WO1997008239A1

WO1997008239A1 - Composition d'etancheification et produit d'etancheite

Info

Publication number: WO1997008239A1
Application number: PCT/JP1996/002406
Authority: WO
Inventors: Junsaku Mouri
Original assignee: Morisei Kako Co., Ltd.
Priority date: 1995-08-30
Filing date: 1996-08-28
Publication date: 1997-03-06
Also published as: DE69616272T2; US6172162B1; EP0796896A1; KR100293759B1; DE69616272D1; EP0796896A4; EP0796896B1; KR970707233A; TW375622B

Description

明細書封止材用組成物および封止材技術分野

本発明は封止材用組成物およびこの組成物を用いた封止材に関し、とくに半導体分野、液晶分野において使用されるエツチング装置に好適な封止材に関する。

背景技術

半導体デバイスの微細化や高集積化および液晶表示装置の ¾化や高精細化などに伴い、微細化や高精細化のキーテクノロジーの一つとなるドライエツチングは、微細線幅の加工技術として、また液晶表示装置の薄膜トランジスターの加工技術として、ゥエツ卜エッチング技術に代わりますます重要となってきている。

ドライエッチングは、大別して導入したガスに高周波電界を印加して発生するプラズマ中の活性粒子の化学反応のみを利用した反応性プラズマエッチング、電界により加速されたイオンによるスパッ夕作用のみを利用した無反応性ィオンエッチング、この両者を組合わせた反応性スパッ夕エッチングなどに分類される。また、これに伴い、エッチング装置は、プラズマエツチング装置、反応性イオンエッチング装置、反応性イオンビームエッチング装置、スパッ夕エツチング装置、イオンビー厶ェツチング装置などが開発されている。また、連続処理プロセスのためのマルチチャンバ一システムも開発されている。

このようなエッチング装置を用いたェッチング工程において、重金属ィォンなどによる Vthシフト、リーク、コンタクト抵抗増や、 AI配據のコロージョン、ポリマー付着などによるコンタミネーシヨンが半導体デバイスや液晶基板の品質を低下させる原因の一つとなっている。また、製品歩留まりも低下させている。

このため半導体デバイスや液晶基板の品質を維持するために定期的に装置の点検補修が行われている。従来、この点検補修の時期はエッチング装置に用いられているゲートバルブシールや周辺シール材などの封止材により定められることが多かった。すなわち、封止材から溶出する金属イオンが製品歩留まりに大きく影響していた。この傾向は、より減圧度が要求されるイオンエッチング装置において顕著となる。

従来の封止材用組成物として、テトラフル才ロエチレンとパーフルォロメチルバ一フルォロビニルエーテルおよび硬化部位単量体からなる共重合体

(特公平 4- 81609号公報）、少なくとも 1種のエチレン性不飽和化合物およびフル才ロビニルエーテルを含む共重合体（特公平 5- 63482号公報）などが知られている。

しかし、これらフル才ロアルキルビニルエーテル系共重合 ^独を成型した 0—リングゃ周辺シール材などの封止材を上述のエッチング装置に使用すると強度的に問題が発生する。一方、カーボンブラックを配合することによリ強度を改善することは可能であるが、封止材が導電性となリブラズマエッチング装置などの場合、クラックが入ってしまうなどの問題が生じる。そこで、次にシリカ粉を充填材とする封止材が検討されたが、金属溶出分、とくにバリゥ厶の溶出分が多くエッチング装置の点検補修の時期が極めて短くなリ、半導体デバイスゃ液晶基板の製品^ ¾まりが向上しないという問題があつた。

また、ェツチング装置の高性能化に伴い高エネルギーの環境下におかれた封止材が、その初期特性を維持できないという問題があつた。

本発明はこのような課題に対処するためになされたものである。すなわち、本発明の目的は、封止材としての強度や高エネルギーの環境下においても初期特性を維持するとともに溶出金属分を極めて少なくすることのできる封止材用組成物を得ることにある。

本発明の他の目的は、強度を維持するとともに溶出金属分が極めて少ないエッチング装置用封止材を得ることにある。発明の開示

本発明の封止材用組成物は、フル才口才レフインとパーフル才 oアルキルビニルエーテルとからそれぞれ誘導された繰り返し単位を主成分とする弗素系弾性体に、弗素系楫脂微粉末を 5〜50重量％配合してなる封止材用 SS^物であって、この組成物を加硫後の溶出金属分が 8ppb以下であることを特徴とする。

また、 ±≤nの弗素系弾性体がテトラフル才ロエチレンから誘導された繰リ返し単位と、パーフル才ロアルキルビニルエーテルから誘導された繰り返し単位と、テトラフル才ロエチレンを除いたフル才口才レフインまたは才レフィンから誘導された操リ返し単位とからなることを特徴とする。

さらに、 ϋの弗素系樹脂微粉末がポリテトラフルォロエチレン、テトラフル才ロエチレンとへキサフル才ロプロピレンとの共重合体、テトラフルォ口エチレンとパーフル才ロアルコキシとの共重合エチレンとテトラフル才ロエチレンとの共重合エチレンとクロ口トリフルォロエチレンとの共重合体、ポリクロ口トリフル才ロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリ弗化ビニルおよびビニリデンフルオラィド系共重合体の中から選ばれた少なくとも一つの弗素系樹脂であり、この弗素系樹脂の平均粒子径が 0. 2〜 50 μ π»であることを特徴とする。

本発明の他の封止材用物は、フルォ口才レフインとパーフルォ口アルキルビニルエーテルとからそれぞれ誘導された繰り返し単位を^分とする弗素系弾性体 100重量部と、ビニリデンフルォロライドーへキサフル才ロプロピレン共重合体、ビニリデンフルォロライドーへキサフルォ口プロピレンーテトラフルォロエチレン共重合体、プロビレン一テトラフル才ロエチレン共重合体およびフルォロシリコーン重合体から選ばれた少なくとも一つの重合体 5〜200重量部とを混合してなる弾性体に、弗素系捃脂微粉末を 5〜50 重量％配合してなる。また、 ¾ ^物を加疏後の溶出金属分が 8ppb以下であることを特徴とする。さらに、弗素系樹脂微粉末が上述の樹脂微粉末であることを特徴とする。

本発明のエッチング装置用封止材は、フル才口才レフインとパーフル才ロアルキルビニルエーテルとから誘導された繰り返し単位を主成分とする弗素系弾性体に、弗素系脂微粉末を 5〜50重量％配合し、加硫後の溶出金属分が 8ppb以下である封止材用物を成型して得られることを特徴とする。また、封止材の硬さが 50 〜 90 ° であることを特徴とする。本発明の他のェッチング装置用封止材は、上述の他の封止材用組成物を成型して得られることを特徴とする。また、硬さが 50〜 90 ° であることを特徴とし、さらに、溶出金属分が 8ppb以下であることが望ましい。

本発明の封止材用 ffi^物は、従来の無機充填剤を使用しないでの S合としたので封止材としての強度をするとともに溶出金属分を極めて少なくすることができる。その結果、半導体分野や液晶分野などにおける装置の封止材として使用することにより、 ULS Iや VLS I、 TFTLCD基板などの品質向上に寄与する。

また、本発明のエッチング装置用封止材は、エッチング装置の点検補修の時期が極めて短くなリ、半導体デバイスゃ液晶基板の製品歩留まりが向上す

発明を実施するための最良の形態

本発明の封止材用組成物に係る弗素系弾性体は、フル才口才レフィンとパ一フル才口アルキルビニルエーテルとからそれぞれ誘導された接り返し単位を主成分とするが、フル才口才レフインから誘導された繰り返し単位とは、以下の式（ I ) で表される。

1 3 -C-C-

R₂ R₄ (I)

ここで、 R, 、 R₂、 R₃ または R₄ は、水素、弗素、塩素、アルキル弗化アルキル基、弗化アルコキシル基の中から選ばれ、少なくとも弗素または弗化アルキル基の一つを含む。これらのなかで、 R₂、 R₃ および R

4が全て弗素であるテトラフル才ロエチレンが弗素系樹脂と組合わせてエツチング装置用封止材を形成するのにとくに好ましい。

また、パーフルォロアルキルビニルエーテルから誘導された繰り返し単位とは、以下の式（I I) で表される。 - c - c -

I I

F O— R ₅ ( I I )

ここで、 R ₅ は、炭素数 1〜6 のパーフル才ロアルキル基、アルキル基、パーフル才口アルキルエーテル基、シァノパーフル才ロアルキル基である。なお、フル才口才レフインとパーフル才ロアルキルビニルエーテルとの配合割合は、フルォロォレフインが 50 〜 95 モル％、パーフル才ロアルキルビニルエーテルが 5〜 50 モル％であること力好ましい。

また、弗素系弾性体中に占めるフルォ口才レフインとパーフル才ロアルキルビニルエーテルとからそれぞれ誘導される繰り返し単位を有する弾性体は、合計で少なくとも 40重量％以上含むことが好ましい。

すなわち、弗素系弾性体は、フル才口才レフインとパーフル才ロアルキルビニルエーテルとから誘導された繰り返し単位のみから構成されていてもよい。この場合、加硫後の溶出金属分をとくに少なくすることができる。

また、弗素系弾性体の耐熱性を向上させたり、高エネルギーの環境下においても初期特性を Ititする場合、配合剤として、ラジカル架橋できる弾性体を含むことか'好ましい。そのような弾性体としてはビニリデンフル才ロライド系、テトラフル才ロエチレン/プロピレン系を挙げることができ、また、フル才ロシリコーン系弾性体も好ましい例として挙げることができる。

とくに封止材としての ±5Eの特性を向上することのできるラジカル架橋型弾性体としては、ビニリデンフルォ口ライド系弾性体が好ましい。そのようなビニリデンフル才 αライド系弾性体としては、ビニリデンフル才ロライド —へキサフル才ロプロピレン共重合体ゃビニリデンフル才ロライドーへキサフルォロプロピレンーテ卜ラフルォロエチレン共重合体を挙げることができる。また、フル才ロシリコーン重合体も上述の特性を向上することのできる弾性体として $Κ窗である。

本発明の他の封止材用組成物は、フルォ口才レフインとパーフルォロアルキルビニルエーテルとから誘導された繰り返し単位を有する弗素系弾性体と、たとえばビニリデンフル才ロライド系弾性体とをブレンドすることによリ得ることカ<できる。また、フルォ口才レフインと、パーフル才ロアルキルビニルエーテルと、たとえばビニリデンフル才ロライドと、へキサフルォロプロピレンとを共重合させることによつても弗素系弾性体を得ることができる。さらに、フル才ロシリコーン重合体をブレンドしても、またシロキサン結合を含むモノマーを共重合させてもよい。

ラジ力ル架撟型弾性体やフル才ロシリコーン重合体の配合毚は、フル才ロ才レフィンとパーフル才ロアルキルビニルエーテルとから誘導された錄リ返し単位を有する弗素系弾性体 100重量部に対して 5〜200重量部の範囲で含むことが好ましく、さらに好ましくは 5〜150重量部の範囲である。また、共重合させて弗素系弾性体とする場合は、上述の配合となるように、単量体を配合する。

このような弗素系弾性体の加硫方法は熱や酸 kil元系の存在で容易にパーォキシラジカルを生成する有格腿酸化物による加^ b<好ましい。また、ジクミルパーォキサイドゃベンゾィルパー才キサイドなどの有酸匕物などと、トリアリルイソシァヌレートなどの多価ァリノレ化合物や水酸基含有多価ァリル化合物とを共用して弗素系弾性体を加硫することもでき、この方法はとくに封止材の硬さが要求される場合に好ましい加硫方法である。

有 ¾ϋ酸化物としては、 ± ^の他に、 2, 5- ジメチル- 2, 5- ビス（t -プチルパ一才キシ）へキサン、 2, 5- ジメチル - 2· 5- ビス（t-ブチルバ一才キシ ) へキシン- 3、ビス（ 2， 4- ジクロルベンゾィル）パー才キサイド、 t-ブチルクミルパーオキサイド、 t-ブチルパーォキシベンゼン、〗，1- ビス（t-ブチルバ一才キシ） - 3, 5， 5- 卜リメチルシクロへキサン、 2， 5- ジメチルへキサン- 2, 5- ジヒドロキシパーオキサイド、 α， σ ' - ビス（_t-ブチルバ一才キシ） -p-ジイソプロビルベンゼン、 2, 5- ジメチル- 2, 5- ジ（ベンゾィルパ一ォキシ）へキサン、 t-ブチルバ一才キシイソプロピルカーボネート等を挙げることができる。

また、多価ァリル化合物としては、 J iの他に、トリァリルシアヌレート、卜リアリルトリメリテート、ジァリルフタレート等を挙げることができる。本発明の封止材用組成物において、弗素系樹脂徼粉末とは分子構造中に弗素を含む高分子体の微粉末であつて、金属含有量が極めて少な t、ものが好ましい。また微粉末の平均粒子径は 0. 2〜 50 μ ηιが好ましい。

弗素系街脂微粉末の配合割合は加硫後の弾性体、すなわち封止材用組成物全体に対し 5〜50重量％の範囲である。この範囲内で封止材としての弾性や硬さを維持すると共に、金属の溶出を抑えることができる。これら微粉末が配合された上述の弗素系弾性体を加硫することによりその強度を高めることができるとともに、金属の溶出によるェッチング装置内を汚染することがないので、半導体デバイスゃ液晶基板の製品歩留まりを向上させることができる。

本発明の封止材用組成物において、加硫後の溶出金属分とは、表面を超氷にて洗浄した試料を 50 %の弗化水素酸水溶液に 24 °Gで了 2時間浸漬後、その浸漬液の 0. 6倍液に含まれる金属分をいう。具体的には表が約〗 4cm ² 程度の封止材を 50 %の弗化水素酸水溶液 1kgに 24でで 72時間 ^¾し、その浸溃液 600gを分取して測定した場合、その中に含まれる金属分をいう。加後の溶出金属分が 8ppb以下であることが好ましく、さらに好ましくはアルミニウム、バリウム、カドミウム、クロ厶、銷、鉄、マグネシウム、ナトリウム、鉛、ゲイ素が Ippb以下であることが好ましい。

なお、加件としては、一次加 8¾)< 150〜〗70での加硫で 5〜 30 分の加硫時間、二次加硫が 170〜190での加硫温度で 2〜8時間の加硫時間が好適である。

加硫後の溶出金属分を少なく抑えた封止材を用いることにより、エツチング装置の稼動期間を延長することができ、また、半導体デバイスや液晶基板の品質を向上させることができる。

なお、本発明の封止材用組成物は、溶出金属分を抑えることが必要な半導体分野、液晶分野等の製造装置用封止材に使用することができる。例えば、エッチング装置、真空蒸着装罱を挙げることができる。これらの中でもとくにェッチング装置用封止材に使用することが好ましい。エッチング装置としては、プラズマエッチング装置、反応性イオンエッチング装置、反応性ィォンビームエッチング装置、スパッタエッチング装置、イオンビームエツチング装置などにに使用することができる。本発明の封止材用組成物において、テトラフル才口エチレンを除いたフル才口才レフインまたはォレフィンから誘導された繰り返し単位とは、式（| ) において、 R，、 R ₂ 、 R ₃ およびが全て弗素であるテトラフル才ロェチレンを除いたフルォロ才レフインまたは R i 、 R ₂ 、 R ₃ および R ₄が水素またはアルキル基であるエチレン単位やプロピレン単位をいう。このような操り返し単位を有する弾性体は、フル才口才レフインとパーフル才ロアルキルビニルエーテルとから誘導された輮リ返し単位を有する弗素系弾性体 10 0重量部に対して 5〜200重量部の範囲で含むことが、エッチング装置における封止材としての弾性や硬さを維持すると共に、金属の溶出を抑える上で好ましい。

また、弗素系弾性体に ffi合する街脂粉末を J ^の弗素系樹脂微粉末とし、その平均粒子径を 0· 5〜 50 μ ηιとすることにより、封止材としての硬さを維持すると共に、金属の溶出を抑えることができる。

本発明のエッチング装置用封止材において、硬さとは J I S K 6 3 0 1に準じて測定されるゴム硬度をいう。硬さを 50° 〜90° の範囲にすることにより、封止材のつぶれがなく、エッチング装置を長期間安定して稼動させることができる。

なお、本発明において、エッチング装置用封止材とは、プラズマエツチング装置、イオンエッチング装置などに使用することのできるゲー卜バルブシールおよび周辺シールをいう。また、シールの形状としては、 0リング状、角リング状、異径リング状、シールパッキン状の形状を挙げることができる。実施例 1

フルォ口才レフインとパーフル才ロアルキルビニルエーテルとから誘導された繰り返し単位を主成分とする弗素系弾性体として、多価ァリル化合物およびパー才キサイドを含有し充填剤を含有しないダイエルパーフ ο (ダイキン工業株式会社製商品名） 100重量部に、ポリテトラフル才ロエチレン（平均粒子径 10 μ π» ) を 30重量％抨量し、ゴムロールミルを用いて混合し、加硫金型に入れ、 160 °C 10分間の一次加硫および 180 °C 4時間の二次加硫を施して、表面積 14. 2cm² の大きさの封止材を得た。

以下に示す方法によつて、得られた封止材の溶出金属分を測定した。 1 ) ポリエチレン容器に封止材を入れ、超純水にて 3回振動させながら洗浄を行い、その後 5%の弗化水素酸水溶液中にて 1回振動させながら洗浄を行い、再度超純水にて 1回振動させながら洗浄する。

2 ) この表面を洗浄した封止材を 1リツトルのポリエチレン容器に入れ、 5 0 %の弗化水素酸水溶液に〗kgに 24 °Gで 72時間浸淒する。

3 ) 封止材を浸演後の弗化水素酸水溶液を 600gを分取して、この分取液を 4 6倍に濃縮し、白金皿にて水浴上で蒸発乾固し、 0. 1 規定の硝酸 13 ml を添加して測定試料とした。

4) この測定試料を誘導結合型プラズマ（I C P) 発光分析機器にて金属分を測定した。

測定結果を表 1に示す。

実施例 2

フルォ口才レフインとパーフル才ロアルキルビニルエーテルとから誘導された繰り返し単位を主成分とする弗素系弾性体として、多価ァリル化合物およびパーォキサイドを含有し充填剤を含有しないダイエルパーフ口（ダイキン工業株式会: M商品名） 100重量部とビニリデンフルォロライドーへキサフル才ロプロピレン共重合体 30重量部とをブレンドしてなる弾性体に、ポリテトラフル才ロエチレン（平均粒子径 10 μ πι ) を 30重量％稃量し、ゴムロールミルを用いて混合し、加硫金型に入れ、 160 °C 10分間の一次加硫および〗 80 °C 4時間の二次加硫を施して、表面積 14. 2cm² の大きさの封止材を得た。

実施例 3

フルォ口才レフインとパーフル才ロアルキルビニルエーテルとから誘導された繰り返し単位を主成分とする弗素系弾性体として、多価ァリル化合物およびパー才キサイドを含有し充填剤を含有しないダイエルパーフ α (ダイキン工業株式会社製商品名） 100重量部とビニリデンフルォロライドーへキサフル才ロプロピレンーテトラフルォロエチレン共重合体 30重量部とをブレンドしてなる弾性体に、ポリテトラフルォロエチレン（平均粒子径 10 u rn ) を 30重量％秤量し、ゴムロールミルを用いて混合し、加型に入れ、 16 0 °G 10分間の一次加硫および 180 °C 4時間の二次加琉を施して、表面積 14 . 2cm² の大きさの封止材を得た。

比較例 1および 2

ポリテトラフルォロェチレンの代わリにカーボンブラックを使用した例を比較例 1に、シリカ粉を使用した例を比較例 2にそれぞれ示す。なお、それ以外は実施例と同""^件とした。

溶出金属分の測定結果を表 1に示す。表 1

注） N D：検出限界以下を表す。

単位； ppb 実施例 1の封止材は、溶出金属分が全て検出限界以下でぁリ優れていた。また、実施例 1の封止材をプラズマエッチング装置のチャンバ一部に使用したところ、従来の弗素系弾性体にシリカ微粉末を配合した封止材用組成物から作られた封止材を使用した場合よリも点検補修の期間がさ倍以上に伸びた _c また、実施例 2および実施例 3の封止材は、実施例 1の封止材と腿して、 1- 20mTorr(0. 133- 2. 667Pa)の低圧力の状態で 10^{1 1}- 10^{1 2}イオン Zcm³ の高密度ブラズマが発生して t、る環境下にお t、ても点検補修の期間が 3倍 Ohに伸びた。なお、ポリテトラフル才ロエチレン（平均粒子径 10 μηι ) を 5重量％または 50重量％S合する以外は実施例 1と同一の条件で封止材を作製したところ、実施例 1と同様の結果が得られた。また、ポリテトラフル才ロエチレンの平均粒子径を 0.2μιιιまたは 50 μιηとする以外は実施例 1と同一の条件で封止材を作製したところ、実施例 1と同様の結果が得られた。

一方、比較例 1においては、溶出金属分は実施例 1と同等であつたが、プラズマエッチング装置に使用したところ、クラックが入るとともに導電性であり使用ができなかった。比較例 3は、金属バリウムおよび金属ゲイ素の溶出が認められ、またプラズマエッチング装置に使用したところ、実施例 1の封止材を使用した場合よりも点検補修の期間が 1/3未満となった。その結果、半導体装置や液晶表示装 £等の製品まリも低下した。産業上の利用可能性

以上のように、本発明の封止材用組成物は、半導体分野や液晶分野などにおける装置の封止材用として有用であり、 ULS Iや VLS I、 TFTLC D基板などの品質向上に寄与する。

また、本発明のエッチング装置用封止材は、エッチング装置の点検補修の時期が接めて短くなり、半導体デバイスゃ液晶基板の製品歩留まりが向上する。

Claims

請求の範囲

1 . フル才口才レフインとパーフル才口アルキルビニルエーテルとからそれぞれ誘導された繰り返し単位を主成分とする弗素系弾性体に、弗素系樹脂微粉末を 5〜50重量％紀合してなる封止材用組成物であって、前記組成物を加硫後の溶出金属分が 8ppb以下であることを特徴とする封止材用組成物。

2. 請求の範囲第 1項記載の封止材用組成物において、前記弗素系弾性体は、テトラフル才ロエチレンから誘導された繰り返し単位と、パーフル才ロアルキルビニルエーテルから誘導された繰り返し単位と、テトラフル才ロェチレンを除いたフルォ口才レフインまたはォレフィンから誘導された操リ返し単位とからなることを特徴とする封止材用物。

3. 請求の範囲第 1項記載の封止材用組成物において、前記弗素系樹脂微粉末は、ポリテトラフル才ロエチレン、テトラフル才ロエチレンとへキサフルォロプ αビレンとの共重合体、テトラフルォロエチレンとパーフル才口アルコキシとの共重合体、エチレンとテトラフル才ロエチレンとの共重合体、ェチレンとクロ口トリフル才ロエチレンとの共重合体、ポリクロ口トリフルォ □エチレン、ポリビニリデンフル才ライド、ポリ弗化ビニルおよびビニリデンフル才ライド系共重合体の中から選ばれた少なくとも一つの弗素系樹脂であり、この弗素系樹脂の平均粒子径は 0. 2〜 50 μ πιであることを特徴とする封止材用物。

4. フル才口才レフインとパーフルォロアルキルビニルエーテルとから誘導された繰り返し単位を主成分とする弗素系弾性体に、弗素樹脂微粉末を 5〜 50重量％配合し、加硫後の溶出金属分が 8ppb以下である封止材用組成物を成型して得られることを特徴とするェッチング装置用封止材。

5. 請求の範囲第 4項記載のエッチング装置用封止材において、硬さが 50 〜 90 ° であることを特徴とするエッチング装置用封止材。

6. フル才口才レフインとパーフル才ロアルキルビニルエーテルとからそれぞれ誘導された繰り返し単位を主成分とする弗素系弾性体 100重量部と、ビ二リデンフル才ロライドーへキサフル才ロプロピレン共重合体、ビニリデンフル才ロライドーへキサフル才ロプロビレン一テトラフル才ロエチレン共重合体、プ。ピレンーテ卜ラフル才ロエチレン共重合体およびフル才ロシリコーン重合体から選ばれた少なくとも一つの重合体 5〜200重量部とを混合してなる弾性体に、弗素系樹脂徼粉末を 5〜50重量％S合してなる封止材用組成物。

7. 請求の範囲第 6項記載の封止材用組成物において、該組成物を加琉後の溶出金属分が 8ppb以下であることを特徴とする封止材用組成物。

8. 請求の範囲第 6項または第 7項記載の封止材用組成物において、前記弗素系樹脂微粉末は、ポリテトラフル才ロエチレン、テトラフル才ロエチレンとへキサフルォロプロビレンとの共重合体、テトラフル才ロエチレンとパーフル才ロアルコキシとの共重合体、エチレンとテトラフル才ロエチレンとの共重合体、エチレンとクロ口トリフル才ロエチレンとの共重合体、ポリクロ口トリフル才ロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリ弗ィ匕ビニルぉよびビニリデンフル才ライド系共重合体の中から選ばれた少なくとも一つの弗素系樹脂であり、この弗素系樹脂の平均粒子径は 0. 2〜 50 μ π»であることを特徴とする封止材用物。

9. フルォ口才レフインとパーフル才ロアルキルビニルエーテルとからそれぞれ誘導された繰り返し単位を主成分とする弗素系弾性体 100重量部と、ビ二リデンフル才ロライドーへキサフルォロプロピレン共重合体、ビニリデンフル才ロライドーへキサフルォロプロビレンーテトラフル才ロエチレン共重合体、プロピレンーテトラフル才 πェチレン共重合体から選ばれた少なくとも一つの共重合体またはフル才ロシリコーン重合体 5〜200重量部とを混合してなる弾性体に、弗素系樹脂微粉末を 5〜50重量％配合してなる封止材用組成物を成型して得られることを特徴とするエツチング装置用封止材。

1 0. 請求の S囲第 9項記載のエッチング装置用封止材において、硬さが 5 0 〜 90 ° であることを特徴とするエッチング装置用封止材。

1 1 . 請求の箱囲第 9項記載のエッチング装置用封止材において、溶出金属分が 8ppb以下であることを特徴とするエッチング装 S用封止材。