WO2001078041A1 - Bauelement mit beschriftung - Google Patents

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WO2001078041A1
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contrast
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cover layer
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Alois Stelzl
Hans Krüger
Ernst Christl
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Epcos Ag
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Definitions

  • the invention relates to a component, in particular a miniaturized passive component.
  • a label In order to identify electrical, electronic and in particular passive components, these are usually provided with a label. This can provide information about the manufacturer, the type or the specifications of the component and, if applicable, the serial number or article name. Larger components that have sufficiently large areas for receiving a label can be printed in a simple manner, for example by means of screen printing. For smaller components with dimensions of e.g. below 1mm there is not enough printable area available for the creation of a label. Alternatively, these components can be labeled using a laser, which enables even the smallest font sizes to be created.
  • laser labeling can only be used to create labels that are difficult to read or not at all, since there can be no sufficient contrast created by material removal.
  • contrast layer that are easy to apply and that have a good optical contrast to the metallic cover layer can be used for the contrast layer.
  • contrast layers that are compatible with the manufacturing steps of the component are easy to apply.
  • cover layers are particularly preferred, the application of which can be introduced seamlessly into the manufacturing process of the component and which in particular can use the same apparatus that is required for previous method steps in the production of the component.
  • the contrast layer is produced immediately after the production of the metallic cover layer, the contrast layer preferably also being a metallic layer which differs from the metallic cover layer in terms of its optical properties.
  • the contrast layer preferably also being a metallic layer which differs from the metallic cover layer in terms of its optical properties.
  • a distinction between two metallic layers can be achieved, for example, via the reflection behavior of the metallic layers, which is particularly dependent on the modification or fine structure of the layer.
  • the color of the contrast layer can differ from the metallic cover layer or metals of different colors can be used for the layers.
  • contrast layer other materials can be selected for the contrast layer, for example lacquer layers and in particular colored, especially black colored lacquer layers.
  • lacquer layers and in particular colored, especially black colored lacquer layers.
  • Purely metallic layer combinations produced one above the other, in which a good optical contrast can be produced by laser inscription, and which can be applied serially and in particular using the same or similar device, are for example:
  • Preferred layer combinations are those which comprise two different modifications of the same metal. These are generated in particular by different manufacturing conditions.
  • the composition or the corresponding optical layer properties can be set by varying the process parameters or deposition conditions.
  • Layer sequences which can be applied in series and comprise a metal layer (also a covering layer), which form an optical contrast to one another and which can be inscribed or removed with a laser, are also the following measurements. tall / metal combinations, which are characterized by different metal colors:
  • the same deposition conditions are preferred for these differently colored metal layer combinations, of which at least the lower layer can be the metallic cover layer or part of the metallic cover layer.
  • the contrast is generated solely by differently colored metal layers or the metal layer regions remaining after the laser inscription, a reflection contrast can be produced in addition to the color contrast. It is preferred if the upper layer (contrast layer) is poorly reflective, while the lower layer, which can be exposed by laser inscription, is good reflective
  • An electrophoretic process is also suitable for applying a contrast layer consisting of lacquer and in particular black lacquer.
  • a number of different varnishes are suitable for these, the material or composition of which, apart from the contrast, are otherwise subject to little or no requirements.
  • the invention is advantageously used for components which have or require a metallic cover layer as a functional layer.
  • a metallic cover layer can be, for example, a metallic cover cap.
  • the metallic cover layer can also be a metal lical housing or part of such, in which any component is arranged.
  • Metallic cover layers are also used in particular as shielding layers against electromagnetic radiation. Such shielding may be necessary to prevent the radiation of electromagnetic radiation from the component itself.
  • a component is possible which has a metallic cover layer which serves to shield electromagnetic radiation acting from the outside, in particular if the component is sensitive to the electromagnetic radiation.
  • the components are therefore preferably components operated at high frequency, in particular surface-wave components for the HF range.
  • FIG. 1 shows components mounted on a carrier with a multilayer metallization in a schematic cross section
  • FIG. 2 shows a schematic cross-section of an inscription generated in the multilayer metallization.
  • FIG. 1 The invention is preferably used for surface wave components, in particular surface wave filters, which are applied to base substrates 2 using flip-chip technology.
  • the piezoelectric component substrate 1, which carries the active component structures 6, is connected to the panel 2 via suitable solder connections 5, in particular via bumps face-down, so that the component structures between the component substrate and the panel are arranged in a protected distance from the latter , Several components are preferably on one panel applied and only separated after completion of all cover layers.
  • the active component structures 6 can also be covered with a covering cap 7, which is produced directly on the surface of the component substrate 1 (chip) in an integrated method designated by the applicant as PROTEC. This leaves a clear cavity above the component structures 6, which mechanically protects them during the process.
  • the bumps 5 connect the connection pads 9 on the chip 1, which are electrically conductively connected to the active component structures 6, to the underbump metallization on the base 2.
  • Via vias 3 in the panel an electrically conductive connection to the connection metallizations 10 on the Manufactured underside of the panel 2, with the aid of which the component can be connected to a circuit in SMD construction, for example, generated on a circuit board or a module.
  • the panel is made of plastic or ceramic and preferably has two layers. This creates a metallization level between the layers, so that conductor tracks can be routed without crossing. In addition, this allows through-contacts 3 which are laterally offset from one another and which, in contrast to through-contacts which lead straight through the panel 2, can be produced in a hermetically sealed manner.
  • a metallic layer comprising several layers 11, 12, 13, 14 is applied on the back of the component substrate in such a way that it hermetically seals against the panel 2 and thus hermetically seals the entire component.
  • an underfiller 15 can be applied as a seal, which surrounds the component substrate 1 in a ring and closes the free space between the component substrate 1 and panel 2 at least in the outer region of the component substrate (see FIG. 1).
  • the underfiller 15 can by

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Abstract

Zur Beschriftung eines mit einer metallischen Abdeckschicht (13) versehenen Bauelements (2) wird vorgeschlagen, über der Abdeckschicht zumindest eine weitere Kontrastschicht (14) anzuordnen, die mit der metallischen Abdeckschicht einen guten optischen Kontrast ausbildet und die zur Herstellung einer Beschriftung mittels Laser abtragbar ist.

Description

Beschreibung
Bauelement mit Beschriftung
Die Erfindung betrifft ein Bauelement, insbesondere ein miniaturisiertes passives Bauelement.
Zur Kennzeichnung von elektrischen, elektronischen und insbesondere passiven Bauelementen werden diese üblicherweise mit einer Beschriftung versehen. Diese kann Auskunft geben über den Hersteller, den Typ oder die Spezifikationen des Bauelements und ggf. die Seriennummer oder Artikelbezeichnung. Größere Bauelemente, die ausreichend große Flächen zur Aufnahme einer Beschriftung aufweisen, können dazu in einfacher Weise beispielsweise mittels Siebdruck bedruckt werden. Bei kleineren Bauelementen mit Dimensionen von z.B. unterhalb 1mm steht nicht genügend bedruckbare Fläche zur Herstellung einer Beschriftung zur Verfügung. Alternativ können diese Bauelemente mittels eines Lasers beschriftet werden, der das Erzeugen auch kleinster Schriftgrößen noch ermöglicht.
Auf miniaturisierten Bauelemente, die auf den für eine Beschriftung zur Verfügung stehenden Flächen eine metallische Schicht aufweisen, lassen sich mittels Laserbeschriftung nur schwierig lesbare oder gar keine Beschriftungen erzeugen, da dort durch Materialabtrag kein ausreichende Kontrast geschaffen werden kann.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Bauele- ment mit insbesondere metallischer Abdeckschicht anzugeben, auf dem eine kontrastreiche Beschriftung möglich ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Bauelement nach Anspruch 1 gelöst . Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung gehen aus den Unteransprüchen hervor. Bei einem Bauelement, das auf einer zur Beschriftung zur Verfügung stehenden Oberfläche eine metallische Schicht, insbesondere eine Abdeckschicht aufweist, wird vorgeschlagen, über der metallischen Schicht eine Kontrastschicht anzuordnen, die mit einem Laser abtragbar ist. Auf diese Weise gelingt es, in der Kontrastschicht mittels Laserbeschriftung, also durch partiellen Schichtabtrag eine gut lesbare Beschriftung mit hohem optischen Kontrast in einfacher Weise auszubilden.
Für die Kontrastschicht kommen prinzipiell alle Schichten in Frage, die einfach aufzubringen sind und die einen guten optischen Kontrast zur metallischen Abdeckschicht aufweisen. Einfach aufzubringen sind insbesondere solche Kontrastschichten, die mit den Herstellschritten des Bauelements kompatibel sind. Besonders bevorzugt sind solche Abdeckschichten, deren Aufbringung nahtlos in den Herstellungsprozeß des Bauelements eingebracht werden kann und welche insbesondere die gleichen Apparaturen nutzen können, die für vorhergehende Verfahrens- schritte bei der Herstellung des Bauelements benötigt werden.
In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung wird die Kontrastschicht unmittelbar nach der Herstellung der metallischen Abdeckschicht erzeugt, wobei vorzugsweise die Kontrast - schicht ebenfalls eine metallische Schicht ist, die sich be- züglich ihrer optischen Eigenschaften von der metallischen Abdeckschicht unterscheidet. Eine Unterscheidung zweier metallischer Schichten kann beispielsweise über das Reflexionsverhalten der metallischen Schichten erreicht werden, welches insbesondere von der Modifikation bzw. Feinstruktur der Schicht abhängig ist. Alternativ oder zusätzlich kann sich die Kontrastschicht von der metallischen Abdeckschicht in der Farbe unterscheiden bzw. können für die Schichten unterschiedlich farbige Metalle verwendet werden.
Für die Kontrastschicht können jedoch andere Materialien gewählt werden, beispielsweise Lackschichten und insbesondere gefärbte, vor allem schwarz gefärbte Lackschichten. Allgemein ist es von Vorteil, wenn die Kontrastschicht gegenüber der Metallschicht eine andere Farbe aufweist oder insbesondere eine schwarze Schicht ist.
Rein metallische übereinander erzeugte Schichtkombinationen, in denen sich durch Laserbeschriftung ein guter optischer Kontrast erzeugen läßt, und die seriell und insbesondere mit der gleichen oder ähnlichen Vorrichtung aufgebracht werden können, sind beispielsweise:
a) Kupfer/Glanznickel/Schwarznickel b) Glanzkupfer/Nickel/Schwarznickel c) Kupfer/Nickel (Matt) /Nickel (Grau) d) Kupfer/Aluminium/Aluminium eloxiert
Diese Schichtkombinationen können zusätzlich über der metallischen Abdeckschicht aufgebracht werden. Ein oder zwei Metallschichten der genannten Schichtfolgen können jedoch auch die Abdeckschicht bilden oder funktionelle Aufgaben der Abdeckschicht mit übernehmen.
Bevorzugte Schichtkombinationen sind solche, die zwei unterschiedliche Modifikationen ein und desselben Metalls umfas- sen. Diese werden insbesondere durch unterschiedliche Herstellbedingungen erzeugt. Beim Aufbringen der metallischen Schichten durch Aufsputtern, stromloses Abscheiden oder galvanisches Abscheiden können durch Variation der Verfahrensparameter oder Abscheidebedingungen beispielsweise die Zusam- mensetzung oder die entsprechenden optischen Schichteigenschaften eingestellt werden.
Seriell aufbringbare und eine Metallschicht (auch Abdeckschicht) umfassende Schichtfolgen, die gegeneinander einen optischen Kontrast ausbilden, und die mit einem Laser beschriftbar bzw. abtragbar sind, sind auch die folgenden Me- tall/Metallkombinationen, die sich durch unterschiedliche Metallfärbung auszeichnen:
e) Nickel/Gold f) Kupfer/Nickel g) Kupfer/Aluminium h) Kupfer/Zinn i) Kupfer/Silber
Für diese unterschiedlich gefärbten Metallschichtkombinationen, von denen zumindest die untere Schicht die metallische Abdeckschicht oder Teil der metallischen Abdeckschicht sein kann, sind gleiche Abscheidebedingungen bevorzugt. Obgleich hier der Kontrast allein durch unterschiedlich gefärbte Me- tallschichten, bzw. die nach der Laserbeschriftung verbleibenden Metallschichtbereiche erzeugt wird, kann zusätzlich zu dem Farbkontrast noch ein Reflexionskontrast hergestellt werden. Bevorzugt ist dabei, wenn die obere Schicht (Kontrast - schicht) schlecht reflektiert, die untere, durch Laserbe- schriftung freilegbare Schicht dagegen gute reflektierende
Eigenschaften aufweist.
Zur Aufbringung einer aus Lack und insbesondere aus Schwarz- lack bestehenden Kontrastschicht eignet sich auch ein elek- trophoretisches Verfahren. Für diese sind eine Reihe unterschiedlicher Lacke geeignet, an deren Material bzw. Zusammensetzung außer dem Kontrast ansonsten keine oder wenig Anforderungen zu stellen sind. Möglich ist es jedoch auch, die einen Lack umfassende Kontrastschicht aufzudrucken, aufzutrop- fen oder zu vergießen.
Vorteilhafte Anwendung findet die Erfindung bei Bauelementen, die eine metallische Abdeckschicht als funktioneile Schicht aufweisen oder benötigen. Eine solche metallische Abdeck- schicht kann beispielsweise eine metallische Abdeckkappe sein. Die metallische Abdeckschicht kann aber auch ein metal- lisches Gehäuse oder Teil eines solchen sein, in dem ein beliebiges Bauelement angeordnet ist. Metallische Abdeckschich- ten werden insbesondere auch als Abschirmschichten gegenüber elektromagnetischer Strahlung verwendet. Eine solche Abschir- mung kann erforderlich sein, um das Abstrahlen elektromagnetischer Strahlung aus dem Bauelement selbst zu verhindern. Möglich ist jedoch ein Bauelement, das ein metallische Abdeckschicht aufweist, die zur Abschirmung von außen einwirkender elektromagnetischer Strahlung dient, insbesondere wenn das Bauelement gegen die elektromagnetische Strahlung empfindlich ist. Vorzugsweise sind die Bauelemente daher hochfrequent betriebene Bauelemente, insbesondere Oberflächenwel- lenbauelemente für den HF-Bereich.
Im folgenden wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbei - spiels und der dazu gehörigen zwei Figuren näher erläutert.
Figur 1 zeigt auf einem Träger aufgebrachte Bauelemente mit einer mehrschichtigen Metallisierung im schematischen Quer- schnitt
Figur 2 zeigt eine in der mehrschichtigen Metallisierung erzeugte Beschriftung im schematischen Querschnitt.
Ausführungsbeispiel:
Figur 1 : Bevorzugte Anwendung findet die Erfindung bei Ober- flächenwellenbauelementen, insbesondere Oberflächenwellenfil- tern, die in Flip-Chip-Technologie auf Basissubstraten 2 auf- gebracht sind. Dabei wird das piezoelektrische BauelementSubstrat 1, welches die aktiven Bauelementstrukturen 6 trägt, über geeignete Lotverbindungen 5, insbesondere über Bumps face-down (Kopfüber) mit dem Panel 2 verbunden, so daß die Bauelementstrukturen zwischen Bauelementsubstrat und Panel in lichtem Abstand zu letzterem geschützt angeordnet sind. Vorzugsweise werden dabei mehrere Bauelemente auf einem Panel aufgebracht und erst nach Vervollständigung aller Abdeck- schichten vereinzelt. Zusätzlich können wie dargestellt die aktiven Bauelementstrukturen 6 noch mit einer Abdeckkappe 7 abgedeckt sein, die in einem von der Anmelderin als PROTEC bezeichneten integrierten Verfahren direkt auf der Oberfläche des Bauelementsubstrats 1 (Chip) erzeugt wird. Diese beläßt über den Bauelementstrukturen 6 einen lichten Hohlraum, der diese während des Verfahrens mechanisch schützt.
Die Bumps 5 verbinden die Anschlußpads 9 auf dem Chip 1 , , die mit den aktiven Bauelementstrukturen 6 elektrisch leitend verbunden sind, mit der Underbump-Metallisierung auf dem Basis 2. Über Durchkontaktierungen 3 im Panel wird eine elektrisch leitende Verbindung zu den Anschlußmetallisierungen 10 auf der Unterseite des Panel 2 hergestellt, mit deren Hilfe das Bauelement mit einer beispielsweise auf einer Leiterplatte oder einem Modul erzeugten Schaltung in SMD Bauweise verbunden werden kann. Das Panel ist aus Kunststoff oder Keramik und vorzugsweise zweilagig ausgebildet. Dies schafft eine Me- tallsierungsebene zwischen den Lagen, so daß Leiterbahnen kreuzungsfrei geführt werden können. Außerdem erlaubt dies seitlich gegeneinander versetzte Durchkontaktierungen 3, die im Gegensatz zu geradlinig durch das Panel 2 führenden Durchkontaktierungen hermetisch dicht hergestellt werden können.
Zur Abschirmung gegenüber elektromagnetischer Strahlung ist auf der Rückseite des Bauelementsubstrats eine hier mehrere Schichten 11, 12, 13, 14 umfassende metallische Schicht so aufgebracht, daß sie hermetisch gegen das Panel 2 abschließt und so das gesamte Bauelement hermetisch abdichtet. Dazu kann in einem vorigen Schritt als Versiegelung ein Underfiller 15 aufgebracht werden, die das Bauelementsubstrat 1 ringförmig umgibt und zumindest im Außenbereich des Bauelementsubstrats den Freiraum zwischen Bauelementsubstrat 1 und Panel 2 verschließt (siehe Figur 1) . Der Underfiller 15 kann durch
Aufbringen und Aushärten einer flüssigen Abdichtmasse, insbe- L ω κ> t I-J μ>
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Claims

Patentansprüche
1. Bauelement mit metallischer Abdeckschicht (11, 12, 13), bei dem über der metallischen Abdeckschicht zumindest eine weitere Kontrastschicht (14) angeordnet ist, die mit der metallischen Abdeckschicht einen optischen Kontrast bildet und die zur Herstellung einer Beschriftung mittels Laser abtragbar ist.
2. Bauelement nach Anspruch 1, bei dem die Kontrastschicht (14) eine Metallschicht ist.
3. Bauelement nach Anspruch 2, bei dem der optische Kontrast dadurch erreicht ist, daß die Abdeckschicht (13) eine reflektierende und die Kon- trastschicht (14) eine matte Schicht ist oder umgekehrt.
4. Bauelement nach einem der Ansprüche 1-3, bei dem der optische Kontrast dadurch erreicht ist, daß Abdeckschicht (13) und Kontrastschicht (14) unterschiedlich gefärbt sind.
5. Bauelement nach einem der Ansprüche 1-4, bei dem die Kontrastschicht (14) eine schwarze Schicht und die Abdeckschicht 13) metallisch glänzend ist.
6. Bauelement nach einem der Ansprüche 1-5, bei dem die Kontrastschicht (14) eine Schwarznickelschicht ist .
7. Bauelement nach einem der Ansprüche 1-5, bei dem die Kontrastschicht (14) eine elektrophoretisch aufgebrachte Lackschicht, eine aufgegossene Glob Top Masse oder eine aufgedruckte Lackschicht ist .
Bauelement nach einem der Ansprüche 1-6, bei dem die Kontrastschicht (14) eine weitere Metallschicht ist, die gegenüber der Abdeckschicht (13) anders farbig ist .
Bauelement nach Anspruch 8, bei dem die Kombination aus Abdeckschicht (13) und Kontrastschicht (14) eine der folgenden Materialkombinationen umfaßt: Ni/Au; Cu/Ni ; Cu/Al ; Cu/Sn; Cu/Au.
10. Bauelement nach einem der Ansprüche 1-9, versehen mit zumindest einer Kontrastschicht (14) über der metallischen Abdeckschicht (13), bei mit einer Laserbeschriftung Bereiche (17) der Kontrastschicht unter Frei- legung der Abdeckschicht (13) abgehoben sind.
11. Bauelement nach Anspruch 10, ausgebildet als OFW Bauelement mit einer HF abschirmenden Abdeckschicht (11,12,13).
12. Bauelement nach Anspruch 11, das in Flip Chip Technik auf einem Panel (2) befestigt ist und bei dem die metallische Abdeckschicht (13) auf der Rückseite des Bauelements (1) aufgebracht ist und dieses hermetisch gegen das Panel (2) abschließt.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003058810A1 (de) * 2001-12-28 2003-07-17 Epcos Ag Verkapseltes bauelement mit geringer bauhöhe sowie verfahren zur herstellung
FR2849949A1 (fr) * 2003-01-13 2004-07-16 Marc Degand Plaque d'identification inalterable
WO2005001934A2 (de) * 2003-06-30 2005-01-06 Siemens Aktiengesellschaft Hochfrequenz-package
DE10164502B4 (de) * 2001-12-28 2013-07-04 Epcos Ag Verfahren zur hermetischen Verkapselung eines Bauelements

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10300958A1 (de) * 2003-01-13 2004-07-22 Epcos Ag Modul mit Verkapselung
US6992400B2 (en) * 2004-01-30 2006-01-31 Nokia Corporation Encapsulated electronics device with improved heat dissipation
US7608789B2 (en) * 2004-08-12 2009-10-27 Epcos Ag Component arrangement provided with a carrier substrate
DE102005007608B4 (de) * 2005-02-18 2017-09-21 Epcos Ag Anordnung aufweisend einen Kondensator und eine Schablone
DE102005008514B4 (de) * 2005-02-24 2019-05-16 Tdk Corporation Mikrofonmembran und Mikrofon mit der Mikrofonmembran
DE102005008512B4 (de) 2005-02-24 2016-06-23 Epcos Ag Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon
DE102005008511B4 (de) * 2005-02-24 2019-09-12 Tdk Corporation MEMS-Mikrofon
US20060261607A1 (en) * 2005-05-19 2006-11-23 Kromkowski Joseph S Security seal with peel off label
DE102005053767B4 (de) * 2005-11-10 2014-10-30 Epcos Ag MEMS-Mikrofon, Verfahren zur Herstellung und Verfahren zum Einbau
DE102005053765B4 (de) * 2005-11-10 2016-04-14 Epcos Ag MEMS-Package und Verfahren zur Herstellung
DE102006019118B4 (de) * 2006-04-25 2011-08-18 Epcos Ag, 81669 Bauelement mit optischer Markierung und Verfahren zur Herstellung
US7615404B2 (en) * 2006-10-31 2009-11-10 Intel Corporation High-contrast laser mark on substrate surfaces
US10471679B2 (en) 2010-02-04 2019-11-12 Wire Art Switzerland Sa Metal graphic and method to produce a metal graphic
ITMI20101415A1 (it) * 2010-07-29 2012-01-30 St Microelectronics Srl Circuiti integrati tracciabili e relativo metodo di produzione
CN105702664A (zh) * 2012-11-16 2016-06-22 日月光半导体制造股份有限公司 半导体封装构造及其制造方法
DE102013106353B4 (de) * 2013-06-18 2018-06-28 Tdk Corporation Verfahren zum Aufbringen einer strukturierten Beschichtung auf ein Bauelement
CN107535078B (zh) * 2015-05-20 2020-03-31 株式会社村田制作所 高频模块
DE102018116821A1 (de) 2018-07-11 2020-01-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Halbleiterbauelements
US20200388576A1 (en) * 2019-06-10 2020-12-10 Intel Corporation Layer for etched identification marks on a package
US11244876B2 (en) 2019-10-09 2022-02-08 Microchip Technology Inc. Packaged semiconductor die with micro-cavity

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3939575A1 (de) * 1989-11-30 1991-06-06 Dornier Luftfahrt Metallischer streifencodetraeger
JPH06142952A (ja) * 1992-11-05 1994-05-24 Toshiba Corp レーザマーキング加工方法
JPH11156565A (ja) * 1997-11-28 1999-06-15 Toshiba Corp 金属層へのマーク付け方法と金属層および半導体装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0761552B2 (ja) * 1989-03-17 1995-07-05 富士通株式会社 バーコードの書き込み方法
US6242842B1 (en) * 1996-12-16 2001-06-05 Siemens Matsushita Components Gmbh & Co. Kg Electrical component, in particular saw component operating with surface acoustic waves, and a method for its production

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3939575A1 (de) * 1989-11-30 1991-06-06 Dornier Luftfahrt Metallischer streifencodetraeger
JPH06142952A (ja) * 1992-11-05 1994-05-24 Toshiba Corp レーザマーキング加工方法
JPH11156565A (ja) * 1997-11-28 1999-06-15 Toshiba Corp 金属層へのマーク付け方法と金属層および半導体装置
US6143587A (en) * 1997-11-28 2000-11-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of marking on semiconductor device having metallic layer

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 018, no. 449 (M - 1660) 22 August 1994 (1994-08-22) *
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 1999, no. 11 30 September 1999 (1999-09-30) *

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003058810A1 (de) * 2001-12-28 2003-07-17 Epcos Ag Verkapseltes bauelement mit geringer bauhöhe sowie verfahren zur herstellung
US6982380B2 (en) 2001-12-28 2006-01-03 Epcos Ag Encapsulated component which is small in terms of height and method for producing the same
DE10164502B4 (de) * 2001-12-28 2013-07-04 Epcos Ag Verfahren zur hermetischen Verkapselung eines Bauelements
FR2849949A1 (fr) * 2003-01-13 2004-07-16 Marc Degand Plaque d'identification inalterable
WO2005001934A2 (de) * 2003-06-30 2005-01-06 Siemens Aktiengesellschaft Hochfrequenz-package
WO2005001934A3 (de) * 2003-06-30 2005-05-12 Siemens Ag Hochfrequenz-package

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