JPH02272764A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH02272764A
JPH02272764A JP1095709A JP9570989A JPH02272764A JP H02272764 A JPH02272764 A JP H02272764A JP 1095709 A JP1095709 A JP 1095709A JP 9570989 A JP9570989 A JP 9570989A JP H02272764 A JPH02272764 A JP H02272764A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit conductor
conductor layer
substrate
electrode
adhesive
Prior art date
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Pending
Application number
JP1095709A
Other languages
English (en)
Inventor
Takahiko Murata
隆彦 村田
Tetsuro Nakamura
哲朗 中村
Shinji Fujiwara
藤原 愼司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Priority to US07/476,483 priority patent/US5065006A/en
Priority to DE68926448T priority patent/DE68926448T2/de
Priority to PCT/JP1989/001059 priority patent/WO1990004263A1/ja
Priority to EP89911393A priority patent/EP0393206B1/en
Publication of JPH02272764A publication Critical patent/JPH02272764A/ja
Priority to US07/739,562 priority patent/US5138145A/en
Priority to US07/884,826 priority patent/US5266828A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はイメージセンサ等の半導体装置に関するもので
ある。
従来の技術 従来のイメージセンサは、第3図に示すように5表面に
回路導体層32を形成した基板31上に、受光素子38
を有するイメージセンサチップ39を導電性接着剤35
により接着固定し、イメージセンサチップ39の電極と
回路導体層32とを金または、アルミニウムの金F4細
腺33で電気的に接続し、さらにその上からガラス封止
材37でハーメチック封止を行っていた 発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記のようなイメージセンサでは、金属
配線33の作業がめんどうで、しかも機械的撮動に対し
、金属細線33がはずれるという電気的接続の信頼性に
も課題を有していた。
本発明は上記課題に鑑み、簡単な工程で半導体チップの
高密度実装が可能で、しかも電気的接続の信頼性の高い
半導体装置を提供するものである。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために本発明は、表面に第1の回路
導体層を形成した基板と、この基板の表面上に接着剤で
固定された半導体チップとを備え、上記半導体チップは
、複数の素子と、これらの複数の素子間を接続した第2
の回路導体層と、この第2の回路導体層に接続されると
ともに、上記半導体チップの下面に表出された電極とを
有し、この電極を上記基板の第1の回路導体層に当接さ
せたものである。
作用 本発明は上記した構成により、半導体チップの電極を、
基板表面上の第1の回路導体層に直接接続するため、作
業性の良いものとなり、しかも機械的振動が加わっても
電気的接続が外れにく(信頼性の高いものとなる。
実施例 以下本発明の一実施例の半導体装置について、図面を参
照しながら説明する。第1図において、1は半導体チッ
プ、2は半導体チップ1に形成された能動素子もしくは
受動素子等の素子である。
3は絶縁層、4は各素子2を電気的に接続するアルミニ
ウム製の第2の回路導体層である。5は保護層、6は保
1WJ5表面に形成されるとともに第2の回路導体層4
に接続したアルミニウム製の電極である。7は基板、8
は基板7の表面上に形成した第1の回路導体層であり、
金にフィラーを混入させて形成したものである。9は光
硬化型絶縁樹脂よりなる接着剤である。以上のように構
成された半導体装置について説明する。半導体プロセス
を用いて能動素子や受動素子等の素子2や、第2の回路
導体層4等が形成された半導体チップ1の保護層5表面
に電極6を形成する。
次に基板7上に第1の回路導体層8を形成する。この基
板7の所定の位置に接着剤9を規定量塗布し、その上に
半導体チップ1をフェイスダウンで電極6と第1の回路
導体層8が当接するように押しあてる。この時、第1の
回路導体層8上の接着剤9は電極6に押しのけられ、第
1の回路導体層8と、電極6は電気的に接・続される。
その後、規定の圧力を加え、第1の回路導体層8と電極
6を圧着し、接着剤9を硬化する。このようにして半導
体チップ1を基板7上に実装する。
以下本発明の第2の実施例について図面を参照しながら
説明する。
第2図は本発明の第2の実施例を示すイメージセンサの
断面図である。同図において、11は半導体チップで、
12は半導体チップ11に形成された能動素子もしくは
受動素子等の素子である。
13は受光素子であり、15は各素子12.13を電気
的に接続した第2の回路導体層、14は絶縁層、16は
保護層、17は保護層16表面に形成した電極である。
18は実装用の透明基板、19はその表面上の第1の回
路導体層、20は光硬化型絶縁樹脂よりなる接着剤であ
る。以上のように構成されたイメージセンサについて説
明する。
半導体プロセスを用いて受光素子13.素子12゜各素
子12.13を電気的に接続した第2の回路導体層15
を作成した半導体チップ11の保護層16表面に電極1
7を形成する。・次に基板18上に第1の回路導体層1
9を形成する。この基板18の所定の位置に透明の光硬
化型絶縁+111脂よりなる接着剤20を規定量塗布し
、その上に半導体チップ11をフェイスダウンで電極1
7と第1の回路導体層19が接続するように押しあてる
。すると第1の回路導体層19上の接着剤20は、電極
15に押しのけられ、これにより第1の回路導体層19
と電極15は電気的に接続される。この時、外部から第
1の回路導体層19を通じて駆動信号を印加し、半導体
チップ11が正常に動作することを確認する。正常であ
ると確認したならば、そのまま圧力を加えながら、基板
18を透して光硬化型絶縁樹脂よりなる接着剤20に紫
外線を照射し硬化させる。もし異常であれば、硬化させ
ず次の新たな半導体チップ11と交換し、先と同じ工程
を行う。
以上の構成のイメージセンサは、光情報が基板18、光
硬化型絶縁樹脂よりなる接着剤20を通して受光素子1
3に導びかれると、電気信号に変換する。
なお、第2の実施例において、基板18の材質をガラス
としたが、透光性を有するものであればよい。
なお第1図、第2図において電極6,17はその垂直方
向において一部、素子2,12、受光素子13に重なっ
ているが、半導体チップ1,11は基板7,18に加圧
されるので、これらの素子2.12、受光素子13はで
きるだけ電極6,17とは垂直方向において重ならない
ようにした方が過大な荷重による損傷のないものとなる
また電極6,17はアルミニウムで形成しているのでそ
の表面に酸化膜が形成されやすいが、第1の回路導体層
8,19は金にフィラーを混入させて形成しているので
加圧圧着時にフィラーでこの酸化膜はとれ、確実な電気
的接続がなされるものとなる。
さらに第1の回路導体層8,19は金製で高価なため、
細いものとなるが、電極6,17はアルミニウムで安価
なため広くできるので、両者の接続も行いやすいものと
なる。
発明の効果 以上のように本発明は、半導体チップの電極を、基板上
の第1の回路導体層に当接させるので、作業性が良(、
しかも機械的振動に対する電気的接続が外れに<<、信
頼性の高いものとなる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例の半導体装置の断面図、
第2図は本発明の第2の実施例のイメージセンサの断面
図、第3図は従来例の断面図である。 1・・・・・・半導体チップ、3・・・・・・絶縁層、
4,15・・・・・・第2の回路導体層、5・・・・・
・保護層、6,17・・・・・・電極、7,18・・・
・・・基板、8,19・・・・・・第1の回路導体層、
9,20・・・・・・接着剤。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はが16曳 さ・ \

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)表面に第1の回路導体層を形成した基板と、この
    基板の表面上に接着剤で固定された半導体チップとを備
    え、上記半導体チップは、複数の素子と、これらの複数
    の素子間を接続した第2の回路導体層と、この第2の回
    路導体層に接続されるとともに、上記半導体チップの下
    面に表出された電極とを有し、この電極を上記基板の第
    1の回路導体層に当接させた半導体装置。
  2. (2)透光性を有する材料で基板を形成し、透光性を有
    する光硬化型絶縁樹脂よりなる接着剤を用いて、基板の
    表面上に半導体を接着固定した請求項1記載の半導体装
    置。
JP1095709A 1988-10-14 1989-04-14 半導体装置 Pending JPH02272764A (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1095709A JPH02272764A (ja) 1989-04-14 1989-04-14 半導体装置
US07/476,483 US5065006A (en) 1988-10-14 1989-10-13 Image sensors with simplified chip mounting
DE68926448T DE68926448T2 (de) 1988-10-14 1989-10-13 Bildsensor und verfahren zu dessen herstellung
PCT/JP1989/001059 WO1990004263A1 (en) 1988-10-14 1989-10-13 Image sensor and method of producing the same
EP89911393A EP0393206B1 (en) 1988-10-14 1989-10-13 Image sensor and method of producing the same
US07/739,562 US5138145A (en) 1988-10-14 1991-08-21 Method for producing image sensors with current flow into chip and with simplified chip mounting
US07/884,826 US5266828A (en) 1988-10-14 1992-05-18 Image sensors with an optical fiber array

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1095709A JPH02272764A (ja) 1989-04-14 1989-04-14 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02272764A true JPH02272764A (ja) 1990-11-07

Family

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Family Applications (1)

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JP1095709A Pending JPH02272764A (ja) 1988-10-14 1989-04-14 半導体装置

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