WO2001035453A1 - Dispositif de traitement thermique - Google Patents

Dispositif de traitement thermique Download PDF

Info

Publication number
WO2001035453A1
WO2001035453A1 PCT/JP2000/007886 JP0007886W WO0135453A1 WO 2001035453 A1 WO2001035453 A1 WO 2001035453A1 JP 0007886 W JP0007886 W JP 0007886W WO 0135453 A1 WO0135453 A1 WO 0135453A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
pressure
exhaust system
exhaust
processing furnace
valve
Prior art date
Application number
PCT/JP2000/007886
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Yukimasa Saito
Original Assignee
Tokyo Electron Limited
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Limited filed Critical Tokyo Electron Limited
Priority to DE60033423T priority Critical patent/DE60033423T2/de
Priority to EP00974864A priority patent/EP1235262B1/en
Priority to US10/129,661 priority patent/US6936108B1/en
Publication of WO2001035453A1 publication Critical patent/WO2001035453A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps

Definitions

  • the present invention relates to a heat treatment apparatus. Background technology
  • a semiconductor wafer is oxidized (wet oxidation) by bringing the semiconductor wafer into contact with steam at a predetermined processing temperature in a processing furnace.
  • a reaction in which hydrogen gas and oxygen gas are reacted (combusted) to generate steam is performed.
  • the heat treatment apparatus there are a normal pressure type equipped with a normal pressure exhaust system and a pressure reducing type capable of providing a normal pressure exhaust system and a reduced pressure exhaust system.
  • Conventional atmospheric pressure type heat treatment equipment has an exhaust pressure control valve and a differential pressure type that use a butterfly valve type or a stepping motor and a spring to adjust the valve opening to a normal pressure exhaust system that exhausts the inside of the processing furnace at a predetermined exhaust pressure.
  • the pressure sensor was provided to control the exhaust pressure.
  • the exhaust system of the processing furnace is branched into a normal-pressure exhaust system and a reduced-pressure exhaust system, and a switching valve is provided at a branch portion.
  • the exhaust pressure can be controlled by providing a troll valve and a pressure sensor, and the pressure can be controlled by providing a combination valve and a pressure sensor in the decompression exhaust system.
  • the present invention has been made in consideration of the above circumstances, and enables stable control without requiring introduction of air or inert gas, and simplifies the structure of an exhaust system, thereby reducing costs.
  • An object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus that can be achieved.
  • Gas supply means for supplying a processing gas into the processing furnace
  • Heating means for setting the inside of the processing furnace to a predetermined processing temperature
  • a normal-pressure exhaust system for exhausting the inside of the processing furnace at a predetermined exhaust pressure near the atmospheric pressure, an open / close adjustable and pressure-adjustable valve provided in the ordinary pressure exhaust system, A pressure sensor for detecting exhaust pressure,
  • control unit for controlling the pulp based on the pressure detected by the pressure sensor.
  • the pressure sensor may be a differential pressure type or an absolute pressure type. In the latter case, stable control is possible without being affected by changes in the atmospheric pressure, and an oxide film having a uniform thickness can be formed at any time.
  • a processing furnace Gas supply means for supplying a processing gas into the processing furnace,
  • Heating means for setting the inside of the processing furnace to a predetermined processing temperature
  • a normal-pressure exhaust system for exhausting the inside of the processing furnace at a predetermined exhaust pressure near the atmospheric pressure, a first valve that is provided in the normal-pressure exhaust system and that can be opened and closed and whose pressure is adjustable, A first pressure sensor for detecting the exhaust pressure of the system,
  • a reduced-pressure exhaust system for exhausting the inside of the processing furnace at a predetermined exhaust pressure lower than the atmospheric pressure, a second valve that is provided in the reduced-pressure exhaust system and that can be opened and closed and that can adjust the pressure, and an exhaust of the reduced-pressure exhaust system
  • a second pressure sensor for detecting pressure
  • a control unit that controls the first valve based on the pressure detected by the first pressure sensor and controls the second valve based on the pressure detected by the second pressure sensor.
  • the first pressure sensor may be a differential pressure type or an absolute pressure type.
  • the second pressure sensor may be a differential pressure type or an absolute pressure type. If an absolute pressure type pressure sensor is used, stable control can be performed without being affected by changes in atmospheric pressure, and an oxide film having a uniform film thickness can be formed at any time. ⁇
  • Gas supply means for supplying a processing gas into the processing furnace
  • Heating means for setting the inside of the processing furnace to a predetermined processing temperature
  • a normal-pressure exhaust system for exhausting the inside of the processing furnace at a predetermined exhaust pressure near the atmospheric pressure, an open / close adjustable and pressure-adjustable valve provided in the ordinary pressure exhaust system, An absolute pressure type pressure sensor for detecting
  • a differential pressure type pressure sensor that detects the exhaust pressure of the normal pressure exhaust system by a differential pressure from the atmospheric pressure
  • the exhaust pressure of the normal exhaust system is set based on the pressure detected by the differential pressure sensor.
  • a control unit that controls the valve so as to be a differential pressure, and corrects the set differential pressure based on a detection pressure of the absolute pressure type pressure sensor;
  • FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of an oxidation treatment apparatus according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of an oxidation treatment apparatus according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of an oxidation treatment apparatus according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of an oxidation treatment apparatus according to a first embodiment of the present invention.
  • the oxidation treatment apparatus (heat treatment apparatus) of the present embodiment is configured as a normal pressure type.
  • a vertical, batch-type processing furnace 1 contains a semiconductor wafer W to be processed, is supplied with steam as a processing gas, and is semiconductive at a high temperature of, for example, about 850 ° C.
  • the body wafer W is heat-treated.
  • the processing furnace 1 is provided with a vertically long cylindrical heat-resistant, for example, quartz-made reaction tube (processing vessel) 2 having an upper end closed and a lower end opened.
  • the reaction tube 2 constitutes a highly airtight processing furnace 1 by closing the lower end opening as the furnace B in an airtight manner with a lid 3.
  • a wafer support 4 made of, for example, quartz, which is a substrate support for supporting a large number of, for example, about 150, semiconductor wafers W in a horizontal state in multiple stages at intervals in the vertical direction, It is placed via the heat retention tube 5.
  • the lid 3 is configured to open (unload), unload (unload), and open / close the furnace port of the wafer boat 4 into the processing furnace 1 by a lifting mechanism (not shown).
  • a predetermined temperature for example, 300 to 10
  • a heater 6 that can be controlled to be heated to 00 ° C. is provided.
  • gas introduction tubes 7 are provided at the lower side of the reaction tube 2.
  • the combustion device 8 can supply steam at a very small flow rate, for example, about 0.4 to 1 liter per minute, for example, by reducing the diameter of the combustion nozzle or improving the shape of the combustion nozzle. It is preferable that it has been 3 liters per minute or more. Further, the combustion device 8 is provided with an inert gas supply unit 9 for supplying an inert gas, for example, nitrogen gas N 2 , for diluting steam.
  • an inert gas supply unit 9 for supplying an inert gas, for example, nitrogen gas N 2 , for diluting steam.
  • a gas supply source for supplying other processing gas, such as NO, N 2 O, N 2 O, hydrogen chloride HC 1 or an inert gas, such as N 2 is provided in the other gas introduction pipe section. However, each is connected (not shown).
  • An exhaust pipe section 10 for exhausting the inside of the reaction tube 2 is provided on a lower side wall of the reaction tube 2.
  • a normal pressure exhaust system 12 is connected to the exhaust pipe section 10 via an exhaust pipe 11 extending to a position lower than the processing furnace 1.
  • the normal pressure exhaust system 12 extends upward from a connection portion with the exhaust pipe 11 (at a lower position than the processing furnace 1), and is provided with a factory exhaust system equipped with an abatement device and an exhaust blower not shown. It is connected to the.
  • the reaction tube 2, Note c and summer as may be exhausted at a predetermined exhaust pressure, atmospheric pressure exhaust system may extend downwardly from the connecting portion.
  • the normal pressure exhaust system 12 is provided with a capacitor 13 for cooling and condensing water vapor in the exhaust gas. Drain water generated by condensation of water vapor by the condenser 13 is drained through a drain pipe 14 extending downward from a connection with the exhaust pipe 11, a trap 15 and a ball valve 16. Has become.
  • the exhaust pipe 11 and the normal-pressure exhaust system 12 are formed of a corrosion-resistant material, for example, quartz, stainless steel, or preferably PTF (polytetrafluoroethylene, trade name: Teflon).
  • a pressure sensor 17 and a combination valve 18 Downstream (above) the condenser 13 of the normal-pressure exhaust system 12, a pressure sensor 17 and a combination valve 18 whose opening and closing can be adjusted and whose pressure can be adjusted are provided in this order.
  • This combination valve 18, for example, converts electrical signals to air The pressure is converted to pressure and the position of a valve (not shown) is controlled. Further, the combination valve 18 has an O-ring (not shown) at the seating portion of the valve body so that the valve can be shut off.
  • the combination valve 18 is made of a material having corrosion resistance, for example, PTFE.
  • a differential pressure type or an absolute pressure type can be used as the pressure sensor 17.
  • C a range of an atmospheric pressure (10 13 .25 hpa) ⁇ 1 330 Pa Can be used.
  • the absolute pressure type pressure sensor for example, a sensor capable of detecting in a range of 800 hPa to 110 hPa can be used.
  • the combination valve 18 is controlled by a controller (controller) 19 based on the pressure detected by the pressure sensor 17. Thereby, the heat treatment can be performed by controlling the exhaust pressure to a slight differential pressure of, for example, about 150 Pa to 110 Pa with respect to the atmospheric pressure.
  • a ball valve 20 is further provided downstream of the combination valve 18 of the normal pressure exhaust system 12. This makes it possible to cope with, for example, a case where the pulling of the factory exhaust system is strong (for example, a case of about -lOOOPa).
  • the atmospheric pressure type oxidation processing apparatus having the above configuration is an apparatus for supplying a processing gas into the processing furnace 1 for accommodating the semiconductor wafer W and heat-treating the semiconductor wafer W at a predetermined processing temperature.
  • a pressure sensor 17 of a differential pressure type or an absolute pressure type for detecting the exhaust pressure, and a control unit 19 for controlling the combination valve 18 based on the pressure detected by the pressure sensor 17 are provided. For this reason, unlike conventional atmospheric pressure heat treatment equipment, stable control is possible without requiring introduction of air or inert gas.
  • the structure of the exhaust system is simplified, the running cost of an inert gas such as N 2 can be eliminated, and the cost of the entire apparatus can be reduced.
  • an absolute pressure type pressure sensor 17 if an absolute pressure type pressure sensor 17 is used, stable absolute pressure control near the atmospheric pressure can be performed without being affected by fluctuations in the atmospheric pressure due to weather conditions. This makes it possible to form an oxide film having a uniform thickness at any time.
  • introduction of air into the atmosphere before and after the combination valve of the normal pressure exhaust system It is not necessary to introduce an inert gas, but it may be configured to introduce air or an inert gas.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of an oxidation treatment apparatus according to a second embodiment of the present invention.
  • the oxidation treatment apparatus (heat treatment apparatus) of the present embodiment is configured as a type capable of decompression treatment.
  • the same parts as those in the above embodiment are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.
  • the oxidation treatment apparatus of the present embodiment includes a normal-pressure exhaust system 12 and a reduced-pressure exhaust system 21.
  • a normal pressure exhaust system 12 is connected to an exhaust pipe section 10 of the reaction tube 2 constituting the processing furnace 1 via an exhaust pipe 11.
  • a pressure reducing exhaust system 21 is branched and connected.
  • the normal-pressure exhaust system 12 and the reduced-pressure exhaust system 21 downstream of the branch are provided with combination valves 18 A and 18 B capable of opening / closing adjustment and pressure adjustment, respectively.
  • the vacuum evacuation system 21 includes a vacuum pump (vacuum pump) 22 that can reduce the pressure in the processing furnace 1 to, for example, about -1 Pa at the maximum.
  • a vacuum pump vacuum pump
  • a pneumatically controlled switching valve 23, 24 is provided to switch to the exhaust path during operation.
  • the exhaust of the heat treatment system is configured so that water (drain water) is removed by a trap 25. In addition, these exhausts are to be treated by abatement equipment (not shown).
  • the evacuation system 21 is made of a material having corrosion resistance, for example, stainless steel, preferably PTFE.
  • the evacuation pipe 11 is provided with a pressure sensor for detecting the evacuation pressure during the evacuation process (when evacuation is performed).
  • 26 and a monitor and control pressure sensor 27 are respectively provided via pneumatically controlled valves 29, 30.
  • the pressure sensor 26 is, for example, capable of detecting in a range of 0 to 133 KPa.
  • the pressure sensor 27 can detect in the range of, for example, 0 to 1.333 KPa.
  • absolute pressure sensors can be used.
  • a pressure switch normal pressure return switch into which the switch enters when the exhaust pressure becomes a normal pressure or a positive pressure is provided to the exhaust pipe 11 via an air pressure control type valve 32.
  • a pressure sensor 17 for detecting the exhaust pressure at the time of normal-pressure processing is provided with a pneumatic control type. It is provided via a valve 33.
  • the valve 33 opens during normal pressure processing and closes during pressure reduction processing to prevent damage to the pressure sensor 17.
  • a bypass pipe 34 for bypassing the combination valve 18 A and the ball valve 20 is connected to the normal pressure exhaust system 12.
  • the bypass pipe 34 is provided with a bypass valve 35 and a check valve 36 which are normally closed.
  • the bypass valve 35 and the check valve 36 are designed to open in an emergency, for example, when a positive pressure suddenly occurs during the pressure reduction process or when a power failure occurs.
  • the combination valves 18 A, 18 B provided in the normal pressure exhaust system 12 and the reduced pressure exhaust system 21, respectively, are based on the detection pressures of the pressure sensors 17, 26, 27 based on: It is controlled by a common control unit (controller) 37. Specifically, the control unit 37 opens the combination valve 18 A of the normal-pressure exhaust system 12 during normal-pressure processing and controls this based on the detection pressure of the pressure sensor 17 for normal-pressure processing. At the same time, during the decompression process, the combination valve 18B of the decompression exhaust system 21 is opened, and this is controlled based on the detected pressure of the pressure sensor 26 or 27 for the decompression process. In other words, two systems can be controlled.
  • the oxidation treatment apparatus having the above configuration has a leak-tight structure capable of high-pressure exhaustion.
  • each connection part of the exhaust system of the processing furnace 1 is provided with a sealing means, for example, an O-ring.
  • the heat treatment device is controlled by a control device (not shown) to which a program receiver of the desired heat treatment method has been input in advance.
  • the combustion device 8, the heater unit 6, the control units 37 of the combination valves 18A and 18B, etc. Is controlled so that a desired heat treatment method is automatically performed.
  • a pneumatically controlled valve 38 is provided upstream of the trap 15 of the drain pipe 14. Next, the operation (heat treatment method) of the oxidation treatment apparatus will be described.
  • the inside of the processing furnace 1 is opened to the atmosphere, and the heating is controlled in advance by a heater 6 to a predetermined temperature, for example, 300 ° C.
  • a wafer boat 4 holding a large number of semiconductor wafers W is loaded into such a processing furnace 1, and the furnace port of the processing furnace 1 is sealed with a lid 3. Is done.
  • the pressure inside the processing furnace 1 is reduced by evacuation by the vacuum evacuation system 21.
  • This low pressure or evacuation preferably includes a cycle purge step.
  • an inert gas such as N 2 is supplied into the processing furnace 1 so that a natural oxide film is not formed on the surface of the semiconductor wafer W.
  • the cycle purge is performed by alternately repeating supply and stop of an inert gas such as N 2 while evacuating the inside of the processing furnace 1.
  • the exhaust system is switched to the reduced pressure exhaust system 20 by the combination valve 18 B, and the pressure (pressure in the pipe 11-pressure in the furnace 1) is detected by the pressure sensor 26 while the vacuum pump 22 is operating.
  • the pressure inside the processing furnace 1 is reduced and evacuated to a predetermined pressure, for example, about 11 Pa by controlling the combination valve 18 B while the pressure is detected.
  • an inert gas controlled at a predetermined flow rate, for example, N 2 is intermittently supplied by repeatedly opening and closing an inert gas supply valve (not shown).
  • this cycle purge is performed, and the pressure in the processing furnace 1 is rapidly reduced, and the processing furnace 1 can be sufficiently replaced with the inert gas. That is, this cycle purge enables rapid pressure reduction (shortening of the time to reach vacuum) and replacement.
  • the inside of the processing furnace 1 is heated up to a predetermined processing temperature, for example, 850 ° C. through the control of the heater 6.
  • a predetermined processing temperature for example, 850 ° C.
  • the inside of the processing furnace 1 has a slight differential pressure, for example, about 150 Pa to --100 Pa for atmospheric pressure. Is controlled.
  • a recovery process (a process for stabilizing the temperature of the semiconductor wafer) is performed, and then a desired heat treatment, for example, HC 1 oxidation is performed.
  • This heat treatment is an oxygen gas 0 2 and hydrogen gas H 2 is burned by supplying the combustion device 8, the steam generated in the combustion device 8 into the processing furnace 1 together with hydrogen chloride gas HC 1 and inert gas, e.g., N 2 Performed in a slightly reduced pressure state by supplying
  • the exhaust system is switched to the reduced pressure exhaust system 21 (automatic switching), and the pressure in the processing furnace 1 is reduced again by evacuation. Then, through the control of Yuichi 6
  • the temperature in the processing furnace 1 is reduced to a predetermined temperature, for example, about 300 ° C.
  • the inside of the processing furnace 1 is returned to normal pressure, the wafer boat 4 is unloaded from the inside of the processing furnace 1, and cooling (cooling the semiconductor wafer to a temperature at which the semiconductor wafer can be transported) is performed. It is preferable that the decompression or evacuation again after the heat treatment step includes a cycle purge step.
  • the semiconductor wafer W is housed in the processing furnace 1 which has been heated to a predetermined temperature in advance, the temperature of the processing furnace 1 is raised to the predetermined processing temperature, and the semiconductor wafer W is supplied by supplying water vapor as a processing gas.
  • the temperature raising step is performed under reduced pressure, so that the semiconductor wafer W can be heated to a predetermined processing temperature with oxidizing species removed. Therefore, the formation of a natural oxide film in the temperature raising step can be suppressed, and an extremely thin oxide film with excellent quality can be formed.
  • the inside of the processing furnace 1 is depressurized by evacuation not only before the desired heat treatment step but also after the step, unnecessary oxidizing species other than in the desired heat treatment step are sufficiently eliminated, and naturally.
  • the formation of an oxide film can be sufficiently suppressed. Therefore, it is possible to form an ultra-thin oxide film having excellent quality with uniform film quality and thickness. For example, a SiO 2 film having a thickness of about 2 nm can be formed.
  • the step of depressurizing or evacuating the processing furnace 1 includes a so-called cycle purge, rapid depressurization and replacement can be performed, thereby improving throughput.
  • the heat treatment apparatus includes a combustion apparatus 8 which is a steam supply means for supplying steam into the processing furnace 1, and a normal pressure exhaust system for evacuating the processing furnace 1 at a slight differential pressure or a slight reduced pressure during the heat treatment process. 1 and a reduced pressure exhaust system 21 capable of evacuating the inside of the processing furnace 1 before and after the heat treatment step.
  • the combination valve 18 A, 1 is used to switch between the normal pressure exhaust system 12 and the reduced pressure exhaust system 21. Since the heat treatment is performed using 8B, the heat treatment method described above can be reliably and easily performed.
  • the combustion device 8 since the c which is supplied configured to be able to water vapor at a minute flow rate, by taking a film formation time sufficient can further form an excellent ultra-thin oxide film quality .
  • the combination valves 18 A and 18 B have an opening / closing function and a pressure adjusting function, so that the number of valves can be reduced.
  • the configurations of the normal pressure exhaust system 12 and the reduced pressure exhaust system 21 can be simplified, and the cost can be reduced.
  • the inside of the treatment furnace 1 is controlled to a predetermined pressure, for example, about 133 hPa, and the nitrogen monoxide gas NO or the nitric oxide is controlled.
  • the diffusion process may be performed by supplying nitrogen gas N 20 .
  • the oxidation processing apparatus capable of performing the decompression processing is an apparatus for supplying a processing gas into the processing furnace 1 accommodating the semiconductor wafer W and heat-treating the semiconductor wafer W at a predetermined processing temperature.
  • a combination valve 18 A, 18 B provided for each of the normal-pressure exhaust system 12 and the reduced-pressure exhaust system 21 and capable of opening and closing adjustment and pressure adjustment; and a differential pressure type or absolute type for detecting the exhaust pressure.
  • Pressure type pressure sensors 17, 26, 27, and a control unit 35 which controls the combination knobs 18 A, 18 B based on the detection pressures of these pressure sensors 17, 26, 27. And for this reason, stable control is possible without the need to introduce air or inert gas.
  • a switching valve is not required, the structure of the exhaust system is simplified, the running cost of an inert gas such as N 2 can be eliminated, and the cost of the entire apparatus can be reduced.
  • an absolute pressure type pressure sensor is used as the pressure sensor 17 of the normal pressure exhaust system 12
  • stable absolute pressure control near the atmospheric pressure is possible without being affected by fluctuations in the atmospheric pressure due to weather conditions.
  • an oxide film having a uniform thickness can be formed at any time.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of an oxidation treatment apparatus according to a third embodiment of the present invention.
  • Book The oxidation treatment apparatus (heat treatment apparatus) of the embodiment is configured as a normal pressure type as in the embodiment of FIG. In the present embodiment, the same portions as those in the embodiment of FIG.
  • the oxidation treatment apparatus of the present embodiment is provided with an exhaust pipe section 10 of the reaction tube 2 via a quartz exhaust pipe 11 for draining drain water generated by condensation of water vapor in the exhaust gas.
  • a duct 40 made of PTFE is connected.
  • a normal pressure exhaust system 12 is connected to the duct 40 via a water-cooled condensing pipe 41 rising upward from the duct 40.
  • the normal pressure exhaust system 12 is connected to an exhaust duct of a factory exhaust system.
  • the exhaust pressure of the factory exhaust system is slightly reduced, for example, with a differential pressure from the atmospheric pressure of about 100 Pa [-7.5 T rr].
  • an auxiliary exhaust system capable of reducing the differential pressure to, for example, about several thousand Pa [—several tens of Torr] is connected to the normal pressure exhaust system 12 via a switching valve. May be.
  • a drain pipe 42 extending downward is connected to the duct 40.
  • the drain pipe 42 is provided with a pneumatically controlled valve 43, a trap 44 and a manual valve 45 in this order.
  • the duct 40 is provided with a differential pressure type pressure sensor 46 which is a differential pressure gauge that detects the exhaust pressure of the normal pressure exhaust system 12 as a differential pressure from the atmospheric pressure.
  • a differential pressure type pressure sensor 46 for example, a sensor capable of detecting in a range of atmospheric pressure ⁇ 665 Pa [atmospheric pressure ⁇ 50 Torr] is used.
  • the normal pressure exhaust system 12 is provided with a combination valve 18 capable of opening and closing adjustment and pressure adjustment. Further, a bypass pipe 47 for bypassing the combination valve 18 is connected to the normal pressure exhaust system 12. The bypass pipe 47 is provided with a bypass valve 48 that is normally closed. The bypass valve 48 is opened to exhaust an inert gas, such as nitrogen gas, introduced into the reaction tube 2 when the combination valve 18 automatically closes, for example, during a power failure.
  • the oxidation treatment apparatus of the present embodiment has a leak-tight air-tight structure by using an air-tight material, for example, an O-ring in a pipe connection part of a gas introduction system and an exhaust system and a sealing part of a lid of a processing furnace. ing. For this reason, not only normal pressure processing near atmospheric pressure but also decompression processing and positive pressure processing can be performed without leakage.
  • the oxidation treatment apparatus includes an absolute pressure gauge that detects atmospheric pressure as absolute pressure. Based on the absolute pressure type pressure sensor 49 and the pressure detected by the differential pressure type pressure sensor 46, the combination valve 18 is controlled so that the normal pressure exhaust system 12 becomes a set differential pressure (set pressure). And a control unit 50 for correcting the set differential pressure based on the pressure detected by the pressure type pressure sensor 49.
  • the absolute pressure type pressure sensor 49 for example, a general sensor that can be detected in a range of 0 to 1330 hPa [0 to 1000 Torr] is used.
  • the absolute pressure sensor 49 may be, for example, a sensor capable of detecting the pressure in the range of 800 to 1100 hPa.
  • the average atmospheric pressure at the installation site of the oxidation treatment apparatus is 1013.25 hPa (760 T orr)
  • the processing pressure (set pressure) is 1013.25 hPa (760 T orr), that is, the set differential pressure is 0.
  • P a [0 Torr] control is performed so that the exhaust pressure of the normal-pressure exhaust system 12 becomes the set differential pressure 0 Pa based on the detection pressure of the differential pressure type pressure sensor 46 if the atmospheric pressure does not fluctuate.
  • the combination valve 18 is controlled by the part 50.
  • the control of only the differential pressure type pressure sensor 46 results in a set differential pressure of 0 Pa [OTor r]
  • the exhaust pressure of the normal-pressure exhaust system 12 is controlled to be 997.5 hPa [750 Torr].
  • the thickness of the oxide film formed on the surface of the semiconductor wafer changes.
  • the atmospheric pressure at that time 997.5 hPa [750 Torr] is detected by the absolute pressure type pressure sensor 49, the detection signal is taken into the control unit 50, and the set differential pressure is increased from 0Pa [0Torr] to +15.75. Correct to hP a [+11.84 Torr].
  • the exhaust pressure of the normal-pressure exhaust system 12 can be controlled to be 1013.25 hPa (760 Torr).
  • the oxidation processing apparatus supplies a processing gas into a processing furnace 1 that accommodates a semiconductor wafer W.
  • a normal-pressure exhaust system 12 for evacuating the processing furnace 1 at a predetermined exhaust pressure which is an apparatus for oxidizing (heat-treating) the semiconductor wafer W at a predetermined processing temperature;
  • the combination valve 18 is controlled based on the detected pressure of the absolute pressure type pressure sensor 49 to detect the normal pressure exhaust system 12 based on the detected pressure of the differential pressure type pressure sensor 46 and the absolute pressure type pressure sensor.
  • This enables stable control without being affected by changes in the atmospheric pressure (weather) even in the case of differential pressure control, making it possible to form an oxide film with a uniform thickness at any time.
  • stable control is possible without the need to introduce air or inert gas.
  • the structure of the exhaust system is simplified, the running cost of inert gas such as N 2 can be eliminated, and the cost of the entire apparatus can be reduced.
  • a vertical furnace is illustrated as the processing furnace, but a horizontal furnace may be used.
  • a batch type processing furnace is illustrated, a single-wafer processing furnace may be used.
  • the object to be processed may be, for example, an LCD substrate or a glass substrate other than the semiconductor wafer.
  • the steam supply means is not limited to the combustion type, and may be, for example, a vaporizer type, a catalytic type, a boiling type, or the like.
  • the present invention is applicable not only to an oxidation treatment apparatus but also to a diffusion treatment apparatus, a CVD treatment apparatus, an annealing treatment apparatus, and the like. Applicable.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Waste-Gas Treatment And Other Accessory Devices For Furnaces (AREA)
  • Muffle Furnaces And Rotary Kilns (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Description

明 細 書 熱処理装置 技 術 分 野
本発明は、 熱処理装置に関する。 背 景 技 術
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいては、 熱処理の一つとして、 被処 理体である半導体ウェハの表面に酸化膜を形成する酸化処理工程がある。 この酸 化処理の一つの方法として、 処理炉内において、 半導体ウェハを所定の処理温度 で水蒸気と接触させて酸化 （ウエッ ト酸化） させる方法がある。 このような処理 を行うために、 例えば特開昭 6 3 - 2 1 0 5 0 1号公報等に示されているように、 水素ガスと酸素ガスを反応 （燃焼） させて水蒸気を発生させる燃焼装置を処理炉 の外部に独立して設け、 この燃焼装置により発生する水蒸気を処理炉内に供給し て熱処理を行うようにした酸化処理装置 （熱処理装置） が知られている。
また、 熱処理装置としては、 常圧排気系を備えた常圧型のものと、 常圧排気系 および減圧排気系を備えた減圧処理可能型のものとがある。
従来の常圧型熱処理装置は、 処理炉内を所定の排気圧力で排気する常圧排気系 に、 バタフライ弁方式もしくはステッピングモー夕とスプリングで弁開度を調整 する方式の排気圧コントロール弁および差圧型の圧力センサを設けて排気圧力を 制御するように構成されていた。
一方、 従来の減圧処理可能型熱処理装置は、 処理炉の排気系を常圧排気系と減 圧排気系とに分岐し、 分岐部に切換弁を設け、 その常圧排気系に前記排気圧コン トロール弁および圧力センサを設けて排気圧力を制御可能に構成する共に、 減圧 排気系にコンビネーションバルブおよび圧力センサを設けて減圧制御可能に構成 されていた。
しかしながら、 前記常圧型および減圧処理可能型の何れの熱処理装置において も、 排気圧コントロール弁がバタフライ弁方式である場合、 水蒸気が結露して弁 と管との間に水膜ができ、 制御が不安定になることがあった。 このため、 これを 回避するために、 弁の前後に大気導入ポートを設ける必要があった。 また、 排気 圧コントロール弁がステッピングモー夕とスプリングで弁開度を調整する方式で ある場合、 弁の可変を円滑にして制御性を安定させるために、 弁に不活性ガス例 えば窒素ガス N 2 を導入する必要があった。 このため、 不活性ガスのランニング コストが必要であった。 さらに、 減圧処理可能型の熱処理装置においては、 切換 弁が必要であるため、 構造の複雑化を招いていた。 発 明 の 要 旨
本発明は、 前記事情を考慮してなされたもので、 大気導入や不活性ガス導入を 必要とすることなく安定な制御が可能であると共に、 排気系の構造が簡素化され、 コストの低減が図れる熱処理装置を提供することを目的とする。
本発明の熱処理装置は、
処理炉と、
前記処理炉内に処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理炉内を所定の処理温度にする加熱手段と、
前記処理炉内を大気圧近傍の所定の排気圧力で排気するための常圧排気系と、 前記常圧排気系に設けられた開閉調節可能及び圧力調節可能なバルブと、 前記常圧排気系の排気圧力を検出する圧力センサと、
前記圧力センサの検出圧力に基づいて前記パルプを制御する制御部と、 を備えたことを特徴とする。
この特徴によれば、 大気導入や不活性ガス導入を必要とすることなく、 安定な 制御が可能である。 また、 排気系の構造が簡素化され、 装置全体のコストの低減 が図れる。
圧力センサは、 差圧型であってもよいし、 絶対圧型であってもよい。 後者の場 合には、 大気圧の変動に左右されることなく、 安定した制御が可能となり、 何時 でも均一な膜厚の酸化膜を形成することが可能となる。
また、 本発明の熱処理装置は、
処理炉と、 前記処理炉内に処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理炉内を所定の処理温度にする加熱手段と、
前記処理炉内を大気圧近傍の所定の排気圧力で排気するための常圧排気系と、 前記常圧排気系に設けられた開閉調節可能及び圧力調節可能な第 1バルブと、 前記常圧排気系の排気圧力を検出する第 1圧力センサと、
前記処理炉内を大気圧より低い所定の排気圧力で排気するための減圧排気系と、 前記減圧排気系に設けられた開閉調節可能及び圧力調節可能な第 2バルブと、 前記減圧排気系の排気圧力を検出する第 2圧力センサと、
前記第 1圧力センサの検出圧力に基づいて前記第 1バルブを制御すると共に、 前記第 2圧力センサの検出圧力に基づいて前記第 2バルブを制御する制御部と、 を備えたことを特徴とする。
この特徴によれば、 大気導入や不活性ガス導入を必要とすることなく、 安定な 制御が可能である。 また、 切換弁が不要になり、 排気系の構造が簡素化され、 装 置全体のコス卜の低減が図れる。
第 1圧力センサは、 差圧型であってもよいし、 絶対圧型であってもよい。 同様 に、 第 2圧力センサは、 差圧型であってもよいし、 絶対圧型であってもよい。 絶 対圧型の圧力センサを用いた場合には、 大気圧の変動に左右されることなく、 安 定な制御が可能となり、 何時でも均一な膜厚の酸化膜を形成することが可能とな る ο
また、 本発明の熱処理装置は、
処理炉と、
前記処理炉内に処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理炉内を所定の処理温度にする加熱手段と、
前記処理炉内を大気圧近傍の所定の排気圧力で排気するための常圧排気系と、 前記常圧排気系に設けられた開閉調節可能及び圧力調節可能なバルブと、 大気圧を絶対圧で検出する絶対圧型圧力センサと、
前記常圧排気系の排気圧力を大気圧との差圧によって検出する差圧型圧力セン ザと、
前記差圧型圧力センサの検出圧力に基づいて前記常圧排気系の排気圧力が設定 差圧となるように前記バルブを制御すると共に、 前記設定差圧を前記絶対圧型圧 力センサの検出圧力に基づいて補正する制御部と、
を備えたことを特徴とする。
この特徴によれば、 差圧制御でありながら大気圧の変動に左右されることなく 安定な制御が可能となり、 何時でも均一な膜厚の酸化膜を形成することが可能と なる。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の第 1の実施の形態の酸化処理装置の構成を示す図である。 図 2は、 本発明の第 2の実施の形態の酸化処理装置の構成を示す図である。 図 3は、 本発明の第 3の実施の形態の酸化処理装置の構成を示す図である。 発明を実施するための最良の形態 .
以下に、 本発明の実施の形態を、 添付図面に基いて詳述する。
図 1は、 本発明の第 1の実施の形態の酸化処理装置の構成を示す図である。 本 実施の形態の酸化処理装置 （熱処理装置） は、 常圧型として構成されている。 図 1において、 縦型でバッチ式の処理炉 1は、 被処理体である半導体ウェハ Wを収 容し、 処理ガスとして水蒸気が供給されて、 例えば 8 5 0 °C程度の高温下で半導 体ウェハ Wを熱処理するようになっている。 処理炉 1は、 上端が閉塞され下端が 開放した、 縦長円筒状の耐熱性を有する例えば石英製の反応管 （処理容器） 2を 備えている。
反応管 2は、 炉ロとしての下端開口部が蓋体 3で気密に閉塞されることにより、 気密性の高い処理炉 1を構成するようになっている。 前記蓋体 3上には、 多数枚 例えば 1 5 0枚程度の半導体ウェハ Wを水平状態で上下方向に間隔をおいて多段 に支持する基板支持具である例えば石英製のウェハボ一ト 4が、 保温筒 5を介し て載置されている。
蓋体 3は、 図示しない昇降機構により、 処理炉 1内へのウェハボート 4の口一 ド （搬入） ならびにアンロード （搬出） および炉口の開閉を行うように構成され ている。 また、 前記反応管 2の周囲には、 炉内を所定の温度例えば 3 0 0〜 1 0 0 0 °Cに加熱制御可能なヒーター 6が設けられている。 反応管 2の下側部には、 ガス導入管部 7が適宜個数設けられている。 ガス導入管部 7の一つには、 処理ガ ス供給手段 （水蒸気供給手段） として、 水素ガス H 2 と酸素ガス 0 2 との燃焼反 応により水蒸気を発生させて供給する燃焼装置 8が接続されている。
この燃焼装置 8は、 例えば燃焼ノズルの口径を小さくしたり、 燃焼ノズルの形 状を改善する等により、 水蒸気を微少流量例えば毎分 0 . 4〜 1 リッ トル程度で 供給することが可能に構成されていることが好ましい （従来は、 毎分 3リットル 以上であった） 。 また、 燃焼装置 8には、 水蒸気を希釈化等するために、 不活性 ガス例えば窒素ガス N 2 を供給する不活性ガス供給部 9が設けられている。 なお、 他のガス導入管部には、 その他の処理ガス例えば一酸化窒素ガス N O、 一酸化二 窒素ガス N 2 0、 塩化水素 H C 1あるいは不活性ガス例えば N 2 等を供給するガ ス供給源が、 それそれ接続されている （図示省略） 。
また、 前記反応管 2の下方の側壁には、 反応管 2内を排気するための排気管部 1 0が設けられている。 この排気管部 1 0には、 処理炉 1よりも低位置へと延び る排気管 1 1を介して、 常圧排気系 1 2が接続されている。 この常圧排気系 1 2 は、 図示例では、 排気管 1 1との接続部 （処理炉 1よりも低位置） から上方に延 びており、 図示しない除害装置や排気ブロワを備えた工場排気系に接続されてい る。 これにより、 反応管 2内は、 所定の排気圧で排気され得るようになつている c なお、 常圧排気系は、 接続部から下方へ延びていてもよい。
前記常圧排気系 1 2には、 排気中の水蒸気を冷却して凝縮させるためのコンデ ンサ 1 3が設けられている。 このコンデンサ 1 3により水蒸気が凝縮されて生じ たドレン水は、 排気管 1 1との接続部から下方に延びるドレン管 1 4、 トラップ 1 5およびボール弁 1 6を介して、 排水されるようになっている。 前記排気管 1 1及び常圧排気系 1 2は、 耐食性を有する材料、 例えば石英、 ステンレス鋼、 好 ましくは P T F E (ポリテトラフルォロエチレン、 商品名 ：テフロン） により形 成されている。
前記常圧排気系 1 2のコンデンサ 1 3よりも下流 （上方） には、 圧力センサ 1 7と、 開閉調節可能および圧力調節可能なコンビネーションバルブ 1 8とが、 順 に設けられている。 このコンビネーションバルブ 1 8は、 例えば電気信号を空気 圧に変換して、 弁体 （図示せず） の位置制御を行うようになっている。 また、 コ ンビネ一シヨンバルブ 1 8は、 弁体の着座部に 0リング （図示せず） を有し、 シ ャッ トオフができるようになつている。 コンビネーションバルブ 1 8は、 耐食性 を有する材料、 例えば P T F Eにより形成されている。
前記圧力センサ 1 7としては、 差圧型もしくは絶対圧型のものが用いられ得る c 差圧型の圧力センサとしては、 例えば大気圧 （ 1 0 1 3 . 2 5 h p a ) ± 1 3 3 0 P aのレンジで検知可能なものが用いられ得る。 また、 絶対圧型の圧力センサ としては、 例えば 8 0 0 h p a〜 1 1 0 0 h P aのレンジで検知可能なものが用 いられ得る。 前記コンビネーションバルブ 1 8は、 前記圧力センサ 1 7の検出圧 力に基いて、 制御部 （コントローラ） 1 9により制御されるようになっている。 これにより、 排気圧力を例えば大気圧に対して一 5 0 P a〜一 1 0 0 P a程度の 微差圧に制御して、 熱処理が行えるようになつている。 前記常圧排気系 1 2のコ ンビネ一シヨンバルブ 1 8よりも下流には、 さらにボール弁 2 0が設けられてい る。 これにより、 例えば工場排気系の引きが強い場合 （例えば約— l O O O P a 程度の場合） に対応できるようになつている。
以上の構成からなる常圧型の酸化処理装置は、 半導体ウェハ Wを収容する処理 炉 1内に処理ガスを供給して、 所定の処理温度で半導体ウェハ Wを熱処理するた めの装置であって、 前記処理炉 1内を所定の排気圧力で排気するための常圧排気 系 1 2と、 この常圧排気系 1 2に設けられた開閉調節および圧力調節の可能なコ ンビネ一シヨンバルブ 1 8と、 前記排気圧力を検出する差圧型もしくは絶対圧型 の圧力センサ 1 7と、 この圧力センサ 1 7の検出圧力に基いて前記コンビネーシ ヨンバルブ 1 8を制御する制御部 1 9と、 を備えている。 このため、 従来の常圧 型熱処理装置と異なり、 大気導入や不活性ガス導入を必要とすることなく、 安定 な制御が可能になる。 また、 排気系の構造が簡素化され、 不活性ガス例えば N 2 のランニングコストも無くすことができ、 装置全体のコス卜の低減が図れる。 特に、 絶対圧型の圧力センサ 1 7を用いれば、 気象条件による大気圧の変動に 左右されることなく、 大気圧付近での安定した絶対圧制御が可能となる。 これに より、 何時でも均一な膜厚の酸化膜を形成することが可能となる。 なお、 前記熱 処理装置においては、 常圧排気系のコンビネ一ションバルブ前後への大気導入や 不活性ガス導入は不要であるが、 大気導入や不活性ガス導入を行うように構成し てもよい。
図 2は、 本発明の第 2の実施の形態の酸化処理装置の構成を示す図である。 本 実施の形態の酸化処理装置 （熱処理装置） は、 減圧処理可能型として構成されて いる。 本実施の形態において、 前記実施の形態と同一部分は同一符号を付して説 明を省略する。
本実施の形態の酸化処理装置は、 常圧排気系 1 2と減圧排気系 2 1とを備えて いる。 処理炉 1を構成する反応管 2の排気管部 1 0には、 排気管 1 1を介して、 常圧排気系 1 2が接続されている。 この常圧排気系 1 2の途中に、 減圧排気系 2 1が分岐接続されている。 その分岐部より下流の常圧排気系 1 2及び減圧排気系 2 1には、 それそれ、 開閉調節および圧力調節の可能なコンビネーションバルブ 1 8 A , 1 8 Bが設けられている。
前記減圧排気系 2 1は、 処理炉 1内を例えば最大— 1 P a程度に減圧可能な真 空ポンプ （減圧ポンプ） 2 2を備えている。 この真空ポンプ 2 2としては、 例え ばドライポンプが好ましい。 減圧排気系 2 1の真空ポンプ 2 2よりも下流には、 排気経路を、 水蒸気 H 2 0を使用している時の排気経路と一酸化窒素ガス N Oや 一酸化二窒素ガス N 2 0を使用している時の排気経路とに切換える空気圧制御式 の切換弁 2 3， 2 4が設けられている。 熱処理系の排気は、 トラップ 2 5によつ て水分 （ドレン水） が除去されるようになっている。 また、 これらの排気は、 除 害装置 （図示せず） で処理されるようになっている。 減圧排気系 2 1は、 耐食性 を有する材料、 例えばステンレス鋼、 好ましくは P T F Eにより形成されている c 前記排気管 1 1には、 減圧処理時 （減圧排気時） の排気圧力を検出する圧力セ ンサ 2 6およびモニタ一用および制御用の圧力センサ 2 7が、 空気圧制御式の弁 2 9， 3 0を介してそれそれ設けられている。 圧力センサ 2 6は、 例えば 0〜1 3 3 K P aのレンジで検出が可能とされている。 圧力センサ 2 7は、 例えば 0〜 1 . 3 3 K P aのレンジで検出が可能とされている。 これら圧力センサ 2 6， 2 7としては、 絶対圧型のものが用いられ得る。 また、 前記排気管 1 1には、 排気 圧力が常圧になった時及び陽圧になった時にスィツチが入る圧力スィツチ （常圧 復帰スィッチ） 3 1カ 空気圧制御式の弁 3 2を介して設けられている。 前記常圧排気系 1 2のコンデンサ 1 3とコンビネーションバルブ 1 8 Aとの間 には、 常圧処理時 （常圧排気時） の排気圧力を検出する圧力センサ 1 7が、 空気 圧制御式の弁 3 3を介して設けられている。 この弁 3 3は、 常圧処理時に開き、 減圧処理時に閉じて、 圧力センサ 1 7の破損を防止する。 前記圧力センサ 1 7と しては、 前記実施の形態と同様の差圧型もしくは絶対圧型のものが用いられ得る。 前記常圧排気系 1 2には、 コンビネーシヨンバルブ 1 8 Aおよびボール弁 2 0を バイパスするバイパス管 3 4が接続されている。 このバイパス管 3 4には、 通常 時は閉弁しているバイパス弁 3 5及び逆止弁 3 6が設けられている。 これらバイ パス弁 3 5及び逆止弁 3 6は、 緊急時、 例えば減圧処理中に急に陽圧になった時 や停電時に、 開弁するようになっている。
前記常圧排気系 1 2および減圧排気系 2 1にそれそれ設けられたコンビネ一シ ヨンバルブ 1 8 A , 1 8 Bは、 前記圧力センサ 1 7， 2 6， 2 7の検出圧力に基 いて、 共通の制御部 （コントローラ） 3 7により制御されるようになっている。 具体的には、 制御部 3 7は、 常圧処理時には常圧排気系 1 2のコンビネーション バルブ 1 8 Aを開としてこれを常圧処理時用の圧力センサ 1 7の検出圧力に基い て制御すると共に、 減圧処理時には減圧排気系 2 1のコンビネーションバルブ 1 8 Bを開としてこれを減圧処理時用の圧力センサ 2 6または 2 7の検出圧力に基 いて制御する。 すなわち、 二系統の制御が可能となっている。
以上の構成からなる酸化処理装置は、 高減圧排気が可能なリークタイ 卜な構造 とされている。 例えば、 処理炉 1の排気系の各接続部には、 シール手段である例 えば 0リングが設けられている。 また、 熱処理装置は、 予め所望の熱処理方法の プログラムレシビがインプットされた制御装置 （図示省略） により、 燃焼装置 8、 ヒー夕一 6、 コンビネーションバルブ 1 8 A， 1 8 Bの制御部 3 7等が制御され て、 所望の熱処理方法を自動で実施するように構成されている。 なお、 空気圧制 御式の弁 3 8が、 ドレン管 1 4のトラップ 1 5よりも上流に設けられている。 次に、 前記酸化処理装置の作用 （熱処理方法） について説明する。 まず、 処理 炉 1内は、 大気に開放されていると共に、 ヒーター 6により予め所定の温度例え ば 3 0 0 °Cに加熱制御されている。 多数枚の半導体ウェハ Wを保持したウェハボ ート 4が、 そのような処理炉 1内にロードされ、 処理炉 1の炉口が蓋体 3で密閉 される。 その後、 処理炉 1内が、 減圧排気系 2 1による真空引きにより減圧され る。 この减圧ないし真空引きは、 サイクルパージ工程を含むことが好ましい。 前 記ロードおよびサイクルパージの際には、 半導体ウェハ Wの表面に自然酸化膜が 形成されないように、 処理炉 1内に不活性ガス例えば N 2 が供給される。 一方、 N 2 が 1 0 0 %であると、 半導体ウェハ Wの表面が窒化してしまい、 窒化された 表面は、 その後の酸化工程で酸化されにくい。 このため、 前記ロード及びサイク ルパージの際、 C が少量、 例えば 1 %程度供給される。
前記サイクルパージは、 処理炉 1内を真空引きしながら不活性ガス例えば N 2 の供給と停止を交互に繰り返すことにより行われる。 この場合、 排気系がコンビ ネーシヨンバルブ 1 8 Bにより減圧排気系 2 0に切換わると共に、 真空ポンプ 2 2の作動状態で圧力センサ 2 6により圧力 （管 1 1内の圧力-炉 1内の圧力） が 検知されつつ、 コンビネーションバルブ 1 8 Bの制御により処理炉 1内が所定の 圧力例えば一 1 P a程度に減圧排気される。 この減圧排気状態で、 所定流量に制 御された不活性ガス例えば N 2 せ、 不活性ガス供給弁 （図示せず） の開閉の繰り 返しにより、 間欠的に供給される。 これにより、 サイクルパージが行われ、 処理 炉 1内が迅速に減圧され、 不活性ガスで十分に置換され得る。 すなわち、 このサ ィクルパージによって、 急速な減圧 （真空到達時間の短縮） 及び置換が可能とな る。
次に、 前記減圧排気状態で、 ヒーター 6の制御を介して、 処理炉 1内が所定の 処理温度例えば 8 5 0 °Cまで昇温する。 排気系がコンビネーションバルブ 1 8 A を介して常圧排気系 1 2に切換わることにより、 処理炉 1内が微差圧例えば大気 圧に対して一 5 0 P a〜― 1 0 0 P a程度に制御される。 この状態でリカバリ一 (半導体ウェハの温度を安定させる工程） をしてから、 所望の熱処理例えば H C 1酸化が行われる。 この熱処理は、 酸素ガス 0 2 と水素ガス H 2 を燃焼装置 8に 供給して燃焼させ、 燃焼装置 8で発生する水蒸気を塩化水素ガス H C 1および不 活性ガス例えば N 2 と共に処理炉 1内に供給することにより、 微減圧状態で行わ
4し^ ) o
熱処理工程を終了したなら、 排気系を減圧排気系 2 1に切換えて （自動切換） 、 処理炉 1内を再度真空引きにより減圧する。 その後、 ヒー夕一 6の制御を介して、 処理炉 1内の温度が所定の温度例えば 3 0 0 °C程度に降温される。 これと並行し て、 処理炉 1内が常圧に戻され、 処理炉 1内からウェハボート 4がアンロードさ れ、 クーリング （半導体ウェハを搬送可能な温度に冷却すること） が行われる。 前記熱処理工程終了後の再度の減圧ないし真空引きも、 サイクルパージ工程を含 むことが好ましい。
このように、 予め所定の温度に加熱された処理炉 1内に半導体ウェハ Wを収容 し、 処理炉 1内を所定の処理温度まで昇温させ、 処理ガスである水蒸気を供給し て半導体ウェハ Wを熱処理するに際して、 前記昇温の工程を減圧下で行うように したので、 酸化種を排除した状態で半導体ウェハ Wを所定の処理温度まで昇温さ せることができる。 このため、 昇温工程での自然酸化膜の形成を抑制することが でき、 品質の優れた極薄酸化膜を形成することができる。
また、 所望の熱処理工程前だけでなく工程の後にも処理炉 1内が真空引きによ り減圧されるようにしたので、 所望の熱処理工程以外での余計な酸化種が十分に 排除されて自然酸化膜の形成が十分に抑制され得る。 このため、 膜質および膜厚 が均一で品質の優れた極薄酸化膜を形成することができる。 例えば、 膜厚が 2 n m程度の S i 02 膜を形成することが可能である。
また、 前記処理炉 1を減圧ないし真空引きする工程が、 いわゆるサイクルパー ジを含んでいる場合、 迅速な減圧と置換が可能となり、 スループッ トの向上が図 れる。
また、 前記熱処理装置は、 処理炉 1内に水蒸気を供給する水蒸気供給手段であ る燃焼装置 8と、 熱処理の工程中に処理炉 1内を微差圧ないし微減圧で排気する 常圧排気系 1 2と、 熱処理工程の前後に処理炉 1内を真空引き可能な減圧排気系 2 1とを備え、 前記常圧排気系 1 2と減圧排気系 2 1の切換えをコンビネーショ ンバルブ 1 8 A， 1 8 Bにより行うようにしているため、 前述した熱処理方法を 確実かつ容易に実施することができる。
この場合、 前記燃焼装置 8は、 水蒸気を微少流量で供給可能に構成されている c このため、 膜形成時間を十分にとることにより、 更に品質の優れた極薄酸化膜を 形成することができる。 また、 前記コンビネーションバルブ 1 8 A , 1 8 Bは、 開閉機能と圧力調節機能とを備えているため、 バルブの数を減らすことができ、 常圧排気系 1 2および減圧排気系 2 1の構成を簡素化することができ、 コストの 低減が図れる。
なお、 酸化処理方法としては、 所望の酸化処理工程の後、 処理炉 1内が所定の 圧力例えば 1 3 3 h P a程度に減圧制御された状態で、 一酸化窒素ガス N Oまた は一酸化二窒素ガス N 2 0を供給して拡散処理を行うようにしてもよい。 この拡 散処理工程の前後には、 処理炉 1内を真空引きにより減圧することが好ましい。 また、 この減圧ないし真空引きは、 サイクルパージ工程を含むことが好ましい。 このように、 ゥエツ ト酸化後にサイクルパージにより処理炉内の水分を十分に取 り除いてから一酸化窒素ガス N Oまたは一酸化二窒素ガス N 2 0を供給する場合、 腐食性の強い硝酸 H N 03の発生を十分に抑制することができる。 また、 絶縁性の 高い S i〇N膜を形成することができ、 信頼性の高い膜質への改善が容易に図れ る。
このように、 減圧処理可能な酸化処理装置は、 半導体ウェハ Wを収容する処理 炉 1内に処理ガスを供給して、 所定の処理温度で半導体ウェハ Wを熱処理するた めの装置であって、 前記処理炉 1内を所定の排気圧力で排気するための常圧排気 系 1 2と、 前記処理炉 1内を常圧排気系 1 2よりも低い圧力で減圧排気するため の減圧排気系 2 1と、 常圧排気系 1 2および減圧排気系 2 1のそれそれに設けら れた開閉調節および圧力調節の可能なコンビネーションバルブ 1 8 A， 1 8 Bと、 前記排気圧力を検出する差圧型もしくは絶対圧型の圧力センサ 1 7 , 2 6 , 2 7 と、 この圧力センサ 1 7， 2 6， 2 7の検出圧力に基いて前記コンビネーション ノ υレブ 1 8 A， 1 8 Bを制御する制御部 3 5と、 を備えている。 このため、 大気 導入や不活性ガス導入を必要とすることなく、 安定な制御が可能になる。 また、 切換弁が不用になり、 排気系の構造が簡素化され、 不活性ガス例えば N 2 のラン ニングコストを無くすことができ、 装置全体のコス卜の低減が図れる。
特に、 常圧排気系 1 2の圧力センサ 1 7として絶対圧型の圧力センサを用いれ ば、 気象条件による大気圧の変動に左右されることなく、 大気圧付近での安定し た絶対圧制御が可能となる。 これにより、 何時でも均一な膜厚の酸化膜を形成す ることが可能となる。
図 3は、 本発明の第 3の実施の形態の酸化処理装置の構成を示す図である。 本 実施の形態の酸化処理装置 （熱処理装置） は、 図 1の実施の形態と同様、 常圧型 として構成されている。 本実施の形態において、 図 1の実施の形態と同一部分は 同一符号を付して説明を省略する。
本実施の形態の酸化処理装置は、 排気中の水蒸気が凝縮して生じたドレン水を 排水するために、 反応管 2の排気管部 1 0に、 例えば石英製の排気管 1 1を介し て、 例えば P T F E製のダクト 4 0が接続されている。 このダク ト 4 0には、 こ れより上方に立上がった水冷式の凝縮用配管 4 1を介して、 常圧排気系 1 2が接 続されている。 この常圧排気系 1 2は、 工場排気系の排気ダクトに接続されてい る。 工場排気系の排気圧力は、 例えば大気圧との差圧が一 1 0 0 0 P a [ - 7 . 5 T o r r ] 程度の微減圧とされている。 常圧排気系 1 2には、 前記工場排気系 の他に、 例えば差圧を一数千 P a [—数十 T o r r ] 程度に減圧可能な補助排気 系が、 切換弁を介して接続されていてもよい。
前記ダクト 4 0には、 下方に延びるドレン管 4 2が接続されている。 このドレ ン管 4 2には、 空気圧制御式の弁 4 3、 トラップ 4 4および手動式の弁 4 5が、 順に設けられている。 また、 ダクト 4 0には、 常圧排気系 1 2の排気圧力を大気 圧との差圧で検出する差圧計である差圧型圧力センサ 4 6が設けられている。 こ の差圧型圧力センサ 4 6としては、 例えば大気圧 ± 6 6 5 0 P a [大気圧 ± 5 0 T o r r ] のレンジで検知可能なものが用いられる。
前記常圧排気系 1 2には、 開閉調節および圧力調節の可能なコンビネーション バルブ 1 8が設けられている。 また、 常圧排気系 1 2には、 コンビネーションバ ルブ 1 8をバイパスするバイパス管 4 7が接続されている。 バイパス管 4 7には、 通常閉弁されているバイパス弁 4 8が設けられている。 バイパス弁 4 8は、 例え ば停電時等にコンビネーションバルブ 1 8が自動閉弁したときに、 反応管 2内に 導入される不活性ガス例えば窒素ガスを排気すべく開弁されるようになっている また、 本実施の形態の酸化処理装置は、 ガス導入系および排気系の配管接続部や 処理炉の蓋体密閉部に気密材例えば 0リングを使用することにより、 リークタイ トな気密構造とされている。 このため、 大気圧付近の常圧処理だけでなく、 減圧 処理や陽圧処理をも、 リークなしで行えるようになつている。
そして、 本実施の形態の酸化処理装置は、 大気圧を絶対圧で検出する絶対圧計 である絶対圧型圧力センサ 49と、 前記差圧型圧力センサ 46の検出圧力に基い て常圧排気系 12が設定差圧 （設定圧力） になるように前記コンビネーションパ ルブ 18を制御すると共に前記絶対圧型圧力センサ 49の検出圧力に基いて前記 設定差圧を補正する制御部 50と、 を備えている。
絶対圧型圧力センサ 49としては、 例えば 0〜 1330hPa [0〜1000 Torr]のレンジで検知可能な一般的なものが用いられる。 なお、 絶対圧型圧 力センサ 49としては、 例えば 800〜1100 hP aのレンジで検知可能なも のであってもよい。
例えば、 前記酸化処理装置の設置場所における平均大気圧が 1013. 25 h Pa (760 T o r r) であり、 処理圧力 （設定圧力） が 1013. 25 hP a (760 T o r r ) すなわち設定差圧が 0 P a [0 T o r r] である場合、 大気 圧の変動がなければ、 差圧型圧力センサ 46の検出圧力に基いて常圧排気系 12 の排気圧力が設定差圧 0 Paになるように、 制御部 50によってコンビネ一ショ ンバルブ 18が制御される。
しかし、 天候の変動により、 例えば低気圧が接近して大気圧が 997. 5 hP a [75 OTor r] に変わった場合、 差圧型圧力センサ 46だけの制御では、 設定差圧が 0 Pa [OTor r]であるため、 常圧排気系 12の排気圧力は 99 7. 5 hP a [750 T o r r] となるように制御されてしまう。 この場合、 半 導体ウェハ表面に形成される酸化膜の膜厚が変化してしまう。
そこで、 その時の大気圧 997. 5 hP a [750 T o r r] を絶対圧型圧力 センサ 49により検出し、 その検出信号を制御部 50に取込み、 設定差圧を 0P a [0Torr] から +15. 75 hP a [+11. 84 T o r r] に補正する。 これにより、 常圧排気系 12の排気圧力が 1013. 25hPa (760 To r r ) となるように制御され得る。 すなわち、 設定時の設定差圧 （設定圧力一設定 時の大気圧） を、 現時点の差圧 （設定圧力一現時点の大気圧） に補正することに より、 天候の変動すなわち大気圧の変動に関わらず、 常圧排気系 12の排気圧力 すなわち処理炉 1内の処理圧力を常に一定に保つことができる。 これにより、 酸 化膜の膜圧を一定 （均一） にすることができる。
前記酸化処理装置は、 半導体ウェハ Wを収容する処理炉 1内に処理ガスを供給 して、 所定の処理温度で半導体ウェハ Wを酸化処理 （熱処理） するための装置で あって、 前記処理炉 1内を所定の排気圧力で排気するための常圧排気系 1 2と、 該常圧排気系 1 2に設けられた開閉調節及び圧力調節の可能なコンビネーション バルブ 1 8と、 前記排気圧力を大気圧との差圧で検出する差圧型圧力センサ 4 6 と、 大気圧を絶対圧で検出する絶対圧型圧力センサ 4 9と、 前記差圧型圧力セン サ 4 6の検出圧力に基いて常圧排気系 1 2が設定差圧になるように前記コンビネ ーションバルブ 1 8を制御すると共に前記絶対圧型圧力センサ 4 9の検出圧力に 基いて前記設定差圧を補正する制御部 5 0と、 を備えている。 このため、 大気圧 を常にモニタ一する絶対圧型圧力センサ 4 9の信号を制御部 5 0に取込み、 設定 圧力 （差圧） を大気の変動に応じて調整することにより、 常に一定の圧力でプロ セスを行うことができる。 これにより、 差圧制御でありながら、 大気圧 （天候） の変動に左右されることなく、 安定した制御が可能となり、 何時でも均一な膜厚 の酸化膜を形成することが可能となる。 また、 従来の常圧型熱処理装置と異なり、 大気導入や不活性ガス導入を必要とすることなく、 安定な制御が可能になる。 ま た、 排気系の構造が簡素化され、 不活性ガス例えば N 2 のランニングコス トも無 くすことができ、 装置全体のコストの低減が図れる。
以上、 本発明の実施の形態を図面により詳述してきたが、 本発明は前記実施の 形態に限定されるものではなく、 本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の設計 変更等が可能である。 例えば、 前記実施の形態では、 処理炉として、 縦型炉が例 示されているが、 横型炉であってもよい。 また、 バッチ式処理炉が例示されてい るが、 枚葉式処理炉であってもよい。
被処理体としては、 半導体ウェハ以外に、 例えば L C D基板やガラス基板等で あってもよい。
上記水蒸気供給手段としては、 燃焼式に限定されず、 例えば気化器式、 触媒式、 沸騰式等であってもよい。
また、 前記実施の形態では、 本発明を酸化処理装置に適用した場合が示されて いるが、 本発明は、 酸化処理装置以外に、 例えば拡散処理装置、 C V D処理装置、 ァニール処理装置等にも適用可能である。

Claims

請求 の 範 囲
1 . 処理炉と、
前記処理炉内に処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理炉内を所定の処理温度にする加熱手段と、
前記処理炉内を大気圧近傍の所定の排気圧力で排気するための常圧排気系と、 前記常圧排気系に設けられた開閉調節可能及び圧力調節可能なバルブと、 前記常圧排気系の排気圧力を検出する圧力センサと、
前記圧力センサの検出圧力に基づいて前記バルブを制御する制御部と、 を備えたことを特徴とする熱処理装置。
2 . 圧力センサは、 差圧型である
ことを特徴とする請求項 1に記載の熱処理装置。
3 . 圧力センサは、 絶対圧型である
ことを特徴とする請求項 1に記載の熱処理装置。
4 . 処理炉と、
前記処理炉内に処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理炉内を所定の処理温度にする加熱手段と、
前記処理炉内を大気圧近傍の所定の排気圧力で排気するための常圧排気系と、 前記常圧排気系に設けられた開閉調節可能及び圧力調節可能な第 1バルブと、 前記常圧排気系の排気圧力を検出する第 1圧力センサと、
前記処理炉内を大気圧より低い所定の排気圧力で排気するための減圧排気系と、 前記減圧排気系に設けられた開閉調節可能及び圧力調節可能な第 2バルブと、 前記減圧排気系の排気圧力を検出する第 2圧力センサと、
前記第 1圧力センサの検出圧力に基づいて前記第 1バルブを制御すると共に、 前記第 2圧力センサの検出圧力に基づいて前記第 2バルブを制御する制御部と、 を備えたことを特徴とする熱処理装置。
5 . 第 1圧力センサは、 差圧型である
ことを特徴とする請求項 4に記載の熱処理装置。
6 . 第 1圧力センサは、 絶対圧型である ことを特徴とする請求項 4に記載の熱処理装置。
7 . 第 2圧力センサは、 差圧型である
ことを特徴とする請求項 4に記載の熱処理装置。
8 . 第 2圧力センサは、 絶対圧型である
ことを特徴とする請求項 4に記載の熱処理装置。
9 . 処理炉と、
前記処理炉内に処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理炉内を所定の処理温度にする加熱手段と、
前記処理炉内を大気圧近傍の所定の排気圧力で排気するための常圧排気系と、 前記常圧排気系に設けられた開閉調節可能及び圧力調節可能なバルブと、 大気圧を絶対圧で検出する絶対圧型圧力センサと、
前記常圧排気系の排気圧力を大気圧との差圧によって検出する差圧型圧力セン ザと、
前記差圧型圧力センサの検出圧力に基づいて前記常圧排気系の排気圧力が設定 差圧となるように前記バルブを制御すると共に、 前記設定差圧を前記絶対圧型圧 力センサの検出圧力に基づいて補正する制御部と、
を備えたことを特徴とする熱処理装置。
PCT/JP2000/007886 1999-11-09 2000-11-09 Dispositif de traitement thermique WO2001035453A1 (fr)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE60033423T DE60033423T2 (de) 1999-11-09 2000-11-09 Ofen
EP00974864A EP1235262B1 (en) 1999-11-09 2000-11-09 Heat treatment device
US10/129,661 US6936108B1 (en) 1999-11-09 2000-11-09 Heat treatment device

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31792999 1999-11-09
JP11/317929 1999-11-09
JP2000-184309 2000-06-20
JP2000184309A JP3543949B2 (ja) 1999-11-09 2000-06-20 熱処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2001035453A1 true WO2001035453A1 (fr) 2001-05-17

Family

ID=26569191

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2000/007886 WO2001035453A1 (fr) 1999-11-09 2000-11-09 Dispositif de traitement thermique

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6936108B1 (ja)
EP (1) EP1235262B1 (ja)
JP (1) JP3543949B2 (ja)
KR (1) KR100636436B1 (ja)
DE (1) DE60033423T2 (ja)
TW (1) TW473791B (ja)
WO (1) WO2001035453A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003012849A1 (fr) * 2001-07-30 2003-02-13 Tokyo Electron Limited Appareil de traitement thermique
EP1357582A4 (en) * 2000-10-27 2005-02-02 Tokyo Electron Ltd THERMAL TREATMENT DEVICE
CN104197731A (zh) * 2014-09-15 2014-12-10 常州宝仪机电设备有限公司 防爆窑炉的控制柜

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4813854B2 (ja) * 2005-09-09 2011-11-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体の製造方法
US7682987B2 (en) * 2006-06-28 2010-03-23 Hitachi Kokusai Electric Inc. Device for processing substrate and method of manufacturing semiconductor device
US8662886B2 (en) * 2007-11-12 2014-03-04 Micrel, Inc. System for improved pressure control in horizontal diffusion furnace scavenger system for controlling oxide growth
JP4961381B2 (ja) * 2008-04-14 2012-06-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法
TWI381475B (zh) * 2009-03-23 2013-01-01 Au Optronics Corp 基板處理系統及顯影方法
JP5842032B2 (ja) * 2014-05-26 2016-01-13 光洋サーモシステム株式会社 基板の熱処理装置
KR102405723B1 (ko) * 2017-08-18 2022-06-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 고압 및 고온 어닐링 챔버
CN112349623A (zh) * 2019-08-06 2021-02-09 株式会社国际电气 基板处理装置、半导体装置的制造方法和计算机可读取记录介质

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0626248U (ja) * 1992-09-03 1994-04-08 神鋼電機株式会社 表面処理装置
JPH0758032A (ja) * 1993-08-09 1995-03-03 Hitachi Electron Eng Co Ltd 圧力制御装置および圧力制御方法
JPH08139085A (ja) * 1994-11-04 1996-05-31 Nippon Steel Corp 半導体製造装置
JPH11233505A (ja) * 1998-02-13 1999-08-27 Tokyo Electron Ltd 排気装置

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU585531B2 (en) * 1984-09-17 1989-06-22 Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha Method and apparatus for vacuum deposition plating
JPS6317520A (ja) * 1986-07-10 1988-01-25 Hitachi Metals Ltd 化学気相成長装置用圧力制御装置
JP2598637B2 (ja) 1987-02-26 1997-04-09 東京エレクトロン株式会社 酸化・拡散装置
JPH0626248A (ja) 1992-07-06 1994-02-01 Shiroki Corp シリンダ錠
JPH0653149A (ja) * 1992-07-31 1994-02-25 Tokyo Electron Ltd 半導体製造装置用シール材
JP3134137B2 (ja) * 1993-01-13 2001-02-13 東京エレクトロン株式会社 縦型処理装置
US5407349A (en) * 1993-01-22 1995-04-18 International Business Machines Corporation Exhaust system for high temperature furnace
JP3262623B2 (ja) * 1993-02-17 2002-03-04 東京エレクトロン株式会社 減圧処理方法及び装置
US5445521A (en) * 1993-05-31 1995-08-29 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Heat treating method and device
US5484484A (en) * 1993-07-03 1996-01-16 Tokyo Electron Kabushiki Thermal processing method and apparatus therefor
US5578132A (en) * 1993-07-07 1996-11-26 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure
US5777300A (en) * 1993-11-19 1998-07-07 Tokyo Electron Kabushiki Kaisha Processing furnace for oxidizing objects
US5421894A (en) * 1994-02-24 1995-06-06 Applied Materials, Inc. Power loss recovery for wafer heater
JP3501524B2 (ja) * 1994-07-01 2004-03-02 東京エレクトロン株式会社 処理装置の真空排気システム
US5851293A (en) 1996-03-29 1998-12-22 Atmi Ecosys Corporation Flow-stabilized wet scrubber system for treatment of process gases from semiconductor manufacturing operations
US5888579A (en) * 1996-07-29 1999-03-30 Texas Instruments-Acer Incorporated Method and apparatus for preventing particle contamination in a process chamber
TW410237B (en) * 1996-12-25 2000-11-01 Nippon Steel Corp Vacuum, pressure reduction refining method and the vacuum, pressure reduction refining equipment
JP3270730B2 (ja) * 1997-03-21 2002-04-02 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び基板処理方法
JP3567070B2 (ja) * 1997-12-27 2004-09-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及び熱処理方法
US6165272A (en) * 1998-09-18 2000-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Closed-loop controlled apparatus for preventing chamber contamination
US6106626A (en) * 1998-12-03 2000-08-22 Taiwan Semincondutor Manufacturing Company, Ltd Apparatus and method for preventing chamber contamination
JP2001023978A (ja) * 1999-07-05 2001-01-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造装置および製造方法
US20020020433A1 (en) * 1999-12-28 2002-02-21 Asami Suemura Oxidation apparatus and method of cleaning the same
US7076920B2 (en) * 2000-03-22 2006-07-18 Mks Instruments, Inc. Method of using a combination differential and absolute pressure transducer for controlling a load lock
US6578600B1 (en) * 2000-10-31 2003-06-17 International Business Machines Corporation Gas isolation box
JP3554847B2 (ja) * 2001-07-30 2004-08-18 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
KR100461845B1 (ko) * 2002-01-07 2004-12-14 주성엔지니어링(주) 액체운송장치의 안정성 확보 시스템
KR100863782B1 (ko) * 2002-03-08 2008-10-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP3999059B2 (ja) * 2002-06-26 2007-10-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法
JP4093462B2 (ja) * 2002-10-09 2008-06-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
US6954585B2 (en) * 2002-12-03 2005-10-11 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0626248U (ja) * 1992-09-03 1994-04-08 神鋼電機株式会社 表面処理装置
JPH0758032A (ja) * 1993-08-09 1995-03-03 Hitachi Electron Eng Co Ltd 圧力制御装置および圧力制御方法
JPH08139085A (ja) * 1994-11-04 1996-05-31 Nippon Steel Corp 半導体製造装置
JPH11233505A (ja) * 1998-02-13 1999-08-27 Tokyo Electron Ltd 排気装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1235262A4 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1357582A4 (en) * 2000-10-27 2005-02-02 Tokyo Electron Ltd THERMAL TREATMENT DEVICE
WO2003012849A1 (fr) * 2001-07-30 2003-02-13 Tokyo Electron Limited Appareil de traitement thermique
KR100814582B1 (ko) * 2001-07-30 2008-03-17 도쿄 엘렉트론 가부시키가이샤 열처리 장치
CN104197731A (zh) * 2014-09-15 2014-12-10 常州宝仪机电设备有限公司 防爆窑炉的控制柜

Also Published As

Publication number Publication date
US6936108B1 (en) 2005-08-30
KR20020049029A (ko) 2002-06-24
TW473791B (en) 2002-01-21
EP1235262A1 (en) 2002-08-28
DE60033423T2 (de) 2007-11-29
EP1235262B1 (en) 2007-02-14
JP3543949B2 (ja) 2004-07-21
EP1235262A4 (en) 2005-01-05
KR100636436B1 (ko) 2006-10-18
JP2001201263A (ja) 2001-07-27
DE60033423D1 (de) 2007-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100591723B1 (ko) 산화처리방법 및 산화처리장치
JP3872952B2 (ja) 熱処理装置及び熱処理方法
US7208428B2 (en) Method and apparatus for treating article to be treated
JP3543949B2 (ja) 熱処理装置
TW200809966A (en) Substrate processing apparatus and a method for manufacturing semiconductor device
JP3554847B2 (ja) 熱処理装置
JP3468577B2 (ja) 熱処理装置
WO2007111351A1 (ja) 半導体装置の製造方法
KR100781414B1 (ko) 열처리장치
JP2001250818A (ja) 酸化処理装置及びそのクリーニング方法
JP4640891B2 (ja) 熱処理装置
JP3267766B2 (ja) 熱処理装置及びその運転方法
JP4597393B2 (ja) 熱処理装置
JP3471077B2 (ja) 真空容器の圧力制御方法
JP2002353210A (ja) 熱処理装置および熱処理方法
KR20200096433A (ko) 배기 장치, 처리 시스템 및 처리 방법
JP4490636B2 (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP2006040990A (ja) 減圧熱処理装置及びその常圧復帰方法

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE TR

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020027005843

Country of ref document: KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10129661

Country of ref document: US

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2000974864

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020027005843

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 2000974864

Country of ref document: EP

WWG Wipo information: grant in national office

Ref document number: 2000974864

Country of ref document: EP