^体 50によっても、第 1¾¾例の^Ξ^女某体 10と同様に光へッド 30を磁気へッド 20の相対位置に位置決めできることを麵し^

以上説明した本発明の難例によれば、光学へッド 30が戯へッド 20に相る髓位置へ精度良く位置決めできる。よって、戯へッド 30で所定の磁気' を言 S^® 15に曾 Β^Τる際にサーマルアシストによる効果を ¾¾【^J 用できる。よって、より高言藤密度化が可能な磁気言 2^置となる。

また、中間層を讓 I¹生から所定の^ ί牛を満たす磁 Ι4ϋに変え、光へッド位置決め層 13と ΐΞ Ι 15との間に磁気的她齢を生じさせるには、而醫らぎ性をさらに向上させた^^言藤媒体とすることもできる。

なお、 Stit己ィ置決め用磁 13は、 z少なくとも lift己光へッド 30を位歡めの際にその藤対にして方向に磁織方性を有しているように形^ "ることで、譜 B^i¾学効果の検出の高感度化を図ることができる。

また、上記実施例では »を生成するための交流周波数を変えて 1つのへッド 2 0力ら、位置決め rと |5« H_Wとをにして、る。しかし、位置決め磁界 H rを働る位置決め用磁気ヘッドを別に設けてもよい。この^ \言職アシスト光 Pwを照 Jil"る光へッドについても位置決め用光へッドを別に設けることで、光へッド 3 0の位置決めを新しながら磁 14® 1 5への記録をできる構成となる。

以発明の好ましレ、難例にっレ、て詳述したが、本発明は係る特定の^ W 態に限定されるものではなく、請求の範囲に纖された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形'変更が可能である。

以上詳述したところから明らカゝなように、本発明によれば、磁気霄媒体にサ —マルアシスト擬を用いて藏酶の認を行う細こ関してへッド位置に対して光ヘッドを高精度に位置決めできる。よって、藏識媒体に戯 'iffg を高感度に言藤し、これをできるのでさらに高言藤密度ィ - ることができる。

Claims

請求の範囲

1. 磁気へッドにより纖言藤媒体の言 e Uiに藏'賺を^ rる際に、光へッドから照射した光で嫌己言麵を加熱しながら窗魔を行う磁言應媒体の記録方法であって、

廳気媒体が嫌己光へッドの位離めに用いる、纖を有する位置決め用磁隨を備えており、

磁気言某体上の所^ ί立置に磁気へッドを移 SrTる第 1ステップと、嫌 B^iへッドから tiflE位置決め用磁隨へ、魔己光へッドを位置決めするための位置決め rを働る第 2ステップと、

歸己光へッドから該光へッドを位置決めするための位置決め光 P rを出力して ΙίίΐΒ位置決め磁界 H rにより磁化された嫌己位置決め用磁 Ι4ϋとの間で^^ 効果を生じさせ、学効果による検出値に基づいて tiff己光へッドを ΙΕ^ 気へッド位置に相 "るように制御する第 3ステップと ¾ ^t？、

ことを赚とする戯言凝媒体の言方

2. 請求項 1に鍵の藏雄媒体の霄^ T法にぉ、て、

tfilB第 3ステップは、編 ¾ へッドに相肘る位置の近傍まで ΙίίΙΒ光へッド力 s移動された後に節される、ことを赚とする觀言繊某体の言藤

3. 請求項 1又は 2に霄織の磁気言膽媒体の言方法にぉレヽて、

謙己第 3ステップの後に、嫌気ヘッドから讎己 ΐΞ^ϋ気' it¾を » るための言磁界 Hw及ひ窗己光ヘッドから嫌己言^ ϋを加熱するための識ァシスト光 P wが働合されて tuts言^) iHt ^'隨の言藤を行う第 4ステップが含まれ、

編己位置決め磁界 H r及置決め光 P rは、觸 5|E« Hw及 O藤ァシスト光 P wのぞれぞれょり小さいエネルギを用レ、る、ことをとする言 5® 媒体の識方

4. 請求項 1から 3のレかに繊の藏言凝媒体の言^^法にぉレヽて、嫌己位置決め磁界 H rを^ Tるために用いる交流周波数は、 ΙΐίΙΒΙ^ ^ 気 ft#を ΐ»τる際に tfHB言 e« H_Wを^ rるための交流周波 «びその磁気'賺を½する際に用いる交流周波数とは異なるよう設定されている、ことを mとする ^！媒体の言藤

5. 磁気言媒体と、言藤媒体の iB ^iに騰 '歸を言 s^ る磁気へッドと、 «気へッドを嫌某体上の所立置に移動させるへッ K睡睡手段と、嫌 Ε^ 言凝媒体を間にして ttftE^へッドと相 ¾~rる位置に配置され、

Sift己雄の際に嫌己曾翻に光を照射して加熱する光へッドと、該光へッドを前曾気へッドと相 ¾ "る位置に移動させる光へッド勵睡手段とを、有する磁気言置であって、

m m IS光へッドを ΙΒ^ へッドと相^ ~る位置に位置決めする際に用いる、磁性を有する位置決め用磁隨を含み、

嫌己位置決め用磁 14 の觀態に基づレ、て生じる磁^;学効果を用レ、て、前記光へッド立置

を含む、

6. 請求項 5に纖の麟言置にぉ、て、

ΙΐίΙΕ光へッド位翻は、嫌應気へッドから謝己位置決め用磁圏へ前記光へッドを位置決めするための位置決め rを供^ る位置決め磁界脚合手段と、 Ιίίΐ己光へッドから該光へッドを位置決めするための位置決め光 P rを発生させる位置決め光発生手段と、嫌己位置決め光 P rと嫌己位置決め ^^H rにより磁化された fflS位置決め用磁 Ι4ϋとの間で生じる磁^^学効果の検出値に基づいて鍵己光へッドを嫌 Βί^へッド ί立置に相るように tiff己光へッド！ ¾¾駆動手段を制御する光ヘッド、位置決め手段とを含む、ことを ί敷とする言

7. 請求項 6に滅の^ 置にぉレヽて、嫌己位置決め磁界合手段は、嫌己言翻^^'隨を!^するための言藤磁界合手段を兼ね、異なる交流周波数を用いて tfit己位置決めと言 Hwとを ^"する、ことを«とする言 8. 請求項 6又は 7に I ^の置において、

tiff己位置決め光発生手段は、 ΙίίΙΒ言を加熱するための言アシスト光発生手段を兼ね、位置決め光 P rは言アシスト光 Pwより弱レヽ光エネルギを用いて発生させる、ことを糊敷とする^ 9. 磁性を有する fg^Pと、

光へッド位置決め用に設けた磁性を有する位置決め用磁 ¾ϋと、

嫌己言 s uiと嫌己位置決め用磁との間に形成され、 tin己光ヘッド位纖めのときには^ ΙΞ^ と位置決め用磁 Ι4ϋとの藏的結合が生じてレ、なレ、状態を形る中間層とむ、

ことをとする^ ff^

1 0. 請求項 9に識の戯言媒体にお!/、て、

lift己 ί立置決め用磁 I·生層のキュリ一温度を T c 1、前記記録層のキュリ一温度を T c 2としたときに、 T c l <T c 2の^ ί牛を満たす、ことを W [とする戯記録媒体。

1 1. 請求項 1 0に繊の言礙媒体にぉレヽて、

鍵己位置決め用磁 14 ©»力を H c 1、嫌己霄^!^磁力を H c 2としたときに、 H c l <H c 2の条件を満たし、 tfrlEキュリ一鍵 T c 2の近傍及びこれょり高レ、では嫌己霞力 H c 1がほぼ消失するように設定されている、こ

1 2. 請求項 9に纖の戯調某体にぉレ、て、

1 3. 請求項 9に識の觀麵某体にぉレ、て、

嫩己中間層は、嫌己位置決め用磁蜩©«力を H e 1より弱！/ カ H e 3 を有し、 tfff己位置決め用磁のキュリー滅 T c 1の近傍及びこれより高い温度で、 ttif己位置決め用磁の磁化がほぼ消失するように設定されている、ことを赚とする戯講某

1 4. 請求項 9に識の磁気識媒体にぉレ、て、

tiflE光へッドを位置決めする際に働合される位置決め離 H rに対して、嫌己位置決め用磁の難力を H e 1及 Όΐΐίΐ己言^!の難力を H e 2は、次の関係、 H e 1く H rく H e 2を満たすように設定されている、ことを赚とする磁気雄媒

1 5. 請求項 9力 1 4のレゝ 1¾かに纖の磁気霄藤媒体にぉレ、て、

嫌己位置決め用磁隨は、少なくとも編己光へッド位置決めの際には麵に垂長方向に磁方性を有している、ことを賺とする戯言 MS体。