WO1990004263A1 - Image sensor and method of producing the same - Google Patents

Description

" 明 細 書

発明の名称

イ メ ー ジセ ンサおよびその製造方法

技術分野

本発明はィ メ ジセ ンサおよびその製造方法に関するもので ある。

背景技術

従来のィ メ ジセ ンサは、 第 7図 (a) , ( )に示す様に、 回路導 体餍 7 2を形成した不透明基板 7 1 上に、 ィ メ ジセ ンサチ ッ プア 3を導電性接着剤 7 4によ j9固定していた。 そしてィ メ 一 ジセ ンサチ ッ プ 7 3の電極 7 3 A と回铬導体層 7 2 とをワ イ ヤ ^ボ ン ド法によ 金や了 レ ミ 二ゥム どの金属細線 7 5で接続 していた。 またその上から透明のモ ド樹脂 7 6によ って封 止する構造をと つていた。 おィ メ ― ジセ ンサチッ プ 7 3の電 極ァ 3 A側面には図示してい ¾いが、 複数の受光センサが配置 されている。

しかしながら、 この様 イ メ ー ジセ ンサでは、 金属钿線 7 5 を用いて電¾ 7 3 A と回略導体層 7 2を接続するので、 その接 続作業が大変であり 、 しかも電極 7 3 A間の小ピッチ化への対 応が難しいものであ つた。

発明の開示

そこで本発明は金属細線による配線作業を廃止してその作業 性を高めると と もに、 小ピッ チ化への対応も図りやすいものを 提供することを目的とするものである。

そしてこの目的を達成するために、 本発明は、 その上面に回 導体層を形成した透明基板の上面上に、 下面に電極と受光セ ンサとを有するィ メ ージセ ンサチッ プを光硬化型絶緣樹脂を介 して接着するものである。

そして以上の構成とすればィ メ —ジセ ンサチッ プの電極を直 接透明基板上の回路導体層に実装するため、 配線作業が簡略化 され、 しかも小ピッチ化への対応が可能 ものと るのである。 図面の簡単 ¾説明

第 1 図 (a) ，（ )は本発明の第 1 の実施例の側面断面図と正面断 面図、 第 2図 (a) ， (b) ，（c)は本発明の芎 2の実施例の側面断面図 と、 正面断面図と一部切欠平面図、 第 3図 (a) ，（ )は本発明の第

3の実施例の側面断面図と正面斩面図、 第 4図は本発明の第 4 の実施例の側面断面図、 第 5図 (a) ， （ )は本発明の第 5の実施例 の側面断面図と分解側面断面図、 苇 6図 (a) ， (b) ，（c)は本発明の 第 6の実施例の正面断面図と 一部拡大平面図と側面断面図、 第 7図 (a) ，（b)は従来例の平面図と正面断面図である。

発明を実施するための最良の形態

以下、 本発明の第 1 の実施例を図面を用いて説明する。

. 第 1 図 (a) ，（b)は、 本発明の第 1 の実施例のィ メ —ジセ ンサを 示したものである。

1 1 はィ メ ジセ ンサチップ 1 2を保護するための保護膜 である。 ^{1 3}はィ メ ジセンサチップ ^{1 2}の下面に複数個設け られている受光セ ンサである。 ^{1 4}はイ メ ージセ ンサチッ プ

1 2 の下面に複数個設けた電極である。 1 5はイ メ ー ジセンサ チッ プ 1 2の電極 1 4上に設けられた導体性の突起状の電極で ある。 1 6はイ メ ージセ ンサチ ッ プ ¹ 2を透明基板 ¹ 8の上面 • 上に設けた回路導体層 1 7上に実装するための透明の光硬化型 絶縁樹脂である。

以上のよ う に構成されるィ メ ジセ ンサの製造方法を説明す る 0

5 先ず半導体プロセスを用いて単結晶シリ コ ン基板 （ ウ ェハ ） 上に、 フ ォ ト ト ラ ン ジス タゃフ ォ ト ダイ オ ー ド等の受光セ ンサ

1 3 と G G Dや M 0 S ，バイポーラ I G等のアク セス回路 （図 示せず ）を設けたものを作る。 次に各電極 ^{1 4}の部分に、

T i/P d 等のバリ ヤメ タノレを介して金 どの電極 1 5をメ ツ キ l O 法等で数 // mの厚さで形成する。 その後この単結晶シ リ コ ン基 板を高精度ダイ シ ング技術によ り切断し、 半導体ィ メ ジセ ン サチッ プ 1 2を作る。 次にガラス基板等の透明基板 1 8上に金 や銀一白金等の貴金属をスク リ - ン印刷法または薄膜形成法と フ ォ ト リ ソ法を用いて回路導体層 1 ァを形成する。 この透明基

1 5 板 1 8の所定の位置に、 ァク リ 系の透明の光硬化型絶縁樹脂 1 6をス ク リ — ン印刷やデ ィ スペ ンサ ー等で所定量を塗布し、 その上にイ メ ージセ ンサチッ プ 1 2を電極 1 5側を下方にして 配置する。 その後、 このィ メ —ジセ ンサチップ ^{1 2}に上方から 圧力を加えるがら、 透明の光硬化型絶椽樹脂 ^{1 6}に下方の透明 0 基板 1 8を通して紫外線を照射し、 硬化させ、 実装を完了する , さ らにその上からシ リ コ ン等の樹脂をデ ィ スペンサ ー等で塗布 し保護膜 1 1 を形成する。

このィ メ ージセ ンサについては、 透明基板 ¹ 8及び透明の光 硬化型絶緣樹脂 1 ⁶を通して光情報を受光セ ンサ ^{1 3}が検知し 5

これを電気信号に変換するよ うにるつている。 • 以下、'本発明の第 2の実施例について図面を甩いて説明する c 第 2図 (a) ，（b)は本発明の第 ²の実施例におけるィ メ —ジセ ン サを示すものである。

2 1 はイ メ ージセ ンサチッ プ ^{2 2}及び発光ダイ オ ード ^{2 4}を

5 保護するための保護膜である。 ^{2 3}はイ メ ージセ ンサチップ

2 2の下面に複数個設けられた受光セ ンサである。 2 4は同じ く透明基板 2 6の上面上に実装した光源の一例である発光ダイ オ ー ドである。 2 5は透明基板 2 6の受光センサ 2 3に対応し た部分に形成された光フ ァ イバアレイ （ レ ンズの一例 ） である _c l O ァは ¾み取るべき原稿である。

以上のよ うに搆成されたイ メ -ジセ ンサについて、 その動作 を説明する。

光源である発光ダイオ ー ド 2 4 よ り出た光は、 透明基板 2 6 を通して直接原稿 2 7を照明する。 泵稿 2 7からの光清報は、

1 5 透明基板 2 6に埋め込んだ径が受光センサ 2 3の大きさ よ 十 分小さい光フ ァ ィパアレイ 2 5によ つて一対一の対応で、 ク ロ ス ト ークをおこさずに受光セ ンサ 2 3へ導かれる。 レ ンズは光 フ ァ イ バア レイ 2 5 の他に、 マイ ク ロ レ ンズを用いたり、 導波 路を透明基板 2 6に形成することによ って形成しても良い。

20 以上のよ うに第 1 図 ，第 2図の実施例によれば、 金属細線に よる配線作業を行わ ¾ぃので、 実装作業が簡略化され、 しかも 小ピッチ化への对応も可能に ^ 、 さらに機械的振動に対して 金属細線の断線等がるいので信頼性の向上も図れる。

第 3図は本発明におけるィ メ ジセ ンサの製造方法の一例を

25 説明するために用いたものである。 第 3図 (a) ， （ )において 3 1 はィ メ —ジセ ンサチップ 3 2を覆 つて保護するための保護膜である。 ^{3 3}はイ メ ージセ ンサチッ ブ 3 2の下面に複数個設けられている受光セ ンサ、 3 4はィ メ 一ジセ ンサチッ プ 3 2の下面に複数個設けられている電極であ る。 3 5は透明基板 ³ 7の上面に形成された回路導体層、 ^{3 6} はィ メ ージセ ンサチッ プ 3 2を透明基板 3 7に実装するための 透明の光硬化型色瘃樹脂である。

以上のよ うに構成されるィ メ ージセ ンサのィ メ ー ジセ ンサチ ッ プの実装方法を説明する。

半導体プロ セスを用いて単锆晶シ リ コ ン基板 （ ゥ ェ ハ ）上に、 フ ォ ト ト ラ ン ジス タゃフ ォ ト ダイ オ ー ド等の受光セ ンサ ^{3 3} と C G Dや M 0 S ，バイ ポー ラ I C等のア ク セス回路 （図示せず） と電極 3 4を有するイ メ ージセ ンサチ ッ プを複数^り、 この単 結晶シ リ コ ン基板を高精度ダイ シ ング技術によ ] 切断し、 個々 のィ メ —ジセ ンサチッ プ 3 2を切 出す。 次にガラス基板等の 透明基板 3 7上に金や銀一白金等の貴金属をスク リ —ン印刷法 または薄膜形成法とフ ォ ト リ ソ法を用いて回路導体層 3 5を形 成する。 この時回路導体層 ^{3 5}のィ メ ージセ ンサチ ッ プ 3 2の 電極 3 4が直接接続される部分においては、 幅はイ メ ジセ ン サチッ プ 3 2の電極 3 4の幅よ 小さ く （ 2 0 0 m以下 ） 、 高さは数 / mにした。

この透明基板 3 7の所定の位置にァク リ 系の透明の光硬化 型絶縁樹脂 ^{3 6}をスク リ ー ン印刷ゃデイ スペ ンサ ^等で規定の 量を塗布し、 その上にィ メ ージセ ンサチ ッ プ ^{3 2}を、 その電極 3 4を下面側にして下降させ、 その後圧力を加えて電極 3 と 回路導体層 3 5を圧着させる。 この時、 同時に外部から回路導 体層 ³ 5を通じて電圧をかけ、 実装しているィ メ ージセ ンサチ ップ 3 2が正常に動作をするかを確認する。 正常であると確認 できたら、 そのまま圧力を加えるがら、 透明の光硬化型絶緣樹 脂 3 6に透明基板 3 7を通して紫外線を照射して硬化させる。 またこの時の動作確認で異常であれば硬化させずに実装をし おした ]) 、 次の新た イ メ ージセ ンサチップ ^{3 2} と交換し、 先 と同じ作業を行う。 この様にして複数のィ メ ージセ ンサチッ プ 3 2を精度良く一直線上に配列する。 最後にその上からシリ コ ン等の樹脂をディペンサ -等で塗布し、 保護膜 3 1 を形成して. ィ メ —ジセンサが完成する。

このイ メ ージセ ンサについては、 透明基板 3 7及び透明の光 硬化型 ¾椽樹脂 3 6を通して光情報を受光セ ンサ 3 3が受光し. これを電気信号に変換するよ うにな つている。

以上のよ うに第 3図の実施例によれば、 金属細線の接続作業 が不要なので、 実装面積が小さ くな！） 、 しかも実装時の実装ミ スゃ実装したィ メ —ジセ ンサチップに不良があった時にはただ 'ちに実装のしなおしや交換が簡単に行えるよ うにるる。

第 4図は本発明の第 4の実施例を示すものである。 第 4図に おいて、 4 1 はイ メ ージセ ンサチ ッ プで、 4 2はイ メ ージセ ン サチ ッ プ 4 1 に形成された能動素子も しくは受動素子等の素子 である。 4 3は受光セ ンサであ ]? 、 ^{4 5}は素子^{4 2}と受光セ ン サ 4 3を電気的に接続した回珞導体層、 4 4は絶縁層、 4 6は 保護層、 4 7は保護層 ^{4 6}表面に形成した電極である。 ^{4 8}は 実装用の透明基板、 ^{4 9}はその上面上の回路導体層、 4 0は透 明の光硬化型絶縁樹脂である。 以上のよ うに構成されたィ メ ジセンサについて説明する。

半導体プロセスを用いて受光セ ンサ 4 3 ， 素子 4 2 ，回路導 体層 4 5を作成した半導体チ ッ プ 4 1 の保護層 4 6表面に電極 4 7を形成する。 次に透明基板 4 8上に回铬導体層 4 9を形成 する。 この透明基板 4 8の所定の位置に透明の光硬化型絶緣樹 月旨 ⁴ Oを規定量塗布し、 その上にイ メ ージセ ンサチッ プ ^{4 1} を フ ユ イ スダウ ンで電極 4 7 と回路導体層 4 9が接続するよ うに 押しあてる。 すると回路導体層 4 9の光硬化型絶緣樹脂 4 Oは、 電極 4 7に押しのけられ、 これによ 回路導体層 4 9 と電極 47 は電気的に接続される。 この時、 外部から回铬導体層 4 9を通 じて駆動信号を印加し、 イ メ ージセ ンサチップ 4 1 が正常に動 作することを確認する。 正常であると確認したるらば、 そのま ま圧力を加え ¾がら、 透明基板 4 8を透して光硬化型 ¾缘樹脂 4 0に紫外線を照射し、 硬化させる。 も し異常であれば、 硬化 させず次の新たるイ メ ージセ ンサチ ッ プ 4 1 と交換し、 先と同 じ工程を行う。

以上の構成のイ メ ジセ ンサは、 光情報が透明基板 4 8 ,光 硬化型絶豫樹脂 4 Oを通して受光セ ンサ 4 3に導かれると、 電 気信号に変換される。

お、 透明基板 4 8の材質をガ ラス と したが、 透光性を有す るものであればよい。

¾お第 4図において電極 ⁴ Tはその垂直方向において一部、 素子 4 2 ， 受光セ ンサ 4 3に重るっている力 イ メ ージセ ンサ チップ 4 1 は透明基板 4 8に加圧されるので、 これらの素子 2 ，受光セ ンサ ^{4 3}はできるだけ電極 4 7とは垂直方向にお いて重 ¾ら いよ う にした方が過大 ¾荷重による損傷の ¾いも のと る。

また電極 4 7はァノレミ ニゥ ムで形成しているのでその表面に 酸化膜が形成されやすいが、 回路導体層 4 9は金にフ リ ッ トを 混入させて形成しているので加圧圧着時にフ リ ッ トでこの酸化 膜はとれ、 確実な電気的接続が ¾されるものと ¾る。

さらに回路導体層 4 9は金製で高価なため、 細いものとるる が、 電極 4 7はアルミ ニウムで安価 ため広くできるので、 両 者の接続も行いやすいものとなる。

以上のよ うに本実施例ではィ メ ージセ ンサチ ッ プ 4 1 の電極 4 7を、 透明基板 4 8上の回路導体層 4 9に当接させるので、 作業性が良く、 しかも機械的振動に対する電気的接続が外れに く く、 信頼性の高いものと ¾る。

第 5図はイ メ ージセ ンサチ ッ プ 5 ¹ の電極 53に特徴を 有する本発明の他の実施例を示す。 第 5図において、 5 1 はィ メ ージセ ンサチップ、 5 2はその下面に形成されたア ミ ニゥ ム よ る第 2の電極、 5 ³は第²の電極 ^{5 2}の上に形成され た金製の第 ¹ の電極である。 ^{5 4}はイ メ ージセ ンサチ ッ プ ^{5 1} を実装する透明基板、 5 5は透明基板 5 4上に形成した回珞導 体層、 5 7はイ メ ージセ ンサチ ッ プ 5 1 と透明基板 5 4との間 に塗布され、 これらを圧着固定するための透明の光硬化型樹脂 5 8はィ メ —ジセ ンサチッ プ 5 1 の表面に形成された保護層で ある。 ¾ぉ、 本実施例では第 ¹ の電極 ^{5 3}部がメ イ ンであるの で、 受光セ ンサを明記していない。 以上のよ うに構造されるィ メ ー ジセ ンサの製造方法について 説明する。

先ず半導体プロ セ スを用いて単結晶シ リ コ ン基板 （ ウ ェハ ） 上に、 各種素子を形成し （図示せず ） 、 次に百数十 // m 角の第 ²の電極 ^{5 2}を形成する。 次に単結晶シリ コ ン基板上を、 第 2 の電極 5 2の周囲を数〜- 数 μ ΐΠ かぶさるよ うに第 2の電極 52 以外の全面を保護層 5 8である厚さ約 1 μΐα の窒化膜でおおい、 保護する。 次に電気メ ッキ法等によ 、 第 2の電極 5 2上に金 を数 ^ m の厚さで形成し、 第 ¹ の電極 5 3を作る。 この時、 第 2の電極 5 2上で、 保護層 5 8がおおわれている部分の上にも 金が形成されるため、 第 1 の電極 5 3の周囲幅数〜" 数 ^ m の 部分が約 1 程度環状に突出する形状と ¾る。 その後この単 結晶シ リ コ ン基板を高精度ダイ シ ング技術によ ]?切断し、 ィ メ ジセ ンサチ ッ プ ^{5 1} を作る。 また、 ガ ラス等の透明基板 5 4 上に、 Auや Ag— P t 等の貴金属をス ク リ ー ン印刷法または薄 膜形成法とフ ォ ト リ ソ法を用いて回路導体層 5 5を形成する。 次にこの透明基板 5 4の所定の位置にァク リ ノレ系の光硬化型絶 縁樹脂 5 7をス ク リ ー ン印刷やディスペ ンサ等で所定量を塗布 し、 その上に先のィ メ ージセ ンサチップ ⁵ 1 を第 ¹ の電極 ^{5 3} 側を下方にして配置する。 その後このィ メ ージセ ンサチップ 5 1 に上方から所定の圧力を加え、 イ メ ー ジセ ンサチ ッ プ ^{5 1} 上のすべての第 1 の電極 5 3が、 透明基板 5 4上の対応する回 路導体層 5 5に当接するよ うにさせる。 この時、 第 1 の電極 5 3や回路導体層 5 5の高さのばらつき 、 及びイ メ ージセ ンサ チ ッ プ ⁵ や透明基板 ^{5 4}のそ などを吸収するため、 第 ¹ の 電極 5 3の先端の環状の突出部がつぶされる状態となる。 次に 外部よ ]?、 回路導体層 5 5を介して電圧を加え、 イ メ ージセ ン サチッ プ 5 1 が正常に動作するのを確認したのち、 透明基板 54 がガ ラスであればそのガ ラスを透して、 又ァノレ ミ ナであればす き間よ ]9紫外線照射をし、 光硬化型絶椽樹脂 5 7を硬化し、 実 装を完了する。 この様に、 第 ¹ の電極 ^{5 3}を、 その先端の周囲 が特に環状に突出している形状にすることによ 、 第 1 の電極 5 3の表面積を大き く して、 イ メ ージセ ンサチッ プ 5 1 と透明 基板 5 4の位置合せを容易にし、 しかも、 実装時に第 1 の電極

5 3のつぶれる面積を小さ く して実装時の加圧値を低くするこ とによ 、 イ メ ージセ ンサチップ ^{5 1} や透明基板 ^{5 4}に無理る 力が加わることを解消し、 イ メ ー ジセ ンサチ ッ プ 5 1 や透明基 板 5 4の破壌を ¾ く し、 又実装の信頼性を向上させることがで き、 歩留を上げることが実現できた。 お、 第 1 図〜第 5図の 実施例において透明基板 1 8 , 2 6 ， 3 了 ， 4 8 , 5 4はシ — ト状でフ レキシブノレ ものを用いても良い。

第 6図 (3·) , (b) , (C)は光フ ァィバ了レイ部に特徵を有する実施 例である。

第 6図において、 6 ¹ は保護膜、 ^{6 2}はイ メ ージセ ンサチッ ブ、 6 3はイ メ ージセ ンサチップ ^{6 2}に設けられた複数の受光 セ ンサ、 6 4はイ メ ー ジセ ンサチ ッ プ 6 2の電極である。 6 5 はガ ラスの透明基板 6 ァ上に形成された回路導体層、 6 6は透 明基板 6 ァ間にはさまれた光フ アイバアレイ である。 6 8は透 明基板 6 7の上面及び下面に形成した黒色系膜、 6 9は原稿

6 Oを照明する光源である。 又第 ⁶図 (b)は、 光フ ァイバアレイ 6 6の拡大平面図であ 、 各光フ ァイバは中心部のコア 6 6 A とその外表面のク ラッ ド 6 6 B と、 このク ラッ ド 6 6 Bの外表 面に設けられた吸光体 6 6 Cで構成されている。

次に以上のよ うに構成したィ メ ^ジセ ンサの詳部についてさ らに詳細に説明する。

第 6図 (b)に示す様に、 直径がおよそ 2 5 // mの光フ ア イパの ク ラッ ド 6 6 Bの外表面に厚さ ²〜³ の吸光体 6 6 Cを形 成し、 この光フ ァ イバ多数本を第 ⁶図 (C)に示す様に、 2 の透 明基板 6 7にはさみ込んで、 両側から圧力を加えるがら、 ガラ スの融点程度の熱を加え光フ ア イパアレイ 6 6を作成する。 次 に、 この透明基板 6 7の両面に黒色系膜 6 8をス ク リ 一ン印刷 法で、 照明光が通る部分以外に形成する。 さ らに、 この光フ ァ ィバアレイ 6 6及び透明基板 6 7の一端表面に、 A 11や A g —

P 等の貴金属を用いてス ク リ — ン印刷法または薄膜形成法と フ ォ ト リ ソ法によ 回路導体層 6 5を形玟する。 さらに、 大き さ 5 0〜1 0 0 m角の受光セ ンサ 6 3を一定間隔 （ 62 .5 μ または 1 2 5 m )で多数並列に形成しているイ メ ージセ ンサ チップ 6 2を、 受光セ ンサ 6 3が光フ ア イパアレイ 6 6の一端 側に密着する様に、 フ ェ イ ス ダウ ンボンデ ィ ングで、 イ メ ージ セ ンサチッ ブ 6 2の電極 6 4が回路導体層 6 5の所定の位置に 接続する様に実装する。 さらに、 このイ メ ージセ ンサチッ プ 6 2を保護するためにシリ コ ン樹脂等の保護膜^{6 1} によ コ ティ ングする。 以上の様にしてィ メ ー ジセ ンサが作成される。

このイ メ ージセ ンサを用いて、 光フ ァ イバアレイ 6 6の他端 側に原稿 6 0を密着させ、 光源 （ L E D 了レイ ） ^{6 9}からの光 • を、 透明基板 6 了の上面側の黒色系膜 6 8が形成されてい い 領域から入射させる。 光は透明基板 6 7を通 ])、 さらに光フ ァ ィバの吸光体 6 6 Cを透して、 光フ ァ ィ バを通じて原稿 6 0を 照明する。 この時吸光体 ⁶ 6 Gに関しては、 ある程度光が透る

5 様に、 光の吸収率を 8 O %程度にしている。

原稿 6 0からの光情報は、 吸光体 6 6 Gを設けた多数の光フ アイバによ！） 、 光の交錯 （ ク ロ ス ト ーク ） ¾しに、 一対一の対 応で、 受光セ ンサ ^{6 3}に導かれる。 又外部からの不要る光は、 黒色系膜 6 8によ って ¹ 0 0 %遮断されている。

l O この様にして、 高解像度 （ M T F値が ⁴ 丽で約⁸ O ^ ) で画像を読みとることを可能にした。

以上の様に、 本実施例によれば、 光フ アイパを構成するク ラ ッ ド 6 6 Bの外表面に吸光体 6 6 Gを設けたので、 光フ ァイバ 間の光情報の交錯が く 、 この結果と して高解像度で画像

I 5 を読み取るィ メ ジセ ンサを実現することができる。

産業上の利用可能性

以上のよ うに本発明はその上面に回路導体層を形成した透明 基板の上面上に、 下面に電極と受光セ ンサを有するィ メ ジセ ンサチッブを光硬化型絶縁樹脂を介して接着するものである。

0 したがつ て本発明によればィ メ ー ジセ ンサチ ッ ブの電極と透 明基板の回路導体層を直接接続出来るので、 従来の金属細線を 用いた接続に比較すると作業性はきわめて高いものと ¾る。

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Claims

• 請 求 の 範 囲

1 . 上面に回路導体層を有する透明基板と、 この透明基板の上 面に透明の光硬化型絶縁樹脂を介して接着したィ メ —ジセ ンサ チッ プとを備え、 前記イ メ ージセ ンサチッ ブはその下面側に受

5 光センサと電極を有し、 この電極は前記回路導体層に当接させ たィ メ ー ジセ ンサ。

2 . 請求の範囲第 ¹ 項において、 回铬導体層にはフ リ ッ トを混 入させたィ メ 一ジセンサ。

3 . 請求の範囲第 ²項において、 チ ップの電極と、 回铬導体層 i o との少な く とも 一方には、 他方に向けて突出する突出部を形成 したィメ ージセ ンサ。

4 . 請求の範囲第 ¹ 項において、 受光センサに対向する透明基 板部にはレ ンズを設けたィ メ ージセ ンサ。

5， 請求の範囲第 ⁴項において、 レ ンズ と して光フ ァイバァ レ

1 5 ィを設けたィ メ —ジセ ンサ。

6 . 請求の範囲第 ⁵項において、 光フ ァ イバアレイは、 複数の 光フ アイバを整列して形成し、 前記光フ アイバは中心部のコァ 'と、 このコアの外表面に設けたク ラッ ドと、 このク ラッ ドの外 表面に設けた吸光体とによ 構成したィ メ ^"ジセ ンサ。

20 . 請求の範囲第 ⁶項において、 光フ ァ イバには、 光源からの 光を、 その吸光体からク ラッ ドを介してコァに入射させる構成 と したイ メ ージセンサ。

8 . 上面に回路導体層を有する透明基板と、 この透明基板の上 面に光硬化型絶緣樹脂を介して接着したイ メ ジセ ンサチップ

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とを備え、 前記イ メ ージセ ンサチッ プはその下面に受光セ ンサ • とア ミ ニウ ムからなる電極とを有し、 この電極を前記回路導 体層に当接させたィ メ ージセ ンサ。

9 . 請求の範囲第 ⁸項において、 受光セ ンサ同志、 またはこの 受光センサと他の素子とを接続する第 2の回路導体層を有し、

5 この第 2の回路導体層に電極を接続し、 この電極を透明基板の 回铬導体層に当接させたィ メ ージセ ンサ。

1 0 . 請求の範囲第⁹項において、 回路導体層にはフ リ ッ トを 混入させたィ メ ジセ ンサ。

1 1 . 請求の範囲第 ¹ O項において、 + 、 フ°の電極と、 回路導 i o 体層との少¾く と も一方には、 他方に向けて突出する突出部を 形成したィ メ ー ジセ ンサ。

¹ 2 . 請求の範囲第 ⁹項において、 受光セ ンサに対向する透明 基板部にはレンズを設けたィ メ ジセ ンサ。

1 3 . 請求の範囲第 ^{1 2}項において、 レ ンズと して光フ ァイバ

I 5 アレイを設けたィ メ ー ジセ ンサ。

1 4 . 請求の範囲第 1 3項において、 光フ ァ イバアレイは、 複 数の光フ アイバを整列して形成し、 前記光フ アイバは中心部の 'コアと、 このコアの外表面に設けられたク ラ ッ ドと、 このク ラ ッ ドの外表面に設けた吸光体とによ ！？構成したィ メ ジセ ンサ, 0 1 ⁵ . 請求の篼囲第 ^{1 4}項において、 光フ ァイバには、 光源か らの光を、 その吸光体からク ラッ ドを介してコアに入射させる 構成と したイ メ ージセ ンサ。

1 6 . 上面に回路導体層を有する少¾ く と も一部が透明とる つ た基板の上面に、 光硬化型絶緣樹脂を設け、 次にこの基板の上 5 面に、 下面に電極を有するィ メ ^"ジセ ンサチッ プを、 その前記 • 電極とそれに対応する前記回路導体層を当接させるべく この回 路導体層上の前記光硬化型絶椽樹脂を押しのけてこれらの電極 と回路導体層を当接させ、 次に回路導体層を介して前記ィ メ - ジセ ンサチッ プに通電して、 その動作確認を行い、 次に光硬化 型絶椽樹脂に光を照射して硬化させるィ メ ジセ ンサの製造方 it

1 7 . 請求の範囲第 ^{1 6}項において、 基板と して透明基板を用 い、 光硬化型絶緣樹脂と して透明のものを用いるィ メ ジセ ン サの製造方法。

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