WO2002038324A1 - Dispositif d'usinage optique - Google Patents

Dispositif d'usinage optique Download PDF

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Koji Fujii
Kazushige Hirasawa
Dokei Nagayasu
Makoto Ryudo
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Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02407—Active cooling, e.g. the laser temperature is controlled by a thermo-electric cooler or water cooling

Definitions

  • the present invention relates to an optical processing device that processes a workpiece with laser light.
  • the conventional optical processing device shown in Fig. 2 condenses the light emitted from the semiconductor laser 101, which converts electrical energy (without describing the electrical circuit) into optical energy and outputs it. Irradiate 1 1
  • the output end face 102 of the semiconductor laser 101 and the surface of the lens group 105 forming the condensing optical system are used in order to make effective use of the generated optical energy.
  • a conventional processing apparatus has a desiccant 113 provided in a closed room 103 in which a semiconductor laser 101 and a lens group 105 are installed. Water droplets and other contaminants are prevented from adhering to the surface of the output end face 102 of 1.
  • the shielding gas 110 is generally supplied using a side nozzle 108 attached at a different position and angle from the optical processing device.
  • the semiconductor laser 101 and the lens group 105 are large heating elements.
  • the semiconductor laser 101 mainly uses a water-cooled structure, and also uses an electronic cooling system using the Peltier effect.
  • lens group 105 fix the lens during processing
  • the temperature of the case 104 changes greatly, the positional accuracy and optical accuracy of the lens group 105 for condensing light are affected by the temperature change, and the light collecting performance, that is, the processing performance is changed.
  • the cover glass 107 is added to the lens group to protect the lens group 105 from contaminant gas such as fumes and dust generated from the processing portion 112 of the workpiece 111. Installed.
  • the mounting angle 0 of the side nozzle 1 08 that supplies the shielding gas 1 10 that protects the processing section 1 1 2 of the work 1 1 1 from the surrounding air 0, the distance d from the processing section, the processing direction X and the side nozzle 1
  • the surrounding air may be entrained, and the processed portion 112 may not be shielded well.
  • a water-cooled structure is mainly used for the semiconductor laser 101 in order to reduce the temperature of the optical processing apparatus.
  • the temperature gradient between the cooling end inside the semiconductor laser 101 and the heat source increases, and the heat source, that is, the light emitting unit temperature rises, and the semiconductor laser 1 01
  • the life of 1 may be adversely affected.
  • the optical processing device has a laser light source, a case in which the laser light source is housed and an inlet for introducing gas and an outlet for discharging gas are formed, and the path of laser light emitted from the laser light source.
  • the lens includes a lens disposed thereon, a lens holder that holds the lens, and a tube that covers an outer periphery of the lens holder and that forms a gap through which gas flows between the lens holders.
  • FIG. 1 is a sectional view showing an internal configuration of an optical processing device according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part illustrating an internal configuration and a processing state of a conventional optical processing apparatus.
  • the optical processing apparatus uses a shielding gas 10 for welding mainly composed of argon or nitrogen for processing.
  • the gas 10 entered from the gas inlet 9 serving as the gas inlet enters the room 3 and passes through the semiconductor laser 1 which is a water-cooled laser-light source and the surrounding optical system. After that, the gas 10 passes through a slit 14 provided as a gas discharge port provided around the lens holder 6, flows through the gap between the case 4 and the lens holder 16, and is rectified by the nozzle 8 before the work 11 It flows out to cover the processed part.
  • a shielding gas 10 for welding mainly composed of argon or nitrogen for processing.
  • the dry state can be constantly maintained in the room 3, and a dustproof effect can be obtained.
  • the gas 10 deprives the heat generated by the semiconductor laser 1 and the surrounding optical system, and the cooling action is further improved by adding the air cooling action as compared with the case where the semiconductor laser 1 is cooled only by water cooling. .
  • the gas 10 flows around the lens holder 6, and the temperature rise of the lens holder 8 is suppressed by the air cooling action, so that the accuracy of the optical system can be maintained.
  • the flow path of gas 10 is changed by the nozzle 8, and part of the gas 10 is covered by the cover glass 7 that protects the lens surface from contaminant gases such as fumes generated from the processing section 12 and particles generated by dust and the like. Flows along the surface. Therefore, gas 10 prevents contaminant gases and generated particles from reaching the surface of cover glass 7, Since the surface contamination is prevented, the processing performance of the apparatus is stabilized.
  • the gas 10 is emitted from the nozzle 8 coaxially with the light condensed and irradiated by the lens group 5 and is sprayed onto the work 11 to evenly shield the processing portion 12. Therefore, a stable shielding effect that is less affected by the processing direction and the processing distance can be obtained.
  • the semiconductor laser and the optical system around the semiconductor laser can always be operated in a clean gas, so that the moisture resistance and the dust resistance are improved, and the reliability is improved.
  • the heat generated by the semiconductor laser and the surrounding optical system can also be air-cooled by the gas, so the life is improved compared to a device that only uses water-cooling for cooling.
  • the optical accuracy can be maintained by air cooling the optical system, and the processing performance is stabilized.
  • contaminant gas and contaminant particles generated from the processing section are prevented from reaching the surface of the optical processing device, and maintenance man-hours and costs are reduced. Further, the processing quality is improved because the processing portion is reliably shielded by the processing gas.

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Description

明細書 光加工装置 技術分野
本発明はワークをレーザ光で加工する光加工装置に関する。 背景技術
図 2の従来の光加工装置は電気エネルギー （電気回路は記載せず） を光ェネル ギ一に変換して出力する半導体レーザー 1 0 1から出る光を集光し、 この光をヮ —ク 1 1 1に照射する。 加工用途に使用される光加工装置では、 発生した光エネ ルギーを有効に利用するために半導体レーザー 1 0 1の出力端面 1 0 2と、 集光 光学系を構成するレンズ群 1 0 5の表面に光の反射防止のため特殊な表面処理が 施されている。 この表面に例えば結露などで水滴が付着すると、 半導体レーザー 1 0 1の出力端面 1 0 2およびレンズ群 1 0 5の表面にダメージを受け、 十分な 出力が得られなくなる。
こうした問題を防止するため従来の加工装置は半導体レーザー 1 0 1およびレ ンズ群 1 0 5を設置した密閉状の室内 1 0 3に設けられた乾燥剤 1 1 3を有し、 半導体レーザー 1 0 1の出力端面 1 0 2の表面に水滴等汚染物が付着しないよう にしている。
集光された光を接合等の加工に用いる場合、 ワーク 1 1 1の加工部 1 1 2を周 辺空気より保護するシールドガス 1 1 0を供給する必要がある。 そのため光加工 装置とは別の位置、 角度に取り付けられたサイドノズル 1 0 8を用いてシールド ガス 1 1 0が一般的に供給される。
半導体レーザ一 1 0 1とレンズ群 1 0 5は大きな発熱要素である。 特に半導体 レーザー 1 0 1には主に水冷構造が用いられ、 他にペルチェ効果を利用した電子 冷却方式も使われている。 レンズ群 1 0 5において、 加工中にレンズを固定する ケース 1 0 4の温度が大きく変化すると、 その温度変化により光を集光するレン ズ群 1 0 5の位置精度、 光学精度が影響を受け、 集光性能すなわち加工性能が変 化する。 このためレンズ群 1 0 5の一部が水冷されている加工装置もある。 また、 加工中、 ワーク 1 1 1の加工部 1 1 2より発生するヒューム等の汚染ガ ス、 ちり等の発生粒子からレンズ群 1 0 5を保護するためカバ一ガラス 1 0 7が レンズ群に取り付けられている。
従来の加工装置の防湿、 防塵方法では室内 1 0 3の密封性を上げる必要がある ため、 半導体レーザー 1 0 1とレンズ群 1 0 5を収納した光加工装置の構造が複 雑になる。 且つ乾燥剤 1 1 3を定期的に交換する必要があるなどその加工装置の 取り扱いが煩雑になる。
また、 ワーク 1 1 1の加工部 1 1 2を周辺空気より保護するシールドガス 1 1 0を供給するサイドノズル 1 0 8の取り付け角度 0、 加工部よりの距離 d、 加工 方向 Xとサイドノズル 1 0 4の為す角度ァによっては周辺空気の巻き込みが発生 し、 加工部 1 1 2を良好にシールドできない場合がある。
加工中、 光加工装置の温度を低減するため、 半導体レーザー 1 0 1には水冷構 造が主に用いられている。 他の冷却方式においても室内 1 0 3の温度が上昇する と半導体レーザー 1 0 1内部の冷却端と発熱源の間の温度勾配が大きくなり発熱 源、 すなわち発光部温度が上昇し、 半導体レーザー 1 0 1の寿命に悪影響を与え る場合がある。
また、 レンズ群 1 0 5を水冷する場合は水密性の確保、 構造の複雑化、 それに 伴う加工コスト上昇等の問題によりレンズ群 5の全部を冷却することは困難であ り、 加工性能を安定に保つには限界があった。 また、 カバーガラス 1 0 7は直接 汚染ガスや発生粒子にさらされて急速に汚染されるので、 加工性能の低下防止の ため早期の交換が必要となり、 その工数、 費用が問題となる。 発明の開示
取扱が容易で加工性能の良い光加工装置を提供する。 その光加工装置はレーザ一光源と、 内部にレーザ一光源を収容し、 ガスを導入 する導入口とガスを排出する排出口とが形成されたケースと、 レーザー光源から 射出されるレーザー光の進路上に配置されたレンズと、 レンズを保持するレンズ ホルダーと、 レンズホルダーの外周を覆う、 レンズホルダーの間にガスが流れる 空隙を形成する筒とを備える。 図面の簡単な説明
図 1は本発明の実施の形態による光加工装置の内部構成を表す断面図である。 図 2は従来の光加工装置の内部構成と加工状態を説明する要部の断面図である。 発明を実施するための最良の形態
本発明の実施の形態における光加工装置を図 1で説明する。 光加工装置は加工 のためにアルゴンや窒素を主成分とした溶接用のシールドガス 1 0を用いる。 ガ スの導入口となるガスインレツト 9から入ったガス 1 0は室内 3に入り、 水冷さ れたレ一ザ一光源である半導体レーザー 1および周辺の光学系を通過する。 その 後ガス 1 0はレンズホルダー 6の周辺に設けられたガスの排出口となるスリツト 1 4を通り、 ケース 4とレンズホルダ一 6の空隙を流れ、 ノズル 8で整流された 後ワーク 1 1の加工部を覆うように外部に流出する。 '
ガス 1 0は精製されることで室内 3で常に乾燥状態を維持でき、 防塵効果が得 られる。 それと共に、 ガス 1 0は半導体レーザー 1および周辺の光学系で発生す る熱を奪い、 半導体レーザー 1の冷却を水冷のみで行う場合に比較し、 空冷作用 が加わることにより更に冷却作用が向上する。 さらにガス 1 0はレンズホルダー 6の周囲に流れ、 空冷作用によりレンズホルダー 8の温度上昇を抑え、 光学系精 度を維持できる。 ノズル 8によりガス 1 0の流れる進路は変化し、 ガス 1 0の一 部は加工部 1 2から発生するヒューム等の汚染ガス、 ちり等の発生粒子からレン ズ表面を保護するカバ一ガラス 7の表面に沿って流れる。 したがってガス 1 0は 汚染ガスおよび発生粒子がカバーガラス 7の表面へ到達することを防ぎ、 ガラス 表面の汚染を防止するので装置の加工性能が安定する。
ガス 1 0はレンズ群 5で集光されて照射される光と同軸でノズル 8より噴射さ れてワーク 1 1に吹き付けられ、 均等に加工部 1 2をシールドする。 したがって 加工方向、 加工距離等の影響が少ない安定したシールド効果が得られる。 産業上の利用可能性
本発明の光加工装置では半導体レーザーおよびその周辺の光学系が常に清浄な ガス中で作動できるので防湿性、 防塵性が向上し、 信頼度が向上する。 半導体レ 一ザ一および周辺の光学系で発生する熱もガスにより空冷できるので水冷方法に よる冷却にのみの装置に比較し寿命も向上する。
また、 本発明の光加工装置では光学系を空冷することで光学精度が維持でき、 加工性能が安定する。
また、 本発明の光加工装置では、 加工部より発生する汚染ガスや汚染粒子が光 加工装置表面に到達するのが防止され、 メンテナンス工数、 費用が低減する。 更に、 加工部が加工ガスで確実にシールドされるので加工品質が向上する。

Claims

請求の範囲
1 . レーザー光源と、
内部に前記レーザー光源を収容し、 ガスを導入する導入口と前記導入され たガスを排出する排出口とが形成されたケースと、
前記レーザー光源から前記ケースを経て射出されるレーザー光の進路上に 配置されたレンズと、
前記レンズを保持するレンズホルダーと、
前記ケースに接続されて前記レンズホルダーの外周を覆い、 前記レンズホ ルダ一との間に前記排出されたガスが流れる空隙を形成する筒と
を備えた光加工装置。
2 . 前記筒の前記レーザ光の射出部分で接続され、 前記射出部分よりも径の小さ い先端を有するノズルをさらに備え、 前記空隙を流れる前記ガスは前記ノズル内 に流れる、 請求の範囲第 1項記載の光加工装置。
3 . 前記ノズルは前記ガスが前記筒の前記射出部分に沿って流れる形状を有する、 請求の範囲第 2項記載の光加工装置。
4 . 前記ガスは前記レーザー光の射出方向と同一方向に前記ノズルから流出する、 請求の範囲第 2または 3項に記載の光加工装置。
5 . 前記レンズホルダーと前記筒は円筒形状を有し、
前記ノズルは前記先端に開口部を有する円錐形状を有し、 前記レーザー光 の前記筒での前記射出部分を覆う、 請求の範囲第 2から 4項の何れかに記載の光 加工装置。
6 . 前記ガスは溶接用シールドガスである、 請求の範囲第 1から 5項の何れかに 記載の光加工装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020054593A1 (ja) * 2018-09-13 2020-03-19 パナソニック株式会社 光学装置
CN111717352A (zh) * 2020-06-28 2020-09-29 南京信息工程大学 一种水下机器人自动烘干系统

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2846581B1 (fr) * 2002-10-31 2006-01-13 Usinor Procede et dispositif de pointage d'un jet fin de fluide, notamment en soudage, usinage, ou rechargement laser
US7060932B2 (en) 2003-03-18 2006-06-13 Loma Linda University Medical Center Method and apparatus for material processing
US7057134B2 (en) * 2003-03-18 2006-06-06 Loma Linda University Medical Center Laser manipulation system for controllably moving a laser head for irradiation and removal of material from a surface of a structure
US7286223B2 (en) * 2003-03-18 2007-10-23 Loma Linda University Medical Center Method and apparatus for detecting embedded rebar within an interaction region of a structure irradiated with laser light
US7379483B2 (en) * 2003-03-18 2008-05-27 Loma Linda University Medical Center Method and apparatus for material processing
US7038166B2 (en) * 2003-03-18 2006-05-02 Loma Linda University Medical Center Containment plenum for laser irradiation and removal of material from a surface of a structure
US7880116B2 (en) * 2003-03-18 2011-02-01 Loma Linda University Medical Center Laser head for irradiation and removal of material from a surface of a structure
JP2005088052A (ja) * 2003-09-18 2005-04-07 Disco Abrasive Syst Ltd レーザー加工装置
JP2006049605A (ja) * 2004-08-05 2006-02-16 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体レーザ装置
EP1657020A1 (de) * 2004-11-10 2006-05-17 Synova S.A. Verfahren und Vorrichtung zur Optimierung der Kohärenz eines Flüssigkeitsstrahls für eine Materialbearbeitung und Flüssigkeitsdüse für eine solche Vorrichtung
KR101352895B1 (ko) * 2005-12-01 2014-02-19 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 레이저 마이크로기계가공 응용제품들에 있어서 광학컴포넌트 청결 및 파편 관리
JP4840110B2 (ja) * 2006-03-09 2011-12-21 日産自動車株式会社 レーザ溶接装置およびレーザ溶接方法
CN100463977C (zh) * 2006-07-31 2009-02-25 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所 大气环境下激光表面改性气体保护方法及装置
TWI341242B (en) * 2007-07-31 2011-05-01 Nat Applied Res Laboratories Device for cutting brittle material
JP4657267B2 (ja) * 2007-08-10 2011-03-23 トヨタ自動車株式会社 レーザ溶接検査装置
FR2940154B1 (fr) * 2008-12-23 2011-02-25 Commissariat Energie Atomique Avaloir d'aspiration de particules fines et dispositif d'ablation laser d'une couche superficielle d'une paroi comprenant un tel avaloir
DE102009008232A1 (de) * 2009-02-10 2010-08-19 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Einrichtung und Verfahren zur Anbindung einer optischen Messeinrichtung an ein Messvolumen
DE102011016932A1 (de) * 2011-04-13 2012-10-18 Precitec Kg Kassette zur Halterung einer Optik in einem Laserbearbeitungskopf
CN102699529A (zh) * 2012-05-30 2012-10-03 深圳市华星光电技术有限公司 改进的激光退火设备
CN104174993A (zh) * 2013-05-23 2014-12-03 深圳市通发激光设备有限公司 具有自动消除固体激光器热透镜效应装置的激光焊接机
CN103521921B (zh) * 2013-10-29 2016-06-22 西安炬光科技股份有限公司 一种高功率半导体激光器加工系统
CN103537795B (zh) * 2013-10-29 2016-03-30 西安炬光科技股份有限公司 高功率半导体激光器加工系统
DE102014201763A1 (de) * 2014-01-31 2015-08-06 Siemens Aktiengesellschaft Probenaufnahme für eine Messeinrichtung zum Messen einer Staubprobe
US10464167B2 (en) * 2014-07-15 2019-11-05 Toyokoh Co., Ltd. Laser irradiation apparatus
JP2016225527A (ja) * 2015-06-02 2016-12-28 株式会社リコー レーザ発光装置、エンジン点火プラグシステム
JP6166310B2 (ja) * 2015-06-11 2017-07-19 ファナック株式会社 レーザ発振部、空気冷却機、および除湿器を共通の冷却水にて冷却するレーザ装置
US11285566B2 (en) * 2017-03-14 2022-03-29 Honda Motor Co., Ltd. Laser machining apparatus
JP7004381B2 (ja) * 2017-03-22 2022-01-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 描画装置、及び描画装置の汚染防止方法
JP6659745B2 (ja) * 2018-02-16 2020-03-04 ファナック株式会社 アシストガスを整流する機能を有するレーザ加工ヘッド
JP6852031B2 (ja) * 2018-09-26 2021-03-31 株式会社東芝 溶接装置及びノズル装置
JP6986165B2 (ja) * 2018-10-05 2021-12-22 英弘精機株式会社 気象観測用ライダー
DE102019103659B4 (de) * 2019-02-13 2023-11-30 Bystronic Laser Ag Gasführung, Laserschneidkopf und Laserschneidmaschine
JP7362409B2 (ja) * 2019-10-17 2023-10-17 キヤノン株式会社 照明装置およびカメラシステム
CN111541146A (zh) * 2020-05-13 2020-08-14 山西烽通光电技术有限责任公司 一种高效散热的半导体激光器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61216380A (ja) * 1985-03-20 1986-09-26 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レ−ザ光源装置
JPH10180476A (ja) 1996-12-26 1998-07-07 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 水中レーザトーチ
JP2001358397A (ja) * 2000-06-15 2001-12-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザ加熱装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3696230A (en) * 1970-01-19 1972-10-03 Hughes Aircraft Co Laser lens cooling and cleaning system
JPS56102392A (en) * 1980-01-22 1981-08-15 Nec Corp Laser working optical device
JPS58128781A (ja) * 1982-01-27 1983-08-01 Hitachi Ltd レ−ザ発生装置
CA2034551C (en) * 1990-01-29 2000-08-01 Henry Kobsa Method for laser cutting metal plates
CN2108601U (zh) 1991-12-25 1992-07-01 华中理工大学 激光加工机透镜辅助气体冷却装置
DE4339628C2 (de) * 1993-11-20 2003-04-10 Ismar Maschinen Gmbh Knetvorrichtung
NZ272635A (en) 1994-08-02 1998-02-26 Mcneil Ppc Inc Laser cutting/drilling processing head that creates a vortex gas flow within the head to clean and prevent back spatting of particles onto the lens therein
JP3237441B2 (ja) * 1995-02-28 2001-12-10 三菱電機株式会社 レーザ加工装置
US5898522A (en) * 1995-10-06 1999-04-27 Herpst; Robert D. Protective window assembly and method of using the same for a laser beam generating apparatus
JP2001030199A (ja) * 1999-07-16 2001-02-06 Olympus Optical Co Ltd レーザープローブ

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61216380A (ja) * 1985-03-20 1986-09-26 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レ−ザ光源装置
JPH10180476A (ja) 1996-12-26 1998-07-07 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 水中レーザトーチ
JP2001358397A (ja) * 2000-06-15 2001-12-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd レーザ加熱装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1332829A4

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020054593A1 (ja) * 2018-09-13 2020-03-19 パナソニック株式会社 光学装置
US11476639B2 (en) 2018-09-13 2022-10-18 Panasonic Holdings Corporation Optical apparatus
US11894653B2 (en) 2018-09-13 2024-02-06 Panasonic Holdings Corporation Optical apparatus
CN111717352A (zh) * 2020-06-28 2020-09-29 南京信息工程大学 一种水下机器人自动烘干系统
CN111717352B (zh) * 2020-06-28 2021-03-23 南京信息工程大学 一种水下机器人自动烘干系统

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