WO2000028115A1 - Procede de metallisation et dispositif - Google Patents

Procede de metallisation et dispositif Download PDF

Info

Publication number
WO2000028115A1
WO2000028115A1 PCT/JP1999/006204 JP9906204W WO0028115A1 WO 2000028115 A1 WO2000028115 A1 WO 2000028115A1 JP 9906204 W JP9906204 W JP 9906204W WO 0028115 A1 WO0028115 A1 WO 0028115A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
plating
liquid
pretreatment
tank
degassing
Prior art date
Application number
PCT/JP1999/006204
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Junichiro Yoshioka
Nobutoshi Saito
Tsuyoshi Tokuoka
Original Assignee
Ebara Corporation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corporation filed Critical Ebara Corporation
Priority to KR1020007007550A priority Critical patent/KR100697875B1/ko
Priority to JP2000581278A priority patent/JP4043192B2/ja
Priority to US09/582,919 priority patent/US6716332B1/en
Priority to EP99954428A priority patent/EP1048757B1/en
Priority to DE69941111T priority patent/DE69941111D1/de
Publication of WO2000028115A1 publication Critical patent/WO2000028115A1/ja

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1803—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces
    • C23C18/1824—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces by chemical pretreatment
    • C23C18/1827—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces by chemical pretreatment only one step pretreatment
    • C23C18/1834—Use of organic or inorganic compounds other than metals, e.g. activation, sensitisation with polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1603—Process or apparatus coating on selected surface areas
    • C23C18/1605—Process or apparatus coating on selected surface areas by masking
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/04—Removal of gases or vapours ; Gas or pressure control
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/003—Electroplating using gases, e.g. pressure influence
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • H05K3/187—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating means therefor, e.g. baths, apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
    • H05K3/422—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroless plating method; pretreatment therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
    • H05K3/423—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method

Definitions

  • the present invention relates to a plating method and apparatus for performing plating processing on a workpiece, and more particularly, to a wiring groove of a substrate having fine wiring grooves, plugs, and resist openings formed thereon, such as a semiconductor wafer.
  • TECHNICAL FIELD The present invention relates to a plating method and apparatus suitable for forming a plating film in a metal, a plug, and a resist opening. Background art
  • FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of a conventional plating apparatus of this type.
  • the plating apparatus comprises a plating tank 1 0 0, collecting the plating tank 1 0 0 tank body 1 0 1 and cistern body 1 0 1 plating solution Q 2 to which the over-one flow from And a collecting tank 102.
  • the plating solution Q 2 collected in the collection tank 102 is sent to a temperature controller 104 by a liquid sending pump 103 and adjusted to a predetermined temperature suitable for plating by the temperature controller 104. Further, particles and the like are removed by the filtration filter 105 and supplied to the tank body 101.
  • 106 is a flow meter for measuring the circulating flow rate of the plating liquid.
  • the substrate W to be plated such as a semiconductor wafer, held by the substrate holder 108 in the tank body 101 of the plating tank 100 and the anode electrode 107 are opposed to each other.
  • the plating is performed by disposing and applying a plating current from the plating power source 109 between the substrate W to be plated and the anode electrode 107.
  • Plating is performed by immersion in plating solution Q2.
  • a surfactant is added to the plating solution to reduce the surface tension of the plating solution, so that fine wiring grooves, plugs and resists on the plating substrate can be removed.
  • the plating solution was intended to penetrate into the openings of.
  • bubbles are easily generated on the liquid surface during the circulation of the plating solution due to a decrease in surface tension.
  • the addition of a new surfactant to the plating solution may cause abnormalities in plating deposition, increase the incorporation of organic substances into the plating film, and adversely affect the properties of the plating film. There was a problem. Disclosure of the invention
  • the present invention has been made in view of the above points, and allows a plating solution to penetrate into fine grooves and holes formed in a plating substrate without adding a surfactant to the plating solution.
  • An object of the present invention is to provide a plating method and apparatus capable of performing high quality plating without occurrence of chipping and plating omission.
  • the plating method of the present invention is a plating method for performing electrolytic or electroless plating on an object to be plated, wherein after the dissolved gas in the plating liquid is degassed, or Perform plating while degassing dissolved gas in the solution. And / or pretreatment is performed after degassing the dissolved gas in the pretreatment liquid or while degassing the dissolved gas in the pretreatment liquid, and thereafter performing plating.
  • the plating liquid After degassing the plating liquid as described above, or by performing plating while degassing, fine wiring grooves, plugs, and bubbles in the openings of the registry formed on the adherend Dissolves in the plating liquid, which is a degassing liquid, and the plating liquid penetrates into fine grooves and holes such as fine wiring grooves, plugs, and openings in the registry, so that plating is missing or plating is missing.
  • the plating can be performed without occurrence. Furthermore, since the dissolved gas in the circulating plating solution is removed, the solution reaction of the plating solution by the dissolved gas is prevented, the side reaction and the deterioration of the plating solution can be suppressed, and a stable plating environment can be established. Obtainable.
  • the pretreatment liquid By degassing the pretreatment liquid as described above, when the object to be plated is immersed in the pretreatment liquid, bubbles in fine grooves and holes formed in the object to be plated are removed before the deaeration liquid.
  • the pretreatment liquid dissolves in the treatment liquid and penetrates into the fine grooves and holes. ⁇ The pretreatment that penetrates into the fine grooves and holes of the adherend by subsequently immersing the adherend in the plating liquid.
  • the plating solution is replaced with the plating solution, and the plating solution penetrates into the fine grooves and holes, so that plating can be performed without chipping or plating omission.
  • FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of a conventional plating apparatus.
  • FIG. 2 is a diagram showing a configuration example of the plating apparatus according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a diagram showing a configuration example of a plating apparatus according to a modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram showing a configuration example of a plating apparatus according to a modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a diagram showing a configuration example of a plating apparatus according to a modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a diagram showing a configuration example of a plating apparatus according to a modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a diagram illustrating a configuration example of a plating apparatus according to a modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a diagram showing a configuration example of a pretreatment device used for a plating device according to a modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a diagram showing a configuration example of a pretreatment device used for a plating device according to a modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a diagram showing a configuration example of a plating apparatus according to a modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a diagram showing a configuration example of a plating apparatus according to a modification of the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a view showing a configuration example of a plating apparatus according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a diagram showing a configuration example of a pretreatment device for a plating device according to a modification of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a diagram showing a configuration example of a plating apparatus according to a modification of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a diagram showing a configuration example of a plating apparatus according to a modification of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 16 is a diagram showing a configuration example of a pretreatment device for a plating apparatus according to a modification of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a diagram showing a configuration example of a plating apparatus according to a modification of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is a diagram showing a configuration example of a plating apparatus according to a modification of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 19 is a diagram showing a configuration example of a pretreatment device for a plating apparatus according to a modification of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 20 is a diagram showing a configuration example of a plating apparatus according to a modification of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 21 is a diagram showing a configuration example of a plating apparatus according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 22 is a diagram showing a configuration example of a pretreatment device for a plating apparatus according to a modification of the third embodiment of the present invention.
  • FIGS. 2 to 11 show the plating apparatus according to the first embodiment of the present invention. It is a figure showing the example of composition.
  • Plated apparatus as shown in FIG. 2, comprises a plated tank 3 0 for accommodating the plating solution Q 2.
  • a collecting tank 3 2 for collecting the plating tank 3 0 plating solution Q 2 to which the overflow from the tank body 3 1 and cistern body 3 1.
  • the plating solution Q 2 collected in the collection tank 32 is sent to the temperature controller 34 by the liquid sending pump 33 and adjusted to a predetermined temperature (a predetermined temperature suitable for plating) by the temperature controller 34. is, contaminants such as parties cycle is removed by filtration fill evening 3 5, gas dissolved in the plating solution Q 2 is removed through the degassing membrane module 3 8, is supplied to the tank body 3 1 .
  • a plating liquid circulation path for circulating the plating liquid by the liquid sending pump 33, the temperature controller 34, the filtration filter 35, and the degassing membrane module 38 is configured.
  • reference numeral 4 0 is a flow meter for measuring the flow rate of the plated liquid dissolved oxygen concentration sensor, reference numeral 3 7 Hametsuki liquid Q 2 to which to measure the dissolved oxygen concentration of the plating solution Q 2 to which through the plating liquid circulation path.
  • the plating apparatus having the above structure, and arranged to face the tank body 3 1 of plated liquid Q 2 to be plated substrate W and the anode electrode 3 6 such as a semiconductor wafer held on the substrate holding jig 1 5 in, An electric current is applied between the plating substrate W and the anode electrode 36 from the plating power source 42 to perform plating on the plating substrate W.
  • the plating solution Q 2 is degassing membrane module 3 8 and from being degassed in degassing apparatus is constituted by a vacuum pump 3 9, fine wiring trenches and formed on the plated substrate W Bragg since the bubbles in the opening of the register I the plating solution dissolved in the dark liquid Q 2 to which are degassed are entering the opening of the fine wiring trenches and Bragg, registry, chipping plating, The occurrence of plating omission is eliminated.
  • a deaerator is provided in the plating liquid circulation path of the plating tank 30 as described above, and the plating solution Q 2 collected in the collection tank 32 by overflowing the tank body 3 1 is removed by the degassing membrane module 3 by passing through a 8, dissolved gas in the plating solution Q 2 is removed.
  • the dissolved oxygen in is removed plating solution Q 2 2, it is possible to prevent liquid reaction plated solution by solution exist oxygen, suppress side reactions and degradation of the plating solution, to obtain a cheap boss was plated Environment Can be.
  • solution Seongsan oxygen concentration is a predetermined value (for example, 4 ppm or less)
  • the plated substrate W held by the substrate holder 1 5 in the plating solution Q 2 May be immersed for plating. That is, degassed plated liquid Q 2 to which is housed in plated tank, its after dissolved gas concentration is equal to or less than a predetermined value, it may be performed plating.
  • a plating solution Q 2 for electrolytic plating is supplied to the tank body 31 of the plating tank 30 to perform electrolytic plating. Remove, supply the plating liquid Q 2 for electroless plating to the tank body 31, and immerse the substrate W held in the substrate holder 15 to perform electroless plating. Is also good.
  • FIG. 3 is a diagram showing another configuration example of the plating apparatus according to the present invention.
  • the plating apparatus includes a pretreatment tank 10 and a plating tank 30.
  • the pretreatment tank 10 includes a tank body 11 and a collection tank 12 for collecting a pretreatment liquid overflowing from the tank body 11.
  • the pretreatment liquid from the pretreatment liquid source 17 is sent to the degassing membrane module 13 of the degassing device composed of the vacuum pump 14 and the degassing membrane module 13 by the liquid sending pump 16.
  • the degassing membrane module The dissolved gas in the pretreatment liquid sent into 13 is degassed and supplied to the tank body 11 as a degassed liquid.
  • Plating tank 3 0 is provided with a collecting tank 3 2 to collect over one flow Shitame with liquid Q 2 from the tank main body 3 1 and cistern body 3 1.
  • the liquid Q 2 collected in the collection tank 32 is sent to the temperature regulator 34 by the liquid sending pump 33, adjusted to a predetermined temperature by the temperature regulator 34, and further filtered by the filtration filter 35. Particles and the like are removed and supplied to the tank body 31.
  • the substrate mounting apparatus having the above-described configuration, when the substrate W to be mounted such as a semiconductor wafer held by the substrate holder 15 is immersed in the pretreatment liquid, fine wiring grooves, plugs and resists on the surface thereof are formed.
  • the pretreatment liquid Q penetrates into the opening of the chamber, and the fine wiring grooves, plugs, and bubbles in the opening of the resist dissolve into the pretreatment liquid, which is a degassing liquid, and the pretreatment liquid Penetrates into fine wiring grooves, braggs, and resist openings.
  • the pre-treatment is performed as described above, and the coated substrate W with the pre-treatment liquid permeated into the fine wiring grooves, plugs, and openings of the resist is placed in the plating tank 30 in each of the substrate holders 15. 3
  • the pretreatment liquid that has penetrated into the openings of the fine wiring grooves and plugs and the registry and the plating liquid Q 2 are replaced with the fine wiring grooves and plugs. filled internally ruin liquid Q 2 of the opening of the registry.
  • a predetermined plating voltage is applied from the power supply 42 between the substrate holder 15 and the anode electrode 36 to apply a predetermined plating voltage.
  • the plating film is formed on the covered substrate.
  • the plating liquid Q 2 penetrates into the fine wiring grooves, plugs, and openings of the resist on the substrate W to be covered, and is filled with the plating liquid.
  • FIG. 4 is a diagram showing another configuration example of the plating apparatus according to the present invention.
  • this plating device is a degassing system consisting of a feed pump 33, a temperature controller 34, a filtration filter 35, a degassing membrane module 38, and a vacuum pump 39 to the plating tank 30.
  • a plating solution circulation path having a gas device is provided. That is, it has the same plating tank 30 and the same liquid circulation path as the configuration shown in FIG. Note that it is dark liquid dissolved oxygen concentration sensor for detecting the concentration of dissolved oxygen in the plating solution Q 2 of 4 0 Hametsuki circulation path.
  • More be plated liquid Q 2 is also degassed and supplies the plated tub 3 0
  • the plating solution Q 2 when the target plated substrate W pretreated with pretreatment tank 1 0 was immersed in the plating solution Q 2, the as fine wiring grooves or plug of the plated the substrate W, but substitution of the pretreatment liquid Tometsuki liquid Q 2 to which is penetrated into the opening of Les Soo I Ru occurs, the plating solution be degassed Therefore, air bubbles do not enter into the wiring grooves, plugs, and openings of the registry accompanying the infiltration of the plating solution, and plating without chipping or plating omission can be performed.
  • FIG. 4 performs electrolytic plating.
  • the electroless plating may be performed by removing the anode electrode 36 and the plating power supply 42 and supplying the electroless plating solution Q 2 into the tank body 31.
  • FIG. 5 is a diagram showing another configuration example of the plating apparatus according to the present invention. As shown in Fig. 5, this mounting device also includes a liquid feed pump 16, a temperature controller 18, a filtration filter 19, a degassing membrane module 13, and a vacuum pump 14 in the pretreatment tank 10. A pretreatment liquid circulation path having a deaerator is provided.
  • a pretreatment liquid circulation path having a deaerator is provided in FIG.
  • reference numeral 22 denotes a flow meter for measuring the flow rate of the pretreatment liquid passing through the pretreatment liquid circulation path
  • reference numeral 20 denotes a filtration filter 19 of the pretreatment liquid circulation path.
  • a pretreatment liquid dissolved oxygen concentration sensor for detecting a dissolved oxygen concentration of a pretreatment liquid passing through the pretreatment liquid circulation path.
  • the tank body 11 By providing a deaerator consisting of a degassing membrane module 13 and a vacuum pump 14 in the pretreatment liquid circulation path of the pretreatment tank 10 as described above, the tank body 11 overflows and the collection tank 1 2 Air bubbles are mixed in the pretreatment liquid collected in the tank, but the air bubbles are removed by passing through the degassing membrane module 13, and the degassed pretreatment liquid is supplied to the tank body 11. You. Therefore, if the covering substrate W held by the substrate holder 15 is immersed in the pretreatment liquid in the tank body 11, fine wiring grooves, plugs, and bubbles in the opening of the resist are removed. The pretreatment liquid is dissolved in a gas-liquid pretreatment liquid and penetrates into fine wiring grooves, plugs, and openings of the resist.
  • the pretreatment liquid of dissolved oxygen concentration sensor 2 0 and plated liquid dissolved oxygen from an output of the density sensor 4 0 the pretreatment liquid and monitor the dissolved oxygen concentration in the plated liquid Q 2 Then, the amount of dissolved gas in these liquids is controlled. That is, when the dissolved oxygen concentration of the pretreatment liquid Q, is high from the output of the dissolved oxygen concentration sensor 20 of the pretreatment liquid, the vacuum pump 14 is controlled to increase the degree of vacuum of the degassing membrane module 13 to perform the pretreatment. Keep the dissolved oxygen concentration of the solution low.
  • the dissolved oxygen concentration sensor 4 0 raises the degree of vacuum degassing membrane module 3 8 controls the vacuum pump 3 9, dissolved in the plating solution Q 2 Keep the oxygen concentration low. This ensures that manages the pretreatment liquid and the dissolved amount of gas plated liquid Q 2, can be carried out-out stable flashes.
  • electrolytic plating is performed in the tank body 31 of the plating tank 30, but the anode electrode 36 and the plating power supply 42 are removed, and electroless plating is performed on the tank body 31.
  • a plating solution is supplied Q 2 for the month, an electroless plated may be Nau line.
  • the degassing device including the degassing membrane module and the vacuum pump is provided in both the pretreatment liquid circulation path and the plating solution circulation path. However, only one of them may be provided with the degassing apparatus. .
  • the dissolved oxygen concentration sensor here in the Ryoeki circulation path, to monitor the dissolved oxygen concentration in both the pretreatment liquid Tometsuki liquid Q 2, although the management of both the dissolved amount of gas is a One line, either Only one of the dissolved gas amounts may be managed.
  • FIG. 6 is a diagram showing another configuration example of the plating apparatus according to the present invention.
  • the plating apparatus is provided with a control device 23 for controlling a vacuum pump 14 of the deaerator of the pretreatment tank 10, and the control device 23 has a pretreatment liquid dissolved oxygen concentration sensor. 20 Output is input.
  • a control device 41 for controlling the vacuum pump 39 of the degassing device of the plating tank 30 is provided. The output of the dissolved oxygen concentration sensor 40 is input to the controller 41.
  • Each of the control devices 23 and 41 includes a computer, and the dissolved oxygen concentration of the pretreatment liquid in the pretreatment liquid circulation path and the dissolved oxygen concentration of the plating solution in the plating liquid circulation path are maintained at predetermined values.
  • the vacuum pumps 14 and 39 Control the vacuum pumps 14 and 39 as follows. That is, the pressures of the vacuum exhaust lines of the degassing membrane modules 13 and 38 are controlled to maintain the dissolved oxygen concentration in the pretreatment liquid Q and the plating solution at a predetermined value.
  • the pretreatment liquid Q, and plated liquid Q can automatically manage the dissolved amount of gas in 2, it is possible to always perform stable plating.
  • electrolytic plating is performed in the tank body 31 of the plating tank 30, but the anode electrode 36 and the plating power supply 42 are removed, and electroless plating is performed on the tank body 31.
  • the plated liquid Q 2 for per may be performed by supplying electroless plated.
  • the dissolved gas of both the pretreatment liquid in the pretreatment liquid circulation path and the plating liquid in the plating liquid circulation path is automatically controlled. It is possible that the stability is inferior to the case where is managed.
  • FIG. 7 is a diagram showing another configuration example of the plating apparatus according to the present invention.
  • this attachment device is connected between the degassing membrane module 13 of the deaerator and the vacuum pump 14 of the deaerator in the pretreatment liquid circulation path of the pretreatment tank 10, that is, the gas-liquid A separation device 24 is provided, and a gas-liquid separation device 43 is provided between the degassing membrane module 38 of the deaerator and the vacuum pump 39 in the plating liquid circulation path of the plating tank 30, that is, in the vacuum exhaust line.
  • this attachment device is connected between the degassing membrane module 13 of the deaerator and the vacuum pump 14 of the deaerator in the pretreatment liquid circulation path of the pretreatment tank 10, that is, the gas-liquid A separation device 24 is provided, and a gas-liquid separation device 43 is provided between the degassing membrane module 38 of the deaerator and the vacuum pump 39 in the plating liquid circulation path of the plating tank 30, that is, in the vacuum exhaust line.
  • the gas-liquid separators 24 and 43 By providing the gas-liquid separators 24 and 43 in this way, even if the liquid (pretreatment liquid or plating liquid) leaks from the degassing membrane modules 13 and 38, the vacuum pumps 14 and 39 are not bad. Has no effect. In addition, a water sealing pump is used for the vacuum pumps 14 and 39, and even if water flows backward when the vacuum pump is stopped, the degassing membrane modules 13 and 38 will not be adversely affected.
  • the gas-liquid separator 2 4 and 4 3 as in FIG. 6, the pretreatment liquid Q, and configured to automatically manage the dissolved gas per liquid Q 2 stopped, degassing membrane of the plating apparatus It may be provided between the module 13 and the vacuum pump 14 and between the degassing membrane module 38 and the vacuum pump 39.
  • the plating apparatus shown in Fig. 7 performs electrolytic plating in the tank body 31 of the plating tank 30, but the anode electrode 36 and the plating power supply 42 are removed, and the tank body 31 is electrolessly plated.
  • the plating solution Q 2 may perform the electroless plated supplies for plated.
  • the degassing membrane module 13 of the pretreatment liquid circulation path and the vacuum pump 14 and the degassing membrane module 38 of the degassing apparatus of the plating liquid circulation path and the vacuum pump 3 Although the gas-liquid separators 24 and 43 are provided in both of the positions 9, either one may be used.
  • FIG. 8 is a diagram showing another configuration example of the pretreatment device used for the plating device according to the present invention.
  • the pretreatment apparatus includes a pretreatment tank 10 having a collection tank 12, a substrate mounting table 25 disposed in the pretreatment tank 10, and a substrate mounting table 25.
  • a motor 26 that rotates in a horizontal plane and an injection nozzle 27 that injects the pretreatment liquid Q onto the substrate W to be covered are provided.
  • the pretreatment liquid in the collection tank 12 is sent to the deaerator consisting of the vacuum pump 14 and the degassing membrane module 13 by the liquid sending pump 16 and degassed.
  • the jet nozzle 27 jets the ink onto the surface of the substrate W.
  • the pretreatment liquid sprayed from the spray nozzle 27 is the entire surface of the substrate W to be mounted. Will be uniformly wetted.
  • FIG. 9 is a diagram showing another configuration example of the pretreatment device used for the plating device according to the present invention.
  • the pretreatment device is provided with a storage tank 28 for storing the pretreatment liquid, and the pretreatment liquid Q from the collection tank 12 is stored in this storage tank 28. 8 is different from the pre-processing device shown in FIG. 8, but the other points are substantially the same as those of the pre-processing device shown in FIG.
  • the pretreatment liquid Q is degassed by the degassing device and is injected by the injection nozzle 27.However, the degassed pretreatment liquid is prepared in advance, and the degassing is performed.
  • the pretreatment liquid may be jetted from the jet nozzle 27.
  • FIG. 10 is a diagram showing another configuration example of the plating apparatus according to the present invention.
  • the present plating apparatus includes a plating tank 30 having a collecting tank 32, a substrate mounting table 44 disposed in the plating tank 30, and a substrate mounting table 4 comprising an injection nozzle 4 6 morphism injection the plated liquid Q 2 Meaux evening 4 5 and the plated substrate W is rotated within.
  • the plating solution (here, the electroless plating solution) Q 2 in the collection tank 32 is adjusted to a predetermined solution temperature through the temperature controller 34 by the solution sending pump 33, Particles and the like are removed through the filtration filter 35, and sent to a deaeration device consisting of a vacuum pump 39 and a deaeration membrane module 38 to be deaerated. It is sprayed from the spray nozzle 46 onto the surface of the substrate W. Since this city-out substrate mounting table 4 4 which is placed to be plated substrate is rotated by motor evening 4 5, plated liquid Q 2 to which is injected from the injection nozzle 4 6 of the plated substrate W All surfaces will be uniformly wetted.
  • FIG. 11 is a diagram showing another configuration example of the plating apparatus according to the present invention.
  • This plating apparatus as shown in FIG. 1 1, the storage tank 4 7 for storing a plating solution is provided, configured to the plated liquid Q 2 from the collecting tank 3 2 as reserved in the reservoir tank 4 7 10 is different from the plating apparatus shown in FIG. 10, but the other points are substantially the same as those of the plating apparatus shown in FIG. 10.
  • the above example it is adapted to inject the injection nozzle 4 6 while degassed in a degasser the plated liquid Q 2 but leave prepared previously degassed plating solution was the degassed
  • the plating solution may be sprayed from the spray nozzle 46.
  • the coated substrate W pre-processed by the pre-processing apparatus shown in FIG. 8 or 9 may be plated by the plating apparatus shown in FIG. 10 or FIG.
  • the pretreatment liquid dissolved oxygen concentration sensor, the plating solution dissolved oxygen Concentration sensor, pretreatment liquid management Of course, a control device for controlling the plating solution, a control device for controlling the plating solution, and a gas-liquid separation device may be provided.
  • the pretreatment liquid Q is not limited to this.
  • water containing a surfactant, (acid) degreasing agent, dilute sulfuric acid , Hydrochloric acid, and a ready-to-dip solution from which the metal components have been removed from the plating solution eg, a solution of the maleic sulfonic acid to the soldering solution of the maleic sulfonic acid.
  • N 2 pulling and ultrasonic waves may be used in combination for degassing.
  • FIGS. 12 to 20 are views showing a configuration example of a plating apparatus according to the second embodiment of the present invention.
  • Plated apparatus according to a second embodiment of the present invention as shown in FIG. 1 2 is provided with a plated tank 3 0 to accommodate the fit with liquid Q 2.
  • the plating solution Q 2 collected in the collection tank 32 flows into the circulation tank 47, and is sent to the temperature regulator 34 by the liquid supply pump 33, and the predetermined temperature (suitable for plating) by the temperature regulator 34.
  • the temperature is adjusted to a predetermined temperature), and contaminants such as particles are removed by a filtration filter 35 and supplied to the tank body 31.
  • a first plating liquid circulation path for circulating the plating liquid by the circulation tank 47, the liquid sending pump 33, the temperature controller 34, and the filtration filter 35 is configured.
  • a degassing membrane module 38 is provided in the circulation tank 47, and a vacuum pump 39 is connected to the degassing membrane module 38.
  • the degassing membrane module 3 8 For example, a diaphragm type that removes various dissolved gases such as oxygen, air, and carbon dioxide present in the liquid through the diaphragm is used.
  • plated device configured as described above, arranged to face the tank body 3 1 of plated liquid Q 2 to be plated substrate W and the anode electrode 3 6 such as a semiconductor wafer held on the substrate holding jig 1 5 in The plating power is supplied from the plating power source 42 to the substrate W and the anode electrode 36, thereby plating the substrate W to be plated.
  • the plating solution Q 2 is degassing membrane module 3 8 and from being degassed in degassing apparatus is constituted by a vacuum pump 3 9, groove or plug fine wiring formed on the plated substrate W since the bubbles in the opening of the register I the plating solution Q 2 dissolved in the dark liquid Q 2 to which are degassed are entering the opening of the fine wiring trenches and Bragg, registry, plating No chipping and no missing plating.
  • a degassing device consisting of a degassing membrane module 38 and a vacuum pump 39 is provided in the circulation tank 47 of the first plating liquid circulation path, and the tank body 31 overflows to the collection tank.
  • the plating solution Q 2 for electrolytic plating is supplied to the tank body 31 of the plating tank 30 to perform the electrolytic plating.
  • the plating power supply 4 2 is removed, the plating solution Q 2 for electroless plating is supplied to the tank body 3 1, and the plating substrate W held in the substrate holder 15 is immersed in the electroless plating.
  • the plating may be performed.
  • FIG. 13 is a diagram showing a configuration example of a pretreatment apparatus for a plating apparatus according to the present invention.
  • the present plating apparatus includes a pretreatment tank 10 as shown in FIG. 13 in addition to a plating tank (not shown) for performing a plating process on the substrate W to be plated.
  • Pretreatment tank 1 Numeral 0 includes a tank body 11 and a collection tank 12 for collecting the pretreatment liquid Q i overflowing from the tank body 11.
  • the pretreatment liquid Q i collected in the collection tank 12 flows into the circulation tank 28, is sent to the temperature controller 18 by the liquid supply pump 16, and is sent to the predetermined temperature (pre-temperature) by the temperature controller 18.
  • the temperature is adjusted to a predetermined value suitable for the treatment.
  • the contaminants such as particles are removed by the filtration filter 19 and supplied to the tank body 11.
  • a first pretreatment liquid circulation path for circulating the pretreatment liquid is constituted by the circulation tank 28, the liquid feed pump 16, the temperature regulator 18, and the filtration filter 19.
  • a degassing membrane module 13 is provided in the circulation nozzle 28, and a vacuum pump 14 is connected to the degassing membrane module 13.
  • This degassing membrane module 13 and the vacuum pump 14 constitute a degassing device for removing dissolved gas in the pretreatment liquid Q contained in the circulation tank 28.
  • Reference numeral 22 denotes a flow meter for measuring the flow rate of the pretreatment liquid.
  • the degassing membrane module 13 a diaphragm type module for removing various dissolved gases such as oxygen, air, and carbon dioxide present in the liquid via the diaphragm is used.
  • the pretreatment is performed by immersing the substrate W, such as a semiconductor wafer, held by the substrate holder 15 in the pretreatment liquid Q of the tank body 11. Since the pretreatment liquid is degassed by a degassing device consisting of a degassing membrane module 13 and a vacuum pump 14, fine wiring grooves, plugs, and resists formed on the substrate W to be covered Air bubbles in the opening of the substrate dissolve in the degassed pretreatment liquid and the plating liquid penetrates into fine wiring grooves, plugs, and the openings of the registry.
  • FIG. 14 is a diagram showing a configuration example of the plating apparatus of the present invention.
  • Book 14 differs from the mounting apparatus shown in FIG. 12 in that the mounting apparatus shown in FIG. 14 uses a substrate W such as a semiconductor wafer held by a substrate holder 15 and an anode electrode 36. the is a point that is arranged to face vertically in plated liquid Q 2 of the tank body 3 1. Other points are the same as those of the mounting device shown in FIG. FIG.
  • FIG. 15 is a diagram showing a configuration example of the plating apparatus of the present invention.
  • the circulation evening tank 4 7 via a valve 4 9 connects the inert gas cylinder 4 8, be purged with an inert gas to the liquid surface of the plating solution Q 2 You can do it.
  • a deaeration membrane module 38 to which a circulation pump 50, a temperature controller 34, and a vacuum pump 39 are connected is connected to the circulation tank 47.
  • the circulation pump 50, the temperature controller 34, and the degassing membrane module 38 constitute a second plating liquid circulation path.
  • the liquid Q 2 that overflows the tank body 31 is collected in the collection tank 32 and flows into the circulation tank 47.
  • the plating solution Q 2 in the circulation tank 47 is sent to the filtration filter 35 by the solution sending pump 33 to remove particles and the like, and is supplied to the tank body 31.
  • the plating liquid Q 2 in the circulation tank 47 is circulated by the circulation pump 50 through the temperature controller 34 and the degassing membrane module 38. By this circulation, the plating liquid Q 2 is adjusted to a predetermined temperature by the temperature controller 34, and is deaerated by the deaeration membrane module 38.
  • the circulating evening tank 4 plating solution in 7 Q 2 the liquid feed pump 3 3, apart from the circulation system to send Filtration fill evening 3 5, the tank body 3 1 through a flow meter 3 7, circulation
  • a second plating liquid circulation path for returning the plating solution Q2 in the tank 47 to the circulation tank 47 through the circulation pump 50, the temperature controller 34, and the deaeration membrane module 38 is provided.
  • FIG. 16 is a diagram showing a configuration of a pretreatment device for a plating apparatus according to the present invention.
  • This plating apparatus is provided with a pretreatment tank 10 and a circulation tank 28 for a pretreatment liquid, in addition to a plating tank (not shown) for performing plating treatment on the substrate W to be plated.
  • an inert gas cylinder 48 is connected to the circulation tank 28 via a valve 49 so that an inert gas can be supplied to the surface of the pretreatment liquid Q, c.
  • a degassing membrane module 13 to which a circulation pump 50, a temperature controller 18 and a vacuum pump 14 are connected is connected to 8.
  • the circulation pump 50, the temperature controller 18 and the degassing membrane module 13 constitute a second pretreatment liquid circulation path.
  • the pretreatment liquid Q which has overflowed the tank body 11 of the pretreatment tank 10, is collected in the collection tank 42, and flows into the circulation tank 28.
  • the pretreatment liquid in the circulation tank 28 is sent to the filtration filter 19 by the liquid sending pump 16 to remove particles and the like, and then supplied to the tank body 11.
  • the pretreatment liquid in the circulation tank 28 is circulated by the circulation pump 50 through the temperature controller 18 and the degassing membrane module 13. By this circulation, the pretreatment liquid is adjusted to a predetermined temperature by the temperature controller 18 and deaerated by the deaeration membrane module 13.
  • the circulation tank 28 sends the pretreatment liquid to the feed pump 16 Separately from the first pretreatment liquid circulation path, which sends the pretreatment liquid in the circulation tank 28 to the tank body 1 1 through the flowmeter 22 and the flowmeter 22, the circulation pump 50, temperature controller 18.
  • a second pretreatment liquid circulation path is provided to return to the circulation nozzle 28 through the degassing membrane module 13 and the pretreatment liquid Q flowing through the second pretreatment liquid circulation path is degassed.
  • FIG. 17 is a diagram showing a configuration example of the plating apparatus of the present invention.
  • the plating apparatus differs from the plating apparatus shown in FIG. 15 in that the plating apparatus shown in FIG. 17 uses a substrate W such as a semiconductor wafer held by a substrate holder 15 and an anode electrode 16. the is a point that is arranged to face vertically in the plating solution Q 2 of the tank body 3 1. In other respects, it is the same as the mounting device in Fig. 15.
  • FIG. 18 is a diagram showing a configuration example of the plating apparatus of the present invention.
  • the degassing device for removing the dehydration Kimaku module 3 8 and the dissolved gas in the plated liquid Q 2 to which is accommodated in the tank body 3 1 by a vacuum pump 3 9 forms configured.
  • the degassing membrane module 38 uses a diaphragm type that removes various dissolved gases such as oxygen, air, and carbon dioxide present in the liquid through the diaphragm, for example.
  • the plating apparatus shown in FIG. 1 overflows from the tank main body 3 1, the plating solution Q 2 to which gathered in the collecting tank 1 2 is sent to the temperature controller 3 4 feeding pump 3 3, the temperature The temperature is adjusted to a predetermined temperature (a predetermined temperature suitable for plating) by a regulator 34, and contaminants such as particles are removed by a filtration filter 35 and supplied to the tank body 31.
  • a predetermined temperature a predetermined temperature suitable for plating
  • the substrate W such as a semiconductor wafer, held by the substrate holder 15 in the plating solution Q 2 of the tank body 3 1 and the anode electrode 36 are arranged to face each other. Plating is performed on the coated substrate W by passing a current between the coated substrate W and the anode electrode 36.
  • the plating solution Q 2 in the tank body 31 is deaerated by the deaerator composed of the deaeration film module 38 and the vacuum pump 39, the fine liquid formed on the substrate W to be covered is removed.
  • a degassing device consisting of a degassing membrane module 38 and a vacuum pump 39 in the tank main body 31 as described above, the dissolved gas in the liquid Q 2 stored in the tank main body 31 is degassed. It is removed by the membrane module 38. As a result, it is possible to prevent the liquid reaction plated solution Q 2 due to dissolved oxygen and the like, suppress side reactions and degradation of the plated liquid, it is possible to obtain a stable plating environment.
  • FIG. 19 is a diagram showing a configuration example of a pretreatment device for a plating device of the present invention.
  • the present plating apparatus includes a pretreatment tank 10 as shown in FIG. 19, in addition to a plating tank (not shown) for performing a plating process on the substrate W to be covered, and the like.
  • a degassing membrane module 13 is provided in the tank body 11, and a vacuum pump 14 is connected to the degassing membrane module 13.
  • the degassing membrane module 13 and the vacuum pump 14 constitute a degassing device for removing dissolved gas in the pretreatment liquid stored in the pretreatment tank 10.
  • the degassing membrane module 13 is of a diaphragm type that removes various dissolved gases such as oxygen, air, and carbon dioxide present in the liquid through the diaphragm. You.
  • the pretreatment liquid Q which overflows from the tank main body 11, is sent to the temperature regulator 18 by the liquid sending pump 16 and the predetermined temperature is supplied to the temperature regulator 18 by the temperature regulator 18.
  • the temperature (predetermined temperature suitable for pretreatment) is adjusted, and contaminants such as particles are removed by a filtration filter 19 and supplied to the tank body 11.
  • the pretreatment is performed by immersing the substrate W, such as a semiconductor wafer, held by the substrate holder 15 in the pretreatment liquid of the tank body 11. Since the pretreatment liquid is degassed by a deaerator consisting of a degassing membrane module 13 and a vacuum pump 14, fine wiring grooves, plugs, and resist openings formed on the substrate W to be covered Air bubbles in the part dissolve in the degassed pretreatment liquid Q, and the plating liquid penetrates into fine wiring grooves, plugs, and resist openings, so that the substrate W to be plated is pretreated.
  • a deaerator consisting of a degassing membrane module 13 and a vacuum pump 14
  • fine wiring grooves, plugs, and resist openings formed on the substrate W to be covered Air bubbles in the part dissolve in the degassed pretreatment liquid Q, and the plating liquid penetrates into fine wiring grooves, plugs, and resist openings, so that the substrate W to be plated is pretreated.
  • FIG. 20 is a diagram showing a configuration example of the plating apparatus of the present invention.
  • Book The plating apparatus shown in FIG. 18 differs from the plating apparatus shown in FIG. 18 in that the plating apparatus W shown in FIG. 20 holds a substrate W, such as a semiconductor wafer, held by a substrate holder 15 and an anode electrode 36. a point which is arranged to face vertically in plated liquid Q 2 of the body 3 in 1. Other points are the same as those of the mounting device shown in FIG.
  • the degassing membrane modules 38 and 13 remove various dissolved gases such as oxygen, nitrogen, and carbon dioxide present in the liquid through the diaphragm. Use a diaphragm type.
  • the plating solution Q 2 or during the pretreatment liquid Q it is possible to always lower the dissolved gas in difficult can bubble the front surface of the plated substrate W. Further, since the circulating evening the plating solution Q 2 in tank 4 in 7 always degassed, the tank body 3 1 of plating tank 3 0 of the first plated circulation path for supplying plated liquid Q 2 flow rate It is not necessary to increase the degassing performance of the degassing device even when the amount is large.
  • the pre-treatment liquid Q, the substrate W to be covered is immersed before the plating processing, but the deaeration of the pre-treatment liquid Q, is sufficient if degassing is performed when there is no substrate W to be plated.
  • the degassing capacity of the degassing device for performing the degassing may be small.
  • the flow rate of the plating solution or the pretreatment solution is large, there is no need to provide a large deaerator, which is economical.
  • the flow rate flowing through the deaerator can be kept constant, so that stable deaeration can be performed.
  • an inert gas supply means for supplying inert gas to the liquid surface of the plating solution circulation tank or the pretreatment solution circulation tank was provided, and an inert gas was supplied to the liquid surface. Active gas such as oxygen does not dissolve from the liquid surface, and even if the operation of the deaerator is stopped, the dissolved gas in the deaerated liquid does not increase, so that it is efficient.
  • FIG. 21 shows a configuration example of a plating apparatus according to a third embodiment of the present invention.
  • This plating apparatus is provided with a plating tank 30, a substrate W to be coated and an anode electrode 36 arranged in a tank body 31 that stores a plating solution, and is energized by a power supply 42.
  • the configuration for performing plating is the same as in each of the above-described embodiments.
  • the plating liquid overflows from the tank body to the collection tank 32, and the plating liquid is pumped by the pump 33, and the temperature controller 34, the filtration filter 35, the degassing membrane module 38 and
  • the structure in which the plating liquid is deaerated through a deaerator constituted by a vacuum pump 39 and circulated through the plating tank main body is the same as in the above-described embodiments.
  • a bypass pipe 52 for bypassing a pipe passing through the deaerators 38 and 39 is provided.
  • the bypass pipe 52 is branched by a three-way valve 53 and has a flow control valve 54.
  • a flow meter 37 is provided in a pipe passing through the deaerator, and after merging with a bypass pipe 52, a plating solution dissolved oxygen concentration sensor 40 and a flow meter 37 are arranged. Therefore, it is possible to control the respective flow rates of the pipe passing through the deaerator and the bypass pipe.
  • the pressure on the pressure reducing side of the deaerator is low at the flow rate flowing through the deaerator, the pressure should be low if the flow rate is high, and the pressure should be high if the flow rate is high, thereby adjusting the dissolved oxygen concentration in the plating solution. Can be.
  • the capacity of the deaerator is smaller than the desired circulating flow rate, it is preferable to keep the flow rate flowing through the deaerator at a constant value and flow an excess of the capacity to the bypass pipe 52. This makes it possible to secure a desired flow rate of the plating solution to the circulation system while fully utilizing the capability of the deaerator.
  • the plating solution dissolved oxygen concentration sensor 40 Since the plating solution dissolved oxygen concentration sensor 40 is disposed after the bypass piping and the piping flowing through the deaerator are merged, it is necessary to monitor the dissolved oxygen concentration as a whole of the plating solution flowing through the circulator. Can be.
  • the dissolved oxygen concentration is preferably between 4 ppm and 1 ppb as described above.
  • the output of the dissolved oxygen concentration sensor 40 may be transmitted to a control device (not shown), and the pressure on the pressure reducing side of the deaerator may be adjusted based on the data. This makes it possible to control the dissolved oxygen concentration in the plating liquid flowing through the entire circulation system including the bypass pipe.
  • FIG. 22 shows a case where a deaerator is disposed in the above-described circulation system, and the provision of a bypass pipe in the deaerator is applied to a pretreatment tank. That is, the substrate W to be pre-processed is placed in the tank body 11 of the pre-treatment tank 10, the pre-treatment liquid is supplied from the bottom of the tank, and the pre-treatment liquid overflowing the tank body 11 is The pretreatment liquid enters the collection tank 12 and is circulated to the bottom of the tank body by the pump 16 through the piping of the circulation system.
  • a degassing device composed of a degassing membrane module 13 and a vacuum pump 14 is arranged in the circulation system piping, and a bypass piping 52 is arranged for this piping.
  • a constant flow rate that can be processed is passed through the deaerator, and the excess amount is bypassed by the bypass pipe 52.
  • This circulation system is also equipped with a dissolved oxygen concentration sensor 20, which adjusts the amount of deaeration of the deaerator and adjusts the dissolved oxygen concentration of the circulated pretreatment liquid to fall within a predetermined target value range.
  • the plating tank and / or pretreatment tank is provided with a deaerator in its circulation system, and is provided with a bypass piping, so that a relatively small volume is always removed regardless of the circulation amount.
  • the desired degassing can be performed by the gas generator, and stable and high-quality plating can be always performed.
  • oxygen has been mainly described as an example of the dissolved gas.
  • the present invention can be applied to not only oxygen but also various dissolved gases.
  • Industrial applicability The present invention relates to a method and an apparatus for forming fine wiring or the like on the surface of a semiconductor wafer or the like by copper plating or the like. Therefore, it can be suitably used for production of electronic devices such as semiconductor devices.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)

Description

明 細 書 . めつき方法及び装置 技術分野
本発明は被めつき物にめつき処理を施すめつき方法及び装置に関し、 特に半導体ウェハ等の微細な配線用溝やプラグ、 レジス ト開口部が形成 された被めつき基板の該配線用溝やブラグ、 レジス ト開口部にめっき膜 を形成するのに好適なめっき方法及び装置に関するものである。 背景技術
図 1は、 従来のこの種のめっき装置の構成例を示す図である。 図示す るように、 めっき装置は、 めっき槽 1 0 0を具備し、 該めっき槽 1 0 0 は槽本体 1 0 1 と該槽本体 1 0 1からオーバ一フローしためっき液 Q 2 を捕集する捕集槽 1 0 2を具備する。 捕集槽 1 0 2に集まっためっき液 Q 2は送液ポンプ 1 0 3で温度調整器 1 0 4に送られ、該温度調整器 1 0 4でめつきに適した所定の温度に調整され、 さらに濾過フィル夕 1 0 5 でパーティクル等が除去され、 槽本体 1 0 1に供給される。 なお、 1 0 6はめつき液の循環流量を測定する流量計である。
上記構成のめつき装置において、 めっき槽 1 0 0の槽本体 1 0 1内の 基板保持具 1 0 8に保持された半導体ウェハ等の被めつき基板 Wと陽極 電極 1 0 7を対向して配置し、 該被めっき基板 Wと陽極電極 1 0 7の間 にめつき電源 1 0 9からめつき電流を通電することにより、 めっきを行 なう。 なお、 無電解めつきの場合はめつき電源 1 0 9及び陽極電極 1 0 7を配置することなく、 基板保持具 1 0 8に保持された被めつき基板 W をめつき液 Q 2に浸漬することにより、 めっきを行なう。
上記被めっき基板 Wのめっきにおいて、 被めつき基板 Wに設けられた 微細な配線用溝やプラグ、 濡れ性の悪いレジス 卜の開口部の中にめっき 膜を形成する場合、めつき液や前処理液がこの微細な配線用溝やブラグ、 レジス トの開口部内に浸入せず、 これらの配線用溝やプラグ、 レジス ト の開口部内に気泡が残ってしまうという問題があり、 めっき欠け、 めつ き抜けの原因となっていた。
従来、 このめつき欠け、 めっき抜けを防止するため、 めっき液に界面 活性剤を加えてめつき液の表面張力を下げることによって、 被めつき基 板の微細な配線用溝やプラグ、 レジス 卜の開口部へのめっき液の浸入を 図っていた。 しかしながら、 表面張力が下がることによってめっき液循 環中に液面に気泡が発生し易いという問題がある。 また、 めっき液に新 たな界面活性剤を加えることによって、 めっき析出に異常が起き、 めつ き膜への有機物の取り込みが増え、 めっき膜の特性に悪影響を与える恐 れがぁるなどの問題があつた。 発明の開示
本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、 めつき液に界面活性剤を 加えることなく、 被めつき基板に形成された微細な溝や穴にめっき液を 浸入させることができ、 めっき欠け、 めっき抜けの発生がない高品質の めっきを行うことができるめっき方法及び装置を提供することを目的と する。
上記課題を解決するため本発明のめっき方法は、 被めつき物に電解又 は無電解めつきを行なうめつき方法であって、 めつき液中の溶存気体を 脱気した後、又はめつき液中の溶存気体を脱気しながらめっきを行なう、 及び/又は、 前処理液中の溶存気体を脱気した後、 又は前処理液中の溶 存気体を脱気しながら前処理を行い、 その後めつきを行うことを特徴と する。
上記のようにめつき液を脱気した後、 又は脱気しながらめつきを行う ことにより、 被めつき物に形成された微細な配線用溝やプラグ、 レジス 卜の開口部の中の気泡は脱気液であるめつき液に溶け込んで、 該めつき 液は微細な配線用溝やプラグ、 レジス 卜の開口部等の微細な溝や穴に浸 入するから、 めっき欠け、 めっき抜けの発生なくめつきを行うことがで きる。 更に、 循環するめつき液中の溶存気体を除去するので、 該溶存気 体によるめつき液の液反応が防止され、 めつき液の副反応や劣化を抑え ることができ、 安定しためっき環境を得ることができる。
上記のように前処理液を脱気することにより、 該前処理液に被めつき 物を浸漬すると該被めっき物に形成された微細な溝や穴の中の気泡は脱 気液である前処理液に溶け込んで該前処理液は微細な溝や穴に浸入する < その後該被めつき物をめつき液に浸漬させることにより、 被めつき物の 微細な溝や穴に浸入した前処理液とめっき液とが置換され、 微細な溝や 穴の内部にめっき液が浸入するから、 めっき欠け、 めっき抜けの発生な くめつきを行うことができる。
また、 めっき液又は前処理液中の一方又は両方の溶存気体濃度が 4 p p m乃至 1 p p bの間になるように管理しながらめつきを行うことが好 ましい。 上記のように、 前処理液循環系を通る前処理液やめつき液循環 系を通るめっき液の溶存気体濃度をモニタし、 溶存気体量を管理するこ とにより、 安定しためっきを行なうことができる。 図面の簡単な説明 図 1は従来のめっき装置の構成例を示す図である。
図 2は本発明の第 1の実施形態に係るめっき装置の構成例を示す図で ある。
図 3は本発明の第 1の実施形態の変形例に係るめつき装置の構成例を 示す図である。
図 4は本発明の第 1の実施形態の変形例に係るめつき装置の構成例を 示す図である。
図 5は本発明の第 1の実施形態の変形例に係るめっき装置の構成例を 示す図である。
図 6は本発明の第 1の実施形態の変形例に係るめつき装置の構成例を 示す図である。
図 7は本発明の第 1の実施形態の変形例に係るめつき装置の構成例を 示す図である。
図 8は本発明の第 1の実施形態の変形例に係るめつき装置に用いる前 処理装置の構成例を示す図である。
図 9は本発明の第 1の実施形態の変形例に係るめつき装置に用いる前 処理装置の構成例を示す図である。
図 1 0は本発明の第 1の実施形態の変形例に係るめつき装置の構成例 を示す図である。
図 1 1は本発明に第 1の実施形態の変形例に係るめっき装置の構成例 を示す図である。
図 1 2は本発明の第 2の実施形態に係るめっき装置の構成例を示す図 である。
図 1 3は本発明の第 2の実施形態の変形例に係るめっき装置の前処理 装置の構成例を示す図である。 図 1 4は本発明の第 2の実施形態の変形例に係るめつき装置の構成例 を示す図である。
図 1 5は本発明の第 2の実施形態の変形例に係るめつき装置の構成例 を示す図である。
図 1 6は本発明の第 2の実施形態の変形例に係るめつき装置の前処理 装置の構成例を示す図である。
図 1 7は本発明の第 2の実施形態の変形例に係るめつき装置の構成例 を示す図である。
図 1 8は本発明の第 2の実施形態の変形例に係るめつき装置の構成例 を示す図である。
図 1 9は本発明の第 2の実施形態の変形例に係るめつき装置の前処理 装置の構成例を示す図である。
図 2 0は本発明の第 2の実施形態の変形例に係るめつき装置の構成例 を示す図である。
図 2 1は本発明の第 3の実施形態に係るめっき装置の構成例を示す図 である。
図 2 2は本発明の第 3の実施形態の変形例に係るめつき装置の前処理 装置の構成例を示す図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の実施の形態例を図面に基づいて説明する。 本実施の形 態例では被めつき物として、 半導体ウェハ等の被めつき基板を例に説明 するが、 めっき物はこれに限定されるものではなく、 めっき表面に微細 な溝や穴が形成され、 該溝ゃ穴にめっきを施すめっき装置としても使用 できる。 図 2乃至図 1 1は本発明の第 1の実施形態に係るめっき装置の 構成例を示す図である。
図 2に示すようにめつき装置は、めっき液 Q 2を収容するめつき槽 3 0 を具備する。 該めっき槽 3 0は槽本体 3 1 と該槽本体 3 1からオーバー フローしためっき液 Q 2を捕集する捕集槽 3 2を具備する。捕集槽 3 2に 集まっためっき液 Q 2は送液ポンプ 3 3で温度調整器 3 4に送られ、該温 度調整器 3 4で所定の温度 （めっきに適した所定の温度） に調整され、 濾過フィル夕 3 5でパーティ クル等の汚染物が除去され、 脱気膜モジュ ール 3 8を通ってめっき液 Q 2中に溶存する気体が除去され、槽本体 3 1 に供給される。
ここで、 送液ポンプ 3 3、 温度調整器 3 4、 濾過フィル夕 3 5及び脱 気膜モジュール 3 8でめつき液を循環させるめつき液循環経路を構成し ている。 また、 脱気膜モジュール 3 8 と真空ポンプ 3 9は、 該めっき液 循環経路を通るめつき液 Q 2 中の溶存気体を除去する脱気装置を構成す る。 また、 符号 4 0は該めっき液循環経路を通るめっき液 Q 2の溶存酸素 濃度を測定するめつき液溶存酸素濃度センサ、 符号 3 7はめつき液 Q 2 の流量を測定する流量計である。
上記構成のめっき装置において、槽本体 3 1 のめつき液 Q 2中に基板保 持具 1 5に保持された半導体ウェハ等の被めつき基板 Wと陽極電極 3 6 を対向して配置し、 めっき電源 4 2より、 被めつき基板 Wと陽極電極 3 6の間に電流を通電することにより、 被めつき基板 Wにめつきを行う。 ここで、めっき液 Q 2は脱気膜モジュール 3 8 と真空ポンプ 3 9で構成さ れる脱気装置で脱気されているから、 被めつき基板 Wに形成された微細 な配線用溝やブラグ、 レジス 卜の開口部の中の気泡は脱気してあるめつ き液 Q 2に溶け込んで該めっき液は微細な配線用溝やブラグ、レジス トの 開口部に浸入するから、 めっき欠け、 めっき抜けの発生がなくなる。 上記のようにめつき槽 3 0のめつき液循環経路に脱気装置を設け、 槽 本体 3 1 をオーバ一フローして捕集槽 3 2に集まっためっき液 Q 2 を脱 気膜モジュール 3 8に通すことにより、めっき液 Q 2の溶存気体は除去さ れる。 その結果、 めっき液 Q 2の中の溶存酸素が除去され、 該溶存酸素に よるめつき液の液反応が防止でき、 めっき液の副反応や劣化を抑え、 安 定しためつき環境を得ることができる。
なお、上記例ではめつき液循環経路を通るめっき液 Q 2を脱気しながら めっきを行っているが、 めっき液溶存酸素濃度センサ 4 0の出力でめつ き液循環経路を通るめつき液の溶存酸素濃度を監視しながら、 該溶存酸 素濃度が所定の値 （例えば、 4 p p m以下） になったら、 該めっき液 Q 2 中に基板保持具 1 5に保持された被めつき基板 Wを浸漬し、 めっきを行 うようにしてもよい。即ち、 めつき槽に収容されためつき液 Q 2を脱気し、 その溶存気体濃度が所定値以下になった後、 めっきを行うようにしても よい。
なお、 図 2に示すめっき装置では、 めっき槽 3 0の槽本体 3 1に電解 めっき用のめっき液 Q 2を供給し電解めっきを行なうものであるが、陽極 電極 3 6、 めっき電源 4 2を除去し、 槽本体 3 1に無電解めつき用のめ つき液 Q 2を供給し、基板保持具 1 5に保持された被めつき基板 Wを浸漬 させて無電解めつきを行なうようにしてもよい。
図 3は、 本発明に係るめっき装置の他の構成例を示す図である。 本め つき装置は図 3に示すように、前処理槽 1 0とめつき槽 3 0を具備する。 前処理槽 1 0は槽本体 1 1 と該槽本体 1 1からオーバ一フローした前処 理液 を捕集する捕集槽 1 2を具備する。前処理液源 1 7からの前処理 液は送液ポンプ 1 6で真空ポンプ 1 4 と脱気膜モジュール 1 3で構成さ れる脱気装置の脱気膜モジュール 1 3に送られる。 該脱気膜モジュール 1 3内に送り込まれた前処理液 はその中の溶存気体が脱気され、脱気 液となって槽本体 1 1に供給される。
めっき槽 3 0は槽本体 3 1 と該槽本体 3 1からオーバ一フローしため つき液 Q 2を捕集する捕集槽 3 2を具備する。捕集槽 3 2に集まっためつ き液 Q 2は送液ポンプ 3 3で温度調整器 3 4に送られ、該温度調整器 3 4 で所定の温度に調整され、 さらに濾過フィル夕 3 5でパ一ティ クル等が 除去され、 槽本体 3 1に供給される。
上記構成の基板めつき装置において、該前処理液 中に基板保持具 1 5に保持された半導体ウェハ等の被めつき基板 Wを浸漬すると、 その表 面の微細な配線用溝やブラグ、レジス 卜の開口部に前処理液 Q ,が浸入し、 該微細な配線用溝やプラグ、 レジス トの開口部の中の気泡は脱気液であ る前処理液に溶け込んで該前処理液は微細な配線用溝やブラグ、 レジス トの開口部に浸入する。
上記のように前処理を行い、 その微細な配線用溝やプラグ、 レジス ト の開口部に前処理液の浸入した被めつき基板 Wを基板保持具 1 5ごとに めっき槽 3 0の槽本体 3 1のめつき液 Q 2に浸漬すると、微細な配線用溝 やプラグ、 レジス 卜の開口部に浸入した前処理液 とめつき液 Q 2とが 置換され、 該微細な配線用溝やプラグ、 レジス トの開口部の内部はめつ き液 Q 2で充満する。
この状態で基板保持具 1 5 と陽極電極 3 6の間にめつき電源 4 2から 所定のめっき電圧を印加することにより、 陽極電極 3 6から陰極となる 被めつき基板 Wにめつき電流が流れ、 被めつき基板にめっき膜が形成さ れる。 このとき被めつき基板 Wの該微細な配線用溝やプラグ、 レジス ト の開口部の内部にめつき液 Q 2が浸入し、 充満しているから、 めっき欠け、 めつき抜けの発生なくめつきが行われる。 上記のように、 前処理の済んだ被めつき基板 Wをめつき槽 3 0の槽本 体 3 1のめつき液 Q 2に浸漬することにより、 前処理液 Q ,がめつき液 Q 2 に持ち込まれることになるが、前処理液 Q ,として純水を用いることによ り、 めっき液 Q 2に何らの悪影響も与えない。
なお、 図 3に示すめっき装置では、 めっき槽 3 0の槽本体 3 1のめつ き液 Q 2 中に基板保持具 1 5に保持された被めつき基板 Wと陽極電極 3 6を対向配置し、 電解めつきを行なうものであるが、 陽極電極 3 6、 め つき電源 4 2を除去し、 槽本体 3 1内に無電解めつき用のめっき液 Q 2 を供給し、該めつき液 Q 2中に基板保持具 1 5に保持された被めつき基板 Wを浸潰して無電解めつきを行なうようにしてもよい。
図 4は、 本発明に係るめっき装置の他の構成例を示す図である。 本め つき装置は図 4に示すように、 めっき槽 3 0に送液ポンプ 3 3、 温度調 整器 3 4、 濾過フィル夕 3 5、 脱気膜モジュール 3 8 と真空ポンプ 3 9 からなる脱気装置を有するめっき液循環経路を具備する。 即ち、 図 2に 示す構成と同一のめっき槽 3 0 とめつき液循環経路を具備する。 なお、 4 0はめつき液循環経路のめっき液 Q 2の溶存酸素濃度を検出するめつ き液溶存酸素濃度センサである。
上記のようにめつき槽 3 0に供給するめつき液 Q 2 も脱気することに より、前処理槽 1 0で前処理した被めつき基板 Wを該めっき液 Q 2に浸漬 した場合、 上記のように被めつき基板 Wの微細な配線用溝やプラグ、 レ ジス 卜の開口部に浸入している前処理液 とめつき液 Q 2の置換が起き るが、 めっき液も脱気されているから、 めっき液の浸入に同伴して該配 線用溝やプラグ、 レジス 卜の開口部内部に気泡が浸入することがなく、 めっき欠け、 めっき抜けのないめっきを行うことができる。
なお、 図 4に示すめっき装置は、 電解めつきを行なうものであるが、 陽極電極 3 6、 めっき電源 4 2を除去して、 槽本体 3 1内に無電解めつ き用めつき液 Q 2を供給し、 無電解めつきを行なうようにしてもよい。 図 5は、 本発明に係るめっき装置の他の構成例を示す図である。 本め つき装置は図 5に示すように、 前処理槽 1 0にも送液ポンプ 1 6、 温度 調整器 1 8、 濾過フィル夕 1 9、 脱気膜モジュール 1 3 と真空ポンプ 1 4からなる脱気装置を有する前処理液循環経路を設けている。 なお、 図 5において、 符号 2 2は該前処理液循環経路を通る前処理液の流量を測 定する流量計、 符号 2 0は該前処理液循環経路の濾過フィル夕 1 9の出 口に設けられた、 該前処理液循環経路を通る前処理液の溶存酸素濃度を 検出する前処理液溶存酸素濃度センサである。
上記のように前処理槽 1 0の前処理液循環経路に脱気膜モジュール 1 3 と真空ポンプ 1 4からなる脱気装置を設けることにより、 槽本体 1 1 をオーバーフローして捕集槽 1 2に集まった前処理液 には気泡が混 入するが、 脱気膜モジュール 1 3を通ることにより該気泡は除去され、 脱気された前処理液 となって、槽本体 1 1内に供給される。従って、 槽本体 1 1 の前処理液 中に基板保持具 1 5に保持された被めつき基 板 Wを浸漬すると、 微細な配線用溝やプラグ、 レジス トの開口部の中の 気泡は脱気液である前処理液に溶け込んで該前処理液は微細な配線用溝 やプラグ、 レジス トの開口部に浸入する。
また、前処理槽 1 0の脱気した前処理液 に浸漬し前処理した被めつ き基板 Wをめつき槽 3 0の脱気しためっき液 Q 2中に浸漬すると、被めつ き基板 Wの微細な配線用溝やプラグ、 レジス 卜の開口部に浸入している 前処理液 と脱気しためっき液 Q 2の置換が起き、 めつき液の浸入に同 伴して該配線用溝やプラグ、 レジス 卜の開口部内部に気泡が浸入するこ とがなく、 めっき欠け、 めっき抜けのないめっきを行うことができる。 また、 上記構成の基板めつき装置においては、 前処理液溶存酸素濃度 センサ 2 0及びめつき液溶存酸素濃度センサ 4 0の出力から、 前処理液 及びめつき液 Q 2の溶存酸素濃度をモニタして、 これらの液中の溶存 気体量を管理する。 即ち、 前処理液溶存酸素濃度センサ 2 0の出力から 前処理液 Q , の溶存酸素濃度が高いときは、 真空ポンプ 1 4を制御して 脱気膜モジュール 1 3の真空度を上げ、前処理液 の溶存酸素濃度を低 く抑える。 また、 めっき液溶存酸素濃度センサ 4 0の出力からめっき液 Q 2の濃度が高いときは、真空ポンプ 3 9を制御して脱気膜モジュール 3 8の真空度を上げ、 めっき液 Q 2の溶存酸素濃度を低く抑える。 これによ り、 前処理液 及びめつき液 Q 2の溶存気体量を管理し、 安定しためつ きを行なうことができる。
なお、 図 5に示すめっき装置では、 めっき槽 3 0の槽本体 3 1で電解 めっきを行なうものであるが、 陽極電極 3 6、 めっき電源 4 2を除去し、 槽本体 3 1に無電解めつき用のめっき液 Q 2を供給し、無電解めつきを行 なうようにしてもよい。 また、 上記例では前処理液循環経路とめっき液 循環経路の両方に脱気膜モジュールと真空ポンプからなる脱気装置を設 けているが、 いずれか一方のみに脱気装置を設けてもよい。 また、 ここ では両液循環経路に溶存酸素濃度センサを設けて、前処理液 とめつき 液 Q 2の両者の溶存酸素濃度をモニタし、両者の溶存気体量の管理を行な つているが、 いずれか一方の溶存気体量の管理のみでもよい。
図 6は、 本発明に係るめっき装置の他の構成例を示す図である。 本め つき装置は図 6に示すように、 前処理槽 1 0の脱気装置の真空ポンプ 1 4を制御する制御装置 2 3を設けると共に、 該制御装置 2 3に前処理液 溶存酸素濃度センサ 2 0の出力を入力している。 また、 めっき槽 3 0の 脱気装置の真空ポンプ 3 9を制御する制御装置 4 1を設けると共に、 制 御装置 4 1にめつき液溶存酸素濃度センサ 4 0の出力を入力している。 上記制御装置 2 3及び 4 1はそれぞれコンピュー夕を具備し、 前処理 液循環経路の前処理液の溶存酸素濃度及びめつき液循環経路のめっき液 の溶存酸素濃度が所定の値に維持されるように真空ポンプ 1 4及び 3 9 を制御する。 即ち、 脱気膜モジュール 1 3及び 3 8の真空排気ラインの 圧力を制御して、前処理液 Q ,中の溶存酸素濃度及びめつき液の溶存酸素 濃度を所定の値に維持する。 これにより、 前処理液 Q , 及びめつき液 Q 2 中の溶存気体量を自動的に管理でき、 常に安定しためっきを行なうこと ができる。
なお、 図 6に示すめっき装置では、 めっき槽 3 0の槽本体 3 1で電解 めっきを行なうものであるが、 陽極電極 3 6、 めっき電源 4 2を除去し、 槽本体 3 1に無電解めつき用のめつき液 Q 2 を供給して無電解めつきを 行なうようにしてもよい。 また、 上記例では前処理液循環経路の前処理 液とめつき液循環経路のめつき液の両方の溶存気体の自動管理を行なつ ているが、 いずれか一方のみの溶存気体の自動管理でも両方を管理した 場合に比べると安定度は劣るが可能である。
図 7は、 本発明に係るめっき装置の他の構成例を示す図である。 本め つき装置は図 7に示すように、 前処理槽 1 0の前処理液循環経路の脱気 装置の脱気膜モジュール 1 3 と真空ポンプ 1 4の間、 即ち真空排気ライ ンに気液分離装置 2 4を設け、 更にめつき槽 3 0のめつき液循環経路の 脱気装置の脱気膜モジュール 3 8 と真空ポンプ 3 9の間、 即ち真空排気 ラインに気液分離装置 4 3を設けている。 このように気液分離装置 2 4 及び 4 3を設けることにより、 脱気膜モジュール 1 3及び 3 8から液体 (前処理液やめつき液） が漏れた場合でも真空ポンプ 1 4及び 3 9に悪 影響を与えることがない。 また、 真空ポンプ 1 4及び 3 9に封水ポンプを使用して、 真空ポンプ が停止したときに水が逆流しても脱気膜モジュール 1 3及び 3 8に悪影 響を与えない。 なお、 上記気液分離装置 2 4及び 4 3は図 6のように、 前処理液 Q ,やめつき液 Q 2の溶存気体を自動的に管理するように構成し た、 めっき装置の脱気膜モジュール 1 3と真空ポンプ 1 4の間、 脱気膜 モジュール 3 8 と真空ポンプ 3 9の間に設けてもよい。
なお、 図 7に示すめっき装置は、 めっき槽 3 0の槽本体 3 1で電解め つきを行なうものであるが、 陽極電極 3 6、 めっき電源 4 2を除去し、 槽本体 3 1に無電解めつき用のめっき液 Q 2 を供給して無電解めつきを 行なうようにしてもよい。 また、 上記例では前処理液循環経路の脱気装 置の脱気膜モジュール 1 3 と真空ポンプ 1 4の間及びめつき液循環経路 の脱気装置の脱気膜モジュール 3 8と真空ポンプ 3 9の間の両方に気液 分離装置 2 4及び 4 3を設けているが、 いずれか一方でもよい。
図 8は、 本発明に係るめっき装置に用いる前処理装置の他の構成例を 示す図である。 本前処理装置は図 8に示すように、 捕集槽 1 2を有する 前処理槽 1 0、 該前処理槽 1 0内に配設された基板載置台 2 5、 該基板 載置台 2 5を水平面内で回転させるモータ 2 6及び被めつき基板 Wに前 処理液 Q ,を噴射する噴射ノズル 2 7を具備する。
上記構成の前処理装置において、捕集槽 1 2内の前処理液 は送液ポ ンプ 1 6により真空ポンプ 1 4 と脱気膜モジュール 1 3 とからなる脱気 装置に送られ、 脱気され、 噴射ノズル 2 7から被めつき基板 Wの表面に 噴射される。 このとき被めつき基板を載置している基板載置台 2 5はモ —夕 2 6で回転されているから、 噴射ノズル 2 7から噴射される前処理 液 は被めつき基板 Wの全表面を均一に濡らすことになる。
上記のように被めつき基板 Wの表面に前処理液 Q , を脱気装置で脱気 しながら噴射するので、 被めつき基板 Wの表面の微細な溝や穴の気泡が 抜け易いと同時に、 該微細な溝や穴に残った気泡が溶かし易く、 被めつ き物の表面が濡れ易くなる。 その後、 図示は省略するが電解めつき又は 無電解めつきを行なうことにより、 めっき欠け、 めっき抜けのないめつ きを行なうことができる。 また、 モー夕 2 6の回転数を調整し、 被めつ き基板 Wの回転数を調整することにより気泡を破壊することができ、 よ り高品質のめっきを行なうことができる。
図 9は、 本発明に係るめっき装置に用いる前処理装置の他の構成例を 示す図である。 本前処理装置は図 9に示すように、 前処理液を貯留する 貯留タンク 2 8を設け、捕集槽 1 2からの前処理液 Q ,をこの貯留夕ンク 2 8に貯留するように構成している点が、 図 8に示す前処理装置と相違 するが、 その他の点は図 8の前処理装置と略同一である。
なお、上記例では前処理液 Q ,を脱気装置で脱気しながら噴射ノズル 2 7で噴射するように構成しているが、 予め脱気した前処理液を準備して おき、 この脱気した前処理液を噴射ノズル 2 7から噴射するように構成 してもよい。
図 1 0は、 本発明に係るめっき装置の他の構成例を示す図である。 本 めっき装置は図 1 0に示すように、 捕集槽 3 2を有するめっき槽 3 0、 該めっき槽 3 0内に配設された基板載置台 4 4、 該基板載置台 4 4を水 平面内で回転させるモー夕 4 5及び被めつき基板 Wにめつき液 Q 2 を噴 射する噴射ノズル 4 6を具備する。
上記構成のめっき装置において、 捕集槽 3 2内のめっき液 （ここでは 無電解めつき液） Q 2は送液ポンプ 3 3で温度調整器 3 4を通って所定の 液温に調整され、濾過フィル夕 3 5を通してパーティクル等が除去され、 真空ポンプ 3 9 と脱気膜モジュール 3 8とからなる脱気装置に送られ脱 気され噴射ノズル 4 6から被めつき基板 Wの表面に噴射される。 このと き被めつき基板を載置している基板載置台 4 4はモー夕 4 5で回転され ているから、噴射ノズル 4 6から噴射されるめつき液 Q 2は被めつき基板 Wの全表面を均一に濡らすことになる。
上記のように被めつき基板 Wの表面にめつき液 Q 2 を脱気装置で脱気 しながら噴射するので、 被めつき基板 Wの表面の微細な溝や穴の気泡が 抜け易いと同時に、 該微細な溝や穴に残った気泡を溶かし易く、 被めつ き物の表面が濡れ易くなる。 従って、 めっき欠け、 めっき抜けのない高 品質のめっきを行なうことができる。 また、 モー夕 4 5の回転数を調整 し、 被めつき基板 Wの回転数を調整することにより気泡を破壊すること ができ、 より高品質のめっきを行なうことができる。
図 1 1は、 本発明に係るめっき装置の他の構成例を示す図である。 本 めっき装置は図 1 1に示すように、 めっき液を貯留する貯留タンク 4 7 を設け、捕集槽 3 2からのめつき液 Q 2をこの貯留タンク 4 7に貯留する ように構成している点が、 図 1 0に示すめっき装置と相違するが、 その 他の点は図 1 0のめつき装置と略同一である。
なお、上記例ではめつき液 Q 2を脱気装置で脱気しながら噴射ノズル 4 6で噴射するように構成しているが、 予め脱気しためっき液を準備して おき、 この脱気しためっき液を噴射ノズル 4 6から噴射するように構成 してもよい。
また、 図 8又は図 9に示す前処理装置で前処理した被めつき基板 Wを 図 1 0又は図 1 1に示すめっき装置でめっき処理するようにしてもよい ことは当然である。 また、 図 8及び図 9に示す前処理装置、 図 1 0及び 図 1 1に示すめっき装置においても、 図 5乃至図 7に示すように、 前処 理液溶存酸素濃度センサ、 めっき液溶存酸素濃度センサ、 前処理液管理 用の制御装置、 めっき液管理用の制御装置、 気液分離装置を設けて構成 してもよいことは当然である。
また、 上記例では前処理液 Q ,として純水を用いる例を説明したが、 前 処理液はこれに限定されるものではなく、 例えば界面活性剤入りの水、 (酸性） 脱脂剤、 希硫酸、 塩酸、 めっき液から金属成分を取り除いたプ レディ ヅプ液 （メ夕ンスルホン酸のハンダめつき液に対するメ夕ンスル ホン酸液等） がある。 また、 脱気には N 2 プリング、 超音波などの併用 も考えられる。
図 1 2乃至図 2 0は、 本発明の第 2の実施形態に係るめっき装置の構 成例を示す図である。
図 1 2に示すように本発明の第 2の実施形態に係るめつき装置は、 め つき液 Q 2を収容するめつき槽 3 0を具備する。該めっき槽 3 0は槽本体 3 1 と該槽本体 3 1からオーバーフローしためっき液 Q 2 を捕集する捕 集槽 3 2を具備する。捕集槽 3 2に集まっためっき液 Q 2は循環タンク 4 7に流入し、 送液ポンプ 3 3で温度調整器 3 4に送られ、 該温度調整器 3 4で所定の温度 （めっきに適した所定の温度） に調整され、 濾過フィ ル夕 3 5でパーティクル等の汚染物が除去され、 槽本体 3 1に供給され る。
ここで、 循環タンク 4 7、 送液ポンプ 3 3、 温度調整器 3 4、 濾過フ ィル夕 3 5でめつき液を循環させる第 1のめつき液循環経路を構成して いる。 循環タンク 4 7内には脱気膜モジュール 3 8が設けられ、 該脱気 膜モジュール 3 8には真空ポンプ 3 9が接続されている。 この該脱気膜 モジュール 3 8と真空ポンプ 3 9で循環夕ンク 4 7に収容されるめつき 液 Q 2中の溶存気体を除去する脱気装置を構成する。 また、 3 7はめつき 液 Q 2の流量を測定する流量計である。ここで脱気膜モジュール 3 8には、 例えば隔膜を介して液中に存在する酸素、 空気、 炭酸ガスなどの各種溶 存気体を除去する隔膜方式のものを使用する。
上記構成のめつき装置において、槽本体 3 1のめつき液 Q 2中に基板保 持具 1 5に保持された半導体ウェハ等の被めつき基板 Wと陽極電極 3 6 を対向して配置し、 めっき電源 4 2より、 被めつき基板 Wと陽極電極 3 6の間に電流を通電することにより、 被めつき基板 Wにめっきを行う。 ここで、めっき液 Q 2は脱気膜モジュール 3 8 と真空ポンプ 3 9で構成さ れる脱気装置で脱気されているから、 被めつき基板 Wに形成された微細 な配線用溝やプラグ、 レジス 卜の開口部の中の気泡は脱気してあるめつ き液 Q 2に溶け込んで該めっき液 Q 2は微細な配線用溝やブラグ、 レジス トの開口部に浸入するから、 めっき欠け、 めっき抜けの発生がなくなる。 上記のように第 1のめつき液循環経路の循環タンク 4 7に脱気膜モジ ユール 3 8と真空ポンプ 3 9 とからなる脱気装置を設け、 槽本体 3 1を オーバーフローして捕集槽 3 2で捕集され、 循環夕ンク 4 7に収容され ためつき液 Q 2中の溶存気体は脱気膜モジュール 3 8により除去される。 その結果、 溶存酸素等によるめつき液 Q 2の液反応が防止でき、 めっき液 の副反応や劣化を抑え、 安定しためっき環境を得ることができる。
なお、 図 1 2に示すめっき装置では、 めっき槽 3 0の槽本体 3 1に電 解めつき用のめつき液 Q 2を供給し電解めつきを行なうものであるが、陽 極電極 3 6、 めつき電源 4 2を除去し、 槽本体 3 1に無電解めつき用の めっき液 Q 2を供給し、基板保持具 1 5に保持された被めつき基板 Wを浸 漬させて無電解めつきを行なうようにしてもよい。
図 1 3は本発明のめっき装置の前処理装置の構成例を示す図である。 本めつき装置は被めつき基板 Wにめつき処理を施す図示しないめつき槽 等の他に、 図 1 3に示すように、 前処理槽 1 0を具備する。 前処理槽 1 0は槽本体 1 1 と該槽本体 1 1からオーバーフローした前処理液 Q i を 捕集する捕集槽 1 2を具備する。捕集槽 1 2に集まった前処理液 Q iは循 環タンク 2 8に流入し、 送液ポンプ 1 6で温度調整器 1 8に送られ、 該 温度調整器 1 8で所定の温度（前処理に適した所定の温度） に調整され、 濾過フィル夕 1 9でパーティクル等の汚染物が除去され、 槽本体 1 1に 供給される。
ここで、 循環タンク 2 8、 送液ポンプ 1 6、 温度調整器 1 8、 濾過フ ィル夕 1 9で前処理液を循環させる第 1の前処理液循環経路を構成して いる。 循環夕ンク 2 8内には脱気膜モジュール 1 3が設けられ、 該脱気 膜モジュール 1 3には真空ポンプ 1 4が接続されている。 この該脱気膜 モジュール 1 3 と真空ポンプ 1 4で循環夕ンク 2 8に収容される前処理 液 Q ,中の溶存気体を除去する脱気装置を構成する。 また、 2 2は前処理 液 の流量を測定する流量計である。ここで脱気膜モジュール 1 3には、 例えば隔膜を介して液中に存在する酸素、 空気、 炭酸ガスなどの各種溶 存気体を除去する隔膜方式のものを使用する。
槽本体 1 1の前処理液 Q , 中に基板保持具 1 5に保持された半導体ゥ ェハ等の被めつき基板 Wを浸潰して前処理を行なう。前処理液 は脱気 膜モジュール 1 3 と真空ポンプ 1 4で構成される脱気装置で脱気されて いるから、 被めつき基板 Wに形成された微細な配線用溝やプラグ、 レジ ス トの開口部の中の気泡は脱気してある前処理液 に溶け込んで該め つき液は微細な配線用溝やブラグ、 レジス 卜の開口部に浸入するから、 該被めつき基板 Wを前処理に続くめつき処理でめつき液 Q 2 中に浸潰し た場合、 該配線用溝やプラグ、 レジス トの開口部にある前処理液 とめ つき液 Q 2の置換が行われ、 めっき欠け、 めっき抜けの発生がなくなる。 図 1 4は、 本発明のめつき装置の構成例を示す図である。 本めつき装 置が図 1 2に示すめつき装置と異なる点は、 図 1 4に示すめつき装置で は、 基板保持具 1 5に保持された半導体ウェハ等の被めつき基板 Wと陽 極電極 3 6を槽本体 3 1内のめつき液 Q 2 中に上下に対向して配置して いる点である。 その他の点は図 1 2に示すめつき装置と同じである。 図 1 5は、 本発明のめっき装置の構成例を示す図である。 本めつき装 置は図示するように、 循環夕ンク 4 7にバルブ 4 9を介して不活性ガス ボンべ 4 8を接続し、めっき液 Q 2の液面に不活性ガスをパージすること ができるようになつている。 また、循環夕ンク 4 7には循環ポンプ 5 0、 温度調整器 3 4、 真空ポンプ 3 9が接続された脱気膜モジュール 3 8が 接続されている。 この循環ポンプ 5 0、 温度調整器 3 4、 脱気膜モジュ ール 3 8で第 2のめつき液循環経路を構成している。
上記構成のめつき装置において、 槽本体 3 1をオーバーフローしため つき液 Q 2は捕集槽 3 2で捕集され、 循環タンク 4 7に流入する。該循環 タンク 4 7内のめっき液 Q 2は、送液ポンプ 3 3により濾過フィル夕 3 5 に送られ、 パーティ クル等が除去され、 槽本体 3 1に供給される。 また、 循環夕ンク 4 7内のめつき液 Q 2は循環ポンプ 5 0により、温度調整器 3 4及び脱気膜モジュール 3 8を通って循環する。 この循環により、 めつ き液 Q 2は温度調整器 3 4で所定の温度に調整され、脱気膜モジュール 3 8で脱気される。
上記のように、 循環夕ンク 4 7内のめっき液 Q 2を送液ポンプ 3 3、 濾 過フィル夕 3 5、流量計 3 7を通って槽本体 3 1に送る循環系とは別に、 循環タンク 4 7内のめっき液 Q 2を循環ポンプ 5 0、 温度調整器 3 4、 脱 気膜モジュール 3 8を通って循環タンク 4 7に戻す第 2のめつき液循環 経路を設け、該第 2のめつき液循環経路を流れるめっき液 Q 2を脱気膜モ ジュール 3 8で脱気するので、槽本体 3 1にめつき液 Q 2を送る第 1のめ つき液循環経路の流量が変わる場合であっても、 脱気膜モジュール 3 8 に流れるめっき液 Q 2の流量を変える必要がないので、安定した脱気性能 を発揮できる。
また、循環タンク 4 7内のめっき液 Q 2の液面に不活性ガスボンべ 4 8 からバルブ 4 9を介して不活性ガスを供給することにより、 大気中の酸 素等の活性なガスがめつき液 Q 2の液面と接触することを防止でき、これ らの活性なガスが液面からめつき液 Q 2中に溶け込むことがない。
図 1 6は、 本発明のめつき装置の前処理装置の構成を示す図である。 本めつき装置は被めつき基板 Wにめつき処理を施す図示しないめつき槽 等の他に、前処理槽 1 0や前処理液 の循環夕ンク 2 8を設けている。 また、 該循環タンク 2 8にバルブ 4 9を介して不活性ガスボンべ 4 8を 接続し、前処理液 Q ,の液面に不活性ガスを供給できるようになつている c また、 循環タンク 2 8には循環ポンプ 5 0、 温度調整器 1 8、 真空ボン プ 1 4が接続された脱気膜モジュール 1 3が接続されている。 この循環 ポンプ 5 0、 温度調整器 1 8、 脱気膜モジュール 1 3で第 2の前処理液 循環経路が構成されている。
上記構成のめつき装置において、 前処理槽 1 0の槽本体 1 1をオーバ —フローした前処理液 Q ,は捕集槽 4 2で捕集され、循環タンク 2 8に流 入する。該循環タンク 2 8内の前処理液 は、 送液ポンプ 1 6により濾 過フィル夕 1 9に送られ、 パーティクル等が除去され、 槽本体 1 1に供 給される。 また、 循環タンク 2 8内の前処理液 は循環ポンプ 5 0によ り、 温度調整器 1 8及び脱気膜モジュール 1 3を通って循環する。 この 循環により、 前処理液 は温度調整器 1 8で所定の温度に調整され、 脱 気膜モジュール 1 3で脱気される。
上記のように、 循環タンク 2 8前処理液 を送液ポンプ 1 6、 濾過フ ィル夕 1 9、 流量計 2 2を通って槽本体 1 1.に送る第 1の前処理液循環 経路とは別に、 循環タンク 2 8内の前処理液 を循環ポンプ 5 0、 温度 調整器 1 8、 脱気膜モジュール 1 3を通って循環夕ンク 2 8に戻す第 2 の前処理液循環経路を設け、 該第 2の前処理液循環経路を流れる前処理 液 Q ,を脱気膜モジュール 1 3で脱気するので、槽本体 1 1に前処理液 Q ,を送る第 1の前処理液循環経路の流量が変わる場合であっても、第 2の 前処理液循環経路、即ち脱気膜モジユール 1 3に流れる前処理液 Q ,の流 量を変える必要がないので、 安定した脱気性能を発揮できる。
また、循環夕ンク 2 8内の前処理液 の液面に不活性ガスボンべ 4 8 から不活性ガスを供給することにより、 大気中の酸素等の活性なガスが 前処理液 Q ,の液面と接触することを防止でき、これらの活性なガスが液 面から前処理液 Q t中に溶け込むことがない。
図 1 7は、 本発明のめっき装置の構成例を示す図である。 このめつき 装置が図 1 5に示すめっき装置と異なる点は、 図 1 7に示すめつき装置 では、 基板保持具 1 5に保持された半導体ウェハ等の被めつき基板 Wと 陽極電極 1 6を槽本体 3 1内のめっき液 Q 2中に上下に対向して配置し ている点である。 その他の点は図 1 5のめつき装置と同じである。
図 1 8は、 本発明のめっき装置の構成例を示す図である。 このめつき 装置は、めっき液 Q 2を収容するめつき槽 3 0の槽本体 3 1内に脱気膜モ ジュール 3 8を設け、 該脱気膜モジュール 3 8には真空ポンプ 3 9が接 続されている。 この該脱気膜モジュール 3 8 と真空ポンプ 3 9で槽本体 3 1内に収容されるめつき液 Q 2 中の溶存気体を除去する脱気装置を構 成している。 ここで脱気膜モジュール 3 8には、 図 1 2の場合と同様、 例えば隔膜を介して液中に存在する酸素、 空気、 炭酸ガスなどの各種溶 存気体を除去する隔膜方式のものを使用する。 図 1 8に示す構成のめっき装置において、 槽本体 3 1からオーバーフ ローし、捕集槽 1 2に集まっためっき液 Q 2は送液ポンプ 3 3で温度調整 器 3 4に送られ、 該温度調整器 3 4で所定の温度 （めっきに適した所定 の温度） に調整され、 濾過フィル夕 3 5でパーティ クル等の汚染物が除 去され、 槽本体 3 1に供給される。
槽本体 3 1のめつき液 Q 2 中に基板保持具 1 5に保持された半導体ゥ ェハ等の被めつき基板 Wと陽極電極 3 6を対向して配置し、 めっき電源 4 2より、 被めつき基板 Wと陽極電極 3 6の間に電流を通電することに より、 被めつき基板 Wにめっきを行う。 ここで、 槽本体 3 1内のめっき 液 Q 2 は脱気膜モジュール 3 8 と真空ポンプ 3 9で構成される脱気装置 で脱気されるから、 被めつき基板 Wに形成された微細な配線用溝やブラ グ、レジス トの開口部の中の気泡は脱気しためっき液 Q 2に溶け込んで該 めっき液 Q 2は微細な配線用溝やブラグ、レジス トの開口部に浸入するか ら、 めっき欠け、 めっき抜けの発生がなくなる。
上記のように槽本体 3 1に脱気膜モジュール 3 8と真空ポンプ 3 9 と からなる脱気装置を設けることにより、 槽本体 3 1に収容されためつき 液 Q 2中の溶存気体は脱気膜モジュール 3 8により除去される。その結果、 溶存酸素等によるめつき液 Q 2の液反応が防止でき、めつき液の副反応や 劣化を抑え、 安定しためっき環境を得ることができる。
なお、 図 1 8に示すめっき装置では、 めっき槽 3 0の槽本体 3 1に電 解めつき用のめっき液 Q 2を供給し電解めつきを行なうものであるが、陽 極電極 3 6、 めっき電源 4 2を除去し、 槽本体 3 1に無電解めつき用の めっき液 Q 2を供給し、基板保持具 1 5に保持された被めつき基板 Wを浸 潰させて無電解めつきを行なうようにしてもよいことは、 図 1 2に示す 構成のめっき装置と同様である。 図 1 9は、本発明のめっき装置の前処理装置の構成例を示す図である。 本めつき装置は被めつき基板 Wにめつき処理を施す図示しないめつき槽 等の他に、 図 1 9に示すように、 前処理槽 1 0を具備し、 該前処理槽 1 0の槽本体 1 1内に脱気膜モジュール 1 3が設けられ、 該脱気膜モジュ ール 1 3には真空ポンプ 1 4が接続されている。 この該脱気膜モジユー ル 1 3 と真空ポンプ 1 4で前処理槽 1 0内に収容される前処理液 中 の溶存気体を除去する脱気装置を構成する。 ここで脱気膜モジュール 1 3には、 図 1 3の場合と同様、 例えば隔膜を介して液中に存在する酸素、 空気、 炭酸ガスなどの各種溶存気体を除去する隔膜方式のものを使用す る。
図 1 9に示す前処理装置において、 槽本体 1 1からオーバーフ口一し た前処理液 Q ,は送液ポンプ 1 6で温度調整器 1 8に送られ、該温度調整 器 1 8で所定の温度 （前処理に適した所定の温度） に調整され、 濾過フ ィル夕 1 9でパーティクル等の汚染物が除去され、 槽本体 1 1に供給さ れる。
槽本体 1 1の前処理液 中に基板保持具 1 5に保持された半導体ゥ ェハ等の被めつき基板 Wを浸潰して前処理を行なう。前処理液 は脱気 膜モジュール 1 3と真空ポンプ 1 4で構成される脱気装置で脱気される から、 被めつき基板 Wに形成された微細な配線用溝やプラグ、 レジス ト の開口部の中の気泡は脱気してある前処理液 Q , に溶け込んで該めつき 液は微細な配線用溝やプラグ、 レジス トの開口部に浸入するから、 該被 めっき基板 Wを前処理に続くめっき処理でめっき液 Q 2中に浸潰した場 合、 該配線用溝やプラグ、 レジス トの開口部にある前処理液 とめつき 液 Q 2の置換が行われ、 めっき欠け、 めっき抜けの発生がなくなる。
図 2 0は、 本発明のめっき装置の構成例を示す図である。 本めつき装 置が図 1 8に示すめっき装置と異なる点は、 図 2 0に示すめっき装置で は、 基板保持具 1 5に保持された半導体ウェハ等の被めつき基板 Wと陽 極電極 3 6を槽本体 3 1内のめつき液 Q 2 中に上下に対向して配置して いる点である。 その他の点は図 1 8に示すめつき装置と同じである。 図 1 2〜図 2 0に示す構成の装置において、 脱気膜モジュール 3 8、 1 3には、 隔膜を介して液体中に存在する酸素、 窒素、 炭酸ガス等の各 種溶存気体を除去する隔膜式のものを使用する。
上記のように本発明に係るめっき装置では、めっき液 Q 2中や前処理液 Q ,中の溶存気体を常に低くすることができるので、被めつき基板 Wの表 面に気泡ができにくい。 また、 循環夕ンク 4 7内のめっき液 Q 2を常に脱 気しているので、めっき槽 3 0の槽本体 3 1にめつき液 Q 2を供給する第 1のめつき液循環経路の流量が多い場合でも、 脱気装置の脱気性能を大 きくする必要がない。 また、 前処理液 Q ,はめつき処理の前に被めつき基 板 Wが浸潰されるが、 被めつき基板 Wがないときに脱気しておけば良い ので前処理液 Q , の脱気を行うための脱気装置の脱気能力が小さ くても よい。 また、 めっき液や前処理液の流量が多い場合でも大きな脱気装置 を設ける必要がなく経済的である。 更に、 めっき液や前処理液の供給流 量を変動させる場合でも脱気装置を流れる流量を一定にしておく ことが できるので、 安定した脱気を行なうことができる。
また、 めっき液循環夕ンク又は前処理液循環夕ンクの液面に不活性ガ スを供給する不活性ガス供給手段を設け、 液面に不活性ガスを供給する ようにしたので、 大気中の酸素等の活性な気体が液面から溶け込むこと がなく、 脱気装置の運転を停止した場合でも脱気した液の溶存気体が増 えないので効率的である。
図 2 1は、 本発明の第 3の実施形態に係るめっき装置の構成例を示す 図である。 このめつき装置においては、 めっき槽 3 0を具備し、 めっき 液を収容する槽本体 3 1内に被めつき基板 Wと、 陽極電極 3 6を配置し て、 電源 4 2により通電することでめっきを行なう構成は前述の各実施 形態例と同様である。 そして、 このめつき液を槽本体から補集槽 3 2に オーバフローさせ、 そのめつき液をポンプ 3 3で圧送し、 温度調整器 3 4、 濾過フィル夕 3 5、 脱気膜モジュール 3 8 と真空ポンプ 3 9で構成 される脱気装置を通してめつき液中の脱気を行ない、 めつき槽本体に循 環させる構成も上述の各実施形態例と同様である。
この実施形態例においては、 脱気装置 3 8， 3 9を通る配管に対して これをバイパスするバイパス配管 5 2を備えている。 バイパス配管 5 2 は、 三方弁 5 3により分岐され、 流量調整弁 5 4を備えている。 そして、 脱気装置を通る配管には流量計 3 7を備え、 バイパス配管 5 2 との合流 後に、 めっき液溶存酸素濃度センサ 4 0及び流量計 3 7が配置されてい る。 従って、 脱気装置を通る配管とバイパス配管に流れるそれぞれの流 量を制御することができる。 そして、 脱気装置の減圧側の圧力が脱気装 置を流れる流量が少ないときは、 低い圧力に、 流量が多い時には圧力を 高く し、これによりめつき液中の溶存酸素濃度を調整することができる。 そして、 脱気装置の容量が所望の循環流量に対して小さい場合には、 脱気装置を流れる流量を一定としてその容量をオーバする分をバイパス 配管 5 2に流すことが好ましい。 これにより、 脱気装置の能力をフルに 生かしつつ所望のめっき液の循環系への流量を確保することができる。 そして、 めっき液溶存酸素濃度センサ 4 0がバイパス配管と脱気装置を 流れる配管との合流後に配置されていることから、 循環計を流れるめつ き液の全体としての溶存酸素濃度をモニタすることができる。 溶存酸素 濃度は、 上述したように 4 p p mから 1 p p bの間に入ることが好まし く、この溶存酸素濃度センサ 4 0の出力を図示しない制御装置に伝達し、 そのデ一夕に基づいて脱気装置の減圧側の圧力を調整するようにしても よい。 これにより、 バイパス配管を含めた全体としての循環系を流れる めつき液内の溶存酸素濃度を制御することができる。
図 2 2は、 上述の循環系に脱気装置を配置し、 その脱気装置にバイパ ス配管を設けることを前処理槽に適用した場合を示している。 即ち、 前 処理槽 1 0の槽本体 1 1 には前処理の対象となる被めつき基板 Wが配置 され、 槽底部より前処理液が供給され、 槽本体 1 1をオーバフローした 前処理液が補集槽 1 2に入り、 この前処理液がポンプ 1 6により循環系 の配管を通り、 槽本体底部に循環される。 循環系の配管には脱気膜モジ ユール 1 3及び真空ポンプ 1 4からなる脱気装置が配置され、 この配管 に対してバイパス配管 5 2が配置されている。 この実施形態例において も、 脱気装置には処理可能な一定の流量を流すことが好ましく、 その容 量を超えた分をバイパス配管 5 2によりバイパスするようにしている。 この循環系においても溶存酸素濃度センサ 2 0を備え、 これにより脱気 装置の脱気量を調整し、 循環される前処理液の溶存酸素濃度を所定の目 標値範囲内に入るように調整することが好ましい。このようにめっき槽、 及び/又は、 前処理槽にその循環系に脱気装置を設け、 更にバイパスす る配管を備えたことから循環量の大小に係わらず、 常に比較的小さな容 量の脱気装置で所望の脱気が行え、 常に安定した高品質のめっきを行う ことができる。 尚、 上記の各実施の形態において、 溶存気体の一例とし て主として酸素について述べたが、 酸素に限らず各種の溶存気体につい ても同様に適用できることは勿論である。 産業上の利用の可能性 本発明は半導体ウェハ等の表面に微細な配線等を銅めつき等により形 成するめつき方法及び装置に関するものである。 従って、 半導体装置等 の電子デバィスの製造等に好適に利用できる。

Claims

請求の範囲
1 . 被めつき物に電解又は無電解めつきを行なうめつき方法であって、 めつき液中の溶存気体を脱気した後、 又はめつき液中の溶存気体を脱 気しながらめっきを行なう、 及び/又は、 前処理液中の溶存気体を脱気 した後、 又は前処理液中の溶存気体を脱気しながら前処理を行い、 その 後めつきを行うことを特徴とするめつき方法。
2 . 被めつき物に電解又は無電解めつきを行なう請求項 1 に記載のめつ き方法であって、
脱気した前処理液又は脱気装置で前処理液を脱気しながら被めつき物 を前処理液に浸漬して、 該前処理液で濡らした後、 前記電解めつき又は 無電解めつきを行なうことを特徴とするめつき方法。
3 . 被めつき物に電解又は無電解めつきを行なう請求項 1 に記載のめつ き方法であって、
脱気しためっき液又は脱気装置でめっき液を脱気しながら、 被めつき 物をめつき液に浸潰して、 めっきすることを特徴とするめつき方法。
4 . 被めつき物に電解又は無電解めつきを行なう請求項 1 に記載のめつ き方法であって、
脱気した前処理液又は脱気装置で前処理液を脱気しながら、 被めつき 物の表面に噴射して、 該前処理液で濡らした後、 前記電解めつき又は無 電解めつきを行なうことを特徴とするめつき方法。
5 . 被めつき物に電解又は無電解めつきを行なう請求項 1 に記載のめつ き方法であって、
脱気しためつき液又は脱気装置でめっき液を脱気しながら、 めっき液 を被めつき物の表面に噴射し、めつきすることを特徴とするめつき方法。
6 . 請求項 4又は 5に記載のめつき方法において、
前記被めっき物を回転させながら前記前処理液又はめっき液を噴射す る、 又は噴射してから回転させることを特徴とするめつき方法。
7 . 請求項 1乃至 6のいずれかに記載のめつき方法において
前記脱気は、 脱気膜を有する脱気膜モジュールと真空ポンプを用いて 行うものであることを特徴とするめつき方法。
8 . 請求項 1乃至 6のいずれかに記載のめつき方法において、
前記めつき液又は前処理液の溶存気体濃度を検出する溶存気体濃度セ ンサを備え、 溶存気体濃度を監視しながら脱気処理を行うことを特徴す るめつき方法。
9 . 請求項 8に記載のめっき方法において、
処理済みの液をポンプにより圧送して循環して用いるものであり、 該 循環経路中に脱気装置をバイパスする配管路を設け、 脱気装置に流入す る流量を調整して脱気処理を行うことを特徴とするめつき方法。
1 0 . 請求項 1乃至 9のいずれかに記載のめつき方法において、 前記めつき液又は前処理液は、 溶存気体濃度を 4 p p m乃至 1 p p b の間に維持しつつ、 めつき又は前処理を行うことを特徴とするめつき方 法。
1 1 . めっき槽中で被めつき物の電解又は無電解めつきを行うめっき装 置において、
前記めつき槽に供給するめつき液、 及び/又は、 前処理槽でめっき前 の前処理を行う前処理液から、 該液中に存在する溶存気体を脱気処理す る脱気装置を備えたことを特徴とするめつき装置。
1 2 . めっき液を収容するめつき槽を具備し、 該めっき槽中で被めつき 物の電解又は無電解めつきを行う請求項 1に記載のめっき装置において、 前記めつき槽にめっき液を循環させるめっき液循環系を具備し、 該め つき液循環系に脱気装置を設け、 前記めつき槽から排出されるめつき液 中の溶存気体を脱気して該めっき槽に供給することを特徴とするめつき
1 3 . 前処理液を収容する前処理槽を具備し、 該前処理槽で被めつき物 の前処理を行なった後に、 めっき槽で該被めつき物のめつきを行なう請 求項 1に記載のめつき装置において、
前記前処理槽に前記処理液を循環させる前処理液循環系を具備し、 該 前処理液循環系に脱気装置を設け、 前記前処理槽から排出される前記処 理液中の溶存気体を脱気して該前処理槽に供給することを特徴とするめ つき装置。
1 4 . 請求項 1 1乃至 1 3のいずれかに記載のめつき装置において、 前記脱気装置は少なく とも脱気膜を有する脱気膜モジュールと真空ポ ンプを具備することを特徴とするめつき装置。
1 5 . 請求項 1 2又は 1 3に記載のめっき装置において、
前記処理液循環系を通過する液の溶存気体濃度を検出する溶存気体濃 度センサを設けると共に、 脱気装置の圧力を制御する制御装置を設け、 該制御装置は、 真空排気系の圧力を制御して、 前記めつき液の溶存気体 濃度を調整可能としたことを特徴とするめつき装置。
1 6 . 請求項 1 2に記載のめっき装置において、
前記めつき液循環系にめっき液循環夕ンクを備え、 該めっき液循環夕 ンクに脱気装置を設けるか、 或いは該めつき液循環夕ンクと前記めつき 槽との間でめっき液を循環させる第 1のめつき液循環経路とは別に該め つき液循環夕ンクにめつき液を循環させる第 2のめつき液循環経路を設 け、 該第 2のめつき液循環経路に脱気装置を設け、 前記めつき液を脱気 しながらめっきを行なうことを特徴とするめつき装置。
1 7 . 請求項 1 3に記載のめっき装置において、
前記前処理液循環系に前処理液循環タンクを備え、 前処理液循環夕ン クに脱気装置を設けるか、 或いは該前処理液循環タンクと前記前処理槽 との間で前処理液を循環させる第 1の前処理液循環経路とは別に該前処 理液循環タンクに前処理液を循環させる第 2の前処理液循環経路を設け、 該第 2の前処理液循環経路に脱気装置を設け、 前記前処理液を脱気しな がら前処理を行う前処理槽を備えたことを特徴とするめつき装置。
1 8 . 請求項 1 6又は 1 7に記載のめっき装置において、
前記めつき液循環夕ンク又は前処理液循環夕ンクの液面に不活性ガス を供給する不活性ガス供給手段を設けたことを特徴とするめつき装置。
1 9 . 請求項 1 2に記載のめっき装置において、
前記めつき液循環系に脱気装置を設けると共に、 該脱気装置にバイパ ス配管を設け、 前記脱気装置に流れる流量を制御するようにしためっき
2 0 . 請求項 1 3に記載のめっき装置において、
前記前処理液循環系に脱気装置を設けると共に、 該脱気装置にバイパ ス配管を設け、 前記脱気装置に流れる流量を制御するようにしたことを 特徴とするめつき装置。
2 1 . 請求項 1 9又は 2 0に記載のめっき装置において、
前記バイパス配管を流れる流量が多い時には前記脱気装置の減圧側の 圧力を低い圧力にし、 前記バイパス配管を流れる流量が少ない時には前 記脱気装置の減圧側の圧力を高い圧力に調整するようにしたことを特徴 とするめっき装置。
2 2 . 請求項 1 9又は 2 0に記載のめっき装置において、
前記脱気装置を通る配管と、 前記バイパス配管との合流前、 または合 流後に溶存気体濃度を検出するセンサを配置したことを特徴とするめつ き装置。
PCT/JP1999/006204 1998-11-09 1999-11-08 Procede de metallisation et dispositif WO2000028115A1 (fr)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020007007550A KR100697875B1 (ko) 1998-11-09 1999-11-08 도금방법 및 장치
JP2000581278A JP4043192B2 (ja) 1998-11-09 1999-11-08 めっき方法及び装置
US09/582,919 US6716332B1 (en) 1998-11-09 1999-11-08 Plating method and apparatus
EP99954428A EP1048757B1 (en) 1998-11-09 1999-11-08 Plating method and apparatus
DE69941111T DE69941111D1 (de) 1998-11-09 1999-11-08 Verfahren und vorrichtung zur metallisierung

Applications Claiming Priority (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10/317806 1998-11-09
JP31780698 1998-11-09
JP3972399 1999-02-18
JP11/39723 1999-02-18
JP17122499 1999-06-17
JP11/171224 1999-06-17
JP11/294859 1999-10-18
JP29485999 1999-10-18

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US09/582,919 A-371-Of-International US6716332B1 (en) 1998-11-09 1999-11-08 Plating method and apparatus
US10/779,708 Division US7118664B2 (en) 1998-11-09 2004-02-18 Plating method and apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2000028115A1 true WO2000028115A1 (fr) 2000-05-18

Family

ID=27460803

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP1999/006204 WO2000028115A1 (fr) 1998-11-09 1999-11-08 Procede de metallisation et dispositif

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6716332B1 (ja)
EP (1) EP1048757B1 (ja)
JP (1) JP4043192B2 (ja)
KR (1) KR100697875B1 (ja)
DE (1) DE69941111D1 (ja)
TW (1) TW522455B (ja)
WO (1) WO2000028115A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001152387A (ja) * 1999-09-16 2001-06-05 Ishihara Chem Co Ltd ボイドフリー銅メッキ方法
KR20020065711A (ko) * 2001-02-07 2002-08-14 차성욱 피씨비 동도금 방법
JP2004143478A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Ebara Udylite Kk 酸性銅めっき方法および酸性銅めっき装置
JP2010185117A (ja) * 2009-02-13 2010-08-26 Ebara Corp めっき装置及びめっき方法
WO2023166697A1 (ja) * 2022-03-04 2023-09-07 株式会社荏原製作所 基板のプリウェット処理方法及びプリウェットモジュール

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2001068952A1 (fr) * 2000-03-17 2001-09-20 Ebara Corporation Procede et appareil de plaquage electrolytique
KR100824910B1 (ko) * 2001-02-07 2008-04-23 엔테그리스, 아이엔씨. 수성 도금액의 탈기 방법
TW554069B (en) * 2001-08-10 2003-09-21 Ebara Corp Plating device and method
WO2003083876A2 (en) * 2002-03-27 2003-10-09 Nanoink, Inc. Method and apparatus for aligning patterns on a substrate
CA2851994C (en) * 2004-02-06 2018-05-15 A123 Systems, Inc. Lithium secondary cell with high charge and discharge rate capability
US8617745B2 (en) * 2004-02-06 2013-12-31 A123 Systems Llc Lithium secondary cell with high charge and discharge rate capability and low impedance growth
US7507319B2 (en) * 2006-07-21 2009-03-24 Ebara Corporation Anode holder
KR101424623B1 (ko) * 2007-11-02 2014-08-01 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드 반도체 워크피스 상의 메탈리제이션을 위한 도금 장치
JP2009204445A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Hitachi High-Technologies Corp 自動分析装置
US9455139B2 (en) 2009-06-17 2016-09-27 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating
US20100320081A1 (en) 2009-06-17 2010-12-23 Mayer Steven T Apparatus for wetting pretreatment for enhanced damascene metal filling
US9677188B2 (en) * 2009-06-17 2017-06-13 Novellus Systems, Inc. Electrofill vacuum plating cell
US9816193B2 (en) * 2011-01-07 2017-11-14 Novellus Systems, Inc. Configuration and method of operation of an electrodeposition system for improved process stability and performance
DE102012012990B4 (de) * 2011-06-30 2014-09-04 Almex Pe Inc. Oberflächenbehandlungssystem und Werkstückhaltestütze
KR20130013488A (ko) * 2011-07-28 2013-02-06 한국과학기술원 진공 도금 장치 및 방법
JP2013249495A (ja) * 2012-05-30 2013-12-12 Tokyo Electron Ltd めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体
US9613833B2 (en) 2013-02-20 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating
WO2014174473A1 (en) * 2013-04-24 2014-10-30 Saudi Basic Industries Corporation Method and apparatus for removing oxygen from a chemical
US20160040294A1 (en) * 2014-08-08 2016-02-11 Uni-Pixel Displays, Inc. Method of controlling oxygen levels for electroless plating of catalytic fine lines or features
US9617648B2 (en) 2015-03-04 2017-04-11 Lam Research Corporation Pretreatment of nickel and cobalt liners for electrodeposition of copper into through silicon vias
JP6556221B2 (ja) * 2015-03-31 2019-08-07 株式会社Ｊｃｕ 処理液の脱気判定方法
JP6499598B2 (ja) * 2015-10-06 2019-04-10 富士フイルム株式会社 経皮吸収シートの製造方法
GB2574177B (en) 2018-01-25 2021-07-14 Semsysco Gmbh Method and device for plating a recess in a substrate
JP7089902B2 (ja) * 2018-02-28 2022-06-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理装置における処理液排出方法、基板処理装置における処理液交換方法、基板処理装置における基板処理方法
CN108546968B (zh) * 2018-04-16 2019-03-19 广东工业大学 一种差异化孔同步电镀填充的方法和电镀装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04341341A (ja) * 1991-05-20 1992-11-27 S & C Kk 固体と液体との化学反応時の脱気方法
JPH10317158A (ja) * 1997-05-19 1998-12-02 Hitachi Cable Ltd 内面ＳｎまたはＳｎ合金めっき管及びそのめっき方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3623962A (en) * 1968-07-31 1971-11-30 Nat Steel Corp Reducing electrolytic sludge formation
JPS6046399A (ja) * 1983-08-23 1985-03-13 Katsukawa Kogyo Kk 電解表面処理方法とその装置
US4874476A (en) * 1987-04-13 1989-10-17 Texas Instruments Incorporated Fixture for plating tall contact bumps on integrated circuit
US4919769A (en) * 1989-02-07 1990-04-24 Lin Mei Mei Manufacturing process for making copper-plated aluminum wire and the product thereof
US5013415A (en) * 1989-05-12 1991-05-07 Hudson Wilbur N Liquid purification system
US5262193A (en) * 1991-10-15 1993-11-16 Minnesota Mining And Manufacturing Company Ultrasonically assisted coating method
US5512162A (en) * 1992-08-13 1996-04-30 Massachusetts Institute Of Technology Method for photo-forming small shaped metal containing articles from porous precursors
NL9300174A (nl) * 1993-01-28 1994-08-16 Meco Equip Eng Werkwijze en inrichting voor het langs electrolytische weg plaatselijk aanbrengen van metaalbedekkingen op van openingen voorziene metalen of gemetalliseerde producten.
US5368634A (en) * 1993-07-26 1994-11-29 Hughes Aircraft Company Removing bubbles from small cavities
JP3985065B2 (ja) * 1997-05-14 2007-10-03 忠弘 大見 多孔質シリコン基板の形成方法及び多孔質シリコン基板の形成装置
US6017437A (en) * 1997-08-22 2000-01-25 Cutek Research, Inc. Process chamber and method for depositing and/or removing material on a substrate
US5997712A (en) * 1998-03-30 1999-12-07 Cutek Research, Inc. Copper replenishment technique for precision copper plating system

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04341341A (ja) * 1991-05-20 1992-11-27 S & C Kk 固体と液体との化学反応時の脱気方法
JPH10317158A (ja) * 1997-05-19 1998-12-02 Hitachi Cable Ltd 内面ＳｎまたはＳｎ合金めっき管及びそのめっき方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1048757A4 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001152387A (ja) * 1999-09-16 2001-06-05 Ishihara Chem Co Ltd ボイドフリー銅メッキ方法
KR20020065711A (ko) * 2001-02-07 2002-08-14 차성욱 피씨비 동도금 방법
JP2004143478A (ja) * 2002-10-22 2004-05-20 Ebara Udylite Kk 酸性銅めっき方法および酸性銅めっき装置
JP2010185117A (ja) * 2009-02-13 2010-08-26 Ebara Corp めっき装置及びめっき方法
WO2023166697A1 (ja) * 2022-03-04 2023-09-07 株式会社荏原製作所 基板のプリウェット処理方法及びプリウェットモジュール

Also Published As

Publication number Publication date
DE69941111D1 (de) 2009-08-27
US6716332B1 (en) 2004-04-06
JP4043192B2 (ja) 2008-02-06
EP1048757A4 (en) 2006-06-14
EP1048757B1 (en) 2009-07-15
KR20010033965A (ko) 2001-04-25
EP1048757A1 (en) 2000-11-02
KR100697875B1 (ko) 2007-03-23
TW522455B (en) 2003-03-01
US20040159550A1 (en) 2004-08-19
US7118664B2 (en) 2006-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2000028115A1 (fr) Procede de metallisation et dispositif
JP4611341B2 (ja) めっき方法及び装置
JP2006525429A5 (ja)
TWI499695B (zh) 用於增進鑲嵌金屬填充之濕潤預處理裝置
US6527920B1 (en) Copper electroplating apparatus
KR100824910B1 (ko) 수성 도금액의 탈기 방법
KR102348574B1 (ko) 전기도금을 위한 알카리성 전처리
US9617648B2 (en) Pretreatment of nickel and cobalt liners for electrodeposition of copper into through silicon vias
USRE39123E1 (en) Plating apparatus
JP2006312775A (ja) めっき装置、めっき方法、及び半導体装置の製造方法
WO2004097929A2 (en) Method and apparatus for reduction of defects in wet processed layers
WO2006064711A1 (ja) めっき装置、めっき方法、半導体装置、及び半導体装置の製造方法
US6638409B1 (en) Stable plating performance in copper electrochemical plating
CN111149198A (zh) 通掩模互联制造中的电氧化金属去除
JP3568455B2 (ja) 基板メッキ装置
KR100390890B1 (ko) 도전층형성방법
JP2019052370A (ja) 化学および電解の少なくとも一方の表面処理のためのシステム
CA2381503A1 (en) Copper deposit process
US6849865B1 (en) Chemical processor
JP2001049498A (ja) めっき装置
JP4553632B2 (ja) 基板めっき方法及び基板めっき装置
KR100688766B1 (ko) 초임계 유체를 이용한 인쇄회로기판의 동도금방법
KR101036376B1 (ko) 무전해 도금조의 도금액 농도 제어장치 및 도금액 농도 제어방법
JP6706095B2 (ja) 無電解めっき装置および無電解めっき方法
US20050241947A1 (en) System and method for an increased bath lifetime in a single-use plating regime

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): JP KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1999954428

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 09582919

Country of ref document: US

Ref document number: 1020007007550

Country of ref document: KR

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1999954428

Country of ref document: EP

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020007007550

Country of ref document: KR

WWR Wipo information: refused in national office

Ref document number: 1020007007550

Country of ref document: KR