JPH0626248U - 表面処理装置 - Google Patents
表面処理装置Info
- Publication number
- JPH0626248U JPH0626248U JP6213692U JP6213692U JPH0626248U JP H0626248 U JPH0626248 U JP H0626248U JP 6213692 U JP6213692 U JP 6213692U JP 6213692 U JP6213692 U JP 6213692U JP H0626248 U JPH0626248 U JP H0626248U
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Abstract
(57)【要約】
反応管内の圧力調整時において、反応管内の圧力変動を
抑えることができる表面処理装置を提供することを目的
とする。 【目的】本考案は、炉壁にヒ−タ12を有し内部に反応
管13を備え、この反応管13内に処理流体を供給する
ガス供給管15と、上記反応管13内と処理流体Fを排
気するための大気に開口する排気管16を備える表面処
理装置において、上記排気管16の下流に弁27を有し
大気中に開口する分岐管26を設け、上記排気管16を
大気に連通させて、上記反応管13内の圧力を調整する
場合に、上記弁27を開弁することを特徴とする。
抑えることができる表面処理装置を提供することを目的
とする。 【目的】本考案は、炉壁にヒ−タ12を有し内部に反応
管13を備え、この反応管13内に処理流体を供給する
ガス供給管15と、上記反応管13内と処理流体Fを排
気するための大気に開口する排気管16を備える表面処
理装置において、上記排気管16の下流に弁27を有し
大気中に開口する分岐管26を設け、上記排気管16を
大気に連通させて、上記反応管13内の圧力を調整する
場合に、上記弁27を開弁することを特徴とする。
Description
【0001】
本考案は、被処理物を加熱処理するための反応炉を備えた表面処理装置に関す るものである。
【0002】
以下、従来の技術を図面を参照して説明する。
【0003】 図3は、半導体ウエハの表面処理に用いられる表面処理装置を示すものであり 、10は縦型反応炉、11は縦型の反応炉の炉体、12はヒ−タ、13は反応管 である。14はスカベンジャであって、反応管13のフランジ部13A下面に設 けられている。15は処理流体Fを反応管13内に供給するガス供給管である。 16は排気管であって、反応管13に大気と連通しており、連絡管部16Aと排 気管部16Bで構成されている。17は開閉弁であって、連絡管部16Aにより 反応管13内下部に連絡され、排気管部16Bにより大気に連絡されている。
【0004】 18A、18Bは圧力センサであって、圧力センサ18Aが連絡管部16A内 (反応管13内)の圧力を検出し、圧力センサ18Bが排気管部16B内(大気 )の圧力を検出して、それぞれの圧力検出信号を圧力制御器19に送出する。圧 力制御器19は、圧力センサ18Aと18Bのそれぞれの圧力検出信号を入力し て、開閉弁17の開閉を制御する。20はシ−ルリング、21はこのシ−ルリン グ20を冷却するための環状冷却管であり、ボ−トエレベ−タ22の昇降台23 上に設けられている。
【0005】 24は表面処理される被処理物としての半導体ウエハWPとダミ−ウエハWD及 びフィラ−ウエハWFの多数枚を段々に保持するボ−トであって、ボ−トエレベ −タ22の昇降台23上のボ−ト支持台25に積載される。
【0006】 この構成において、上記ボ−トエレベ−タ22は図示しない移載装置からボ− ト24をボ−ト支持台25上に移載されて上昇し、ボ−ト24を反応管13内へ 搬入する。反応管13内に搬入された半導体ウエハWPは、図示しないガス供給 装置からガス供給管15を通して反応管13内に供給された処理流体Fの雰囲気 中に曝されて表面処理される。
【0007】 このとき、反応管13内は圧力制御器19による開閉弁17の開閉制御により 、被処理物の処理条件(半導体ウエハWPの表面処理)に適した定圧状態に維持 されている。
【0008】 圧力制御器19は、圧力センサ18Aと18Bが送出する圧力検出信号を入力 して、この両圧力検出信号に基づいて反応管13内の圧力と排気管部16Bの圧 力(大気圧)との圧力差を算出して、反応管13内の圧力が所定の設定圧力より 高圧の場合には、開弁指令を開閉弁17に与える。これにより、開閉弁17が開 弁し、反応管13内と大気とが連通される。
【0009】 また、圧力制御器19は、反応管13内の圧力が所定の設定圧力になると、開 閉弁17に閉弁指令を与え、これにより開閉弁17が閉弁して、反応管13と大 気を遮断する。
【0010】 このように、圧力センサ18A、18Bから順次送られる圧力検出信号に基づ いて、圧力制御器19が開閉弁17の開閉を制御することにより、反応管13内 を被処理物の処理条件(半導体ウエハWPの表面処理)に適した定圧状態に維持 している。
【0011】 次いで、所定時間が経過すると、ボ−トエレベ−タ22の昇降台23は元の位 置へ下降し、ボ−ト24は上記移載装置により別の場所へ移載され、ここで表面 処理された半導体ウエハWPのボ−ト24からの取り出しと処理前の半導体ウエ ハWPのボ−ト24への移載が行なわれる。
【0012】
このように、従来の表面処理装置では、反応管内が急激に高圧域(反応管内の 圧力と大気圧の圧力差が大きい場合)に達する場合に、反応管内の圧力を定圧状 態にするため開閉弁を開弁すると、一気に大量の処理流体が反応管から流出する ことになり、この開閉弁の開閉制御のみでは、反応管内の圧力を定圧状態にする には長時間かかり、この間、反応管内の圧力は不安定な状態、つまり圧力変動が 生じることになるので、被処理物の表面処理に悪影響を与えるという問題があっ た。
【0013】 本考案は、この問題を解決するためになされたもので、反応管内の圧力調整時 において、反応管内の圧力変動を抑えることができる表面処理装置を提供するこ とを目的とする。
【0014】
炉壁にヒ−タを有し内部に反応管を備え、この反応管内に処理流体を供給する ガス供給管と、上記反応管内と処理流体を排気するための大気に開口する排気管 を備える表面処理装置において、上記排気管の下流に弁を有し大気中に開口する 分岐管を設け、上記排気管を大気に連通させて、上記反応管内の圧力を調整する 場合に、上記弁を開弁することを特徴とする。
【0015】 また、排気管の、分岐管より上流側に開閉弁を有し、この開閉弁はその上流側 圧力と大気圧との差が所定値以上である場合に開弁される電磁弁であることを特 徴とする。
【0016】 更に、排気管の、分岐管より下流側に流量調節可能な弁が設けられていること を特徴とする。
【0017】
【作用】 上述した本考案の表面処理装置では、開閉弁の開弁の際には、分岐管の弁によ り大気を排気管内に導入して、処理流体とともに排気管を通して大気中に排出さ れ、また、分岐管より下流の排気管中に設けられた弁により大気中に排出される 処理流体が所定量に制限される。
【0018】
以下、図1に基づいて本考案の実施例を詳述説明する。
【0019】 図1において、排気管16の排気管部16Bの排気側には、排気弁25が設け られており、開閉弁17と排気弁25とを接続する排気管部16Bには、軸方向 に直交し大気中と連絡する分岐管26が形成されている。分岐管26中には供給 弁27が設けられている。
【0020】 排気弁25と供給弁27は、一定の開弁度でそれぞれ開弁している。その他は 、従来技術の構成と同様である。
【0021】 このように、本実施例によれば、排気管16内へ、分岐管26から、開弁して いる供給弁27を通して大気が吸引され、開閉弁17を通して排気される処理流 体F中にこの吸引大気が混入し、排気弁25からの排気量はその開弁度により決 まっているので、排気される処理流体Fの量は、吸引大気がない場合に比し、吸 引大気だけ低減する。
【0022】 従って、分岐管26から、開弁している供給弁27および排気弁25の流量( 開弁度)が適切であれば、開閉弁17の開弁により、一気に大量の処理流体Fが 排気されて反応管13内の圧力が急激に低下する事態は防止されるので、反応管 13内の圧力変動が抑制され、滑らかに、従って、速やかに定圧状態に落ち着く ことになる。
【0023】 また、図2に示す如く、圧力制御器19および開閉弁17を設けることなく、 その他は上述の図1の構成と同一にしたものであっても同様の効果を得ることが できる。
【0024】 尚、供給管27を通じて大気を吸引する分岐管26は開閉弁17の上流側に連 ねるよにしてもよい。
【0025】
以上詳述したように、本考案の表面処理装置によれば、開閉弁が開弁すると、 排気管内へ、分岐管から開弁している弁を通して大気が吸引され、開閉弁を通し て排気される処理流体中にこの吸引大気が混入し、分岐管より下流の排気管中に ある弁からの排気量はその開弁度により決まっているので、排気される処理流体 の量は、吸引大気がない場合に比し、吸引大気だけ低減する。
【0026】 従って、分岐管から開弁している弁および分岐管より下流の排気管中にある弁 の流量(開弁度)が適切であれば、開閉弁の開弁により、一気に大量の処理流体 Fが排気されて反応管13内の圧力が急激に低下する事態は防止されるので、反 応管内の圧力変動が抑制され、滑らかに、従って、速やかに定圧状態に落ち着く ことになるので、被処理物の表面処理に悪影響を与えるという問題が解消する。
【図1】本考案の実施例としての表面処理装置の縦断面
概略構成図である。
概略構成図である。
【図2】本考案の他の実施例としての表面処理装置の縦
断面概略構成図である。
断面概略構成図である。
【図3】従来技術の表面処理装置の縦断面概略構成図で
ある。
ある。
13 反応管 16 排気管 17 開閉弁 25 排気弁 26 分岐管 27 供給弁
Claims (3)
- 【請求項1】炉壁にヒ−タを有し内部に反応管を備え、
この反応管内に処理流体を供給するガス供給管と、上記
反応管内の処理流体を排気するための大気に開口する排
気管を備える表面処理装置において、 上記排気管の下流に弁を有し大気中に開口する分岐管を
設け、上記排気管を大気に連通させて、上記反応管内の
圧力を調整する場合に、上記弁を開弁することを特徴と
する表面処理装置。 - 【請求項2】排気管の、分岐管より上流側に開閉弁を有
し、この開閉弁はその上流側圧力と大気圧との差が所定
値以上である場合に開弁される電磁弁であることを特徴
とする請求項1記載の表面処理装置。 - 【請求項3】排気管の、分岐管より下流側に流量調節可
能な弁が設けられていることを特徴とする請求項1また
は請求項2記載の表面処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6213692U JPH0626248U (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6213692U JPH0626248U (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 表面処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0626248U true JPH0626248U (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=13191372
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6213692U Pending JPH0626248U (ja) | 1992-09-03 | 1992-09-03 | 表面処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0626248U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001035453A1 (fr) * | 1999-11-09 | 2001-05-17 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement thermique |
-
1992
- 1992-09-03 JP JP6213692U patent/JPH0626248U/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001035453A1 (fr) * | 1999-11-09 | 2001-05-17 | Tokyo Electron Limited | Dispositif de traitement thermique |
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